TW202227559A - 介電膜形成組成物 - Google Patents

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山傑 瑪利卡
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Abstract

本揭示關於一種介電膜形成組成物，其包括(a)至少一個氰酸酯化合物，該至少一個氰酸酯化合物含有至少兩種氰酸酯基團；以及(b)至少一個介電聚合物，包括聚苯并噁唑前驅物聚合物、聚醯亞胺前驅物聚合物或完全醯亞胺化的聚醯亞胺聚合物。

Description

介電膜形成組成物
相關申請案的交互參照
本申請案主張於2020年10月22日提申的美國臨時申請案編號63/094,960的優先權，其內容以引用整體併入。
本揭示係有關於介電膜形成組成物。
揭示背景
對於半導體封裝應用的介電材料需求不斷地演進。電子封裝的趨勢持續朝向更快的加工速度、更高的複雜性和更高的封裝密度，同時保持高位準的可靠性。當前和未來的封裝架構包括多達10個重分佈層和超小形貌體尺寸，以支持高封裝密度。絕緣介電材料厚度顯著地減少，以容納薄而小的形狀因數的多個重分佈層。具有低熱收縮率和低固化溫度的有機介電材料係適用於此類應用。例如，聚醯亞胺和聚苯并噁唑前驅物可於相對低的固化溫度(200至300°C)在適宜催化劑的存在下固化。然而，該些材料在固化步驟期間會出現明顯的收縮。而且，所得經固化膜具有範圍介於200至230°C的玻璃轉化溫度，其顯著低於260°C的焊膏回流溫度。此導致介電膜過度流動，從而造成分層及圖案化結構的臨界尺度改變。
揭示概要
本揭示基於出乎意料的發現，即某些介電膜形成組成物可形成擁有相對低的膜收縮率、相對低的介電常數及/或損耗因數以及相對高的玻璃轉化溫度(Tg) (譬如具有高於焊膏回流溫度(譬如260°C)的Tg)的介電膜。
在一態樣中，本揭示的特徵在於一種介電膜形成組成物，其包括a)至少一種氰酸酯化合物，該至少一種氰酸酯化合物含有至少兩種氰酸酯基團；以及b)至少一種介電聚合物，包含聚苯并噁唑前驅物聚合物、聚醯亞胺前驅物聚合物或完全醯亞胺化的聚醯亞胺聚合物。
在另一態樣中，本揭示的特徵在於一種乾膜，其包括一載體基板以及由該載體基板支撐的一介電膜，其中該膜是由本案所述的介電膜形成組成物製備。
在另一態樣中，本揭示的特徵在於一種用於沉積一金屬層的方法。該方法包括a)將本案所述的介電膜形成組成物沉積在一基板上以形成一介電膜；b)使該介電膜曝露於輻射或熱或是輻射或熱的組合；c)圖案化該介電膜以形成具有若干開口的一圖案化介電膜；以及d)任擇地在該圖案化介電膜上沉積一種子層；以及e)在該圖案化介電膜中的至少一個開口中沉積一金屬層。
在另一態樣中，本揭示的特徵在於一種用於在一基板上形成一介電膜的方法。該方法包括a)提供含有若干銅導電金屬線結構的一基板，該等銅導電金屬線結構在該基板上形成由若干線路和若干互連件組成的一網絡；b)將本案所述的介電膜形成組成物沉積在該基板上以形成一介電膜；以及c)使該介電膜曝露於輻射或熱或是輻射和熱的組合。
在又另一態樣中，本揭示的特徵在於一種藉由本案所述的方法製備的三維物體。在一些實施方式中，該物體包括呈至少兩個或三個堆疊的該介電膜。
揭示詳細說明
在一些實施方式中，本揭示關於一種介電膜形成組成物(譬如光敏或非光敏的介電膜形成組成物)，其包括： a)具有至少兩個氰酸酯基團(即在一個分子中)的至少一個氰酸酯化合物；以及 b)至少一個介電聚合物，其含有聚苯并噁唑前驅物聚合物、聚醯亞胺前驅物聚合物或完全醯亞胺化的聚醯亞胺聚合物。
本案所述的介電膜形成組成物可是光敏性或非光敏性。在一些實施方式中，當介電膜形成組成物是光敏性時，該組成物可形成在曝露於高能輻射(比如電子束、紫外光和X光)時能夠在顯影劑中產生溶解度變化的膜。例如，該組成物可形成可在曝光區域交聯的負型光敏膜，其在顯影劑中的溶解度降低。在此類實施方案中，除了上述氰酸酯化合物和介電聚合物以外，該介電膜形成組成物可包括至少一個交聯劑及/或用於引發該交聯劑的交聯反應的至少一個催化劑(譬如自由基起始劑)。
在一些實施方式中，當介電膜形成組成物是非光敏性時，該組成物在曝露於高能輻射時在顯影劑中不具有溶解度變化。在此類實施方案中，該組成物可不包括任何交聯劑及/或催化劑。在一些實施方式中，此類組成物可包括至少一個用於促進氰酸酯化合物形成互穿網絡的氰酸酯固化催化劑(譬如金屬鹽)，其可不同於用於引發交聯劑的交聯反應的催化劑。
在一些實施方式中，本案所述的介電膜形成組成物可包括至少一個(譬如兩、三或四個)氰酸酯化合物。不希望受限於理論，據信氰酸酯化合物可被熱環化及/或交聯(譬如有或無催化劑)以與介電聚合物形成互穿網絡。再者，不希望受限於理論，據信在本案所述的介電膜形成組成物中包括氰酸酯化合物可降低由該組成物形成的膜的介電常數(K)及/或損耗因數(DF)。
在一些實施方式中，氰酸酯化合物具有結構(I)： A-(O-C≡N) m(I)， 其中m是至少2的整數(即m≥2)且A是含有經取代或未經取代的芳香族基團的二價有機基團(譬如氰酸酯基團-O-C≡N直接鍵接至經取代或未經取代的芳香族基團)。在一些實施方式中，芳香族有機基團可包括芳基和雜芳基基團。本案使用的術語「芳基」是指具有一個或多個芳香環的烴部分。芳基部分的實例包括苯基(Ph)、伸苯基、萘基、伸萘基、芘基、蒽基和菲基。本案使用的術語「雜芳基」是指具有一個或多個芳香環的部分，該芳香環含有至少一個雜原子(譬如N、O或S)。雜芳基部分的實例包含呋喃基、伸呋喃基、芴基、吡咯基、噻吩基、噁唑基、咪唑基、噻唑基、吡啶基、嘧啶基、喹唑啉基、喹啉基、異喹啉基和吲哚基。
如本案所用，在經取代基團(譬如經取代的烷基、烯基、伸烷基、環烷基、伸環烷基、芳基、芳烷基或雜芳基基團)或經取代化合物上的可能的取代基包括C 1-C 10烷基、C 2-C 10烯基、C 2-C 10炔基、C 3-C 20環烷基、C 3-C 20環烯基、C 3-C 20雜環烷基、C 3-C 20雜環烯基、C 1-C 10烷氧基、芳基、芳氧基、雜芳基、雜芳氧基、胺基、C 1-C 10烷基胺基、C 1-C 20二烷基胺基、芳基胺基、二芳基胺基、羥基、鹵素、硫基、C 1-C 10烷基硫基、芳硫基、C 1-C 10烷基磺醯基、芳基磺醯基、醯基胺基、胺基醯基、胺基硫代醯基、脒基、胍、脲基、氰基、硝基、醯基、硫代醯基、醯氧基、羧基和羧酸酯。
在一些實施方式中，A是經取代或未經取代的單體或寡聚多環芳香族或雜環芳香族有機基團，其中氰酸酯基團直接鍵接至該芳香族有機基團。
在一些實施方式中，結構(I)的氰酸酯化合物可為結構(II)的那些：
Figure 02_image001
(II)， 其中R是氫原子、C 1-C 3烷基、完全或部分地經鹵素(譬如F、Cl、Br或I)取代的C 1-C 3烷基(譬如被1、2或3個鹵素取代)或鹵素原子；以及X是單鍵、-O-、-S-、-(C=O)-、-(C=O)-O-、-O-(C=O)-、-(S=O)-、-(SO 2)-、-CH 2CH 2-O-、經取代或未經取代的C 1-C 10伸烷基、經氟(部分或完全地)取代的C 1-C 4伸烷基(譬如被1、2或3個氟取代)、經取代或未經取代的C 3-C 10環伸烷基或以下基團之一：
Figure 02_image003
在一些實施方式中，氰酸酯化合物可具有結構(III)：
Figure 02_image005
(III)， 其中n 1是至少2 (即n 1≥ 2)的整數、n 2和n 3獨立地為0或1至100的整數，R 1是酸敏感的經取代烷基、矽基、芳基或芳烷基基團(譬如三級丁基、甲氧基甲基或二甲基苯基)，R 2是經取代或未經取代的C 1-C 10烷基，經取代或未經取代的C 3-C 10環烷基、經取代或未經取代的芳基基團或–(C=O)-OR 4基團，其中R 4是非酸敏感的經取代烷基或芳烷基基團；以及R 3是經取代或未經取代的C 1-C 10烷基或經氟(譬如部分或完全)取代的C 1-C 4烷基。
適宜的氰酸酯化合物的特定實例包括2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷、六氟雙酚A二氰酸酯、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚和雙(4-氰酸酯苯基)醚；衍生自酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆或含二環戊二烯結構的酚樹脂的多官能氰酸酯或類似物。氰酸酯化合物的其他實例已說明於譬如美國專利號3,595,900；4,894,414和4,785, 034，其內容以引用併入。在一些實施方式中，兩種或更多種氰酸酯化合物可用於本案所述的介電膜形成組成物中。
在一些實施方式中，本案所述的介電膜形成組成物較佳包括兩種或更多種氰酸酯化合物。
一般而言，氰酸酯樹脂的重量平均分子量並無特別限制。在一些實施方式中，氰酸酯化合物可具有介於自至少約500道耳吞(譬如至少約600道耳吞或至少約1,000道耳吞)至至多約4,500 (譬如至多約4,000道耳吞或至多約3,000道耳吞)的範圍內的重量平均分子量。
在一些實施方式中，至少一個氰酸酯化合物的量係佔本案所述的介電膜形成組成物的總重量至少約2重量% (譬如至少約5重量%、至少約10重量%、至少約15重量%或至少20重量%)及/或至多約55重量%(譬如至多約50重量%、至多約45重量%、至多約40重量%、至多約35重量%、至多約30重量%或至多約25重量%)。
在一些實施方式中，本案所述的介電膜形成組成物可包括至少一個(譬如兩、三或四個)介電聚合物，其選自於由聚苯并噁唑前驅物聚合物、聚醯亞胺前驅物聚合物和完全醯亞胺化的聚醯亞胺聚合物組成的群組。在一些實施方式中，介電聚合物是完全醯亞胺化的聚醯亞胺聚合物。本案提及的完全醯亞胺化的聚醯亞胺聚合物係至少約90% (譬如至少約95%、至少約98%、至少約99%或約100%)被醯亞胺化。較佳的完全醯亞胺化的聚醯亞胺聚合物是沒有任何聚合部分接附到該聚合物上的那些聚合物。不希望受限於理論，據信在本案所述的介電膜形成組成物中包括上述聚合物可提高由該組成物形成的膜的玻璃轉化溫度、降低由該組成物形成的膜的熱收縮率並改善由該組成物形成的膜的機械性能。
在一些實施方式中，介電聚合物可包括一個或多個(譬如兩、三或四個)可交聯基團，俾使該介電聚合物可自身或與交聯劑(比如本案所述的反應性官能化合物)交聯。可交聯基團的實例包括含有雙鍵或三鍵的端基或接附到含有雙鍵或三鍵的聚合物主鏈的側基。
在一些實施方式中，介電聚合物的重量平均分子量係至少約20,000道耳吞(譬如至少約25,000道耳吞、至少約30,000道耳吞、至少約35,000道耳吞、至少約40,000道耳吞、至少約45,000道耳吞、至少約50,000道耳吞，或至少約55,000道耳吞)及/或至多約100,000道耳吞(譬如至多約95,000道耳吞、至多約90,000道耳吞、至多約85,000道耳吞、至多約80,000道耳吞、至多約75,000道耳吞、至多約70,000道耳吞、至多約65,000道耳吞或至多約60,000道耳吞)。
合成聚苯并噁唑前驅物聚合物的方法是本領域技術人員習知的。此類方法的實例揭示於譬如美國專利第6,143,467號、美國專利第7,195,849號、美國專利第7,129,011號和美國專利第9,519,216號，其內容以引用方式併入本案。
合成聚醯亞胺前驅物聚合物(譬如聚醯胺酸酯聚合物)的方法亦為本領域技術人員所習知。此類方法的實例揭示於譬如美國專利第4,040,831號、美國專利第4,548,891號、美國專利第5,834,581號和美國專利第6,511,789號，其內容以引用方式併入本案。
合成聚醯亞胺聚合物(譬如完全醯亞胺化的聚醯亞胺聚合物)的方法是本領域技術人員習知的。此類方法的實例揭示於譬如美國專利第9,617,386號和美國申請案公開第20040265731號、第20040235992號與第2007083016號，其內容以引用方式併入本案。
在一些實施方式中，介電聚合物的量係佔介電膜形成組成物的總重量至少約2重量% (譬如至少約5重量%、至少約10重量%、至少約15重量%或至少約20重量%)及/或至多或約55重量% (譬如至多約50重量%、至多約45重量%、至多約40重量%、至多約35重量%、至多約30重量%或至多約25重量%)。
在一些實施方式中，本案所述的介電膜形成組成物可更包括至少一個(譬如兩、三或四個)溶劑(譬如有機溶劑)。
有機溶劑的實例包括，但不限於，碳酸伸烷基酯類，比如碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、碳酸伸丁酯和碳酸甘油酯；內酯類，比如伽瑪-丁內酯、ε-己內酯、γ-己內酯和δ-戊內酯；環酮類，比如環戊酮和環己酮；直鏈酮類，比如甲基乙基酮(MEK)和甲基異丁基酮(MIBK)；酯類，比如乙酸正丁酯；酯醇類，比如乳酸乙酯；醚醇類，比如四氫糠醇；乙二醇酯類，比如丙二醇甲醚乙酸酯；乙二醇醚類，比如丙二醇甲醚(PGME)；環醚類，比如四氫呋喃(THF)；以及吡咯烷酮，比如N-甲基-2-吡咯烷酮。
在較佳的實施方式中，介電膜形成組成物的溶劑含有碳酸伸烷基酯，比如碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、碳酸伸丁酯、碳酸甘油酯或其組合。在一些實施方式中，溶劑混合物中的碳酸伸烷基酯的量係佔介電膜形成組成物的至少約20% (譬如至少約30%、至少約40%、至少約50%、至少約60%、至少約70%、至少80%或至少約90%)。不希望受限於理論，據信碳酸酯溶劑(譬如碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、碳酸伸丁酯或碳酸甘油酯)可促進形成具有平坦化表面的介電膜(譬如介電膜的頂面上的最高點與最低點的差別小於約2微米)。
在一些實施方式中，溶劑的量係佔介電膜形成組成物的至少約20重量% (譬如至少約25重量%、至少約30重量%、至少約35重量%、至少約40重量%、至少約45重量%、至少約50重量%、至少約55重量%、至少約60重量%或至少約65重量%)及/或至多約98重量% (譬如至多約95重量%、至多約90重量%、至多約85重量%、至多約80重量%、至多約75重量%、至多約70重量%或至多約60重量%)。
在一些實施方式中，本揭示的介電膜形成組成物可任擇地包括至少一個(譬如兩、三或四個)催化劑(譬如起始劑)。在一些實施方式中，取決於所用催化劑的類型，催化劑能夠使氰酸酯環化及/或交聯，或當曝露於熱(譬如熱起始劑)及/或輻射源時(譬如光起始劑，比如自由基光起始劑)引發交聯或聚合反應。
在一些實施方式中，本案所述的介電膜形成組成物可任擇地包括至少一個(譬如兩、三或四個)氰酸酯固化催化劑，以促進氰酸酯化合物的固化(譬如以形成互穿網絡)及/或降低介電薄膜的固化溫度。氰酸酯固化催化劑可在光敏性介電膜形成組成物或非光敏性介電膜形成組成物中。
在一些實施方式中，氰酸酯固化催化劑可選自於由金屬羧酸鹽和金屬乙醯丙酮鹽組成的群組。金屬羧酸鹽和金屬乙醯丙酮鹽中的金屬可選自於由以下組成的群組：鋅、銅、錳、鈷、鐵、鎳、鋁、鈦、鋯及其混合物。氰酸酯固化催化劑的實例包括金屬鹽，比如二甲基丙烯酸鋯、辛酸鋅、環烷酸鋅、環烷酸鈷、環烷酸銅和乙醯丙酮鐵；酚類化合物，比如辛基酚、壬基酚；醇類，比如1-丁醇和2-乙基己醇；咪唑化合物，比如2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑和2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑；胺類化合物，比如雙氰胺、苄基二甲胺和4-甲基-N,N-二甲基苄胺；磷類化合物，比如膦類化合物和鏻類化合物；環氧-咪唑加成物化合物；以及過氧化物類，比如苯甲醯過氧化物、對氯苯甲醯過氧化物、雙三級丁基過氧化物、過氧化碳酸二異丙酯和過氧化碳酸雙-2-乙基己酯。該些催化劑是市售的。市售催化劑的實例包括Amicure PN-23 (商品名，由Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc.製造)、Novacure HX-3721 (商品名，由Asahi Kasei Corporation.製造)和Fujicure FX-1000 (商品名，由Fuji Kasei Kogyo Co., Ltd.製造)。該些催化劑中的一者或二或更多者的組合可用於本案所述的組成物中。此類催化劑的其他實例已說明於譬如美國專利申請案第2018/0105488號和美國專利第9,822,226號， 其內容以引用方式併入本案。
在一些實施方式中(譬如在光敏性組成物中)，本案所述的介電膜形成組成物可任擇地包括至少一個(譬如兩、三或四個)光起始劑，以促進交聯劑(譬如本案所述的反應性官能基)的交聯反應或交聯劑與介電聚合物(譬如當其包括可交聯基團時)之間的交聯反應。光起始劑的特定實例包括，但不限於，1,8-辛二酮、1,8-雙[9-(2-乙基己基)-6-硝基-9H-咔唑-3-基]-1,8-雙(O-乙醯肟)、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、1-羥基環己基苯基酮(來自BASF的Irgacure 184)、1-羥基環己基苯基酮和二苯甲酮的摻合物(來自BASF的Irgacure 500)、2,4,4-三甲基戊基氧化膦(來自BASF的Irgacure 1800、1850和1700)、2,2-二甲氧基-2-苯乙酮(來自BASF的Irgacure 651)、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦(來自BASF的Irgacure 819)、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙-1-酮(來自BASF的Irgacure 907)、(2,4,6-三甲基苯甲醯基)二苯基氧化膦(來自BASF的Lucerin TPO)、2-(苯甲醯氧基亞胺基)-1-[4-(苯硫基)苯基]-1-辛酮(來自BASF的Irgacure OXE-01)、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]乙酮、1-(O-乙醯肟) (來自BASF的Irgacure OXE-2)、乙氧基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦(來自BASF的Lucerin TPO-L)、氧化膦、羥基酮和二苯甲酮衍生物的摻合物(來自Arkema的ESACURE KTO46)、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮(來自Merck的Darocur 1173)、NCI-831 (ADEKA Corp.)、NCI-930 (ADEKA Corp.)、N-1919 (ADEKA Corp.)、二苯甲酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-異丙基噻吨酮、苯并二甲基縮酮、1,1,1-三氯苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、間氯苯乙酮、苯丙酮、蒽醌、二苯并芴酮及類似物。
在一些實施方式中，光敏劑可用於介電膜形成組成物中，其中光敏劑可吸收193至405nm波長範圍內的光。光敏劑的實例包括，但不限於，9-甲基蒽、蒽甲醇、苊、噻吨酮、甲基-2-萘基酮、4-乙醯聯苯和1,2-苯并芴。
熱起始劑的特定實例包括但不限於苯甲醯過氧化物、環己酮過氧化物、月桂醯過氧化物、過氧苯甲酸三級戊酯、三級丁基過氧化氫、雙(三級丁基)過氧化物、雙異苯丙基過氧化物、異丙苯過氧化氫、琥珀酸過氧化物、二(正丙基)過氧化二碳酸酯、2,2-偶氮雙(異丁腈)、2,2-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、二甲基-2,2-偶氮雙異丁酸酯、4,4-偶氮雙(4-氰基戊酸)、偶氮雙環己烷甲腈、2,2-偶氮雙(2-甲基丁腈)及類似物。
在一些實施方式中，催化劑的量係佔介電膜形成組成物的總重量至少約0.2重量% (譬如至少約0.5重量%、至少約0.8重量%、至少約1.0重量%或至少約1.5重量%)及/或至多約3.0重量% (譬如至多約2.8重量%、至多約2.6重量%、至多約2.3重量%或至多約2.0重量%)。
在一些實施方式中，本案所述的介電膜形成組成物可任擇地包括至少一個(譬如兩、三或四個)反應性官能化合物。在一些實施方式中，反應性官能化合物可包括至少兩個官能基(譬如(甲基)丙烯酸酯、烯基或炔基基團)。在一些實施方式中，反應性官能化合物上的官能基能夠與反應性官能化合物的另一分子或與介電聚合物反應(譬如當其包括可交聯基團時)。不希望受限於理論，據信反應性官能化合物可用作光敏性組成物中的交聯劑以形成負型光敏膜。
在一些實施方式中，反應性官能化合物是含有至少兩個(甲基)丙烯酸酯基團的化合物。如本案所用，術語「(甲基)丙烯酸酯」包括丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯兩者。此類化合物的實例包括但不限於1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,5-戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,12-十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、環己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二胺基甲酸酯二(甲基)丙烯酸酯、1,4-伸苯基二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-(2-羥基-3-甲基丙烯醯氧基丙氧基)苯基]丙烷、雙(2-羥乙基)-異氰脲酸酯二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(3)甘油三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五-/六-(甲基)丙烯酸酯、異氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化甘油三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、雙三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、1,2,4-丁三醇三(甲基)丙烯酸酯、雙甘油三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙氧基化物三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷聚乙氧基化物三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯和參(2-羥乙基)異氰脲酸酯三丙烯酸酯。較佳的反應性官能化合物是未經取代/經取代的直鏈、支鏈或環狀C 1-C 10烷基或未經取代/經取代的芳香族基團的二(甲基)丙烯酸酯。反應性官能化合物可單獨使用或以其兩種以上組合使用在本案所述的介電膜形成組成物中。
在一些實施方式中，至少一個反應性官能化合物的量係佔介電膜形成組成物的總重量至少約1重量% (譬如至少約2重量%、至少約3重量%、至少約4重量%或至少5重量%)及/或至多約25重量% (譬如至多約20重量%、至多約15重量%、至多約10重量%或至多約8重量%)。
在一些實施方式中，介電膜形成組成物可任擇地含有至少一個含單(甲基)丙烯酸酯的化合物。在一些實施方式中，該至少一個含單(甲基)丙烯酸酯的化合物選自於由以下組成的群組：丙烯酸冰片酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、丙烯酸二環戊烯酯、甲基丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、甲基丙烯酸二環戊烯酯、雙環[2.2.2]辛-5-烯-2-丙烯酸酯、2-[(雙環[2.2.2]辛-5-烯-2-基)氧基]乙基丙烯酸酯、3a,4,5,6,7,7a-六氫-1 H-4,7-乙茚-6-基丙烯酸酯、2-[(3a,4,5,6,7,7a-六氫-1 H-4,7-乙茚-6-基)氧基]乙基丙烯酸酯、三環[5,2,1,0 2,6]丙烯酸癸酯和四環[4,4,0,1 2.5,1 7,10]十二烷基丙烯酸酯。不希望受限於理論，據信包括至少一個含單(甲基)丙烯酸酯的化合物可增強由本案所述的介電膜形成組成物形成的膜的機械性質(譬如藉由形成聚合物及/或與反應性官能化合物反應(或交聯))。
在一些實施方式中，介電膜形成組成物任擇地包括一個或多個(譬如兩、三或四個)無機填料。在一些實施方式中，該無機填料選自於由以下組成的群組：二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿、CdSe、CdS、CdTe、CuO、氧化鋅、氧化鑭、氧化鈮、氧化鎢、氧化鍶、氧化鈦鈣、鈦酸鈉、硫酸鋇、鈦酸鋇、鋯酸鋇和鈮酸鉀。較佳地，無機填料係呈平均尺寸約0.05 – 2.0微米的粒狀形式。在一些實施方式中，填料是含有鐵磁材料的無機顆粒。適宜的鐵磁材料包括元素金屬(比如鐵、鎳和鈷)或其氧化物、硫化物和羥基氧化物，以及金屬間化合物，比如Awaruite (Ni 3Fe)、Wairaruite (CoFe)、Co 17SM 2和Nd 2Fe 14B。
在一些實施方式中，無機填料(譬如二氧化矽填料)的量係佔介電膜形成組成物的總重量至少約1重量% (譬如至少約2重量%、至少約5重量%、至少約8重量%或至少約10重量%)及/或至多約30重量% (譬如至多約25重量%、至多約20重量%或至多約15重量%)。
在一些實施方式中，本揭示的介電膜形成組成物任擇地更包括一個或多個(譬如兩、三或四個)黏合促進劑。適宜的黏合促進劑說明於“Silane Coupling Agent” Edwin P. Plueddemann, 1982 Plenum Press, New York，其內容以引用併入本案。
在一些實施方式中，任擇的黏合促進劑的量係佔介電膜形成組成物的總重量至少約0.5重量% (譬如至少約0.8重量%、至少約1重量%或至少約1.5重量%)及/或至多約4重量% (譬如至多約3.5重量%、至多約3重量%、至多約2.5重量%或至多約2重量%)。
本揭示的介電膜形成組成物亦可任擇地含有一個或多個(譬如兩、三或四個)表面活性劑(譬如離子性或非離子性表面活性劑)。市售的一表面活性劑是從OMNOVA Solutions取得的PolyFox 6320。適宜的表面活性劑的其他實例包括，但不限於，說明於JP-A-62-36663、JP-A-61-226746、JP-A-61-226745、JP-A-62-170950、JP-A-63-34540、JP-A-7-230165、JP-A-8-62834、JP-A-9-54432和JP-A-9-5988的表面活性劑，其內容以引用併入本案。
在一些實施方式中，表面活性劑的量係佔介電膜形成組成物的總重量至少約0.005重量% (譬如至少約0.01重量%或至少約0.1重量%)及/或至多約1重量% (譬如至多約0.5重量%或至多約0.2重量%)。
本揭示的介電膜形成組成物可任擇地含有一個或多個(譬如兩、三或四個)銅鈍化試劑。適宜的銅鈍化試劑的實例包括三唑化合物、咪唑化合物和四唑化合物。三唑化合物可包括三唑、苯并三唑、經取代的三唑和經取代的苯并三唑。三唑化合物的實例包括但不限於1,2,4-三唑、1,2,3-三唑或被以下取代基取代的三唑：比如C 1-C 8烷基(譬如5-甲基三唑)、胺基、硫醇、巰基、亞胺基、羧基和硝基基團。特定實例包括苯并三唑、甲苯基三唑、5-甲基-1,2,4-三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑、1-胺基-1,2,4-三唑、羥基苯并三唑、2-(5-胺基-戊基)-苯并三唑、1-胺基-1,2,3-三唑、1-胺基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、3-巰基-1,2,4-三唑、3-異丙基-1,2,4-三唑、5-苯基硫醇-苯并三唑、2-[3-2H-苯并三唑-2-基)-4-羥基苯基]甲基丙烯酸乙酯(BTZ-AC)鹵代苯并三唑(鹵素 = F、Cl、Br或I)、萘并三唑及類似物。咪唑的實例包括但不限於2-烷基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-烷基咪唑、2-甲基-4(5)-硝基咪唑、5-甲基-4-硝基咪唑、4-咪唑甲醇氫氯酸鹽和2-巰基-1-甲基咪唑。四唑的實例包括1-H-四唑、5-甲基-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、5-胺基-1H-四唑、1-苯基-5-巰基-1H-四唑、5,5'-雙-1H-四唑、1-甲基-5-乙基四唑、1-甲基-5-巰基四唑、1-羧甲基-5-巰基四唑及類似物。假使採用的話，任擇的銅鈍化劑的量係佔本揭示介電膜形成組成物的整體重量至少約0.1重量% (譬如至少約0.2重量%或至少約0.5重量%)及/或至多約3.0重量% (譬如至多約2.0重量%或至多約1.0重量%)。
在一些實施方式中，本揭示的光敏性介電膜形成組成物可任擇地含有一個或多個(譬如兩、三或四個)增塑劑、抗氧化劑、染料及/或著色劑。
在一些實施方式中，介電膜可由本揭示的介電膜形成組成物藉由含有以下步驟的方法製備：(a)在一基板(譬如半導體基板)上塗佈本案所述的介電膜形成組成物以形成一介電膜；以及(b)任擇地在高溫(譬如自約50°C至約150°C)下烘烤該膜一段時間(譬如自約20秒至約600秒)。
製備介電膜的塗佈方法包括，但不限於，(1)旋塗(spin coating)、(2)噴塗、(3)輥塗、(4)棒塗、(5)旋轉塗佈(rotation coating)、(6)狹縫塗佈、(7)壓縮塗佈、(8)幕塗、(9)模塗、(10)線棒塗佈、(11)刮塗和(12)乾膜層合。在塗覆方法(1) – (11)的情況下，介電膜形成組成物通常以溶液的形式提供。本領域技術人員會基於塗層類型選擇適當的溶劑類型和溶劑濃度。
基板可具有圓形、方形或矩形形狀，比如各種尺度的晶圓或面板。適宜基板的實例是環氧樹脂模塑化合物(EMC)、矽、玻璃、銅、不銹鋼、覆銅層合板(CCL)、鋁、氧化矽和氮化矽。基板可為撓性的，比如聚醯亞胺、PEEK、聚碳酸酯和聚酯膜。基板可具有表面貼裝或埋置式晶片、染料或封裝。基板可被濺射或預塗種子層和鈍化層的組合。在一些實施方式中，本案提及的基板可為半導體基板。如本案所用，半導體基板是成為最終電子裝置的一部分的基板(譬如矽或銅基板或晶圓)。
本揭示的介電膜的厚度並無特別限制。在一些實施方式中，介電膜具有至少約1微米(譬如至少約2微米、至少約3微米、至少約4微米、至少約5微米、至少約6微米、至少約8微米、至少約10微米、至少約15微米、至少約20微米或至少約25微米)及/或至多約100微米(譬如至多約90微米、至多約80微米、至多約70微米、至多約60微米、至多約50微米、至多約40微米或至多約30微米)。在一些實施方式中，介電膜的厚度係小於約5微米(譬如小於約4.5微米、小於約4.0微米、小於約3.5微米、小於約3.0微米、小於約2.5微米或小於約2.0微米)。
在一些實施方式中，當介電組成物是光敏性時，製備圖案化光敏性介電膜的方法包括藉由微影製程將光敏性介電膜轉換為圖案化介電膜。在此類情況下，該轉換可包括使用圖案化遮罩使光敏性介電膜曝露於高能輻射(比如電子束、紫外光和X光)。
在曝露後，介電膜可被熱處理至至少約50°C (譬如至少約55°C、至少約60°C或至少約65°C)至至多約100°C (譬如至多約95°C或至多約90°C、至多約85°C、至多約80°C、至多約75°C或至多約70°C)持續至少約60秒(譬如至少約65秒或至少約70秒)至至多約240秒(譬如至多約180秒、至多約120秒或至多約90秒)。熱處理通常是藉由使用熱板或烘箱來完成。
在曝露和熱處理後，該介電膜可藉由使用顯影劑來顯影以去除未曝露部分，而在基板上形成開口或浮雕圖像。顯影可藉由例如浸漬法或噴塗法進行。在顯影後，可在層合基板上的介電膜中產生微孔和細線。
在一些實施方式中，介電膜可藉由使用有機顯影劑來顯影。此類顯影劑的實例可包括，但不限於， 伽瑪-丁內酯(GBL)、二甲亞碸(DMSO)、N,N-二乙基乙醯胺、甲基乙基酮(MEK)、甲基異丁基酮(MIBK)、2-庚酮、環戊酮(CP)、環己酮、乙酸正丁酯(nBA)、丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇甲醚(PGME)、乳酸乙酯(EL)、乳酸丙酯、3-甲基-3-甲氧基丁醇、四氫萘、異佛酮、乙二醇單丁醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二乙二醇甲乙醚、三乙二醇單乙醚、二丙二醇單甲醚、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二酸二乙酯、乙二醇、1,4:3,6-二無水山梨糖醇、異山梨醇二甲醚、1,4:3,6-二無水山梨糖醇2,5-二乙醚(2,5-二乙基異山梨醇)及其混合物。較佳的顯影劑是 伽瑪-丁內酯(GBL)、環戊酮(CP)、環己酮、乳酸乙酯(EL)、乙酸正丁酯(nBA)和二甲亞碸(DMSO)。更佳的顯影劑是 伽瑪-丁內酯(GBL)、環戊酮(CP)和環己酮。該些顯影劑可單獨使用或以兩個或多個的組合使用，以最佳化特定組成物和微影製程的圖影品質。
在一些實施方式中，介電膜可藉由使用水性顯影劑來顯影。當顯影劑是水溶液時，其較佳含有一個或多個水性鹼。適宜的鹼的實例包括，但不限於，無機鹼類(譬如氫氧化鉀、氫氧化鈉)、一級胺類(譬如乙胺、正丙胺)、二級胺類(譬如二乙胺、二正丙胺)、三級胺類(譬如三乙胺)、醇胺類(譬如三乙醇胺)、四級銨氫氧化物(譬如四甲基氫氧化銨或四乙基氫氧化銨)及其混合物。所用鹼的濃度將取決於譬如所用聚合物的鹼溶解度。最佳的水性顯影劑是含有四甲基氫氧化銨(TMAH)的那些。TMAH的適宜濃度係介於約1%至約5%的範圍。
在一些實施方式中，在藉由有機顯影劑顯影之後，可用有機沖洗溶劑進行任擇的沖洗處理，以去除殘留物。有機沖洗溶劑的適宜實例包括，但不限於，醇類，比如異丙醇、甲基異丁基甲醇(MIBC)、丙二醇單甲醚(PGME)和戊醇；酯類，比如乙酸正丁酯(nBA)、乳酸乙酯(EL)、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)；酮類，比如甲基乙基酮及其混合物。
在一些實施方式中，在顯影步驟或任擇的沖洗處理步驟之後，可以介於以下範圍內的溫度進行任擇的烘烤步驟(譬如顯影后烘烤)：至少約120 oC(譬如至少約130 oC、至少約140 oC、至少約150 oC、至少約160 oC、至少約170 oC或至少約180 oC)至至多約250 oC (譬如至多約240 oC、至多約230 oC、至多約220 oC、至多約210 oC、至多約200 oC或至多約190 oC)。烘烤時間為至少約5分鐘(譬如至少約10分鐘、至少約20分鐘、至少約30分鐘、至少約40分鐘、至少約50分鐘或至少約60分鐘)及/或至多約5小時(譬如至多約4小時、至多約3小時、至多約2小時或至多約1.5小時)。此烘烤步驟可從殘餘的介電膜中去除殘留的溶劑且可進一步交聯殘餘的介電膜。顯影後烘烤可在空氣中或較佳地在氮氣覆蓋下進行，而且可藉由任何適宜的加熱方式進行。
在一些實施方式中，圖案化介電膜包括至少一元件，其具有形貌體尺寸為至多約10微米(譬如至多約9微米、至多約8微米、至多約7微米、至多約6微米、至多約5微米、至多約4微米、至多約3微米、至多約2微米或至多約1微米)。本揭示的一個重要態樣是由本案所述的介電膜形成組成物製備的介電膜能夠藉由雷射燒蝕方法製造具有形貌體尺寸為至多約3微米(譬如至多2微米或至多1微米)的圖案化膜。
在一些實施方式中，本揭示的圖案化介電膜的形貌體(譬如最小形貌體)的縱橫比(高寬比)為至少約1/3 (譬如至少約1/2、至少約1/1、至少約2/1、至少約3/1、至少約4/1或至少約5/1)。
在一些實施方式中(譬如當介電膜形成組成物是非光敏性時)，製備圖案化介電膜的方法包括藉由雷射燒蝕技術將介電膜轉換成圖案化介電膜。使用準分子雷射束的直接雷射燒蝕方法通常是乾式的一步式材料去除，以在介電膜中形成開口(或圖案)。在一些實施方式中，雷射的波長為351 nm或更小(譬如351 nm、308 nm、248 nm或193 nm)。適宜的雷射燒蝕方法的實例包括，但不限於，美國專利第7,598,167號、第6,667,551號和第6,114,240號中說明的方法，其內容以引用併入本案。
在介電膜形成組成物是非光敏性的實施方式中，該組成物可用於形成雙層光阻中的底層。在此類實施方式中，雙層光阻的頂層可為光敏層且可在曝露於高能輻射時被圖案化。頂層中的圖案可轉移到底部介電層(譬如藉由蝕刻)。然後可去除頂層(譬如藉由使用濕化學蝕刻方法)以形成圖案化介電膜。
在一些實施方式中，本揭示的特徵在於一種用於沉積金屬層(譬如以創建埋置式銅跡線結構)的方法，其包括以下步驟：(a)形成具有若干開口的一圖案化介電膜；以及d)在該圖案化介電膜中的至少一個開口中沉積一金屬層(譬如一導電金屬層)。例如，該方法可包括以下步驟：(a)在一基板(譬如一半導體基板)上沉積本揭示的介電膜形成組成物以形成一介電膜；(b)使該介電膜(譬如透過一遮罩)曝露於輻射源或熱源或其組合；(c)圖案化該介電膜以形成具有若干開口的一圖案化介電膜；(d)在該圖案化介電膜中的至少一個開口中沉積一金屬層(譬如一導電金屬層)。在一些實施方式中，步驟(a)-(d)可重複一次或多次(譬如兩、三或四)次。
在一些實施方式中，本揭示的特徵在於一種在半導體基板上沉積金屬層(譬如導電銅層，以創建埋置式銅跡線結構)的方法。在一些實施方式中，為了實現這一點，首先將與圖案化介電膜共形的種子層沉積在該圖案化介電膜上(譬如在膜中的開口之外)。種子層可含有屏障層和金屬種子層(譬如銅種子層)。在一些實施方式中，一屏障層是藉由使用能夠防止一導電金屬(譬如銅)擴散透過該介電層的材料來製備。可用於屏障層的適宜材料包括，但不限於，鉭(Ta)、鈦(Ti)、氮化鉭(TiN)、氮化鎢(WN)和Ta/TaN。形成屏障層的適宜方法是濺射(譬如PVD或物理氣相沉積)。濺射沉積作為一種金屬沉積技術具有一些優勢，因其可用於以高沉積速率、良好均勻性和低擁有成本來沉積許多導電材料。對於更深、更窄(高縱橫比)的形貌體，習用的濺射填充產生相對差的結果。濺射沉積的填充因子已藉由準直濺射通量而改善。通常，此係藉由在標靶和基板之間插入具有六邊形單元陣列的準直器板來實現的。
該方法的下一步驟是金屬種子沉積。薄金屬(譬如導電金屬，比如銅)晶種層可形成在屏障層的頂部，以改善後續步驟中形成的金屬層(譬如銅層)的沉積。
該方法的下一步驟是在該圖案化介電膜的若干開口中的該金屬晶種層的頂部上沉積一導電金屬層(譬如一銅層)，其中該金屬層係足夠厚以填充該圖案化介電膜中的該等開口。填充該圖案化介電膜中的該等開口的該金屬層可藉由電鍍(比如無電或電解電鍍)、濺射、電漿氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)來沉積。電化學沉積一般是應用銅的較佳方法，因為比其他沉積方法更經濟，而且可將銅無瑕地填充到互連形貌體中。銅沉積方法一般應符合半導體行業的嚴苛要求。例如，銅沉積物應該是均勻的且能夠無瑕地填充裝置的小型互連形貌體，例如100 nm或更小的開口。此技術已說明於譬如美國專利第5,891,804號(Havemann等人)、第6,399,486號(Tsai等人)和第7,303,992號(Paneccasio等人)，其內容以引用併入本案。
在一些實施方式中，沉積導電金屬層的方法還包括去除導電金屬的覆蓋層或去除種子層(譬如屏障層和金屬晶種層)。在一些實施方式中，導電金屬層(譬如銅層)的覆蓋層係至多約3微米(譬如至多約2.8微米、至多約2.6微米、至多約2.4微米、至多約2.2微米、至多約2.0微米或至多約1.8微米)和至少約0.4微米(譬如至少約0.6微米、至少約0.8微米、至少約1.0微米、至少約1.2微米、至少約1.4微米或至少約1.6微米)。用於去除銅覆蓋層的銅蝕刻劑的實例包括含有氯化銅和氫氯酸的水溶液或硝酸鐵和氫氯酸的水性混合物。其他適宜的銅蝕刻劑的實例包括，但不限於，美國專利第4,784,785號、第3,361,674號、第3,816,306號、第5,524,780號、第5,650,249號、第5,431,776號和5,248,398號和美國申請案公開第2017175274號所說明的銅蝕刻劑，其內容以引用併入本案。
一些實施方式說明了用於包圍含有導電金屬(譬如銅)線結構的金屬結構化基板的方法，該金屬結構化基板與本揭示的介電膜形成線路和互連件的網絡。該方法可包括以下步驟： a)提供含有若干導電金屬線結構的一基板，該等銅導電金屬線結構在該基板上形成由若干線路和若干互連件組成的一網絡； b)在該基板上沉積本揭示的介電膜形成組成物以形成一介電膜(譬如其圍繞該等導電金屬線路和互連件；以及 c)使該介電膜(在有或無遮罩之下)曝露於輻射或熱或是輻射與熱的組合。 上述步驟可重複多次(譬如兩次、三次或四次)以形成複雜的多層三維物體。
在一些實施方式中，本揭示的特徵在於一種製備乾膜結構的方法。該方法可包括： a)用本案所述的介電膜形成組成物塗覆一載體基板(譬如包括至少一個聚合膜或塑料膜的一基板)； b)使所塗覆的介電膜形成組成物乾燥以形成一乾膜；以及 c)任擇地，對該乾膜施加一保護層。
在一些實施方式中，載體基板是單層或多層聚合膜或塑料膜，其可包括一個或多個聚合物(譬如聚對苯二甲酸乙二醇酯)。在一些實施方式中，載體基板具有優異的光學透明度，而且對於用於在聚合物層中形成浮雕圖案的光化輻射實質上是透明的。載體基板的厚度較佳在至少約10 µm (譬如至少約15 µm、至少約20 µm、至少約30 µm、至少約40 µm、至少約50 µm或至少約60 µm)至至多約150 µm (譬如至多約140 µm、至多約120 µm、至多約100 µm、至多約90 µm、至多約80 µm或至多約70 µm)的範圍內。
在一些實施方式中，保護層是單層或多層膜，其可包括一個或多個聚合物(譬如聚乙烯或聚丙烯)。載體基板和保護層的實例已說明於譬如美國申請案公開第2016/0313642號，其內容以引用併入本案。
在一些實施方式中，乾膜的介電膜可從載體層分層作為自立介電膜 。自立介電膜是無需使用任何支撐層，比如載體層，即可保持其物理完整性的膜。在一些實施方式中，自立介電膜係未經交聯或固化且可包括上述介電膜形成組成物的除溶劑之外的組分。
在一些實施方式中，由本揭示的介電膜形成組成物製備的膜在10 GHz、15 GHz及/或35 GHz下測量的介電損耗正切或損耗因數在至少約0.001 (譬如至少約0.002、至少約0.003、至少約0.004、至少約0.005、至少約0.01或至少約0.05)至至多約0.1 (譬如至多約0.08、至多約0.06、至多約0.05、至多約0.04 、至多約0.02、至多約0.01、至多約0.008、至多約0.006或至多約0.005)的範圍內。
在一些實施方式中，在預先層壓乾膜結構的介電膜之後，乾膜結構的介電膜可使用真空層壓機在約50℃至約140℃以平面壓縮法或熱輥壓縮法層壓到基板(譬如半導體基板，比如晶圓)上。當採用熱輥層壓時，可將乾膜結構放入熱輥層壓機中，可將任擇的保護層從介電膜/載體基板上剝離，並使用具有熱和壓力的輥使介電膜接觸到基板且層壓到基板，以形成含有基板、介電膜和載體基板的物件。隨後可使介電膜曝露於輻射或熱源(譬如透過載體基板)以形成經交聯的光敏性介電膜。在一些實施方式中，可在將介電膜曝露於輻射源或熱源之前去除載體基板。
本揭示的一些實施方式說明了一種在帶有銅圖案的基板上生成平坦化介電薄膜的方法。在一些實施方式中，該方法包括在帶有銅圖案的一基板上沉積一介電膜形成組成物以形成一介電膜。在一些實施方式中，該方法包括以下步驟： a.提供本揭示的介電膜形成組成物， b.在帶有銅圖案的一基板上沉積該介電膜形成組成物以形成一介電膜，其中該介電膜的一頂面的最高點和最低點的差異小於約2微米(譬如小於1.5微米、小於1微米或小於0.5微米)。
在一些實施方式中，本揭示的特徵在於一種含有至少一個藉由本案所述的方法形成的圖案化介電膜的物件。此類物件的實例包含半導體基板、用於電子設備的撓性膜、線絕緣物、線塗層、漆包線漆或著墨基板。在一些實施方式中，本揭示的特徵在於包括該些物件的一或多者的半導體裝置。可由此類物件製成的半導體裝置的實例包括積體電路、發光二極體、太陽能電池和電晶體。
本案引用的所有出版品(譬如專利、專利申請案出版品和文章)的內容藉由引用整體併入本案。
參考以下實施方式更詳細地說明本揭示，這些實施方式用於例示目的，不應被解讀為限制本揭示的範疇。 實施例 組成物實施例 1 (CE-1)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物(CE-1)：100份具有54,000道耳吞的重量平均分子量之如下所示聚醯亞胺聚合物(P-1)在環戊酮中的29.19%溶液、2.76份環戊酮、41.5份碳酸伸丙酯、1.75份PolyFox 6320 (可得自OMNOVA Solutions的表面活性劑)在碳酸伸丙酯中的0.5 wt%溶液、1.46份甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(黏合促進劑)、0.88份2-(O-苯甲醯肟)-1-[4-(苯硫基)苯基]-1,2-辛二酮(可得自BASF的Irgacure OXE-1，光起始劑)、0.06份單甲醚氫醌(抗氧化劑)、10.95份四乙二醇二丙烯酸酯(反應性官能化合物)、3.65份季戊四醇三丙烯酸酯(反應性官能化合物)、2.92份2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷(氰酸酯)和0.15份5-甲基苯并三唑(銅腐蝕抑制劑)。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。
藉由此組成物形成的介電膜的Tg為267℃，高於由下述比較組成物1形成的介電膜的Tg (248℃)。
Figure 02_image007
聚合物P-1 微影製程實施例 1
將光敏性組成物CE-1旋塗在矽晶圓上並使用熱板在95℃烘烤6分鐘，以形成厚度為7.95微米的塗層。使用Cannon 4000 IE i-line步進機使光敏性聚醯亞胺薄膜曝露於不同曝露能量位準。
使用環戊酮作為顯影劑(1 x 40秒動態顯影)去除未曝露部分，隨後用PGMEA沖洗經顯影膜15秒，以形成圖案。實現了在100 mJ/cm 2光速下，解析度為4微米。膜厚度損耗為17.9%。 組成物實施例 2 (CE-2)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物CE-2：100份具有54,000道耳吞的重量平均分子量之如下所示聚醯亞胺聚合物(P-1)在環戊酮中的29.19%溶液、2.76份環戊酮、41.5份碳酸伸丙酯、1.75份PolyFox 6320在碳酸伸丙酯中的0.5 wt%溶液、1.46份甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、0.88份Irgacure OXE-1、0.06份單甲醚氫醌、10.95份四乙二醇二丙烯酸酯、3.65份季戊四醇三丙烯酸酯、5.84份2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷和0.15份5-甲基苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。
藉由此組成物形成的介電膜的Tg為273℃，高於由下述比較組成物1形成的介電膜的Tg (248℃)。 組成物實施例 3 (CE-3)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物(CE-3)：100份具有54,000道耳吞的重量平均分子量之如下所示聚醯亞胺聚合物(P-1)在環戊酮中的29.19%溶液、2.76份環戊酮、41.5份碳酸伸丙酯、1.75份PolyFox 6320在碳酸伸丙酯中的0.5 wt%溶液、1.46份甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、0.88份Irgacure OXE-1、0.06份單甲醚氫醌、10.95份四乙二醇二丙烯酸酯、3.65份季戊四醇三丙烯酸酯、4.3份2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷和0.15份5-甲基苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。
藉由此組成物形成的介電膜的Tg為270℃，高於由下述比較組成物1形成的介電膜的Tg (248℃)。 組成物實施例 4 (CE-4)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物(CE-4)：100份具有54,000道耳吞的重量平均分子量之如下所示聚醯亞胺聚合物(P-1)在環戊酮中的29.19%溶液、2.76份環戊酮、41.5份碳酸伸丙酯、1.75份PolyFox 6320在碳酸伸丙酯中的0.5 wt%溶液、1.17份甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、0.29份伽瑪環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A-187)、0.88份Irgacure OXE-1、0.06份單甲醚氫醌、10.95份四乙二醇二丙烯酸酯、3.65份季戊四醇三丙烯酸酯、2.92份2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷和0.15份5-甲基苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。 組成物實施例 5 (CE-5)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物(CE-5)：100份具有54,000道耳吞的重量平均分子量之如下所示聚醯亞胺聚合物(P-1)在環戊酮中的29.19%溶液、2.76份環戊酮、41.5份碳酸伸丙酯、1.75份PolyFox 6320在碳酸伸丙酯中的0.5 wt%溶液、1.46份伽瑪環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、0.88份Irgacure OXE-1、0.06份單甲醚氫醌、10.95份四乙二醇二丙烯酸酯、3.65份季戊四醇三丙烯酸酯、2.92份2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷和0.15份5-甲基苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。 比較組成物實施例 1 (CCE-1)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物CCE-1：100份具有54,000的重量平均分子量之聚醯亞胺聚合物(P-1)在環戊酮中的29.19%溶液、2.76份環戊酮、41.5份碳酸伸丙酯、1.75份PolyFox 6320在碳酸伸丙酯中的0.5 wt%溶液、1.46份甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、0.88份Irgacure OXE-1、0.06份單甲醚氫醌、10.95份四乙二醇二丙烯酸酯、3.65份季戊四醇三丙烯酸酯和0.15份5-甲基苯并三唑。換言之，組成物CCE-1不包括氰酸酯化合物。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾以上溶液。藉由此組成物形成的介電膜的Tg為248℃。 組成物實施例 6 (CE-6)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物(CE-6)：100份具有如下所示結構且重量平均分子量為24,500的聚醯亞胺聚合物(P-2)在GBL中的31.21%溶液、10.1份GBL、44.45份碳酸伸丙酯、1.75份PolyFox 6320在碳酸伸丙酯中的0.5 wt%溶液、1.25份甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、0.31份伽瑪環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷 (Silquest A-187)、0.94份Irgacure OXE-1、0.06份單甲醚氫醌、11.70份四乙二醇二丙烯酸酯、3.90份季戊四醇三丙烯酸酯、3.12份2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷和0.16份5-甲基苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。
Figure 02_image009
聚合物P-2 組成物實施例 7 (CE-7)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物(CE-7)：100份具有54,000道耳吞的重量平均分子量之如下所示聚醯亞胺聚合物(P-1)在環戊酮中的29.19%溶液、2.76份環戊酮、41.5份碳酸伸丙酯、1.75份PolyFox 6320在碳酸伸丙酯中的0.5 wt%溶液、1.46份三乙氧基矽基丙基乙基胺基甲酸酯、   0.88份1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙醯肟) (來自BASF的Irgacure OXE-2)、0.06份單甲醚氫醌、10.95份1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、3.65份1,3-丁二醇三(甲基)丙烯酸酯、2.92份DCP Novolak(產品 Primaset® DT-4000) (氰酸酯化合物)和0.15份5-甲基苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。 組成物實施例 8 (CE-8)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物(CE-8)：30份在美國專利第6,929,891號合成實施例3中所述的聚苯并噁唑前驅物聚合物(聚合物P-3)、2.76份環戊酮、41.5份碳酸伸丙酯、1.75份PolyFox 6320 (可得自OMNOVA Solutions)在碳酸伸丙酯中的0.5 wt%溶液、1.46份3-(三乙氧基矽基)丙基琥珀酸酐、0.88份1,8-雙[9-(2-乙基己基)-6-硝基-9H-咔唑-3-基]-1,8-雙(O-乙醯肟)、0.06份單甲醚氫醌、10.95份四乙二醇二甲基丙烯酸酯、3.65份1,4-丁二醇三丙烯酸酯、1.46份2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷和1.46份DCP Novolak(產品 Primaset® DT-4000)和0.15份5-甲基苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。
Figure 02_image011
聚合物P-3 組成物實施例 9 (CE-9)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物(CE-9)：30份由4,4’-氧化鄰苯二甲酸酐(ODPA)製備的聚醯胺酸酯的29.19%溶液、4,4’-二胺基苯醚(ODA) (聚合物P-4)和2-羥乙基甲基丙烯酸酯、2.76份環戊酮、41.5份碳酸伸丙酯、1.75份PolyFox 6320在碳酸伸丙酯中的0.5 wt%溶液、1.17份3-(三乙氧基矽基)丙基琥珀酸酐、0.29份伽瑪環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A-187)、0.88份1-羥基環己基苯基酮(來自BASF的Irgacure 184)、0.06份單甲醚氫醌、10.95份1,12-十二烷二醇二甲基丙烯酸酯、3.65份二季戊四醇六丙烯酸酯、2.92份Novolak (產品 Primaset® PT-30) (氰酸酯化合物)和0.15份5-甲基苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。 組成物實施例 10 (CE-10)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物(CE-10)：100份具有54,000的重量平均分子量之聚醯亞胺聚合物(P-1)在環戊酮中的29.19%溶液、2.76份環戊酮、41.5份碳酸伸丙酯、1.75份PolyFox 6320在碳酸伸丙酯中的0.5 wt%溶液、1.17份2-氰基乙基三乙氧基矽烷、0.29份伽瑪環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A-187)、0.88份NCI-831 (ADEKA Corp.)、0.06份單甲醚氫醌、10.95份1,3-丁二醇二甲基丙烯酸酯、3.65份二季戊四醇五甲基丙烯酸酯、2.92份BP-M (可以AroCy®XU 366得自Hunstman) (氰酸酯化合物)和0.15份5-甲基苯並三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。 組成物實施例 11 (CE-11)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物(CE-11)：100份具有54,000的重量平均分子量之聚醯亞胺聚合物(P-1)在環戊酮中的29.19%溶液、2.76份環戊酮、41.5份碳酸伸乙酯、1.75份PolyFox 6320在碳酸伸乙酯中的0.5 wt%溶液、1.17 份(N,N-二乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、0.29份伽瑪環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A-187)、0.88份NCI-930 (ADEKA Corp.)、0.06份單甲醚氫醌、10.95份聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、3.65份丙氧基化(3)甘油三(甲基)丙烯酸酯、2.92份DCP Novolak (產品Primaset® DT-4000)、2.92份二氧化矽(12.0 g，二氧化矽奈米顆粒SUPSIL™ PREMIUM，單分散，電荷穩定，由Superior Silica供應)和0.15份1H四唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。 組成物實施例 12 (CE-12)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物(CE-12)：100份具有54,000的重量平均分子量之聚醯亞胺聚合物(P-1)在環戊酮中的29.19%溶液、2.76份環戊酮、41.5份碳酸伸丁酯、1.75份PolyFox 6320在碳酸伸丁酯中的0.5 wt%溶液、1.17份3-三甲氧基矽基丙基硫醇、0.29份伽瑪環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A-187)、0.88份Irgacure OXE-1、0.06份單甲醚氫醌、10.95份環己烷二甲醇二丙烯酸酯、3.65份雙三羥甲基丙烷四甲基丙烯酸酯、2.92份DCP Novolak (產品Primaset® DT-4000)、2.92份二氧化矽(12.0 g，二氧化矽奈米顆粒SUPSIL™ PREMIUM，單分散，電荷穩定，由Superior Silica供應)、0.15份2-[3-2H-苯并三唑-2-基)-4-羥基苯基]乙基甲基丙烯酸酯(BTZ-AC)和0.15份5-甲基苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。 組成物實施例 13 (CE-13)
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物CE-13：100份具有如下所示結構且重量平均分子量為74,500道耳吞的聚醯亞胺聚合物(P-4)在環戊酮中的31.21%溶液、10.1份環戊酮、44.45份碳酸伸丙酯、1.75份PolyFox 6320在碳酸伸丙酯中的0.5 wt%溶液、1.25份甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、0.31份伽瑪環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A-187)、0.94份Irgacure OXE-1、0.06份單甲醚氫醌、11.70份1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、3.90份季戊四醇四丙烯酸酯、3.12份2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷和0.16份5-甲基苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。
Figure 02_image013
聚合物P-4 乾膜實施例 1
藉由使用以下製備光敏性介電膜形成組成物：1345.24 g具有58200的重量平均分子量之聚醯亞胺聚合物(P-1)在環戊酮中的31.69%溶液、1021.91 g碳酸伸丙酯、102.31 g的PolyFox 6320在碳酸伸丙酯中的0.5 wt%溶液、21.31 g甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、34.11 g的XU-378(可得自Huntsman的雙酚M氰酸酯)在環戊酮中的50%溶液、12.79 g的Irgacure OXE-1、0.43 g單甲醚氫醌、138.55 g四乙二醇二丙烯酸酯、53.39 g季戊四醇三丙烯酸酯、21.32的乙二醇二環戊烯基醚丙烯酸酯、4.26 g雙異苯丙基過氧化物和0.426 g的5-甲基苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器過濾該溶液。
使用來自Fujifilm USA (Greenwood, SC)的縫模塗佈機以 2英尺/分鐘(每分鐘61 cm)的線速和60微米餘隙將該光敏性介電膜形成組成物施加到聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上(TCH21，DuPont Teijin Films USA製造)，其具有16.2”的寬度與36微米的厚度作為載體基板並在194°F乾燥，以獲得厚度約為12.0微米的光敏性聚合層。藉由輥壓將寬度為16”、厚度為30微米的雙軸取向聚丙烯膜(BOPP，由德州休士頓Impex Global製造)覆蓋在此聚合層上，以用作保護層。該載體基板、光敏性聚合層和保護層一起形成乾膜(即DF-1) 膜機械性能測量的通用流程
經由旋塗將過濾的聚合物溶液施加到氧化矽晶圓上，以獲得厚度約為21.0微米至23.0微米的膜。讓塗層在90°C熱板烘箱上乾燥10分鐘。隨後使該膜曝露至500mJ/cm 2。最後，使用YES烘箱在真空下將該膜在170℃烘烤2小時。使用2%氫氟酸溶液使該膜與氧化矽層分層，並在50℃空氣中乾燥8小時。冷卻至室溫後，藉由DMA將該膜定性以供Tg測量。
組成物實施例1-3 (CE-1至CE-3)和比較組成物實施例1 (CCE-1)係用於製備如上所述的介電膜。它們的Tg測量整理在表1。 表 1
樣品編號 Tg (°C )
CCE-1 248
CE-1 267
CE-2 273
CE-3 270
三維物體實施例 1
將光敏性組成物實施例4 (CE-4)以1200 rpm旋塗到氧化矽晶圓上，其鍍銅線/間距/高度圖案介於8/8/6微米至15/15/6微米的範圍內。使用熱板將塗覆的介電膜在95℃烘烤5分鐘至約13微米的膜厚度。隨後使用LED i-line曝光工具以500 mJ/cm²對光敏性介電膜進行全面曝光。將該介電膜在YES烘箱中在170°C固化2小時，以形成三維物體，其中個別銅結構被該介電膜包圍。 銅沉積實施例 1
將光敏性組成物實施例1 (CE-1)以1200 rpm旋塗到PVD-銅晶圓上。隨後使用熱板在95℃下烘烤該膜6分鐘，以製造厚度為8 µm的膜。以Canon i-line步進機(NA 0.45，SIGMA 0.7)經由溝槽測試圖案標線在500 mJ/cm²的固定劑量和-1 µm固定焦點使光敏層曝光。隨後藉由使用環戊酮/PGMEA作為溶劑的動態顯影40 秒來顯影經曝光層，以解析50 µm及以下尺度的溝槽，包括光學顯微鏡觀察到的超細4 µm溝槽圖案(藉由橫截面掃描電子顯微鏡(SEM)確認)。依此形成的介電層在YES烘箱中在170℃固化2小時。
隨後將晶圓電鍍，藉由SEM觀察到所有溝槽中皆製造出3.0 µm高的銅線。 使用含有銅離子(30 g/L)、硫酸(50 g/L)、氯離子(40 ppm)、聚(丙二醇) (500 ppm)、3,3-二鈉二硫代雙(1-丙磺酸酯(200 ppm)和雙(鈉磺丙基)二硫化物(100 pm)的電解質組成物實現銅的電沉積。在燒杯中進行電鍍，同時使用以下條件攪拌：陽極：銅；電鍍溫度：25°C；當前密度：10mA/cm 2；以及時間：2分鐘。電鍍後，切割細槽並使用光學和掃描電子顯微鏡檢查銅填充情況，以確認完全填滿銅，沒有任何空隙。控制沉積時間以避免覆蓋層。 組成物實施例 14 (CE-14)
藉由使用以下製備介電膜形成組成物CE-14：100份BA-200 (即，可得自Lonza的2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷)在GBL中的50%溶液、17.65份具有54,000的重量平均分子量之聚醯亞胺聚合物(P-1)在GBL中的28.2%溶液、7.06份PolyFox 6320 (可得自OMNOVA Solutions)在GBL中的0.5 wt%溶液、0.5份二甲基丙烯酸氧鋯(氰酸酯固化催化劑)、0.09份雙異苯丙基過氧化物、4.71份2-羥基-5-丙烯醯氧基苯基-2H-苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。 組成物實施例 15 (CE-15)
藉由使用以下製備介電膜形成組成物CE-15：100份XU-378 (可得自Huntsman的雙酚M氰酸酯)在GBL中的50%溶液、17.65份具有54,000的重量平均分子量之聚醯亞胺聚合物(P-1)在GBL中的28.2%溶液、7.06份PolyFox 6320 (可得自OMNOVA Solutions)在GBL中的0.5 wt%溶液、0.5份二甲基丙烯酸氧鋯、0.09份雙異苯丙基過氧化物、4.71份2-羥基-5-丙烯醯氧基苯基-2H-苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。 組成物實施例 16 (CE-16)
藉由使用以下製備介電膜形成組成物CE-16：100份BA-200 (即，可得自Lonza的2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷)在GBL中的50%溶液、17.65份Durimide 200聚醯亞胺聚合物(可得自Huntsman)在GBL中的25%溶液、7.06份PolyFox 6320 (可得自OMNOVA Solutions)在GBL中的0.5 wt%溶液、0.5份二甲基丙烯酸氧鋯、0.09份雙異苯丙基過氧化物、4.71份2-羥基-5-丙烯醯氧基苯基-2H-苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。 組成物實施例 17 (CE-17)
藉由使用以下製備介電膜形成組成物CE-17：50份BA-200 (即，可得自Lonza的2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷)在GBL中的50%溶液、50份XU-378 (可得自Huntsman)在GBL中的50%溶液、17.65份具有74,500道耳吞的重量平均分子量之聚醯亞胺聚合物(P-4)在GBL中的31.21%溶液、具有54,000的重量平均分子量之聚醯亞胺聚合物(P-1)在GBL中的28.2%溶液、7.06份PolyFox 6320 (可得自OMNOVA Solutions)在GBL中的0.5 wt%溶液、0.5份二甲基丙烯酸氧鋯、0.09份雙異苯丙基過氧化物、4.71份2-羥基-5-丙烯醯氧基苯基-2H-苯并三唑。以機械方式攪拌24小時後，使用0.2微米過濾器(來自Meissner Corporation的Ultradyne，目錄號CLTM0.2-552)過濾該溶液。
表2總結了組成物CE-14至CE-16的介電常數(K)和損耗因數(DF)。 表 2
樣品ID 15 GHz 35 GHz
K DF K DF
CE-14 2.9 0.0083 2.94 0.0058
CE-15 2.76 0.0047 2.77 0.0043
CE-16 2.95 0.0093 3.09 0.0078
如表2所示，CE-14至CE-16能夠形成介電常數和損耗因數非常低的介電膜。
(無)

Claims (19)

  1. 一種介電膜形成組成物，包含： a)至少一個氰酸酯化合物，該至少一種氰酸酯化合物包含至少兩個氰酸酯基團；以及 b)至少一個介電聚合物，包含聚苯并噁唑前驅物聚合物、聚醯亞胺前驅物聚合物或完全醯亞胺化的聚醯亞胺聚合物。
  2. 如請求項1的組成物，其中該至少一個氰酸酯化合物具有結構(I)： A-(O-C≡N) m(I)， 其中m是至少2的整數且A是包含經取代或未經取代的芳香族基團的二價有機基團。
  3. 如請求項1的組成物，其中該至少一個氰酸酯化合物具有結構(II)：
    Figure 03_image001
    (II)， 其中R是氫原子、C 1-C 3烷基基團、完全或部分地經鹵素取代的C 1-C 3烷基基團或鹵素原子；且X是單鍵、-O-、-S-、-(C=O)-、-(C=O)-O-、-O-(C=O)-、-(S=O)-、-(SO 2)-、-CH 2CH 2-O-、經取代或未經取代的C 1-C 10伸烷基、完全或部分地經氟取代的C 1-C 4伸烷基、經取代或未經取代的C 3-C 10環伸烷基或以下基團之一：
    Figure 03_image003
    。
  4. 如請求項1的組成物，其中該至少一個氰酸酯化合物具有結構(III)：
    Figure 03_image005
    (III)， 其中n 1是至少2的整數、n 2和n 3獨立地為0或1至100的整數，R 1是酸敏感的經取代烷基、矽基、芳基或芳烷基基團，R 2是經取代或未經取代的C 1-C 10烷基，經取代或未經取代的C 3-C 10環烷基、經取代或未經取代的芳基基團或–(C=O)-OR 4基團，其中R 4是非酸敏感的經取代烷基或芳烷基基團；且R 3是經取代或未經取代的C 1-C 10烷基或經氟取代的C 1-C 4烷基。
  5. 如請求項1的組成物，其中該至少一個氰酸酯化合物選自於由以下組成的群組：2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷、六氟雙酚A二氰酸酯、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚、雙(4-氰酸酯苯基)醚以及由酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆或含二環戊二烯的酚樹脂製備的多官能氰酸酯樹脂。
  6. 如請求項1的組成物，其中該組成物包含至少兩個氰酸酯化合物。
  7. 如請求項1的組成物，其中該至少一個氰酸酯化合物係佔該組成物約2 wt%至約55 wt%的量。
  8. 如請求項1的組成物，其中該至少一個介電聚合物係佔該組成物約2 wt%至約55 wt%的量。
  9. 如請求項1的組成物，其更包含至少一個溶劑。
  10. 如請求項9的組成物，其中該至少一個溶劑係佔該組成物約20 wt%至約98 wt%的量。
  11. 如請求項1的組成物，其更包含具有至少兩個官能基的至少一個反應性官能化合物。
  12. 如請求項11的組成物，其中該至少一個反應性官能化合物係佔該組成物約1 wt%至約25 wt%的量。
  13. 如請求項1的組成物，其更包含至少一個催化劑。
  14. 如請求項13的組成物，其中該至少一個溶劑係佔該組成物約0.2 wt%至約3 wt%的量。
  15. 一種乾膜，包含： 一載體基板，以及 由該載體基板支撐的一介電膜，其中該膜係由如請求項1的組成物所製備。
  16. 一種用於沉積一金屬層的方法，包含： a)將如請求項1的組成物沉積在一基板上以形成一介電膜； b)使該介電膜曝露於輻射或熱或是輻射或熱的組合； c)圖案化該介電膜以形成具有開口的一圖案化介電膜； d)選擇性地在該圖案化介電膜上沉積一種子層；以及 e)在該圖案化介電膜中的至少一個開口中沉積一金屬層。
  17. 一種用於在一基板上形成一介電膜的方法，包含： a)提供含有銅導電金屬線結構的一基板，該等銅導電金屬線結構在該基板上形成由線路和互連件組成的一網絡； b)將如請求項1的組成物沉積在該基板上以形成一介電膜；以及 c)使該介電膜曝露於輻射或熱或是輻射與熱的組合。
  18. 一種藉由如請求項16的方法製備的三維物體。
  19. 如請求項18的物體，其包含呈至少兩個或三個堆疊的該介電膜。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1595690A1 (de) * 1966-10-20 1970-07-09 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von Mischpolymerisaten
US6399666B1 (en) * 1999-01-27 2002-06-04 International Business Machines Corporation Insulative matrix material
JP2000294922A (ja) * 1999-04-01 2000-10-20 Victor Co Of Japan Ltd 多層プリント配線板用の絶縁樹脂組成物
JP4717268B2 (ja) * 2001-01-12 2011-07-06 富士通株式会社 絶縁樹脂組成物及びそれから形成した絶縁層を含む多層回路基板
EP1336630A3 (en) * 2002-02-15 2003-12-10 Shipley Co. L.L.C. Functionalized polymer
US7078157B2 (en) * 2003-02-27 2006-07-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Photosensitive composition and use thereof
WO2004094499A1 (ja) * 2003-04-18 2004-11-04 Kaneka Corporation 熱硬化性樹脂組成物、それを用いてなる積層体、回路基板
US7892651B2 (en) * 2004-09-14 2011-02-22 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composite metal foil, laminate and process for the production of printed wiring board using the laminate
KR100649633B1 (ko) * 2005-02-15 2006-11-27 삼성전기주식회사 접착력, 내열성 및 난연성이 우수한 임베디드 커패시터용수지 조성물
KR100576882B1 (ko) * 2005-02-15 2006-05-10 삼성전기주식회사 Ｔｃｃ 특성이 우수한 커패시터용 수지 조성물 및 폴리머/세라믹 복합체
US20090092800A1 (en) * 2007-10-08 2009-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for preparing modified polyimide/clay nanocomposites and preparation method of modified polymide/clay nanocomposites using the same
TWI519602B (zh) * 2014-06-06 2016-02-01 Elite Material Co Ltd Low dielectric resin composition and the application of its resin film, semi-cured film and circuit board
KR20200023403A (ko) * 2017-06-24 2020-03-04 디자이너 몰러큘스, 인코퍼레이티드 경화성 폴리이미드
CN109789644B (zh) * 2017-09-11 2023-01-31 富士胶片电子材料美国有限公司 形成介电膜的组合物

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