JP2023534634A - 誘電体膜形成組成物 - Google Patents

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Abstract

本開示は、少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂、並びに少なくとも１種の反応性官能化合物と少なくとも１種の触媒のうちの一方又は両方、を含む、誘電体膜形成組成物に関する。

Description

本発明は誘電体膜形成組成物に関する。
関連出願への相互参照
本願は、２０２０年７月２日出願の米国仮出願番号６３／０４７，５６０からの優先権を主張する。該米国仮出願の内容は、その全体が、参照により本開示に取り込まれる。
バランスのとれた電気的特性（例えば、２．８未満の誘電率Ｄｋ及び０．００７未満の誘電正接Ｄｆ）、低い熱膨張率（例えば、１００ｐｐｍ未満）、低い吸湿性、及び銅への良好な接着性を有する誘電材料は、良好なアンテナ性能のため、及び５Ｇ通信デバイス用の高速、低遅延を確保する傑出した信号伝達を届けるために必須である。新興の５Ｇネットワーク及びハイパワーデバイスにおける使用のための、そのような特性を有する様々なエンジニアリングプラスチックが開発されつつある。しかしながら、バランスのとれた電気的、機械的、及び熱的特性に基づく誘電材料を設計することは大きな課題である。
フィラーを有する又は有さない、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、エポキシ樹脂、ポリシクロオレフィン、及びシアネートエステル樹脂等の様々なクラスの材料が、良好な絶縁性を要求する用途のために提案されてきた。ＰＴＦＥ及びフィラー添加ＰＴＦＥは優れた誘電材料のクラスであるが、貧弱な機械的特性、及び従来からの膜付与技術を用いた場合にほとんどの基板上で成膜能を欠くことから、それらは製造環境における使用に対して非実用的である。
フィラー添加エポキシ樹脂又はフィラー無添加エポキシ樹脂が、ＰＣＢ産業において広く用いられている。しかし、材料中に大量の極性基が存在することによる貧弱な電気的特性、及び低いガラス転移温度（Ｔｇ）は、高速通信におけるエポキシ樹脂の使用を制限している。
シアネートエステル樹脂は、高温での硬化においてポリトリアジン類を熱硬化物として生成する。これらは良好な耐熱性、硬度、電気的特性、寸法安定性、耐腐食性、及び化学的耐性を有している。シアネートエステル樹脂は、接着剤として、及び基板のためのコーティングとして、有用である。しかし、これらの材料は、良好な機械的特性が材料の性能に必須である誘電膜に非常に適したものではない。シアネートエステル樹脂は、ブレンド樹脂を形成するために熱可塑性物質及びエラストマーとブレンドされてきた。不利なこととして、これらのブレンドは、均一な樹脂ではなく、半相互貫入ネットワークを生み出すことが見出された。このような半相互貫入ネットワークの形成は、しばしば、シアネートドメインとモディファイアードメインとの相分離を生じる。さらに、種々のエラストマー修飾シアネートエステルは低いＴｇ及び高い粘着性（tackiness）を示し、したがって不適とされる。
環化ポリイソプレン等の環化ポリジエン樹脂は、望ましい電気的特性を有する。しかし、環化ポリイソプレンは低いＴｇ及び貧弱な機械的特性を有し、このことが、パッケージング用途における誘電材料としてのその用途を妨げている。
したがって、電気的特性、熱的特性、及び機械的特性の適切なバランスを有する材料の設計は、課題であり続けている。
本開示は、環化ポリジエン（例えば、環化ポリイソプレン）及び反応性官能化合物、又は、環化ポリジエン及びシアネートエステル、又は、環化ポリジエン及びシアネートエステルと反応性官能化合物の両方、を含む特定の誘電体膜が、上記の問題に対処できるという予測されていなかった発見に基づいている。その結果得られる、本開示に記載の「ハイブリッド」誘電体膜は、シアネートエステル又は反応性官能化合物無しでの環化ポリジエンと比べてより高いＴｇ及びより低い熱膨張率（ＣＴＥ）を有する。
１つの態様では、本開示は、
ａ）置換又は無置換のアルケニル基を有する少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂；
ｂ）環化ポリジエン樹脂上の前記置換又は無置換のアルケニル基と反応可能な少なくとも２つの官能基を有する、少なくとも１種の反応性官能化合物；及び
ｃ）前記環化ポリジエン樹脂と前記反応性官能化合物との反応を誘導することが可能な少なくとも１種の触媒
を含む、誘電体膜形成組成物を１つの特色とする。
別の態様では、本開示は
ａ）少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂；及び
ｂ）少なくとも２つのシアネート基を有する（つまり１分子内に少なくとも２つのシアネート基を有する）少なくとも１種のシアネートエステル化合物
を含む誘電体膜形成組成物を１つの特色とする。
さらに別の態様では、本開示は
ａ）置換又は無置換のアルケニル基を有する少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂；
ｂ）環化ポリジエン樹脂上の前記置換又は無置換のアルケニル基と反応可能な少なくとも２つの官能基を有する、少なくとも１種の反応性官能化合物；
ｃ）少なくとも２つのシアネート基を有する（つまり１分子内に少なくとも２つのシアネート基を有する）少なくとも１種のシアネートエステル化合物；
ｄ）前記環化ポリジエン樹脂と前記反応性官能化合物との反応を誘導することが可能な少なくとも１種の触媒；及び
ｅ）任意に（optionally）少なくとも１種の溶媒
を含む誘電体膜形成組成物を１つの特色とする。
さらに別の態様では、本開示は、誘電体膜を調製するプロセスを１つの特色とする。該プロセスは、
ａ）本開示に記載の誘電体膜形成組成物を基板上にコーティングして膜を形成すること；
ｂ）任意に（optionally）、約５０℃～約１５０℃の温度で約２０秒～約２４０秒、前記膜をベーキングすること；
ｃ）マスク（例えばパターン形成されたマスク）無しに、前記膜を放射線、熱、又はそれらの組み合わせに曝すこと
を含んでもよい。
さらに別の態様では、本開示は、乾燥膜のプロセスを１つの特色とする。該プロセスは、
ａ）キャリア基板を、本開示に記載の誘電体膜形成組成物でコーティングすること；
ｂ）コーティングされた前記誘電体膜形成組成物を乾燥して乾燥膜を形成すること；及び
ｃ）任意に（optionally）、前記乾燥膜に保護膜を付与すること
を含んでもよい。
さらに別の態様では、本開示は導電性金属層を堆積させるプロセスを１つの特色とする。該プロセスは、
ａ）本開示に記載の誘電体膜形成組成物を基板上に堆積させて誘電体膜を形成すること；
ｂ）前記誘電体膜を放射線、熱、又は放射線と熱との組み合わせに曝すこと；
ｃ）前記誘電体膜をパターニングして、開口を有する、パターン形成された誘電体膜を形成すること；
ｄ）任意に（optionally）、パターン形成された前記誘電体膜上にシード層を堆積させること；
ｅ）パターン形成された前記誘電体膜中の少なくとも１つの開口内に導電性金属層を堆積させること；及び
ｆ）任意に（optionally）、ステップａ）～ステップｅ）を少なくとも１回、繰り返すこと
を含んでもよい。
さらに別の態様では、本開示は基板上に誘電体膜を形成するプロセスを１つの特色とする。該プロセスは、
ａ）基板上にラインのネットワーク及びインターコネクトを形成する導電性金属ワイヤ構造を含む、前記基板を与えること；
ｂ）前記基板上に、本開示に記載の誘電体膜形成組成物を堆積させて、誘電体膜を形成すること；
ｃ）前記誘電体膜を放射線、熱、又は放射線と熱との組み合わせに曝すこと；
ｄ）任意に（optionally）、ステップａ）～ステップｃ）を少なくとも１回、繰り返すこと
を含んでもよい。
さらに別の態様では、本開示は、導電性金属の少なくとも１つの層及び本開示の誘電体膜形成組成物を用いることで形成された架橋された誘電体膜を含む三次元物体を１つの特色とする。
いくつかの実施形態では、本開示は、
ａ）置換又は無置換のアルケニル基を有する少なくとも１種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）環化ポリジエン樹脂；
ｂ）環化ポリジエン樹脂上の前記置換又は無置換のアルケニル又はオレフィン基と反応可能な少なくとも２つの官能基を有する、少なくとも１種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）反応性官能化合物；及び
ｃ）前記環化ポリジエン樹脂と前記反応性官能化合物との反応を誘導することが可能な少なくとも１種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）触媒
を含む、誘電体膜形成組成物（例えば、感光性誘電体膜形成組成物）
に関する。
いくつかの実施形態では、前記置換又は無置換の環化ポリジエンには、イソプレン、ブタジエン、ペンタジエン、等々などの共役ジエンのホモポリマーが含まれうる。他の実施形態では、前記環化ポリジエンには、そのような共役ジエンとオレフィン（例えば、エチレン若しくはプロピレン）、スチレン、又はアクリレートとの共重合体が含まれうる。ポリジエンの環化は、熱、光、紫外線若しくは核放射線の影響の下で、又はカチオンドナー触媒（例えば、鉱酸、有機酸、若しくはルイス酸）の存在下で起こる。例えば、２つの隣接するポリマー構造単位はシス（ｃｉｓ）オレフィン触媒環化に参加することができ、これは、１つの二重結合を無くすことにより単環構造を生み出すことができる。環化が継続した場合、後のステップで二環又は三環構造を生み出すことができる。シス二重結合が次々と環化する結果、徐々に、ポリジエンの不飽和及び弾性は減少し、ポリジエンの強靱性は増加する。いくつかの実施形態では、環化はポリブタジエンにおいてよりもポリイソプレンにおいての方がより効率的であり得る。温度、触媒濃度、及び／又は反応時間を調整することにより、約５０％～約９５％の環化度を達成することができる。そのような環化プロセスの例は、例えば、その内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許第４，６７８，８４１及び米国特許第４，２４８，９８６並びに欧州特許第００６３０４３に記載されてきた。
いくつかの実施形態では、キシレン中２６％固形分における環化ポリジエン樹脂の粘度は、約４００ｃＳｔ以上（例えば、約４５０ｃＳｔ以上、約５００ｃＳｔ以上、約５５０ｃＳｔ以上、又は約６００ｃＳｔ以上）～約９００ｃＳｔ以下（例えば、約８５０ｃＳｔ以下、約８００ｃＳｔ以下、約７５０ｃＳｔ以下、又は約７００ｃＳｔ以下）であってもよい。
前記環化ポリジエン樹脂は、具体的な製品用途、用いられる溶媒、及び下に位置する基板に付与する方法に応じて、任意の適切な重量平均分子量（Ｍｗ）を有していてよい。例えば、前記環化ポリジエン樹脂は、約５，０００ダルトン以上（例えば、２５，０００ダルトン以上、約５０，０００ダルトン以上、約７５，０００ダルトン以上、約１００，０００ダルトン以上、約１２５，０００ダルトン以上、若しくは約１５０，０００ダルトン以上）及び／又は約５００，０００ダルトン以下（例えば、約４００，０００ダルトン以下、約３００，０００ダルトン以下、若しくは約２００，０００ダルトン以下）の重量平均分子量を有していてもよい。
いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物は、環化ポリジエン樹脂の混合物を含んでいてもよい。該混合物は、
ａ）約５，０００ダルトン～約２０，０００ダルトンの重量平均分子量を有する少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂；
ｂ）約２５，０００ダルトン～約６０，０００ダルトンの重量平均分子量を有する少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂；
ｃ）約７０，０００ダルトン～約２００，０００ダルトンの重量平均分子量を有する少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂；
を含んでいてもよい。
理論に拘束されることを望むものではないが、異なる分子量を有する環化ポリジエン樹脂の混合物を含む誘電体膜形成組成物は、優れたコーティング品質及び膜特性を有する誘電体膜を生じることができると考えられる。
いくつかの実施形態では、未環化ポリイソプレン中における二重結合含有量は、ポリイソプレン１グラムあたり、つまりイソプレン単位の分子量（つまり６８ｇ／モル）の逆数あたり、不飽和１４．７ｍｍｏｌである。一般に、環化ポリイソプレン中における二重結合含有量は、環化度が増加すると共に減少する。いくつかの実施形態では、環化ポリジエン樹脂（例えばキシレン中における）の二重結合又は不飽和の量は、環化後のポリイソプレン１グラムあたり、約１ｍｍｏｌ以上（例えば、約２ｍｍｏｌ以上、約３ｍｍｏｌ以上、約４ｍｍｏｌ以上、又は約５ｍｍｏｌ以上）～約１２ｍｍｏｌ以下（例えば、約１１ｍｍｏｌ以下、約１０ｍｍｏｌ以下、約９ｍｍｏｌ以下、又は約８ｍｍｏｌ以下）の範囲であってもよい。
一般に、環化ポリジエン樹脂中における二環構造及び三環構造の増加は、ポリジエン樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）を上昇させる。いくつかの実施形態では、本開示に開示された環化ポリジエン樹脂のＴｇは、約０℃以上（例えば、約５℃以上、約１０℃以上、約１５℃以上、約２０℃以上、若しくは約２５℃以上）及び／又は約１００℃以下（例えば、約９０℃以下、約８０℃以下、約７０℃以下、約６０℃以下、若しくは約５０℃以下）であってもよい。いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物中において、異なる特性（例えば、異なる不飽和度又はＴｇ）を有する２種以上（two or more）の環化ポリジエン樹脂を一緒に用いてもよい。
いくつかの実施形態では、本開示に記載の環化ポリジエン樹脂は、１つ又は複数の置換又は未置換のアルケニル基を含みうる。本開示中で用いる場合、置換された基（例えば置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基、置換シクロアルキル基、置換シクロアルキレン基、置換アリール基、置換アリールアルキル基、若しくは置換ヘテロアリール基）又は置換された化合物上の置換基の選択肢には、Ｃ１～Ｃ１０アルキル（例えば、メチル、エチル、又はプロピル）、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ）、シアノ、及びフェニルが含まれる。
いくつかの実施形態では、本開示に記載の環化ポリジエン樹脂は、誘電体膜形成組成物の総重量の約２重量％以上（例えば、約３重量％以上、約４重量％以上、約５重量％以上、約８重量％以上、又は約１０重量％以上）～約４０重量％以下（例えば、約３５重量％以下、約３０重量％以下、約２５重量％以下、約２０重量％以下、又は約１５重量％以下）の量であってもよい。理論に拘束されることを望むものではないが、環化ポリジエン樹脂から調製された誘電体膜は、望ましい電気的特性（例えば、低い誘電損失正接又は低い誘電正接（dissipation factor））を有することができると考えられる。
いくつかの実施形態では、本開示に記載の反応性官能化合物は、架橋された誘電体膜を形成するために前記環化ポリジエン樹脂上の置換又は無置換アルケニル基と反応可能な２つ以上の（例えば３つの又は４つの）官能基を有しうる。反応性官能化合物の例としては、少なくとも２つの（メタ）アクリレート基、少なくとも２つのオレフィン基、少なくとも２つのシクロオレフィン基、又は少なくとも２つのアルキニル基を含む化合物がある。本開示中で用いる場合、「（メタ）アクリレート」なる用語は、アクリレートとメタクリレートの両方を包含する。少なくとも２つのシクロオレフィン基を含む化合物の例としては、ジシクロペンタジエン、ノルボルナジエン、などが挙げられるがこれらに限定されない。２つのオレフィン基を含む化合物の例としては、ジビニルベンゼン、エチレンノルボルネン、などが挙げられる。いくつかの実施形態では、少なくとも２つの（メタ）アクリレート基を含む化合物としては、無置換若しくは置換の直鎖、分枝、環状のＣ１～Ｃ１０アルキル基のジ（メタ）アクリレート、及び無置換又は置換の芳香族基のジ（メタ）アクリレートが挙げられる。そのような化合物の例としては、１，３－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，５－ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９－ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０－デカンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１２－ドデカンジオールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、１，４－フェニレンジ（メタ）アクリレート、２，２－ビス［４－（２－ヒドロキシ－３－メタクリルオキシプロポキシ）フェニル］プロパン、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、及びトリメチロールプロパンエトキシレートトリ（メタ）アクリレートが挙げられるがこれらに限定されない。反応性官能化合物の他の例は、例えば、その内容が参照により本開示に取り込まれる、米国特許第１０，０３６，９５２、米国特許第１０，５６３，０１４、及び米国特許出願公開２０１５／２１９９９０に記載されてきた。いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物中において２種以上（two or more）の反応性官能化合物を一緒に用いてもよい。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも１種の反応性官能化合物は、本開示の誘電体膜形成組成物の総重量の約１重量％以上（例えば、約２重量％以上、約３重量％以上、約４重量％以上、又は約５重量％以上）～約２５重量％以下（例えば、約２０重量％以下、約１５重量％以下、約１０重量％以下、又は約８重量％以下）の量であってもよい。理論に拘束されることを望むものではないが、前記反応性官能化合物は誘電体膜中に架橋を（例えば、放射線又は熱に曝されることで）生じることができ、このことは曝露前と曝露後とで溶解度コントラストを形成することを促進すると考えられる。加えて、理論に拘束されることを望むものではないが、反応性官能化合物を相対的に多量に含む誘電体膜形成組成物は、相対的に高いＴｇを有する誘電体膜を生じうると考えられる。
いくつかの実施形態では、本開示は、
ａ）少なくとも１種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）環化ポリジエン樹脂；及び
ｂ）少なくとも２つのシアネート基を有する（つまり、１分子内に有する）少なくとも１種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）シアネートエステル化合物
を含む誘電体膜形成組成物に関する。
いくつかの実施形態では、前記シアネートエステル化合物は、構造（Ｉ）

を有してもよく、ここで、ｍは２以上（つまり、ｍ≧２）の整数であり、Ａは置換又は無置換の芳香族基（例えば、シアネートエステル基

は前記置換又は無置換の芳香族基に直接結合している）を含む二価の有機基である。いくつかの実施形態では、前記芳香族基には、アリール基及びヘテロアリール基が含まれうる。本開示中で用いられる用語「アリール」は、１つ又は複数の芳香環を有する炭化水素部分を指す。アリール部分の例としては、フェニル（Ｐｈ）、フェニレン、ナフチル、ナフチレン、ピレニル、アントリル、及びフェナントリルが挙げられる。本開示中で用いられる用語「ヘテロアリール」は、少なくとも１つのヘテロ原子（例えば、Ｎ、Ｏ、又はＳ）を含む１つ又は複数の芳香環を有する部分を指す。ヘテロアリール部分の例としては、フリル、フリレン、フルオレニル、ピロリル、チエニル、オキサゾリル、イミダゾリル、チアゾリル、ピリジニル、ピリミジニル、キナゾリニル、キノリル、イソキノリル、及びインドリルが挙げられる。
いくつかの実施形態では、構造（Ｉ）のシアネートエステル化合物は、構造（ＩＩ）のシアネートエステル化合物であってもよい：

ここで、Ｒは水素原子、Ｃ１～Ｃ３アルキル基、完全に若しくは部分的にハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、若しくはＩ）で置換されたＣ１～Ｃ３アルキル基（例えば、１つ、２つ、又は３つのハロゲンによって置換されている）、又はハロゲン原子であり；Ｘは単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－（Ｃ＝Ｏ）－、－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－、－（Ｓ＝Ｏ）－、－（ＳＯ２）－、－ＣＨ２ＣＨ２－Ｏ－、置換若しくは無置換のＣ１～Ｃ１０アルキレン、フルオロ置換（例えば、部分的又は完全にフルオロ置換された）Ｃ１～Ｃ４アルキレン（例えば、１つ、２つ、若しくは３つのフルオロで置換されている）、置換若しくは無置換のＣ３～Ｃ１０シクロアルキレン、又は以下の基のうちの１つ：

である。
いくつかの実施形態では、前記シアネートエステル化合物は、構造（ＩＩＩ）を有してもよい：

ここで、ｎ１は２以上（つまり、ｎ１≧２）の整数であり、ｎ２及びｎ３は独立に、０又は１～１００の整数であり、Ｒ１はＣ１～Ｃ１０アルキル基又はＣ１～Ｃ２０アリールアルキル基（例えば、酸感受性／酸分解性の置換アルキル基若しくは酸感受性／酸分解性の置換アリールアルキル基）であり、Ｒ２は置換若しくは無置換のＣ１～Ｃ１０アルキル、置換若しくは無置換のＣ３～Ｃ１０シクロアルキル、置換若しくは無置換のアリール基、又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＯＲ４基であり、ここで、Ｒ４は酸感受性ではない置換アルキル基又は酸感受性ではない置換アリールアルキル基であり、Ｒ３は置換若しくは無置換のＣ１～Ｃ１０アルキル、又はフルオロ置換（例えば、部分的若しくは完全にフルオロ置換された）Ｃ１～Ｃ４アルキルである。
適切なシアネートエステル化合物の具体例としては、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル；フェノールノボラック、クレゾールノボラック、若しくはジシクロペンタンジエン構造含有フェノール樹脂に由来する多官能シアネートエステル、等々が挙げられる。シアネートエステル化合物のその他の例は、例えば、その内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許第３，５９５，９００、米国特許第４，８９４，４１４、及び４，７８５，０３４に記載されてきた。いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物中において２種以上（two or more）のシアネートエステル化合物を一緒に用いてもよい。
一般に、シアネートエステル化合物の重量平均分子量は特に限定されない。いくつかの実施形態では、前記シアネートエステル化合物は約５００ダルトン以上（例えば、約６００ダルトン以上又は約１，０００ダルトン以上）～約４，５００ダルトン以下（例えば、約４，０００ダルトン以下又は約３０００ダルトン以下）の範囲の重量平均分子量を有していてもよい。
いくつかの実施形態では、本開示に記載のシアネートエステル化合物は、本開示に記載の誘電体膜形成組成物の総重量の約１重量％以上（例えば、約２重量％以上、約３重量％以上、約４重量％以上、又は約５重量％以上）～約２５重量％以下（例えば、約２０重量％以下、約１５重量％以下、約１０重量％以下、又は約８重量％以下）の量であってもよい。
理論に拘束されることを望むものではないが、本開示に記載の誘電体膜形成組成物中に１種又は複数種のシアネートエステル化合物を含むことで（例えば、現像後ベーキングステップにおける加熱などの加熱により）前記環化ポリジエン樹脂と相互貫入ポリマーネットワークを形成するように重合することができ、これにより、向上した機械的特性及び熱的特性（例えば、より高いＴｇ及びより低い熱膨張係数（ＣＴＥ））を有する誘電体膜を生じ、このことは、マイクロ電子デバイスに組み込まれた場合の良好な信頼性につながる、と考えられる。
いくつかの実施形態では、本開示の誘電体膜形成組成物は、少なくとも１種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）触媒（例えば、開始剤）を含んでもよい。前記触媒は、熱（熱開始剤の場合）及び／又は放射線源（光開始剤の場合）に曝された場合に架橋反応又は重合反応を誘導することが可能である。熱開始剤の具体例としては、ベンゾイルペルオキシド、ジクミルペルオキシド、２，２－アゾビス（２－メチルブチロニトリル）、等々が挙げられるがこれらに限定されない。熱開始剤の他の例は、例えば、その内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許第１０，５６３，０１４に記載されてきた。光開始剤の具体例としては、２－（ベンゾイルオキシイミノ）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１－オクタノン（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュアＯＸＥ－０１）、１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］エタノン１－（Ｏ－アセチルオキシム）（ＢＡＳＦから入手可能なｓイルガキュアＯＸＥ－２）、エトキシ（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド（ＢＡＳＦから入手可能なＬｕｃｅｒｉｎ ＴＰＯ－Ｌ）、ＮＣＩ－８３１（ＡＤＥＫＡ社）、ＮＣＩ－９３０（ＡＤＥＫＡ社）、Ｎ－１９１９（ＡＤＥＫＡ社）、等々が挙げられるがこれらに限定されない。光開始剤の他の例は、例えば、その内容が参照により本開示中に取り込まれる米国特許第１０，０３６，９５２及び米国特許第１０，５６３，０１４、並びに米国特許出願第２０１５／０２１９９９０及び米国特許出願第２０１９／００１８３２１に記載されてきた。
いくつかの実施形態では、前記触媒の量は、前記誘電体膜形成組成物の総重量の約０．２重量％以上（約０．５重量％以上、約０．８重量％以上、約１．０重量％以上、若しくは１．５重量％以上）及び／又は約３．０重量％以下（約２．８重量％以下、約２．６重量％以下、約２．４重量％以下、若しくは２．０重量％以下）である。
理論に拘束されることを望むものではないが、前記触媒は、架橋された誘電体膜を形成するために前記環化ポリジエン樹脂上のアルケニル基と、前記反応性官能化合物上の官能基との反応を誘導することが可能であると考えられる。
いくつかの実施形態では、本開示の誘電体膜形成組成物は、少なくとも１種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）溶媒（例えば、有機溶媒）を含んでいてもよい。
前記有機溶媒の例としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、及びグリセリンカーボネートなどのアルキレンカーボネート；ガンマ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン、γ－カプロラクトン、及びδ－バレロラクトンなどのラクトン；シクロペンタノン及びシクロヘキサノンなどのシクロケトン；メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）などの直鎖ケトン；酢酸ｎ－ブチルなどのエステル；乳酸エチルなどのエステルアルコール；テトラヒドロフルフリルアルコールなどのエーテルアルコール；プロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどのグリコールエステル；プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）などのグリコールエーテル；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などの環状エーテル；トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリンなどの芳香族炭化水素；並びにＮ－メチル－２－ピロリドンなどのピロリドンが挙げられるがこれらに限定されない。好ましい溶媒は、シクロヘキサノン、キシレン、トルエン、及びテトラリン、並びにこれらの混合物である。
いくつかの実施形態では、前記溶媒の量は、前記誘電体膜形成組成物の総重量の約４０重量％以上（例えば、約４５重量％以上、約５０重量％以上、約５５重量％以上、約６０重量％以上、若しくは約６５重量％以上）及び／又は約９８重量％以下（例えば、約９５重量％以下、約９０重量％以下、約８５重量％以下、約８０重量％以下、若しくは約７５重量％以下）である。
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜形成組成物中で、１９３～４０５ｎｍの波長範囲内の光を吸収することが可能な光増感剤を用いることができる。光増感剤の例としては、９－メチルアントラセン、アントラセンメタノール、アセナフチレン、チオキサントン、メチル－２－ナフチルケトン、４－アセチルビフェニル、及び１，２－ベンゾフルオレンが挙げられるがこれらに限定されない。
いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物は少なくとも１種のフィラーを含む。これらのフィラーは、一般に、本質が無機であっても有機であってもよい。いくつかの実施形態では、前記フィラーは、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化ハフニウム、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｕＯ、酸化亜鉛、酸化ランタン、酸化ニオブ、酸化タングステン、カーボンブラック、グラフェン、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、等々からなる群から選択される。好ましくは、前記無機フィラーは、約０．１ミクロン～２．０ミクロンの平均粒径を有する顆粒状形状である。いくつかの実施形態では、前記フィラーは、強磁性材料を含む無機粒子である。好適な強磁性材料としては、元素状金属（例えば、鉄、ニッケル、及びコバルト）又はそれらの酸化物、硫化物、及びオキシ水酸化物、並びに、アワルワ鉱（Ｎｉ３Ｆｅ）、ワイラウ鉱（ＣｏＦｅ）、Ｃｏ１７Ｓｍ２、及びＮｄ２Ｆｅ１４Ｂなどの金属間化合物が挙げられる。他の実施形態では、前記有機フィラーは、ゴム粒子、ポリイミド粒子、ポリエステル粒子、等々からなる群から選択される。いくつかの実施形態では、前記誘電体膜形成組成物は、Ｃｕ粒子、ダイアモンド粒子、金粒子、等々からなる群から選択される熱伝導性フィラーを含んでもよい。いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物中で２種以上の（two or more）フィラーを一緒に用いてもよい。
いくつかの実施形態では、前記フィラー（例えば、有機フィラー）は、誘電体膜形成組成物の総重量の約１重量％以上（例えば、約２重量％以上、約３重量％以上、約４重量％以上、若しくは約５重量％以上）及び／又は約５０重量％以下（例えば、約４０重量％以下、約３０重量％以下、約２０重量％以下、若しくは約１０重量％以下）の量であってもよい。
いくつかの実施形態では、本開示の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、１種又は複数種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）接着促進剤（例えば、シラン含有アルコキシ基）をさらに含んでいてもよい。適切な接着促進剤は、その内容が参照により本開示に取り込まれるEdwin P. Plueddemann、「シランカップリング剤」（１９８２、Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ、ニューヨーク）、及び米国特許第９，５１９，２１６に記載されている。
いくつかの実施形態では、前記任意使用の（optional）接着促進剤の量は、本開示の誘電体膜形成組成物の総重量の約０．５重量％以上（例えば、約０．８重量％以上、約１重量％以上、若しくは約１．５重量％以上）及び／又は約４重量％以下（例えば、約３．５重量％以下、約３重量％以下、約２．５重量％以下、若しくは約２重量％以下）である。
本開示の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、１種又は複数種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）界面活性剤（例えば、イオン性界面活性剤又はノニオン性界面活性剤）も含んでいてもよい。好適な界面活性剤の例としては、例えば、内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許第９，５１９，２１６及び米国特許第１０，０３６，９５２に記載された界面活性剤が挙げられるがこれらに限定されない。
いくつかの実施形態では、前記任意使用の（optional）界面活性剤の量は、前記誘電体膜形成組成物の総重量の約０．００５重量％以上（例えば、約０．０１重量％以上若しくは約０．１重量％以上）及び／又は約１重量％以下（例えば、約０．５重量％以下若しくは約０．２重量％以下）である。
本開示の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、１種又は複数種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）銅不動態化試薬を含んでいてもよい。好適な銅不動態化試薬の例としては、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物、及びテトラゾール化合物が挙げられる。トリアゾール化合物としては、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、置換トリアゾール、及び置換ベンゾトリアゾールを挙げうる。そのような銅不動態化トリアゾール及びテトラゾールの例は、内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許出願第２０１９／０１６９９９及び米国特許出願第２０２０／１７３０１３に記載されてきた。
前記任意使用の（optional）銅不動態化試薬の量は、もし用いる場合には、本開示の誘電体膜形成組成物の総重量の約０．０５重量％以上（例えば、約０．１重量％以上、約０．２重量％以上、若しくは約０．５重量％以上）及び／又は約３．０重量％以下（例えば、約２．０重量％以下若しくは約１．０重量％以下）である。
いくつかの実施形態では、本開示の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、１種または複数種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）色素、及び／又は、１種または複数種の着色剤を含んでいてもよい。
いくつかの実施形態では、本開示の誘電体膜形成組成物は、１種または複数種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）低誘電損失樹脂を含んでいてもよい。好適な低誘電損失樹脂の例としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリシクロオレフィン、官能化ポリシクロオレフィン、等々が挙げられるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、本開示の誘電体膜形成組成物は、任意に（optionally）、誘電体膜の硬化温度を減少させるために１種または複数種の（例えば、２種の、３種の、又は４種の）シアネート硬化触媒を含んでいてもよい。該シアネート硬化触媒は、金属カルボキシレート塩、金属アセチルアセトネート塩、フェノール誘導体、又はアルコールからなる群から選択されてもよい。前記金属カルボキシレート塩及び金属アセチルアセトネート塩の金属は、亜鉛、銅、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、及びこれらの混合物からなる群から選択してもよい。シアネート硬化触媒の例としては、オクタン酸亜鉛、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクタン酸銅、ナフテン酸銅、オクタン酸マンガン、及びアセチルアセトン鉄；オクチルフェノール及びノニルフェノールなどのフェノール化合物；１－ブタノール及び２－エチルヘキサノールなどのアルコール；２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール誘導体、２－（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－メチル－６－（２－プロペニル）フェノール、２－ｔｅｒｔ－ブチル－６－（５－クロロ－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－メチルフェノール、及び２－［３－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ヒドロキシフェニル］エチルメタクリレートなどのベンゾトリアゾール誘導体が挙げられる。好適なシアネート硬化触媒の他の例は、例えば、内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許出願第２０１８／０１０５４８８及び米国特許第９，８２２，２２６に記載されてきた。
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜形成組成物によって形成された膜は架橋前に約２５℃以上（例えば、約３０℃以上、約４０℃以上、若しくは約５０℃以上）及び／又は約１００℃以下（例えば、約９０℃以下、約８０℃以下、若しくは約７０℃以下）のガラス転移温度（Ｔｇ）を有してもよい。
いくつかの実施形態では、誘電体膜は、
ａ）本開示の誘電体膜形成組成物を基板（例えば、半導体基板）上にコーティングして膜（例えば、誘電体膜）を形成すること；
ｂ）任意に（optionally）、上昇した温度（例えば、約５０℃～約１５０℃）である時間（例えば、約２０秒～約２４０秒）、前記膜をベーキングすること；
ｃ）前記膜を放射線、熱、又は放射線と熱との組み合わせに曝す（例えば、パターン形成されたマスクなどのマスクを用いること無しにフラッド露光（flood exposing）する）こと
により調製することができる。いくつかの実施形態では、（マスク無しのブロード曝露（broad exposure）を用いる）上記プロセスによって調製された誘電体膜は、架橋することができるが、パターン又はレリーフ画像を含まない。
いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物（例えば、シアネートエステルを含む）により形成された架橋された誘電体膜は、相対的に高いＴｇを有することができる。例えば、本開示に記載の架橋された誘電体膜は、約１２０℃以上（例えば、約１４０℃以上、約１５０℃以上、約１６０℃以上、約１８０℃以上、若しくは２００℃以上）及び／又は約３００℃以下（例えば、約２９０℃以上、約２８０℃以上、約２７０℃以上、約２６０以上、若しくは約２５０℃以上）のＴｇを有してもよい。
いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物（例えば、シアネートエステルを含む）により形成された架橋された誘電体膜は、相対的に低い熱膨張率（ＣＴＥ）を有することができる。例えば、本開示に記載の架橋された誘電体膜は、５０℃～１５０℃の温度範囲で測定した場合に、約１００ｐｐｍ／℃以下（例えば、約９５ｐｐｍ／℃以下、約９０ｐｐｍ／℃以下、約８５ｐｐｍ／℃以下、約８０ｐｐｍ／℃以下、約７５ｐｐｍ／℃以下、約７０ｐｐｍ／℃以下、約６５ｐｐｍ／℃以下、約６０ｐｐｍ／℃以下、約５５ｐｐｍ／℃以下、若しくは約５０ｐｐｍ／℃以下）であって、約１０ｐｐｍ／℃以上（例えば、約２０ｐｐｍ／℃以上、約３０ｐｐｍ／℃以上、又は約４０ｐｐｍ／℃以上）のＣＴＥを有していてもよい。
いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物（例えば、シアネートエステルを含む）によって形成された架橋された誘電体膜は、相対的に低い透湿性を有することができる。例えば、本開示に記載の架橋された誘電体膜は、約３ＷＶＴ／μｍ以下（例えば、約２．５ＷＶＴ／μｍ以下、約２ＷＶＴ／μｍ以下、約１．５ＷＶＴ／μｍ以下、約１ＷＶＴ／μｍ以下、又は約０．８ＷＶＴ／μｍ以下）であって、約０．０１ＷＶＴ／μｍ以上（例えば、約０．０２ＷＶＴ／μｍ以上、約０．０３ＷＶＴ／μｍ以上、約０．０４ＷＶＴ／μｍ以上、又は約０．０５ＷＶＴ／μｍ以上）の透湿性を有していてもよい。
いくつかの実施形態では、本開示は、（例えば、埋め込まれた銅トレース構造を作製するために）導電性金属層を堆積させるプロセスを１つの特色とする。該プロセスは、
ａ）本開示に記載の誘電体膜形成組成物を基板（例えば半導体基板）上に堆積させて誘電体膜を形成するステップ；
ｂ）前記誘電体膜を（例えばパターン形成されたマスクなどのマスクを通して）放射線源、熱源、又は放射線と熱との組み合わせの源に曝すステップ；
ｃ）前記誘電体膜をパターニングして、開口を有する、パターン形成された誘電体膜を形成するステップ；
ｄ）任意に（optionally）、パターン形成された前記誘電体膜上にシード層を堆積させるステップ；
ｅ）パターン形成された前記誘電体膜中の少なくとも１つの開口内に導電性金属層を堆積させるステップ；及び
ｆ）任意に（optionally）、ステップａ）～ステップｅ）を少なくとも１回（例えば、２回、３回、又は４回）、繰り返すステップ
を含んでもよい。
前記誘電体膜の調製のためのコーティング方法としては、スピンコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、ロッドコーティング、ローテーションコーティング、スリットコーティング、圧縮（compression）コーティング、カーテンコーティング、ダイコーティング、ワイヤーバーコーティング、ナイフコーティング、及び乾燥膜の積層が挙げられるがこれらに限定されない。半導体基板は、ウエハなどのように円形を有していてもよく、パネルであってもよい。いくつかの実施形態では、半導体基板は、シリコン基板、銅基板、アルミニウム基板、シリコン酸化物基板、シリコン窒化物基板、ガラス基板、有機基板、銅クラッド積層板、又は誘電体材料基板であってもよい。
本開示の誘電体膜の膜厚は特に限定されない。いくつかの実施形態では、前記誘電体膜は約１ミクロン以上（例えば、約２ミクロン以上、約３ミクロン以上、約４ミクロン以上、約５ミクロン以上、約７ミクロン以上、約１０ミクロン以上、約１５ミクロン以上、約２０ミクロン以上、約２５ミクロン以上、約５０ミクロン以上、若しくは約１００ミクロン以上）及び／又は約５０００ミクロン（５ｍｍ）以下（例えば、約４０００ミクロン以下、約３０００ミクロン以下、約２０００ミクロン以下、約１０００ミクロン以下、約５００ミクロン以下、約４００ミクロン以下、約３００ミクロン以下、若しくは約２００ミクロン以上）の膜厚を有する。
いくつかの実施形態では、本開示の誘電体膜形成組成物は光パターン形成可能である。そのような実施形態では、パターン形成された誘電体膜を調製するプロセスは、前記誘電体膜形成組成物から調製された誘電体膜をリソグラフィープロセスによってパターン形成された誘電体膜に変換することを含む。そのような場合、該変換は、前記誘電体膜をパターン形成されたマスクを用いて高エネルギー放射線（例えば、電子ビーム、紫外線、及びＸ線）に曝すことを含んでもよい。
前記曝露の後に、前記誘電体膜を、任意に（optionally）、約５０℃以上（例えば、約５５℃以上、約６０℃以上、又は約６５℃以上）～約１００℃以下（例えば、約９５℃以下、約９０℃以下、約８５℃以下、約８０℃以下、約７５℃以下、又は約７０℃以下）の温度へと／温度で、約６０秒以上（例えば、約８０秒以上又は約１００秒以上）～約２４０秒以下（例えば、約１８０秒以下、約１２０秒以下、又は約９０秒以下）熱処理してもよい。前記熱処理は、通常、ホットプレート又はオーブンの使用により達成される。
前記曝露及び／又は熱処理の後に、曝されていない部分を除去するために現像剤を用いて前記誘電体膜を現像して、前記基板上に開口又はレリーフ画像を形成することができる。現像は、例えば、浸漬法又はスプレー法により行うことができる。現像後に前記積層基板上の前記誘電体膜中に微細穴（Microholes）及び微細ラインを作製することができる。
いくつかの実施形態では、前記誘電体膜は有機現像剤を用いることで現像することができる。そのような現像剤の例としては、シクロヘキサノン、キシレン、トルエン、テトラリン、ガンマ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、２－ヘプタノン、シクロペンタノン（ＣＰ）、シクロヘキサノン、酢酸ｎ－ブチル（ｎＢＡ）、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、乳酸エチル（ＥＬ）、乳酸プロピル、３－メチル－３－メトキシブタノール、テトラリン、イソホロン、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、マロン酸ジエチル、エチレングリコール、１，４：３，６－ジアンヒドロソルビトール、イソソルビドジメチルエーテル、１，４：３，６－ジアンヒドロソルビトール２，５－ジエチルエーテル（２，５－ジエチルイソソルビド）、及びこれらの混合物が挙げられるがこれらに限定されない。好ましい現像剤は、シクロヘキサノン、キシレン、トルエン、及びテトラリンである。これらの現像剤は個別に、又は２種以上の組み合わせで、具体的な組成物及びリソグラフィープロセスについて画質を最適化するために用いることができる。
いくつかの実施形態では、本開示の組成物は光パターン形成可能ではない。そのような場合には、パターン形成は、機械的なレーザードリリング又は二重層（bilayer）プロセスにより達成することができる。レーザードリリングは一般的には、標的基板又は加工対象物（workpiece）から材料を溶解又は蒸発させるために自らの高出力密度を用いる静的なレーザービームを用いる。原理的には、レーザードリリングは、レーザービームからの照射エネルギーと基板への伝導熱とのエネルギーバランス、環境へのエネルギー損失、及び加工対象物における相変化に必要なエネルギーによって支配される。機械的レーザードリリングの例は、例えば、内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許第６，３５３，９９９に記載されてきた。
いくつかの実施形態では、前記パターン形成は二重層プロセスを用いて達成される。そのような場合には、本開示の誘電体膜の上面にフォトレジスト膜を堆積してもよい。このフォトレジスト膜をパターン形成することができ、該パターンをエッチングにより本開示の誘電体膜に転写することができる。好適なフォトレジストの例は、例えば、内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許第６，８０３，４３４及び米国特許第６，８３０，８７０、並びに米国特許出願公開第２００３／０２２０９７及び２０１９／０１８３２１に記載されてきた。
好ましい実施形態では、二重層のうちの上層は、シリコン含有レジスト層である。
いくつかの実施形態では、本開示に記載のシリコン含有レジスト層は、ａ）少なくとも１種のシリコン含有ポリマー、ｂ）少なくとも１種の溶媒（例えば、本開示に記載の溶媒）、及びｃ）少なくとも１種の光酸発生剤（ＰＡＧ）を含むレジスト形成組成物から調製することができる。
電子ビーム、ＡｒＦエキシマレーザー、及びＫｒＦエキシマレーザーにわたる露光源からの活性放射線の影響の下で酸を生成する任意の適切な光酸発生剤（特には、ニトロベンジルエステル及びオニウムスルホネート塩）を本開示に記載のシリコン含有ポリマーと共に用いて、放射線感受性フォトレジスト組成物を調製することができる。
好適なオニウムスルホネート塩としては、アリールスルホニウム及びヨードニウムスルホネート、特にはトリアリールスルホニウム及びヨードニウムスルホネートを挙げることができる。スルホニウム又はヨードニウム部分のアリール基は、各々がハロゲン、Ｃ１～Ｃ４アルキル、Ｃ１～Ｃ４アルコキシ、－ＯＨ、及び／又はニトロなどの１つ又は複数の置換基によって任意に（optionally）置換されていてもよい、フェニル又はナフチルなどの置換又は無置換のアリール基であってもよい。前記アリール基（複数形）又は各アリール基上の置換基は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
前記光酸発生剤のアニオンは、脂肪族（aliphatic）スルホン酸、環状脂肪族（cycloaliphatic）スルホン酸、炭素環式芳香族スルホン酸、ヘテロ環式芳香族スルホン酸、又はアリール脂肪族（arylaliphatic）スルホン酸などの適切な有機スルホン酸の任意の適切なアニオンであってよい。これらのアニオンは、置換されていても無置換でもよい。部分的にフッ素化された又は完全フッ素化されたスルホン酸誘導体、又はそれぞれの酸基に隣接する位置で置換されたスルホン酸誘導体が好ましい。置換基の例としては、ハロゲン（例えば、Ｆ又はＣｌ）、アルキル（例えば、メチル、エチル、又はｎ－プロピル）、及びアルコキシ（例えば、メトキシ、エトキシ、又はｎ－プロポキシ）が挙げられる。
好ましくは、前記光酸発生剤のアニオンは、部分的にフッ素化された又は完全フッ素化されたスルホン酸から得られる一価アニオン、例えばフッ素化アルキルスルホネートアニオン、である。
好適なオニウム塩の具体例としては、トリフェニルスルホニウムブロミド、トリフェニルスルホニウムクロリド、トリフェニルスルホニウムヨージド、トリフェニルスルホニウム メタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロ－プロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウム ノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム フェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウム ４－メチルフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウム ４－メトキシフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウム ４－クロロフェニルスルホネート、トリフェニル－スルホニウム カンファースルホネート、４－メチルフェニル－ジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、ビス(４－メチルフェニル)－フェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、トリス－４－メチルフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル－ジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、４－メトキシフェニル－ジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、メシチル－ジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、４－クロロフェニルジフェニル－スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、ビス－(４－クロロフェニル)－フェニルスルホニウム トリフルオロ－メタンスルホネート、トリス(４－クロロフェニル) スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、４－メチル－フェニル－ジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス(４－メチルフェニル)－フェニル－スルホニウム ヘキサフルオロプロパンスルホネート、トリス－４－メチルフェニルスルホニウム ヘキサフルオロ－プロパンスルホネート、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル－ジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロプロパンスルホネート、４－メトキシフェニル－ジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロプロパンスルホネート、メシチル－ジフェニル－スルホニウム ヘキサフルオロプロパンスルホネート、メシチル－ジフェニルスルホニウム ノナフルオロオクタンスルホネート、メシチル－ジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、４－クロロフェニル－ジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス－(４－クロロフェニル)－フェニルスルホニウム ヘキサフルオロプロパンスルホネート、トリス(４－クロロフェニル) スルホニウム ヘキサフルオロプロパンスルホネート、ジフェニルヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム ヘキサフルオロプロパンスルホネート、ジフェニルヨードニウム ４－メチルフェニルスルホネート、ビス－(４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル)ヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、ビス－(４－ｔｅｒｔ－ブチル－フェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス－(４－シクロヘキシルフェニル)ヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、トリス(４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、及びビス－(４－シクロヘキシルフェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロプロパンスルホネートが挙げられる。好ましい例は、トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート（トリフェニルスルホニウム トリフレート）である。
いくつかの実施形態では、前記ＰＡＧの量は、レジスト形成組成物の総重量の約０．１重量％以上（例えば、約０．２重量％以上、約０．５重量％以上、約１重量％以上、約２重量％以上、若しくは約３重量％以上）及び／又は約１０重量％以下（例えば、約９重量％以下、約８重量％以下、約７重量％以下、約６重量％以下、若しくは５重量％以下）である。
前記シリコン含有ポリマーの一例は以下の４つのモノマー繰り返し単位を含むテトラポリマーである。

ここで、ｎは１～５の整数であり、Ｒ５はメチル基又はトリメチルシロキシ基であり、Ｒ６はｔｅｒｔ－ブチル基であり、並びにＲ７及びＲ８はそれぞれ独立に水素及びメチル基から選択される。好ましくは、ｎは１である。
いくつかの実施形態では、前記シリコン含有ポリマーは、以下のモノマーのうち１種又は複数種の重合により調製することができる。
好適なシリコン含有ポリマーのその他の例は、参照により本開示に取り込まれる米国特許第６９２９８９７、米国特許第６９１６５４３、米国特許第６１６５６８２に記載されている。
いくつかの実施形態では、前記シリコン含有ポリマーの量は、レジスト形成組成物の総重量の約１重量％以上（例えば、約２重量％以上、約５重量％以上、約８重量％以上、約１０重量％以上、若しくは約１２重量％以上）及び／又は約３０重量％以下（例えば、約２７重量％以下、約２５重量％以下、約２３重量％以下、約２０重量％以下、若しくは約１５重量％以下）である。
いくつかの実施形態では、前記溶媒の量はレジスト形成組成物の総重量の約６０重量％以上（例えば、約６５重量％以上、約７０重量％以上、約７５重量％以上、約８０重量％以上、若しくは約８５重量％以上）及び／又は約９８重量％以下（例えば、約９６重量％以下、約９４重量％以下、約９２重量％以下、約９０重量％以下、若しくは約８５重量％以下）である。
本開示のいくつかの実施形態は、半導体基板上に金属層（例えば、埋め込まれた銅トレース構造を作製するための導電性銅層）を堆積させるプロセスを記載する。いくつかの実施形態では、これを達成するために、パターン形成された誘電体膜に沿った形状の（conformal to）シード層が、前記パターン形成された誘電体膜上に（例えば、前記膜の開口の外側（outside）に）最初に堆積される。シード層は、バリア層及び金属シーディング（metal seeding）層（例えば、銅シーディング層）を含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、前記バリア層は、導電性金属（例えば銅）が前記誘電体層を通って拡散することを防止することが可能な材料を用いて調製される。前記バリア層用に用いることができる好適な材料としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、窒化タンタル（ＴｉＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、及びＴａ／ＴａＮが挙げられるがこれらに限定されない。前記バリア層を形成する好適な方法としてはスパッタリング（例えば、ＰＶＤ又は物理蒸着）がある。スパッタリング堆積は、金属堆積技術としていくつかの利点を有している。なぜならスパッタリング蒸着は多くの導電材料を高い堆積速度で、また良好な均一性及び低い所有コストで、堆積するのに用いることができるためである。従来のスパッタリングフィルは、より深く、より狭い（高アスペクト比の）フィーチャについては相対的に良くない結果を生み出す。スパッタリング堆積によるフィルファクターは、スパッタリングされたフラックスをコリメートすることにより向上された。典型的には、これはターゲットと基板との間に六角形セルのアレイを有するコリメーター板を挿入することにより達成される。
前記プロセスにおける次のステップは、金属シーディング堆積である。後続するステップにおいて形成される金属層（例えば、銅層）の堆積を向上させるために、薄い金属（例えば、銅などの導電性金属）シーディング層を前記バリア層の上面に形成することができる。
前記プロセスにおける次のステップは、パターン形成された誘電体膜の開口内における金属シーディング層の上面に導電性金属層（例えば、銅層）を堆積することであり、ここで、前記金属層は前記パターン形成された誘電体膜中の開口をフィルするのに十分に厚い。パターン形成された誘電体膜中の開口をフィルするための金属層は、めっき（例えば無電解めっき又は電解めっき）、スパッタリング、プラズマ蒸着（ＰＶＤ）、及び化学蒸着（ＣＶＤ）により堆積させることができる。電気化学的堆積（electrochemical deposition）は他の堆積方法よりもより経済的で、インターコネクトフィーチャへと銅を欠陥無くフィルすることができるため、電気化学的堆積は一般に、銅を付与するための好ましい方法である。銅堆積方法は、一般に、半導体産業の厳しい要求を満たすことが求められる。例えば、銅堆積物は均一であること、及びデバイスの小さなインターコネクトフィーチャ、例えば１００ｎｍ以下の開口を有するインターコネクトフィーチャ、を欠陥無くフィルすることができること、が求められる。この技術は、例えば、内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許第５，８９１，８０４（Havemann et al.）、米国特許第６，３９９，４８６（Tsai et al.）、及び米国特許第７，３０３，９９２（Paneccasio et al.）に記載されてきた。
いくつかの実施形態では、導電性金属層を堆積するプロセスは、導電性金属の過剰堆積部（overburden）を除去すること又はシード層（例えば、バリア層及び金属シーディング層）を除去することをさらに含む。いくつかの実施形態では、導電性金属層（例えば銅層）の過剰堆積部は、約３ミクロン以下（例えば、約２．８ミクロン以下、約２．６ミクロン以下、約２．４ミクロン以下、約２．２ミクロン以下、約２．０ミクロン以下、又は約１．８ミクロン以下）であって、約０．４ミクロン以上（例えば、約０．６ミクロン以上、約０．８ミクロン以上、約１．０ミクロン以上、約１．２ミクロン以上、約１．４ミクロン以上、又は約１．６ミクロン以上）である。銅過剰堆積部を除去するための銅エッチャントの例としては、塩化銅（ＩＩ）及び塩酸を含む水溶液、又は硝酸鉄（ＩＩＩ）及び塩酸の水性混合物が挙げられる。その他の好適な銅エッチャントの例としては、内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許第４，７８４，７８５、米国特許第３，３６１，６７４、米国特許第３，８１６，３０６、米国特許第５，５２４，７８０、米国特許第５，６５０，２４９、米国特許第５，４３１，７７６、及び米国特許第５，２４８，３９８並びに米国特許出願公開第２０１７／１７５２７４に記載された銅エッチャントが挙げられるがこれらに限定されない。
いくつかの実施形態は、ラインのネットワーク及びインターコネクトを形成する導電性金属（例えば銅）ワイヤ構造を含む、金属構造を有する（metal structured）基板を、本開示の誘電体膜で囲むプロセスを記載する。該プロセスは、
ａ）基板上にラインのネットワーク及びインターコネクトを形成する導電性金属ワイヤ構造を含む、前記基板を与えるステップ；
ｂ）前記基板上に、本開示の誘電体膜形成組成物を堆積させて、誘電体膜（例えば、前記導電性金属ライン及びインターコネクトを被覆する誘電体膜）を形成するステップ；
ｃ）前記膜を、（前記膜を架橋することが可能な）放射線源、熱源、又は放射線と熱との組み合わせの源に曝すステップ；
ｄ）任意に（optionally）、ステップａ）～ステップｃ）を少なくとも１回（例えば、２回、３回、又は４回）、繰り返すステップ
を含んでもよい。
いくつかの実施形態では、上記のプロセスは、リソグラフィープロセス、レーザーアブレーションプロセス若しくはレーザードリリングプロセス、又は二重層（bilayer）プロセス（例えば、本開示に記載されたプロセス）などの適切なプロセスによって、前記誘電体膜にパターン形成することをさらに含んでいてもよい。
いくつかの実施形態では、本開示は、乾燥膜構造を調製する方法を１つの特色とする。該方法は、
ａ）キャリア基板（例えば、少なくとも１つのプラスチック膜を含む基板）を、本開示に記載の誘電体膜形成組成物でコーティングすること；
ｂ）コーティングされた前記誘電体膜形成組成物を乾燥して乾燥膜を形成すること；及び
ｃ）任意に（optionally）、前記乾燥膜に保護膜を付与すること
を含んでもよい。
いくつかの実施形態では、前記キャリア基板は、単層プラスチック膜又は多層プラスチック膜であり、１種又は複数種のポリマー（例えば、ポリエチレンテレフタレート）を含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記キャリア基板は良好な光学透明性を有し、前記ポリマー層中にレリーフパターンを形成するのに用いられる活性照射（actinic irradiation）に対して実質的に透明である。前記キャリア基板の厚さは好ましくは約１０ミクロン以上（例えば、約１５ミクロン以上、約２０ミクロン以上、約３０ミクロン以上、約４０ミクロン以上、約５０ミクロン以上、又は約６０ミクロン以上）～約１５０ミクロン以下（例えば、約１４０ミクロン以下、約１２０ミクロン以下、約１００ミクロン以下、約９０ミクロン以下、約８０ミクロン以下、又は約７０ミクロン以下）の範囲である。
いくつかの実施形態では、前記保護層は単層膜又は多層膜であり、１種又は複数種のポリマー（例えば、ポリエチレン又はポリプロピレン）を含んでもよい。キャリア基板及び保護層の例は、例えば、内容が参照により本開示に取り込まれる米国特許出願公開第２０１６／０３１３６４２に記載されてきた。
いくつかの実施形態では、前記乾燥膜の誘電体膜は、自立乾燥膜（self-standing dry film）として、キャリア層から剥離されてもよい。自立乾燥膜とは、キャリア層などの支持層を用いること無しに自らの物理的一体性を維持できる膜である。いくつかの実施形態では、自立誘電体乾燥膜は架橋又は硬化されておらず、また、溶媒を除き、本開示に記載の誘電体膜形成組成物の成分を含んでもよい。
いくつかの実施形態では、本開示に記載の誘電体膜形成組成物から調製される誘電体膜は、相対的に低い誘電損失正接を有してもよい。例えば、本開示の誘電体膜形成組成物から作製された誘電体膜（例えば、架橋された又は未架橋の誘電体膜）の１０ＧＨｚで測定した誘電損失正接は、約０．００１以上（例えば、約０．００５以上、約０．０１以上、又は約０．０５以上）～約０．１以下（例えば、約０．０８以下、約０．０６以下、約０．０５以下、約０．０４以下、又は約０．０２０以下）の範囲であってもよい。
いくつかの実施形態では、本開示は、導電性金属の少なくとも１つの層及び本開示の膜形成組成物を用いることで形成された誘電体膜（例えば、架橋され、パターン形成された誘電体膜）を含む三次元物体を１つの特色とする。いくつかの実施形態では、前記三次元物体は、誘電体膜を２つ以上の積み重ね（stacks）（例えば、３つ以上の積み重ね）で含んでいてもよい。
本開示中で引用した全ての刊行物（例えば、特許、特許出願公開、及び論文）の内容は、その全体が、参照により本開示に取り込まれる。
以下の実施例は、本開示の原理及び実践をより明瞭に例示するために与えられる。本開示は記載された実施例に限定されるものではないことを理解すべきである。
●実施例１：誘電体膜形成組成物１の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレンであり富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー（キシレン中の２８．５％溶液を６２．６０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（７．１４ｇ）、及びジクミルペルオキシド（０．５３ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製された。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過した。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、ジクミルペルオキシドが熱開始剤として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられた。
誘電体膜形成組成物１を、アプリケーターを用いて３５ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成した。この膜を、ホットプレートを用いて９５℃で１０分間ベーキングし、溶媒の大半を除去した。それからこの膜を窒素下で１５０℃１時間ベーキングして、１３０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得た。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２００℃でさらに１時間ベーキングした。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成した。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析した。本実施例の誘電体膜は、１２０℃のＴｇ、及び５０℃～１５０℃の範囲で測定した場合に８８ｐｐｍ／℃のＣＴＥを有していた。
●実施例２：誘電体膜形成組成物２の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバーである環化ポリイソプレン（キシレン中の２８．５％溶液を４３．６ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（５．０ｇ）、ジクミルペルオキシド（０．３７ｇ）、シリカ（４６．９ｇ、２０％キシレン中に分散されたシリカナノ粒子ＳＵＰＳＩＬ（商標）ＰＲＥＭＩＵＭ、単分散、電荷安定化、Superior Silicaから供給）、及びキシレン（３．５ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製された。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過した。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、ジクミルペルオキシドが熱開始剤として用いられ、シリカナノ粒子がフィラーとして用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられた。
誘電体膜形成組成物２を、アプリケーターを用いて３５ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成した。この膜を、ホットプレートを用いて９５℃で１０分間ベーキングし、溶媒の大半を除去した。それからこの膜を窒素下で１５０℃１時間ベーキングして、１３０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得た。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２００℃でさらに１時間ベーキングした。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成した。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析した。本実施例の誘電体膜は、１２０℃のＴｇ、及び５０℃～１５０℃の範囲で測定した場合に５８ｐｐｍ／℃のＣＴＥを有していた。
●実施例３：誘電体膜形成組成物３の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を５７．９０）、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（８．２５ｇ）、ジクミルペルオキシド（０．５０ｇ）、及びキシレン（１．７５ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパンがシアネートエステル化合物として用いられ、ジクミルペルオキシドが熱開始剤として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物３を、アプリケーターを用いて３５ミクロン厚のＰＥＴ上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて９５℃で１０分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。この膜を窒素下で１５０℃１時間ベーキングして、１２０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２００℃でさらに１時間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例４：誘電体膜形成組成物４の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を５７．９０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（６．６０ｇ）、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（８．２５ｇ）、ジクミルペルオキシド（０．５０ｇ）、及びキシレン（１．７５ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製された。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過した。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパンがシアネートエステル化合物として用いられ、ジクミルペルオキシドが熱開始剤として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられた。
誘電体膜形成組成物４を、アプリケーターを用いて３０ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成した。この膜を、ホットプレートを用いて９５℃で１２分間ベーキングし、溶媒の大半を除去した。この膜を窒素下で２００℃で７０分間ベーキングして、２５０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得た。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２５０℃でさらに１時間ベーキングした。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成した。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析した。本実施例の誘電体膜は、１６７℃のＴｇ、及び５０℃～１５０℃の範囲で測定した場合に７６ｐｐｍ／℃のＣＴＥを有していた。
●実施例５：誘電体膜形成組成物５の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を５７．９０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（４．１ｇ）、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（１１．０ｇ）、ジクミルペルオキシド（０．５０ｇ）、及びキシレン（１．７５ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製された。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過した。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパンがシアネートエステル化合物として用いられ、ジクミルペルオキシドが熱開始剤として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられた。
誘電体膜形成組成物５を、アプリケーターを用いて３０ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成した。この膜を、ホットプレートを用いて９５℃で１２分間ベーキングし、溶媒の大半を除去した。それからこの膜を窒素下で２００℃で７０分間ベーキングして、２５０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得た。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２５０℃でさらに１時間ベーキングした。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成した。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析した。本実施例の誘電体膜は、１７５℃のＴｇ、及び５０℃～１５０℃の範囲で測定した場合に６７ｐｐｍ／℃のＣＴＥを有していた。
●実施例６：誘電体膜形成組成物６の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を５７．９０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（６．６０ｇ）、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（８．２５ｇ）、シリカ（１２．０ｇ、シリカナノ粒子ＳＵＰＳＩＬ（商標）ＰＲＥＭＩＵＭ、単分散、電荷安定化、Superior Silicaから供給）、ジクミルペルオキシド（０．５０ｇ）、及びキシレン（１．７５ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製された。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過した。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、シリカナノ粒子が無機粒子フィラーとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパンがシアネートエステル化合物として用いられ、ジクミルペルオキシドが熱開始剤として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられた。
誘電体膜形成組成物６を、アプリケーターを用いて３５ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成した。この膜を、ホットプレートを用いて１０５℃で７分間ベーキングし、溶媒の大半を除去した。それからこの膜を窒素下で１６０℃で１８５分間ベーキングして、３５０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得た。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２１０℃でさらに１時間ベーキングした。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成した。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析した。本実施例の誘電体膜は、１７３℃のＴｇ、及び５０℃～１５０℃の範囲で測定した場合に６７ｐｐｍ／℃のＣＴＥを有していた。
●実施例７：誘電体膜形成組成物７の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を５７．９０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（６．６０ｇ）、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（８．２５ｇ）、ジクミルペルオキシド（０．５０ｇ）、２－ヒドロキシ－５－アクリロイルオキシフェニル－２Ｈ－ベンゾトリアゾール（０．１１ｇ）、及びキシレン（１．７５ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製された。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過した。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパンがシアネートエステル化合物として用いられ、ジクミルペルオキシドが熱開始剤として用いられ、２－ヒドロキシ－５－アクリロイルオキシフェニル－２Ｈ－ベンゾトリアゾールがＣｕ防錆剤及びシアネート硬化触媒として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられた。
誘電体膜形成組成物７を、アプリケーターを用いて３０ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成した。この膜を、ホットプレートを用いて９５℃で１２分間ベーキングし、溶媒の大半を除去した。それからこの膜を窒素下で２００℃で７０分間ベーキングして、２５０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得た。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２５０℃でさらに１時間ベーキングした。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成した。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析した。
●実施例８：誘電体膜形成組成物８の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を６２．６０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（７．１４ｇ）、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（４．４６ｇ）、２－（ベンゾイルオキシイミノ）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１－オクタノン（ＢＡＳＦから入手可能なイルガキュアＯＸＥ－０１）（０．５３ｇ）、及びキシレン（０．２５ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製された。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過した。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパンがシアネートエステル化合物として用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられた。
誘電体膜形成組成物８を、アプリケーターを用いて３５ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成した。この膜を、ホットプレートを用いて９５℃で１０分間ベーキングし、溶媒の大半を除去した。それからこの膜を窒素下で１５０℃で１時間ベーキングして、１３０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得た。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２００℃でさらに１時間ベーキングした。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成した。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析した。
●実施例９：誘電体膜形成組成物９の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を７７．２ｇ）、ヘキサンジアクリレート（４．４０ｇ）、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（１１．００ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．６６ｇ）、５－メチルベンゾトリアゾール（ＭＢＴＡ、０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、及びキシレン（６．５ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、ヘキサンジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパンがシアネートエステルとして用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、５－メチルベンゾトリアゾールが銅不動態化試薬として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物９を、アプリケーターを用いて３５ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて９０℃で８分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１７５℃で９０分間ベーキングして、１００ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２２０℃でさらに１時間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例１０：誘電体膜形成組成物１０の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を７７．２０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（４．４０ｇ）、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（１１．００ｇ）、三菱シリカ（５．５０ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．６７ｇ）、２－［３－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ヒドロキシフェニル］エチルメタクリレート（ＢＴＺ－ＡＣ、０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、及びキシレン（６．７ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパンがシアネートエステルとして用いられ、三菱シリカがフィラーとして用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、２－［３－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ヒドロキシフェニル］エチルメタクリレートが銅防錆剤として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物１０を、アプリケーターを用いて３５ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて８５℃で１５分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１８０℃で７５分間ベーキングして、１５０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２５０℃でさらに３０分間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例１１：誘電体膜形成組成物１１の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を７７．２０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（４．４０ｇ）、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（１１．００ｇ）、三菱シリカ（５．５０ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．６７ｇ）、ＢＴＺ－ＡＣ（０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、チタンカルボキシエチルアクリレート（０．１１ｇ）、及びキシレン（６．７０ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパンがシアネートエステルとして用いられ、三菱シリカがフィラーとして用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、ＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、チタンカルボキシエチルアクリレートが硬化触媒として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物１１を、アプリケーターを用いて３５ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて１００℃で１２分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１６０℃で８０分間ベーキングして、２００ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２４０℃でさらに４５分間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例１２：誘電体膜形成組成物１２の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を７７．２０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（４．４０ｇ）、ＡｒｏＣｙ（登録商標）ＸＵ３６６（１１．００ｇ）、三菱シリカ（５．５０ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．６７ｇ）、ＢＴＺ－ＡＣ（０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、チタンカルボキシエチルアクリレート（０．１１ｇ）、及びキシレン（６．７ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、ＡｒｏＣｙ（登録商標）ＸＵ３６６がシアネートエステル化合物として用いられ、三菱シリカがフィラーとして用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、ＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、チタンカルボキシエチルアクリレートが硬化触媒として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物１２を、アプリケーターを用いて３５ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて８０℃で１５分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１９０℃で５０分間ベーキングして、１３０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２１０℃でさらに１時間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例１３：誘電体膜形成組成物１３の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を７７．２０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（４．４０ｇ）、ノボラック（ＡｒｏＣｙ（登録商標）ＸＵ３７１）（１１．００ｇ）、三菱シリカ（５．５０ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．６７ｇ）、ＢＴＺ－ＡＣ（０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、チタンカルボキシエチルアクリレート（０．１１ｇ）、及びキシレン（６．７ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、ノボラック（ＡｒｏＣｙ（登録商標）ＸＵ３７１がシアネートエステル化合物として用いられ、三菱シリカがフィラーとして用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、ＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、チタンカルボキシエチルアクリレートが硬化触媒として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物１３を、アプリケーターを用いて５０ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて１００℃で１２分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で２５０℃で１時間ベーキングして、３２０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２５０℃でさらに７０分間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例１４：誘電体膜形成組成物１４の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を７７．２０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（４．４０ｇ）、ノボラック（製品Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００）（１１．００ｇ）、三菱シリカ（５．５０ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．６７ｇ）、ＢＴＺ－ＡＣ（０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、チタンカルボキシエチルアクリレート（０．１１ｇ）、及びキシレン（６．７ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、ノボラック（製品Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００）がシアネートエステル化合物として用いられ、三菱シリカがフィラーとして用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、ＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、チタンカルボキシエチルアクリレートが硬化触媒として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物１４を、アプリケーターを用いて４５ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて７５℃で１２分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１６０℃で５５分間ベーキングして、１００ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２１０℃でさらに１時間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例１５：誘電体膜形成組成物１５の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（Ｒｅｓｉｐｒｅｎｅ、１１．００ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（４．４０ｇ）、ノボラック（製品Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００）（１１．００ｇ）、三菱シリカ（５．５０ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．６７ｇ）、ＢＴＺ－ＡＣ（０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、チタンカルボキシエチルアクリレート（０．１１ｇ）、及びキシレン（７２．９ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、Ｒｅｓｉｐｒｅｎｅが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、ノボラック（製品Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００）がシアネートエステル化合物として用いられ、三菱シリカがフィラーとして用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、ＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、チタンカルボキシエチルアクリレートが硬化触媒として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物１５を、アプリケーターを用いて４０ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて１１５℃で８分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１７０℃で７０分間ベーキングして、１２０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２１０℃でさらに８０分間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例１６：誘電体膜形成組成物１６の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を３８．６０ｇ）、Ｒｅｓｉｐｒｅｎｅ（１１．００ｇ、ＥＳＩＮＥ ＩＴＡＬＩＡＮＥ Ｓ．ｒ．Ｉ．により供給）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（２．２ｇ）、ヘキサンジアクリレート（２．２ｇ）、ノボラック（ＡｒｏＣｙ（登録商標）ＸＵ３７１）（１１．００ｇ）、ＰｒｉｍａｓｅｔＰＴ－３（５．５ｇ）、三菱シリカ（３．３０ｇ）、帯電安定化シリカ（２．２０ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．３３ｇ）、ジクミルペルオキシド（３．３０ｇ）、５－メチルベンゾトリアゾール（ＢＴＺ－ＡＣ、０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、キシレン（２７．６０ｇ）、及びシクロペンタノン（６．７０ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバー及びＲｅｓｉｐｒｅｎｅが２種の異なる環化ポリジエンポリマーとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート及びヘキサンジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、ノボラック（ＡｒｏＣｙ（登録商標）ＸＵ３７１）及びＰｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＰＴ－３がシアネートエステル化合物として用いられ、三菱シリカ及び帯電安定化シリカがフィラーとして用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、ジクミルペルオキシドが熱開始剤として用いられ、ＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、そしてキシレン及びシクロペンタノンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物１６を、アプリケーターを用いて４０ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて１００℃で９分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１６０℃で７５分間ベーキングして、１３０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２５０℃でさらに７５分間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例１７：誘電体膜形成組成物１７の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を３８．６０ｇ）、Ｒｅｓｉｐｒｅｎｅ３５（１１．００ｇ、ＥＳＩＮＥ ＩＴＡＬＩＡＮＥ Ｓ．ｒ．Ｉ．により供給）、ＡＬＰＥＸ ＣＫ５１４／ＰＡＳＴ（５．５ｇ、Ａｌｌｎｅｘにより供給）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（２．２ｇ）、ヘキサンジアクリレート（２．２ｇ）、ノボラック（ＡｒｏＣｙ（登録商標）ＸＵ３７１、１１．００ｇ）、帯電安定化シリカ（２．２０ｇ）、ジクミルペルオキシド（３．３０ｇ）、５－メチルベンゾトリアゾール（ＢＴＺ－ＡＣ、０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、及びシクロヘキサノン（２６．７０ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバー、Ｒｅｓｉｐｒｅｎｅ、及びＡＬＰＥＸ ＣＫ５１４／ＰＡＳＴが３種の異なる環化ポリジエンポリマーとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート及びヘキサンジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、ノボラック（ＡｒｏＣｙ（登録商標）ＸＵ３７１）がシアネートエステル化合物として用いられ、帯電安定化シリカがフィラーとして用いられ、ジクミルペルオキシドが熱開始剤として用いられ、ＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、そしてシクロヘキサノンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物１７を、アプリケーターを用いて４０ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて１００℃で９分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１６０℃で７５分間ベーキングして、１３０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げ、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２５０℃でさらに７５分間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例１８：誘電体膜形成組成物１８の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を３８．６０ｇ）、ｂ－ステージメタクリレート官能化シクロオレフィン熱硬化樹脂（Ｐｒｏｘｉｍａ（登録商標））（１１．００ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（２．２０ｇ）、ヘキサンジアクリレート（２．２０ｇ）、Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００（１１．００ｇ）、ＰｒｉｍａｓｅｔＰＴ－３（５．５０ｇ）、カーボンブラック（３．３０ｇ）、帯電安定化シリカ（２．２０ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．３３ｇ）、ジクミルペルオキシド（ＤＣＰ、３．３０ｇ）、５－メチルベンゾトリアゾール（ＢＴＺ－ＡＣ、０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、キシレン（２７．６０ｇ）、及びシクロペンタノン（６．７０ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバー及びｂ－ステージメタクリレート官能化シクロオレフィン熱硬化樹脂（ポリオレフィン誘電体ポリマー）が２種の異なる環化ポリジエンポリマーとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート及びヘキサンジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００及びＰｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＰＴ－３がシアネートエステル化合物として用いられ、カーボンブラック及び帯電安定化シリカがフィラーとして用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、ジクミルペルオキシドが熱開始剤として用いられ、ＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、そしてキシレン及びシクロペンタノンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物１８を、アプリケーターを用いて５５ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて９０℃で１５分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１７０℃で７０分間ベーキングして、２２０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２５０℃でさらに７０分間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例１９：誘電体膜形成組成物１９の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を７７．２０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（４．４０ｇ）、Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００（１１．００ｇ）、ポリジエン粒子（５．５０ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．６７ｇ）、ＢＴＺ－ＡＣ（０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、チタンカルボキシエチルアクリレート（０．１１ｇ）、及びキシレン（６．７０ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００がシアネートエステル化合物として用いられ、ポリジエン粒子がフィラーとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、ＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤及び触媒として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、チタンカルボキシエチルアクリレートが硬化触媒として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物１９を、アプリケーターを用いて６０ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて１２０℃で６分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で２００℃で５０分間ベーキングして、３５０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２５０℃でさらに５０分間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例２０：誘電体膜形成組成物２０の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を７７．２０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（４．４０ｇ）、Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００（１１ｇ）、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）（５．５ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．６７ｇ）、ＢＴＺ－ＡＣ（０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、チタンカルボキシエチルアクリレート（０．１１ｇ）、及びキシレン（６．７ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、ノボラック（製品Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００）がシアネートエステル化合物として用いられ、カーボンナノチューブがフィラーとして用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、ＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、チタンカルボキシエチルアクリレートが硬化触媒として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物２０を、アプリケーターを用いて４０ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて８５℃で１１分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で２００℃で１時間ベーキングして、４００ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２５０℃でさらに１時間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例２１：誘電体膜形成組成物２１の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を７７．２０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（４．４０ｇ）、Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００（１１．００ｇ）、三菱粒子（Ｆｅ３Ｏ４、５．５０ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．６７ｇ）、ＢＴＺ－ＡＣ（０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、ジルコニウムカルボキシエチルアクリレート（０．１１ｇ）、及びキシレン（６．７０ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンポリマーとして用いられ、Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００がシアネートエステル化合物として用いられ、三菱粒子がフィラーとして用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、ＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、ジルコニウムカルボキシエチルアクリレートが硬化触媒として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物２１を、アプリケーターを用いて５０ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて８５℃で１３分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１６０℃で１時間ベーキングして、１８０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２２０℃でさらに７５分間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例２２：誘電体膜形成組成物２２の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を７７．２０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（４．４０ｇ）、Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００（１１．００ｇ）、アルミナ（５．５０ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．６７ｇ）、ＢＴＺ－ＡＣ（０．１１ｇ）、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７、０．３３ｇ）、ジルコニウムカルボキシエチルアクリレート（０．１１ｇ）、及びキシレン（６．７０ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００がシアネートエステル化合物として用いられ、アルミナがフィラーとして用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、ＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤として用いられ、グリシドキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、ジルコニウムカルボキシエチルアクリレートが硬化触媒として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物２２を、アプリケーターを用いて４５ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて９５℃で１０分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１８０℃で１時間ベーキングして、１００ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２２５℃でさらに６５分間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例２３：誘電体膜形成組成物２３の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を７７．２ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（４．４０ｇ）、ノボラック（ＡｒｏＣｙ（登録商標）ＸＵ３７１）（１１．００ｇ）、銅粒子（５．５０ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ－０１（０．６７ｇ）、ＢＴＺ－ＡＣ（０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．３３ｇ）、ジルコニウムカルボキシエチルアクリレート（０．１１ｇ）、及びキシレン（６．７０ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバーが環化ポリジエンとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、ノボラック（ＡｒｏＣｙ（登録商標）ＸＵ３７１）がシアネートエステル化合物として用いられ、銅粒子がフィラーとして用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、ＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、ジルコニウムカルボキシエチルアクリレートが硬化触媒として用いられ、そしてキシレンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物２３を、アプリケーターを用いて５０ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて１００℃で１２．５分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１７５℃で７５分間ベーキングして、１８０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２２５℃でさらに７５分間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例２４：誘電体膜形成組成物２４の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を３８．６０ｇ）、Ｒｅｓｉｐｒｉｎｅ（５．５０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（２．２０ｇ）、ヘキサンジアクリレート（２．２０ｇ）、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（３．６０ｇ）、Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００（３．６６ｇ）、Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＰＴ３０（３．６６ｇ）、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１（０．３３ｇ）、ジクミルペルオキシド（ＤＣＰ、３．３０ｇ）、５－メチルベンゾトリアゾール（ＭＢＴＡ、０．１１ｇ）、ＢＴＺ－ＡＣ（０．１１ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（０．１１ｇ）、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ－１８７、０．２２ｇ）、チタンカルボキシエチルアクリレート（０．１１ｇ）、シクロペンタノン中Ｐｏｌｙｆｏｘ３２６０の０．５％溶液（０．１１ｇ）、シクロペンタノン中ビクトリアブルー色素のナフタレンスルホン酸塩０．０１５％溶液（１．００ｇ溶液）、ポリ（ビスフェノールＡカーボネート）（１．００ｇ）、キシレン（６．７０ｇ）、メシチレン（２０．００ｇ）、及びシクロヘキサノン（７．６０ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、ＳＣラバー及びＲｅｓｉｐｒｅｎｅが２種の異なる環化ポリジエンポリマーとして用いられ、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート及びヘキサンジアクリレートが反応性官能化合物として用いられ、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＤＴ－４０００、及びＰｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）ＰＴ３０がシアネートエステル化合物として用いられ、イルガキュア（登録商標）ＯＸＥ０１が光開始剤として用いられ、ジクミルペルオキシドが熱開始剤として用いられ、ＭＢＴＡ及びＢＴＺ－ＡＣが銅防錆剤として用いられ、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン及びグリシドキシプロピルトリメトキシシランが接着促進剤として用いられ、チタンカルボキシエチルアクリレートが硬化触媒として用いられ、Ｐｏｌｙｆｏｘ３２６０が界面活性剤として用いられ、ビクトリアブルー色素のナフタレンスルホン酸塩が色素として用いられ、ポリ（ビスフェノールＡカーボネート）が誘電損失を減少させるための結合材料として用いられ、そしてキシレン、メシチレン、及びシクロヘキサノンが溶媒として用いられる。
誘電体膜形成組成物２４を、アプリケーターを用いて４０ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて１００℃で１０分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１７５℃で７０分間ベーキングして、１４０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２２０℃でさらに１時間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例２５：誘電体膜形成組成物２５の調製及び付与
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（Ｒｅｓｉｐｒｅｎｅ、１１．００ｇ）及びＡｒｏＣｙ（登録商標）Ｌ－１０（１１．００ｇ）を混合し、５０℃に加温して均一な溶液を得ることで調製される。室温まで冷ました後に、この溶液を５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この実施例では、Ｒｅｓｉｐｒｅｎｅが環化ポリジエンポリマーとして用いられ、ＡｒｏＣｙ（登録商標）Ｌ－１０がシアネートエステル化合物として用いられる。
誘電体膜形成組成物２５を、アプリケーターを用いて４０ミクロン厚のＰＥＴフィルム上に付与し、膜を形成する。この膜を、ホットプレートを用いて１１５℃で８分間ベーキングし、溶媒の大半を除去する。それからこの膜を窒素下で１７０℃で７０分間ベーキングして、１２０ミクロンの厚さを有する安定な誘電体膜を得る。前記誘電体膜を前記ＰＥＴフィルムから持ち上げた後、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２１０℃でさらに８０分間ベーキングする。
室温へと冷却した後に、前記誘電体膜を前記ＫＡＰＴＯＮフィルムから取り除き、スリット状に切断して３ｍｍ幅の膜を形成する。これを、熱機械特性についてＴＭＡで分析する。
●実施例２６：ポリオレフィンシアネートエステル誘電体における微細Ｃｕライン及び超微細Ｃｕラインの調製
誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を５７．９０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（３．３０ｇ）、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（８．２５ｇ）、ジクミルペルオキシド（０．５０ｇ）、及びキシレン（２５．２０ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製される。この溶液を、５．０ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過する。
この溶液を１００ｍｍＰＶＤ－銅ウェハ上にスピンコーティングして膜を形成する。それからホットプレートを用いてこの膜を１１５℃で６分間ベーキングする。それから窒素下で前記膜を２５０℃で２時間ベーキングして、約３ミクロンの厚さを有する誘電体膜を形成する。
富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＴＩＳ１９３ＩＬ－Ａ０１を本実施例の誘電体膜の上面にスピンコーティングして、シリコン含有レジスト層を形成する。該シリコン含有レジスト層をホットプレート上で１３５℃で９０秒間ベーキングして溶媒の大半を除去し、誘電体膜とシリコン含有レジスト層との積層物の調製を完了する。
前記ＴＩＳ１９３Ｌ－Ａ０１層を、キャノン２４８ｎｍステッパー（ＮＡ０．６５、シグマ２（環状））を用いて、トレンチテストパターンレチクル１を通して７７ｍＪ／ｃｍ２の固定露光量及び０μｍの固定フォーカスで露光する。それから、露光されたシリコン含有レジスト層を１２５℃で９０秒間ベーキングし、２．３８Ｎ ＴＭＡＨで６０秒間現像して、光学顕微鏡で観察した場合に１０μｍの寸法を有し、その下に超微細２μｍトレンチパターンを含むトレンチを解像する。前記ウェハを２インチ×２インチ四方のクーポンへと割る。前記超微細トレンチパターンを、２５０ＷのＲｆ及び１５ｓｃｃｍの酸素ガス流量での酸素プラズマを用いたエッチングを５分間行うことにより前記誘電体膜に転写する。
●実施例２７：乾燥膜の調製
本実施例の誘電体膜形成組成物は、環化ポリイソプレン（富士フイルムエレクトロニックマテリアルズＵ．Ｓ．Ａ．から供給されるＳＣラバー、キシレン中の２８．５％溶液を３６０ｇ）、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（２０．５２ｇ）、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（５１．３０ｇ）、ジクミルペルオキシド（３．０８ｇ）、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン（３．０８ｇ）、ＢＴＺ－ＡＣ（１．０３ｇ）、及びキシレン（１６２．１ｇ）を混合して、均一な溶液を得ることで調製された。この溶液を、０．２ミクロンＰＴＦＥフィルターを用いることによりろ過した。
上記の誘電体膜形成組成物を、富士フイルムＵＳＡ（サウスカロライナ州グリーンウッド）から入手したスロットダイコーターを用いて２フィート／分（毎分６１ｃｍ）のライン速度及び６０ミクロンのクリアランスで、キャリア基板として用いられる幅１６．２インチ及び厚さ３６ミクロンのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（ＴＣＨ２１、デュポン帝人フィルムズＵＳＡにより製造）上に付与し、華氏１９４度で乾燥して、おおよそ３２．３ミクロンの厚さを有する膜（乾燥膜１）を得た。このポリマー層上に、ロール圧縮（roll compression）により、幅１６インチ及び厚さ３０ミクロンを有する二軸延伸ポリプロピレンフィルム（ＢＯＰＰ、テキサス州ヒューストンのＩｍｐｅｘ Ｇｌｏｂａｌが製造）を重ね、保護層として働くようにした。
前記保護層を剥離することにより除去した後で、２つの乾燥膜（乾燥膜１）（６インチ×６インチ）を一緒に重ねて、１２インチ×１２インチのスチールプレート上に戴置した。前記膜を真空ラミネーション（０．２～０．４Ｔｏｒｒ）を２０秒間行うことにより成功裏にラミネートし、４０ｐｓｉの圧力と０．２～０．４Ｔｏｒｒの真空の両方に１８０秒間供した。ラミネーション温度は６０℃であった。ラミネーションプロセスは、ニュージャージー州のＯＰＴＥＫ社により製造されたＤＰＬ－２４Ａディファレンシャルプレッシャーラミネーターを用いて行った。このプロセスを１１回繰り返した。
乾燥膜１を１２層分ラミネートすることにより厚膜が得られた。それから前記膜を窒素下で１５０℃１時間ベーキングして、３５０ミクロンの厚さを有する安定した誘電体膜を得た。該誘電体膜をＰＥＴフィルムから持ち上げた後に、前記誘電体膜を２５ミクロンＫＡＰＴＯＮフィルム上に戴置し、それから窒素下で２００℃でさらに１時間ベーキングした。
この厚膜を、誘電体特性測定（Ｄｋ及びＤｆ）のために用いる。
●実施例２８：３次元物体の形成
実施例４の誘電体膜形成組成物を、８／８／６ミクロン～１５／１５／６ミクロンの範囲のライン／スペース／高さの銅めっきパターンを有するシリコン酸化物ウェハ上に１２００ｒｐｍでスピンコーティングする。コーティングされた膜を、ホットプレートを用いて９５℃で５分間ベーキングして、約１３ミクロンの厚さを有する膜を形成する。それから、前記感光性組成物を、ＬＥＤ ｉ線露光器を用いて５００ｍＪ／ｃｍ２でブランケット露光する。前記感光性組成物をＹＥＳオーブンで１７０℃２時間硬化させる。このようにして、個別の銅構造が誘電体膜によって囲まれた３次元物体を調製する。
●実施例２９：銅堆積
実施例４の誘電体膜形成組成物をＰＶＤ銅ウェハ上に１２００ｒｐｍでスピンコーティングする。この膜を、ホットプレートを用いて、９５℃で６分間ベーキングして、８ミクロンの厚さを有する感光性組成物膜を形成する。前記感光性組成物膜を、キャノンｉ線ステッパー（ＮＡ０．４５、シグマ０．７）を用いて、トレンチテストパターンレチクルを通して５００ｍＪ／ｃｍ２の固定露光量及び－１ミクロンの固定フォーカスで露光する。それから、露光された感光性膜をシクロペンタノンのダイナミック現像を用いて４０秒間現像して、光学顕微鏡で観察し（そして、断面操作電子顕微鏡（ＳＥＭ）により確認し）た場合に５０ミクロンの寸法を有し、その下に超微細４ミクロントレンチパターンを含むトレンチを解像する。前記感光性組成物をＹＥＳオーブンで１７０℃２時間硬化させる。
それから、前記ウェハを電気めっきし、ＳＥＭで観察した場合に高さ３．０ミクロンの銅ラインが全てのトレンチに作製される。銅の電着（electrodeposition）は、銅イオン（３０ｇ／Ｌ）、硫酸（５０ｇ／Ｌ）、塩化物イオン（４０ｐｐｍ）、ポリ（プロピレングリコール）（５００ｐｐｍ）、３，３－ジチオビス（１－プロパンスルホネート）二ナトリウム（２００ｐｐｍ）、及びビス（ナトリウムスルホプロピル）ジスルフィド（１００ｐｐｍ）からなる電解質組成物を用いて達成される。電気めっきは、以下の条件を用いて、撹拌をしながらビーカー内で行われる：
アノード：銅；めっき温度：２５℃；電流密度：１０ｍＡ／ｃｍ２；及び時間：２分間。電気めっきの後、前記微細トレンチを切断し、前記銅フィリング状況を光学顕微鏡及び走査型電子顕微鏡を用いて調べ、前記銅がボイド無しに完全にフィルされていることを確認する。また、堆積時間は、過剰堆積部の形成を避けるように調整する。
●実施例３０：透湿性試験
２５ｇの乾燥剤（ＣａＣｌ２）をＥＺカップ内に置き、これを６３．５ｍｍの直径を有する実施例１、４、又は８で調製された誘電体膜で覆った。前記ＥＺカップを２つのネオプレンガスケット間のねじ込みフランジ付きリングを用いて封をし、気候チャンバー（４０℃；９０％ＲＨ）内に２４時間置いた。前記誘電体膜とアセンブルされたＥＺカップの重量を、気候チャンバー内での保存の前及び後で測定した。水蒸気透過度（ＷＶＴ）は、以下の式によって計算される。
ＷＶＴ＝Ｇ／（ｔ×Ａ）
ここで、Ｇは重量変化（ｇ）であり、ｔは時間（ｈ）であり、Ａは誘電体膜の面積（ｍ２）であり、Ｇ／ｔ＝直線の傾き、グレイン／ｈであり、ＷＶＴ＝水蒸気透過度、グレイン／ｈ・ｍ２である。
表２に示されるように、実施例１、４、及び８で調製された膜は、低い水蒸気透過度又は透湿性を示した。

Claims (22)

  1. ａ）置換又は無置換のアルケニル基を有する少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂；
    ｂ）環化ポリジエン樹脂上の前記置換又は無置換のアルケニル基と反応可能な少なくとも２つの官能基を有する、少なくとも１種の反応性官能化合物；及び
    ｃ）前記環化ポリジエン樹脂と前記反応性官能化合物との反応を誘導することが可能な少なくとも１種の触媒
    を含む、誘電体膜形成組成物。
  2. 前記少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂は、環化ポリイソプレン、環化ポリブタジエン、環化ポリペンタジエン、又はそれらの共重合体を含む、請求項１に記載の組成物。
  3. 前記少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂は約５，０００ダルトン以上～約５００，０００ダルトン以下の重量平均分子量（Ｍｗ）を有する、請求項１に記載の組成物。
  4. 前記少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂は、
    ａ）約５，０００ダルトン～約２０，０００ダルトンの重量平均分子量を有する環化ポリジエン樹脂；
    ｂ）約２５，０００ダルトン～約６０，０００ダルトンの重量平均分子量を有する環化ポリジエン樹脂；
    ｃ）約７０，０００ダルトン～約２００，０００ダルトンの重量平均分子量を有する環化ポリジエン樹脂
    の混合物である、請求項１に記載の組成物。
  5. 前記少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂は、前記組成物の約２重量％～約４０重量％の量である、請求項１に記載の組成物。
  6. 前記誘電体膜形成組成物は、約１２０℃以上のＴｇを有する誘電体膜を形成することが可能である、請求項１に記載の組成物。
  7. 前記少なくとも１種の反応性官能化合物は、（メタ）アクリレート基、オレフィン基、シクロオレフィン基、アルキニル基、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも２つの官能基を含む化合物を含む、請求項１に記載の組成物。
  8. 前記少なくとも１種の反応性官能化合物は、前記組成物の約１重量％～約２５重量％の量である、請求項１に記載の組成物。
  9. 前記少なくとも１種の触媒は、前記組成物の約０．２重量％～約３重量％の量である、請求項１に記載の組成物。
  10. ａ）請求項１に記載の誘電体膜形成組成物を基板上にコーティングして膜を形成すること；
    ｂ）任意に（optionally）、約５０℃～約１５０℃の温度で約２０秒～約２４０秒、前記膜をベーキングすること；
    ｃ）マスク無しに、前記膜を放射線、熱、又はそれらの組み合わせに曝すこと
    を含む、誘電体膜を調製するプロセス。
  11. ａ）キャリア基板を、請求項１に記載の誘電体膜形成組成物でコーティングすること；
    ｂ）コーティングされた前記誘電体膜形成組成物を乾燥して乾燥膜を形成すること；及び
    ｃ）任意に（optionally）、前記乾燥膜に保護膜を付与すること
    を含む、乾燥膜を調製するプロセス。
  12. 請求項１１に記載のプロセスにより調製された乾燥膜。
  13. ａ）請求項１に記載の組成物を基板上に堆積させて誘電体膜を形成すること；
    ｂ）前記誘電体膜を放射線、熱、又は放射線と熱との組み合わせに曝すこと；
    ｃ）前記誘電体膜をパターニングして、開口を有する、パターン形成された誘電体膜を形成すること；
    ｄ）任意に（optionally）、パターン形成された前記誘電体膜上にシード層を堆積させること；
    ｅ）パターン形成された前記誘電体膜中の少なくとも１つの開口内に導電性金属層を堆積させること；及び
    ｆ）任意に（optionally）、ステップａ）～ステップｅ）を少なくとも１回、繰り返すこと
    を含む、導電性金属層を堆積させるプロセス。
  14. ａ）基板上にラインのネットワーク及びインターコネクトを形成する導電性金属ワイヤ構造を含む、前記基板を与えるステップ；
    ｂ）前記基板上に、請求項１に記載の組成物を堆積させて、誘電体膜を形成するステップ；
    ｃ）前記誘電体膜を放射線、熱、又は放射線と熱との組み合わせに曝すステップ；
    ｄ）任意に（optionally）、ステップａ）～ステップｃ）を少なくとも１回、繰り返すステップ
    を含む、基板上に誘電体膜を形成するプロセス。
  15. 請求項１４に記載のプロセスにより形成された３次元物体。
  16. 誘電体膜を２つ以上の積み重ね（stacks）で含む、請求項１５に記載の物体。
  17. ａ）少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂；及び
    ｂ）少なくとも２つのシアネート基を有する、少なくとも１種のシアネートエステル化合物
    を含む、誘電体膜形成組成物。
  18. 前記少なくとも１種のシアネートエステル化合物は、構造（Ｉ）

    を有し、ここで、ｍは２以上の整数であり、Ａは置換又は無置換の芳香族基を含む二価の有機基である、請求項１７に記載の組成物。
  19. 前記少なくとも１種のシアネートエステル化合物は、構造（ＩＩ）

    を有し、ここで、Ｒは水素原子、Ｃ１～Ｃ３アルキル基、完全に若しくは部分的にハロゲンで置換されたＣ１～Ｃ３アルキル基、又はハロゲン原子であり；Ｘは単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－（Ｃ＝Ｏ）－、－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－、－（Ｓ＝Ｏ）－、－（ＳＯ２）－、－ＣＨ２ＣＨ２－Ｏ－、置換若しくは無置換のＣ１～Ｃ１０アルキレン、完全に若しくは部分的にフルオロ置換されたＣ１～Ｃ４アルキレン、置換若しくは無置換のＣ３～Ｃ１０シクロアルキレン、又は以下の基のうちの１つ：

    である、請求項１８に記載の組成物。
  20. 前記少なくとも１種のシアネートエステル化合物は、構造（ＩＩＩ）

    を有し、ここで、ｎ１は２以上の整数であり、ｎ２及びｎ３は独立に、０又は１～１００の整数であり、Ｒ１はＣ１～Ｃ１０アルキル基又はＣ１～Ｃ２０アリールアルキル基であり、Ｒ２は置換若しくは無置換のＣ１～Ｃ１０アルキル、置換若しくは無置換のＣ３～Ｃ１０シクロアルキル、置換若しくは無置換のアリール基、又は－（Ｃ＝Ｏ）－ＯＲ４基であり、ここで、Ｒ４は酸感受性ではない置換アルキル基又は酸感受性ではない置換アリールアルキル基であり、Ｒ３は置換若しくは無置換のＣ１～Ｃ１０アルキル、又はフルオロ置換Ｃ１～Ｃ４アルキルである、請求項１７に記載の組成物。
  21. 前記少なくとも１種のシアネートエステル化合物は、前記組成物の約１重量％～約２５重量％の量である、請求項１７に記載の組成物。
  22. ａ）置換又は無置換のアルケニル基を有する少なくとも１種の環化ポリジエン樹脂；
    ｂ）前記環化ポリジエン樹脂上の前記置換又は無置換のアルケニル基と反応可能な少なくとも２つの官能基を有する、少なくとも１種の反応性官能化合物；
    ｃ）少なくとも２つのシアネート基を有する、少なくとも１種のシアネートエステル化合物；
    ｄ）前記環化ポリジエン樹脂と前記反応性官能化合物との反応を誘導することが可能な少なくとも１種の触媒；及び
    ｅ）任意に（optionally）少なくとも１種の溶媒
    を含む誘電体膜形成組成物。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3595900A (en) 1968-07-01 1971-07-27 Minnesota Mining & Mfg Cyanatophenyl-terminated polyarylene ethers
US3853815A (en) * 1970-08-17 1974-12-10 Trw Inc Thermosetting cyclized polydiene resins
US4678841A (en) * 1984-03-05 1987-07-07 Kuraray Company, Ltd. Method of producing a cyclized polydiene
JPS62201954A (ja) 1986-03-03 1987-09-05 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 強化ポリオレフイン樹脂組成物．
US4894414A (en) 1987-07-30 1990-01-16 The Dow Chemical Company Rubber-modified cyanate ester resins and polytriazines derived therefrom
US6770502B2 (en) 2002-04-04 2004-08-03 Eastman Kodak Company Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures
CN1972962B (zh) * 2004-06-25 2010-05-05 日本瑞翁株式会社 共轭二烯聚合物环化物及其制备方法
WO2009099954A1 (en) 2008-02-04 2009-08-13 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Novel positive photosensitive resin compositions
KR101971757B1 (ko) 2012-03-29 2019-08-13 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 수지 조성물, 프리프레그, 수지 시트 및 금속박 피복 적층판
CN106164132B (zh) 2014-01-31 2019-08-23 富士胶片电子材料美国有限公司 聚酰亚胺组合物
WO2016158066A1 (ja) 2015-03-31 2016-10-06 三菱瓦斯化学株式会社 シアン酸エステル化合物、該化合物を含む硬化性樹脂組成物及びその硬化物
EP3286605B1 (en) 2015-04-21 2023-06-28 FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. Photosensitive polyimide compositions
US9809690B2 (en) 2015-06-09 2017-11-07 Rogers Corporation Circuit materials and articles formed therefrom
JP6898031B2 (ja) 2015-12-30 2021-07-07 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 感光性積層構造体
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