TW202211739A

TW202211739A - 印刷電路板的製造方法

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Publication number: TW202211739A
Application number: TW110129316A
Authority: TW
Inventors: 野原公幸; 佐藤利德; 喜多村慎也; 中島洋一; 信國豪志
Original assignee: 日商Ｍｇｃ電子科技股份有限公司; 日商米澤菱電子股份有限公司
Priority date: 2020-08-15
Filing date: 2021-08-09
Publication date: 2022-03-16
Also published as: CN116076159A; WO2022039062A1; JPWO2022039062A1; KR20230050343A

Abstract

本發明係提供一種印刷電路板的製造方法，其可縮小通孔之孔徑，並且可提升導體圖案之形成性。本發明係於內層基板13上，依序積層絕緣層14及電解銅箔15後，除去電解銅箔15。然後，於絕緣層14之表面設置無電鍍銅層17，並於其上形成留有形成通孔之部分之阻劑圖案18。接著，將阻劑圖案18作為鍍阻劑，於無電鍍銅層17之表面設置電鍍銅層，且在除去阻劑圖案18後，將電鍍銅層作為蝕刻阻劑蝕刻無電鍍銅層17，並形成通孔形成用之遮罩。形成遮罩後，藉由雷射除去絕緣層14中未被遮罩覆蓋之部分，而形成通孔。

Description

印刷電路板的製造方法

本發明係關於一種藉由雷射形成通孔之印刷電路板的製造方法。

近年來，除了半導體元件之小型化、高性能化以外，搭載半導體元件之印刷電路板的高密度化、多層化、通孔之孔徑縮小化、及高精度化亦變得不可或缺。印刷電路板，例如藉由於增層作法中通孔之形成時，使用CO₂ 雷射而推進微細化。使用CO₂ 雷射形成通孔之方法，可列舉例如如下之方法。首先，於形成有內層電路之內層基板上，依序形成絕緣層及導電層，並於導電層之表面上層壓乾膜後，將乾膜曝光、顯影，以形成通孔形成用孔。然後，將乾膜作為蝕刻阻劑而蝕刻導電層，並於導電層形成有通孔形成用孔後，將導電層作為雷射用之遮罩，以CO₂ 雷射於絕緣層形成通孔。

然而，此方法中，當於作為雷射用之遮罩之導電層以蝕刻形成通孔形成用孔時，由於過度蝕刻，導電層之通孔形成用孔之孔徑會被蝕刻得比乾膜之通孔形成用孔之孔徑更大。因此，孔徑縮小化具有極限，且存在難以充分應對近年之孔徑縮小化的問題。據此，已提出一種形成較小孔徑之通孔之方法（例如，參照專利文獻1）。

專利文獻1所記載之方法，首先，於絕緣基板上形成導體圖案，並於導體圖案上形成絕緣樹脂層後，將絕緣樹脂層之表面粗化，且於絕緣樹脂層之表面形成無電鍍銅被膜。然後，於無電鍍銅被膜上形成感光性樹脂層，並將感光性樹脂層曝光、顯影，以形成通孔形成用之鍍阻劑，且該鍍阻劑留有形成通孔之部分。接著，使用鍍阻劑，於無電鍍銅被膜上形成具有通孔形成用孔之電鍍銅被膜，並在除去鍍阻劑後，將電鍍銅被膜作為蝕刻阻劑，藉由蝕刻於無電鍍銅被膜形成通孔形成用孔。然後，將電鍍銅被膜作為雷射用之遮罩，以CO₂ 雷射於絕緣樹脂層形成通孔。

藉此方法，作為雷射用之遮罩之電鍍銅被膜係使用通孔形成用之鍍阻劑而形成，故與以蝕刻形成通孔形成用孔之情形相異，不會有過度蝕刻之問題，而可實現通孔之孔徑縮小化。［專利文獻］

［專利文獻1］日本特開2000-59033號公報

［發明所欲解決之技術問題］

然而，專利文獻1所記載之方法，在形成有導體圖案之絕緣基板上形成絕緣樹脂層後，將絕緣樹脂層之表面粗化而形成無電鍍銅被膜，因此絕緣樹脂層之表面粗糙度偏差大，而存在有形成於絕緣樹脂層上之導體圖案之形成性下降之情形的問題。

本發明係有鑑於如此的問題所成之發明，目的為提供一種印刷電路板的製造方法，其可縮小通孔之孔徑，並且可提升導體圖案之形成性。［技術手段］

本發明人發現藉由於形成有內層電路之內層基板上，依序積層絕緣層及電解銅箔而形成多層板後，從前述多層板除去前述電解銅箔，並於前述絕緣層之表面設置無電鍍層，則可解決上述課題，進而完成本發明。

亦即，本發明如下。 [1] 一種印刷電路板的製造方法，其特徵係包含：於形成有內層電路之內層基板上，依序積層絕緣層及電解銅箔以形成多層板之步驟；從前述多層板除去前述電解銅箔，並使前述絕緣層露出之步驟；使前述絕緣層露出後，於前述絕緣層之表面設置無電鍍銅層之步驟；於前述無電鍍銅層上設置阻劑層，並進行曝光及顯影，而形成留有形成通孔之部分之阻劑圖案之步驟；將前述阻劑圖案作為鍍阻劑，於前述無電鍍銅層之表面設置電鍍銅層之步驟；設置前述電鍍銅層後，除去前述阻劑圖案之步驟；除去前述阻劑圖案後，將前述電鍍銅層作為蝕刻阻劑，蝕刻前述無電鍍銅層，並形成通孔形成用之遮罩之步驟；及形成前述遮罩後，藉由雷射除去前述絕緣層中未被前述遮罩覆蓋之部分，而形成通孔之步驟。 [2] 如[1]所述之印刷電路板的製造方法，其中，前述通孔之頂部直徑平均值為25μm以下。 [3] 如[1]所述之印刷電路板的製造方法，其中，包含在形成前述阻劑圖案後且設置前述電鍍銅層前，除去殘渣之步驟。［發明之效果］

根據本發明，由於在形成有內層電路之內層基板上，依序積層絕緣層及電解銅箔以形成多層板後，從多層板除去電解銅箔，因此可將電解銅箔之表面形狀轉印至絕緣層之表面，並可減小絕緣層之表面粗糙度之偏差。此外，由於在絕緣層之表面設置無電鍍層，且於其上形成留有形成通孔之部分之阻劑圖案後，設置電鍍層，將此電鍍層作為蝕刻阻劑蝕刻無電鍍層，並形成通孔形成用之遮罩，因此可避免過度蝕刻之問題。據此，可實現通孔之孔徑縮小化，並且可提升導體圖案之形成性。

以下，對用以實施本發明之型態（以下，稱「本實施型態」）進行詳細地說明，但本發明並非限定於此，在不脫離其主旨的範圍內可進行各種的變形。

圖1至圖3係表示本發明之一實施型態之印刷電路板的製造方法之各步驟。本實施型態中，將說明關於製造增層型多層印刷電路板之方法。首先，例如，如圖1(A)所示，於絕緣基板11形成內層電路12以形成內層基板13（內層基板形成步驟）。內層基板13，可藉由歷來習知的方法製造。關於內層基板13之製造步驟列舉一例進行說明，例如，首先於由玻璃環氧系、聚醯亞胺系等之樹脂基板所成之絕緣基板11形成貫穿孔（未圖示），並於絕緣基板11之上下兩面及貫穿孔之內周面，將無電鍍銅作為基底而進行電鍍銅。然後，於表面形成阻劑圖案，並藉由蝕刻形成導體圖案12a及貫穿孔導體（未圖示）作為內層電路12，再於貫穿孔導體之空洞部填充環氧樹脂等之填孔樹脂以平坦化。

接著，例如，如圖1(B)所示，於內層基板13上依序積層絕緣層14及電解銅箔15以形成多層板16（多層板形成步驟）。具體而言，例如於內層基板13上，積層絕緣性之預浸體或樹脂片材作為絕緣層14，並於其上積層電解銅箔15並且壓接。預浸體，可列舉例如於玻璃纖維布或碳纖維等之纖維狀加強材中含浸混合有硬化劑、著色材等之添加物之熱硬化性樹脂，而呈半硬化狀態者。樹脂片材，可列舉例如使混合有硬化劑、著色材等之添加物之熱硬化性樹脂呈半硬化狀態者。用於預浸體或樹脂片材之熱硬化性樹脂，可列舉例如：聚醯亞胺樹脂、液晶聚酯、環氧化合物、氰酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、酚化合物、聚苯醚化合物、苯並噁嗪化合物、有機基改性矽酮化合物、及具有可聚合的不飽和基之化合物。

此外，多層板16，亦可藉由例如使用於電解銅箔15上形成有絕緣性之樹脂層的附樹脂層之銅箔，將樹脂層作為絕緣層14，使樹脂層抵接於內層基板13以積層，並壓接而形成。構成樹脂層之材料，可列舉例如與上述預浸體或樹脂片材相同者。進一步地，多層板16亦可例如於內層基板13上，以旋轉塗布機等塗布絕緣性之環氧系等之液狀樹脂後，使之熱硬化以形成絕緣層14，並於其上積層電解銅箔15，並且壓接。

絕緣層14之厚度，例如理想為5μm～40μm。電解銅箔15之厚度，例如理想為1μm～20μm。壓接係例如將預浸體或樹脂片材配置於內層基板之上下（正反）面，在壓力3.0MPa、溫度220℃下進行60分鐘積層成形。藉此，電解銅箔15之表面形狀會轉印至絕緣層14之表面。電解銅箔15之絕緣層14側之表面粗糙度Ra，理想為0.01μm～2.0μm，電解銅箔15之絕緣層14側之最大高度粗糙度Rz，理想為0.5μm～10.0μm。

然後，例如，如圖1(C)所示，藉由蝕刻等將電解銅箔15從多層板16上完全除去，並於整面使絕緣層14露出（電解銅箔除去步驟）。作為蝕刻液所使用之水溶液無特別限定，可列舉例如鹽酸及氯化銅水溶液所成者，或是硫酸及過氧化氫水溶液所成者。然後，例如，如圖1(D)所示，藉由於絕緣層14之表面無電鍍銅，形成例如厚度為0.4μm～2μm之無電鍍銅層17（無電鍍銅步驟）。無電鍍銅，例如係使用以甲醛為還原劑之鹼性浴。

之後，例如，如圖1(E)所示，於無電鍍銅層17上熱壓接乾膜以設置阻劑層，進行曝光及顯影而僅留有於後續步驟中形成之通孔21之部分，從而形成留有形成通孔21之部分之阻劑圖案18（阻劑圖案形成步驟）。此時，阻劑層之層壓理想係設為50°C～140°C，壓接壓力設為1kgf/cm² ～15kgf/cm² ，壓接時間設為5秒～300秒。藉由層壓將阻劑層設於無電鍍銅層17上後，對阻劑層之指定部分照射活性能量射線，進行使照射部之阻劑層硬化之曝光。活性能量射線之照射可通過遮罩圖案，亦可使用直接照射活性能量射線之直接描繪法。活性能量射線，可列舉例如：紫外線、可見光、電子束及X射線，特別理想為紫外線。紫外線之照射量係大約10mJ/cm² ～1000mJ/cm² 。曝光後之顯影只要係可將未曝光部分限定地溶出，則無特別限定，可使用鹼性水溶液、水性顯影液、有機溶劑等顯影液。顯影方法，例如，能以噴塗、搖動浸漬、刷塗、刮塗等習知的方法進行。

此外，阻劑圖案18之厚度（亦即阻劑層之厚度），係比後續步驟中形成之電鍍層19之厚度厚，例如，理想設為5μm～20μm。形成阻劑圖案18之後，例如，如圖2(F)所示，藉由電漿清洗等除去殘渣（阻劑殘渣）（殘渣除去步驟）。

除去殘渣後，例如，如圖2(G)所示，將阻劑圖案18作為鍍阻劑，於無電鍍銅層17之表面藉由電鍍銅形成例如厚度為1μm～10μm之電鍍銅層19（電鍍銅步驟）。具體而言，例如，以浴溫22°C、電流密度1.0A/dm² 施行電鍍處理。鍍液組成，理想係例如硫酸銅（例如120g/L）、硫酸（例如80g/L）及氯離子（例如50mg/L）之混合液，並且，加入適量的添加劑。添加劑，可列舉例如使用聚醚化合物（聚合物）、有機硫化合物（拋光劑）及四級胺化合物（整平劑）之方法。

設置電鍍銅層19後，例如，如圖2(H)所示，使用阻劑剝離液等除去阻劑圖案（阻劑圖案除去步驟）。除去阻劑圖案18後，例如，如圖2(I)所示，將電鍍銅層19作為蝕刻阻劑，藉由快速蝕刻（flush etching）等蝕刻無電鍍銅層17，形成由無電鍍銅層17及電鍍銅層19所成之通孔形成用之遮罩20（遮罩形成步驟）。具體而言，蝕刻方法，例如能以噴塗、搖動浸漬等習知的方法進行。液組成可列舉藉由硫酸及過氧化氫水溶液之方法。

形成遮罩20之後，例如，如圖3(J)所示，藉由CO₂ 雷射等雷射將絕緣層14中未被遮罩20覆蓋之部分（亦即從遮罩20露出之部分）除去，從而形成通孔21（通孔形成步驟）。使用之CO₂ 雷射的條件，係使用光束直徑縮小至1μm～50μm。此通孔21之雷射加工，係進行至絕緣層14下之導體圖案12a露出為止。藉此，可縮小通孔21之孔徑，例如，可將已形成之通孔21之頂部直徑平均值設為25μm以下。藉由縮小雷射孔之頂部直徑，可製作直徑更小的焊墊，並且相較於藉由減去法形成之情形，可實現更細線化。再者，通孔21之頂部直徑，係形成通孔21時的表面側之孔徑。

形成通孔21之後，例如，如圖3(K)所示，除去通孔21內之膠渣（樹脂殘渣）（除膠渣步驟）。除去膠渣後，例如，如圖3(L)所示，於通孔21形成通孔導體22，並於絕緣層14上形成導體圖案23（通孔導體・導體圖案形成步驟）。具體而言，例如，於無電鍍銅層與電鍍銅層所成之遮罩20及通孔21上，藉由無電鍍銅及填孔鍍銅形成通孔導體22及導體圖案23。

之後，進一步重複增層之情形，係重複從上述多層板形成步驟到通孔導體・導體圖案形成步驟，直到達到所需之積層數以多層化。

如此根據本實施型態，於形成有內層電路12之內層基板13上，依序積層絕緣層14及電解銅箔15以形成多層板16後，從多層板16除去電解銅箔15，因此可將電解銅箔15之表面形狀轉印至絕緣層14之表面，並可減小絕緣層14之表面粗糙度之偏差。此外，於絕緣層14之表面設置無電鍍層17，並於其上形成留有形成通孔21之部分之阻劑圖案18後，設置電鍍層19，將此電鍍層19作為蝕刻阻劑蝕刻無電鍍層17，並形成通孔形成用之遮罩20，因此可避免過度蝕刻之問題。據此，可實現通孔21之孔徑縮小化，並且可提升導體圖案23之形成性。［實施例］

（實施例1）如下進行以製作印刷電路板（參照圖1～3）。

［內層基板13之製作］（參照圖1(A)）於玻璃布基材BT樹脂覆銅積層板（導體厚度12μm，厚度0.1mm，三菱瓦斯化學股份有限公司製之CCL-HL832NS）之兩面藉由減去法形成內層電路12。［內層基板13之銅表面粗化］（參照圖1(A)）內層基板13之銅表面之粗化，係使用MEC股份有限公司之藥液。前處理係以CA5330進行內層基板13之洗淨，水洗處理後以CZ8101進行銅表面之粗化，且在水洗後以CL8300進行防銹並水洗乾燥。CZ8101之蝕刻量為1μm。銅表面之粗化係使用水平線之噴塗裝置。

［用於多層板16形成之積層處理］（參照圖1(B)）於內層基板13之上下（正反）配置作為絕緣層14之樹脂片材（CRS-381NSI）。再者，於樹脂片材上，使用配置有三井金屬股份有限公司之5μm的附載體之極薄電解銅箔（MTEx）作為電解銅箔15。配置結束後，在壓力3.0MPa、溫度220℃下進行60分鐘之積層成形，並於內層基板13之上，形成依序積層有絕緣層14及電解銅箔15之多層板16。［表層銅之全蝕刻］（參照圖1(C)）通孔形成用之遮罩20之形成，係使用半加成法（Semi Additive Process，SAP）進行。因此首先，藉由鹽酸及氯化銅水溶液，在48°C之液溫度下將多層板16之表層之電解銅箔15進行蝕刻除去，而後進行水洗乾燥。裝置係使用水平線之噴塗式裝置（東京化工機股份有限公司製）。

［無電鍍銅層17之形成］（參照圖1(D)）將已除去電解銅箔15之多層板16於鍍覆用治具進行上架（racking），於無電鍍銅槽進行浸漬搖動。無電鍍銅層17之形成，係使用浸漬搖動之ALMEX PE股份有限公司之裝置。藥液係使用上村工業股份有限公司製之THRU-CUP PEA與甲醛之混合物。無電鍍銅之藥液溫度設為36°C，並進行20分鐘之浸漬搖動。藉此處理形成1μm之無電鍍銅層17。

［用於共形雷射加工之阻劑圖案18之形成］（參照圖1(E)）於無電鍍銅層17之上層壓乾膜阻劑，並進行曝光、顯影以形成阻劑圖案18。乾膜阻劑係使用日立化成工業股份有限公司之厚度為7μm之RD-1207，層壓機係使用ONC公司之裝置。在層壓壓力0.4MPa、層壓溫度110°C之條件下進行。曝光係使用ADTEC Engineering股份有限公司之INPREX3650。曝光後之顯影係使用碳酸鉀水溶液。在30°C之液溫度下使用東京化工機股份有限公司之裝置。

［殘渣除去］（參照圖2(F)）形成阻劑圖案18後，使用Nordson Advanced Technology股份有限公司之裝置，藉由電漿清洗除去殘渣。氣體係使用氬氣、氮氣、氧氣、四氟化甲烷。［電鍍銅層19之形成］（參照圖2(G)）除去殘渣後，使用ALMEX PE股份有限公司之浸漬式裝置，以直流電流在1A/dm² 下進行電鍍銅而成為5μm之厚度，從而形成電鍍銅層19。鍍銅浴溫度設為22°C，並使用奧野製藥工業之TOP LUCINA SF作為整平劑、拋光劑、聚合物之添加劑。鍍銅浴係使用硫酸銅及硫酸、鹽酸之混合液。

［阻劑圖案18之除去］（參照圖2(H)）形成電鍍銅層19後，除去阻劑圖案18。藥液係使用三菱瓦斯化學股份有限公司之R-100S，且液溫度設為48°C。裝置係使用東京化工機股份有限公司之噴塗式裝置。［無電鍍銅層17之蝕刻］（參照圖2(I)）除去阻劑圖案18後，將電鍍銅層19作為蝕刻阻劑，藉由快速蝕刻而蝕刻無電鍍銅層17，並形成通孔形成用之遮罩20。藥液係使用三菱瓦斯化學股份有限公司之Clean etch CPE-770，且液溫度設為35°C。裝置係使用東京化工機股份有限公司之噴塗式裝置。

［通孔21之形成］（參照圖3(J)）形成遮罩20後，藉由雷射除去絕緣層14中未被遮罩20覆蓋之部分，以形成通孔21。雷射孔加工係使用三菱電機股份有限公司之ML605GTW4(-P)5350U之裝置。遮罩直徑設為0.4mmφ，並在能量為0.32 mJ +0.11mJ之條件下進行。

［膠渣除去］（參照圖3(K)）形成通孔21後，於鍍覆用治具進行多層板16之上架，並於膨潤槽、蝕刻槽、中和槽中進行浸漬搖動，以除去膠渣。浸漬搖動係使用ALMEX PE股份有限公司之裝置。藥液係使用上村工業股份有限公司製之APPDES製程。膨潤液係使用APPDES MDS-37，蝕刻液係使用APPDES MDE-40及ELC-SH之混合液，中和係使用APPDES MDN-62。蝕刻槽溫度設為80℃，並進行10分鐘浸漬。

［通孔導體22之形成］（參照圖3(L)）除去膠渣後，於鍍覆用治具進行多層板16之上架，並在可於無電鍍銅槽中浸漬搖動之ALMEX PE股份有限公司之裝置上進行無電鍍銅。藥液係使用上村工業股份有限公司製之THRU-CUP PEA及甲醛之混合物。無電鍍銅之藥液溫度設為36°C，處理時間設為10分鐘，且無電鍍銅厚度目標為0.4μm。接著，填孔鍍覆係使用ALMEX PE股份有限公司之浸漬式裝置，並以直流電流在1A/dm² 下進行鍍覆而成為15μm之厚度。鍍銅浴溫度設為22°C，並使用羅門哈斯電子材料股份有限公司之貫穿孔用填孔液CU-BRITE TH4作為整平劑、拋光劑、聚合物之添加劑。鍍銅浴係使用硫酸銅及硫酸、鹽酸之混合液。

（比較例1）如下進行以製作印刷電路板。圖4及圖5係表示比較例1之印刷電路板的製造方法之各步驟。

［內層基板113之製作］（參照圖4(A)）於玻璃布基材BT樹脂覆銅積層板（銅體厚度12μm，厚度0.1mm，三菱瓦斯化學股份有限公司製之CCL-HL832NS）之兩面藉由減去法形成內層電路112。［內層基板113之銅表面粗化］（參照圖4(A)）內層基板113之銅表面之粗化，係使用MEC股份有限公司之藥液。以CZ8101進行銅表面之粗化，蝕刻量設為1μm。銅表面之粗化係使用水平線之噴塗裝置。

［用於多層板116形成之積層處理］（參照圖4(B)）於內層基板113之上下（正反）配置作為絕緣層114之樹脂片材（CRS-381NSI）。再者，於樹脂片材上使用配置有三井金屬股份有限公司之5μm的附載體之極薄銅箔115（MTEx）。配置結束後，在壓力3.0MPa、溫度220℃下進行60分鐘之積層成形。

［用於共形雷射加工之遮罩形成］（參照圖4(C)～(E)）通孔形成用之遮罩120之形成，係使用減去法進行。於多層板116之上下（正反）藉由乾膜阻劑形成阻劑層，並曝光、顯影，以形成阻劑圖案118。乾膜阻劑係使用日立化成工業股份有限公司之厚度為15μm之RD-1215，層壓機係使用ONC公司之裝置。在層壓壓力0.4MPa、層壓溫度110°C之條件下進行。曝光係使用ADTEC Engineering股份有限公司之INPREX3650。曝光後之顯影係使用碳酸鉀水溶液。然後，蝕刻極薄銅箔115以形成遮罩120，並除去阻劑圖案118。蝕刻係藉由鹽酸及氯化銅水溶液進行。阻劑圖案118之剝離係使用三菱瓦斯化學股份有限公司之R-100S。從顯影到蝕刻及剝離為止之步驟係使用東京化工機股份有限公司之噴塗式裝置。

［通孔121之形成］（參照圖5(F)）藉由雷射除去絕緣層114中未被遮罩120覆蓋之部分，以形成通孔121。雷射孔加工係使用三菱電機股份有限公司之ML605GTW4(-P)5350U之裝置。［膠渣除去］（參照圖5(G)）於鍍覆用治具進行多層板116之上架，並於膨潤槽、蝕刻槽、中和槽中進行浸漬搖動。使用浸漬搖動之ALMEX PE股份有限公司之裝置。藥液係使用上村工業股份有限公司製之APPDES製程。

［通孔導體122之形成］（參照圖5(H)）於鍍覆用治具進行多層板116之上架，並在可於無電鍍銅槽中浸漬搖動之ALMEX PE股份有限公司之裝置上進行無電鍍銅。藥液係使用上村工業股份有限公司製之THRU-CUP PEA及甲醛之混合物。無電鍍銅之藥液溫度設為36°C，處理時間設為10分鐘，且無電鍍銅厚度目標為0.4μm。接著，填孔鍍覆係使用ALMEX PE股份有限公司之浸漬式裝置，並以直流電流在1A/dm² 下進行鍍覆而成為15μm之厚度。鍍銅係使用羅門哈斯電子材料股份有限公司之貫穿孔用填孔液CU-BRITE TH4作為整平劑、拋光劑、聚合物之添加劑。鍍銅浴係使用硫酸銅及硫酸、鹽酸之混合液。

（比較例2）如下進行以製作印刷電路板。再者，在比較例2中，與實施例1（本實施型態）對應之構成元件係使用相同的符號進行說明。

［多層板之形成］首先，與實施例1同樣，進行內層基板13之製作以及內層基板13之銅表面粗化後，於內層基板13之上下（正反）配置味之素股份有限公司製之樹脂片材（GX92）作為絕緣層14。藉由Nikko-Material股份有限公司之真空層壓機，在溫度100°C、層壓壓力約7kgf之條件下對配置有絕緣層14之內層基板13進行層壓，並在150°C、30分鐘之條件下乾燥，從而形成在內層基板13積層絕緣層14之多層板。

［除膠渣處理］通孔形成用之遮罩20之形成，係使用SAP法進行。於除膠渣用治具進行多層板之上架，並於膨潤槽、蝕刻槽、中和槽中進行浸漬搖動。使用浸漬搖動之ALMEX PE股份有限公司之裝置。藥液係使用上村工業股份有限公司製之APPDES製程。除膠渣溫度條件，係膨潤在70°C下進行，蝕刻在80°C下進行，中和在40°C下進行。此時的除膠渣處理，並非以除去雷射孔內之膠渣為目的，而係以藉由粗化樹脂片材表面之表面，提升無電鍍銅之密著性，並賦予剝離強度為目的而進行。

［無電鍍銅層17之形成］於鍍覆用治具進行多層板之上架，並於無電鍍銅槽進行浸漬搖動，形成無電鍍銅層17。無電鍍銅層17之形成係使用浸漬搖動之ALMEX PE股份有限公司之裝置。藥液係使用上村工業股份有限公司製之THRU-CUP PEA及甲醛之混合物。無電鍍銅之大約液溫度設為36°C，進行20分鐘之浸漬搖動。

［用於共形雷射加工之阻劑圖案18之形成］於無電鍍銅層17之上層壓乾膜阻劑，並進行曝光、顯影，以形成阻劑圖案18。乾膜阻劑係使用日立化成工業股份有限公司之厚度為15μm之RD-1215，層壓機係使用ONC公司之裝置。在層壓壓力0.4MPa、層壓溫度110°C之條件下進行。曝光係使用ADTEC Engineering股份有限公司之INPREX3650。曝光後之顯影係使用碳酸鉀水溶液，蝕刻係使用鹽酸及氯化銅水溶液在48°C之液溫度中進行，乾膜剝離係使用三菱瓦斯化學股份有限公司之R-100S。從顯影到蝕刻及剝離為止之步驟係使用東京化工機股份有限公司之噴塗式裝置。

［殘渣除去］形成阻劑圖案18後，使用Nordson Advanced Technology股份有限公司之裝置，藉由電漿清洗除去殘渣。氣體係使用氬氣、氮氣、氧氣、四氟化甲烷。［電鍍銅層19之形成］除去殘渣後，使用ALMEX PE股份有限公司之浸漬式裝置，以直流電流在1A/dm² 下進行電鍍銅而成為5μm之厚度，從而形成電鍍銅層19。鍍銅浴溫度設為22°C，並使用奧野製藥工業之TOP LUCINA SF作為整平劑、拋光劑、聚合物之添加劑。鍍銅浴係使用硫酸銅及硫酸、鹽酸之混合液。

［阻劑圖案18之除去］形成電鍍銅層19後，除去阻劑圖案18。藥液係使用三菱瓦斯化學股份有限公司之R-100S，且液溫度設為48°C。裝置係使用東京化工機股份有限公司之噴塗式裝置。［無電鍍銅層17之蝕刻］除去阻劑圖案18後，將電鍍銅層19作為蝕刻阻劑，藉由快速蝕刻而蝕刻無電鍍銅層17，並形成通孔形成用之遮罩20。藥液係使用三菱瓦斯化學股份有限公司之Clean etch CPE-770，且液溫度設為35°C。裝置係使用東京化工機股份有限公司之噴塗式裝置。

［通孔21之形成］形成遮罩20後，藉由雷射除去絕緣層14中未被遮罩20覆蓋之部分，以形成通孔21。雷射孔加工係使用三菱電機股份有限公司之ML605GTW4(-P)5350U之裝置。

［膠渣除去］形成通孔21後，於鍍覆用治具進行多層板之上架，並於膨潤槽、蝕刻槽、中和槽中進行浸漬搖動，以除去膠渣。使用浸漬搖動之ALMEX PE股份有限公司之裝置。藥液係使用上村工業股份有限公司製之APPDES製程。膨潤液係使用APPDES MDS-37，蝕刻液係使用APPDES MDE-40及ELC-SH之混合液，中和係使用APPDES MDN-62。蝕刻槽溫度設為80℃，並進行10分鐘浸漬。

［通孔導體22之形成］除去膠渣後，於鍍覆用治具進行多層板之上架，並在可於無電鍍銅槽中浸漬搖動之ALMEX PE股份有限公司之裝置上進行無電鍍銅。藥液係使用上村工業股份有限公司製之THRU-CUP PEA及甲醛之混合物。無電鍍銅之藥液溫度設為36°C，處理時間設為10分鐘，且無電鍍銅厚度目標為0.4μm。接著，填孔鍍覆係使用ALMEX PE股份有限公司之浸漬式裝置，並以直流電流在1A/dm² 下進行鍍覆而成為15μm之厚度。鍍銅浴溫度設為22°C，並使用羅門哈斯電子材料股份有限公司之貫穿孔用填孔液CU-BRITE TH4作為整平劑、拋光劑、聚合物之添加劑。鍍銅浴係使用硫酸銅及硫酸、鹽酸之混合液。

（特性評價）藉由以下方法測定實施例1及比較例1、2之特性。

［頂部直徑之評價］為了確認通孔121之頂部直徑，首先，以丸本司特爾股份有限公司之斷面研磨機進行通孔121之斷面切出。使用#1000之研磨紙進行粗切削，並以#2400之研磨紙切削出通孔121之中心的斷面，最後進行拋光研磨。切削出斷面後之觀察，係使用金屬顯微鏡Olympus股份有限公司的GX51，將倍率調整為50倍或100倍進行。對於實施例1及比較例1、2，各別製作20個試料，並求出頂部直徑之平均值及偏差。所得之結果示於表1。關於實施例1，可確認頂部直徑之平均值為23.1μm。

［剝離強度之評價］作為實施例1，係在進行內層基板13之製作、內層基板13之銅表面粗化、用於多層板16之形成之積層處理、表層銅之全蝕刻、及無電鍍銅層17之形成後，於無電鍍銅層17之上形成電鍍銅層19，從而得到試驗片。此外，作為比較例1，係進行內層基板113之製作、內層基板113之銅表面粗化、用於多層板116之形成之積層處理，從而得到試驗片。進一步地，作為比較例2，係在進行內層基板13之製作、內層基板13之銅表面粗化、絕緣層14之積層成形、絕緣層14之粗化處理、無電鍍銅層17之形成後，於無電鍍銅層17之上形成電鍍銅層19，從而得到試驗片。試驗片係對於實施例1及比較例1、2，各別製作20個。測定各試驗片之剝離強度，求出剝離強度之平均值及剝離強度之偏差。剝離強度，係將試驗片之下層固定於板子等，將鍍覆層之端相對於固定板方向垂直地拉伸，並測定剝離所需之荷重值。所得之結果示於表1。

［表面粗糙度之評價］實施例1中，於內層基板13積層絕緣層14及電解銅箔15而形成多層板16後，除去電解銅箔15，並測定絕緣層14之表面粗糙度。比較例1中，於內層基板113積層絕緣層114及電解銅箔115而形成多層板116後，除去電解銅箔115，並測定絕緣層114之表面粗糙度。比較例2中，於內層基板13積層絕緣層14，並進行除膠渣處理後，測定絕緣層14之表面粗糙度。表面粗糙度測定，係使用雷射顯微鏡KEYENCE股份有限公司之VK-X1000，並將倍率調整為150倍進行。表面粗糙度參數，Ra值及Rz值各測量10點。

［表1］

如表1所示，頂部直徑之評價中，相較於比較例1之減去法，實施例1之SAP法係可進行縮小孔徑之加工，亦縮小偏差程度。此外，剝離強度之評價中，相較於比較例2之有除膠渣之SAP法，實施例1之SAP法係剝離強度之偏差較小。進一步地，表面粗糙度之評價中，相較於比較例2之有除膠渣之SAP法，實施例1之SAP法係表面粗糙度Ra偏差較大，且表面粗糙度Rz之值及偏差皆較大。亦即，已知根據本實施例，可縮小通孔之孔徑，並且可提升導體圖案之形成性。［產業利用性］

如以上說明所述，根據本發明之印刷電路板的製造方法，可縮小通孔之孔徑，並且可提升導體圖案之形成性，因此可有效地利用作近年的資訊終端機器或通訊機器等之高集積、高密度化對應之印刷電路板的製造方法。

11:絕緣基板 12:內層電路 12a:導體圖案 13:內層基板 14:絕緣層 15:電解銅箔 16:多層板 17:無電鍍銅層 18:阻劑圖案 19:電鍍層 20:遮罩 21:通孔 22:通孔導體 23:導體圖案

〔圖1〕係表示本發明之一實施型態之印刷電路板的製造方法之各步驟之圖。〔圖2〕係表示接續圖1後之各步驟之圖。〔圖3〕係表示接續圖2後之各步驟之圖。〔圖4〕係表示比較例1之印刷電路板的製造方法之各步驟之圖。〔圖5〕係表示接續圖4後之各步驟之圖。

11:絕緣基板

12:內層電路

12a:導體圖案

13:內層基板

14:絕緣層

15:電解銅箔

16:多層板

17:無電鍍銅層

18:阻劑圖案

Claims

一種印刷電路板的製造方法，其特徵係包含：於形成有內層電路之內層基板上，依序積層絕緣層及電解銅箔以形成多層板之步驟；從該多層板除去該電解銅箔，並使該絕緣層露出之步驟；使該絕緣層露出後，於該絕緣層之表面設置無電鍍銅層之步驟；於該無電鍍銅層上設置阻劑層，並進行曝光及顯影，而形成留有形成通孔之部分之阻劑圖案之步驟；將該阻劑圖案作為鍍阻劑，於該無電鍍銅層之表面設置電鍍銅層之步驟；設置該電鍍銅層後，除去該阻劑圖案之步驟；除去該阻劑圖案後，將該電鍍銅層作為蝕刻阻劑，蝕刻該無電鍍銅層，並形成通孔形成用之遮罩之步驟；及形成該遮罩後，藉由雷射除去該絕緣層中未被該遮罩覆蓋之部分，而形成通孔之步驟。
如請求項1所述之印刷電路板的製造方法，其中，該通孔之頂部直徑平均值為25μm以下。
如請求項1所述之印刷電路板的製造方法，其中，包含在形成該阻劑圖案後且設置該電鍍銅層前，除去殘渣之步驟。