TW202206609A - Cr-Si-C系燒結體及其製造方法、濺鍍靶、膜的製造方法 - Google Patents
Cr-Si-C系燒結體及其製造方法、濺鍍靶、膜的製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202206609A TW202206609A TW110127828A TW110127828A TW202206609A TW 202206609 A TW202206609 A TW 202206609A TW 110127828 A TW110127828 A TW 110127828A TW 110127828 A TW110127828 A TW 110127828A TW 202206609 A TW202206609 A TW 202206609A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- sintered body
- chromium
- silicon
- crsi
- powder
- Prior art date
Links
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 162
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 95
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 78
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 74
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 69
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 68
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 117
- 229910019974 CrSi Inorganic materials 0.000 claims description 84
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 41
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 38
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 38
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 34
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 229910021357 chromium silicide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 17
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 claims description 17
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 11
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 41
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 68
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 58
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 28
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 18
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 17
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910019819 Cr—Si Inorganic materials 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- -1 for example Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 4
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- YQCIWBXEVYWRCW-UHFFFAOYSA-N methane;sulfane Chemical compound C.S YQCIWBXEVYWRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021359 Chromium(II) silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019878 Cr3Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009690 centrifugal atomisation Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- DYRBFMPPJATHRF-UHFFFAOYSA-N chromium silicon Chemical compound [Si].[Cr] DYRBFMPPJATHRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000002447 crystallographic data Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009692 water atomization Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/5607—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
- C04B35/575—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/58085—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicides
- C04B35/58092—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicides based on refractory metal silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62695—Granulation or pelletising
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/653—Processes involving a melting step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0682—Silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3241—Chromium oxides, chromates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3804—Borides
- C04B2235/3813—Refractory metal borides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3891—Silicides, e.g. molybdenum disilicide, iron silicide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
- C04B2235/404—Refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/428—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6562—Heating rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6567—Treatment time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6581—Total pressure below 1 atmosphere, e.g. vacuum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
- C04B2235/721—Carbon content
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
- C04B2235/723—Oxygen content
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
- C04B2235/728—Silicon content
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本發明的目的在於:提供包含鉻(Cr)、矽(Si)、碳(C)的高密度的Cr-Si-C系燒結體,進而提供高密度的Cr-Si-C系燒結體、包含其的濺鍍靶及使用該濺鍍靶的膜的製造方法中的至少任一者。根據本發明,可提供一種Cr-Si-C系燒結體,其包含鉻(Cr)、矽(Si)、碳(C),所述Cr-Si-C系燒結體的特徵在於:燒結體的相對密度為90%以上且孔隙率為13%以下。
Description
本發明是有關於一種膜形成用Cr-Si-C系燒結體。
近年來,以CrSi2
之類的矽化鉻為首的矽化物根據其特性,於半導體或太陽能電池等多種用途中作為膜(薄膜)來使用。膜、主要是薄膜的製作方法於工業上多採用濺鍍法。但是,包含CrSi2
之類的矽化物的組成物(例如,燒結體)一般而言強度低,因此於針對濺鍍靶的加工時及成膜的放電時會產生破裂等現象。因此,已知包含矽化物的組成物難以作為濺鍍靶來使用。因此,於專利文獻1中利用噴鍍法製作Cr及Si的結晶相的濺鍍靶(主要包含Cr相及Si相的合金靶)。但是,利用噴鍍法製作的濺鍍靶於Cr的比例少的組成區域中不具有充分的強度。同樣地,使用矽化物相的粉末並藉由噴鍍法製作的濺鍍靶亦不具有充分的強度。
另外,於專利文獻2中藉由熔融法製作具有微細的共晶組織的組成物。但是,利用熔融法獲得的組成物於共晶組織的比例少、而且初晶(即,於組成物中所佔的比例最高的結晶相)的比例多的組成區域中,強度不充分。進而,此種組成物於進行大型化的情況下,由於相間的冷卻速度的差異,結晶組織的控制變困難,作為組成物整體的強度的不均變大。
進而,由於矽化物相脆,故專利文獻3及專利文獻4中並未提及包含大量矽化物的體系。
近年來,作為改善了膜(薄膜的)電阻率的溫度變化特性(即,電阻率的溫度依存性的降低)的Cr-Si系濺鍍靶,正在研究使用於Cr-Si系燒結體中添加了碳或硼等第三元素的燒結體的濺鍍靶。然而,此種燒結體難以高密度化。因此,若將添加了第三元素的燒結體作為濺鍍靶來使用,則會產生大量的顆粒,所獲得的膜製品的良率、即生產性低。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本專利特開2017-82314號公報
專利文獻2:日本專利特表2013-502368號公報
專利文獻3:日本專利特開2002-173765號公報
專利文獻4:日本專利特開2003-167324號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明的目的在於:提供包含鉻(Cr)、矽(Si)、碳(C)的高密度的Cr-Si-C系燒結體,進而提供高密度的Cr-Si-C系燒結體、包含其的濺鍍靶及使用該濺鍍靶的膜的製造方法中的至少任一者。本發明的目的在於提供特別是相較於先前的Cr-Si系燒結體而可抑制顆粒產生的Cr-Si-C系燒結體、其製造方法及包含其的濺鍍靶及使用該濺鍍靶的膜的製造方法中的至少任一者。
[解決課題之手段]
本發明者等人對Cr-Si-C系燒結體及其製造製程進行了努力研究。結果發現,藉由使用氣體霧化粉末等驟冷合金粉末(熔融金屬粉末),可獲得高密度的Cr-Si-C系燒結體,以及於將具有特定結構的Cr-Si-C系燒結體作為濺鍍靶來使用的情況下,可抑制顆粒的產生,從而完成了本發明。
即,本發明如申請專利範圍的記載般,另外本發明的主旨及態樣如以下般。
(1) 一種Cr-Si-C系燒結體,包含鉻(Cr)、矽(Si)、碳(C),所述Cr-Si-C系燒結體的特徵在於,燒結體的相對密度為90%以上且孔隙率為13%以下。
(2) 如(1)所述的Cr-Si-C系燒結體,其中作為組成範圍而碳為1 wt%~20 wt%,矽為20 wt%~70 wt%,剩餘部分為鉻。
(3) 如(1)或(2)所述的Cr-Si-C系燒結體,包含矽化鉻與選自碳化鉻、碳化矽及碳的群組中的一種以上。
(4) 如(1)至(3)中任一項所述的Cr-Si-C系燒結體,其中將選自CrSi、CrSi2
及Cr3
Si的群組中的一種以上設為主相。
(5) 如(1)至(4)中任一項所述的Cr-Si-C系燒結體,其中氧量為1 wt%以下。
(6) 如(1)至(5)中任一項所述的Cr-Si-C系燒結體,其中抗折強度為100 MPa以上。
(7) 一種Cr-Si-C系燒結體的製造方法,為如(1)至(6)中任一項所述的Cr-Si-C系燒結體的製造方法,具有:將鉻及矽的氣體霧化粉末、以及包含鉻及矽的至少任一者與碳的碳源混合而獲得合金原料粉末的步驟;以及於真空環境下,於壓力50 MPa以下、及煆燒溫度1350℃以上且1800℃以下對該合金原料粉末進行熱壓的煆燒步驟。
(8) 如(7)所述的製造方法,其中所述碳源為包含鉻及矽中的至少任一者的碳化物。
(9) 一種濺鍍靶,包含如(1)至(6)中任一項所述的Cr-Si-C系燒結體。
(10) 一種膜的製造方法,使用如(9)所述的濺鍍靶進行濺鍍。
[發明的效果]
根據本發明,可提供包含鉻、矽、碳的高密度的Cr-Si-C系燒結體,進而可提供高密度的Cr-Si-C系燒結體、包含其的濺鍍靶及使用該濺鍍靶的膜的製造方法中的至少任一者。較佳為於本發明的Cr-Si-C系燒結體具有90%以上的相對密度,用作濺鍍靶的情況下,於作為濺鍍靶來使用時顆粒少,從而可獲得更高的生產性。本發明可提供特別是相較於先前的Cr-Si系燒結體而可抑制顆粒產生的Cr-Si-C系燒結體、其製造方法及包含其的濺鍍靶及使用該濺鍍靶的膜的製造方法中的至少任一者。
以下,關於本發明,示出其實施方式的一例,並對其進行詳細說明。
本發明為一種Cr-Si-C系燒結體,包含鉻(Cr)、矽(Si)、碳(C),所述Cr-Si-C系燒結體的特徵在於,燒結體的相對密度為90%以上且孔隙率為13%以下。
本發明的Cr-Si-C系燒結體(以下,亦稱為「本發明的燒結體」)是將鉻、矽及碳作為主要成分的燒結體,較佳為包含鉻、矽及碳的燒結體。
本發明的燒結體較佳為包含矽化鉻與選自碳化鉻、碳化矽及碳的群組中的一種以上。
作為本發明的燒結體包含的矽化鉻,可列舉選自鉻的單矽化物、二矽化物及三矽化物的群組中的一種以上,進而選自CrSi、CrSi2
、Cr3
Si及Cr5
Si3
的群組中的一種以上,再進而選自CrSi、Cr3
Si及Cr5
Si3
的群組中的一種以上。本發明的燒結體可包含兩種以上的矽化鉻,較佳為包含選自CrSi、CrSi2
、Cr3
Si及Cr5
Si3
的群組中的兩種以上,更佳為包含選自CrSi、Cr3
Si及Cr5
Si3
的群組中的兩種以上,進而佳為包含CrSi或Cr3
Si與Cr5
Si3
。
本發明的燒結體較佳為包含碳化鉻(Cr3
C2
)、碳化矽(SiC)及碳(C)中的至少任一者,進而包含碳化矽及碳中的至少任一者,再進而包含碳化矽。
本發明的燒結體可為包含矽化鉻、與選自碳化鉻、碳化矽及碳的群組中的一種以上的燒結體,除包含該些以外,亦可包含矽(Si)及鉻(Cr)中的至少任一者,進而可包含矽。
本發明的燒結體較佳為將矽化鉻設為主相,更佳為將選自CrSi、CrSi2
及Cr3
Si的群組中的一種以上設為主相,進而佳為將CrSi設為主相。本發明中的主相是指燒結體的結晶相中比例最高的結晶相,例如可列舉相對於燒結體的質量而言的主相的結晶相的質量比例超過50 wt%、60 wt%以上或70 wt%以上。進而可例示矽化鉻於本發明的燒結體中所佔的質量比例(wt%)為70 wt%以上或75 wt%以上、80 wt%以下或95 wt%以下。
本發明中,矽化鉻等的燒結體中包含的結晶相可根據其粉末X射線繞射(以下,亦稱為「XRD(X-ray diffraction)」)圖案進行鑑定。XRD圖案可利用一般的XRD裝置(例如,RINT UItima III,理學(Rigaku)公司製造)進行測定。作為本發明中的XRD測定條件,可列舉以下的條件。
加速電流/電壓 :40 mA/40 kV
線源 :CuKα射線(λ=1.5405Å)
測定模式 :連續掃描
掃描條件 :2°/min
測定範圍 :2θ=20°至80°
發散縱向限制狹縫 :10 mm
發散/入射狹縫 :1/2°
光接收狹縫 :0.3 mm
只要藉由對比所獲得的XRD圖案與國際繞射資料中心(The International Center for Diffraction Data,ICDD)的資料庫來鑑定燒結體的結晶相即可。
本發明的燒結體的相對密度的特徵為90%以上,較佳為92%以上,進而佳為94%以上,特佳為96%以上。另外,相對密度可列舉100%以下或99%以下。相對密度低於90%的燒結體於製成膜時(即,使用該燒結體成膜時),燒結體的一部分作為粗大的粒子而脫離(即,產生顆粒)。藉此,於燒結體上產生粗大的孔隙(例如,最大長度為50 μm以上的孔隙;以下,亦稱為「粗大孔」)。同時,顆粒一面作為膜附著一面成膜(即,形成導入顆粒的膜)。導入顆粒的膜由於物性及特性不均勻,因此無法使用。如此,相對密度低於90%的燒結體會降低膜的生產性。
本發明中的「相對密度」(%)為實測密度相對於真密度的比例,且為根據(實測密度[g/cm3
]/真密度[g/cm3
])×100求出的值。
實測密度是依據日本工業標準(Japanese Industrial Standard,JIS)R 1634,由相對於利用阿基米德法測定的體積的乾燥質量求出的體積密度。於阿基米德法之前,預處理較佳為煮沸法,只要將燒結體於水中煮沸即可。
真密度是根據以下的式子求出的密度。
d=1/{(R1
/M1
)+(R2
/M2
)+(R3
/M3
)+(R4
/M4
)+(R5
/M5
)+(R6
/M6
)+(R7
/M7
)+(R8
/M8
)+(R9
/M9
)}
上式中,d為燒結體的真密度[g/cm3
],M1
至M9
及R1
至R9
分別為燒結體中包含的Si、C、Cr、SiC、CrSi、CrSi2
、Cr3
Si、Cr3
C2
及Cr5
Si3
的各結晶相的真密度[g/cm3
]、以及各結晶相於燒結體中所佔的質量比例[wt%]。
各結晶相的真密度只要使用各個結晶相的ICDD(版本(Version)2.1502)中記載的值即可。作為真密度,可例示以下的值。
Si :2.33 g/cm3
(=M1
)
C :2.28 g/cm3
(=M2
)
Cr :7.20 g/cm3
(=M3
)
SiC :3.12 g/cm3
(=M4
)
CrSi :5.36 g/cm3
(=M5
)
CrSi2
:4.98 g/cm3
(=M6
)
Cr3
C2
:6.66 g/cm3
(=M7
)
Cr5
Si3
:5.87 g/cm3
(=M8
)
Cr3
Si :6.46 g/cm3
(=M9
)
再者,各結晶相的ICDD的編號可列舉:Si為00-026-1481,C為00-026-1080,Cr為01-077-759,SiC為00-002-105,CrSi為03-065-3298,CrSi2
為01-072-6184,Cr3
C2
為01-071-2287,Cr5
Si3
為01-072-0347,以及Cr3
Si為01-070-301。
各結晶相的質量比例是根據使用於所述條件下測定的XRD圖案而鑑定的燒結體的結晶相、與構成該燒結體的元素(Cr、Si及C)的比率來求出的各結晶相的質量比例[wt%]。例如,於燒結體的XRD圖案中包含的結晶相為CrSi、Cr5
Si3
及SiC,而且藉由組成分析而獲得的該燒結體的組成為Cr為X mol%、Si為Y mol%及C為Z mol%的情況下,為各結晶相的真密度乘以根據以下的式子求出的莫耳比例[mol%]而獲得的質量比例[wt%]。
X=1×MCrSi
+5×MCr5Si3
Y=1×MCrSi
+3×MCr5Si3
+1×MSiC
Z=1×MSiC
上式中,MCrSi
為CrSi的莫耳比例[mol%],MCr5Si3
為Cr5
Si3
的莫耳比例[mol%],及MSiC
為SiC的莫耳比例[mol%]。
另外,包含三種結晶相(結晶相A至結晶相C)的本發明的燒結體的真密度可根據以下的式子來求出。
d=(a+b+c)/((a/Ma)+(b/Mb)+(c/Mc))
或者
d=1/((Ra/Ma)+(Rb/Mb)+(Rc/Mc))
上式中,d為燒結體的真密度[g/cm3
],a、b及c分別為燒結體中包含的結晶相A、結晶相B及結晶相C的質量[g],另外,Ma、Mb及Mc分別為燒結體中包含的結晶相A、結晶相B及結晶相C的真密度[g/cm3
],另外,Ra、Rb及Rc分別為燒結體中包含的結晶相A、結晶相B及結晶相C的質量比例[wt%]。結晶相A、結晶相B及結晶相C為選自Si、C、Cr、SiC、CrSi、CrSi2
、Cr3
C2
及Cr5
Si3
的群組中的三種,較佳為(1)CrSi、Cr5
Si3
及SiC、(2)Cr3
Si、Cr5
Si3
及SiC、或者(3)CrSi2
、Si及C,更佳為CrSi、Cr5
Si3
及SiC。
本發明的燒結體的特徵在於孔隙率為13%以下。若孔隙率大於13%,則製成膜時(即,使用該燒結體製造膜時),膜的生產性急遽降低。為了穩定地獲得高的生產性,孔隙率較佳為8%以下,更佳為6%以下,特佳為4%以下。本發明的燒結體可包含氣孔,但較佳為不包含孔隙(即孔隙率為0%),本發明的燒結體的孔隙率可例示%以上、超過0%、0.5%以上或1%以上。
本發明中所謂「孔隙率」為根據燒結體的表面的觀察圖求出的氣孔的比例,且為藉由對表面粗糙度Ra≦0.02 μm的燒結體的表面的觀察圖進行圖像解析而測定的氣孔的比例。孔隙率可根據濺鍍前後的任意形狀值的燒結體的表面的觀察圖來求出,但較佳為根據濺鍍前後的任意形狀值的燒結體的表面的觀察圖來求出。該觀察圖中,孔隙的形狀是任意的,例如可列舉為大致球狀、大致多面體狀或不定形狀。該觀察圖只要為藉由使用一般的雷射顯微鏡(例如,VX-250,基恩士公司製造)的雷射顯微鏡觀察而獲得的觀察圖即可。作為雷射顯微鏡觀察的觀察條件,可列舉以下的條件。
觀察倍率:200倍
觀察視野:五個視野以上,較佳為五個視野~八個視野,
更佳為五個視野
於圖1中示出藉由雷射顯微鏡觀察而獲得的觀察圖的一個視野。如圖1所示,於觀察圖(100)中,氣孔被確認為黑色區域(10),燒結體被確認為白色區域(11)。各視野的孔隙率(%)只要求出相對於各觀察圖中的黑色區域及白色區域的合計面積而言的黑色區域的比例(%)即可。只要具有觀察到的各視野的孔隙率的平均值,作為本發明的孔隙率即可。圖像解析只要利用通用的圖像解析軟體(例如,圖像處理(Image-Pro),媒體控制論(Media Cybernetics)公司製造)對所獲得的觀察圖進行解析即可。作為圖像解析條件,可列舉以下的條件。再者,對比度比為取0~100中的任一個的值。
測定視野:五個視野以上,較佳為五個視野~八個視野,
更佳為五個視野
對比度比:100
本發明的燒結體中矽(Si)量較佳為20 wt%~70 wt%的範圍,更佳為25 wt%~65 wt%,進而佳為30 wt%~60 wt%,特佳為35 wt%~55 wt%。於矽量低於20 wt%時,燒結體整體的半導體相(即,SiC相及Si相)的量容易變少,電阻率的溫度變化容易變大。另外,於矽量高於70 wt%時,進而高於50 wt%時,半導體相的量變多,所獲得的膜的電阻率的溫度變化容易變大。作為本發明的燒結體的較佳的矽量,可列舉20 wt%以上、25 wt%以上或30 wt%以上,且70 wt%以下、65 wt%以下、50 wt%以下、45 wt%以下或40 wt%以下。
本發明的燒結體中的矽量為相對於藉由質量測定而獲得的本發明的燒結體的質量而言的矽的質量比例(wt%)。本發明的燒結體中包含的矽可利用本技術領域中所使用的一般的方法來測定,例如可列舉藉由電感耦合電漿(Inductively Coupled Plasma,ICP)分析來測定。
本發明的燒結體中碳(C)量較佳為1 wt%~20 wt%的範圍,更佳為1 wt%~15 wt%,進而佳為1 wt%~10 wt%,特佳為5 wt%~10 wt%。於碳量低於1 wt%時,膜的電阻率的溫度變化特性未得到改善(即,溫度依存性難以變小)。另一方面,若碳量多於20 wt%,則燒結體中顯示接近絕緣性的高電阻率的SiC相容易變多,於該SiC相進行直流(direct current,DC)放電的情況下容易成為產生顆粒的原因。作為本發明的燒結體的較佳的碳量,可列舉1 wt%以上、3 wt%以上或4 wt%以上,且20 wt%以下、15 wt%以下、10 wt%以下或9 wt%以下。
本發明的燒結體中的碳的含量為相對於燒結體的質量而言的碳的質量比例(wt%)。碳可利用本技術領域中所使用的一般的方法來測定,例如可例示藉由使用一般的碳硫分析裝置(例如,LECO-CS844碳硫分析裝置)的燃燒-紅外線吸收法來測定碳。
本發明的燒結體只要矽及碳的剩餘部分為鉻即可,作為本發明的燒結體的鉻的含量,可例示超過10 wt%且未滿79 wt%、進而為15 wt%~75 wt%、再進而為35 wt%~70 wt%。另外,作為本發明的燒結體的較佳的組成範圍,可列舉碳為1 wt%~20 wt%、矽為20 wt%~70 wt%、剩餘部分為鉻。
本發明的燒結體包含的金屬元素(包含半金屬元素。於本說明書中,以下相同)較佳為鉻及矽。然而,本發明的燒結體除包含鉻(Cr)、矽(Si)、碳(C)以外,亦可包含鐵(Fe)、鋁(Al)等金屬雜質。鐵或鋁等金屬元素以不可避免的雜質的形式包含。即,本發明的燒結體可包含不可避免的雜質,作為不可避免的雜質可包含金屬雜質(鉻及矽以外的金屬元素)、進而可包含作為不可避免的雜質的鐵及鋁。關於該些金屬雜質(鉻及矽以外的金屬元素),以總量計可包含1 wt%以下,較佳為可包含0.5 wt%以下,進而佳為可包含0.3 wt%以下。本發明的燒結體較佳為不包含金屬雜質,可例示鉻及矽以外的金屬元素以總量計為0 wt%以上、超過0 wt%或0.1 wt%以上。
進而,本發明的燒結體只要為不降低將其作為濺鍍靶來使用時的特性的程度,則可包含氧。本發明的燒結體的氧(O)量較佳為少,且較佳為例如1 wt%以下。若氧量多於1 wt%,則來自絕緣性氧化物的顆粒容易於成膜中大量產生。進而佳為本發明的燒結體的氧量為0.5 wt%以下,特佳為0.1 wt%以下。本發明的燒結體較佳為不包含氧(即,氧量為0 wt%),但可例示超過0 wt%或0.01 wt%以上。
本發明的燒結體中的氧量為相對於燒結體的質量而言的氧的質量比例(wt%)。本發明的燒結體中包含的氧可利用本技術領域中所使用的一般的方法來測定。例如氧的含量可藉由利用惰性氣體熔解-紅外線吸收法的分析進行測定。惰性氣體熔解-紅外線吸收法只要使用一般的氧氮分析裝置(例如,LECO-ON736氧氮分析裝置)即可。
本發明的燒結體只要具有與目的相應的任意的形狀即可,例如可列舉選自圓板狀、圓柱狀、板狀、長方體狀、立方體狀、多面體狀及大致多面體狀的群組中的一個以上。
本發明的燒結體中抗折強度較佳為100 MPa以上,特佳為150 MPa以上。藉由抗折強度位於該範圍內,即便於將本發明的燒結體製作為超過300 mm的大型尺寸的燒結體的情況下,亦可減少加工中破裂的風險等加工時的缺陷產生,進而亦容易抑制作為濺鍍靶來使用時的裂紋等缺陷的產生。本發明的燒結體的抗折強度可例示300 MPa以下、250 MPa以下或200 MPa以下。
本發明中的抗折強度只要利用依據JIS R 1601的方法進行測定即可。
作為本發明的燒結體的較佳的實施方式,可列舉一種燒結體,其特徵在於:孔隙率為13%以下,包含矽化鉻與選自碳化鉻、碳化矽及碳的群組中的一種以上,該孔隙率較佳為11%以下、10%以下或6%以下、且0%以上、超過0%或0.3%以上。進而,該矽化鉻較佳為包含選自CrSi、CrSi2
、Cr3
Si及Cr5
Si3
的群組中的兩種以上,更佳為包含選自CrSi、CrSi2
及Cr3
Si的群組中的一種以上,進而佳為CrSi及Cr3
Si與Cr5
Si3
。另外,該燒結體更佳為包含CrSi及Cr3
Si與碳化矽。再進而,該燒結體的相對密度較佳為90%以上,更佳為93%以上且100%以下。再進而,該燒結體的抗折強度較佳為150 MPa以上且250 MPa以下,更佳為180 MPa以上且220 MPa以下。
本發明的燒結體的製造方法可藉由包括以下步驟的步驟來製造,即:(1)合金原料粉末製備步驟,使用鉻、矽、碳進行粉末混合;(2)煆燒步驟,使用熱壓爐等加壓煆燒爐於壓力50 MPa以下、煆燒溫度1200℃~1800℃以下對所獲得的合金原料粉末進行煆燒。
以下,按步驟說明本發明的燒結體的製造方法。
(1)合金原料製備步驟
供於合金原料製備步驟的原料(以下,亦稱為「起始原料」)為鉻、矽及碳。
鉻較佳為高純度鉻,例如可列舉3N(純度99.9%以上)、進而為4N(純度99.99%以上)的鉻。
矽較佳為高純度矽,例如可列舉分別為3N(純度99.9%以上)、進而為4N(純度99.99%以上)、再進而為5N(純度99.999%以上)的矽。
碳(碳源)只要為碳(C)及其化合物即可,較佳為鉻及矽中的至少任一者的碳化物,可列舉選自碳化鉻(Cr3
C2 )
、碳化矽(SiC)及碳(C)的群組中的一種以上、進而碳化鉻及碳化矽中的至少任一者。碳化鉻及碳化矽可分別視為鉻及矽的起始原料。
起始原料例如可使用鉻(Cr)、矽(Si)、碳化鉻(Cr3
C2
)、碳化矽(SiC)、碳(C)。
進而,起始原料除包含鉻及矽以外,或者亦可包含鉻及矽的合金代替鉻及矽,較佳為包含鉻及矽的熔融金屬粉末。
於本發明中所謂「熔融金屬粉末」,為熔融的金屬冷卻的狀態下的粉末、進而為熔融的金屬急速冷卻的狀態下的粉末,是具有微細組織的粉末。作為熔融金屬粉末,例如可列舉:藉由選自急冷薄帶、電弧熔解(arc melting)、氣體霧化、水霧化、離心霧化及真空霧化的群組中的一種以上獲得的粉末,進而為藉由選自急冷薄帶、電弧熔解及氣體霧化的群組中的一種以上獲得的粉末,再進而為藉由氣體霧化獲得的粉末。熔融金屬粉末為不需要粉碎步驟便可獲得的粉末,進而為不經過粉碎步驟便可獲得的粉末,因此與經過粉碎步驟而獲得的粉末相比,雜質量更容易變少。
起始原料較佳為包含藉由氣體霧化而獲得的粉末(以下,亦稱為「氣體霧化粉末」),特佳為包含鉻及矽的氣體霧化粉末。藉由氣體霧化法製作的粒子呈數十μm左右的球狀,於球狀內具有微細的結晶相。由於氣體霧化粉末是包含表面積小且微細的粒子的粉末,因此可使煆燒後的燒結體為低氧且高強度,即可作為可獲得氧量少、及強度高的燒結體的合金原料粉末來提供。
作為氣體霧化粉末,例如可例示:平均粒徑為5 μm以上且100 μm以下另外具有球狀及大致球狀的至少任一種形狀的粉末;另外為包含矽化鉻的多晶粒子的粉末,進而由包含結晶相互不相同的矽化鉻的多晶的粒子構成的粉末。
氣體霧化粉末較佳為於結晶相中至少包含CrSi2
,更佳為於結晶相中包含選自Si、Cr、CrSi、Cr3
C2
及Cr5
Si3
的群組中的一種以上與CrSi2
,進而佳為於結晶相中包含Si及CrSi的至少任一種與CrSi2
。
氣體霧化法的條件是任意的,例如較佳為將使鉻及矽熔解的處理溫度設為熔融溫度+50℃~300℃,進而佳為設為熔融溫度+100℃~250℃。藉此,獲得熔融金屬,即液體狀態的金屬。
此處,所謂「熔融溫度」是指鉻或矽的原料粉末或薄片等前驅物質熔融的溫度,是物質固有的值。作為熔融溫度,可例示1300℃~1500℃。因此,處理溫度可例示1350℃以上且1800℃以下,可列舉1350℃以上、1370℃以上或1390℃以上,且1800℃以下、1700℃以下、1550℃以下或1470℃以下。於熔融溫度與處理溫度之差小的情況下(例如,差未滿50℃的情況下),兩相結晶相的熔點高的一者先析出等,構成所獲得的粉末的合金粒子難以進行微細化。另一方面,於熔融溫度與處理溫度之差大的情況下,於霧化後粒子彼此燒結,該粒子固著在氣體霧化裝置的壁面上,因此粉末的回收率變差(良率變差)。
氣體霧化法中只要提供可獲得作為起始原料提供的鉻及矽的氣體霧化粉末的前驅物質即可。該前驅物質只要為鉻及矽以及其化合物的至少任一者即可,只要為鉻及矽的粉末、薄片或塊體即可,較佳為鉻及矽的薄片。
鉻的前驅物質較佳為高純度鉻的框架,例如可列舉3N(純度99.9%以上)、進而4N(純度99.99%以上)的鉻的薄片。
矽的前驅物質較佳為高純度矽的薄片,例如可列舉分別為3N(純度99.9%以上)、進而4N(純度99.99%以上)、再進而5N(純度99.999%以上)的矽的薄片。
於氣體霧化法中,以使氣流通過的方式向該氣流中滴加所獲得的熔融金屬,藉此獲得氣體霧化粉末。
該氣流只要為惰性氣體即可,例如可列舉選自氬(Ar)、氮(N2
)及氦(He)的群組中的一種以上、進而可列舉氬。
氣流的壓力(以下,亦稱為「氣壓」)只要為1 MPa以上、4 MPa以上或6 MPa以上,且10 MPa以下、進而9 MPa以下即可。
氣體霧化法只要為坩堝式及電極式的至少任一方式即可,較佳為坩堝式。利用坩堝式的氣體霧化法中使用的坩堝較佳為例如包含選自碳、氧化鋁、氧化鎂、氮化矽、氧化鋯及氮化硼的群組中的一種以上的坩堝,或者於包含選自碳、氧化鋁、氧化鎂及氧化鋯的群組中的一種以上的本體塗佈有氮化硼及碳化矽的至少任一者的坩堝。
氣體霧化後的粉末(氣體霧化粉末)較佳為於真空環境中或氮、氬等惰性環境中進行管理(保管),且較佳為在供於接下來進行的煆燒步驟之前不暴露於氧化環境中。若於大氣下放置粉末等而暴露於氧化環境中,則會自霧化粉末的表面發生氧化,該粉末的氧量會變多。
再者,先前已知使用藉由粉末混合法混合鉻及矽而獲得的混合粉末作為燒結體的起始原料來代替使用熔融金屬粉末。例如,於微粉末混合(微細的粉末的物理混合)中亦可製作高強度的燒結體。然而,對利用該方法獲得的粉末進行煆燒而獲得的燒結體的氧量變多。相反,藉由粗粒的混合(包含粗粒的粉末的物理混合),能夠進行所獲得的燒結體的低氧化,但其強度會降低。作為其他原料(熔融金屬粉末)的製作方法,可列舉急冷薄帶、電弧熔解等急速冷卻的方法。
起始原料的氧量較佳為少。若起始原料中的氧量多,則使用本發明的燒結體的濺鍍靶中的氧量變多。此種大量的氧量容易成為顆粒產生的原因。關於起始原料,較佳為氧量分別為0.5 wt%以下、進而為0.1 wt%以下,另外可例示0 wt%以上、超過0 wt%或0.01 wt%以上。
作為供於合金原料製備步驟的特佳的起始原料,可列舉鉻及矽的氣體霧化粉末、以及鉻及矽的碳化物、進而鉻及矽的氣體霧化粉末、以及碳化鉻。
起始原料的形狀是任意的,但可列舉粉末。
作為粉末(起始原料)的混合方法,只要為使起始原料均勻地混合的方法即可,另外可使用V型混合機、混合器等所有混合機。混合方法只要為乾式混合及濕式混合的至少任一種即可,較佳為乾式混合,更佳為使用V型混合機的乾式混合。藉此可獲得合金原料粉末。
混合環境較佳為起始原料不易被氧化的環境,可列舉真空環境及惰性環境的至少任一種、進而為氮環境及氬環境的至少任一種、進一步為氬環境。
混合機的旋轉速度或攪拌速度等、混合速度可列舉10 rpm以上且200 rpm以下、進而為50 rpm以上且100 rpm以下。另外,混合時間可列舉30分鐘以上且5小時以下、進而為45分鐘以上且3小時以下。
藉由合金原料製備步驟而獲得的原料(合金原料粉末)的純度較佳為99%以上,更佳為99.9%以上。若原料合金粉末中包含大量的雜質(即純度變低),則該雜質容易成為煆燒步驟中的異常晶粒生長的原因。另外,該異常生長粒於成膜時容易成為顆粒的產生源。
作為較佳的合金原料製備步驟,可列舉將包含鉻及矽的熔融金屬粉末(鉻矽的熔融合金粉末)以及碳源的起始原料於真空環境及惰性環境的至少任一種環境下混合,獲得合金原料粉末的步驟。該熔融金屬粉末較佳為鉻及矽的氣體霧化粉末。該碳源較佳為包含含有鉻及矽中的至少任一者的碳化物,更佳為碳化鉻(Cr3
C2
)及碳化矽(SiC)中的至少任一者,進而佳為碳化鉻。
(2)煆燒步驟
於煆燒步驟中,使用熱壓爐等加壓煆燒爐於壓力50 MPa以下、煆燒溫度1200℃~1800℃下對所獲得的合金原料粉末進行煆燒。煆燒時,較佳為使用熱壓爐等加壓煆燒爐。由於矽的擴散係數低,因此於無加壓爐中難以使所獲得的燒結體高密度化。
於煆燒步驟中,藉由加壓煆燒對合金原料粉末進行煆燒。作為該步驟中的加壓煆燒,可列舉熱壓機及熱等靜壓機中的至少任一種,較佳為熱壓機。
煆燒時的熱壓壓力(以下,亦簡稱為「壓力」)較佳為設為50 MPa以下。若超過50 MPa,則難以準備能夠加壓的熱壓機的模具(衝壓模具)(難以使用通用的模具)。作為通用的模具,可例示碳製的模具。
於製作大型的燒結體時,熱壓壓力較佳為5 MPa〜45 MPa,進而佳為10 MPa〜40 MPa,特佳為15 MPa〜40 MPa。於本步驟中,較佳的熱壓壓力可列舉5 MPa以上、10 MPa以上或15 MPa以上且為50 MPa以下、45 MPa以下或40 MPa以下。
煆燒溫度設為1350℃~1800℃。未滿1350℃時,所獲得的燒結體的密度無法充分提高。另一方面,若煆燒溫度超過1800℃,則煆燒中的材料(燒結體)有可能熔解。作為特佳的煆燒溫度,可列舉1300℃以上、1325℃以上或1350℃以上且為1800℃以下、1600℃以下或1400℃以下。
升溫速度及降溫速度並無特別限定,可考慮煆燒爐的容積、燒結體的尺寸及形狀、破裂容易度等適宜決定。作為升溫速度,例如可列舉100℃/小時以上或150℃/小時以上,且為300℃/小時以下或250℃/小時以下。
煆燒時的保持時間可例示設為1小時~5小時,進而設為1.5小時以上且3.5小時以下。藉由設為1小時以上,可抑制煆燒爐內及熱壓機的模具(衝壓模具)中的溫度不均,容易獲得具有均勻的組織的燒結體。藉由保持時間為5小時以下,可進行工業上的生產性下的燒結。
煆燒環境較佳為真空環境、真空減壓環境、或氬等惰性環境,更佳為氬環境或真空環境,進而佳為真空環境。藉由於真空環境中進行煆燒,容易獲得具有與原料合金粉末同等的組成的燒結體。再者,於本發明中,真空環境與真空減壓環境互換使用。
作為特佳的煆燒步驟,可列舉於真空環境下,於壓力50 MPa以下、及煆燒溫度1350℃以上且1800℃以下對合金原料粉末進行加壓煆燒的步驟。該加壓煆燒較佳為熱壓處理,另外,該合金原料粉末較佳為包含鉻及矽的熔融金屬粉末,更佳為包含鉻及矽的熔融金屬粉末、與鉻及矽中的至少任一者的碳化物的粉末組成物。
作為本發明的燒結體的特佳的製造方法,可列舉如下製造方法,其具有:將鉻及矽的氣體霧化粉末、以及包含鉻及矽中的至少任一者與碳的碳源混合而獲得合金原料粉末的步驟;以及於真空環境下,於壓力50 MPa以下、及煆燒溫度1350℃以上且1800℃以下對該合金原料粉末進行熱壓的煆燒步驟。該碳源較佳為包含鉻及矽中的至少任一者的碳化物,更佳為碳化鉻。
本發明的燒結體可使用平面磨床、圓筒磨床、旋床、切斷機、加工中心機(machining center)等機械加工機磨削加工成板狀形狀。藉此,只要製成與目的相應的任意的形狀即可。
本發明的燒結體可用於結構材料、電極材料或半導體材料等公知的矽化物的用途,特佳為作為濺鍍靶(以下,亦簡稱為「靶」)來使用。
可製成包含本發明的燒結體的濺鍍靶。
濺鍍靶的製造方法是任意的,亦可直接將本發明的燒結體製成濺鍍靶。另外,視需要於包含無氧銅或鈦等的背襯板、及背襯管上使用銦焊料等,將本發明的燒結體與背襯板接合(bonding),藉此可將本發明的燒結體製成濺鍍靶。
另外,亦可藉由使用所獲得的濺鍍靶進行濺鍍來製造膜(薄膜)。即,本發明的燒結體可製成包括本發明的燒結體、背襯板及背襯管的濺鍍靶,另外,可用於使用該濺鍍靶進行濺鍍的膜的製造方法。
濺鍍的條件是任意的,例如可列舉以下的條件。
成膜電功率:100 W以上且800 W以下,
較佳為150 W以上且300 W以下
氣壓 :0.2 Pa以上且1.0 Pa以下,
較佳為0.3 Pa以上且0.7 Pa以下
氣體環境 :惰性環境,較佳為氬環境
成膜時間 :0.5小時以上且3小時以下,
較佳為0.5小時以上且1.5小時以下
為了減少電阻率的溫度依存性,濺鍍後的膜較佳為進行熱處理(退火處理)。作為退火處理的條件,可列舉以下的條件。
退火環境 :真空環境
退火時間 :1小時
退火溫度 :200℃~600℃的任意溫度
使用本發明的燒結體而獲得的膜(以下,亦稱為「本發明的膜」)只要具有任意的厚度即可,例如可列舉膜厚為5 nm以上或10 nm以上,且為1 μm以下或500 nm以下。
本發明的膜為Si-Cr-C系的膜,且為矽化鉻與選自碳化鉻、碳化矽及碳的群組中的一種以上的非晶質膜,較佳為矽化鉻與碳化矽或碳的非晶質膜。
本發明的膜是存在於基材上的膜,即形成於基材上的狀態的膜,特別是濺鍍膜。因此,本發明的膜與自支撐的膜不同,亦可視為將本發明的膜與基材積層而成的積層體。該基材只要為包含與目的相應的任意的材質的基材即可,可列舉包含選自金屬、半金屬、陶瓷、玻璃及高分子的群組中的一種以上的基材,進而為包含選自金屬、半金屬及玻璃的群組中的一種以上的基材,再進而為包含玻璃的基材。
本發明的膜較佳為於膜的溫度變化1℃時的電阻率的變化比例、所謂的電阻溫度係數(Temperature Coefficient of Resistance;以下,亦稱為「TCR」)小,且較佳為測定溫度40℃〜150℃下的TCR的最大值(以下,亦稱為「最大TCR」)為100 ppm/℃以下或98 ppm/℃以下。
另外,測定溫度40℃~150℃下的TCR的最小值(以下,亦稱為「最小TCR」)可列舉-25 ppm/℃以上或0 ppm/℃以上。
本發明中,TCR可使用利用一般的電阻率測定裝置(例如,8403型交流(Alternating Current,AC)/DC霍爾測定系統,東陽特克尼卡(Toyo Corporation)公司製造)而測定的膜的電阻率的值,並根據以下的式子來求出。
TCR=(R-R30
)/{R30
×(T-30)}×106
上式中,TCR為電阻溫度係數[ppm/℃],R為測定溫度下的電阻率[Ω·cm],R30
為30℃下的電阻率[Ω·cm],及T為測定溫度[℃]。
本發明的膜較佳為測定溫度40℃~150℃下的TCR的平均值(以下,亦稱為「平均TCR」)為100 ppm/℃以下、50 ppm/℃以下或15 ppm/℃以下。平均TCR可列舉0 ppm/℃以上、1 ppm/℃以上或10 ppm/℃以上。
平均TCR是於測定溫度40℃〜150℃下,以10℃為間隔測定的TCR的絕對值的平均值,可根據以下的式子來求出。
平均TCR=(TCR40
+TCR50
+···+TCR150
)/12
上式中,TCR40
是測定溫度40℃下的TCR的絕對值[ppm/℃]、TCR50
是測定溫度50℃下的TCR的絕對值[ppm/℃]等、是以10℃為間隔測定的各測定溫度下的TCR的絕對值[ppm/℃]。
本發明的膜較佳為由對30℃〜150℃的溫度範圍以10℃為間隔測定的TCR的繪圖13點獲得的一次近似式(直線近似)的直線的斜率(以下,亦稱為「TCR斜率」)為±0.7 ppm/℃2
,更佳為±0.5 ppm/℃2
、±0.3 ppm/℃2
、±0.2 ppm/℃2
、±0.1 ppm/℃2
或0(零)ppm/℃2
。藉由TCR斜率為該範圍,於車載感測器等溫度變化大的環境中使用的感測器用途中的檢測感度穩定。
[實施例]
以下,藉由實施例更具體地說明本發明,但本發明並不限定於此。再者,本實施例中的各測定如以下般進行。
(1)燒結體的結晶相
燒結體的結晶相於所述條件下,對XRD圖案進行測定及鑑定。
(2)燒結體的相對密度
燒結體的相對密度是作為實測密度相對於真密度的比例(%)求出。首先,依據JIS R 1634,由相對於利用阿基米德法測定的體積的乾燥質量測定可承載的體積密度,將其作為實測密度。
真密度是根據以下的式子來求出。
d=1/{(R1
/M1
)+(R2
/M2
)+(R3
/M3
)+(R4
/M4
)+(R5
/M5
)+(R6
/M6
)+(R7
/M7
)+(R8
/M8
)+(R9
/M9
)}
上式中,d為燒結體的真密度[g/cm3
],M1
至M9
、及R1
至R9
分別為燒結體中包含的Si、C、Cr、SiC、CrSi、CrSi2
、Cr3
Si、Cr3
C2
及Cr5
Si3
的真密度[g/cm3
]以及質量比例[wt%]。
燒結體中包含的結晶相是對在所述條件下測定的XRD圖案進行鑑定,另外,燒結體的組成藉由ICP分析進行。根據所獲得的結晶相,對測定的元素求出各結晶相的質量比例。
另外,包含三相的燒結體的情況下的燒結體的真密度是使用結晶相A的質量a[g]、結晶相B的質量b[g]、結晶相C的質量c[g]與各自的真密度Ma[g/cm3
]、真密度Mb[g/cm3
]、真密度Mc[g/cm3
],並根據下式來算出。
d=(a+b+c)/((a/Ma)+(b/Mb)+(c/Mc))
(3)燒結體的孔隙率
進行鏡面研磨,利用雷射顯微鏡觀察,自所獲得的燒結體組織圖像藉由圖像解析進行測定。鏡面研磨是使用DP-懸浮液1 μm(丸本斯特爾斯(Marumoto Struers)公司製造),以表面粗糙度Ra≦2 μm的方式進行。至少觀察任意五個視野,根據圖像解析算出孔隙的面積,測定五次(即,對各個視野各一次)孔隙率,將各視野的孔隙率的測定結果的平均值作為孔隙率。
測定視野(觀察倍率):200倍
各視野的孔隙率(%)=(藉由圖像解析算出的孔隙的面積/測定面積)×100
(4)粗大孔的數量
自燒結體的任意的場所切出直徑10.16 cm的燒結體,進行In接合,並作為濺鍍靶。藉由下述條件進行濺鍍試驗,利用雷射顯微鏡計數濺鍍後的靶的最大長度為50 μm以上的孔的數量,設為粗大孔。
(5)氧量
將燒結體的表面磨削1 mm以上後,利用熔融-紅外線吸收法測定自燒結體的任意的部分切出的樣品(縱3 mm×橫20 mm×厚度4 mm的方型形狀)中的氧的含量。
測定方法 :脈衝爐熔融-紅外線吸收法
裝置 :LECO ON736 氧氮分析裝置
(6)抗折強度
燒結體的抗折強度藉由依據JIS R 1601的方法進行測定。
試驗方法 :三點彎曲試驗
支點間距離 :30 mm
試樣尺寸 :3 mm×4 mm×40 mm
頭速度 :0.5 mm/min。
(實施例1)
作為前驅物質,使用Cr薄片(4N):33 wt%、及Si薄片(5N):67 wt%。於碳坩堝內將處理溫度設為1650℃,將Cr薄片及Si薄片熔融來獲得鉻及矽的熔融金屬。之後,利用以使氣壓7 MPa的氬氣流通過的方式滴加該熔融金屬的氣體霧化法製作粉末(氣體霧化粉末),將其作為鉻及矽的起始原料。該氣體霧化粉末具有包含CrSi2
與Si的結晶相。之後,以氣體霧化粉末成為62 wt%、Cr3
C2
粉末成為38 wt%的方式,將氣體霧化粉末與Cr3
C2
粉末(製品名:碳化鉻(Chromium Carbide),PPM公司製造)於氬環境下使用V型混合機以60 rpm藉由乾式混合來混合1小時,從而製成Cr為55 wt%、Si為39 wt%、C為6 wt%的合金原料粉末。
其次,將該合金原料粉末放入碳製的模具(衝壓模具:直徑15.2 cm)中,利用熱壓法進行煆燒,從而獲得本實施例的燒結體。以下示出煆燒條件。
煆燒爐 :熱壓爐
升溫速度 :200℃/小時
升溫環境 :真空減壓環境(真空環境)
煆燒環境 :真空減壓環境(真空環境)
煆燒溫度 :1350℃
壓力 :40 MPa
煆燒時間 :3小時
藉此,可獲得燒結體尺寸為直徑15.2 cm×厚度7 mm的無微裂紋的圓板狀的燒結體。
根據XRD測定的結果,可確認到本實施例的燒結體為包含CrSi、Cr5
Si3
及SiC的Cr-Si-C系燒結體。根據該XRD的測定結果,本實施例的燒結體的相對密度是使用以結晶相A:CrSi(真密度5.36[g/cm3
])為52 wt%、結晶相B:Cr5
Si3
(真密度5.87[g/cm3
])為27 wt%、及結晶相C:SiC(真密度3.21[g/cm3
])為21 wt%的形式算出的真密度而算出。
(實施例2〜實施例7)
將煆燒條件變更為表1所示的條件,除此以外利用與實施例1相同的方法製作燒結體(Cr-Si-C系燒結體)。所獲得的燒結體均為包含CrSi、Cr5
Si3
及SiC的Cr-Si-C系燒結體。
(實施例8)
作為前驅物質,使用Cr薄片(4N):59 wt%、及Si薄片(5N):41 wt%。於碳坩堝內將處理溫度設為1650℃,並將該些熔解來獲得熔融金屬。藉由以使氣壓7 MPa的氬氣流通過的方式滴加該熔融金屬,利用氣體霧化法製作氣體霧化粉末。該氣體霧化粉末具有包含CrSi2
與CrSi的結晶相。之後,以所述氣體霧化粉末成為62 wt%、Cr3
C2
粉末成為36 wt%的方式,將Cr3
C2
粉末與氣體霧化粉末混合,除此以外利用與實施例1相同的方法混合,從而製成Cr為69 wt%、Si為26 wt%、及C為5 wt%的本實施例的合金原料粉末。
使用該合金原料粉末,除此以外利用與實施例1相同的方法進行煆燒,獲得Cr-Si-C系燒結體,並將其作為本實施例的燒結體。根據XRD測定的結果,燒結體的相對密度是使用以結晶相A:Cr5
Si3
(真密度5.87[g/cm3
])為23 wt%、結晶相B:Cr3
Si(真密度6.46[g/cm3
])為61 wt%、及結晶相C:SiC(真密度3.21[g/cm3
])為16 wt%的形式算出的真密度而算出。
(實施例9)
作為前驅物質,使用Cr薄片(4N):42 wt%、及Si薄片(5N):58 wt%。於碳坩堝內將處理溫度設為1650℃,並將該些熔解來獲得熔融金屬。藉由以使氣壓7 MPa的氬氣流通過的方式滴加該熔融金屬,利用氣體霧化法製作氣體霧化粉末。該氣體霧化粉末具有包含CrSi2
與Si的結晶相。之後,以所述氣體霧化粉末成為95 wt%、C粉末成為5 wt%的方式,將C粉末與氣體霧化粉末混合,除此以外利用與實施例1相同的方法混合,從而製成Cr為40 wt%、Si為55 wt%、及C為5 wt%的本實施例的合金原料粉末。
使用該合金原料粉末,除此以外利用與實施例1相同的方法進行煆燒,從而獲得燒結體尺寸為直徑15.2 cm×厚度7 mm的無微裂紋的圓板狀的燒結體,並將其作為本實施例的燒結體。
根據XRD測定的結果,可確認到本實施例的燒結體為包含CrSi2
、Si及C的Cr-Si-C系燒結體。根據該XRD的測定結果,本實施例的燒結體的相對密度是使用以CrSi2
為83 wt%、Si為12 wt%、及C為5 wt%的形式算出的真密度而算出。
(實施例10)
以C粉末成為15 wt%的方式混合C粉末與氣體霧化粉末,除此以外利用與實施例9相同的方法,製成Cr為36 wt%、Si為49 wt%、及C為15 wt%的本實施例的合金原料粉末。
使用該合金原料粉末,除此以外利用與實施例1相同的方法進行煆燒,從而獲得燒結體尺寸為直徑15.2 cm×厚度7 mm的無微裂紋的圓板狀的燒結體。
根據XRD測定的結果,可確認到本實施例的燒結體為包含CrSi2
、Si及C的Cr-Si-C系燒結體。根據該XRD的測定結果,本實施例的燒結體的相對密度是使用以CrSi2
為74 wt%、Si為11 wt%、及C為15 wt%的形式算出的真密度而算出。
(比較例1)
設為Cr粉末:31 wt%、CrSi2
粉末:48 wt%、SiC粉末:21 wt%,利用V型混合機進行粉末混合而獲得合金原料粉末,除此以外利用與實施例1相同的方法獲得包含CrSi、Cr5
Si3
及SiC的結晶相的燒結體。
(比較例2)
利用與實施例9相同的方法,獲得Cr為42 wt%及Si為58 wt%、具有包含CrSi2
與Si的結晶相的氣體霧化粉末。
使用該氣體霧化粉末,將煆燒溫度設為1250℃,及將壓力設為15 MPa,除此以外利用與比較例1相同的方法製作燒結體。
根據XRD測定的結果,可鑑定本實施例的燒結體為包含CrSi2
及Si的Cr-Si系燒結體(矽化鉻的燒結體)。
根據該XRD的測定結果及利用ICP的組成分析的結果,本比較例的燒結體的相對密度是使用以CrSi2
為87 wt%及Si為13 wt%的形式算出的真密度而算出。
將實施例1至實施例10、以及比較例1及比較例2的製造條件示於表1,將所獲得的燒結體的評價結果示於表2。
[表1]
合金原料粉末的組成(wt%) | 混合粉末結晶相(合金原料粉末的結晶相) | 燒結體尺寸 | 煆燒步驟 | |||||
Cr | Si | C | 溫度(℃) | 壓力(MPa) | 保持時間(小時) | |||
實施例1 | 55 | 39 | 6 | CrSi2 +Si+Cr3 C2 | 15.2 cmϕ | 1350 | 40 | 3 |
實施例2 | 55 | 39 | 6 | CrSi2 +Si+Cr3 C2 | 15.2 cmϕ | 1350 | 15 | 3 |
實施例3 | 55 | 39 | 6 | CrSi2 +Si+Cr3 C2 | 15.2 cmϕ | 1375 | 15 | 3 |
實施例4 | 55 | 39 | 6 | CrSi2 +Si+Cr3 C2 | 15.2 cmϕ | 1400 | 15 | 3 |
實施例5 | 55 | 39 | 6 | CrSi2 +Si+Cr3 C2 | 15.2 cmϕ | 1425 | 15 | 3 |
實施例6 | 55 | 39 | 6 | CrSi2 +Si+Cr3 C2 | 15.2 cmϕ | 1450 | 15 | 3 |
實施例7 | 55 | 39 | 6 | CrSi2 +Si+Cr3 C2 | 15.2 cmϕ | 1500 | 15 | 3 |
實施例8 | 69 | 26 | 5 | CrSi2 +CrSi+Cr3 C2 | 15.2 cmϕ | 1500 | 15 | 3 |
實施例9 | 40 | 55 | 5 | CrSi2 +Si+C | 15.2 cmϕ | 1350 | 15 | 3 |
實施例10 | 36 | 49 | 15 | CrSi2 +Si+C | 15.2 cmϕ | 1350 | 40 | 3 |
比較例1 | 55 | 39 | 6 | Cr+CrSi2 +SiC | 15.2 cmϕ | 1350 | 40 | 3 |
比較例2 | 42 | 58 | - | CrSi2 +Si | 15.2 cmϕ | 1250 | 15 | 3 |
[表2]
結晶相 | 密度(相對密度:%) | 孔隙率(%) | 抗折強度(MPa) | 氧量(wt%) | |
實施例1 | CrSi+Cr5 Si3 +SiC | 98.7 | 0.7 | 203 | 0.08 |
實施例2 | CrSi+Cr5 Si3 +SiC | 90.2 | 12.6 | 162 | - |
實施例3 | CrSi+Cr5 Si3 +SiC | 92.1 | 10.9 | 166 | - |
實施例4 | CrSi+Cr5 Si3 +SiC | 92.6 | 9.7 | 175 | - |
實施例5 | CrSi+Cr5 Si3 +SiC | 94.8 | 5.7 | 202 | - |
實施例6 | CrSi+Cr5 Si3 +SiC | 95.9 | 5.2 | 207 | - |
實施例7 | CrSi+Cr5 Si3 +SiC | 98.4 | 0.9 | 212 | - |
實施例8 | Cr3 Si+Cr5 Si3 +SiC | 95.7 | 9.3 | 186 | 0.10 |
實施例9 | CrSi2 +Si+C | 91.5 | 7.8 | ||
實施例10 | CrSi2 +Si+C | 95.2 | 5.5 | ||
比較例1 | CrSi+Cr5 Si3 +SiC | 87.5 | 16.1 | 104 | 0.63 |
比較例2 | CrSi2 +Si | 99.8 | 1.2 |
<粗大孔的確認>
對實施例1及實施例8、以及比較例1的燒結體分別進行旋床加工,自該燒結體切出直徑10.16 mm、厚度5 mm的圓板狀的燒結體。藉由將所獲得的燒結體接合在背襯板上而製成濺鍍靶,於以下的條件下在玻璃基板(製品名:無鹼玻璃C、滿光學研究所(Mitsuru Optical Laboratory)公司製造)上進行成膜(濺鍍)。
成膜電功率 :800 W
氣壓 :0.5 Pa
氣體環境 :僅Ar(氬環境)
成膜時間 :1小時
利用雷射顯微鏡對成膜後的靶進行了表面觀察。結果確認到,於實施例的靶中未產生氣孔直徑50 μm以上的孔(粗大孔)。
[表3]
粗大孔(個) | |
實施例1 | 0 |
實施例8 | 0 |
比較例1 | 43 |
<成膜>
使用實施例7、實施例9及實施例10、以及比較例2的燒結體,及適用以下的條件,除此以外利用與<粗大孔的確認>相同的方法進行濺鍍,並進行成膜。
成膜電功率 :200 W
氣壓 :0.5 Pa
氣體環境 :氬環境
成膜時間 :1小時
進行多次成膜而獲得多個膜(濺鍍膜)。所獲得的膜(濺鍍膜)分別於真空環境、1小時、及200℃~600℃範圍內以10℃為刻度的任一溫度下進行退火處理。藉此,關於各個實施例,獲得了多片膜厚為100 nm的濺鍍膜。於以下的條件下評價退火處理後的膜。
(電阻率)
膜的電阻率是使用8403型AC/DC霍爾測定系統(東陽特克尼卡(Toyo Corporation)製造),於30℃下進行測定。測定是對將包括濺鍍膜的玻璃基板以1 cm見方切出而得者進行。
(TCR)
自30℃至150℃以10℃為間隔測定膜的電阻率,根據以下的式子求出各溫度下的TCR。
TCR(ppm/℃)=(R-R30
)/(R30
×(T-30))×106
將於40℃〜150℃下測定的TCR的最大值設為最大TCR,將最小值設為最小TCR,以及將TCR的絕對值的平均值設為平均TCR。
(TCR斜率)
利用溫度-TCR對藉由TCR的測定而獲得的40℃〜150℃的TCR的值進行繪圖,求出由該繪圖獲得的一次直線近似式。將該一次直線近似式的斜率的值作為TCR斜率。
將平均TCR的值最小時的退火溫度、及於該退火溫度下進行退火處理後的膜的評價結果示於下表中。
[表4]
退火溫度(℃) | 電阻率(Ω·cm) | 平均TCR(ppm/℃) | 最大TCR(ppm/℃) | 最小TCR(ppm/℃) | TCR斜率(ppm/℃2 ) | |
實施例7 | 420 | 290 | 4 | 9 | -4 | -0.12 |
實施例9 | 380 | 898 | 77 | 97 | 55 | -0.38 |
實施例10 | 510 | 1009 | 9 | 6 | -20 | -0.21 |
比較例2 | 230 | 1170 | 64 | 104 | 17 | -0.78 |
由上表可知,與實施例相比,比較例2的相對密度高,而且儘管孔隙率低,但所獲得的膜的TCR斜率大,溫度變化下的電阻率的變化大。
於此引用2020年7月31日提出申請的日本專利申請案2020-129947號、及2021年4月5日提出申請的日本專利申請案特願2021-63955號的說明書、申請專利範圍及摘要的全部內容,作為本揭示的說明書的揭示來併入。
10:黑色區域(孔隙)
11:白色區域(燒結體)
100:觀察圖
圖1是供於孔隙率測定的雷射顯微鏡觀察圖。
10:黑色區域(孔隙)
11:白色區域(燒結體)
100:觀察圖
Claims (10)
- 一種Cr-Si-C系燒結體,包含鉻(Cr)、矽(Si)、碳(C),所述Cr-Si-C系燒結體的特徵在於,燒結體的相對密度為90%以上且孔隙率為13%以下。
- 如請求項1所述的Cr-Si-C系燒結體,其中作為組成範圍而碳為1 wt%~20 wt%,矽為20 wt%~70 wt%,剩餘部分為鉻。
- 如請求項1或請求項2所述的Cr-Si-C系燒結體,包含矽化鉻與選自碳化鉻、碳化矽及碳的群組中的一種以上。
- 如請求項1至請求項3中任一項所述的Cr-Si-C系燒結體,其中將選自CrSi、CrSi2 及Cr3 Si的群組中的一種以上設為主相。
- 如請求項1至請求項4中任一項所述的Cr-Si-C系燒結體,其中氧量為1 wt%以下。
- 如請求項1至請求項5中任一項所述的Cr-Si-C系燒結體,其中抗折強度為100 MPa以上。
- 一種Cr-Si-C系燒結體的製造方法,為如請求項1至請求項6中任一項所述的Cr-Si-C系燒結體的製造方法,具有:將鉻及矽的氣體霧化粉末、以及包含鉻及矽中的至少任一者與碳的碳源混合而獲得合金原料粉末的步驟;以及於真空環境下,於壓力50 MPa以下、及煆燒溫度1350℃以上且1800℃以下對所述合金原料粉末進行熱壓的煆燒步驟。
- 如請求項7所述的製造方法,其中所述碳源為包含鉻及矽中的至少任一者的碳化物。
- 一種濺鍍靶,包含如請求項1至請求項6中任一項所述的Cr-Si-C系燒結體。
- 一種膜的製造方法,使用如請求項9所述的濺鍍靶進行濺鍍。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020129947 | 2020-07-31 | ||
JP2020-129947 | 2020-07-31 | ||
JP2021-063955 | 2021-04-05 | ||
JP2021063955 | 2021-04-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202206609A true TW202206609A (zh) | 2022-02-16 |
Family
ID=80036446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110127828A TW202206609A (zh) | 2020-07-31 | 2021-07-29 | Cr-Si-C系燒結體及其製造方法、濺鍍靶、膜的製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230242452A1 (zh) |
EP (1) | EP4190762A1 (zh) |
JP (1) | JPWO2022025033A1 (zh) |
KR (1) | KR20230043785A (zh) |
CN (1) | CN115667182A (zh) |
TW (1) | TW202206609A (zh) |
WO (1) | WO2022025033A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114799175A (zh) * | 2022-04-24 | 2022-07-29 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种铬硅碳合金靶材及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117888062A (zh) * | 2023-12-08 | 2024-04-16 | 武汉中科先进材料科技有限公司 | 一种黑蓝色pvd装饰薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0786004A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | 薄膜抵抗材料及び薄膜抵抗器の製造方法 |
DE59605278D1 (de) * | 1995-03-09 | 2000-06-29 | Philips Corp Intellectual Pty | Elektrisches Widerstandsbauelement mit CrSi-Widerstandsschicht |
JP4509363B2 (ja) | 2000-12-05 | 2010-07-21 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、位相シフトマスクブランクの製造方法および位相シフトマスクの製造方法 |
JP4135357B2 (ja) | 2001-11-30 | 2008-08-20 | 日鉱金属株式会社 | 金属シリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2004325835A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Toppan Printing Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JP4380586B2 (ja) * | 2005-05-06 | 2009-12-09 | 住友金属鉱山株式会社 | 薄膜抵抗体およびその製造方法 |
EP1741685B1 (de) * | 2005-07-05 | 2014-04-30 | MANN+HUMMEL Innenraumfilter GmbH & Co. KG | Poröser beta-SiC-haltiger keramischer Formkörper und Verfahren zu dessen Herstellung. |
JP2007019274A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗薄膜、薄膜抵抗体およびその製造方法 |
US20120238439A1 (en) | 2009-08-21 | 2012-09-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Silicon-rich alloys |
JP6005842B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2016-10-12 | Jx金属株式会社 | スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法 |
JP6677883B2 (ja) | 2015-10-30 | 2020-04-08 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2017218621A (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | 三井金属鉱業株式会社 | ターゲット材及びその製造方法 |
CN109957764B (zh) * | 2017-12-14 | 2021-04-02 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 水基液体环境用CrSiC复合涂层及其制备方法与应用 |
JP2020203821A (ja) * | 2018-11-22 | 2020-12-24 | 東ソー株式会社 | Cr−Si系焼結体 |
JP7181805B2 (ja) | 2019-02-12 | 2022-12-01 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体素子の過渡熱抵抗測定用電源回路 |
JP7239985B2 (ja) | 2019-10-16 | 2023-03-15 | 敬二 池森 | 撮像光学系 |
-
2021
- 2021-07-27 WO PCT/JP2021/027671 patent/WO2022025033A1/ja active Application Filing
- 2021-07-27 KR KR1020227041069A patent/KR20230043785A/ko unknown
- 2021-07-27 JP JP2022539475A patent/JPWO2022025033A1/ja active Pending
- 2021-07-27 EP EP21849756.8A patent/EP4190762A1/en active Pending
- 2021-07-27 CN CN202180037179.6A patent/CN115667182A/zh active Pending
- 2021-07-27 US US18/007,203 patent/US20230242452A1/en active Pending
- 2021-07-29 TW TW110127828A patent/TW202206609A/zh unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114799175A (zh) * | 2022-04-24 | 2022-07-29 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种铬硅碳合金靶材及其制备方法 |
CN114799175B (zh) * | 2022-04-24 | 2023-09-12 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种铬硅碳合金靶材及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115667182A (zh) | 2023-01-31 |
KR20230043785A (ko) | 2023-03-31 |
EP4190762A1 (en) | 2023-06-07 |
JPWO2022025033A1 (zh) | 2022-02-03 |
WO2022025033A1 (ja) | 2022-02-03 |
US20230242452A1 (en) | 2023-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9396830B2 (en) | Zinc oxide sintered compact, sputtering target, and zinc oxide thin film | |
TW202206609A (zh) | Cr-Si-C系燒結體及其製造方法、濺鍍靶、膜的製造方法 | |
WO2020105591A1 (ja) | Cr-Si系焼結体 | |
JP5761178B2 (ja) | 六ホウ化ランタン焼結体、それを用いたターゲット、六ホウ化ランタン膜、及び該焼結体の製造方法 | |
JP5585046B2 (ja) | 複合酸化物焼結体、ターゲット及び酸化物透明導電膜 | |
CN103917688B (zh) | 溅射靶材及其制造方法 | |
JP5292130B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP5113469B2 (ja) | 炭化物粉末被覆酸化物粉末の製造方法 | |
TWI773218B (zh) | Cr-Si系燒結體、濺鍍靶材及薄膜的製造方法 | |
JP2007290875A (ja) | 酸化チタン系焼結体およびその製造方法 | |
TW201605762A (zh) | 氧化物燒結體、濺鍍靶材及薄膜 | |
JP7480533B2 (ja) | Cr-Si系焼結体 | |
JP2017124963A (ja) | 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット | |
JP6396594B2 (ja) | Mg−Ti−Oスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
WO2021241522A1 (ja) | 金属-Si系粉末、その製造方法、並びに金属-Si系焼結体、スパッタリングターゲット及び金属-Si系薄膜の製造方法 | |
JP7427505B2 (ja) | スパッタリングターゲット材及びその製造方法並びに薄膜 | |
JP7494567B2 (ja) | Cr-Si系焼結体 | |
JP2020147822A (ja) | MgO−TiO系スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2019112669A (ja) | 酸化物スパッタリングターゲット |