JP7494567B2 - Cr-Si系焼結体 - Google Patents
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Description
(1)クロム(Cr)、シリコン(Si)を含むCr-Si系焼結体であり、焼結体の面積が180cm2以上であり、平均粒径が40μm以下であり、抗折強度が100MPa以上であることを特徴とするCr-Si系焼結体。
(2)酸素量が1wt%以下である(1)に記載のCr-Si系焼結体。
(3)Mn+Fe+Mg+Ca+Sr+Baの合計の不純物量が200ppm以下である(1)又は(2)に記載のCr-Si系焼結体。
(4)(1)~(3)のいずれかに記載のCr-Si系焼結体からなるスパッタリングターゲット。
(5)(4)に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングする薄膜の製造方法。
原料はクロム、シリコンを用いる。原料の純度は99.9%以上が好ましく、より好ましくは99.99%以上である。不純物が多く含まれると、焼成工程における異常粒成長の原因や成膜の時のパーティクルの発生源となる。また、原料の酸素量は少ない物が好ましい。原料中の酸素量が多いと最終的にスパッタリングターゲット中の酸素量が多くなり、パーティクルの発生の原因となる。
次に得られた粉末をホットプレス炉等加圧焼成炉を使用すること好ましい。無加圧炉では、シリコンの拡散係数が低いことから高密度化するのが困難である。
(1)焼結体の密度
焼結体の相対密度は、JIS R 1634に準拠して、アルキメデス法によりかさ密度を測定し、真密度で割って相対密度を求めた。焼結体の真密度は、結晶相Aの重量a[g]および結晶相Bの重量をb[g]と、それぞれの真密度Ma[g/cm3]、Mb[g/cm3]を用いて、下記式で表される相加平均より算出した。
d=(a+b)/((a/Ma)+(b/Mb))
(2)平均粒径
鏡面研磨し、走査電子顕微鏡で観察し、得られた焼結体組織画像から直径法で平均粒径を測定した。少なくとも任意の3点以上を観察し、300個以上の粒子の測定を行った。
(走査電子顕微鏡の観察条件)
加速電圧 :10kV
(3)抗折強度
JIS R 1601に準拠して測定した。
(抗折強度の測定条件)
試験方法 :3点曲げ試験
支点間距離 :30mm
試料サイズ :3×4×40mm
ヘッド速度 :0.5mm/分。
(4)酸素量の分析
焼成後の焼結体表面より1mm以上研削した後の任意の部分より切り出したサンプルの分析値を測定データとした。
装置 :LECO TC436 酸素・窒素分析装置
(5)金属不純物量の分析
焼成後の焼結体表面より1mm以上研削した後の任意の部分より切り出したサンプルの分析値を測定データとした。
(6)成膜方法
焼結体の任意の場所から10.16cmφの焼結体を切り出し、Inボンディングを行い、スパッタリングターゲットとした。
(7)成膜後のターゲットのマイクロクラック
成膜後にターゲット表面を観察して、クラックの有無を確認した。
(実施例1)
Crフレーク(4N):18wt%、Siフレーク(5N):82t%をカーボンルツボ内で溶解し、溶融温度を1650℃としてガスアトマイズ法により粉末を作製した。粉末を大気下で篩(篩目サイズ:300μm)により粉末の粒度調整を実施した。
(焼成条件)
焼成炉 :ホットプレス炉
昇温速度 :200℃/時間
昇温雰囲気:真空減圧雰囲気
焼成温度 :1275℃
圧力 :30MPa
焼成時間 :3時間
焼結体サイズ15.2cmΦ×7mmtのマイクロクラックのない焼結体が得られた。焼結体特性を表1に示す。焼結体の密度の測定は結晶相A:CrSi2(真密度4.98[g/cm3])が37wt%、結晶相B:Si(真密度2.3[g/cm3])が63wt%として算出した真密度を用いて算出した。
(成膜条件)
成膜電力 :800W
ガス圧 :0.5Pa
ガス雰囲気:Arのみ
成膜時間 :1h
成膜後のターゲットを光学顕微鏡により表面観察を行い、クラックが発生していないことを確認した。
焼成条件、焼結体サイズを変更した以外は、実施例1と同様の方法で焼結体を作製した。焼結体の焼結体特性、成膜後のターゲットのマイクロクラック有無を表1に示す。
Crフレーク(4N):42wt%、Siフレーク(5N):58wt%をカーボンルツボ内で溶解し、溶融温度を1650℃としてガスアトマイズ法により粉末を作製した。粉末を大気下で篩(篩目サイズ:300μm)により粉末の粒度調整を実施した。焼成条件、焼結体サイズを変更した以外は、実施例1と同様の方法で焼結体を作製した。焼結体の焼結体特性、成膜後のターゲットのマイクロクラック有無を表1に示す。焼結体の密度の測定は結晶相A:CrSi2(真密度4.98[g/cm3])が87wt%、結晶相B:Si(真密度2.3[g/cm3])が13wt%として算出した真密度を用いて算出した。
焼成条件、焼結体サイズを変更した以外は、実施例1と同様の方法で焼結体を作製した。焼結体の焼結体特性、成膜後のターゲットのマイクロクラック有無を表1に示す。
Crフレーク(4N):80wt%、Siフレーク(5N):20wt%をカーボンルツボ内で溶解し、溶融温度を1900℃としてガスアトマイズ法により粉末を作製した。粉末を大気下で篩(篩目サイズ:300μm)により粉末の粒度調整を実施した。焼成条件、焼結体サイズを変更した以外は、実施例1と同様の方法で焼結体を作製した。焼結体の焼結体特性、成膜後のターゲットのマイクロクラック有無を表1に示す。焼結体の密度の測定は結晶相A:Cr3Si(真密度6.46[g/cm3])が48wt%、結晶相B:Cr5Si3(真密度5.87[g/cm3])が52wt%として算出した真密度を用いて算出した。
Crフレーク(4N):48wt%、Siフレーク(5N):52wt%をカーボンルツボ内で溶解し、溶融温度を1700℃としてガスアトマイズ法により粉末を作製した。粉末を大気下で篩(篩目サイズ:300μm)により粉末の粒度調整を実施した。焼成条件、焼結体サイズを変更した以外は、実施例1と同様の方法で焼結体を作製した。焼結体の焼結体特性、成膜後のターゲットのマイクロクラック有無を表1に示す。焼結体の密度の測定は結晶相A:CrSi2(真密度4.98[g/cm3])が100wt%として算出した。
Cr粉末(4N)18wt%とSi粉末(5N)82wt%を混合し、1250℃焼成後粉砕した。その後、Fe缶に入れ真空脱気後缶を溶接し、HIP法により焼成した。焼結体特性を表1に示す。また、成膜後のターゲットではマイクロクラックが発生した。焼結体の密度の測定は結晶相A:CrSi2(真密度4.98[g/cm3])が37wt%、結晶相B:Si(真密度2.3[g/cm3])が63wt%として算出した真密度を用いて算出した。
Cr粉末(4N)42wt%とSi粉末(5N)58wt%を混合し、1250℃焼成後粉砕した。その後、ホットプレス法により焼成した。焼結体特性を表1に示す。また、成膜後のターゲットではマイクロクラックが発生した。焼結体の密度の測定は結晶相A:CrSi2(真密度4.98[g/cm3])が87wt%、結晶相B:Si(真密度2.3[g/cm3])が13wt%として算出した真密度を用いて算出した。
実施例3と同様に粉末を作製し、ホットプレス法により焼成した。焼結体特性を表1に示す。また、成膜後のターゲットではマイクロクラックが発生した。焼結体の密度の測定は結晶相A:CrSi2(真密度4.98[g/cm3])が87wt%、結晶相B:Si(真密度2.3[g/cm3])が13wt%として算出した真密度を用いて算出した。
Claims (5)
- Cr(クロム)、シリコン(Si)を含むCr-Si系焼結体であり、焼結体の片面の面積が180cm2以上であり、平均粒径が40μm以下であり、抗折強度が100MPa以上であることを特徴とするCr-Si系焼結体。
- 酸素量が1wt%以下であることを特徴とする請求項1に記載のCr-Si系焼結体。
- Mn+Fe+Mg+Ca+Sr+Baの合計の不純物量が200ppm以下である請求項1又は2に記載のCr-Si系焼結体。
- 請求項1~3のいずれかに記載のCr-Si系焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 請求項4に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを特徴とする薄膜の製造方法。
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