TW202131399A - 切割帶以及半導體零件之製造方法 - Google Patents

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Abstract

切割帶10具有：切割帶本體15；以及保護層16，係保護切割帶本體15。切割帶本體15具有：黏著劑層11；以及第1基材膜12，係支撐黏著劑層11。保護層16具有：第2基材膜14；以及黏著劑層13，係將第2基材膜14接合於第1基材膜12。

Description

切割帶以及半導體零件之製造方法
本發明係關於一種切割帶以及半導體零件之製造方法。本申請案基於2019年10月28日在日本提出申請之日本特願2019-195485號主張優先權，且引用該申請案的內容至本文中。
切割帶係用於半導體零件之製造步驟的物品。具體而言，如專利文獻1至專利文獻3所記載般，於將貼附於切割帶上之半導體晶圓切斷(切割)為半導體晶片後，自切割帶剝離(拾取)半導體晶片。於專利文獻4所記載之切割黏晶片的情況，在片材上將半導體晶圓進行切割後，將半導體晶片與膜狀接著劑一同地自基材上的黏著劑層剝離(拾取)。
在日本特開2003-105292號公報中記載有一種切割帶，係在基材膜之單面具有光交聯型抗靜電黏著劑層。在日本特開2010-225753號公報中記載有一種切割帶，係環剛度(loop stiffness)為特定範圍內之基材膜上具有黏著劑層。在日本特開2010-251722號公報中記載有一種切割帶，係在紫外線穿透性之基材膜上具有包含聚硫醇之紫外線硬化型黏著劑層。在國際公開第2017／154619號中記載有一種切割黏晶片，係在基材上具備黏著劑層與膜狀接著劑。
[發明所欲解決之課題]
於切割帶上將半導體晶圓切割後，拾取半導體晶片時，進行下述步驟：藉由紫外線照射等使黏著劑層之黏著力下降之步驟、以及相對於切割帶而於長邊方向延展之步驟(擴展)。再者，還進行有自切割帶之背面(基材側)使用銷進行上頂之步驟等。切割後之半導體晶片係在經過上述特定步驟到拾取為止，需要被保持在切割帶上。然而，若在切割時切割帶劣化，或有切割帶無法耐受擴展的張力而斷裂、或有半導體晶片無預期地自切割帶脫落。
本發明有鑑於上述情事而完成，其課題在於提供一種能夠維持切割後之切割帶的強度的切割帶以及半導體零件之製造方法。 [用以解決課題之手段]
為了解決前述課題，本形態提供一種切割帶，具有：切割帶本體；以及保護層，係保護前述切割帶本體；前述切割帶本體具有：黏著劑層；以及第1基材膜，係支撐前述黏著劑層；前述保護層具有：第2基材膜；以及接著劑層，係將前述第2基材膜接合於前述第1基材膜。
本形態之切割帶中，亦可構成為：前述黏著劑層能夠藉由能量線之照射硬化而使黏著力下降；前述第1基材膜、前述第2基材膜以及前述接著劑層能夠讓前述能量線穿透；於前述能量線照射後，前述接著劑層仍能將前述第2基材膜接合於前述第1基材膜。
本形態之切割帶中，亦可構成為：前述切割帶之伸長率為80%以上，前述接著劑層之伸長率大於前述第1基材膜及前述第2基材膜之伸長率。本形態之切割帶中，亦可構成為：前述第1基材膜及前述第2基材膜由選自聚醯亞胺(PI；Polyimide)樹脂、聚醚碸(PES；Polyether Sulfone)樹脂、聚苯硫醚(PPS；Polyphenylene Sulfide)樹脂、聚醚醚酮(PEEK；Polyetherether keton)樹脂、聚醯胺醯亞胺(PAI；Polyamide-imide)樹脂、聚萘二甲酸乙二酯(PEN；Polyethylene naphthalate)樹脂、環氧樹脂、氟樹脂中之樹脂膜所構成。本形態之切割帶中，亦可構成為：在前述黏著劑層中之相對於前述第1基材膜為相反側之黏著面具有剝離膜。
再者，本形態相關之半導體零件之製造方法至少具有：將貼附有上述任一種切割帶之半導體晶圓切斷為半導體晶片的步驟；以及自前述切割帶剝離前述半導體晶片的步驟。[發明功效]
根據本發明之上述各形態，即便在切割帶本體於切割時劣化，仍可藉由保護層來維持切割後之切割帶的強度。因此，於半導體零件之製造方法中，能夠抑制半導體晶片自切割帶脫落，而提高生產性。
以下，基於較佳之實施形態，參照圖式說明本發明。本實施形態之切割帶10具有：切割帶本體15，係用於半導體晶圓等的被黏著體(未圖示)之切割；以及保護層16，係保護切割帶本體15。切割帶本體15具有：黏著劑層11；第1基材膜12，係支撐黏著劑層11。保護層16具有：第2基材膜14；以及接著劑層13，係將第2基材膜14接合於第1基材膜12。
黏著劑層11係藉由黏著力來固定半導體晶圓等的被黏著體。被黏著體被固定在黏著劑層11之黏著面11a。作為構成黏著劑層11之黏著劑可列舉：丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺基甲酸乙酯系黏著劑等。於未將被黏著體固定於黏著劑層11的過程中，亦可於黏著劑層11之黏著面11a具有剝離膜17。第1基材膜12積層於黏著劑層11中之相對於黏著面11a為相反側之面。為了提高黏著劑層11與第1基材膜12之接合力，亦可在第1基材膜12與黏著劑層11之間具有錨固劑層。
作為第1基材膜12並無特別限定，可列舉：由聚乙烯(PE；Polyethene)樹脂、聚丙烯(PP；Polypropylene)樹脂等的聚烯烴樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯(PET；Polyethylene terephthalate)樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT；Polybutylene terephthalate)樹脂、聚萘二甲酸乙二酯(PEN；Polyethylene naphthalate)樹脂等的聚酯樹脂；尼龍等的聚醯胺(PA；Polyamide)樹脂；聚醯亞胺(PI；Polyimide)樹脂；聚碳酸酯(PC；Polycarbonate)樹脂；聚醚碸(PES：Polyether Sulfone)樹脂、聚苯硫醚(PPS：Polyphenylene Sulfide)樹脂、聚醚醚酮(PEEK；Polyetherether ketone)樹脂、聚醯胺醯亞胺(PAI；Polyamide-imide)樹脂、環氧樹脂(epoxy resin)、氟樹脂(fluorocarbon polymers)等中之至少1種樹脂所構成之樹脂膜。再者，構成上述第1基材膜12之樹脂的光學特性並無特別限定，不論為透明、半透明、不透明何者都可加以使用。第1基材膜12之厚度並無特別限定，可列舉例如5μm至500μm。
在將固定有黏著劑層11之半導體晶圓等的被黏著體21切斷為半導體晶片等的單片狀之切割步驟中，切斷被黏著體21之切割槽22亦可到達至黏著劑層11之厚度方向的至少一部分為止。進而，如圖2所示，切割槽22亦可到達第1基材膜12之厚度方向的至少一部分為止。先前技術之切割帶中，若因切割槽所導致之傷痕到達基材，則因情況而有使切割帶無法耐受擴展之張力等的問題。
本實施形態之切割帶10中，作為保護層16，係透過接著劑層13來將第2基材膜14接合於第1基材膜12。第2基材膜14與第1基材膜12同樣地具有可耐受擴展之張力等的強度。藉此，即便切割帶本體15之第1基材膜12因傷痕等而劣化，仍可藉由保護層16維持切割帶10之強度。
作為第2基材膜14並無特別限定，可列舉：由聚乙烯(PE)樹脂、聚丙烯(PP)樹脂等的聚烯烴樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)樹脂、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)樹脂等的聚酯樹脂；尼龍等的聚醯胺(PA)樹脂；聚醯亞胺(PI)樹脂；聚碳酸酯(PC)樹脂；聚醚碸(PES)樹脂；聚苯硫醚(PPS)樹脂；聚醚醚酮(PEEK)樹脂；聚醯胺醯亞胺(PAI)樹脂；環氧樹脂；氟樹脂等中之至少1種樹脂所構成之樹脂膜。再者，構成上述第2基材膜14之樹脂的光學特性並無特別限定，不論為透明、半透明、不透明何者都可加以使用。第2基材膜14之厚度並無特別限定，可列舉例如5μm至500μm。
作為構成接著劑層13之接著劑並無特別限定，可列舉：黏著劑(感壓型接著劑)、硬化型接著劑、反應型接著劑、溶劑型接著劑等。作為接著劑之具體例，可列舉例如：丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺基甲酸乙酯系黏著劑、環氧系接著劑、胺基甲酸乙酯系接著劑、烯烴系熱封劑等的至少1種。接著劑層13之厚度並無特別限定，可列舉例如10μm至500μm。
黏著劑層11較佳為在上述拾取步驟中，能夠降低相對於被黏著體的黏著力。例如藉由於黏著劑層11添加光硬化性樹脂或光聚合起始劑等的感光性材料，能夠使黏著劑層11於接收到紫外線、電子線等的能量線之照射時硬化，使黏著力下降。於此情況，第1基材膜12、接著劑層13以及第2基材膜14較佳為可穿透使黏著劑層11硬化的能量線。較佳為例如：第1基材膜12及第2基材膜14的穿透率在365nm、405nm、或是介於365nm至405nm之波長間之波長中為15%以上，而接著劑層13的穿透率在與第1基材膜12及第2基材膜14之穿透率相同的波長中為80%以上。再者，接著劑層13較佳為即便在能量線照射後，接著力實質上不會變化，而將第2基材膜14接合於第1基材膜12。為此，接著劑層13較佳為不含有光硬化性樹脂或光聚合起始劑等的感光性材料。
在將切割後之被黏著體自切割帶10之黏著劑層11剝離的拾取步驟中，於進行擴展步驟的情況，切割帶10之伸長率較佳為80%以上。再者，接著劑層13之伸長率較佳為大於第1基材膜12及第2基材膜14之伸長率。此處，伸長率係例如膜因受到定速拉伸而斷裂的時間點之伸長以%所表示之值。具體而言，將拉伸試驗前之試料的長度設為Lo，將斷裂時之試料的長度設為L時，將伸長率以(L-Lo)／Lo×100(%)加以表示。伸長率越大，則為相對於拉伸力而更為柔軟的膜。
第1基材膜12及第2基材膜14作為耐熱性高之樹脂較佳為例如相對於加熱溫度200℃至260℃之加熱處理具有耐熱性。作為耐熱性樹脂之具體例，可列舉例如：聚醯亞胺(PI)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚苯硫醚(PPS)樹脂、聚醚醚酮(PEEK)樹脂、聚醯胺醯亞胺(PAI)樹脂、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)樹脂、環氧樹脂、氟樹脂等的至少1種。
在第1基材膜12或第2基材膜14之至少一者中，較佳為使用在芳香族單元間具有例如碳數為3個以上的脂肪族單元而成之高延伸性的聚醯亞胺樹脂作為兼備耐熱性與柔軟性的樹脂。進而，脂肪族單元較佳為包含具有碳數為1至10左右之伸烷基的聚烷氧基。作為用以形成聚醯亞胺樹脂層之材料亦可使用溶劑可溶型之聚醯亞胺清漆。
作為剝離膜17，只要為於切割帶10未使用時披覆黏著劑層11而保護黏著劑層11，並可在固定被黏著體前剝離去除的膜，則無特別限定。剝離膜17亦可為於表面具有例如由聚矽氧系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈烷系剝離劑等所構成之剝離劑層的樹脂膜、或是亦可為於表面不具有剝離劑層的樹脂膜。剝離膜17係在進行切割步驟及拾取步驟之前被去除，故而無須使耐熱性、高延伸性、能量線之穿透性等呈優異，但為了容易進行黏著劑層11之目視檢查，亦可具有透明性。
切割帶10之製造方法並無特別限定，可於將第1基材膜12與第2基材膜14透過接著劑層13進行接合後，再形成黏著劑層11。亦可於剝離膜17上形成黏著劑層11後，來和第1基材膜12與第2基材膜14透過接著劑層13所接合而成之積層體進行複合而製作。亦可於剝離膜17上藉由塗佈等來依序形成黏著劑層11、第1基材膜12、接著劑層13、第2基材膜14。
於將切割帶10捲繞為輥狀的情況，可將具有切割帶本體15、保護層16及剝離膜17之積層體作成輥狀。再者，亦可省略剝離膜17，以切割帶本體15之黏著劑層11成為與保護層16之第2基材膜14疊合的方式進行捲繞。於省略剝離膜17的情況，第2基材膜14可兼具剝離膜17之功能，亦可於第2基材膜14之背面14a設置剝離劑層。
作為使用切割帶10之半導體零件之製造方法並無特別限定，可列舉下述製造方法，具有：固定步驟，係將半導體晶圓固定於切割帶10之黏著劑層11；切割步驟，係將貼附有切割帶10之半導體晶圓切斷而於黏著劑層11上獲得半導體晶片；以及拾取步驟，係自切割帶10剝離半導體晶片。切割步驟、拾取步驟可在本體或地點等與固定步驟不同的狀況下加以實施。作為拾取步驟並無特別限定，亦可在將黏著劑層11上固定有半導體晶片之切割帶10加以延伸來擴大半導體晶片之間隔的擴展步驟後，將能量線照射至黏著劑層11，使黏著劑層11之黏著力下降。亦可在將切割步驟後之半導體晶片維持固定在黏著劑層11上的狀態下，實施將半導體晶片與導線架等其他零件進行焊接之迴焊步驟。切割帶10適用於迴焊步驟的情況，切割帶10較佳為具有能耐受迴焊步驟的耐熱性。於此情況下，亦可在迴焊步驟後進行拾取步驟。
以上，雖已基於較佳之實施形態來說明本發明，但本發明並不限定於上述實施形態，可在不超出本發明之主旨的範圍進行各種變化。作為被黏著體，並不限定於矽(Si)等的半導體晶圓及半導體晶片，可列舉玻璃基板、金屬基板、樹脂基板、包含這些基板1種以上的積層體、電子機器等。這些被黏著體中，亦能夠與上述半導體零件之製造方法同樣地在進行將貼附有切割帶之被黏著體切斷為晶片狀的步驟後，進行自切割帶剝離晶片狀之切斷片的步驟。[實施例]
以下，以實施例來具體說明本發明。
實施例1至實施例3之切割帶係構成為依序積層有由紫外線硬化性黏著劑所構成之黏著劑層、錨固劑層、第1基材膜、接著劑層、第2基材膜來加以製作。再者，比較例1至比較例4之切割帶係依序積層有由紫外線硬化性黏著劑所構成之黏著劑層、錨固劑層、基材膜來加以製作。
表1中，「第1基材膜之材料」表示構成實施例1至實施例3之第1基材膜、構成比較例1至比較例4之基材膜的材料。「第2基材膜之材料」表示構成實施例1至實施例3之第2基材膜的材料。「PI1」為三井化學股份有限公司製造的溶劑可溶型聚醯亞胺清漆(商品名：MP17A)。「PI2」為DU PONT-TORAY股份有限公司製造的聚醯亞胺膜(商品名：Kapton(註冊商標)200H)。「PEEK」為Shin-Etsu Polymer股份有限公司製造的聚醚醚酮膜(商品名：Shin-Etsu Sepla Film PEEK(註冊商標))。「PVC」為聚氯乙烯樹脂膜。比較例1至比較例4中，將基材膜之厚度記載於「第1基材膜」之欄位，將「第2基材膜」及「接著劑層」之欄位標記為「無」。
[表1]
  實施例 1 實施例 2 實施例 3 比較例 1 比較例 2 比較例 3 比較例 4
第1基材膜之材料 PI1 PI1 PEEK PI1 PI2 PEEK PVC
第2基材膜之材料 PI1 PI1 PI1 無 無 無 無
厚度(μm) 第2基材膜 10 5 12 無 無 無 無
接著劑層 25 50 50 無 無 無 無
第1基材膜 10 5 5 50 50 50 25
黏著劑層 20 20 20 20 20 20 20
光學特性 全光線穿透率(%) 88 88 83 87 43 83 90
霧度(%) 3 3 47 2 10 42 3
分光穿透率(%) 365nm 0 1 0 0 0 0 81
405nm 7 31 49 0 0 56 85
435nm 51 68 77 27 0 76 86
拉伸特性 楊氏係數(GPa) 0.8 0.3 1.1 2.0 3.7 2.3 2.4
拉伸強度(MPa) 36 11 39 78 293 170 53
拉伸伸長度(%) 155 150 201 148 81 132 253
耐熱性 外觀變化 無 無 無 無 無 無 有
楊氏係數(GPa) 0.9 0.4 1.2 2.2 3.2 2.5 2.0
拉伸強度(MPa) 38 19 32 64 266 173 45
拉伸伸長度(%) 124 147 146 132 68 141 26
黏著力 (N/25mm) 初期 8 8 8 8 8 8 8
UV照射後 0.1以下 0.1以下 0.1以下 8 8 0.1以下 0.1以下
全光線穿透率係使用村上色彩技術研究所股份有限公司製造的測定器來進行測定。霧度係使用國際照明委員會(CIE；International Commission on Illumination)標準光源D65光源，重覆測定3次，採用平均值。分光穿透率係使用日本分光股份有限公司製造的分光光度計V-670，並依365nm、405nm、435nm的波長重覆測定3次，採用平均值。
拉伸特性(楊氏係數、拉伸強度、拉伸伸長度)係使用島津製作所股份有限公司製造的試驗機AGS-X500N，於將試料尺寸設為寬度15mm×長度120mm，以溫度23℃(室溫)、拉伸速度50mm／min、以夾具夾住試料兩端10mm、將夾具間距離設為100mm的條件下，重覆測定3次，採用平均值。楊氏係數係自圖表之初期斜率而求出。拉伸強度係測定試料斷裂時之強度。拉伸伸長度係測定試料斷裂時之伸長率。
耐熱性係將與上述拉伸特性相同形式之試料放入烤箱，在260℃加熱10分鐘，就自烤箱取出後之試料測定外觀變化、楊氏係數、拉伸強度、拉伸伸長度。外觀變化係以目視來觀察有無皺摺等而評價為「無」或「有」。耐熱性中之楊氏係數、拉伸強度、拉伸伸長度除了試料是否有經過烤箱加熱以外，與上述拉伸特性同樣地進行測定。
黏著力係使用島津製作所股份有限公司製造的EZ Graph，於將試料之尺寸設為寬度10mm×長度100mm，在溫度23℃(室溫)、被黏著體為SUS(Stainless Used Steel；不鏽鋼)板、貼合方法為2kg滾筒貼合、貼合區域設為寬度10mm×長度90mm、拉伸速度300mm／min、剝離角度設為180°的條件下，重覆測定3次，採用平均值。紫外線(UV)照射係使用EYE GRAPHICS股份有限公司製造的紫外線照射裝置，利用金屬鹵素燈將累計光量設為4000mJ。表1中，將紫外線照射前之黏著力作為「初期」，將紫外線照射後之黏著力作為「UV照射後」。
[半裁切實驗]針對切出為寬度15mm×長度120mm之試料，使用切割器於中心部以一直線進行半裁切。針對經進行半裁切的試料，與表1中之未進行半裁切之試料的拉伸特性同樣地進行拉伸特性(楊氏係數、拉伸強度、拉伸伸長度)之測定。將結果顯示於表2。此外，半裁切實驗僅就實施例2及實施例3、比較例1及比較例3加以進行。
[表2] 半裁切實驗
  實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4
拉伸特性 楊氏係數(GPa)   0.6 0.9 3.3   4.7  
拉伸強度(MPa)   11 9 57   85  
拉伸伸長度(%)   146 84 7   11  
根據實施例1至實施例3之切割帶，具有能耐受迴焊步驟之耐熱性、以及適於拾取步驟之拉伸特性及黏著特性。再者，根據實施例2及實施例3之切割帶，得知經進行半裁切之試料的拉伸伸長度充分大。由此可知，若為於第1基材膜之背側積層有第2基材膜的切割帶，即便在半裁切後切割槽所導致之傷痕到達至第1基材膜的情況，仍不易因拉伸而斷裂。
根據比較例1及比較例3之切割帶，經進行半裁切之試料的拉伸伸長度明顯下降。由此可知，基材膜為單層、亦即不存在第2基材膜之切割帶若在半裁切後切割槽所導致之傷痕到達至基材膜，則容易因拉伸而斷裂。
進而，比較例1至比較例3之切割帶由於基材膜之紫外線穿透性低，故而UV照射後之黏著力不會下降，而不具有適於拾取步驟之黏著特性。比較例4之切割帶若不進行烤箱加熱，則具有適於拾取步驟之拉伸特性，但由於基材膜之耐熱性低，故而在烤箱加熱後之拉伸伸長度下降，而容易在擴展步驟中斷裂，不具有適於拾取步驟之拉伸特性。
10:切割帶 11:黏著劑層 11a:黏著面 12:第1基材膜 13:接著劑層 14:第2基材膜 14a:背面 15:切割帶本體 16:保護層 17:剝離膜 21:被黏著體 22:切割槽
[圖1]係顯示切割帶一例的剖面圖。[圖2]係顯示切割後之切割帶一例的剖面圖。
10:切割帶
11:黏著劑層
11a:黏著面
12:第1基材膜
13:接著劑層
14:第2基材膜
14a:背面
15:切割帶本體
16:保護層
17:剝離膜

Claims (12)

  1. 一種切割帶，具有：切割帶本體；以及保護層，係保護前述切割帶本體；前述切割帶本體具有：黏著劑層；以及第1基材膜，係支撐前述黏著劑層； 前述保護層具有：第2基材膜；以及接著劑層，係將前述第2基材膜接合至前述第1基材膜。
  2. 如請求項1所記載之切割帶，其中前述黏著劑層能夠藉由能量線之照射而硬化，而使黏著力下降；前述第1基材膜、前述第2基材膜及前述接著劑層能夠讓前述能量線穿透；即便在前述能量線照射後，前述接著劑層仍能將前述第2基材膜接合於前述第1基材膜。
  3. 如請求項1或2所記載之切割帶，其中前述切割帶之伸長率為80%以上，前述接著劑層之伸長率大於前述第1基材膜及前述第2基材膜之伸長率。
  4. 如請求項1或2所記載之切割帶，其中前述第1基材膜及前述第2基材膜係由聚醯亞胺(PI)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚苯硫醚(PPS)樹脂、聚醚醚酮(PEEK)樹脂、聚醯胺醯亞胺(PAI)樹脂、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)樹脂、環氧樹脂、氟樹脂中之任一種樹脂所構成之樹脂膜。
  5. 如請求項3所記載之切割帶，其中前述第1基材膜及前述第2基材膜係由聚醯亞胺(PI)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚苯硫醚(PPS)樹脂、聚醚醚酮(PEEK)樹脂、聚醯胺醯亞胺(PAI)樹脂、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)樹脂、環氧樹脂、氟樹脂中之任一種樹脂所構成之樹脂膜。
  6. 如請求項1或2所記載之切割帶，其中在前述黏著劑層中之相對於前述第1基材膜為相反側的黏著面具有剝離膜。
  7. 如請求項3所記載之切割帶，其中在前述黏著劑層中之相對於前述第1基材膜為相反側的黏著面具有剝離膜。
  8. 如請求項4所記載之切割帶，其中在前述黏著劑層中之相對於前述第1基材膜為相反側的黏著面具有剝離膜。
  9. 一種半導體零件之製造方法，至少具有：將貼附有如請求項1或2所記載之切割帶的半導體晶圓切斷為半導體晶片的步驟；以及 自前述切割帶剝離前述半導體晶片的步驟。
  10. 一種半導體零件之製造方法，至少具有：將貼附有如請求項3所記載之切割帶的半導體晶圓切斷為半導體晶片的步驟；以及 自前述切割帶剝離前述半導體晶片的步驟。
  11. 一種半導體零件之製造方法，至少具有：將貼附有如請求項4所記載之切割帶的半導體晶圓切斷為半導體晶片的步驟；以及 自前述切割帶剝離前述半導體晶片的步驟。
  12. 一種半導體零件之製造方法，至少具有：將貼附有如請求項6所記載之切割帶的半導體晶圓切斷為半導體晶片的步驟；以及； 自前述切割帶剝離前述半導體晶片的步驟。
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