KR20210050466A - 다이싱 테이프 및 반도체 부품의 제조 방법 - Google Patents

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유나 스즈키
켄지 치시마
타다히로 노무라
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후지모리 고교 가부시키가이샤
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Abstract

다이싱 테이프(10)는 다이싱 테이프 본체(15)와 다이싱 테이프 본체(15)를 보호하는 보호층(16)을 갖고, 다이싱 테이프 본체(15)는 점착제층(11)과 점착제층(11)을 지지하는 제1 기재 필름(12)을 갖고, 보호층(16)은 제2 기재 필름(14)과 제2 기재 필름(14)을 제1 기재 필름(12)에 접합하는 접착제층(13)을 갖는다.

Description

다이싱 테이프 및 반도체 부품의 제조 방법{DICING TAPE AND PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR PARTS}
본 발명은 다이싱 테이프 및 반도체 부품의 제조 방법에 관한 것이다.
본원은 2019년 10월 28일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2019-195485호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
다이싱 테이프는 반도체 부품의 제조 공정에 사용되는 것이다. 구체적으로는, 특허문헌 1∼3에 기재되어 있는 바와 같이, 다이싱 테이프 상에 첩부한 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 절단(다이싱)한 후, 다이싱 테이프로부터 반도체 칩을 박리(픽업)한다. 특허문헌 4에 기재된 다이싱 다이 본딩 시트의 경우에는, 시트 상에서 반도체 웨이퍼를 다이싱한 후, 반도체 칩을 필름형 접착제와 함께 기재 상의 점착제층으로부터 박리(픽업)한다.
일본 공개특허공보 2003-105292호에는, 기재 필름의 편면에 광가교형 대전 방지 점착제층을 갖는 다이싱 테이프가 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2010-225753호에는, 루프 스티프니스가 소정의 범위 내인 기재 필름 상에 점착제층을 갖는 다이싱 테이프가 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2010-251722호에는, 자외선 투과성 기재 필름 상에 폴리티올을 포함하는 자외선 경화형 점착제층을 갖는 다이싱 테이프가 기재되어 있다.
국제공개 제2017/154619호에는, 기재 상에 점착제층과 필름형 접착제를 구비하는 다이싱 다이 본딩 시트가 기재되어 있다.
다이싱 테이프 상에서 반도체 웨이퍼를 다이싱한 후, 반도체 칩을 픽업할 때에는, 자외선 조사 등에 의해 점착제층의 점착력을 저하시키는 공정, 다이싱 테이프에 대해 길이 방향으로 연신하는 공정(익스팬드)이 행해진다. 또한, 다이싱 테이프의 이면(기재측)으로부터 핀을 사용하여 밀어 올리는 공정 등이 행해진다. 다이싱한 후의 반도체 칩은 상기 소정의 공정을 거쳐 픽업할 때까지, 다이싱 테이프 상에 유지될 필요가 있다. 그러나, 다이싱시에 다이싱 테이프가 열화하면, 다이싱 테이프가 익스팬드의 장력에 내구하지 못하고 끊어지거나, 의도치 않게 반도체 칩이 다이싱 테이프로부터 탈락하는 경우가 있었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 다이싱한 후의 다이싱 테이프의 강도를 유지하는 것이 가능한 다이싱 테이프 및 반도체 부품의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 형태는 다이싱 테이프 본체와, 상기 다이싱 테이프 본체를 보호하는 보호층을 갖고, 상기 다이싱 테이프 본체는 점착제층과, 상기 점착제층을 지지하는 제1 기재 필름을 가지며, 상기 보호층은 제2 기재 필름과, 상기 제2 기재 필름을 상기 제1 기재 필름에 접합하는 접착제층을 갖는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프를 제공한다.
본 형태의 다이싱 테이프에 있어서, 상기 점착제층이 에너지선의 조사에 의해 경화하여 점착력을 저하시킬 수 있으며, 상기 제1 기재 필름, 상기 제2 기재 필름 및 상기 접착제층이 상기 에너지선을 투과할 수 있고, 상기 에너지선의 조사 후에 있어서도 상기 접착제층이 상기 제2 기재 필름을 상기 제1 기재 필름에 접합하는 구성이어도 된다.
본 형태의 다이싱 테이프에 있어서, 상기 다이싱 테이프의 신장률이 80％ 이상이며, 상기 접착제층의 신장률이 상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름의 신장률보다 큰 구성이어도 된다.
본 형태의 다이싱 테이프에 있어서, 상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름이 폴리이미드(PI) 수지, 폴리에테르설폰(PES) 수지, 폴리페닐렌설파이드(PPS) 수지, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 수지, 폴리아미드이미드(PAI) 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 수지, 에폭시 수지, 불소 수지로부터 선택되는 수지 필름으로 이루어지는 구성이어도 된다.
본 형태의 다이싱 테이프에 있어서, 상기 점착제층의 상기 제1 기재 필름과는 반대측의 점착면에 박리 필름을 갖는 구성이어도 된다.
또한, 본 형태에 따른 반도체 부품의 제조 방법은, 상기 어느 하나의 다이싱 테이프를 첩부한 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 절단하는 공정, 및 상기 다이싱 테이프로부터 상기 반도체 칩을 박리하는 공정을 적어도 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 각 형태에 의하면, 다이싱 테이프 본체가 다이싱시에 열화되더라도, 보호층에 의해, 다이싱한 후의 다이싱 테이프의 강도를 유지할 수 있다. 이 때문에, 반도체 부품의 제조 방법에 있어서도, 다이싱 테이프로부터 반도체 칩이 탈락하는 것을 억제하여 생산성을 향상할 수 있다.
도 1은 다이싱 테이프의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 다이싱한 후의 다이싱 테이프의 일례를 나타내는 단면도이다.
이하, 바람직한 실시형태에 기초하고, 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
본 실시형태의 다이싱 테이프(10)는 반도체 웨이퍼 등의 피착체(도시하지 않음)의 다이싱에 사용되는 다이싱 테이프 본체(15)와, 다이싱 테이프 본체(15)를 보호하는 보호층(16)을 갖는다. 다이싱 테이프 본체(15)는 점착제층(11)과, 점착제층(11)을 지지하는 제1 기재 필름(12)을 갖는다. 보호층(16)은 제2 기재 필름(14)과, 제2 기재 필름(14)을 제1 기재 필름(12)에 접합하는 접착제층(13)을 갖는다.
점착제층(11)은 점착력에 의해 반도체 웨이퍼 등의 피착체를 고정한다. 피착체는 점착제층(11)의 점착면(11a)에 고정된다. 점착제층(11)을 구성하는 점착제로는 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제 등을 들 수 있다. 점착제층(11)에 피착체가 고정되지 않는 동안에는, 점착제층(11)의 점착면(11a)에 박리 필름(17)을 가져도 된다. 제1 기재 필름(12)은 점착제층(11)의 점착면(11a)과는 반대측 면에 적층되어 있다. 점착제층(11)과 제1 기재 필름(12)의 접합력을 향상하기 위해, 제1 기재 필름(12)은 점착제층(11)과의 사이에 앵커제층을 가져도 된다.
제1 기재 필름(12)으로는 특별히 한정되지 않지만, 폴리에틸렌(PE：polyethylene) 수지, 폴리프로필렌(PP：polypropylene) 수지 등의 폴리올레핀 수지; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET：Polyethylene terephthalate) 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT：Polybutylene terephthalate) 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN：polyethylene naphthalate) 수지 등의 폴리에스테르 수지; 나일론 등의 폴리아미드(PA：polyamide) 수지, 폴리이미드(PI：polyimide) 수지, 폴리카보네이트(PC：polycarbonate) 수지, 폴리에테르설폰(PES：Polyether Sulfone) 수지, 폴리페닐렌설파이드(PPS：Poly Phenylene Sulfide) 수지, 폴리에테르에테르케톤(PEEK：polyetherether ketone) 수지, 폴리아미드이미드(PAI：Polyamide-imide) 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN：polyethylene naphthalate) 수지, 에폭시 수지(epoxy resin), 불소 수지(fluorocarbon polymers) 등 중에서 적어도 1종의 수지로 이루어지는 수지 필름을 들 수 있다. 또한, 상기 제1 기재 필름(12)을 구성하는 수지의 광학 특성은 특별히 한정되지 않고, 투명, 반투명, 불투명을 불문하고 사용할 수 있다. 제1 기재 필름(12)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 5∼500㎛를 들 수 있다.
점착제층(11)을 고정한 반도체 웨이퍼 등의 피착체(21)를 반도체 칩 등의 개편상으로 절단하는 다이싱 공정에 있어서는, 피착체(21)를 절단하는 다이싱 홈(22)이 점착제층(11)의 두께 방향의 적어도 일부까지 도달해도 된다. 또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 다이싱 홈(22)이 제1 기재 필름(12)의 두께 방향의 적어도 일부까지 도달해도 된다. 종래 기술의 다이싱 테이프에서는, 다이싱 홈에 의한 흠집이 기재에 도달하면, 경우에 따라서는, 다이싱 테이프가 익스팬드의 장력에 내구할 수 없게 되는 등의 문제가 있었다.
본 실시형태의 다이싱 테이프(10)에서는, 보호층(16)으로서 접착제층(13)을 개재하여, 제2 기재 필름(14)이 제1 기재 필름(12)에 접합되어 있다. 제2 기재 필름(14)은 제1 기재 필름(12)과 마찬가지로, 익스팬드의 장력 등에 내구할 수 있는 강도를 갖는다. 이에 의해, 다이싱 테이프 본체(15)의 제1 기재 필름(12)이 흠집 등에 의해 열화되더라도, 보호층(16)에 의해 다이싱 테이프(10)의 강도를 유지할 수 있다.
제2 기재 필름(14)으로는 특별히 한정되지 않지만, 폴리에틸렌(PE) 수지, 폴리프로필렌(PP) 수지 등의 폴리올레핀 수지; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 수지 등의 폴리에스테르 수지; 나일론 등의 폴리아미드(PA) 수지, 폴리이미드(PI) 수지, 폴리카보네이트(PC) 수지, 폴리에테르설폰(PES) 수지, 폴리페닐렌설파이드(PPS) 수지, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 수지, 폴리아미드이미드(PAI) 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 수지, 에폭시 수지, 불소 수지 등 중에서 적어도 1종의 수지로 이루어지는 수지 필름을 들 수 있다. 또한, 상기 제2 기재 필름(14)을 구성하는 수지의 광학 특성은 특별히 한정되지 않고, 투명, 반투명, 불투명을 불문하고 사용할 수 있다. 제2 기재 필름(14)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 5∼500㎛를 들 수 있다.
접착제층(13)을 구성하는 접착제로는, 특별히 한정되지 않지만, 점착제(감압형 접착제), 경화형 접착제, 반응형 접착제, 용제형 접착제 등을 들 수 있다. 접착제의 구체예로는, 예를 들면, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 에폭시계 접착제, 우레탄계 접착제, 올레핀계 히트 실링제 등의 적어도 1종을 들 수 있다. 접착제층(13)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 10∼500㎛를 들 수 있다.
점착제층(11)은 상술한 픽업 공정에 있어서, 피착체에 대한 점착력을 저하시킬 수 있는 것이 바람직하다. 예를 들면 점착제층(11)에 광경화성 수지나 광중합 개시제 등의 감광성 재료를 첨가함으로써, 점착제층(11)이 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받았을 때 경화하여 점착력을 저하시킬 수 있다. 이 경우, 제1 기재 필름(12), 접착제층(13) 및 제2 기재 필름(14)은, 점착제층(11)을 경화시키기 위한 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다. 예를 들면, 제1 기재 필름(12) 및 제2 기재 필름(14)의 투과율이 365㎚, 405㎚ 또는 이들 사이의 파장에 있어서 15％ 이상이며, 접착제층(13)의 투과율이 제1 기재 필름(12) 및 제2 기재 필름(14)의 투과율과 동일한 파장에 있어서 80％ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 접착제층(13)은 에너지선의 조사 후에 있어서도 접착력이 실질적으로 변화하지 않고, 제2 기재 필름(14)을 제1 기재 필름(12)에 접합하고 있는 것이 바람직하다. 이를 위해서는, 접착제층(13)이 광경화성 수지나 광중합 개시제 등의 감광성 재료를 함유하지 않는 것이 바람직하다.
다이싱 후의 피착체를 다이싱 테이프(10)의 점착제층(11)으로부터 박리하는 픽업 공정에 있어서, 익스팬드 공정을 행하는 경우에는, 다이싱 테이프(10)의 신장률이 80％ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 접착제층(13)의 신장률이 제1 기재 필름(12) 및 제2 기재 필름(14)의 신장률보다 큰 것이 바람직하다. 여기서, 신장률은 예를 들면, 필름이 정속의 인장에 의해 파단한 시점의 신장을 ％로 나타낸 값이다. 구체적으로는, 인장 시험 전의 시료의 길이를 Lo로 하고, 파단시의 시료의 길이를 L로 했을 때, 신장률은 (L－Lo)／Lo×100(％)으로 나타낸다. 신장률이 클수록 인장력에 대해 유연한 필름이다.
제1 기재 필름(12) 및 제2 기재 필름(14)은, 내열성이 높은 수지로서 예를 들면, 가열 온도 200℃∼260℃에서의 가열 처리에 대한 내열성을 갖는 것이 바람직하다. 내열성 수지의 구체예로는 예를 들면, 폴리이미드(PI) 수지, 폴리에테르설폰(PES) 수지, 폴리페닐렌설파이드(PPS) 수지, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 수지, 폴리아미드이미드(PAI) 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 수지, 에폭시 수지, 불소 수지 등의 적어도 1종을 들 수 있다.
제1 기재 필름(12) 또는 제2 기재 필름(14)의 적어도 한쪽에 있어서, 내열성과 유연성을 겸비하는 수지로서 예를 들면, 탄소수가 3개 이상인 지방족 유닛을 방향족 유닛 사이에 갖는 고연신성 폴리이미드 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 지방족 유닛은 탄소수가 1∼10 정도인 알킬렌기를 갖는 폴리알킬렌옥시기를 포함하는 것이 바람직하다. 폴리이미드 수지층을 형성하기 위한 재료로서 용제 가용형 폴리이미드 바니시를 사용해도 된다.
박리 필름(17)으로는, 다이싱 테이프(10)의 미사용시에는 점착제층(11)을 피복하여 점착제층(11)을 보호하고, 피착체를 고정하기 전에 박리 제거할 수 있는 필름이면 특별히 한정되지 않는다. 박리 필름(17)은 예를 들면, 실리콘계 박리제, 불소계 박리제, 장쇄 알킬계 박리제 등으로 이루어지는 박리제층을 표면에 갖는 수지 필름이어도 되며, 혹은 표면에 박리제층을 갖지 않는 수지 필름이어도 된다. 박리 필름(17)은 다이싱 공정 및 픽업 공정에 앞서 제거되기 때문에 내열성, 고연신성, 에너지선 투과성 등이 우수할 필요는 없지만, 점착제층(11)의 육안 검사를 용이하게 하기 위해, 투명성을 가져도 된다.
다이싱 테이프(10)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 제1 기재 필름(12)과 제2 기재 필름(14)을 접착제층(13)을 개재하여 접합한 후, 점착제층(11)을 형성해도 된다. 박리 필름(17) 상에 점착제층(11)을 형성한 후, 제1 기재 필름(12)과 제2 기재 필름(14)을 접착제층(13)을 개재하여 접합한 적층체와 복합시켜도 된다. 박리 필름(17) 상에 점착제층(11), 제1 기재 필름(12), 접착제층(13), 제2 기재 필름(14)을 도포 등에 의해 순서대로 형성해도 된다.
다이싱 테이프(10)를 롤상으로 권회하는 경우에는, 다이싱 테이프 본체(15), 보호층(16) 및 박리 필름(17)을 갖는 적층체를 롤상으로 해도 된다. 또한, 박리 필름(17)을 생략하여, 다이싱 테이프 본체(15)의 점착제층(11)이 보호층(16)의 제2 기재 필름(14)과 중첩되도록 권회해도 된다. 박리 필름(17)을 생략하는 경우에는, 제2 기재 필름(14)이 박리 필름(17)의 기능을 겸해도 되며, 제2 기재 필름(14)의 배면(14a)에 박리제층을 형성해도 된다.
다이싱 테이프(10)를 사용한 반도체 부품의 제조 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(11)에 반도체 웨이퍼를 고정하는 고정 공정, 다이싱 테이프(10)를 첩부한 반도체 웨이퍼를 절단하여 점착제층(11) 상에 반도체 칩을 얻는 다이싱 공정, 다이싱 테이프(10)로부터 반도체 칩을 박리하는 픽업 공정을 갖는 제조 방법을 들 수 있다.
다이싱 공정, 픽업 공정은, 주체나 장소 등이 고정 공정과는 상이한 상황에서 실시되어도 된다. 픽업 공정으로는 특별히 한정되지 않지만, 점착제층(11) 상에 반도체 칩을 고정한 다이싱 테이프(10)를 연신하여 반도체 칩의 간격을 확대하는 익스팬드 공정 후, 점착제층(11)에 에너지선을 조사하여 점착제층(11)의 점착력을 저하시켜도 된다. 다이싱 공정 후의 반도체 칩을 점착제층(11) 상에 고정해 둔 상태에서, 반도체 칩을 리드 프레임 등의 다른 부품과 납땜하는 리플로우 공정을 실시해도 된다.
다이싱 테이프(10)가 리플로우 공정에 적용되는 경우에는, 다이싱 테이프(10)가 리플로우 공정에 견디는 내열성을 갖는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 픽업 공정을 리플로우 공정 후에 행할 수도 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시형태에 기초하여 설명해 왔지만, 본 발명은 상술한 실시형태로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 각종 개변이 가능하다.
피착체로는, 실리콘(Si) 등의 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩으로 한정되지 않고, 유리 기판, 금속 기판, 수지 기판, 이들의 1종 이상을 포함하는 적층체, 전자 기기 등을 들 수 있다. 이들의 피착체에 있어서도 상술한 반도체 부품의 제조 방법과 동일하게 하여, 다이싱 테이프를 첩부한 피착체를 칩상으로 절단하는 공정을 행한 후, 다이싱 테이프로부터 칩상의 절단편을 박리하는 공정을 행할 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명한다.
실시예 1∼3의 다이싱 테이프는 자외선 경화성 점착제로 이루어지는 점착제층, 앵커제층, 제1 기재 필름, 접착제층, 제2 기재 필름의 순서로 적층된 구성으로 하여 제작했다. 또한, 비교예 1∼4의 다이싱 테이프는 자외선 경화성 점착제로 이루어지는 점착제층, 앵커제층, 기재 필름의 순서로 적층된 구성으로 하여 제작했다.
표 1에 있어서, 「제1 기재 필름의 재료」는, 실시예 1∼3의 제1 기재 필름, 비교예 1∼4의 기재 필름을 구성하는 재료를 나타낸다. 「제2 기재 필름의 재료」는, 실시예 1∼3의 제2 기재 필름을 구성하는 재료를 나타낸다. 「PI1」은, 미츠이 화학 주식회사 제조의 용제 가용형 폴리이미드 바니시(상품명 MP17A)이다. 「PI2」는, 도레이 듀폰 주식회사의 폴리이미드 필름(상품명 캡톤(등록상표) 200H)이다. 「PEEK」는, 신에츠 폴리머 주식회사 제조의 폴리에테르에테르케톤 필름(상품명 Shin-Etsu Sepla Film PEEK(등록상표))이다. 「PVC」는, 폴리염화비닐 수지 필름이다. 비교예 1∼4에서는, 기재 필름의 두께를 「제1 기재 필름」의 란에 기재하고, 「제2 기재 필름」 및 「접착제층」의 란을 「없음」이라고 표기했다.
Figure pat00001
전광선 투과율은 주식회사 무라카미 색채기술연구소 제조의 측정기를 사용하여 측정했다.
헤이즈는 국제 조명 위원회(CIE) 표준 일루미넌트 D65 광원을 사용하고, 반복 3회 측정하여 평균값을 채용했다.
분광 투과율은 일본 분광 주식회사 제조의 분광 광도계 V-670을 사용하고, 365㎚, 405㎚, 435㎚의 파장마다 반복 3회 측정하여 평균값을 채용했다.
인장 특성(영률, 인장 강도, 인장 신도)은 주식회사 시마즈 제작소 제조의 시험기 AGS-X500N을 사용하여, 시료의 사이즈를 폭 15㎜×길이 120㎜로 하고, 온도 23℃(실온), 인장 속도 50㎜/min, 시료의 양단을 척으로 10㎜ 잡아, 척간 거리를 100㎜로 하는 조건으로, 반복 3회 측정하여 평균값을 채용했다.
영률은 차트의 초기 기울기로부터 구했다.
인장 강도는 시료가 파단했을 때의 강도를 측정했다.
인장 신도는 시료가 파단했을 때의 신장률을 측정했다.
내열성은 상기 인장 특성과 동일한 형식의 시료를 오븐에 넣어 260℃에서 10분간 가열하고, 오븐으로부터 꺼낸 후의 시료에 대해 외관 변화, 영률, 인장 강도, 인장 신도를 측정했다. 외관 변화는 육안으로 주름 등의 유무를 관찰하여 「없음」 또는 「있음」으로 평가했다. 내열성에 있어서의 영률, 인장 강도, 인장 신도는 시료가 오븐 가열을 거쳤는지 아닌지 이외에는, 상술한 인장 특성과 동일하게 측정했다.
점착력은 주식회사 시마즈 제작소 제조의 EZ Graph를 사용하고, 시료의 사이즈를 폭 10㎜×길이 100㎜로 하며, 온도 23℃(실온), 피착체는 SUS판, 첩합 방법은 2kg 롤러, 첩합 영역은 폭 10㎜×길이 90㎜로 하고, 인장 속도 300㎜/min, 박리 각도 180°로 하는 조건으로, 반복 3회 측정하여 평균값을 채용했다.
자외선(UV) 조사는, 아이그래픽스 주식회사 제조의 자외선 조사 장치를 이용하고, 메탈 할라이드 램프로 적산 광량 4000mJ로 했다. 표 1에서는, 자외선 조사 전의 점착력을 「초기」, 자외선 조사 후의 점착력을 「UV 조사 후」라고 했다.
＜하프컷 실험＞
폭 15㎜×길이 120㎜로 잘라낸 시료에 대해, 커터를 사용하여 중심부에 일직선으로 하프컷을 행했다. 하프컷을 행한 시료에 대해, 표 1의 하프컷을 행하지 않은 시료의 인장 특성과 동일하게 인장 특성(영률, 인장 강도, 인장 신도)의 측정을 행했다. 결과를 표 2에 나타낸다. 한편, 하프컷 실험은 실시예 2, 3, 비교예 1, 3에 대해서만 행했다.
Figure pat00002
실시예 1∼3의 다이싱 테이프에 의하면, 리플로우 공정에 견딜 수 있는 내열성과, 픽업 공정에 적합한 인장 특성 및 점착 특성을 갖고 있었다. 또한, 실시예 2, 3의 다이싱 테이프에 의하면, 하프컷을 행한 시료의 인장 신도가 충분히 큰 것이 판명되었다. 이 점에서, 제1 기재 필름의 이측에 제2 기재 필름을 적층한 다이싱 테이프이면, 하프컷 후에 다이싱 홈에 의한 흠집이 제1 기재 필름에 도달한 경우여도, 인장에 의해 파단되기 어려운 것을 알 수 있다.
비교예 1, 3의 다이싱 테이프에 의하면, 하프컷을 행한 시료의 인장 신도가 현저히 저하했다. 이 점에서, 기재 필름이 단층인, 즉 제2 기재 필름이 존재하지 않는 다이싱 테이프는 하프컷 후에 다이싱 홈에 의한 흠집이 기재 필름에 도달하면, 인장에 의해 용이하게 파단되는 것을 알 수 있다.
또한, 비교예 1∼3의 다이싱 테이프는 기재 필름의 자외선 투과성이 낮기 때문에, UV 조사 후의 점착력이 저하되지 않고, 픽업 공정에 적합한 점착 특성을 갖지 않았다.
비교예 4의 다이싱 테이프는 오븐 가열을 하지 않으면 픽업 공정에 적합한 인장 특성을 갖고 있지만, 기재 필름의 내열성이 낮기 때문에, 오븐 가열 후에 인장 신도가 저하되고, 익스팬드 공정에서 파단되기 쉬워져, 픽업 공정에 적합한 인장 특성을 갖지 않게 되었다.
10…다이싱 테이프, 11…점착제층, 11a…점착면, 12…제1 기재 필름, 13…접착제층, 14…제2 기재 필름, 14a…배면, 15…다이싱 테이프 본체, 16…보호층, 17…박리 필름, 21…피착체, 22…다이싱 홈.

Claims (16)

  1. 다이싱 테이프 본체와, 상기 다이싱 테이프 본체를 보호하는 보호층을 갖고, 상기 다이싱 테이프 본체는 점착제층과, 상기 점착제층을 지지하는 제1 기재 필름을 가지며,
    상기 보호층은 제2 기재 필름과, 상기 제2 기재 필름을 상기 제1 기재 필름에 접합하는 접착제층을 갖는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층이 에너지선의 조사에 의해 경화하여 점착력을 저하시킬 수 있으며, 상기 제1 기재 필름, 상기 제2 기재 필름 및 상기 접착제층이 상기 에너지선을 투과할 수 있고, 상기 에너지선의 조사 후에 있어서도 상기 접착제층이 상기 제2 기재 필름을 상기 제1 기재 필름에 접합하는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 다이싱 테이프의 신장률이 80％ 이상이며, 상기 접착제층의 신장률이 상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름의 신장률보다 큰 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름이 폴리이미드(PI) 수지, 폴리에테르설폰(PES) 수지, 폴리페닐렌설파이드(PPS) 수지, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 수지, 폴리아미드이미드(PAI) 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 수지, 에폭시 수지, 불소 수지 중 어느 하나의 수지로 이루어지는 수지 필름으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름이 폴리이미드(PI) 수지, 폴리에테르설폰(PES) 수지, 폴리페닐렌설파이드(PPS) 수지, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 수지, 폴리아미드이미드(PAI) 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 수지, 에폭시 수지, 불소 수지 중 어느 하나의 수지로 이루어지는 수지 필름으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 점착제층의 상기 제1 기재 필름과는 반대측의 점착면에 박리 필름을 갖는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 점착제층의 상기 제1 기재 필름과는 반대측의 점착면에 박리 필름을 갖는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 점착제층의 상기 제1 기재 필름과는 반대측의 점착면에 박리 필름을 갖는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
  9. 다이싱 테이프 본체와, 상기 다이싱 테이프 본체를 보호하는 보호층을 갖고, 상기 다이싱 테이프 본체는 점착제층과, 상기 점착제층을 지지하는 제1 기재 필름을 가지며,
    상기 보호층은 제2 기재 필름과, 상기 제2 기재 필름을 상기 제1 기재 필름에 접합하는 접착제층을 갖는 다이싱 테이프를 첩부한 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 절단하는 공정, 및
    상기 다이싱 테이프로부터 상기 반도체 칩을 박리하는 공정을 적어도 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 부품의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 다이싱 테이프로서, 상기 점착제층이 에너지선의 조사에 의해 경화하여 점착력을 저하시킬 수 있으며, 상기 제1 기재 필름, 상기 제2 기재 필름 및 상기 접착제층이 상기 에너지선을 투과할 수 있고, 상기 에너지선의 조사 후에 있어서도 상기 접착제층이 상기 제2 기재 필름을 상기 제1 기재 필름에 접합하는 다이싱 테이프를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품의 제조 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    신장률이 80％ 이상이며, 상기 접착제층의 신장률이 상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름의 신장률보다 큰 다이싱 테이프를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품의 제조 방법.
  12. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름이 폴리이미드(PI) 수지, 폴리에테르설폰(PES) 수지, 폴리페닐렌설파이드(PPS) 수지, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 수지, 폴리아미드이미드(PAI) 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 수지, 에폭시 수지, 불소 수지 중 어느 하나의 수지로 이루어지는 수지 필름으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 부품의 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1 기재 필름 및 상기 제2 기재 필름이 폴리이미드(PI) 수지, 폴리에테르설폰(PES) 수지, 폴리페닐렌설파이드(PPS) 수지, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 수지, 폴리아미드이미드(PAI) 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 수지, 에폭시 수지, 불소 수지 중 어느 하나의 수지로 이루어지는 수지 필름으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 부품의 제조 방법.
  14. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 점착제층의 상기 제1 기재 필름과는 반대측의 점착면에 박리 필름을 갖는 다이싱 테이프를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품의 제조 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
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