TW202127659A - 有機發光顯示設備 - Google Patents

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尹貞伊
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Abstract

本發明揭露一種有機發光顯示設備，其包含：包含顯示區域和外圍區域的第一基板；相對於第一基板的第二基板；設置在第一基板上且包含一個或多個開口的絕緣層；以及使第一基板和第二基板彼此互連且置於第一基板和第二基板之間的密封件。一個或多個開口被設置於設置在顯示區域上的第一導電層和設置在外圍區域上的第二導電層之間。一個或多個開口至少部分地或全部地填充有密封件。

Description

有機發光顯示設備
本申請案主張於2015年4月3日向韓國智慧財產局申請之申請案號為10-2015-0047542的權益，其揭露的全部內容整合於此以供參照。
本發明的一個或多個實施例係有關於一種有機發光顯示設備。
使用顯示設備來向使用者提供視覺訊息，諸如圖像或影像。此種顯示設備被以各種類型製造，以顯示視覺訊息，即，圖像或影像。
特別是，有機發光顯示設備是透過電刺激有機化合物發光的自發光顯示設備。因此，有機發光顯示設備可以低電壓運作且可被製造得較薄，並且因此，可以具有寬的視角和快速的響應速度。因此，有機發光顯示設備已被認為是能夠處理液晶顯示器(LCD)設備的問題的下一代顯示設備。
在此種有機發光顯示設備中，密封件可被用來使下部基板和上部基板彼此接合。其中，密封件所在的部分成為可能不顯示圖像的無效空間。
在一般情況下，在有機發光顯示設備中，用於使下部基板和上部基板彼此接合的密封件所佔據的區域，即無效空間，是大的。
本發明的一態樣提供一種有機發光顯示設備，其可包含：包含顯示區域和外圍區域的第一基板；相對於第一基板的第二基板；設置在第一基板上且包含一個或多個開口的絕緣層；以及使第一基板和第二基板彼此互連且置於第一基板和第二基板之間的密封件，其中一個或多個開口被設置於設置在顯示區域的第一導電層和設置在外圍區域的第二導電層之間，且一個或多個開口至少部分或全部填充有密封件。
在前述的有機發光顯示設備中，第一導電層可以是設置在顯示區域上的電力線。密封件可接觸第一導電層。第一導電層可設置在與第二導電層不同的層高。第一導電層可設置在絕緣層上方，而第二導電層設置在絕緣層下方。第一導電層和第二導電層彼此可由不同的材料形成。第一導電層和第二導電層中的至少其一可包含金屬。
仍然在前述有機發光顯示設備中，當在垂直於第一基板的主表面之觀看方向觀察時，一個或多個開口可沿著密封件的長度方向延伸。當在垂直於第一基板的主表面的觀看方向觀察時，一個或多個開口可以包含於密封件的長度方向分離的第一和第二開口。在第一和第二開口之間的距離可小於每個第一和第二開口的最大寬度。一個或多個開口可以多邊形、圓形、和橢圓形中的其一形成。
此外，在前述有機發光顯示設備中，該設備可進一步包含形成在顯示區域上的電晶體，其中第一導電層包含一材料，其相同於形成電晶體的汲極電極和源極電極中的至少其一的材料。第二導電層可以包含一材料，其相同於形成電晶體的閘極電極的材料。與形成第一導電層的材料相同的材料可設置在一個或多個開口中的至少其一中。密封件可具有在其面對第一基板之下表面測量的第一寬度及在其面對第二基板之上表面測量的第二寬度，第一寬度與第二寬度不同。第一寬度可以小於第二寬度。絕緣層可包含一材料，其與形成在顯示區域上形成的層間絕緣層的材料相同。
本發明的另一個態樣提供了一種有機發光顯示設備，其可包含：包含顯示區域和外圍區域的第一基板；相對於第一基板的第二基板；設置在第一基板上且包含一個或多個開口的絕緣層；以及使第一基板和第二基板彼此互連且置於第一基板和第二基板之間的密封件，其中一個或多個開口中的至少其一形成在設置於顯示區域上的第一導電層中，且一個或多個開口填充有密封件。
在前述有機發光顯示設備中，第一導電層可以是顯示區域的電力線。有機發光顯示設備可以進一步包含設置在外圍區域的第二導電層，其中第一導電層和第二導電層彼此重疊。
一個或多個實施例包含一種能夠減少密封件分離，同時減少無效空間的有機發光顯示設備以及製造有機發光顯示設備的方法。
一個或多個實施例包含一種能夠提高密封件的接合力的有機發光顯示設備以及製造有機發光顯示設備的方法。
其餘態樣部分將闡述在隨後的描述中，並且部分將自描述顯而易見，或者可以自所述實施例的實踐而獲悉。
根據一個或多個實施例，一種有機發光顯示設備包含：包含顯示區域和外圍區域的第一基板；面對第一基板的第二基板；設置在第一基板上且包含一個或多個開口的絕緣層；以及使第一基板和第二基板彼此接合的密封件，其中一個或多個開口被設置於設置在顯示區域上的第一導電層和設置在外圍區域上的第二導電層之間，且密封件填充一個或多個開口。
第一導電層可以是顯示區域的電力線。
密封件可以接觸第一導電層。
第一導電層可設置在與第二導電層不同的層高。
第一導電層可設置在絕緣層上方，而第二導電層可被絕緣層覆蓋。
第一導電層和第二導電層彼此可以由不同的材料形成。
第一導電層和第二導電層中的至少其一可包含金屬。
一個或多個開口可在密封件的長度方向形成為長的。
複數個開口可以在密封件的長度方向分離。
複數個開口中的相鄰開口之間的距離可以小於複數個開口的最大寬度。
一個或多個開口可以多邊形、圓形、和橢圓形中其一形成。
顯示區域可包含電晶體，且第一導電層包含一材料，其相同於形成電晶體的汲極電極和源極電極中的至少其一的材料。
第二導電層可以包含一材料，其相同於形成電晶體的閘極電極的材料。
在一個或多個開口中的部分區域可以包含一材料，其相同於形成第一導電層的材料。
密封件下部區域的寬度可與密封件上部區域的寬度不同。
密封件下部區域的寬度可以小於密封件上部區域的寬度。
絕緣層可包含一材料，其相同於形成在顯示區域上的層間絕緣層的材料。
根據一個或多個實施例，有機發光顯示設備包含：包含顯示區域和外圍區域的第一基板；面對第一基板的第二基板；設置在第一基板上且包含一個或多個開口的絕緣層；以及使第一基板和第二基板彼此接合的密封件，其中一個或多個開口形成於設置在顯示區域上的第一導電層中，且密封件填充一個或多個開口。
第一導電層可以是顯示區域的電力線。
有機發光顯示設備可進一步包含設置在外圍區域上的第二導電層，其中第一導電層和第二導電層彼此部分重疊。
在下文中，本發明的概念將參照其中展示本發明概念的實施例之附圖而更全面地描述。但是，本發明的概念可以許多不同的形式來實施且不應被解釋為限於這裡所闡述的實施例。相反地，提供這些實施例將使得本公開徹底且完整，並且將充分地傳達本發明的概念的範圍至本領域的通常知識者。為了便於說明，附圖中的元件尺寸可以被放大。換句話說，附圖中組件的尺寸和厚度可為了說明上之方便而被任意地示出，以下實施例並不限於此。
雖然術語如「第一(first)」、「第二(second)」等可用來描述各種元件，但此等元件不受上述術語限制。上述術語僅用以區分一元件與另一元件。
本說明書中所使用的術語僅僅用於描述具體的實施例，而不意欲限制本發明的概念。使用單數的表述包含複數表述，除非其在上下文中有明確不同的含義。在本說明書中，可以理解的是，術語如「包含(including)」、「具有(having)」和「包含(comprising)」意指本說明書中公開的特徵、整數、步驟、操作、元件、部件或其組合之存在，但不意欲排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、部件或其組合之存在或可增加一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、部件或其組合。
應理解，當一層、區或元件被稱為形成或設置在另一層、區或元件「上(on)」時，其可直接或間接形成或設置在另一層、區或元件上。例如，一個或多個中間層、區或元件可存在於其中。在此，使用術語「和/或(and/or)」包含一個或多個相關所列項目的任意組合和所有組合。當如「中的至少其一(at least one of)」之表述後綴於一列元件時，修飾整列元件，而非修改該列中的單個元素。
在實施例中，假設顯示設備100為有機發光顯示設備，但不限於此。顯示設備100可為被施加預定的電力以顯示圖像的顯示設備，例如，液晶顯示器(LCD)設備、場發射顯示器(FED)設備、或電子紙顯示(EPD)設備。
第1圖是根據實施例的顯示設備100的示意圖，而第2圖是第1圖的顯示設備100的平面示意圖。
參照第1圖和第2圖，顯示設備100包含第一基板(或薄板)10，以及第二基板(或薄板)20，其設置成使得第二基板20的下表面面向第一基板10的上表面。顯示設備100包含顯示區域40，和當由垂直於第一基板10的上表面的觀看方向觀察時，環繞顯示區域40，同時使第一基板10和第二基板20彼此接合的密封件(或密封元件)30。
第一基板10可以主要由含二氧化矽(SiO2 )的透明玻璃材料形成，但不限於此。在替代實施例中，第一基底10可以由透明塑料材料形成。第一基板10可以是可撓性基板。由於比重比玻璃基板大，可撓性基板可以是由輕的、不易破碎的，且可撓性的材料形成，例如，像是可撓性塑料膜之聚合物材料。
顯示區域40可包含用於驅動之薄膜電晶體、電容器、和有機發光二極體OLED在第一基板10上。在實施例中，顯示區域40可以包含形成陣列的複數個OLED。顯示區域40將在後面更詳細地描述。
第二基板20對應於第一基板10，且可以由各種材料形成，例如玻璃材料、金屬材料、或塑料材料。在實施例中，可以在第二基板20上形成執行各種功能的功能層。例如，此功能層可以包含選自偏光板、觸控螢幕、和覆蓋窗中的至少其一。
觸控螢幕可具有其中觸控螢幕圖樣直接形成在第二基板20上之結構，例如， On-Cell式觸控螢幕面板。偏光板可以防止外部光被顯示區域40反射。覆蓋窗可保護顯示設備100。
第一基板10和第二基板20可以經由密封件30彼此接合。密封件30被設置成接觸顯示區域40的一部分。密封件30封裝顯示區域40以與外界隔開。因此，密封件30可以保護顯示區域40抵抗外界。吸濕劑或填料可以被設置在由第一基板10、第二基板20和密封件30密封的內部空間S內。
因密封件30的一部分接觸顯示區域40的一部分，從而可減少因為密封件30所產生的無效空間。另外，由於密封件30和顯示區域40部分地彼此接觸，從而可在減少無效空間時維持顯示區域40的面積。
焊盤部50可以安裝在未被第二基板20覆蓋的第一基板10的邊緣。將焊盤部50連接到顯示區域40的金屬線可設置在第一基板10和密封件30之間。
此外，密封件30可以當向其施加預定熱能時熔化的材料來形成。密封件30可以透過照射光來熔化。在實施例中，密封件30可以包含，例如，玻璃料。
例如，於使第一基板10和第二基板20相互對準之後，如紫外(UV)射線或雷射光束之光可以透過第二基板20照射。密封件30由於光的照射而熔化，然後，第一基板10和第二基板20可以彼此連接。由於密封件30在熔化及固化被壓縮，從而可降低密封件30的厚度。
此外，密封件30上部區域的寬度w1可與密封件30下部區域的寬度w2不同。例如，在密封件30中，上部區域的寬度w1可以比下部區域的寬度w2大。因此，當密封件30下部區域的寬度w2形成為窄的時，則可以被防止因密封件30推壓顯示區域40所造成的顯示區域40(具體而言是電路區域)的短路。
在實施例中，密封件包含面對第二基板20的上表面和面對第一基板10的下表面。寬度w1可以在上表面進行測量而寬度w2可以在下表面來測量。當減少寬度w2時，於下表面與該下表面接觸的表面之間的接觸面積可以減少。因此，為了提供足夠的接觸面積，在實施例中，密封件30的下部部分可以包含收置在孔和/或溝槽中之複數個突起。如後所述，在實施例中，根據實施例之顯示設備100可包含具有複數個開口的絕緣層，以減小密封件30的下部區域的寬度，且密封件30可被填充在複數個開口中。
第3圖是第1圖的顯示設備100放大一部分的橫截面圖。
顯示設備可包含主動區域AA，及從主動區域AA朝向外圍區域延伸的電路區域CA。包含切削區域之、邊緣區域EA可以在外圍形成。隔間密封區域(cell seal area)CSA被設置在主動區域AA和邊緣區域EA之間。主動區域AA和電路區域CA成為顯示區域，而外圍區域包含邊緣區域EA和隔間密封區域CSA的至少一部分。
主動區域AA包含顯示圖像的區域，且電路區域CA包含其中形成用於向主動區域AA的裝置電性傳送訊號的電路圖樣的區域。此外，隔間密封區域CSA包含用於將第一基板10和第二基板20彼此接合的區域。在根據實施例的顯示設備100中，顯示區域可以部分重疊隔間密封區域CSA。在實施例中，顯示區域的一部分，例如，電路區域CA的一部分，可重疊隔間密封區域CSA的一部分。因此，在減少無效空間時，可不減少顯示區域的面積。
緩衝層203形成在第一基板10上。緩衝層203可平坦化第一基板10的表面，並防止濕氣或外界空氣滲入到第一基板10。緩衝層203可形成為無機層，如氧化矽、有機層，如聚醯胺、或無機層和有機層的堆疊結構。
至少一個薄膜電晶體形成在每個主動區域AA和電路區域CA上。複數個薄膜電晶體可以設置在每個主動區域AA和電路區域CA上。在實施例中，不同類型的薄膜電晶體設置在主動區域AA及電路區域CA上，但不限於此。
設置在主動區域AA的第一薄膜電晶體TFT1可包含：第一半導體主動層204、第一閘極電極205、第一源極電極206和第一汲極電極207。第一閘極絕緣層208和第二閘極絕緣層209設置在第一閘極電極205和第一半導體主動層204之間，以使第一半導體主動層204與第一閘極電極205絕緣。
第二薄膜電晶體TFT2被設置在電路區域CA上。第二薄膜電晶體TFT2可以包含第二半導體主動層210、第二閘極電極211、第二源極電極212和第二汲極電極213。第一閘極絕緣層208被設置在第二半導體主動層210和第二閘極電極211之間，以使第二半導體主動層210與第二閘極電極211絕緣。
當比較第二薄膜電晶體TFT2與第一薄膜電晶體TFT1時，第一薄膜電晶體TFT1進一步包含第二閘極絕緣層209於半導體主動層和閘極電極之間。在實施例中，第一薄膜電晶體TFT1具有比第二薄膜電晶體TFT2厚的閘極絕緣層。如果提供厚的閘極絕緣層，則施加到閘極電極上的閘極電壓的驅動範圍可變得更大。
第一薄膜電晶體TFT1可以是用於驅動有機發光二極體OLED的驅動TFT。驅動薄膜電晶體的驅動範圍變大可表示控制從有機發光二極體OLED發射的光具有大的灰階。
第一閘極電極205和第二閘極電極211沒有形成在同一層上。因此，即使當第一薄膜電晶體TFT1和第二薄膜電晶體TFT2彼此相鄰設置，它們不會干擾彼此。因此，很多裝置可設置在相同的區域。
第一半導體主動層204和第二半導體主動層210可以在緩衝層203上形成。第一和第二半導體主動層204和210可由無機半導體(如非晶矽或多晶矽)或有機半導體形成。
根據本實施例，第一半導體主動層204和第二半導體主動層210可由氧化物半導體形成。例如，氧化物半導體包含選自IV、VI、XII、XIII和XIV族的金屬元素，如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)、鍺(Ge)、及鉿(Hf)的材料的氧化物以及其組合。
第一閘極絕緣層208形成在緩衝層203上，且覆蓋第一半導體主動層204和第二半導體主動層210。
第二閘極電極211形成在第一閘極絕緣層208上，且可重疊第二半導體主動層210的一部分。
第二閘極絕緣層209覆蓋第二閘極電極211。
第一閘極電極205形成在第二閘極絕緣層209上，且可以重疊第一半導體主動層204的一部分。
第一閘極電極205和第二閘極電極211可包含金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鉬(Mo)、和鉻(Cr)、或者其合金，如鋁(Al)：釹(Nd)或鉬(Mo)：鎢(W)所形成的單層或多層。
第一閘極絕緣層208和第二閘極絕緣層209可以包含無機層，例如氧化矽、氮化矽、或金屬氧化物。第一閘極絕緣層208和第二閘極絕緣層209中的每一個可以形成為單層或多個亞層。
層間絕緣層214被形成以覆蓋第一閘極電極205。層間絕緣層214可形成為無機層，例如氧化矽或氮化矽。根據實施例，層間絕緣層214可以形成為有機層，例如聚醯亞胺(polyimide)。
第一源極電極206和第一汲極電極207形成在層間絕緣層214上，且透過接觸孔接觸第一半導體主動層204。此外，第二源極電極212和第二汲極電極213形成在層間絕緣層214上，且透過接觸孔接觸第二半導體主動層210。
第一源極電極206、第二源極電極212、第一汲極電極207、和第二汲極電極213可以包含金屬、合金、金屬氮化物、導電性金屬氧化物、或透明導電材料。
薄膜電晶體不局限於上述結構，並且薄膜電晶體可以具有各種類型的結構。例如，薄膜電晶體形成為具有頂閘結構。然而，薄膜電晶體可形成為具有其中第一閘極電極205被設置在第一半導體主動層204下之底閘結構。
電容器215可形成在電路區域CA上。複數個電容器可形成在主動區域AA上。
電容器215包含第一電容器電極216、第二電容器電極217、和設置在第一和第二電容器電極216和217之間的第二閘極絕緣層209。第一電容器電極216可由與形成第二閘極電極211相同的材料來形成，且第二電容器電極217可由與形成第一閘極電極205相同的材料來形成。
平坦化層218覆蓋薄膜電晶體TFT1和TFT2和電容器215。平坦化層218形成在層間絕緣層214上。平坦化層218消除薄膜上的階差並平面化薄膜以提高將要形成在其上的有機發光二極體OLED的發光效率。根據此實施例，平坦化層218可具有用以暴露第一汲極電極207的一部分的通孔。
平坦化層218可由絕緣材料形成。例如，平坦化層218可透過使用各種沉積方法形成為包含無機材料、有機材料或有機/無機複合材料之單層結構或多層結構。
平坦化層218可以由有機材料，如聚丙烯酸酯樹脂(polyacrylates resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、或苯並環丁烯(benzocyclobutene,  BCB)，或無機材料，如氮化矽(SiNx)來形成。
平坦化層218和層間絕緣層214中之其一可被省略。
有機發光二極體OLED形成在平坦化層218上。有機發光二極體OLED包含第一電極219、包含有機發光層之中間層220、以及第二電極221。
像素限定層222覆蓋平坦化層218和第一電極219的一部分，並定義像素區和非像素區。
像素限定層222可以由有機材料或無機材料形成。例如，像素限定層222可以由有機材料，如聚醯亞胺(polyimide)、聚醯胺(polyamide)、苯並環丁烯 (BCB)、丙烯酸樹脂(acryl resin)、或酚醛樹脂(phenol resin)，或無機材料，如氮化矽(SiNx)製成。像素限定層222可形成以具有單層結構或多層結構。
從有機發光二極體OLED的第一電極219和第二電極221注入的電洞和電子可以在中間層220的有機發光層中彼此結合而發光。
中間層220可包含有機發光層。在另一實例中，中間層220包含有機發射層，並且可進一步包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、和電子注入層(EIL)中的至少其一。然而，實施例不限於此，且中間層220包含有機發射層，且可進一步包含其他各種功能層。
第二電極221可形成在中間層220上。第二電極221與第一電極219形成電場以使中間層220發光。第一電極219可在各像素中被圖樣化，並且第二電極221可在所有的像素上作為公共電極，從而施加公共電壓到所有的像素。
第一電極219和第二電極221可包含透明電極或反射電極。
第一電極219用作為陽極，並且可以各種導電材料來形成。第一電極219可以形成為透明電極或反射電極。
例如，如果第一電極219形成為透明電極，則第一電極219包含由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或氧化銦(In2 O3 )形成的透明導電層。如果第一電極219形成為反射電極，則第一電極219可透過使用銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、或其化合物所形成的反射層來形成，然後，透過利用氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅或氧化銦於反射層上形成透明導電層。
第二電極221可用作為陰極。像第一電極219，第二電極221可形成為透明電極或反射電極。
例如，當第二電極221形成為透明電極時，具有小功函數(work function)的金屬，例如鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、鎂、或其化合物，形成在中間層220上，此後，由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅或氧化銦形成的透明導電層可進一步形成在金屬和其化合物上。當第二電極221形成為反射電極時，第二電極221可由鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、鎂、或其化合物形成。
第一電極219可以用作為陽極而第二電極221可以用作為陰極，但它們不限於此。例如，第一電極219可以用作為陰極，而第二電極221可以用作為陽極。
各有機發光二極體OLED可以形成一個像素，且各像素可以發射紅色、綠色、藍色或白色的光。然而，一個或多個實施例不限於此。中間層220可以共同地形成在所有的第一電極219上，而不考慮像素的位置。於此，有機發光層可以透過，例如，垂直地堆疊包含發射紅、綠和藍光的發光材料的層，或由混合發出紅、綠、和藍色光的發光材料來形成。在可以發射白色光的前提下，可以使用任何類型的色彩組合。可進一步提供用於將白色光轉換成一個預定顏色的顏色轉換層或濾色器。
保護層可以設置在第二電極221上。保護層覆蓋有機發光二極體OLED。保護層可以是無機絕緣層和/或有機絕緣層。
間隔件234可設置在非像素區上。間隔件234設置在第一基板10和第二基板20之間。間隔件234可使顯示特性不因外部衝擊而降低。
第二基板20被耦合在第一基板10上。第二基板20可保護有機發光二極體OLED和其他薄膜免受外部濕氣或氧氣損壞。
第二基板20可以是剛性的玻璃基板、聚合物基板或可撓性膜。第二基板20可以具有其中有機層和無機層交替堆疊的結構。
第二基板20可以包含複數個觸控式電極235，以便執行作為觸控螢幕。此外，可進一步在第二基板20上形成功能層，例如偏光膜、濾色器、和覆蓋窗。
各種電路圖樣可以在電路區域CA中形成。此種電路圖樣可包含，例如，電源線、抗靜電圖樣、和可形成之其它各種導電材料零件。
電路線223在電路區域CA上形成。電路線223可以在平坦化層218上形成。電路線223可以由與形成第一電極219相同的材料來形成。電路線223可以電性連接到主動區域AA上的裝置，例如，第二電極221。
電路線223連接到電力線224。電力線224可形成在層間絕緣層214上。電力線224可以由與形成第一源極電極206、第二源極電極212、第一汲極電極207、和第二汲極電極213相同的材料來形成。電力線224可以是電力從外部施加的金屬線路。在實施例中，電力線224可具有，包含鈦(Ti)/鋁(Al)/鈦(Ti)的三層結構。因電力線224是由導電材料形成，所以電力線224可被稱為導電層。
電路線223和電力線224可以被設置在不同的層。
例如，電路線223可以在平坦化層218上形成。電路線223可以由與第一電極219相同的材料在與第一電極219相同的製程中形成。電力線224可以形成在層間絕緣層214上。電力線224可以由與第一源極電極206、第二源極電極212、第一汲極電極207及第二汲極電極213相同的材料，在相同的製程中形成。
電路線223的一端接觸電力線224。在實施例中，電路線223的至少一部分可與電力線224重疊。
密封件30被設置在隔間密封區域CSA上。密封件30被設置在第一基板10和第二基板20之間。密封件30的部分區域可以沿電路區域CA的邊界設置，同時接觸電路區域CA 。例如，密封件30的部分區域可以接觸電力線224。
密封件30包含玻璃料。玻璃料包含玻璃粉末和氧化物粉末。有機材料被添加到包含氧化物粉末之玻璃料以製造凝膠型糊，並在溫度範圍為約300℃至500℃下烘烤。當烘烤玻璃料時，有機材料被氣化到大氣中，且凝膠型糊硬化為固態的玻璃料。
導電材料層228可以在密封件30的下方形成。導電材料層228可吸收雷射光束的熱量或反射雷射光束，以將熱量傳輸到密封件30。在實施例中，反射、導電材料層228可以與形成在顯示區域上的任何電子零件電性解耦。
導電材料層228可由與第二薄膜電晶體TFT2中的第二閘極電極211相同的材料形成在與第二薄膜電晶體TFT2中的第二閘極電極211相同的層。否則，導電材料層228可由與第一薄膜電晶體TFT1中的第一閘極電極205相同的材料形成在與第一薄膜電晶體TFT1中的第一閘極電極205相同的層。
導電材料層228可具有包含金、銀、銅、鎳、鉑、鈀、鋁、鉬、或鉻之單層結構或多層結構。導電材料層228可由諸如鋁：釹或鉬：鎢之合金形成。
至少一絕緣層，例如，第一絕緣層230和第二絕緣層231，形成在導電材料層228上。當第一絕緣層230和第二絕緣層231形成在導電材料層228上時，可防止由於雷射光束使導電材料層228的溫度迅速上升所導致的凸起現象和孔洞生成。
第一絕緣層230和第二絕緣層231包含複數個開口229。複數個開口229可以被提供以增加密封件30與第一和第二絕緣層230和231之間的接觸面積。因此，可以提高密封件30與第一和第二絕緣層230和231之間的接合強度。在實施例中，開口229可以包含形成在第一和第二絕緣層230和231中的孔和/或溝槽。開口229可填充有用於形成密封件30的部分的密封材料。
第一絕緣層230可由與第二閘極絕緣層209相同的材料形成在與第二閘極絕緣層209相同的層。第二絕緣層231可由與層間絕緣層214相同的材料形成在與層間絕緣層214相同的層。
複數個開口229可以包含設置在導電材料層228之間的第一開口229a，和設置在導電材料層228和顯示區域(例如，電路區域CA)之間的第二開口229b。由於密封件30被填充在第一和第二開口229a和229b中，因此密封件30與第一和第二絕緣層230和231之間的接觸面積可以增加。因此，可以改善密封件30與第一和第二絕緣層230和231之間的接合強度。
具體而言，第二開口229b形成相鄰於電力線224，以使密封件30在填充第二開口229b時可接觸電力線224。因此，顯示設備100可由於第一開口229a而具有比密封件30與第一和第二絕緣層230和231之間的接合強度更大的接合強度。此外，如果密封件30之下有雜質，則雜質可流過第二開口229b，因此，雜質可能不會擠壓顯示區域40中的結構。
如第3圖所示，在實施例中，密封件30包含頂部內緣和底部內緣。當在垂直於第一基板10頂表面的觀看方向觀察時，頂部內緣比底部內緣位於更靠近主動區域AA。因此，密封件30的內側壁是傾斜的，使得在顯示區域的第一基板的頂表面和內側壁之間的角度小於90°。因此，在實施例中，在觀看方向觀察時，如第3圖所示，密封件30重疊在顯示區域中之結構，例如，電力線224和/或像素限定層。
第4圖是開口229和密封件30的平面示意圖。如第4圖所示，第一和第二絕緣層230和231可以包含與密封件30重疊的開口229。開口229可包含設置在導電材料層之間的第一開口229a或孔，以及相鄰於顯示區域的第二開口229b或溝槽。
可存在有二維地排列的複數個第一開口229a。第一開口229a的尺寸，例如，第一開口229a的寬度，可以是3µm，且第一開口229a之間的距離可以是大約2.5µm或更大。如果第一開口229a之間的距離小於2.5µm，則相鄰的第一開口229a間之第一和第二絕緣層230和231可能坍塌形成一個開口。在這種情況下，可減少密封件30與第一和第二絕緣層230和231之間的接觸面積。
於此，第一開口229a之間的距離不是第一開口229a的中心之間的距離，但可定義為在兩個相鄰的第一開口229a之間的第一和第二絕緣層230和231的厚度。第一開口229a的橫截面形狀可以是方形，但不限於此。在替代實施例中，第一開口229a的截面形狀可以是多邊形、圓形、或橢圓形。
可以提供一個第二開口229b。第二開口229b或溝槽係形成為於密封件30的長度方向I拉長，以環圍顯示單元的至少一部分。第二開口229b的最大寬度w3可為約16µm。第二開口229b具有較大的寬度，使得密封件30與第一和第二絕緣層230和231之間的接觸面積可以增大且存在於密封件30下的雜質可流通過第二開口229b，從而第一開口229a增加密封件30與第一和第二絕緣層230和231之間的接觸面積。第二開口229b的橫截面形狀可以是方形，但不限於此。在替代實施例中，第二開口229b的截面形狀可以是多邊形、圓形、或橢圓形。
第5圖是根據另一實施例的密封件30和開口229的平面示意圖。當第5圖與第4圖相比較時，開口229可以包含相鄰於顯示區域40之複數個第二開口229b。複數個第二開口229b或孔可在密封件30的長度方向l中彼此分開。每一個第二開口229b的最大寬度w3可以大於第二開口229b的最大長度d1。例如，第二開口229b的最大寬度w3可為約16µm和第二開口229b的最大長度d1可為約4.5µm。另外，第二開口229b之間的距離d2可以為約5µm。 表1
力(kgf) 比較例 第1例 第2例
最小值 4.59 4.39 5.86
最大值 6.35 6.79 7.11
偏差 0.42 0.55 0.39
平均 5.84 6.04 6.58
表1為示出試驗顯示設備分離(isolation)的結果表。如表1所示，分別提供其中絕緣層形成在第一基板上，第一開口形成在絕緣層中，且第一基板和第二基板藉由密封件彼此接合之比較例；其中絕緣層形成在第一基板上，第4圖的第一開口和第二開口形成在絕緣層中，且第一基板和第二基板藉由密封件彼此接合之第1例；其中絕緣層形成在第一基板上，第5圖的第一開口和第二開口形成在絕緣層中，且第一基板和第二基板藉由密封件彼此接合之第2例。
另外，施加用於使第一基板和第二基板彼此分離的力。與比較例相比，第1和第2例需要更大的力來使第一和第二基板彼此分離，且與比較例相比，力顯示出更小的標準偏差。另外，與第1例相比，第2例需要更大的力來使第一和第二基板彼此分離，並比第1例的力顯示出更小的標準偏差。因此，可以認為，當第二開口形成相鄰於顯示區域時，基板之間的分離已得到改善。
第6圖是根據另一實施例的顯示設備100放大一部分的橫截面圖。當與第3圖的實施例相比時，金屬材料225被填充在第二開口229b的部分區域中。金屬材料225可與電力線224的材料相同。金屬材料225可吸收雷射光束的熱或反射雷射光束，以將熱傳遞到密封件30。因此，可加強密封件30的附接。
第7圖是根據另一實施例的顯示設備100放大一部分的橫截面圖。當與第3圖的實施例相比時，第7圖的第二開口229b可以在電力線224中形成。此外，電力線224可與導電材料層228部分重疊。即使電力線224延伸至隔間密封區域CSA，第二開口229b被設置在電力線224中，因此，可增加密封件30與第一和第二絕緣層230和231之間的接觸面積。因此，可提高密封件30與第一和第二絕緣層230和231之間的接合強度。
應當理解，這裡所描述的實施例應被認為僅為描述性的意義，而非為限制的目的。每個實施例內的特徵或態樣的描述通常應該被認為是可用於其他實施例的其他類似的特徵或態樣。
雖然已參照附圖描述一個或多個實施例，本領域的通常知識者將理解的是，可對其進行形式和細節上之各種改變，而不脫離所附申請專利範圍所定義之精神和範圍。
100:顯示設備 10:第一基板 20:第二基板 30:密封件 40:顯示區域 50:焊盤部 203:緩衝層 204:第一半導體主動層 205:第一閘極電極 206:第一源極電極 207:第一汲極電極 208:第一閘極絕緣層 209:第二閘極絕緣層 210:第二半導體主動層 211:第二閘極電極 212:第二源極電極 213:第二汲極電極 214:層間絕緣層 215:電容器 216:第一電容器電極 217:第二電容器電極 218:平坦化層 219:第一電極 220:中間層 221:第二電極 222:像素限定層 223:電路線 224:電力線 225:金屬材料 228:導電材料層 229:開口 229a:第一開口 229b:第二開口 230:第一絕緣層 231:第二絕緣層 234:間隔件 235:觸控式電極 S:內部空間 w1,w2,w3:寬度 AA:主動區域 CA:電路區域 CSA:隔間密封區域 d1:長度 d2:距離 EA:邊緣區域 TFT1,TFT2:薄膜電晶體 OLED:有機發光二極體
結合隨附圖式，這些和/或其他態樣將自實施例的描述變得明顯及更容易理解，其中：
第1圖是根據實施例的顯示設備示意圖；
第2圖是第1圖的顯示設備的平面示意圖；
第3圖是第1圖的顯示設備放大一部分的橫截面圖；
第4圖是第3圖的開口和密封件的平面示意圖；
第5圖是第3圖的開口和密封件的平面示意圖；
第6圖是根據另一實施例的顯示設備放大一部分的橫截面圖；
第7圖是根據另一實施例的顯示設備放大一部分的橫截面圖。
100:顯示設備
10:第一基板
20:第二基板
30:密封件
40:顯示區域
S:內部空間
w1,w2:寬度

Claims (13)

  1. 一種有機發光顯示設備，包含一顯示區域和一外圍區域，其包含： 一第一基板； 一有機發光元件，位於該第一基板上且電性連接到一電晶體，該有機發光元件包含一第一電極、一中間層及一第二電極； 一第二基板，相對於該第一基板； 一密封件，置於該第一基板和該第二基板之間，該密封件位於該外圍區域中並圍繞該顯示區域； 一導電層，包含複數個孔，且至少部分與該密封件重疊； 一電力線，位於該第一基板上，該電力線設置在該外圍區域中，使該電力線比該導電層更靠近該顯示區域；以及 一電路線，位於該第一基板上且將該第二電極電耦合到該電力線。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示設備，其更包含一絕緣層於該電力線與該電路線之間。
  3. 如請求項2所述之有機發光顯示設備，其中該電路線包含與該第一電極相同的材料。
  4. 如請求項2所述之有機發光顯示設備，其中： 該電路線包含與該絕緣層重疊的複數個孔；且 該有機發光元件的該第二電極直接接觸該電路線。
  5. 如請求項4所述之有機發光顯示設備，其中該絕緣層包含一有機絕緣材料。
  6. 如請求項1所述之有機發光顯示設備，其更包含至少一無機絕緣層於該第一基板與該密封件之間 其中： 該至少一無機絕緣層包含具有複數個第一孔的 一第一組，以及具有複數個第二孔的一第二組；且 相鄰的兩個第一孔之間的一第一間隙及相鄰的兩個第二孔之間的一第二間隙係小於該第一組與該第二組之間的距離。
  7. 如請求項1所述之有機發光顯示設備，其中該電晶體包含： 一半導體層； 一閘極電極，位於該半導體層上；以及 一源極或汲極電極，電性連接至該半導體層的一部分， 其中，該電力線包含與該源極或汲極電極相同的材料。
  8. 如請求項7所述之有機發光顯示設備，其中該電力線包含一三層結構，該三層結構包含鈦層、鋁層、以及鈦層。
  9. 如請求項7所述之有機發光顯示設備，其中該導電層包含與該閘極電極相同的材料。
  10. 如請求項1所述之有機發光顯示設備，其中： 該密封件包含朝向該顯示區域的一內側表面及相對於該內側表面的一外側表面；且 該密封件的該外側表面係與該第一基板或該第二基板的邊緣分隔開。
  11. 如請求項1所述之有機發光顯示設備，其更包含： 複數個絕緣層位於該導電層上，且包含複數個開口。
  12. 如請求項11所述之有機發光顯示設備，其中該複數個開口至少部分地填充有該密封件的材料。
  13. 如請求項11所述之有機發光顯示設備，其中該複數個絕緣層包含一無機絕緣材料。
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