TW202125056A - 用於形成包覆電極的系統及方法 - Google Patents

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張雅慧
丹尼爾韋恩 萊維斯克二世
林仁傑
魯 張
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美商康寧公司
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Abstract

實施例總體上涉及顯示裝置，並且更具體地涉及具有從基板的第一表面延伸到第二表面的電極的顯示器或顯示磚（display tiles）。

Description

用於形成包覆電極的系統及方法
對於相關申請案的交互參照：本申請案根據專利法第28條之規定，主張對於申請於2019年10月10日的美國臨時申請案第62/913,369號的優先權，在此仰賴且併入此美國臨時申請案之內容以作為參考。
實施例總體上涉及顯示裝置，並且更具體地涉及具有從基板的第一表面延伸到第二表面的電極的顯示器或顯示磚（display tiles）。
可以將多個單獨的顯示磚組合為單個大顯示器，有時也稱為拼接式顯示器（tiled display）。例如，由多個顯示磚組成的影片牆以其高衝擊力的接合和令人驚嘆的視覺效果而聞名，並被用於各種環境中，包括零售環境、控制室、機場、電視攝影棚、禮堂和體育館。
顯示磚的設計會影響拼接式顯示器的解析度和效能。圖1示出了先前技術的顯示磚50，其可以與其他顯示磚結合以形成拼接式顯示器。顯示磚50包括具有第一表面55和外周56的第一基板52。顯示磚50包括像素元件的列60和像素元件58的行70。像素元件58的每一列60藉由列電極62和像素元件58的複數個行70連接，並且像素元件58的每一行70藉由行電極72連接。顯示磚50還包括啟用像素元件58的列60的至少一個列驅動器65和啟用像素元件58的行70的至少一個行驅動器75。在先前技術的顯示磚50中，列驅動器65和行驅動器75位於像素元件同一側的第一表面55上，需要邊框（未示出）以覆蓋列驅動器65和行驅動器75。
出於美學原因，平板顯示器製造商試圖藉由最小化顯示器上圍繞圖像的邊框的尺寸，來最大化圖像觀看區域並提供更美觀的外觀。但是，這種最小化有實際的限制，並且當前的邊框尺寸在3毫米至10毫米的數量級上。
產業中已經努力實現由很少或沒有邊框的顯示磚組成的拼接式顯示器。無邊框顯示磚可用於拼接式顯示器的廣泛配置，而無需令人不滿的黑色間隙。為了獲得無邊框的顯示磚，使像素元件非常靠近顯示磚的邊緣可能是有利的。這些像素元件可以位於顯示磚基板的正面，而控制電子裝置可以位於背面。結果，需要將顯示磚基板的正面和背面電互連。
在由玻璃製成的顯示磚基板中實現這種互連的一種方法，是藉由金屬化玻璃通孔（「TGV」）。此類TGV可以用於製造零邊框microLED顯示器，但是，TGV的製造相當昂貴，至少來說使用當前的方法會涉及到每個孔的雷射損傷（為序列處理），然後進行蝕刻。然後需要對通孔進行進一步處理以進行金屬化。
TGV的實施對整個製造處理流程提出了挑戰。如果磚基板的正面將具有薄膜電晶體（TFT）陣列，則會出現有關何時製作玻璃通孔和金屬化的問題。由於TFT陣列的製造傳統上是在原始玻璃表面上進行的，因此蝕刻和金屬化處理最好在TFT製造之後進行。因此，必須保護陣列免受蝕刻，並且還必須與金屬化技術兼容。此外，對於TGV，Cu可能會擴散到TFT裝置中，從而降低裝置效能。
因此，至少由於前述原因，在本領域中需要用於製造拼接式顯示器的先進系統和方法。
實施例總體上涉及顯示裝置，並且更具體地涉及具有從基板的第一表面延伸到第二表面的電極的顯示器或顯示磚（display tiles）。
本概述僅提供一些實施例的總體概述。用詞「在一個實施例中」、「根據一個實施例」、「在各種實施例中」、「在一個或多個實施例中」、「在特定實施例中」等，通常指用詞之後的特定特徵、結構或特性包括在至少一個實施例中，並且可以包括在不止一個實施例中。重要的是，這些用詞不一定指相同的實施例。根據以下詳細描述、所附申請專利範圍和附圖，許多其他實施例將變得更加顯而易見。
實施例總體上涉及顯示裝置，並且更具體地涉及具有從基板的第一表面延伸到第二表面的電極的顯示器或顯示磚（display tiles）。
各種實施例提供了用於製造由多個顯示磚形成的顯示器的方法。每個顯示磚均包括電極，電極圍繞顯示磚的邊緣，並將顯示磚的一側上的電路與顯示磚的另一側上的電路電連接。電極的形成包括雷射去除形成在顯示磚的基板上的材料。
其他實施例提供了包括基底和電極的顯示磚。基板包括：第一表面和第二表面；以及沿著基板的外周的一部分在第一表面和第二表面之間延伸的側面。電極從基板的第一表面上的第一接觸位置圍繞側面延伸到第二表面上的第二接觸位置。垂直於電極並平行於第一表面測量的電極的橫截面寬度小於或等於兩百微米，並且垂直於第一表面從第一表面到電極的相對表面測量的電極最小厚度大於或等於兩百奈米。在一些情況下，從電極的第一表面到相對表面垂直於第一表面測量的電極的最小厚度大於或等於五微米。在其他情況下，從電極的第一表面到相對表面垂直於第一表面測量的電極的最小厚度大於或等於八微米。
在前述實施例的一些實例中，顯示磚還包括：佈置在第二表面上或附近的電路，以及佈置在第一表面上或附近的電子元件。電極將電路與電子元件電連接。在某些情況下，電路是列驅動器，而電子元件是像素元件。在各種情況下，像素元件是LED、microLED、LCD顯示元件、OLED顯示元件、互補金屬氧化物半導體（CMOS）元件或電晶體元件。
在前述實施例的各種實例中，基板是基於玻璃的基板。在前述實施例的一些實例中，以沿著垂直於第一表面並且在第一表面和第二表面之間延伸的線的距離測量的側面的厚度小於或等於三毫米。在前述實施例的一些情況下，電極由純金屬形成。在一些實施例中，金屬沉積包括濺射純銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）、鎳（Ni）或其組合。在其他情況下，純金屬是雙層結構，例如Ti / Cu、TiW / Cu、TiN / Cu、Cr / Cu、其中Ti、TiW、TiN或Cr是純金屬和基板之間的黏合層。
還有其他實施例提供了用於製造多基板裝置的方法。方法包含：將導電材料至少沉積到基板的第一表面、基板的第二表面、以及基板的側面上，側面沿著基板的外周的一部分在第一表面和第二表面之間延伸；以及雷射去除從基板的第一表面圍繞側面延伸到第二表面的導電材料的一部分，留下由導電材料形成的複數個電極，複數個電極將第一表面上的第一接觸位置電連接到第二表面上的第二接觸位置。
在前述實施例的一些實例中，垂直於電極並平行於第一表面測量的電極的橫截面寬度小於或等於兩百微米，並且垂直於第一表面從第一表面到電極的相對表面測量的電極最小厚度小於或等於兩百奈米。在前述實施例的各種實例下，方法還包括：在第二表面上或附近形成電路，以及在第一表面上或附近連接電子元件。電極將電路與電子元件電連接。在某些情況下，電路是列驅動器，而電子元件是像素元件。在各種情況下，像素元件是LED、microLED、LCD顯示元件或OLED顯示元件。
在前述實施例的各種實例中，方法進一步包含用鍍層材料對電極進行鍍層，使得從電極的第一表面到相對表面垂直於第一表面測量的電極最小厚度大於或等於三微米。此類鍍層可以是電鍍、無電電鍍、或無電電鍍與電鍍的組合。在一些情況下，從電極的第一表面到相對表面垂直於第一表面測量的電極的最小厚度大於或等於五微米。在各種情況下，從電極的第一表面到相對表面垂直於第一表面測量的電極的最小厚度大於或等於八微米。在前述實施例的一些實例中，基底是基於玻璃的基底，例如玻璃或玻璃-陶瓷。在其他情況下，基板是陶瓷、藍寶石、矽、聚合物或印刷電路板（PCB）基板。在前述實施例的各種情況下，鍍層材料是純金屬。在一些實施例中，金屬沉積包括濺射純銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）、鎳（Ni）或它們的組合。在其他情況下，純金屬是雙層結構，例如Ti / Cu、TiW / Cu、TiN / Cu、Cr / Cu、其中Ti、TiW、TiN或Cr是純金屬和基板之間的黏合層。
還有其他實施例提供了用於製造多基板裝置的方法。方法包含：在基板的第一表面、基板的第二表面、以及基板的側面的至少一部分上形成導電材料，側面沿著基板外周的一部分在第一表面和第二表面之間延伸；在第一表面、第二表面與側面的每一個的至少一部分上形成保護層；雷射去除對應於複數個電極之間的開口區域的保護層的一部分；從雷射去除所暴露的區域蝕刻以去除保護材料，留下複數個電極，使得複數個電極中的每個電極從基板的第一表面上的第一接觸位置圍繞側面延伸到第二表面上的第二接觸位置。
在前述實施例中的一些實例中，在基板的第一表面、基板的第二表面、以及基板的側面的至少該部分上形成導電材料之步驟包括金屬濺射和金屬鍍層的一組合。在一些情況中，金屬鍍層可以是電鍍、無電電鍍、或無電電鍍與電鍍的組合。
還有額外實施例提供了用於製造多基板裝置的方法。方法包含：在基板的第一表面、基板的第二表面、以及基板的側面的至少一部分上形成保護層，側面沿著基板的外周的一部分在第一表面和第二表面之間延伸；雷射去除對應於複數個電極之間的開口區域的保護層的一部分；在基板的第一表面、基板的第二表面、以及基板的側面的該部分的至少一子集上形成導電材料；以及去除保護層以留下由導電材料形成的複數個電極。複數個電極中的每個電極從基板的第一表面上的第一接觸位置圍繞側面延伸到第二表面上的第二接觸位置。
參照圖2-4，示出了顯示磚150，其包括：第一基板152，其包括第一表面155、與第一表面155相對的第二表面157、以及在第一表面155和第二表面157之間的邊緣表面154，邊緣表面154限定顯示磚的外周156。
本文根據一個或多個實施例所述的顯示磚150可包括任何合適材料的基板152，例如，具有任何期望尺寸和/或適合製作顯示磚的形狀的聚合物基板、印刷電路板、金屬、基於玻璃、陶瓷、藍寶石或矽基板。在某些實施例中，第一表面155和第二表面157可以是平面的或實質上平面的，例如實質上平坦的。在各種實施例中，第一表面155和第二表面157可以是平行的或實質平行的。根據一些實施例的基板152可以包括四個邊緣，如圖2-4所示，或者可以包括四個以上的邊緣，例如多邊多邊形。在其他實施例中，顯示磚150可以包括少於四個的邊緣，例如三角形。作為非限制性示例，基板152可以包括具有四個邊緣的矩形、正方形或菱形片，但是其他形狀和配置旨在落入本揭示內容的範圍內，包括具有一個或多個曲線部分或邊緣的那些。
在某些實施例中，基板152可具有小於或等於約3mm的厚度d1 。在一些實施例中，厚度d1 在0.01mm和三（3）mm之間。在一些實施例中，厚度d1 在0.1mm和2.5mm之間。在各種實施例中，厚度d1 在0.3mm和兩（2）mm之間。在一些實施例中，厚度d1 在0.3mm和1.5mm之間。在一些實施例中，厚度d1 在0.3mm和一（1）mm之間。在一些實施例中，厚度d1 在0.3mm和0.7mm之間。在一些實施例中，厚度d1 在0.3mm和0.5mm之間。
用於製造顯示磚的基於玻璃的基底可以包括本領域已知的用於顯示裝置的任何基於玻璃的材料。例如，基於玻璃的基底可以包括鋁矽酸鹽、鹼金屬鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鹼金屬硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鹼金屬鋁硼矽酸鹽、蘇打石灰或其他合適的玻璃。適合用作玻璃基底的市售玻璃的非限制性實例包括，例如，康寧公司（Corning Incorporated）的EAGLE XG® 、LotusTM ，Willow® 和AstraTM 玻璃。
顯示磚150的第一表面155包括佈置在像素元件158的複數列160和像素元件158的複數行170中的像素元件158的陣列。像素元件158的每列160由列電極162連接，並且像素元件158的每行170由行電極172連接。將理解的是，相交的像素元件的列160和行170包括一些相同的像素元件158。因此，不存在兩組個別的像素元件158，而是一個像素元件158陣列，包含均連接到個別的行和列電極的像素元件158。根據一個或多個實施例的顯示磚包括至少一個列驅動器165與至少一個行驅動器175，列驅動器165電性啟用像素元件158的列160，行驅動器165電性啟用像素元件158的行170，列驅動器165和行驅動器175位於第一表面155的對面。在圖2-4所示的實施例中，列驅動器165和行驅動器175位於基板152的第二表面157上。在其他實施例中，列驅動器165和行驅動器175可以位於與第一表面155相對設置的個別的結構上，例如在個別的基板（未示出）上或其他合適的結構上。在一些這樣的情況下，電觸點位於基板第一表面157的對面，然後由柔性連接器、焊料連接或其他合適的方法將其電連接到行驅動器和列驅動器。從一個表面電耦合到相對表面上的電觸點（最終連接到行或列驅動器），被認為是電耦合到行或列驅動器。
可以理解到，列驅動器165和行驅動器175連接到列電極162和行電極172以啟用像素元件158。提供複數個列電極連接器164，並且每個列電極連接器164圍繞邊緣表面154並且電連接列電極162、像素元件158的列160和列驅動器165。所示的顯示磚還包括複數個行電極連接器174，每個行電極連接器174圍繞邊緣表面154並且電連接行電極172、像素元件158的行170和行驅動器175。在所示的實施例中，每個列驅動器165被示為將列電極的三列160連接到像素元件158，並且每個行驅動器被示為將行電極172的四行170連接到像素元件158。將理解的是，此佈置僅出於說明的目的，並且本揭示內容不限於任何特定數量的行驅動器、列驅動器或分別由行驅動器和列驅動器驅動的行電極或列電極的數量。例如，基於特定的顯示器設計和佈局，電極連接器可以僅存在於一個或多個邊緣表面154上。此外，本揭示內容不限於在基板152的第一表面155上的像素元件158的任何特定數量或像素元件158的佈置。儘管描述了矩陣背板設計，但是替代配置也是可能的。用行和列矩陣描述的電背板電路可以是被動矩陣或主動矩陣設計。如果是主動矩陣，則薄膜電晶體陣列可以存在於第一、第二或兩個基板表面上。或者，顯示器背板可以包括直接與像素通信的驅動器或微驅動器積體電路（IC）。這些驅動器或微驅動器IC可以位於第一、第二或兩個基板表面上，也可以位於與基板的第二表面電連接的個別基板上。
可以利用任何合適的連接器類型來提供列電極連接器164和行電極連接器174。而且，所有電極連接器不必是相同類型或設計。在一個或多個實施例中，至少一個列電極連接器164和至少一個行電極連接器174包括使用例如以下關於圖7討論的處理形成的薄電極。在一個或多個實施例中，至少一個列電極連接器164和至少一個行電極連接器174包括使用例如以下關於圖9討論的處理形成的厚電極。在一個或多個實施例中，至少一個列電極連接器164和至少一個行電極連接器174包括使用例如以下關於圖12討論的處理形成的厚電極。
參照圖5a-5b，顯示磚150的邊緣的一部分的端視圖300和俯視圖301，包括圍繞基板306的邊緣延伸以連接基板152的相對表面的多個導體304。這些導體304可以用於實現列電極連接器164和/或行電極連接器174中的一個或多個。如圖所示，導體304具有導體寬度（Wc）和導體厚度（T）。導體厚度（T）可以進一步細化為沿表面155、157的厚度（Tsurface）、沿邊緣154的厚度（Tedge）和拐角處的厚度（Tcorner），如圖5c所示。在討論厚度（T）的度量而未特別提及Tsurface、Tedge或Tcorner的情況下，該度量是指Tedge。導體304與其他導體304隔開一個間距（S）。
在一些實施例中，間隔（S）小於或等於兩百微米（200μm）。在其他實施例中，間隔（S）小於或等於一百微米（100μm）。在其他實施方式中，間隔（S）小於或等於5微米（5μm）。在另外的實施例中，間隔（S）小於或等於一微米（1μm）。在一些實施例中，間隔（S）小於或等於兩百五十奈米（250nm）。在各種實施例中，間隔（S）小於或等於一百二十奈米（120nm）。
在一些實施例中，導體厚度（T）小於或等於兩個微米（2μm）。表現出這種厚度的電極在本文中稱為「薄電極」。在各種實施例中，導體厚度（T）小於或等於一微米（1 µm）。在其他實施例中，導體厚度（T）小於或等於六百奈米（600nm）。在其他實施例中，導體厚度（T）小於或等於四百奈米（400nm）。在其他實施例中，導體厚度（T）小於或等於兩百奈米（200nm）。
在其他實施例中，導體厚度（T）大於兩微米（2μm）。表現出這種厚度的電極在本文中稱為「厚電極」。在各種實施例中，導體厚度（T）大於或等於四微米（4μm）。在其他實施例中，導體厚度（T）大於或等於四微米（6μm）。在一些實施例中，導體厚度（T）大於或等於十微米（10μm）。
在一些實施例中，導體寬度（Wc）小於或等於兩百微米（200μm）。在其他實施例中，導體寬度（Wc）小於或等於一百微米（100μm）。在另外的實施例中，導體寬度（Wc）小於或等於5微米（5μm）。在另外的實施例中，導體寬度（Wc）小於或等於一微米（1μm）。在一些實施例中，導體寬度（Wc）小於或等於兩百五十奈米（250nm）。在各種實施例中，導體寬度（Wc）小於或等於一百二十奈米（120nm）。
看到圖5c，示出了單個電極304的詳細視圖302，其中沿表面155、157（Tsurface）和邊緣154（Tedge）的厚度大於在表面155、157和邊緣154之間的過渡處的厚度（Tcorner）。在一些實施例中，Tsurface小於或等於Tcorner的百分之二百（200％）。在其他實施例中，Tsurface小於或等於Tcorner的百分之一百五十（150％）。在其他實施例中，Tsurface小於或等於Tcorner的百分之一百二十五（125％）。在另外的實施方案中，Tsurface小於或等於Tcorner的百分之一百一十五（115％）。在一些實施例中，Tedge小於或等於Tcorner的百分之二百五十（250％）。在其他實施例中，Tedge小於或等於Tcorner的百分之一百六十（160％）。在其他實施例中，Tedge小於或等於Tcorner的百分之一百二十五（125％）。在另外的實施例中，Tedge小於或等於Tcorner的百分之一百一十五（115％）。Tcorner可能比Tsurface更薄或更厚，具體取決於垂直/水平鍍層。通常，較厚的Tcorner可以減少電氣不連續性，但如果厚度太厚則可能會導致高應力。
看到圖6，圖6是顯示器400（亦即拼接式顯示器）的頂部透視圖，顯示器400包括彼此隔開足夠距離以在各個顯示磚上容納側電極的多個顯示磚250。每個顯示磚250展現出寬度（Dx）和高度（Dy）。每個顯示磚250與下一顯示磚間隔開距離（Da）。Da的非零值會導致顯示磚之間的過渡處像素間距（即相鄰像素之間的距離）增加。藉由減小距離Da，顯示磚之間的過渡處的像素間距和無效顯示區域與整個顯示區域的比率（即無效顯示區域和有效顯示區域之和）減小。藉由將距離Da減小到大約零，上述比率接近零，並且在使用這種顯示器時提供了更好的視覺體驗。
例如，根據圖5a-5c的顯示磚製造顯示磚250，使得導體304圍繞顯示磚的兩個相鄰側面，間距Da可以減小到略大於在顯示磚的端部處的電極的厚度（Tedge）。其中，作為另一範例，根據圖5a-5c的顯示磚製造顯示磚250，使得導體304圍繞顯示磚的所有側面，間距Da可以減小到略大於在顯示磚的端部處的電極的厚度（Tedge）。
顯示器400可以是任何類型的顯示器，包括但不限於液晶顯示器（LCD）、發光二極體（LED）顯示器、microLED、電泳顯示器、電子紙顯示器和有機發光二極體（OLED）顯示器。在一些實施例中，顯示器是LED，並且像素元件是位於至少一個顯示磚250的邊緣表面的五百（500）微米內的microLED。在一些實施例中，顯示器是LED，並且像素元件是位於至少一個顯示磚250的邊緣表面的四百（400）微米內的microLED。在各種實施例中，顯示器是LED顯示器，並且像素元件是位於至少一個顯示磚250的邊緣表面的三百（300）微米內的microLED。在一些實施例中，顯示器是LED顯示器，並且像素元件是位於至少一個顯示磚250的邊緣表面的兩百（200）微米內的microLED。在各種實施例中，顯示器是LED顯示器，並且像素元件是位於至少一個顯示磚250的邊緣表面的一百（100）微米內的microLED。在一些實施例中，顯示器是LED顯示器，並且像素元件是位於至少一個顯示磚250的邊緣表面的兩十（20）微米內的microLED。除了圖6所示的拼接式顯示器之外，可以在顯示裝置內使用單個單獨的基板。
看到圖7，流程圖700示出了根據一些實施例的用於使用雷射去除處理形成包覆邊緣電極的方法。遵循流程圖700，在顯示基板的上和/或下表面上形成結構（框702）。結構包括核心電路和包覆邊緣電極的表面電極部分。可以使用本領域已知的任何合適的技術來形成核心電路和包覆邊緣電極的表面電極部分。
顯示基板可以由任何合適的材料製成，例如聚合物基板、印刷電路板、金屬或具有適於產生顯示磚的任何期望的尺寸和/或形狀的基於玻璃的基板。在一些具體實施例中，基板可為（但不限於）具有四個邊緣的矩形、正方形或菱形片，但是其他形狀和配置旨在落入本揭示內容的範圍內，包括具有一個或多個曲線部分或邊緣的那些。在各種實施例中，基板可以具有小於或等於約3mm的厚度d1 。在一些實施例中，基板的厚度在0.01mm和三（3）mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.1mm與2.5mm之間。在各種實施例中，基板厚度在0.3mm和兩（2）mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.3mm至1.5mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.3mm和一（1）mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.3mm與0.7mm之間。在各種實施例中，基板厚度在0.3mm與0.5mm之間。
在一些實施例中，基板是基於玻璃的基板。例如，此種基於玻璃的基底可以包括鋁矽酸鹽、鹼金屬鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鹼金屬硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鹼金屬鋁硼矽酸鹽、蘇打石灰或其他合適的玻璃。適合用作玻璃基底的市售玻璃的非限制性實例包括，例如，康寧公司（Corning Incorporated）的EAGLE XG® 、LotusTM ，Willow® 和AstraTM 玻璃。
核心電路可以包括但不限於在基板的頂表面和底表面之一者或兩者的中央區域中形成或放置的行驅動器電路、列驅動器電路、發光二極體和導電互連。在某些情況下，薄膜電晶體技術用於形成核心電路的至少一部分。基於本文提供的揭示內容，本領域的普通技術人員將認識到可以結合到核心電路中的各種電路和/或互連。各種包覆邊緣電極的表面電極部分沿著基板的外周形成，並從核心電路內的接觸位置延伸到基板的邊緣。看到圖8a，示出了具有基板的顯示磚800的示例，包括在中心區域中的核心電路820和沿著基板外周的包覆邊緣電極的表面電極部分810。
返回圖7，在顯示基板的外周上形成第一保護層以保護表面電極部分（框704）。第一保護層可以由能夠在包括最終去除材料以暴露表面電極部分的各種處理期間保護表面電極部分的任何材料製成。此外，可以使用本領域中已知的任何合適的施加方法來完成第一保護材料的材料的施加。在一些實施例中，聚醯亞胺（PI）帶被施加在基板的周圍，以保護表面電極部分。在其他實施例中，PI、聚氨酯（PU）和/或環狀烯烴共聚物中的一種或多種的組合被施加在基板的外周周圍以保護表面電極部分。基於本文提供的揭示內容，根據不同的實施例，本領域的普通技術人員將認識到可以用於形成第一保護層的多種材料和施加處理。看到圖8b，示出了具有基板的顯示磚801的示例，包括在中央區域的核心電路820和被第一保護層811覆蓋的表面電極部分（未示出）。
返回圖7，在基板的核心結構上形成第二保護層，以在處理期間保護核心電路、互連和其他結構（框706）。第二保護層可以由能夠在包括最終去除第一保護層和第二保護層的材料的各種處理中保護核心結構的任何材料製成。此外，可以使用本領域中已知的任何合適的施加方法來完成第二保護材料的材料的施加。在一些實施例中，將標準薄膜電晶體保護材料沉積在核心結構上。基於本文提供的揭示內容，根據不同的實施例，本領域的普通技術人員將認識到可以用於形成第二保護層的多種材料和施加處理。看到圖8c，示出了具有具有被第二保護層821覆蓋的核心電路（未示出）的基板的顯示磚802的示例。應當注意，在一些實施例中，第二保護層覆蓋核心結構和第一保護層的至少一部分。
返回圖7，去除第一保護層，使表面電極部分暴露（框708）。這是用化學和/或機械處理暴露顯示基板來完成，化學和/或機械處理去除了第一保護層同時在核心結構上保留了第二保護層。例如，在第一保護層是PI膠帶的情況下，藉由將PI膠帶從顯示磚上剝離下來，可以去除第一保護層。在第二保護層至少部分覆蓋第一保護層的情況下，去除第一保護層將去除設置在第一保護層上方的第二保護層的任何部分。看到圖8d，示出了具有具有被第二保護層821覆蓋的核心電路（未示出）的基板以及暴露的表面電極部分810的基板的顯示磚803的示例。
返回圖7，將金屬沉積在顯示磚的所有表面上（框710）。可以使用任何沉積金屬的處理。在一些實施例中，金屬沉積包括濺射純銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）、鎳（Ni）或其組合。基於本文提供的揭示內容，本領域的普通技術人員將認識到，可以針對不同的實施例使用各種金屬或其他導電材料，和/或可以用來由選定的金屬或其他導電材料覆蓋顯示磚的各種處理。看到圖8e，示出了顯示磚804的示例，顯示磚804具有具有核心電路（未示出）和被沉積的金屬830覆蓋的表面電極部分（未示出）的基板。沉積的金屬830覆蓋顯示磚的所有側面。
返回圖7，執行雷射去除一部分沉積的金屬以限定包覆邊緣電極（框712）。這種雷射去除是沿著顯示磚的外周進行的，並且包括去除從顯示裝置第一表面跨過顯示裝置邊緣延伸至顯示裝置第二表面的區域中的所有金屬或其他導電材料，此區域中不需要圍繞電極。在一些實施例中，藉由相對於雷射能量源安裝顯示磚來完成此雷射去除處理，使得顯示磚可以相對於雷射能量源在三個維度上移動。將雷射能量施加到金屬上會燒蝕金屬，並且在某些情況下會燒蝕一部分位於金屬下方的基板。轉到圖8f，示出顯示磚805的示例，顯示磚805具有基板，基板具有被第二保護層821覆蓋的核心電路（未示出）和/或保留在核心部分831上方的沉積金屬和雷射限定的包覆邊緣電極840。包覆邊緣電極840從顯示磚805的表面跨過顯示磚805的邊緣延伸到顯示磚805的相對表面。在一些實施例中，包覆邊緣電極840的厚度小於或等於兩個微米（2μm）。在各種實施例中，包覆邊緣電極840的厚度小於或等於一微米（1 µm）。在其他實施例中，包覆邊緣電極840的厚度小於或等於六百奈米（600nm）。在其他實施例中，包覆邊緣電極840的厚度小於或等於四百奈米（400nm）。在其他實施例中，包覆邊緣電極840的厚度小於或等於兩百奈米（200nm）。
與作法相比，使用這種雷射去除處理可產生細的線寬和間距。在一些實施例中，實現了小於或等於一百微米（100μm）的包覆邊緣電極之間的間距。在其他實施例中，實現了小於或等於五十微米（50μm）的包覆邊緣電極之間的間距。在又一實施例中，在使用依賴於兩個光子吸收的飛秒（fs）雷射的情況下，實現了小於或等於5微米（5μm）的包覆邊緣電極之間的間距。在又一實施例中，在使用依賴於兩個光子吸收的飛秒（fs）雷射的情況下，實現了小於或等於1微米（1μm）的包覆邊緣電極之間的間距。在一些實施例中，在使用依賴於兩個光子吸收的飛秒（fs）雷射的情況下，實現了小於或等於250奈米（250nm）的包覆邊緣電極之間的間距。在各種實施例中，在使用依賴於兩個光子吸收的飛秒（fs）雷射的情況下，實現了小於或等於120奈米（120nm）的包覆邊緣電極之間的間距。在一些實施例中，實現了小於或等於一百微米（100μm）的包覆邊緣電極的寬度。在其他實施例中，實現了小於或等於五十微米（50μm）的包覆邊緣電極的寬度。在又一實施例中，在使用依賴於兩個光子吸收的飛秒（fs）雷射的情況下，實現了小於或等於5微米（5μm）的包覆邊緣電極的寬度。在又一實施例中，在使用依賴於兩個光子吸收的飛秒（fs）雷射的情況下，實現了小於或等於1微米（1μm）的包覆邊緣電極的寬度。在一些實施例中，在使用依賴於兩個光子吸收的飛秒（fs）雷射的情況下，實現了小於或等於250奈米（250nm）的包覆邊緣電極的寬度。在各種實施例中，在使用依賴於兩個光子吸收的飛秒（fs）雷射的情況下，獲得小於或等於一百二十奈米（120nm）的包覆邊緣電極的寬度。此外，與通常限於尺寸大於一百微米（100μm）的筆式分配（pen dispensing）相比，這種雷射去除處理的使用提供了較小的包覆邊緣電極寬度和較高純度的金屬。雷射燒蝕之後，可能需要進行濕式清潔處理以幫助完全去除燒蝕區域中的金屬殘留物。
返回圖7，去除第二保護層（和金屬的覆蓋層）以暴露具有其核心電路和/或結構的顯示磚的中心部分（框714）。這可以藉由將顯示磚暴露於旨在選擇性地衝擊第二保護層的材料的溶劑中來完成。在某些情況下，如果第二保護層的材料是聚合物，例如完全交聯或部分交聯的PU（聚氨酯），則溶劑是會引起第二保護層材料的酒精、丙酮或水層膨脹並從顯示磚上除去聚合物。在某些情況下，執行雷射燒蝕以從包覆邊緣電極連續的區域去除金屬，以去除一些下面的顯示基板，從而留下溝槽。這些溝槽進一步增強了所施加的溶劑在被沉積的金屬覆蓋的第二保護層下方移動的能力。基於本文提供的揭示內容，本領域普通技術人員將認識到可以用於去除第二保護層的多種去除材料和/或去除處理。轉到圖8g，示出顯示磚806的示例，顯示磚806具有暴露的核心電路820和包覆邊緣電極840。
作為關於圖7討論的處理的替代，可以在形成第二保護層（即，框706）並去除第一保護層（即，框708）之後，使用薄膜電晶體處理來形成圍繞側電極。在這種作法中，第二保護層的聚合物減小了雷射去除的面積（即，框712）。這樣可以藉由施加對金屬有選擇性的溶劑，在需要包覆邊緣電極的區域中相對快速地去除金屬。
看到圖9，流程圖900示出了根據一些實施例的用於使用雷射去除處理形成包覆邊緣電極的方法。遵循流程圖900，在顯示基板的上和/或下表面上形成結構（框902）。結構包括核心電路和包覆邊緣電極的表面電極部分。可以使用本領域已知的任何合適的技術來形成核心電路和包覆邊緣電極的表面電極部分。
顯示基板可以由任何合適的材料製成，例如聚合物基板、印刷電路板、金屬、基於玻璃、陶瓷、藍寶石、或具有適於產生顯示磚的任何期望的尺寸和/或形狀的矽基板。在一些具體實施例中，基板可為（但不限於）具有四個邊緣的矩形、正方形或菱形片，但是其他形狀和配置旨在落入本揭示內容的範圍內，包括具有一個或多個曲線部分或邊緣的那些。在各種實施例中，基板可以具有小於或等於約3mm的厚度d1 。在一些實施例中，基板的厚度在0.01mm和三（3）mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.1mm與2.5mm之間。在各種實施例中，基板厚度在0.3mm和兩（2）mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.3mm至1.5mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.3mm和一（1）mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.3mm與0.7mm之間。在各種實施例中，基板厚度在0.3mm與0.5mm之間。
在一些實施例中，基板是基於玻璃、陶瓷、藍寶石、Si、聚合物、印刷電路板（PCB）的基板。例如，此種基於玻璃的基底可以包括鋁矽酸鹽、鹼金屬鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鹼金屬硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鹼金屬鋁硼矽酸鹽、蘇打石灰或其他合適的玻璃。適合用作玻璃基底的市售玻璃的非限制性實例包括，例如，康寧公司（Corning Incorporated）的EAGLE XG® 、LotusTM ，Willow® 和AstraTM 玻璃。
核心電路可以包括但不限於在基板的頂表面和底表面之一者或兩者的中央區域中形成或放置的行驅動器電路、列驅動器電路、發光二極體和導電互連。在某些情況下，薄膜電晶體技術用於形成核心電路的至少一部分。基於本文提供的揭示內容，本領域的普通技術人員將認識到可以結合到核心電路中的各種電路和/或互連。各種包覆邊緣電極的表面電極部分沿著基板的外周形成，並從核心電路內的接觸位置延伸到基板的邊緣。看到圖10a，示出了具有基板的顯示磚1000的示例，包括在中心區域中的核心電路1020和沿著基板外周的包覆邊緣電極的表面電極部分1010。
返回圖9，在顯示基板的外周上形成第一保護層以保護表面電極部分（框904）。第一保護層可以由能夠在包括最終去除材料以暴露表面電極部分的各種處理期間保護表面電極部分的任何材料製成。此外，可以使用本領域中已知的任何合適的施加方法來完成第一保護材料的材料的施加。在一些實施例中，聚醯亞胺（PI）帶被施加在基板的周圍，以保護表面電極部分。在其他實施例中，PI、聚氨酯（PU）和/或環狀烯烴共聚物中的一種或多種的組合被施加在基板的外周周圍以保護表面電極部分。基於本文提供的揭示內容，根據不同的實施例，本領域的普通技術人員將認識到可以用於形成第一保護層的多種材料和施加處理。看到圖10b，示出了具有基板的顯示磚1001的示例，包括在中央區域的核心電路1020和被第一保護層1011覆蓋的表面電極部分（未示出）。
返回圖9，在基板的核心結構上形成第二保護層，以在處理期間保護核心電路、互連和其他結構（框906）。第二保護層可以由能夠在包括最終去除第一保護層和第二保護層的材料的各種處理中保護核心結構的任何材料製成。此外，可以使用本領域中已知的任何合適的施加方法來完成第二保護材料的材料的施加。在一些實施例中，將標準薄膜電晶體保護材料沉積在核心結構上。基於本文提供的揭示內容，根據不同的實施例，本領域的普通技術人員將認識到可以用於形成第二保護層的多種材料和施加處理。看到圖10c，示出了具有具有被第二保護層1021覆蓋的核心電路（未示出）的基板的顯示磚1002的示例。應當注意，在一些實施例中，第二保護層覆蓋核心結構和第一保護層的至少一部分。
返回圖9，去除第一保護層，使表面電極部分暴露（框908）。這是用化學和/或機械處理暴露顯示基板來完成，化學和/或機械處理去除了第一保護層同時在核心結構上保留了第二保護層。例如，在第一保護層是PI膠帶的情況下，藉由將PI膠帶從顯示磚上剝離下來，可以去除第一保護層。在第二保護層至少部分覆蓋第一保護層的情況下，去除第一保護層將去除設置在第一保護層上方的第二保護層的任何部分。看到圖10d，示出了具有具有被第二保護層1021覆蓋的核心電路（未示出）的基板以及暴露的表面電極部分1010的基板的顯示磚1003的示例。
返回圖9，將金屬沉積在顯示磚的所有表面上以產生薄金屬塗層（即，厚度小於或等於兩個微米（2μm））（框910）。可以使用任何沉積金屬的處理。在一些實施例中，金屬沉積包括濺射純銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）、鎳（Ni）或其組合。在其他情況下，純金屬是雙層結構，例如Ti / Cu、TiW / Cu、TiN / Cu、Cr / Cu、其中Ti、TiW、TiN或Cr是純金屬和基板之間的黏合層。基於本文提供的揭示內容，本領域的普通技術人員將認識到，可以針對不同的實施例使用各種金屬或其他導電材料，和/或可以用來由選定的金屬或其他導電材料覆蓋顯示磚的各種處理。看到圖10e，示出了顯示磚1004的示例，顯示磚1004具有具有核心電路（未示出）和被沉積的金屬1030覆蓋的表面電極部分（未示出）的基板。沉積的金屬1030覆蓋顯示磚的所有側面。
返回圖9，執行雷射去除顯示基板的外周周圍的一部分沉積金屬以限定包覆邊緣電極（框912）。此雷射去除留下金屬跡線，金屬跡線大致垂直於限定的包覆邊緣電極延伸，從而產生包覆邊緣電極之間的電連接。這種雷射燒蝕留下的薄電極大約為先前沉積的金屬層的厚度。這種雷射去除是沿著顯示磚的外周進行的，並且包括去除從顯示裝置第一表面跨過顯示裝置邊緣延伸至顯示裝置第二表面的區域中的所有金屬或其他導電材料，此區域中不需要圍繞電極。在一些實施例中，藉由相對於雷射能量源安裝顯示磚來完成此雷射去除處理，使得顯示磚可以相對於雷射能量源在三個維度上移動。將雷射能量施加到金屬上會燒蝕金屬，並且在某些情況下會燒蝕一部分位於金屬下方的基板。轉到圖10f，示出顯示磚1005的示例，顯示磚1005具有基板，基板具有被第二保護層1021覆蓋的核心電路（未示出）和/或保留在核心部分1031上方的沉積金屬、雷射限定的包覆邊緣電極1040、以及電連接包覆邊緣電極1040的金屬跡線1041。包覆邊緣電極1040從顯示磚1005的表面跨過顯示磚1005的邊緣延伸到顯示磚1005的相對表面。在一些實施例中，包覆邊緣電極1040的厚度小於或等於兩個微米（2μm）。在各種實施例中，包覆邊緣電極1040的厚度小於或等於一微米（1 µm）。在其他實施例中，包覆邊緣電極1040的厚度小於或等於六百奈米（600nm）。在其他實施例中，包覆邊緣電極1040的厚度小於或等於四百奈米（400nm）。在其他實施例中，包覆邊緣電極1040的厚度小於或等於兩百奈米（200nm）。
施加電鍍或無電電鍍以用厚金屬層（即，厚度大於或等於兩個微米（2μm））覆蓋顯示基板的整個表面（框914）。在進行電鍍的情況下，使用電連接包覆邊緣電極的金屬跡線為電鍍電極充電。
這種電鍍可以在鍍層浴槽中進行，其中顯示基板以水平或垂直方向懸掛在鍍層浴槽中。轉到圖11a，示出了鍍層浴槽1180，其中顯示基板1150被附接到載體1106並且以垂直方向在兩個電極1102、1104之間懸浮在鍍層溶液1108中。轉到圖11b，示出了鍍層浴槽1190，其中顯示基板1150藉由中間1106中的空腔附接到載體並且以水平方向在兩個電位1102、1104之間懸浮在鍍層溶液1108中。
在某些情況下，在電鍍過程中，應確保拐角處（圖5c中的Tcorner）的包覆邊緣電極的厚度差不會明顯小於邊緣表面處（圖5c中的Tedge）或表面處（圖5c中的Tsurface）的包覆邊緣電極的厚度。如果拐角厚度（Tcorner）太小，則在隨後的蝕刻處理之後或通過包覆邊緣電極施加電流之後，可能會產生不連續點。實驗數據表明，當顯示基板以垂直方向懸掛在電鍍浴槽中時，厚度差最大。在此方向上，表面厚度（Tsurface）可以是拐角厚度（Tcorner）的百分之一百五十（150%），而邊緣表面的厚度（Tedge）可以是拐角厚度（Tcorner）的百分之二百二十五（225％）。相反的，在水平方向上，表面厚度（Tsurface）可以小於拐角厚度（Tcorner）的百分之一百（120%），而邊緣表面厚度（Tedge）可以為小於轉角厚度（Tcorner）的百分之一百二十（120%）。
返回圖9，雷射去除連接包覆邊緣電極的金屬跡線（框916）。因為在進行無電電鍍的地方不包括金屬跡線，所以對於依賴無電電鍍的處理不進行該處理。此去除處理去除了佈置在相鄰的包覆邊緣電極之間的所有金屬，從而使相鄰的邊緣電極彼此電隔離。在某些情況下，此處理進一步燒蝕位於包覆邊緣電極之間的一些基板，從而留出一個通道，供溶劑在後續處理中在第二保護層下方移動。轉到圖10g，示出了具有基板的顯示磚1006的示例，基板具有由剩餘的沉積金屬部分1031覆蓋的核心電路（未示出）以及厚的包覆邊緣電極1042。值得注意的是，金屬跡線1041已被去除。在各種實施例中，包覆邊緣電極1042的厚度大於或等於三微米（3μm）。在一些實施例中，包覆邊緣電極1042的厚度大於或等於四微米（4μm）。在另外的實施例中，包覆邊緣電極1042的厚度大於或等於五微米（5μm）。在一些實施例中，包覆邊緣電極1042的厚度大於或等於十微米（10μm）。
返回圖9，對顯示磚進行濕式蝕刻，以去除藉由雷射去除第三保護層而暴露的所有金屬（框918）。對於銅蝕刻，可使用乙酸、過氧化氫（H2 O2 ）的混合磷酸（HPO3 ）或過氧化氫（H2 O2 ）的混合硫酸（H2 SO4 ）或HCl的混合FeCl3 。對於鈦蝕刻，使用緩衝氧化物蝕刻（BOE）或稀釋的HF，或混合的過氧化氫、磷酸氫鈉和氟矽酸鈉。此蝕刻留下了在顯示磚的外周邊限定的厚的包覆邊緣電極。接下來，去除第二保護層和第三保護層（框920）。在第二和第三保護層是聚合物層的情況下，可以使用諸如（例如）酒精、丙酮、或經過或沒有經過超音波處理的水的溶劑。轉到圖10h，示出了具有基板的顯示磚1007的示例，基板具有核心電路1020和厚的包覆邊緣電極。
看到圖12，流程圖1200示出了根據一些實施例的用於使用雷射去除處理形成包覆邊緣電極的方法。遵循流程圖1200，在顯示基板的上和/或下表面上形成結構（框1202）。結構包括核心電路和包覆邊緣電極的表面電極部分。可以使用本領域已知的任何合適的技術來形成核心電路和包覆邊緣電極的表面電極部分。
顯示基板可以由任何合適的材料製成，例如聚合物基板、印刷電路板、金屬、基於玻璃、陶瓷、藍寶石、或具有適於產生顯示磚的任何期望的尺寸和/或形狀的矽基板。在一些具體實施例中，基板可為（但不限於）具有四個邊緣的矩形、正方形或菱形片，但是其他形狀和配置旨在落入本揭示內容的範圍內，包括具有一個或多個曲線部分或邊緣的那些。在各種實施例中，基板可以具有小於或等於約3mm的厚度d1 。在一些實施例中，基板的厚度在0.01mm和三（3）mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.1mm與2.5mm之間。在各種實施例中，基板厚度在0.3mm和兩（2）mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.3mm至1.5mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.3mm和一（1）mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.3mm與0.7mm之間。在各種實施例中，基板厚度在0.3mm與0.5mm之間。
在一些實施例中，基板是基於玻璃的基板。例如，此種基於玻璃的基底可以包括鋁矽酸鹽、鹼金屬鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鹼金屬硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鹼金屬鋁硼矽酸鹽、蘇打石灰或其他合適的玻璃。適合用作玻璃基底的市售玻璃的非限制性實例包括，例如，康寧公司（Corning Incorporated）的EAGLE XG® 、LotusTM ，Willow® 和AstraTM 玻璃。
核心電路可以包括但不限於在基板的頂表面和底表面之一者或兩者的中央區域中形成或放置的行驅動器電路、列驅動器電路、發光二極體和導電互連。在某些情況下，薄膜電晶體技術用於形成核心電路的至少一部分。基於本文提供的揭示內容，本領域的普通技術人員將認識到可以結合到核心電路中的各種電路和/或互連。各種包覆邊緣電極的表面電極部分沿著基板的外周形成，並從核心電路內的接觸位置延伸到基板的邊緣。看到圖13a，示出了具有基板的顯示磚1300的示例，包括在中心區域中的核心電路1320和沿著基板外周的包覆邊緣電極的表面電極部分1310。
返回圖12，在顯示基板的外周上形成第一保護層以保護表面電極部分（框1204）。第一保護層可以由能夠在包括最終去除材料以暴露表面電極部分的各種處理期間保護表面電極部分的任何材料製成。此外，可以使用本領域中已知的任何合適的施加方法來完成第一保護材料的材料的施加。在一些實施例中，聚醯亞胺（PI）帶被施加在基板的周圍，以保護表面電極部分。在其他實施例中，PI、聚氨酯（PU）和/或環狀烯烴共聚物中的一種或多種的組合被施加在基板的外周周圍以保護表面電極部分。基於本文提供的揭示內容，根據不同的實施例，本領域的普通技術人員將認識到可以用於形成第一保護層的多種材料和施加處理。看到圖13b，示出了具有基板的顯示磚1301的示例，包括在中央區域的核心電路1320和被第一保護層1311覆蓋的表面電極部分（未示出）。
返回圖12，在基板的核心結構上形成第二保護層，以在處理期間保護核心電路、互連和其他結構（框1206）。第二保護層可以由能夠在包括最終去除第一保護層和第二保護層的材料的各種處理中保護核心結構的任何材料製成。此外，可以使用本領域中已知的任何合適的施加方法來完成第二保護材料的材料的施加。在一些實施例中，將標準薄膜電晶體保護材料沉積在核心結構上。基於本文提供的揭示內容，根據不同的實施例，本領域的普通技術人員將認識到可以用於形成第二保護層的多種材料和施加處理。看到圖13c，示出了具有具有被第二保護層1321覆蓋的核心電路（未示出）的基板的顯示磚1302的示例。應當注意，在一些實施例中，第二保護層覆蓋核心結構和第一保護層的至少一部分。
返回圖12，去除第一保護層，使表面電極部分暴露（框1208）。這是用化學和/或機械處理暴露顯示基板來完成，化學和/或機械處理去除了第一保護層同時在核心結構上保留了第二保護層。例如，在第一保護層是PI膠帶的情況下，藉由將PI膠帶從顯示磚上剝離下來，可以去除第一保護層。在第二保護層至少部分覆蓋第一保護層的情況下，去除第一保護層將去除設置在第一保護層上方的第二保護層的任何部分。看到圖13d，示出了具有具有被第二保護層1321覆蓋的核心電路（未示出）的基板以及暴露的表面電極部分1310的基板的顯示磚1303的示例。
返回圖12，將金屬沉積在顯示磚的所有表面上以產生薄金屬塗層（即，厚度小於或等於兩個微米（2μm））（框1210）。可以使用任何沉積金屬的處理。在一些實施例中，金屬沉積包括濺射純銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）、鎳（Ni）或其組合。在其他情況下，純金屬是雙層結構，例如Ti / Cu、TiW / Cu、TiN / Cu、Cr / Cu、其中Ti、TiW、TiN或Cr是純金屬和基板之間的黏合層。基於本文提供的揭示內容，本領域的普通技術人員將認識到，可以針對不同的實施例使用各種金屬或其他導電材料，和/或可以用來由選定的金屬或其他導電材料覆蓋顯示磚的各種處理。看到圖13e，示出了顯示磚1304的示例，顯示磚1304具有具有核心電路（未示出）和被沉積的金屬1330覆蓋的表面電極部分（未示出）的基板。沉積的金屬1330覆蓋顯示磚的所有側面。
看到圖12，施加電鍍或無電電鍍以用厚金屬層（即，厚度大於或等於兩個微米（2μm））覆蓋顯示基板的整個表面（框1212）。看到圖13f，示出了顯示磚1305的示例，顯示磚1305具有具有核心電路（未示出）和鍍層金屬1331覆蓋的表面電極部分（未示出）的基板。鍍層金屬1331覆蓋顯示磚的所有側面。
返回圖12，在顯示基板的整個表面上形成第三保護層（框1214）。在一些實施例中，第三保護層的材料是在蝕刻處理期間表現出高抗蝕刻性的有機材料。看到圖13g，示出了顯示磚1305的示例，顯示磚1305具有具有核心電路（未示出）和第三保護層1360覆蓋的表面電極部分（未示出）的基板。第三保護層1360覆蓋顯示磚的所有側面。
返回圖12，執行雷射去除第三保護層的一部分以限定在顯示基板的外周邊的包覆邊緣電極的位置（框1216）。這種雷射去除是沿著顯示磚的外周進行的，並且包括去除從顯示裝置第一表面跨過顯示裝置邊緣延伸至顯示裝置第二表面的區域中的所有第三保護層，此區域中不需要圍繞電極。在一些實施例中，藉由相對於雷射能量源安裝顯示磚來完成此雷射去除處理，使得顯示磚可以相對於雷射能量源在三個維度上移動。將雷射能量施加到金屬上會燒蝕第三保護層的材料。轉到圖13h，示出了顯示磚1307的示例，其具有基板，基板具有被第三保護層1360覆蓋的核心電路（未示出）和厚的沉積金屬1331的暴露部分1312，其中不希望有包覆邊緣電極。
對顯示磚進行濕式蝕刻，以去除藉由雷射去除第三保護層而暴露的所有金屬（框1218）。對於銅蝕刻，可使用乙酸、過氧化氫（H2 O2 ）的混合磷酸（HPO3 ）或過氧化氫（H2 O2 ）的混合硫酸（H2 SO4 ）或HCl的混合FeCl3 。對於鈦蝕刻，使用緩衝氧化物蝕刻（BOE）或稀釋的HF，或混合的過氧化氫、磷酸氫鈉和氟矽酸鈉。此蝕刻留下了在顯示磚的外周邊限定的厚的包覆邊緣電極。轉到圖13i，示出了顯示磚1308的示例，其具有基板，基板具有被第三保護層1360覆蓋的核心電路（未示出）以及在顯示磚的周邊周圍限定的厚包覆邊緣電極1313。返回圖12，去除第三保護層和第二保護層（框1220）。在第二和第三保護層是聚合物層的情況下，可以使用諸如（例如）酒精、丙酮、或經過或沒有經過超音波處理的水的溶劑。轉到圖13j，示出了顯示磚1309的示例，其具有基板，基板具有核心電路1320和圍繞顯示磚的外周邊限定的厚的包覆邊緣電極1313。
看到圖14，流程圖1400示出了根據一些實施例的用於使用雷射去除處理形成包覆邊緣電極的方法。遵循流程圖1400，在顯示基板的上和/或下表面上形成核心電路（框1402）。可以使用本領域中已知的任何合適的技術來形成核心電路。
顯示基板可以由任何合適的材料製成，例如聚合物基板、印刷電路板、金屬、基於玻璃、陶瓷、藍寶石、或具有適於產生顯示磚的任何期望的尺寸和/或形狀的矽基板。在一些具體實施例中，基板可為（但不限於）具有四個邊緣的矩形、正方形或菱形片，但是其他形狀和配置旨在落入本揭示內容的範圍內，包括具有一個或多個曲線部分或邊緣的那些。在各種實施例中，基板可以具有小於或等於約3mm的厚度d1 。在一些實施例中，基板的厚度在0.01mm和三（3）mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.1mm與2.5mm之間。在各種實施例中，基板厚度在0.3mm和兩（2）mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.3mm至1.5mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.3mm和一（1）mm之間。在一些實施例中，基板厚度在0.3mm與0.7mm之間。在各種實施例中，基板厚度在0.3mm與0.5mm之間。
在一些實施例中，基板是基於玻璃的基板。例如，此種基於玻璃的基底可以包括鋁矽酸鹽、鹼金屬鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鹼金屬硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鹼金屬鋁硼矽酸鹽、蘇打石灰或其他合適的玻璃。適合用作玻璃基底的市售玻璃的非限制性實例包括，例如，康寧公司（Corning Incorporated）的EAGLE XG® 、LotusTM ，Willow® 和AstraTM 玻璃。
核心電路可以包括但不限於在基板的頂表面和底表面之一者或兩者的中央區域中形成或放置的行驅動器電路、列驅動器電路、發光二極體和導電互連。在某些情況下，薄膜電晶體技術用於形成核心電路的至少一部分。基於本文提供的揭示內容，本領域的普通技術人員將認識到可以結合到核心電路中的各種電路和/或互連。各種包覆邊緣電極的表面電極部分沿著基板的外周形成，並從核心電路內的接觸位置延伸到基板的邊緣。看到圖15a，示出了具有基板的顯示磚1500的示例，包括在中心區域中的核心電路1520和沿著基板外周的包覆邊緣電極的表面電極部分1510。
返回圖14，在顯示基板的所有表面上形成保護層（框1404）。轉到圖15b，示出了顯示磚1501的示例，顯示磚1501具有在中心區域中包括核心電路（未示出）的基板，保護層1560形成在顯示磚的所有表面上。
返回圖14，執行雷射去除保護層的一部分以限定在顯示基板的外周邊的包覆邊緣電極的位置（框1406）。在往後處理中要使用電鍍時，此雷射去除留下金屬跡線，金屬跡線大致垂直於限定的包覆邊緣電極延伸，從而產生包覆邊緣電極之間的電連接。這種雷射去除是沿著顯示磚的外周進行的，並且包括去除從顯示裝置第一表面跨過顯示裝置邊緣延伸至顯示裝置第二表面的區域中的所有第三保護層，此區域中不需要圍繞電極。在一些實施例中，藉由相對於雷射能量源安裝顯示磚來完成此雷射去除處理，使得顯示磚可以相對於雷射能量源在三個維度上移動。將雷射能量施加到金屬上會燒蝕第三保護層的材料。轉到圖15c，示出了顯示磚1502的示例，其具有帶有核心電路（未示出）的基板，核心電路被保護層1560和暴露的部分1512覆蓋，其中需要有包覆邊緣電極。
返回圖14，將金屬沉積在顯示磚的所有表面上以產生薄金屬塗層（即，厚度小於或等於兩個微米（2μm））（框1408）。可以使用任何沉積金屬的處理。在一些實施例中，金屬沉積包括濺射純銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）、鎳（Ni）或其組合。在其他情況下，純金屬是雙層結構，例如Ti / Cu、TiW / Cu、TiN / Cu、Cr / Cu、其中Ti、TiW、TiN或Cr是純金屬和基板之間的黏合層。基於本文提供的揭示內容，本領域的普通技術人員將認識到，可以針對不同的實施例使用各種金屬或其他導電材料，和/或可以用來由選定的金屬或其他導電材料覆蓋顯示磚的各種處理。接著，施加電鍍或無電電鍍以用厚金屬層（即，厚度大於或等於兩個微米（2μm））覆蓋顯示基板的整個表面（框1410）。在包括用於電鍍的金屬跡線時，藉由雷射燒蝕將其除去。
返回圖14，去除第三保護層（框1412）。當保護層是聚合物層時，可以使用具有或不具有超音波處理的溶劑，例如酒精和丙酮。轉到圖15c，示出了顯示磚1509的示例，其具有基板，基板具有核心電路1520和圍繞顯示磚的外周邊限定的厚的包覆邊緣電極1513。
總的來說，用於邊緣電極的各種新穎的系統、裝置、方法和佈置。儘管上面已經給出了一個或多個實施例的詳細描述，但是在不脫離本揭示內容的精神的情況下，各種替代、修改和均等形式對於本領域技術人員將是顯而易見的。因此，以上描述不應被視為限制由所附申請專利範圍限定的本揭示內容的範圍。
50:顯示磚 52:第一基板 55:第一表面 56:外周 58:像素元件 60:像素元件列 62:列電極 65:列驅動器 70:像素元件行 72:行電極 75:行驅動器 150:顯示磚 152:基板 154:邊緣表面 155:第一表面 156:外周 157:第二表面 158:像素元件 160:像素元件列 162:像素元件行 164:列電極連接器 165:列驅動器 170:像素元件行 172:行電極 174:行電極連接器 175:行驅動器 250:顯示磚 300:端視圖 301:俯視圖 302:詳細視圖 304:導體 306:基板 400:顯示器 700:流程圖 800:顯示磚 802:顯示磚 803:顯示磚 804:顯示磚 805:顯示磚 806:顯示磚 810:表面電極部分 811:第一保護層 820:核心電路 821:第二保護層 830:被沉積的金屬 831:核心部分 840:包覆邊緣電極 900:流程圖 1000:顯示磚 1001:顯示磚 1002:顯示磚 1003:顯示磚 1004:顯示磚 1005:顯示磚 1006:顯示磚 1007:顯示磚 1010:表面電極部分 1011:第一保護層 1020:核心電路 1021:第二保護層 1030:被沉積的金屬 1031:核心部分 1040:包覆邊緣電極 1041:金屬跡線 1042:包覆邊緣電極 1102:電極 1104:電極 1106:中間 1108:鍍層溶液 1150:顯示基板 1180:鍍層浴槽 1190:鍍層浴槽 1200:流程圖 1300:顯示磚 1301:顯示磚 1302:顯示磚 1303:顯示磚 1304:顯示磚 1305:顯示磚 1307:顯示磚 1308:顯示磚 1309:顯示磚 1310:表面電極部分 1311:第一保護層 1312:暴露部分 1313:包覆邊緣電極 1320:核心電路 1321:第二保護層 1330:沉積的金屬 1331:沉積金屬 1360:第三保護層 1400:流程圖 1500:顯示磚 1501:顯示磚 1510:表面電極部分 1512:暴露的部分 1513:包覆邊緣電極 1520:核心電路 1560:保護層 1202-1220:步驟 1402-1412:步驟 702-714:步驟 902-920:步驟
參考在說明書的其餘部分中描述的附圖，可以實現對本文描述的各種實施例的進一步理解。在附圖中，貫穿多個附圖使用相似的附圖標記指代相似的部件。在某些情況下，由小寫字母組成的子標籤與參考數字關聯，以表示多個相似組件中的一個。當在沒有說明現有子標籤的情況下參考附圖標記時，意在指代所有這樣的多個相似部件。
圖1是先前技術的顯示器的示意性頂部透視圖；
圖2是根據一些實施例的顯示磚的示意性頂部透視圖，顯示磚在顯示磚的一個表面上包括像素元件，像素元件被使用側電極連接到在顯示磚的相對表面上藉由包覆電極連接的一個或多個行/列驅動器電路；
圖3是圖2的顯示磚的側面透視圖；
圖4是圖2的顯示磚的示意性底部透視圖；
圖5a-5c示出了根據一些實施例的包覆邊緣電極的詳細視圖；
圖6是顯示器的頂部透視圖，顯示器包括彼此隔開足夠距離以在各個顯示磚上容納側電極的多個顯示磚；
圖7示出根據一些實施例的方法的流程圖，用於使用雷射去除處理形成包覆邊緣電極；
圖8a-8g示出了在圖7的處理的各個階段的顯示磚；
圖9示出根據一些實施例的方法的流程圖，用於使用雷射去除處理以及材料添加處理形成包覆邊緣電極；
圖10a-10h示出了在圖9的處理的各個階段的顯示磚；
圖11a-11b示出了具有以垂直或水平方向設置在其中的顯示磚的電鍍浴槽；
圖12示出根據其他實施例的方法的流程圖，用於使用雷射去除處理以及材料添加處理形成包覆邊緣電極；
圖13a-13j示出了在圖12的處理的各個階段的顯示磚；
圖14示出根據其他實施例的方法的流程圖，用於使用雷射去除處理以及材料添加處理形成包覆邊緣電極；以及
圖15a-15d示出了在圖14的處理的各個階段的顯示磚。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
900:方法
902-920:步驟

Claims (28)

  1. 一種顯示磚，該顯示磚包含： 一基板，該基板包含：一第一表面和一第二表面，以及一側面，該側面沿著該基板的一外周的一部分在該第一表面和該第二表面之間延伸；以及 一電極，該電極從該基板的該第一表面上的一第一接觸位置圍繞該側面延伸到該第二表面上的一第二接觸位置，其中垂直於該電極並平行於該第一表面測量的該電極的一橫截面寬度小於或等於兩百微米，並且垂直於該第一表面從該第一表面到該電極的一相對表面測量的該電極的一最小厚度大於或等於兩百奈米。
  2. 如請求項1所述之顯示磚，該顯示磚進一步包括： 一電路，該電路設置在該第二表面上或接近該第二表面； 一電子元件，該電子元件設置在該第一表面上或接近該第一表面；以及 其中該電極將該電路與該電子元件電連接。
  3. 如請求項2所述之顯示磚，其中該電路是一列驅動器，且其中該電子元件是一像素元件。
  4. 如請求項3所述之顯示磚，其中該像素元件係選自由以下各者組成之一群組：LED；microLED；LCD顯示元件；OLED顯示元件；CMOS元件；以及電晶體元件。
  5. 如請求項1所述之顯示磚，其中從該電極的該第一表面到該相對表面垂直於該第一表面測量的該電極的該最小厚度大於或等於五微米。
  6. 如請求項1所述之顯示磚，其中從該電極的該第一表面到該相對表面垂直於該第一表面測量的該電極的該最小厚度大於或等於八微米。
  7. 如請求項1所述之顯示磚，其中該基板是一基於玻璃的基板。
  8. 如請求項1所述之顯示磚，其中以沿著垂直於該第一表面並且在該第一表面和該第二表面之間延伸的一線的一距離測量的該側面的一厚度小於或等於三毫米。
  9. 如請求項1所述之顯示磚，其中該電極由純度大於百分之九十八的金屬形成。
  10. 如請求項1所述之顯示磚，其中該純金屬選自由以下各者組成之一群組：銅（Cu）；銀（Ag）；金（Au）；鎳（Ni）；或銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）、鎳（Ni）之任意組合。
  11. 一種生產一多基板裝置的方法，該方法包含以下步驟： 將一導電材料至少沉積到一基板的一第一表面、該基板的一第二表面、以及該基板的一側面上，該側面沿著該基板的一外周的一部分在該第一表面和該第二表面之間延伸；以及 雷射去除從該基板的該第一表面圍繞該側面延伸到該第二表面的該導電材料的一部分，留下由該導電材料形成的複數個電極，該複數個電極將該第一表面上的一第一接觸位置電連接到該第二表面上的一第二接觸位置。
  12. 如請求項11所述之方法，其中垂直於該電極並平行於該第一表面測量的該電極的一橫截面寬度小於或等於兩百微米，並且垂直於該第一表面從該第一表面到該電極的一相對表面測量的該電極的一最小厚度大於或等於兩微米。
  13. 如請求項11所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 在該第二表面上或該第二表面附近形成一電路； 在該第一表面上或該第一表面附近連接一電子元件；和 其中該電極將該電路與該電子元件電連接。
  14. 如請求項13所述之方法，其中該電路是一列驅動器，且其中該電子元件是一像素元件。
  15. 如請求項13所述之方法，其中該像素元件係選自由以下各者組成之一群組：LED；microLED；LCD顯示元件；OLED顯示元件；CMOS元件；以及電晶體元件。
  16. 如請求項11所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 用一鍍層材料對該電極進行鍍層，使得從該電極的該第一表面到該相對表面垂直於該第一表面測量的該電極的該最小厚度大於或等於三微米。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該鍍層步驟是使用選自由以下各者組成之群組的一鍍層處理而完成的：電鍍；和無電電鍍。
  18. 如請求項16所述之方法，其中從該電極的該第一表面到該相對表面垂直於該第一表面測量的該電極的該最小厚度大於或等於五微米。
  19. 如請求項16所述之方法，其中從該電極的該第一表面到該相對表面垂直於該第一表面測量的該電極的該最小厚度大於或等於八微米。
  20. 如請求項16所述之方法，其中該基板是一基於玻璃的基板。
  21. 如請求項16所述之方法，其中該鍍層材料是純金屬。
  22. 如請求項16所述之方法，其中該純金屬選自由以下各者組成之一群組：銅（Cu）；銀（Ag）；金（Au）；鎳（Ni）；或銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）、鎳（Ni）之任意組合。
  23. 一種生產一多基板裝置的方法，該方法包含以下步驟： 在一基板的一第一表面、該基板的一第二表面、以及該基板的一側面的至少一部分上形成一導電材料，該側面沿著該基板的一外周的一部分在該第一表面和該第二表面之間延伸； 在該第一表面、該第二表面和該側面之每一者的至少一部分上形成一保護層； 雷射去除對應於複數個電極之間的開口區域的該保護層的一部分；和 從由該雷射去除而暴露的該區域中蝕刻去除該導電材料以留下複數個電極，其中複數個電極中的每個電極從該基板的該第一表面上的一第一接觸位置圍繞該側面延伸到該第二表面上的一第二接觸位置。
  24. 如請求項23所述之方法，其中在一基板的該第一表面、該基板的該第二表面、以及該基板的該側面的至少該部分上形成該導電材料之步驟包括金屬濺射和金屬鍍層的一組合。
  25. 如請求項24所述之方法，其中該金屬鍍層是使用選自由以下各者組成之群組的一鍍層處理而完成的：電鍍；和無電電鍍。
  26. 一種生產一多基板裝置的方法，該方法包含以下步驟： 在一基板的一第一表面、該基板的一第二表面、以及該基板的一側面的至少一部分上形成一保護層，該側面沿著該基板的一外周的一部分在該第一表面和該第二表面之間延伸； 雷射去除對應於複數個電極之間的開口區域的該保護層的一部分； 在該基板的該第一表面、該基板的該第二表面、以及該基板的該側面的該部分的至少一子集上形成一導電材料；以及 去除該保護層以留下由該導電材料形成的複數個電極，其中該複數個電極中的每個電極從該基板的該第一表面上的一第一接觸位置圍繞該側面延伸到該第二表面上的一第二接觸位置。
  27. 如請求項26所述之方法，其中在一基板的該第一表面、該基板的該第二表面、以及該基板的該側面的該部分的至少該子集上形成該導電材料之步驟包括金屬濺射和金屬鍍層的一組合。
  28. 如請求項27所述之方法，其中該金屬鍍層是使用選自由以下各者組成之群組的一鍍層處理而完成的：電鍍；和無電電鍍。
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