JP2022512609A - 埋込サイド電極を備えたディスプレイを形成するためのシステムおよび方法 - Google Patents

Abstract

実施の形態は、広く、表示装置に関し、より詳しくは、埋込サイド電極を有するディスプレイまたはディスプレイタイルに関する。

Description

優先権

本出願は、その内容が依拠され、ここに全て含まれる、２０１８年１０月４日に出願された米国仮特許出願第６２／７４１１５８号の米国法典第３５編第１１９条の下での優先権の恩恵を主張するものである。

実施の形態は、広く、表示装置に関し、より詳しくは、埋込サイド電極を有するディスプレイまたはディスプレイタイルに関する。

複数の個々のディスプレイタイルからなるディスプレイが、大型ディスプレイを製造するために使用されており、これは、時々、タイル状ディスプレイ(tiled display)と称される。例えば、多数のディスプレイタイルからなるビデオウォールが、その影響力の大きい関与と魅力的な映像で知られており、小売業環境、制御室、空港、テレビのスタジオ、ホールおよびスタジアムを含む様々な環境で使用されている。図１から分かるように、現行のディスプレイにおいて、ディスプレイタイルおよび表示装置自体のエッジ部分は、導線およびアクティブマトリクス型ディスプレイ用の薄膜トランジスタアレイを含み得る駆動回路などの表示パネルの作動に関連する様々な他の電子部品のために使用されている。これらのディスプレイの例に、液晶ディスプレイ（ＬＥＤ）および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイがある。これにより、フラットディスプレイパネルの製造業者は、先に述べた電子部品を隠す、ベゼル内および／またはその背後にエッジ部分を入れることになった。

図１は、従来技術のディスプレイタイル５０を示しており、このディスプレイタイルは、第一面５５および外周囲５６を有する第１の基板５２を備えている。ディスプレイタイル５０は、画素素子５８の行６０および画素素子５８の列７０を備えている。画素素子５８の各行６０は、行電極６２および画素素子５８の複数の列７０により接続され、画素素子５８の各列７０は、列電極７２により接続されている。ディスプレイタイルは、画素素子５８の行６０を作動させる少なくとも１つの行ドライバー６５および画素素子５８の列７０を作動させる少なくとも１つの列ドライバー７５をさらに備えている。従来技術のディスプレイタイル５０において、行ドライバー６５および列ドライバー７５は、画素素子の同じ側の第一面５５上に位置しており、行ドライバー６５および列ドライバー７５を覆うためにベゼル（図示せず）を必要とする。

審美的理由のために、フラットパネルディスプレイ製造者は、画像の鑑賞面積を最大にし、ディスプレイ上の画像を取り囲むベゼルのサイズを最小にすることによって、より審美的に満足のいく外観を与えようとしている。しかしながら、この最小化には実際的な限界があり、現行のベゼルのサイズは、幅が３ミリメートルから１０ミリメートル程度である。

この業界において、ベゼルのないディスプレイタイルおよびシームレスなゼロミリメートルのベゼル（ここでは「ゼロベゼル」または「ベゼルなし」と称される）を有するディスプレイタイルからなるタイル状ディスプレイを達成する努力が行われてきた。ベゼルなしのディスプレイタイルにより、不快な黒の間隙の必要がないタイル状ディスプレイの膨大な構成が可能になる。ベゼルなしのディスプレイタイルを達成するために、ディスプレイタイルのエッジに密接に近接して画素素子を有することが都合よいことがある。これらの画素素子は、ディスプレイタイル基板の前面に位置付けることができ、背面に制御電子回路を位置付けることができる。その結果、ディスプレイタイル基板の前面と背面を電気的に相互接続する必要がある。

ガラスから製造されたディスプレイタイル基板においてそのような相互接続を達成する方法の１つは、金属化されたガラス貫通ビア（「ＴＧＶ」）によるものである。そのようなＴＧＶを使用して、ゼロベゼルマイクロＬＥＤディスプレイを製造することができるが、ＴＧＶは、少なくとも、各穴のレーザ損傷（連続工程）と、その後のエッチングを含む現行の方法を使用して、製造するのにかなり費用がかかる。次に、この穴は、金属化のためにさらに加工する必要がある。

ＴＧＶの実装は、全体の製造工程順序に課題を提示する。タイル基板の前面に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイを有するようにする場合、ガラスビアをいつ製造し、金属化するかに関して問題が生じる。ＴＦＴアレイの製造は、伝統的に、無垢なガラス表面に行われるので、エッチングおよび金属化は、ＴＦＴの製造後に最もうまく行われるであろう。その結果、そのアレイは、エッチングから保護されなければならず、金属化技術に適合しなければならない。

それゆえ、少なくとも上述した理由のために、マルチタイルディスプレイを製造するための進歩したシステムおよび方法が、当該技術分野において必要とされている。

実施の形態は、広く、表示装置に関し、より詳しくは、埋込サイド電極を有するディスプレイまたはディスプレイタイルに関する。

この要約は、いくつかの実施の形態の概要のみを提供する。「１つの実施の形態において」、「１つの実施の形態によれば」、「様々な実施の形態において」、「１つ以上の実施の形態において」、「特別な実施の形態において」などの句は、概して、その句に続く特定の特性、構造、または特徴が、少なくとも１つ実施の形態に含まれ、複数の実施の形態に含まれることもあることを意味する。重要なことに、そのような句は、必ずしも、同じ実施の形態を称する訳ではない。多くの他の実施の形態が、以下の詳細な説明、付随の特許請求の範囲、および添付図面からより完全に明白になるであろう。

本発明の様々な実施の形態のさらなる理解は、明細書の残りの部分に記載されている図面に関して実現されるであろう。図面において、同様の構成要素を称するために、いくつかの図面に亘り同じ参照番号が使用される。ある場合には、下付き文字からなる下位のラベルは、多くの同様の構成要素の内の１つを示すために、参照番号に関連している。既存の下位のラベルに指定されずに、参照番号を参照する場合、そのような多数の同様の構成要素の全てを称する意図がある。

従来技術のディスプレイの概略上面斜視図 サイド電極を使用して、ディスプレイタイルの反対面にある１つ以上の列／行駆動回路に接続された、ディスプレイタイルの片面にある画素素子を備えたディスプレイタイルの概略上面斜視図 図２のディスプレイタイルの側面斜視図 図２のディスプレイタイルの概略底面斜視図 いくつかの実施の形態に関して使用されることのある可撓性の接着サイド電極の端面図 図５の可撓性の接着サイド電極の平面図 真っ直ぐな面に取り付けられた図５の可撓性の接着サイド電極回路から形成されたサイド電極を備えたディスプレイタイルの真っ直ぐな面の側面図 図７のディスプレイタイルの平面図 図５の可撓性の接着サイド電極回路から形成されたサイド電極を備えたディスプレイタイルの丸まった面の側面図 図７のディスプレイタイルの平面図 各々が真っ直ぐな端部かまたは湾曲した端部のいずれかを示すそれぞれのディスプレイタイル上にサイド電極を収容するために、互いから十分な距離だけ間隔が空けられた多数のディスプレイタイルを備えたディスプレイの上面斜視図 いくつかの実施の形態による、埋込サイド電極を使用してディスプレイタイルの反対面にある１つ以上の列／行駆動回路に接続されたディスプレイタイルの片面にある画素素子を備えたディスプレイタイルの概略上面斜視図 様々な実施の形態による、各微細溝が埋込サイド電極を収容できる微細溝の構成を示すディスプレイタイル部分の上面図 様々な実施の形態による、各微細溝が埋込サイド電極を収容できる微細溝の構成を示すディスプレイタイル部分の上面図 様々な実施の形態による、各微細溝が埋込サイド電極を収容できる微細溝の構成を示すディスプレイタイル部分の上面図 様々な実施の形態による、各微細溝が埋込サイド電極を収容できる微細溝の構成を示すディスプレイタイル部分の上面図 様々な実施の形態による、各微細溝が埋込サイド電極を収容できる微細溝の構成を示すディスプレイタイル部分の上面図 様々な実施の形態による、各微細溝が埋込サイド電極を収容できる微細溝の構成を示すディスプレイタイル部分の上面図 いくつかの実施の形態による、微細溝を備えたディスプレイまたはディスプレイタイルを形成する方法を示す流れ図 いくつかの実施の形態による、そこからディスプレイタイルが切断されるガラスパネルの上面図 いくつかの実施の形態に関して使用されるレーザ切断過程の側面図 いくつかの実施の形態に関して使用されるレーザ切断過程の側面図 様々な実施の形態による、微細溝を備えたディスプレイタイルの上面図 図２３のディスプレイタイルの一部の側面斜視図 微細溝を露出されたままにするマスキング層で覆われた図２４のディスプレイタイルの一部の側面斜視図 マスキング層を通じて露出された微細溝領域に微細溝を形成した後の図２５のディスプレイタイルの一部の側面斜視図 いくつかの実施の形態における、埋込サイド電極を形成する方法の流れ図 いくつかの実施の形態による、ディスプレイタイルの各々の少なくとも１つの面およびその面の少なくとも１つの微細溝が多少揃えられた、互いに隣り合って積層された多数のディスプレイタイルの側面斜視図 いくつかの実施の形態による、半田ペーストで上部エッジ面が覆われた、図２８の積層されたディスプレイタイルの説明図 いくつかの実施の形態による、各微細溝が埋込サイド電極を含むように、半田ペーストを流し、硬化させた後の、図２８の積層されたディスプレイタイルの説明図 他の実施の形態による、埋込サイド電極を形成する別の方法を示す流れ図 様々な実施の形態による、揃えられた微細溝がナノ粒子溶液または懸濁液で満たされた、図２８の積層されたディスプレイタイルの説明図 様々な実施の形態による、ナノ粒子溶液または懸濁液の減少または凝集後の、図２８の積層されたディスプレイタイルの説明図 他の実施の形態による、埋込サイド電極を形成する別の方法を示す流れ図 いくつかの実施の形態による、微細溝の内壁をメッキした後の図２８の積層されたディスプレイタイルの説明図 微細溝内にサイド電極が形成され、サイド電極上に絶縁層が形成された後の、図２３のディスプレイタイルの一部を示すために拡張された図２４の側面斜視図

実施の形態は、広く、表示装置に関し、より詳しくは、埋込サイド電極を有するディスプレイまたはディスプレイタイルに関する。

いくつかの実施の形態は、行ドライバーおよび列ドライバーがディスプレイまたはディスプレイタイルの片面上に位置付けられ、画素素子がそのディスプレイまたはディスプレイタイルの反対面に位置付けられている、マルチタイルディスプレイに使用されるディスプレイおよびディスプレイタイルを提供する。ディスプレイまたはディスプレイタイルの片面にある電気素子（例えば、行ドライバー）と、そのディスプレイまたはディスプレイタイルの反対面にある電気素子（例えば、画素素子）との間の電気的結合を提供するために、サイド電極が形成されている。そのサイド電極は、ディスプレイまたはディスプレイタイルの側面に沿った凹部内に形成されている。そのような埋込サイド電極により、有効表示域を増加させられる。

いくつかの実施の形態は、少なくとも第１のディスプレイタイルおよび第２のディスプレイタイルを備えたディスプレイを提供する。第１のディスプレイタイルおよび第２のディスプレイタイルの各々は、基板、第１のサイド電極、および第２のサイド電極を備える。その基板は、第一面と第二面、その基板の外周囲の第１の部分に沿って第一面と第二面との間に延在する第１の側面、その基板の外周囲の第２の部分に沿って第一面と第二面との間に延在する第２の側面、その外周囲の第１の部分に沿った開口を有する第１の陥凹部、およびその外周囲の第２の部分に沿った開口を有する第２の陥凹部を備える。第１のサイド電極は、外周囲の第１の部分を越えて延在しないように第１の陥凹部内に配置され、第２のサイド電極は、第２のサイド電極が外周囲の第２の部分を越えて延在しないように第２の陥凹部内に配置されている。

上述した実施の形態のある場合において、第１のディスプレイタイルおよび第２のディスプレイタイルの各々は、第二面上またはその近くに配置された第１の行ドライバー、第一面上またはその近くに配置された画素素子、その画素素子から第１のサイド電極の第１の端部まで第一面上に延在する第１の導体、行ドライバーから第１のサイド電極の第２の端部まで第二面上に延在する第２の導体、第二面上またはその近くに配置された列ドライバー、画素素子から第２のサイド電極の第１の端部まで第一面上に延在する第３の導体、および列ドライバーから第２のサイド電極の第２の端部まで第二面上に延在する第４の導体をさらに備える。

他の実施の形態は、基板、第１のサイド電極、および第２のサイド電極を備えたディスプレイタイルを提供する。その基板は、第一面と第二面、その基板の外周囲の第１の部分に沿って第一面と第二面との間に延在する第１の側面、その基板の外周囲の第２の部分に沿って第一面と第二面との間に延在する第２の側面、その外周囲の第１の部分に沿った開口を有する第１の陥凹部、およびその外周囲の第２の部分に沿った開口を有する第２の陥凹部を備える。第１のサイド電極は、外周囲の第１の部分を越えて延在しないように第１の陥凹部内に配置され、第２のサイド電極は、第２のサイド電極が外周囲の第２の部分を越えて延在しないように第２の陥凹部内に配置されている。

上述した実施の形態のある場合において、前記基板は、ガラス系基板である。ここに用いられているように、「ガラス系基板」という句は、ガラスおよび／またはセラミックから全てがまたは部分的に製造された任意の物体を含むように最も広い意味で使用される。ガラス系基板は、以下に限られないが、ガラスと非ガラス材料の積層板、ガラスと結晶質材料の積層板、および／またはガラスセラミック（非晶相および結晶相を含む）を含む。いくつかの実施の形態において、以下に限られないが、高分子、高分子積層板、プリント基板、または金属を含む、ガラス系基板以外の基板が使用されることがある。

上述した実施の形態の様々な例において、ディスプレイタイルは、第二面上またはその近くに配置された回路、および第一面上またはその近くに配置された電気素子をさらに備える。ここに用いられているように、「電気素子」という句は、電気信号を伝達および／または処理することのできる任意の素子または構造を意味するために最も広い意味で使用される。それゆえ、電気素子は、以下に限られないが、導体、半導体、電極、薄膜トランジスタ、コンデンサ、抵抗、インダクタ、発光ダイオード（以後「ＬＥＤ」）、有機発光ダイオード（以後「ＯＬＥＤ」）、液晶セル、および／または電気的に制御された光学素子であることがある。第１の導体は、その電気素子から第１のサイド電極の第１の端部まで第一面上に延在し、第２の導体は、前記回路から第１のサイド電極の第２の端部まで第二面上に延在する。いくつかのそのような場合において、その回路は行ドライバーであり、電気素子は画素素子である。特定の場合において、画素素子は第１の画素素子であり、ディスプレイタイルは、第一面上またはその近くに配置された第２の画素素子を備える。第３の導体は、第１の画素素子を第２の画素素子に電気的に結合することがある。上述した画素素子は、以下に限られないが、発光ダイオード（ＬＥＤ）、マイクロＬＥＤ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）素子、または有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）素子であることがある。上述した実施の形態の様々な場合において、ディスプレイタイルは、第二面上またはその近くに配置された列ドライバー、画素素子から第２のサイド電極の第１の端部まで第一面上に延在する第３の導体、および列ドライバーから第２のサイド電極の第２の端部まで第二面上に延在する第４の導体をさらに備える。様々な場合において、行ドライバーおよび／または列ドライバーは、別個の回路基板上に位置付けられ、フレックスコネクタ、半田接続部、または他の適切な方法の使用により、基板の第二面上の電気素子に電気的に接続されることがある。

上述した実施の形態の様々な場合において、第１の陥凹部は第１の溝であり、第２の陥凹部は第２の溝である。そのような溝は、以下に限られないが、丸まった側面溝、真っ直ぐな側面溝、および／または丸まった側面と真っ直ぐな側面の両方を含む組合せ溝であることがある。上述した実施の形態のある場合において、第１の陥凹部は第１の形状を示し、第２の陥凹部は第２の形状を示し、第１の形状は第２の形状と異なる。いくつかのそのような場合において、第１の形状は位置合わせマークとして使用される。上述した凹部は、基板のエッジに、基板のエッジ上に形成されたコーティングに、または基板のエッジと基板のエッジ上のコーティングの組合せに形成されることがある。

上述した実施の形態のある場合において、第一面に垂直であり、第一面と第二面との間に延在する線に沿った距離として測定される、第１の側面と第２の側面の厚さは、三（３）ミリメートル以下である。上述した実施の形態の様々な場合において、第１の側面に垂直であり、第一面に平行な線に沿った距離として測定される第１の陥凹部の深さは、二百五十（２５０）マイクロメートル未満である。上述した実施の形態のある場合において、第１の側面および第一面の両方に平行な線に沿って測定された第１の陥凹部の開口の幅は、百（１００）マイクロメートル未満である。

上述した実施の形態の様々な場合において、このディスプレイタイルは、外周囲の第１の部分に沿った開口を示す第３の陥凹部をさらに備える。第１の陥凹部の開口の一方の側面から、第１の陥凹部の開口の一方の側面が第２の陥凹部の開口の一方の側面に隣接する第２の陥凹部の開口の隣接する側面まで、第１の側面と第一面の両方に平行な線に沿って測定される第３の陥凹部と第１の陥凹部との間の間隔は、二百五十（２５０）マイクロメートル未満である。

上述した実施の形態のある場合において、第１のサイド電極は導体材料から形成されている。ここに用いられているように、「導体材料」という句は、電気信号を伝導させることのできる任意の材料を意味するために最も広い意味で使用される。ここに与えられた開示に基づいて、当業者には、異なる実施の形態に関して使用されることのある様々な導体材料が認識されるであろう。この導体材料は、以下に限られないが、金属であることがある。そのような金属は、以下に限られないが、アルミニウム、モリブデン、インジウムスズ酸化物、パラジウム、チタン、スズ、銀、銅、金、導体の多層の組合せ、またはアルミニウム、モリブデン、インジウムスズ酸化物、パラジウム、チタン、スズ、銀、銅、金の内の２つ以上を含有する任意の金属合金であることがある。上述した実施の形態の特定の場合において、ディスプレイタイルは、第１のサイド電極および第２のサイド電極の上に形成された絶縁体材料をさらに備える。

さらに他の実施の形態は、ディスプレイを製造する方法を提供する。そのような方法は、少なくとも第１のディスプレイタイルおよび第２のディスプレイタイルを、この第１のディスプレイタイルの少なくとも１つの側面がこの第２のディスプレイタイルの側面と揃い、それらの側面が一緒になって上部エッジ面を形成するように、積層させる工程を有してなる。第１のディスプレイタイルの少なくとも１つの側面は、第１のディスプレイタイルのその少なくとも１つの側面に沿った開口を有する第１の陥凹部を含み、第２のディスプレイタイルの側面は、第２のディスプレイタイルの側面に沿った開口を有する第２の陥凹部を含む。第１の陥凹部は第２の陥凹部に隣接している。その方法は、第１の陥凹部および第２の陥凹部の両方の中に導体材料を形成する工程を含み、その導体材料は上部エッジ面上に延在しない。ある場合において、その方法は、導体材料が第１の陥凹部および第２の陥凹部の各々の中に留まるように、第２のディスプレイタイルから第１のディスプレイタイルを外す工程をさらに含む。

上述した実施の形態の様々な場合において、前記方法は、第１の陥凹部内の導体材料を、第１のディスプレイタイルの基板の第一面上またはその近くに配置された駆動回路に電気的に結合する工程、および第１の陥凹部内の導体材料を、第１のディスプレイタイルの基板の第二面上またはその近くに配置された画素素子に電気的に結合する工程をさらに含み、第１の基板の第一面が、第１のディスプレイタイルの基板の第二面の反対にある。

上述した実施の形態のいくつかの場合において、前記方法は、第１の基板内に第１の陥凹部を形成して、第１のディスプレイタイルを生成する工程、および第２の基板内に第２の陥凹部を形成して、第２のディスプレイタイルを生成する工程をさらに含む。いくつかのそのような場合において、第１の基板および第２の基板は両方とも、ガラス系基板である。様々なそのような場合において、第１の基板内に第１の陥凹部を形成する工程および第２の基板内に第２の陥凹部を形成する工程は、第１の基板中に第１の陥凹部をレーザ切断する工程、および第２の基板中に第２の陥凹部をレーザ切断する工程を含む。特定の場合において、第１の基板中に第１の陥凹部をレーザ切断する工程は、第１の基板の第一面または第二面の選択された一方に対してレーザ吸収材料を配置する工程；レーザ光線が第１の基板を通って、その基板とレーザ吸収材料との間に界面に通過し、その界面近くの領域で基板から材料が除去されるように基板の第一面または第二面の選択されていない一方にレーザ光線を向ける工程；およびレーザ光線をある経路に沿って、その界面が類似の経路に沿って移動するように、移動させる工程を含む。界面近くの領域で第１の基板から材料が除去されると、第１の陥凹部が形成される。他のそのような場合において、第１の基板内に第１の陥凹部を形成する工程および第２の基板内に第２の陥凹部を形成する工程は、第１の陥凹部および第２の陥凹部に対応する区域が露出されたままであるように積層体にマスキング材料を施す工程；およびその積層体をエッチングして、露出されたままの区域の近くの領域で第１の基板および第２の基板から材料を除去する工程を含む。積層体のエッチングは、以下に限られないが、湿式化学エッチング、乾式化学エッチング、機械的エッチング、または湿式化学エッチング、乾式化学エッチング、および／または機械的エッチングの内の２つ以上の組合せを含むことがある。

上述した実施の形態のある場合において、第１の陥凹部および第２の陥凹部の両方の中に導体材料を形成する工程は、第１の陥凹部および第２の陥凹部に半田ペーストを少なくとも部分的に充填する工程；その半田ペーストを硬化させて、第１の陥凹部および第２の陥凹部の両方の中に半田ペーストに由来する導体材料を残す工程；および第１の陥凹部および第２の陥凹部の各々の中に導体材料が留まるように第２のディスプレイタイルから第１のディスプレイタイルを外す工程を含む。

上述した実施の形態の他の場合において、第１の陥凹部および第２の陥凹部の両方の中に導体材料を形成する工程は、溶融形態にある導体材料を、第１の陥凹部および第２の陥凹部の両方からなる通路に通して流す工程；導体材料を冷却する工程；および第１の陥凹部および第２の陥凹部の各々の中に導体材料が留まるように第２のディスプレイタイルから第１のディスプレイタイルを外す工程を含む。

上述した実施の形態のさらに他の場合において、第１の陥凹部および第２の陥凹部の両方の中に導体材料を形成する工程は、第１の陥凹部および第２の陥凹部の各々の中にシード材料を堆積させる工程；第１の陥凹部および第２の陥凹部の各々の中の壁を導体材料でメッキする工程；および第１の陥凹部および第２の陥凹部の各々の中に導体材料が留まるように第２のディスプレイタイルから第１のディスプレイタイルを外す工程を含む。

上述した実施の形態のさらに他の場合において、第１の陥凹部および第２の陥凹部の両方の中に導体材料を形成する工程は、液体ナノ粒子材料を、第１の陥凹部および第２の陥凹部の両方からなる通路中に流す工程；第１の陥凹部および第２の陥凹部内の液体ナノ粒子材料を乾燥させて、第１の陥凹部および第２の陥凹部の壁に沿ってナノ粒子残留物を形成する工程；第１の陥凹部および第２の陥凹部の壁に沿ったナノ粒子残留物にレーザエネルギーを施して、ナノ粒子残留物を導体材料に凝集した金属ナノ粒子に変える工程；および第１の陥凹部および第２の陥凹部の各々の中に導体材料が留まるように第２のディスプレイタイルから第１のディスプレイタイルを外す工程を含む。そのナノ粒子残留物は、以下に限られないが、酸化銅（ＣｕＯ）および／または酸化銀（ＡｇＯ）であるナノ粒子を含むことがある。

またさらなる実施の形態は、ディスプレイを製造する方法を提供する。その方法は、基板内に第１の陥凹部を形成する工程を含む。その基板は、第一面と第二面、その基板の外周囲の第１の部分に沿って第一面と第二面との間に延在する第１の側面、その基板の外周囲の第２の部分に沿って第一面と第二面との間に延在する第２の側面を備え、前記第１の陥凹部の開口は、その基板の外周囲の第１の部分に沿っている。その第一面はその第二面の反対にある。この方法は、第２の陥凹部の開口が基板の外周囲の第２の部分に沿うように基板内に第２の陥凹部を形成する工程；および導体材料が基板の外周囲を越えて延在しないように第１の陥凹部および第２の陥凹部の各々の中に導体材料を形成する工程を含む。

上述した実施の形態のある場合には、前記方法は、第１の陥凹部内の導体材料を基板の第一面上またはその近くに配置された第１の回路に電気的に結合する工程；第２の陥凹部内の導体材料を基板の第一面上またはその近くに配置された第２の回路に電気的に結合する工程；第１の陥凹部内の導体材料を基板の第二面上またはその近くに配置された画素素子に電気的に結合する工程；および第２の陥凹部内の導体材料をその画素素子に電気的に結合する工程をさらに含む。

上述した実施の形態の様々な場合において、基板内に第１の陥凹部を形成する工程は、基板の第１の側面に第１の陥凹部をレーザ切断する工程を含む。いくつかのそのような場合において、基板の第１の側面に第１の陥凹部をレーザ切断する工程は、基板の第一面または第二面の一方に対してレーザ吸収材料を配置する工程；レーザ光線が基板を通ってその基板とレーザ吸収材料との間の界面に通過して、その界面近くの領域で基板から材料が除去されるように基板の第一面または第二面の他方にレーザ光線を向ける工程；およびレーザ光線をある経路に沿って、界面が類似の経路に沿って移動するように、移動させる工程を含む。界面近くの領域の領域で基板から材料が除去されると、第１の陥凹部が形成される。

他の場合には、第１の基板内に第１の陥凹部を形成する工程および第２の基板内の第２の陥凹部を形成する工程は、第１の陥凹部および第２の陥凹部に対応する区域が露出されたままであるように積層体にマスキング材料を施す工程；および積層体をエッチングして、露出されたままである区域の近くの領域で第１の基板および第２の基板から材料を除去する工程を含む。積層体のエッチングは、以下に限られないが、湿式化学エッチング、乾式化学エッチング、機械的エッチング、または湿式化学エッチング、乾式化学エッチング、および／または機械的エッチングの内の２つ以上の組合せを含むことがある。

図２～４を見ると、第一面１５５、第一面１５５と反対の第二面１５７、および第一面１５５と第二面１５７との間のエッジ面１５４を含む第１の基板１５２を備え、エッジ面１５４がディスプレイタイルの外周囲１５６を画成している、ディスプレイタイル１５０が示されている。

１つ以上の実施の形態による、ここに記載されたディスプレイタイル１５０は、どの適切な材料の基板１５２、例えば、ディスプレイタイルを製造するのに適した任意の所望のサイズおよび／または形状を有する高分子基板、プリント基板、金属、またはガラス系基板を含んでも差し支えない。第一面１５５および第二面１５７は、特定の実施の形態において、平面または実質的に平面、例えば、実質的に平らであることがある。第一面１５５および第二面１５７は、様々な実施の形態において、平行または実質的に平行であることがある。いくつかの実施の形態による基板１５２は、図２～４に示されるように４つのエッジを含んでも、４より多いエッジを含んでも、例えば、多辺多角形であってもよい。他の実施の形態において、ディスプレイタイル１５０は、４より少ないエッジを含む、例えば、三角形であってもよい。非限定例として、基板１５２は、長方形、正方形、または４つのエッジを有する菱形シートを有することがあるが、１つ以上の曲線部分またはエッジを有するものを含む、他の形状および形態が、本開示の範囲内に入ることが意図されている。

特定の実施の形態において、基板１５２は、約３ｍｍ以下の厚さｄ_１を有することがある。いくつかの実施の形態において、厚さｄ_１は、０．０１ｍｍと三（３）ｍｍの間である。いくつかの実施の形態において、厚さｄ_１は、０．１ｍｍと２．５ｍｍの間である。様々な実施の形態において、厚さｄ_１は、０．３ｍｍと二（２）ｍｍの間である。いくつかの実施の形態において、厚さｄ_１は、０．３ｍｍと二（２）ｍｍの間である。いくつかの実施の形態において、厚さｄ_１は、０．３ｍｍと１．５ｍｍの間である。いくつかの実施の形態において、厚さｄ_１は、０．３ｍｍと一（１）ｍｍの間である。いくつかの実施の形態において、厚さｄ_１は、０．３ｍｍと０．７ｍｍの間である。いくつかの実施の形態において、厚さｄ_１は、０．３ｍｍと０．５ｍｍの間である。

ディスプレイタイルを製造するために使用されるガラス系基板は、表示装置に使用するための当該技術分野に公知のどのガラス系材料から作られても差し支えない。例えば、ガラス系基板は、アルミノケイ酸塩、アルカリアルミノケイ酸塩、ホウケイ酸塩、アルカリホウケイ酸塩、アルミノホウケイ酸塩、アルカリアルミノホウケイ酸塩、ソーダ石灰、または他の適切なガラスから作られることがある。ガラス基板としての使用に適した市販のガラスの非限定例としては、例えば、Ｃｏｒｎｉｎｇ ＩｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄからのＥＡＧＬＥ ＸＧ（登録商標）、Ｌｏｔｕｓ（商標）、およびＷｉｌｌｏｗ（登録商標）ガラスが挙げられる。

ディスプレイタイル１５０の第一面１５５は、画素素子１５８の複数の行１６０および画素素子１５８の複数の列１７０に配列された一連の画素素子１５８を備えている。画素素子１５８の各行１６０は行電極１６２により接続され、画素素子１５８の各列１７０は列電極１７２により接続されている。交差する画素素子の行１６０と列１７０は、同じ画素素子１５８の内のいくつかを含むことが理解されよう。それゆえ、別々の二組の画素素子１５８があるのではなく、両方とも、別々の行と列の電極に接続された画素素子１５８を含有する画素素子１５８のアレイが１つある。１つ以上の実施の形態によるディスプレイタイルは、画素素子１５８の行１６０を電気的に作動させる少なくとも１つの行ドライバー１６５および画素素子１５８の列１７０を作動させる少なくとも１つの列ドライバー１７５を備え、行ドライバー１６５および列ドライバー１７５は、第一面１５５と反対に位置付けられている。図２～４に示された実施の形態において、行ドライバー１６５および列ドライバー１７５は、基板１５２の第二面１５７上に位置付けられている。他の実施の形態において、行ドライバー１６５および列ドライバー１７５は、別の基板（図示せず）または他の適切な構造など、第一面１５５と反対に配置された別の構造上に位置付けることができる。いくつかのそのような場合において、電気接点が、基板の第一面１５５と反対に位置付けられ、次に、フレックスコネクタ、半田接続部、または他の適切な方法の使用のいずれかにより、行と列のドライバーに電気的に接続されている。ある面から、行または列ドライバーに最終的に接続される反対面の電気接点までの電気的接合は、その行または列ドライバーへの電気的結合と考えられる。

行ドライバー１６５および列ドライバー１７５は、行電極１６２および列電極１７２に接続され、画素素子１５８を作動させることが、認識されるであろう。複数の行電極コネクタ１６４が提供され、各行電極コネクタ１６４は、エッジ面１５４の周りに巻かれ、行電極１６２、画素素子１５８の行１６２および行ドライバー１６５を電気的に接続する。図示されたディスプレイタイルは、複数の列電極コネクタ１７４をさらに備え、各列電極コネクタ１７４は、エッジ面１５４の周りに巻かれ、列電極１７２、画素素子１５８の列１７０および列ドライバー１７５を電気的に接続する。図示された実施の形態において、各行ドライバー１６５は、行電極の３つの行１６０を画素素子１５８に接続するのが示されており、各列ドライバーは、列電極１７２の４つの列１７０を画素素子１５８に接続するのが示されている。この配置は説明目的のためだけであり、本開示は、行ドライバー、列ドライバーのどの特定の数または行ドライバーと列ドライバーによりそれぞれ駆動される行電極と列電極の数にも限定されないことが理解されよう。例えば、電極コネクタは、特定のディスプレイ設計およびレイアウトに基づいて、ただ１つまたは多数のエッジ面１５４上に存在し得る。さらに、本開示は、画素素子１５８のどの特定の数または基板１５２の第一面１５５上の画素素子１５８の配置にも限定されない。マトリクスバックプレーン設計が記載されているが、代わりの構成も可能である。行と列のマトリクスで記載された電気バックプレーン回路は、パッシブマトリクスまたはアクティブマトリクス設計のいずれであっても差し支えない。アクティブマトリクスである場合、薄膜トランジスタアレイが、第一面、第二面、または基板の両面上のいずれに存在しても差し支えない。あるいは、ディスプレイバックプレーンは、画素と直接通信するドライバーまたはマイクロドライバー集積回路（ＩＣ）を含んでも差し支えない。これらのドライバーまたはマイクロドライバーＩＣは、第一面、第二面、または基板の両面上、もしくは基板の第二面に電気的に接続された別の基板上に位置付けることができる。

行電極コネクタ１６４および列電極コネクタ１７４を提供するために、どの適切なコネクタタイプを使用しても差し支えない。また、電極コネクタの全てが、同じタイプまたは設計のものである必要はない。１つ以上の実施の形態において、少なくとも１つの行電極コネクタ１６４および少なくとも１つの列電極コネクタ１７４は、図５および６に示されるようなフレキシブル接着サイド電極３００を含む。フレキシブル接着サイド電極３００は、フレキシブル高分子膜３０２および導体３０４を含む。図示された実施の形態において、複数の導体３０４が行で配列されているのが示されている。このフレキシブル接着サイド電極３００は、フレキシブル接着サイド電極３００を基板１５２のエッジ面１５４に接着する接着剤３０６をさらに含むことがある。図示された実施の形態において、接着剤３０６は、このフレキシブル接着サイド電極と一体成形された接着層である。いくつかの実施の形態において、フレキシブル接着サイド電極３００は、フレキシブル高分子膜３０２および導体３０４を含むことがあり、接着剤が別々に施されることがある。フレックス回路３００は、十（１０）マイクロメートルから百五十（１５０）マイクロメートルの範囲、例えば、十（１０）マイクロメートルから五十（５０）マイクロメートルの範囲、十（１０）マイクロメートルから二十（２０）マイクロメートルの範囲の全厚を有する。高分子膜３０２に適した材料としては、以下に限られないが、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる群より選択される材料が挙げられる。接着剤３０６は、粘着剤、例えば、ポリイミド、アクリル、アクリレート、エチレン酢酸ビニル、ブチルゴム、ニトリル、およびシリコーンからなる群より選択される材料を含む粘着剤を含み得る。フレキシブル接着サイド電極３００は、硬化性または液体接着剤を使用してエッジ面１５４に接着することもできる。導体３０４は、銅と銀、他の金属または個別の電極トレースを形成できる他の導体材料から選択することができ、堆積、メッキ、印刷など、いずれの適切な方法によって形成しても差し支えない。堆積膜に基づかない導体材料の例としては、Ａｇインク、ＣＮＴ、および他の溶液材料が挙げられる。このフレックス回路の全体寸法は、様々であり得、最終的に、ディスプレイタイルのサイズにより決まる。適切な幅「Ｗ」は、十（１０）ｍｍから五百（５００）ｍｍ、例えば、５０～１００ｍｍであり得、その導体は、二十（２０）マイクロメートルと五百（５００）マイクロメートルの範囲、例えば、百（１００）マイクロメートルの幅「Ｗｃ」を有し得る。各導体の間の間隔「Ｓ」は、十（１０）マイクロメートルから五百（５００）マイクロメートルに及び、例えば、五十（５０）マイクロメートルである。

図７～８を見ると、基板２５２を備え、上面２５５を有するディスプレイタイル２５０ａの側面図と上面図が示されており、ここで、接着剤３０６を使用して、フレキシブル接着サイド電極３００がディスプレイタイル２５０ａの基板２５２の平らなエッジに取り付けられている。導体３０４と接続する上部および底部電極２９６が形成されている。図から分かるように、フレキシブル接着サイド電極３００は、基板２５２の平らなエッジから距離ｄ_２だけ延在する。上面２５５で、上部電極２９６が導体３０４をそれぞれの行電極１６２に接続している。

図９～１０を見ると、基板２５２を備え、上面２５５を有するディスプレイタイル２５０ｂの側面図と上面図が示されており、ここで、接着剤３０６を使用して、フレキシブル接着サイド電極３００がディスプレイタイル２５０ｂの基板２５２の丸まったエッジに取り付けられている。導体３０４と接続する上部および底部電極２９６が形成されている。図から分かるように、フレキシブル接着サイド電極３００は、基板２５２の丸まったエッジの丸みの始めから距離ｄ_３だけ延在する。上面２５５で、上部電極２９６が導体３０４をそれぞれの行電極１６２に接続している。

図１１を見ると、各々が真っ直ぐな端部かまたは湾曲した端部のいずれかを示すそれぞれのディスプレイタイル上にサイド電極を収容するために、互いから十分な距離だけ間隔が空けられた多数のディスプレイタイル２５０を備えたディスプレイ４００（すなわち、タイル状ディスプレイ）の上面斜視図。例えば、ディスプレイタイル２５０ａが使用され、各々が、各端部または側面に、フレキシブル接着サイド電極３００を有する場合、間隔Ｄａはｄ_２の約２倍である。あるいは、ディスプレイタイル２５０ａが使用され、各々が、１つの水平側面および１つの垂直側面のみにフレキシブル接着サイド電極３００を有する場合、間隔Ｄａは約ｄ_２である。さらに別の代替例として、ディスプレイタイル２５０ｂが使用され、各々が、各端部または側面に、フレキシブル接着サイド電極３００を有する場合、間隔Ｄａはｄ₃の約２倍である。またさらなる代替例として、ディスプレイタイル２５０ｂが使用され、各々が、１つの水平側面および１つの垂直側面のみにフレキシブル接着サイド電極３００を有する場合、間隔Ｄａは約ｄ_３である。

フレキシブル接着サイド電極３００は、基板２５２の各々のエッジまたは側面を越えて相当な距離、したがって、最も近い画素素子１５８から相当な距離だけ延在するので、ディスプレイ４００は、相当な非有効表示域を含む。詳しくは、有効表示域は、ディスプレイタイル２５０の合計表面積により表され、非有効表示域は、ディスプレイタイル２５０間の距離Ｄａの合計面積により表される。Ｄａの非ゼロ値は、ディスプレイタイル間の移行部での増加した画素ピッチ（すなわち、隣接する画素間の距離）をもたらす。距離Ｄａを減少させることにより、ディスプレイタイル間の移行部での画素ピッチおよび全表示域（すなわち、非有効表示域と有効表示域の合計）に対する非有効表示域の比が減少する。距離Ｄａをほぼゼロに減少させることによって、上述した比はゼロに近づき、そのようなディスプレイを使用した場合、よりよい視覚的経験が与えられる。

ディスプレイ４００は、以下に限られないが、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイ、マイクロＬＥＤ、電気泳動ディスプレイ、電子ペーパーディスプレイ、および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイを含むどのタイプのディスプレイであっても差し支えない。いくつかの実施の形態において、ディスプレイはＬＥＤであり、画素素子は、少なくとも１つのディスプレイタイル２５０のエッジ面の五百（５００）マイクロメートル以内に配置されたマイクロＬＥＤである。いくつかの実施の形態において、ディスプレイはＬＥＤであり、画素素子は、少なくとも１つのディスプレイタイル２５０のエッジ面の四百（４００）マイクロメートル以内に配置されたマイクロＬＥＤである。様々な実施の形態において、ディスプレイはＬＥＤディスプレイであり、画素素子は、少なくとも１つのディスプレイタイル２５０のエッジ面の三百（３００）マイクロメートル以内に配置されたマイクロＬＥＤである。いくつかの実施の形態において、ディスプレイはＬＥＤディスプレイであり、画素素子は、少なくとも１つのディスプレイタイル２５０のエッジ面の二百（２００）マイクロメートル以内に配置されたマイクロＬＥＤである。様々な実施の形態において、ディスプレイはＬＥＤディスプレイであり、画素素子は、少なくとも１つのディスプレイタイル２５０のエッジ面の百（１００）マイクロメートル以内に配置されたマイクロＬＥＤである。図１１に示されたようなタイル状ディスプレイの代わりに、表示装置内に１つの個別の基板を使用することができる。

下記に述べられた実施の形態は、上述したエッジの周りに巻かれた電極を基板２５２の外周囲内、もしくはディスプレイタイル２５０または表示装置の基板２５２の外周囲に沿ったコーティング内に効果的に移動させる埋込サイド電極を含む。電極を外周囲内に、画素素子により近く移動させると、距離Ｄａの値が減少する。ある場合には、ディスプレイ用基板２５２の外周囲は、埋込サイド電極を形成した後、絶縁体で被覆されている。ここに用いられているように、「絶縁体」または「絶縁する」という用語は、電気信号を伝導しないまたは半伝導しかしない任意の材料を意味するために最も広い意味で使用される。ほんのいくつかの例として、絶縁材料は、非ドープシリコン（Ｓｉ）または二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）であることがある。ここに与えられた開示に基づいて、当業者には、異なる実施の形態に関して使用されることのある様々な絶縁体または絶縁材料が認識されるであろう。絶縁体は、ディスプレイ用基板２５２の周囲からわずかに延在し、距離Ｄａの非ゼロ値をもたらす。しかしながら、Ｄａのこの非ゼロ値は、外部電極３００が使用される場合のＤａの値よりも相当小さいことがある。あるいは、埋込サイド電極を、この絶縁被覆材料内、または被覆材料と基板の組合せ内に形成することができる。様々な場合において、ディスプレイ用基板２５２の外周囲は、そのような絶縁体で被覆されておらず、そのような場合、Ｄａの値は、ほぼゼロであり得る。

図１２を見ると、ディスプレイタイル７５０の一方の側面に亘る微細溝７７６内に配置された埋込サイド電極７７４、およびディスプレイタイル７５０の別の側面に亘る微細溝７６６内に配置された埋込サイド電極７６４を備えることを除いて、図２～４に関して先に述べられたものと類似のディスプレイタイル７５０が示されている。詳しくは、ディスプレイタイル７５０は、第一面１５５、第一面１５５と反対の第二面１５７、および第一面１５５と第二面１５７との間のエッジ面１５４を含む第１の基板１５２を備える。エッジ面１５４は、ディスプレイタイルの外周囲１５６を画成している。

微細溝７７６、７６６は、基板１５２のエッジ中の側面が丸まった凹部として示されている。微細溝７７６、７６６は、側面が丸まった凹部として示されているが、他の実施の形態により、他の形状も可能である。例えば、微細溝は、実質的に真っ直ぐな側面、または丸まった角部を有する真っ直ぐな側面を示すことがある。さらに、側面が丸まった微細溝は、楕円または円形状であることがある。さらに、ディスプレイタイルは、ある形状のいくつかの微細溝、および別の形状の他の微細溝を含むことがある。ここに与えられた開示に基づいて、当業者には、異なる実施の形態に関して使用してよい様々な微細溝の形状が認識されるであろう。

重ねて、基板１５２は、以下に限られないが、ディスプレイタイルを製造するのに適した任意の所望のサイズおよび／または形状を有する高分子基板またはガラス系基板を含む、どの適切な材料から製造されてもよい。第一面１５５および第二面１５７は、特定の実施の形態において、平面または実質的に平面（すなわち、実質的に平ら）であることがある。第一面１５５および第二面１５７は、様々な実施の形態において、平行または実質的に平行であることがある。いくつかの実施の形態による基板１５２は、図１２に示されるように４つのエッジを含んでも、４より多いエッジを含んでも、例えば、多辺多角形であってもよい。他の実施の形態において、ディスプレイタイル７５０は、４より少ないエッジを含む、例えば、三角形であってもよい。非限定例として、基板１５２は、長方形、正方形、または４つのエッジを有する菱形シートを有することがあるが、１つ以上の曲線部分またはエッジを有するものを含む形態が、本開示の範囲内に入ることが意図されている。

特定の実施の形態において、基板１５２は、約３ｍｍ以下の厚さ（図２～４に関して先に示されたｄ_１）、例えば、約０．０５ｍｍから約３ｍｍ、約０．１ｍｍから約２．５ｍｍ、約０．３ｍｍから約２ｍｍ、約０．３ｍｍから約１．５ｍｍ、約０．３ｍｍから約１ｍｍ、約０．３ｍｍから約０．７ｍｍ、または約０．３ｍｍから約０．５ｍｍ、およびそれらの間の全ての範囲と部分的範囲に及ぶ厚さを有することがある。

ディスプレイタイル７５０の第一面１５５は、画素素子１５８の複数の行１６０および画素素子１５８の複数の列１７０に配列された一連の画素素子１５８を備えている。画素素子１５８の各行１６０は行電極１６２により接続され、画素素子１５８の各列１７０は列電極１７２により接続されている。交差する画素素子１５８の行１６０と列１７０は、同じ画素素子１５８の内のいくつかを含むことが理解されよう。それゆえ、別々の二組の画素素子１５８があるのではなく、両方とも、別々の行と列の電極に接続された画素素子１５８を含有する画素素子１５８のアレイが１つある。１つ以上の実施の形態によるディスプレイタイル７５０は、画素素子１５８の行１６０を電気的に作動させる少なくとも１つの行ドライバー１６５および画素素子１５８の列１７０を電気的に作動させる少なくとも１つの列ドライバー１７５を備える。行ドライバー１６５および列ドライバー１７５は、第一面１５５と反対に位置付けられている。図１２に示された実施の形態において、行ドライバー１６５および列ドライバー１７５は、基板１５２の第二面１５７上に位置付けられている。他の実施の形態において、行ドライバー１６５および列ドライバー１７５は、別の基板（図示せず）または他の適切な構造など、第一面１５５と反対に配置された別の構造上に位置付けることができる。

行ドライバー１６５および列ドライバー１７５は、行電極１６２および列電極１７２に接続され、画素素子１５８を作動させることが、認識されるであろう。複数の埋込サイド電極７６４が提供され、各埋込サイド電極７６４は、第一面１５５上の電気素子と、第二面１５７上の電気素子との間に電気伝導性を与える。詳しくは、埋込サイド電極７６４は、それぞれの行電極１６２および対応する行ドライバー１６５の電気伝導性（もしくは行ドライバーまたは他の電気回路に接続できる電気接点）を与え、埋込サイド電極７７４は、それぞれの列電極１７２および対応する列ドライバー１７５の間の電気伝導性（もしくは列ドライバーまたは他の電気回路に接続できる電気接点）を与える。図示された実施の形態において、各行ドライバー１６５は、画素素子１５８の３つの行１６０を接続するのが示されており、各列ドライバー１７５は、画素素子１５８の４つの列１７０を接続するのが示されている。この配置は説明目的のためだけであり、本開示は、行ドライバー、列ドライバーのどの特定の数または行ドライバーと列ドライバーによりそれぞれ駆動される行電極と列電極の数にも限定されないことが理解されよう。例えば、電極コネクタは、特定のディスプレイ設計およびレイアウトに基づいて、ただ１つまたは多数のエッジ面１５４上に存在し得る。さらに、本開示は、画素素子１５８のどの特定の数または基板１５２の第一面１５５上の画素素子１５８の配置にも限定されない。

図１３～１８を見ると、ディスプレイタイルに亘り異なる微細溝の形状を有する様々なディスプレイタイルの上面図が示されている。図１３～１８に示された微細溝の全ては、実質的に対称であるが、埋込サイド電極のための位置を提供するために微細溝が使用される場合、そのような対称は必要ない。ある場合には、ディスプレイタイルは、同じディスプレイタイル上の他の微細溝と形状が異なる１つの微細溝を含む。異なる形状を有する微細溝は、例えば、ディスプレイタイルに関して行われる１つ以上の過程または操作を揃えるために使用される位置合わせマークとして、使用されることがある。詳しくは、図１３は、側面が丸まった微細溝７７６を含むディスプレイタイル７９０を示している。この場合、側面が丸まった微細溝は、図１２に関して先に示されたものと類似の円形である。図１４は、側面が丸まった微細溝７７６、および他の丸まった微細溝の背面から延在する指状延長部７８３を含む違う形の微細溝７７７を備えたディスプレイタイル７９１を示している。微細溝７７７は、位置合わせマークとして使用されることがある。図１５は、側面が丸まった微細溝７７６、および丸い区域７８４まで延在する真っ直ぐな側面を含む、違う形の微細溝７７８を備えたディスプレイタイル７９２を示している。微細溝７７８は、位置合わせマークとして使用されることがある。図１６は、側面が真っ直ぐな微細溝７８０を備えたディスプレイタイル７９５を示している。図１７は、側面が真っ直ぐな微細溝７８０、および他の真っ直ぐな微細溝の背面から延在する指状延長部７８５を含む違う形の微細溝７８１を備えたディスプレイタイル７９６を示している。微細溝７８１は、位置合わせマークとして使用されることがある。図１８は、側面が真っ直ぐな微細溝７８０、および真っ直ぐな側面が、側面が真っ直ぐな微細溝７８０の長方形の代わりに台形を作っている、違う形の微細溝７８２を備えたディスプレイタイル７９７を示している。微細溝７８２は、位置合わせマークとして使用されることがある。ここに与えられた開示に基づいて、当業者には、異なる実施の形態に関して使用してよい様々な微細溝の形状および／または形状の組合せが認識されるであろう。

図１９を見ると、流れ図８００は、いくつかの実施の形態による微細溝を備えたディスプレイタイルを形成する方法を示す。流れ図８００にしたがって、ガラスパネルが提供される（ブロック８０５）。ここに用いられているように、「提供する」という用語は、ガラスパネルの所有をもたらす任意の行動を意味するために最も広い意味で使用される。多くの例のほんのいくつかとして、ガラスパネルを提供することとしては、以下に限られないが、ガラスパネルを製造すること、第三者からガラスパネルを受け取ること、同じ団体により管理されている異なる事業体からガラスパネルを受け取ること、またはガラスパネルを単に取り扱うことが挙げられる。さらに、「ガラスパネル」という句は、以下に限られないが、アルミノケイ酸塩、アルカリアルミノケイ酸塩、ホウケイ酸塩、アルカリホウケイ酸塩、アルミノホウケイ酸塩、アルカリアルミノホウケイ酸塩、ソーダ石灰、またはディスプレイに適した他のガラスを含むガラス系材料から製造されたどのパネルであってもよい。ガラス基板としての使用に適した市販のガラスの非限定例としては、例えば、Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄからの「ＥＡＧＬＥ ＸＧ」、「Ｌｏｔｕｓ」、および「Ｗｉｌｌｏｗ」ガラスが挙げられる。上述したように、ガラスパネルは、ディスプレイタイルを製造する一部として、ガラス系基板に加工できるどのガラスパネルであってもよい。

ガラスパネルは単一化されて、多数のディスプレイタイルを生成する（ブロック８１０）。そのような単一化は、例えば、ガラスパネルを２つ以上の小片に切断できるレーザを使った切断工具を使用することによって、行われることがある。以下に限られないが、多数のディスプレイタイルを生成するためのガラスパネルの罫書きと割りを含む、単一化のための他の方法が、異なる実施の形態に関して使用されることがある。特定の実施の形態において、そのような単一化は、ガラスパネルから個別のディスプレイタイルを切断するためにＣｏｒｎｉｎｇ Ｌａｓｅｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（商標）（ＣＬＴ）レーザ切断工具を使用することによって、行われる。ここに与えられた開示に基づいて、当業者には、ガラスパネルを個々のディスプレイタイルに単一化するために異なる実施の形態に関して使用されることのある他の過程が認識されるであろう。

ディスプレイタイルの外側エッジの部分は、ディスプレイタイルのエッジ中に延在する微細溝を含むために修正される（ブロック８１５）。ディスプレイタイルのエッジに微細溝を形成する様々な手法が、異なる実施の形態に関して使用されることがある。

いくつかの実施の形態において、ブロック８１０および８１５の過程は、ガラスパネルまたは母材基板からディスプレイタイルを分離し、かつそのディスプレイタイルのエッジに微細溝を形成するただ１つの直接レーザ切断に組み合わされる。いくつかの実施の形態において、そのような直接レーザ切断は、所望の微細溝を備えた所定のディスプレイタイルの外周囲を画成するパターンでガラスパネルに沿って動かされる紫外（ＵＶ）または赤外（ＩＲ）範囲の波長を有するピコ秒またはフェムト秒の固体レーザを使用して行われる。この手法の一例が図２０に示されており、ここでは、基板９５２および外周囲９０５中に延在する多数の微細溝７６６、７７６を備えたディスプレイタイルの外周囲９０５を画成するために上述した固体レーザを使用して、ガラスパネル９２０の一部分９０１の外形が描かれている（点線として示されている）。外周囲９０５および微細溝７６６、７７６が一旦画成されたら、急冷過程または液体窒素の塗布と共にＣＯ_２レーザが施されて、ディスプレイタイル９５０の規定のエッジに沿って引張応力または熱衝撃が生じさせられる。この引張応力または熱衝撃により、ガラスパネルまたは母材基板からディスプレイタイルが分離される。そのような手法により、図２３に示されるような上面９５５を有するディスプレイタイル９５０が生成される。

図２３～２４に示されるように、ディスプレイタイル９５０は、内壁９０７を有する微細溝７６６、７７６を備えている。微細溝７６６、７７６の開口は、外周囲９０５での幅（Ｗ_ｔ）、外周囲９０５からの深さ（ｄ_ｔ）、および外周囲９０５に沿った隣接する微細溝７６６、７７６からの間隔（Ｗ_ｓ）を示す。いくつかの実施の形態において、ｄ_ｔは、二百五十（２５０）マイクロメートル未満である。様々な実施の形態において、ｄ_ｔは、二百（２００）マイクロメートル未満である。様々な実施の形態において、ｄ_ｔは、百五十（１５０）マイクロメートル未満である。いくつかの実施の形態において、ｄ_ｔは、百（１００）マイクロメートル未満である。特定の実施の形態において、ｄ_ｔは、五十（５０）マイクロメートル未満である。いくつかの実施の形態において、ｄ_ｔは、五十（５０）マイクロメートル未満である。様々な実施の形態において、ｄ_ｔは、十（１０）マイクロメートル未満である。埋込サイド電極を収容するために、微細溝７６６、７７６が使用される場合、Ｗ_ｔは、行電極１６２および列電極１７２に使用される線幅および／または設計ルールに適合するのに十分な値を有するように選択される。特定の実施の形態において、Ｗ_ｔは、百（１００）マイクロメートル未満である。いくつかの実施の形態において、Ｗ_ｓは、二百五十（２５０）マイクロメートル未満である。様々な実施の形態において、Ｗ_ｓは、二百（２００）マイクロメートル未満である。様々な実施の形態において、Ｗ_ｓは、百五十（１５０）マイクロメートル未満である。様々な実施の形態において、Ｗ_ｓは、百十（１００）マイクロメートル未満である。特定の実施の形態において、Ｗ_ｓは、五十（５０）マイクロメートル未満である。いくつかの実施の形態において、Ｗ_ｓは、五十（５０）マイクロメートル未満である。様々な実施の形態において、Ｗ_ｓは、十（１０）マイクロメートル未満である。重ねて、微細溝７６６、７７６は、ほぼ同じサイズと形状の丸まった微細溝として示されているが、他の実施の形態は、異なるサイズと形状の微細溝を含むことがある。ディスプレイタイル９５０の一部分９１０が、図２４により詳しく示されており、ここで、ディスプレイタイル９５０の基板９５２は、上述した厚さｄ_１を示す。

あるいは、「Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｌａｓｅｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」（ＣＬＴ）レーザ切断工具を使用して、ディスプレイタイルのエッジが望ましい正弦波パターンをガラスパネルに切断してもよい。このレーザ切断工具は、ガラスパネルから個々のディスプレイタイルを分割する。ディスプレイタイル中に延在する正弦波パターンの部分は微細溝であり、正弦波または半正弦波パターンの最大値が、ディスプレイタイルの外周囲を画成する。そのような手法により、図２３に関して記載されたディスプレイタイル９５０と類似のディスプレイタイルが得られる。ここに与えられた開示に基づいて、ガラスパネルを個々のディスプレイタイルに単一化し、かつディスプレイタイルのエッジに微細溝を形成するために、異なる実施の形態に関して使用できる他の直接切断技術が当業者に認識されるであろう。

他の実施の形態では、先に単一化されたディスプレイタイルのエッジに微細溝を切断するために、液体／基板界面または固体／基板界面におけるレーザ誘起エッチングが使用される。そのような過程が、基板９５２とレーザ吸収材料９９７との間の不均一界面９９８をもたらす、レーザ吸収材料９９７に対して配置された基板９５２を示す図２１に関して記載されている。レーザ吸収材料９９７が液体である場合、不均一界面９９８は液体／基板界面である。そのような液体のレーザ吸収材料としては、以下に限られないが、アセトンまたはトルエン中のピレンのような有機溶液（すなわち、ＫｒＦまたはＡｒＦレーザ）、もしくはＮｉＳＯ_４またはＣｕＳＯ_４のような無機溶液が挙げられるであろう。そのような吸収材料は、例えば、固体レーザ（例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ）により使用されることがある。あるいは、レーザ吸収材料９９７が固体である場合、不均一界面９９８は固体／基板界面である。そのような固体レーザ吸収材料としては、以下に限られないが、公知の波長の照射レーザエネルギーを吸収できるＡｇまたはＳｎが挙げられるであろう。

レーザ９１６は、基板９５２を通って不均一界面９９８に通過するように公知の波長のレーザビーム９９９を基板９５２に向ける。レーザ吸収材料９９７は、公知の波長のレーザエネルギーを吸収して、不均一界面９９８で蒸気または熱を生じさせる。この熱は基板９５２を通って移動するので、基板９５２の体積９９６が蒸発または昇華して、切り込みが生じる。図２２に示されるように、レーザ９１６が微細溝の所望の形状およびサイズに対応するパターンに沿って移動するにつれて、体積９９６が、そのパターンに沿って増加し、外周囲９０５に沿った別の位置で現れる。体積９９６の変化により、微細溝のサイズと形状が画成され、微細溝をファイルする材料を基板９５２から分離することが可能になる。上述した過程を使用して作られた微細溝の表面は粗い。そのような粗さは、微細溝内に後で形成される導体材料を固定するのに役立つ。再び図２３～２４を参照すると、基板９５２の周囲に沿った多数の切り込みに関して体積９９６に沿って微細溝をファイルする材料を基板９５２から分離した後、残っているものは、内壁９０７を有する微細溝７６６、７７６を備えたディスプレイタイル９５０である。

さらに他の実施の形態は、ディスプレイタイルのエッジで微細溝を形成するために選択的な材料除去過程の組合せを使用する。いくつかのそのような実施の形態において、ディスプレイタイル基板は、微細溝を形成すべき区域が、マスクを通じて露出されたままとなるようにマスキングされる。図２５は、微細溝を形成する前のディスプレイタイル９５０の一部分９１０を示す。詳しくは、マスキング材料９５６が、微細溝が望ましい位置に対応する位置９５７を除いて、基板９５２上に形成される。マスキング材料９５６は、以下に限られないが、回転塗布、または吹き付け塗りにより施される湿潤フォトレジスト材料であることがある。マスキング材料９５６は、以下に限られないが、積層によって施される乾燥フォトレジスト材料であることがある。ここに与えられた開示に基づいて、異なる実施の形態に関して使用されることがある様々なマスキング材料および／または施用過程が、当業者に認識されるであろう。

次に、機械的エッチング、湿式化学エッチング、および／または乾式化学エッチングを使用して、基板９５２からの材料の除去が行われる。いくつかの実施の形態において、当該技術分野で公知のように、高圧システムから高速で砂粒子（例えば、ＳｉＯ_２またはＡｌ_２Ｏ_３）を衝突させることによる位置９５７をサンドブラストする工程を含む機械的エッチングが使用される。サンドブラスト法が使用されるいくつかの場合、完成した微細溝の最小開口（すなわち、Ｗ_ｔ）は、百（１００）マイクロメートル未満である。ここに与えられた開示に基づいて、異なる実施の形態に関して使用されることがある機械的エッチングのタイプおよび／または機械的エッチングの構成要素が、当業者に認識されるであろう。そのような機械的エッチングにより、図２６に示された微細溝９５８が開く。

他の実施の形態において、位置９５７で微細溝を開けるために、湿式化学エッチングが使用される。湿式化学エッチングは、基板９５２を、例えば、希釈ＨＦまたはフッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）で緩衝されたＨＦ中に浸漬する工程を含む。そのような化学物質は、マスキング材料９５６のエッチング速度より相当大きい、基板９５２の材料のエッチング速度を示す。希釈ＨＦは、露出されたガラスと反応して、四フッ化ケイ素の副生成物を形成するであろう。あるいは、緩衝ＨＦは、フルオロケイ酸アンモニウムの副生成物を生じるであろう。いずれの場合でも、その副生成物は、脱イオン水を使用して、基板９５２の露出領域およびマスキング材料９５６から濯ぐことができる。等方性湿式エッチングにより、微細溝９５８と類似の丸まった微細溝が生じる。結果として生じた微細溝の深さ（すなわち、基板９５２の周辺エッジからの距離）は、基板９５２が化学物質中に浸漬されたままの時間または化学物質の濃度のいずれかまたはその両方により影響されるであろう。垂直側壁を有する比較的深い微細溝を形成することは、マスキング材料９５６を施す前に、基板９５２上にスパッタリングされたＣｒ／Ａｕ、Ｃｒ／ＣｕまたはＣｒＯＮを導入することによって促進されるであろう。そのような湿式化学エッチングは、ガラスパネルからのディスプレイタイルの単一化の先の過程から生じた亀裂を減少させるまたは除去するために使用できるので、基板９５２のエッジでの機械的強度が関心事である場合、望ましいであろう。単一化から生じる亀裂を取り除くための湿式エッチングは、例えば、エッジをマスキングして、位置９５７を画成する前に、ディスプレイタイルのエッジに施されるであろう。

さらに他の実施の形態において、位置９５７で微細溝を開けるために、乾式化学エッチングが使用される。乾式化学エッチングは、例えば、側面が真っ直ぐな微細溝が望ましい場合に使用されるであろう。乾式化学エッチングは、例えば、ＳＦ_６のＯ_２との混合ガスまたはＡｒと混合されたフッ化炭素系ガス（例えば、Ｃ_２Ｆ_６、ＣＨＦ_３、Ｃ_４Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８）などの試薬に位置９５７を暴露することを含む。エッチングの速度は、当該技術分野で公知のように、印加電流、バイアス電力、混合ガスの流量およびガス比により影響を受ける。そのような乾式化学エッチングは、高アスペクト比の壁および／または正方形の微細溝が望ましい場合、特に有用である。ある場合には、十（１０）マイクロメートル未満の幅（Ｗ_ｔ）を示す微細溝が、乾式化学過程により形成される。

上述した機械的エッチング、湿式化学エッチング、および／または乾式化学エッチングは、基板のエッジが全て同時にエッチングに暴露されるように基板を積層させることによって、多数の基板に並行して行うことができる。例えば、機械的エッチングの場合、多数の基板のエッジが、基板に亘る位置９５７が機械的エッチング過程に同時に暴露され得る線を形成するように互いに積層されるように、基板を積層することができる。上述したエッチング、レーザアブレーション、またはレーザ切断過程のいずれかの組合せで、機械的研削またはレーザ加工などの過程を使用して、基板のエッジ角部を面取りまたは丸めることができる。いくつかの実施の形態において、上述したエッチング過程は、微細溝の内壁の少なくともエッジをアンダーカットするように、または微細溝の少なくとも１つの壁が実質的に垂直であるように、拡張または変更されることがある。そのようなアンダーカットおよび／または垂直性は、微細溝中の導電性電極の形成中に導電性インクまたは半田ペーストなどの材料を取り付けるまたは収集する上で有用であろう。

さらに、先に示唆したように、微細溝を形成するための上述した過程のいずれも、そのような微細溝を埋込サイド電極に使用すべき場合、全ての微細溝に亘り同じ寸法と形状を生じる程度まで、制御する必要はない。実際に、いくつかの実施の形態において、微細溝の全ては、サイズ、形状、および／または対称性における相違のために、互いに固有であることがある。

図２７を見ると、流れ図８０１は、いくつかの実施の形態による埋込サイド電極を形成する方法を示している。流れ図８０１にしたがって、ディスプレイタイルの各々のエッジが露出されるように多数のディスプレイタイルが積層され、そのエッジの各々は、ディスプレイタイルのエッジが一緒になって、上部エッジ面を形成するように実質的に同じ二次元平面にある（ブロック８０６）。その積層体に含まれるディスプレイタイルの数は、２つほど少ない数から、数千超であってもよい。そのような積層されたディスプレイタイルの一例が、図２８に示されており、ここでは、四（４）個のディスプレイタイル９５０が、ディスプレイタイル９５０の各々の１つのエッジの外周囲９０５が組み合わされて、積層体９１２の上部エッジ面９１４を形成するように積層体９１２において組み合わされている。微細溝７７６の壁９０７は、上部エッジ面９１４より下に延在し、十分に揃えられた微細溝７７６を通る微細通路９０８を通る流体運動が可能なように十分に揃えられている。積層体９１２は、４つのディスプレイタイル９５０を備えると示されているが、４つより少ないまたは多いディスプレイタイルを積層して、より小さいかまたは大きい積層体を製造してもよい。

再び図２７を見ると、上部エッジ面に半田ペーストが施される（ブロック８１１）。導体材料を含むどのタイプの半田ペーストを実施の形態に関して使用してもよい。いくつかの実施の形態において、半田ペーストは、銀（Ａｇ）半田ペーストである。他の実施の形態において、半田ペーストは、スズ－銀（ＳｎおよびＡｇ）半田ペーストである。他の実施の形態において、半田ペーストは、銅（Ｃｕ）半田ペーストである。さらに他の実施の形態において、半田ペーストは、スズ－銅（ＳｎおよびＣｕ）半田ペーストである。ここに与えられた開示に基づいて、異なる実施の形態に関して使用されることがある様々な半田ペーストが当業者に認識されるであろう。半田ペーストを施すために、様々な方法が使用されることがある。いくつかの実施の形態において、ローラ塗りを使用して、半田ペーストが施される。そのような実施の形態において、微細溝の外側に半田が形成されるのを避けるために、エッジの外周囲区域（例えば、図２８に示された外周囲９０５）にマスキングが施されることがある。ディスプレイタイルの積層体の上部エッジ面に半田ペーストをローラ塗りするときに、ローラまたはスキージに圧力を印加して、半田ペーストを微細溝中に押し入れる。そのような施用は、空洞部分を実質的に含まずに微細溝を充填するのを促進するために、真空下で行われることがある。

他の実施の形態において、半田ペーストは、ディスプレイタイルの積層体の上部エッジ面に亘り位置する微細溝中にスクリーン印刷される。スクリーン印刷過程について、微細溝の外側の半田の形成を避けるために、マスクは必要ない。そのような施用は、空洞部分を実質的に含まずに微細溝を充填するのを促進するために、真空下で行われることがある。ここに与えられた開示に基づいて、以下に限られないが、半田ペースト印刷、半田ペースト分配、および半田ペーストブレード塗工を含む、ディスプレイタイルの積層体に半田ペーストを施すために異なる実施の形態により使用されることがある他の過程が、当業者に認識されるであろう。図２９を見ると、上部エッジ面９１４を覆い、微細通路９０８を少なくとも部分的に充填する半田ペースト９１３が示されている。

再び図２７を参照すると、半田ペースト９１３を含む積層体９１２が、紫外線またはエネルギー源からの熱エネルギーのいずれかに曝され、半田ペーストが液化される（ブロック８１６）。半田ペーストにエネルギーが印加されると、半田ペースト中の導体材料が分離され、微細溝中にその導体材料が結合する。半田ペースト内の溶媒および結合剤は、分離し、上昇し、それゆえ、取り除き、廃棄することができる。結合した導体材料（例えば、Ｓｎ、Ａｇ、および／またはＣｕ）は、一旦冷えたら、静止機械的結合を形成する。

半田ペーストがまだ液体形態にあるときに、重力により液体導体材料が微細通路内に流れるように、ディスプレイタイルの積層体を１つ以上の方向に傾けることができる（ブロック８２１）。この過程は、選択肢に過ぎず、全ての半田ペーストの実装の際に行われるとは限らないであろう。そのような流動は、微細溝の各々の中の導体材料の分布の均一性を増加させるために使用されることがある。図３０は、微細溝９０８内の導体材料９１７の流動後の積層体９１２を示している。図２７に戻ると、ディスプレイタイルの積層体は冷却され、次に、個々のディスプレイタイルに分割される（ブロック８２６）。これにより、微細溝の各々の中に導体材料を含む個々のディスプレイタイルが得られる。この導体材料は、埋込サイド電極として使用することができる。加工中、微細溝内に形成された隣接する埋込サイド電極間の電気的短絡を防ぐために、導体材料が、微細溝の境界を越えて形成しないことを確実にするために注意する。

いくつかの実施の形態において、微細溝の外側のディスプレイタイル上の区域を最初にマスキングし、微細溝を露出されたままにし、その後、例えば、チタン／銅の湿潤層を微細溝中にスパッタリングする、図２７の方法の修正が使用されることがある。それぞれのディスプレイタイルの各々の間にスペーサを有する、ディスプレイタイルの積層体が形成される。例えば、少量の銅（Ｃｕ）および／または銀（Ａｇ）を有するスズ（Ｓｎ）を含有する溶融半田ペーストが、二百五十（２５０）℃と三百（３００）℃の間の温度での加熱下でリフローされる。溶融半田ペーストは、物理的な壁の制限および表面張力制限のために、微細溝中に自然に流れる。ある場合には、ディスプレイタイルの積層体は、重力が溶融半田ペーストの流れを促進させるように傾けられることがある。

図３１を見ると、流れ図８０２は、さらに他の実施の形態による埋込サイド電極を形成する別の方法を示している。流れ図８０２にしたがって、ディスプレイタイルの各々のエッジが露出されるように多数のディスプレイタイルが積層され、そのエッジの各々は、ディスプレイタイルのエッジが一緒になって、上部エッジ面を形成するように実質的に同じ二次元平面にある（ブロック８０７）。その積層体に含まれるディスプレイタイルの数は、２つほど少ない数から、数千超であってもよい。先に述べたように、図２８は、ディスプレイタイル９５０の各々の外周囲９０５がディスプレイタイル９５０の各々の１つのエッジの外周囲９０５と実質的に揃うように積層され、組み合わされて、積層体９１２の上部エッジ面９１４を形成する、四（４）個のディスプレイタイル９５０の例示の積層体９１２を示している。微細溝７７６の壁９０７は、上部エッジ面９１４の下に延在し、十分に揃えられた微細溝７７６を通過する微細通路９０８を通って流体が移動できるように十分に揃えられている。

再び図３１を参照すると、積層体の上部エッジ面に沿った微細溝、それゆえ満たし、その微細通路の各々はナノ粒子溶液または懸濁液で満たされる（ブロック８１２）。そのナノ粒子溶液または懸濁液は、当該技術分野で公知のどの導体材料を含有するナノ粒子溶液または懸濁液であってもよい。いくつかの実施の形態において、酸化銅（ＣｕＯ）を含有するナノ粒子溶液が使用される。他の実施の形態において、酸化銀（ＡｕＯ）を含有するナノ粒子溶液が使用される。図３２は、ナノ粒子溶液または懸濁液９１７が充填された積層体９１２の上部エッジ面９１４に沿った微細溝７７６の各々（およびそれゆえ、微細通路９０８）を示している。図３１に戻ると、そのナノ粒子溶液または懸濁液は、百五十（１５０）℃未満の温度で乾燥させられる（ブロック８１７）。この乾燥により、微細溝中に、ナノ粒子溶液または懸濁液からの導体ナノ粒子（例えば、ＣｕＯまたはＡｇＯ）が堆積される。ナノ粒子溶液または懸濁液と、微細溝の壁との間に湿潤を与えるために、ＵＶ－オゾンまたはＯ_２プラズマによる微細溝の壁の前処理が使用されることがある。

レーザ照射が、微細溝内に堆積された導体ナノ粒子に向けられて、金属粒子（例えば、ＣｕまたはＡｇ）に還元され、その金属粒子がそれぞれの微細通路に亘り連続した導体層に凝集する（ブロック８２２）。照射されていないナノ粒子は、脱イオン（ＤＩ）水で洗い流すことができる。図３３は、積層体９１２の上部エッジ面９１４に沿った微細溝７７６（およびそれゆえ、微細通路９０８の各々の中）に亘り延在する連続した導体層９１８を示している。図３１に戻ると、ディスプレイタイルの積層体は冷却され、次に、個々のディスプレイタイルに分割される（ブロック８２７）。これにより、微細溝の各々の中に導体材料を含む個々のディスプレイタイルが得られる。この導体材料は、埋込サイド電極として使用することができる。

図３４を見ると、流れ図８０３は、さらに他の実施の形態による埋込サイド電極を形成する別の方法を示している。流れ図８０３にしたがって、ディスプレイタイルの各々のエッジが露出されるように多数のディスプレイタイルが積層され、そのエッジの各々は、ディスプレイタイルのエッジが一緒になって、上部エッジ面を形成するように実質的に同じ二次元平面にある（ブロック８０８）。その積層体に含まれるディスプレイタイルの数は、２つほど少ない数から、数千超であってもよい。先に述べたように、図２８は、ディスプレイタイル９５０の各々の外周囲９０５がディスプレイタイル９５０の各々の１つのエッジの外周囲９０５と実質的に揃うように積層され、組み合わされて、積層体９１２の上部エッジ面９１４を形成している、四（４）個のディスプレイタイル９５０の例示の積層体９１２を示している。微細溝７７６の壁９０７は、上部エッジ面９１４の下に延在し、十分に揃えられた微細溝７７６を通過する微細通路９０８を通って流体が移動できるように十分に揃えられている。

図３４に戻ると、その積層体の上部エッジ面に亘る多数の微細溝の各々の中に、導体材料のシード層が選択的に堆積される（ブロック８１３）。この堆積は、例えば、微細溝の各々の壁上にシード材料をスパッタリングすることによって、行われることがある。このシード層は、選択された導体材料によるメッキを制御するために使用されることのある任意のシード材料を含む。いくつかの実施の形態において、シード材料は、例えば、チタン／銅であることがある。ここに与えられた開示に基づいて、当業者には、異なる実施の形態に関して使用されることのある様々なシード材料および／またはそのシード材料を堆積させる方法が認識されるであろう。それぞれのディスプレイタイルの各々の間にスペーサを有する、ディスプレイタイルの積層体が形成されることがある。

次に、ディスプレイタイルの積層体に、微細溝の各々の壁上に先に堆積されたシード材料上に導体材料層を成長させるメッキ過程が施される（ブロック８１８）。そのようなメッキは、当該技術分野で公知のような、電極を使用するメッキまたは電極を使用しないメッキであってよい。図３５は、積層体９１２の上部エッジ面９１４に沿った微細溝７７６（およびそれゆえ、微細通路９０８の各々）に亘る導体層９１９を示している。図３４に戻ると、ディスプレイタイルの積層体は、個々のディスプレイタイルに分割される（ブロック８２３）。これにより、微細溝の各々の中に導体材料を含む個々のディスプレイタイルが得られる。この導体材料は、埋込サイド電極として使用することができる。

図３６を見ると、微細溝７６６内にサイド電極９８１を形成し、サイド電極９８１の上に絶縁層（すなわち、保護層）９８３を形成した後の一部分９１０を示すように拡張された、先に記載された図２４の側面斜視図が示されている。絶縁層９８１は、外周囲９０５から距離ｄ_ｉだけ延在している。ある場合には、ｄ_ｉは、例えば、図７に関して先に記載されたｄ_２よりも、実質的に小さい。ここに与えられた開示に基づいて、当業者には、基板また基板側面の上に絶縁層を形成する様々な方法が認識されるであろう。

結論として、エッジ電極のための様々な新規のシステム、装置、および配置。１つ以上の実施の形態の詳細な記載が先に与えられているが、本発明の精神から逸脱せずに、様々な代替案、改変、および等価物が当業者に明白であろう。したがって、先の記載は、付随の特許請求の範囲により定義される、本発明の範囲を限定するものと解釈すべきではない。

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。

実施形態１
ディスプレイタイルにおいて、
基板であって、第一面と第二面、該基板の外周囲の第１の部分に沿って該第一面と該第二面との間に延在する第１の側面、該基板の外周囲の第２の部分に沿って該第一面と該第二面との間に延在する第２の側面、該外周囲の第１の部分に沿った開口を有する第１の陥凹部、および該外周囲の第２の部分に沿った開口を有する第２の陥凹部を備える基板、
前記第１の陥凹部内に配置された第１のサイド電極であって、前記外周囲の第１の部分を越えて延在しない第１のサイド電極、および
前記第２の陥凹部内に配置された第２のサイド電極であって、前記外周囲の第２の部分を越えて延在しない第２のサイド電極、
を備えたディスプレイタイル。

実施形態２
前記ディスプレイタイルが、
前記第二面上またはその近くに配置された回路、
前記第一面上またはその近くに配置された電気素子、
前記電気素子から前記第１のサイド電極の第１の端部まで前記第一面上に延在する第１の導体、および
前記回路から前記第１のサイド電極の第２の端部まで前記第二面上に延在する第２の導体、
をさらに備える、実施形態１に記載のディスプレイタイル。

実施形態３
前記回路が行ドライバーであり、前記電気素子が画素素子である、実施形態２に記載のディスプレイタイル。

実施形態４
前記画素素子が第１の画素素子であり、
前記ディスプレイタイルが、
前記第一面上またはその近くに配置された第２の画素素子、および
前記第１の画素素子を前記第２の画素素子に電気的に結合する第３の導体、
をさらに備える、実施形態３に記載のディスプレイタイル。

実施形態５
前記画素素子が、ＬＥＤ、マイクロＬＥＤ、ＬＣＤ素子、およびＯＬＥＤ表示素子からなる群より選択される、実施形態３に記載のディスプレイタイル。

実施形態６
前記ディスプレイタイルが、
第二面上またはその近くに配置された列ドライバー、
前記画素素子から前記第２のサイド電極の第１の端部まで前記第一面上に延在する第３の導体、および
前記列ドライバーから前記第２のサイド電極の第２の端部まで前記第二面上に延在する第４の導体、
をさらに備える、実施形態３に記載のディスプレイタイル。

実施形態７
前記第１の陥凹部が第１の溝であり、前記第２の陥凹部が第２の溝である、実施形態１に記載のディスプレイタイル。

実施形態８
前記第１の溝が、丸まった側面溝、真っ直ぐな側面溝、および丸まった側面と真っ直ぐな側面の両方を含む組合せ溝からなる群より選択される、実施形態７に記載のディスプレイタイル。

実施形態９
前記第１の陥凹部が第１の形状を示し、前記第２の陥凹部が第２の形状を示し、該第１の形状が該第２形状と異なり、該第１の形状が位置合わせマークとして使用される、実施形態１に記載のディスプレイタイル。

実施形態１０
前記基板がガラス系基板である、実施形態１に記載のディスプレイタイル。

実施形態１１
前記第一面に垂直であり、該第一面と前記第二面との間に延在する線に沿った距離として測定される、前記第１の側面と前記第２の側面の厚さが、三（３）ミリメートル以下である、実施形態１に記載のディスプレイタイル。

実施形態１２
前記第１の側面に垂直であり、前記第一面に平行な線に沿った距離として測定される前記第１の陥凹部の深さが、二百五十（２５０）マイクロメートル未満である、実施形態１に記載のディスプレイタイル。

実施形態１３
前記第１の側面および前記第一面の両方に平行な線に沿った前記第１の陥凹部の開口の幅が、百（１００）マイクロメートル未満である、実施形態１に記載のディスプレイタイル。

実施形態１４
前記ディスプレイタイルが、
前記外周囲の第１の部分に沿った開口を有する第３の陥凹部であって、前記第１の陥凹部の開口の一方の側面から、該第１の陥凹部の開口の該一方の側面が前記第２の陥凹部の開口の一方の側面に隣接する該第２の陥凹部の開口の隣接する側面まで、前記第１の側面と前記第一面の両方に平行な線に沿って測定される該第３の陥凹部と該第１の陥凹部との間の間隔が、二百五十（２５０）マイクロメートル未満である、第３の陥凹部、
をさらに備える、実施形態１に記載のディスプレイタイル。

実施形態１５
前記第１のサイド電極が導体材料から形成されている、実施形態１に記載のディスプレイタイル。

実施形態１６
前記導体材料が、チタン、スズ、銀、銅、金、およびチタン、スズ、銀、銅、または金の２つ以上を含有する任意の金属合金からなる群より選択される金属を含む、実施形態１５に記載のディスプレイタイル。

実施形態１７
前記ディスプレイタイルが、前記第１のサイド電極および前記第２のサイド電極の上に形成された絶縁体材料をさらに備える、実施形態１に記載のディスプレイタイル。

実施形態１８
少なくとも第１のディスプレイタイルおよび第２のディスプレイタイルを備えたディスプレイにおいて、
前記第１のディスプレイタイルおよび前記第２のディスプレイタイルの各々は、
第１の基板であって、第一面と第二面、該基板の外周囲の第１の部分に沿って該第一面と該第二面との間に延在する第１の側面、該基板の外周囲の第２の部分に沿って該第一面と該第二面との間に延在する第２の側面、該外周囲の第１の部分に沿った開口を有する第１の陥凹部、および該外周囲の第２の部分に沿った開口を有する第２の陥凹部を備える基板、
前記第１の陥凹部内に配置された第１のサイド電極であって、前記外周囲の第１の部分を越えて延在しない第１のサイド電極、および
前記第２の陥凹部内に配置された第２のサイド電極であって、前記外周囲の第２の部分を越えて延在しない第２のサイド電極、
を備える、ディスプレイ。

実施形態１９
前記第１のディスプレイタイルおよび前記第２のディスプレイタイルの各々が、
前記第二面上またはその近くに配置された第１の行ドライバー、
前記第一面上またはその近くに配置された画素素子、
前記画素素子から前記第１のサイド電極の第１の端部まで前記第一面上に延在する第１の導体、
前記行ドライバーから前記第１のサイド電極の第２の端部まで前記第二面上に延在する第２の導体、
前記第二面上またはその近くに配置された列ドライバー、
前記画素素子から前記第２のサイド電極の第１の端部まで前記第一面上に延在する第３の導体、および
前記列ドライバーから前記第２のサイド電極の第２の端部まで前記第二面上に延在する第４の導体、
をさらに備える、実施形態１８に記載のディスプレイ。

実施形態２０
ディスプレイを製造する方法において、
少なくとも第１のディスプレイタイルおよび第２のディスプレイタイルを、該第１のディスプレイタイルの少なくとも１つの側面が該第２のディスプレイタイルの側面と揃い、該第１のディスプレイタイルの少なくとも１つの側面および該第２のディスプレイタイルの側面が一緒になって上部エッジ面を形成するように、積層させる工程であって、該第１のディスプレイタイルの少なくとも１つの側面は、該第１のディスプレイタイルの該少なくとも１つの側面に沿った開口を有する第１の陥凹部を含み、該第２のディスプレイタイルの側面は、該第２のディスプレイタイルの該側面に沿った開口を有する第２の陥凹部を含み、該第１の陥凹部は該第２の陥凹部に隣接している、工程、および
前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部の両方の中に導体材料を形成する工程であって、該導体材料は前記上部エッジ面上に延在しない、工程、
を有してなる方法。

実施形態２１
前記第２のディスプレイタイルから前記第１のディスプレイタイルを外す工程であって、前記導体材料が前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部の各々の中に留まる工程、
をさらに含む、実施形態２０に記載の方法。

実施形態２２
前記第１の陥凹部内の前記導体材料を、前記第１のディスプレイタイルの基板の第一面上またはその近くに配置された駆動回路に電気的に結合する工程、および
前記第１の陥凹部内の前記導体材料を、前記第１のディスプレイタイルの基板の第二面上またはその近くに配置された画素素子に電気的に結合する工程であって、前記基板の第一面が、該基板の第二面の反対にある工程、
をさらに含む、実施形態２０に記載の方法。

実施形態２３
第１の基板内に前記第１の陥凹部を形成して、前記第１のディスプレイタイルを生成する工程、および
第２の基板内に前記第２の陥凹部を形成して、前記第２のディスプレイタイルを生成する工程、
をさらに含む、実施形態２０に記載の方法。

実施形態２４
前記第１の基板および前記第２の基板が両方ともガラス系基板である、実施形態２３に記載の方法。

実施形態２５
前記第１の基板内に第１の陥凹部を形成する工程および前記第２の基板内に第２の陥凹部を形成する工程が、
前記第１の基板中に前記第１の陥凹部をレーザ切断する工程、および
前記第２の基板中に前記第２の陥凹部をレーザ切断する工程、
を含む、実施形態２３に記載の方法。

実施形態２６
前記第１の基板中に第１の陥凹部をレーザ切断する工程が、
前記第１の基板の第一面または第二面の選択された一方に対してレーザ吸収材料を配置する工程、
レーザ光線が前記第１の基板を通って、該基板と前記レーザ吸収材料との間に界面に通過し、該界面近くの領域で該基板から材料が除去されるように該基板の第一面または第二面の選択されていない一方に該レーザ光線を向ける工程、および
前記レーザ光線をある経路に沿って、前記界面が類似の経路に沿って移動するように、移動させる工程であって、該界面近くの領域で前記第１の基板から材料が除去されると、前記第１の陥凹部が形成される、工程、
を含む、実施形態２５に記載の方法。

実施形態２７
前記第１の基板内に第１の陥凹部を形成する工程および前記第２の基板内に第２の陥凹部を形成する工程が、
前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部に対応する区域が露出されたままであるように前記積層体にマスキング材料を施す工程、および
前記積層体をエッチングして、露出されたままの前記区域の近くの領域で前記第１の基板および前記第２の基板から材料を除去する工程、
を含む、実施形態２３に記載の方法。

実施形態２８
前記積層体をエッチングする工程が、湿式化学エッチング、乾式化学エッチング、および機械的エッチングからなる群より選択される過程を使用して行われる、実施形態２７に記載の方法。

実施形態２９
前記導体材料が、チタン、スズ、銀、銅、金、およびチタン、スズ、銀、銅、または金の２つ以上を含有する任意の金属合金からなる群より選択される金属を含む、実施形態２０に記載の方法。

実施形態３０
前記第１の陥凹部および第２の陥凹部の両方の中に導体材料を形成する工程が、
前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部に半田ペーストを少なくとも部分的に充填する工程、
前記半田ペーストを硬化させて、前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部の両方の中に該半田ペーストに由来する導体材料を残す工程、および
前記第２のディスプレイタイルから前記第１のディスプレイタイルを外す工程であって、前記導体材料が前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部の各々の中に留まる、工程、
を含む、実施形態２０に記載の方法。

実施形態３１
前記第１の陥凹部および第２の陥凹部の両方の中に導体材料を形成する工程が、
溶融形態にある前記導体材料を、前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部の両方からなる通路に通して流す工程、
前記導体材料を冷却する工程、および
前記第２のディスプレイタイルから前記第１のディスプレイタイルを外す工程であって、前記導体材料が前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部の各々の中に留まる、工程、
を含む、実施形態２０に記載の方法。

実施形態３２
前記第１の陥凹部および第２の陥凹部の両方の中に導体材料を形成する工程が、
前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部の各々の中にシード材料を堆積させる工程、
前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部の各々の中の壁を前記導体材料でメッキする工程、および
前記第２のディスプレイタイルから前記第１のディスプレイタイルを外す工程であって、前記導体材料が前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部の各々の中に留まる、工程、
を含む、実施形態２０に記載の方法。

実施形態３３
前記第１の陥凹部および第２の陥凹部の両方の中に導体材料を形成する工程が、
液体ナノ粒子材料を、前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部の両方からなる通路中に流す工程、
前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部内の前記液体ナノ粒子材料を乾燥させて、該第１の陥凹部および該第２の陥凹部の壁に沿ってナノ粒子残留物を形成する工程、
前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部の壁に沿った前記ナノ粒子残留物にレーザエネルギーを施して、該ナノ粒子残留物を前記導体材料に凝集した金属ナノ粒子に変える工程、および
前記第２のディスプレイタイルから前記第１のディスプレイタイルを外す工程であって、前記導体材料が前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部の各々の中に留まる、工程、
を含む、実施形態２０に記載の方法。

実施形態３４
前記ナノ粒子残留物が、酸化銅（ＣｕＯ）および酸化銀（ＡｇＯ）からなる群より選択されるナノ粒子を含む、実施形態３３に記載の方法。

実施形態３５
ディスプレイを製造する方法において、
基板内に第１の陥凹部を形成する工程であって、該基板は、
第一面と第二面、該基板の外周囲の第１の部分に沿って該第一面と該第二面との間に延在する第１の側面、該基板の外周囲の第２の部分に沿って該第一面と該第二面との間に延在する第２の側面を備え、
前記第１の陥凹部の開口は、前記基板の外周囲の第１の部分に沿っており、前記第一面は前記第二面の反対にある、工程、
前記基板内に第２の陥凹部を形成する工程であって、該第２の陥凹部の開口は該基板の外周囲の第２の部分に沿っている、工程、および
前記第１の陥凹部および前記第２の陥凹部の各々の中に導体材料を形成する工程であって、該導体材料は前記基板の外周囲を越えて延在しない、工程、
を有してなる方法。

実施形態３６
前記基板がガラス系基板である、実施形態３５に記載の方法。

実施形態３７
前記第１の陥凹部内の前記導体材料を、前記基板の第一面上またはその近くに配置された第１の回路に電気的に結合する工程、
前記第２の陥凹部内の前記導体材料を、前記基板の第一面上またはその近くに配置された第２の回路に電気的に結合する工程、
前記第１の陥凹部内の前記導体材料を、前記基板の第二面上またはその近くに配置された画素素子に電気的に結合する工程、および
前記第２の陥凹部内の前記導体材料を前記画素素子に電気的に結合する工程、
をさらに含む、実施形態３５に記載の方法。

実施形態３８
前記基板内に第１の陥凹部を形成する工程が、
前記基板の第１の側面に前記第１の陥凹部をレーザ切断する工程、
を含む、実施形態３５に記載の方法。

実施形態３９
前記基板の第１の側面に第１の陥凹部をレーザ切断する工程が、
前記基板の前記第一面または前記第二面の一方に対してレーザ吸収材料を配置する工程、
レーザ光線が前記基板を通って該基板と前記レーザ吸収材料との間の界面に通過して、該界面近くの領域で該基板から材料が除去されるように該基板の前記第一面または前記第二面の他方に該レーザ光線を向ける工程、および
前記レーザ光線をある経路に沿って、前記界面が類似の経路に沿って移動するように、移動させる工程であって、該界面近くの領域の領域で前記基板から材料が除去されると、前記第１の陥凹部が形成される、工程、
を含む、実施形態３８に記載の方法。

実施形態４０
前記基板内に第１の陥凹部を形成する工程が、
前記第１の陥凹部に対応する区域が露出されたままであるように前記基板にマスキング材料を施す工程、および
前記基板をエッチングして、露出されたままである前記区域の近くの領域で該基板から材料を除去する工程、
を含む、実施形態３５に記載の方法。

実施形態４１
前記基板をエッチングする工程が、湿式化学エッチング、乾式化学エッチング、および機械的エッチングからなる群より選択される過程を使用して行われる、実施形態４０に記載の方法。

５０、１５０、２５０、２５０ａ、２５０ｂ、７５０、７９０、７９１、７９２、７９５、７９６、７９７ ディスプレイタイル
５２、１５２、２５２、９５２ 基板
５６、１５６、９０５ 外周囲
５８、１５８ 画素素子
６０、１６０ 画素素子の行
６２、１６２ 行電極
６５、１６５ 行ドライバー
７０、１７０ 画素素子の列
７２、１７２ 列電極
７５、１７５ 列ドライバー
１５４ エッジ面
１５５ 第一面
１５７ 第二面
１６４ 行電極コネクタ
１７４ 列電極コネクタ
２５５、９５５ 上面
２９６ 上部電極、底部電極
３００ フレキシブル接着サイド電極
３０２ フレキシブル高分子膜
３０４ 導体
３０６ 接着剤
７６６、７７６、７７７、７７８、７８０、７８１、７８２、９５８ 微細溝
７６４、７７４ 埋込サイド電極
９０７ 内壁
９１２ 積層体
９１４ 上部エッジ面
９１６ レーザ
９２０ ガラスパネル
９５６ マスキング材料
９８１ サイド電極
９８３ 絶縁層、保護層
９９７ レーザ吸収材料
９９８ 不均一界面
９９９ レーザビーム

Claims (19)

1. ディスプレイタイルにおいて、
   基板であって、第一面と第二面、該基板の外周囲の第１の部分に沿って該第一面と該第二面との間に延在する第１の側面、該基板の外周囲の第２の部分に沿って該第一面と該第二面との間に延在する第２の側面、該外周囲の第１の部分に沿った開口を有する第１の陥凹部、および該外周囲の第２の部分に沿った開口を有する第２の陥凹部を備える基板、
   前記第１の陥凹部内に配置された第１のサイド電極であって、前記外周囲の第１の部分を越えて延在しない第１のサイド電極、および
   前記第２の陥凹部内に配置された第２のサイド電極であって、前記外周囲の第２の部分を越えて延在しない第２のサイド電極、
   を備えたディスプレイタイル。
2. 前記ディスプレイタイルが、
   前記第二面上またはその近くに配置された回路、
   前記第一面上またはその近くに配置された電気素子、
   前記電気素子から前記第１のサイド電極の第１の端部まで前記第一面上に延在する第１の導体、および
   前記回路から前記第１のサイド電極の第２の端部まで前記第二面上に延在する第２の導体、
   をさらに備える、請求項１記載のディスプレイタイル。
3. 前記回路が行ドライバーであり、前記電気素子が画素素子である、請求項２記載のディスプレイタイル。
4. 前記画素素子が第１の画素素子であり、
   前記ディスプレイタイルが、
   前記第一面上またはその近くに配置された第２の画素素子、および
   前記第１の画素素子を前記第２の画素素子に電気的に結合する第３の導体、
   をさらに備える、請求項３記載のディスプレイタイル。
5. 前記画素素子が、ＬＥＤ、マイクロＬＥＤ、ＬＣＤ素子、およびＯＬＥＤ表示素子からなる群より選択される、請求項３記載のディスプレイタイル。
6. 前記ディスプレイタイルが、
   第二面上またはその近くに配置された列ドライバー、
   前記画素素子から前記第２のサイド電極の第１の端部まで前記第一面上に延在する第３の導体、および
   前記列ドライバーから前記第２のサイド電極の第２の端部まで前記第二面上に延在する第４の導体、
   をさらに備える、請求項３記載のディスプレイタイル。
7. 前記第１の陥凹部が第１の溝であり、前記第２の陥凹部が第２の溝である、請求項１記載のディスプレイタイル。
8. 前記第１の溝が、丸まった側面溝、真っ直ぐな側面溝、および丸まった側面と真っ直ぐな側面の両方を含む組合せ溝からなる群より選択される、請求項７記載のディスプレイタイル。
9. 前記第１の陥凹部が第１の形状を示し、前記第２の陥凹部が第２の形状を示し、該第１の形状が該第２形状と異なり、該第１の形状が位置合わせマークとして使用される、請求項１記載のディスプレイタイル。
10. 前記基板がガラス系基板である、請求項１記載のディスプレイタイル。
11. 前記第一面に垂直であり、該第一面と前記第二面との間に延在する線に沿った距離として測定される、前記第１の側面と前記第２の側面の厚さが、三（３）ミリメートル以下である、請求項１記載のディスプレイタイル。
12. 前記第１の側面に垂直であり、前記第一面に平行な線に沿った距離として測定される前記第１の陥凹部の深さが、二百五十（２５０）マイクロメートル未満である、請求項１記載のディスプレイタイル。
13. 前記第１の側面および前記第一面の両方に平行な線に沿った前記第１の陥凹部の開口の幅が、百（１００）マイクロメートル未満である、請求項１記載のディスプレイタイル。
14. 前記ディスプレイタイルが、
    前記外周囲の第１の部分に沿った開口を有する第３の陥凹部であって、前記第１の陥凹部の開口の一方の側面から、該第１の陥凹部の開口の該一方の側面が前記第２の陥凹部の開口の一方の側面に隣接する該第２の陥凹部の開口の隣接する側面まで、前記第１の側面と前記第一面の両方に平行な線に沿って測定される該第３の陥凹部と該第１の陥凹部との間の間隔が、二百五十（２５０）マイクロメートル未満である、第３の陥凹部、
    をさらに備える、請求項１記載のディスプレイタイル。
15. 前記第１のサイド電極が導体材料から形成されている、請求項１記載のディスプレイタイル。
16. 前記導体材料が、チタン、スズ、銀、銅、金、およびチタン、スズ、銀、銅、または金の２つ以上を含有する任意の金属合金からなる群より選択される金属を含む、請求項１５記載のディスプレイタイル。
17. 前記ディスプレイタイルが、前記第１のサイド電極および前記第２のサイド電極の上に形成された絶縁体材料をさらに備える、請求項１記載のディスプレイタイル。
18. 少なくとも第１のディスプレイタイルおよび第２のディスプレイタイルを備えたディスプレイにおいて、
    前記第１のディスプレイタイルおよび前記第２のディスプレイタイルの各々は、
    第１の基板であって、第一面と第二面、該基板の外周囲の第１の部分に沿って該第一面と該第二面との間に延在する第１の側面、該基板の外周囲の第２の部分に沿って該第一面と該第二面との間に延在する第２の側面、該外周囲の第１の部分に沿った開口を有する第１の陥凹部、および該外周囲の第２の部分に沿った開口を有する第２の陥凹部を備える基板、
    前記第１の陥凹部内に配置された第１のサイド電極であって、前記外周囲の第１の部分を越えて延在しない第１のサイド電極、および
    前記第２の陥凹部内に配置された第２のサイド電極であって、前記外周囲の第２の部分を越えて延在しない第２のサイド電極、
    を備える、ディスプレイ。
19. 前記第１のディスプレイタイルおよび前記第２のディスプレイタイルの各々が、
    前記第二面上またはその近くに配置された第１の行ドライバー、
    前記第一面上またはその近くに配置された画素素子、
    前記画素素子から前記第１のサイド電極の第１の端部まで前記第一面上に延在する第１の導体、
    前記行ドライバーから前記第１のサイド電極の第２の端部まで前記第二面上に延在する第２の導体、
    前記第二面上またはその近くに配置された列ドライバー、
    前記画素素子から前記第２のサイド電極の第１の端部まで前記第一面上に延在する第３の導体、および
    前記列ドライバーから前記第２のサイド電極の第２の端部まで前記第二面上に延在する第４の導体、
    をさらに備える、請求項１８記載のディスプレイ。

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