TW202023085A - 用於形成包括凹陷側電極的顯示器之系統及方法 - Google Patents

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Abstract

實施例大體上是關於顯示裝置，並且更特定而言，是關於具有凹陷側電極之顯示器或顯示器拼接塊

Description

用於形成包括凹陷側電極的顯示器之系統及方法
本申請案根據專利法主張2018年10月4日申請之美國臨時申請案第62/741158號之優先權的權益，該申請案之內容為本案之基礎且以其全文引用之方式併入本文中。
實施例大體上是關於顯示裝置，並且更特定而言是關於具有凹陷側電極之顯示器或顯示器拼接塊。
由複數個個別顯示器拼接塊組成之顯示器用於製造有時被稱為拼接顯示器(tiled display)之大型顯示器。舉例而言，由多個顯示器拼接塊組成之視訊牆以其高壓緊銜接及令人驚豔的視覺而聞名，並且用於多種環境中，包括零售環境、控制室、機場、電視演播室、禮堂及運動場。如自第1圖將顯而易見，在當前顯示器中，顯示器拼接塊之邊緣部分及顯示裝置本身用於與顯示面板之操作相關聯的電引線及各種其他電子組件，諸如可包括用於主動矩陣顯示器之薄膜電晶體陣列的驅動器電路。此等顯示器之實例包括液晶顯示器(liquid crystal display; LCD)及有機發光二極體(organic light emitting diode; OLED)顯示器。此已導致平板顯示器製造商將邊緣部分包裝在邊框內及/或後面，如此隱藏前述電子組件。
第1圖展示先前技術顯示器拼接塊50，此先前技術顯示器拼接塊包含具有第一表面55及外部周邊56之第一基板52。顯示器拼接塊50包括多個列60之像素元件及多個行70之像素元件58。像素元件58之每一列60藉由列電極62及複數個行70之像素元件58連接，並且像素元件58之每一行70藉由行電極72連接。顯示器拼接塊進一步包括啟動多個列60之像素元件58的至少一個列驅動器65及啟動多個行70之像素元件58的至少一個行驅動器75。在先前技術顯示器拼接塊50中，列驅動器65及行驅動器75位於同一側之像素元件上的第一表面55上，從而需要邊框(未示出)以覆蓋列驅動器65及行驅動器75。
出於美感原因，平板顯示器製造者正試著藉由將包圍顯示器上之影像的邊框之大小最小化而將影像觀看區域最大化且提供更加美觀、討人喜歡的外觀。然而，此最小化存在實際極限，並且當前邊框大小為大約3毫米至10毫米寬。
在產業中已嘗試實現由具有無邊框及無縫零毫米邊框(在本文中被稱為「零邊框」或「無邊框」)之顯示器拼接塊組成的拼接顯示器。不需要刺激黑色間隙，無邊框顯示器拼接塊即允許拼接顯示器之大量組態。為了達成無邊框顯示器拼接塊，使像素元件緊密接近顯示器拼接塊之邊緣可以是有利的。此等像素元件可位於顯示器拼接塊基板之正面上且控制背面上的電子裝置。因此，需要電互連顯示器拼接塊基板之正面及背面。
用於在由玻璃製成之顯示器拼接塊基板中達成此等互連件之一種方式是利用金屬化的玻璃穿孔(through glass via; 「TGV」)。此等TGV可用於製造零邊框的微LED顯示器，然而，tGV在製造上相當昂貴，至少使用涉及在蝕刻之後的每一孔之雷射損害(連續製程)之當前方法。接著需要進一步處理此些孔以用於金屬化。
TGV之實施帶來對總體製造製程序列之挑戰。若拼接塊基板之正面將具有薄膜電晶體(thin film transistor; TFT)陣列，則關於何時製造且金屬化玻璃通孔之問題出現。由於TFT陣列製造傳統上是在初始玻璃表面上進行，因此蝕刻及金屬化最佳可在TFT製造之後進行。因此，陣列必須受保護以免於蝕刻且亦與金屬化技術相容。
因此，出於至少前述原因，此項技術中需要用於製造多塊式顯示器之進階系統及方法。
實施例大體上是關於顯示裝置，並且更特定而言是關於具有凹陷側電極之顯示器或顯示器拼接塊。
此發明內容僅提供一些實施例之一般概述。片語「在一個實施例中」、「根據一個實施例」、「在各種實施例中」、「在一或多個實施例中」、「在特定實施例中」及類似片語通常意味此片語後的特定特徵、結構或特性包括在至少一個實施例中，並且可包括在多於一個的實施例中。重要地，此等片語未必指同一個實施例。許多其他實施例將自以下的詳細描述、隨附申請專利範圍及附圖更充分地瞭解。
實施例大體上是關於顯示裝置，並且更特定而言是關於具有凹陷側電極之顯示器或顯示器拼接塊。
一些實施例提供用於多塊式顯示器中之顯示器及顯示器拼接塊，其中列驅動器及行驅動器位於顯示器或顯示器拼接塊之一個表面上，並且像素元件位於顯示器或顯示器拼接塊之對置表面上。側電極經形成以提供顯示器或顯示器拼接塊之一個表面上的電氣元件(例如，列驅動器)與顯示器或顯示器拼接塊之對置表面上的電氣元件(例如，像素元件)之間的電耦接。側電極沿著顯示器或顯示器拼接塊之側面形成於凹陷內。此等凹陷側電極實現增大的有效顯示面積。
一些實施例提供顯示器，此些顯示器包括至少第一顯示器拼接塊及第二顯示器拼接塊。第一顯示器拼接塊及第二顯示器拼接塊中之每一者包括：基板、第一側電極及第二側電極。基板包括：第一表面及第二表面；第一側面，沿著基板之外部周邊的第一部分在第一表面與第二表面之間延伸；第二側面，沿著基板之外部周邊的第二部分在第一表面與第二表面之間延伸；第一凹陷區域，具有沿著外部周邊之第一部分的開口；及第二凹陷區域，具有沿著外部周邊之第二部分的開口。第一側電極安置於第一凹陷區域內，使得第一側電極不延伸超出外部周邊之第一部分，並且第二側電極安置於第二凹陷區域內，使得第二側電極不延伸超出外部周邊之第二部分。
在前述實施例之一些例子中，第一顯示器拼接塊及第二顯示器拼接塊中之每一者進一步包括：第一列驅動器，安置於第二表面上或附近；像素元件，安置於第一表面上或附近；第一導體，越過第一表面自像素元件延伸至第一側電極之第一末端；第二導體，越過第二表面自列驅動器延伸至第一側電極之第二末端；行驅動器，安置於第二表面上或附近；第三導體，越過第一表面自像素元件延伸至第二側電極之第一末端；及第四導體，越過第二表面自行驅動器延伸至第二側電極之第二末端。
其他實施例提供顯示器拼接塊，此些顯示器拼接塊包括：基板、第一側電極及第二側電極。基板包括：第一表面及第二表面；第一側面，沿著基板之外部周邊的第一部分在第一表面與第二表面之間延伸；第二側面，沿著基板之外部周邊的第二部分在第一表面與第二表面之間延伸；第一凹陷區域，具有沿著外部周邊之第一部分的開口；及第二凹陷區域，具有沿著外部周邊之第二部分的開口。第一側電極安置於第一凹陷區域內，使得第一側電極不延伸超出外部周邊之第一部分，並且第二側電極安置於第二凹陷區域內，使得第二側電極不延伸超出外部周邊之第二部分。
在前述實施例之一些例子中，基板為玻璃基基板。如本文中所使用，片語「玻璃基基板」以最廣意義使用，以包括完全或部分地由玻璃及/或陶瓷製成之任何物件。玻璃基基板包括但不限於玻璃與非玻璃材料之積層、玻璃與晶體材料之積層及/或玻璃陶瓷(包括非晶相及晶相)。在一些實施例中，可使用除玻璃基基板以外之基板，包括但不限於聚合物、聚合物積層、印刷電路板或金屬。
在前述實施例之各種例子中，顯示器拼接塊進一步包括：電路，安置於第二表面上或附近；及電氣元件，安置於第一表面上或附近。如本文中所使用，片語「電氣元件」以其最廣意義使用以意味著能夠傳送及/或處理電信號之任何裝置或結構。因此，電氣元件可為但不限於導體、半導體、電極、薄膜電晶體、電容器、電阻器、感應器、發光二極體(下文中為「LED」)、有機發光二極體(下文中為「OLED」)、液晶單元及/或電控制的光學裝置。第一導體越過第一表面自電氣元件延伸至第一側電極之第一末端，並且第二導體越過第二表面自電路延伸至第一側電極之第二末端。在一些此等例子中，電路為列驅動器，並且電氣元件為像素元件。在特定例子中，像素元件為第一像素元件，並且顯示器拼接塊包括第二像素元件，第二像素元件安置於第一表面上或附近。第三導體可將第一像素元件電耦接至第二像素元件。前述像素元件可為但不限於發光二極體(light emitting diode; LED)、微LED、液晶顯示器(LCD)元件或有機發光二極體(OLED)元件。在前述實施例之各種例子中，顯示器拼接塊進一步包括：行驅動器，安置於第二表面上或附近；第三導體，越過第一表面自像素元件延伸至第二側電極之第一末端；及第四導體，越過第二表面自行驅動器延伸至第二側電極之第二末端。在各種情況下，列驅動器及/或行驅動器可位於單獨電路板上且藉由使用撓性連接器、焊料連接或其他合適方法而電連接至基板第二表面上之電氣元件。
在前述實施例之各種例子中，第一凹陷區域為第一溝槽，並且第二凹陷區域為第二溝槽。此等溝槽可為但不限於圓邊溝槽、直邊溝槽及/或包括圓邊及直邊兩者之組合溝槽。在前述實施例之一些例子中，第一凹陷區域展現第一形狀且第二凹陷區域展現第二形狀，其中第一形狀不同於第二形狀。在一些此等例子中，第一形狀用作為對齊標記。前述凹陷可形成至基板之邊緣中，形成至形成於基板之邊緣上的塗層中，或形成至基板之邊緣與基板之邊緣上的塗層中之組合中。
在前述實施例之一些例子中，量測為沿著垂直於第一表面之一線且在第一表面與第二表面之間延伸的距離的第一側面及第二側面之厚度小於或等於三(3)毫米。在前述實施例之各種例子中，量測為沿著垂直於第一側面之一線且平行於第一表面的距離的第一凹陷區域之深度小於二百五十(250)微米。在前述實施例之一些例子中，沿著平行於第一側面及第一表面兩者之一線量測的第一凹陷區域之開口之寬度小於一百(100)微米。
在前述實施例之各種例子中，顯示器拼接塊進一步包括第三凹陷區域，第三凹陷區域展現沿著外部周邊之第一部分的開口。第三凹陷區域與第一凹陷區域之間的間隔小於二百五十(250)微米，此間隔沿著平行於第一側面及第一表面兩者之一線自第一凹陷區域之開口的一個側面至第二凹陷區域之開口的鄰近側面量測，其中第一凹陷區域之開口的一個側面鄰近於第二凹陷區域之開口的一個側面。
在前述實施例之一些例子中，第一側電極由導電材料形成。如本文中所使用，片語「導電材料」以其最廣意義使用以意味著能夠傳導電信號之任何材料。基於本文中所提供之揭示內容，一般熟習此項技術者將認識到關於不同實施例可使用的多種導電材料。導電材料可為但不限於金屬。此金屬可為但不限於：鋁；鉬；氧化銦錫；鈀；鈦；錫；銀；銅；金；導體之多層組合；或含有以下各者中的兩種或更多種之任何金屬合金：鋁；鉬；氧化銦錫；鈀；鈦；錫；銀；銅；金。在前述實施例之特定例子中，顯示器拼接塊進一步包括絕緣體材料，此絕緣體材料形成於第一側電極及第二側電極上方。
另外其他實施例提供製造顯示器之方法。此等方法包括以下步驟：堆疊至少第一顯示器拼接塊及第二顯示器拼接塊，使得第一顯示器拼接塊之至少一個側面與第二顯示器拼接塊之側面對準，並且此些側面一起形成頂部邊緣表面。第一顯示器拼接塊之至少一個側面包括第一凹陷區域，此第一凹陷區域具有沿著第一顯示器拼接塊之至少一個側面的開口，並且第二顯示器拼接塊之側面包括第二凹陷區域，此第二凹陷區域具有沿著第二顯示器拼接塊之側面的開口。第一凹陷區域鄰近第二凹陷區域。此些方法進一步包括以下步驟：在第一凹陷區域及第二凹陷區域兩者內形成導電材料，其中導電材料不延伸至頂部邊緣表面上。在一些例子中，方法進一步包括以下步驟：解除第一顯示器拼接塊與第二顯示器拼接塊的堆疊，使得導電材料保持在第一凹陷區域及第二凹陷區域中之每一者內。
在前述實施例之各種例子中，方法進一步包括以下步驟：將第一凹陷區域中之導電材料電耦接至驅動器電路，此驅動器電路安置於第一顯示器拼接塊之基板之第一表面上或附近，及將第一凹陷區域中之導電材料電耦接至像素元件，此像素元件安置於第一顯示器拼接塊之基板之第二表面上或附近，其中第一基板之第一表面與第一顯示器拼接塊之基板的第二表面對置。
在前述實施例之一些例子中，方法進一步包括以下步驟：在第一基板中形成第一凹陷區域以產生第一顯示器拼接塊，及在第二基板中形成第二凹陷區域以產生第二顯示器拼接塊。在一些此等例子中，第一基板及第二基板均為玻璃基基板。在各種此等例子中，在第一基板中形成第一凹陷區域及在第二基板中形成第二凹陷區域之步驟包括以下步驟：將第一凹陷區域雷射切割至第一基板中；及將第二凹陷區域雷射切割至第二基板中。在特定例子中，將第一凹陷區域雷射切割至第一基板中之步驟包括以下步驟：緊靠第一基板之第一表面或第二表面中之選定表面安置雷射吸收材料；朝向第一基板之第一表面或第二表面中之非選定表面引導雷射輻射，使得雷射輻射穿過基板到達基板與雷射吸收材料之間的界面，從而導致靠近界面之區域處的材料自基板之移除；及沿著一路徑移動雷射輻射，使得界面沿著類似路徑移動。靠近界面之區域處的材料自第一基板之移除導致第一凹陷區域之形成。在其他此等例子中，在第一基板中形成第一凹陷區域及在第二基板中形成第二凹陷區域之步驟包括以下步驟：將遮蔽材料塗覆至堆疊，使得對應於第一凹陷區域及第二凹陷區域的區域保持暴露；及蝕刻堆疊以在靠近保持暴露之此些區域的區域處自第一基板及第二基板移除材料。蝕刻堆疊之製程可包括但不限於：濕式化學蝕刻；乾式化學蝕刻；機械蝕刻；或濕式化學蝕刻、乾式化學蝕刻及/或機械蝕刻中之兩種或更多種的一組合。
在前述實施例之一些例子中，在第一凹陷區域及第二凹陷區域兩者內形成導電材料之步驟包括以下步驟：用焊料膏至少部分地填充第一凹陷區域及第二凹陷區域；使焊料膏固化，從而在第一凹陷區域及第二凹陷區域兩者中留下衍生自焊料膏之導電材料；及解除第一顯示器拼接塊與第二顯示器拼接塊的堆疊，使得導電材料保持在第一凹陷區域及第二凹陷區域中之每一者內。
在前述實施例之其他例子中，在第一凹陷區域及第二凹陷區域兩者內形成導電材料之步驟包括以下步驟：使導電材料以熔融形式流經包含第一凹陷區域及第二凹陷區域兩者之通道；冷卻導電材料；及解除第一顯示器拼接塊與第二顯示器拼接塊的堆疊，使得導電材料保持在第一凹陷區域及第二凹陷區域中之每一者內。
在前述實施例之另外其他例子中，在第一凹陷區域及第二凹陷區域兩者內形成導電材料之步驟包括以下步驟：在第一凹陷區域及第二凹陷區域中之每一者內沉積種子材料；用導電材料電鍍第一凹陷區域及第二凹陷區域中之每一者內的壁；及解除第一顯示器拼接塊與第二顯示器拼接塊的堆疊，使得導電材料保持在第一凹陷區域及第二凹陷區域中之每一者內。
在前述實施例之另外其他例子中，在第一凹陷區域及第二凹陷區域內形成導電材料之步驟包括以下步驟：使液體基奈米粒子材料流至包含第一凹陷區域及第二凹陷區域兩者之通道中；乾燥第一凹陷區域及第二凹陷區域內之液體基奈米粒子材料，以沿著第一凹陷區域及第二凹陷區域之壁形成奈米粒子殘餘物；施加雷射能量至沿著第一凹陷區域及第二凹陷區域之壁的奈米粒子殘餘物，以將奈米粒子殘餘物還原成聚結成導電材料之金屬奈米粒子；及解除第一顯示器拼接塊與第二顯示器拼接塊的堆疊，使得導電材料保持在第一凹陷區域及第二凹陷區域中之每一者內。奈米粒子殘餘物可包括奈米粒子，此些奈米粒子是但不限於氧化銅(CuO)及/或氧化銀(AgO)。
另外其他實施例提供製造顯示器之方法。方法包括以下步驟：在基板中形成第一凹陷區域。基板包括：第一表面及第二表面；第一側面，沿著基板之外部周邊的第一部分在第一表面與第二表面之間延伸；第二側面，沿著基板之外部周邊的第二部分在第一表面與第二表面之間延伸；第一凹陷區域之開口沿著基板之外部周邊的第一部分。第一表面與第二表面對置。方法進一步包括以下步驟：在基板中形成第二凹陷區域，使得第二凹陷區域之開口沿著基板之外部周邊的第二部分；及在第一凹陷區域及第二凹陷區域中之每一者內形成導電材料，使得導電材料不延伸超出基板之外部周邊。
在前述實施例之一些例子中，方法進一步包括以下步驟：將第一凹陷區域中之導電材料電耦接至第一電路，此第一電路安置於基板之第一表面上或附近；將第二凹陷區域中之導電材料電耦接至第二電路，此第二電路安置於基板之第一表面上或附近；將第一凹陷區域中之導電材料電耦接至像素元件，像素元件安置於基板之第二表面上或附近；及將第二凹陷區域中之導電材料電耦接至像素元件。
在前述實施例之各種例子中，在基板中形成第一凹陷區域之步驟包括將第一凹陷區域雷射切割至基板之第一側面中的步驟。在一些此等例子中，將第一凹陷區域雷射切割至基板之第一側面中的步驟包括以下步驟：緊靠基板之第一表面或第二表面中之一者安置雷射吸收材料；朝向基板之第一表面或第二表面中的另一者引導雷射輻射，使得雷射輻射穿過基板到達基板與雷射吸收材料之間的界面，從而導致靠近界面之區域處的材料自基板之移除；及沿著一路徑移動雷射輻射，使得界面沿著一類似路徑移動。靠近界面之區域處的材料自基板之移除導致第一凹陷區域之形成。
在其他例子中，在第一基板中形成第一凹陷區域及在第二基板中形成第二凹陷區域之步驟包括以下步驟：將遮蔽材料塗覆至堆疊，使得對應於第一凹陷區域及第二凹陷區域的一區域保持暴露；及蝕刻堆疊以在靠近保持暴露之此些區域的區域處自第一基板及第二基板移除材料。蝕刻堆疊之製程可包括但不限於：濕式化學蝕刻；乾式化學蝕刻；機械蝕刻；或濕式化學蝕刻、乾式化學蝕刻及/或機械蝕刻中之兩種或更多種的一組合。
轉至第2圖至第4圖，展示了顯示器拼接塊150，顯示器拼接塊150包括第一基板152，第一基板152包含第一表面155、與第一表面155對置之第二表面157及處於第一表面155與第二表面157之間的邊緣表面154，邊緣表面154界定顯示器拼接塊的外部周邊156。
根據一或多個實施例的本文中所描述之顯示器拼接塊150可包含任何合適材料之基板152，例如具有適合產生顯示器拼接塊之任何所要大小及/或形狀的聚合物基板、印刷電路板、金屬或玻璃基基板。在特定實施例中，第一表面155及第二表面157可為平面的或實質上平面的，例如，實質上平坦的。在各種實施例中，第一表面155及第二表面157可平行或實質上平行。根據一些實施例之基板152可包含如第2圖至第4圖所圖示的四個邊緣，或可包含多於四個的邊緣，例如多邊的多邊形。在其他實施例中，顯示器拼接塊150可包含少於四個邊緣，例如三角形。以非限制性實例說明，基板152可包含具有四個邊緣之矩形、正方形或菱形片材，儘管其他形狀及組態意圖落在本發明之範疇內，包括具有一或多個曲線部分或邊緣之基板。
在特定實施例中，基板152可具有小於或等於約3 mm之厚度d1 。在一些實施例中，厚度d1 在0.01 mm與三(3) mm之間。在一些實施例中，厚度d1 在0.1 mm與2.5 mm之間。在各種實施例中，厚度d1 在0.3 mm與二(2) mm之間。在一些實施例中，厚度d1 在0.3 mm與二(2) mm之間。在一些實施例中，厚度d1 在0.3 mm與1.5 mm之間。在一些實施例中，厚度d1 在0.3 mm與一(1) mm之間。在一些實施例中，厚度d1 在0.3 mm與0.7 mm之間。在一些實施例中，厚度d1 在0.3 mm與0.5 mm之間。
用於製造顯示器拼接塊之玻璃基基板可包含此項技術中已知的用於顯示裝置中之任何玻璃基材料。舉例而言，玻璃基基板可包含鋁矽酸鹽、鹼金屬鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鹼金屬硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鹼金屬鋁硼矽酸鹽、鈉鈣玻璃或其他合適玻璃。適合用作玻璃基板之可購得玻璃之非限制性實例包括例如來自康寧公司(Corning Incorporated)之EAGLE XG®、LotusTM及Willow®玻璃。
顯示器拼接塊150之第一表面155包括一陣列之像素元件158，此些像素元件配置成複數個列160之像素元件158及複數個行170之像素元件158。像素元件158之每一列160藉由列電極162連接，並且像素元件158之每一行170藉由行電極172連接。將理解，相交的像素元件之列160及行170包括一些相同像素元件158。因此，不存在像素元件158之兩個單獨集合，而存在含有均連接至單獨列電極及行電極之像素元件158的像素元件158之一個陣列。根據一或多個實施例之顯示器拼接塊包括電啟動像素元件158之列160的至少一個列驅動器165及啟動像素元件158之行170的至少一個行驅動器175，列驅動器165及行驅動器175與第一表面155對置地定位。在第2圖至第4圖所示之實施例中，列驅動器165及行驅動器175位於基板152之第二表面157上。在其他實施例中，列驅動器165及行驅動器175可位於與第一表面155對置地安置的單獨結構上，諸如位於單獨基板(未示出)或其他合適結構上。在一些此等情況下，電觸點與基板第一表面175對置地定位，接著用可撓連接器、焊料連接或其他合適方法將此些電觸點電連接至列驅動器及行驅動器。自一個表面至對置表面上之最終連接至列或行驅動器之電觸點的電耦接被視為至列或行驅動器之電耦接。
如將瞭解，列驅動器165及行驅動器175連接至列電極162及行電極172以啟動像素元件158。設置複數個列電極連接器164，並且每一列電極連接器164包圍邊緣表面154且電連接列電極162、像素元件158之列160及列驅動器165。所示之顯示器拼接塊進一步包括複數個行電極連接器174，每一行電極連接器174包圍邊緣表面154且電連接行電極172、像素元件158之行170及行驅動器175。在所示之實施例中，每一列驅動器165展示為將三列160之列電極連接至像素元件158，並且每一行驅動器展示為將四行170之行電極172連接至像素元件158。將理解，此配置僅用於說明目的，並且本發明不限於列驅動器、行驅動器之任何特定數目，或分別由列驅動器及行驅動器之列電極或行電極的數目。舉例而言，基於特定之顯示器設計及佈局，電極連接器可僅存在於一個或多個邊緣表面154上。此外，本發明不限於像素元件158之任何特定數目，或基板152之第一表面155上的像素元件158之配置。儘管描述了矩陣背板設計，但替代之組態亦是可能的。用列矩陣及行矩陣描述的電氣背板電路可為被動矩陣或主動矩陣設計。若為主動矩陣，則薄膜電晶體陣列可存在於第一基板表面、第二基板表面或兩個基板表面上。替代地，顯示器背板可包括與像素直接通信之驅動器或微驅動器積體電路(IC)。此等驅動器或微驅動器IC可位於第一基板表面、第二基板表面或兩個基板表面上，或位於電連接至基板之第二表面的單獨基板上。
任何合適之連接器類型可用於提供列電極連接器164及行電極連接器174。而且，所有電極連接器不必具有相同的類型或設計。在一或多個實施例中，至少一個列電極連接器164及至少一個行電極連接器174包含如第6圖及第7圖所示之可撓性黏合側電極300。可撓性黏合側電極300包含可撓性聚合物膜302及導體304。在所示之實施例中，展示配置成列之複數個導體304。可撓性黏合側電極300可進一步包含將可撓性黏合側電極300黏附至基板152之邊緣表面154的黏合劑306。在所示之實施例中，黏合劑306為與可撓性黏合側電極整體形成之黏合層。在一些實施例中，可撓性黏合側電極300可包含可撓性聚合物膜302及導體304，並且黏合劑可單獨地塗覆。撓性電路300具有在十(10)微米至一百五十(150)微米之範圍內、例如在十(10)微米至五十(50)微米之範圍內、在十(10)微米至二十(20)微米之範圍內的總厚度。聚合物膜302之合適材料包括但不限於選自由以下各者組成之群組的材料：聚醯亞胺、聚酯、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)及聚醚醚酮(PEEK)。黏合劑306可包含壓敏黏合劑，例如包含選自由以下各者組成之群組的材料之壓敏黏合劑：聚醯亞胺、丙烯酸系物、丙烯酸酯、乙烯乙酸乙烯酯、丁基橡膠、腈及矽酮。可撓性黏合側電極300亦可藉由使用可固化或液體黏合劑黏附至邊緣表面154。導體304可選自銅及銀、其他金屬或能夠形成個別電極跡線之其他導電材料，且可藉由諸如沉積、電鍍、印刷等的任何合適方法形成。不基於沉積膜的導電材料之實例包括Ag墨水、CNT及其他基於溶液之材料。撓性電路之總尺寸可改變，且最終將由顯示器拼接塊之大小判定。合適寬度「W」可為十(10) mm至五百(500) mm，例如50 mm至100 mm，並且導體可具有在二十(20)微米與五百(500)微米寬之間的範圍內、例如一百(100)微米的寬度「Wc」。每一導體之間的間隔「S」在十(10)微米至五百(500)微米之範圍內，例如五十(50)微米。
轉至第7圖至第8圖，展示了包括基板252且具有上部表面255之顯示器拼接塊250a的側視圖及俯視圖，其中可撓性黏合側電極300使用黏合劑306附接至顯示器拼接塊250a之基板252之平坦邊緣。頂部及底部電極296形成，從而形成與導體304之連接。如所示，可撓性黏合側電極300自基板252之平坦邊緣延伸一距離d2 。在上部表面255上，頂部電極296將導體304連接至各個列電極162。
轉至第9圖至第10圖，展示了包括基板252且具有上部表面255之顯示器拼接塊250b的側視圖及俯視圖，其中可撓性黏合側電極300使用黏合劑306附接至顯示器拼接塊250b之基板252之圓形邊緣。頂部及底部電極296形成，從而形成與導體304之連接。如所示，可撓性黏合側電極300自基板252之圓形邊緣開始變圓之處延伸一距離d3 。在上部表面255上，頂部電極296將導體304連接至各個列電極162。
轉至第11圖，包括許多顯示器拼接塊250之顯示器400 (即，拼接顯示器)的俯視透視圖，此些顯示器拼接塊彼此隔開足夠距離以在各自展現直線末端或彎曲末端之各個顯示器拼接塊上容納側電極。在例如使用顯示器拼接塊250a且每一顯示器拼接塊在每一末端或側面上具有可撓性黏合側電極300的情況下，間隔Da近似為d2 之兩倍。替代地，在使用顯示器拼接塊250a且每一拼接塊僅在一個水平側面及一個垂直側面上具有可撓性黏合側電極300的情況下，間隔Da近似為d2 。作為又一替代例，在使用顯示器拼接塊250b且每一顯示器拼接塊在每一末端或側面上具有可撓性黏合側電極300的情況下，間隔Da近似為d3 之兩倍。作為再一替代例，在使用顯示器拼接塊250b且每一拼接塊僅在一個水平側面及一個垂直側面上具有可撓性黏合側電極300的情況下，間隔Da近似為d3 。
因為可撓性黏合側電極300延伸超出基板252中之每一者的邊緣及側面相當大的距離且因此與最近的像素元件158之距離相當遠，所以顯示器400包括相當大的無效顯示面積。特別地，有效顯示面積由顯示器拼接塊250之集體表面積表示，並且無效顯示面積由顯示器拼接塊250之間的距離Da之集體面積表示。Da之非零值導致顯示器拼接塊之間的過渡處的增大之像素間距(即，鄰近像素之間的距離)。藉由減小距離Da，顯示器拼接塊之間的過渡處之像素間距及無效顯示面積與總顯示面積(即，無效顯示面積與有效顯示面積之和)的比減小。藉由將距離Da減小至近似為零，前述比接近零且在使用此顯示器時提供更好的視覺體驗。
顯示器400可為任何類型之顯示器，包括但不限於液晶顯示器(LCD)、發光二極體(LED)顯示器、微型LED、電泳顯示器、電子紙顯示器及有機發光二極體(OLED)顯示器。在一些實施例中，顯示器為LED且像素元件為位於至少一個顯示器拼接塊250之邊緣表面五百(500)微米內的微型LED。在一些實施例中，顯示器為LED且像素元件為位於至少一個顯示器拼接塊250之邊緣表面四百(400)微米內的微型LED。在各種實施例中，顯示器為LED顯示器且像素元件為位於至少一個顯示器拼接塊250之邊緣表面三百(300)微米內的微型LED。在一些實施例中，顯示器為LED顯示器且像素元件為位於至少一個顯示器拼接塊250之邊緣表面兩百(200)微米內的微型LED。在各種實施例中，顯示器為LED顯示器且像素元件為位於至少一個顯示器拼接塊250之邊緣表面一百(100)微米內的微型LED。替代如第11圖所示之拼接顯示器，可在顯示裝置內使用單一個別基板。
下文所論述之實施例涉及凹陷側電極，此些凹陷側電極將上述的包圍式邊緣電極有效地移動至基板252的外部周邊內或沿著顯示器拼接塊250或顯示裝置之基板252的外部周邊的塗層內。使電極在外部周邊內移動且更靠近像素元件可減小距離Da之值。在一些情況下，在形成凹陷側電極之後，顯示器基板252的外部周邊由絕緣體塗佈。如本文中所使用，術語「絕緣體」或「絕緣」在其最廣意義上使用，以意味著不傳導或僅半傳導電信號之任何材料。僅作為一些實例，絕緣材料可為未摻雜矽(Si)或二氧化矽(SiO2 )。基於本文中所提供之揭示內容，一般熟習此項技術者將認識關於不同實施例可使用的多種絕緣體或絕緣材料。絕緣體稍微延伸超出顯示器基板252之周邊，從而產生距離Da之非零值。然而，Da之此非零值可實質上小於使用外部電極300之情況下的Da之值。替代地，凹陷側電極可在此絕緣塗佈材料內或塗佈材料與基板之組合內形成。在各種情況下，顯示器基板252的外部周邊未由此絕緣體塗佈，並且在此等情況下，Da之值可近似為零。
轉至第12圖，展示了類似於上文關於第2圖至第4圖所論述之顯示器拼接塊的顯示器拼接塊750，以下情況除外：顯示器拼接塊750包括安置於跨顯示器拼接塊750之一個側面之微溝槽776內的凹陷側電極774，及安置於跨顯示器拼接塊750之另一側面之微溝槽766內的凹陷側電極764。特別地，顯示器拼接塊750包括第一基板152，此第一基板包含第一表面155、與第一表面155對置之第二表面157及處於第一表面155與第二表面157之間的邊緣表面154。邊緣表面154界定顯示器拼接塊的外部周邊156。
儘管微溝槽776、766展示為至基板152之邊緣中的圓邊凹陷。儘管微溝槽776、766展示為圓邊凹陷，但根據其他實施例，其他形狀是可能的。舉例而言，微溝槽可展現實質上之直邊，或具有圓角之直邊。此外，圓邊微溝槽可為卵形或圓形形狀的。此外，顯示器拼接塊可包括具有一種形狀之一些微溝槽，及具有另一形狀之其他微溝槽。基於本文中所提供之揭示內容，一般熟習此項技術者將認識到關於不同實施例可使用的多種微溝槽形狀。
再次，基板152可由任何合適材料製成，包括但不限於具有適合產生顯示器拼接塊之任何所要大小及/或形狀的聚合物基板或玻璃基基板。在特定實施例中，第一表面155及第二表面157可為平面的或實質上平面的(即，實質上平坦的)。在各種實施例中，第一表面155及第二表面157可平行或實質上平行。根據一些實施例之基板152可包含如第12圖所圖示的四個邊緣，或可包括多於四個邊緣，例如多邊的多邊形。在其他實施例中，顯示器拼接塊750可包括少於四個邊緣，例如三角形。以非限制性實例說明，基板152可為具有四個邊緣之矩形、正方形或菱形片材，儘管其他形狀及組態意圖落在本發明之範疇內，包括具有一或多個曲線部分或邊緣之基板。
在特定實施例中，基板152可具有小於或等於約3 mm之厚度(上文關於第2圖至第4圖所展示之d1 )，例如在以下各者之範圍內：約0.05 mm至約3 mm、約0.1 mm至約2.5 mm、約0.3 mm至約2 mm、約0.3 mm至約1.5 mm、約0.3 mm至約1 mm、約0.3 mm至約0.7 mm或約0.3 mm至約0.5 mm，包括其間的所有範圍及子範圍。
顯示器拼接塊750之第一表面155包括一陣列之像素元件158，此些像素元件配置成複數個列160之像素元件158及複數個行170之像素元件158。像素元件158之每一列160藉由列電極162連接，並且像素元件158之每一行170藉由行電極172連接。將理解，相交的像素元件之列160及行170包括一些相同像素元件158。因此，不存在像素元件158之兩個單獨集合，而存在含有均連接至單獨列電極及行電極之像素元件158的像素元件158之一個陣列。根據一或多個實施例之顯示器拼接塊750包括電啟動像素元件158之列160的至少一個列驅動器165及電啟動像素元件158之行170的至少一個行驅動器175。列驅動器165及行驅動器175與第一表面155對置地定位。在第12圖所示之實施例中，列驅動器165及行驅動器175位於基板152之第二表面157上。在其他實施例中，列驅動器165及行驅動器175可位於與第一表面155對置地安置的單獨結構上，諸如位於單獨基板(未示出)或其他合適結構上。
如將瞭解，列驅動器165及行驅動器175連接至列電極162及行電極172以啟動像素元件158。設置複數個凹陷側電極764，且每一凹陷側電極164提供第一表面155上之電氣元件與第二表面157上之電氣元件之間的導電性。特別地，凹陷側電極764提供各個列電極162與對應列驅動器165之間的導電性(或可連接至列驅動器或其他電路之電觸點)；並且凹陷側電極774提供各個行電極172與對應行驅動器175之間的導電性(或可連接至行驅動器或其他電路之電觸點)。在所示之實施例中，每一列驅動器165展示為連接三列160之像素元件158，並且每一行驅動器175展示為連接四行170之像素元件158。將理解，此配置僅用於說明目的，且本發明不限於列驅動器、行驅動器之任何特定數目，或分別由列驅動器及行驅動器驅動之列電極或行電極的數目。舉例而言，基於特定之顯示器設計及佈局，電極連接器可僅存在於一個或多個邊緣表面154上。此外，本發明不限於像素元件158之任何特定數目，或基板152之第一表面155上的像素元件158之配置。
轉至第13圖至第18圖，展示了各種顯示器拼接塊之俯視圖，此些顯示器拼接塊具有跨顯示器拼接塊之不同微溝槽形狀。儘管第13圖至第18圖所示之全部微溝槽為實質上對稱的，但在使用微溝槽以為凹陷側電極提供位置的情況下，此對稱性並非必需的。在一些情況下，顯示器拼接塊包括在形狀上不同於同一顯示器拼接塊上之其他微溝槽的一個微溝槽。具有不同形狀之微溝槽可用作例如用於對準關於顯示器拼接塊實行之一或多個製程或操作的對齊標記。特別地，第13圖展示包括圓邊微溝槽776之顯示器拼接塊790。在此情況下，圓邊微溝槽為圓形的，類似於上文關於第12圖所示之微溝槽。第14圖展示包括多個圓邊微溝槽776及一不同形狀之微溝槽777之顯示器拼接塊791，微溝槽777包括自另外圓形微溝槽的背面延伸之指狀延伸部783。微溝槽777可用作為對齊標記。第15圖展示包括多個圓邊微溝槽776及一不同形狀之微溝槽778之顯示器拼接塊792，微溝槽778包括延伸至圓形區域784之直邊。微溝槽778可用作為對齊標記。第16圖展示包括直邊微溝槽780之顯示器拼接塊795。第17圖展示包括多個直邊微溝槽780及一不同形狀之微溝槽781之顯示器拼接塊796，微溝槽781包括自另外圓形微溝槽的背面延伸之指狀延伸部785。微溝槽781可用作為對齊標記。第18圖展示包括多個直邊微溝槽780及一不同形狀之微溝槽782之顯示器拼接塊797，其中直邊形成梯形形狀而非直邊微溝槽780之矩形形狀。微溝槽782可用作為對齊標記。基於本文中所提供之揭示內容，一般熟習此項技術者將認識到關於不同實施例可使用的多種微溝槽形狀及/或形狀之組合。
轉至第19圖，流程圖800展示根據一些實施例的用於形成包括微溝槽之顯示器拼接塊的方法。跟隨流程圖800，提供一玻璃面板(區塊805)。如本文中所使用，術語「提供」以其最廣意義使用，意味著產生擁有玻璃面板之任何動作。恰如許多實例中之一些實例，提供一玻璃面板之步驟可包括但不限於以下步驟：製造玻璃面板、自第三方接收玻璃面板、自受同一方控制之不同實體接收玻璃面板或僅處置玻璃面板。此外，片語「玻璃面板」可為由玻璃基材料製成之任何面板，玻璃基材料包括但不限於鋁矽酸鹽、鹼金屬鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鹼金屬硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鹼金屬鋁硼矽酸鹽、鈉鈣玻璃，或適合顯示器之其他玻璃。適合用作玻璃基板之可購得玻璃之非限制性實例包括例如來自康寧公司之EAGLE XG®、LotusTM及Willow®玻璃。如上文所建議，玻璃面板可為可作為製造顯示器拼接塊之部分而處理成玻璃基基板之任何玻璃面板。
將玻璃面板單一化以產生多個顯示器拼接塊(區塊810)。此單一化可例如藉由能夠將玻璃面板切割成一或多個塊的基於雷射之切割工具來進行。可關於不同實施例使用用於單一化之其他方法，包括但不限於擦蝕且接合玻璃面板以產生多個顯示器拼接塊。在特定實施例中，此單一化為使用Corning Laser TechnologyTM (CLT)雷射切割工具進行以自玻璃面板切割個別顯示器拼接塊。基於本文中所提供之揭示內容，一般熟習此項技術者將認識到關於不同實施例可使用以均將玻璃面板單一化成個別顯示器拼接塊的其他製程。
修改顯示器拼接塊的外部邊緣之多個部分以包括延伸至顯示面板之邊緣中的微溝槽(區塊815)。可關於不同實施例使用用於在顯示器拼接塊之邊緣中形成微溝槽之各種方法。
在一些實施例中，將區塊810及815之製程組合成單一的直接雷射切割，此直接雷射切割不僅將顯示器拼接塊與玻璃面板或母基板分離，而且在顯示器拼接塊之邊緣中形成微溝槽。在一些實施例中，此直接雷射切割是使用具有在紫外線(ultraviolet; UV)或紅外線(infrared; IR)範圍內之波長的皮秒或飛秒固態雷射進行，此皮秒或飛秒固態雷射按界定包括所要微溝槽之給定顯示器拼接塊的外部周邊之圖案沿著玻璃面板移動。在第20圖中展示了此方法之一實例，其中使用前述之固態雷射勾勒玻璃面板920之部分901(展示為虛線)，以界定包括基板952及延伸至外部周邊905中之許多微溝槽766、776之顯示器拼接塊的外部周邊905。一旦外部周邊905及微溝槽766、776經界定，即施加具有驟冷製程或液氮施加之CO2 雷射，以沿著顯示器拼接塊950之界定邊緣產生拉伸應力或熱衝擊。拉伸應力或熱衝擊導致顯示器拼接塊自玻璃面板或母基板分離。此方法產生具有上部表面955之顯示器拼接塊950，如第23圖所示。
如第23圖至第24圖所示，顯示器拼接塊950包括具有內壁907之微溝槽766、776。微溝槽766、776之開口展現在外部周邊905處之寬度(wt )、自外部周邊905起的深度(dt )及沿著外部周邊905的與鄰近微溝槽766、776的間隔(Ws )。在一些實施例中，dt 小於二百五十(250)微米。在各種實施例中，dt 小於兩百(200)微米。在各種實施例中，dt 小於一百五十(150)微米。在一些實施例中，dt 小於一百(100)微米。在特定實施例中，dt 小於五十(50)微米。在一些實施例中，dt 小於五十(50)微米。在各種實施例中，dt 小於十(10)微米。在微溝槽766、776用於容納凹陷側電極的情況下，選擇Wt 以具有足以適應線寬度及/或列電極162及行電極172之設計規則的值。在特定實施例中，Wt 小於一百(100)微米。在一些實施例中，Ws 小於二百五十(250)微米。在各種實施例中，Ws 小於兩百(200)微米。在各種實施例中，Ws 小於一百五十(150)微米。在一些實施例中，Ws 小於一百(100)微米。在特定實施例中，Ws 小於五十(50)微米。在一些實施例中，Ws小於五十(50)微米。在各種實施例中，Ws小於十(10)微米。再次，儘管微溝槽766、776展示為大小及形狀近似相同之圓形微溝槽，但其他實施例可包括具有不同大小及形狀之微溝槽。顯示器拼接塊950之部分910詳細地展示於第24圖中，在此圖中，顯示器拼接塊950之基板952展示上文所論述之厚度d1 。
替代地，在需要顯示器拼接塊之邊緣的情況下，Corning Laser TechnologyTM (CLT)雷射切割工具可用於在玻璃面板中切割正弦圖案。雷射切割工具將個別顯示器拼接塊與玻璃面板分離。延伸至顯示器拼接塊中的正弦圖案之部分為微溝槽，並且正弦或半正弦圖案之最大值界定顯示器拼接塊的外部周邊。此方法產生類似於關於第23圖所描述之顯示器拼接塊950的顯示器拼接塊。基於本文中所提供之揭示內容，一般熟習此項技術者將認識到關於不同實施例可使用以用於將玻璃面板單一化成個別顯示器拼接塊且在顯示器拼接塊之邊緣中形成微溝槽的其他直接切割技術。
其他實施例在液體/基板界面或固體/基板界面中使用雷射誘發之蝕刻以在先前經單一化的顯示器拼接塊之邊緣中切割微溝槽。此製程是關於第21圖描述，第21圖展示基板952，此基板緊靠雷射吸收材料997置放，從而在基板952與雷射吸收材料997之間產生異質界面998。在雷射吸收材料997為液體之情況下，異質界面998為液體/基板界面。此液體雷射吸收材料可包括但不限於有機溶液，如在丙酮或甲苯中之芘(即，KrF或ArF雷射)，或如NiSO4 或CuSO4 之無機溶液。此吸收材料可例如與固態雷射(例如，Nd:YAG雷射)一起使用。替代地，在雷射吸收材料997為固體之情況下，異質界面998為固體/基板界面。此固體雷射吸收材料可包括但不限於能夠吸收已知波長之照射雷射能的Ag或Sn。
雷射916對著基板952引導已知波長之雷射光束999，使得此雷射穿過基板952到達異質界面998。雷射吸收材料997吸收已知波長的雷射能量，從而導致在異質界面998處產生蒸汽或熱。由於此熱經由基板952轉移，因此體積996之基板952蒸發或昇華，從而產生切口。如第22圖所示，當雷射916沿著對應於微溝槽之所要形狀及大小之圖案移動時，體積996沿著此圖案增大且在沿著周邊905之另一位置處顯露。體積996之變化界定微溝槽的大小及形狀且使得有可能自基板952分離填充微溝槽之材料。使用前述製程形成之微溝槽之表面為粗糙的。此粗糙有助於稍後在微溝槽中形成導電材料。再次參考第23圖至第24圖，在沿著體積996自基板952分離填充微溝槽之材料以實現沿著基板952之周邊的許多切口之後，剩下包括具有內壁907之微溝槽766、776的顯示器拼接塊950。
另外其他實施例使用選擇性材料移除製程之組合以在顯示器拼接塊之邊緣處形成微溝槽。在一些此等實施例中，顯示器拼接塊基板經標記，使得將有微溝槽形成之區域經由遮罩保持暴露。第25圖展示在形成微溝槽之前的顯示器拼接塊950之部分910。特別地，遮蔽材料956形成於基板952上方，對應於需要微溝槽之位置的位置957除外。遮蔽材料956可為但不限於藉由旋轉塗佈或噴塗施加之濕式光阻材料。遮蔽材料956可為但不限於藉由層壓塗覆之乾式光阻材料。基於本文中所提供之揭示內容，一般熟習此項技術者將認識到，關於不同實施例可使用的多種遮蔽材料及/或塗覆製程。
接著使用機械蝕刻、濕式化學蝕刻及/或乾式化學蝕刻執行材料自基板952的移除。在一些實施例中，如此項技術中已知的，藉由衝擊來自高壓系統的高速度下之沙粒子(例如，SiO2 或Al2 O3 )來使用包括噴砂位置957之機械蝕刻。在使用噴砂法之一些情況下，完成微溝槽之最小開口(即，Wt)小於一百(100)微米。基於本文中所提供之揭示內容，一般熟習此項技術者將認識到關於不同實施例可使用的機械蝕刻之類型及/或機械蝕刻之組成。此機械蝕刻開出第25圖上所示之微溝槽958。
在其他實施例中，濕式化學蝕刻用於在位置957處開出微溝槽。濕式化學蝕刻包括將基板952浸沒至例如具有氟化銨(NH4 F)之稀釋HF或緩衝HF中。此等化學品對基板952之材料展現實質上大於遮蔽材料956之蝕刻速率的蝕刻速率。稀釋HF可與曝露氣體反應以形成副產物四氟化矽。替代地，緩衝HF可產生副產物氟矽酸銨。在任一情況下，可使用去離子水自基板952及遮蔽材料956之暴露區域沖洗副產物。各向同性濕式蝕刻產生類似於微溝槽958之圓形微溝槽。所得微溝槽之深度(即，與基板952之周邊邊緣的距離)可藉由基板952保持浸沒在化學品中的時間或化學品的濃度中之任一者或兩者控制。具有垂直側壁的相對深之微溝槽之形成可藉由在塗覆遮蔽材料956之前在基板952上引入濺鍍的Cr/Au、Cr/Cu或CrON來增強。在擔心基板952之邊緣處之機械強度的情況下，可需要此濕式化學蝕刻，此是因為濕式化學蝕刻可用於減少或移除由自玻璃面板之顯示器拼接塊單一化之早期製程產生的裂痕。用於固化由單一化產生之裂痕的濕式蝕刻可在遮蔽邊緣以界定位置957之前應用於例如顯示器拼接塊之邊緣。
在另外其他實施例中，乾式化學蝕刻用於在位置957處開出微溝槽。乾式化學蝕刻可例如在需要直邊微溝槽的情況下使用。乾式化學蝕刻包括使位置957曝露於試劑，此些試劑諸如例如SF6 與O2 之氣體混合物，或與Ar混合之氟碳基氣體(例如，C2 F6 、CHF3 、C4 F6 、C4 F8 )。如此項技術中已知的，蝕刻速率藉由施加之電流、偏壓功率、氣體混合物之流動速率及氣體比控制。在需要高縱橫比壁及/或正方形形狀之微溝槽的情況下，此化學乾式蝕刻特別有用。在一些情況下，展現小於十(10)微米之寬度(Wt)的微溝槽藉由乾式化學製程形成。
前述的機械蝕刻、濕式化學蝕刻及/或乾式化學蝕刻可藉由堆疊許多基板，使得此些基板之邊緣全部同時經受蝕刻而對此些基板並行地執行。舉例而言，在機械蝕刻之情況下，可堆疊基板，使得多個基板之邊緣堆疊在一起，使得跨基板之位置957形成可同時經受機械蝕刻製程的線。與前述蝕刻中之任一者組合，雷射剝離或定型的雷射切割製程、諸如機械研磨或雷射處理之製程可用於對基板之邊角進行去角或倒角。在一些實施例中，前述蝕刻製程可經擴展或修改以至少底切微溝槽之內壁的邊緣，或使得微溝槽之至少一個壁是實質上垂直的。此底切及/或垂直性在微溝槽中之導電電極的形成期間在鉤住或收集諸如導電墨水或焊料膏之材料時可能有用。
此外，如上文所建議，在微溝槽將用於凹陷側電極的情況下，不需要將用於形成此等微溝槽的前述製程中之任一者控制至此些製程遍及所有微溝槽產生相同尺寸及形狀之程度。實際上，在一些實施例中，所有微溝槽相對於彼此可以是唯一的，此歸因於大小、形狀及/或對稱性之相異性。
轉至第27圖，流程圖801展示根據一些實施例的用於形成凹陷側電極之方法。跟隨流程圖801，堆疊許多顯示器拼接塊，使得顯示器拼接塊中之每一者之邊緣暴露，並且邊緣中之每一者實質上處在同一個二維平面中，使得顯示器拼接塊之邊緣一起形成頂部邊緣表面(區塊801)。包括於堆疊中的顯示器拼接塊之數目可小至兩個至多於幾千個。此等堆疊式顯示器拼接塊之一實例展示於第28圖中，其中四個(4)顯示器拼接塊950組合在堆疊912中，使得顯示器拼接塊950中之每一者之一個邊緣的外部周邊905組合，以形成堆疊912之頂部邊緣表面914。微溝槽776之壁907充分地對準以允許經由微通道908之流體移動，微通道908在頂部邊緣表面914下方延伸且穿過充分對準之微溝槽776。儘管堆疊912展示為包括四個顯示器拼接塊950，但可堆疊少於四個或多於四個的顯示器拼接塊以形成更大或更小之堆疊。
再次參考第27圖，將焊料膏塗覆至頂部邊緣表面(區塊811)。可關於實施例使用任何類型的包括導電材料之焊料膏。在一些實施例中，焊料膏為銀(Ag)焊料膏。在其他實施例中，焊料膏為錫銀(Sn及Ag)焊料膏。在其他實施例中，焊料膏為銅(Cu)焊料膏。在另外其他實施例中，焊料膏為錫銅(Sn及Cu)焊料膏。基於本文中所提供之揭示內容，一般熟習此項技術者將瞭解關於不同實施例可使用的多種焊料膏。多種方法可用於塗覆焊料膏。在一些實施例中，使用滾筒塗佈來塗覆焊料膏。在此等實施例中，遮蔽可應用於邊緣的外部周邊區域(例如，第28圖中所示的外部周邊905)以避免焊料在微溝槽外部形成。當執行用焊料膏滾筒塗佈顯示器拼接塊之堆疊的頂部邊緣表面時，壓力施加至滾筒或刮刀以將焊料膏壓至微溝槽中。此塗覆可在真空中執行以利於對實質上不含氣穴之微溝槽的填充。
在其他實施例中，將焊料膏網版印刷至跨顯示器拼接塊之堆疊之頂部邊緣表面定位的微溝槽中。關於網版印刷製程，不需要遮罩以避免在微溝槽外部形成焊料。此塗覆可在真空中執行以利於對實質上不含氣穴之微溝槽的填充。基於本文中所提供之揭示內容，一般熟習此項技術者將認識到根據不同實施例可使用以將焊料膏塗覆至顯示器拼接塊之堆疊的其他製程，此些製程包括但不限於焊料膏印刷、焊料膏分配及焊料膏刮塗。參考第29圖，展示了焊料膏913，此焊料膏覆蓋頂部邊緣表面914且至少部分地填充微通道908。
再次參考第27圖，使包括焊料膏913之堆疊912曝露於來自能量源之UV或熱能，從而使焊料膏液化(區塊816)。施加能量至焊料膏可導致焊料膏中之導電材料的分離及微溝槽中之導電材料的組合。焊料膏內之溶劑及黏結劑分離且上升，因此可被抹去且廢棄。在冷卻後，組合之導電材料(例如，Sn、Ag及/或Cu)形成靜態機械接合。
當焊料膏仍處於其液體形式時，可在一或多個方向上傾斜顯示器拼接塊之堆疊，使得重力導致液體導電材料在微通道內流動(區塊821)。此製程為唯一選項且不可在所有焊料膏實施中執行。此流動可用於提高微溝槽中之每一者內的導電材料分佈之均勻性。第30圖展示在導電材料917在微通道908內流動之後的堆疊912。返回第27圖，冷卻顯示器拼接塊之堆疊，隨後將此堆疊分成個別顯示器拼接塊(區塊826)。此產生在微溝槽中之每一者內包括導電材料的個別顯示器拼接塊。此導電材料可用作凹陷側電極。在處理期間，要小心點以確保導電材料不會超出微溝槽之界限形成，以避免形成於微溝槽中之鄰近凹陷側電極之間的電短路。
在一些實施例中，可使用第27圖之方法的修改，其中首先遮蔽顯示器拼接塊上的在微溝槽外部之區域，從而使微溝槽暴露，繼而將例如鈦/銅之潤濕層濺鍍至微溝槽中。形成在各個顯示器拼接塊中之每一者之間具有間隔物的顯示器拼接塊之堆疊。含有例如錫(Sn)及少量銅(Cu)及/或銀(Ag)之熔融焊料膏在攝氏二百五十(250)度與攝氏三百(300)度之間的溫度下受熱回流。歸因於實體壁限制及表面張力限制，熔融焊料膏自然地流至微溝槽中。在一些情況下，可傾斜顯示器拼接塊之堆疊，使得重力增強熔融焊料膏之流動。
轉至第31圖，流程圖802展示根據另外其他實施例的用於形成凹陷側電極之另一方法。跟隨流程圖802，堆疊許多顯示器拼接塊，使得此些顯示器拼接塊中之每一者之邊緣暴露，並且此些邊緣中之每一者實質上處在同一個二維平面中，使得顯示器拼接塊之邊緣一起形成頂部邊緣表面(區塊807)。包括於堆疊中的顯示器拼接塊之數目可小至兩個至多於幾千個。如上文所論述，第28圖展示四個(4)顯示器拼接塊950之示例堆疊912，此些顯示器拼接塊經堆疊，使得顯示器拼接塊950中之每一者的外部周邊905實質上對準，顯示器拼接塊950中之每一者之一個邊緣的外部周邊905經組合以形成堆疊912之頂部邊緣表面914。微溝槽776之壁907充分對準以允許經由微通道908之流體移動，此些微通道在頂部邊緣表面914下方延伸且穿過充分對準之微溝槽776。
再次參考第31圖，用一奈米粒子溶液或懸浮液填充沿著該堆疊之該頂部邊緣表面的該等微溝槽，且因此填充該等微通道中之每一者(區塊812)。奈米粒子溶液或懸浮液可為此項技術中已知的含有奈米粒子溶液或懸浮液之任何導電材料。在一些實施例中，使用含有氧化銅(CuO)之奈米粒子溶液。在其他實施例中，使用含有氧化銀(AgO)之奈米粒子溶液。第32圖展示由奈米粒子溶液或懸浮液917填充的沿著堆疊912之頂部邊緣表面914的微溝槽776中之每一者(且因此微通道908中之每一者)。轉至第31圖，允許在低於攝氏一百五十(150)度之溫度下乾燥奈米粒子溶液或懸浮液(區塊817)。乾燥導致導電奈米粒子(例如，CuO或AgO)自奈米粒子溶液或懸浮液沉積在微溝槽內。為了提供奈米粒子溶液或懸浮液與微溝槽之壁之間的潤濕，可使用利用UV-臭氧或O2 電漿的對微溝槽之壁之預處理。
朝向微溝槽內的沉積之導電奈米粒子引導雷射輻射，從而導致還原成金屬粒子(例如，Cu或Ag)及此些金屬粒子聚結成跨各個微通道之一連續導電層(區塊822)。可使用去離子(DI)水洗去未被照射之奈米粒子。第33圖展示沿著堆疊912之頂部邊緣表面914跨微溝槽776延伸(且因此在微通道908中之每一者中)的連續導電層918。轉至第31圖，冷卻顯示器拼接塊之堆疊，隨後將堆疊分離成個別顯示器拼接塊(區塊827)。此產生在微溝槽中之每一者內包括導電材料的個別顯示器拼接塊。此導電材料可用作凹陷側電極。
轉至第34圖，流程圖803展示根據另外其他實施例的用於形成凹陷側電極之另一方法。跟隨流程圖803，堆疊許多顯示器拼接塊，使得此些顯示器拼接塊中之每一者之邊緣暴露，並且此些邊緣中之每一者實質上處在同一個二維平面中，使得顯示器拼接塊之邊緣一起形成頂部邊緣表面(區塊808)。包括於堆疊中的顯示器拼接塊之數目可小至兩個至多於幾千個。如上文所論述，第28圖展示四個(4)顯示器拼接塊950之示例堆疊912，此些顯示器拼接塊經堆疊，使得顯示器拼接塊950中之每一者的外部周邊905實質上對準，顯示器拼接塊950中之每一者之一個邊緣的外部周邊905經組合以形成堆疊912之頂部邊緣表面914。微溝槽776之壁907充分對準以允許經由微通道908之流體移動，此些微通道在頂部邊緣表面914下方延伸且穿過充分對準之微溝槽776。
轉至第34圖，將導電材料之種子層選擇性地沉積至跨堆疊之頂部邊緣表面的許多微溝槽中之每一者中(區塊813)。沉積可例如藉由將種子材料濺鍍至微溝槽中之每一者的壁上來進行。種子層包括可用於控制利用選定導電材料之電鍍的任何種子材料。在一些實施例中，種子材料可為例如鈦/銅。基於本文中所提供之揭示內容，一般熟習此項技術者將認識到關於不同實施例可使用的多種種子材料及/或用於沉積種子材料之方法。可形成在各個顯示器拼接塊中之每一者之間具有間隔物的顯示器拼接塊之堆疊。
接著使顯示器拼接塊之堆疊經受電鍍製程，此電鍍製程在先前沉積於微溝槽中之每一者之壁上的種子材料上生長導電材料層(區塊818)。如此項技術中已知的，此電鍍可為基於電極之電鍍或非電極電鍍。第35圖展示沿著堆疊912之頂部邊緣表面914跨微溝槽776延伸(且因此在微通道908中之每一者中)的導電層919。轉至第34圖，將顯示器拼接塊之堆疊分成個別顯示器拼接塊(區塊823)。此產生在微溝槽中之每一者內包括導電材料的個別顯示器拼接塊。此導電材料可用作凹陷側電極。
轉至第36圖，是先前描述之第24圖的側視透視圖，經擴增以展示在側電極981形成於微溝槽776內及絕緣層(即，鈍化層) 983形成於側電極981上方之後的部分910。絕緣層981自外部周邊905延伸一距離di 。在一些情況下，di 實質上小於例如上文關於第7圖所論述之d2 。基於本文中所提供之揭示內容，一般熟習此項技術者將認識到用於在基板或基板側面上方形成絕緣物之多種方式。
總之，用於邊緣電極之各種新穎的系統、裝置、方法及配置。儘管在上文已給出一或多個實施例之詳細描述，但在不偏離本發明之精神的情況下，熟習此項技術者將瞭解各種替代例、修改及等效物。因此，以上描述不應視為限制本發明之範疇，本發明之範疇由隨附申請專利範圍界定。
501:先前技術顯示器拼接塊 52:第一基板 55:第一表面 56:外部周邊 58:像素元件 60:列 62:列電極 65:列驅動器 70:行 72:行電極 75:行驅動器 150:顯示器拼接塊 152:基板 154:邊緣表面 155:第一表面 156:外部周邊 157:第二表面 158:像素元件 160:列 162:列電極 164:列電極連接器 165:列驅動器 170:行 172:行電極 174:行電極連接器 175:行驅動器 250:顯示器拼接塊 250a,250b:顯示器拼接塊 252:基板 255:上部表面 296:頂部/底部電極 300:可撓性黏合側電極/撓性電路 302:可撓性聚合物膜 304:導體 306:黏著劑 400:顯示器 750:顯示器拼接塊 764:凹陷側電極 766:微溝槽 774:凹陷側電極 776:圓邊微溝槽 777:微溝槽 778:微溝槽 780:直邊微溝槽 781:微溝槽 782:微溝槽 783:指狀延伸部 784:圓形區域 785:指狀延伸部 790~797:顯示器拼接塊 800:流程圖 805,810,815:區塊 801:流程圖 806~826:區塊 802:流程圖 807~827:區塊 803:流程圖 808~823:區塊 901:部分 905:外部周邊 907:內壁 908:微通道 910:部分 912:堆疊 913:焊料膏 914:頂部邊緣表面 916:雷射 917:導電材料/奈米粒子溶液或懸浮液 918:連續導電層 919:導電層 920:玻璃面板 950:顯示磚塊 952:基板 955:上部表面 956:遮蔽材料 957:位置 958:微溝槽 981:側電極 983:絕緣層 996:體積 997:雷射吸收材料 998:異質界面 999:雷射光束 Da:間隔 d1:厚度 d2:距離 d3:距離 di:距離 dt:深度 S:間距 W:寬度 Wc:寬度 Ws:間隔 Wt:寬度
對本發明之各種實施例的進一步理解可藉由參考在說明書之剩餘部分中加以描述之圖式來實現。在此些圖式中，貫穿幾個圖式使用相同的元件符號以指代類似組件。在一些例子中，由小寫字母構成之子標籤與元件符號相關聯以指示多個類似組件中的一個。當提及元件符號而未規定現有子標籤時，其意圖指代所有此等多個類似組件。
第1圖為先前技術顯示器之示意性俯視透視圖；
第2圖為顯示器拼接塊之示意性俯視透視圖，顯示器拼接塊包括在顯示器拼接塊之一個表面上的像素元件，像素元件使用側電極連接至在顯示器拼接塊之對置表面上的一或多個行/列驅動器電路；
第3圖為第2圖之顯示器拼接塊的側視透視圖；
第4圖為第2圖之顯示器拼接塊的示意性仰視透視圖；
第5圖為關於一些實施例可使用的可撓性黏合側電極之端視圖；
第6圖為第5圖之可撓性黏合側電極的俯視平面圖；
第7圖為顯示器拼接塊之直邊的側視圖，顯示器拼接塊包括附接至直邊的由第5圖之可撓性黏合側電極電路形成之側電極；
第8圖為第7圖之顯示器拼接塊的俯視平面圖；
第9圖為顯示器拼接塊之圓邊的側視圖，顯示器拼接塊包括由第5圖之可撓性黏合側電極電路形成之側電極；
第10圖為第7圖之顯示器拼接塊的俯視平面圖；
第11圖為包括許多顯示器拼接塊之顯示器的俯視透視圖，此些顯示器拼接塊彼此隔開足夠距離以在各自展現直線末端或彎曲末端之各個顯示器拼接塊上容納側電極；
第12圖為根據一些實施例的顯示器拼接塊之示意性俯視透視圖，顯示器拼接塊包括在顯示器拼接塊之一個表面上的像素元件，像素元件使用凹陷側電極連接至顯示器拼接塊之對置表面上的一或多個行/列驅動器電路；
第13圖至第18圖為根據各種實施例的顯示器拼接塊部分之俯視圖，展示了每一微溝槽能夠保持凹陷側電極的各種微溝槽組態；
第19圖為展示根據一些實施例的用於形成包括微溝槽之顯示器或顯示器拼接塊之方法的流程圖；
第20圖展示根據一些實施例的玻璃面板之俯視圖，顯示器拼接塊自此玻璃面板切割；
第21圖至第22圖展示關於一些實施例所使用之雷射切割製程之側視圖；
第23圖為根據各種實施例的包括微溝槽之顯示器拼接塊的俯視圖；
第24圖為第23圖之顯示器拼接塊的一部分的側視透視圖；
第25圖為第24圖之顯示器拼接塊之一部分的側視透視圖，此部分被使微溝槽區域暴露之遮蔽層覆蓋；
第26圖為在微溝槽在經由遮蔽層暴露之區域中形成之後的第25圖之顯示器拼接塊之一部分的側視透視圖；
第27圖為展示根據一些實施例的用於形成凹陷側電極之方法的流程圖；
第28圖為一個接一個堆疊之許多顯示器拼接塊的側視透視圖，其中根據一些實施例，顯示器拼接塊中之每一者的至少一個側面與此側面上之至少一個微溝槽稍微對準；
第29圖展示根據一些實施例之第29圖之堆疊式顯示器拼接塊，其中頂部邊緣表面被焊料膏覆蓋；
第30圖展示根據一些實施例之在焊料膏固化且流動，使得每一微溝槽包括凹陷側電極之後的第29圖之堆疊式顯示器拼接塊；
第31圖為展示根據其他實施例的用於形成凹陷側電極之另一方法的流程圖；
第32圖展示根據各種實施例之第29圖之堆疊式顯示器拼接塊，其中對準之微溝槽由奈米粒子溶液或懸浮液填充；
第33圖展示根據各種實施例之在奈米粒子溶液或懸浮液之還原及聚結之後的第29圖之堆疊式顯示器拼接塊；
第34圖為展示根據其他實施例的用於形成凹陷側電極之另一方法的流程圖；
第35圖展示根據一些實施例之在對微溝槽之內壁進行電鍍之後的第29圖之堆疊式顯示器拼接塊；以及
第36圖為第24圖之側視透視圖，其經擴增以展示在側電極形成於微溝槽內及絕緣體層形成於側電極上方之後的第23圖之顯示器拼接塊之部分。
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150:顯示器拼接塊
152:基板
154:邊緣表面
155:第一表面
156:外部周邊
158:像素元件
160:列
162:列電極
164:列電極連接器
165:列驅動器
170:行
172:行電極
174:行電極連接器
175:行驅動器

Claims (41)

  1. 一種顯示器拼接塊，該顯示器拼接塊包含： 一基板，包括：一第一表面及一第二表面；一第一側面，沿著該基板之一外部周邊的一第一部分在該第一表面與該第二表面之間延伸；一第二側面，沿著該基板之該外部周邊的一第二部分在該第一表面與該第二表面之間延伸；一第一凹陷區域，具有沿著該外部周邊之該第一部分的一開口；及一第二凹陷區域，具有沿著該外部周邊之該第二部分的一開口；一第一側電極，安置於該第一凹陷區域內，其中該第一側電極不延伸超出該外部周邊之該第一部分；以及一第二側電極，安置於該第二凹陷區域內，其中該第二側電極不延伸超出該外部周邊之該第二部分。
  2. 如請求項1所述之顯示器拼接塊，該顯示器拼接塊進一步包含： 一電路，安置於該第二表面上或附近；一電氣元件，安置於該第一表面上或附近；一第一導體，越過該第一表面自該電氣元件延伸至該第一側電極之一第一末端；以及一第二導體，越過該第二表面自該電路延伸至該第一側電極之一第二末端。
  3. 如請求項2所述之顯示器拼接塊，其中該電路為一列驅動器，並且其中該電氣元件為一像素元件。
  4. 如請求項3所述之顯示器拼接塊，其中該像素元件為一第一像素元件，該顯示器拼接塊進一步包含： 一第二像素元件，安置於該第一表面上或附近；以及一第三導體，將該第一像素元件電耦接至該第二像素元件。
  5. 如請求項3所述之顯示器拼接塊，其中該像素元件選自由一LED、一微型LED、一LCD顯示元件及一OLED顯示元件組成之一群組。
  6. 如請求項3所述之顯示器拼接塊，該顯示器拼接塊進一步包含： 一行驅動器，安置於該第二表面上或附近；一第三導體，越過該第一表面自該像素元件延伸至該第二側電極之一第一末端；以及一第四導體，越過該第二表面自該行驅動器延伸至該第二側電極之一第二末端。
  7. 如請求項1所述之顯示器拼接塊，其中該第一凹陷區域為一第一溝槽，並且該第二凹陷區域為一第二溝槽。
  8. 如請求項7所述之顯示器拼接塊，其中該第一溝槽選自由一圓邊溝槽、一直邊溝槽及包括一圓邊及一直邊兩者的一組合溝槽組成之一群組。
  9. 如請求項1所述之顯示器拼接塊，其中該第一凹陷區域展現一第一形狀且該第二凹陷區域展現一第二形狀，其中該第一形狀不同於該第二形狀，並且其中該第一形狀用作一對齊標記。
  10. 如請求項1所述之顯示器拼接塊，其中該基板為一玻璃基基板。
  11. 如請求項1所述之顯示器拼接塊，其中量測為沿著垂直於該第一表面之一線且在該第一表面與該第二表面之間延伸的一距離的該第一側面及該第二側面之一厚度小於或等於三(3)毫米。
  12. 如請求項1所述之顯示器拼接塊，其中量測為沿著垂直於該第一側面之一線且平行於該第一表面的一距離的該第一凹陷區域之一深度小於二百五十(250)微米。
  13. 如請求項1所述之顯示器拼接塊，其中沿著平行於該第一側面及該第一表面之一線量測的該第一凹陷區域之該開口之一寬度小於一百(100)微米。
  14. 如請求項1所述之顯示器拼接塊，該顯示器拼接塊進一步包含： 一第三凹陷區域，具有沿著該外部周邊之該第一部分的一開口，其中該第三凹陷區域與該第一凹陷區域之間的一間隔小於二百五十(250)微米，該間隔是沿著平行於該第一側面及該第一表面兩者之一線自該第一凹陷區域之該開口的一個側面至該第二凹陷區域之該開口的一鄰近側面量測，其中該第一凹陷區域之該開口的該一個側面鄰近於該第二凹陷區域之該開口的該一個側面。
  15. 如請求項1所述之顯示器拼接塊，其中該第一側電極由一導電材料形成。
  16. 如請求項15所述之顯示器拼接塊，其中該導電材料包括選自由以下各者組成之一群組的一金屬：鈦、錫；銀；銅；金；及含有鈦、錫、銀、銅或金中之兩種或更多種的任何金屬合金。
  17. 如請求項1所述之顯示器拼接塊，其中該顯示器拼接塊進一步包含一絕緣體材料，該絕緣體材料形成於該第一側電極及該第二側電極上方。
  18. 一種顯示器，該顯示器包含： 至少一第一顯示器拼接塊及一第二顯示器拼接塊，其中該第一顯示器拼接塊及該第二顯示器拼接塊中之每一者包括：一第一基板，包括：一第一表面及一第二表面；一第一側面，沿著該基板之一外部周邊的一第一部分在該第一表面與該第二表面之間延伸；一第二側面，沿著該基板之該外部周邊的一第二部分在該第一表面與該第二表面之間延伸；一第一凹陷區域，具有沿著該外部周邊之該第一部分的一開口；及一第二凹陷區域，具有沿著該外部周邊之該第二部分的一開口；一第一側電極，安置於該第一凹陷區域內，其中該第一側電極不延伸超出該外部周邊之該第一部分；以及一第二側電極，安置於該第二凹陷區域內，其中該第二側電極不延伸超出該外部周邊之該第二部分。
  19. 如請求項18所述之顯示器，其中該第一顯示器拼接塊及該第二顯示器拼接塊中之每一者進一步包括： 一第一列驅動器，安置於該第二表面上或附近；一像素元件，安置於該第一表面上或附近；一第一導體，越過該第一表面自該像素元件延伸至該第一側電極之一第一末端；一第二導體，越過該第二表面自該列驅動器延伸至該第一側電極之一第二末端；一行驅動器，安置於該第二表面上或附近；一第三導體，越過該第一表面自該像素元件延伸至該第二側電極之一第一末端；以及一第四導體，越過該第二表面自該行驅動器延伸至該第二側電極之一第二末端。
  20. 一種製造一顯示器之方法，該方法包含以下步驟： 堆疊至少一第一顯示器拼接塊及一第二顯示器拼接塊，使得該第一顯示器拼接塊之至少一個側面與該第二顯示器拼接塊之一側面對準，並且該第一顯示器拼接塊之該至少一個側面與該第二顯示器拼接塊之該側面一起形成一頂部邊緣表面，其中該第一顯示器拼接塊之該至少一個側面包括一第一凹陷區域，該第一凹陷區域具有沿著該第一顯示器拼接塊之該至少一個側面的一開口，其中該第二顯示器拼接塊之該側面包括一第二凹陷區域，該第二凹陷區域具有沿著該第二顯示器拼接塊之該側面的一開口，並且其中該第一凹陷區域鄰近該第二凹陷區域；以及在該第一凹陷區域及該第二凹陷區域兩者內形成一導電材料，其中該導電材料不延伸至該頂部邊緣表面上。
  21. 如請求項20所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 解除該第一顯示器拼接塊與該第二顯示器拼接塊的堆疊，其中該導電材料保持在該第一凹陷區域及該第二凹陷區域中之每一者內。
  22. 如請求項20所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 將該第一凹陷區域中之該導電材料電耦接至一驅動器電路，該驅動器電路安置於該第一顯示裝置之一基板的一第一表面上或附近；以及將該第一凹陷區域中之該導電材料電耦接至一像素元件，該像素元件安置於該第一顯示裝置之該基板的一第二表面上或附近，其中該基板之該第一表面與該基板之該第二表面對置。
  23. 如請求項20所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 在一第一基板中形成該第一凹陷區域以產生該第一顯示器拼接塊；以及在一第二基板中形成該第二凹陷區域以產生該第二顯示器拼接塊。
  24. 如請求項23所述之方法，其中該第一基板及該第二基板均為玻璃基基板。
  25. 如請求項23所述之方法，其中在該第一基板中形成該第一凹陷區域及在該第二基板中形成該第二凹陷區域之步驟包含以下步驟： 將該第一凹陷區域雷射切割至該第一基板中；以及將該第二凹陷區域雷射切割至該第二基板中。
  26. 如請求項25所述之方法，其中將該第一凹陷區域雷射切割至該第一基板中之步驟包含以下步驟： 緊靠該第一基板之一第一表面或一第二表面中之一選定表面安置一雷射吸收材料； 朝向該第一基板之該第一表面或該第二表面中之非選定表面引導雷射輻射，使得該雷射輻射穿過該基板到達該基板與該雷射吸收材料之間的一界面，從而導致靠近該界面之區域處的材料自該基板之移除；以及 沿著一路徑移動該雷射輻射，使得該界面沿著一類似路徑移動，並且其中靠近該界面之區域處的材料自該第一基板之移除導致該第一凹陷區域之形成。
  27. 如請求項23所述之方法，其中在該第一基板中形成該第一凹陷區域及在該第二基板中形成該第二凹陷區域之步驟包含以下步驟： 塗覆一遮蔽材料至該堆疊，使得對應於該第一凹陷區域及該第二凹陷區域的一區域保持暴露；以及 蝕刻該堆疊以在靠近保持暴露之該等區域的區域處自該第一基板及該第二基板移除材料。
  28. 如請求項27所述之方法，其中使用選自由濕式化學蝕刻、乾式化學蝕刻及機械蝕刻組成之一群組的一製程來進行蝕刻該堆疊之步驟。
  29. 如請求項20所述之方法，其中該導電材料包括選自由以下各者組成之一群組的一金屬：鈦、錫；銀；銅；金；及含有鈦、錫、銀、銅或金中之兩種或更多種的任何金屬合金。
  30. 如請求項20所述之方法，其中在該第一凹陷區域及該第二凹陷區域兩者內形成該導電材料之步驟包含以下步驟： 用一焊料膏至少部分地填充該第一凹陷區域及該第二凹陷區域； 使該焊料膏固化，從而在該第一凹陷區域及該第二凹陷區域兩者中留下衍生自該焊料膏之一導電材料；以及 解除該第一顯示器拼接塊與該第二顯示器拼接塊的堆疊，其中該導電材料保持在該第一凹陷區域及該第二凹陷區域中之每一者內。
  31. 如請求項20所述之方法，其中在該第一凹陷區域及該第二凹陷區域兩者內形成該導電材料之步驟包含以下步驟： 使該導電材料以一熔融形式流經包含該第一凹陷區域及該第二凹陷區域兩者之一通道； 冷卻該導電材料；以及 解除該第一顯示器拼接塊與該第二顯示器拼接塊的堆疊，其中該導電材料保持在該第一凹陷區域及該第二凹陷區域中之每一者內。
  32. 如請求項20所述之方法，其中在該第一凹陷區域及該第二凹陷區域兩者內形成該導電材料之步驟包含以下步驟： 在該第一凹陷區域及該第二凹陷區域中之每一者內沉積一種子材料； 用該導電材料電鍍該第一凹陷區域及該第二凹陷區域中之每一者內的壁；以及 解除該第一顯示器拼接塊與該第二顯示器拼接塊的堆疊，其中該導電材料保持在該第一凹陷區域及該第二凹陷區域中之每一者內。
  33. 如請求項20所述之方法，其中在該第一凹陷區域及該第二凹陷區域兩者內形成該導電材料之步驟包含以下步驟： 使一液體基奈米粒子材料流至包含該第一凹陷區域及該第二凹陷區域兩者之一通道中； 乾燥該第一凹陷區域及該第二凹陷區域內之該液體基奈米粒子材料，以沿著該第一凹陷區域及該第二凹陷區域之該等壁形成一奈米粒子殘餘物； 施加雷射能量至沿著該第一凹陷區域及該第二凹陷區域之該等壁的該奈米粒子殘餘物，以將該奈米粒子殘餘物還原成聚結成該導電材料之金屬奈米粒子；以及 解除該第一顯示器拼接塊與該第二顯示器拼接塊的堆疊，其中該導電材料保持在該第一凹陷區域及該第二凹陷區域中之每一者內。
  34. 如請求項33所述之方法，其中該奈米粒子殘餘物包括選自由氧化銅(CuO)及氧化銀(AgO)組成之一群組的奈米粒子。
  35. 一種製造一顯示器之方法，該方法包含以下步驟： 在一基板中形成一第一凹陷區域，其中該基板包括：一第一表面及一第二表面；一第一側面，沿著該基板之一外部周邊的一第一部分在該第一表面與該第二表面之間延伸；一第二側面，沿著該基板之該外部周邊的一第二部分在該第一表面與該第二表面之間延伸；該第一凹陷區域之一開口沿著該基板之該外部周邊的該第一部分，其中該第一表面與該第二表面對置；在該基板中形成一第二凹陷區域，其中該第二凹陷區域之一開口沿著該基板之該外部周邊的該第二部分；以及在該第一凹陷區域及該第二凹陷區域中之每一者內形成一導電材料，其中該導電材料不延伸超出該基板之該外部周邊。
  36. 如請求項35所述之方法，其中該基板為一玻璃基基板。
  37. 如請求項35所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 將該第一凹陷區域中之該導電材料電耦接至一第一電路，該第一電路安置於該基板之一第一表面上或附近；將該第二凹陷區域中之該導電材料電耦接至一第二電路，該第二電路安置於該基板之一第一表面上或附近；將該第一凹陷區域中之該導電材料電耦接至一像素元件，該像素元件安置於該基板之一第二表面上或附近；以及將該第二凹陷區域中之該導電材料電耦接至該像素元件。
  38. 如請求項35所述之方法，其中在一基板中形成該第一凹陷區域之步驟包含以下步驟： 將該第一凹陷區域雷射切割至該基板之該第一側面中。
  39. 如請求項38所述之方法，其中將該第一凹陷區域雷射切割至該基板之該第一側面中之步驟包含以下步驟： 緊靠該基板之該第一表面或該第二表面中之一者安置一雷射吸收材料；朝向該基板之該第一表面或該第二表面中的另一者引導雷射輻射，使得該雷射輻射穿過該基板到達該基板與該雷射吸收材料之間的一界面，從而導致靠近該界面之區域處的材料自該基板之移除；以及沿著一路徑移動該雷射輻射，使得該界面沿著一類似路徑移動，並且其中靠近該界面之區域處的材料自該基板之移除導致該第一凹陷區域之形成。
  40. 如請求項35所述之方法，其中在一基板中形成該第一凹陷區域之步驟包含以下步驟： 塗覆一遮蔽材料至該基板，使得對應於該第一凹陷區域之一區域保持暴露；以及蝕刻該基板以在靠近保持暴露之該區域的區域處自該基板移除材料。
  41. 如請求項40所述之方法，其中使用選自由濕式化學蝕刻、乾式化學蝕刻及機械蝕刻組成之一群組的一製程來進行蝕刻該基板之步驟。
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