TW202115164A - 聚烯烴薄膜 - Google Patents

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Abstract

以提供透明性、易滑性(slipperiness)、耐熱性優異之薄膜為課題，以聚烯烴薄膜為宗旨，該聚烯烴薄膜係以DSC測定薄膜，藉由外插點法所求出的結晶化溫度Tc0 為110℃以上，薄膜的面內相位差為400nm以下，130℃10分鐘加熱後的動摩擦係數μd為0.7以下。

Description

聚烯烴薄膜
本發明係關於透明性、易滑性(slipperiness)、耐熱性優異，可適用作為工業材料用薄膜之聚烯烴薄膜。
聚烯烴薄膜由於透明性、機械特性、電特性等優異，故被使用於以包裝用途、脫模用途、膠帶用途、電纜包覆或電容器為首的電用途等之各式各樣的用途。特別地，由於表面的脫模性、機械特性優異，可適用作為塑膠製品或建材或光學構件等各式各樣的構件之脫模用薄膜或工程膜。
作為保護膜或覆蓋膜使用時，有貼合於黏附體，就這樣確認有無黏附體的缺點之情況。此時，若保護膜或覆蓋膜的透明性低，則有確認黏附體的缺點變困難之情況。特別地，作為相位差板的保護膜使用時，不僅透明性，亦要求低相位差特性，近年來其要求水準變得愈來愈高。
一般而言，欲提高透明性時，由於薄膜表面亦成為平滑，故損害易滑性，於製程搬運時變得容易導入皺紋等，有平面性變差之情況。又，欲提高透明性時，使用使聚烯烴樹脂的結晶性降低之手法。然而，若使結晶性降低，則當薄膜暴露於高溫的環境時，薄膜表面的低熔點部分係部分地熔融，動摩擦係數上升，有進一步損害易滑性之情況。如此地，以往係難以兼顧平滑性(smoothness)與易滑性。
根據以上，於滿足要求特性的工業材料用薄膜中，要求兼備透明性、易滑性、耐熱性之薄膜。
作為降低薄膜的面內相位差的薄膜，例如專利文獻1中記載藉由在薄膜的內層中添加低熔點的聚丙烯樹脂而降低相位差之例。又，作為提高易滑性之薄膜，例如專利文獻2中記載藉由提高澆鑄溫度，大量地形成β晶，進行粗面化而易滑化之例。又，專利文獻3中記載藉由使用環狀烯烴系樹脂而降低相位差之薄膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：國際公開第2015/129851號 專利文獻2：日本特開2001-247693號公報 專利文獻3：日本特開2018-126909號公報
[發明欲解決之課題]
然而，於前述專利文獻1記載之方法中，薄膜表面為平滑，易滑性低，尤其高溫加熱後的易滑性低，有平面性不充分之問題。又，於專利文獻2記載之方法中，表面粗糙度高，薄膜的面內相位差不充分。又，於專利文獻3記載之方法中，薄膜本身脆弱，有操作不充分之情況、或成本高之問題。
因此，本發明之課題在於解決上述問題點。即，在於提供透明性、易滑性、耐熱性優異之聚烯烴薄膜。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，達成目的，本發明之聚烯烴薄膜係特徵為：以DSC測定薄膜，藉由外插點法所求出的結晶化溫度Tc0 為110℃以上，薄膜的面內相位差為400nm以下，130℃10分鐘加熱後的動摩擦係數μd為0.7以下。 [發明之效果]
本發明之聚烯烴薄膜由於透明性、耐熱性、易滑性優異，故可廣泛地適用作為工業材料用薄膜。
[用以實施發明的形態]
本發明之聚烯烴薄膜係以DSC測定薄膜，藉由外插點法所求出的結晶化溫度Tc0 為110℃以上，薄膜的面內相位差為400nm以下，130℃10分鐘加熱後的動摩擦係數μd為0.7以下。所謂聚烯烴薄膜，就是指將構成薄膜的全部成分當作100質量%時，包含超過50質量%且為100質量%以下的聚烯烴樹脂之薄膜。又，所謂聚烯烴樹脂，就是指構成樹脂的全部構成單元中所佔有的烯烴單元為比50莫耳%多且為100莫耳%之樹脂。
本發明之聚烯烴薄膜係以DSC測定薄膜，藉由外插點法所求出的結晶化溫度Tc0 為110℃以上，較佳為115℃以上，更佳為118℃以上，尤佳為123℃以上。Tc0 低於110℃時，例如在澆鑄時形成粗大的球晶而面內相位差變大，作為相位差保護膜使用時，有在黏附體的相位差特性之檢査中發生不良狀況之情況。為了使Tc0 成為110℃以上，例如較佳為使聚烯烴薄膜的原料組成成為後述之範圍，尤其添加具有成核劑作用的原料，其中較佳為添加支鏈狀聚丙烯原料。又，將聚烯烴薄膜所用的聚丙烯樹脂之高分子量成分、低分子量成分之量調整至特定範圍亦為有效果的。結晶化溫度Tc0 之上限係沒有特別的限制，但實質上為135℃左右。尚且，DSC係示差掃描熱量計的意思。
於本發明之聚烯烴薄膜中，薄膜的面內相位差為400nm以下，較佳為300nm以下，更佳為200nm以下，尤佳為100nm以下。面內相位差大於400nm時，例如於作為相位差保護膜使用之際，有於與黏附體貼合之狀態下進行相位差特性之檢査時發生不良狀況之情況。為了使面內相位差成為400nm以下，例如使聚烯烴薄膜的原料組成成為後述之範圍，且使製膜條件成為後述之範圍，特別地，藉由使用結晶化溫度高的原料，減小澆鑄時所形成的球晶、將擠出溫度及澆鑄滾筒之溫度低溫化，提高澆鑄時的冷卻、提高縱/橫延伸時的預熱溫度，在低溫下進行延伸，而均勻地延伸係有效果的。面內相位差之下限係沒有特別的限定，但實質上為30nm左右。
於本發明之聚烯烴薄膜中，130℃10分鐘加熱處理後之正交於主配向方向的方向(以下亦有稱為主配向正交方向的情況)的動摩擦係數μd為0.7以下。更佳為0.6以下，尤佳為0.5以下。尚且，本發明中的主配向方向係指在薄膜面內，將任意的方向當作0°時，相對於該任意的方向以每5°在形成0°～175°的角度之各個方向中測定楊氏模數時，表示最高值的方向。尚且，於本發明之聚烯烴薄膜中，將與製膜聚烯烴薄膜的方向呈平行的方向稱為製膜方向、長度方向或MD方向，將在薄膜面內與製膜方向呈正交的方向稱為寬度方向或TD方向。
使用本發明之聚烯烴薄膜作為保護膜時，有通過各式各樣的高溫之步驟的情況。例如作為熱硬化樹脂的脫模薄膜使用時，貼合於熱硬化樹脂後，有在120～150℃左右的溫度範圍中使其熱硬化之情況。又，作為電容器用薄膜使用時，在金屬濺鍍時有施加130～150℃的輻射熱之情況。於將聚烯烴薄膜予以平滑化之際，熟知使聚烯烴薄膜的結晶性降低之手法，但於如此的情況中施加高溫的熱之際，表層的低熔點樹脂部分係熔化而有μd變大之情況。由於130℃10分鐘加熱後的μd為0.7以下，例如作為脫模薄膜或電容器用薄膜使用時，可減輕：因通過高溫的步驟而在搬運輥上導入皺紋、或與黏附體一起捲取時的捲繞偏移等。
為了使130℃10分鐘加熱後的μd成為0.7以下，例如使聚烯烴薄膜的原料組成成為後述之範圍，且使製膜條件成為後述之範圍，特別地，提高縱/橫延伸時的預熱溫度，在低溫下以高倍率延伸，均勻地進行高倍率延伸，又，在如後述之範圍中實施雙軸延伸後的熱處理、鬆弛係有效果的。130℃10分鐘加熱後的μd之下限係沒有特別的限制，但實質上為0.1左右。
本發明之聚烯烴薄膜係130℃下的薄膜主配向正交方向之斷裂延伸度較佳為100%以上。更佳為110%以上，尤佳為120%以上。由於130℃下的斷裂延伸度為100%以上，例如在如上述之施加高溫的熱之搬運步驟中，可減輕聚烯烴薄膜的斷裂。
為了使130℃的斷裂延伸度成為100%以上，例如使薄膜的原料組成成為後述之範圍，特別地，使用結晶化溫度高的原料，且提高縱/橫延伸時的預熱溫度，在低溫下以高倍率延伸，均勻地進行高倍率延伸係有效果的。130℃的斷裂延伸度之上限係沒有特別的限制，但實質上為300%左右。
本發明之聚烯烴薄膜係130℃10分鐘加熱後的內部霧度(以下亦有僅稱為霧度的情況)較佳為1.0%以下。更佳為0.6%以下，尤佳為0.3%以下。由於130℃10分鐘加熱後的霧度為1.0%以下，例如作為保護膜使用時，通過如上述之施加高溫的熱之搬運步驟後亦保持保護膜的透明性，可減輕於與黏附體貼合的狀態下以缺點檢査機檢査時所發生的不良狀況。
一般而言，為了使霧度降低，有使用使聚烯烴樹脂的結晶性降低之手段的情況。因此，有使用立體規則性低的聚烯烴樹脂之情況、或添加熔點低的共聚物之情況。然而，若使用如此的低熔點樹脂，則聚烯烴薄膜中的非晶部分之運動性變高，若施加130℃以上的高溫之熱，則聚烯烴中的抗氧化劑等之添加劑滲出至薄膜表面，有損害透明性的情況。
根據上述的點，為了使130℃加熱後的霧度成為1.0%以下，例如使薄膜的原料組成成為後述之範圍，且使製膜條件成為後述之範圍，特別地，藉由使用結晶化溫度高的原料，減小澆鑄時所形成的球晶、將擠出溫度及澆鑄滾筒之溫度低溫化，提高澆鑄時的冷卻、提高縱/橫延伸時的預熱溫度，在低溫下進行延伸，而均勻地延伸係有效果的。又，使用立體規則性高、冷二甲苯可溶份(以下為CXS)低的原料，提高結晶性，又，在縱、橫延伸後進行熱處理及鬆弛亦為有效果的。130℃10分鐘加熱後的霧度之下限係沒有特別的限制，但實質上為0.05%左右。
本發明之聚烯烴薄膜係薄膜10cm見方內的配向角之不均較佳為3.0°以下。更佳為2.5°以下，尤佳為2.0°以下。由於配向角之不均小於3.0°，例如可減輕於與黏附體貼合的狀態下進行配向角的檢査時所發生的不良狀況。
為了使配向角之不均成為3.0°以下，例如使薄膜的原料組成成為後述之範圍，且使製膜條件成為後述之範圍，尤其使用結晶化溫度高的原料，且提高縱/橫延伸時的預熱溫度，在低溫下以高倍率延伸，均勻地進行高倍率延伸係有效果的。配向角之不均之下限係沒有特別的限制，但實質上為0.1%左右。
本發明之聚烯烴薄膜的厚度係按照用途而適當調整，並沒有特別的限定，但從操作性之觀點來看，較佳為0.5μm以上100μm以下。作為脫模薄膜使用時的厚度之上限更佳為60μm，尤佳為30μm，最佳為16μm。下限更佳為4μm，尤佳為8μm，最佳為11μm。又，作為電容器用薄膜使用時的厚度之上限更佳為15μm，尤佳為8μm，最佳為3μm。下限更佳為0.9μm，尤佳為1.5μm。厚度係在不使其它物性降低之範圍內，可藉由擠壓機的螺桿旋轉數、未延伸薄片的寬度、製膜速度、延伸倍率等進行調整。
接著，說明本發明之聚烯烴薄膜之製造中適合的樹脂等，但構成本發明之聚烯烴薄膜的樹脂等係未必受此所限定。
從透明性、耐熱性之觀點來看，本發明之聚烯烴薄膜較佳為以聚丙烯樹脂為主成分而成。本發明中所謂「主成分」，就是意指特定成分佔全部成分中的比例為50質量%以上100質量%以下，更佳為90質量%以上100質量%以下，尤佳為95質量%以上100質量%以下，尤更佳為96質量%以上100質量%以下，特佳為97質量%以上100質量%以下，最佳為98質量%以上100質量%以下。尚且，本發明之聚烯烴薄膜可包含僅一種的聚丙烯樹脂，但較佳為包含二種以上的聚丙烯樹脂。薄膜中包含二種以上相當於聚丙烯樹脂的成分時，合計此等成分，若比50質量%多且為100質量%以下，則視為「以聚丙烯樹脂為主成分而成」。
所謂聚丙烯樹脂，就是指將構成樹脂的分子鏈之全部構成單元當作100莫耳%時，包含比50莫耳%多且為100莫耳%以下的丙烯單元之聚烯烴樹脂。尚且，關於聚丙烯樹脂，以下亦有稱為「聚丙烯原料」的情況。
本發明之聚烯烴薄膜，關於其層構成，沒有特別的限制，亦可採取單層、積層之任一構成，但從滿足平滑性、易滑性、耐熱性等互相不同特性之觀點來看，較佳為至少具有表層(I)、基層(II)而成。聚烯烴薄膜為單層構成時，較佳為聚烯烴薄膜本身的主成分為聚丙烯樹脂。聚烯烴薄膜為積層構成時，較佳為聚烯烴薄膜本身以聚丙烯樹脂為主成分，再者後述的基層(II)之主成分為聚丙烯樹脂。
本發明之聚烯烴薄膜係將薄膜全體當作100質量%時，薄膜中的環狀烯烴系樹脂之含有率較佳為小於2.0質量%。更佳為小於1.0質量%，尤佳為小於0.5%質量。由於環狀烯烴系樹脂之含有率小於2.0%質量，例如即使摻合互相相溶性低的聚丙烯樹脂與環狀烯烴系樹脂，也可減輕聚烯烴薄膜的透明性降低。又，由於環狀烯烴系樹脂脆弱，藉由環狀烯烴系樹脂之含有率小於2.0%質量，可減輕在張力增強的步驟之斷裂等，亦可抑制操作性之降低。
以下，說明本發明之聚烯烴薄膜中作為主成分之聚丙烯樹脂(亦有稱為聚丙烯原料A的情況)。
聚丙烯原料A的數量平均分子量(Mn)之下限，從將低分子量成分限制在一定以下之量的觀點來看，較佳為7.5萬，更佳為8萬，尤佳為8.5萬。Mn之上限較佳為10萬，更佳為9.4萬。又，Z+1平均分子量(Mz+1)之下限，從使其含有一定以上的高分子量成分之觀點來看，較佳為180萬，更佳為200萬。Mz+1之上限較佳為250萬，更佳為220萬。
從製膜性或薄膜強度之觀點來看，聚丙烯原料A的熔體流動速率(MFR)較佳為1g/10分鐘以上10g/10分鐘以下(230℃、21.18N荷重)之範圍。基於上述觀點，MFR之下限更佳為2g/10分鐘。MFR之上限更佳為8g/10分鐘，尤佳為5g/10分鐘。為了使MFR成為上述之值，可採用控制平均分子量或分子量分布之方法等。更具體而言，較宜採用：調整聚合時的氫氣濃度之方法，或適當進行觸媒及/或輔觸媒之選定、組成之選定，控制聚丙烯原料的分子量或分子量分布之方法等。藉由降低分子量而MFR變高，分子量分布中低分子量成分愈多則MFR愈高。
聚丙烯原料A的熔點較佳為155℃以上，更佳為160℃以上，尤佳為165℃以上。由於熔點為155℃以上，所得之聚烯烴薄膜的耐熱性變高，例如作為脫模薄膜使用時，於與黏附體貼合後即使通過熱的施加步驟，也可抑制因薄膜的軟化所造成之往張力方向的伸長，減輕黏附體之變形。
聚丙烯原料A係聚丙烯原料A中所佔有的冷二甲苯可溶份(CXS)較佳為4質量%以下，且內消旋五元組分率(mesopentad fraction)較佳為0.90以上。由於滿足此等，而減輕製膜安定性、所得之聚烯烴薄膜的強度、尺寸安定性或耐熱性之降低。
此處，所謂CXS，就是指以二甲苯使試料完全溶解後，在室溫下使其析出時，溶解於二甲苯中的聚烯烴成分，此係因立體規則性低、分子量低等之理由，而被認為是相當於難結晶化的成分。如此的成分若多量地含於樹脂中，則有薄膜的熱尺寸安定性變差的情況。因此，基於上述觀點，CXS較佳為3.5質量%以下，更佳為2.5質量%以下，尤佳為2.0質量%以下。CXS愈低愈佳，但0.1質量%左右為下限。為了使CXS成為如此之範圍，可使用提高得到樹脂時的觸媒活性之方法、以溶劑或烯烴單體本身來洗淨所得的樹脂之方法。
聚丙烯原料A的內消旋五元組分率較佳為0.94以上，更佳為0.96以上，尤佳為0.97以上，最佳為0.98以上。內消旋五元組分率係表示以核磁共振法(NMR法)所測定的聚丙烯之結晶相的立體規則性之指標，該數值愈高則結晶化度愈高，熔點變得愈高，高溫下的尺寸安定性變得愈高而較佳。關於內消旋五元組分率之上限係沒有特別的規定。如此地，為了得到立體規則性高的樹脂，較宜採用以正庚烷等之溶劑來洗淨所得的樹脂粉末之方法，或適當進行觸媒及/或輔觸媒的選定、組成的選定之方法等。
作為聚丙烯原料A，在不損害本發明目的之範圍內，亦可含有其它的不飽和烴之共聚合成分等。作為構成如此的共聚合成分之單體成分，例如可舉出乙烯、丙烯(經共聚合的摻合物之情況)、1-丁烯、1-戊烯、3-甲基戊烯-1、3-甲基丁烯-1、1-己烯、4-甲基戊烯-1、5-乙基己烯-1、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯、乙烯基環己烯、苯乙烯、烯丙基苯、環戊烯、降莰烯、5-甲基-2-降莰烯等。
聚丙烯原料A的共聚合成分量較佳為10莫耳%以下。更佳為5莫耳%以下，尤佳為3莫耳%以下。乙烯成分之含量愈多，結晶性愈降低，容易提高透明性，但若乙烯成分之含量超過10莫耳%，則有在成為薄膜時的強度降低、或耐熱性降低而熱收縮率變差之情況。又，有於擠出步驟中樹脂變得容易劣化、或聚烯烴薄膜中的魚眼變得容易發生之情況。 本發明之聚烯烴薄膜可包含與聚丙烯原料A不同的聚丙烯樹脂(以下有稱為聚丙烯原料B的情況)。藉由包含聚丙烯原料B，低分子量成分係作為延伸時的延伸助劑之作用，有能助於抑制延伸時的破膜或減少物性不均之情況。
聚丙烯原料B的數量平均分子量(Mn)之上限，從使其含有一定以上的低分子量成分之觀點來看，較佳為7.5萬，更佳為7.0萬，尤佳為6.5萬。Mn之下限較佳為5萬，更佳為5.5萬，尤佳為6.2萬。又，從將高分子量成分抑制在一定以下之觀點來看，Z+1平均分子量(Mz+1)之上限較佳為200萬，更佳為180萬。Mz+1之下限較佳為110萬，更佳為130萬，尤佳為155萬。尚且，聚丙烯原料B的Mn或Mz+1係變得比聚丙烯原料A的Mn或Mz+1更小。
從擠出安定性之觀點來看，聚丙烯原料B的熔體流動速率(MFR)較佳為3g/10分鐘以上11g/10分鐘以下(230℃、21.18N荷重)之範圍。聚丙烯原料B的MFR之下限更佳為3.5g/10分鐘。聚丙烯原料B的MFR之上限更佳為9g/10分鐘，尤佳為8g/10分鐘。為了使聚丙烯原料B的MFR成為上述之值，可採用控制平均分子量或分子量分布之方法等。更具體而言，較宜採用：調整聚合時的氫氣濃度之方法，或適當進行觸媒及/或輔觸媒之選定、組成之選定，控制聚丙烯原料B的分子量或分子量分布之方法等。藉由降低分子量而MFR變高，分子量分布中低分子量成分愈多則MFR變得愈高。
本發明之聚烯烴薄膜係除了皆為直鏈狀的聚丙烯原料A或聚丙烯原料B以外，還可包含支鏈狀聚丙烯樹脂(以下有稱為支鏈狀聚丙烯原料的情況)。由於包含支鏈狀聚丙烯原料，藉由其成核劑效果，抑制澆鑄時之粗大的球晶形成，故可減小SPk或微晶尺寸。
從擠出安定性之觀點來看，支鏈狀聚丙烯原料的MFR較佳為0.5g/10分鐘以上9g/10分鐘以下(230℃、21.18N荷重)。支鏈狀聚丙烯原料的MFR之下限更佳為2g/10分鐘，尤佳為6g/10分鐘。為了使MFR成為上述之值，可採用控制平均分子量或分子量分布之方法等。更具體而言，較宜採用：調整聚合時的氫氣濃度之方法，或適當進行觸媒及/或輔觸媒之選定、組成之選定，控制聚丙烯原料的分子量或分子量分布之方法等。藉由降低分子量而MFR變高，分子量分布中低分子量成分愈多則MFR變得愈高。
從延伸均勻性之觀點之觀點來看，支鏈狀聚丙烯原料的熔融張力較佳為3gf以上40gf以下。熔融張力之下限更佳為4gf，尤佳為6gf。上限更佳為30gf，尤佳為25gf。為了使熔融張力成為上述之值，可採用控制平均分子量或分子量分布、聚丙烯原料中的分支度之方法等。特別地，具有長鏈分支時，可顯著提高熔融張力，藉由調整長鏈分支的分子鏈或分支度，可調整至較佳的值。
支鏈狀聚丙烯原料為多數市售的齊格勒-納他觸媒系或茂金屬系觸媒系等，但於與聚丙烯原料A、聚丙烯原料B組合使用之觀點中，低分子量成分、高分子量成分少、分子量分布窄的茂金屬觸媒系為更佳。
於本發明之聚烯烴薄膜所用的聚丙烯原料A及聚丙烯原料B、支鏈狀聚丙烯原料中，在不損害本發明目的之範圍內，亦可含有各種的添加劑，例如結晶成核劑、抗氧化劑、熱安定劑、滑劑、抗靜電劑、防黏連劑、填充劑、黏度調整劑、防著色劑等。
於此等之中，從抗氧化劑的滲出之觀點來看，抗氧化劑的種類及添加量之選定為重要。即，作為該抗氧化劑，較佳為具有立體障礙性的酚系者，其中至少1種為分子量500以上的高分子量型者。作為其具體例，可舉出各種者，但例如較佳為與2,6-二-三級丁基對甲酚(BHT：分子量220.4)一起併用1,3,5-三甲基-2,4,6-參(3,5-二-三級丁基-4-羥基苄基)苯(例如BASF公司製「Irganox」(註冊商標)1330：分子量775.2)或肆[亞甲基-3(3,5-二-三級丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]甲烷(例如BASF公司製「Irganox」(註冊商標)1010：分子量1177.7)等。
相對於聚烯烴原料全量，此等抗氧化劑的總含量較佳為0.03～1.0質量份之範圍。若抗氧化劑過少，則有在擠出步驟中聚合物劣化而薄膜著色之情況、或長期耐熱性變差之情況。若抗氧化劑過多，則有因此等抗氧化劑之滲出而透明性降低之情況。基於上述觀點，抗氧化劑之更佳含量為0.05～0.9質量份，特佳為0.1～0.8質量份。
於本發明之聚烯烴薄膜所用的聚烯烴原料A及B中，在不違反本發明目的之範圍內，可添加結晶成核劑。又，亦可含有支鏈狀聚丙烯，支鏈狀聚丙烯係已經在其本身具有α晶或β晶的結晶成核劑效果，但可例示其它種類的α晶成核劑(二亞苄基山梨糖醇類、苯甲酸鈉等)、β晶成核劑(1,2-羥基硬脂酸鉀、苯甲酸鎂、N,N’-二環己基-2,6-萘二甲醯胺等之醯胺系化合物、喹吖酮系化合物等)等。惟，若過剩地含有上述其它種類的成核劑，則有引起延伸性的降低或因空隙形成等所致之透明性或強度的降低之情況，故通常相對於聚烯烴原料全量，含量為0.5質量份以下，較佳為0.1質量份以下，尤佳為0.05質量份以下。
於本發明之聚烯烴薄膜中，較佳為不含有機粒子及無機粒子。可作為本發明之聚烯烴薄膜的主成分所較宜使用之聚丙烯樹脂，由於與有機粒子或無機粒子之親和性低，故有粒子脫落而污染製程或製品之情況。又，若藉由硬度高的粒子形成粗大突起，則有凹凸轉印至光學用構件的樹脂層之情況，作為顯示器構件等要求高品質的製品之保護膜或製造用基材薄膜使用時有成為品質降低之原因的情況。基於上述觀點，本發明之聚烯烴薄膜較佳為不含有機粒子或無機粒子等之潤滑劑。
於本發明之聚烯烴薄膜中，相對於樹脂成分全量，聚丙烯原料A、聚丙烯原料B、支鏈狀聚丙烯原料之佔有比例較佳為以下者。從薄膜的表面平滑性、機械強度之觀點來看，聚丙烯原料A較佳為50質量%以上99.9質量%以下。聚丙烯原料A之佔有比例之下限更佳為60質量%，尤佳為70質量%。上限更佳為99質量%，尤佳為98質量%。作為聚丙烯原料B之佔有比例，於薄膜全體之中，較佳為0.1質量%以上50質量%以下。聚丙烯原料B之佔有比例之下限更佳為0.5質量%，尤佳為3質量%。上限更佳為30質量%，尤佳為20質量%。作為支鏈狀聚丙烯原料之佔有比例，於薄膜全體之中，較佳為0.1質量%以上30質量%以下。聚丙烯原料B之佔有比例之下限更佳為0.2質量%，尤佳為0.5質量%，最佳為1.0質量%。上限更佳為20質量%，尤佳為10質量%。
本發明之聚烯烴薄膜較佳為在上述聚丙烯原料A中添加聚丙烯原料B或支鏈狀聚丙烯原料，或者聚丙烯原料B與支鏈狀聚丙烯原料兩者。
本發明之聚烯烴薄膜係於以後述凝膠滲透層析法所測定的分子量分布曲線中，對數分子量Log(M)為4.0時的微分分布值較佳為3%以上15%以下。對數分子量Log(M)為4.0時的微分分布值小於3%時，在延伸時作為潤滑成分的低分子量成分少，有在延伸時變得容易斷裂之情況。若對數分子量Log(M)為4.0時的微分分布值變得大於15%，則有聚烯烴薄膜的耐熱性降低之情況。基於上述觀點，對數分子量Log(M)為4.0時的微分分布值之下限更佳為4%，尤佳為5%。對數分子量Log(M)為4.0時的微分分布值之上限更佳為13%，尤佳為10%。
本發明之聚烯烴薄膜係於以凝膠滲透層析法所測定的分子量分布曲線中，對數分子量Log(M)為6.1時的微分分布值較佳為1%以上15%以下。對數分子量Log(M)為6.1時的微分分布值小於1%時，在延伸時作為聯結分子的高分子量成分少，有延伸時的均勻性差之情況。若對數分子量Log(M)為6.1時的微分分布值變得大於15%，則在將聚烯烴薄膜作為卷筒捲起後，隨著時間經過的常溫收縮變大，有損害薄膜卷筒的平面性之情況。基於上述觀點，對數分子量Log(M)為6.1時的微分分布值之下限更佳為5%，尤佳為7%。對數分子量Log(M)為6.1時的微分分布值之上限更佳為13%，尤佳為11%。
本發明之聚烯烴薄膜較佳為使用上述原料進行雙軸延伸。作為雙軸延伸之方法，可藉由吹脹(inflation)同時雙軸延伸法、擴幅機同時雙軸延伸法、擴幅機逐次雙軸延伸法之任一者，但其中於控制薄膜安定性、厚度均勻性、薄膜的高剛性與尺寸安定性之點上，較佳為採用擴幅機逐次雙軸延伸法。
接著，以2種3層構成的聚丙烯薄膜為例，說明本發明之聚烯烴薄膜之製造方法的一態樣，惟本發明之聚烯烴薄膜之製造方法未必受此所限定。
首先，乾摻合80質量份的聚丙烯原料A、15質量份的聚丙烯原料B與5質量份的支鏈狀聚丙烯原料，供給至基層(II)(以下有稱為B層的情況)用的單軸擠壓機，將聚烯烴原料B供給至表層(I)(以下有稱為A層的情況)用的單軸擠壓機。然後，各自在200～280℃、更佳為220～280℃、尤佳為240～270℃下進行熔融擠出。而且，藉由在聚合物管之途中所設置的過濾器，去除異物或改性聚合物等後，以多歧管型的A層/B層/A層複合T字模進行積層，藉由吐出至澆鑄滾筒上而冷卻固化，得到具有A層/B層/A層之層構成的積層未延伸薄片。此時，積層厚度比較佳為1/8/1～1/60/1之範圍。由於設為上述範圍，含有聚丙烯原料A的表層係薄且均勻地形成在薄膜表面，在延伸時所形成的突起之高度的均勻性增加，可抑制粗大突起之形成。
又，澆鑄滾筒係表面溫度為10～50℃，較佳為10～40℃，更佳為15～30℃，尤佳為15～20℃。又，層構成亦可成為A層/B層之2層積層構成而無妨。作為對於澆鑄滾筒的密著方法，可使用靜電施加法、利用水的表面張力之密著方法、氣刀法、加壓輥法、水中澆鑄法等之中的任一手法，但較佳為平面性良好且表面粗糙度的控制為可能之氣刀法。從將澆鑄滾筒上的薄片之非冷卻滾筒面予以冷卻之觀點來看，較佳為將氣刀的空氣溫度低溫化。氣刀的空氣溫度為10～50℃，較佳為10～40℃，更佳為15～30℃，尤佳為20～25℃，吹出的空氣速度較佳為130～150m/s。又，為了不造成薄膜的振動，較佳為以空氣在製膜下游側流動之方式，適當調整氣刀之位置。尚且，A層/B層的2種2層積層構成之情況較佳為使A層側成為澆鑄滾筒側。
所得之未延伸薄片係被導入至縱延伸步驟。於縱延伸步驟中，首先使未延伸薄片接觸複數的經保持在80℃以上150℃以下、較佳為80℃以上130℃以下、更佳為90℃以上130℃以下，尤佳為100℃以上130℃以下之金屬輥而被預熱，於設有周速差的輥間，首先在長度方向中延伸至1.1～3.0倍、更佳為1.3～2.5倍後，接著在長度方向中延伸至2.0～5.0倍、更佳為3.0～4.5倍，冷卻到室溫為止。第1段的延伸溫度為80℃以上130℃以下，較佳為90℃以上130℃以下，尤佳為100℃以上130℃以下，第2段的延伸溫度為130℃以上150℃以下，較佳為140℃以上150℃以下，尤佳為145℃以上150℃以下。於縱延伸之前半，以低溫且高應力進行低倍延伸後，一口氣地在高溫下延伸，而在全寬中均勻地配向於縱向，可得到均勻性高的高配向單軸延伸薄膜。
第1段的縱延伸溫度與第2段的縱延伸溫度大幅不同時，薄膜係在接觸高溫的延伸輥時，於寬度方向中收縮。此時，由於薄膜不均勻地收縮，而有導入流動方向的皺紋之情況。作為其對策，在延伸輥使用陶瓷輥。於陶瓷輥上，由於薄膜變得容易滑動，薄膜係均勻地收縮，而可無皺紋地延伸。若2段延伸的合計延伸倍率小於3.0倍，則薄膜的配向變弱，有強度降低之情況，故較佳為3.0倍以上6.0倍以下，尤佳為4.0倍以上5.5倍以下。
接著，以夾子抓住寬度方向兩端部，將單軸延伸薄膜導引至拉幅機，進行預熱後，在寬度方向中橫延伸至7.0～13倍。預熱溫度為165～180℃，更佳為168～180℃，尤佳為170～180℃。又，延伸溫度為148～165℃，更佳為148～160℃，尤佳為148～155℃。相對於延伸溫度，藉由將預熱溫度提高5℃以上、較佳為8℃以上、更佳為10℃以上，變得可在薄膜全寬中均勻地高配向延伸，從所得之聚烯烴薄膜的平滑性之觀點來看較佳。
於後續的熱處理及鬆弛處理步驟中，以夾子拉緊抓住寬度方向，就這樣一邊在寬度方向中以5～20%、更佳為8～18%，尤佳為11～18%的鬆弛率賦予鬆弛，一邊在160℃以上180℃以下、較佳為165℃以上且低於180℃度、更佳為168℃以上且低於180℃、尤佳為170℃以上且低於180℃的溫度下熱定型，以夾子拉緊抓住寬度方向，就這樣經過80～100℃下的冷卻步驟，導引至拉幅機之外側，釋放薄膜端部的夾子，在捲繞步驟中切割薄膜邊緣部，捲取薄膜製品卷筒。熱處理溫度係相對於橫延伸溫度，以5℃以上、更佳為8℃以上，尤佳為10℃以上高溫，進行熱定型，藉此使薄膜內的殘留應力緩和，可使熱收縮率降低。
又，從耐熱性之觀點來看，於從拉幅機出來的聚烯烴薄膜通過渡口之際，較佳為以熱輥進行加熱。加熱溫度較佳為70℃以上，更佳為80℃以上，尤佳為100℃以上，特佳為120℃以上。於140℃以上之溫度時，損害熱輥與聚烯烴薄膜的易滑性，有導入皺紋而平面性變差之情況，因此上限為140℃左右。加熱時間較佳為0.2秒以上，更佳為0.4秒。加熱時間之上限係沒有特別的限制，但從生產性之觀點來看，2.0秒左右為上限。
如以上所得之聚烯烴薄膜係可在包裝用薄膜、表面保護膜、工程膜、衛生用品、農業用品、建築用品、醫療用品或電容器用薄膜等各式各樣的工業用途使用，但由於尤其表面平滑性優異，可較宜使用作為表面保護膜、工程膜、脫模用薄膜、電容器用薄膜。此處，所謂表面保護膜，就是指貼附於成形體或薄膜等之對象物，具有防止加工時或運搬時所發生的損傷或污染等之功能的薄膜。所謂工程膜，就是指貼附於成形體或薄膜等之對象物而防止製造時或加工時所發生的損傷或污染等，於作為最終製品之使用時被廢棄之薄膜。所謂脫模用薄膜，就是指脫模性高，貼附於成形體或薄膜等之對象物，具有防止加工時或運搬時所發生的損傷或污染等，於作為最終製品之使用時可容易地剝離而廢棄之功能的薄膜。所謂電容器用薄膜，就是指使用於利用樹脂薄膜作為介電體的薄膜電容器之薄膜。 [實施例]
以下，藉由實施例詳細地說明本發明。尚且，特性係藉由以下之方法進行測定、評價。
(1)薄膜厚度 使用微厚度計(ANRITSU公司製)進行測定。以10cm見方取樣薄膜，任意地測定5點，求出平均值。
(2)藉由外插點法所求出的結晶化溫度Tc0 使用示差掃描熱量計(Seiko Instruments Inc.製EXSTAR DSC6220)，於氮氣環境中將3mg的聚烯烴薄膜以20℃/min從25℃升溫到250℃為止，保持5分鐘。接著，以10℃/min從250℃降溫到25℃為止。重複5次同樣的程序，將各次中的降溫時所得之放熱曲線的峰值溫度之算術平均值當作Tc10 。然後，將另外同樣地取樣的聚烯烴薄膜以20℃/min從25℃升溫到250℃為止，保持5分鐘。接著，以40℃/min從250℃降溫到25℃為止。重複5次同樣的程序，將各次中的降溫時所得之放熱曲線的峰值溫度之算術平均值當作Tc40 。接著，如圖1所示，在橫軸繪製降溫速度，在縱軸繪製以各降溫速度所求出的結晶化溫度Tc10 與Tc40 ，從Tc40 向Tc10 畫出直線，將在降溫速度為0℃/min處外插時的結晶化溫度當作Tc0 。尚且，於Tc10 與Tc40 之測定用的各次測定中，可觀測複數的峰值溫度時，使用80℃至130℃的範圍中最高溫的波峰之溫度作為峰值溫度。
(3)130℃10分鐘加熱處理後的主配向正交方向之動摩擦係數μd 將聚烯烴薄膜切出寬度6.5cm、長度12cm，將試驗片夾入紙中，於荷重零之狀態下在經保溫至130℃的烘箱內，加熱10分鐘後取出，在室溫下冷卻後，使用東洋精機(股)製滑動測試器，依據JIS K 7125(1999)，在25℃、65%RH下測定。尚且，測定係主配向正交方向彼此，且將不同面彼此重疊，亦即，以一薄膜的表面與另一薄膜的背面相接之方式重疊而進行。對於一個樣品進行5次相同測定，算出所得之值的平均值，當作該樣品的動摩擦係數(μd)。尚且，主配向方向係於薄膜面內，將任意的方向當作0°時，相對於該任意的方向以每5°在形成0°～175°的角度之各個方向中測定楊氏模數時，將表示最高值的方向當作主配向方向。
尚且，楊氏模數之測定係藉由以下之程序進行。首先，切出長度(測定方向)150mm×寬度10mm之矩形當作樣品。使用拉伸試驗機(ORIENTEC製「Tensilon」(註冊商標)UCT-100)，於室溫23℃、相對濕度65%之環境下，初期拉伸夾盤間距離為50mm，將拉伸速度設為300mm/分鐘，進行拉伸試驗。讀取樣品伸長2%時(夾盤間距離成為51mm時)之施加於薄膜的荷重，將除以試驗前的試料之剖面積(薄膜厚度×10mm)而得之值當作F2值，將通過原點與F2值之測定所用的點之直線的斜率當作楊氏模數。
(4)面內相位差 對聚烯烴薄膜使用王子計測(股)製的自動雙折射計(KOBRA-21ADH)，測定對於波長548.3nm的光線之面內相位差。
(5)130℃下的薄膜主配向正交方向之斷裂延伸度 從聚烯烴薄膜，以主配向正交方向成為測定方向之方式，切出5條寬度10mm、長度50mm(測定方向)之試料，在兩端起15mm之位置分別做記號，當作試樣長度20mm。接著，將矩形的樣品以初期夾盤間距離20mm，設置在拉伸試驗機(ORIENTEC製「Tensilon」(註冊商標)UCT-100)，在經加熱至130℃的烘箱內加熱1分鐘後，將拉伸速度設為300mm/分鐘，進行薄膜之拉伸試驗，得到樣品斷裂的時間點之延伸度(單位：%)及強度(單位：MPa)。測定係進行5次，算出樣品斷裂的時間點之延伸度的平均值，當作斷裂延伸度(%)。
(6)130℃10分鐘加熱處理後的內部霧度 將聚烯烴薄膜切出寬度3.0cm、長度6.0cm，將試驗片夾入紙中，於荷重零之狀態下在經保溫至130℃的烘箱內，加熱10分鐘後取出，於室溫下冷卻後，當作樣品。作為測定裝置，使用SUGA試驗機(股)製霧度計(HGM-2DP)。內部霧度之值係從將樣品在經四氫萘充滿的光路徑長度1cm之石英槽中浸漬薄膜而測定時的霧度之測定值，依據JIS K7136(2000)之規定而求出。
(7)薄膜10cm見方內的配向角之不均 將聚烯烴薄膜切出寬度10cm、長度10cm，將從所切出的樣品之中央部起，在薄膜主配向方向中以1cm間隔的11點、及從薄膜中央部起在薄膜主配向正交方向中以1cm間隔之薄膜中央部以外的10點之合計21點當作測定點，測定在各點的配向角，藉由下述式求出配向角之不均。尚且，配向角之測定係使用王子計測機器(股)製相位差測定裝置(KOBRA-21ADH)，以聚烯烴薄膜的主配向方向成為本測定裝置所定義的角度0°之方式設置於裝置，相對於薄膜主配向方向，將順時針的斜率當作+，將反時針者當作-而進行。 配向角之不均(%)=((配向角最大值－配向角最小值)/配向角平均值)×100。
(8)熔融張力 使用依據JIS K 7199(1999)的裝置，於以下之條件下進行測定。 ・裝置：附有熔融張力測試器的CAPILOGRAPH　1BPMD-i(東洋精機(股)製) ・溫度：230℃(使用保溫室) ・鑄模：L=8(mm)、D=2.095(mm) ・擠出速度：20mm/分鐘 ・牽引速度：15.7m/分鐘 ・樣品質量：15～20g。
(9)突出山部高度SPk、平均粗糙度Sa、最大高度Sz 測定係使用掃描型白色干涉顯微鏡「VS1540」(日立先端科技股份有限公司製，測定條件與裝置構成係後述)進行，藉由附屬的解析軟體將拍攝畫面予以補足處理(完全補足)，以多項式4次近似進行面修正後，以中值濾波器(3×3畫素)進行處理，求出表面形狀。
測定係將經切成5cm×5cm的正方形狀之聚烯烴薄膜的對角線之交叉點當作開始點，依照以下的程序決定合計9處的測定位置，在各測定位置進行。再者，換面並重複相同的測定。然後，依照上述程序在每各面求出各測定位置的SPk、Sa、Sz，在每各面算出SPk、Sa、Sz的平均值。所得之值中，採用小者的SPk之值當作薄膜的SPk之值。
＜測定位置的決定方法＞ 測定1：開始點之位置 測定2：從開始點起右方3.0mm之位置 測定3：從開始點起右方6.0mm之位置 測定4：從開始點起下方3.0mm之位置 測定5：從開始點起下方3.0mm、右方3.0mm之位置 測定6：從開始點起下方3.0mm、右方6.0mm之位置 測定7：從開始點起下方6.0mm之位置 測定8：從開始點起下方6.0mm、右方3.0mm之位置 測定9：從開始點起下方6.0mm、右方6.0mm之位置 ＜測定條件與裝置構成＞ 物鏡：10x 鏡筒：1x 變焦鏡：1x 波長濾波器：530nm　white 測定模式：Wave 測定軟體：VS-Measure　10.0.4.0 解析軟體：VS-Viewer 10.0.3.0 測定區域：561.1μm×561.5μm 畫素數：1,024×1,024。
(10)數量平均分子量Mn、Z+1平均分子量Mz+1、分子量分布值 以1,2,4-三氯苯為溶劑，將聚烯烴薄膜在165℃下攪拌30分鐘而使其溶解。然後，使用0.5μm過濾器進行過濾，測定濾液的分子量分布，讀取對數分子量Log(M)為4.0及6.1時的微分分布值。 又，使用採用下述標準試料所作成的分子量之校準曲線，求出試料的數量平均分子量及Z+1平均分子量。 ・裝置：高溫GPC裝置(機器No.HT-GPC-1，Polymer Laboratories製　PL-220) ・檢測器：示差折射率檢測器　RI ・管柱：Shodex HT-G(保護管柱) Shodex HT-806M(2支)(ϕ8.0mm×30cm，昭和電工製) ・流速：1.0mL/min ・管柱溫度：145℃ ・注入量：0.200mL ・標準試料：東曹製單分散聚苯乙烯，東京化成製聯苄。
(11)對於黏附體的轉印評價 將聚烯烴薄膜及厚度20μm的日本ZEON股份有限公司製「Zeonor薄膜」(註冊商標)取樣成寬度100mm、長度100mm的正方形，以聚烯烴薄膜的正反面之中SPk小的面與「Zeonor薄膜」(註冊商標)接觸之方式重疊，以2片壓克力板(寬度100mm、長度100mm)夾住它，施加3kg的荷重，於23℃之環境下靜置24小時。24小時後，目視觀察「Zeonor薄膜」(註冊商標)之表面(聚烯烴薄膜相接之面)，用以下之基準進行評價。尚且，正反面的SPk之值相同時，將平均表面粗糙度Sa之值小的面當作貼合面。再者，Sa之值在正反面為相同值時，將最大面粗糙度Sz小的面當作貼合面。 A：漂亮的，與施加荷重之前同等。 B：確認到弱的凹凸。 C：確認到強的凹凸。
(12)薄膜之平面性 將聚烯烴薄膜以寬度500mm且長度200m捲取在芯上，在60℃的烘箱中加熱7日後取出，冷卻至室溫後，將經捲取在芯上的500mm寬度之聚烯烴薄膜僅捲出1m，附加無張力(藉由薄膜的本身重量而在垂直方向中垂下之狀態)及對於薄膜寬度全體均勻地1kg/m及3kg/m之張力，目視確認有無凹陷或起伏的平面性不良地方。 S：於無張力沒有平面性不良的地方。 A：於無張力下看到平面性不良的地方，於1kg/m幅度的張力下消失。 B：於1kg/m幅度的張力下看到平面性不良的地方，於3kg/m寬度的張力下消失。 C：即使於3kg/m幅度的張力下平面性不良的地方也不消失。
(聚丙烯原料等) 於實施例、比較例的聚烯烴薄膜之製造中，使用具有下述表1中所示的數量平均分子量(Mn)、Z+1平均分子量(Mz+1)之聚丙烯原料。尚且，此等之值係以原料樹脂丸粒之形態所評價之值。準備2種類的原料作為PP原料A，準備2種類的原料作為PP原料B。又，作為支鏈狀聚丙烯原料1，使用以下者。 聚丙烯原料1(PP1)：PRIME POLYMER(股)製 聚丙烯原料2(PP2)：PRIME POLYMER(股)製 聚丙烯原料3(PP3)：住友化學(股)製 聚丙烯原料4(PP4)：PRIME POLYMER(股)製 支鏈狀聚丙烯原料1(分支PP1)：茂金屬觸媒系支鏈狀聚丙烯原料(日本POLYPRO(股)製，熔融張力：13gf) 支鏈狀聚丙烯原料2(分支PP2)：茂金屬觸媒系支鏈狀聚丙烯原料(日本POLYPRO(股)製，熔融張力：5gf) 支鏈狀聚丙烯原料3(分支PP3)：齊格勒-納他觸媒系支鏈狀聚丙烯原料(Basell公司製，熔融張力：15gf) 低立體規則性聚丙烯原料：出光興產(股)製，「L-MODU」(註冊商標)S901。
[表1]
Mn Mz+1
PP原料A PP1 9.5.E+04 2.3.E+06
PP2 8.5.E+04 2.2.E+06
PP原料B PP3 6.5.E+04 1.5.E+06
PP4 6.1.E+04 1.6.E+06
聚丙烯原料D：將聚丙烯原料3與4-甲基-1-戊烯系聚合物，以成為90：10(質量比)之方式從計量料斗供給至雙軸擠壓機，在260℃下進行熔融混練，將經熔融的樹脂組成物從模頭吐出成股束(strand)狀，在25℃的水槽中冷卻固化，切割成碎片(chip)狀。 4-甲基-1-戊烯系聚合物：三井化學(股)製，MX004 1-丁烯系聚合物：三井化學(股)製「Tafmer」(註冊商標)BL3450(MFR=12g/10分鐘(荷重21.18N、230℃)，源自1-丁烯的結構單元：87莫耳%)。
(實施例1) 作為表層(I)用的原料，將聚丙烯原料3與聚丙烯原料D以70：30(質量比)進行乾摻合，供給至表層(I)層用的一軸之單軸擠壓機。作為基層(II)用的原料，將聚丙烯原料2、聚丙烯原料3及支鏈狀聚丙烯原料1以70：26：4(質量比)進行乾摻合，供給至內層(II)用的一軸之單軸擠壓機。對於各自的樹脂混合物，在260℃下進行熔融擠出，以20μm截止的燒結過濾器去除異物後，以供料頭型的A/B/A複合T字模，以表層(I)/基層(II)/表層(I)成為1/20/1之厚度比的方式進行積層，吐出至表面溫度經控制在22℃的澆鑄滾筒上，藉由氣刀使其密著於澆鑄滾筒。然後，對於澆鑄滾筒上的薄片之非冷卻滾筒面，吹出22℃的加壓空氣，以空氣速度140m/s使其噴射而進行冷卻，得到未延伸薄片。接著，以陶瓷輥將該未延伸薄片預熱至108℃，作為第1段之延伸，在設有周速差的108℃之輥間於長度方向中進行1.5倍之延伸。接著，作為第2段之延伸，在146℃之輥間於長度方向中進行3.4倍之延伸。接著，將所得之單軸延伸薄膜，以夾子抓住寬度方向兩端部，導入至拉幅式延伸機，在173℃下預熱3秒後，在152℃下於寬度方向中延伸至9.2倍，一邊在寬度方向中賦予13%的鬆弛，一邊在175℃下進行熱處理。然後，經過100℃的冷卻步驟，導引至拉幅機之外側，釋放薄膜寬度方向兩端部的夾子，在渡口以123℃的熱輥加熱0.5秒後，捲取在芯上，得到厚度15μm的聚烯烴薄膜。表2中顯示所得之薄膜的物性及評價結果。
(實施例2～6、比較例1～3) 除了將各層的原料組成、製膜條件設為如表2以外，與實施例1同樣地得到聚烯烴薄膜。此時，厚度之調節係藉由擠出時的吐出量之調整或澆鑄滾筒的速度調整而進行。表2中顯示所得之薄膜的物性及評價結果。尚且，關於表層的原料之混合，在實施例3、比較例1之表層(I)中，藉由將聚丙烯原料3與聚丙烯原料D以70：30(質量比)乾摻合而進行，在比較例2之表層(I)中，藉由將聚丙烯原料3與聚丙烯原料D以80：20(質量比)乾摻合而進行。於其它實施例之表層(I)及基層(II)中，不使用聚丙烯原料D，將各樹脂成分以表2之比率乾摻合。
[表2]
實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 比較例1 比較例2 比較例3
表層(I) PP原料A PP1　(質量份) - - - 75 95 - - - -
PP2　(質量份) - - - - - - - - -
PP原料B PP3　(質量份) 97 100 94 25 - 82 98 97 -
PP4　(質量份) - - - - - - - - 100
分支PP原料 分支PP1　(質量份) - - - - 5 18 - - -
4-甲基-1-戊烯系聚合物(質量份) 3 - 6 - - - 2 3 -
內層(II) PP原料A PP1　(質量份) - 75 - - 90 - - 92 -
PP2　(質量份) 70 - 50 50 - 100 80 - -
PP原料B PP3　(質量份) 26 - - - 10 - 17 - -
PP4　(質量份) - 20 50 43 - - - - 90
分支PP原料 分支PP1　(質量份) 4 - - - - - 3 8 -
分支PP2　(質量份) - 5 - - - - - - -
分支PP3　(質量份) - - - 7 - - - - -
低立體規則性PP　(質量份) - - - - - - - - 10
製膜條件 熔融擠出溫度(℃) 260 260 260 260 260 260 260 260 240
積層比(表層(I)/基層(II)/表層(I)) 1/20/1 1/15/1 1/20/1 1/15/1 1/10/1 1/5 1/20/1 1/20/1 1/8/1
澆鑄滾筒溫度(℃) 22 15 50 28 32 34 15 80 30
空氣溫度(℃) 22 15 50 28 32 45 25 80 30
長度方向 延伸(1st) 預熱溫度(℃) 108 122 123 118 142 147 110 140 140
延伸溫度(℃) 108 122 123 118 142 146 145 140 140
倍率(倍) 1.5 1.7 1.1 1.9 5.1 4.4 5.8 4.1 4.6
長度方向 延伸(2nd) 延伸溫度(℃) 146 132 143 143 - - - - -
倍率(倍) 3.4 3.3 4.1 2.8 - - - - -
寬度方向 延伸 預熱溫度(℃) 173 166 169 166 176 179 172 165 170
預熱時間(秒) 3 3 3 3 3 3 3 3 3
延伸溫度(℃) 152 158 157 160 154 163 170 165 165
延伸倍率(倍) 9.2 9.1 8.2 9.6 7.4 7.1 9.3 7.1 8
熱處理 熱處理溫度(℃) 175 165 168 160 180 180 150 166 120
寬度方向的鬆弛率(%) 13 7 10 9 12 13 2 9 10
冷卻溫度(℃) 100 100 100 100 100 100 100 100 100
在渡口的加熱 溫度(℃) 123 95 115 70 125 129 - 118 -
時間(秒) 0.5 0.3 0.5 0.5 0.5 0.5 - 0.2 -
厚度(μm) 15 10 15 15 18 18 15 15 12
Log(M)=4.0(%) 7.2 4.9 15.5 9.8 15.2 6.9 6.2 3.6 -
Log(M)=6.1(%) 9.2 10.8 5.3 11.8 4.3 14.5 9.7 4.5 -
Tc0 (℃) 126 130 113 121 119 112 124 119 106
面內相位差(nm) 160 90 370 240 210 380 210 530 110
130℃加熱後μd 0.38 0.67 0.54 0.63 0.58 0.55 0.74 0.62 0.8
130℃斷裂延伸度(%) 122 95 132 105 113 108 88 122 127
130℃加熱後內部霧度(%) 0.2 0.1 1.3 0.4 0.9 1.6 8.2 5.5 2.8
配向角之不均(%) 2.3 1.8 2.8 0.9 3.3 2.7 1.2 0.5 2.4
轉印評價 A S B B B B B C A
平面性 A B A B A A C B C
[產業上利用之可能性]
如上述，本發明之聚烯烴薄膜可在包裝用薄膜、表面保護膜、工程膜、衛生用品、農業用品、建築用品、醫療用品或電容器用薄膜等各式各樣的工業用途使用，但由於尤其表面平滑性優異，可較宜使用作為表面保護膜、工程膜、脫模用薄膜、電容器用薄膜。
無。
圖1係表示聚烯烴薄膜的結晶化溫度Tc0 的曲線圖之一例。

Claims (13)

  1. 一種聚烯烴薄膜，其係以DSC測定薄膜，藉由外插點法所求出的結晶化溫度Tc0 為110℃以上，薄膜的面內相位差為400nm以下，130℃10分鐘加熱後的動摩擦係數μd為0.7以下。
  2. 如請求項1之聚烯烴薄膜，其130℃下的薄膜主配向正交方向之斷裂延伸度為100%以上。
  3. 如請求項1或2之聚烯烴薄膜，其中薄膜中的環狀烯烴系樹脂之含有率小於2.0質量%。
  4. 如請求項1至3中任一項之聚烯烴薄膜，其130℃10分鐘加熱後的內部霧度為1.0%以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之聚烯烴薄膜，其中薄膜10cm見方內的配向角之不均為3.0°以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之聚烯烴薄膜，其係以聚丙烯樹脂為主成分而成。
  7. 如請求項1至6中任一項之聚烯烴薄膜，其係至少具有表層(I)、基層(II)而成。
  8. 如請求項1至7中任一項之聚烯烴薄膜，其中於以凝膠滲透層析法所測定的分子量分布曲線中，對數分子量Log(M)為4.0時的微分分布值為3%以上15%以下。
  9. 如請求項1至8中任一項之聚烯烴薄膜，其中於以凝膠滲透層析法所測定的分子量分布曲線中，對數分子量Log(M)為6.1時的微分分布值為1%以上15%以下。
  10. 一種表面保護膜，其使用如請求項1至9中任一項之聚烯烴薄膜。
  11. 一種工程膜，其使用如請求項1至9中任一項之聚烯烴薄膜。
  12. 一種脫模用薄膜，其使用如請求項1至9中任一項之聚烯烴薄膜。
  13. 一種薄膜電容器，其使用如請求項1至9中任一項之聚烯烴薄膜。
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