TW202110749A - 唑的處理 - Google Patents
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- 238000011282 treatment Methods 0.000 title claims abstract description 108
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 title claims abstract description 40
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 372
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 claims abstract description 263
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 203
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 102
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 claims abstract description 60
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- -1 5-isobutylbenzene Triazole Chemical compound 0.000 claims description 37
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 29
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 24
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims description 24
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 21
- 150000002506 iron compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims description 13
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 10
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 9
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UCFUJBVZSWTHEG-UHFFFAOYSA-N 4-(2-methylphenyl)-2h-triazole Chemical compound CC1=CC=CC=C1C1=CNN=N1 UCFUJBVZSWTHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 7
- XQHCBHNLRWLGQS-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methylphenyl)-2h-triazole Chemical compound CC1=CC=CC(C2=NNN=C2)=C1 XQHCBHNLRWLGQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZPCIKQLLQORQCV-UHFFFAOYSA-N 4-(4-methylphenyl)-2h-triazole Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1=NNN=C1 ZPCIKQLLQORQCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZWTWLIOPZJFEOO-UHFFFAOYSA-N 5-ethyl-2h-benzotriazole Chemical compound C1=C(CC)C=CC2=NNN=C21 ZWTWLIOPZJFEOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1 UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YGTAZGSLCXNBQL-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-thiadiazole Chemical compound C=1N=CSN=1 YGTAZGSLCXNBQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MBIZXFATKUQOOA-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-thiadiazole Chemical compound C1=NN=CS1 MBIZXFATKUQOOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ODIRBFFBCSTPTO-UHFFFAOYSA-N 1,3-selenazole Chemical compound C1=C[se]C=N1 ODIRBFFBCSTPTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JZIBVTUXIVIFGC-UHFFFAOYSA-N 2H-pyrrole Chemical compound C1C=CC=N1 JZIBVTUXIVIFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N isothiazole Chemical compound C=1C=NSC=1 ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 claims description 4
- CCBSHAWEHIDTIU-UHFFFAOYSA-N 5-propyl-2h-benzotriazole Chemical compound CCCC1=CC=C2NN=NC2=C1 CCBSHAWEHIDTIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 71
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 6
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical group NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012028 Fenton's reagent Substances 0.000 description 3
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 3
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011790 ferrous sulphate Substances 0.000 description 3
- 235000003891 ferrous sulphate Nutrition 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000359 iron(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 2H-benzotriazol-4-ol Chemical compound OC1=CC=CC2=C1N=NN2 JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UTMDJGPRCLQPBT-UHFFFAOYSA-N 4-nitro-1h-1,2,3-benzotriazole Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 UTMDJGPRCLQPBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 2
- MGZTXXNFBIUONY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;iron(2+);sulfuric acid Chemical compound [Fe+2].OO.OS(O)(=O)=O MGZTXXNFBIUONY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NPZTUJOABDZTLV-UHFFFAOYSA-N hydroxybenzotriazole Substances O=C1C=CC=C2NNN=C12 NPZTUJOABDZTLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000014413 iron hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- NCNCGGDMXMBVIA-UHFFFAOYSA-L iron(ii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Fe+2] NCNCGGDMXMBVIA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N isobutylbenzene Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC=C1 KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHGULLIUJBCTEF-UHFFFAOYSA-N 2-aminobenzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC(N)=NC2=C1 UHGULLIUJBCTEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNRAOBUKHNZQFX-UHFFFAOYSA-N 2H-benzotriazole-4-thiol Chemical compound SC1=CC=CC2=C1NN=N2 NNRAOBUKHNZQFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 2h-benzo[e]benzotriazole Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=NNN=C21 YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDWPBMJZDNXTPG-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazol-4-amine Chemical compound NC1=CC=CC2=C1NN=N2 ZDWPBMJZDNXTPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQSSWPIJSFUBKX-UHFFFAOYSA-N 5-(2-methylpropyl)-2h-benzotriazole Chemical compound C1=C(CC(C)C)C=CC2=NNN=C21 JQSSWPIJSFUBKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZBQVZFITSVHAW-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-2h-benzotriazole Chemical compound C1=C(Cl)C=CC2=NNN=C21 PZBQVZFITSVHAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUPSFAUIWDRKKZ-UHFFFAOYSA-N 5-methoxy-2h-benzotriazole Chemical compound C1=C(OC)C=CC2=NNN=C21 SUPSFAUIWDRKKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- 241000195493 Cryptophyta Species 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 231100000693 bioaccumulation Toxicity 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- CRQQGFGUEAVUIL-UHFFFAOYSA-N chlorothalonil Chemical compound ClC1=C(Cl)C(C#N)=C(Cl)C(C#N)=C1Cl CRQQGFGUEAVUIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005115 demineralization Methods 0.000 description 1
- 230000002328 demineralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001867 hydroperoxy group Chemical group [*]OO[H] 0.000 description 1
- OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-N hydroperoxyl Chemical group O[O] OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001471 micro-filtration Methods 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000005324 oxide salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- YGNGABUJMXJPIJ-UHFFFAOYSA-N thiatriazole Chemical compound C1=NN=NS1 YGNGABUJMXJPIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/52—Treatment of water, waste water, or sewage by flocculation or precipitation of suspended impurities
- C02F1/5236—Treatment of water, waste water, or sewage by flocculation or precipitation of suspended impurities using inorganic agents
- C02F1/5245—Treatment of water, waste water, or sewage by flocculation or precipitation of suspended impurities using inorganic agents using basic salts, e.g. of aluminium and iron
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/58—Treatment of water, waste water, or sewage by removing specified dissolved compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/30—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation
- C02F1/32—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation with ultraviolet light
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/42—Treatment of water, waste water, or sewage by ion-exchange
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/44—Treatment of water, waste water, or sewage by dialysis, osmosis or reverse osmosis
- C02F1/444—Treatment of water, waste water, or sewage by dialysis, osmosis or reverse osmosis by ultrafiltration or microfiltration
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/66—Treatment of water, waste water, or sewage by neutralisation; pH adjustment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/72—Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation
- C02F1/722—Oxidation by peroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
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- C02F2101/00—Nature of the contaminant
- C02F2101/30—Organic compounds
- C02F2101/38—Organic compounds containing nitrogen
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2103/00—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated
- C02F2103/34—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated from industrial activities not provided for in groups C02F2103/12 - C02F2103/32
- C02F2103/346—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated from industrial activities not provided for in groups C02F2103/12 - C02F2103/32 from semiconductor processing, e.g. waste water from polishing of wafers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
- C02F2209/001—Upstream control, i.e. monitoring for predictive control
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
- C02F2209/003—Downstream control, i.e. outlet monitoring, e.g. to check the treating agents, such as halogens or ozone, leaving the process
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- C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
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- C02F2305/00—Use of specific compounds during water treatment
- C02F2305/02—Specific form of oxidant
- C02F2305/023—Reactive oxygen species, singlet oxygen, OH radical
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- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2305/00—Use of specific compounds during water treatment
- C02F2305/10—Photocatalysts
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Water Supply & Treatment (AREA)
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Abstract
揭示處理包含唑的CMP廢水的方法。所述方法包括：提供具有第一唑濃度的廢水；將廢水導入廢水處理系統的入口，廢水處理系統經建構及佈置以製造自由基並將其導入廢水；及活化廢水處理系統以製造足以降低廢水中的唑濃度的自由基的量並將其導入廢水以及製造具有小於第一唑濃度的第二唑濃度的經處理的水。揭示促進處理包含唑的CMP廢水的方法，藉由提供經建構及佈置的水處理系統以製造自由基並將其導入廢水。
Description
本文揭示的態樣及具體實例是關於用於降低廢水中唑濃度的系統及方法。
相關申請案之交互參照
根據35 U.S.C. § 119(e)，此申請案主張2019年8月26日申請標題為「唑的處理」的美國臨時專利申請案序號62/891,580的優先權，基於所有目的，其全部揭露內容以引用方式整體納入本文。
無
根據一個態樣，提供處理包含唑的化學機械拋光(CMP)廢水的方法。所述方法可包含提供具有第一唑濃度的廢水。所述方法可另外包含將廢水導入廢水處理系統的入口。所述廢水處理系統可經建構及佈置以製造自由基並將其導入廢水。所述方法可額外地包含活化廢水處理系統以製造足以降低廢水中的唑濃度的自由基的量並將其導入廢水以及製造具有小於第一唑濃度的第二唑濃度的經處理的水。
一些具體實例中，第一唑濃度可為約20 mg/L至約200 mg/L。例如，第一唑濃度可為約20 mg/L至約60 mg/L、約30 mg/L至約80 mg/L、約40 mg/L至約100 mg/L、約50 mg/L至約120 mg/L、約60 mg/L至約150 mg/L、約70 mg/L至約160 mg、約80 mg/L至約180 mg/L、或約100 mg/L至約200 mg/L。某些具體實例中，第一唑濃度可為約40 mg/L至約150 mg/L。另外的具體實例中，第一唑濃度可為約80 mg/L至約100 mg/L。
一些具體實例中，第二唑濃度可為小於約10 mg/L。
一些具體實例中，經處理的水中的唑濃度(即小於約10 mg/L)足以用於至少一種下游水處理方法的操作。
一些具體實例中，提供廢水包含提供具有唑混合物的廢水。例如，包含唑混合物的唑可選自由以下組成之群：咪唑、吡唑、
唑、異唑、噻唑、異噻唑、硒唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,3,4-噻二唑、四唑、1,2,3,4-噻三唑、苯并三唑、鄰-甲苯基三唑、間-甲苯基三唑、對-甲苯基三唑、5-乙基苯并三唑、5-正-丙基苯并三唑、5-異丁基苯并三唑及4-甲基苯并三唑、及其組合。某些具體實例中，包含唑混合物的唑可選自由以下組成之群：咪唑、吡唑、唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,5-二唑、苯并三唑、鄰-甲苯基三唑、間-甲苯基三唑、對-甲苯基三唑及5-乙基苯并三唑。特別的具體實例中，具有唑混合物的廢水可包括至少1,2,4-三唑，但不受限於此。
另外具體實例中，所述方法可包括使用離子交換處理系統處理廢水及經處理的水中的至少一種。
另外具體實例，所述方法可包含在將廢水導入廢水處理系統的入口之前量測廢水中唑及總有機碳(TOC)濃度中的至少一種。
一些具體實例中，將廢水導入廢水處理系統的入口可包含將廢水導入選自先進氧化方法(AOP)及溶解鐵處理方法中的至少一種的廢水處理系統的入口。對AOP而言，將廢水導入AOP的入口可包含將廢水導入紫外線(UV)-AOP的入口。另外具體實例中，所述方法可包含在導入UV-AOP之前用過濾系統處理廢水。
一些具體實例中，將廢水導入紫外線(UV)-AOP的入口可包含將廢水導入UV-過硫酸鹽AOP的入口。例如，將廢水導入UV-過硫酸鹽AOP的入口可包含至少基於廢水中的唑濃度將過硫酸鹽離子導入廢水。一些具體實例中，活化UV-過硫酸鹽AOP包含將廢水中的過硫酸鹽離子暴露於UV光以製造過硫酸鹽自由基。
一些具體實例中，將廢水導入紫外線(UV)-AOP的入口包含將廢水導入UV-過氧化物AOP的入口。例如，將廢水導入UV-過氧化物AOP的入口可包含至少基於廢水中的唑濃度將過氧化物導入廢水。一些具體實例中，活化UV-過氧化物AOP包含將廢水中的過硫酸鹽離子暴露於UV光以製造羥基或氫過氧基(hydroperoxyl)自由基。
一些具體實例中，將廢水導入廢水處理系統的入口可包含將廢水導入溶解鐵處理系統的入口。對溶解鐵方法，所述方法可另外包含在將廢水導入溶解鐵處理方法之前降低廢水的pH。一些具體實例中，將廢水導入溶解鐵處理方法的入口包含在酸性pH下將溶解鐵化合物及氧化劑導入廢水。氧化劑可為來自過硫酸鹽或過氧化物諸如過氧化氫的過硫酸鹽離子，其中過硫酸鹽離子產生過硫酸鹽自由基，而過氧化物分子產生羥基及/或氫過氧基自由基。另外具體實例中，所述方法可包括藉由增加廢水的pH從廢水沉澱含鐵化合物以製造經處理的水。
另外具體實例中，所述方法可包含量測經處理的水中的唑濃度及TOC濃度中的至少一種。量測的TOC濃度可以與經處理的水中量測的第二唑濃度相關，即第二唑濃度與TOC濃度可為線性相關。
另外具體實例中，所述方法可包含將經處理的水導入下游處理方法。所述下游處理方法可包括生物處理方法，但不受限於此。
另外具體實例中，所述方法可包含不經另外處理而排放經處理的水。
根據一個態樣，提供促進處理包含唑的CMP廢水的方法。所述方法可包含提供具有與具有第一唑濃度的廢水源連接的廢水處理系統。廢水處理系統可為如本文所述的廢水處理系統，其經建構及佈置以製造自由基並將其導入廢水。所述方法可包含提供控制器，其經配置為至少回應於廢水中的唑濃度來至少調節廢水導入處理系統及自由基製造，以製造具有第二唑濃度的經處理的水，第二唑濃度小於第一唑濃度。
一些具體實例中，第一唑濃度可為約20 mg/L至約200 mg/L。例如，第一唑濃度可為約20 mg/L至約60 mg/L、約30mg/L至約80 mg/L、約40 mg/L至約100 mg/L、約50 mg/L至約120 mg/L、約60 mg/L至約150 mg/L、約70 mg/L至約160 mg、約80 mg/L至約180 mg/L、或約100 mg/L至約200 mg/L。某些具體實例中，第一唑濃度可為約40 mg/L至約150 mg/L。另外具體實例中，第一唑濃度可為約80 mg/L至約100 mg/L。
一些具體實例中，第二唑濃度可為小於約10 mg/L。
另外具體實例中，所述方法可包含為廢水提供至少一種額外的處理系統。例如，額外的處理系統可包括離子交換系統及過濾系統中的至少一種。
另外具體實例中，所述方法可包括提供經建構及佈置以在導入處理系統之前量測第一唑濃度的第一唑濃度感測器。另外具體實例中，所述方法可包括提供經建構及佈置以在導入處理系統之前量測TOC濃度的第一TOC濃度感測器。另外具體實例中，所述方法可包括提供經建構及佈置以量測進入廢水處理系統的廢水流量的流量計。
一些具體實例中，提供廢水處理系統可包含提供AOP及溶解鐵處理方法中的至少一種。例如，提供AOP可包括提供UV-過硫酸鹽AOP。一些具體實例中，提供UV-過硫酸鹽可另外包括提供過硫酸鹽。另外具體實例中，提供AOP包括提供UV-過氧化物AOP。一些具體實例中，提供UV-過氧化物可另外包括提供過氧化物。
另外具體實例中，提供溶解鐵處理方法可包含提供可溶性鐵化合物、氧化劑及pH調整劑中的至少一種。特別的具體實例中，提供溶解鐵處理方法可包含提供可溶性鐵化合物、過硫酸鹽及pH調整劑中的至少一種。另外具體實例中，提供溶解鐵處理方法可包含提供可溶性鐵化合物、過氧化物及pH調整劑中的至少一種。
另外具體實例中，所述方法可包括提供第二唑濃度感測器，其經建構及佈置以量測經處理的水的第二唑濃度。另外具體實例中，所述方法可包括提供經建構及佈置以量測經處理的水的TOC濃度的第二TOC濃度感測器。
一些具體實例中，經處理的水的唑濃度(即小於約10 mg/L)足以用於至少一種下游水處理方法的操作。另外具體實例中，所述方法可包含提供下游水處理方法。為經處理的水提供下游處理系統可包含提供生物處理方法，但不受限於此。
另外具體實例中，所述方法可包含指示使用者將廢水處理系統連接至廢水源。另外具體實例中，所述方法可包含指示使用者活化廢水處理系統以製造足以降低廢水中的唑濃度的自由基的量並將其導入廢水以及製造經處理的水。
本文揭示用於處理包括唑的化學機械拋光(CMP)廢水的方法。本文揭示的方法提供從半導體設施操作產生的廢水移除濃唑化合物。
CMP平坦化方法涉及拋光，所述拋光包含氧化劑、及研磨劑、錯合劑及額外的添加劑以在製造方法期間移除及/或蝕刻半導體晶圓。拋光與拋光墊一起使用以從晶圓移除多餘的銅。經由拋光漿料從矽結構移除矽、銅及各種微量金屬。將拋光漿料與拋光墊導入平坦化臺上的矽晶圓。導入氧化劑及蝕刻溶液以控制材料的移除。通常使用超純水(UPW)沖洗以從矽晶圓移除碎屑。來自逆滲透(RO)、去礦物質及拋光水的UPW也可用於半導體製造設施工具以沖洗矽晶圓。
在一些情況下，來自半導體製造工廠或其它工業來源的廢水可包括高含量的唑、例如總唑量約20 mg/L至約200 mg/L或更高，在晶圓平坦化及拋光方法期間作為抗蝕劑。來自此等方法的廢水也可包括重金屬、額外的有機化合物(例如醇)、及/或界面活性劑(諸如銨鹽)、及無機研磨劑(諸如膠體二氧化矽)，所有此等必須在廢水排放前移除。此等額外的污染物可以約0.01 wt%至約1 wt%的含量存在。廢水可另外具有高背景總有機碳(TOC)濃度，總唑量包含部分TOC。例如，氧化劑諸如過氧化氫(H2
O2
)通常用於協助溶解來自微晶片的銅，且可以超過1,000 mg/L或0.1 wt%的濃度存在於CMP廢水。
目前，美國監管當局尚未對唑的最大污染物含量(MCL)進行監管，但據信在排放到開放水道會對環境產生負面影響。最近的證據顯示，唑在魚類中的生物蓄積性及天然藻類大量繁殖的毒性發生率，因此有必要在排放前將其從方法水中移除。
如US 8,801,937中所述，其揭示內容基於所有目的以引用方式整體納入本文，唑化合物在半導體產業中廣泛用作矽晶圓加工期間銅的抗蝕劑。此種唑化合物的實例包括但不限於咪唑、吡唑、唑、異唑、噻唑、異噻唑、硒唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,3,4-噻二唑、四唑、1,2,3,4-噻三唑、及其任何衍生物、其胺鹽及其金屬鹽。唑衍生物的實例包括具有唑環及苯環化合物的稠和環或類似者，諸如吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、及苯并噻唑、且另外包括其衍生物，諸如烷基苯并三唑(例如、苯并三唑、鄰
-甲苯基三唑、間
-甲苯基三唑、對
-甲苯基三唑、5-乙基苯并三唑、5-正
-丙基苯并三唑、5-異丁基苯并三唑、及4-甲基苯并三唑)、烷氧基苯并三唑(例如，5-甲氧基苯并三唑)、烷基胺基苯并三唑、烷基胺基磺醯基苯并三唑、巰基苯并三唑、羥基苯并三唑、硝基苯并三唑(例如，4-硝基苯并三唑)、鹵苯并三唑(例如，5-氯苯并三唑)、羥基烷基苯并三唑、羥基苯并三唑、胺基苯并三唑、(經取代胺基甲基)-甲苯基三唑、羧基苯并三唑、N-烷基苯并三唑、雙苯并三唑、萘並三唑、巰基苯并噻唑、胺基苯并噻唑、其胺鹽及其金屬鹽。然而，唑具有高的化學穩定性，因此難以從溶液被移除，並且不容易生物降解。用於含唑的抗蝕劑的習用廢水處理中，使用具有高氧化力的氧化劑、諸如臭氧(O3
)、紫外(UV)光、過氧化氫、或組合此等氧化劑的先進氧化方法來分解唑化合物以處理收集廢水。由於唑化合物的高化學穩定性，移除唑的習用方法有多項缺點。例如，對任何上述習用方法而言，分解反應需要大量化學品，從而增加處理成本。此與現代半導體裝置整合度的提高相結合，增加每個晶圓或微晶片執行的精細拋光步驟的數目，從而增加製造的需要處理的CMP廢水的體積。
根據一或多個具體實例，提供處理包含唑的CMP廢水的方法。所述處理CMP廢水的方法可包括提供具有第一唑濃度的廢水。所述方法可另外包括將廢水導入廢水處理系統的入口，所述廢水處理系統經建構及佈置以製造自由基並將其導入廢水。所述方法可額外地包括活化廢水處理系統以製造足以降低廢水中的唑濃度的自由基的量並將其導入廢水以及製造具有第二唑濃度的經處理的水，第二唑濃度小於第一唑濃度。
一些具體實例中，第一唑濃度可為約20 mg/L至約200 mg/L。例如，第一唑濃度可為約20 mg/L至約60 mg/L、約30 mg/L至約80 mg/L、約40 mg/L至約100 mg/L、約50 mg/L至約120 mg/L、約60 mg/L至約150 mg/L、約70 mg/L至約160 mg、約80 mg/L至約180 mg/L、或約100 mg/L至約200 mg/L。某些具體實例中，第一唑濃度可為約40 mg/L至約150 mg/L。另外具體實例中，第一唑濃度可為約80 mg/L至約100 mg/L。
一些具體實例中，第一唑濃度可為約20 mg/L、約30 mg/L、約40 mg/L、約50 mg/L、約60 mg/L、約70 mg/L、約80 mg/L、約90 mg/L、約100 mg/L、約110 mg/L、約120 mg/L、約130 mg/L、約140 mg/L、約150 mg/L、約160 mg/L、約170 mg/L、約180 mg/L、約190 mg/L、或約200 mg/L。某些具體實例中，第一唑濃度可超過200 mg/L，諸如大於約225 mg/L、約250 mg/L、或約300 mg/L。此揭示不受到第一唑濃度的限制。
一些具體實例中，使用廢水處理系統處理廢水可製造具有小於約10 mg/L、例如小於約10 mg/L、小於約9 mg/L、小於約8 mg/L、小於約7 mg/L、小於約6 mg/L、小於約5 mg/L、小於約4 mg/L、小於約3 mg/L、小於約2 mg/L、或小於約1 mg/L的第二唑濃度的經處理的水。將經處理的水中的唑濃度降低至小於約10 mg/L可用於操作至少一種下游水處理方法，諸如生物水處理系統。下游處理方法可為用於進一步處理或拋光水的任何方法，且本發明不受限於下游水處理方法的類型。或者，可不經另外處理排放經處理的水。
圖1例示處理包含唑的CMP廢水的方法的總體示意圖。參考圖1，方法可包括提供來自廢水源的廢水的步驟102。在步驟104可將廢水導入廢水處理系統。在導入廢水處理系統之前，方法可包括量測廢水的唑濃度及TOC濃度中至少一種的步驟101a。作為視需要的步驟，由虛線框顯示，方法可包括用額外的水處理方法(諸如離子交換方法或過濾方法)處理廢水的步驟103a。一旦廢水已被導入廢水處理系統，所述方法可包括活化廢水處理以製造足以降低廢水中的唑濃度的自由基的量並將其導入廢水的步驟106。在步驟108，自由基分解廢水中的唑以製造經處理的水。方法可包括量測經處理的水的唑濃度及TOC濃度中至少一種的步驟101b。方法可包括用額外的水處理方法(諸如離子交換方法或過濾方法)處理經處理的水的視需要的步驟103b。方法可另外包括將經處理的水提供至下游處理方法的額外步驟110，諸如生物處理或本領域技術人員已知的任何其它水處理方法。
一些具體實例中，CMP廢水中的唑可為任何不同數目唑化合物的混合物。例如，包含唑混合物的唑可選自由以下組成之群：咪唑、吡唑、唑、異唑、噻唑、異噻唑、硒唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,3,4-噻二唑、四唑、1,2,3、4-噻三唑、苯并三唑、鄰-甲苯基三唑、間-甲苯基三唑、對-甲苯基三唑、5-乙基苯并三唑、5-正-丙基苯并三唑、5-異丁基苯并三唑、及4-甲基苯并三唑、及其組合。某些具體實例中，包含唑混合物的唑可選自由以下組成之群：咪唑、吡唑、唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,5-二唑、苯并三唑、鄰-甲苯基三唑、間-甲苯基三唑、對-甲苯基三唑、及5-乙基苯并三唑。其它唑可與其它有機及無機組分(諸如本文所述的研磨劑、金屬及界面活性劑)一起作為唑混合物的一部分包括在內。某些具體實例中，唑混合物可包括至少1,2,4-三唑。
一些具體實例中，CMP廢水可包括有助於背景TOC的額外的有機化合物。因此，CMP廢水的TOC濃度可高於唑的濃度。例如，CMP廢水的TOC濃度可為多於100 mg/L、諸如大於150 mg/L、大於175 mg/L、大於200 mg/L、或更高。處理方法期間，降低TOC濃度可作為降低總唑濃度的替代。例如，CMP廢水中的唑濃度及TOC濃度可具有約略的線性關係，即當唑濃度減少，TOC濃度減少。藉由量測處理之前廢水的TOC濃度及對經處理的水進行平行量測來測定添加至CMP廢水用於處理的試劑量。
一些具體實例中，用於從CMP廢水移除唑的廢水處理系統可為先進氧化方法(AOP)。特別的具體實例中，AOP可為使用與有機分子及/或氧化劑的光化學反應的光化學AOP。例如，紫外線(UV)處理已顯示有效移除穩定的有機分子。UV處理通常使用氧化鹽的UV活化來去除各種有機物質。可使用任何強氧化劑。一些非限制具體實例，可使用過硫酸鹽化合物。至少一些具體實例中，可使用過硫酸銨、過硫酸鈉、及/或過硫酸鉀中的至少一種。其它非限制具體實例中，可使用過氧化物化合物諸如過氧化氫。CMP廢水可加入氧化劑。
用UV輻射活化氧化鹽的反應可根據化學方程式(1)及(2)產生、分別相當於過氧化物及過硫酸鹽：
H2
O2
→ 2 HO·
(1)
S2
O8 2-
→ 2 SO4 · -
(2)
一些具體實例中，CMP廢水中過硫酸鹽與TOC的比，即處理前加至廢水的過硫酸鹽相對量可為約10：1至約50：1，例如約10：1、約15：1、約20：1、約25：1、約30：1、約35：1、約40：1、約45：1、或約50：1。非限制具體實例中，25：1及50：1的過硫酸鹽與TOC的比可降低CMP廢水中的唑濃度至小於約10 mg/L。一些具體實例中，CMP廢水中過氧化物與TOC的比可為約5：1至約25：1、例如，約5：1、約10：1、 約15：1、約20：1、或約25：1。另外的非限制具體實例中，15：1及25：1的過氧化物與TOC的比可降低CMP廢水的唑濃度至小於約10 mg/L。
一些具體實例中，用於使用AOP處理的CMP廢水的pH可為酸性，即小於7。例如，CMP廢水的pH可為約3。可使用任何已知的不會干擾水處理系統的pH改質劑維持酸性pH，諸如酸如硫酸或酸鹽。或者，CMP廢水的pH可為鹼性，即大於7。例如，CMP廢水的pH可為約9。可使用任何已知的不會干擾水處理系統的pH改質劑維持鹼性pH，諸如鹼，包括但不限於氫氧化鈉及氫氧化鈣或石灰。
一些具體實例中，加入氧化劑的CMP廢水可暴露於UV光源。例如，本文揭示的方法可包括使用一或多個UV燈，每個UV燈以電磁光譜的UV範圍內的所欲波長發射光。例如，根據一些具體實例，UV燈可具有約180至約280 nm的波長，且一些具體實例中，可具有約185 nm至約254 nm的波長。如本文所述的，氧化劑暴露於UV光會製造自由基，諸如羥基及過硫酸鹽自由基，這些自由基可與CMP廢水中的唑混合物反應及分解，形成經處理的水。
移除有機化合物諸如唑的UV處理為已知，包括Evoqua Water Technologies LLC (Pittsburgh, PA)販售的VANOX®
AOP系統，可用於實施。一些相關專利及專利申請公開案基於所有目的以引用方式整體納入本文，包括美國專利第8,591,730號；8,652,336號；8,961,798號；10,494,281號；美國專利公開案2018/0273412；及PCT/US2019/051861，全部為Evoqua Water Technologies LLC所有。
一些具體實例中，用於從CMP廢水移除唑的廢水處理系統可為溶解鐵處理方法，諸如使用芬頓(Fenton)化學品的廢水處理系統。用於移除唑的芬頓試劑可為藉由添加約500 mg/L至約3,000 mg/L的氧化劑諸如過氧化氫或過硫酸鹽、約50 mg/L至約300 mg/L的可溶性鐵化合物(例如，硫酸亞鐵(Fe2+
))而形成。在添加大量過氧化氫或過硫酸鹽之前，芬頓反應也可分解存在於CPM廢水中任何過氧化氫的至少一部分。芬頓反應可根據化學方程式(3)-(5)產生：
Fe2+
+ H2
O2
→ Fe3+
+ HO·
+ OH¯ (3)
Fe3+
+ H2
O2
→ Fe2+
+ HOO·
+ H+
(4)
Fe2+
+ S2
O8 2-
→ Fe3+
+ SO4 ·-
+ SO4 2-
(5)
過氧化氫及過硫酸鹽自由基的UV光分解形成的羥基及過硫酸鹽，以及由Fe2+
或Fe3+
還原而形成的羥基、氫過氧基及過硫酸鹽自由基可能與CMP廢水中的唑反應並分解為主要成分氮氧化物(NO2
/NO3
)、二氧化碳及水。不希望受到任何特別理論的束縛，分解含氮的有機分子諸如唑可藉由方程式6所例示的反應產生：
Cx
Ny
Hz
+ OH·
→ CO2
+ NO3
+ H2
O (6)
一些具體實例中，當溶解鐵化合物用於處理包含唑的廢水，所述方法可包括在酸性pH將溶解鐵化合物及氧化劑導入廢水以製造自由基來分解唑。藉由添加酸諸如硫酸，pH可經調整或維持在約3、諸如2與5之間pH。導入廢水的氧化劑可包括過氧化物諸如過氧化氫、或過硫酸鹽諸如過硫酸銨、過硫酸鉀、及過硫酸鈉，本發明不受添加作為溶解鐵處理系統一部分的氧化劑種類的限制。如本文所述，當與溶解鐵化合物反應時，過氧化物製造羥基及氫過氧基自由基且過硫酸鹽製造過硫酸鹽自由基。
使用溶解鐵處理系統分解唑期間，會形成包含多餘溶解鐵的副產物。一些具體實例中，所述方法可包括藉著經由提高廢水的pH沉澱來自廢水的含鐵化合物以移除多餘溶解鐵的步驟。藉由添加鹼例如氫氧化鈉、氫氧化鈣、或類似物，廢水的pH可經調整或維持在約6及約10之間的pH諸如pH 9。不希望受到任何特別理論的束縛，提高pH容許形成會沉降在反應容器中的不可溶鐵化合物，諸如氫氧化鐵。沉澱的鐵化合物可在沉降後被移除，留下經處理的水。
用於移除廢水中有機化合物的溶解鐵處理系統揭示於Evoqua Water Technologies LLC的US 2019/0127247，基於所有目的其揭露內容以引用方式整體納入本文。
一些具體實例中，用於從CMP廢水移除唑的廢水處理系統可包括電-氧化方法。電-氧化方法可包含用於分解CMP廢水中的唑的電化學電池。電化學電池通常可包括二個電極，即陰極及陽極。也可例如在陽極附近使用參考電極。
一些具體實例中，陰極可為各種材料建構。一些非限制具體實例中，陰極可由不銹鋼、銅、鈷、鎳合金、鈦或DSA材料製成。DSA材料可未經塗佈或可塗佈貴金屬或金屬氧化物諸如Pt或IrO2
等。
一些具體實例中，陽極可為特徵為高析氧過電位的材料建構。一些具體實例中，陽極可由硼摻雜鑽石(BDD)、通式Tin
O2n-1
(其中n = 4-10，包括端值)的馬格內利相(Magnéli phase)氧化鈦或多孔材料(諸如在合適的黏結基質諸如聚四氟乙烯(PTFE)中的活性碳)建構。
在操作中，含有唑的CMP廢水流可經導入電化學電池進行處理。電化學電池包括用於在電極表面製造自由基的氧化劑，諸如本文所述的過硫酸鹽或過氧化氫。可在陽極或陰極施加電壓以製造自由基物質與唑反應並產生經處理的水。如本文所述，經處理的水可經引導至另外的處理系統諸如離子交換、被送到使用點，或者以其他方式排放。
用於分解廢水中的有機分子的電化學電池描述於Evoqua Water Technologies LLC的WO 2020/041712、PCT/US2020/012648及PCT/US2020/038029，基於所有目的其揭露內容以引用方式整體納入本文。
對於本文所述的任何廢水處理系統，與CMP廢水結合的試劑量與廢水的性質諸如廢水溫度、唑的總濃度、背景TOC濃度及廢水的pH有關。試劑量可以進一步與廢水處理系統的物理性質諸如廢水處理系統組件之間的入口及/或出口流速以及將水排出系統的要求有關。在處理水的方法的一些具體實例中，在導入廢水處理系統之前，可測量唑的濃度、TOC濃度、流速及視需要的廢水的pH。唑的濃度、TOC濃度、流速及廢水的pH可以藉由位於廢水處理系統上游的適當建構及佈置的感測器或儀表來量測。由感測器產生的信號可被送至經配置以調節試劑添加至CMP廢水的控制器或其它系統組件。
在處理水的方法的一些具體實例中，可量測經處理的水的唑的濃度及/或TOC濃度。如同廢水處理系統上游的量測一般，唑的濃度及/或TOC濃度可藉由位於廢水處理系統下游的適當建構及佈置的感測器來量測。第二組唑濃度及/或TOC濃度感測器可用於確定經處理的水是否已經充分處理且準備排放，或者經處理的水是否需要另外處理，諸如藉由添加更多製造如本文所述的自由基的試劑的另外處理或者在一或多個額外的如本文所述的廢水處理系統的另外處理或本領域技術人員已知的任何其它水處理系統的另外處理。
一些具體實例中，處理水的方法可包括使用額外的處理系統處理廢水或經處理的水。例如，廢水及/或經處理的水可使用離子交換系統處理以移除金屬離子。如本文所述，CMP廢水通常包括銅且可包含與半導體加工有關聯的其它金屬離子，諸如硼、磷、或砷。金屬離子應該在排放水之前被移除。移除金屬的處理可在使用廢水處理系統處理廢水之前進行或在製造經處理的水之後進行。一些具體實例中，廢水及/或經處理的水可使用過濾系統處理。例如，CMP廢水可在導入AOP系統諸如UV-過硫酸鹽AOP或UV-過氧化物AOP之前使用過濾系統處理。不希望受到任何特別理論的束縛，廣譜UV光通過水的透射率與水的光學性質有關，並且如果廢水混濁或渾濁，則透射率可降低。在用廢水系統處理之前用過濾系統諸如微過濾或超過濾處理廢水可以改善廢水的澄清度，因此改善UV-AOP廢水處理系統的有效性。或者，可以在處理之後使用過濾系統處理廢水，以除去在處理期間產生的任何固體，諸如來自溶解鐵處理方法或用於處理廢水的任何其它處理期間的沉澱鐵化合物。本領域技術人員可以理解，用於處理廢水及/或經處理的水的任何額外的處理系統可置於系統中的任何需要位置，以產生所欲水品質或總體系統性能。
根據其它態樣，提供促進處理包含唑的CMP廢水的方法。所述促進方法可包含提供廢水處理系統，其具有與具有第一唑濃度的廢水源的連接。第一唑濃度可為約20 mg/L至約200 mg/L，如本文所述。廢水處理系統可經建構及佈置以製造自由基並將其導入廢水。所述方法可另外包含提供控制器，其被配置以至少回應廢水中唑的濃度來至少調節廢水導入處理系統及自由基的製造，以製造具有小於第一唑濃度的第二唑濃度的經處理的水。第二唑濃度可小於約10 mg/L，如本文所述。
一些方法促進的具體實例中，所述方法可另外包含提供至少一種額外的用於廢水的處理系統。一些情況，至少一種額外的處理系統可包括離子交換系統及超過濾系統中的至少一種。一些促進方法的具體實例中，所述方法可另外包含提供第一唑濃度感測器，其經建構及佈置以在導入處理系統之前量測唑濃度。一些促進方法的具體實例中，所述方法可另外包含提供第一TOC濃度感測器，其經建構及佈置以在導入處理系統之前量測TOC濃度。一些促進方法的具體實例中，所述方法可另外包含提供流量計，其經建構及佈置以量測進入廢水處理系統的廢水流。
一些促進方法的具體實例中，提供處理系統可包括提供AOP及溶解鐵處理方法中的至少一種。AOP可為如本文所述的AOP且溶解鐵處理方法可為如本文所述的溶解鐵處理方法。一些具體實例中，AOP可為UV-AOP，諸如UV-過硫酸鹽AOP或UV-過氧化物AOP。當AOP為UV-過硫酸鹽AOP，所述促進方法可另外包含提供過硫酸鹽。當AOP為UV-過氧化物AOP，所述促進方法可另外包含提供過氧化物。當提供溶解鐵處理系統，所述促進方法可另外包括提供可溶性鐵化合物、如本文所述氧化劑及pH調整劑中至少一種。
一些促進方法的具體實例中，所述方法可另外包含提供第二唑濃度感測器，其經配置以量測經處理的水的唑濃度。一些促進方法的具體實例中，所述方法可另外包含第二TOC濃度感測器，其經配置以量測經處理的水的TOC濃度。
處理過的水中的唑濃度可足以操作至少一種下游水處理方法，並且在促進方法的另外具體實例中，所述方法可包括提供下游水處理方法。下游水處理方法可包括生物處理方法，或本領域已知的任何其它廢水處理方法。
一些促進方法的具體實例中，所述方法可另外包括指導使用者將廢水處理系統連接至廢水源。一些促進方法的具體實例中，所述方法可另外包括指導使用者活化廢水處理系統以製造足以降低廢水中的唑濃度的自由基的量並將其導入廢水以及製造經處理的水。實施例
這些及其它具體實例的功能及優點可以從以下實施例更好地理解。這些實施例本質上是用於說明，不被視為以任何方式限制本發明的範圍。實施例 1– 使用 UV- 過硫酸鹽 AOP 從 CMP 廢水移除唑
使用過硫酸鹽與TOC的各種比例處理TOC濃度約為l00 mg/L及pH為3的廢水。廢水的TOC濃度包括背景TOC濃度及包含至少濃度約60 mg/L的1,2,4-三唑的唑混合物的摻料等分。在摻料唑混合物之前，CMP廢水的TOC濃度約50 mg/L。CMP廢水另外包括銅、過氧化氫及其它無機及有機分子。第一步驟為使用超過濾系統預處理廢水，以移除顆粒及提高UV輻射的透射率。以過硫酸鹽與TOC的比例為10：1、25：1及50：1的量將過硫酸鈉加至摻料的廢水。定量的廢水被引至UV反應器的入口，燈被激化以活化廢水中的過硫酸鹽離子而形成過硫酸鹽自由基，與存在的唑及其它有機分子反應。廢水在UV反應器中被處理達140分鐘，每15分鐘量測一次TOC濃度。
過硫酸鹽與TOC的比例分別為10：1、25：1及50：1時，唑及其它有機分子的分解快速開始。過硫酸鹽與TOC的比例為10：1進行處理最慢，在140分鐘操作時間結束時，TOC濃度已降低至約75 mg/L。過硫酸鹽與TOC的比例為25：1及50：1以約略相同速率進行處理，約操作45分鐘後，TOC濃度急劇下降至約10 mg/L。當140分鐘操作時間結束時，TOC濃度約略與操作45分鐘時收集的樣本相同。總唑濃度與從廢水移除TOC的預期趨勢密切吻合，過硫酸鹽與TOC樣本的比例為25：1中的唑濃度被降低至小於約10 mg/L。為了完成CMP廢水的處理，將經處理的水導向離子交換處理方法以移除存在於經處理的水中的銅離子。
從上述數據可看出，使用UV-過硫酸鹽AOP移除唑總體而言是成功的。唑濃度降低至小於10 mg/L，且以1,2,4-三唑濃度量測的唑濃度降低顯示與總體TOC濃度的降低呈正相關。實施例 2– 使用 UV- 過氧化物 AOP 從具有低背景 TOC 的 CMP 廢水移除唑
使用過氧化物系的UV AOP處理TOC濃度約為l00 mg/L及pH為3的廢水。廢水的TOC濃度包括背景TOC濃度及包含至少濃度約60 mg/L的1,2,4-三唑的唑混合物的摻料等分。在摻料唑混合物之前，CMP廢水的TOC濃度約5 mg/L。CMP廢水另外包括銅、其它無機及有機分子及過氧化氫。第一步驟為使用超過濾系統預處理廢水，以移除顆粒及提高UV輻射的透射率。將經過濾的廢水導向UV反應器的入口。UV燈被激化而從存在的起始過氧化氫製造羥基自由基，與存在的唑及其它有機分子反應。廢水在UV反應器中被處理達140分鐘，每15分鐘量測一次TOC濃度。
在前15分鐘操作時間後，然後對CMP廢水添加約1,500 mg/L過氧化氫。在添加過氧化氫劑量後，唑及其它有機分子的分解快速地開始且在60分鐘操作時間後達到平穩，在60分鐘時間標記處量測的TOC濃度約20 mg/L。使反應完成140分鐘操作時間，完成操作後的TOC濃度經量測為約10 mg/L。以1,2,4-三唑濃度量測的唑濃度在實驗結束時降低至約7 mg/L。過氧化氫濃度與TOC濃度呈線性關係，在60分鐘操作時間幾乎被消耗掉。為了完成CMP廢水的處理，將經處理的水導向離子交換處理方法以移除存在於經處理的水中的銅離子。
從上述數據可看出，使用UV-過氧化物AOP從具有低背景TOC的CMP廢水移除唑總體而言是成功的。唑濃度降低至小於10 mg/L，且以1,2,4-三唑濃度量測的唑濃度降低顯示與總體TOC濃度的降低呈正相關。實施例 3– 使用 UV- 過氧化物 AOP 從具有高背景 TOC 的 CMP 廢水移除唑
使用過氧化物系的UV AOP處理TOC濃度約為200 mg/L及pH為3的廢水。CMP廢水的TOC濃度包括約100 mg/L的高背景TOC濃度及約100 mg/L的包含至少1,2,4-三唑的唑混合物的摻料等分。CMP廢水另外包括銅、其它無機及有機分子以及過氧化氫。第一步驟為使用超過濾系統預處理廢水，以移除顆粒及提高UV輻射的透射率。將經過濾的廢水導向UV反應器的入口。UV燈被激化而從存在的起始過氧化氫製造羥基自由基，與存在的唑及其它有機分子反應。廢水在UV反應器中被處理達140分鐘，每15分鐘量測一次TOC濃度。
在前15分鐘操作時間後，然後對CMP廢水添加約3,000 mg/L過氧化氫。在添加過氧化氫劑量後，唑及其它有機分子的分解緩慢地開始且以相對穩定的速率持續。反應在90分鐘操作時間之後達到平穩，量測的TOC濃度為約20 mg/L且以1,2,4-三唑濃度量測的唑濃度為約3 mg/L。此時間點，添加額外的約1,000 mg/L的過氧化氫劑量。在140分鐘操作時間結束時，額外的過氧化氫將TOC濃度降低至約10 mg/L且將唑濃度降低至小於1 mg/L。過氧化氫濃度及唑濃度與TOC濃度呈線性關係，並且對於額外的過氧化氫劑量，在90分鐘操作時間幾乎被消耗掉，而在140分鐘的操作時間再次被消耗。為了完成CMP廢水的處理，將經處理的水導向離子交換處理方法以移除存在於經處理的水中的銅離子。
從上述數據可看出，使用UV-過氧化物AOP從CMP廢水移除唑總體而言是成功的。降低TOC及唑濃度所需的過氧化物量與CMP廢水中的初始TOC及唑濃度具有預期的相關性。唑濃度降低至小於1 mg/L，且唑濃度降低顯示與總體TOC濃度的降低呈正相關。實施例 4– 使用 UV- 過氧化物 AOP 從具有高背景 TOC 及高 pH 的 CMP 廢水移除唑
使用過氧化物系的UV AOP處理TOC濃度大於約為200 mg/L及pH為8的廢水。CMP廢水的TOC濃度包括大於約100 mg/L的高背景TOC濃度及約100 mg/L的包含至少濃度約60mg/L的1,2,4-三唑的唑混合物的摻料等分。CMP廢水另外包括銅、其它無機及有機分子以及過氧化氫。第一步驟為使用超過濾系統預處理廢水，以移除顆粒及提高UV輻射的透射率。將經過濾的廢水導向UV反應器的入口。UV燈被激化而從存在的起始過氧化氫製造羥基自由基，與存在的唑及其它有機分子反應。廢水在UV反應器中被處理達140分鐘，每15分鐘量測一次TOC濃度。處理期間，藉由在每一次TOC量測期間添加氫氧化鈉，將pH保持在8。
在前15分鐘操作時間後，然後對CMP廢水添加約3,000 mg/L過氧化氫。在添加過氧化氫劑量後，唑及其它有機分子的分解緩慢地開始，速率並未改變。在90分鐘操作時間標記處，添加額外劑量約1,000 mg/L的過氧化氫，量測的TOC濃度具有約75 mg/L數值。在140分鐘操作時間結束時，額外的過氧化氫將TOC濃度降低至約60 mg/L。過氧化氫濃度與TOC濃度約略線性相關，但是消耗的比TOC降低的快。140分鐘操作時間之後，過氧化氫的殘留濃度為約500 mg/L。為了完成CMP廢水的處理，將經處理的水導向離子交換處理方法以移除存在於經處理的水中的銅離子並且經由額外的處理步驟以移除多餘的過氧化氫。
從上述數據可看出，使用UV-過氧化物AOP從CMP廢水移除唑為部分成功的。降低TOC及唑濃度所需的過氧化物量與CMP廢水中的初始TOC及唑濃度具有預期的相關性。TOC濃度降低至小於60 mg/L，並且由於TOC及唑濃度約略相關，因此即使高背景pH值也可能會干擾從過氧化氫製造自由基。實施例 5– 使用芬頓試劑從 CMP 廢水移除唑
處理具有TOC濃度約110 mg/L且pH為3的CMP廢水。廢水的TOC濃度包括背景TOC濃度及包含至少約60 mg/L的1,2,4-三唑的唑混合物的摻料等分二者。在摻料唑混合物之前，CMP廢水的TOC濃度約50 mg/L。CMP廢水另外包括銅及其它無機及有機分子。將濃度為1000 mg/L的硫酸亞鐵及過氧化氫加至CMP廢水，以提供約10：1比例的過氧化物與TOC。將呈硫酸亞鐵形式的亞鐵加至濃度約10 mg/L及約100 mg/L的CMP廢水。
在溶解的亞鐵濃度為10 mg/L時，分解反應緩慢地開始，並在約30分鐘後達到平穩狀態。在6小時操作時間結束時，TOC已降低至約90 mg/ L，1,2,4-三唑的濃度從約60 mg/L降低至約50 mg/L，過氧化物濃度降低至小於約500 mg/L。
在溶解的亞鐵濃度為100 mg/L時，分解反應開始緩慢，然後以相對穩定的速率持續約6個小時。在6小時操作時間結束時，TOC已降低至約60 mg/L，1,2,4-三唑的濃度從約60 mg/L降低至0 mg/L，過氧化物的濃度已降低至約小於300 mg/L。為了完成10 mg/L及100 mg/L的反應，使用氫氧化鈉或氫氧化鈣將pH升至約9，以引起氫氧化鐵沉澱並分解任何殘留的過氧化氫。
從上述數據可看出，使用芬頓試劑從CMP廢水移除唑總體而言是成功的。降低TOC及唑濃度需要亞鐵及過氧化物的量與CMP廢水中的起始TOC及唑濃度具有預期的相關性。如預期一般，由於製造自由基種類不足，使用較低濃度的亞鐵移除唑的效果較差。在較高劑量的亞鐵，以1,2,4-三唑的濃度量測的唑濃度降低至0 mg/L，唑濃度的降低與總體TOC濃度的降低呈正相關。
本文所使用之措詞及術語係出於描述之目的且不應被視為限制性。如本文所用，用語「複數」指的是二或更多個項目或組件。無論在說明內容或申請專利範圍或類似者之用語「包含」、「包括」、「帶有」、「具有」、「含有」及「涉及」為開放式用語，即意指「包括但不限於」。因此，使用此等用語意指涵蓋其後所列出之項目及其等效者，以及額外項目。相對於申請專利範圍，僅「由…組成(consisting of)」及「基本上由…組成(consisting essentially of)」等過渡片語分別是封閉式或半封閉式過渡片語。僅過渡短語「由組成」和「基本上由組成」分別是關於權利要求的封閉或半封閉過渡短語。在申請專利範圍中使用諸如「第一」、「第二」、「第三」及類似者的順序用語來修飾請求元件本身並不意味著一個請求元件相對於另一個的任何優先順序、優先次序或順序或者執行方法的時間順序，而是僅用作將具有某名稱的一個請求元件與具有相同名稱(但使用序數用詞)的另一個元件區分的標籤以區分請求元件。
因此，已描述至少一個具體實例的幾個態樣，所屬技術領域的技術人員將容易想到各種改變、修飾及改進。在任何具體實例中描述的任何特徵可包括在任何其他具體實例的任何特徵中或代替任何其他具體實例的任何特徵。此等改變、修飾及改進旨在作為本揭示的一部分，且旨在落入本發明的範圍內。因此，前述說明及圖式僅作為例示。所屬技術領域的技術人員應理解的是，本文描述的參數及配置是例示性的，且實際參數及/或配置將與揭示方法及材料的特定應用的使用有關。所屬技術領域的技術人員還應該認識到或能夠僅使用常規實驗就能確定所揭示的具體實例的等同方案。
無
無意按比例繪製圖式。圖式中所示每個相同或幾乎相同的組件以類似數字表示。為了明確起見，圖式並沒有標記每個組件。圖式中：
[圖1]提供根據一個具體實例的處理包含唑的CMP廢水的方法的總體示意圖。
101a:量測唑及/或TOC濃度
101b:量測唑及/或TOC濃度
102:CMP廢水源
103a:IX或其它處理
103b:IX或其它處理
104:將廢水導入廢水處理系統
106:活化廢水處理系統
108:製造經處理的水
110:另外加工
Claims (58)
- 一種處理包含唑之化學機械拋光(CMP)廢水之方法，該方法包含： 提供具有第一唑濃度的廢水； 將該廢水導入廢水處理系統的入口，該廢水處理系統經建構及佈置以製造自由基並將其導入該廢水；以及 活化該廢水處理系統以製造足以降低該廢水中的唑濃度的自由基的量並將其導入該廢水以及製造具有第二唑濃度的經處理的水，該第二唑濃度小於該第一唑濃度。
- 如請求項1方法，其中該第一唑濃度為約20 mg/L至約200 mg/L。
- 如請求項2方法，其中該第一唑濃度為約40 mg/L至約150 mg/L。
- 如請求項3方法，其中該第一唑濃度為約80 mg/L至約100 mg/L。
- 如請求項1之方法，其中該第二唑濃度為小於約10 mg/L。
- 如請求項1之方法，其中該經處理的水中的唑濃度足以用於至少一種下游水處理方法的操作。
- 如請求項1之方法，其中提供該廢水包含提供具有唑混合物的廢水。
- 如請求項7之方法，其中提供該具有唑混合物的廢水包含提供具有選自由以下組成之群之唑混合物之廢水：咪唑、吡唑、唑、異唑、噻唑、異噻唑、硒唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,3,4-噻二唑、四唑、1,2,3,4-噻三唑、苯并三唑、鄰-甲苯基三唑、間-甲苯基三唑、對-甲苯基三唑、5-乙基苯并三唑、5-正-丙基苯并三唑、5-異丁基苯并三唑及4-甲基苯并三唑。
- 如請求項7之方法，其中提供該具有唑混合物的廢水包含提供具有選自由以下組成之群之唑混合物之廢水：咪唑、吡唑、唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,5-二唑、苯并三唑、鄰-甲苯基三唑、間-甲苯基三唑、對-甲苯基三唑及5-乙基苯并三唑。
- 如請求項9之方法，其中提供該具有唑混合物的廢水包含提供包括至少1,2,4-三唑之廢水。
- 如請求項1之方法，另外包含使用離子交換處理系統處理該廢水及該經處理的水中的至少一種。
- 如請求項1之方法，另外包含在將該廢水導入該廢水處理系統的該入口之前量測該廢水中的唑濃度。
- 如請求項1之方法，另外包含在將該廢水導入該廢水處理系統的該入口之前量測該廢水中的總有機碳(TOC)濃度。
- 如請求項1之方法，其中將該廢水導入該廢水處理系統的該入口包含將該廢水導入廢水處理系統的入口，該廢水處理系統選自先進氧化方法(AOP)及溶解鐵處理方法中的至少一種。
- 如請求項14之方法，其中將該廢水導入該AOP的該入口包含將該廢水導入紫外線(UV)-AOP的入口。
- 如請求項15之方法，另外包含在導入該UV-AOP之前用過濾系統處理該廢水。
- 如請求項15或16之方法，其中將該廢水導入該紫外線(UV)-AOP的該入口包含將該廢水導入UV-過硫酸鹽AOP的入口。
- 如請求項17之方法，其中將該廢水導入該UV-過硫酸鹽AOP的該入口包含至少基於該廢水中的該唑濃度將過硫酸鹽離子導入該廢水。
- 如請求項18之方法，其中活化該UV-過硫酸鹽AOP包含使該廢水中的該等過硫酸鹽離子暴露於UV光以製造過硫酸鹽自由基。
- 如請求項15或16之方法，其中將該廢水導入該紫外線(UV)-AOP的該入口包含將該廢水導入UV-過氧化物AOP的入口。
- 如請求項20之方法，其中將該廢水導入該UV-過氧化物AOP的該入口包含至少基於該廢水中的該唑濃度將過氧化物導入該廢水。
- 如請求項21之方法，其中活化該UV-過氧化物AOP包含使該廢水中的該等過氧化物離子暴露於UV光以製造羥基或氫過氧基(hydroperoxyl)自由基。
- 如請求項14之方法，其中將該廢水導入該廢水處理系統的該入口包含將該廢水導入溶解鐵處理方法的入口。
- 如請求項23之方法，另外包含在將該廢水導入該溶解鐵處理方法之前降低該廢水的pH。
- 如請求項24之方法，其中將該廢水導入溶解鐵處理方法的入口包含在酸性pH將溶解鐵化合物及氧化劑導入該廢水。
- 如請求項25之方法，其中將該廢水導入溶解鐵處理方法的入口包含在酸性pH將溶解鐵化合物及過硫酸鹽離子導入該廢水以製造過硫酸鹽自由基。
- 如請求項25之方法，其中將該廢水導入溶解鐵處理方法的入口包含在酸性pH將溶解鐵化合物及過氧化物導入該廢水以製造羥基及/或氫過氧基自由基。
- 如請求項25-27中任一項之之方法，另外包含藉由提高該廢水的pH以沉澱來自該廢水的含鐵化合物以製造該經處理的水。
- 如請求項1之方法，另外包含量測該經處理的水中的該第二唑濃度。
- 如請求項29之方法，另外包含量測該經處理的水的該TOC濃度。
- 如請求項30之方法，其中該量測的TOC濃度與經處理的水中量測的第二唑濃度相關。
- 如請求項2之方法，另外包含將該經處理的水導入該下游處理方法。
- 如請求項32之方法，其中將經處理的水導入該下游處理方法包含將該經處理的水導入生物處理方法。
- 如請求項1之方法，另外包含排放該經處理的水。
- 一種促進處理包含唑的CMP廢水之方法，該方法包含： 提供廢水處理系統，其具有與具有第一唑濃度的廢水源的連接，該廢水處理系統經建構及佈置以製造自由基並將其導入該廢水；及 提供控制器，其經配置為至少回應於該廢水中的唑濃度來至少調節廢水導入該處理系統及自由基的製造，以製造具有第二唑濃度的經處理的水，第二唑濃度小於第一唑濃度。
- 如請求項35之方法，其中該第一唑濃度為約20 mg/L至約200 mg/L。
- 如請求項36之方法，其中該第一唑濃度為約40 mg/L至約150 mg/L。
- 如請求項37之方法，其中該第一唑濃度為約80 mg/L至約100 mg/L。
- 如請求項35之方法，其中該第二唑濃度為小於約10 mg/L。
- 如請求項35之方法，另外包含提供至少一種用於該廢水額外的處理系統，該額外的處理系統包含離子交換系統及過濾系統中的至少一種。
- 如請求項35之方法，另外包含提供第一唑濃度感測器，其經建構及佈置以在導入該處理系統之前量測該第一唑濃度。
- 如請求項35之方法，另外包含提供第一TOC濃度感測器，其經建構及佈置以在導入該處理系統之前量測TOC濃度。
- 如請求項35之方法，另外包含提供流量計，其經建構及佈置以量測廢水進入該廢水處理系統的流量。
- 如請求項35之方法，其中提供該廢水處理系統包含提供AOP及溶解鐵處理方法中的至少一種。
- 如請求項44之方法，其中提供該AOP包含提供UV-過硫酸鹽AOP。
- 如請求項45之方法，另外包含提供過硫酸鹽。
- 如請求項44之方法，其中提供該AOP包含提供UV-過氧化物AOP。
- 如請求項47之方法，另外包含提供過氧化物。
- 如請求項44之方法，其中提供該溶解鐵處理方法包含提供可溶性鐵化合物、氧化劑及pH調整劑中的至少一種。
- 如請求項49之方法，其中提供該溶解鐵處理方法包含提供可溶性鐵化合物、過硫酸鹽及pH調整劑中的至少一種。
- 如請求項49之方法，其中提供該溶解鐵處理方法包含提供可溶性鐵化合物、過氧化物及pH調整劑中的至少一種。
- 如請求項41之方法，另外包含提供第二唑濃度感測器，其經配置以量測該經處理的水的該第二唑濃度。
- 如請求項42之方法，另外包含提供第二TOC濃度感測器，其經配置以量測該經處理的水的該TOC濃度。
- 如請求項35之方法，其中該經處理的水中的該唑濃度足以用於操作至少一種下游水處理方法。
- 如請求項54之方法，另外包含提供該下游水處理方法。
- 如請求項55之方法，其中提供用於該經處理的水的該下游處理系統包含提供生物處理方法。
- 如請求項35之方法，另外包含指示使用者將該廢水處理系統連接至該廢水源。
- 如請求項56之方法，另外包含指示該使用者活化該廢水處理系統以製造足以降低該廢水中的該唑濃度的自由基的量並將其導入該廢水以及製造該經處理的水。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962891580P | 2019-08-26 | 2019-08-26 | |
| US62/891,580 | 2019-08-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202110749A true TW202110749A (zh) | 2021-03-16 |
Family
ID=74683349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109129165A TW202110749A (zh) | 2019-08-26 | 2020-08-26 | 唑的處理 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220298045A1 (zh) |
| EP (1) | EP4021858A4 (zh) |
| JP (1) | JP2022546207A (zh) |
| KR (1) | KR20220053639A (zh) |
| CN (1) | CN114341062A (zh) |
| CA (1) | CA3146339A1 (zh) |
| IL (1) | IL290756A (zh) |
| TW (1) | TW202110749A (zh) |
| WO (1) | WO2021041459A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115849621A (zh) * | 2022-12-16 | 2023-03-28 | 湖南化工研究院有限公司 | 用于二氟吡唑酸生产废水处理的水解剂及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0124499Y1 (ko) * | 1995-03-30 | 1998-08-17 | 지은상 | 실리콘웨이퍼폐수의 재이용장치 |
| US6040455A (en) * | 1999-01-21 | 2000-03-21 | Ciba Specialty Chemicals Corporation | One-pot process for the preparation of 5-sulfonyl-substituted benzotriazoles UV absorbers |
| JP2002035773A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-05 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | ベンゾトリアゾール含有廃水の処理方法及び装置 |
| AU2002322559A1 (en) * | 2001-07-20 | 2003-03-03 | Microbar, Inc. | Reverse osmosis pretreatment using low pressure filtration |
| US6991735B2 (en) * | 2002-02-26 | 2006-01-31 | Usfilter Corporation | Free radical generator and method |
| TW593164B (en) * | 2003-07-30 | 2004-06-21 | Min-Shing Tsai | Integrated technology in sequential treatment of organics and heavy metal ions wastewater |
| GB0318017D0 (en) * | 2003-08-01 | 2003-09-03 | Shipley Co Llc | Methods for recovering metals |
| TWI309579B (en) * | 2003-11-06 | 2009-05-11 | Sanyo Electric Co | Method for preparing coagulant, and method for coagulation treatment of fluid |
| WO2007146671A2 (en) * | 2006-06-06 | 2007-12-21 | Fluid Lines | Ultaviolet light activated oxidation process for the reduction of organic carbon in semiconductor process water |
| US8961798B2 (en) * | 2007-04-03 | 2015-02-24 | Evoqua Water Technologies Llc | Method for measuring a concentration of a compound in a liquid stream |
| JP5412805B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2014-02-12 | 栗田工業株式会社 | アゾール系銅用防食剤含有水の処理方法 |
| JP2010155181A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Kurita Water Ind Ltd | トリアゾール誘導体含有排水の生物処理方法 |
| CN101758457B (zh) * | 2010-01-19 | 2012-05-30 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种化学机械抛光液回收和重复利用的方法 |
| CN103803715A (zh) * | 2012-11-07 | 2014-05-21 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种处理铜/铜阻挡层抛光液的废液的方法 |
| CN113428970A (zh) * | 2014-06-05 | 2021-09-24 | 苏伊士水务工程公司 | 用于处理含有唑系和唑类化合物的水的臭氧氧化方法 |
| CA2979757C (en) * | 2015-05-04 | 2023-12-19 | Evoqua Water Technologies Llc | Method and system for providing ultrapure water with flexible lamp configuration |
-
2020
- 2020-08-26 JP JP2022506530A patent/JP2022546207A/ja active Pending
- 2020-08-26 CA CA3146339A patent/CA3146339A1/en active Pending
- 2020-08-26 WO PCT/US2020/047870 patent/WO2021041459A1/en unknown
- 2020-08-26 US US17/638,853 patent/US20220298045A1/en active Pending
- 2020-08-26 KR KR1020227010176A patent/KR20220053639A/ko unknown
- 2020-08-26 EP EP20858834.3A patent/EP4021858A4/en active Pending
- 2020-08-26 TW TW109129165A patent/TW202110749A/zh unknown
- 2020-08-26 CN CN202080059733.6A patent/CN114341062A/zh active Pending
-
2022
- 2022-02-20 IL IL290756A patent/IL290756A/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA3146339A1 (en) | 2021-03-04 |
| CN114341062A (zh) | 2022-04-12 |
| WO2021041459A1 (en) | 2021-03-04 |
| KR20220053639A (ko) | 2022-04-29 |
| IL290756A (en) | 2022-04-01 |
| US20220298045A1 (en) | 2022-09-22 |
| EP4021858A4 (en) | 2022-12-28 |
| EP4021858A1 (en) | 2022-07-06 |
| JP2022546207A (ja) | 2022-11-04 |
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