TW202103520A - 具有高度對稱四重式氣體注入的電漿反應器 - Google Patents

具有高度對稱四重式氣體注入的電漿反應器 Download PDF

Info

Publication number
TW202103520A
TW202103520A TW109125558A TW109125558A TW202103520A TW 202103520 A TW202103520 A TW 202103520A TW 109125558 A TW109125558 A TW 109125558A TW 109125558 A TW109125558 A TW 109125558A TW 202103520 A TW202103520 A TW 202103520A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
gas injection
injection channel
wires
supply
Prior art date
Application number
TW109125558A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI747402B (zh
Inventor
研 洛正佐
凱爾 坦汀汪
以馬德 尤瑟夫
弗拉德米爾 肯納席克
沙莫 巴那
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW202103520A publication Critical patent/TW202103520A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI747402B publication Critical patent/TWI747402B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4558—Perforated rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

一種電漿反應器的環形蓋板具有上層及下層氣體分配通道，該等氣體分配通道沿著相等長度路徑從氣體供應接線分配氣體至頂部氣體噴嘴的各自的氣體分配通道。

Description

具有高度對稱四重式氣體注入的電漿反應器
本揭示案係關於用於處理工件（諸如半導體晶圓）之電漿反應器的氣體注入系統。
控制電漿反應器之腔室中的製程氣體分配影響電漿處理期間工件的蝕刻速率分配或沉積速率分配的製程控制。安裝在腔室頂部上的可調諧的氣體注入噴嘴可具有針對不同區域（諸如中心區域及側面區域）的不同之注入狹縫。分離的氣體輸入可供應不同之注入狹縫，及單獨的流動速率控制可經提供用於每一氣體輸入。每一氣體輸入可經由不同氣流路徑供應相對應的注入狹縫的不同部分。期望的是，出於均勻性目的，來自特定氣體輸入的不同氣流路徑具有相等長度。然而，針對所有輸入及噴嘴，使得氣體輸入至噴嘴的路徑長度相等似乎是不可能的，導致氣體分配的非均勻性。
用於電漿反應室的氣體傳輸系統中的環形蓋板具有內部及外部氣體注入通道的氣體噴嘴。環形蓋板界定中心開口及環形蓋板包含：(a)第一及第二複數個氣體出口，耦合至內部及外部氣體注入通道的各者，第一及第二複數個氣體出口的每一者中的氣體出口間隔第一弧長；(b)氣體傳輸塊，包含第一及第二氣體供應通道及(c)第一及第二複數個氣體分配通道，在各自上位準及下位準中。第一及第二複數個氣體分配通道的每一者包含：(a)弧形氣體傳輸通道，該弧形氣體傳輸通道具有連接至一對相對應的氣體出口的一對端部；及(b)弧形氣體供應通道，該弧形氣體供應通道包含連接至第一及第二氣體供應通道中的相對應一者的輸入端及耦合至弧形氣體傳輸通道的中間區的輸出端。
在實施例中，氣體傳輸塊經安置在一位置處，該位置偏離氣體供應通道的每一者的輸出端達第二弧長，以使得第一及第二複數個氣體傳輸通道的氣體供應通道具有相同長度。
在實施例中，第一及第二複數個氣體出口的氣體出口關於環形蓋板的圓周分佈，及第一複數個氣體出口與第二複數個氣體出口沿著圓周交替。
在有關實施例中，第一複數個氣體出口包含第一對氣體出口及弧長對應於半圓，及第二複數個氣體出口包含第二對氣體出口，該第二對氣體出口偏離第一對氣體出口達四分之一圓。
在進一步有關實施例中，氣體傳輸塊經安置在一位置處，該位置偏離氣體供應通道的每一者的輸出端達四分之一圓的弧長。
在一個實施例中，第一及第二複數個氣體分配通道的每一者進一步包含流動轉移元件，該流動轉移元件連接於氣體供應通道的輸出端及氣體傳輸通道的中間區之間。流動轉移元件包含：(a)徑向轉移導管，(b)軸向輸入導管，耦合於氣體供應通道的輸出端及徑向轉移導管的一端之間，及(c)軸向輸出導管，連接於氣體供應通道的中間區及徑向轉移導管的另一端之間。
在實施例中，軸向輸入導管連接氣體供應通道的輸出端中的開口及軸向輸出導管連接氣體供應通道的中間區中的開口。
在進一步的實施例中，氣體噴嘴包含：(a)第一複數個徑向升高供應接線，該第一複數個徑向升高供應接線具有耦合至第一複數個氣體出口的各者的各自輸入端及覆蓋內部氣體注入通道的各自輸出端，(b)第二複數個徑向升高供應接線，該第二複數個徑向升高供應接線具有耦合至第二複數個氣體出口的各者的各自輸入端及覆蓋內部氣體注入通道的各自輸出端，(c)第一複數個軸向下降接線，該第一複數個軸向下降接線連接於各自的輸出端及內部氣體注入通道之間，(d)第二複數個軸向下降接線，該第二複數個軸向下降接線連接於各自的輸出端及外部氣體注入通道之間。
在有關實施例中，(a)第一複數個軸向下降接線在各自的下降點處相交內部氣體注入通道，該等各自的下降點沿著內部氣體注入通道均勻地間隔，及(b)第二複數個軸向下降接線在各自的下降點處相交外部氣體注入通道，該等各自的下降點沿著外部氣體注入通道均勻地間隔。
在有關實施例中，氣體噴嘴進一步包含：(a)第一複數個供應埠，該第一複數個供應埠圍繞氣體噴嘴的周圍均勻地間隔及連接至第一複數個氣體出口的各者，(b)第二複數個供應埠，該第二複數個供應埠圍繞氣體噴嘴的周圍均勻地間隔及連接至第二複數個氣體出口的各者，及該第二複數個供應埠偏離第一複數個氣體供應埠，(c)其中第一複數個供應埠經連接至各對第一複數個徑向升高供應接線，及第二複數個供應埠經連接至各對第二複數個徑向升高供應接線。
在有關實施例中，進一步包含：(a)第一複數個徑向氣體傳輸導管，該第一複數個徑向氣體傳輸導管連接於第一複數個氣體出口及第一複數個供應埠的各者之間，及(b)第二複數個徑向氣體傳輸導管，該第二複數個徑向氣體傳輸導管連接於第二複數個氣體出口及第二複數個供應埠的各者之間。
根據有關態樣，用於電漿反應器的環形蓋板包含：(a)第一及第二複數個氣體出口，該第一及第二複數個氣體出口的每一者中的氣體出口間隔第一弧長，(b)氣體傳輸塊，該氣體傳輸塊包含第一及第二氣體供應通道，(c)各自的上位準及下位準中的第一及第二複數個氣體分配通道。第一及第二複數個氣體分配通道的每一者包含：(a)弧形氣體傳輸通道，該弧形氣體傳輸通道具有連接至一對相對應的氣體出口的一對端，及(b)弧形氣體供應通道，該弧形氣體供應通道包含連接至第一及第二氣體供應通道中相對應的一者的輸入端，及耦合至弧形氣體傳輸通道的中間區的輸出端。
在環形蓋板的一個實施例中，氣體傳輸塊安置在一位置處，該位置偏離氣體供應通道的每一者的輸出端第二弧長使得第一及第二複數個氣體傳輸通道的氣體供應通道具有相同長度。
在環形蓋板的一個實施例中，第一及第二複數個氣體出口的氣體出口關於環形蓋板的圓周分佈，及其中第一複數個氣體出口與第二複數個氣體出口沿著圓周交替。
在環形蓋板的有關實施例中，第一複數個氣體出口包含第一對氣體出口及弧長對應於半圓，及第二複數個氣體出口包含第二對氣體出口，該第二對氣體出口偏離第一對氣體出口達四分之一圓。
在環形蓋板的實施例中，氣體傳輸塊經安置在一位置處，該位置偏離氣體供應通道的每一者的輸出端達四分之一圓的弧長。
在環形蓋板的進一步的實施例中，第一及第二複數個氣體分配通道的每一者進一步包含流動轉移元件，該流動轉移元件連接於氣體供應通道的輸出端及氣體傳輸通道的中間區之間。在一個實施例中，流動轉移元件包含：(a)徑向轉移導管；(b)軸向輸入導管，耦合於氣體供應通道的輸出端及徑向轉移導管的一端之間；及(c)軸向輸出導管，連接於氣體供應通道的中間區及徑向轉移導管的另一端之間。
待解決的問題包括經由在腔室的蓋板中形成的氣體通道傳輸氣體至注入器。一些設計中的蓋板為環形及界定圓形中心開口，該圓形中心開口構造介電窗，RF功率經由該介電窗耦合至腔室中。在氣體供應塊處所有氣體輸入彼此相鄰，複雜化了氣體傳輸。為了來自每一氣體輸入的所有氣流路徑具有相等長度，氣體通道有必要提供突然反向的遞歸路徑。如此造成具有妨礙製程控制的效應之紊流。此外，遞歸氣體通道佔據大的面積，要求環形蓋板具有大的面積，如此限制介電窗相對於腔室的尺寸――此為重要的問題。進一步而言，取決於氣體供應塊的位置，路徑長度顯著不同。
可調諧的氣體噴嘴具有圓形通道，該等圓形通道供應氣體噴嘴的不同注入狹縫。從每一氣體輸入至可調諧的氣體噴嘴的氣體供應沿著直線氣體接線，該直線氣體接線必須相交相對應的圓形通道。然而，供應至圓形通道的氣體動量沿著單個方向，及因此來自直線路徑的氣流在可調諧的氣體噴嘴的圓形通道中偏好單個旋轉方向。此導致非所欲的不對稱及不均勻性。
以下描述的實施例提供完全對稱的氣體分配，該氣體分配對於所有氣體輸入具有均勻的路徑長度及具有於通道平面中無突然的路徑反向之氣體分配通道，及佔據較小的環形面積。以一方式進一步提供至可調諧的氣體注入噴嘴的氣體供應，該氣體供應具有最小的或無方向偏好，在該方式中氣體經引入可調諧的氣體注入噴嘴的圓形通道中。
參看第1A圖，電漿反應器包括圓柱形側壁102及頂部104圍繞的真空腔室100。腔室100內部的工件支撐基座106面向頂部104。頂部104包括具有圓形中心開口110a的環形蓋板110及由中心開口110a構造的盤形介電窗112。可調諧的氣體注入噴嘴114經由介電窗112的中心面對真空腔室100內部及可調諧的氣體注入噴嘴114具有由氣體分配中心120供應的內部及外部圓形氣體注入通道116、118。內部氣體注入通道116為垂直的及引導製程氣體至內部氣體注入區域中，而外部氣體注入通道118為向外成角度的及引導製程氣體至外部氣體注入區域。氣體分配中心120分別供應內部及外部氣體注入通道116、118，如本說明書中將隨後描述的。
製程氣體在氣體傳輸塊124處接收及經由環形蓋板110內部的上組及下組氣體分配通道130、140分配至氣體分配中心120的不同埠。上組氣體分配通道130（第1A圖）處於上平面接近環形蓋板110的頂表面，同時下組氣體分配通道140（第1A圖）處於下平面接近環形蓋板110的底表面。
參看第1B圖，氣體分配中心120具有耦合外部氣體注入通道118的第一對相對氣體供應埠120-1、120-2及耦合內部氣體注入通道116的第二對相對氣體供應埠120-3及120-4。覆蓋介電窗112的第一對徑向氣體傳輸導管150、152分別連接於氣體供應埠對120-1、120-2及環形蓋板110中的上組氣體供應通道130之間。覆蓋介電窗112的第二對徑向氣體傳輸導管154、156分別連接於氣體供應埠對120-3、120-4及環形蓋板110中的下組氣體供應通道140之間。氣體供應埠120-1至120-4圍繞在中心120的周圍以90度間隔安置。在一個實施例中，四個徑向氣體傳輸導管150、152、154、156相對於環形蓋板110的周圍以90度間隔均勻分配及徑向延伸。
氣體傳輸塊124從環形蓋板110的周圍邊緣向外延伸，及氣體傳輸塊124包括連接至上組氣體分配通道130的上部氣體入口162及連接至下組氣體分配通道140的下部氣體入口164。氣體傳輸塊124沿著環形蓋板110的圓周相對於相鄰徑向氣體傳輸導管150及154在45度角位置處定位。
第2圖的頂部視圖最佳圖示上組氣體分配通道130，同時第3A圖的底視圖最佳圖示下組氣體分配通道140。提供氣體通道作為上組及下組氣體分配通道130及140避免氣體分配通道之間的空間限制或衝突及允許氣體分配通道對稱地配置為彼此的鏡像，產生更大的均勻性。
參看第1A圖及第1B圖的上組氣體分配通道130在第2圖中描繪及上組氣體分配通道130包括弧形氣體供應通道132，該弧形氣體供應通道132具有耦合氣體傳輸塊124（第4圖）的上部氣體入口162的輸入端132-1及耦合第5圖圖示的內部流動轉移元件134的出口端132-2。弧形氣體供應通道132在弧形氣體供應通道的二個端132-1及132-2之間朝向45度弧。包括上部氣體入口162的至氣體傳輸塊124的連接最佳圖示在第4圖的放大圖中。
上組氣體分配通道130進一步包括弧形氣體供應通道136，該弧形氣體供應通道136在一對端136-1、136-2之間朝向180度弧。端136-1及136-2包括軸向氣體開口137-1及137-2，該等軸向氣體開口分別耦合至氣體導管150及152的徑向向外端部150-1及152-1。軸向氣體開口137-2圖示在第6圖的放大圖中。第5圖的流動轉移元件134提供從氣體分配通道132的出口端132-2至弧形氣體供應通道136的中間區136-3的連接。
參看第5圖，流動轉移元件134包括在出口端132-2下方的徑向轉移導管170。軸向輸入導管172耦合於氣體供應通道132的出口端132-2及徑向轉移導管170的一端之間。軸向輸出導管174耦合於氣體供應通道136的中間區136-3及徑向轉移導管170的另一端之間。軸向輸入導管172連接氣體供應通道132的出口端132-2的底部中的開口。軸向輸出導管174連接氣體供應通道136的中間區136-3的底部中的開口。
氣體供應通道136在中間區136-3的二側上具有各自一半，在該氣體供應通道136中氣流在相對旋轉方向中。流動轉移元件134解決的問題為假定氣體供應通道132中的氣流逆時針方向如何在氣體分配通道136的各自一半中均勻地分配氣流。軸向輸入埠172轉化來自氣體供應通道端132-2的逆時針方向氣流動量分配至軸向分配，移除針對特定旋轉方向的任何偏好。軸向氣體輸出埠174賦能軸向氣流動量在相對的旋轉方向之間於氣體分配通道136的各自一半中均勻地分開。在一個實施例中，此提供均勻氣體分配。
第1A圖及第1B圖中參看的下組氣體分配通道140在第3A圖中描繪及該下組氣體分配通道140包括弧形氣體供應通道232，該弧形氣體供應通道232具有耦合至氣體傳輸塊124（第4圖）的下部氣體入口164的輸入端232-1及耦合類似於參看第5圖的上述流動轉移元件134的內部流動轉移元件234的出口端232-2。弧形氣體供應通道232在弧形氣體供應通道的二個端232-1及232-2之間朝向45度弧。
下組氣體分配通道140進一步包括弧形氣體供應通道236，該弧形氣體供應通道236在一對端部236-1及236-2之間朝向180度弧。端部236-1及236-2經耦合至軸向氣體通道237-1及237-2。軸向氣體通道237-1及237-2延伸至環形蓋板110的頂表面110b，及軸向氣體通道237-1及237-2在第2圖的頂部視圖中作為頂表面110b中的開口可見。該等開口分別經耦合至氣體導管154及156的徑向向外端部154-1及156-1（第1B圖）。流動轉移元件234提供從氣體分配通道232的出口端232-2至弧形氣體供應通道236的中間區236-3的連接。
參看第3B圖，流動轉移元件234包括出口端232-2下方的徑向轉移導管270。軸向輸入導管272耦合於氣體供應通道232的出口端232-2及徑向轉移導管270的一端之間。軸向輸出導管274耦合於氣體供應通道236的中間區236-3及徑向轉移導管270的另一端之間。軸向輸入導管272連接氣體供應通道232的出口端232-2的底部中的開口。軸向輸出導管274連接氣體供應通道236的中間區236-3的底部中的開口。
如第2圖及第3A圖所圖示的，對於實質上相同的氣流特徵，上組及下組氣體通道130、140實質上為彼此的鏡像，在一個實施例中提供最佳的均勻性。此藉由在不同（上及下）平面中安置上組及下組氣體通道130、140促進，避免二組氣體通道之間的空間佔有率衝突。此後面的特徵允許選擇氣體傳輸塊124的位置而沒有來自二組通道之間的可能的空間衝突的限制。藉由沿著環形蓋板110的圓形周圍在偏離氣體分配通道136的端136-1大約45度及偏離氣體分配通道236的端部236-1大約45度的位置處定位氣體傳輸塊124（包括上部及下部氣體入口162及164）實現最大對稱性。在一個實施例中此特徵的優點為上組中的氣體供應通道132及下組中的氣體供應通道232具有相同長度。對於最佳的均勻性，氣體分配通道136及236的路徑長度為相同的及上組及下組氣體通道130、140的路徑長度為相同的。藉由提供相等的路徑長度至氣體軸向氣體通道137-1、137-2、237-1及237-2，實現氣流速率的均勻分配，允許使用者調整氣流速率而不受氣體分配通道之間內在的非均勻性影響。
在不同平面中的上組及下組氣體通道130、140的配置允許氣體通道彼此覆蓋，由此減少環形蓋板110的環形區域。此特徵增加中心開口110a（第1A圖）的直徑，擴大針對給定腔室直徑的介電窗112的區域。
現在參看第7圖、第8圖及第9圖，氣體分配中心120提供從氣體供應埠120-1及120-2至可調諧的噴嘴114的環形外部氣體注入通道118的氣流路徑。氣體分配中心120亦提供從氣體供應埠120-3及120-4至可調諧的噴嘴114的環形內部氣體注入通道116的氣流路徑。在一個實施例中，內部及外部氣體注入通道116、118的每一者可形成完整的圈或環。然而，如第7圖所描繪的，環形內部氣體注入通道116可經劃分為四個部分116a、116b、116c及116d，而環形外部氣體注入通道118可經劃分為四個部分118a、118b、118c及118d。
至氣體供應埠120-1的氣流在一對徑向升高供應接線302及306之間分開，該對徑向升高供應接線302及306分別供應軸向下降接線304及308。徑向升高供應接線302及306的徑向向內端經升高在環形外部氣體注入通道118的頂部上方。至氣體供應埠120-2的氣流在一對徑向升高供應接線310及314之間分開，該對徑向升高供應接線310及314分別供應軸向下降接線312及316。徑向升高供應接線310及314的徑向向內端經升高在環形外部氣體注入通道118的頂部上方。
四個軸向下降接線304、308、312及316沿著環形外部氣體注入通道118終止在四個均勻間隔的位置處。四個軸向下降接線304、308、312及316為狹長封閉的中空線。在一個實施例中，四個軸向下降接線304、308、312及316的每一者為圓柱形的及界定中空中心通道。
至氣體供應埠120-3的氣流在一對徑向升高供應接線318及322之間分開，該對徑向升高供應接線318及322分別供應軸向下降接線320及324。徑向升高供應接線318及322的徑向向內端經升高在環形內部氣體注入通道116的頂部上方。至氣體供應埠120-4的氣流在一對徑向升高供應接線326及330之間分開，該對徑向升高供應接線326及330分別供應軸向下降接線328及332。徑向升高供應接線326及330的徑向向內端經升高在環形內部氣體注入通道116的頂部上方。四個軸向下降接線320、324、328及332沿著環形內部氣體注入通道116終止在四個均勻間隔的位置處。四個軸向下降接線320、324、328及332為狹長封閉的中空線。在一個實施例中，四個軸向下降接線320、324、328及332的每一者為圓柱形的及界定中空中心通道。
第7圖至第9圖的實施例解決的問題可參看第7圖理解。在第7圖中，顯而易見的是，若氣體傳輸接線310、314、318及322沒有升高，但替代地直接供應環形內部及外部氣體注入通道116及118中相對應的各者，則氣流將在每一注入點處主要沿著單個旋轉方向。因此，舉例而言，從供應接線310至環形外部氣體注入通道118的氣流將在相交或供應點處為反時針方向。此外，從供應接線314至環形外部氣體注入通道118的氣流將在相交或供應點處為相對的（順時針）方向。在此實例中，將有至氣體供應接線310及314之間的環形外部氣體注入通道118的部分的少量氣流，導致不均勻性。
此問題在一個實施例中藉由提供軸向下降接線304、308、312及316至環形外部氣體注入通道118及提供軸向下降接線320、324、328及332至環形內部氣體注入通道116來解決。每一軸向下降接線轉化在單個方向（如從升高氣體供應管線接收）限制的氣流動量分配至一分配，該分配在相對應的環形氣體注入通道（116或118）中的注入點處在順時針方向及逆時針方向之間均勻劃分，用於更均勻的氣流分配。
儘管上文針對本發明的實施例，然而可設計本發明的其他及進一步實施例，而不脫離本發明的基本範疇，且本發明的範疇由隨後的申請專利範圍決定。
3B-3B:線 5-5:線 6-6:線 8-8:線 9-9:線 100:真空腔室 102:側壁 104:頂部 106:工件支撐基座 110:環形蓋板 110a:中心開口 110b:頂表面 112:介電窗 114:氣體注入噴嘴 116:氣體注入通道 116A:部分 116B:部分 116C:部分 116D:部分 118:氣體注入通道 118A:部分 118B:部分 118C:部分 118D:部分 120:氣體分配中心 120-1:氣體供應埠 120-2:氣體供應埠 120-3:氣體供應埠 120-4:氣體供應埠 124:氣體傳輸塊 130:氣體分配通道 132:弧形氣體供應通道 132-1:輸入端 132-2:出口端 134:流動轉移元件 136:氣體供應通道 136-1:端 136-2:端 136-3:中間區 137-1:軸向氣體通道 137-2:軸向氣體通道 140:氣體分配通道 150:徑向氣體傳輸導管 150-1:徑向向外端部 152:徑向氣體傳輸導管 152-1:徑向向外端部 154:氣體導管 154-1:徑向向外端部 156:氣體導管 156-1:徑向向外端部 162:氣體入口 164:氣體入口 170:徑向轉移導管 172:軸向輸入導管 174:軸向輸出導管 232:弧形氣體供應通道 232-2:出口端 234:流動轉移元件 236:弧形氣體供應通道 236-1:端部 236-2:端部 236-3:中間區 237-1:軸向氣體通道 237-2:軸向氣體通道 270:徑向轉移導管 272:軸向輸入導管 274:軸向輸出導管 302:徑向升高供應接線 304:軸向下降接線 306:徑向升高供應接線 308:軸向下降接線 310:徑向升高供應接線 312:軸向下降接線 314:徑向升高供應接線 316:軸向下降接線 318:徑向升高供應接線 320:軸向下降接線 322:徑向升高供應接線 324:軸向下降接線 326:徑向升高供應接線 328:軸向下降接線 330:徑向升高供應接線 332:軸向下降接線
以可詳細理解獲得之本發明的示例性實施例的方式，上面簡要概述的本發明的更詳細描述可參閱本發明的實施例獲得，該等實施例圖示在隨附圖式中。將理解，本文未論述某些眾所周知的製程以便不模糊本發明。
第1A圖為根據一個實施例的反應室的部分剖視正視圖。
第1B圖為對應於第1A圖的平面圖。
第2圖及第3A圖分別為第1圖的實施例的氣體傳輸蓋板的頂部及底部視圖。
第3B圖為沿著第3A圖的線3B-3B的橫截面視圖。
第4圖為第2圖的一部分的放大圖。
第5圖為沿著第2圖的線5-5截取的橫截面視圖。
第6圖為沿著第2圖的線6-6截取的橫截面視圖。
第7圖為第1圖的實施例的氣體傳輸中心的剖視平面圖。
第8圖為沿著第7圖的線8-8截取的剖視橫截面視圖。
第9圖為沿著第7圖的線9-9截取的剖視橫截面視圖。
為了促進理解，已儘可能使用相同元件符號以表示圖式中共用的相同元件。考慮到一個實施例的元件及特徵可有利地併入其他實施例，而無需進一步詳述。然而，應注意，隨附圖式僅圖示本發明的示例性實施例及因此隨附圖式不被視為對本發明範疇的限制，因為本發明可允許其他同等有效的實施例。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:真空腔室
102:側壁
104:頂部
106:工件支撐基座
110:環形蓋板
110a:中心開口
112:介電窗
114:氣體注入噴嘴
116:氣體注入通道
118:氣體注入通道
120:氣體分配中心
124:氣體傳輸塊
130:氣體分配通道
140:氣體分配通道
154:氣體導管
156:氣體導管
162:氣體入口
164:氣體入口

Claims (12)

  1. 一種用於一電漿反應器的氣體分配器，該氣體分配器包含： 一中心，該中心內形成有 一噴嘴，該噴嘴具有一內部氣體注入通道與一外部氣體注入通道，該內部氣體注入通道與外部氣體注入通道中的每一個在該中心的一底表面敞開， 一第一複數個徑向升高供應接線，該第一複數個徑向升高供應接線在該中心的一周邊具有各自的輸入端以接收氣體，並具有覆蓋該內部氣體注入通道的各自的輸出端， 一第一複數個軸向下降接線，該第一複數個軸向下降接線連接於該第一複數個徑向升高供應接線的該等各自的輸出端以及該內部氣體注入通道之間； 一第二複數個徑向升高供應接線，該第二複數個徑向升高供應接線在該中心的該周邊具有各自的輸入端，並具有覆蓋該外部氣體注入通道的各自的輸出端，以及 一第二複數個軸向下降接線，該第二複數個軸向下降接線連接於該複數個徑向升高供應接線的該等各自的輸出端以及該外部氣體注入通道之間。
  2. 如請求項1所述之氣體分配器，其中該內部氣體注入通道與外部氣體注入通道中的每一個在該底表面上環形地延伸。
  3. 如請求項2所述之氣體分配器，其中該內部氣體注入通道與外部氣體注入通道為同心的。
  4. 如請求項2所述之氣體分配器，其中該內部氣體注入通道與外部氣體注入通道中的每一個包含複數個個別部分。
  5. 如請求項4所述之氣體分配器，其中： 該第一複數個軸向下降接線中的每一個與該內部氣體注入通道的一不同部分交會，以及 該第二複數個軸向下降接線中的每一個與該外部氣體注入通道的一不同部分交會。
  6. 如請求項5所述之氣體分配器，其中： 該第一複數個軸向下降接線中的每一個與該內部氣體注入通道的該部分的一中點交會，以及 該第二複數個軸向下降接線中的每一個與該外部氣體注入通道的該部分的一中點交會。
  7. 如請求項2所述之氣體分配器，其中該內部氣體注入通道與外部氣體注入通道中的每一個形成一完整的環。
  8. 如請求項1所述之氣體分配器，其中該內部氣體注入通道垂直延伸。
  9. 如請求項1所述之氣體分配器，其中該外部氣體注入通道為向外成角度的。
  10. 如請求項1所述之氣體分配器，其中： 該第一複數個軸向下降接線與該內部氣體注入通道在沿著該內部氣體注入通道平均間隔開的各自的下降點處交會，以及 該第二複數個軸向下降接線與該外部氣體注入通道在沿著該外部氣體注入通道平均間隔開的各自的下降點處交會。
  11. 如請求項11所述之氣體分配器，該氣體分配器進一步包含： 沿著該氣體噴嘴的該周邊平均間隔開的一第一複數個供應埠； 沿著該氣體噴嘴的該周邊平均間隔開的一第二複數個供應埠，該第二複數個供應埠並偏離該第一複數個氣體供應埠。
  12. 如請求項12所述之氣體分配器，其中該第一複數個供應埠連接至該第一複數個徑向升高供應接線的各自對，且該第二複數個供應埠連接至該第二複數個徑向升高供應接線的各自對。
TW109125558A 2013-03-15 2014-02-25 具有高度對稱四重式氣體注入的電漿反應器 TWI747402B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361789485P 2013-03-15 2013-03-15
US61/789,485 2013-03-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202103520A true TW202103520A (zh) 2021-01-16
TWI747402B TWI747402B (zh) 2021-11-21

Family

ID=51580581

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109125558A TWI747402B (zh) 2013-03-15 2014-02-25 具有高度對稱四重式氣體注入的電漿反應器
TW103106332A TWI617222B (zh) 2013-03-15 2014-02-25 具有高度對稱四重式氣體注入的電漿反應器
TW107101637A TWI703900B (zh) 2013-03-15 2014-02-25 具有高度對稱四重式氣體注入的電漿反應器

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103106332A TWI617222B (zh) 2013-03-15 2014-02-25 具有高度對稱四重式氣體注入的電漿反應器
TW107101637A TWI703900B (zh) 2013-03-15 2014-02-25 具有高度對稱四重式氣體注入的電漿反應器

Country Status (6)

Country Link
US (3) US10163606B2 (zh)
JP (3) JP6359627B2 (zh)
KR (1) KR102130061B1 (zh)
CN (2) CN107221487B (zh)
TW (3) TWI747402B (zh)
WO (1) WO2014149200A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9536710B2 (en) 2013-02-25 2017-01-03 Applied Materials, Inc. Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection
CN104798446B (zh) 2013-03-12 2017-09-08 应用材料公司 具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件
US10163606B2 (en) 2013-03-15 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with highly symmetrical four-fold gas injection
KR102553629B1 (ko) * 2016-06-17 2023-07-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
JP6696322B2 (ja) * 2016-06-24 2020-05-20 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置、ガス処理方法及び記憶媒体
US11694911B2 (en) * 2016-12-20 2023-07-04 Lam Research Corporation Systems and methods for metastable activated radical selective strip and etch using dual plenum showerhead
US10840066B2 (en) 2018-06-13 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Adjustable fastening device for plasma gas injectors
KR20230170130A (ko) * 2018-12-20 2023-12-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개선된 가스 유동을 처리 챔버의 처리 용적에 공급하기 위한 방법 및 장치
US20200258718A1 (en) * 2019-02-07 2020-08-13 Mattson Technology, Inc. Gas Supply With Angled Injectors In Plasma Processing Apparatus
CN110223904A (zh) * 2019-07-19 2019-09-10 江苏鲁汶仪器有限公司 一种具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统
US11856706B2 (en) * 2019-12-03 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Method and system for improving the operation of semiconductor processing
US11562909B2 (en) * 2020-05-22 2023-01-24 Applied Materials, Inc. Directional selective junction clean with field polymer protections
KR20220029906A (ko) * 2020-09-02 2022-03-10 에스케이하이닉스 주식회사 기판의 평탄화 장치 및 방법
KR102619579B1 (ko) * 2021-08-11 2023-12-29 주식회사 피에스에스 배기가스 처리를 위한 플라즈마 장치

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6236825A (ja) * 1985-08-12 1987-02-17 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
US6024826A (en) 1996-05-13 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material
US5571366A (en) 1993-10-20 1996-11-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US5620523A (en) 1994-04-11 1997-04-15 Canon Sales Co., Inc. Apparatus for forming film
US5746875A (en) * 1994-09-16 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
JP3178295B2 (ja) 1995-03-29 2001-06-18 株式会社田村電機製作所 カード移し換え装置
JPH0918614A (ja) 1995-06-29 1997-01-17 Canon Inc ファクシミリ装置
TW283250B (en) 1995-07-10 1996-08-11 Watkins Johnson Co Plasma enhanced chemical processing reactor and method
US6089182A (en) 1995-08-17 2000-07-18 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JPH0982495A (ja) 1995-09-18 1997-03-28 Toshiba Corp プラズマ生成装置およびプラズマ生成方法
TW356554B (en) * 1995-10-23 1999-04-21 Watkins Johnson Co Gas injection system for semiconductor processing
US6200412B1 (en) 1996-02-16 2001-03-13 Novellus Systems, Inc. Chemical vapor deposition system including dedicated cleaning gas injection
US5948704A (en) 1996-06-05 1999-09-07 Lam Research Corporation High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US6367410B1 (en) 1996-12-16 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Closed-loop dome thermal control apparatus for a semiconductor wafer processing system
US6083344A (en) 1997-05-29 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-zone RF inductively coupled source configuration
US6051073A (en) 1998-02-11 2000-04-18 Silicon Genesis Corporation Perforated shield for plasma immersion ion implantation
US6129808A (en) 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6230651B1 (en) * 1998-12-30 2001-05-15 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
US6326597B1 (en) 1999-04-15 2001-12-04 Applied Materials, Inc. Temperature control system for process chamber
US6518190B1 (en) 1999-12-23 2003-02-11 Applied Materials Inc. Plasma reactor with dry clean apparatus and method
EP1252800A1 (de) 2000-02-01 2002-10-30 E.G.O. ELEKTRO-GERÄTEBAU GmbH Elektrisches heizelement und verfahren zu seiner herstellung
US7196283B2 (en) 2000-03-17 2007-03-27 Applied Materials, Inc. Plasma reactor overhead source power electrode with low arcing tendency, cylindrical gas outlets and shaped surface
US6451161B1 (en) 2000-04-10 2002-09-17 Nano-Architect Research Corporation Method and apparatus for generating high-density uniform plasma
US6414648B1 (en) 2000-07-06 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna
US6685798B1 (en) 2000-07-06 2004-02-03 Applied Materials, Inc Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna
TW445540B (en) 2000-08-07 2001-07-11 Nano Architect Res Corp Bundle concentrating type multi-chamber plasma reacting system
US6450117B1 (en) 2000-08-07 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Directing a flow of gas in a substrate processing chamber
JP3889918B2 (ja) * 2000-08-25 2007-03-07 富士通株式会社 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びプラズマ処理装置
US20020038791A1 (en) 2000-10-03 2002-04-04 Tomohiro Okumura Plasma processing method and apparatus
KR100516844B1 (ko) * 2001-01-22 2005-09-26 동경 엘렉트론 주식회사 처리 장치 및 처리 방법
US6899787B2 (en) 2001-06-29 2005-05-31 Alps Electric Co., Ltd. Plasma processing apparatus and plasma processing system with reduced feeding loss, and method for stabilizing the apparatus and system
US6527911B1 (en) 2001-06-29 2003-03-04 Lam Research Corporation Configurable plasma volume etch chamber
US20030070620A1 (en) * 2001-10-15 2003-04-17 Cooperberg David J. Tunable multi-zone gas injection system
US7354501B2 (en) 2002-05-17 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Upper chamber for high density plasma CVD
KR100862658B1 (ko) * 2002-11-15 2008-10-10 삼성전자주식회사 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치
JP4584565B2 (ja) 2002-11-26 2010-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP3881307B2 (ja) 2002-12-19 2007-02-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR100585089B1 (ko) 2003-05-27 2006-05-30 삼성전자주식회사 웨이퍼 가장자리를 처리하기 위한 플라즈마 처리장치,플라즈마 처리장치용 절연판, 플라즈마 처리장치용하부전극, 웨이퍼 가장자리의 플라즈마 처리방법 및반도체소자의 제조방법
JP4273932B2 (ja) * 2003-11-07 2009-06-03 株式会社島津製作所 表面波励起プラズマｃｖｄ装置
JP2005201686A (ja) 2004-01-13 2005-07-28 Shimadzu Corp ガスクロマトグラフ用炎光光度検出器
US7722737B2 (en) * 2004-11-29 2010-05-25 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for improved transient phase deposition
US20060172542A1 (en) 2005-01-28 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to confine plasma and to enhance flow conductance
KR100854995B1 (ko) * 2005-03-02 2008-08-28 삼성전자주식회사 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치
US8017029B2 (en) 2006-10-30 2011-09-13 Applied Materials, Inc. Plasma mask etch method of controlling a reactor tunable element in accordance with the output of an array of optical sensors viewing the mask backside
US9218944B2 (en) 2006-10-30 2015-12-22 Applied Materials, Inc. Mask etch plasma reactor having an array of optical sensors viewing the workpiece backside and a tunable element controlled in response to the optical sensors
US7976671B2 (en) 2006-10-30 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Mask etch plasma reactor with variable process gas distribution
WO2008088110A1 (en) 2007-01-15 2008-07-24 Jehara Corporation Plasma generating apparatus
KR101119627B1 (ko) * 2007-03-29 2012-03-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
US7879250B2 (en) * 2007-09-05 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor with independent wafer edge process gas injection
US7832354B2 (en) * 2007-09-05 2010-11-16 Applied Materials, Inc. Cathode liner with wafer edge gas injection in a plasma reactor chamber
KR101437522B1 (ko) * 2007-09-05 2014-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 반응기 챔버에서 웨이퍼 에지 가스 주입부를 갖는캐소드 라이너
US8062472B2 (en) 2007-12-19 2011-11-22 Applied Materials, Inc. Method of correcting baseline skew by a novel motorized source coil assembly
US20090162262A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Applied Material, Inc. Plasma reactor gas distribution plate having path splitting manifold side-by-side with showerhead
US20090159213A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate having a path splitting manifold immersed within a showerhead
KR20090102257A (ko) 2008-03-25 2009-09-30 (주)타이닉스 유도결합형 플라즈마 에칭장치
JP5208554B2 (ja) * 2008-03-31 2013-06-12 日本碍子株式会社 Ｄｌｃ成膜方法
US7987814B2 (en) 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
US20090275206A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Plasma process employing multiple zone gas distribution for improved uniformity of critical dimension bias
US20090277587A1 (en) 2008-05-09 2009-11-12 Applied Materials, Inc. Flowable dielectric equipment and processes
US8317970B2 (en) 2008-06-03 2012-11-27 Applied Materials, Inc. Ceiling electrode with process gas dispersers housing plural inductive RF power applicators extending into the plasma
JP2009302324A (ja) 2008-06-13 2009-12-24 Tokyo Electron Ltd ガスリング、半導体基板処理装置および半導体基板処理方法
JP2010062318A (ja) 2008-09-03 2010-03-18 Tokyo Electron Ltd ガス供給部材およびプラズマ処理装置
CN102160166B (zh) * 2008-09-16 2013-05-22 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板载置台
JP5056735B2 (ja) 2008-12-02 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
MY179709A (en) * 2009-09-10 2020-11-11 Lam Res Corp Replaceable upper chamber parts of plasma processing apparatus
KR101095172B1 (ko) 2009-10-01 2011-12-16 주식회사 디엠에스 플라즈마 반응 챔버의 사이드 가스 인젝터
KR101757922B1 (ko) 2009-10-27 2017-07-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
CN102762767B (zh) * 2010-03-12 2015-11-25 应用材料公司 具有多重注射道的原子层沉积腔室
JP5567392B2 (ja) 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5723130B2 (ja) 2010-09-28 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8486242B2 (en) 2010-10-18 2013-07-16 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus and methods to reduce deposition asymmetry
JP5800547B2 (ja) 2011-03-29 2015-10-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2013033816A (ja) 2011-08-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
TWI646869B (zh) 2011-10-05 2019-01-01 美商應用材料股份有限公司 對稱電漿處理腔室
US8933628B2 (en) 2011-10-28 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with phase control
US9017481B1 (en) * 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US20130256271A1 (en) 2012-04-03 2013-10-03 Theodoros Panagopoulos Methods and apparatuses for controlling plasma in a plasma processing chamber
US9111722B2 (en) 2012-04-24 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single RF power generator
US9082591B2 (en) 2012-04-24 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single RF power generator
US9161428B2 (en) 2012-04-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Independent control of RF phases of separate coils of an inductively coupled plasma reactor
US10249470B2 (en) * 2012-07-20 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with coaxial RF feed and coaxial shielding
US10131994B2 (en) * 2012-07-20 2018-11-20 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with top coil over a ceiling and an independent side coil and independent air flow
US9082590B2 (en) * 2012-07-20 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and RF distribution plates
US10170279B2 (en) * 2012-07-20 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding
US9928987B2 (en) * 2012-07-20 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with symmetrical RF feed
US9449794B2 (en) * 2012-07-20 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and spiral coil antenna
US9536710B2 (en) 2013-02-25 2017-01-03 Applied Materials, Inc. Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection
CN104798446B (zh) * 2013-03-12 2017-09-08 应用材料公司 具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件
US10163606B2 (en) * 2013-03-15 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with highly symmetrical four-fold gas injection
US10553398B2 (en) 2013-09-06 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Power deposition control in inductively coupled plasma (ICP) reactors
US9779953B2 (en) 2013-09-25 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Electromagnetic dipole for plasma density tuning in a substrate processing chamber

Also Published As

Publication number Publication date
TWI703900B (zh) 2020-09-01
JP2018174340A (ja) 2018-11-08
KR20150129659A (ko) 2015-11-20
US20220157562A1 (en) 2022-05-19
JP2020061563A (ja) 2020-04-16
US20150371826A1 (en) 2015-12-24
JP6937354B2 (ja) 2021-09-22
TWI617222B (zh) 2018-03-01
TW201436650A (zh) 2014-09-16
TW201817287A (zh) 2018-05-01
TWI747402B (zh) 2021-11-21
CN107221487B (zh) 2019-06-28
WO2014149200A1 (en) 2014-09-25
CN104782234B (zh) 2017-07-14
US11244811B2 (en) 2022-02-08
JP2016519845A (ja) 2016-07-07
KR102130061B1 (ko) 2020-07-03
JP6634475B2 (ja) 2020-01-22
CN107221487A (zh) 2017-09-29
US20190122861A1 (en) 2019-04-25
JP6359627B2 (ja) 2018-07-18
CN104782234A (zh) 2015-07-15
US10163606B2 (en) 2018-12-25
US11728141B2 (en) 2023-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI747402B (zh) 具有高度對稱四重式氣體注入的電漿反應器
CN109594061B (zh) 用于半导体处理的气体分配喷头
JP6862505B2 (ja) 方位角方向及び半径方向分布制御を備えたマルチゾーンガス注入アセンブリ
US20190330748A1 (en) Gas distribution hub for plasma processing chamber
TW201542860A (zh) 具有氣體供應環的化學氣相沈積設備
JPH05239634A (ja) 陰極スパッタリング装置
TWI753451B (zh) 氣體調節裝置及應用該裝置的電漿蝕刻設備