JP2020061563A - 高対称四重ガス注入によるプラズマリアクタ - Google Patents

高対称四重ガス注入によるプラズマリアクタ Download PDF

Info

Publication number
JP2020061563A
JP2020061563A JP2019226053A JP2019226053A JP2020061563A JP 2020061563 A JP2020061563 A JP 2020061563A JP 2019226053 A JP2019226053 A JP 2019226053A JP 2019226053 A JP2019226053 A JP 2019226053A JP 2020061563 A JP2020061563 A JP 2020061563A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
outlets
plasma reactor
gas outlets
supply ports
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019226053A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6937354B2 (ja
Inventor
ヤン ロゼンゾン
Rozenzon Yan
ヤン ロゼンゾン
カイル タンティウォン
Tantiwong Kyle
カイル タンティウォン
イマッド ヨウシフ
Yousif Imad
イマッド ヨウシフ
ウラジミル ニャジク
Knyazik Vladimir
ウラジミル ニャジク
セイマー バンナ
Banna Samer
セイマー バンナ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2020061563A publication Critical patent/JP2020061563A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6937354B2 publication Critical patent/JP6937354B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45578Elongated nozzles, tubes with holes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/4558Perforated rings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

【課題】処理ガス分布の不均一性を改善するガス供給システムを提供する。【解決手段】真空チャンバ100において、プラズマリアクタの環状蓋板110は、ガス供給ラインから、天井104のガス注入ノズル114のそれぞれのガス注入通路116、118までの等しい長さの経路に沿って、ガスを分配する上部グループ及び下部グループのガス分配チャネル130、140を有する。【選択図】図1A

Description

背景
技術分野
本開示は、ワークピース(例えば、半導体ウェハ)の処理に用いられるプラズマリアクタ用のガス注入システムに関する。
背景の説明
プラズマリアクタのチャンバ内での処理ガス分布の制御は、プラズマ処理中にワークピース上のエッチング速度分布又は堆積速度分布のプロセス制御に影響を与える。チャンバの天井に取り付けられた調整可能なガス注入ノズルは、異なるゾーン(例えば、中央ゾーンと側部ゾーン)に向けられた異なる注入スリットを有することができる。別々のガス入力は、異なる注入スリットに供給することができ、別々の流量制御は、各ガス入力に対して提供することができる。各ガス入力は、異なるガス流路を通って、対応する注入スリットの異なる部分に供給することができる。特定のガス入力からの異なるガス流路は、均一性のために、等しい長さであることが望ましい。しかしながら、ガス入力からノズルまでの経路長をすべての入力とノズルに対して等しくすることは、可能とは思われておらず、ガス分布の不均一性につながる。
概要
内側及び外側ガス注入通路のガスノズルを備えたプラズマリアクタチャンバ用のガス送出システム内の環状蓋板。環状蓋板は、中央開口部を画定し、(a)内側及び外側ガス注入通路のそれぞれに結合された第1及び第2の複数のガス出口であって、第1及び第2の複数のガス出口の各々の中のガス出口は、第1円弧長さだけ離間されている第1及び第2の複数のガス出口と、(b)第1及び第2のガス供給通路を含むガス送出ブロックと、(c)それぞれ上位及び下位にある第1及び第2の複数のガス分配チャネルを含む。前記第1及び第2の複数のガス分配チャネルの各々は、(a)対応する一対の前記ガス出口に接続された一対の端部を有する円弧状のガス送出チャネルと、(b)第1及び第2のガス供給通路の対応するものに接続された入力端と、円弧状のガス送出チャネルの中央ゾーンに結合された出力端とを含む円弧状のガス供給チャネルとを含む。
一実施形態では、ガス送出ブロックは、第1及び第2の複数のガス分配チャネルのうちのガス供給チャネルが等しい長さとなるように、ガス供給チャネルの各々の出力端から第2円弧長さだけオフセットした位置に配置される。
一実施形態では、第1及び第2の複数のガス出口のうちのガス出口は、環状蓋板の円周に対して分布され、第1の複数のガス出口は、円周に沿って第2の複数のガス出口と交互になっている。
関連する一実施形態では、第1の複数のガス出口は、第1対のガス出口を含み、円弧長さは半円に対応し、第2の複数のガス出口は、第1対のガス出口から4分の1円だけオフセットされた第2対のガス出口を含む。
更に関連する一実施形態では、ガス送出ブロックは、4分の1円の円弧長さだけガス供給チャネルの各々の出口端からオフセットされた位置に配置される。
一実施形態では、第1及び第2の複数のガス分配チャネルの各々は、ガス供給チャネルの出口端とガス送出チャネルの中央ゾーンの間に接続されたフロー遷移要素を更に含む。フロー遷移要素は、(a)半径方向遷移コンジットと、(b)ガス供給チャネルの出力端と半径方向遷移コンジットの一端の間に結合された軸方向入力コンジットと、(c)ガス供給チャネルの中央ゾーンと半径方向遷移コンジットの他端の間に接続された軸方向出力コンジットとを含む。
一実施形態では、軸方向入力コンジットは、ガス供給チャネルの出力端内の開口部に合い、軸方向出力コンジットは、ガス供給チャネルの中央ゾーン内の開口部に合う。
更なる一実施形態では、ガスノズルは、(a)第1の複数のガス出口のそれぞれに結合されたそれぞれの入力端と、内側ガス注入通路の上にあるそれぞれの出力端とを有する第1の複数の半径方向の上昇した供給ラインと、(b)第2の複数のガス出口のそれぞれに結合されたそれぞれの入力端と、内側ガス注入通路の上にあるそれぞれの出力端とを有する第2の複数の半径方向の上昇した供給ラインと、(c)それぞれの出力端と内側ガス注入通路との間に接続された第1の複数の軸方向ドロップラインと、(d)それぞれの出力端と外側ガス注入通路との間に接続された第2の複数の軸方向ドロップラインとを含む。
関連する一実施形態では、(a)第1の複数の軸方向ドロップラインは、内側ガス注入通路に沿って均等に離間されたそれぞれのドロップポイントで内側ガス注入通路と交差し、(b)第2の複数の軸方向ドロップラインは、外側ガス注入通路に沿って均等に離間されたそれぞれのドロップポイントで外側ガス注入通路と交差する。
関連する一実施形態では、ガスノズルは、(a)ガスノズルの周辺部の周りに均等に離間され、第1の複数のガス出口のそれぞれに接続された第1の複数の供給ポートと、(b)ガスノズルの周辺部の周りに均等に離間され、第2の複数のガス出口のそれぞれに接続され、第1の複数の供給ポートからオフセットされた第2の複数の供給ポートを更に含み、(c)第1の複数の供給ポートは、第1の複数の半径方向の上昇した供給ラインのそれぞれの対に接続され、第2の複数の供給ポートは、第2の複数の半径方向の上昇した供給ラインのそれぞれの対に接続される。
関連する実施形態は、(a)第1の複数のガス出口のそれぞれと第1の複数の供給ポートの間に接続された第1の複数の半径方向ガス送出コンジットと、(b)第2の複数のガス出口のそれぞれと第2の複数の供給ポートの間に接続された第2の複数の半径方向ガス送出コンジットとを更に含む。
関連する一態様によれば、プラズマリアクタ用の環状蓋板は、(a)第1及び第2の複数のガス出口であって、第1及び第2の複数のガス出口の各々の中のガス出口は、第1円弧長さだけ離間されている第1及び第2の複数のガス出口と、(b)第1及び第2のガス供給通路を含むガス送出ブロックと、(c)それぞれ上位及び下位にある第1及び第2の複数のガス分配チャネルを含む。第1及び第2の複数のガス分配チャネルの各々は、(a)対応する一対のガス出口に接続された一対の端部を有する円弧状のガス送出チャネルと、(b)第1及び第2のガス供給通路の対応するものに接続された入力端と、円弧状のガス送出チャネルの中央ゾーンに結合された出力端とを含む円弧状のガス供給チャネルとを含む。
環状蓋板の一実施形態では、ガス送出ブロックは、第1及び第2の複数のガス送出チャネルのうちのガス供給チャネルが同じ長さとなるように、ガス供給チャネルの各々の出力端から第2円弧長さだけオフセットした位置に配置される。
環状蓋板の一実施形態では、第1及び第2の複数のガス出口のうちのガス出口は、環状蓋板の円周に対して分布され、第1の複数のガス出口は、円周に沿って第2の複数のガス出口と交互になっている。
環状蓋板の関連する一実施形態では、第1の複数のガス出口は、第1対のガス出口を含み、円弧長さは半円に対応し、第2の複数のガス出口は、第1対のガス出口から4分の1円だけオフセットされた第2対のガス出口を含む。
環状蓋板の一実施形態では、ガス送出ブロックは、4分の1円の円弧長さだけガス供給チャネルの各々の出口端からオフセットされた位置に配置される。
環状蓋板の更なる一実施形態では、第1及び第2の複数のガス分配チャネルの各々は、ガス供給チャネルの出口端とガス送出チャネルの中央ゾーンの間に接続されたフロー遷移要素を更に含む。一実施形態では、フロー遷移要素は、(a)半径方向遷移コンジットと、(b)ガス供給チャネルの出力端と半径方向遷移コンジットの一端の間に結合された軸方向入力コンジットと、(c)ガス供給チャネルの中央ゾーンと半径方向遷移コンジットの他端の間に接続された軸方向出力コンジットとを含む。
本発明の例示的な実施形態が達成される方法を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本発明のより詳細な説明を、添付図面に示されるその実施形態を参照して得ることができる。特定の周知のプロセスは、本発明を不明瞭にしないために、本明細書で説明されていないことを理解すべきである。
一実施形態に係るリアクタチャンバの部分切り欠き正面図である。 図1Aに対応する平面図である。 それぞれ図1の実施形態のガス送出蓋板の上面図及び底面図である。 図3Aの線3B−3Bに沿った断面図である。 図2の一部の拡大図である。 図2の線5−5に沿った断面図である。 図2の線6−6に沿った断面図である。 図1の実施形態のガス送出ハブの切り欠き平面図である。 図7の線8−8に沿った切り欠き断面図である。 図7の線9−9に沿った切り欠き断面図である。
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態の要素及び構成を更なる説明なしに他の実施形態に有益に組み込んでもよいと理解される。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
詳細な説明
解決すべき課題は、チャンバの蓋板内に形成されたガスチャネルを通した注入器へのガス送出を含む。いくつかの設計における蓋板は環状であり、RF電力がチャンバ内に結合される誘電体窓の枠を構成する円形中央開口部を画定する。全てのガス入力は、ガス送出ブロックで互いに隣接しており、ガス送出を複雑にする。各ガス入力からの全てのガス流路が等しい長さであるためには、ガスチャネルは、急激に方向を反転する再帰的な経路を提供する必要があった。これは、プロセス制御を妨げる効果を有する乱流を導入する。また、再帰的なガスチャネルは大面積を占め、環状蓋板は大面積であることが必要となり、これはチャンバに対する誘電体窓のサイズを制限し、重大な問題である。更に、ガス供給ブロックの位置に応じて、経路長が大きく異なる。
調整可能なガスノズルは、その異なる注入スリットに供給する円形のチャネルを有する。各ガス入力から調整可能なガスノズルへのガス供給は、対応する円形チャネルと交差するに違いない直線的なガスラインに沿っている。しかしながら、円形チャネルに供給されるガスの勢いは、単一の方向に沿っているため、直線通路からのガス流は、調整可能なガスノズルの円形チャネル内で単一の回転方向を優先する。これは、望ましくない非対称性と不均一性につながる。
以下に説明する実施形態は、全てのガス入力に対して均一な経路長を有し、チャネルの平面内での急激な経路の反転の無いガス分配チャネルを有し、より小さな環状領域を占める完全に対称であるガス分配を提供する。更に、ガスが調整可能なガス注入ノズルの円形チャネル内に導入される様式において方向性の優先傾向が最小又は無い調整可能なガス注入ノズルへのガス供給が提供される。
図1Aを参照すると、プラズマリアクタは、円筒形の側壁102及び天井104によって囲まれた真空チャンバ100を含む。チャンバ内100のワークピース支持台106は、天井104に対向する。天井104は、円形の中央開口部110aを有する環状蓋板110と、中央開口部110aによって囲まれたディスク状の誘電体窓112を含む。調整可能なガス注入ノズル114は、誘電体窓112の中心を通って真空チャンバ100内へと向き、ガス分配ハブ120によって供給される内側及び外側円形ガス注入通路116、118を有する。内側ガス注入通路116は鉛直であり、処理ガスを内側ガス注入ゾーンへと向け、一方、外側ガス注入通路118は外向きに角度付けされており、処理ガスを外側ガス注入ゾーンへと向ける。ガス分配ハブ120は、本明細書で後述するように、内側及び外側ガス注入通路116、118を別々に供給する。
処理ガスは、ガス送出ブロック124で受け、環状蓋板110の内部の上部及び下部グループのガス分配チャネル130、140を介してガス分配ハブ120の異なるポートへ分配される。上部グループのガス分配チャネル130(図1A)は、環状蓋板110の上面付近の上面にあり、一方、下部グループのガス分配チャネル140(図1A)は、環状蓋板110の底面付近の下面にある。
図1Bを参照すると、ガス分配ハブ120は、外側ガス注入通路118に結合された第1の対向対のガス供給ポート120−1、120−2と、内側ガス注入通路116に結合された第2の対向対のガス供給ポート120−3及び120−4を有する。誘電体窓112の上にある第1対の半径方向ガス送出コンジット150、152は、前記対のガス供給ポート120−1、120−2と、環状蓋板110内の上部グループのガス供給チャネル130との間にそれぞれ接続される。誘電体窓112の上にある第2対の半径方向ガス送出コンジット154、156は、前記対のガス供給ポート120−3、120−4と、環状蓋板110内の下部グループのガス供給チャネル140との間にそれぞれ接続される。ガス供給ポート120−1〜120−4は、ハブ120の周縁部の周りに90度間隔で配置される。一実施形態では、4つの半径方向ガス送出コンジット150、152、154、156は、環状蓋板110の円周に対して90度の間隔で均等に分布し、半径方向に延びている。
ガス送出ブロック124は、環状蓋板110の周縁部から外側に延びており、上部グループのガス分配チャネル130に接続された上部ガス入口162と、下部グループのガス分配チャネル140に接続された下部ガス入口164を含む。ガス送出ブロック124は、隣接する半径方向ガス送出コンジット150及び154に対して45度の角度位置で環状蓋板110の外周に沿って配置される。
図2の上面図は、上部グループのガス分配チャネル130を最もよく示しており、一方、図3Aの底面図は、下部グループのガス分配チャネル140を最もよく示している。ガスチャネルを上部及び下部グループのガス分配チャネル130及び140として提供することは、それらの間の空間的な制約や競合を回避し、それらが互いの鏡像として対称的に構成され、より高い均一性につながることを可能にする。
図1Aに参照される上部グループのガス分配チャネル130が、図2に示され、ガス送出ブロック124(図4)の上部ガス入口162に結合された入力端132−1と、図5に示される内部フロー遷移要素134に結合された出口端132−2を有する円弧状のガス供給チャネル132を含む。円弧状のガス供給チャネル132は、その両端132−1と132−2の間において円弧の45度の範囲を定める。上部ガス入口162を含むガス送出ブロック124への接続は、図4の拡大図に最もよく示されている。
上部グループのガス分配チャネル130は、端部136−1、136−2の対間において円弧の180度の範囲を定める円弧状のガス供給チャネル136を更に含む。端部136−1及び136−2は、図1Bのガスコンジット150及び152の半径方向外側端部150−1及び152−1に結合される軸方向ガス開口部137−1及び137−2をそれぞれ含む。軸方向ガス開口部137−2が、図6の拡大図に示される。図5のフロー遷移要素134は、ガス分配チャネル132の出口端132−2から円弧状ガス供給チャネル136の中央ゾーン136−3までの接続を提供する。
図5を参照すると、フロー遷移要素134は、出口端132−2の下方に半径方向遷移コンジット170を含む。軸方向入力コンジット172は、ガス供給チャネル132の出口端132−2と半径方向遷移コンジット170の一端との間に結合される。軸方向出力コンジット174は、ガス供給チャネル136の中央ゾーン136−3と半径方向遷移コンジット170の他端との間に結合される。軸方向入力コンジット172は、ガス供給チャネル132の出口端132−2の底部の開口部に合う。軸方向出力コンジット174は、ガス供給チャネル136の中央ゾーン136−3の底部の開口部に合う。
ガス供給チャネル136は、ガスの流れが反対の回転方向である、中間領域136−3の両側に2つの半分を有する。フロー遷移要素134によって解決される問題は、ガス供給チャネル132内に反時計回りの方向のガス流を仮定すると、ガス分配チャネル136の2つの半分内に、どうやって均等にガス流を分配するかである。軸方向入力ポート172は、ガス供給チャネル端部132−2からのガス流の反時計回りの勢いの分布を軸方向分布へと変換し、特定の回転方向に対する任意の優先性を除去する。軸方向ガス出力ポート174は、軸方向のガス流の勢いが2つの半分のガス分配チャネル136内の反対の回転方向の間で均等に分割されることを可能にする。一実施形態では、これは均一なガス分配を提供する。
図1Aに参照される下部グループのガス分配チャネル140が、図3Aに示され、ガス送出ブロック124(図4)の下部ガス入口164に結合された入力端232−1と、図5を参照して上述されたフロー遷移要素134と同様の内部フロー遷移要素234に結合された出口端232−2とを有する円弧状ガス供給チャネル232を含む。円弧状ガス供給チャネル232は、その2つの端部232−1及び232−2の間に45度の円弧の範囲を定める。
下部グループのガス分配チャネル140は、一対の端部236−1及び236−2間に180度の円弧の範囲を定める円弧状ガス供給チャネル236を更に含む。端部236−1及び236−2は、軸方向ガス通路237−1及び237−2に結合される。軸方向ガス通路237−1及び237−2は、環状蓋板110の上面110bまで延び、上面110b内の開口部として図2の上面図に見ることができる。これらの開口部は、ガスコンジット154及び156の半径方向外側の端部154−1及び156−1(図1B)にそれぞれ結合される。フロー遷移要素234は、ガス分配チャネル232の出口端232−2から円弧状ガス供給チャネル236の中央ゾーン236−3までの接続を提供する。
図3Bを参照すると、フロー遷移要素234は、出口端232−2の下方に半径方向遷移コンジット270を含む。軸方向入力コンジット272は、ガス供給チャネル232の出口端232−2と半径方向遷移コンジット270の一端の間に結合される。軸方向出力コンジット274は、ガス供給チャネル236の中央ゾーン236−3と半径方向遷移コンジット270の他端の間に結合される。軸方向入力コンジット272は、ガス供給チャネル232の出口端232−2の底部内の開口部に合う。軸方向出力コンジット274は、ガス供給チャネル236の中央ゾーン236−3の底部内の開口部に合う。
図2及び図3Aに示されるように、上部及び下部グループのガスチャネル130、140は、一実施形態では、実質的に同一のガス流特性のために実質的に互いに鏡像であり、最適な均一性を提供する。これは、異なる(上部及び下部)平面内に上部及び下部グループのガスチャネル130、140を配置することによって促進され、2つのグループのガスチャネル間での空間占有の衝突を避ける。この後者の特徴は、ガス送出ブロック124の位置が2つのグループのチャネル間での可能性のある空間の衝突からの制約なしに選択されることを可能にする。最大の対称性は、上部及び下部ガス入口162及び164を含むガス送出ブロック124を、ガス分配チャネル136の端部136−1から約45度、及びガス分配チャネル236の端部236−1から約45度オフセットされた位置に環状蓋板110の円周に沿って配置することによって実現される。一実施形態でのこの構成の利点は、上部グループ内のガス供給チャネル132及び下部グループ内のガス供給チャネル232が同じ長さであることである。最適な均一性のために、ガス分配チャネル136及び236の通路長は同じであり、上部及び下部グループのガスチャネル130、140の通路長は同じである。軸方向のガス通路137−1、137−2、237−1、及び237−2に等しい通路長を提供することによって、ガス流量の均一な分配が実現され、ガス分配チャネル間に内在する不均一性によって影響を受けることなく、ユーザがガス流量を調整することを許容する。
上部及び下部グループのガスチャネル130、140を異なる平面内に配置することは、ガスチャネルが互いに重なることを可能にし、これによって環状蓋板110の環状領域を減少させる。この構成は、中央開口部110a(図1A)の直径を増加させ、あるチャンバ直径に対して誘電体窓112の面積を拡大する。
ここで、図7、図8及び図9に示されるように、ガス分配ハブ120は、ガス供給ポート120−1及び120−2から調整可能なノズル114の環状外側ガス注入通路118までのガス流路を提供する。ガス分配ハブ120はまた、ガス供給ポート120−3及び120−4から調整可能なノズル114の環状内側ガス注入通路116までのガス流路を提供する。一実施形態では、環状内側及び外側ガス注入通路116、118の各々は、完全な円又はリングを形成することができる。しかしながら、図7に示されるように、環状内側ガス注入通路116は、4つのセクション116a、116b、116c、及び116dに分割することができ、一方、環状外側ガス注入通路118は、4つのセクション118a、118b、118c、及び118dに分割することができる。
ガス供給ポート120−1へのガス流は、軸方向のドロップライン304及び308にそれぞれ供給する一対の半径方向の上昇している供給ライン302及び306間で分割される。半径方向の上昇している供給ライン302及び306の半径方向内側端部は、環状外側ガス注入通路118の最上部より上に上昇する。ガス供給ポート120−2へのガス流は、軸方向ドロップライン312及び316にそれぞれ供給する一対の半径方向の上昇している供給ライン310及び314間で分割される。半径方向の上昇している供給ライン310及び314の半径方向内側端部は、環状外側ガス注入通路118の最上部より上に上昇する。
4つの軸方向ドロップライン304、308、312、316は、環状外側ガス注入通路118に沿った4つの均等に離間した位置で終端を迎える。4つの軸方向ドロップライン304、308、312、316は、細長い囲まれた中空ラインである。一実施形態では、4つの軸方向ドロップライン304、308、312、316の各々は円筒状であり、中空の中心通路を画定する。
ガス供給ポート120−3へのガス流は、軸方向ドロップライン320及び324にそれぞれ供給する一対の半径方向の上昇した供給ライン318及び322の間で分割される。半径方向の上昇した供給ライン318及び322の半径方向内側端部は、環状内側ガス注入通路116の最上部より上に上昇する。ガス供給ポート120−4へのガス流は、軸方向ドロップライン328及び332にそれぞれ供給する一対の半径方向の上昇した供給ライン326及び330の間で分割される。半径方向の上昇した供給ライン326及び330の半径方向内側端部は、環状内側ガス注入通路116の最上部より上に上昇する。4つの軸方向ドロップライン320、324、328、332は、環状内側ガス注入通路116に沿った4つの均等に離間した位置で終端を迎える。4つの軸方向ドロップライン320、324、328、332は、細長い囲まれた中空ラインである。一実施形態では、4つの軸方向ドロップライン320、324、328、332の各々は円筒状であり、中空の中心通路を画定する。
図7〜図9の実施形態によって解決される課題は、図7を参照することによって理解することができる。図7において、もしもガス送出ライン310、314、318、322が上昇しておらず、その代わりに環状内側及び外側ガス注入通路116及び118の対応するものへ真直ぐに供給されたならば、ガス流は、大部分は各々の注入点で単一の回転方向に沿うであろうことは明らかである。したがって、例えば、供給ライン310から環状外側ガス注入通路118までのガス流は、交差点又は供給点で反時計方向になるであろう。更に、供給ライン314から環状外側ガス注入通路118までのガス流は、交差点又は供給点で反対(時計)方向になるであろう。この例では、ガス供給ライン310と314の間の環状外側ガス注入通路118の1以上のセクションへのガス流はほとんど無く、不均一性をもたらすだろう。
この問題は、一実施形態では、軸方向ドロップライン304、308、312、316を環状外側ガス注入通路118へ、軸方向ドロップライン320、324、328、332を環状内側ガス注入通路116へ提供することによって解決される。各々の軸方向ドロップラインは、(上昇したガス供給ラインから受け取るように)単一の方向に限定されるガス流の勢いの分配を、より均一なガス流分配のために、対応する環状ガス注入通路(116又は118)内の注入点で時計方向と反時計方向の間に均等に分割される分配へと変換する。
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。

Claims (8)

  1. 側壁を有するチャンバと、
    チャンバ内で処理するためにワークピースを保持する支持体と、
    側壁で支持された環状蓋板であって、環状蓋板は、
    第1のガス入口と、
    第2のガス入口と、
    第1のガス入口に接続された第1の複数のガス出口と、
    第2のガス入口に接続された第2の複数のガス出口とを備え、
    第1及び第2の複数のガス出口のうちのガス出口は角度的に離間している環状蓋板と、
    環状蓋板に支持された環状窓と、
    窓の開口部で支持されたガス分配ハブであって、ガス分配ハブは、
    第1の複数のガス供給ポートと、
    第2の複数のガス供給ポートと、
    第1の複数のガス供給ポートに接続された1つ以上の第1のガス注入通路と、
    第2の複数のガス供給ポートに接続された1つ以上の第2のガス注入通路とを備え、
    第1及び第2の複数のガス供給ポートのうちの供給ポートは角度的に離間しているガス分配ハブと、
    複数の半径方向延在コンジットであって、環状窓の上で延び、
    第1の複数のガス出口を第1の複数のガス供給ポートに接続させ、
    第2の複数のガス出口を第2の複数のガス供給ポートに接続させる半径方向延在コンジットとを備えるプラズマリアクタ。
  2. 半径方向延在コンジット及び第1及び第2の複数のガス出口のうちのガス出口は、等しい角度間隔で離間している、請求項1に記載のプラズマリアクタ。
  3. 第1の複数のガス出口のうちのガス出口は、半円の弧長だけ互いにオフセットされ、
    第2の複数のガス出口のうちのガス出口は、半円の弧長だけ互いにオフセットされている、請求項1に記載のプラズマリアクタ。
  4. 第1の複数のガス出口のうちのガス出口は、第2の複数のガス出口のうちのガス出口から1/4円の弧長だけオフセットされている、請求項3に記載のプラズマリアクタ。
  5. 第1及び第2の複数のガス出口のうちのガス出口は、環状蓋板に沿って交互に配置されている、請求項1に記載のプラズマリアクタ。
  6. 第1のガス入口と第1の複数のガス出口注入通路内部ガス注入の各々との間、及び第2のガス入口と第2の複数のガス出口の各々との間のガス通路長は等しくなっている、請求項1に記載のプラズマリアクタ。
  7. 1つ以上の第2のガス注入通路は、1つ以上の第1のガス注入通路の半径方向外側に配置されている、請求項1に記載のプラズマリアクタ。
  8. 第1の複数のガス供給ポートは、共通の第1のガス注入通路に接続されている、請求項1に記載のプラズマリアクタ。
JP2019226053A 2013-03-15 2019-12-16 高対称四重ガス注入によるプラズマリアクタ Active JP6937354B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361789485P 2013-03-15 2013-03-15
US61/789,485 2013-03-15
JP2018116830A JP6634475B2 (ja) 2013-03-15 2018-06-20 高対称四重ガス注入によるプラズマリアクタ

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018116830A Division JP6634475B2 (ja) 2013-03-15 2018-06-20 高対称四重ガス注入によるプラズマリアクタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020061563A true JP2020061563A (ja) 2020-04-16
JP6937354B2 JP6937354B2 (ja) 2021-09-22

Family

ID=51580581

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016500195A Active JP6359627B2 (ja) 2013-03-15 2014-02-03 高対称四重ガス注入によるプラズマリアクタ
JP2018116830A Active JP6634475B2 (ja) 2013-03-15 2018-06-20 高対称四重ガス注入によるプラズマリアクタ
JP2019226053A Active JP6937354B2 (ja) 2013-03-15 2019-12-16 高対称四重ガス注入によるプラズマリアクタ

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016500195A Active JP6359627B2 (ja) 2013-03-15 2014-02-03 高対称四重ガス注入によるプラズマリアクタ
JP2018116830A Active JP6634475B2 (ja) 2013-03-15 2018-06-20 高対称四重ガス注入によるプラズマリアクタ

Country Status (6)

Country Link
US (3) US10163606B2 (ja)
JP (3) JP6359627B2 (ja)
KR (1) KR102130061B1 (ja)
CN (2) CN104782234B (ja)
TW (3) TWI617222B (ja)
WO (1) WO2014149200A1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9536710B2 (en) 2013-02-25 2017-01-03 Applied Materials, Inc. Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection
CN107424901B (zh) 2013-03-12 2019-06-11 应用材料公司 具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件
KR102130061B1 (ko) * 2013-03-15 2020-07-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 매우 대칭적인 4-폴드 가스 주입부를 갖는 플라즈마 반응기
KR102553629B1 (ko) 2016-06-17 2023-07-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
JP6696322B2 (ja) * 2016-06-24 2020-05-20 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置、ガス処理方法及び記憶媒体
US11694911B2 (en) * 2016-12-20 2023-07-04 Lam Research Corporation Systems and methods for metastable activated radical selective strip and etch using dual plenum showerhead
US10840066B2 (en) 2018-06-13 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Adjustable fastening device for plasma gas injectors
KR102610827B1 (ko) * 2018-12-20 2023-12-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개선된 가스 유동을 처리 챔버의 처리 용적에 공급하기 위한 방법 및 장치
US20200258718A1 (en) * 2019-02-07 2020-08-13 Mattson Technology, Inc. Gas Supply With Angled Injectors In Plasma Processing Apparatus
CN110223904A (zh) * 2019-07-19 2019-09-10 江苏鲁汶仪器有限公司 一种具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统
US11856706B2 (en) * 2019-12-03 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Method and system for improving the operation of semiconductor processing
US11562909B2 (en) * 2020-05-22 2023-01-24 Applied Materials, Inc. Directional selective junction clean with field polymer protections
KR20220029906A (ko) * 2020-09-02 2022-03-10 에스케이하이닉스 주식회사 기판의 평탄화 장치 및 방법
KR102619579B1 (ko) * 2021-08-11 2023-12-29 주식회사 피에스에스 배기가스 처리를 위한 플라즈마 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009065153A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Applied Materials Inc プラズマリアクタチャンバにおいてウェハ縁端部でガスを注入するカソードライナ
US20090311872A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Tokyo Electron Limited Gas ring, apparatus for processing semiconductor substrate, the apparatus including the gas ring, and method of processing semiconductor substrate by using the apparatus
CN102138204A (zh) * 2008-09-03 2011-07-27 东京毅力科创株式会社 气体供给部件以及等离子体处理装置
JP2013033816A (ja) * 2011-08-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6236825A (ja) * 1985-08-12 1987-02-17 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
US6024826A (en) 1996-05-13 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material
KR100276736B1 (ko) 1993-10-20 2001-03-02 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
US5620523A (en) 1994-04-11 1997-04-15 Canon Sales Co., Inc. Apparatus for forming film
US5746875A (en) 1994-09-16 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
JP3178295B2 (ja) 1995-03-29 2001-06-18 株式会社田村電機製作所 カード移し換え装置
JPH0918614A (ja) 1995-06-29 1997-01-17 Canon Inc ファクシミリ装置
TW283250B (en) 1995-07-10 1996-08-11 Watkins Johnson Co Plasma enhanced chemical processing reactor and method
US6089182A (en) 1995-08-17 2000-07-18 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JPH0982495A (ja) 1995-09-18 1997-03-28 Toshiba Corp プラズマ生成装置およびプラズマ生成方法
TW356554B (en) 1995-10-23 1999-04-21 Watkins Johnson Co Gas injection system for semiconductor processing
US6200412B1 (en) 1996-02-16 2001-03-13 Novellus Systems, Inc. Chemical vapor deposition system including dedicated cleaning gas injection
US5948704A (en) 1996-06-05 1999-09-07 Lam Research Corporation High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US6367410B1 (en) 1996-12-16 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Closed-loop dome thermal control apparatus for a semiconductor wafer processing system
US6083344A (en) 1997-05-29 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-zone RF inductively coupled source configuration
US6051073A (en) 1998-02-11 2000-04-18 Silicon Genesis Corporation Perforated shield for plasma immersion ion implantation
US6129808A (en) 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6230651B1 (en) * 1998-12-30 2001-05-15 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
US6326597B1 (en) 1999-04-15 2001-12-04 Applied Materials, Inc. Temperature control system for process chamber
US6518190B1 (en) 1999-12-23 2003-02-11 Applied Materials Inc. Plasma reactor with dry clean apparatus and method
AU2001237323A1 (en) 2000-02-01 2001-08-14 E.G.O. Elektro-Geratebau Gmbh Electric heating element and method for the production thereof
US7196283B2 (en) * 2000-03-17 2007-03-27 Applied Materials, Inc. Plasma reactor overhead source power electrode with low arcing tendency, cylindrical gas outlets and shaped surface
US6451161B1 (en) 2000-04-10 2002-09-17 Nano-Architect Research Corporation Method and apparatus for generating high-density uniform plasma
US6414648B1 (en) 2000-07-06 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna
US6685798B1 (en) 2000-07-06 2004-02-03 Applied Materials, Inc Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna
US6450117B1 (en) 2000-08-07 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Directing a flow of gas in a substrate processing chamber
TW445540B (en) 2000-08-07 2001-07-11 Nano Architect Res Corp Bundle concentrating type multi-chamber plasma reacting system
JP3889918B2 (ja) * 2000-08-25 2007-03-07 富士通株式会社 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びプラズマ処理装置
US20020038791A1 (en) 2000-10-03 2002-04-04 Tomohiro Okumura Plasma processing method and apparatus
EP1361604B1 (en) * 2001-01-22 2009-03-18 Tokyo Electron Limited Device and method for treatment
US6899787B2 (en) 2001-06-29 2005-05-31 Alps Electric Co., Ltd. Plasma processing apparatus and plasma processing system with reduced feeding loss, and method for stabilizing the apparatus and system
US6527911B1 (en) 2001-06-29 2003-03-04 Lam Research Corporation Configurable plasma volume etch chamber
US20030070620A1 (en) 2001-10-15 2003-04-17 Cooperberg David J. Tunable multi-zone gas injection system
US7354501B2 (en) * 2002-05-17 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Upper chamber for high density plasma CVD
KR100862658B1 (ko) 2002-11-15 2008-10-10 삼성전자주식회사 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치
JP4584565B2 (ja) 2002-11-26 2010-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP3881307B2 (ja) 2002-12-19 2007-02-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR100585089B1 (ko) 2003-05-27 2006-05-30 삼성전자주식회사 웨이퍼 가장자리를 처리하기 위한 플라즈마 처리장치,플라즈마 처리장치용 절연판, 플라즈마 처리장치용하부전극, 웨이퍼 가장자리의 플라즈마 처리방법 및반도체소자의 제조방법
JP4273932B2 (ja) * 2003-11-07 2009-06-03 株式会社島津製作所 表面波励起プラズマcvd装置
JP2005201686A (ja) 2004-01-13 2005-07-28 Shimadzu Corp ガスクロマトグラフ用炎光光度検出器
US7722737B2 (en) * 2004-11-29 2010-05-25 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for improved transient phase deposition
US20060172542A1 (en) 2005-01-28 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to confine plasma and to enhance flow conductance
KR100854995B1 (ko) 2005-03-02 2008-08-28 삼성전자주식회사 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치
US9218944B2 (en) 2006-10-30 2015-12-22 Applied Materials, Inc. Mask etch plasma reactor having an array of optical sensors viewing the workpiece backside and a tunable element controlled in response to the optical sensors
US8017029B2 (en) 2006-10-30 2011-09-13 Applied Materials, Inc. Plasma mask etch method of controlling a reactor tunable element in accordance with the output of an array of optical sensors viewing the mask backside
US7976671B2 (en) 2006-10-30 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Mask etch plasma reactor with variable process gas distribution
WO2008088110A1 (en) 2007-01-15 2008-07-24 Jehara Corporation Plasma generating apparatus
US20100101728A1 (en) * 2007-03-29 2010-04-29 Tokyo Electron Limited Plasma process apparatus
US7832354B2 (en) * 2007-09-05 2010-11-16 Applied Materials, Inc. Cathode liner with wafer edge gas injection in a plasma reactor chamber
US7879250B2 (en) * 2007-09-05 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor with independent wafer edge process gas injection
US8062472B2 (en) 2007-12-19 2011-11-22 Applied Materials, Inc. Method of correcting baseline skew by a novel motorized source coil assembly
US20090159213A1 (en) 2007-12-19 2009-06-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate having a path splitting manifold immersed within a showerhead
US20090162262A1 (en) 2007-12-19 2009-06-25 Applied Material, Inc. Plasma reactor gas distribution plate having path splitting manifold side-by-side with showerhead
KR20090102257A (ko) 2008-03-25 2009-09-30 (주)타이닉스 유도결합형 플라즈마 에칭장치
JP5208554B2 (ja) * 2008-03-31 2013-06-12 日本碍子株式会社 Dlc成膜方法
US7987814B2 (en) 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
US20090275206A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Plasma process employing multiple zone gas distribution for improved uniformity of critical dimension bias
US20090277587A1 (en) 2008-05-09 2009-11-12 Applied Materials, Inc. Flowable dielectric equipment and processes
US8317970B2 (en) 2008-06-03 2012-11-27 Applied Materials, Inc. Ceiling electrode with process gas dispersers housing plural inductive RF power applicators extending into the plasma
US20110222038A1 (en) * 2008-09-16 2011-09-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate placing table
JP5056735B2 (ja) * 2008-12-02 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
DE212010000009U1 (de) 2009-09-10 2011-05-26 LAM RESEARCH CORPORATION (Delaware Corporation), California Auswechselbare obere Kammerteile einer Plasmaverarbeitungsvorrichtung
KR101095172B1 (ko) 2009-10-01 2011-12-16 주식회사 디엠에스 플라즈마 반응 챔버의 사이드 가스 인젝터
US8741097B2 (en) 2009-10-27 2014-06-03 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
SG10201501824XA (en) * 2010-03-12 2015-05-28 Applied Materials Inc Atomic layer deposition chamber with multi inject
JP5567392B2 (ja) 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5723130B2 (ja) 2010-09-28 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8486242B2 (en) 2010-10-18 2013-07-16 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus and methods to reduce deposition asymmetry
JP5800547B2 (ja) 2011-03-29 2015-10-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TWI659674B (zh) 2011-10-05 2019-05-11 應用材料股份有限公司 電漿處理設備及蓋組件
US8933628B2 (en) 2011-10-28 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with phase control
US9017481B1 (en) * 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US20130256271A1 (en) 2012-04-03 2013-10-03 Theodoros Panagopoulos Methods and apparatuses for controlling plasma in a plasma processing chamber
US9082591B2 (en) 2012-04-24 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single RF power generator
US9111722B2 (en) 2012-04-24 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Three-coil inductively coupled plasma source with individually controlled coil currents from a single RF power generator
US9161428B2 (en) 2012-04-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Independent control of RF phases of separate coils of an inductively coupled plasma reactor
US9082590B2 (en) 2012-07-20 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and RF distribution plates
US10170279B2 (en) 2012-07-20 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding
US9449794B2 (en) 2012-07-20 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and spiral coil antenna
US9928987B2 (en) * 2012-07-20 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with symmetrical RF feed
US10249470B2 (en) 2012-07-20 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with coaxial RF feed and coaxial shielding
US10131994B2 (en) * 2012-07-20 2018-11-20 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with top coil over a ceiling and an independent side coil and independent air flow
US9536710B2 (en) 2013-02-25 2017-01-03 Applied Materials, Inc. Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection
CN107424901B (zh) * 2013-03-12 2019-06-11 应用材料公司 具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件
KR102130061B1 (ko) * 2013-03-15 2020-07-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 매우 대칭적인 4-폴드 가스 주입부를 갖는 플라즈마 반응기
US10553398B2 (en) 2013-09-06 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Power deposition control in inductively coupled plasma (ICP) reactors
US9779953B2 (en) 2013-09-25 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Electromagnetic dipole for plasma density tuning in a substrate processing chamber

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009065153A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Applied Materials Inc プラズマリアクタチャンバにおいてウェハ縁端部でガスを注入するカソードライナ
US20090311872A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Tokyo Electron Limited Gas ring, apparatus for processing semiconductor substrate, the apparatus including the gas ring, and method of processing semiconductor substrate by using the apparatus
CN102138204A (zh) * 2008-09-03 2011-07-27 东京毅力科创株式会社 气体供给部件以及等离子体处理装置
JP2013033816A (ja) * 2011-08-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190122861A1 (en) 2019-04-25
CN104782234B (zh) 2017-07-14
US11244811B2 (en) 2022-02-08
KR20150129659A (ko) 2015-11-20
WO2014149200A1 (en) 2014-09-25
US20150371826A1 (en) 2015-12-24
KR102130061B1 (ko) 2020-07-03
TWI617222B (zh) 2018-03-01
US10163606B2 (en) 2018-12-25
TW202103520A (zh) 2021-01-16
TW201817287A (zh) 2018-05-01
CN107221487B (zh) 2019-06-28
JP6634475B2 (ja) 2020-01-22
CN107221487A (zh) 2017-09-29
JP6359627B2 (ja) 2018-07-18
TW201436650A (zh) 2014-09-16
JP2018174340A (ja) 2018-11-08
US11728141B2 (en) 2023-08-15
JP6937354B2 (ja) 2021-09-22
US20220157562A1 (en) 2022-05-19
TWI703900B (zh) 2020-09-01
TWI747402B (zh) 2021-11-21
JP2016519845A (ja) 2016-07-07
CN104782234A (zh) 2015-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6937354B2 (ja) 高対称四重ガス注入によるプラズマリアクタ
JP6862505B2 (ja) 方位角方向及び半径方向分布制御を備えたマルチゾーンガス注入アセンブリ
CN109594061B (zh) 用于半导体处理的气体分配喷头
US20190085467A1 (en) Plasma Reactor Having Radial Struts for Substrate Support

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201030

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201201

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20210301

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210406

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210803

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210830

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6937354

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250