TW202041112A - 一種磁性裝置和堆疊式電子結構 - Google Patents

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Abstract

一種磁性裝置，包括一磁性本體，設置在該磁性本體中的一線圈和至少一導熱層，其中，所述至少一導熱層的第一部分包覆線圈的至少一部分，所述至少一導熱層的第二部分從該磁性本體露出，其中，所述至少一導熱層形成從線圈到該磁性本體外部的一連續的導熱路徑，以消散線圈產生的熱量。

Description

一種磁性裝置和堆疊式電子結構
本發明係有關於一種電子裝置，尤其涉及一種堆疊式電子結構
傳統的電子結構，例如功率模塊和DC-DC轉換器，通常包括具有互連電路的電子裝置，該互連電路電性連接到基板。 所述電子裝置置耦合到引線以用於連接到導電圖案和/或其他電子組件。用於減小電子結構所佔據的表面積的一種常規方法是堆疊組裝的裝置，但是，線圈產生的熱量難以散發。此外，堆疊式電子結構產生的熱量也難以散發。
因此，業界需要一更好的解決方案來解決上述問題。
本發明的一目的是是提供一種在單個封裝中具有多個電感器的元件，以節省PCB板空間。
本發明的一目的是提供一種電感器陣列，該電感器陣列具有被磁性本體封裝的多個線圈以形成多個電感器，以便控制該多個電感器的磁特性。
本發明的一個目的是提供一種在單個封裝中具有多個電感器的元件，以使組裝過程更有效率。
本發明的一個目的是提供一種在單個封裝中具有多個具有不同電感的電感器的電感器陣列，以滿足設計要求。
本發明的一實施例揭露一種磁性裝置，包括：一磁性本體，設置在所述磁性本體中的一線圈和至少一導熱層，其中所述至少一導熱層的一第一部分包覆所述線圈的至少一部分，所述至少一導熱層中的一第二部分從所述磁性本體暴露出來，其中，所述至少一導熱層形成從所述線圈到所述磁性本體的一外部的連續的導熱路徑，以消散由所述線圈產生的熱量。
在一實施例中，所述至少一導熱層包括導熱和黏合材料以包覆所述線圈的一內側表面。
在一實施例中，所述導熱和黏合層包覆所述線圈的一外表面。
在一實施例中，所述至少一導熱層包括導熱黏合層和金屬層，其中所述導熱黏合層的第一部分包覆所述線圈的一內側表面， 其中金屬層覆蓋在導熱和黏合層的第二部分上並延伸到磁性本體的外表面，以消散由所述線圈產生的熱量。
在一實施例中，所述磁性裝置是一電感器。
在一實施例中，所述磁性裝置是一扼流圈。
在一實施例中，所述至少一導熱層具有的導熱率：K＞ 0.5W / mK。
在一實施例中，所述至少一導熱層中的每一導熱層包括以下材料中的至少一種：金屬，銅箔，導熱膏，導熱膠，導熱膠帶，銅柱，石墨。
在一實施例中，所述至少一導熱層包括第一導熱層，所述第一導熱層包括導熱和黏合材料，所述第一導熱層設置在所述線圈的一內側表面與設置在所述線圈中空部位中的磁性本體的一部分之間。
在一實施例中，所述磁性本體包括I形芯，其中一第一導熱層設置在所述線圈的一內側表面與所述I形芯的中柱之間。
在一實施例中，所述磁性本體包括一T形芯，其中一第一導熱層設置在所述線圈的一內側表面和所述T形芯的中柱之間。
在一實施例中，本發明的一實施例揭露一種堆疊式電子結構，包括：一基板，其中多個電子元件設置在所述基板上並電性連接至所述基板，其中一封裝體包覆所述多個電子元件，其中一第一導熱層設置在一第一電子元件上，一第二導熱層是設置在一第二電子元件上，所述第一導熱層與所述第二導熱層之間被一間隙隔開; 以及一磁性裝置，包括一磁性本體，所述磁性本體設置在所述封裝體的上表面上，其中至少一第三導熱層包覆所述磁性本體，其中所述至少一第三導熱層包括第一端部和第二端部，其中，所述第一端部和所述第二端部被一間隙隔開，其中所述第一導熱層和所述第二導熱層分別與所述第一端部和所述第二端部連接以進行散熱。
在一實施例中，所述至少一第三導熱層包括一第三金屬層，所述第三金屬層包覆所述磁性本體的上表面，並通過一第一側表面延伸至所述第一端部和所述第二端部。
在一實施例中，所述至少一第三導熱層包括一第三金屬層，所述第三金屬層包覆所述磁性本體的上表面，其中，所述第三金屬層通過一第一側表面延伸到所述第一端部，所述第三金屬層通過一第二側表面延伸到所述第二端部，其中所述第一側表面與所述第二側表面相對。
在一實施例中，所述第三金屬層通過一第二側表面延伸至一第三端部和一第四端部，其中所述第一側表面與所述第二側表面相對。
在一實施例中，所述第一電子元件和所述第二電子元件中的每一個元件是MOSFET。
在一實施例中，所述第一導熱層為一第一金屬層，所述第二導熱層為一第二金屬層，所述至少一第三導熱層包括一第三金屬層與一第四金屬層，其中所述第三金屬層和所述第四金屬層被一間隙隔開，其中所述第一金屬層和所述第二金屬層分別與所述第三金屬層和所述第四金屬層連接以散熱。
在一實施例中，所述第三金屬層延伸至所述第一端部和一第三端部，且所述第三金屬層延伸至所述第二端部和一第四端部。
在一實施例中，所述第一端部，所述第二端部，所述第三端部和所述第四端部中的每一個端部設置在所述磁性本體的下表面的一相對應部分上。
在一實施例中，所述第一端部，所述第二端部，所述第三端部和所述第四端部中的每一個端部均朝遠離所述磁性本體的方向上延伸。
為使本發明的上述和其他特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合附圖，作詳細說明如下。
圖1A示出了本發明的一個實施例的磁性裝置的截面側視圖。 如圖1A所示，其中磁性裝置包括一磁性本體101，設置在磁性本體101中的一線圈102和一第一導熱層104，其中第一導熱層104的第一部分104a設置101線圈102的內側表面和設置在線圈102的中空部位中的磁性本體101的第一部分101a之間，其中第一導熱層104的第二部分104b從磁性本體101暴露，以消散由線圈102產生的熱量。
在一個實施例中，磁性本體101包括T形芯101T，其中第一導熱層104的第一部分104a設置在線圈102的內側表面和T形芯101T的中柱101a之間，其中 第一導熱層104的第二部分104b設置在T形芯101T的外表面上以消散來自線圈的熱量。
在一個實施例中，第一導熱層104的第三部分104b1設置在T形芯101T的外表面上以消散來自線圈的熱量。
在一個實施例中，所述磁性裝置是一電感器。
在一個實施例中，在一實施例中，所述磁性裝置是一扼流圈。
在一個實施例中，第一導熱層104具有導熱率：K > 0.5 W / mK。
在一個實施例中，在一實施例中，第一導熱層104對線圈的覆蓋率為5〜100％。
在一個實施例中，第一導熱層104包括以下材料中的至少一種：銅箔，導熱膏，導熱膠，導熱膠帶，銅柱，石墨。
在一個實施例中，第一導熱層104包括導熱和黏合材料。
在一個實施例中，第一導熱層104延伸至磁性本體的一外表面。
在一個實施例中，圖1B示出了本發明的一個實施例的磁性裝置的截面側視圖。 如圖1B所示，其中磁性裝置包括磁性本體101，設置在磁性本體101中的一線圈102和第一導熱層104，其中第一導熱層104的第一部分104a設置101線圈102的內側表面和設置在線圈102的中空部位中的磁性本體101的第一部分101a之間，其中第二導熱層105的第一部分105a設置在第一導熱層104的對應部分104c上，第二導熱層105的第二部分105b延伸到磁性本體101的一外表面，其中第一導熱層104和第二導熱層105形成連續的導熱路徑以消散從線圈102產生的熱量。
在一個實施例中，磁性本體101包括T形芯101T，其中第一導熱層104的第一部分104a設置在線圈102的內側表面和T形芯101T的中柱101a之間，其中 第二導熱層105的第二部分105b設置在T形芯101T的一外表面上。
在一個實施例中，第二導熱層105的第三部分105b1設置在T形芯101T的一外表面上，以散發來自線圈的熱量。
在一個實施例中，第二導熱層105包括以下材料中的至少一種：銅箔，導熱膏，導熱膠，導熱膠帶，銅柱，石墨。
在一個實施例中，第二導熱層105具有導熱率：K> 0.5 W / mK。
在一個實施例中，磁性本體101包括I形芯，如圖1C和圖1C所示。
在一個實施例中，圖1C示出了本發明一個實施例的磁性裝置的截面側視圖。 如圖1C所示，其中磁性裝置包括磁性本體101，設置在磁性本體101中的線圈102和第一導熱層104，其中第一導熱層104的第一部分104a設置101線圈102的內側表面和設置在線圈102的中空部位中的磁性本體101的第一部分101a之間，其中第一導熱層104的第二部分104b從磁性本體101暴露，以消散由線圈102產生的熱量。
在一個實施例中，磁性本體101包括I形芯101i，如圖1C所示，其中第一導熱層104的第一部分104a設置在線圈102的內側表面與I形芯101i的中柱101a之間，其中第一導熱層104的第二部分104b設置I形芯101i的一外表面上。
在一個實施例中，第一導熱層104的第三部分104b1設置在I形芯101i的一外表面上以消散來自線圈的熱量。
在一個實施例中，第一導熱層104的第四部分104b2設置在I形芯101i的一外表面上以消散來自線圈的熱量。
在一個實施例中，第一導熱層104的第五部分104b3設置在I形芯101i的一外表面上以消散來自線圈的熱量。
在一個實施例中，圖1D示出了本發明的一個實施例的磁性裝置100的截面側視圖。 如圖1D所示，其中磁性裝置包括磁性本體101，設置在磁性本體101中的線圈102和第一導熱層104，其中第一導熱層的第一部分104a設置在線圈的內側表面之間 102和磁性本體101的第一部分101a設置在線圈102的中空部位中，其中第二導熱層105的第一部分105a設置在第一導熱層104上，第二導熱層105的第二部分105b延伸到磁性本體101的一外表面，其中第一導熱層104和第二導熱層105形成連續的導熱路徑以消散從線圈102產生的熱量。
在一個實施例中，如圖1D所示，磁性本體101包括I形芯101i，其中第一導熱層104的第一部分104a設置在線圈102的內側表面與I形芯101i的中柱101a之間，其中第二導熱層105的第二部分105b設置在I形芯101i的一外表面上。
在一實施例中，第二導熱層105的第三部分105b1設置在I形芯101i的一外表面上以消散來自線圈的熱量。
在一實施例中，第二導熱層105的第四部分105b2設置在I形芯101i的一外表面上，以耗散來自線圈的熱量。
在一個實施例中，第二導熱層105的第五部分105b3設置在I形芯101i的一外表面上以消散來自線圈的熱量。
請注意，形成磁性本體101的方式有很多種，例如，磁性本體101可以包括T形芯以及封裝線圈和T形芯的磁性材料，或者磁性本體101可以包括I型芯以及封裝以及線圈和I磁芯的磁性材料，或者整個磁性本體101可以一體形成，也就是說，封裝線圈的材料也填充到線圈的中空部位中。
請注意，有很多方法可以包覆線圈的至少一部分。 例如，導熱層可以包覆線圈的一內側表面，或者導熱層可以包覆線圈的一外表面，或者導熱層可以包覆線圈的一內側表面和線圈的一外表面。
在一實施例中，導熱層可以包覆線圈的整個內側表面和外表面以進行散熱。
在一實施例中，如圖1E所示，第一導熱層104包括與形成線圈的導線接觸的T形部分，其中第一導熱層104的端部104e從封裝體暴露以用於散熱。
在一實施例中，如圖1F所示，第一導熱層104包括包覆形成線圈的導線的圓形部分，其中第一導熱層104的端部104e從封裝體暴露以用於散熱。
在一實施例中，導熱層對線圈的覆蓋率為5％至100％。
在一實施例中，揭露了一種堆疊式的電子結構。請參考圖2A，圖2B和圖2C，其中，堆疊式的電子結構包括：基板205，設置在基板205上並與基板205電性連接的多個電子元件207A，207B，209，其中第一導電層207AH設置在第一電子元件207A上，第二導熱層207BH設置在第二電子元件207B上，其中第一導熱層207AH和第二導熱層207BH被一間隙隔開，如圖2A所示，其中封裝體210封裝了多個電子裝置207A，207B，209，如圖2A所示。在圖2C中，為了說明目的示出了207AH和207BH。磁性裝置201包括磁性本體201B，其設置在封裝體210的上表面上，其中第三導熱層201M包覆磁性本體201B，其中第三導熱層201M包括第一端部201a和第二端部201b，其中第一端部201a和第二端部201b被一間隙隔開，並且第一導熱層207AH和第二導熱層207BH分別與第一端部201a和第二端部201b連接，如圖2B和圖2C所示。
請注意，第一端部201a和第二端部201b部分可以位於磁性本體201B的同一側表面，或者第一端部201a和第二端部201b可以位於不同的側表面，或者第一端部201a和第二端部201b可設置在磁性本體201B的下表面上。
在一實施例中，如圖2B所示，另一導熱層209H可設置在被動電子元件上以散熱。
在一實施例中，第三導熱層201M還包括第三端部201c和第四端部201d，其中第三端部201c和第四端部201d被一間隙隔開。封裝磁性本體201B的第三導熱層201M可以具有至少兩個端部以與207AH，207BH，219H導熱層連接，以散發從電子元件207A，207B，219產生的熱量， 如圖2C所示。
在一實施例中，如圖2C所示，金屬層215、216、217可以設置在封裝體210上，並且第一端部201a和第二端部201b端部經由金屬層215、216、217可以與第一導熱層207AH和第二導熱層207BH電性連接以消散從對電子元件207A，207B產生的熱量。
在一實施例中，電子元件207A，207B是主動元件。
在一實施例中，電子元件207A，207B是MOSFET。
在一實施例中，基板205是BT（苯丙酰亞胺三嗪）板，金屬基板或陶瓷基板。
在一實施例中，磁性裝置的第一電極電性連接到設置在基板上的第一墊片250如一導電柱，如圖2A所示。
在一實施例中，磁性裝置的第二電極電性連接到第二墊片251如一導電柱，如圖2A所示。
在一實施例中，如圖2E所示，金屬層218可以設置在封裝體210上，並且第一端部201a和第二端部201c的端部可以通過金屬層218與第一導熱層207AH和第二導熱層207BH電性連接以散熱。
在一實施例中，每個端部201a，201b，201c，201d向內延伸，即每個端部201a，201b，201c，201d延伸到磁性本體201B的下表面上。 在一實施例中，線圈的電極222可以位於第一端部201a和第二端部201b之間。
在一實施例中，如圖2D所示，金屬層218和219可以設置在封裝體210上，其中端部201b和端部201d可以與金屬層218電性連接，端部201a和端部201c可以與金屬層219電性連接以 散發相應電子裝置產生的熱量。
在一實施例中，第三導熱層201M包括一金屬層，並且該金屬層通過導熱和黏合材料黏合到磁性本體201B。
在一實施例中，包括金屬的第三導熱層201M電性連接到地，以用於散熱和降低EMI。
在一實施例中，第三導熱層201M封裝了磁性本體201B的上表面和多個側表面以用於散熱。
在一實施例中，第三導熱層201M封裝磁性裝置201的上表面和四個側表面以進行散熱。
在一實施例中，第三導熱層201M包括折疊的金屬板，該金屬板封裝磁性裝置的上表面和多個側表面。
在一實施例中，磁性裝置201是一電感器。
在一實施例中，磁性裝置201是一扼流圈。
在一實施例中，圖2B-2D所示的第三導熱層201M可以將其分成兩個導熱層，例如圖3A所示的兩個分離的金屬層201L，201R，其中金屬層201L包括第一端部201a和第三端部201c，金屬層201R包括第二端部201b和第四端部201d，其中每個端部201a，201b，201c，201d 端部201a，201b，201c，201d分別向朝遠離磁性本體201B的一方向上延伸。
在一實施例中，線圈的電極222可以位於第一端部201a和第二端部201b之間。
在一實施例中，圖2B-2D所示的第三導熱層201M可以將其分成兩個導熱層，例如圖3B所示的兩個分離的金屬層201L，201R，其中金屬層201L包括第一端部201a和第三端部201c，金屬層201R包括第二端部201b和第四端部201d，其中每個端部201a，201b，201c，201d端部201a，201b，201c，201d延伸至磁性本體201B的下表面，金屬層201L從第一側表面延伸至下表面。金屬層201R從磁性本體201B的第一側表面延伸到下表面，其中，線圈的電極的一部分設置在與磁性本體201B的相鄰於該第一側表面的第二側表面上。
在一實施例中，圖2B-2D所示的第三導熱層201M可以將其分成兩個導熱層，例如圖3C所示的兩個分離的金屬層201L，201R，其中金屬層201L包括第一端部201a和第三端部201c，金屬層201R包括第二端部201b和第四端部201d，其中每個端部201a，201b，201c，201d向內延伸，即各端部201a，201b，201c，201d延伸至磁性本體201B的下表面上，金屬層201L通過第二側表面延伸至下表面。金屬層201R通過第四側表面延伸至下表面，其中第二側表面與第四側表面相對，其中線圈的一部分電極設置在與第二側表面相鄰的第一側表面上。
在一實施例中，金屬層201L，201R中的每一個金屬層包括折疊的金屬板，該折疊的金屬板封裝磁性裝置的上表面和多個側表面。
在一實施例中，金屬層201L，201R中的每一金屬層一體成形。
在一實施例中，每個金屬層201L，201R的至少一部分被電鍍在磁性裝置的上表面和多個側表面上。
在一實施例中，金屬層201L，201R中的每一金屬層都接地以消散熱量並降低EMI。
例如，如圖4所示，在不具有散熱金屬層的常規電子模塊中，MOSFET的熱阻為12.07，通過使用具有金屬層201L，201R的堆疊式電子模塊可以將其減小至4.84。
在一實施例中，如圖5A所示，可以在磁性本體201B的下表面上設置諸如絕緣層片的絕緣層280，以防止在磁性本體與模塊210之間發生短路，其中金屬層201L包括第一端部201a，金屬層201R包括第二端部201b，該些端部201a，201b可以設置在絕緣層280的下表面上，如圖5B所示，其中每個端部201a，201b向內延伸，即每個端部201a，201b延伸到磁性本體201B的下表面，其中金屬層201L通過從第二側表面延伸到磁性本體201B的下表面，金屬層201R通過第四側表面延伸到磁性本體201B的下表面，其中第二側表面與第四側表面相對，其中磁性裝置的電極222的一部分設置在與第二側表面相鄰的第一側表面上。
在一實施例中，絕緣層片280的下表面與第一端部201a的下表面和第二端部201b的下表面對齊，以便安裝磁性裝置，其中第一端部201a和第二端部201b可以電性連接到模塊210上表面上的墊片250，以及磁性裝置的電極222可以電性連接到模塊210的上表面上的墊片251， 如圖5C所示。
在一實施例中，如圖6A所示，金屬層201M包括第一端部201a和第二端部201b，其中，每個端部201a，201b向內延伸，即每個端部201a，201b延伸至磁性本體201B的下表面，其中金屬層201M通過磁性本體201B的第二側表面和第四側表面延伸到磁性本體201B的下表面，其中第二側表面與第四側表面相對，其中磁性裝置的電極的一部分設置在與第二側表面相鄰的第一側表面上。
在一實施例中，如圖6B所示，金屬層201M包括形成在端部201a中並延伸至磁性本體201B的第二表面的第一開口201ah和形成在端部201b中並延伸至磁性本體的第四表面的第二開口201bh。在一實施例中，可以在開口201ah，201bh中放置焊接材料，以使磁性裝置與模塊210之間的連接更加可靠。
在一實施例中，如圖6C所示，可以在磁性本體201B的上表面上設置絕緣層290，並且可以在絕緣層290上設置金屬層201M。在一實施例中，絕緣層290是聚酯薄膜(mylar)片。
圖7A示出了模塊210的熱模擬的熱分佈，其中沒有使用散熱器以散發來自模塊210的熱量；圖7B示出了模塊210的熱模擬的熱分佈，其中使用了本發明的散熱結構以散發來自模塊210的熱量，圖7C示出了從模塊210的元件或區域產生的熱量大小。 模擬結果表明，如圖7D所示，使用本發明的散熱結構來散熱來自模塊210的熱量，最高溫度為52.925（℃），最高熱阻為8.514（K / W），而在沒有散熱器的情況下，最高溫度為98.061（℃），最大熱阻為22.439（K / W）。
儘管已經參考上述實施例描述本發明，但是對於本領域普通技術人員來說顯而易見的是，在不脫離本發明的精神的情況下，可以對所描述的實施例進行修改。 因此，本發明的範圍將由所附權利要求限定，而不是由上面詳細描述限定。
101:磁性本體 101a:磁性本體的第一部分 101T:T形芯 101i:I形芯 102:線圈 104:第一導熱層 104a:第一導熱層的第一部分 104b:第一導熱層的第二部分 104b1:第一導熱層的第三部分 104b2:第一導熱層的第四部分 104b3:第一導熱層的第五部分 104e:第一導熱層的端部 105:第二導熱層 105a:第二導熱層的第一部分 105b:第二導熱層的第二部分 105b1:第二導熱層的第三部 105b2:第二導熱層的第四部分 105b3:第二導熱層的第五部分 201:磁性裝置 201B:磁性本體 201M:第三導熱層 201a:第一端部 201b:第二端部 201c:第三端部 201d:第四端部 201ah:第一開口 201bh:第二開口 205:基板 207A，207B，209:電子元件 207AH:第一導熱層 207BH:第二導熱層 209H:導熱層 210:封裝體 215、216、217、218、219、201L、201R:金屬層 222:電極 250:第一墊片 251:第二墊片 280、290:絕緣層
包括附圖以提供對本發明的進一步理解且附圖包含在本說明書中並構成本說明書的一部分。附圖示出本發明的實施例並與說明書一起用於解釋本發明的原理。
圖1A-1D分別示出了本發明的相應實施例的磁性裝置的截面側視圖。
圖1E-1F分別示出了本發明的相應實施例的的由導熱層封裝的線圈的橫截面側視圖。
圖2A示出了本發明的一個實施例的堆疊的電子結構的佈局。
圖2B-2C示出了本發明的一個實施例的堆疊式的電子結構的示意圖。
圖2D-2E示出了本發明的一個實施例的堆疊式的電子結構的示意圖。
圖2F-2G示出了本發明的一個實施例的堆疊式的電子結構的示意圖。
圖3A-3C示出了本發明的一個實施例的堆疊式的電子結構的示意圖。
圖4示出了本發明的一些堆疊的電子模塊的熱阻與傳技術的比較。
圖5A示出了本發明實施例的磁性裝置的俯視圖。
圖5B示出了圖中的磁性裝置的仰視圖。
圖5C示出了圖5A中的模塊的俯視圖。
圖6A示出了本發明實施例的磁性裝置的俯視圖。
圖6B示出了圖6A的磁性裝置的仰視圖。
圖6C示出了本發明實施例的磁性裝置的俯視圖。
圖7A-7D示出了本發明實施例的模塊的熱模擬結果。
101:磁性本體
101a:磁性本體的第一部分
102:線圈
104:第一導熱層
104a:第一導熱層的第一部分
104b:第一導熱層的第二部分

Claims (20)

  1. 一種磁性裝置，包括：一磁性本體，設置在所述磁性本體中的一線圈以及至少一導熱層，其中所述至少一導熱層的一第一部分包覆所述線圈的至少一部分，且所述至少一導熱層中的一第二部分從所述磁性本體暴露出來，其中，所述至少一導熱層形成從所述線圈到所述磁性本體的一外部的一連續的導熱路徑，以消散由所述線圈產生的熱量。
  2. 根據請求項1所述的磁性裝置，其中，所述至少一導熱層包括一導熱和黏合材料以包覆所述線圈的一內側表面。
  3. 根據請求項2所述的磁性裝置，其中，所述導熱和黏合材料包覆所述線圈的一外表面。
  4. 根據請求項1所述的磁性裝置，其中，所述至少一導熱層包括一導熱黏合層和一金屬層，其中所述導熱黏合層的一第一部分包覆所述線圈的一內側表面， 其中所述金屬層覆蓋在所述導熱和黏合層的一第二部分上並延伸至所述磁性本體的一外表面，以消散由所述線圈產生的熱量。
  5. 根據請求項1所述的磁性裝置，其中，所述磁性裝置是一電感器。
  6. 根據請請求項1所述的磁性裝置，其中，所述磁性裝置是一扼流圈。
  7. 根據根據請求項1所述的磁性裝置，其中，所述至少一導熱層的導熱率：K ＞ 0.5W / mK。
  8. 根據請求項1所述的磁性裝置，其中，所述至少一導熱層中的每一導熱層包括以下材料中的至少一種：金屬，導熱膏，導熱膠，導熱膠帶，石墨。
  9. 根據請求項1所述的磁性裝置，其中，所述至少一導熱層包括第一導熱層，所述第一導熱層包括導熱和黏合材料，所述第一導熱層設置在所述線圈的一內側表面與設置在所述線圈的一中空部位中的所述磁性本體的一部分之間。
  10. 根據請求項2所述的磁性裝置，其中，所述磁性本體包括一I形芯，其中一第一導熱層設置在所述線圈的一內側表面與所述I形芯的一中柱之間。
  11. 根據請求項2所述的磁性裝置，其中，所述磁性本體包括一T形芯，其中一第一導熱層設置在所述線圈的一內側表面和所述T形芯的一中柱之間。
  12. 一種堆疊式電子結構，包括： 一基板，其中多個電子元件設置在所述基板上並電性連接至所述基板，其中一封裝體包覆所述多個電子元件，其中一第一導熱層設置在一第一電子元件上，一第二導熱層是設置在一第二電子元件上，所述第一導熱層與所述第二導熱層之間被一間隙隔開; 以及 一磁性裝置，包括一磁性本體，所述磁性本體設置在所述封裝體的上表面上，其中至少一第三導熱層包覆所述磁性本體，其中所述至少一第三導熱層包括第一端部和第二端部，其中，所述第一端部和所述第二端部被一間隙隔開，其中所述第一導熱層和所述第二導熱層分別與所述第一端部和所述第二端部連接以散熱。
  13. 根據請求項12所述的堆疊式電子結構，其中，所述至少一第三導熱層包括一第三金屬層，所述第三金屬層包覆所述磁性本體的一上表面，並通過一第一側表面延伸至所述第一端部和所述第二端部。
  14. 根據請求項12所述的堆疊式電子結構，其中，所述至少一第三導熱層包括一第三金屬層，所述第三金屬層包覆所述磁性本體的一上表面，其中，所述第三金屬層通過一第一側表面延伸到所述第一端部，所述第三金屬層通過一第二側表面延伸到所述第二端部，其中所述第一側表面與所述第二相對。
  15. 根據請求項13所述的堆疊式電子結構，其中，所述第三金屬層通過一第二側表面延伸至一第三端部和一第四端部，其中所述第一側表面與所述第二側表面相對。
  16. 根據請求項12所述的堆疊式電子結構，其中，所述第一電子元件和所述第二電子元件中的每一個元件是MOSFET。
  17. 根據請求項12所述的堆疊式電子結構，其中，所述第一導熱層為一第一金屬層，所述第二導熱層為一第二金屬層，所述至少一第三導熱層包括一第三金屬層與一第四金屬層，其中所述第三金屬層和所述第四金屬層被一間隙隔開，其中所述第一金屬層和所述第二金屬層分別與所述第三金屬層和所述第四金屬層連接以散熱。
  18. 根據請求項17所述的堆疊式電子結構，其中，所述第三金屬層延伸至所述第一端部和一第三端部，且所述第三金屬層延伸至所述第二端部和一第四端部。
  19. 根據請求項18所述的堆疊式電子結構，其中，所述第一端部，所述第二端部，所述第三端部和所述第四端部中的每一端部設置在所述磁性本體的下表面的一相對應部分上。
  20. 根據請求項18所述的堆疊式電子結構，其中，所述第一端部，所述第二端部，所述第三端部和所述第四端部中的每一端部均朝遠離所述磁性本體的方向上延伸。
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