TWI793821B - 一種堆疊電子模塊及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種堆疊式電子模塊，包括一磁性裝置，該磁性裝置包括一磁性本體，該磁性裝置的多個電極設置在該磁性本體的上表面和表面上，其中一封裝體封裝該磁性本體，其中多個導電層設置該封裝體上且電性連接至該多個電極。

Description

一種堆疊電子模塊及其製造方法
本發明涉及一種電子模塊，尤其涉及一種堆疊電子模塊。
電子結構，例如功率模塊和DC-DC轉換器，通常包括承載多個電子元件的電路板，例如PCB，以及設置於PCB上之互連電路以電性連接多個電子元件。 然而，PCB 會增加模塊的高度和電子裝置之間的傳導路徑。
因此，業界需要一更好的解決方案來解決上述問題。
本發明的一個目的是提供一種堆疊電子模塊以有效降低模塊的高度並縮短電子元件之間的導通路徑。
本發明的一實施例揭露一種堆疊式電子模塊，包括：一磁性裝置，包括一磁性本體，其中所述磁性裝置的至少一第一電極設置在所述磁性本體的一上表面上，且所述磁性裝置的至少一第二電極設置在所述磁性本體的一下表面上；一封裝體，包括第一絕緣材料以包覆所述磁性本體，其中所述至少一第一電極以及所述至少一第二電極從所述封裝體暴露出來；一第二絕緣層，設置於所述封裝體的一上表面上並包覆所述至少一第一電極，其中多個第一導電圖案設置於所述第二絕緣層上且與所述至少一第一電極電性連接； 以及一第三絕緣層，設置於所述封裝體的的一下表面上並包覆所述至少一第二電極，其中多個第二導電圖案設置於所述第三絕緣層上並與所述至少一第二電極電性連接。
在一實施例中，所述磁性裝置的至少一側表面上設置有多個第三導電圖案，所述多個第二導電圖案通過所述多個第三導電圖案電性連接所述多個第一導電圖案。
在一實施例中，該磁性裝置包括一線圈，該線圈設置於該磁性本體的內部，其中該第一電極與該第二電極電性連接至該線圈。
在一實施例中，該磁性裝置為一扼流器，其中一線圈設置於該磁性本體的內部以形成該扼流器，其中該第一電極與該第二電極電性連接至該線圈。
在一實施例中，該磁性本體的內部設置有一第一線圈與一第二線圈，其中該至少一第一電極與該至少一第二電極分別電性連接於該第一線圈與該第二線圈。
在一實施例中，該封裝體包括ABF。
在一實施例中，還包括一電子裝置，設置於該封裝體的上方並電性連接該磁性裝置的該第一電極，其中該第二絕緣層包覆該電子裝置。
在一實施例中，還包括一電子裝置，設置於該第二絕緣層之上方，其中該電子裝置電性連接該多個第一導電圖案。
在一實施例中，該磁性裝置設置於一電路板的一通孔中，其中該封裝體設置於該磁性裝置與該電路板上。
在一實施例中，還包括一主動元件與一被動元件，所述主動元件與所述被動元件設置於該第二絕緣層之上，其中該主動元件與該被動元件電性連接該多個第一導電圖案。
本發明的一實施例揭露一種形成堆疊電子模塊的方法，該方法包括：提供一磁性裝置，其中，所述磁性裝置包括一磁性本體，其中所述磁性裝置的至少一第一電極設置在所述磁性本體的一上表面上，且所述磁性裝置的至少一第二電極設置在所述磁性本體的一下表面上；形成一封裝體，其中，所述封裝體包括一第一絕緣材料以包覆所述磁性本體，其中至少一第一電極和至少一第二電極從所述封裝體暴露出來；形成一第二絕緣層，其中，所述第二絕緣層形成在所述封裝體的一上表面上以包覆所述至少一第一電極，其中多個第一導電圖案設置於所述第二絕緣層的上且與所述至少一第一電極電性連接；以及形成一第三絕緣層，其中，所述第三絕緣層形成在所述封裝體的一下表面上以包覆所述至少一第二電極，其中多個第二導電圖案設置於所述第三絕緣層上且與所述至少一第二電極電性連接。
在一實施例中，所述磁性裝置的至少一側表面上設置有多個第三導電圖案，該多個第二導電圖案通過所述多個第三導電圖案電性連接該多個第一導電圖案。
在一實施例中，該磁性裝置包括一線圈，該線圈設置於該磁性本體的內部，其中該第一電極與該第二電極電性連接至該線圈。
在一實施例中，該磁性裝置為一扼流器，其中一線圈設置於該磁性本體的內部以形成該扼流器，其中該第一電極與該第二電極電性連接至該線圈。
在一實施例中，該第一線圈與該第二線圈的耦合係數為零。
在一實施例中，一電子裝置設置於該封裝體的上方並電性連接該磁性裝置的該第一電極，其中該第二絕緣層包覆該電子裝置。
為使本發明的上述和其他特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合附圖，作詳細說明如下。
圖1A示出本發明的一實施例的磁性裝置100的上視圖，圖1B是磁性裝置100的仰視圖，圖1C是包括磁性裝置100的堆疊電子模塊的側視圖。如圖1B和圖1C所示，其中堆疊式電子模塊包括：一磁性裝置100，包括一磁性本體101g，其中磁性裝置100的至少一第一電極101a、101b設置在磁性本體101g的上表面上，如圖1A所示。磁性裝置的至少一第二電極101c、101d設置在磁性本體101g的下表面上，如圖1B所示。封裝體150包括第一絕緣材料以封裝磁性本體101g，如圖1C所示，其中，至少一第一電極101a、101b與至少一第二電極101c、101d從封裝體150暴露出來；第二絕緣層102a設置在封裝體150的上表面上並包覆至少一第一電極101a、101b，其中多個第一導電圖案104a設置在第二絕緣層102a上並電性連接於第一電極101a、101b；以及一第三絕緣層103，設置於封裝體150的下表面並包覆至少一第二電極101c、101d，其中多個第二導電圖案105設置於第三絕緣層103上並與第二電極101c、101d電性連接。在一實施例中，封裝體150包括樹脂。在一實施例中，封裝體150包括ABF(Ajinomoto Build-up Film)。在一實施例中，封裝體150由ABF(Ajinomoto Build-up Film)製成。
在一個實施例中，第三多個導電圖案101e、101f、101s設置在磁性裝置100的至少一側表面上，其中多個第二導電圖案105通過第三多個導電圖案101e、101f、101s電性連接到多個第一導電圖案104a。
在一個實施例中，磁性裝置包括一扼流器，其中一線圈設置在磁性本體中以形成該扼流器，其中第一電極和第二電極電性連接到該線圈。
在一個實施例中，磁磁性裝置是一扼流器，其中一線圈設置在磁性本體中以形成扼流器，其中第一電極和第二電極電性連接到線圈。
在一個實施例中，第一線圈和第二線圈設置在磁性本體中，其中第一多個電極設置在磁性本體的上表面上，而第二多個電極設置在磁性本體的下表面上。
在一個實施例中，第一線圈和第二線圈的耦合係數為零。
在一個實施例中，如圖1C所示，其中至少一電子裝置110a、110b設置於封裝體150的上表面上且電性連接至磁性裝置的至少一第一電極101a、101b，其中第二絕緣層102a包覆至少一電子裝置110a ，110b。
在一個實施例中，如圖1C所示，一被動元件120設置在第二絕緣層102a上。
在一個實施例中，如圖1C所示，其中多個第一導電圖案104a通過至少一導電通孔104v與至少一電子裝置110a、110b電性連接。
在一個實施例中，如圖1C所示，多個電極106a、106b設置在磁性裝置的下表面上。
在一個實施例中，如圖1C所示，其中多個電極106a、106b中的每一個電極是具有一表面安裝墊片。
圖1D是根據本發明實施例的堆疊電子模塊100的側視圖。
在一個實施例中，如圖1D所示，其中至少一第二電子裝置110a、110b設置於第二絕緣層102a上方，其中至少一電子裝置110a、110b電性連接多個第一導電圖案104a。
在一個實施例中，如圖1D所示，多個第一導電圖案104a通過至少一導電通孔104v與至少一第一電極101a、101b電性連接。
在一個實施例中，至少一電子裝置110a、110b包括IC。
在一個實施例中，至少一電子裝置110a、110b包括被動電子元件。
在一個實施例中，至少一第二電子裝置包括一倒裝晶片(flip chip)。
在一個實施例中，至少一第二電子裝置包括主動電子元件。
在一個實施例中，至少一第二電子裝置包括被動電子元件。
在一個實施例中，至少一第二電子裝置包括主動電子元件和被動電子元件。
在一個實施例中，如圖1D所示，第二封裝體101h設置於多個第一導電圖案104a與第二絕緣層102a的上方，以包覆至少一第二電子裝置110a、110b。
在一個實施例中，一散熱器設置在至少一第二電子裝置110a、110b的上方以用於散熱。
在一個實施例中，至少一第二電子元件110a、110b包括一倒裝晶片(flip chip)，其中一散熱器設置在倒裝晶片上以用於散熱。
在一個實施例中，如圖2所示，揭露了一種形成堆疊式電子模塊的方法，該方法包括：(S201)提供包括一磁性本體的一磁性裝置，其中該磁性裝置的至少一第一電極設置在該磁性本體的上表面上，該磁性裝置的至少一第二電極設置於該磁性本體的下表面上；(S202)形成一封裝體，該封裝體包括一第一絕緣材料以封裝該磁性本體，其中至少一第一電極和至少一第二電極從該封裝體暴露出來； (S203)在該封裝體的一上表面上形成一第二絕緣層以包覆該至少一第一電極，其中多個第一導電圖案設置在該第二絕緣層上並與該至少一第一電極電性連接； (S204)於該封裝體的一下表面上形成一第三絕緣層以包覆該至少一第二電極，其中多個第二導電圖案設置於該第三絕緣層上方且與該至少一第二電極電性連接。
在一個實施例中，如圖3所示，揭露了一種形成堆疊式電子模塊的方法，該方法包括： (S301)提供多個磁性裝置，其中每個磁性裝置分別包括一磁性本體，其中每個磁性裝置的至少一第一電極設置在其對應的一磁性本體的上表面上，且磁性裝置的至少一第二電極設置在其對應的一磁性本體的下表面上； (S302)形成一封裝體，該封裝體包括一第一絕緣材料以封裝該多個磁性裝置，其中至少一第一電極和至少一第二電極從該封裝體暴露出來； (S303)在封裝體的上表面上形成一第二絕緣層以包覆該至少一第一電極，其中多個第一導電圖案設置在該第二絕緣層上並與該至少一第一電極電性連接；於該封裝體的下表面上形成一第三絕緣層以包覆該至少一第二電極，其中多個第二導電圖案設置在該第三絕緣層上並與該至少一第二電極電性連接，其中，封裝體被切割成片，每一片是一個單一的磁性裝置。
圖4A為本發明一實施例的堆疊式電子模塊的分解圖，其中多個磁性裝置100均包含一磁性本體，其中磁性裝置100的至少一第一電極設置於該磁性本體的上表面上，磁性裝置100的至少一第二電極設置於該磁性本體的下表面上，其中，電路板200包括至少一第一絕緣層以及由至少一第一絕緣層隔開的多個第一導電圖案，其中該電路板200中具有多個導電通孔201，其中，將多個磁性裝置100分別設置於電路板200的對應通孔201中，且在該多個磁性裝置100與電路板200的上方形成一第二絕緣層，以形成一堆疊結構300，以將多個磁性裝置100固定於電路板200中。在一實施例中，該第二絕緣層包括ABF(Ajinomoto Build-up電影）。在一實施例中，該第二絕緣層由ABF(Ajinomoto Build-up Film)形成。
圖4B是包括圖1的磁性裝置100的堆疊電子模塊的側視圖，其中堆疊式電子模塊包括：一磁性裝置100，包括一磁性本體101g，其中該磁性裝置100的至少一第一電極101a、101b設置在該磁性本體101g的上表面上，該磁性裝置100的電極101c、101d設置於該磁性本體101g的下表面上；一電路板200，該電路板200包括至少一第一絕緣層以及多個第一導電圖案101s；一第二絕緣層102a位於封裝體101g的上表面以包覆至少一第一電極011a、101b，其中多個第二導電圖案104a、104b設置於第二絕緣層102a上方並電性連接第一電極011a、101b。至少一第一電極101a、101b；以及一第三絕緣層103，設置於磁性本體101g的下表面並包覆至少一第二電極101c、101d，其中多個第三導電圖案105設置於第三絕緣層103上並電性連接於第二電極101c、101d。在一個實施例中，第二絕緣層包括ABF。在一個實施例中，第二絕緣層和第三絕緣層中的每一個絕緣層都包括ABF。在一實施例中，第二絕緣層由ABF(Ajinomoto Build-up Film)形成。在一個實施例中，第二絕緣層和第三絕緣層均由ABF形成。
本發明的主要優點描述如下： 1.扼流器可以嵌入扼流器表面的RDL(Redistribution Layer)中，有效減少佔地面積； 2、扼流器上製作絕緣層和電路層，無需PCB，可有效降低模塊高度，縮短電子元件之間的導通路徑； 3.倒裝晶片向上熱阻極小，倒裝晶片上可設置散熱片，有效散發模塊熱量。
儘管已經參考上述實施例描述本發明，但是對於本領域普通技術人員來說顯而易見的是，在不脫離本發明的精神的情況下，可以對所描述的實施例進行修改。 因此，本發明的範圍將由所附權利要求限定，而不是由上面詳細描述限定。
100:磁性裝置          101g:磁性本體          101a、101b:第一電極          101c、101d:第二電極          150:封裝體              102a:第二絕緣層       104a:第一導電圖案   103:第三絕緣層             105:第二導電圖案         101e、101f、101s:第三導電圖案         110a、110b:電子裝置                 110h:第二封裝體             120:被動元件                 104v:導電通孔                 106a、106b:電極                        200:電路板                     201:導電通孔                 300:堆疊結構
包括附圖以提供對本發明的進一步理解且附圖包含在本說明書中並構成本說明書的一部分。附圖示出本發明的實施例並與說明書一起用於解釋本發明的原理。
圖1A為本發明一實施例的堆疊式電子模塊100的俯視圖。 圖1B為本發明一實施例的堆疊式電子模塊100的仰視圖。 圖1C為本發明一實施例的堆疊式電子模塊100的側視圖。 圖1D為本發明一實施例的堆疊式電子模塊100的側視圖。 圖2是根據本發明的實施例形成堆疊電子模塊的流程圖。 圖3是根據本發明實施例形成多個堆疊電子模塊的流程圖。 圖4A為本發明一實施例的堆疊式電子模塊的分解圖。 圖4B是根據本發明實施例的堆疊電子模塊的側視圖。
100:磁性裝置
101g:磁性本體
101a、101b:第一電極
101c、101d:第二電極
150:封裝體
102a:第二絕緣層
104a:第一導電圖案
103:第三絕緣層
105:第二導電圖案
101e、101f、101s:第三多個導電圖案
110a、110b:電子裝置
120:被動元件
104v:導電通孔
106a、106b:電極

Claims (13)

  1. 一種堆疊式電子模塊，包括：一磁性裝置，包括一磁性本體，其中所述磁性裝置的至少一第一電極設置在所述磁性本體的一上表面上，且所述磁性裝置的至少一第二電極設置在所述磁性本體的一下表面上；一封裝體，包括第一絕緣材料以包覆所述磁性本體，其中所述至少一第一電極以及所述至少一第二電極從所述封裝體暴露出來；一第二絕緣層，設置於所述封裝體的一上表面上並包覆所述至少一第一電極，其中多個第一導電圖案設置於所述第二絕緣層上且與所述至少一第一電極電性連接；以及一第三絕緣層，設置於所述封裝體的的一下表面上並包覆所述至少一第二電極，其中多個第二導電圖案設置於所述第三絕緣層上並與所述至少一第二電極電性連接。
  2. 根據請求項1所述的堆疊式電子模塊，其中，所述磁性裝置的至少一側表面上設置有多個第三導電圖案，所述多個第二導電圖案通過所述多個第三導電圖案電性連接所述多個第一導電圖案。
  3. 根據請求項1所述的堆疊式電子模塊，其中該磁性裝置包括一線圈，該線圈設置於該磁性本體的內部，其中該至少一第一電極與該至少一第二電極電性連接至該線圈。
  4. 根據請求項1所述的堆疊式電子模塊，其中該磁性裝置為一扼流器，其中一線圈設置於該磁性本體的內部以形成該扼流器，其中該至少一第一電極與該至少一第二電極電性連接至該線圈。
  5. 根據請求項1所述的堆疊式電子模塊，其中，一第一線圈與一第二線圈設置於該磁性本體的內部，其中該至少一第一電極與該至少一第二電極分別電性連接於該第一線圈與該第二線圈。
  6. 根據請求項5所述的堆疊式電子模塊，還包括一電子裝置，設置於該封裝體的上方並電性連接該磁性裝置的該至少一第一電極，其中該第二絕緣層包覆該電子裝置。
  7. 根據請求項1所述的堆疊式電子模塊，還包括一電子裝置，設置於該第二絕緣層之上方，其中該電子裝置電性連接該多個第一導電圖案。
  8. 根據請求項1所述的堆疊式電子模塊，其中該磁性裝置設置於一電路板的一通孔中，其中該封裝體設置於該磁性裝置與該電路板上。
  9. 根據請求項1所述的堆疊式電子模塊，還包括一主動元件與一被動元件，所述主動元件與所述被動元件設置於該第二絕緣層之上，其中該主動元件與該被動元件電性連接該多個第一導電圖案。
  10. 一種形成堆疊電子模塊的方法，該方法包括：提供一磁性裝置，其中，所述磁性裝置包括一磁性本體，其中所述磁性裝置的至少一第一電極設置在所述磁性本體的一上表面上，且所述磁性裝置的至少一第二電極設置在所述磁性本體的一下表面上；形成一封裝體，其中，所述封裝體包括一第一絕緣材料以包覆所述磁性本體，其中至少一第一電極和至少一第二電極從所述封裝體暴露出來；形成一第二絕緣層，其中，所述第二絕緣層形成在所述封裝體的一上表面上以包覆所述至少一第一電極，其中多個第一導電圖案設置於所述第二絕緣層的上且與所述至少一第一電極電性連接；以及形成一第三絕緣層，其中，所述第三絕緣層形成在所述封裝體的一下表面上以包覆所述至少一第二電極，其中多個第二導電圖案設置於所述第三絕緣層上且與所述至少一第二電極電性連接。
  11. 根據請求項10所述的方法，其中，所述磁性裝置的至少一側表面上設置有多個第三導電圖案，該多個第二導電圖案通過所述多個第三導電圖案電性連接該多個第一導電圖案。
  12. 根據請求項10所述的方法，其中，該磁性裝置包括一線圈，該線圈設置於該磁性本體的內部，其中該至少一第一電極與該至少一第二電極電性連接至該線圈。
  13. 根據請求項10所述的方法，其中一電子裝置設置於該封裝體的上方並電性連接該磁性裝置的該至少一第一電極，其中該第二絕緣層包覆該電子裝置。
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