TWM547738U - 多繞組電感 - Google Patents

Description

多繞組電感

本創作係一種電感器，尤指一種能避免產生互感效應(無耦合)，並使電感器提升感值及維持正常運作，以及能節省空間的多繞組電感。

常見之電感器，於電子電路中常作為抗流、濾波、儲能、振盪、延遲相位或變壓器應用等。也因電子產品體積縮小化及功能強化的趨勢，於單一電感器上則設有多繞組而實質形成兩個以上之電感器之應用。因此，請參閱第一圖和第二圖所示，揭露了一種雙繞組電感器，其中包含了一上片10、一下片11和兩導體12、13，該上片10之一側面101的兩側分別設有一第一凹陷部102、103，該下片11之一側面110上設有兩平行之第二凹陷部111、112，且該兩導體12、13上之兩側分別設有一彎折部121、122、131、132，該兩導體12、13結合於該上片10上且該兩導體12、13之兩側的該彎折部121、122、131、132分別(扣)結合於該第一凹陷部102、103上，且該兩導體12、13(扣)結合於該下片11之該兩第二凹陷部111、112上，並使得該上片10及下片11相結合，於單一電感器上實質形成雙電感結構。

此一技術方案中，請搭配參閱第三圖所示，於該上片10及下片11之間搭配該兩導體12、13使得雙繞組電感器如通電後將形成磁力線迴路，該磁力線迴路除了會由該兩導體12、13各別與上片10、下片11形成，更 會由該兩導體12、13之整體與上片10、下片11產生磁力線迴路，形成電感器之互感效應。對於雙電感器(或兩個電感器以上)的運作，將會有不正常感值之情形出現。

此外，該兩導體12、13係設置成片狀，係不利於與上片10及下片11產生磁通感應耦合，其感值較低，亦為需解決之問題。

是故，如何針對以上所論述之缺失加以改進，即為本案申請人所欲解決之技術困難點所在。

有鑑於習用之缺失，因此本創作之目的在於發展一種能避免產生互感效應(無耦合)，並使電感器提升感值及維持正常運作，以及能節省空間的多繞組電感。

為了達成以上之目的，本創作提供一種多繞組電感，其包含：一磁芯座本體，該磁芯座本體上設有一第一側面和相反於該第一側面之第二側面，相對於該第一側面和第二側面之該磁芯座本體上設有一第三側面和一第四側面，該第一側面上設有依序排列的複數凹槽，且該等凹槽為圓柱體形，該每一凹槽之兩側分別設有一第一抵擋部和一第二抵擋部，該第三側面上設有複數第一容置部，該每一第一容置部與該每一凹槽相連通設置，且該第四側面上設有複數第二容置部，該每一第二容置部與該每一凹槽相連通設置，該每一凹槽之內表面延伸設有一圓形凸柱；複數線圈繞組，該每一線圈繞組設有一繞線本體，該每一繞線本體兩端分別設有一第一延伸部和一第二延伸部，該每一線圈繞組之繞線本體繞設固定於該每一凹槽之圓形凸柱上，且該每一線圈繞組之第一延伸部分別設置結合於該 每一第一容置部上，該每一第一延伸部延伸設置結合於該第二側面上，且該每一線圈繞組之第二延伸部分別設置結合於該每一第二容置部上，該每一第二延伸部延伸設置結合於該第二側面上；複數磁芯板體，該每一磁芯板體分別與該磁芯座本體相結合，該每一磁芯板體設置結合於該每一凹槽之相對位置上。

其中，該每一第一延伸部係為延伸突出設置於該磁芯座本體外，且該每一第二延伸部係為延伸突出設置於該磁芯座本體外。

或者，該磁芯座本體為以單一數量之凹槽、圓形凸柱、第一抵擋部、第二抵擋部、第一容置部和第二容置部所形成的單一電感器為間距，而將該磁芯座本體分割設置為複數磁芯座片，該等磁芯板體設置為一體成型之一磁芯板，又該每一第一延伸部係為延伸突出設置於該每一磁芯座片外，且該每一第二延伸部係為延伸突出設置於該每一磁芯座片外，該等線圈繞組為扁平線圈繞組。

因此本創作以該等磁芯板體與磁芯座本體之間，以及該磁芯板與該等磁芯座片之間，藉由磁通間隙(Gap)，讓本創作相應繞設的該等線圈繞組予以形成多電感(兩個以上)，可於各別工作時能不相互影響而不會形成多電感之間的互感效應，不會使其中一未工作之電感器產生感應電壓，讓多電感於運作工作時能各自獨立而不會產生互感效應之能量耗損，俾可使本創作能達到避免產生互感效應(無耦合)而使電感器維持正常感值及運作之功效。

此外，藉由該繞線本體其讓繞設匝數提升，而直接提升其感值，且更可搭配該等線圈繞組為扁平線圈繞組之設置，更能提供大功率電 流及電感值。

以及，藉由該每一第一延伸部係為延伸突出設置於該磁芯座本體或該每一磁芯座片外，且該每一第二延伸部係為延伸突出設置於該磁芯座本體或該每一磁芯座片外，俾可使本創作多繞組電感形成踩高蹺撐高設計，讓多繞組電感的下方(不以此為限制)可容納裝設其它電子零組件，以節省電路板之電路布局空間，而縮小電路板的使用面積，達成功效。

〔習用〕

10‧‧‧上片

101‧‧‧側面

102‧‧‧第一凹陷部

103‧‧‧第一凹陷部

11‧‧‧下片

110‧‧‧側面

111‧‧‧第二凹陷部

112‧‧‧第二凹陷部

12‧‧‧導體

121‧‧‧彎折部

122‧‧‧彎折部

13‧‧‧導體

131‧‧‧彎折部

132‧‧‧彎折部

〔本創作〕

2‧‧‧磁芯座本體

20‧‧‧磁芯座片

21‧‧‧第一側面

22‧‧‧第二側面

23‧‧‧第三側面

24‧‧‧第四側面

3‧‧‧凹槽

31‧‧‧第一抵擋部

32‧‧‧第二抵擋部

33‧‧‧第一容置部

34‧‧‧第二容置部

35‧‧‧內表面

36‧‧‧圓形凸柱

4‧‧‧線圈繞組

41‧‧‧繞線本體

42‧‧‧第一延伸部

43‧‧‧第二延伸部

5‧‧‧磁芯板體

6‧‧‧磁芯板

100‧‧‧磁通間隙

200‧‧‧容置空間

300‧‧‧磁通間隙

400‧‧‧容置空間

第一圖係習用之雙繞組電感器的立體分解結構示意圖。

第二圖係習用之第一圖的立體組合結構示意圖。

第三圖係習用之第二圖的封閉磁力線使用狀態示意圖。

第四圖係本創作較佳實施例之多繞組電感的立體分解結構示意圖。

第五圖係本創作較佳實施例之第四圖的立體組合結構示意圖。

第六圖係本創作較佳實施例之第五圖的封閉磁力線使用狀態及側視示意圖。

第七圖係本創作較佳實施例之進一步採用踩高蹺設計的立體分解結構示意圖。

第八圖係本創作較佳實施例之第七圖的立體組合結構示意圖。

第九圖係本創作較佳實施例之第八圖的封閉磁力線使用狀態及側視示意圖。

第十圖係本創作較佳實施例之將磁芯座本體分割設置為複數磁芯座片，該等磁芯板體設置為一體成型之磁芯板，其立體分解結構示意圖。

第十一圖係本創作較佳實施例之第十圖的立體組合結構示意圖。

第十二圖係本創作較佳實施例之第十一圖的封閉磁力線使用狀態及側視示意圖。

第十三圖係本創作較佳實施例之第十圖其進一步採用踩高蹺設計的立體分解結構示意圖。

第十四圖係本創作較佳實施例之第十三圖的立體組合結構示意圖。

第十五圖係本創作較佳實施例之第十四圖的封閉磁力線使用狀態及側視示意圖。

為了使 貴審查委員能清楚了解本創作之內容，係以下列實施例搭配圖式及符號加以說明，敬請參閱之。

請參閱第四圖和第五圖所示，本創作提供一種多繞組電感，其包含：一磁芯座本體2、多個線圈繞組4和多個磁芯板體5，且均為磁性體。又該多個線圈繞組4可為五個一組和多個磁芯板體5亦可為對應數量之五個一組，且均不以此為限制。

以該多個線圈繞組4為五個一組及多個磁芯板體5為五個一組為例，其中，該磁芯座本體2上設有一第一側面21和相反於該第一側面21之第二側面22，相對於該第一側面21和第二側面22之該磁芯座本體2上設有一第三側面23和一第四側面24，該第一側面21上設有依序排列的多個凹槽3，且數量可為五個，又該等凹槽3為圓柱體形，該每一凹槽3之兩側分別設有一第一抵擋部31和一第二抵擋部32，該第三側面23上設有多個(可為五個)第一容置部33，該每一第一容置部33與該每一凹槽3相連通設置，且該第四 側面24上設有多個(可為五個)第二容置部34，該每一第二容置部34與該每一凹槽3相連通設置，該每一凹槽3之內表面35延伸設有一圓形凸柱36。

以及，該每一線圈繞組4設有一繞線本體41，該每一繞線本體41兩端分別設有一第一延伸部42和一第二延伸部43，該每一線圈繞組4之繞線本體41繞設固定於該每一凹槽3之圓形凸柱36上，且該每一線圈繞組4之第一延伸部42分別設置結合於該每一第一容置部33上，該每一第一延伸部42延伸設置結合於該第二側面22上(該第二側面22即為磁芯座本體2的下方，且不以此為限制)，且該每一線圈繞組4之第二延伸部43分別設置結合於該每一第二容置部34上，該每一第二延伸部43延伸設置結合於該第二側面22上。又該每一磁芯板體5分別與該磁芯座本體2相結合，該每一磁芯板體5設置結合於該每一凹槽3之相對位置上。

於本實施例中，該每一磁芯板體5、每一線圈繞組4和磁芯座本體2之間的結合固定方式係以接著劑接著，該接著劑可為熱固型接著劑、熱塑型接著劑、矽膠接著劑等，且不以此為限制。

因此，請繼續參閱第六圖所示，其中本創作藉由以該等磁芯板體5與磁芯座本體2之間，設置形成磁通間隙(Gap)100，使得該每一磁芯板體5、每一線圈繞組4與磁芯座本體2上下之間形成各自獨立的磁通封閉迴路，讓本創作相應繞設的該等線圈繞組4予以形成多電感(兩個以上)，可於各別工作時能不相互影響而不會形成多電感之間的互感效應，不會使其中一未工作之電感器產生感應電壓，讓多電感於運作工作時能各自獨立而不會產生互感效應之能量耗損，俾可使本創作能達到避免產生互感效應(無耦合)，而使(多)電感器於同時工作或各別工作時均能維持正常感值及運作之 功效，實為本創作之特點。

請再參閱第七圖和第八圖所示，其中於本實施例中，藉由該每一第一延伸部42係為延伸突出設置於該磁芯座本體2外，且該每一第二延伸部43係為延伸突出設置於該磁芯座本體2外，俾可使本創作多繞組電感形成踩高蹺撐高設計，並請配合參閱第九圖所示，除了原本該每一磁芯板體5與磁芯座本體2上下之間形成各自獨立的磁通封閉迴路，更可讓多繞組電感的下方(以圖式為例，不以此為限制)可容納裝設其它電子零組件，使具有一容置空間200。本創作多繞組電感可焊設(SMD)於電路板上，以節省電路板之電路布局空間，而縮小電路板的使用面積，達成功效。

請繼續參閱第十圖和第十一圖所示，其中於本實施例中，其差別在於：具有多個磁芯座片20和一體成型之一磁芯板6，且該多個磁芯座片20數量可為五個一組，且不以此為限制。該每一線圈繞組4及其繞線本體41、第一延伸部42和第二延伸部43於該每一磁芯座片20上的裝設及繞線方式均與前述相同，不再贅述。請再配合參閱第十二圖所示，因此本創作設置該多個磁芯座片20和一體成型之該磁芯板6，使得該磁芯板6與該每一磁芯座片20上下之間形成各自獨立的磁通封閉迴路，並設置形成磁通間隙(Gap)300，俾可使本創作同樣能達到避免產生互感效應(無耦合)，而使(多)電感器於同時工作或各別工作時均能維持正常感值及運作之功效，實為本創作之特點。

請再參閱第十三圖和第十四圖所示，其中於本實施例中，該每一第一延伸部42係為延伸突出設置於該每一磁芯座片20外，且該每一第二延伸部43係為延伸突出設置於該每一磁芯座片20外。並請配合參閱第十五圖 所示，除了原本該磁芯板6與該每一磁芯座片20上下之間形成各自獨立的磁通封閉迴路，更可讓多繞組電感的下方(以圖式為例，不以此為限制)可容納裝設其它電子零組件，同樣使具有一容置空間400。本創作多繞組電感可焊設(SMD)於電路板上，以節省電路板之電路布局空間，而縮小電路板的使用面積，亦達成功效。

請繼續參閱第四圖、第七圖、第十圖和第十三圖所示，其中藉由該繞線本體41其讓繞設匝數提升，而直接提升其感值，係有別於先前技術，且更可搭配該等線圈繞組4為扁平線圈繞組之設置，更能提供大功率電流及電感值，實為本創作之特點。

以上所論述者，僅為本創作較佳實施例而已，並非用以限定本創作實施之範圍；故在不脫離本創作之精神與範疇內所作之等效形狀、構造或組合之變換，皆應涵蓋於本創作之申請專利範圍內。

2‧‧‧磁芯座本體

21‧‧‧第一側面

22‧‧‧第二側面

23‧‧‧第三側面

24‧‧‧第四側面

3‧‧‧凹槽

31‧‧‧第一抵擋部

32‧‧‧第二抵擋部

33‧‧‧第一容置部

34‧‧‧第二容置部

35‧‧‧內表面

36‧‧‧圓形凸柱

4‧‧‧線圈繞組

41‧‧‧繞線本體

42‧‧‧第一延伸部

43‧‧‧第二延伸部

5‧‧‧磁芯板體

Claims (5)

1. 一種多繞組電感，其包含：一磁芯座本體，該磁芯座本體上設有一第一側面和相反於該第一側面之第二側面，相對於該第一側面和第二側面之該磁芯座本體上設有一第三側面和一第四側面，該第一側面上設有依序排列的複數凹槽，且該等凹槽為圓柱體形，該每一凹槽之兩側分別設有一第一抵擋部和一第二抵擋部，該第三側面上設有複數第一容置部，該每一第一容置部與該每一凹槽相連通設置，且該第四側面上設有複數第二容置部，該每一第二容置部與該每一凹槽相連通設置，該每一凹槽之內表面延伸設有一圓形凸柱；複數線圈繞組，該每一線圈繞組設有一繞線本體，該每一繞線本體兩端分別設有一第一延伸部和一第二延伸部，該每一線圈繞組之繞線本體繞設固定於該每一凹槽之圓形凸柱上，且該每一線圈繞組之第一延伸部分別設置結合於該每一第一容置部上，該每一第一延伸部延伸設置結合於該第二側面上，且該每一線圈繞組之第二延伸部分別設置結合於該每一第二容置部上，該每一第二延伸部延伸設置結合於該第二側面上；複數磁芯板體，該每一磁芯板體分別與該磁芯座本體相結合，該每一磁芯板體設置結合於該每一凹槽之相對位置上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之多繞組電感，其中該每一第一延伸部係為延伸突出設置於該磁芯座本體外，且該每一第二延伸部係為延伸突出設置於該磁芯座本體外。
3. 如申請專利範圍第1項所述之多繞組電感，其中該磁芯座本體為以單一數量之凹槽、圓形凸柱、第一抵擋部、第二抵擋部、第一容置部和第二容置部所形成的單一電感器為間距，而將該磁芯座本體分割設置為複數磁 芯座片，該等磁芯板體設置為一體成型之一磁芯板。
4. 如申請專利範圍第3項所述之多繞組電感，其中該每一第一延伸部係為延伸突出設置於該每一磁芯座片外，且該每一第二延伸部係為延伸突出設置於該每一磁芯座片外。
5. 如申請專利範圍第1或2或3或4項所述之多繞組電感，其中該等線圈繞組為扁平線圈繞組。