TW202041096A - 陶瓷加熱器及其製法 - Google Patents
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Abstract
陶瓷加熱器10係包括陶瓷板20。外周側電阻發熱體26係被設於陶瓷板20的外周側區域Z2。電線24係分別自被設於陶瓷板20的中央部之一對端子23,23,往外周側區域Z2延伸,接近外周側區域Z2之部分係成為直線部。連接端子25係連接電線24與外周側電阻發熱體26之導電性構件,其具有插入有電線24的直線部之第1孔、及插入有外周側電阻發熱體26的端部之第2孔。
Description
本發明係關於一種陶瓷加熱器及其製法。
在半導體製造裝置中,係採用用於加熱晶圓之陶瓷加熱器。這種陶瓷加熱器,眾所周知有所謂兩區域加熱器。此種兩區域加熱器,如專利文獻1所開示地,眾所周知地有在陶瓷基體中,埋設內周側電阻發熱體與外周側電阻發熱體於相同之平面,分別獨立施加電壓到各電阻發熱體,藉此,獨立控制來自各電阻發熱體之發熱者。在專利文獻1中,外周側電阻發熱體有例示鉬製之線圈。又,自分別被設於陶瓷基體的中央部之一對端子,至外周側電阻發熱體的端部為止之導電連接部,有例示鉬線。
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3897563號公報(圖1-3、段落0056)
當製作這種陶瓷加熱器時,有考慮在乾燥以壓鑄法成型之陶瓷成型體後,脱脂煅燒,然後,熱壓燒結。但是,在乾燥以壓鑄法成型之陶瓷成型體之步驟中,由鉬線所構成之導電連接部,係無法跟隨成型體之乾燥收縮,應力施加於成型體,有時成型體在乾燥後破損。
本發明係用於解決這種課題所研發出者,其主要目的係在於:於自陶瓷板的中央往外周延伸之電線,連接有外周側電阻發熱體之陶瓷板中,抑制陶瓷板之破損。
本發明之陶瓷加熱器係包括:
陶瓷板,呈圓盤狀,具有晶圓放置面,其包括環狀之外周側區域;
外周側電阻發熱體,被設於該外周側區域;
電線,分別自被設於該陶瓷板的中央部之一對端子,往該外周側區域延伸,接近該外周側區域之部分係成為直線部;以及
連接端子,具有導電性,其具有:第1孔,插入有該電線的該直線部;以及第2孔,插入有該外周側電阻發熱體的端部;連接該電線與該外周側電阻發熱體。
在此陶瓷加熱器中,分別自被設於陶瓷板的中央部之一對端子,往外周側區域延伸之電線的直線部,與被設於外周側區域之外周側電阻發熱體的端部,係藉導電性之連接端子連接。連接端子係具有:第1孔,插入有電線的直線部;以及第2孔,插入有外周側電阻發熱體的端部。因此,當以壓鑄法製作陶瓷板時,即使電線無法追隨陶瓷成型體之乾燥收縮,電線的直線部也可在連接端子的第1孔移動,所以,不會施加較大之應力在陶瓷成型體。因此,陶瓷板之破損係被抑制。
在本發明之陶瓷加熱器中,該第1孔與該第2孔也可以被平行設置。如此一來,在陶瓷成型體之乾燥收縮時,電線的直線部係可在第1孔移動,同時外周側電阻發熱體的端部也可在第2孔移動,所以,可更加減輕施加在陶瓷成型體之應力。
在本發明之陶瓷加熱器中,也可以該外周側電阻發熱體與該電線係被設於不同面,該連接端子係位於設有該電線之面。如此一來,可不必注意外周側電阻發熱體之模式地,配置電線。
在本發明之陶瓷加熱器中,也可以該電線的該直線部貫穿該第1孔。如此一來,可防止電線自連接端子的第1孔脫落。
在本發明之陶瓷加熱器中,該連接端子也可以呈在外表面不具有邊緣之形狀。如此一來,可抑制龜裂將連接端子的外表面當作起點,進入陶瓷板。
在本發明之陶瓷加熱器中,也可以該連接端子係呈自該陶瓷板之上下方向,被壓潰之形狀。如此一來,連接端子的被壓潰之第1孔的內表面,係與電線確實地連接,連接端子的被壓潰之第2孔的內表面,係與外周側電阻發熱體確實地連接。
在本發明之陶瓷加熱器中,也可以該外周側電阻發熱體係呈線圈狀。如此一來,可使外周側電阻發熱體之發熱量比較大。而且,最好外周側電阻發熱體之中,被插入第2孔之端部係成為直線狀。
本發明之陶瓷加熱器,也可以在該陶瓷板的圓形內周側區域,包括內周側電阻發熱體,該內周側電阻發熱體與該外周側電阻發熱體,係被獨立施加電壓。如此一來,可獨立控制來自各電阻發熱體之發熱。
本發明之陶瓷加熱器之製法係包含:
(a)藉壓鑄法,製作圓盤狀之第1陶瓷成型體之步驟;
(b)配置外周側電阻發熱體於該第1陶瓷成型體的既定面的外周側區域,配置分別自被設於該第1陶瓷成型體的中央部之一對端子之位置,往該外周側區域延伸,接近該外周側區域之部分係成為直線部之電線,在具有第1孔及第2孔之導電性連接端子的該第1孔,具有餘隙地插入該電線的該直線部,在該第2孔插入該外周側電阻發熱體的端部之步驟;
(c)在該第1陶瓷成型體的該既定面,藉壓鑄法,製作圓盤狀之第2陶瓷成型體之步驟;
(d)乾燥包含該第1及第2陶瓷成型體之陶瓷成型體,以當作乾燥體之步驟;以及
(e)熱壓燒結乾燥體之步驟。
當依據此陶瓷加熱器之製法時,在步驟(c)中,以壓鑄法所製作之包含第1及第2陶瓷成型體之陶瓷成型體,係包括外周側電阻發熱體與電線與連接端子。在連接端子的第1孔,插入有電線的直線部,在連接端子的第2孔,插入有外周側電阻發熱體的端部。因此,在步驟(d)中,於乾燥陶瓷成型體時,即使電線無法依循陶瓷成型體之乾燥收縮,電線的直線部也可在連接端子的第1孔移動,所以,不會施加較大之應力於陶瓷成型體。因此,陶瓷板之破損係被抑制。此製法係適於上述陶瓷加熱器之製造。
在本發明之陶瓷加熱器之製法中,於該步驟(b)中,也可以該電線的該直線部貫穿該第1孔。如此一來,可防止電線自連接端子的第1孔脫落之情形。
在本發明之陶瓷加熱器之製法中,也可以該連接端子係呈於外表面不具有邊緣之形狀。如此一來,可抑制龜裂將連接端子的外表面當作起點,進入陶瓷板之情形。
在本發明之陶瓷加熱器之製法中,於該步驟(e)中,也可以自該陶瓷板之上下方向,壓潰該連接端子。如此一來,連接端子的被壓潰之第1孔的內表面,係與電線確實地連接,連接端子的被壓潰之第2孔的內表面,係與外周側電阻發熱體確實地連接。
在本發明之陶瓷加熱器之製法中,也可以該外周側電阻發熱體係呈線圈狀。如此一來,可使外周側電阻發熱體之發熱量比較大。而且,外周側電阻發熱體之中,被插入第2孔之端部,最好成為直線狀。
而且,所謂「壓鑄法」,係指注入包含陶瓷原料粉末與模化劑之陶瓷漿料到成型模內,在該成型模內,使模化劑產生化學反應以成模化陶瓷漿料,藉此,可獲得成型體之方法。模化劑也可以係有包含例如異氰酸酯及多元醇,藉胺甲酸乙酯反應以成模化者。
以下,參照圖面,說明本發明之最佳實施形態。圖1係陶瓷加熱器10之立體圖;圖2係陶瓷加熱器10之縱剖面圖(以包含中心軸之面,切斷陶瓷加熱器10後之剖面圖);圖3係沿著陶瓷板20的內周側及外周側電阻發熱體22,26水平地切斷後,自上方所觀得之剖面圖。圖3係表示實質上,自晶圓放置面20a觀看陶瓷板20時之外觀。而且,在圖3中,係省略表示切斷面之剖面線。圖4係圖3之電線24的周邊之放大圖;圖5係圖4之虛線框架內之放大圖。
陶瓷加熱器10係用於加熱實施蝕刻或CVD等處理之晶圓W者,被設置於未圖示之真空腔體內。此陶瓷加熱器10係包括:陶瓷板20,呈圓盤狀,具有晶圓放置面20a;以及筒狀轉軸40,與陶瓷板20同軸地,被接合於陶瓷板20的晶圓放置面20a的相反側之面(內表面)20b。
陶瓷板20係由氮化鋁或氧化鋁等所代表之陶瓷材料所構成之圓盤狀之板體。陶瓷板20之直徑係例如300mm左右。在陶瓷板20的晶圓放置面20a,雖然未圖示,但是,細小之凹凸係由壓花加工所加工成。陶瓷板20係藉陶瓷板20與同心圓之虛擬邊界20c(參照圖3),分成小圓形之內周側區域Z1與圓環狀之外周側區域Z2。虛擬邊界20c之直徑係例如200mm左右。在陶瓷板20的內周側區域Z1,埋設有內周側電阻發熱體22,在外周側區域Z2埋設有外周側電阻發熱體26。兩電阻發熱體22,26係在平行於晶圓放置面20a之同一平面上。
如圖3所示,陶瓷板20係包括複數氣孔27。氣孔27係自陶瓷板20的內表面20b,貫穿至晶圓放置面20a,供給氣體到被設於晶圓放置面20a之凹凸與被放置於晶圓放置面20a之晶圓W間所產生之間隙。被供給到此間隙之氣體,係發揮使晶圓放置面20a與晶圓W之熱傳導良好之角色。又,陶瓷板20係包括複數升降銷孔28。升降銷孔28係自陶瓷板20的內表面20b,貫穿至晶圓放置面20a,貫穿有未圖示之升降銷。升降銷係發揮抬起被放置於晶圓放置面20a之晶圓W之角色。在本實施形態中,升降銷孔28係於相同圓周上,等間隔地設有三個。
如圖3所示,內周側電阻發熱體22係自被配設於陶瓷板20的中央部(陶瓷板20的內表面20b之中,被筒狀轉軸40所包圍之領域)之一對端子21,21之一者開端,以一筆畫之要領,在複數折返部折返地,被配線於內周側區域Z1的大概全域後,到達一對端子21,21之另一者。內周側電阻發熱體22係呈線圈狀。構成內周側電阻發熱體22之加熱器素線之直徑,最好係0.4~0.6mm,線圈之捲繞直徑最好係2.0~6.0mm。內周側電阻發熱體22之材質,可例舉例如高熔點金屬或其碳化物。高熔點金屬可例舉例如鎢、鉬、鉭、白金、錸、鉿及這些之合金。高熔點金屬之碳化物,可例舉例如碳化鎢或碳化鉬等。
如圖3所示,外周側電阻發熱體26係自被埋設於陶瓷板20之一對連接端子25,25開端,以一筆畫之要領,在複數折返部折返地,被配線於外周側區域Z2的幾乎全域地到達一對連接端子25,25之另一者。外周側電阻發熱體26係兩端部以外,為螺旋狀捲繞加熱器素線所成之線圈狀,但是,兩端部26a係成為沿著陶瓷板20之半徑方向之直線狀。構成外周側電阻發熱體26之加熱器素線之直徑,最好係0.4~0.6mm,線圈之捲繞直徑最好係2.0~6.0mm。外周側電阻發熱體26之材質,可例舉例如高熔點金屬或其碳化物。針對這些具體例,係如上述說明。在陶瓷板20的中央部,設有外周側電阻發熱體26的一對端子23,23。在端子23與連接端子25之間,設有電線24。
如圖4所示,電線24係一端被連接於端子23,自端子23往外周側區域Z2延伸,另一端係被連接於連接端子25。電線24係被設於與外周側電阻發熱體26相同之平面上。電線24之中,接近外周側區域Z2之部分係成為直線部24a。直線部24a係沿著陶瓷板20之半徑方向。電線24之直徑最好係0.4~1.0mm。電線24之材質,係例如高熔點金屬或其碳化物。針對這些具體例,係如上述之說明。
連接端子25係連接電線24與外周側電阻發熱體26之導電性構件。連接端子25係呈球自上下被壓潰之形狀,貫穿有孔之剖面,如圖5所示,係包括彼此平行,被設成沿著陶瓷板20之半徑方向之第1孔251與第2孔252。在第1孔251插入有電線24的直線部24a,在第2孔252插入有外周側電阻發熱體26之直線狀之端部26a。電線24的直線部24a係第1孔251在上下方向上被壓潰,藉此,與第1孔251的內表面相接觸。外周側電阻發熱體26的端部26a,係第2孔252在上下方向上被壓潰,藉此,與第2孔252的內表面相接觸。連接端子25之材質,係例如高熔點金屬或其碳化物。針對這些具體例,係如上述之說明。
筒狀轉軸40係與陶瓷板20相同地,以氮化鋁、氧化鋁等之陶瓷形成。筒狀轉軸40之內徑係例如40mm左右,外徑係例如60mm左右。此筒狀轉軸40係上端被擴散接合於陶瓷板20。在筒狀轉軸40的內部,配置有分別被連接於內周側電阻發熱體22的一對端子21,21之供電棒41,41,或分別被連接於外周側電阻發熱體26的一對端子23,23之供電棒43,43。供電棒41,41係被連接於第1電源31,供電棒43,43係被連接於第2電源33。因此,可個別地溫度控制被內周側電阻發熱體22加熱之內周側區域Z1,與被外周側電阻發熱體26加熱之外周側區域Z2。而且,雖然未圖示,供給氣體到氣孔27之氣體供給管或貫穿升降銷孔28之升降銷,也被配置於筒狀轉軸40的內部。
接著,說明陶瓷加熱器10之使用例。首先,設置陶瓷加熱器10於未圖示之真空腔體內,放置晶圓W於該陶瓷加熱器10的晶圓放置面20a。而且,藉第1電源31調整供給電力到內周側電阻發熱體22,使得被未圖示之內周側熱電偶所檢出之內周側區域Z1之溫度,成為被事先決定之內周側目標溫度,同時藉第2電源33調整供給電力到外周側電阻發熱體26,使得未圖示之外周側熱電偶所檢出之外周側區域Z2之溫度,成為被事先決定之外周側目標溫度。藉此,控制使得晶圓W之溫度成為期望之溫度。而且,設定使得真空腔體內為真空環境氣體或減壓環境氣體,在真空腔體內產生電漿,利用該電漿,施加CVD成膜或蝕刻於晶圓W。
接著,說明陶瓷加熱器10之製造例。圖6係陶瓷板20之製造步驟圖。
1.第1成型步驟(參照圖6(a))
首先,藉壓鑄法製作用於製造陶瓷加熱器10之第1陶瓷成型體51。第1陶瓷成型體51係最終成為陶瓷板20的下層之部分。在第1陶瓷成型體51的上表面,形成有用於配置內周側電阻發熱體22、外周側電阻發熱體26、電線24,24及連接端子25,25之凹部。用於成型第1陶瓷成型體51之成型模(未圖示),係內部空間成為與第1陶瓷成型體51相同之形狀。注入陶瓷漿料到此成型模,硬化該漿料,藉此,獲得第1陶瓷成型體51。具體性順序係如以下所述。
加入溶劑及分散劑到陶瓷粉體以混合,而製作陶瓷漿料前體。又,陶瓷粉體之粒子徑,係只要可調整・製作漿料,其並未特別侷限。溶劑係只要為溶解分散劑、異氰酸酯、多元醇及觸媒者,其並未特別侷限。例如,可例示碳化氫溶劑(甲苯、二甲苯、溶劑石腦油等)、醚溶劑(乙二醇單乙醚、丁基卡必醇、乙酸丁基卡必醇酯(butyl carbitol acetate)等)、醇溶劑(異丙醇、1-丁醇、乙醇,2-乙基己醇、松脂醇、乙二醇、甘油等)、酮溶劑(丙酮、甲乙酮等)、酯(乙酸丁酯、戊二酸二甲酯、甘油三乙酸酯(triacetin)等)、多元酸溶劑(戊二酸等)。尤其,較佳為使用多元酸酯(例如戊二酸二甲酯等)、多元醇的酸酯(例如甘油三乙酸酯等)等之具有2以上之酯鍵之溶劑。分散劑只要係例如使陶瓷粉體均勻地分散到溶劑中者,其並未特別侷限。例如,可例示聚羧酸類共聚物、聚羧酸鹽、脫水山梨糖醇脂肪酸酯、聚甘油脂肪酸酯、磷酸酯鹽類共聚物、磺酸鹽類共聚物、含三級胺的聚胺甲酸乙酯聚酯類共聚物等。尤其,較佳為使用聚羧酸類共聚物、聚羧酸鹽等。藉添加此分散劑,可使成型前之漿料,為低黏度且具有較高流動性者。如此一來,以既定之比例添加溶劑及分散劑到陶瓷粉體,持續既定時間將其混合・壓碎這些,可製作陶瓷漿料前體。
接著,在陶瓷漿料前體添加模化劑(異氰酸酯及多元醇)與觸媒,使這些混合及真空脱泡,以製作陶瓷漿料。異氰酸酯如果係為具有異氰酸酯基作為官能基之物質時,其並未特別侷限,但是,例如可使用六亞甲基二異氰酸酯(HDI)、甲苯二異氰酸酯(TDI),二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、或者這些之改質體等。而且,在分子內,也可以含有異氰酸酯基以外之反應性官能基,甚至,也可以如聚異氰酸酯,含有多數反應官能基。多元醇如果係為具有可與異氰酸酯基反應之官能基,例如具有羥基、胺基等之物質時,其並未特別侷限,但是,可使用例如乙二醇(EG)、聚乙二醇(PEG)、丙二醇(PG)、聚丙二醇(PPG)、四亞甲基二醇(polytetramethylene glycol, PTMG)、聚六亞甲基二醇(polyhexamethylene glycol, PHMG)、聚乙烯縮丁醛(polyvinyl butyral, PVB)等。觸媒如果係促進胺甲酸乙酯反應之物質時,其並未特別侷限,但是,可使用例如三伸乙基二胺(triethylenediamine)、己二胺、6-二甲基胺基-1-己醇、1,5-二氮雜環(4.3.0)壬烯-5,1,8-二氮雜二環-[5.4.0] -7-十一烯、(二甲基芐胺)、六甲基四伸乙基四胺等。填充陶瓷漿料到成型模的內部空間後,藉由異氰酸酯及多元醇所致之化學反應(胺甲酸乙酯反應),生成作為有機黏合劑之胺甲酸乙酯樹脂,而且,在隣接之胺甲酸乙酯樹脂的分子間,以使於同分子中各自生成之胺甲酸乙酯基(-O-CO-NH-)彼此鍵結的方式進行交聯,藉此硬化陶瓷漿料。胺甲酸乙酯樹脂係發揮當作有機黏合劑之功能。藉此,藉壓鑄法,可獲得第1陶瓷成型體51。
而且,製作陶瓷漿料前體或陶瓷漿料時之混合方法,係並未特別侷限,可例示例如球磨機、自公轉式攪拌、震動式攪拌、螺旋槳式攪拌、靜態混合器等。第1陶瓷成型體51之大小,係考慮陶瓷加熱器10之大小與乾燥收縮或燒結收縮等以決定之。
2.配置步驟(參照圖6(b))
接著,在被設於第1陶瓷成型體51的上表面之凹部,配置內周側電阻發熱體22、外周側電阻發熱體26、電線24,24及連接端子25,25。具體說來,係在第1陶瓷成型體51的內周側區域,配置內周側電阻發熱體22,在外周側區域配置外周側電阻發熱體26。在圖6(b)之框架內,表示自上方觀看連接端子25時之外觀。如此圖所示,插入外周側電阻發熱體26的直線狀端部26a,到球狀連接端子25的第2孔252。端部26a係可以具有餘隙地,被插入第2孔252,也可以在沒有餘隙之狀態下,被插入。又,配置電線24的一端到端子23之位置,同時具有餘隙地,插入直線部24a到連接端子25的第1孔251。藉此,電線24的直線部24a,係可移動地被插入第1孔251。此時,電線24的直線部24a係貫穿第1孔251。藉此,可防止電線24自第1孔251脫落。以同樣之理由,最好外周側電阻發熱體26的端部26a,也貫穿第2孔252。而且,球狀連接端子25之直徑係例如3~4mm左右。
3.第2成型步驟(參照圖6(c))
接著,在第1陶瓷成型體51的上表面,藉壓鑄法,製作第2陶瓷成型體52。第2陶瓷成型體52係最終成為陶瓷板20的上層之部分。用於成型第2陶瓷成型體52之成型模(未圖示),係在第1陶瓷成型體51的上表面之上方,形成與第2陶瓷成型體52相同形狀之空間者。注入陶瓷漿料到此空間,硬化該漿料,藉此,製作第2陶瓷成型體52。具體之順序係與第1成型步驟同樣。藉此,可獲得第1及第2陶瓷成型體51,52被一體化之陶瓷成型體53。此陶瓷成型體53係在第1及第2陶瓷成型體51,52之間,夾入內周側電阻發熱體22、外周側電阻發熱體26、電線24,24及連接端子25,25者。
4.乾燥・脱脂・煅燒步驟(參照圖6(d))
(1)乾燥
蒸發被包含於陶瓷成型體53之分散介質。只要因為使用之分散介質種,適宜設定乾燥溫度或乾燥時間即可。乾燥溫度係例如100~200℃。又,環境氣體也可以係大氣、惰性環境氣體、真空、氫氣環境氣體之任一者。在此步驟中,陶瓷成型體53係在半徑方向上,乾燥收縮2~3%左右。乾燥收縮時,愈接近陶瓷成型體53的外周,則收縮長度變得愈大。在乾燥陶瓷成型體53時,電線24即使無法追隨陶瓷成型體53之乾燥收縮,電線24係具有餘隙地,被插入連接端子25的第1孔251,所以,可在第1孔251內移動。因此,不會施加較大之應力於陶瓷成型體53。
(2)脱脂
分解蒸發分散介質後之被包含於陶瓷成型體53之黏合劑、分散劑及觸媒。分解溫度係例如400~600℃,環境氣體也可以係大氣、惰性環境氣體、真空、氫氣環境氣體之任一者。
(3)煅燒
脱脂後之陶瓷成型體53,在750~1300℃進行熱處理(煅燒),藉此,獲得煅燒體54(參照圖6(d))。煅燒係用於提高強度以易於處理。環境氣體也可以係大氣、惰性環境氣體、真空、氫氣環境氣體之任一者。而且,乾燥後,也可以進行一次脱脂與煅燒。又,陶瓷成型體53係在脱脂時或煅燒時中也收縮,但是,乾燥時之收縮率係最高。
5.燒結步驟(參照圖6(e))
熱壓燒結煅燒體54以獲得陶瓷板20。燒結條件係由粉末之種類、粉末之粒子徑等而適宜設定,但是,燒結溫度最好設定於1000~2000℃之範圍,加壓壓力最好設定於50~400kgf/cm2
之範圍。環境氣體也可以係大氣、惰性環境氣體、真空之任一者。在熱壓燒結時,煅燒體54係在金屬模具內,在上下方向上被施加壓力,所以,在上下方向上收縮,但是,水平方向上幾乎不收縮。在熱壓燒結後,球狀連接端子25係成為自上下方向,被壓潰之形狀。
6.開孔步驟及轉軸接合步驟
設置端子用孔於陶瓷板20的內表面,安裝端子21,21,23,23於該端子用孔。又,在陶瓷板20設置氣孔27或升降銷孔28。接著,安裝供電棒41,41,43,43到端子21,21,23,23。之後,在陶瓷板20的內表面20b,與陶瓷板20同軸地擴散接合筒狀轉軸40,以獲得陶瓷加熱器10。
在上述之陶瓷成型體53中,係製作不使用連接端子25地,直接連結電線24與外周側電阻發熱體26者,在該乾燥步驟,測試調查是否產生龜裂後,在電線24與外周側電阻發熱體26的連結部,產生有龜裂。又,如圖7所示,製作以波狀電線124連結端子23與外周側電阻發熱體26的端部者,在陶瓷成型體之乾燥步驟中,測試調查是否產生龜裂。在此測試中,係期待波狀電線124追隨陶瓷成型體53之乾燥收縮以伸縮,但是,結果係與此相反,於電線24與外周側電阻發熱體26的連結部,產生有龜裂。
在以上說明過之本實施形態之陶瓷加熱器10中,當以壓鑄法製作陶瓷板20時,即使電線24無法追隨陶瓷成型體53之乾燥收縮,電線24係可滑動地被插入連接端子25的第1孔251,所以,不會施加較大應力於陶瓷成型體53。因此,陶瓷板20之破損係被抑制。
又,在陶瓷成型體53乾燥收縮時,電線24係可在第1孔251移動,同時,外周側電阻發熱體26的端部26a也可在第2孔252移動,所以,可更加輕減施加在陶瓷成型體之應力。
又,電線24的直線部24a係貫穿連接端子25的第1孔251,所以,可防止電線24自連接端子25的第1孔251脫落。
而且,在製作陶瓷板20時所使用之連接端子25,係呈球狀,其係在外表面不具有邊緣之形狀,所以,可抑制將連接端子25的外表面當作起點而開始龜裂。
而且,製作陶瓷板20後之連接端子25,係成為自陶瓷板20之上下方向,被壓潰之形狀。因此,連接端子25的被壓潰之第1孔251的內表面,係與電線24確實地連接,連接端子25的被壓潰之第2孔252的內表面,係與外周側電阻發熱體26的端部26a確實地連接。
並且,外周側電阻發熱體26係除了端部26a,呈線圈狀,所以,可使發熱量比較大。
而且,本發明係並不侷限於上述實施形態,當然,只要屬於本發明之技術性範圍,可藉種種態樣實施。
例如,在上述實施形態中,雖然使連接端子25的第1孔251與第2孔252設為平行,但是,如圖8所示之連接端子65所示,也可以使第1孔651設為沿著陶瓷板20之半徑方向,使第2孔652設為與第1孔651立體交叉。圖8係自陶瓷板之上方觀看連接端子65的周邊之說明圖。即使如此,在陶瓷成型體53乾燥收縮時,電線24的直線部24a也可在陶瓷板20之半徑方向上,於第1孔651移動,所以,不會施加較大之應力於陶瓷成型體53。但是,在圖8中,於陶瓷成型體53乾燥收縮時,外周側電阻發熱體26的端部26a,係幾乎無法在陶瓷板20之半徑方向上移動。因此,如上述實施形態所示,最好平行設置第1孔251與第2孔252,在陶瓷成型體53乾燥收縮時,外周側電阻發熱體26的端部26a,也可在陶瓷板20之半徑方向上,於第2孔252移動。
在上述實施形態中,雖然設置電線24與外周側電阻發熱體26於相同平面上,但是,如圖9及圖10所示,也可以設置電線24與外周側電阻發熱體26於不同平面。圖9及圖10係自陶瓷板之側面,觀看連接端子75,85的周邊所得之說明圖。圖9之連接端子75與電線24係被設於相同平面。在連接端子75設有第1孔751,使得沿著陶瓷板20之半徑方向,與第1孔751立體交叉地,於厚度方向上設有第2孔752。於第1孔751插入有電線24的直線部24a,於第2孔752插入有沿著外周側電阻發熱體26之厚度方向延伸之直線部26a。圖10之連接端子85與電線24係被設於相同平面。在連接端子85設有第1孔851,使得沿著陶瓷板20之半徑方向,第2孔852係被設成與第1孔851平行。於第1孔851插入有電線24的直線部24a,於第2孔852插入有外周側電阻發熱體26的直線部26a。圖10之直線部26a係自外周側電阻發熱體26的線圈,於厚度方向上延伸後,概略直角地彎曲以沿著半徑方向之部分。在圖9及圖10之任一者中,皆可不在意外周側發熱體26之模式地,配置電線24。而且,在陶瓷成型體53乾燥收縮時,在圖9中,相對於僅電線24的直線部24a可在收縮方向上移動,在圖10中,除了電線24的直線部24a,外周側發熱體26的直線部26a也可在收縮方向上移動,所以,最好係圖10。
在此,使設置電線24與外周側電阻發熱體26於不同面之陶瓷加熱器之製造步驟之一例,表示於圖11。首先,藉壓鑄法,製作第1陶瓷成型體151(參照圖11(a))。第1陶瓷成型體151係包括:深凹槽151a,用於配置內周側及外周側電阻發熱體22,26;淺凹槽151b,用於配置電線24;以及半圓凹槽151c,用於在淺凹槽151b的外周側的端部,配置球狀連接端子。接著,配置內周側電阻發熱體22(在圖11中,予以省略)及外周側電阻發熱體26於深凹槽151a,配置電線24於淺凹槽151b,配置連接端子於半圓凹槽151c(參照圖11(b))。此時,具有餘隙地插入電線24的直線部到連接端子的第1孔,插入外周側電阻發熱體26的直線部到第2孔。接著,在第1陶瓷成型體151的上表面,藉壓鑄法,製作圓板狀之第2陶瓷成型體152,乾燥包含成型體151,152之陶瓷成型體153以做成乾燥體(參照圖11(c))。之後,熱壓燒結乾燥體以獲得陶瓷加熱器。
在上述實施形態中,雖然設置內周側電阻發熱體22與外周側電阻發熱體26於相同之平面上,但是,也可以使內周側電阻發熱體22與外周側電阻發熱體26,與晶圓放置面20a平行地,設於高度不同之面。或者,也可以在內周側區域Z1與外周側區域Z2之間,設置環狀之平原區域(未配線有電阻發熱體之區域)。在此情形下,也可以於與晶圓放置面20a平行且設有電阻發熱體22,26之面的不同面之中,對應環狀之平原區域之領域,另外配線電阻發熱體。
在上述實施形態中,雖然說明過外周側區域Z2為一個區域,但是,其也可以分割為兩個以上之小區域。在此情形下,使線圈狀之電阻發熱體在各區域,分別獨立配線。又,各電阻發熱體的端部,如圖4及圖5所示,係透過電線及連接端子,連接在陶瓷板中央部的端子。小區域係可以以與陶瓷板20為同心圓之邊界線,分割外周側區域Z2,藉此,形成環狀,或者,以自陶瓷板20的中心成放射狀延伸之線,分割外周側區域Z2,藉此,形成扇形(展開圓錐座的側面後之形狀)。
在上述實施形態中,也可以在陶瓷板2 0內建靜電電極。在此情形下,於晶圓放置面20a放置晶圓W後,施加電壓到靜電電極,藉此,可靜電吸附晶圓W到晶圓放置面20a。或者,也可以於陶瓷板20內建RF電極。在此情形下,也可以在晶圓放置面20a之上方空出空間,以配置未圖示之淋浴頭,供給高頻電力到由淋浴頭與RF電極所構成之平行平板電極間,藉此,產生電漿,利用該電漿,可施加CVD成膜或蝕刻於晶圓W。而且,也可以使靜電電極與RF電極兼用。
在上述實施形態中,在製作陶瓷板20時所使用之連接端子25,雖然使用球狀者,但是,其並未特別侷限,也可以使用例如橢圓球狀者,或者,邊緣導圓角之矩形體形狀或立方體形狀者。
本申請案係將2019年2月19日提出申請之日本專利申請第2019-027685號,當作優先權主張之基礎,因為引用而使其內容之全部,包含於本專利說明書。
[産業上之利用可能性]
本發明係被用於例如加熱晶圓。
10:陶瓷加熱器
20:陶瓷板
20a:晶圓放置面
20b:內表面
20c:虛擬邊界
21:端子
22:內周側電阻發熱體
23:端子
24:電線
24a:直線部
25:連接端子
251:第1孔
252:第2孔
26:外周側電阻發熱體
26a:直線部
27:氣孔
28:升降銷孔
31:第1電源
33:第2電源
40:筒狀轉軸
41,43:供電棒
51,151:第1陶瓷成型體
151a:深凹槽
151b:淺凹槽
151c:半圓凹槽
52,152:第2陶瓷成型體
53,153:陶瓷成型體
54:煅燒體
65,75,85:連接端子
651,751,851:第1孔
652,752,852:第2孔
124:電線
Z1:內周側區域
Z2:外周側區域
〔圖1〕係陶瓷加熱器10之立體圖。
〔圖2〕係陶瓷加熱器10之縱剖面圖。
〔圖3〕係沿著內周側及外周側電阻發熱體22,26,水平地切斷陶瓷板20,以自上方所觀得之剖面圖。
〔圖4〕係圖3電線24之周邊之放大圖。
〔圖5〕係圖4虛線框架內之放大圖。
〔圖6〕係陶瓷板20之製造步驟圖。
〔圖7〕係使端子23與外周側電阻發熱體26,以波狀之電線124連結後之局部剖面圖。
〔圖8〕係自陶瓷板之上方觀看連接端子65周邊所得之說明圖。
〔圖9〕係自陶瓷板之側面觀看連接端子75周邊所得之說明圖。
〔圖10〕係自陶瓷板之側面觀看連接端子85周邊所得之說明圖。
〔圖11〕係使電線24與外周側電阻發熱體26,設於不同面之陶瓷加熱器之製造步驟圖。
10:陶瓷加熱器
20:陶瓷板
20c:虛擬邊界
21:端子
22:內周側電阻發熱體
23:端子
24:電線
25:連接端子
26:外周側電阻發熱體
27:氣孔
28:升降銷孔
Z1:內周側區域
Z2:外周側區域
Claims (8)
- 一種陶瓷加熱器,其包括: 圓盤狀的陶瓷板,具有晶圓放置面,包括環狀之外周側區域; 外周側電阻發熱體,設於該外周側區域; 電線,分別自被設於該陶瓷板的中央部之一對端子,往該外周側區域延伸,接近該外周側區域之部分係成為直線部;以及 導電性的連接端子,具有:第1孔,插入有該電線的該直線部;以及第2孔,插入有該外周側電阻發熱體的端部;連接該電線與該外周側電阻發熱體。
- 如請求項1所述之陶瓷加熱器,其中該第1孔與該第2孔係設為平行。
- 如請求項1或請求項2所述之陶瓷加熱器,其中該外周側電阻發熱體與該電線,係被設於不同面, 該連接端子係位於設有該電線之面。
- 如請求項1~請求項3中任一項所述之陶瓷加熱器,其中該電線的該直線部係貫穿該第1孔。
- 如請求項1~請求項4中任一項所述之陶瓷加熱器,其中該連接端子係呈在外表面不具有邊緣之形狀。
- 如請求項1~請求項5中任一項所述之陶瓷加熱器,其中該連接端子係成為自該陶瓷板之上下方向,被壓潰之形狀。
- 如請求項1~請求項6中任一項所述之陶瓷加熱器,其中該外周側電阻發熱體係呈線圈狀。
- 一種陶瓷加熱器之製法,其包含: (a)藉壓鑄法,製作圓盤狀之第1陶瓷成型體之步驟; (b)配置外周側電阻發熱體於該第1陶瓷成型體的既定面的外周側區域,配置分別自設於該第1陶瓷成型體的中央部之一對端子之位置,往該外周側區域延伸,接近該外周側區域之部分係成為直線部之電線,具有餘隙地插入該電線的該直線部,到具有第1孔及第2孔之導電性之連接端子的該第1孔,插入該外周側電阻發熱體的端部到該第2孔之步驟; (c)在該第1陶瓷成型體的該既定面,藉壓鑄法,製作圓盤狀之第2陶瓷成型體之步驟; (d)乾燥包含該第1及第2陶瓷成型體之陶瓷成型體,以當作乾燥體之步驟;以及 (e)熱壓燒結乾燥體之步驟。
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JP4139047B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2008-08-27 | ボッシュ株式会社 | セラミックヒータ型グロープラグおよびその製造方法 |
JP3615694B2 (ja) * | 2000-08-08 | 2005-02-02 | 京セラ株式会社 | ウェハ加熱部材及びこれを用いたウェハの均熱化方法 |
JP4439108B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2010-03-24 | 京セラ株式会社 | ウエハ支持部材 |
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JP3897563B2 (ja) * | 2001-10-24 | 2007-03-28 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
JP3925702B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2007-06-06 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒーター |
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US6884974B2 (en) * | 2003-03-21 | 2005-04-26 | Tutco, Inc. | Mica board electrical resistance wire heater, subassemblies, components, and methods of assembly |
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JP5025109B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2012-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置機構、基板処理装置、および基板載置機構の製造方法 |
WO2009063643A1 (ja) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Panasonic Corporation | 発熱体ユニット及び加熱装置 |
JP4450106B1 (ja) * | 2008-03-11 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び処理装置 |
JP5347553B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2013-11-20 | Tdk株式会社 | サーミスタ素子 |
KR101598014B1 (ko) * | 2009-10-27 | 2016-02-26 | 쿄세라 코포레이션 | 세라믹 히터 |
US9091977B2 (en) * | 2011-11-01 | 2015-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Heater with insulated substrate having through holes and image heating apparatus including the heater |
CN202307388U (zh) * | 2011-12-16 | 2012-07-04 | 无锡村田电子有限公司 | 引线型电子部件的安装结构 |
JP6198934B2 (ja) * | 2013-05-02 | 2017-09-20 | ジェンサーム ゲーエムベーハー | 耐液加熱エレメント |
JP6190156B2 (ja) * | 2013-05-15 | 2017-08-30 | 株式会社ブリヂストン | セラミックス板及びヒータユニット |
CN105282877B (zh) * | 2014-06-17 | 2019-10-25 | 住友电气工业株式会社 | 用于半导体制造装置的陶瓷加热器 |
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