TW202039243A - 附保護膜之導電性膜及導電性膜之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種即便設置有較薄之導電層，亦可抑制導電層之圖案化時產生斷線之導電性膜。 本發明之附保護膜之導電性膜係依序具備第1保護膜、第1導電層及樹脂膜者，且 上述第1導電層之厚度為10 nm以上且250 nm以下， 上述第1導電層之與上述樹脂膜為相反側之表面之表面粗糙度Rz為100 nm以下， 上述第1保護膜之與上述第1導電層相接之側之面具有黏著性， 上述第1保護膜與上述第1導電層之間之密接力為0.005 N/50 mm以上且0.5 N/50 mm以下。

Description

附保護膜之導電性膜及導電性膜之製造方法
本發明係關於一種附保護膜之導電性膜及使用其之導電性膜之製造方法。
先前，於樹脂膜之表面形成有導電層之導電性膜被用於軟性電路基板、電磁波屏蔽膜、平板顯示器、觸控感測器、非接觸式IC(integrated circuit，積體電路)卡、太陽能電池等(例如，專利文獻1)。導電性膜之主要功能係導電，設置於高分子膜之表面之導電層之組成或厚度係以獲得符合用途目的之導電性之方式適宜選擇。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-82848號公報
[發明所欲解決之問題]
由於近年之器件要素之薄型化或小型化之要求之提高，導電層之厚度亦自數百nm薄型化至數十nm。又，為了實現器件之高功能化或用途擴大，有時亦藉由蝕刻等將導電層圖案化而使用。然而，於較薄之導電層之圖案化時，有時於電路圖案產生斷線，其成為使生產性或可靠性降低之原因之一。
本發明之目的在於提供一種即便設置有較薄之導電層，亦可抑制導電層之圖案化時產生斷線之導電性膜。 [解決問題之技術手段]
本發明者等人為了解決上述課題而進行了努力研究，結果獲得如下見解：於導電層之產生斷線之部位產生了針孔，該針孔或許成為斷線之原因。進而進行了研究，結果發現藉由採用下述構成，可達成上述目的，從而完成了本發明。
本發明之一實施形態中係一種附保護膜之導電性膜，其係依序具備第1保護膜、第1導電層及樹脂膜者，且上述第1導電層之厚度為10 nm以上且250 nm以下，上述第1導電層之與上述樹脂膜為相反側之表面之表面粗糙度Rz為100 nm以下，上述保護膜之與上述第1導電層相接之側之面具有黏著性，上述保護膜與上述第1導電層之間之密接力為0.005～0.5 N/50 mm。
該附保護膜之導電性膜藉由將第1導電層之表面粗糙度Rz設為特定範圍，且將保護膜對第1導電層之黏著力設為特定範圍，而於10 nm以上且250 nm以下之較薄之導電層之圖案化時亦能夠控制斷線之產生。本發明者等人對針孔之產生原因進行了研究，結果明確了：自導電層之成膜時至成膜後，於將導電性膜捲繞成捲狀之前後，針孔之產生數增加；以及，為了保護導電層而對導電層之表面賦予保護膜之情形時，若使用保護膜與導電層之密接力超過某一值者，則將保護膜剝離後針孔之數量反倒增加。由此，本發明者等人推測：於導電性膜之捲繞時，導電層之陡峭之突起因捲之捲緊壓力或捲緊時之摩擦而崩塌，突起部分塌陷，由此產生針孔；以及，於將賦予至導電層表面之保護膜剝離時，導電層自樹脂膜剝離，並且轉印至保護膜之黏著層上，由此產生針孔。
根據以上之見解發現，藉由如下方式來抑制針孔之產生，其結果，具有抑制經圖案化之導電層之斷線之效果，從而完成了本發明，即，藉由減小導電層表面之表面粗糙度Rz，去除導電層中之陡峭之突起或階差；抑制導電性膜之捲繞時導電層之陡峭之突起因捲之捲緊壓力或捲緊時之摩擦而崩塌；以及於導電層之表面設置黏著力為0.005 N/50 mm～0.5 N/50 mm之保護膜。
進而，即便減小導電層表面之表面粗糙度Rz，於不設置保護膜之情形時，於將導電性膜切斷加工成特定寬度時，有時亦會產生針孔。認為其原因在於：雖然於保護膜配設前於導電層之一面存在樹脂膜，但另一面並無任何要素，因此於導電層之厚度方向負載切斷加工時之應力或振動，由此導致導電層局自樹脂膜剝離。對於該附保護膜之導電性膜，形成於導電層之另一面配置保護膜、可謂由樹脂膜與保護膜夾持導電層之兩面之狀態，因此能夠抑制切斷加工時負載於導電層之厚度方向上之應力等，能夠抑制或減少切斷加工時之針孔產生。
較佳為上述樹脂膜之上述第1導電層側之表面之表面粗糙度Ra為0.5 nm以上且10 nm以下。由於導電層之表面狀態有原樣沿襲樹脂膜之表面狀態之傾向，因此藉由將樹脂膜之表面粗糙度Ra設為上述範圍，能夠效率良好地將導電層表面之表面粗糙度Rz控制為特定範圍。
該導電性膜亦可進而具備配置於上述樹脂膜與上述第1導電層之間之基底層。藉由設置對應第1導電層對樹脂膜之密接性或對導電性膜之強度賦予、電特性之控制等目的之基底層，能夠實現導電性膜之高功能化。
又一實施形態中，該導電性膜亦可進而具備配置於上述樹脂膜之與上述第1導電層相反之側之第2導電層。該情形時，較佳為上述第2導電層之厚度為10 nm以上且250 nm以下，上述第2導電層之與上述樹脂膜為相反側之表面之表面粗糙度Rz為100 nm以下。
藉由於樹脂膜之兩面設置導電層，能夠實現導電性膜之高功能化或用途擴大。又，藉由將不僅第1導電層、而且第2導電層之表面之表面粗糙度Rz亦設為上述範圍內，能夠將兩面之導電層之陡峭之突起或階差去除而抑制針孔之產生，其結果，能夠於兩面抑制經圖案化之導電層之斷線。
較佳為上述樹脂膜之上述第2導電層側之表面之表面粗糙度Ra為0.5 nm以上且10 nm以下。與第1導電層之情形同樣地，藉由將樹脂膜之表面粗糙度Ra設為上述範圍，能夠效率良好地將第2導電層表面之表面粗糙度Rz控制為特定範圍。
該導電性膜亦可進而具備配置於上述樹脂膜與上述第2導電層之間之基底層。藉由設置對應第2導電層對樹脂膜之密接性、對導電性膜之強度賦予、電特性之控制等目的之基底層，能夠實現導電性膜之高功能化。
較佳為上述第1導電層之厚度與上述第2導電層之厚度之差之絕對值為5 nm以下。藉由使兩面之導電層之厚度相互接近，於導電層產生之應力被抵消，能夠防止導電性膜之捲曲或導電層之剝離等。
該附保護膜之導電性膜亦可進而具備配置於上述第2導電層之與上述樹脂膜相反之側之第2保護膜。較佳為上述第2保護膜之與上述第2導電層相接之側之面具有黏著性，上述第2導電層與上述第2保護膜間之密接力為0.005 N/50 mm以上且0.5 N/50 mm以下。
藉由具備第2保護膜，可抑制將導電性膜切斷加工成特定寬度時之針孔產生。又，藉由將第2保護膜與第2導電層之間之密接力設為特定範圍，可抑制第2保護膜之剝離時之第2導電層自樹脂膜之剝離及第2導電層向第2保護膜之轉印，能夠抑制針孔產生。
較佳為上述第1保護膜及第2保護膜中之至少一者具有含有聚烯烴系樹脂之基材層及含有熱塑性彈性體之黏著層。利用此種構成，能夠適當地製作具有特定密接力之保護膜。
本發明之另一實施形態係關於一種導電性膜之製造方法，其包括自該附保護膜之導電性膜剝離保護膜之步驟。
藉由使用該附保護膜之導電性膜，可抑制保護膜剝離時之導電層自樹脂膜之剝離及導電層向保護膜之轉印，並且可抑制切斷加工成特定寬度時之厚度方向上之應力等，因此作為整體抑制針孔產生，進而防止電路圖案之斷線，從而能夠良率良好地製造高品質之導電性膜。
以下參照圖式對本發明之附保護膜之導電性膜之實施形態進行說明。但是，於圖之一部分或全部中，省略說明不需要之部分，而且存在為了容易說明進行放大或縮小等來圖示之部分。表示上下等位置關係之用語僅僅係為了容易進行說明而使用，完全沒有意圖限定本發明之構成。
《第1實施形態》 ＜附保護膜之導電性膜＞ 圖1係本發明之一實施形態之附保護膜之導電性膜之模式剖視圖。圖1所示之附保護膜之導電性膜100依序具備第1保護膜31、第1導電層21及樹脂膜1。本實施形態中，於樹脂膜1與第1導電層21之間設置有基底層41。再者，第1導電層21及基底層41各自圖示了包含1層之構成，但各自亦可為2層以上之多層構成。
(樹脂膜) 作為樹脂膜1，只要能夠確保絕緣性，則無特別限制，可使用各種塑膠膜。作為樹脂膜之材料，可例舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯系樹脂、聚醯亞胺(PI)等聚醯亞胺系樹脂、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等聚烯烴系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、環烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂等。該等之中，就耐熱性、耐久性、柔軟性、生產效率、成本等觀點而言，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯系樹脂、聚醯亞胺(PI)等聚醯亞胺系樹脂。尤其是自成本績效之觀點而言，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。
對於樹脂膜，亦可對表面預先實施濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子束照射、化成、氧化等蝕刻處理或底塗處理，以保障與形成於樹脂膜上之導電層之密接性。又，於形成導電層前，亦可根據需要藉由溶劑清洗或超音波清洗等對樹脂膜表面進行除塵、淨化。
樹脂膜1之第1導電層21側之表面11a之表面粗糙度Ra較佳為0.5 nm以上且10 nm以下。樹脂膜1之表面11a之表面粗糙度Ra之下限值較佳為1.5 nm，更佳為3 nm。另一方面，樹脂膜1之表面11a之表面粗糙度Ra之上限值較佳為8 nm，更佳為6 nm。由於導電層之表面狀態有原樣沿襲樹脂膜1之表面狀態之傾向，因此藉由將樹脂膜1之表面粗糙度Ra設為上述範圍，能夠效率良好地將第1導電層21之表面21a之表面粗糙度Rz控制為特定範圍。
樹脂膜之厚度較佳為2～300 μm之範圍內，更佳為10～250 μm之範圍內，進而較佳為20～200 μm之範圍內。通常，樹脂膜之厚度較厚時不易受到加熱時之熱收縮等之影響，故而較理想。但是，由於電子零件等之小型化，較理想為樹脂膜之厚度亦進行某種程度之減薄。另一方面，若樹脂膜之厚度過薄，則樹脂膜之透濕性或透過性上升，使水分或氣體等透過，導電層容易被氧化。因此，本實施形態中，藉由使樹脂膜之厚度具有某種程度之厚度並且減薄，導電性膜自身亦能夠減薄，從而能夠抑制用於電磁波屏蔽片或感測器等之情形時之厚度。因此，能夠應對電磁波屏蔽片或感測器等之薄型化。進而，若樹脂膜之厚度為上述之範圍內，則能夠確保樹脂膜之柔軟性，並且機械強度充分，從而能夠實現使膜成為捲狀並連續地形成基底層或導電層之操作。
(基底層) 本實施形態之導電性膜進而具備配置於樹脂膜1與第1導電層21之間之基底層41。藉由設置對應第1導電層對樹脂膜之密接性或對導電性膜之強度賦予、電特性之控制等目的之基底層，能夠實現導電性膜之高功能化。作為基底層，並無特別限定，可例舉易接著層、硬塗層(包括作為抗黏連層等而發揮作用之層)、介電層等。
(易接著層) 易接著層係接著性樹脂組合物之硬化膜。易密接層對導電層具有良好之密接性。
作為接著性樹脂組合物，可無特別限制地使用作為易密接層形成後之硬化膜具有充分之接著性及強度者。作為使用之樹脂，可例舉熱硬化型樹脂、熱塑型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子束硬化型樹脂、二液混合型樹脂、及該等之混合物等，該等之中，能夠藉由利用紫外線照射之硬化處理，藉由簡單之加工操作效率良好地形成易密接層之紫外線硬化型樹脂較為適當。藉由包含紫外線硬化型樹脂，容易獲得具有紫外線硬化性之接著性樹脂組合物。
作為接著性樹脂組合物，較佳為於硬化時形成交聯結構之材料。原因在於推測：若易密接層中之交聯結構得到促進，則至此鬆散之膜內部結構變得堅固，膜強度提高。如此之膜強度之提高有助於密接性之提高。
接著性樹脂組合物較佳為包含(甲基)丙烯酸酯單體及(甲基)丙烯酸酯低聚物中之至少1種。藉此，起因於丙烯醯基中包含之C=C雙鍵之交聯結構之形成變得容易，能夠有效率地實現膜強度之提高。再者，本說明書中，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
本實施形態中使用之作為主成分之具有(甲基)丙烯醯基之(甲基)丙烯酸酯單體及/或丙烯酸酯低聚物具有形成塗膜之作用，具體而言，可例舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、異氰脲酸三(丙烯醯氧基乙基)酯、己內酯改性異氰脲酸三(丙烯醯氧基乙基)酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及該等之2種以上之混合物。
上述之(甲基)丙烯酸酯中，就耐磨耗性、硬化性之方面而言，尤佳為季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、或該等之混合物。
又，亦可使用聚胺基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。對於聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物，可例舉：使多元醇與多異氰酸酯反應後，使具有羥基之(甲基)丙烯酸酯與之反應之方法；使多異氰酸酯與具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應後，使多元醇與之反應之方法；使多異氰酸酯、多元醇、具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應之方法等，並無特別限定。
作為多元醇，例如可例舉聚乙二醇、聚丙二醇、聚四亞甲基醚二醇及該等之共聚物、乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、2,2'-硫代二乙醇等。
作為多異氰酸酯，例如可例舉異佛爾酮二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、間苯二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯等。
若交聯密度過高，則作為底漆之性能降低，導電層密接性容易降低，因此亦可使用具有羥基之低官能(甲基)丙烯酸酯(以下，稱為含羥基(甲基)丙烯酸酯)。作為含羥基(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、1,4-環己烷二甲醇單(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-丙烯醯氧基丙酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等。上述之(甲基)丙烯酸酯單體成分及/或(甲基)丙烯酸酯低聚物成分可單獨使用，亦可使用2種以上。
本實施形態之具有紫外線硬化性之接著性樹脂組合物藉由調配含(甲基)丙烯醯基之矽烷偶合劑而提高抗黏連性。作為含(甲基)丙烯醯基之矽烷偶合劑，可例舉3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等，作為市售品，可例舉KR-513、KBM-5103(信越化學股份有限公司製造，商品名)。
矽烷偶合劑之調配量相對於上述(甲基)丙烯酸酯單體及/或(甲基)丙烯酸酯低聚物100重量份設為0.1重量份～50重量份、更佳為1～20重量份。若為該範圍，則與導電層之密接性提高，能夠維持塗膜物性。
本實施形態之易密接層亦可包含奈米二氧化矽微粒子。作為奈米二氧化矽微粒子，可使用由烷基矽烷合成之有機二氧化矽溶膠或利用電漿弧合成之奈米二氧化矽。作為市售品，為前者時，可例舉PL-7-PGME(扶桑化學製造，商品名)，為後者時，可例舉SIRMIBK15WT%-M36(CIK NanoTek製造，商品名)等。奈米二氧化矽微粒子之調配比率相對於上述具有(甲基)丙烯醯基之(甲基)丙烯酸酯單體及/或丙烯酸酯低聚物與矽烷偶合劑之總重量100重量份，較佳為5～30重量份，更佳為5～10重量份。藉由設為下限以上，而形成表面凹凸，能夠賦予抗黏連性，能夠實現利用捲對捲(roll to roll)之生產。藉由設為上限以下，能夠防止與導電層之密接性之降低。
奈米二氧化矽微粒子之平均粒徑較佳為100～500 nm。若平均粒徑未達100 nm，則於表面形成凹凸所需之添加量變多，因此無法獲得與導電層之密接性，相對於此，若超過500 nm，則表面凹凸變大，會產生針孔之問題。
為了賦予紫外線硬化性，接著性樹脂組合物較佳為包含光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，可例舉安息香正丁醚、安息香異丁醚等安息香醚類、苯偶醯二甲基縮酮、苯偶醯二乙基縮酮等苯偶醯縮酮類、2,2-二甲氧基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮等苯乙酮類、1-羥基環己基苯基酮、[2-羥基-2-甲基-1-(4-伸乙基苯基)丙烷-1-酮]、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-(4-異丙基苯基)丙烷-1-酮等α-羥基烷基苯酮類、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-嗎啉基丙烷、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-1-丁酮等α-胺基烷基苯酮類、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基苯基乙氧基氧化膦等單醯基氧化膦類、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等單醯基氧化膦類等。
就樹脂之硬化性、光穩定性、與樹脂之相容性、低揮發、低臭氣之方面而言，較佳為烷基苯酮系光聚合起始劑，更佳為1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、(2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮。作為市售品，可例舉Irgacure127、184、369、651、500、891、907、2959、Darocure1173、TPO(BASF JAPAN股份有限公司製造，商品名)等。光聚合起始劑相對於具有(甲基)丙烯醯基之(甲基)丙烯酸酯單體及/或丙烯酸酯低聚物100重量份調配固形物成分3～10重量份。
於易密接層之形成時，將以分子內具有(甲基)丙烯醯基之(甲基)丙烯酸酯及/或(甲基)丙烯酸酯低聚物為主成分之接著性樹脂組合物於甲苯、乙酸丁酯、異丁醇、乙酸乙酯、環己烷、環己酮、甲基環己酮、己烷、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、丙二醇單甲醚、二乙醚、乙二醇等溶劑中稀釋，製備成固形物成分為30～50%之清漆。
易密接層係藉由於環烯烴系樹脂膜1上塗佈上述清漆而形成。清漆之塗佈方法可根據清漆及塗裝步驟之狀況而適時選擇，例如可藉由浸塗法、氣刀塗佈法、淋幕式塗佈法、輥塗法、線棒塗佈法、凹版塗佈法、模嘴塗佈法或擠壓塗佈法等進行塗佈。
將清漆塗佈後，使塗膜硬化，藉此能夠形成易密接層。作為具有紫外線硬化性之接著性樹脂組合物之硬化處理，於清漆包含溶劑之情形時，可例舉如下程序：利用乾燥(例如於80℃下1分鐘)之溶劑去除後，使用紫外線照射機，以500 mW/cm2 ～3000 mW/cm2 之照射強度進行工作量為50～400 mJ/cm2 之紫外線處理使其硬化。作為紫外線產生源，通常使用紫外線燈，具體而言，可例舉低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、氙氣燈、金屬鹵化物燈等，於進行照射之情形時，可於空氣中，亦可於氮氣、氬氣等惰性氣體中。
較佳為於紫外線硬化處理時進行加熱。藉由紫外線照射，接著性樹脂組合物之硬化反應進行，同時形成交聯結構。此時藉由進行加熱，而以低紫外線量亦能夠充分促進交聯結構之形成。加熱溫度可根據交聯度而設定，較佳為50℃～80℃。加熱構件並無特別限定，可適宜採用溫風乾燥機、輻射熱乾燥機、膜搬送輥之加熱等。
作為易密接層之厚度，並無特別限定，但較佳為0.2 μm～2 μm，更佳為0.5 μm～1.5 μm，進而較佳為0.8 μm～1.2 μm。藉由將易密接層之厚度設為上述範圍，能夠提高導電層之密接性與膜之柔軟性。
(硬塗層) 作為基底層，亦可設置硬塗層。進而，為了防止導電性膜彼此之黏連而能夠實現利用捲對捲法之製造，亦可於硬塗層中調配粒子。
硬塗層之形成中可適當地使用與易密接層相同之接著性組合物。為了賦予抗黏連性，較佳為於上述接著性組合物中調配粒子。藉此能夠於硬塗層之表面形成凹凸，能夠適當地對導電性膜100賦予抗黏連性。
作為上述粒子，可無特別限制地使用各種金屬氧化物、玻璃、塑膠等具有透明性者。例如可例舉二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鈣等無機系粒子、包含聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、丙烯酸系樹脂、丙烯酸系-苯乙烯共聚物、苯并胍胺、三聚氰胺、聚碳酸酯等各種聚合物之交聯或未交聯之有機系粒子或聚矽氧系粒子等。上述粒子可適宜選擇1種或2種以上而使用。
上述粒子之平均粒徑或調配量可考慮表面凹凸之程度而適宜設定。作為平均粒徑，較佳為0.5 μm～2.0 μm，作為調配量，相對於組合物之樹脂固形物成分100重量份，較佳為0.2～5.0重量份。
(介電層) 作為基底層，亦可具備1層以上之介電層。介電層係由無機物、有機物、或無機物與有機物之混合物形成。作為形成介電層之材料，可例舉NaF、Na3 AlF6 、LiF、MgF2 、CaF2 、SiO2 、LaF3 、CeF3 、Al2 O3 、TiO2 、Ta2 O5 、ZrO2 、ZnO、ZnS、SiOx (x為1.5以上且未達2)等無機物、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物等有機物。尤其是作為有機物，較佳為使用包含三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂及有機矽烷縮合物之混合物之熱硬化型樹脂。介電層可使用上述之材料，藉由凹版塗佈法或棒塗法等塗佈法、真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等而形成。
介電層之厚度較佳為10 nm～250 nm，更佳為20 nm～200 nm，進而較佳為20 nm～170 nm。若介電層之厚度過小，則不易形成連續覆膜。又，若介電層之厚度過大，則有容易於介電層產生裂紋之傾向。
介電層亦可具有平均粒徑為1 nm～500 nm之奈米微粒子。介電層中之奈米微粒子之含量較佳為0.1重量%～90重量%。介電層中所用之奈米微粒子之平均粒徑如上述般較佳為1 nm～500 nm之範圍，更佳為5 nm～300 nm。又，介電層中之奈米微粒子之含量更佳為10重量%～80重量%，進而較佳為20重量%～70重量%。
作為形成奈米微粒子之無機氧化物，例如可例舉氧化矽(二氧化矽)、中空奈米二氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氧化鈮等微粒子。該等之中，較佳為氧化矽(二氧化矽)、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氧化鈮之微粒子。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
(第1導電層) 對於設置於樹脂膜1之一表面11a側之第1導電層21，為了充分獲得電磁波屏蔽效果或感測器功能等，電阻率較佳為100 μΩcm以下。作為導電層之構成材料，只要滿足此種電阻率並具有導電性，則無特別限定，例如可適當地使用Cu、Al、Fe、Cr、Ti、Si、Nb、In、Zn、Sn、Au、Ag、Co、Cr、Ni、Pb、Pd、Pt、W、Zr、Ta、Hf、Mo、Mn、Mg、V等金屬。又，亦可使用含有該等金屬中之2種以上之物質、或以該等金屬為主成分之合金或氧化物等。該等導電性化合物中，就有助於電磁波屏蔽特性或感測器功能之導電率較高，價格較低之觀點而言，較佳為包含Cu、Al。尤其是就成本績效及生產效率之觀點而言，較佳為包含Cu，亦可以雜質程度包含Cu以外之元素。藉此，電阻率足夠小，導電率較高，因此能夠提高電磁波屏蔽特性或感測器功能。
第1導電層21之形成方法並無特別限定，可採用先前公知之方法。具體而言，例如就膜厚之均勻性或成膜效率之觀點而言，較佳為藉由濺鍍法、化學氣相沈積法(CVD)、物理氣相沈積法(PVD)等真空成膜法、離子鍍法、鍍覆法(電解鍍覆、無電解鍍覆)、熱燙印法、塗佈法等進行成膜。又，可組合複數種該等製膜方法，亦可根據所需膜厚而採用適宜之方法。其中，較佳為濺鍍法、真空成膜法，尤佳為濺鍍法。藉此，能夠藉由捲對捲製法連續生產而提高生產效率，並且能夠控制成膜時之膜厚，因此能夠抑制導電性膜之表面電阻值之上升。又，能夠薄且膜厚均勻地形成緻密之導電層。
第1導電層21之厚度為10 nm以上且250 nm以下。第1導電層21之厚度之下限值較佳為20 nm，更佳為50 nm。另一方面，第1導電層21之厚度之上限值較佳為200 nm。若第1導電層21之厚度超過上述上限值，則加熱後之導電性膜容易產生捲曲，或器件之薄型化變困難。若厚度小於上述下限值，則於加濕熱條件下導電性膜之表面電阻值容易高電阻化而無法獲得目標加濕熱可靠性，或者產生導電層之強度之降低導致之圖案配線之剝離。
第1導電層21之與樹脂膜1為相反側之表面21a之表面粗糙度Rz為100 nm以下。第1導電層21之表面21a之表面粗糙度Rz較佳為90 nm以下，更佳為70 nm以下。另一方面，第1導電層21之表面21a之表面粗糙度Rz較佳為1 nm以上，更佳為10 nm以上，進而較佳為30 nm以上。藉由將第1導電層21之表面21a之表面粗糙度Rz設為上述範圍，能夠去除第1導電層21中之陡峭之突起或階差，抑制針孔之產生，其結果，亦能夠抑制經圖案化之導電層之斷線。
(保護層) 例如為了防止第1導電層21受大氣中之氧之影響而自然氧化，可於第1導電層21之最表面21a側形成保護層(未圖示)。保護層只要表現出防止第1導電層21之生銹之效果，則無特別限定，較佳為能夠濺鍍之金屬，可使用選自由Ni、Cu、Ti、Si、Zn、Sn、Cr、Fe、銦、鎵、銻、鋯、鎂、鋁、金、銀、鈀、鎢所組成之群中之任1種以上之金屬或該等之氧化物。Ni、Cu、Ti由於會形成鈍化層，因此不易被腐蝕，Si由於會提高耐腐蝕性，因此不易被腐蝕，Zn、Cr由於會於表面形成緻密之氧化覆膜，因此為不易被腐蝕之金屬，故而較佳。
作為保護層之材料，就保障與第1導電層21之密接性而確實地防止第1導電層21之生銹之觀點而言，可使用包含2種金屬之合金，較佳為包含3種以上之金屬之合金。作為包含合金3種以上之金屬之合金，可例舉Ni-Cu-Ti、Ni-Cu-Fe、Ni-Cu-Cr等，就防銹功能及生產效率之觀點而言，較佳為Ni-Cu-Ti。再者，就保障與第1導電層21之密接性之觀點而言，較佳為包含第1導電層21之形成材料之合金。藉此，能夠確實地防止第1導電層21之氧化。
又，作為保護層之材料，例如亦可包含銦摻雜氧化錫(ITO)、含有銻之氧化錫(ATO)、鋁摻雜氧化鋅(AZO)、鎵摻雜氧化鋅(GZO)、銦摻雜氧化鋅(IZO)。由於不僅抑制導電性膜之初期之表面電阻值之上升，而且能夠控制加濕熱條件下之表面電阻值之上升，能夠使表面電阻值之穩定化最佳，故而較佳。
上述金屬之氧化物較佳為SiOx (x=1.0～2.0)、氧化銅、氧化銀、氧化鈦等氧化物。再者，代替上述之金屬、合金、氧化物等，於第1導電層21上形成如丙烯酸系樹脂或環氧系樹脂之樹脂層，藉此亦能夠帶來防銹效果。
保護層之膜厚較佳為1～50 nm，更佳為2～30 nm，較佳為3～20 nm。藉此，耐久性提高，能夠防止自表面層氧化，因此能夠抑制於加濕熱條件下之表面電阻值上升。
(保護膜) 第1保護膜31之與第1導電層21相接之側之面具有黏著性。具體而言，第1保護膜31與第1導電層21間之密接力較佳為0.005 N/50 mm以上且0.5 N/50 mm以下，更佳為0.007 mm以上且0.45 N/50 mm以下，進而較佳為0.010 mm以上且0.40 N/50 mm以下。其原因在於，若與第1導電層21之密接力小於上述下限值，則第1導電層21與第1保護膜31之密接不充分，於使用時會產生剝離等。其原因在於，若與第1導電層21之密接力超過上述上限值，則於將第1保護膜31剝離時第1導電層21會自樹脂膜1剝離，變得容易於第1導電層21產生針孔。
作為第1保護膜31之材質及結構，並無特別限定，較理想為具有含有聚烯烴系樹脂之基材層及含有熱塑性彈性體之黏著層。作為形成黏著層之材料，亦可使用能夠再剝離之丙烯酸系黏著劑等公知之黏著劑。
形成上述基材層之聚烯烴系樹脂並無特別限制，例如可例示聚丙烯或由丙烯成分及乙烯成分形成之嵌段系、無規系等丙烯系聚合物；低密度、高密度、線性低密度聚乙烯等乙烯系聚合物；乙烯-α烯烴共聚物等烯烴系聚合物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物等乙烯成分與其他單體之烯烴系聚合物等。該等聚烯烴系樹脂可單獨使用1種或使用2種以上。
上述基材層1含有烯烴系樹脂作為主成分，但出於防止劣化等目的，例如亦可適宜調配抗氧化劑、紫外線吸收劑、受阻胺系光穩定劑等光穩定劑、抗靜電劑、以及例如氧化鈣、氧化鎂、二氧化矽、氧化鋅、氧化鈦等填充劑、顏料、防孔口積脂劑、潤滑劑、抗黏連劑等添加劑。
基材層1之厚度並無特別限制，通常為10～300 μm左右，較佳為15～250 μm，進而較佳為20～200 μm。又，基材層1可為單層，亦可包含兩層以上之多層。
再者，對於基材層1之與黏著層附設面相反之面，亦可根據需要實施例如電暈放電處理、火焰處理、電漿處理、濺鍍蝕刻處理、底漆等底塗處理等表面處理。
作為形成黏著層2之熱塑性彈性體，可無特別限制地使用苯乙烯系彈性體、胺基甲酸酯系彈性體、酯系彈性體、烯烴系彈性體等用作黏著劑之基礎聚合物之彈性體。更具體而言，可例舉苯乙烯・丁二烯・苯乙烯(SBS)、苯乙烯・異戊二烯・苯乙烯(SIS)、苯乙烯・乙烯-丁烯共聚物・苯乙烯(SEBS)、苯乙烯・乙烯-丙烯共聚物・苯乙烯(SEPS)等A-B-A型嵌段聚合物；苯乙烯・丁二烯(SB)、苯乙烯・異戊二烯(SI)、苯乙烯・乙烯-丁烯共聚物(SEB)、苯乙烯・乙烯-丙烯共聚物(SEP)等A-B型嵌段聚合物；苯乙烯・丁二烯橡膠(SBR)等苯乙烯系無規共聚物；苯乙烯・乙烯-丁烯共聚物・烯烴結晶(SEBC)等A-B-C型之苯乙烯・烯烴結晶系嵌段聚合物；烯烴結晶・乙烯-丁烯共聚物・烯烴結晶(CEBC)等C-B-C型之烯烴結晶系嵌段聚合物；乙烯-α烯烴、乙烯-丙烯-α烯烴、丙烯-α烯烴等烯烴系彈性體、以及該等之氫化物等。該等熱塑性彈性體可單獨使用1種或使用2種以上。
於黏著層2之形成時，出於黏著特性之控制等目的，可根據需要於上述熱塑性彈性體中適宜調配例如軟化劑、烯烴系樹脂、聚矽氧系聚合物、液態丙烯酸系共聚物、磷酸酯系化合物、黏著賦予劑、防老化劑、受阻胺系光穩定劑、紫外線吸收劑、以及例如氧化鈣、氧化鎂、二氧化矽、氧化鋅、氧化鈦等填充劑或顏料等添加劑。
黏著層2之厚度並無特別限定，根據所要求之密接力等而適宜決定即可，通常為0.1～50 μm左右，較佳為0.2～40 μm，進而較佳為0.3～20 μm。
再者，對於黏著層2之表面，亦可根據需要實施例如電暈放電處理、紫外線照射處理、火焰處理、電漿處理或濺鍍蝕刻處理等以黏著性之控制或貼附操作性等為目的之表面處理。進而，亦可根據需要於供於實用之前之期間於黏著層2暫時黏貼隔離膜等進行保護。
又，可根據需要於基材層之與黏著層之附設面相反之面形成用於賦予離型性之離型層。離型層可藉由將基材層及黏著層一起共擠出而形成，亦可藉由塗佈而形成。
藉由共擠出形成離型層時，較佳為使用包含2種以上之聚烯烴系樹脂之混合物而形成。其原因在於，藉由使用包含2種以上之聚烯烴系樹脂之混合物，控制2種聚烯烴系樹脂之相容性，藉此形成適度之表面粗糙度，賦予適度之離型性。藉由共擠出形成離型層時，其厚度通常為1～50 μm左右，較佳為2～40 μm，進而較佳為3～20 μm。
作為藉由塗佈形成離型層時之離型劑，可無特別限制地使用能夠賦予離型性者。例如，作為離型劑，可例舉包含聚矽氧系聚合物或長鏈烷基系聚合物之離型劑。離型劑可為無溶劑型、溶解於有機溶劑而成之溶劑型、於水中乳化之乳化型中之任意型，溶劑型、乳化型之離型劑能夠穩定地將離型層3附設於基材層1。此外，作為離型劑，可例舉紫外線硬化型之離型劑等。作為離型劑之具體例，可獲取Peeloil(一方社油脂公司製造)、Shin-Etsu Silicone(信越化學工業公司製造)等。
離型層3之厚度並無特別限定，如上所述，於薄膜化形成之情形時污染減少效果較大，因此通常較佳為1～1000 nm左右，進而較佳為5～500 nm，尤佳為10～100 nm。
《第2實施形態》 第1實施形態中，於樹脂膜之一面設置有導電層及保護膜，而於第2實施形態中，於樹脂膜之兩面設置有導電層及保護膜。本實施形態中之設置於樹脂膜之另一面之層結構與第1實施形態相同，因此以下主要對本實施形態特徵性之點進行說明。
圖2係本發明之又一實施形態之附保護膜之導電性膜之模式剖視圖。圖2所示之附保護膜之導電性膜200具備第1保護膜、第1導電層21及樹脂膜1，進而具備配置於樹脂膜1之與第1導電層21相反之側之第2導電層22(以下，於不區分第1導電層與第2導電層之情形時，有時簡稱為「導電層」)、及配置於第2導電層22之與樹脂膜1相反之側之第2保護膜32(以下，於不區分第1保護膜與第2保護膜之情形時，有時簡稱為「保護膜」)。本實施形態中，除設置於樹脂膜1與第1導電層21之間之基底層41，於樹脂膜1與第2導電層22之間亦設置有基底層42(以下，於不區分兩面之基底層之情形時，有時簡稱為「基底層」)。但是，基底層不必設置於樹脂膜1之兩面，可設置於任一面側。
本實施形態中之第2導電層22及基底層42之形成材料或層結構可適當地採用基本上與第1實施形態中之第1導電層21及基底層41相同者。
樹脂膜1之第2導電層22側之表面12a之表面粗糙度Ra較佳為0.5 nm以上且10 nm以下。樹脂膜1之表面12a之表面粗糙度Ra之下限值較佳為1.5 nm，更佳為3 nm。另一方面，樹脂膜1之表面12a之表面粗糙度Ra之上限值較佳為8 nm，更佳為6 nm。由於導電層之表面狀態有原樣沿襲樹脂膜1之表面狀態之傾向，因此藉由將樹脂膜1之表面粗糙度Ra設為上述範圍，能夠效率良好地將第2導電層22之表面22a之表面粗糙度Rz控制為特定範圍。再者，樹脂膜1之兩面之表面粗糙度Ra相互可相同亦可不同。
第2導電層22之厚度為10 nm以上且250 nm以下。第2導電層22之厚度之下限值較佳為20 nm，更佳為50 nm。另一方面，第2導電層22之厚度之上限值較佳為200 nm。若第2導電層22之厚度超過上述上限值，則加熱後之導電性膜容易產生捲曲，或器件之薄型化變困難。若厚度小於上述下限值，則於加濕熱條件下導電性膜之表面電阻值容易高電阻化而無法獲得目標加濕熱可靠性，或者產生導電層之強度之降低所導致之圖案配線之剝離。再者，兩面之導電層之厚度相互可相同亦可不同。
第2導電層22之與樹脂膜1為相反側之表面22a之表面粗糙度Rz為100 nm以下。第2導電層22之表面22a之表面粗糙度Rz較佳為90 nm以下，更佳為70 nm以下。另一方面，第2導電層22之表面22a之表面粗糙度Rz較佳為1 nm以上，更佳為10 nm以上，進而較佳為30 nm以上。藉由將第2導電層22之表面22a之表面粗糙度Rz設為上述範圍，能夠去除第2導電層22中之陡峭之突起或階差，抑制針孔之產生，其結果，亦能夠抑制經圖案化之導電層之斷線。再者，兩面之導電層之表面粗糙度Rz相互可相同亦可不同。
第1導電層21之厚度與第2導電層22之厚度之差之絕對值較佳為5 nm以下，更佳為3 nm以下。藉由使兩面之導電層之厚度彼此接近，於導電層產生之應力被抵消，能夠防止導電性膜之捲曲或導電層之剝離等。
第2保護膜32之與第2導電層22相接之側之面具有黏著性。具體而言，第2保護膜32與第2導電層22間之密接力較佳為0.005 N/50 mm以上且0.5 N/50 mm以下，更佳為0.007 mm以上且0.45 N/50 mm以下，進而較佳為0.010 mm以上且0.40 N/50 mm以下。其原因在於，若與第2導電層22之密接力小於上述下限值，則第2導電層22與第2保護膜32之密接不充分，於使用時會產生剝離等。其原因在於，若與第2導電層22之密接力超過上述上限值，則於將第2保護膜32剝離時第2導電層22會自樹脂膜1剝離，變得容易於第2導電層22產生針孔。
(附保護膜之導電性膜之製造方法) 附保護膜之導電性膜可利用於樹脂膜上依序形成導電層及保護膜並進行貼合之捲對捲法而製造。導電層及保護膜之配設程序存在各種變化。以下，對利用濺鍍成膜形成導電層，使用具有基材層及黏著層之保護膜作為保護膜，而製造兩面構成之附保護膜之導電性膜之態樣進行說明。
保護膜之貼合可採用於不同生產線進行導電層之濺鍍步驟及保護膜之貼合步驟之離線貼合、及於相同生產線內進行導電層之濺鍍步驟及保護膜之貼合之線內貼合。依序列舉離線貼合及線內貼合之流程例。用「/」表示之分隔為不同生產線中之步驟，用「～」表示之分隔為相同生產線內之步驟。
(離線貼合之流程例) (離線1)於樹脂膜之一面將第1導電層濺鍍成膜～捲取/一面將膜自捲筒捲出一面將第1保護膜與第1導電層貼合～捲取/切斷加工成特定寬度 (離線2)於樹脂膜之一面將第1導電層濺鍍成膜～捲取/一面將膜自捲筒捲出一面將第1保護膜與第1導電層貼合～捲取/於樹脂膜之另一面將第2導電層濺鍍成膜～捲取/切斷加工成特定寬度 (離線3)於樹脂膜之一面將第1導電層濺鍍成膜～捲取/一面將膜自捲筒捲出一面將第1保護膜與第1導電層貼合～捲取/於樹脂膜之另一面將第2導電層濺鍍成膜～捲取/一面將膜自捲筒捲出一面將第2保護膜與第2導電層貼合～捲取/切斷加工成特定寬度 (離線4)於樹脂膜之一面將第1導電層濺鍍成膜～捲取/於樹脂膜之另一面將第2導電層濺鍍成膜～捲取/一面將膜自捲筒捲出一面將第1保護膜及第2保護膜與第1導電層及第2導電層分別並行貼合～捲取/切斷加工成特定寬度 (離線5)於樹脂膜之一面將第1導電層濺鍍成膜～捲取/於樹脂膜之另一面將第2導電層濺鍍成膜～捲取/一面將膜自捲筒捲出一面將第1保護膜與第1導電層貼合～捲取/一面將膜自捲筒捲出一面將第2保護膜與第2導電層貼合～捲取/切斷加工成特定寬度
(線內貼合之流程例) (線內1)於樹脂膜之一面將第1導電層濺鍍成膜～於下游捲出第1保護膜並與第1導電層貼合～捲取/切斷加工成特定寬度 (線內2)於樹脂膜之一面將第1導電層濺鍍成膜～於下游捲出第1保護膜並與第1導電層貼合～捲取/於樹脂膜之另一面將第2導電層濺鍍成膜～捲取/切斷加工成特定寬度 (線內3)於樹脂膜之一面將第1導電層濺鍍成膜～捲取/一面將膜自捲筒捲出一面貼合第1保護膜～於下游於樹脂膜之另一面將第2導電層濺鍍成膜～捲取/切斷加工成特定寬度 (線內4)於樹脂膜之一面將第1導電層濺鍍成膜～於下游捲出第1保護膜並與第1導電層貼合～捲取/於樹脂膜之另一面將第2導電層濺鍍成膜～於下游將第2保護膜捲出並與第2導電層貼合～捲取/切斷加工成特定寬度 (線內5)於樹脂膜之一面將第1導電層濺鍍成膜～捲取/一面將膜自捲筒捲出一面將第1保護膜和第1導電層貼合～於下游於樹脂膜之另一面將第2導電層濺鍍成膜～進而於下游將第2保護膜捲出並與第2導電層貼合～捲取/切斷加工成特定寬度
於重視針孔減小之觀點之情形時，貼合保護膜之時間點較理想為於剛形成導電層之後進行(線內貼合)。
《第3實施形態》 本實施形態係關於一種導電性膜之製造方法，其包括自上述附保護膜之導電性膜剝離保護膜之步驟。
藉由使用上述之附保護膜之導電性膜，可抑制保護膜剝離時之導電層自樹脂膜之剝離及向保護膜之轉印，並且可抑制切斷加工成特定寬度時之厚度方向上之應力等，因此能夠抑制針孔產生，進而防止電路圖案之斷線，從而能夠良率良好地製造高品質之導電性膜。
(導電性膜之特性) 導電性膜之初期之表面電阻值R1較佳為0.001 Ω/□～10.0 Ω/□，更佳為0.01 Ω/□～3.5 Ω/□，進而較佳為0.1 Ω/□～1.0 Ω/□。藉此能夠提供生產效率優異之實用之導電性膜。
導電性膜之厚度較佳為2～300 μm之範圍內，更佳為10～250 μm之範圍內，進而較佳為20～200 μm之範圍內。藉此，導電性膜自身亦能夠減薄，能夠抑制用於電磁波屏蔽片或感測器等之情形時之厚度。因此，能夠應對電磁波屏蔽片或感測器等之薄型化。進而，若導電性膜之厚度為上述之範圍內，則能夠確保柔軟性，並且機械強度充分，使膜成為捲狀並連續地形成含Si層或導電層等之操作變得容易，生產效率提高。
就搬送性或處理性之觀點而言，導電性膜亦可捲繞成捲狀。藉由利用捲對捲法於樹脂膜連續地形成基底層、導電層，能夠效率良好地製造導電性膜。
(導電性膜之用途) 導電性膜可應用於各種用途，例如可應用於電磁波屏蔽片或面狀感測器等。電磁波屏蔽片使用了導電性膜，能夠以觸控面板等形態適當地使用。上述電磁波屏蔽片之厚度較佳為20 μm～300 μm。
又，電磁波屏蔽片之形狀並無特別限定，可根據要設置之對象物之形狀等，選擇自積層方向(與片之厚度方向相同之方向)觀察到之形狀為方形形狀、圓形形狀、三角形形狀、多邊形形狀等適宜之形狀。
面狀感測器使用了導電性膜，除了用於移動設備之觸控面板或控制器等使用者界面用途之外，還包括對各種物理量等進行感測之感測器。上述面狀感測器之厚度較佳為20 μm～300 μm。 [實施例]
以下，使用實施例對本發明詳細地進行說明，但本發明只要不超出其主旨，則不限定於以下之實施例。
＜實施例1～6、比較例1：單面附保護膜之單面導電性膜之製作(導電層：170 nm)＞ 首先，將包含寬度1.100 m、長度2500 m、厚度150 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜(TORAY ADVANCED FILM股份有限公司製造，品名「150-TT00A」，以下稱為PET膜)之長條狀樹脂膜捲繞於送出輥，設置於濺鍍裝置內。其後，使濺鍍裝置內成為3.0×10-3 Torr之高真空，於該狀態下，一面將長條狀樹脂膜自送出輥送至捲取輥，一面進行濺鍍成膜。於包含Ar氣體100體積%之3.0×10-3 Torr之氛圍中，使用Cu靶材料，藉由燒結體DC(direct current，直流)磁控濺鍍法，於單面以170 nm之厚度將第1導電層濺鍍成膜，將膜捲取於送出輥，藉此製作於一面形成有導電層之單面導電性膜之捲繞體。
於製作之單面導電性膜之捲繞體之第1導電層面側貼合表1所示之保護膜之黏著層面側(利用貼合機進行壓接：0.25 MPa、壓接速度2.0 m/分鐘)，製作於一面貼合有保護膜之單面附保護膜之單面導電性膜之捲繞體。
＜實施例7：單面附保護膜之單面導電性膜之製作(導電層：100 nm)＞ 將第1導電層之厚度設為100 nm，除此以外，藉由與實施例1同樣之方法製作導電性膜之捲繞體。
＜評價＞ 對製作之導電性膜及附保護膜之導電性膜進行以下之評價。將各自之結果示於表1。
(1)厚度之測定 導電層之厚度係使用穿透式電子顯微鏡(日立製作所製造，製品名「H-7650」)觀察附保護膜之導電性膜之剖面而測定。
(2)導電層之表面粗糙度Rz之測定 對貼合保護膜前之導電性膜，使用AFM(原子力顯微鏡，Bruker製造，「Dimemsion Edge+NanoDrive」)，對兩面之導電層之表面粗糙度Rz進行測定。測定結果係兩面均為相同之值。測定係藉由於自捲狀之膜之任意位置切出之片狀之膜中隨機於5點進行，並採用該等之平均值而進行。
(3)樹脂膜之表面粗糙度Ra之測定 使用AFM(原子力顯微鏡，Bruker製造，「Dimemsion Edge+NanoDrive」)，對形成導電層前之樹脂膜之表面粗糙度Ra進行測定。測定結果係兩面均為相同之值。測定係藉由於自捲狀之膜之任意位置切出之片狀之膜中隨機於5點進行，並採用該等之平均值而進行。再者，樹脂膜之表面粗糙度Rz亦可藉由自導電性膜去除導電層而測定。
(4)針孔及密接力評價 (4-1)針孔數：初期評價 使用倍率20倍之光學顯微鏡數出於貼合保護膜前之導電性膜中於50 mm×200 mm尺寸之視野中存在之最大長度10 μm以上之針孔數。
(4-2)密接力測定 將製作之附保護膜之導電性膜於常溫(25℃)下放置30分鐘以上後，將樣品切割成50 mm×200 mm之尺寸。使用雙面膠帶將切割之樣品之與保護膜相反之面固定於SUS板(SUS430BA)。於該環境下使用萬能拉伸試驗機(NMB Minebea股份有限公司製造，「TCM-1kNB」)，於剝離速度300 mm/分鐘、剝離角度180°之條件下自附保護膜之導電性膜剝離保護膜，測定此時之剝離力(N/50 mm)作為密接力。
(4-3)針孔數：保護膜剝離後評價 使用密接力測定後之樣品(尺寸：50 mm×200 mm)，使用倍率20倍之光學顯微鏡數出最大長度10 μm以上之針孔數。
(4-4)針孔增加數評價 將自保護膜剝離後之針孔數中減去初期針孔數所得之數作為針孔增加數，將增加數為20個以下之情況評價為「○」，將超過20個之情況評價為「×」。
[表1]
   導電層 樹脂膜 保護膜 基材 黏著層 密接力 針孔增加教
厚度(nm) Rz(nm) Ra(nm) 製造商 品名 材料※ 1 厚度※ 2 (μm) 材料※ 3 N/50 mm 個 判定
實施例1 170 30 5 FUTAMURA CHEMICAL FSA010M OPP 30 TPE 0.01 6 〇
實施例2 170 30 5 Toray Toretec 7332 PE 30 TPE 0 1 〇
實施例3 170 30 5 Toray Toretec 7832 PE 30 TPE 0.03 5 〇
實施例4 170 30 5 Toray Toretec #-7121 PE 40 TPE 0.06 9 〇
實施例5 170 30 5 Sun A Kakan SAT PET 57 丙烯酸系 0.01 0 〇
實施例6 170 30 5 FUTAMURA CHEMICAL FSA020M OPP 30 TPE 0.33 12 〇
實施例7 100 30 5 FUTAMURA CHEMICAL FSA010M OPP 30 TPE 0.01 5 〇
比較例1 170 30 5 Toray Toretec R304A PE 40 TPE 4.7 22 ×
※1…「OPP」表示取向聚丙烯，「PE」表示聚乙烯，「PET」表示聚對苯二甲酸乙二酯。
※2…為基材及黏著層之合計厚度。
※3…「TPE」表示熱塑性彈性體，「丙烯酸系」表示丙烯酸系黏著劑。
＜實施例8：單面附保護膜之雙面導電性膜之製作＞ 藉由與實施例1同樣之方法製作單面導電性膜及單面附保護膜之單面導電性膜之捲繞體。於製作之單面附保護膜之單面導電性膜之捲繞體之與保護膜設置面相反之側，於與實施例1相同之條件下將第2導電層以170 nm之厚度濺鍍成膜，藉此製作於兩面形成有導電層且於一面設置有保護膜之單面附保護膜之雙面導電性膜。
(切斷加工) 將單面附保護膜之雙面導電性膜之捲繞體切斷加工成寬度250 mm，製作寬度250 mm之單面附保護膜之雙面導電性膜捲繞體。
＜比較例2：雙面導電性膜之製作(無保護膜)＞ 藉由與實施例1同樣之方法製作單面導電性膜之捲繞體。其次，於單面導電性膜之捲繞體之與第1導電層相反之側，於與實施例1同樣之條件下將第2導電層以170 nm之厚度濺鍍成膜，製作於兩面形成有導電層之雙面導電性膜。
(切斷加工) 將雙面導電性膜之捲繞體切斷加工成寬度250 mm，製作寬度250 mm之雙面導電性膜捲繞體。
＜評價＞ 對實施例8及比較例2中製作之導電性膜及附保護膜之導電性膜，進行上述(1)～(3)、(4-2)之評價及以下之評價。再者，於(2)之導電層之表面粗糙度Rz測定之同時亦測定了表面粗糙度Ra。將各自之結果示於表2。
(5)切斷加工前後之針孔增加數評價 將實施例8之切斷加工後之單面附保護膜之雙面導電性膜之保護膜剝離，使用倍率20倍之光學顯微鏡數出於第1導電層面之50 mm×200 mm尺寸之視野中存在之最大長度10 μm以上之針孔數。又，使用倍率20倍之光學顯微鏡數出於比較例2中製作之切斷加工後之雙面導電性膜之第1導電層面之50 mm×200 mm尺寸之視野中存在之最大長度10 μm以上之針孔數。
[表2]
   導電層 樹脂膜 保護膜貼合之時間點 保護膜 基材 黏著層 密接力 針孔數
厚度(nm) Ra (nm) Rz (nm) Ra (nm) 製造商 品名 材料※ 1 厚度※ 2 (μm) 材料※ 3 N/50 mm 第1導電層成膜後(個) 切斷加工後(個)
實施例8 170 3 30 5 第1導電層成膜後 FUTAMURA CHEMICAL FSA010M OPP 30 TPE 0.01 20 39
比較例2 170 3 30 5 - - - - - - - 20 93
※1…「OPP」表示取向聚丙烯。
※2…為基材及黏著層之合計厚度。
※3…「TPE」表示熱塑性彈性體。
(結果) 根據表1可知，導電層與保護膜之間之密接力越大，越有針孔增加之傾向，密接力為0.5 N/50 mm以下時，能夠抑制針孔之增加。又，根據表2可知，與不具備保護膜之導電膜(比較例2)相比，附保護膜之導電性膜(實施例8)之切斷加工後之針孔數變少。
1:樹脂膜 11a:樹脂膜之第1導電層側之表面 12a:樹脂膜之與第1導電層為相反側(第2導電層側)之表面 21:第1導電層 21a:第1導電層之與樹脂膜為相反側之表面 22:第2導電層 22a:第2導電層之與樹脂膜為相反側之表面 31:第1保護膜 32:第2保護膜 41:基底層 42:基底層 100:附保護膜之導電性膜 200:附保護膜之導電性膜
圖1係本發明之一實施形態之附保護膜之導電性膜之模式剖視圖。 圖2係本發明之又一實施形態之附保護膜之導電性膜之模式剖視圖。
1:樹脂膜
11a:樹脂膜之第1導電層側之表面
12a:樹脂膜之與第1導電層為相反側(第2導電層側)之表面
21:第1導電層
21a:第1導電層之與樹脂膜為相反側之表面
31:第1保護膜
41:基底層
100:附保護膜之導電性膜

Claims (11)

  1. 一種附保護膜之導電性膜，其係依序具備第1保護膜、第1導電層及樹脂膜者，且 上述第1導電層之厚度為10 nm以上且250 nm以下， 上述第1導電層之與上述樹脂膜為相反側之表面之表面粗糙度Rz為100 nm以下， 上述第1保護膜之與上述第1導電層相接之側之面具有黏著性， 上述第1保護膜與上述第1導電層之間之密接力為0.005 N/50 mm以上且0.5 N/50 mm以下。
  2. 如請求項1之附保護膜之導電性膜，其中上述樹脂膜之上述第1導電層側之表面之表面粗糙度Ra為0.5 nm以上且10 nm以下。
  3. 如請求項1之附保護膜之導電性膜，其進而具備配置於上述樹脂膜與上述第1導電層之間之基底層。
  4. 如請求項1至3中任一項之附保護膜之導電性膜，其進而具備配置於上述樹脂膜之與上述第1導電層相反之側之第2導電層，且 上述第2導電層之厚度為10 nm以上且250 nm以下， 上述第2導電層之與上述樹脂膜為相反側之表面之表面粗糙度Rz為100 nm以下。
  5. 如請求項4之附保護膜之導電性膜，其中上述樹脂膜之上述第2導電層側之表面之表面粗糙度Ra為0.5 nm以上且10 nm以下。
  6. 如請求項4之附保護膜之導電性膜，其進而具備配置於上述樹脂膜與上述第2導電層之間之基底層。
  7. 如請求項4之附保護膜之導電性膜，其中上述第1導電層之厚度與上述第2導電層之厚度之差之絕對值為5 nm以下。
  8. 如請求項4之附保護膜之導電性膜，其進而具備配置於上述第2導電層之與上述樹脂膜相反之側之第2保護膜，且 上述第2保護膜之與上述第2導電層相接之側之面具有黏著性， 上述第2導電層與上述第2保護膜之間之密接力為0.005 N/50 mm以上且0.5 N/50 mm以下。
  9. 如請求項1至3中任一項之附保護膜之導電性膜，其中上述第1保護膜具有含有聚烯烴系樹脂之基材層及含有熱塑性彈性體之黏著層。
  10. 如請求項4之附保護膜之導電性膜，其中上述第1保護膜及第2保護膜中之至少一者具有含有聚烯烴系樹脂之基材層及含有熱塑性彈性體之黏著層。
  11. 一種導電性膜之製造方法，其包括自如請求項1至10中任一項之附保護膜之導電性膜剝離保護膜之步驟。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023062788A (ja) * 2021-10-22 2023-05-09 日東電工株式会社 積層体の製造方法および積層体
KR20230127917A (ko) * 2022-02-25 2023-09-01 동우 화인켐 주식회사 디지타이저 및 이를 갖는 화상 표시 장치
KR20240024571A (ko) 2022-08-17 2024-02-26 동우 화인켐 주식회사 투명 전극 필름, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 디바이스
CN115985555A (zh) * 2022-12-30 2023-04-18 江苏纳美达光电科技有限公司 复合导电膜及其制备方法和应用

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100905478B1 (ko) * 2001-10-05 2009-07-02 가부시키가이샤 브리지스톤 투명 전도성 필름 및 터치패널
JP5332759B2 (ja) * 2009-03-12 2013-11-06 大日本印刷株式会社 導電性基板の製造方法及び導電性基板
JP5526691B2 (ja) 2009-10-08 2014-06-18 東レ株式会社 平面アンテナ用金属積層樹脂フィルム
JP5590922B2 (ja) * 2010-03-04 2014-09-17 株式会社カネカ 透明電極付き基板及びその製造方法
JP5691331B2 (ja) * 2010-09-15 2015-04-01 凸版印刷株式会社 透明導電性積層体の製造方法
JP6322188B2 (ja) * 2013-03-26 2018-05-09 株式会社カネカ 導電性フィルム基板、透明導電性フィルムおよびその製造方法、ならびにタッチパネル
JP2016020459A (ja) * 2014-07-15 2016-02-04 富士フイルム株式会社 粘着層付導電フィルムの製造方法、および導電フィルム
KR102344716B1 (ko) * 2014-07-31 2021-12-30 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 터치 패널용 도전성 기판 및 터치 패널용 도전성 기판 제조방법
JP6577708B2 (ja) * 2014-12-05 2019-09-18 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびそれを用いたタッチセンサ
TWI676185B (zh) * 2014-12-09 2019-11-01 日商琳得科股份有限公司 透明導電膜及透明導電膜之製造方法
JP6453443B2 (ja) * 2015-03-26 2019-01-16 富士フイルム株式会社 導電フィルム積層体
JP6688033B2 (ja) * 2015-05-27 2020-04-28 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
JP2017045634A (ja) * 2015-08-27 2017-03-02 日本電気硝子株式会社 透明導電膜付き基板の製造方法及び透明導電膜付き基板
JP6600550B2 (ja) * 2015-12-16 2019-10-30 日東電工株式会社 金属層積層透明導電性フィルムおよびそれを用いたタッチセンサ
CN108075040A (zh) * 2016-11-07 2018-05-25 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 柔性oled基材及其制备方法
CN115050507A (zh) * 2022-08-15 2022-09-13 江苏康辉新材料科技有限公司 一种双面导电膜及其制备方法

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