CN111326278A - 带有保护薄膜的导电性薄膜及导电性薄膜的制造方法 - Google Patents
带有保护薄膜的导电性薄膜及导电性薄膜的制造方法 Download PDFInfo
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 150
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 357
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 130
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 130
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 330
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 16
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 9
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 29
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 47
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 23
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 19
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 9
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 4
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 2
- GJKGAPPUXSSCFI-UHFFFAOYSA-N 2-Hydroxy-4'-(2-hydroxyethoxy)-2-methylpropiophenone Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=C(OCCO)C=C1 GJKGAPPUXSSCFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-[4-[[4-(2-hydroxy-2-methylpropanoyl)phenyl]methyl]phenyl]-2-methylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(C(=O)C(C)(O)C)=CC=C1CC1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 PCKZAVNWRLEHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROGIWVXWXZRRMZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;styrene Chemical compound CC(=C)C=C.C=CC1=CC=CC=C1 ROGIWVXWXZRRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;styrene Chemical compound CC(=C)C=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 2
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether Substances COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229920002397 thermoplastic olefin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VGHSXKTVMPXHNG-UHFFFAOYSA-N 1,3-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=CC(N=C=O)=C1 VGHSXKTVMPXHNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=C(CN=C=O)C=C1 OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=C(N=C=O)C=C1 ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWWWRCRHNMOYQY-UHFFFAOYSA-N 1,5-diisocyanato-2,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(N=C=O)C=C1N=C=O FWWWRCRHNMOYQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZXPHDGHQXLXJC-UHFFFAOYSA-N 1,6-diisocyanato-5,6-dimethylheptane Chemical compound O=C=NC(C)(C)C(C)CCCCN=C=O VZXPHDGHQXLXJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNBMZFHIYRDKNS-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-1-phenylethanone Chemical compound COC(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 LNBMZFHIYRDKNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZZAHLOABNWIFA-UHFFFAOYSA-N 2-butoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCCCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 DZZAHLOABNWIFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPXVRLXJHPTCPW-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-(4-propan-2-ylphenyl)propan-1-one Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 QPXVRLXJHPTCPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPDMTWDLSTUPCV-UHFFFAOYSA-N 4-[2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)propyl]morpholine Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(C(C)C)N1CCOCC1 OPDMTWDLSTUPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020187 CeF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 235000005206 Hibiscus Nutrition 0.000 description 1
- 235000007185 Hibiscus lunariifolius Nutrition 0.000 description 1
- 244000284380 Hibiscus rosa sinensis Species 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229910002319 LaF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004902 Softening Agent Substances 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1 YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N benzil Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- HIFVAOIJYDXIJG-UHFFFAOYSA-N benzylbenzene;isocyanic acid Chemical class N=C=O.N=C=O.C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 HIFVAOIJYDXIJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001610 cryolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N desyl alcohol Natural products C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920005680 ethylene-methyl methacrylate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000092 linear low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004707 linear low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 229960005419 nitrogen Drugs 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006124 polyolefin elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- UFUASNAHBMBJIX-UHFFFAOYSA-N propan-1-one Chemical compound CC[C]=O UFUASNAHBMBJIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011115 styrene butadiene Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- YODZTKMDCQEPHD-UHFFFAOYSA-N thiodiglycol Chemical compound OCCSCCO YODZTKMDCQEPHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K trifluorolanthanum Chemical compound F[La](F)F BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
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- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
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Abstract
本发明涉及带有保护薄膜的导电性薄膜及导电性薄膜的制造方法。提供即使设置有较薄的导电层也可抑制导电层的图案化时发生断线的导电性薄膜。一种带有保护薄膜的导电性薄膜,其依次具备:第1保护薄膜、第1导电层和树脂薄膜,前述第1导电层的厚度为10nm以上且250nm以下,前述第1导电层的与前述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下,前述第1保护薄膜的与前述第1导电层接触的一侧的面具有粘合性,前述第1保护薄膜与前述第1导电层间的密合力为0.005N/50mm以上且0.5N/50mm以下。
Description
技术领域
本发明涉及带有保护薄膜的导电性薄膜及使用其的导电性薄膜的制造方法。
背景技术
以往,在树脂薄膜的表面形成有导电层的导电性薄膜被用于柔性电路基板、电磁波屏蔽薄膜、平板显示器、接触式传感器、非接触式IC卡、太阳能电池等(例如,专利文献1)。导电性薄膜的主要功能是导电,为了得到符合用途目的的导电性来适宜选择设置于高分子薄膜的表面的导电层的组成、厚度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-82848号公报
发明内容
发明要解决的问题
由于近年的器件要素的薄型化、小型化的要求的提高,导电层的厚度也从几百nm薄型化至数十nm。另外,为了实现器件的高功能化、用途扩大,有时也通过蚀刻等将导电层图案化而使用。然而,在薄的导电层的图案化时,有时电路图案会发生断线,这成为使生产率、可靠性降低的原因之一。
本发明的目的在于,提供即使设置有较薄的导电层、也可抑制导电层的图案化时发生断线的导电性薄膜。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决前述课题进行了深入研究,结果得到如下见解:在导电层的断线发生的部位产生了针孔,该针孔可能是成为断线的原因。进而进行了研究,结果发现通过采用下述构成,可达成上述目的,从而完成了本发明。
本发明的一实施方式中为一种带有保护薄膜的导电性薄膜,其依次具备:第1保护薄膜、第1导电层和树脂薄膜,前述第1导电层的厚度为10nm以上且250nm以下,前述第1导电层的与前述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下,前述保护薄膜的与前述第1导电层接触的一侧的面具有粘合性,前述保护薄膜与前述第1导电层间的密合力为0.005~0.5N/50mm。
该带有保护薄膜的导电性薄膜通过将第1导电层的表面粗糙度Rz设为规定范围、将保护薄膜对第1导电层的粘合力设为规定范围,从而在10nm以上且250nm以下这样的较薄的导电层的图案化时也能够控制断线的发生。本发明人等对针孔的产生原因进行了研究,结果明确了:从导电层的成膜时到成膜后,在将导电性薄膜卷绕成卷状前后,针孔的产生数增加;以及,为了保护导电层而对导电层的表面赋予保护薄膜的情况下,若使用保护薄膜与导电层的密合力超过某一值者,则将保护薄膜剥离后针孔的数量反倒增加。由此,本发明人等推测:在导电性薄膜的卷绕时,导电层的陡峭的突起因卷的卷紧压力和/或卷紧时的摩擦而崩塌,突起部分发生塌陷,从而产生针孔;以及,在将赋予到导电层表面的保护薄膜剥离时,导电层在从树脂薄膜剥离的同时,转印到保护薄膜的粘合层上,由此产生针孔。
根据以上的见解发现,通过如下方式来抑制针孔的产生,其结果,具有抑制经图案化的导电层的断线的效果,从而完成了本发明,即,通过减小导电层表面的表面粗糙度Rz、去除导电层中的陡峭的突起和/或高度差;抑制导电性薄膜的卷绕时导电层的陡峭的突起因卷的卷紧压力和/或卷紧时的摩擦而崩塌;以及在导电层的表面设置粘合力为0.005N/50mm~0.5N/50mm的保护薄膜,从而抑制针孔的产生。
进而,即使减小导电层表面的表面粗糙度Rz,在不设置保护薄膜的情况下,在将导电性薄膜切断加工成规定宽度时也会产生针孔。认为这是因为:虽然在保护薄膜设置前在导电层的一个面存在树脂薄膜,但另一面没有任何要素,因此在导电层的厚度方向负载切断加工时的应力和/或振动,由此导电层会局部从树脂薄膜剥离。对于该带有保护薄膜的导电性薄膜,形成在导电层的另一面配置保护薄膜、可以说是由树脂薄膜和保护薄膜夹持导电层的两面的状态,因此能够抑制切断加工时负载于导电层的厚度方向上的应力等,能够抑制和/或减少切断加工时的针孔产生。
前述树脂薄膜的前述第1导电层侧的表面的表面粗糙度Ra优选为0.5nm以上且10nm以下。由于导电层的表面状态有原样沿袭树脂薄膜的表面状态的倾向,因此通过将树脂薄膜的表面粗糙度Ra设为上述范围,从而能够效率良好地将导电层表面的表面粗糙度Rz控制为规定范围。
该导电性薄膜还可以具备配置于前述树脂薄膜与前述第1导电层之间的基底层。通过设置满足第1导电层的对树脂薄膜的密合性、对导电性薄膜的强度赋予、电特性的控制等目的的基底层,从而能够实现导电性薄膜的高功能化。
又一实施方式中,该导电性薄膜还可以具备配置于前述树脂薄膜的与前述第1导电层相反的一侧的第2导电层。该情况下,前述第2导电层的厚度为10nm以上且250nm以下,前述第2导电层的与前述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz优选为100nm以下。
通过在树脂薄膜的两面设置导电层,从而能够实现导电性薄膜的高功能化、用途扩大。另外,通过将不仅第1导电层、而且第2导电层的表面的表面粗糙度Rz也设为上述范围内,能够将两面的导电层的陡峭的突起和/或高度差去除从而抑制针孔的产生,其结果,能够在两面抑制经图案化的导电层的断线。
前述树脂薄膜的前述第2导电层侧的表面的表面粗糙度Ra优选为0.5nm以上且10nm以下。与第1导电层的情况同样地,通过将树脂薄膜的表面粗糙度Ra设为上述范围,从而能够效率良好地将第2导电层表面的表面粗糙度Rz控制为规定范围。
该导电性薄膜还可以具备配置于前述树脂薄膜与前述第2导电层之间的基底层。通过设置满足第2导电层的对树脂薄膜的密合性、对导电性薄膜的强度赋予、电特性的控制等目的的基底层,从而能够实现导电性薄膜的高功能化。
前述第1导电层的厚度与前述第2导电层的厚度之差的绝对值优选为5nm以下。通过使两面的导电层的厚度彼此接近,从而在导电层产生的应力被抵消,能够防止导电性薄膜的卷曲、导电层的剥离等。
该带有保护薄膜的导电性薄膜还可以具备配置于前述第2导电层的与前述树脂薄膜相反的一侧的第2保护薄膜。前述第2保护薄膜的与前述第2导电层接触的一侧的面具有粘合性,前述第2导电层与前述第2保护薄膜间的密合力优选为0.005N/50mm以上且0.5N/50mm以下。
通过具备第2保护薄膜,从而可抑制导电性薄膜的向规定宽度的切断加工时的针孔产生。另外,通过将第2保护薄膜与第2导电层间的密合力设为规定范围,从而可抑制第2保护薄膜的剥离时的第2导电层自树脂薄膜的剥离及第2导电层向第2保护薄膜的转印,能够抑制针孔产生。
优选前述第1保护薄膜及第2保护薄膜中的至少一者具有;含有聚烯烃系树脂的基材层和含有热塑性弹性体的粘合层。利用这样的构成,能够适当地制作具有规定密合力的保护薄膜。
本发明的另一实施方式涉及一种导电性薄膜的制造方法,其包括从该带有保护薄膜的导电性薄膜将保护薄膜剥离的工序。
通过使用该带有保护薄膜的导电性薄膜,从而可抑制保护薄膜剥离时的导电层自树脂薄膜的剥离及导电层向保护薄膜的转印,并且可抑制向规定宽度的切断加工时的厚度方向上的应力等,因此作为整体抑制针孔产生,进而防止电路图案的断线从而能够成品率良好地制造高品质的导电性薄膜。
附图说明
图1为本发明的一实施方式的带有保护薄膜的导电性薄膜的示意性截面图。
图2为本发明的又一实施方式的带有保护薄膜的导电性薄膜的示意性截面图。
附图标记说明
1 树脂薄膜
11a 树脂薄膜的第1导电层侧的表面
12a 树脂薄膜的与第1导电层处于相反侧(第2导电层侧)的表面
21 第1导电层
21a 第1导电层的与树脂薄膜处于相反侧的表面
22 第2导电层
22a 第2导电层的与树脂薄膜处于相反侧的表面
31 第1保护薄膜
32 第2保护薄膜
41、42 基底层
100、200 带有保护薄膜的导电性薄膜
具体实施方式
以下参照附图对本发明的带有保护薄膜的导电性薄膜的实施方式进行说明。但是,在图的一部分或全部中,省略说明不需要的部分,而且存在为了容易说明进行放大或缩小等来图示的部分。表示上下等位置关系的用语仅仅是为了容易进行说明而使用的,完全没有意图限定本发明的构成。
《第1实施方式》
<带有保护薄膜的导电性薄膜>
图1为本发明的一实施方式的带有保护薄膜的导电性薄膜的示意性截面图。图1所示的带有保护薄膜的导电性薄膜100依次具备第1保护薄膜31、第1导电层21和树脂薄膜1。本实施方式中,在树脂薄膜1与第1导电层21之间设置有基底层41。需要说明的是,第1导电层21及基底层41各自图示了由1层形成的构成,但各自可以为2层以上的多层构成。
(树脂薄膜)
作为树脂薄膜1,只要能够确保绝缘性,就没有特别限制,可以使用各种塑料薄膜。作为树脂薄膜的材料,可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯系树脂、聚酰亚胺(PI)等聚酰亚胺系树脂、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等聚烯烃系树脂、乙酸酯系树脂、聚醚砜系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚酰胺系树脂、环烯烃系树脂、(甲基)丙烯酸类树脂、聚氯乙烯系树脂、聚偏氯乙烯系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚乙烯醇系树脂、聚芳酯系树脂、聚苯硫醚系树脂等。这些当中,从耐热性、耐久性、柔软性、生产效率、成本等观点出发,优选聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯系树脂、聚酰亚胺(PI)等聚酰亚胺系树脂。特别是从性价比的观点出发,优选聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
对于树脂薄膜,可以对表面预先实施溅射、电晕放电、火焰、紫外线照射、电子射线照射、化学转化、氧化等蚀刻处理、底涂处理来保障与形成于树脂薄膜上的导电层的密合性。另外,在形成导电层前,可以根据需要通过溶剂清洗、超声波清洗等对树脂薄膜表面进行除尘、净化。
树脂薄膜1的第1导电层21侧的表面11a的表面粗糙度Ra优选为0.5nm以上且10nm以下。树脂薄膜1的表面11a的表面粗糙度Ra的下限值优选1.5nm、更优选3nm。另一方面,树脂薄膜1的表面11a的表面粗糙度Ra的上限值优选8nm、更优选6nm。由于导电层的表面状态有原样沿袭树脂薄膜1的表面状态的倾向,因此,通过将树脂薄膜1的表面粗糙度Ra设为上述范围,从而能够效率良好地将第1导电层21的表面21a的表面粗糙度Rz控制为规定范围。
树脂薄膜的厚度优选为2~300μm的范围内、更优选为10~250μm的范围内、进一步优选为20~200μm的范围内。通常,树脂薄膜的厚度厚时不易受到加热时的热收缩等的影响,因此是理想的。但是,由于电子部件等的紧凑化,期望树脂薄膜的厚度也进行某种程度的减薄。另一方面,若树脂薄膜的厚度过薄,则树脂薄膜的透湿性、透过性上升,从而将会使水分、气体等透过,导电层容易被氧化。因此,本实施方式中,通过使树脂薄膜的厚度具有某种程度的厚度并且减薄,导电性薄膜自身也能够减薄,能抑制用于电磁波屏蔽片、传感器等时的厚度。因此,能够应对电磁波屏蔽片、传感器等的薄型化。进而,若树脂薄膜的厚度为前述的范围内,则能够确保树脂薄膜的柔软性,并且机械强度充分,能实现使薄膜成为卷状并连续地形成基底层、导电层的操作。
(基底层)
本实施方式的导电性薄膜还具备配置于树脂薄膜1与第1导电层21之间的基底层41。通过设置满足第1导电层的对树脂薄膜的密合性、对导电性薄膜的强度赋予、电特性的控制等目的的基底层,从而能够实现导电性薄膜的高功能化。作为基底层,没有特别限定,可列举出易粘接层、硬涂层(包括作为抗粘连层等而起作用的层。)、电介质层等。
(易粘接层)
易粘接层为粘接性树脂组合物的固化膜。易密合层对导电层具有良好的密合性。
作为粘接性树脂组合物,可以没有特别限制地使用作为易密合层形成后的固化膜具有充分的粘接性和强度的物质。作为使用的树脂,可列举出热固化型树脂、热塑型树脂、紫外线固化型树脂、电子射线固化型树脂、双组分混合型树脂、及它们的混合物等,这些当中,能够通过基于紫外线照射的固化处理、通过简单的加工操作效率良好地形成易密合层的紫外线固化型树脂是适当的。通过包含紫外线固化型树脂,容易得到具有紫外线固化性的粘接性树脂组合物。
作为粘接性树脂组合物,优选在固化时形成交联结构的材料。是因为推测:若易密合层中的交联结构被促进,则至此松散的膜内部结构变得坚固,膜强度提高。这样的膜强度的提高有助于密合性的提高。
粘接性树脂组合物优选包含(甲基)丙烯酸酯单体及(甲基)丙烯酸酯低聚物中的至少1种。由此,起因于丙烯酰基中包含的C=C双键的交联结构的形成变得容易,能够有效地实现膜强度的提高。需要说明的是,本说明书中,(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
本实施方式中使用的作为主成分的具有(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酸酯单体和/或丙烯酸酯低聚物具有形成涂膜的作用,具体而言,可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷改性三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、三(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、己内酯改性三(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及它们的2种以上的混合物。
前述的(甲基)丙烯酸酯中,从耐磨耗性、固化性的方面出发,尤其优选季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、或它们的混合物。
另外,也可以使用氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。对于氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物,可列举出:使多元醇与多异氰酸酯反应后,与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯反应的方法;使多异氰酸酯与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯反应后,与多元醇反应的方法;使多异氰酸酯、多元醇、具有羟基的(甲基)丙烯酸酯反应的方法等,没有特别限定。
作为多元醇,例如可列举出聚乙二醇、聚丙二醇、聚四亚甲基醚二醇及它们的共聚物、乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、2,2’-硫代二乙醇等。
作为多异氰酸酯,例如可列举出异佛尔酮二异氰酸酯、2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、间苯二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、氢化二苯基甲烷二异氰酸酯、1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1,4-苯二亚甲基二异氰酸酯等。
若交联密度过高,则作为底漆的性能降低、导电层密合性容易降低,因此可以使用具有羟基的低官能(甲基)丙烯酸酯(以下,称为含羟基(甲基)丙烯酸酯)。作为含羟基(甲基)丙烯酸酯,例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、1,4-环己烷二甲醇单(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、2-羟基-3-苯氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羟基-3-丙烯酰氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等。上述的(甲基)丙烯酸酯单体成分和/或(甲基)丙烯酸酯低聚物成分可以单独使用,也可以使用2种以上。
本实施方式的具有紫外线固化性的粘接性树脂组合物通过配混含(甲基)丙烯酰基的硅烷偶联剂来提高抗粘连性。作为含(甲基)丙烯酰基的硅烷偶联剂,可列举出3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷等,作为市售品,可列举出KR-513、KBM-5103(信越化学株式会社制、商品名)。
硅烷偶联剂的配混量相对于前述(甲基)丙烯酸酯单体和/或(甲基)丙烯酸酯低聚物100重量份设为0.1重量份~50重量份、更优选设为1~20重量份。若为该范围,则与导电层的密合性提高,能够维持涂膜物性。
本实施方式的易密合层可以包含纳米二氧化硅微粒。作为纳米二氧化硅微粒,可以使用由烷基硅烷合成的有机硅溶胶或利用等离子弧合成的纳米二氧化硅。作为市售品,为前者时,可列举出PL-7-PGME(扶桑化学株式会社制、商品名),为后者时,可列举出SIRMIBK15WT%-M36(CIK NanoTek制、商品名)等。纳米二氧化硅微粒的配混比例相对于前述具有(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酸酯单体和/或丙烯酸酯低聚物与硅烷偶联剂的总重量100重量份优选5~30重量份、更优选5~10重量份。通过设为下限以上,从而形成表面凹凸,能够赋予抗粘连性,能实现利用卷对卷(roll to roll)的生产。通过设为上限以下,能够防止与导电层的密合性的降低。
纳米二氧化硅微粒的平均粒径优选100~500nm。平均粒径不足100nm时,在表面形成凹凸所需的添加量变多,因此,得不到与导电层的密合性,与此相对,若超过500nm,则表面凹凸变大,会产生针孔的问题。
为了赋予紫外线固化性,粘接性树脂组合物优选包含光聚合引发剂。作为光聚合引发剂,可列举出苯偶姻正丁基醚、苯偶姻异丁基醚等苯偶姻醚类、苯偶酰二甲基缩酮、苯偶酰二乙基缩酮等苯偶酰缩酮类、2,2-二甲氧基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮等苯乙酮类、1-羟基环己基苯基酮、[2-羟基-2-甲基-1-(4-亚乙基苯基)丙烷-1-酮]、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羟基-2-甲基-1-(4-异丙基苯基)丙烷-1-酮等α-羟基烷基苯酮类、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-1-吗啉基丙烷、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)-1-丁酮等α-氨基烷基苯酮类、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基乙氧基氧化膦等单酰基氧化膦类、双(2,6-二甲氧基苯甲酰基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦等单酰基氧化膦类等。
从树脂的固化性、光稳定性、与树脂的相容性、低挥发、低臭味的方面出发,优选烷基苯酮系光聚合引发剂,更优选1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、(2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)-苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮。作为市售品,可列举出Irgacure127、184、369、651、500、891、907、2959、Darocure1173、TPO(BASF JAPAN LTD.制、商品名)等。光聚合引发剂相对于具有(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酸酯单体和/或丙烯酸酯低聚物100重量份配混固体成分3~10重量份。
在易密合层的形成时,将以分子内具有(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酸酯和/或(甲基)丙烯酸酯低聚物为主成分的粘接性树脂组合物在甲苯、乙酸丁酯、异丁醇、乙酸乙酯、环己烷、环己酮、甲基环己酮、己烷、丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、丙二醇单甲醚、乙醚、乙二醇等溶剂中稀释,制备成固体成分为30~50%的清漆。
易密合层通过在环烯烃系树脂薄膜1上涂布上述清漆来形成。清漆的涂布方法可以根据清漆及涂装工序的状况来适时选择,例如可以通过浸涂法、气刀涂布法、帘式涂布法、辊涂法、线棒涂布法、凹版涂布法、模涂法、挤出涂布法等进行涂布。
将清漆涂布后,使涂膜固化,由此能够形成易密合层。作为具有紫外线固化性的粘接性树脂组合物的固化处理,在清漆包含溶剂的情况下,可列举出如下步骤:基于干燥(例如在80℃下1分钟)的溶剂去除后,使用紫外线照射机,以500mW/cm2~3000mW/cm2的照射强度进行工作量为50~400mJ/cm2的紫外线处理使其固化。作为紫外线产生源,通常使用紫外线灯,具体而言,可列举出低压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯、氙气灯、金属卤化物灯等,进行照射时,可以在空气中,也可以在氮气、氩气等非活性气体中。
优选在紫外线固化处理时进行加热。通过紫外线照射,粘接性树脂组合物的固化反应进行,同时形成交联结构。此时通过进行加热,从而以低紫外线量也能够充分促进交联结构的形成。加热温度可以根据交联度来设定,优选为50℃~80℃。对加热单元没有特别限定,可以适宜采用温风干燥机、辐射热干燥机、薄膜输送辊的加热等。
作为易密合层的厚度,没有特别限定,但优选为0.2μm~2μm、更优选为0.5μm~1.5μm、进一步优选为0.8μm~1.2μm。通过将易密合层的厚度设为上述范围,从而能够提高导电层的密合性与薄膜的柔软性。
(硬涂层)
作为基底层,可以设置硬涂层。进而,为了防止导电性薄膜彼此的粘连从而能实现基于卷对卷法的制造,可以在硬涂层中配混颗粒。
硬涂层的形成中可以适当地使用与易密合层同样的粘接性组合物。为了赋予抗粘连性,优选在前述粘接性组合物中配混颗粒。由此能够在硬涂层的表面形成凹凸,能够适当地对导电性薄膜100赋予抗粘连性。
作为上述颗粒,可以没有特别限制地使用各种金属氧化物、玻璃、塑料等具有透明性的颗粒。例如可列举出二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化钙等无机系颗粒、由聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氨酯、丙烯酸类树脂、丙烯酸类-苯乙烯共聚物、苯并胍胺、三聚氰胺、聚碳酸酯等各种聚合物形成的交联或未交联的有机系颗粒、有机硅系颗粒等。前述颗粒可以适宜选择1种或2种以上来使用。
对于上述颗粒的平均粒径、配混量,可以考虑表面凹凸的程度并适宜设定。作为平均粒径,优选0.5μm~2.0μm,作为配混量,相对于组合物的树脂固体成分100重量份,优选0.2~5.0重量份。
(电介质层)
作为基底层,可以具备1层以上的电介质层。电介质层由无机物、有机物、或无机物与有机物的混合物形成。作为形成电介质层的材料,可列举出NaF、Na3AlF6、LiF、MgF2、CaF2、SiO2、LaF3、CeF3、Al2O3、TiO2、Ta2O5、ZrO2、ZnO、ZnS、SiOx(x为1.5以上且不足2)等无机物、丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅氧烷系聚合物等有机物。特别是作为有机物,优选使用包含三聚氰胺树脂、醇酸树脂和有机硅烷缩合物的混合物的热固化型树脂。电介质层可以使用上述的材料,通过凹版涂布法、棒涂法等涂布法、真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等来形成。
电介质层的厚度优选为10nm~250nm、更优选为20nm~200nm、进一步优选为20nm~170nm。若电介质层的厚度过小,则不易形成连续覆膜。另外,若电介质层的厚度过大,则有容易在电介质层产生裂纹的倾向。
电介质层可以具有平均粒径为1nm~500nm的纳米微粒。电介质层中的纳米微粒的含量优选为0.1重量%~90重量%。电介质层中所用的纳米微粒的平均粒径如上述那样优选为1nm~500nm的范围、更优选为5nm~300nm。另外,电介质层中的纳米微粒的含量更优选为10重量%~80重量%、进一步优选为20重量%~70重量%。
作为形成纳米微粒的无机氧化物,例如可列举出氧化硅(二氧化硅)、中空纳米二氧化硅、氧化钛、氧化铝、氧化锌、氧化锡、氧化锆、氧化铌等微粒。这些当中,优选氧化硅(二氧化硅)、氧化钛、氧化铝、氧化锌、氧化锡、氧化锆、氧化铌的微粒。这些可以单独使用1种,也可以组合使用2种以上。
(第1导电层)
对于设置于树脂薄膜1的一个表面11a侧的第1导电层21,为了充分得到电磁波屏蔽效果、传感器功能等,电阻率优选为100μΩcm以下。作为导电层的构成材料,只要满足这样的电阻率并具有导电性,就没有特别限定,例如,可以适当地使用Cu、Al、Fe、Cr、Ti、Si、Nb、In、Zn、Sn、Au、Ag、Co、Cr、Ni、Pb、Pd、Pt、W、Zr、Ta、Hf、Mo、Mn、Mg、V等金属。另外,也可以使用含有这些金属中的2种以上的物质、以这些金属为主成分的合金、氧化物等。这些导电性化合物中,从有助于电磁波屏蔽特性和/或传感器功能的导电率高、价格较低的观点出发,优选包含Cu、Al。特别是从性价比和生产效率的观点出发,优选包含Cu,可以以杂质程度来包含除Cu以外的元素。由此,电阻率足够小、导电率高,因此能够提高电磁波屏蔽特性、传感器功能。
第1导电层21的形成方法没有特别限定,可以采用以往公知的方法。具体而言,例如从膜厚的均匀性、成膜效率的观点出发,优选通过溅射法、化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)等真空成膜法、离子镀法、镀覆法(电镀、化学镀)、热烫印法、涂布法等进行成膜。另外,可以组合多种所述制膜方法,也可以根据所需膜厚来采用适宜的方法。其中,优选溅射法、真空成膜法,特别优选溅射法。由此,能够通过卷对卷制法连续生产、提高生产效率,并且能够控制成膜时的膜厚,因此能够抑制导电性薄膜的表面电阻值的上升。另外,能够薄且膜厚均匀地形成致密的导电层。
第1导电层21的厚度为10nm以上且250nm以下。第1导电层21的厚度的下限值优选20nm、更优选50nm。另一方面,第1导电层21的厚度的上限值优选200nm。若第1导电层21的厚度超过上述上限值,则加热后的导电性薄膜容易发生卷曲,或器件的薄型化变困难。若厚度小于上述下限值,则在加湿热条件下导电性薄膜的表面电阻值容易高电阻化、得不到目标加湿热可靠性,或者发生导电层的强度的降低所导致的图案布线的剥离。
第1导电层21的与树脂薄膜1处于相反侧的表面21a的表面粗糙度Rz为100nm以下。第1导电层21的表面21a的表面粗糙度Rz优选90nm以下、更优选70nm以下。另一方面,第1导电层21的表面21a的表面粗糙度Rz优选1nm以上、更优选10nm以上、进一步优选30nm以上。通过将第1导电层21的表面21a的表面粗糙度Rz设为上述范围,从而能够去除第1导电层21中的陡峭的突起和/或高度差,抑制针孔的产生,其结果,也能够抑制经图案化的导电层的断线。
(保护层)
对于保护层,例如为了防止第1导电层21受大气中的氧的影响而自然氧化,可以在第1导电层21的最表面21a侧形成(未图示)。对于保护层,只要表现出防止第1导电层21的生锈的效果,就没有特别限定,优选能够溅射的金属,可以使用选自由Ni、Cu、Ti、Si、Zn、Sn、Cr、Fe、铟、镓、锑、锆、镁、铝、金、银、钯、钨组成的组中的任1种以上的金属或它们的氧化物。Ni、Cu、Ti由于会形成钝化层,因此不易被腐蚀,Si由于会提高耐腐蚀性,因此不易被腐蚀,Zn、Cr由于会在表面形成致密的氧化覆膜,因此为不易被腐蚀的金属,故优选。
作为保护层的材料,从保障与第1导电层21的密合性从而可靠地防止第1导电层21的生锈的观点出发,可以使用包含2种金属的合金,优选包含3种以上金属的合金。作为包含3种以上金属的合金,可列举出Ni-Cu-Ti、Ni-Cu-Fe,Ni-Cu-Cr等,从防锈功能和生产效率的观点出发,优选Ni-Cu-Ti。需要说明的是,从保障与第1导电层21的密合性的观点出发,优选为包含第1导电层21的形成材料的合金。由此,能够可靠地防止第1导电层21的氧化。
另外,作为保护层的材料,例如,可以包含铟掺杂氧化锡(ITO)、含有锑的氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、铟掺杂氧化锌(IZO)。由于不仅抑制导电性薄膜的初期的表面电阻值的上升,而且能够控制加湿热条件下的表面电阻值的上升,能够优化表面电阻值的稳定化,因此优选。
前述金属的氧化物优选SiOx(x=1.0~2.0)、氧化铜、氧化银、氧化钛等氧化物。需要说明的是,也可以代替前述的金属、合金、氧化物等,在第1导电层21上形成丙烯酸类树脂、环氧系树脂那样的树脂层,由此带来防锈效果。
保护层的膜厚优选1~50nm、更优选2~30nm、优选3~20nm。由此,耐久性提高,能够防止从表面层氧化,因此能够抑制在加湿热条件下的表面电阻值上升。
(保护薄膜)
第1保护薄膜31的与第1导电层21接触的一侧的面具有粘合性。具体而言,第1保护薄膜31与第1导电层21间的密合力优选为0.005N/50mm以上且0.5N/50mm以下、更优选为0.007mm以上且0.45N/50mm以下、进一步优选为0.010mm以上且0.40N/50mm以下。是因为若与第1导电层21的密合力小于上述下限值,则第1导电层21与第1保护薄膜31的密合不充分,在使用时会发生剥离等。是因为若与第1导电层21的密合力超过上述上限值,则在将第1保护薄膜31剥离时第1导电层21会从树脂薄膜1剥离,变得容易在第1导电层21产生针孔。
作为第1保护薄膜31的材质及结构,没有特别限定,理想的是具有含有聚烯烃系树脂的基材层和含有热塑性弹性体的粘合层。作为形成粘合层的材料,也可以使用可再剥离的丙烯酸类粘合剂等公知的粘合剂。
对形成前述基材层的聚烯烃系树脂没有特别限制,例如可以例示出聚丙烯或由丙烯成分和乙烯成分形成的嵌段系、无规系等的丙烯系聚合物;低密度、高密度、线性低密度聚乙烯等乙烯系聚合物;乙烯-α烯烃共聚物等烯烃系聚合物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物等乙烯成分与其他单体的烯烃系聚合物等。这些聚烯烃系树脂可以单独使用1种或组合使用2种以上。
前述基材层1含有烯烃系树脂作为主成分,但出于防止劣化等目的,例如,也可以适宜配混抗氧化剂、紫外线吸收剂、受阻胺系光稳定剂等光稳定剂、抗静电剂、以及例如氧化钙、氧化镁、二氧化硅、氧化锌、氧化钛等填充剂、颜料、防积料剂(日文:目ヤニ防止剤)、滑剂、抗粘连剂等添加剂。
基材层1的厚度没有特别限制,通常为10~300μm左右,优选为15~250μm、进一步优选为20~200μm。另外,基材层1可以为单层,也可以包含两层以上的多层。
需要说明的是,也可以根据需要对基材层1的与粘合层附设面相反的面实施例如电晕放电处理、火焰处理、等离子体处理、溅射蚀刻处理、底漆等的底涂处理等表面处理。
作为形成粘合层2的热塑性弹性体,可以没有特别限制地使用苯乙烯系弹性体、氨基甲酸酯系弹性体、酯系弹性体、烯烃系弹性体等用作粘合剂的基础聚合物的弹性体。更具体而言,可列举出苯乙烯·丁二烯·苯乙烯(SBS)、苯乙烯·异戊二烯·苯乙烯(SIS)、苯乙烯·乙烯-丁烯共聚物·苯乙烯(SEBS)、苯乙烯·乙烯-丙烯共聚物·苯乙烯(SEPS)等A-B-A型嵌段聚合物;苯乙烯·丁二烯(SB)、苯乙烯·异戊二烯(SI)、苯乙烯·乙烯-丁烯共聚物(SEB)、苯乙烯·乙烯-丙烯共聚物(SEP)等A-B型嵌段聚合物;苯乙烯·丁二烯橡胶(SBR)等苯乙烯系无规共聚物;苯乙烯·乙烯-丁烯共聚物·烯烃晶体(SEBC)等A-B-C型的苯乙烯·烯烃晶体系嵌段聚合物;烯烃晶体·乙烯-丁烯共聚物·烯烃晶体(CEBC)等C-B-C型的烯烃晶体系嵌段聚合物;乙烯-α烯烃、乙烯-丙烯-α烯烃、丙烯-α烯烃等烯烃系弹性体、以及它们的氢化物等。这些热塑性弹性体可以单独使用1种或组合使用2种以上。
在粘合层2的形成时,出于粘合特性的控制等目的,可以根据需要在前述热塑性弹性体中适宜配混例如软化剂、烯烃系树脂、有机硅系聚合物、液态丙烯酸类共聚物、磷酸酯系化合物、增粘剂、防老化剂、受阻胺系光稳定剂、紫外线吸收剂、以及例如氧化钙、氧化镁、二氧化硅、氧化锌、氧化钛等填充剂、颜料等添加剂。
粘合层2的厚度没有特别限定,根据所要求的密合力等来适宜决定即可,通常为0.1~50μm左右,优选为0.2~40μm、进一步优选为0.3~20μm。
需要说明的是,也可以根据需要对粘合层2的表面实施例如电晕放电处理、紫外线照射处理、火焰处理、等离子体处理、溅射蚀刻处理等以粘合性的控制、贴附操作性等为目的的表面处理。进而也可以根据需要在供于实用之前的期间在粘合层2上临时粘接间隔物等进行保护。
另外,可以根据需要对基材层的与粘合层的附设面相反的面形成用于赋予脱模性的脱模层。脱模层可以通过将基材层及粘合层一起共挤出来形成,也可以通过涂布来形成。
通过共挤出形成脱模层时,优选使用包含2种以上的聚烯烃系树脂的混合物来形成。这是因为,通过使用包含2种以上的聚烯烃系树脂的混合物来控制2种聚烯烃系树脂的相容性,由此形成适度的表面粗糙度,赋予了适度的脱模性。通过共挤出形成脱模层时,其厚度通常为1~50μm左右,优选为2~40μm、进一步优选为3~20μm。
作为通过涂布形成脱模层时的脱模剂,可以没有特别限制地使用能赋予脱模性的物质。例如,作为脱模剂,可列举出由有机硅系聚合物、长链烷基系聚合物形成的脱模剂。脱模剂可以为无溶剂型、溶解于有机溶剂而成的溶剂型、在水中进行了乳化的乳化型中的任意型,溶剂型、乳化型的脱模剂能够稳定地将脱模层3附设于基材层1。此外,作为脱模剂,可列举出紫外线固化型的脱模剂等。作为脱模剂的具体的例子,可获得Peeloil(一方社油脂株式会社制)、Shin-Etsu Silicone(信越化学工业株式会社制)等。
脱模层3的厚度没有特别限定,如前所述,在薄膜化形成时污染减少效果大,因此通常优选为1~1000nm左右、进而优选5~500nm、特别优选10~100nm。
《第2实施方式》
第1实施方式中,在树脂薄膜的一个面设置有导电层及保护薄膜,而在第2实施方式中,在树脂薄膜的两面设置有导电层及保护薄膜。本实施方式中的设置于树脂薄膜的另一面的层结构与第1实施方式同样,因此以下主要对本实施方式特征性的点进行说明。
图2为本发明的又一实施方式的带有保护薄膜的导电性薄膜的示意性截面图。图2所示的带有保护薄膜的导电性薄膜200具备第1保护薄膜、第1导电层21和树脂薄膜1,还具备配置于树脂薄膜1的与第1导电层21相反的一侧的第2导电层22(以下,不区分第1导电层和第2导电层的情况下,有时简称为“导电层”。)、配置于第2导电层22的与树脂薄膜1相反的一侧的第2保护薄膜32(以下,不区分第1保护薄膜和第2保护薄膜的情况下,有时简称为“保护薄膜”。)。本实施方式中,在设置于树脂薄膜1与第1导电层21之间的基底层41的基础上,在树脂薄膜1与第2导电层22之间还设置有基底层42(以下,不区分两面的基底层的情况下,有时简称为“基底层”。)。但是,基底层不必设置在树脂薄膜1的两面,也可以设置在任一面侧。
本实施方式中的第2导电层22及基底层42的形成材料、层结构可以适当地采用基本上与第1实施方式中的第1导电层21及基底层41同样的形成材料、层结构。
树脂薄膜1的第2导电层22侧的表面12a的表面粗糙度Ra优选为0.5nm以上且10nm以下。树脂薄膜1的表面12a的表面粗糙度Ra的下限值优选1.5nm、更优选3nm。另一方面,树脂薄膜1的表面12a的表面粗糙度Ra的上限值优选8nm、更优选6nm。由于导电层的表面状态有原样沿袭树脂薄膜1的表面状态的倾向,因此通过将树脂薄膜1的表面粗糙度Ra设为上述范围,从而能够效率良好地将第2导电层22的表面22a的表面粗糙度Rz控制为规定范围。需要说明的是,树脂薄膜1的两面的表面粗糙度Ra可以彼此相同,也可以不同。
第2导电层22的厚度为10nm以上且250nm以下。第2导电层22的厚度的下限值优选20nm、更优选50nm。另一方面,第2导电层22的厚度的上限值优选200nm。若第2导电层22的厚度超过上述上限值,则加热后的导电性薄膜容易发生卷曲、或器件的薄型化变困难。若厚度小于上述下限值,则在加湿热条件下导电性薄膜的表面电阻值容易高电阻化,得不到目标加湿热可靠性、或者发生导电层的强度的降低所导致的图案布线的剥离。需要说明的是,两面的导电层的厚度可以彼此相同,也可以不同。
第2导电层22的与树脂薄膜1处于相反侧的表面22a的表面粗糙度Rz为100nm以下。第2导电层22的表面22a的表面粗糙度Rz优选90nm以下、更优选70nm以下。另一方面,第2导电层22的表面22a的表面粗糙度Rz优选1nm以上、更优选10nm以上、进一步优选30nm以上。通过将第2导电层22的表面22a的表面粗糙度Rz设为上述范围,从而能够去除第2导电层22中的陡峭的突起和/或高度差,抑制针孔的产生,其结果,也能够抑制经图案化的导电层的断线。需要说明的是,两面的导电层的表面粗糙度Rz可以彼此相同,也可以不同。
第1导电层21的厚度与第2导电层22的厚度之差的绝对值优选为5nm以下、更优选为3nm以下。通过使两面的导电层的厚度彼此接近,从而在导电层产生的应力被抵消,能够防止导电性薄膜的卷曲、导电层的剥离等。
第2保护薄膜32的与第2导电层22接触的一侧的面具有粘合性。具体而言,第2保护薄膜32与第2导电层22间的密合力优选为0.005N/50mm以上且0.5N/50mm以下、更优选为0.007mm以上且0.45N/50mm以下、进一步优选为0.010mm以上且0.40N/50mm以下。是因为若与第2导电层22的密合力小于上述下限值,则第2导电层22与第2保护薄膜32的密合不充分,在使用时会发生剥离等。是因为若与第2导电层22的密合力超过上述上限值,则在将第2保护薄膜32剥离时第2导电层22会从树脂薄膜1剥离,容易在第2导电层22产生针孔。
(带有保护薄膜的导电性薄膜的制造方法)
带有保护薄膜的导电性薄膜可以通过在树脂薄膜上依次形成导电层及保护薄膜并进行贴合这样的卷对卷法来制造。导电层及保护薄膜的设置步骤中存在各种变化。以下,对通过溅射成膜形成导电层,使用具有基材层及粘合层的保护薄膜作为保护薄膜来制造两面构成的带有保护薄膜的导电性薄膜的方式进行说明。
保护薄膜的贴合可以采用在不同生产线进行导电层的溅射工序和保护薄膜的贴合工序的离线贴合;和、在相同生产线内进行导电层的溅射工序和保护薄膜的贴合的在线贴合。依次列举出离线贴合及在线贴合的流程例。用“/”表示的分隔为不同生产线中的工序,用“~”表示的分隔为相同生产线内的工序。
(离线贴合的流程例)
(离线1)在树脂薄膜的一个面将第1导电层溅射成膜~卷取/边将薄膜从卷放出边将第1保护薄膜与第1导电层贴合~卷取/向规定宽度的切断加工(离线2)在树脂薄膜的一个面将第1导电层溅射成膜~卷取/边将薄膜从卷放出边将第1保护薄膜与第1导电层贴合~卷取/在树脂薄膜的另一面将第2导电层溅射成膜~卷取/向规定宽度的切断加工
(离线3)在树脂薄膜的一个面将第1导电层溅射成膜~卷取/边将薄膜从卷放出边将第1保护薄膜与第1导电层贴合~卷取/在树脂薄膜的另一面将第2导电层溅射成膜~卷取/边将薄膜从卷放出边将第2保护薄膜与第2导电层贴合~卷取/向规定宽度的切断加工
(离线4)在树脂薄膜的一个面将第1导电层溅射成膜~卷取/在树脂薄膜的另一面将第2导电层溅射成膜~卷取/边将薄膜从卷放出边将第1保护薄膜及第2保护薄膜与第1导电层及第2导电层分别并行贴合~卷取/向规定宽度的切断加工
(离线5)在树脂薄膜的一个面将第1导电层溅射成膜~卷取/在树脂薄膜的另一面将第2导电层溅射成膜~卷取/边将薄膜从卷放出边将第1保护薄膜与第1导电层贴合~卷取/边将薄膜从卷放出边将第2保护薄膜与第2导电层贴合~卷取/向规定宽度的切断加工
(在线贴合的流程例)
(在线1)在树脂薄膜的一个面将第1导电层溅射成膜~在下游放出第1保护薄膜并与第1导电层贴合~卷取/向规定宽度的切断加工
(在线2)在树脂薄膜的一个面将第1导电层溅射成膜~在下游放出第1保护薄膜并与第1导电层贴合~卷取/在树脂薄膜的另一面将第2导电层溅射成膜~卷取/向规定宽度的切断加工
(在线3)在树脂薄膜的一个面将第1导电层溅射成膜~卷取/边将薄膜从卷放出边贴合第1保护薄膜~在下游在树脂薄膜的另一面将第2导电层溅射成膜~卷取/向规定宽度的切断加工
(在线4)在树脂薄膜的一个面将第1导电层溅射成膜~在下游放出第1保护薄膜并与第1导电层贴合~卷取/在树脂薄膜的另一面将第2导电层溅射成膜~在下游将第2保护薄膜放出并与第2导电层贴合~卷取/向规定宽度的切断加工
(在线5)在树脂薄膜的一个面将第1导电层溅射成膜~卷取/边将薄膜从卷放出边将第1保护薄膜和第1导电层贴合~在下游在树脂薄膜的另一面将第2导电层溅射成膜~进而在下游将第2保护薄膜放出并与第2导电层贴合~卷取/向规定宽度的切断加工
重视针孔减小的观点的情况下,对于贴合保护薄膜的时刻,理想的是在刚刚形成导电层之后进行(在线贴合)。
《第3实施方式》
本实施方式涉及一种导电性薄膜的制造方法,其包括从前述带有保护薄膜的导电性薄膜将保护薄膜剥离的工序。
通过使用上述的带有保护薄膜的导电性薄膜,可抑制保护薄膜剥离时的导电层自树脂薄膜的剥离及向保护薄膜的转印,并且可抑制向规定宽度的切断加工时的厚度方向上的应力等,因此能够抑制针孔产生,进而防止电路图案的断线从而能够成品率良好地制造高品质的导电性薄膜。
(导电性薄膜的特性)
导电性薄膜的初期的表面电阻值R1优选为0.001Ω/□~10.0Ω/□、更优选为0.01Ω/□~3.5Ω/□、进一步优选为0.1Ω/□~1.0Ω/□。由此能够提供生产效率优异的实用的导电性薄膜。
导电性薄膜的厚度优选为2~300μm的范围内、更优选为10~250μm的范围内、进一步优选为20~200μm的范围内。由此,导电性薄膜自身也能够减薄,能抑制用于电磁波屏蔽片、传感器等时的厚度。因此,能够应对电磁波屏蔽片、传感器等薄型化。进而,若导电性薄膜的厚度为前述的范围内,则能够确保柔软性,并且机械强度充分,使薄膜成为卷状并连续地形成含Si层、导电层等的操作变容易,生产效率提高。
对于导电性薄膜,从输送性、处理的观点出发,可以卷绕成卷状。通过利用卷对卷法在树脂薄膜连续地形成基底层、导电层,能够效率良好地制造导电性薄膜。
(导电性薄膜的用途)
导电性薄膜可以应用于各种用途,例如可应用于电磁波屏蔽片、面状传感器等。电磁波屏蔽片使用了导电性薄膜,能够以触摸面板等形态适当地使用。前述电磁波屏蔽片的厚度优选为20μm~300μm。
另外,电磁波屏蔽片的形状没有特别限定,可以根据要设置的对象物的形状等,选择从层叠方向(与片的厚度方向相同的方向)观察到的形状为方形形状、圆形形状、三角形形状、多边形形状等适宜的形状。
面状传感器使用了导电性薄膜,除了用于在移动设备的触摸面板、控制器等的用户界面用途之外,还包括对各种物理量等进行传感的传感器。前述面状传感器的厚度优选为20μm~300μm。
实施例
以下,用实施例对本发明详细地进行说明,但本发明只要不超过其主旨,就不限定于以下的实施例。
<实施例1~6、比较例1:单面带有保护薄膜的单面导电性薄膜的制作(导电层:170nm)>
首先,将由宽度1.100m、长度2500m、厚度150μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(TORAY ADVANCED FILM Co.,Ltd.制、品名“150-TT00A”、以下称为PET薄膜。)形成的长条状树脂薄膜卷绕于送出辊,设置在溅射装置内。其后,使溅射装置内为3.0×10-3Torr的高真空,在该状态下,边将长条状树脂薄膜从送出辊送到卷取辊,边进行溅射成膜。在包含Ar气体100体积%的3.0×10-3Torr的气氛中,使用Cu靶材料,通过烧结体DC磁控溅射法,在单面以170nm的厚度将第1导电层溅射成膜,将薄膜卷取于送出辊,由此制作在一个面形成有导电层的单面导电性薄膜的卷绕体。
在制作的单面导电性薄膜的卷绕体的第1导电层面侧贴合表1所示的保护薄膜的粘合层面侧(用贴合机进行压接:0.25MPa、压接速度2.0m/分钟),制作在一个面贴合有保护薄膜的单面带有保护薄膜的单面导电性薄膜的卷绕体。
<实施例7:单面带有保护薄膜的单面导电性薄膜的制作(导电层:100nm)>
将第1导电层的厚度设为100nm,除此以外,通过与实施例1同样的方法制作导电性薄膜的卷绕体。
<评价>
对制作的导电性薄膜及带有保护薄膜的导电性薄膜进行以下的评价。将各自的结果示于表1。
(1)厚度的测定
对于导电层的厚度,使用透射型电子显微镜(日立制作所制、制品名“H-7650”)对带有保护薄膜的导电性薄膜的截面进行观察来测定。
(2)导电层的表面粗糙度Rz的测定
对贴合保护薄膜前的导电性薄膜,使用AFM(原子力显微镜、Bruker制、“DimemsionEdge+NanoDrive”),对两面的导电层的表面粗糙度Rz进行测定。测定结果是两面均为相同的值。对于测定,通过在从卷状的薄膜的任意位置切出的片状的薄膜中随机在5点进行,并采用它们的平均值来进行。
(3)树脂薄膜的表面粗糙度Ra的测定
使用AFM(原子力显微镜、Bruker制、“Dimemsion Edge+NanoDrive”),对形成导电层前的树脂薄膜的表面粗糙度Ra进行测定。测定结果是两面均为相同的值。对于测定,通过在从卷状的薄膜的任意位置切出的片状的薄膜中随机在5点进行,并采用它们的平均值来进行。需要说明的是,树脂薄膜的表面粗糙度Rz也可以通过从导电性薄膜去除导电层来测定。
(4)针孔和密合力评价
(4-1)针孔数:初期评价
使用倍率20倍的光学显微镜数出在贴合保护薄膜前的导电性薄膜中在50mm×200mm尺寸的视野中存在的最大长度10μm以上的针孔数。
(4-2)密合力测定
将制作的带有保护薄膜的导电性薄膜在常温(25℃)下放置30分钟以上后,将样品切割成50mm×200mm的尺寸。使用双面胶带将切割的样品的与保护薄膜相反的面固定于SUS板(SUS430BA)。在该环境下使用万能拉伸试验机(NMB Minebea Inc.制、“TCM-1kNB”),在剥离速度300mm/分钟、剥离角度180°的条件下从带有保护薄膜的导电性薄膜将保护薄膜剥离,测定此时的剥离力(N/50mm)作为密合力。
(4-3)针孔数:保护薄膜剥离后评价
使用密合力测定后的样品(尺寸:50mm×200mm),用倍率20倍的光学显微镜数出最大长度10μm以上的针孔数。
(4-4)针孔增加数评价
将从保护薄膜剥离后的针孔数中减去初期针孔数所得的数作为针孔增加数,将增加数为20个以下的情况评价为“○”、将超过20个的情况评价为“×”。
[表1]
<实施例8:单面带有保护薄膜的双面导电性薄膜的制作>
通过与实施例1同样的方法制作单面导电性薄膜及单面带有保护薄膜的单面导电性薄膜的卷绕体。在制作的单面带有保护薄膜的单面导电性薄膜的卷绕体的与保护薄膜设置面相反的一侧,在与实施例1相同的条件下将第2导电层以170nm的厚度溅射成膜,由此制作在两面形成有导电层、且在一个面设置有保护薄膜的单面带有保护薄膜的双面导电性薄膜。
(切断加工)
将单面带有保护薄膜的双面导电性薄膜的卷绕体切断加工为宽度250mm,制作宽度250mm的单面带有保护薄膜的双面导电性薄膜卷绕体。
<比较例2:双面导电性薄膜的制作(无保护薄膜)>
通过与实施例1同样的方法制作单面导电性薄膜的卷绕体。接着,在单面导电性薄膜的卷绕体的与第1导电层相反的一侧,在与实施例1同样的条件下,将第2导电层以170nm的厚度溅射成膜,制作在两面形成有导电层的双面导电性薄膜。
(切断加工)
将双面导电性薄膜的卷绕体切断加工成宽度250mm,制作宽度250mm的双面导电性薄膜卷绕体。
<评价>
对实施例8及比较例2中制作的导电性薄膜及带有保护薄膜的导电性薄膜进行上述(1)~(3)、(4-2)的评价及以下的评价。需要说明的是,在(2)的导电层的表面粗糙度Rz测定的同时也测定了表面粗糙度Ra。将各自的结果示于表2。
(5)切断加工前后的针孔增加数评价
将实施例8的切断加工后的单面带有保护薄膜的双面导电性薄膜的保护薄膜剥离,使用倍率20倍的光学显微镜数出在第1导电层面的50mm×200mm尺寸的视野中存在的最大长度10μm以上的针孔数。另外,使用倍率20倍的光学显微镜数出在比较例2中制作的切断加工后的双面导电性薄膜的第1导电层面的50mm×200mm尺寸的视野中存在的最大长度10μm以上的针孔数。
[表2]
(结果)
根据表1可知,导电层与保护薄膜间的密合力越大,越有针孔增加的倾向,密合力为0.5N/50mm以下时,能够抑制针孔的增加。另外,根据表2可知,与不具备保护薄膜的导电薄膜(比较例2)相比,带有保护薄膜的导电性薄膜(实施例8)的切断加工后的针孔数变少。
Claims (10)
1.一种带有保护薄膜的导电性薄膜,其依次具备:第1保护薄膜、第1导电层和树脂薄膜,
所述第1导电层的厚度为10nm以上且250nm以下,
所述第1导电层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下,
所述第1保护薄膜的与所述第1导电层接触的一侧的面具有粘合性,
所述第1保护薄膜与所述第1导电层间的密合力为0.005N/50mm以上且0.5N/50mm以下。
2.根据权利要求1所述的带有保护薄膜的导电性薄膜,其中,所述树脂薄膜的所述第1导电层侧的表面的表面粗糙度Ra为0.5nm以上且10nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的带有保护薄膜的导电性薄膜,其还具备基底层,所述基底层配置于所述树脂薄膜与所述第1导电层之间。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的带有保护薄膜的导电性薄膜,其还具备第2导电层,所述第2导电层配置于所述树脂薄膜的与所述第1导电层相反的一侧,
所述第2导电层的厚度为10nm以上且250nm以下,
所述第2导电层的与所述树脂薄膜处于相反侧的表面的表面粗糙度Rz为100nm以下。
5.根据权利要求4所述的带有保护薄膜的导电性薄膜,其中,所述树脂薄膜的所述第2导电层侧的表面的表面粗糙度Ra为0.5nm以上且10nm以下。
6.根据权利要求4或5所述的带有保护薄膜的导电性薄膜,其还具备基底层,所述基底层配置于所述树脂薄膜与所述第2导电层之间。
7.根据权利要求4~6中任一项所述的带有保护薄膜的导电性薄膜,其中,所述第1导电层的厚度与所述第2导电层的厚度之差的绝对值为5nm以下。
8.根据权利要求4~7中任一项所述的带有保护薄膜的导电性薄膜,其还具备第2保护薄膜,所述第2保护薄膜配置于所述第2导电层的与所述树脂薄膜相反的一侧,
所述第2保护薄膜的与所述第2导电层接触的一侧的面具有粘合性,
所述第2导电层与所述第2保护薄膜间的密合力为0.005N/50mm以上且0.5N/50mm以下。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的带有保护薄膜的导电性薄膜,其中,所述第1保护薄膜及第2保护薄膜中的至少一者具有:含有聚烯烃系树脂的基材层和含有热塑性弹性体的粘合层。
10.一种导电性薄膜的制造方法,其包括从权利要求1~9中任一项所述的带有保护薄膜的导电性薄膜将保护薄膜剥离的工序。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018235821A JP7262218B2 (ja) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | 保護フィルム付き導電性フィルム及び導電性フィルムの製造方法 |
JP2018-235821 | 2018-12-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111326278A true CN111326278A (zh) | 2020-06-23 |
CN111326278B CN111326278B (zh) | 2023-11-28 |
Family
ID=71105673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911296241.4A Active CN111326278B (zh) | 2018-12-17 | 2019-12-16 | 带有保护薄膜的导电性薄膜及导电性薄膜的制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7262218B2 (zh) |
KR (1) | KR20200074862A (zh) |
CN (1) | CN111326278B (zh) |
TW (1) | TW202039243A (zh) |
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-
2019
- 2019-11-27 KR KR1020190154622A patent/KR20200074862A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-12-16 CN CN201911296241.4A patent/CN111326278B/zh active Active
- 2019-12-17 TW TW108146163A patent/TW202039243A/zh unknown
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JP7262218B2 (ja) | 2023-04-21 |
CN111326278B (zh) | 2023-11-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |