TW202032917A

TW202032917A - 壓電振動器件

Info

Publication number: TW202032917A
Application number: TW108145640A
Authority: TW
Inventors: 石野悟; 古城有果
Original assignee: 日商大真空股份有限公司
Priority date: 2018-12-14
Filing date: 2019-12-13
Publication date: 2020-09-01
Also published as: EP3896847A4; JP7196934B2; WO2020122179A1; US11362641B2; TWI729621B; JPWO2020122179A1; EP3896847A1; CN113196650A; US20220014173A1

Abstract

本發明提供一種壓電振動器件。該壓電振動器件中，從而構成將包括第一激勵電極（１１１）和第二激勵電極（１１２）的晶體振動片（１０）的振動部（１１）氣密密封的內部空間（Ｃ１），將晶體振動片（１０）的振動部（１１）氣密密封的密封路徑（１１５、１１６）被構成為俯視呈環形，在第二密封構件（３０）的第二主面（３０２）上形成有與外部電路基板電連接的多個外部電極端子（３２），俯視時各外部電極端子（３２）沿包圍著內部空間（Ｃ１）的外框部（Ｗ１）配置。基於上述結構，能夠減小安裝於外部電路基板時作用於密封部上的應力。

Description

壓電振動器件

本發明涉及壓電振動器件。

近年，各種電子設備朝著工作頻率高頻化，封裝體小型化（特別是低矮化）方向發展。因此，隨著高頻化，封裝體小型化，要求壓電振動器件（例如晶體諧振器，晶體振盪器等）也能應對高頻化及封裝體小型化。

這種壓電振動器件的殼體通常由近似長方體的封裝體構成。該封裝體包括例如由玻璃或石英晶體構成的第一密封構件和第二密封構件、及例如由石英晶體構成並在兩個主面上形成有激勵電極的壓電振動板，第一密封構件與第二密封構件間通過壓電振動板而層疊接合。並且，配置在封裝體內部（內部空間）的壓電振動板的振動部（激勵電極）被氣密密封（例如，專利文獻１）。以下，將這種壓電振動器件的層疊形態稱為三明治結構。

如上所述的壓電振動器件中，在第二密封構件的第二主面（另一個主面）上，形成有與外部電路基板電連接用的多個外部電極端子（背面端子）。另外，將壓電振動板的振動部氣密密封的密封部（密封路徑）被形成為俯視呈環形。

然而，將壓電振動器件安裝在外部電路基板上時，例如用焊料等的導電性膠黏劑將外部電極端子連接在外部電路基板上。安裝於外部電路基板時，由於焊料等導電性膠黏劑收縮，所以通過外部電極端子，第二密封構件受到沿著長邊方向作用的拉伸應力或壓縮應力。即，安裝於外部電路基板時，會產生使第二密封構件變形而導致第二密封構件翹起的應力，該應力有可能作用在密封路徑上。

然而，現有技術中，多個外部電極端子被配置為佔據了第二密封構件的另一個主面的幾乎整個區域，而未採取任何措施來應對上述應力引起的第二密封構件的變形。因此，安裝於外部電路基板時，由第二密封構件的變形引起的作用於密封路徑的應力有可能變大。

[專利文獻１]：日本特開２０１０－２５２０５１號公報

鑒於上述情況，本發明的目的在於，提供一種能夠減小安裝於外部電路基板時作用於將壓電振動板的振動部氣密密封的密封部上的應力的壓電振動器件。

作為解決上述技術問題的技術方案，本發明提供一種壓電振動器件，該壓電振動器件中，設置有在基板的一個主面上形成有第一激勵電極、且在所述基板的另一個主面上形成有與所述第一激勵電極成對的第二激勵電極的壓電振動板；將所述壓電振動板的所述第一激勵電極覆蓋的第一密封構件；及將所述壓電振動板的所述第二激勵電極覆蓋的第二密封構件，所述第一密封構件與所述壓電振動板相接合、且所述第二密封構件與所述壓電振動板相接合，從而形成將包括所述第一激勵電極和所述第二激勵電極的所述壓電振動板的振動部氣密密封的內部空間，其特徵在於：將所述壓電振動板的振動部氣密密封的密封部被構成為俯視呈環形，在所述第二密封構件的另一個主面上，形成有與外部電路基板電連接的多個外部電極端子，俯視時，各所述外部電極端子沿包圍著所述內部空間的外框部配置。

基於上述結構，由於俯視時外部電極端子沿外框部配置，所以外部電極端子中，與內部空間疊合的部分盡可能地被減小。由此，安裝於外部電路基板時，由第二密封構件的變形引起的作用於密封部上的應力減小，從而能使密封部的氣密性提高。

上述壓電振動器件中，較佳為，所述外部電極端子被配置為，俯視時只與所述外框部疊合。

基於該結構，外部電極端子中，與內部空間疊合的部分能被消除，因而，安裝於外部電路基板時，由第二密封構件的變形引起的作用於密封部上的應力進一步減小，從而能使密封部的氣密性進一步提高。

上述壓電振動器件中，較佳為，各所述外部電極端子被配置在所述第二密封構件的另一個主面的角部。在此情況下，較佳為，所述外部電極端子分別配置在所述第二密封構件的另一個主面的四個角落；另外，所述各外部電極端子被構成為，俯視呈近似Ｌ字形。

基於上述結構，能有效地利用外框部的有限的空間來配置外部電極端子。

發明效果：

基於本發明的壓電振動器件，由於俯視時外部電極端子沿外框部配置，所以，外部電極端子中，與內部空間疊合的部分盡可能地被減小。由此，安裝於外部電路基板時，由第二密封構件的變形引起的作用於密封部上的應力減小，從而能使密封部的氣密性提高。

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行詳細說明。另外，在下述實施方式中，對於採用了本發明的壓電振動器件是晶體振盪器的情況進行說明。

首先，對本實施方式所涉及的晶體振盪器１００的基本結構進行說明。如圖１所示，晶體振盪器１００具備晶體振動片（壓電振動板）１０、第一密封構件２０、第二密封構件３０、及ＩＣ晶片４０。該晶體振盪器１００中，晶體振動片１０與第一密封構件２０相接合；晶體振動片１０與第二密封構件３０相接合，從而構成近似長方體的三明治結構的封裝體。即，晶體振盪器１００中，晶體振動片１０的兩個主面分別與第一密封構件２０及第二密封構件３０接合而形成封裝體的內部空間（空室）Ｃ１，在該內部空間Ｃ１內，振動部１１（參照圖４、圖５）被氣密密封。

另外，在第一密封構件２０的與晶體振動片１０接合的面的反面側的主面上，安裝有ＩＣ晶片４０。作為電子部件元件的ＩＣ晶片４０是與晶體振動片１０一起構成振盪電路的單晶片積體電路元件。

本實施方式所涉及的晶體振盪器１００的封裝體尺寸例如為１．０×０．８ｍｍ，實現了小型化與低矮化。另外，伴隨小型化，封裝體中未形成雉堞牆，而是採用後述的貫穿孔來實現電極的導通。

下面，參照圖１～圖７，對上述晶體振盪器１００中的晶體振動片１０、第一密封構件２０、及第二密封構件３０的各部件進行說明。另外，在此是對尚未接合的、分別被構成為單體的各部件進行說明。圖２～圖７僅僅示出晶體振動片１０、第一密封構件２０、及第二密封構件３０各自的一種構成例，對本發明不產生限定作用。

如圖４、圖５所示，晶體振動片１０是由石英水晶構成的壓電基板，其兩個主面（第一主面１０１、第二主面１０２）被加工（鏡面加工）成平坦的平滑面。本實施方式中，作為晶體振動片１０，使用進行厚度剪切振動的ＡＴ切石英晶體片。圖４、圖５所示的晶體振動片１０中，晶體振動片１０的兩個主面（第一主面１０１、第二主面１０２）在ＸＺ´平面上。該ＸＺ´平面中，與晶體振動片１０的短邊方向平行的方向為Ｘ軸方向；與晶體振動片１０的長邊方向平行的方向為Ｚ´軸方向。另外，ＡＴ切是指，作為人工石英晶體的三個晶軸的電軸（Ｘ軸）、機械軸（Ｙ軸）、及光學軸（Ｚ軸）中，在相對Ｚ軸繞Ｘ軸旋轉３５°１５′後的角度進行切割的加工手法。ＡＴ切石英晶體片中，Ｘ軸與石英晶體的晶軸一致。Ｙ´軸及Ｚ´軸為相對石英晶體的晶軸的Ｙ軸及Ｚ軸分別傾斜了３５°１５′（該切斷角度可在調節ＡＴ切晶體振動片的頻率溫度特性的範圍內少量變動）的軸一致。Ｙ´軸方向及Ｚ´軸方向與將ＡＴ切石英晶體片切割出來時的切割方向相當。

在晶體振動片１０的第一主面１０１及第二主面１０２上，形成有一對激勵電極（第一激勵電極１１１、第二激勵電極１１２）。晶體振動片１０具有被構成為大致矩形的振動部１１、將該振動部１１的外周包圍的外框部１２、及通過將振動部１１與外框部１２連接而保持著振動部１１的保持部１３。即，晶體振動片１０採用將振動部１１、外框部１２、及保持部１３構成為一體的結構。保持部１３只從位於振動部１１的＋Ｘ方向及－Ｚ´方向的一個角部朝著－Ｚ´方向延伸（突出）至外框部１２。

第一激勵電極１１１設置在振動部１１的第一主面１０１側，第二激勵電極１１２設置在振動部１１的第二主面１０２側。在第一激勵電極１１１、第二激勵電極１１２上，連接有用於將這些激勵電極連接到外部電極端子上的引出佈線（第一引出佈線１１３、第二引出佈線１１４）。第一引出佈線１１３從第一激勵電極１１１被引出，並經由保持部１３與外框部１２上形成的連接用接合圖案１４相連。第二引出佈線１１４從第二激勵電極１１２被引出，並經由保持部１３與外框部１２上形成的連接用接合圖案１５相連。

在晶體振動片１０的兩個主面（第一主面１０１、第二主面１０２）上，分別設置有用於將晶體振動片１０與第一密封構件２０及第二密封構件３０接合的振動側密封部。作為第一主面１０１的振動側密封部，形成有振動側第一接合圖案１２１；作為第二主面１０２的振動側密封部，形成有振動側第二接合圖案１２２。振動側第一接合圖案１２１及振動側第二接合圖案１２２被設置在外框部１２上，俯視為環形。

另外，如圖４、圖５所示，在晶體振動片１０上，形成有將第一主面１０１與第二主面１０２之間穿透的五個貫穿孔。具體而言，四個第一貫穿孔１６１分別設置在外框部１２的四個角落（角部）的區域中。第二貫穿孔１６２設置在外框部１２上的振動部１１的Ｚ´軸方向的一側（圖４、圖５中，是－Ｚ´方向側）。在第一貫穿孔１６１的周圍，分別形成有連接用接合圖案１２３。另外，在第二貫穿孔１６２的周圍，第一主面１０１側形成有連接用接合圖案１２４；第二主面１０２側形成有連接用接合圖案１５。

在第一貫穿孔１６１及第二貫穿孔１６２中，沿著貫穿孔各自的內壁面分別形成有用於將第一主面１０１上形成的電極與第二主面１０２上形成的電極導通的貫穿電極。另外，第一貫穿孔１６１及第二貫穿孔１６２各自的中間部分成為將第一主面１０１與第二主面１０２之間穿透的中空狀態的貫穿部分。

如圖２、圖３所示，第一密封構件２０是由一塊ＡＴ切石英晶體板形成的長方體基板，該第一密封構件２０的第二主面２０２（與晶體振動片１０接合的面）被形成（鏡面加工）為平坦的平滑面。另外，第一密封構件２０不具有振動部，但通過與晶體振動片１０一樣使用ＡＴ切石英晶體板，使晶體振動片１０的熱膨脹率與第一密封構件２０的熱膨脹率相同，能抑制晶體振盪器１００的熱變形。另外，第一密封構件２０的Ｘ軸、Ｙ軸、及Ｚ´軸的朝向也與晶體振動片１０的相同。

如圖２所示，在第一密封構件２０的第一主面２０１（安裝ＩＣ晶片４０的面）上，形成有六個電極圖案２２，該六個電極圖案２２包含用於安裝作為振盪電路元件的ＩＣ晶片４０的安裝墊。ＩＣ晶片４０利用金屬凸點（例如金凸點等）２３（參照圖１）通過ＦＣＢ（Flip Chip Bonding，覆晶接合）法而接合在電極圖案２２上。

如圖２、圖３所示，在第一密封構件２０上形成有分別與六個電極圖案２２連接、並將第一主面２０１與第二主面２０２之間穿透的六個貫穿孔。具體而言，四個第三貫穿孔２１１被設置在第一密封構件２０的四個角落（角部）的區域中。第四貫穿孔２１２、第五貫穿孔２１３分別設置在圖２、圖３的＋Ｚ´方向及－Ｚ´方向。

在第三貫穿孔２１１、第四貫穿孔２１２、及第五貫穿孔２１３中，沿著貫穿孔各自的內壁面形成有用於將形成在第一主面２０１上的電極與形成在第二主面２０２上的電極導通的貫穿電極。另外，第三貫穿孔２１１、第四貫穿孔２１２、及第五貫穿孔２１３各自的中間部分成為將第一主面２０１與第二主面２０２之間穿透的中空狀態的貫穿部分。

在第一密封構件２０的第二主面２０２上，形成有用於與晶體振動片１０接合的作為密封側第一密封部的密封側第一接合圖案２４。密封側第一接合圖案２４被形成為俯視呈環形。

另外，第一密封構件２０的第二主面２０２上，在第三貫穿孔２１１的周圍分別形成有連接用接合圖案２５。在第四貫穿孔２１２的周圍形成有連接用接合圖案２６１；在第五貫穿孔２１３的周圍形成有連接用接合圖案２６２。並且，在相對於連接用接合圖案２６１為第一密封構件２０的長軸方向的反面側（－Ｚ´方向側）上形成有連接用接合圖案２６３，連接用接合圖案２６１與連接用接合圖案２６３之間通過佈線圖案２７相連接。

如圖６、圖７所示，第二密封構件３０是由一塊ＡＴ切石英晶體板形成的長方體基板，該第二密封構件３０的第一主面３０１（與晶體振動片１０接合的面）被形成（鏡面加工）為平坦的平滑面。另外，較佳為，第二密封構件３０也與晶體振動片１０一樣使用ＡＴ切石英晶體板，Ｘ軸、Ｙ軸、及Ｚ´軸的朝向也與晶體振動片１０相同。

在該第二密封構件３０的第一主面３０１上，形成有用於與晶體振動片１０接合的作為密封側第二密封部的密封側第二接合圖案３１。密封側第二接合圖案３１被形成為俯視呈環形。

在第二密封構件３０的第二主面３０２（不面對晶體振動片１０的、外側的主面）上，設置有與晶體振盪器１００的設置在外部的外部電路基板（圖示省略）電連接的四個外部電極端子３２。外部電極端子３２分別位於第二密封構件３０的第二主面３０２的四個角落（角部）上。

如圖６、圖７所示，在第二密封構件３０上形成有將第一主面３０１與第二主面３０２之間穿透的四個貫穿孔。具體而言，四個第六貫穿孔３３被設置在第二密封構件３０的四個角落（角部）的區域中。在第六貫穿孔３３中，沿著貫穿孔各自的內壁面形成有用於將形成在第一主面３０１上的電極與形成在第二主面３０２上的電極導通的貫穿電極。通過這樣在貫穿孔的內壁面上形成的貫穿電極，形成在第一主面３０１上的電極與形成在第二主面３０２上的外部電極端子３２可被導通。另外，第六貫穿孔３３各自的中間部分成為將第一主面３０１與第二主面３０２之間穿透的中空狀態的貫穿部分。另外，第二密封構件３０的第一主面３０１中，在各第六貫穿孔３３的周圍分別形成有連接用接合圖案３４。

包括上述晶體振動片１０、第一密封構件２０、及第二密封構件３０的晶體振盪器１００中，晶體振動片１０與第一密封構件２０在使振動側第一接合圖案１２１和密封側第一接合圖案２４相重疊的狀態下擴散接合；晶體振動片１０與第二密封構件３０在使振動側第二接合圖案１２２和密封側第二接合圖案３１相重疊的狀態下擴散接合，從而製成圖１所示的三明治結構的封裝體。由此，封裝體的內部空間Ｃ１，即，振動部１１的容納空間被氣密密封。

此時，上述連接用接合圖案彼此也在相重疊的狀態下擴散接合。這樣，通過連接用接合圖案彼此間的接合，晶體振盪器１００中，第一激勵電極１１１、第二激勵電極１１２、ＩＣ晶片４０、及外部電極端子３２實現了電導通。

具體而言，第一激勵電極１１１依次經由第一引出佈線１１３、佈線圖案２７、第四貫穿孔２１２、及電極圖案２２，而與ＩＣ晶片４０連接。第二激勵電極１１２依次經由第二引出佈線１１４、第二貫穿孔１６２、第五貫穿孔２１３、及電極圖案２２，而與ＩＣ晶片４０連接。另外，ＩＣ晶片４０依次經由電極圖案２２、第三貫穿孔２１１、第一貫穿孔１６１、及第六貫穿孔３３，而與外部電極端子３２連接。

晶體振盪器１００中，各種接合圖案是通過多個層在石英晶體板上層疊而構成的，較佳為從其最下層側起蒸鍍形成Ｔｉ（鈦）層和Ａｕ（金）層。另外，較佳為，在晶體振盪器１００上形成的其它佈線、電極也採用與接合圖案相同的結構，這樣便可同時將接合圖案、佈線、及電極圖案化。

如上所述那樣構成的晶體振盪器１００中，將晶體振動片１０的振動部１１氣密密封的密封部（密封路徑）１１５、１１６被形成為俯視呈環形。密封路徑１１５由上述振動側第一接合圖案１２１和密封側第一接合圖案２４的擴散接合而形成，密封路徑１１５的外緣形狀及內緣形狀為近似八角形。同樣，密封路徑１１６由上述振動側第二接合圖案１２２和密封側第二接合圖案３１的擴散接合而形成，密封路徑１１６的外緣形狀及內緣形狀為近似八角形。

通過這樣擴散接合而形成了密封路徑１１５、１１６的晶體振盪器１００中，第一密封構件２０與晶體振動片１０之間存在１．００μｍ以下的間隔，第二密封構件３０與晶體振動片１０之間存在１．００μｍ以下的間隔。即，第一密封構件２０與晶體振動片１０之間的密封路徑１１５的厚度在１．００μｍ以下；第二密封構件３０與晶體振動片１０之間的密封路徑１１６的厚度在１．００μｍ以下（具體而言，本實施方式的Ａｕ－Ａｕ接合中是０．１５μｍ～１．００μｍ）。另外，作為比較例，採用Ｓｎ的現有技術的金屬膏密封材料的情況下是５μｍ～２０μｍ。

本實施方式中，在第二密封構件３０的第二主面（另一個主面）３０２上，形成有與外部電路基板連接的多個（本實施方式中是四個）外部電極端子３２，各外部電極端子３２沿著俯視時將內部空間Ｃ１包圍的外框部Ｗ１配置。以下，對此進行說明。

圖７中用雙點劃線示出內部空間Ｃ１與外框部Ｗ１間的交界線Ｌ１。即，交界線Ｌ１是內部空間Ｃ１的外周緣，也是外框部Ｗ１的內周緣。本實施方式中，交界線Ｌ１位於俯視時與晶體振動片１０的外框部１２的內周緣大致一致的位置。

晶體振盪器１００中，外框部Ｗ１是第一密封構件２０與晶體振動片１０、第二密封構件３０與晶體振動片１０以幾乎沒有間隙的狀態緊貼在一起的部分。以幾乎沒有間隙的狀態緊貼在一起是指，第一密封構件２０與晶體振動片１０、第二密封構件３０與晶體振動片１０以間隙在上述間隔（１．００μｍ）以下的狀態緊貼在一起。本實施方式中，外框部Ｗ１被設置在俯視時與晶體振動片１０的外框部１２大致一致的位置。

晶體振盪器１００中，內部空間Ｃ１是第一密封構件２０與晶體振動片１０、第二密封構件３０與晶體振動片１０沒有緊貼在一起，存在間隙的部分。此處，第一密封構件２０與晶體振動片１０間的間隙、第二密封構件３０與晶體振動片１０間的間隙大於上述間隔（１．００μｍ）。另外，晶體振動片１０的振動部１１與外框部１２之間的空間部分也屬於內部空間Ｃ１。內部空間Ｃ１被設置為比密封路徑１１５、１１６更位於內周側。本實施方式中，內部空間Ｃ１被設置在與俯視時比晶體振動片１０的外框部１２更靠內側的區域大致一致的位置。

本實施方式中，第二密封構件３０的第二主面３０２上形成的四個外部電極端子３２沿著俯視時將內部空間Ｃ１包圍的外框部Ｗ１配置。詳細而言，各外部電極端子３２被配置為俯視時只與外框部Ｗ１疊合，並且不跨越外框部Ｗ１和內部空間Ｃ１。各外部電極端子３２配置在第二密封構件３０的第二主面３０２的四個角落的區域中。各外部电极端子３２被形成為俯視呈近似Ｌ字形。各外部電極端子３２具有沿Ｘ軸方向延伸的Ｘ軸方向部分及沿Ｚ´軸方向延伸的Ｚ´軸方向部分，Ｘ軸方向部分的一端與Ｚ´軸方向部分的一端在第二密封構件３０的第二主面３０２的四個角落連接。

基於本實施方式，由於俯視時外部電極端子３２沿著外框部Ｗ１配置，所以將晶體振盪器１００安裝於外部電路基板時，能減小作用在密封路徑１１５、１１６上的應力，從而能提高密封路徑１１５、１１６的氣密性。以下，對此進行說明。

將晶體振盪器１００安裝在外部電路基板上時，例如用焊料等的導電性膠黏劑將外部電極端子３２連接在外部電路基板上。安裝於外部電路基板上時，由於焊料等導電性膠黏劑收縮，所以通過外部電極端子３２，對第二密封構件３０施加沿Ｚ´軸方向作用的拉伸應力或壓縮應力。即，安裝於外部電路基板上時，第二密封構件３０會反翹而產生使第二密封構件３０變形的應力，該應力有可能作用於密封路徑１１５、１１６。在此情況下，外部電極端子３２中，俯視時與內部空間Ｃ１疊合的部分越大，安裝於外部電路基板時因第二密封構件３０的變形而導致的作用於密封路徑１１５、１１６的應力越大，從而有可能無法確保密封路徑１１５、１１６的氣密性。其理由可認為是，外部電極端子３２被配置為，跨越了與外框部Ｗ１疊合的比較穩定的部分和與內部空間Ｃ１疊合的比較不穩定的部分。

對此，本實施方式中，由於俯視時外部電極端子３２被配置為沿著外框部Ｗ１配置，所以，外部電極端子３２中，儘量減小了與內部空間Ｃ１疊合的部分。由此，安裝於外部電路基板時，能減小因第二密封構件３０的變形而導致的作用於密封路徑１１５、１１６上的應力，從而能提高密封路徑１１５、１１６的氣密性。

而且，由於外部電極端子３２被配置為俯視時只與外框部Ｗ１疊合，不跨越外框部Ｗ１和內部空間Ｃ１，所以，能消除外部電極端子３２中的與內部空間Ｃ１疊合的部分。由此，安裝於外部電路基板時，能進一步減小因第二密封構件３０的變形而導致的作用在密封路徑１１５、１１６上的應力，從而能使密封路徑１１５、１１６的氣密性進一步提高。

另外，外部電極端子３２配置在第二密封構件３０的第二主面３０２的四個角落的區域中，並且，外部電極端子３２被形成為俯視呈近似Ｌ字形。如此，四個外部電極端子３２被設置為俯視時包圍著內部空間Ｃ１，因而，能合理地利用外框部Ｗ１的有限的空間來配置外部電極端子３２。

另外，本實施方式中，外部電極端子３２只設置在第二密封構件３０的第二主面３０２側，未設置在第一密封構件２０的第一主面３０１側。在第一密封構件２０的第一主面２０１側設置有用於安裝ＩＣ晶片４０的電極圖案２２。即，外部電極端子３２只形成在晶體振盪器１００的單面（第二密封構件側）上。並且，晶體振盪器１００中，第二密封構件３０上的外部電極端子３２具有與第一密封構件２０上的電極圖案２２相同的膜結構（層結構），例如，可採用與上述各種接合圖案相同的膜結構。具體而言，外部電極端子３２及電極圖案２２是由多個層進行層疊而構成的，較佳為，從其最下層側起蒸鍍形成Ｔｉ（鈦）層和Ａｕ（金）層。如此，通過使外部電極端子３２及電極圖案２２的膜結構與形成在晶體振盪器１００上的其它接合圖案、佈線、電極等的膜結構相同，能將外部電極端子３２及電極圖案２２與晶體振盪器１００上形成的其它接合圖案、佈線、電極等同時進行圖案化。此外，由於第二密封構件３０上的外部電極端子３２採用與第一密封構件２０上的電極圖案２２相同的膜結構（層結構），能使這些膜結構所產生的應力平衡均勻化，從而實現較為良好的結構。

本次公開的實施方式只是對各方面的示例，不作為限定性解釋的依據。因而，本發明的技術範圍不能只根據上述實施方式進行解釋，要根據請求項的記載來界定。另外，本發明包含與請求項等同的意義及範圍內的所有變更。

上述實施方式中，對將本發明應用於晶體振盪器１００的情況進行了說明。但不侷限於此，也可以將本發明應用於由第一密封構件２０、晶體振動片１０、及第二密封構件３０層疊而構成的晶體諧振器。

上述實施方式中，第二密封構件３０的第二主面３０２的外部電極端子３２的個數為４個，但不侷限於此，外部電極端子３２的個數例如可為２個、６個、或８個等。另外，外部電極端子３２的形狀不侷限於近似Ｌ字形，可以為任意形狀。例如，如圖８所示那樣，外部電極端子３２的形狀可為只有沿Ｘ軸方向延伸的Ｘ軸方向部分的近似矩形。另外，並非所有的外部電極端子３２均要有相同的形狀，例如，也可以為，四個外部電極端子３２中的一個為具有標記用的突起或缺口的形狀。

另外，上述實施方式中，將外部電極端子３２配置為俯視時只與外框部Ｗ１疊合，但也可以是，外部電極端子３２的一部分與內部空間Ｃ１疊合。在此情況下，從盡可能減小外部電極端子３２中與內部空間Ｃ１疊合的部分的觀點出發，較佳為，外部電極端子３２的幾乎所有部分（例如９０％以上的面積的部分）與外框部Ｗ１疊合，剩餘的較少的部分（例如１０％以下的面積的部分）與內部空間Ｃ１疊合。

上述實施方式中，對第一密封構件２０的第二主面２０２及第二密封構件３０的第一主面３０１為平坦面的情況進行了說明，但不侷限於此，也可以在第一密封構件２０的第二主面２０２及第二密封構件３０的第一主面３０１中的至少一方形成凹部。另外，也可以將晶體振動片１０的振動部１１構成為比外框部１２更薄。

另外，上述實施方式中，用石英晶體板構成第一密封構件２０及第二密封構件３０，但不侷限於此，例如也可以用玻璃、陶瓷構成第一密封構件２０及第二密封構件３０。

本申請基於２０１８年１２月１４日在日本提出的特願２０１８－２３４５５５號要求優先權。不言而喻，其所有內容被導入到本申請。

１０:晶體振動片（壓電振動板）

１１:振動部

１２:外框部

１３:保持部

１４:連接用接合圖案

１５:連接用接合圖案

２０:第一密封構件

２２:電極圖案

２３:金屬凸點

２４:密封側第一接合圖案

２５:連接用接合圖案

２７:佈線圖案

３０:第二密封構件

４０:ＩＣ晶片

３１:密封側第二接合圖案

３２:外部電極端子

３３:第六貫穿孔

３４:連接用接合圖案

１００:晶體振盪器（壓電振動器件）

１０１:第一主面

１０２:第二主面

１１１:第一激勵電極

１１２:第二激勵電極

１１３:第一引出佈線

１１４:第二引出佈線

１１５:密封路徑（密封部）

１１６:密封路徑（密封部）

１２１:振動側第一接合圖案

１２２:振動側第二接合圖案

１２３:連接用接合圖案

１２４:連接用接合圖案

１６１:第一貫穿孔

１６２:第二貫穿孔

２０１:第一主面

２０２:第二主面

２１１:第三貫穿孔

２１２:第四貫穿孔

２１３:第五貫穿孔

２６１:連接用接合圖案

２６２:連接用接合圖案

２６３:連接用接合圖案

３０１:第一主面

３０２:第二主面（另一個主面）

Ｃ１:內部空間

Ｌ１:交界線

Ｗ１:外框部

＋Ｘ:＋Ｘ軸方向

－Ｘ:－Ｘ軸方向

＋Ｚ´:＋Ｚ´軸方向

－Ｚ´:－Ｚ´軸方向

圖１是示意性地表示本發明的實施方式所涉及的晶體振盪器的各構成部分的概要結構圖。

圖２是晶體振盪器的第一密封構件的第一主面側的概要俯視圖。

圖３是晶體振盪器的第一密封構件的第二主面側的概要俯視圖。

圖４是晶體振盪器的晶體振動片的第一主面側的概要俯視圖。

圖５是晶體振盪器的晶體振動片的第二主面側的概要俯視圖。

圖６是晶體振盪器的第二密封構件的第一主面側的概要俯視圖。

圖７是晶體振盪器的第二密封構件的第二主面側的概要俯視圖。

圖８是表示變化例的晶體振盪器的與圖７相對應的圖。

30:第二密封構件

32:外部電極端子

33:第六貫穿孔

302:第二主面(另一個主面)

C1:內部空間

L1:交界線

W1:外框部

+X:+X軸方向

-X:-X軸方向

+Z′:+Z′軸方向

-Z′:-Z′軸方向

Claims

一種壓電振動器件，設置有在基板的一個主面上形成有第一激勵電極、且在所述基板的另一個主面上形成有與所述第一激勵電極成對的第二激勵電極的壓電振動板；將所述壓電振動板的所述第一激勵電極覆蓋的第一密封構件；及將所述壓電振動板的所述第二激勵電極覆蓋的第二密封構件，所述第一密封構件與所述壓電振動板相接合、且所述第二密封構件與所述壓電振動板相接合，從而形成將包括所述第一激勵電極和所述第二激勵電極的所述壓電振動板的振動部氣密密封的內部空間，其特徵在於：將所述壓電振動板的振動部氣密密封的密封部被構成為俯視呈環形，在所述第二密封構件的另一個主面上，形成有與外部電路基板電連接的多個外部電極端子，俯視時，各所述外部電極端子沿包圍著所述內部空間的外框部配置。
如請求項1所述的壓電振動器件，其中：所述外部電極端子被配置為，俯視時只與所述外框部疊合。
如請求項1或2所述的壓電振動器件，其中：各所述外部電極端子被配置在所述第二密封構件的另一個主面的角部。
如請求項3所述的壓電振動器件，其中：所述外部電極端子分別配置在所述第二密封構件的另一個主面的四個角落。
如請求項1至４中任一項所述的壓電振動器件，其中：各所述外部電極端子被構成為，俯視呈近似Ｌ字形。