TW202021335A - 子畫素陣列以及影像感測器 - Google Patents

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Abstract

本發明提出一種子畫素陣列以及影像感測器。子畫素陣列包括感光層、多個第一微透鏡以及多個第二微透鏡。感光層包括多個感測區域。所述多個感測區域非均勻地分布於感光層中。所述多個感測區域對應於多個子畫素。多個第一微透鏡形成在感光層上方，並且一對一地對應於所述多個感測區域。多個第二微透鏡形成在所述多個第一微透鏡上方，並且一對一地對應於所述多個第一微透鏡。所述多個第二微透鏡用以接收多個光信號，並且所述多個光信號經由所述多個第二微透鏡傳遞至所述多個第一微透鏡，接著經由所述多個第一微透鏡傳遞至所述多個感測區域。

Description

子畫素陣列以及影像感測器
本發明是有關於一種感測器，且特別是有關於一種子畫素陣列以及影像感測器的架構。
隨著影像感測技術的演進，各種影像感測器被不斷地被設計出來，並且被廣泛地應用於例如影像感測、距離感測、指紋感測、人臉感測等諸如此類的感測應用。然而，在具有特定功能的影像感測器的設計過程中，由於影像感測器必須搭載有其他功能電路，以實現特定的感測功能，因此如何設計有良好的布局架構，並且可有效地整合特定功能電路至影像感測器是目前本領域主要的研究與設計方向之一。有鑑於此，以下將提出幾個實施例的解決方案。
本發明提供一種子畫素陣列以及影像感測器具有良好的布局架構。
本發明的一種子畫素陣列包括感光層、多個第一微透鏡以及多個第二微透鏡。感光層包括多個感測區域。所述多個感測區域非均勻地分布於感光層中。所述多個感測區域對應於多個子畫素。所述多個第一微透鏡形成在感光層上方，並且一對一地對應於所述多個感測區域。所述多個第二微透鏡形成在所述多個第一微透鏡上方，並且一對一地對應於所述多個第一微透鏡。所述多個第二微透鏡用以接收多個光信號。所述多個光信號經由所述多個第二微透鏡傳遞至所述多個第一微透鏡，接著經由所述多個第一微透鏡傳遞至所述多個感測區域。
本發明的一種影像感測器包括多個子畫素陣列。所述多個子畫素陣列陣列排列為畫素陣列。所述多個子畫素陣列各別與各自周圍的子畫素陣列間隔配置。所述多個子畫素陣列各別包括感光層、多個第一微透鏡以及多個第二微透鏡。感光層包括多個感測區域。所述多個感測區域非均勻地分布於感光層中。所述多個感測區域對應於多個子畫素。所述多個第一微透鏡形成在感光層上方，並且一對一地對應於所述多個感測區域。所述多個第二微透鏡形成在所述多個第一微透鏡上方，並且一對一地對應於所述多個第一微透鏡。所述多個第二微透鏡用以接收多個光信號。所述多個光信號經由所述多個第二微透鏡傳遞至所述多個第一微透鏡，接著經由所述多個第一微透鏡傳遞至所述多個感測區域。
基於上述，本發明的子畫素陣列以及影像感測器可有效地將特定的功能電路整合至感光層中。特定的功能電路可例如是類比至數位轉換器（Analog to Digital Converter, ADC）。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
為了使本發明之內容可以被更容易明瞭，以下特舉實施例做為本發明確實能夠據以實施的範例。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件/步驟，係代表相同或類似部件。
圖1是依照本發明的一實施例的子畫素陣列的示意圖。圖1為應用於影像感測器的畫素陣列中的子畫素陣列，其中影像感測器可例如是互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）影像感測器（CMOS Image Sensor, CIS），但本發明並不限於此。圖1為多個子畫素架構的側視圖，並且本發明的子畫素架構可更包括一般影像感測器的其他必要架構或元件而不限於圖1所示。參考圖1，子畫素P1_1、P1_2以及第二方向D2的一側的另兩個子畫素（圖未示）組成一個子畫素陣列（如圖2A所示的子畫素陣列110_1），並且子畫素P2_1、P2_2以及第二方向D2的一側的又兩個子畫素（圖未示）組成一個子畫素陣列（如圖2A所示的子畫素陣列110_2）。在本實施例中，感光層110包括多個感測區域111_1、111_2、112_1、112_2，並且這些感測區域111_1、111_2、112_1、112_2分別屬於子畫素P1_1、P1_2、P2_1、P2_2。在本實施例中，這些感測區域111_1、111_2、112_1、112_2非均勻地分布於感光層110中。這些感測區域111_1、111_2、112_1、112_2可為光電二極體（photodiode）。
在本實施例中，這些感測區域111_1、111_2、112_1、112_2各別偏離於這些子畫素P1_1、P1_2、P2_1、P2_2的各別的畫素中心（例如第二微透鏡161_1、161_2、162_1、162_2各別透鏡中心光軸），並且在感光層110的這些感測區域111_1、111_2、112_1、112_2以外的區域更包括電路布局區域171~173。在本實施例中，電路布局區域171~173可例如包括類比至數位轉換器（Analog to Digital Converter, ADC）。也就是說，本實施例的子畫素P1_1、P1_2、P2_1、P2_2可透過將感測區域111_1、111_2、112_1、112_2以非均勻的方式配置，以便在感光層110可進一步設置電路布局區域171~173。因此，本實施例的這些子畫素P1_1、P1_2、P2_1、P2_2可有效地整合有類比至數位轉換器的電路布局。
在本實施例中，由於感測區域111_1、111_2、112_1、112_2各別偏離於子畫素P1_1、P1_2、P2_1、P2_2的各別的畫素中心，因此子畫素P1_1、P1_2、P2_1、P2_2分別以兩層微透鏡（micro-lenses）結構來將光信號傳導至感測區域111_1、111_2、112_1、112_2。詳細而言，第一介質層120形成在感光層110以及多個第一微透鏡131_1、131_2、132_1、132_2之間，並且第一介質層120可例如包括多個金屬走線耦接至這些感測區域111_1、111_2、112_1、112_2，以取得各子畫素的感測結果。第一微透鏡131_1、131_2、132_1、132_2一對一地對應於感測區域111_1、111_2、112_1、112_2。
在本實施例中，薄氧化層140覆蓋這些第一微透鏡131_1、131_2、132_1、132_2，以提供抗反射效果。第二介質層150形成在第一介質層120以及多個第二微透鏡161_1、161_2、162_1、162_2之間，以覆蓋這些第一微透鏡131_1、131_2、132_1、132_2。第二微透鏡161_1、161_2、162_1、162_2一對一地對應於第一微透鏡131_1、131_2、132_1、132_2，並且這些第二微透鏡161_1、161_2、162_1、162_2均勻地分布在第二介質層150上。
在本實施例中，光信號經由第三方向D3入射至第二微透鏡161_1、161_2、162_1、162_2，並且經由第二介質層150傳導至第一微透鏡131_1、131_2、132_1、132_2，接著再經由第一微透鏡131_1、131_2、132_1、132_2以及第一介質層120傳遞至這些感測區域111_1、111_2、112_1、112_2。第一方向D1、第二方向D2以及第三方向D3相互垂直。在本實施例中，這些子畫素P1_1、P1_2、P2_1、P2_2可例如是紅色（red）子畫素、綠色（green）子畫素、藍色（blue）子畫素以及紅外光（infrared）子畫素。感測區域111_1、111_2、112_1、112_2可各別例如用於感測紅光、綠光、藍光以及紅外光，並且例如經轉換後輸出對應的RGB影像資訊、紅外光感測資訊或距離資訊，但本發明並不加以限制。
對於子畫素P1_1來說，感測區域111_1朝第一方向D1偏移，並且第一微透鏡131_1也對應地沿著第一方向D1偏移，但本發明並不限於此。感測區域111_1以及第一微透鏡131_1可相對應地沿著第一方向D1或第二方向D2偏移設置。子畫素P1_1的第一微透鏡131_1為對稱（symmetric）微透鏡。子畫素P1_1的第二微透鏡161_1位於子畫素P1_1的畫素中心，並且第二微透鏡161_1為對稱微透鏡。也就是說，子畫素P1_1透過第一微透鏡131_1的位置偏移設計，以將光信號傳導致偏移的感測區域111_1。值得注意的是，第一介質層120的高度h11以及第二介質層150的高度h12可對應於第一微透鏡131_1的偏移距離來設計之，以使第一微透鏡131_1可將來自第二微透鏡161_1的光信號完全地傳導至感測區域111_1。以此類推，子畫素P1_2、P2_1、P2_2也可為相應的設計，因此不再贅述。
圖2A是依照本發明的一實施例的感光層的示意圖。圖2B是依照本發明的一實施例的多個第二微透鏡的示意圖。先參考圖2A，圖2A為影像感測器的畫素陣列的感光層的俯視圖。在圖2A中，感光層110設置多個2×2子畫素陣列，並且這些子畫素陣列各別與各自周圍的子畫素陣列間隔配置。搭配圖1來說，子畫素陣列110_1可包括四個子畫素，並且感測區域111_1~111_4相鄰但彼此未連接。子畫素陣列110_2可包括四個子畫素，因此感測區域112_1~112_4相鄰但彼此未連接。同理，其餘子畫素的感測區域的排列方式如圖2A所示。因此，感光層110的這些感測區域以外的空白區域110S可作為電路布局區域，以配置一或多個類比至數位轉換器。
接著參考圖2B，圖2B為影像感測器的畫素陣列的多個第二微透鏡的俯視圖。在圖2B中，第二介質層150上可形成多個第二微透鏡。這些第二微透鏡陣列排列且均勻地分布在第二介質層150上，並且這些第二微透鏡為對稱微透鏡，以有效地接收的整面的光信號。在圖2B中，第二微透鏡161_1~161_4可對應於圖2A的感測區域111_1~111_4，並且第二微透鏡162_1~162_4可對應於圖2A的感測區域112_1~112_4。此外，圖2B的影像感測器的畫素陣列的這些第二微透鏡在第三方向上D3還可配置一個大透鏡，以將感測的多個光信號聚光至這些第二微透鏡。
圖3是依照本發明的另一實施例的感光層的示意圖。參考圖3，本發明的影像感測器的畫素陣列亦可包括多個4×4子畫素陣列。圖3為影像感測器的畫素陣列的感光層的俯視圖。在圖3中，感光層210設置多個3×3子畫素陣列，並且這些子畫素陣列各別與各自周圍的子畫素陣列間隔配置。舉例而言，子畫素陣列210_1~210_4可各別包括十六個子畫素，並且各別對應的十六個感測區域相鄰但彼此未連接。因此，感光層210的這些感測區域以外的空白區域210S可作為電路布局區域，以配置一或多個類比至數位轉換器。
圖4是依照本發明的另一實施例的子畫素陣列的示意圖。圖4為多個子畫素架構的側視圖，並且本發明的子畫素架構可更包括一般影像感測器的其他必要架構或元件而不限於圖4所示。參考圖4，子畫素P4_1、P4_2組成一個子畫素陣列。在本實施例中，感光層410包括多個感測區域411_1、411_2，並且這些感測區域411_1、411_2分別屬於子畫素P4_1、P4_2。在本實施例中，這些感測區域411_1、411_2非均勻地分布於感光層410中。
在本實施例中，這些感測區域411_1、411_2各別偏離於這些子畫素P4_1、P4_2的各別的畫素中心（例如第二微透鏡461_1、461_2各別透鏡中心光軸），並且在感光層410的這些感測區域411_1、411_2以外的區域更包括電路布局區域471、472。在本實施例中，電路布局區域471、472可例如包括類比至數位轉換器。也就是說，本實施例的子畫素P4_1、P4_2可透過將感測區域411_1、411_2以非均勻的方式配置，以便在感光層410可進一步設置電路布局區域471、472。因此，本實施例的這些子畫素P4_1、P4_2有效地整合有類比至數位轉換器。
在本實施例中，由於感測區域411_1、411_2各別偏離於子畫素P4_1、P4_2的各別的畫素中心，因此子畫素P4_1、P4_2分別以兩層微透鏡結構來將光信號傳導至感測區域411_1、411_2。詳細而言，第一介質層420形成在感光層410以及多個第一微透鏡431_1、431_2之間，並且第一介質層420可例如包括多個金屬走線耦接至這些感測區域411_1、411_2，以取得各子畫素的感測結果。第一微透鏡431_1、431_2一對一地對應於感測區域411_1、411_2。
在本實施例中，薄氧化層440覆蓋這些第一微透鏡431_1、431_2，以提供抗反射效果。第二介質層450形成在第一介質層420以及多個第二微透鏡461_1、461_2之間，以覆蓋這些第一微透鏡431_1、431_2。第二微透鏡461_1、461_2一對一地對應於第一微透鏡431_1、431_2，並且這些第二微透鏡461_1、461_2均勻地分布在第二介質層450上。
在本實施例中，光信號經由第三方向D3入射至第二微透鏡461_1、461_2，並且經由第二介質層450傳導至第一微透鏡431_1、431_2，接著再經由第一微透鏡431_1、431_2以及第一介質層420傳遞至這些感測區域411_1、411_2。在本實施例中，這些子畫素P4_1、P4_2可例如是紅色子畫素、綠色子畫素、藍色子畫素以及紅外光子畫素。感測區域411_1、411_2可用於感測紅光、綠光、藍光以及紅外光，並且例如經轉換後輸出對應的RGB影像資訊、紅外光感測資訊或距離資訊，但本發明並不加以限制。
對於子畫素P4_1來說，感測區域411_1朝第一方向D1偏移，但第一微透鏡431_1可維持在子畫素P4_1的畫素中心（例如對應於第二微透鏡461_1的中心光軸），但本發明並不限於此。在一實施例中，感測區域411_1以及第一微透鏡431_1可相對應地沿著第一方向D1或第二方向D2偏移設置。值得注意的是，子畫素P4_1的第一微透鏡431_1為對稱微透鏡。子畫素P4_1的第二微透鏡461_1位於子畫素P4_1的畫素中心，並且第二微透鏡461_1為非對稱（asymmetric）微透鏡。也就是說，子畫素P4_1透過第二微透鏡461_1的非對稱微透鏡設計，以將光信號傳導致偏移的感測區域411_1。值得注意的是，第一介質層420的高度h41以及第二介質層450的高度h42可對應於第二微透鏡461_1的非對稱程度來設計之，以使第一微透鏡431_1可將來自第二微透鏡461_1的光信號完全地傳導至感測區域411_1。以此類推，子畫素P4_2也可為相應的設計，因此不再贅述。
圖5是依照本發明的又一實施例的子畫素陣列的示意圖。圖5為多個子畫素架構的側視圖，並且本發明的子畫素架構可更包括一般影像感測器的其他必要架構或元件而不限於圖5所示。參考圖5，子畫素P5_1、P5_2組成一個子畫素陣列。在本實施例中，感光層510包括多個感測區域511_1、511_2，並且這些感測區域511_1、511_2分別屬於子畫素P5_1、P5_2。在本實施例中，這些感測區域511_1、511_2非均勻地分布於感光層510中。
在本實施例中，這些感測區域511_1、511_2各別偏離於這些子畫素P5_1、P5_2的各別的畫素中心（例如第二微透鏡561_1、561_2各別透鏡中心光軸），並且在感光層510的這些感測區域511_1、511_2以外的區域更包括電路布局區域571、572。在本實施例中，電路布局區域571、572可例如包括類比至數位轉換器。也就是說，本實施例的子畫素P5_1、P5_2可透過將感測區域511_1、511_2以非均勻的方式配置，以便在感光層510可進一步設置電路布局區域571、572。因此，本實施例的這些子畫素P5_1、P5_2有效地整合有類比至數位轉換器。
在本實施例中，由於感測區域511_1、511_2各別偏離於子畫素P5_1、P5_2的各別的畫素中心，因此子畫素P5_1、P5_2分別以兩層微透鏡結構來將光信號傳導至感測區域511_1、511_2。詳細而言，第一介質層520形成在感光層510以及多個第一微透鏡531_1、531_2之間，並且第一介質層520可例如包括多個金屬走線耦接至這些感測區域511_1、511_2，以取得各子畫素的感測結果。第一微透鏡531_1、531_2一對一地對應於感測區域511_1、511_2。
在本實施例中，薄氧化層540覆蓋這些第一微透鏡531_1、531_2，以提供抗反射效果。第二介質層550形成在第一介質層520以及多個第二微透鏡561_1、561_2之間，以覆蓋這些第一微透鏡531_1、531_2。第二微透鏡561_1、561_2一對一地對應於第一微透鏡531_1、531_2，並且這些第二微透鏡561_1、561_2均勻地分布在第二介質層550上。
在本實施例中，光信號經由第三方向D3入射至第二微透鏡561_1、561_2，並且經由第二介質層550傳導至第一微透鏡531_1、531_2，接著再經由第一微透鏡531_1、531_2以及第一介質層520傳遞至這些感測區域511_1、511_2。在本實施例中，這些子畫素P5_1、P5_2可例如是紅色子畫素、綠色子畫素、藍色子畫素以及紅外光子畫素。感測區域511_1、511_2可用於感測紅光、綠光、藍光以及紅外光，並且例如經轉換後輸出對應的RGB影像資訊、紅外光感測資訊或距離資訊，但本發明並不加以限制。
對於子畫素P5_1來說，感測區域511_1朝第一方向D1偏移，但第一微透鏡531_1可維持在子畫素P5_1的畫素中心（例如對應於第二微透鏡561_1的中心光軸），但本發明並不限於此。在一實施例中，感測區域511_1以及第一微透鏡531_1可相對應地沿著第一方向D1或第二方向D2偏移設置。值得注意的是，子畫素P5_1的第一微透鏡531_1為非對稱微透鏡。子畫素P5_1的第二微透鏡561_1位於子畫素P5_1的畫素中心，並且第二微透鏡561_1亦為非對稱微透鏡。也就是說，子畫素P5_1透過第一微透鏡531_1以及第二微透鏡561_1的非對稱微透鏡設計，以將光信號傳導致偏移的感測區域511_1。值得注意的是，第一介質層520的高度h51以及第二介質層550的高度h52可對應於第一微透鏡531_1以及第二微透鏡561_1的非對稱程度來設計之，以使第一微透鏡531_1可將來自第二微透鏡561_1的光信號完全地傳導至感測區域511_1。以此類推，子畫素P5_2也可為相應的設計，因此不再贅述。
綜上所述，本發明的子畫素陣列以及影像感測器的感光層可設計有非均勻分布的多個感測區域，以有效地節省的感測區域的布局架構面積，來設置其他功能電路，例如類比至數位轉換器。並且，本發明的子畫素陣列以及影像感測器可透過第一微透鏡組以及第二微透鏡組來進行兩階段導光，以有效地將完整的光信號傳導至非均勻配置的這些感測區域中。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
110、210、410、510:感光層 110_1、110_2、210_1~210_4:子畫素陣列 111_1~111_4、112_1~112_4、411_1、411_2、511_1、511_2:感測區域 120、420、520:第一介質層 131_1、131_2、132_1、132_2、431_1、431_2、531_1、531_2:第一微透鏡 140、440、540:薄氧化層 150、450、550:第二介質層 161_1~161_4、162_1~162_4、461_1、461_2、561_1、561_2:第二微透鏡 171~173、471、472、571、572:電路布局區域 D1、D2、D3:方向 h11、h12、h41、h42、h51、h52:高度 110S、210S:空白區域 P1_1、P1_2、P2_1、P2_2、P4_1、P4_2、P5_1、P5_2:子畫素
圖1是依照本發明的一實施例的子畫素陣列的示意圖。 圖2A是依照本發明的一實施例的感光層的示意圖。 圖2B是依照本發明的一實施例的多個第二微透鏡的示意圖。 圖3是依照本發明的另一實施例的感光層的示意圖。 圖4是依照本發明的另一實施例的子畫素陣列的示意圖。 圖5是依照本發明的又一實施例的子畫素陣列的示意圖。
110:感光層
111_1、111_2、112_1、112_2:感測區域
120:第一介質層
131_1、131_2、132_1、132_2:第一微透鏡
140:薄氧化層
150:第二介質層
161_1、161_2、162_1、162_2:第二微透鏡
171~173:電路布局區域
D1、D2、D3:方向
h11、h12:高度
P1_1、P1_2、P2_1、P2_2:子畫素

Claims (20)

  1. 一種子畫素陣列，包括： 一感光層，包括多個感測區域，其中該些感測區域非均勻地分布於該感光層中，並且該些感測區域對應於多個子畫素； 多個第一微透鏡，形成在該感光層上方，並且一對一地對應於該些感測區域；以及 多個第二微透鏡，形成在該些第一微透鏡上方，並且一對一地對應於該些第一微透鏡，其中該些第二微透鏡用以接收多個光信號，並且該些光信號經由該些第二微透鏡傳遞至該些第一微透鏡，接著經由該些第一微透鏡傳遞至該些感測區域。
  2. 如申請專利範圍第1項的子畫素陣列，其中該些感測區域各別偏離於該些子畫素的各別的畫素中心，並且在該感光層的該些感測區域以外的區域更包括一電路布局區域，其中該電路布局區域包括一類比至數位轉換器。
  3. 如申請專利範圍第1項的子畫素陣列，其中該些子畫素包括一紅色子畫素、一綠色子畫素、一藍色子畫素以及一紅外光子畫素的至少其中之一。
  4. 如申請專利範圍第1項的子畫素陣列，更包括： 一第一介質層，形成在該感光層以及該些第一微透鏡之間，並且包括多個金屬走線耦接至該些感測區域； 一第二介質層，形成在該第一介質層以及該些第二微透鏡之間，以覆蓋該些第一微透鏡，其中該些第二微透鏡均勻地分布在該第二介質層上；以及 一薄氧化層，覆蓋該些第一微透鏡上。
  5. 如申請專利範圍第1項的子畫素陣列，其中該些第一微透鏡為多個對稱微透鏡。
  6. 如申請專利範圍第1項的子畫素陣列，其中該些第一微透鏡為多個非對稱微透鏡。
  7. 如申請專利範圍第1項的子畫素陣列，其中該些第二微透鏡為多個對稱微透鏡。
  8. 如申請專利範圍第1項的子畫素陣列，其中該些第二微透鏡為多個非對稱微透鏡。
  9. 如申請專利範圍第1項的子畫素陣列，其中該些第一微透鏡對應於該些感測區域，並且均勻地分布在一第一介質層上。
  10. 如申請專利範圍第1項的子畫素陣列，其中該些第一微透鏡對應於該些感測區域，並且非均勻地分布在一第一介質層上。
  11. 一種影像感測器，包括： 多個子畫素陣列，陣列排列為一畫素陣列，並且該些子畫素陣列各別與各自周圍的子畫素陣列間隔配置，其中該些子畫素陣列各別包括： 一感光層，包括多個感測區域，其中該些感測區域非均勻地分布於該感光層中，並且該些感測區域對應於多個子畫素； 多個第一微透鏡，形成在該感光層上方，並且一對一地對應於該些感測區域；以及 多個第二微透鏡，形成在該些第一微透鏡上方，並且一對一地對應於該些第一微透鏡，其中該些第二微透鏡用以接收多個光信號，並且該些光信號經由該些第二微透鏡傳遞至該些第一微透鏡，接著經由該些第一微透鏡傳遞至該些感測區域。
  12. 如申請專利範圍第11項的影像感測器，其中該些感測區域各別偏離於該些子畫素的各別的畫素中心，並且在該感光層的該些感測區域以外的區域更包括一電路布局區域， 其中該些感測區域包括該電路布局區域包括一類比至數位轉換器。
  13. 如申請專利範圍第11項的影像感測器，其中該些子畫素包括一紅色子畫素、一綠色子畫素、一藍色子畫素以及一紅外光子畫素的至少其中之一。
  14. 如申請專利範圍第11項的影像感測器，更包括： 一第一介質層，形成在該感光層以及該些第一微透鏡之間，並且包括多個金屬走線耦接至該些感測區域； 一第二介質層，形成在該第一介質層以及該些第二微透鏡之間，以覆蓋該些第一微透鏡，其中該些第二微透鏡均勻地分布在該第二介質層上；以及 一薄氧化層，覆蓋該些第一微透鏡上。
  15. 如申請專利範圍第11項的影像感測器，其中該些第一微透鏡為多個對稱微透鏡。
  16. 如申請專利範圍第11項的影像感測器，其中該些第一微透鏡為多個非對稱微透鏡。
  17. 如申請專利範圍第11項的影像感測器，其中該些第二微透鏡為多個對稱微透鏡。
  18. 如申請專利範圍第11項的影像感測器，其中該些第二微透鏡為多個非對稱微透鏡。
  19. 如申請專利範圍第11項的影像感測器，其中該些第一微透鏡對應於該些感測區域，並且均勻地分布在一第一介質層上。
  20. 如申請專利範圍第11項的影像感測器，其中該些第一微透鏡對應於該些感測區域，並且非均勻地分布在一第一介質層上。
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