JP2016164956A

JP2016164956A - 固体撮像装置

Info

Publication number: JP2016164956A
Application number: JP2015045337A
Authority: JP
Inventors: 田辺　健; Takeshi Tanabe; 健田辺; 隆二羽田; Ryuji Haneda; 篤司増田; Atsushi Masuda; 展松本; Nobu Matsumoto
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2015-03-06
Filing date: 2015-03-06
Publication date: 2016-09-08

Abstract

【課題】一方向によらず偏光成分を分離することができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】副画素領域が行列状に配列された画素領域を有し、副画素領域には複数の画素が行列状に配列しており、画素には、半導体基板と、半導体基板に設けられた光電変換素子と、半導体基板上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜中に設けられた開口を有する配線と、絶縁膜上に、延伸方向と直交する方向に所定の間隔ごとに設けられた複数の偏光部材を有する偏光フィルタと、を有し、複数の偏光部材は複数の偏光部材の一端と他端が開口をまたいで構成され、副画素領域には、少なくとも３方向に延伸する複数の偏光部材を有する。【選択図】図２

Description

本実施形態は固体撮像装置に関する。

固体撮像装置は、光電変換素子を含む画素が行列状に配列された画素領域を有する。現
在の光電変換素子は可視光波長から近赤外線にわたる幅広い感度を有しており、色鮮やか
なカラー画素を描画することができる。しかし、光電変換素子では、物体の表面で反射・
散乱した光が特定の方向に偏った偏光成分を分けて受光することができない。このため光
電変換素子では、偏光成分の違いによる情報を得ていない。従来、偏光フィルタを装着す
ることにより偏光成分の方向を分けていたが、１方向の偏光情報しか取得することができ
なかった。また、偏光成分強度や偏光情報を取得するために偏光フィルタを回転させて複
数枚の画素を取得する必要があり、どの偏光成分が多いかといった偏光成分強度や偏光方
向の情報を同時に得ることができなかった。

特開２０１０−２６３１５８号公報

一方向によらず偏光成分を分離することができる固体撮像装置を提供する。

副画素領域が行列状に配列された画素領域を有し、副画素領域には複数の画素が行列
状に配列しており、画素には、半導体基板と、半導体基板に設けられた光電変換素子と、
半導体基板上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜中に設けられた開口を有する配線と、絶縁膜
上に、延伸方向と直交する方向に所定の間隔ごとに設けられた複数の偏光部材を有する偏
光フィルタと、を有し、複数の偏光部材は複数の偏光部材の一端と他端が開口をまたいで
構成され、副画素領域には、少なくとも３方向に延伸する複数の偏光部材を有する。

固体撮像装置の画素領域及び回路領域を示す平面図。第１実施形態に係る固体撮像装置の副画素領域を示す平面図。第１実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面模式図。第１実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面模式図。第２実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面模式図。第２実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面模式図。第２実施形態に係る固体撮像装置の副画素領域を示す平面図。第３実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面模式図。第３実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面模式図。

以下、第１実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において、同様の
構成要素については同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１実施形態）

第１実施形態に係る固体撮像装置を図１から図３を参照して説明する。図１は、固体撮
像装置の画素領域及び回路領域を示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る固体撮
像装置の副画素領域を示す平面図である。図３は第１実施形態に係る固体撮像装置の構成
を示す断面模式図である。図４は第１実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面模式
図である。

第1実施形態に係る固体撮像装置１００は、半導体基板１と、光電変換素子６と、第１
絶縁膜７、第２絶縁膜９、配線８、偏光部材１０を有する偏光フィルタ１２、カラーフィ
ルタ１４及びマイクロレンズ１５を有する。

第１実施形態に係る固体撮像装置の一例として、表面照射型固体撮像装置を示す。ここ
で、表面照射型固体撮像装置は、配線８が設けられた側から光が入射し光電変換素子６で
受光する構造である。

図１に示すように、半導体基板１には画素領域２と画素領域２とは異なる回路領域３が
設けられている。

画素領域２は、副画素領域５が行列状に配列されている領域をいう。

副画素領域５は、画素４が行列状に配列されている領域をいう。

回路領域３は、画素４の動作を行う回路等が設けられている領域をいう。尚、回路領域
３の詳細な説明については省略する。

画素４は光電変換素子６及び複数のトランジスタを含む。光電変換素子６は、入射した
光を光電変換し、光量に応じた電荷を蓄積する。尚、トランジスタの説明については省略
する。複数のトランジスタには、例えば光電変換素子６に蓄積され電荷をフローティング
ディフュージョンに転送する転送トランジスタと、フローティングディフュージョンを所
定の電圧にリセットするリセットトランジスタと、フローティングディフュージョンの電
圧に応じた電位を出力する増幅トランジスタと、選択信号に従って増幅トランジスタによ
り伝達された信号を垂直信号線に出力する選択トランジスタとを含む。尚、トランジスタ
の詳細な説明については省略する。

第１実施形態では、図２に示すように、2×2に配列された画素４の群れを副画素領域５
として説明する。副画素領域５には、少なくとも３方向に延伸する偏光部材１０が設けら
れている。尚、偏光部材１０については後述する。

次にこれらを構成する画素４の構造について説明する。画素４の一例として図２に示し
た画素４をI_a-I_a方向に切った断面図を図３に示す。

図３に示すように、光電変換素子６は半導体基板１に設けられている。

絶縁膜としての第１絶縁膜７は、半導体基板１上に設けられている。第１絶縁膜９は例
えば、シリコン酸化膜（SiO₂）や窒化シリコン（SiN）である。第１絶縁膜７中には、光
電変換素子６に蓄積された電荷を読み出すトランジスタ（図示しない）、X方向又はY方向
に延伸した配線８及び、半導体基板１の厚み方向であるZ方向に隣り合う配線８とを接続
するビア（図示しない）が設けられている。配線８の材料は例えば、アルミニウム（Al）
、銅（Cu）やタングステン（W）などである。配線８には、半導体基板１と平行な面内で
隣り合う配線８の間に開口１８を有している。開口１８の寸法の一例として、X方向は190
0nmであり、Y方向は1900nmである。

偏光フィルタ１２は光電変換素子６上に位置するように第１絶縁膜７上に設けられてい
る。偏光フィルタ１２は延伸方向と直交する方向に所定の間隔ごとに設けられた偏光部材
１０から構成される。また偏光フィルタは第２絶縁膜９に覆われており、隣り合う偏光部
材１０の間にはスリット領域１１を有する。第２絶縁膜９は第１絶縁膜７と同じ材料であ
ってもいいし、異なっていても実施可能である。第２絶縁膜９の一例として例えば、酸化
シリコン（SiO₂）や窒化シリコン（SiN）である。偏光部材１０は、画素４により延伸方
向が異なる。例えば、X個の画素４から構成された副画素領域５の場合、第１番目の画素
４における偏光部材１０において、延伸方向と所定の方向との成す角をθ_１とする。また
、第１番目の画素４を除く残りの画素４を（n−１）した時、選択されたn番目（２≦n≦X
）の画素４を構成する画素４における偏光部材１０の延びる方向と所定の方向との成す角
度をθ_nとした時、

（数１）θ_n＝θ_１＋（１８０/X）×（n−１）
で表される。

例えば５個（X=５）の画素４から構成される場合は、
θ₁＝０（度）
θ₂＝θ_１＋３６（度）
θ₃＝θ_１＋７２（度）
θ₄＝θ_１＋１０８（度）
θ₅＝θ_１＋１４４（度）
で表すことができる。

第１実施形態では一例として、図２に示すように副画素領域５は４個（X=4）の画素４
から構成されるとして説明する。この時、それぞれの角度は、
θ₁＝０（度）
θ₂＝θ_１＋４５（度）
θ₃＝θ_１＋９０（度）
θ₄＝θ_１＋１３５（度）
である。

ここで、θ＝０（度）であるX方向に延伸し偏光部材１０を有する第１偏光フィルタ１
２aが設けられた画素４を第１画素４aとする。X方向に対してθ＝９０（度）であるY方向
に延伸した偏光部材１０を有する第２偏光フィルタ１２bが設けられた画素を第２画素４b
とする。X方向からY方向に向かい、θ＝４５（度）傾いた方向に延伸した偏光部材10を有
する第３偏光フィルタ12cが設けられた画素を第３画素4cとする。また、X方向からY方向
に向かい、θ＝１３５（度）傾いた方向に延伸した偏光部材10を有する第４偏光フィルタ
12cが設けられた画素を第４画素4dとする。

それぞれの偏光部材10の一端及び他端は開口18をまたいで構成される。偏光フィルタ12
は偏光部材10の傾きにより偏光成分を有する光を通過又は分離する。偏光部材10は例えば
、アルミニウム（Al）、銅（Cu）、金（Au）、銀（Ag）、白金（Pt）、タングステン（W
）あるいは、これらの金属を含む合金など、光電変換素子6が感度を有する波長領域にお
いて複素屈折率の小さい導電材料から構成される。また、カーボンナノチューブなどの線
状材料を格子状に配置して複数の帯状の導電材料層を得ることもできるし、金や銀、CdSe
等の名の粒子を格子状に配置若しくは印刷することで複数の帯状の導電材料を得ることも
できる。第１画素4a及び第２画素4bに設けられた偏光部材10の長さは、例えば1990~2010n
mであり、第３画素4c及び第４画素4dに設けられた偏光部材10の長さは位置によって異な
るが、長さの最大値は例えば、2700~3000nmであり、最小値は480~510nmである。偏光部材
10の幅は例えば50~70nmであり、厚さは例えば90~110nmである。スリット領域11は、第２
絶縁膜9で覆われていてもよりし、第２絶縁膜9が設けられず空気等で満たされていてもよ
い。スリット領域11の幅は、偏光部材１０の幅より大きければよく、例えば、90~110nmで
ある。

第２絶縁膜９上には平滑化層１３が設けられている。平滑化層１３は第２絶縁膜９と後
述のカラーフィルタ１４との間の平坦性を確保するために用いられる。尚、平滑化層１３
は第２絶縁膜９上に有ってもよいし、なくても実施可能である。

カラーフィルタ１４は平滑化層１３を介して第２絶縁膜９上に設けられている。カラー
フィルタ１４は例えば、赤色、緑色、青色、シアン色、マゼンダ色、黄色等の特定波長を
透過させるカラーフィルタ１４の他、可視光波長領域全体の透過率を減衰させるニュトラ
ルグレーフィルタ（NDフィルター）である。カラーフィルタ１４を構成する樹脂材は例え
ば、顔料や染料等の有機化合物を用いた有機材料系である。また、カラーフィルタ１４は
、フォトニック結晶や、導体薄膜に格子状の穴構造を設けた導体格子構造を有する導体グ
リッド、アモルファスシリコン等の無機材料から成る薄膜から構成されてもよい。第１実
施形態にはカラーフィルタ１４が設けられているとして説明するが、図４に示すようにカ
ラーフィルタ１４を設けなくても実施可能である。

カラーフィルタ１４の配列は、例えば、ベイヤ配列、インターライン配列、Gストライ
プPB市松配列、GストライプRB完全市松配列、市松補色配列、ストライプ配列、ななめス
トライプ配列、原色色差配列、フィールド色差順次配列、フレーム色差順次配列、MOS型
配列、改良MOS型配列、フレームインターリーブ配列、フィールドインターリーブ配列が
ある。

第１実施形態においてカラーフィルタ１４は、赤色、緑色及び青色として説明する。副
画素領域５が第１画素4a、第２画素4b、第３画素4c及び第４画素4dから構成される場合、
カラーフィルタ１４は、隣り合う画素４上で異なった色が設けられてもよいし全て同じ色
でも実施可能である。隣り合う画素４上に異なった色のカラーフィルタ１４が設けられた
場合、副画素領域５では透過する波長領域が異なる。

平滑化層１３はカラーフィルタ１４上に設けられている。平滑化層１３はカラーフィル
タ１４と後述のマイクロレンズ１５との間の平坦性を確保するために用いられる。平滑化
層１３は例えば酸化シリコン（SiO₂）や窒化シリコン（SiN）等の透明な材料から構成さ
れる。

マイクロレンズ１５が光電変換素子６に対応するように設けられている。マイクロレン
ズ１５はカラーフィルタ１４上に平滑化層１３を介して設けられている。マイクロレンズ
１５は光電変換素子６に光を効率よく集光する役割を有する。光電変換素子６上には反射
防止膜１６が設けられている。尚、反射防止膜１６はマイクロレンズ１５上に設けられて
いなくても実施可能である。

尚、平滑化層１３は設けられていなくても実施可能である。

次に第１実施形態に係る固体撮像装置の作用及び効果について図２及び図３を用いて説
明する。

様々な方向を有する偏光成分の光はマイクロレンズ１５及びカラーフィルタ１４を透過
する。その後、図２に示すように、光は各画素４に設けられた偏光フィルタ１２の偏光部
材１０が延伸する方向により通過又は遮断される。偏光部材１０が延伸する方向と直交す
る方向の偏光成分を有する光は、偏光フィルタ１２のスリット領域１１から通過し、偏光
部材１０と平行な方向の偏光成分を有する光は偏光フィルタ１２の偏光部材１０により通
過を抑制される。第１実施形態では、画素４にはいずれかの方向に延伸した偏光部材１０
を有する偏光フィルタ１２が設けられている。これにより偏光部材１０が延伸する方向に
応じた偏光成分を分離することが可能である。また、偏光フィルタ１２を構成する偏光部
材１０の一端及び他端は、配線８が有する開口１８をまたいで構成される。このため、光
電変換素子６の中心部に対して、配線８側に位置する光電変換素子６は、偏光成分の光が
分離された光を受光することができる。つまり、光電変換素子６の中心部に限らず、配線
側の領域でも偏光成分が分離された光を受光することが可能である。

偏光フィルタ１０を通過した光は、配線８が有する開口１８から光電変換素子６へ入射
する。配線８は光を遮光する役割も有する。このため、偏光フィルタ１２の偏光部材１０
が延伸する方向と配線８が延伸する方向により、偏光フィルタ１２を通過した光をさらに
分離、又は遮断することも可能である。

以上より偏光フィルタ１２の偏光部材１０が延伸する方向により偏光成分が分離された
状態で光電変換素子６に入射する。

第１実施形態では、画素４ごとに異なる方向に延伸させた偏光部材１０を有する偏光フ
ィルタ１２を設けた。これにより、様々な方向を有する偏光成分の光を偏光部材１０が延
伸した方向に応じて分離することが可能である。これにより、画素４に含まれる光電変換
素子６では、偏光部材１０に応じて偏光成分が分離された光を受光することができるため
、偏光成分強度や偏光方向の情報を得ることができる。

また、配線８及び偏光部材１０の材料が同一であっても実施可能であるため、製造工程
を変えることなく作成可能である。これにより、製造コストを抑えることが可能である。

第１実施形態に係る固体撮像装置では、図２に示したように第１絶縁膜７内に含まれる
配線８を２層しか記載しないが、更に３層、４層としても実施可能である。

（第２実施形態）

第２実施形態に係る固体撮像装置を図５から図７を用いて説明する。図５及び図６は、
第２実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面模式図である。図７は第２実施形態に
係る固体撮像装置の副画素領域を示す平面図である。

第２実施形態に係る固体撮像装置２００が第１実施形態と異なる点は、配線８が設けら
れた絶縁膜としての第１絶縁膜７が光の受光面と反対側の半導体基板１に設けられた点及
び、支持基板１９を設けた点である。第２実施形態に係る固体撮像装置は、上記点を除い
て、第１実施形態に係る固体撮像装置の構造と同じであるので、同一部分には同一符号を
付して詳細な説明は省略する。

第２実施形態に係る固体撮像装置の構造について説明する。

第２実施形態に係る固体撮像装置２００は裏面照射型固体撮像装置である。裏面照射型
固体撮像装置は、配線８が設けられた半導体基板１側とは反対側から光が入射し光電変換
素子６で受光する構造である。

第１絶縁膜７が半導体基板１の光を受光する面とは反対側に設けられている。第１絶縁
膜７内には光電変換素子６で発生した電荷を読み出すトランジスタ（図示しない）及び配
線８が設けられている。

支持基板１９が第１絶縁膜７上に設けられている。裏面照射型固体撮像装置において、
光電変換素子６が設けられた半導体基板１を研磨し薄くするため、支持基板１９は固体撮
像装置の強度を保つために設けられている。

偏光フィルタ１２は半導体基板上１上に設けられている。偏光フィルタ１２の構成は第
１実施形態と同じであるため説明を省略する。

偏光フィルタ１２上には平滑化層１３が設けられている。

平滑化層１３上には遮光部材２０が設けられている。遮光部材２０はX方向又はY方向に
延伸しており、半導体基板１と平行な面内で隣り合う遮光部材２０の間に開口１８を有し
ている。図７に示すように、開口１８は、偏光フィルタ１２を構成する偏光部材１０の一
端及び他端よりも内側に位置している。つまり、偏光部材１０の一端及び他端が開口１８
をまたいで構成されている。また遮光部材２０は画素４を区画する役割を有している。開
口１８の寸法の一例として、X方向は1900nmであり、Y方向は1900nmである。遮光部材２０
の材料は例えば、アルミニウム（Al）、銅（Cu）やタングステン（W）などである。隣り
合う遮光部材２０の間にある開口１８には、例えば平滑化層１３を構成する材料である酸
化シリコン（SiO2）や窒化シリコン（SiN）により埋められていてもよいし、後述のカラ
ーフィルタ１４を構成する樹脂材により覆われていてもよい。第２実施形態では、開口１
８にはカラーフィルタ１４を構成する樹脂に覆われているとして説明する。

カラーフィルタ１４は遮光部材２０上及び、開口１８内に設けられている。第２実施形
態ではカラーフィルタ１４が設けられているとして説明するが、図６に示すようにカラー
フィルタ１４が設けられていなくても実施可能である。

マイクロレンズ１５がカラーフィルタ１４上に設けられている。

次に第２実施形態に係る固体撮像装置の作用及び効果について説明する。

マイクロレンズ１５及びカラーフィルタ１４を透過した光は、遮光部材２０により開口
１８内部以外で遮断される。開口１８を通過した光は、偏光フィルタ１２を構成する偏光
部材１０が延伸する方向に応じて偏光成分が分離される。これにより、様々な方向の偏光
成分の光を偏光部材１０が延伸した方向に応じて分離することが可能である。これにより
、画素４に含まれる光電変換素子６では、偏光部材１０に応じて偏光成分が分離された光
を受光することができるため、偏光成分強度や偏光方向の情報を得ることができる。

また偏光部材１０及び遮光部材２０の材料が同一であっても実施可能であるため、製造
工程を変えることなく作成可能である。これにより、製造コストを抑えることが可能であ
る。

（第３実施形態）

第３実施形態に係る固体撮像装置を図８及び図９を用いて説明する。図８及び図９は、
第３実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面模式図である。

第３実施形態に係る固体撮像装置が第２実施形態と異なる点は、偏光フィルタ１２が第
３絶縁膜２１で覆われた遮光部材２０よりも光の入射面側に設けられた点である。第３実
施形態に係る固体撮像装置は、上記点を除いて、第３実施形態に係る固体撮像装置の構造
と同じであるので、同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

第３実施形態に係る固体撮像装置の構造について説明する。

第３実施形態に係る固体撮像装置３００は裏面照射型固体撮像装置である。第２実施形
態に係る固体撮像装置２００と同一部分については説明を省略する。

半導体基板１上には平滑化層１３が設けられている。

平滑化層１３上に第３絶縁膜２１が設けられている。遮光部材２１は第３絶縁膜２１中
設けられている。第３絶縁膜２１は第１絶縁膜７及び第２絶縁膜９と同じ材料であっても
よいし異なっていても実施可能である。第３絶縁膜２１は例えば、酸化シリコン（SiO₂）
や窒化シリコン（SiN）である。遮光部材２０はX方向又はY方向に延伸しており、半導体
基板１と平行な面内で隣り合う遮光部材２０の間に開口１８を有している。開口１８は、
偏光フィルタ１２を構成する偏光部材１０の一端及び他端よりも内側に位置している。つ
まり、偏光部材１０の一端及び他端が開口１８をまたいで構成されている。また遮光部材
２０は画素４を区画する役割を有している。開口１８の寸法の一例として、X方向は1900n
mであり、Y方向は1900nmである。遮光部材２０の材料は例えば、例えば、アルミニウム（
Al）、銅（Cu）やタングステン（W）などである。

偏光フィルタ１２は第３絶縁膜２１上に設けられている。偏光フィルタ１２の構成は第
１実施形態と同じであるため説明を省略する。

カラーフィルタ１４は偏光フィルタ１２上に設けられている。図６に示すようにカラー
フィルタ１４が設けられていなくても実施可能である。また、平滑化層１３は設けられて
いなくても実施可能である。

次に第３実施形態に係る固体撮像装置の作用及び効果について説明する。

マイクロレンズ１５及びカラーフィルタ１４を透過した光は、偏光フィルタ１２を構成
する偏光部材１０が延伸する方向に応じて偏光成分が分離される。これにより、様々な方
向の偏光成分の光を偏光部材１０が延伸した方向に応じて分離することが可能である。こ
れにより、画素４に含まれる光電変換素子６では、偏光部材１０に応じて偏光成分が分離
された光を受光することができるため、偏光成分強度や偏光方向の情報を得ることができ
る。

偏光フィルタ１２を透過した光は、偏光部材２０が有する開口１８内部以外で遮断され
、光電変換素子６へ入射する。また、偏光部材１０及び遮光部材２０の材料が同一であっ
ても実施可能であるため、製造工程を変えることなく作成可能である。これにより、製造
コストを抑えることが可能である。

本発明の実施形態を説明したが、本実施形態は、例として提示したものであり、発明の
範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実
施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変
更を行うことができる。本実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに
、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１・・・半導体基板
２・・・画素領域
３・・・回路領域
４・・・画素
４a・・・第１画素
４b・・・第２画素
４c・・・第３画素
５・・・副画素領域
６・・・光電変換素子
７・・・第１絶縁膜
８・・・配線
９・・・第２絶縁膜
１０・・・偏光部材
１１・・・スリット領域
１２・・・偏光フィルタ
１３・・・平滑化層
１４・・・カラーフィルタ
１５・・・マイクロレンズ
１６・・・反射防止膜
１８・・・開口
１９・・・支持基板
２０・・・遮光部材
２１・・・第３絶縁膜

Claims

副画素領域が行列状に配列された画素領域を有し、
前記副画素領域には複数の画素が行列状に配列しており、
前記画素には、半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた光電変換素子と、
前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜中に設けられた開口を有する配線と、
前記絶縁膜上に、延伸方向と直交する方向に所定の間隔ごとに設けられた複数の偏光部
材を有する偏光フィルタと、を有し、
前記複数の偏光部材は前記複数の偏光部材の一端と他端が前記開口をまたいで構成され
、
前記副画素領域には、少なくとも３方向に延伸する前記複数の偏光部材を有することを
特徴とする固体撮像装置。
副画素領域が行列状に配列された画素領域を有し、
前記副画素領域には複数の画素が行列状に配列しており、
前記画素には、半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた光電変換素子と、
前記半導体基板上に延伸方向と直交する方向に所定の間隔ごとに設けられた複数の偏光
部材を有する偏光フィルタと、
前記偏光フィルタ上に設けられた開口を有する遮光部材と、を有し、
前記複数の偏光部材は、前記複数の偏光部材の一端と他端が前記開口をまたいで構成さ
れ、
前記副画素領域には、少なくとも３方向に延伸する前記複数の偏光部材を有することを
特徴とする固体撮像装置。
副画素領域が行列状に配列された画素領域を有し、
前記副画素領域には複数の画素が行列状に配列しており、
前記画素には、半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた光電変換素子と、
前記半導体基板上に設けられた開口を有する遮光部材と、
前記遮光部材上に、延伸方向と直交する方向に所定の間隔ごとに設けられた複数の偏光
部材を有する偏光フィルタと、
を有し、
前記複数の偏光部材は、前記複数の偏光部材の一端と他端が前記開口をまたいで構成さ
れ、
前記副画素領域には、少なくとも３方向に延伸する前記複数の偏光部材を有することを
特徴とする固体撮像装置。
前記偏光部材の幅は、前記偏光部材が隣り合う前記偏光部材との幅より狭いことを特徴
とした請求項１から３のいずれか１つに記載の固体撮像装置。