TW202017250A - 來自可操縱多層圓筒式饋入全像天線之動態極化及耦合控制技術(二) - Google Patents

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Abstract

此處揭示用於圓筒式饋入天線之設備及使用該設備之方法。於一個實施例中，該天線包含：一天線饋入以輸入一圓筒式饋入波；耦接至該天線饋入之一第一層，及於其中該饋入波自該饋入向外地同心地傳播；耦接至該第一層之一第二層，以使得該饋入波在該天線之邊緣反射及自該天線之邊緣通過該第二層向內傳播；及耦接至該第二層之一射頻(RF)陣列，其中該饋入波與該RF陣列互動以產生一束。

Description

來自可操縱多層圓筒式饋入全像天線之動態極化及耦合控制技術(二) 參考相關申請案
本專利申請案請求對應臨時專利申請案第61/941,801號，名稱「自圓筒式饋入全像天線之極化及耦合控制」申請日2014年2月19日以及對應臨時專利申請案第62/012,897號，名稱「用於通訊衛星地面站台之超材料天線」申請日2014年6月16日之優先權，該等二案係爰引於此並融入本說明書之揭示。
發明領域
本發明之實施例係有關於天線領域；更明確言之，本發明之實施例係有關於圓筒式饋入天線。
發明背景
使用以印刷電路板(PCB)為基礎之辦法，辛肯氏(Thinkom)產品達成在Ka-頻帶的雙重圓極化，通常使用可變式傾斜橫向殘幹或「VICTS」辦法，有兩型機械旋轉。第一型相對於一個陣列旋轉另一個陣列，及第二型於方位角旋轉兩者。主要限制為掃描範圍(仰角20度至70度，不可 能側面相對)及波束效能(偶爾只限於接收)。
Ando等人，「用於12GHz DBS衛星接收之徑向線槽式天線」及Yuan等人，「用於高功率微波應用之新穎徑向線槽式天線之設計及實驗」討論各種天線。此等二文中描述的天線之限制為波束只在一個靜態角形成。文章中描述之饋入結構為摺疊雙層，於該處第一層接收該接腳饋入及向外發射信號至邊緣，向上彎曲該信號至頂層，及然後該頂層自周邊至中心一路激勵固定式插槽。插槽典型地係定向為正交對，獲得發射模式之固定圓極化，及對側為接收模式。最後，吸收器終結任何剩餘能量。
「純量及張量全像人工阻抗表面」，作者Fong、Coburn、Ottusch、Visher、Sievenpiper。雖然Sievenpiper已經顯示如何達成一動態掃描天線，但掃描期間該極化保真度仍然存疑。此點之原因在於要求的極化控制係取決於在各個發射元件所要求的張量阻抗。此點最簡單地係藉逐一元件旋轉達成。但當天線掃描時，在各個元件之極化改變，及因而要求的旋轉也改變。由於此等元件為固定，無法動態旋轉，故沒有辦法掃描及維持極化控制。
為了達成具有極化控制之波束掃描天線之工業標準辦法通常係使用機械旋轉碟或某型機械式移動組合電子束操縱。最昂貴的選項類別為全相位陣列天線。碟片可同時接收多個極化，但需要一平衡環以掃描。更為晚近，組合在一軸的機械移動與在正交軸的電子掃描，結果獲得具有高縱橫比的結構，其需要的體積較少，但犧牲了束效 能或動態極化控制，諸如辛肯氏(Thinkom)產品。
先前技術辦法使用一波導及分束器饋入結構以饋入天線。但該等波導設計具有接近舷側阻抗擺動(由1-波長週期性結構產生一帶隙)；要求與相異CTE結合；具有該饋入結構相聯結的歐姆損耗；及/或數以千計的通孔以延伸至該接地平面。
發明概要
此處揭示用於圓筒式饋入天線之設備及使用該設備之方法。於一個實施例中，該天線包含：一天線饋入以輸入一圓筒式饋入波；耦接至該天線饋入之一第一層，及於其中該饋入波自該饋入向外地同心地傳播；耦接至該第一層之一第二層，以使得該饋入波在該天線之邊緣反射及自該天線之邊緣通過該第二層向內傳播；及耦接至該第二層之一射頻(RF)陣列，其中該饋入波與該RF陣列互動以產生一束。
201、215‧‧‧同軸接腳
202‧‧‧接地平面
203、1203、2003‧‧‧間隙導體
204、1204、2004‧‧‧間隔體、間隔層
205、212、1702、2005‧‧‧介電層
206、216、1801‧‧‧RF陣列
207、208‧‧‧側邊
209‧‧‧終端
210、211‧‧‧接地平面
213、214‧‧‧RF吸收器
2001、2002‧‧‧階
300、405a、1710‧‧‧補片
302、403a‧‧‧插槽
303‧‧‧液晶(LC)
402、1802‧‧‧電介質
403、1703‧‧‧虹膜板、電路板
403b‧‧‧圓形開口
404、1704‧‧‧液晶基體層
405‧‧‧補片板
1701‧‧‧傳導基底層或底層
1705‧‧‧玻璃層
1800‧‧‧同軸饋入
1900‧‧‧環
1901、1905‧‧‧箭頭
1903‧‧‧相位波前
1904‧‧‧TEM波
A、B‧‧‧高度
從後文詳細說明部分及各個本發明之實施例之附圖將更完整地瞭解本發明，但不應解譯為本發明囿限於該等特定實施例，反而僅用於解釋及瞭解目的。
圖1例示用以提供一柱面波饋入之一同軸饋入之一個實施例之頂視圖。
圖2A及2B例示一圓筒式饋入天線結構之實施例之側視圖。
圖3例示一個插槽耦合片型天線或散射器之一個實施例之頂視圖。
圖4例示屬於一圓筒式饋入天線系統之部件的一槽式饋入片型天線之側視圖。
圖5例示發射一饋入波至其中之介電材料之一實施例。
圖6例示一虹膜板之一個實施例，顯示插槽及其配向。
圖7例示一個虹膜/補片組合之配向之決定方式。
圖8例示虹膜分組成兩個集合，第一集合相對於該功率饋入向量旋轉-45度，及第二集合相對於該功率饋入向量旋轉+45度。
圖9例示一補片板之一實施例。
圖10例示具有圖9之補片的元件之一實施例，其經決定於操作頻率時為關閉。
圖11例示具有圖9之補片的元件之一實施例，其經決定於操作頻率時為啟動。
圖12例示全波模型化之結果，就圖10及11之元件顯示對開關控制/調變樣式之一電場響應。
圖13例示使用一圓筒式饋入天線之一實施例之束形成。
圖14A及14B例示配置成蜂巢樣式之補片及插槽。
圖15A-C例示配置成環之補片及相聯結插槽以產生一徑向布局、一相聯結的控制樣式、及所得天線響應。
圖16A及16B分別地例示右旋圓極化及左旋圓極化。
圖17例示包括一玻璃層其含有該等補片之一圓筒式饋 入天線之一部分。
圖18例示一電介質之線性遞減。
圖19A例示一參考波之一實施例。
圖19B例示一產生的物體波。
圖19C例示所得正弦波調變樣式之一實施例。
圖20例示另一天線實施例其中該等側邊各自包括一階以使得移行波自底層發射至頂層。
較佳實施例之詳細說明
本發明之實施例包括一天線設計架構，其自一中心點以一激勵(饋入波)饋入該天線，該激勵係以圓筒式或同心方式自該饋入點向外擴展。該天線係藉以饋入波配置多個圓筒式饋入子孔徑天線(片型天線)發揮功效。於替代實施例中，該天線係從周邊朝內饋入，而非自中心向外饋送。此點為有助益，原因在於其抗衡了因孔徑散射能所造成的幅值激勵衰減。散射的出現在兩個方向為類似，但當饋入波自周邊向內行進時由能量聚焦所造成的自然遞減錐形，抗衡了由蓄意散射所造成的遞減錐形。
本發明之實施例包括一全像天線，該天線係基於倍增典型地要求達成全像術之密度，及以兩型正交元件集合填補該孔徑。於一個實施例中，一個集合之元件係線性定向於相對於該饋入波+45度，及第二集合之元件係定向於相對於該饋入波-45度。兩型係由相同饋入波照明，一個形式中，該饋入波為由一同軸接腳饋入發射之平行板模型。
於後文詳細說明部分中，陳述無數細節以供更徹底解釋本發明。但熟諳技藝人士將瞭解可無此等特定細節而實施本發明。於其它情況下，眾所周知之結構及裝置係以方塊圖形式而非以細節顯示，以免遮掩了本發明。
後文詳細說明部分之某些部分係以電腦記憶體中在資料位元上操作的演算法及符號表示型態呈示。此等演算法說明描述及表示型態乃熟諳資料處理技藝人士用以傳遞其工作實質給其它熟諳技藝人士的最有效手段。概略言之，一演算法須認知為結果導致一期望結果的一前後對照串列之步驟。該等步驟為要求實體量之實體操縱之步驟。通常地但非必要地，此等數量呈能被儲存、轉移、組合、比較、及以其它方式操縱的電氣信號或磁信號形式。業已證實主要為了常用理由，偶爾可將此等信號稱作為位元、數值、元件、符元、字元、項、數目等。
但須牢記全部此等相似術語係與適當實體量相聯結且只是應用於此等數量的便利標記。除非自後文討論另行特定陳述，否則須瞭解於全文詳細說明部分中運用術語諸如「處理」或「運算」或「計算」或「決定」或「顯示」等之討論係指一電腦系統或類似電子計算裝置之動作及處理，其將在該電腦系統的暫存器及記憶體內部之表示為實體(電子)量之資料，操縱及變換成在該電腦系統的記憶體或暫存器或其它此等資訊儲存、傳輸或顯示裝置內部類似地表示為實體量之其它資料。
天線系統之實施例之綜論
描述用於通訊衛星地面站台之超材料天線系統之實施例。於一個實施例中，該天線系統乃在一行動平台(例如航空、航海、陸地等)上操作的一衛星地面站台之一組件或一子系統，該行動平台係運用民用商業衛星通訊之Ka-頻帶頻率或Ku-頻帶頻率操作。注意該天線系統之實施例也能夠用於非在行動平台上之地面站台(例如固定式或可轉運式地面站台)。
於一個實施例中，該天線系統使用表面散射超材料技術以形成與操縱經由分開天線發射及接收波束。於一個實施例中，與採用數位信號處理以電氣方式形成與操縱束之天線系統(諸如相位陣列天線)相反，該等天線系統為類比系統。
於一個實施例中，該天線系統係包含三個功能子系統：(1)由一柱面波饋入架構組成的波傳播結構；(2)波散射超材料單元晶胞之陣列；及(3)一控制結構以命令使用全像術原理自超材料散射元件形成一可調式徑向場(束)。
波傳播結構之實施例
圖1例示用以提供一柱面波饋入之一同軸饋入之一個實施例之頂視圖。參考圖1，該同軸饋入包括一中心導體及一外導體。於一個實施例中，該柱面波饋入架構自一中心點以一激勵饋入該天線，該激勵係以圓筒式自該饋入點向外擴展。換言之，一圓筒式饋入天線產生一向外行進的同心饋入波。即便如此，環繞該圓筒式饋入的該圓筒式饋入天線之形狀可為圓形、方形或任何形狀。於另一個實 施例中，一圓筒式饋入天線產生一向內行進的饋入波。於此種情況下，該饋入波大半自然地來自一圓形結構。
圖2A例示一圓筒式饋入天線結構之一個實施例之側視圖。該天線使用雙層饋入結構(一饋入結構的兩層)產生向內行進的波。於一個實施例中，該天線包括圓形外形，但非必要。換言之，可使用非圓形向內行進結構。於一個實施例中，圖2A之天線結構包括圖1之同軸饋入。
參考圖2A，一同軸接腳201係用以激勵在該天線之較低層級上的該場。於一個實施例中，同軸接腳201為方便易得的50歐姆(Ω)同軸接腳。同軸接腳201係耦合(例如栓接)至該天線結構之底部，該底部為傳導接地平面202。
與傳導接地平面202分開者為間隙導體203，其為內部導體。於一個實施例中，傳導接地平面202與間隙導體203彼此平行。於一個實施例中，接地平面202與間隙導體203間之距離為0.1-0.15吋。於另一個實施例中，此種距離可為λ/2，於該處λ為於操作頻率，該移行波之波長。
接地平面202透過一間隔體204而與間隙導體203分開。於一個實施例中，間隔體204為泡沫體狀或空氣狀間隔體。於一個實施例中，間隔體204包含塑膠間隔體。
在間隙導體203頂上有介電層205。於一個實施例中，介電層205為塑膠。圖5例示於其中發射一饋入波之介電材料之一實施例。介電層205之目的係相對於自由空間速度，減慢該移行波。於一個實施例中，介電層205相對於自由空間速度，減慢該移行波達30%。於一個實施例中，適 用於波束形成之折射率之範圍為1.2-1.8，於該處就定義上，自由空間具有折射率等於1。其它介電間隔體材料諸如塑膠可用以達成此項效果。注意塑膠以外的材料也可使用，只要其達成期望的波減慢效果即可。另外，可使用具有分散式結構之材料作為電介質205，例如可經切削或光刻術界定之週期性次波長金屬結構。
RF陣列206係在電介質205頂上。於一個實施例中，間隙導體203與RF陣列206間之距離為0.1-0.15吋。於另一個實施例中，此一距離可為λeff/2，於該處λeff為於該設計頻率於該介質內之有效波長。
該天線包括側邊207及208。側邊207及208係彎角使得自同軸接腳201之一移行波饋入透過反射而自間隙導體203下方區域(間隔層)傳播至間隙導體203上方區域(電介體層)。於一個實施例中，側邊207及208之彎角為45度角。於替代實施例中，側邊207及208由一連續半徑置換以達成反射。雖然圖2A顯示具有45度角之彎角側邊，但可使用能夠完成信號自較低層級饋入傳輸至較高層級饋入的其它角度。換言之，假設在較低饋入之有效波長通常與在較高饋入之有效波長不同，略為偏離理想45度角可用以協助自較低層級饋入傳輸至較高層級饋入。舉例言之，於另一個實施例中，該45度角可以單一階替代，諸如圖20顯示。參考圖20，階2001及2002顯示在該天線之一端上環繞介電層2005、間隙導體2003、及間隔層2004。同樣兩階係在此等層之另一端上。
於操作中，當一饋入波係自同軸接腳201饋入時，該波在接地平面202與間隙導體203間之該區，自同軸接腳201同心取向朝外行進。同心輸出之波被側邊207及208反射，及在間隙導體203與RF陣列206間之該區向內行進。自該圓形周邊之邊緣反射造成該波維持同相位(亦即屬於同相位反射)。該移行波被介電層205減慢。此時，該移行波開始於RF陣列206中之元件互動及激勵而獲得期望的散射。
為了終結該移行波，一終端209含括於該天線在該天線之幾何中心。於一個實施例中，終端209包含一接腳終端(例如50歐姆接腳)。於另一個實施例中，終端209包含一RF吸收器，其終結未使用能量，以防止該未使用能量反向反射通過該天線之饋入結構。此等可用在RF陣列206之頂部。
圖2B例示具有一輸出波之該天線系統之另一實施例。參考圖2B，兩個接地平面210及211為實質上彼此平行，有一介電層212(例如塑膠層等)在接地平面210及211間。RF吸收器213及214(例如電阻器)將兩個接地平面210及211耦合在一起。一同軸接腳215(例如50歐姆)饋至該天線。一RF陣列216係在介電層212頂上。
於操作中，一饋入波係經由同軸接腳215饋入，及同心地向外行進，且與RF陣列216之元件互動。
於圖2A及2B之天線兩者中之該圓筒式饋入改良了該天線之服務角。替代正或負45度方位角(±45° Az)及正 或負25度仰角(±25° E1)之一服務角，於一個實施例中，該天線系統於全部方向自該瞄準線具有75度(75°)之一服務角。如同包含許多個別發射器的任何波束形成天線，總天線增益係取決於組成元件之增益，而組成元件其本身又為角度相依性。當使用共用發射元件時，隨著波束之進一步指向偏離瞄準線，總天線增益典型地減低。偏離瞄準線75度時，預期有約6分貝(dB)之顯著增益降級。
具有一圓筒式饋入之天線之實施例解決了一或多個問題。此等解決包括比起以一協作分隔器網路饋入的天線，動態簡化了饋入結構，及因而減少了總要求天線及天線饋入體積；藉使用較為粗糙之控制(一路延伸至單純二進位控制)維持高波束效能而減低了對製造錯誤及控制錯誤之敏感度；比起直線饋入，獲得更優異的旁瓣樣式，原因在於圓筒式取向之饋入波結果導致於遠場之空間分集旁瓣；又允許極化為動態，包括允許左旋圓極化、右旋圓極化、及線極化，而不需要極化器。
波散射元件之陣列
圖2A之RF陣列206及圖2B之RF陣列216包括含一組片型天線(亦即散射器)作為輻射器之一波散射子系統。此組片型天線包含一陣列之散射超材料元件。
於一個實施例中，於天線系統中之各個散射元件乃一單元晶胞的一部分，該單元晶胞係由一下導體、一介電基體及一上導體組成，其嵌置一互補電氣電感-電容諧振器(「互補電氣LC」或「CELC」)，其係蝕刻入或沈積在上 導體上。
於一個實施例中，一液晶(LC)注入包圍該散射元件之間隙內。液晶係封裝於各個單元晶胞內，及分開與一插槽相聯結的該下導體及與其補片相聯結的一上導體。液晶具有一介電係數，其為組成液晶之該等分子之配向之函數，及該等分子之配向(及因而該介電常數)可藉調整橫過液晶之偏壓電壓加以控制。使用此種性質，該液晶作為能量自該導波傳輸至該CELC之on/off開關。當開關on時，該CELC類似電氣小型雙極天線而發射電磁波。
控制LC之厚度增加了束切換速度。下導體與上導體間之該間隙(液晶之厚度)減少50百分比(50%)導致速度增加四倍。於另一個實施例中，液晶之厚度導致約14毫秒(14ms)之束切換速度。於一個實施例中，液晶以技藝界眾所周知之方式摻雜以改良響應度，故可滿足7毫秒(7ms)的要求。
該CELC係響應一磁場，該磁場係平行於該CELC元件之平面及垂直於該CELC間隙補體施加。當一電壓施加至在該超材料散射單元晶胞內的該液晶時，該導波之該磁場成分感應了該CELC之磁性激勵，其又轉而產生了與該導波相同頻率之一電磁波。
由單一CELC產生的該電磁波之相位可由在該導波之向量上的該CELC之位置加以選擇。各個晶胞產生與平行該CELC之該導波同相位的一波。因該CELC係小於該波長，故該輸出波當其通過該CELC下方時具有與該導波之相 位的相同相位。
於一個實施例中，此種天線系統之圓筒式饋入幾何形狀允許該CELC元件定位在與該波饋入中之該波的向量夾角45度(45°)角。該等元件之位置允許控制自該等元件產生的或由該等元件接收的該自由空間波之極化。於一個實施例中，該CELC被配置以一元件間間隔，其係小於該天線之操作頻率之自由空間波長。舉例言之，若每個波長有4個散射元件，則在30GHz發射天線中之該等元件將為約2.5毫米(亦即30GHz之10毫米自由空間波長之1/4)。
於一個實施例中，該等CELC係以片型天線具現，該天線包括一補片共同定位在一插槽上方而有液晶在兩者之間。就此方面而言，該超材料天線用作類似插槽(散射)波導。使用一插槽波導，該輸出波之相位取決於該插槽相對於該導波之位置。
圖3例示一個片型天線或散射元件之一個實施例之頂視圖。參考圖3，該片型天線包含一補片301共同定位在一插槽302上方，有液晶(LC)303在補片301與插槽302間。
圖4例示屬於一圓筒式饋入天線系統之部件的一片型天線之側視圖。參考圖4，該片型天線係在電介質402(例如塑膠插入件等)上方，其係在圖2A之間隙導體203(或接地導體，諸如以圖2B之天線為例)上方。
一虹膜板403為有多個插槽之一接地平面(導體)，諸如電介質402頂上及上方的插槽403a。一插槽於此處可稱作為虹膜。於一個實施例中，於虹膜板403中之插槽 係藉蝕刻產生。注意於一個實施例中，插槽或插槽屬於其部件之該等晶胞之最高密度為λ/2。於一個實施例中，插槽/晶胞之密度為λ/3(亦即每個λ有3個晶胞)。注意可使用晶胞之其它密度。
含有多個補片諸如補片405a之一補片板405係位在虹膜板403上方，藉一中間介電層隔開。該等補片各自諸如補片405a係與虹膜板403中之插槽中之一者共同定位。於一個實施例中，虹膜板403與補片板405間之該中間介電層為一液晶基體層404。該液晶作為各個補片與其共同定位插槽間之一介電層。注意可使用液晶以外之基體層。
於一個實施例中，補片板405包含一印刷電路板(PCB)，各補片包含在PCB上的金屬，於該處包圍該補片之金屬已被去除。
於一個實施例中，補片板405包括針對各補片之通孔，該等通孔係在該補片板的與該補片面對其共同定位插槽之該側的對側。該等通孔係用以連結一或多個線跡至一補片以提供電壓給該補片。於一個實施例中，矩陣驅動器係用以施加電壓給補片以控制之。該電壓係用以調諧或解調諧個別元件以實現波束形成。
於一個實施例中，補片可沈積在玻璃層(例如典型用於液晶顯示器(LCD)之玻璃，諸如康寧鷹(Corning Eagle)玻璃)上，而非使用電路補片板。圖17例示包括含有該等補片之一玻璃層的圓筒式饋入天線之一部分。參考圖17，該天線包括傳導基底層或底層1701、介電層1702(例如 塑膠)、含插槽之虹膜板1703(例如電路板)、液晶基體層1704、及含補片1710之玻璃層1705。於一個實施例中，補片1710具有矩形。於一個實施例中，插槽及補片係定位成列及成行，及補片之配向針對各列或各行為相同，而該等共同定位插槽之配向針對列或行分別相對於彼此為相同定向。
於一個實施例中，一罩(例如雷達天線罩)蓋住片型天線堆疊體頂上以提供保護。
圖6例示虹膜板403之一個實施例。此乃CELC之下導體。參考圖6，虹膜板包括一陣列之插槽。於一個實施例中，各個插槽相對於撞擊插槽中心位置的饋入波為+45度或-45度定向。換言之，散射元件(CELC)之布局圖樣係相對於該波之向量±45度排列。在各個插槽下方為一圓形開口403b，其大體為另一插槽。該插槽係在虹膜板頂上，及圓形開口或橢圓開口係在虹膜板底部。注意此等開口為選擇性，深度可為約0.001吋或25毫米。
有插槽陣列係可調諧地定向負載。藉開關調諧個別插槽，各個插槽係經調諧以提供在該天線之操作頻率之期望散射(亦即經調諧以在一給定頻率操作)。
圖7例示一個虹膜(插槽)/補片組合之配向之決定方式。參考圖7，字母A表示實心黑箭頭，指示自圓筒式饋入位置至一元件中心的功率饋入向量。字母B表示虛線正交線顯示相對於「A」之垂直軸，及字母C表示虛線矩形包圍相對於「B」旋轉45度插槽。
圖8例示分組成二集合的虹膜(插槽)，第一集合相對於功率饋入向量旋轉-45度，及第二集合相對於功率饋入向量旋轉+45度。參考圖8，A組包括插槽其相對於饋入向量旋轉-45度，而B組包括插槽其相對於饋入向量旋轉+45度。
注意整體座標系之標示不重要，如此負角及正角之旋轉唯有其描述元件相對彼此及相對於饋入波方向之相對旋轉時才要緊。為了自兩集合之線極化元件產生圓極化，兩集合之元件彼此垂直且同時具有相等幅值激勵。相對於饋入波激勵，旋轉±45度一次達成兩個期望特性。一個集合旋轉0度及另一集合旋轉90度將達成垂直目標，但非相等幅值激勵目標。
圖9例示補片板405之一實施例。此乃CELC之上導體。參考圖9，補片板包括矩形補片覆蓋插槽及完成欲被關閉及啟動的線極化補片/插槽共振對。該對藉使用控制器施加電壓至補片而關閉及啟動。要求的電壓係取決於欲使用的液晶混合物，要求所得臨界電壓開始調諧液晶，及最大飽和電壓(超過此電壓並無更高電壓產生任何效果，但最終通過液晶降級或短路)。於一個實施例中，矩陣驅動裝置係用以施加電壓至補片以控制耦合。
天線系統控制
控制結構有兩大組件：包括驅動電子電路之天線系統控制器位在波散射結構下方，而矩陣驅動裝置切換陣列係分散遍布該發射RF陣列因而不干涉輻射。於一個實施 例中，該天線系統之驅動電子電路包含用在商業電視設施的商業現貨LCD控制器，其藉調整至該元件之AC偏壓信號幅值而調整用於各個散射元件之偏壓電壓。
於一個實施例中，該控制器使用軟體控制而控制電子電路。於一個實施例中，極化之控制為天線之軟體控制部分，及極化係經預先程式規劃以匹配來自與地面站台通訊的衛星服務之信號之極化，或係經預先程式規劃以匹配衛星服務上的接收天線之極化。
於一個實施例中，控制器也含有微處理器以執行軟體。控制結構也可結合感測器(名目上包括一GPS接收器、三軸羅盤及加速度器)以提供位置及配向資訊給處理器。位置及配向資訊可藉地面站台中之其它系統提供給處理器及/或可能非為天線系統之部件。
更明確言之，控制器在操作頻率時哪些元件被關及哪些元件被開。該等元件藉施加電壓而選擇性地解調用於頻率操作。控制器供給一陣列之電壓信號給RF發射補片以產生調變或控制樣式。該控制樣式造成該等元件被啟動或關。於一個實施例中，該控制樣式類似一方波，其中沿一個螺旋之元件(LHCP或RHCP)為「開」及遠離螺旋之該等元件為「關」(亦即二進制調變樣式)。於另一個實施例中，使用多態控制，其中各個元件被關閉及啟動至不等位準，相對於方波，更近似正弦波控制樣式(亦即正弦波灰影調變樣式)。有些元件比其它者的發射更強，而非有些元件發射而有些則否。藉施用特定電壓位準，達成可變輻射，其調 整液晶介電係數至不等量，藉此以可變方式解調元件及使得某些元件比其它者輻射更強。
由元件之超材料陣列產生聚焦波束可由相長干涉及相消干涉現象作解釋。個別電磁波若有相同相位，則當其在自由空間相會時加總(相長干涉)；及若有相反相位，則當其在自由空間相會時抵消(相消干涉)。若在槽式天線中之插槽的定位使得各個連續插槽位置距導波之激勵點的不同距離，來自該元件之散射波將具有與前一插槽之散射波不同的相位。若插槽間隔導波長的1/4，則各個插槽將散射一波具有與前一插槽之散射波延遲1/4相位。
使用該陣列，可產生的相長干涉及相消干涉之樣式數目可增加，使得運用全像術原理，波束理論上可指向距天線陣列之瞄準線正或負90度(90°)之任何方向。如此，藉控制哪些超材料單元晶胞被啟動或關閉(亦即藉改變哪些晶胞被啟動及哪些晶胞被關閉之樣式)，可產生的相長干涉及相消干涉之不同樣式，及天線可改變波前方向。單元晶胞被啟動及關閉所需時間決定了波束可從一個位置切換至另一位置的速度。
極化及波束瞄準角皆由調變界定，或控制樣式載明哪些元件被啟動或關閉。換言之，瞄準波束及以期望方式極化之頻率係取決於控制樣式。因控制樣式為可規劃，故極化可針對天線系統規劃。對大部分應用而言期望的極化態為圓或線。針對自中心饋入及朝外行進的一饋入波，圓極化態包括螺旋極化態，亦即左旋圓極化及右旋圓極 化，其分別顯示於圖16A及16B。注意為了獲得相同波束同時切換饋入方向(例如自饋入至饋出)、配向或感測或螺旋調變樣式逆轉。注意當陳述開及關元件之一給定螺旋樣式導致左旋或右旋圓極化時，該饋入波之方向(亦即中心饋入或緣饋入)也經載明。
針對各波束之控制樣式將儲存於控制器或在飛行中計算，或其某種組合。當該天線控制系統決定天線定位何處及指向何處時，則參考該天線之瞄準線決定目標衛星定位何處。然後控制器命令在該陣列中之該等個別單元晶胞之一開及關樣式，其相對應於針對在該天線視野中衛星位置之預選波束樣式。
於一個實施例中，該天線系統產生針對上行鏈路天線之一個可操縱波束及針對下行鏈路天線之一個可操縱波束。
圖10例示圖9中具有補片之元件其決定於操作頻率時為off的一實施例，及圖11例示圖9中具有補片之元件其決定於操作頻率時為on的一實施例。圖12例示全波模型化之結果，其顯示就圖10及11之元件而言對開及關調變樣式之一電場響應。
圖13例示波束形成。參考圖13，干涉樣式可經調整以提供任意天線發射樣式，調整方式係藉識別相對應於一選定波束樣式的一干涉樣式，及然後調整橫跨散射元件之電壓以產生根據全像術原理之一波束。全像術之基本原理，包括如連結此等原理常用的「物體波束」及「參考波 束」等術語為眾所周知。使用一移行波作為一「參考波束」，於形成一期望「物體波束」之情境中的RF全像術進行如下。
調變樣式決定如下。首先，產生一參考波(束)，偶爾稱作為饋入波。圖19A例示參考波之一實施例。參考圖19A，環1900為一參考波之電場及磁場之相位波前。其具有正弦波時間變化。箭頭1901例示該參考波之向外傳播。
於本實施例中，一TEM波或橫電磁波向內或向外行進。傳播方向也經界定，及用於本實施例，選擇自一中心饋入點向外傳播。傳播平面係沿天線表面。
產生一物體波，偶爾稱物體束。於此一實施例中，該物體波為正交天線表面於偏離30度方向行進的TEM波，方位角設定為0度。極化也經界定，及用於本實施例，選擇右旋圓極化。圖19B例示產生的物體波。參考圖19B，顯示傳播中之TEM波1904之電場及磁場之相位波前1903。箭頭1905為在各相位波前之電場向量，以90度間隔表示。於此一實施例中，其遵照右旋圓極化選擇。
干涉或調變樣式=Re{[A]x[B]*}
當一正弦波乘以另一正弦波之共軛複數及取實數部分時，所得調變樣式也是正弦波。空間上，參考波之最大量會合物體波之最大量(皆為正弦波時間變化量)時，調變樣式為最大量，或強力發射位置。實際上，此種干涉係在各個散射位置計算，且係不僅取決於元件位置，同時基於其旋轉也取決於元件極化及在該元件位置之該物體波之極化。圖19C為所得正弦波調變樣式之一實施例。
注意可進一步選擇以將所得所得正弦波灰影調變樣式簡化成方波調變樣式。
注意橫過散射元件之電壓係藉調整補片與接地平面間施加之電壓控制，於本情境中為虹膜板頂上之金屬化。
其它實施例
於一個實施例中，補片及插槽係以蜂巢樣式定位。此種樣式之實施例顯示於圖14A及14B。參考圖14A及14B，蜂巢結構為每隔一列左移或右移半個元件間隔，或另外，每隔一行上移或下移半個元件間隔。
於一個實施例中，補片及相聯結的插槽係定位成環以產生徑向布局。於此種情況下，插槽中心係位在環上。圖15A例示定位成環之補片(及其共同定位插槽)之一實施例。參考圖15A，補片及插槽之中心係在環上，及該等環相對於天線陣列之饋入點或終結點係同心定位。注意位在同一環的相鄰插槽相對於彼此取向幾乎90度(於其中心評估時)。更明確言之，其係配向於等於90度加沿含該二元件之幾何中心的該環之角向位移之一角。
圖15B為針對如圖15A描繪基於環之插槽陣列之一控制樣式之一實施例。針對LHCP指向之30度波束的所得近場及遠場分別顯示於圖15C。
於一個實施例中，饋入結構係經整形以控制耦合，以確保橫跨完整2D孔徑被發射或被散射的功率為粗略恆定。此點係藉在電介質使用線性厚度遞減，或於脊狀饋 入網路之情況下類似的遞減達成，造成接近饋入點較少耦合及遠離饋入點較多耦合。對饋入高度使用線性遞減，當移行波遠離饋入點傳播時，藉於較小體積含有該能量而抗衡移行波之1/r衰減，結果導致自各個元件散射之饋入中剩餘能量之一較大百分比。此點對橫跨孔徑產生一致幅值激勵為要緊。用於非徑向對稱饋入結構，諸如具有方形或矩形外維度者，此種遞減可以非徑向對稱方式應用以造成橫跨孔徑之散射功率粗略為恆定。補償技術要求基於陣列中的元件距饋入點多遠而差異地調諧元件。
遞減之一個實施例係使用呈麥斯威爾(Maxwell)魚眼鏡頭形狀之電介質具現，產生發射強度之反比增加以抗衡1/r衰減。
圖18例示電介質之線性遞減。參考圖18，顯示遞減電介質1802，具有一同軸饋入1800以提供一同心饋入波以執行RF陣列1801之元件(補片/虹膜對)。電介質1802(例如塑膠)之高度遞減，從接近同軸饋入1800之最大高度至最遠離同軸饋入1800該點的較低高度。舉例言之，高度B係大於高度A，原因在於高度B較為接近同軸饋入1800故。
記住此點，於一個實施例中，電介質形成非徑向對稱形狀以聚焦能量於需要之處。舉例言之，以如此處描述自單一饋入點饋入之方形天線為例，自中心至方形一角的路徑長度比自中心至方形一邊中心的路徑長度長1.4倍。因此，比較方形四邊的4個中間點，須有較多能量聚焦朝向四角，及能量散射率也須不同。饋入結構及其它結構 之非徑向對稱形狀可達成此等要求。
於一個實施例中，相異的電介質堆疊於一給定饋入結構以控制當波向外射出時自饋入至孔徑的功率散射。舉例言之，當有多於一種相異的電介質向上堆疊時，電能或磁能強度可集中在一特定電介質。一個特定實施例係使用塑膠層及空氣狀泡沫體層，於操作頻率其總厚度係小於λeff/2，結果導致塑膠比空氣狀泡沫體之磁場能濃度更高。
於一個實施例中，用於補片/虹膜解調，控制樣式係經空間控制(例如開始時啟動的元件較少)以控制孔徑上方耦合，取決於饋入方向及期望孔徑激勵權值，散射更多或更少能量。舉例言之，於一個實施例中，開始時使用的控制樣式比其餘時間啟動的元件較少。舉例言之，開始時，只有即將在第一階段期間被啟動以形成一波束的接近該圓筒式饋入之中心的該等元件中之某個百分比(例如40%、50%)(補片/虹膜插槽對)被啟動，然後較遠離該圓筒式饋入之其餘元件被啟動。於替代實施例中，當該波傳播遠離該饋入時，元件須自圓筒式饋入連續地被啟動。於另一個實施例中，一脊狀饋入網路替代介電間隔體(例如間隔體205之塑膠)及允許傳播饋入波之配向的進一步控制。脊可用以在饋入產生非對稱傳播(亦即帕印亭(Poynting)向量不平行波向量)以對抗該1/r衰減。藉此方式，在該饋入內部之脊的使用輔助導引能量至需要之處。藉由導引更多脊及/或可變高度脊至低能區，在該孔徑產生更一致的照明。如此許可偏離純粹徑向饋入組態，原因在於該饋入波之傳播 方向可能不再於徑向取向。在一脊上方之插槽強力耦合，而在脊間之該等插槽之耦合力弱。如此，取決於期望的耦合(以獲得期望波束)，脊的使用及插槽之設置允許控制耦合。
於又另一個實施例中，使用提供非圓對稱的一孔徑照明之一複雜饋入結構。此種應用可為非均勻照明之方形孔徑或大致非圓形孔徑。於一個實施例中，使用非徑向對稱電介質其傳遞更多能給某些區域而非其它區域。換言之，該電介質可具有不同介電控制的各區。其中一個實施例為看起來像麥斯威爾(Maxwell)魚眼鏡頭之電介質分布。此種鏡頭可傳遞不等量功率至該陣列之不同部分。於另一個實施例中，一脊狀饋入結構係用以傳遞更多能給某些區域而非其它區域。
於一個實施例中，多個此處描述的該型圓筒式饋入子孔徑天線排列成陣列。於一個實施例中，使用一或多個額外饋入結構。也於一個實施例中，含括分散式增幅點。舉例言之，一天線系統可包括在一陣列中的多根天線，諸如圖2A或2B顯示。該陣列小系統可為3x3(共9天線)、4x4、5x5等，但其它組態亦屬可能。於此等配置中，各個天線可有一分開饋入。於替代實施例中，增幅點之數目可少於饋入數目。
優點與效益 改進波束效能
本發明架構之實施例的一項優勢為比線性饋入 的波束效能優異。在邊緣的自然內建遞減有助於達成良好波束效能。
於陣列因子計算中，只使用開及關元件自40厘米孔徑可符合該聯邦通訊委員會(FCC)遮罩。
使用該圓筒式饋入，本發明之實施例沒有接近側面的阻抗擺盪，由1-波長週期性結構未產生帶隙。
本發明之實施例當掃描偏離側面時無繞射模式問題。
動態極化
有(至少)兩種元件設計可用於此處描述之架構：圓極化元件及成對線極化元件。運用成對線極化元件，藉施用相位延遲或提前調變至一集合之元件而非第二集合，可動態改變圓極化感。為了達成線極化，一個集合相對於第二集合(實體正交集合)之相位提前將為180度。線極化也可只使用元件樣式的改變合成，提供了用以追蹤線極化的機制。
操作頻寬
開關操作模式有機會延長動態及瞬時頻寬，原因在於該開關操作模式不要求各個元件被調諧至其共振曲線之一特定部分。該天線可連續地操作通過其操作範圍之幅值及相位全像圖部分而不會顯著地影響效能。如此使得該操作範圍遠更接近總可調諧範圍。
與石英/玻璃基體之間隙可能較小
該圓筒式饋入結構可利用薄膜電晶體(TFT)架 構，意味著可在石英或玻璃上發揮功能。此等基板比電路板遠更硬，及有更佳的已知技術用以達成約3微米之間隙大小。3微米之間隙大小將導致14毫秒(ms)之切換速度。
複雜度減低
此處描述之揭示架構不需任何切削工作，製造中只需單一連結階段。此種架構組合切換至TFT驅動電子電路，免除了昂貴的材料及某些艱難的要求。
雖然對熟諳技藝人士於研讀前文詳細說明部分之後無疑地顯然易知本發明之許多變化及修改，但須瞭解藉由例示目的顯示及描述的任何特定實施例絕非考慮為限制性。因此述及各種實施例之細節絕非意圖限制申請專利範圍各項之範圍，申請專利範圍各項本身只引述被視為本發明所必要的該等特徵。
201‧‧‧同軸接腳
202‧‧‧接地平面
203‧‧‧間隙導體
204‧‧‧間隔體
205‧‧‧介電層
206‧‧‧RF陣列
207、208‧‧‧側邊
209‧‧‧終端

Claims (20)

  1. 一種天線，其包含：
    一天線饋入部，其包括一同軸輸入；
    一圓形雙重層饋入結構，其具有一圓形第一層及一圓形第二層及側邊，該第二層包括一介電層及在該第二層之一中心之一射頻(RF)吸收器，其中該天線饋入部係耦接至該第一層之一中心底部以經由該同軸輸入來輸入一饋入波至該第一層中，該饋入波從該同軸輸入向外地及同心地傳播且在該等側邊歷經一反射來轉移該饋入波進入該第二層且從該等側邊通過該第二層及該介電層向內地傳播，該RF吸收器用以終結在該第二層之該中心之該饋入波之未使用能量；
    一射頻(RF)陣列，其耦接至該第二層並具有複數個射出開槽之環，其與該饋入波互動以獲得期望的散射而產生一波束；及
    一控制器，其耦接至該RF陣列，並且經組配來施加一控制樣式以控制複數個射出開槽之環之射出開槽而產生該波束，並且其中，該射出開槽經調諧以藉由使用來自該控制器之一電壓來提供在一給定頻率之一期望之散射而動態地重新組配該波束。
  2. 如請求項1定義之天線，其中該RF陣列進一步包含複數個補片，其中該等補片之每一者係共同定位於複數個開槽之一開槽之上，並以在複數個開槽之每個開槽及該等 複數個補片之與該每個開槽相關之補片之間之液晶之一介電層來隔開，每個補片/開槽對係基於對由該控制樣式所指定之該對中之該補片之一電壓的施加而被控制。
  3. 如請求項2定義之天線，其中該等複數個補片中之補片係在一第一玻璃層上。
  4. 如請求項3定義之天線，其中複數個開槽之開槽係在一板上。
  5. 如請求項3定義之天線，其中該等複數個開槽之開槽係在一第二玻璃層上。
  6. 如請求項1定義之天線，其中該等複數個開槽係被設置以致能極化之控制。
  7. 如請求項1定義之天線，其中該側邊之角度係45度。
  8. 如請求項1定義之天線，其中該同軸接腳具有一50歐姆之阻抗。
  9. 如請求項1定義之天線，其中該第一層包括一空氣狀間隔體。
  10. 如請求項1定義之天線，其中該等複數個開槽之每個開槽係相對於撞擊在該各個開槽之一中心位置的圓筒式饋入波成+45度或-45度定向，使得該開槽陣列包括相對於該圓筒式饋入波之傳播方向旋轉+45度之一第一組開槽及相對於該圓筒式饋入波之該傳播方向旋轉-45度之一第二組開槽。
  11. 如請求項1定義之天線，其中該等複數個開槽之環係與 該饋入波之傳播呈垂直。
  12. 一種用於操作一天線的方法，其包含：
    從一同軸輸入，在一雙層饋入結構之一圓形底部層之一中心位置，饋入一饋入波；
    從該同軸輸入通過該圓形底部層向外地且同心地傳播該饋入波至該雙層饋入結構之側邊；
    在該雙層饋入結構之該側邊反射該饋入波以轉移該饋入波進入該第二層並且從該等側邊通過在該第二層中之一介電層向內地傳播該饋入波；
    施加一控制樣式以控制一RF陣列之複數個環之射出開槽以由該饋入波與經調諧之該RF陣列之開槽互動來產生一波束，該RF陣列藉由使用來自一控制器之一電壓來調諧以提供在一給定頻率之一期望之散射，來動態地重新組配該波束，其中該RF陣列更包含複數個補片，其中該等補片之每一者係共同定位於複數個開槽之一開槽之上，並以在複數個開槽之每個開槽及該等複數個補片之與該每個開槽相關之補片之間之液晶之一介電層來隔開，每個補片/開槽對係基於對由該控制樣式所指定之該對中之該補片之一電壓的施加而被控制；以及
    在該饋入波與該RF陣列之開槽互動之後，使用在該第二層之一中心之一RF吸收器來終結該饋入波。
  13. 如請求項12定義之方法，其中，該等複數個補片之補片係在一第一玻璃層上。
  14. 如請求項13定義之方法，其中該等複數個開槽之開槽係 在一板上或一第二玻璃層上。
  15. 如請求項12定義之方法，其中該等複數個開槽係被設置以致能極化之控制。
  16. 如請求項12定義之方法，其中該側邊之角度係45度。
  17. 如請求項12定義之方法，其中該同軸接腳具有一50歐姆之阻抗。
  18. 如請求項12定義之方法，其中該第一層包括一空氣狀間隔體。
  19. 如請求項12定義之方法，其中該等複數個開槽之每個開槽係相對於撞擊在該各個開槽之一中心位置的圓筒式饋入波成+45度或-45度定向，使得該開槽陣列包括相對於該圓筒式饋入波之傳播方向旋轉+45度之一第一組開槽及相對於該圓筒式饋入波之該傳播方向旋轉-45度之一第二組開槽。
  20. 如請求項12定義之方法，其中該等複數個環之開槽之該等環係與該饋入波之傳播呈垂直。
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