TW202006368A - 高頻應用的探針卡 - Google Patents

Abstract

一種探針卡，用於電子裝置的測試設備，包括至少一支撐板件（33）、一可撓曲薄膜（32）、及與該可撓曲薄膜（32）相關聯的一第一面（F1）的多個接觸探針（35），該些接觸探針（35）係適於接合至整合於一半導體晶圓（34）的一受測裝置（34’）的多個接觸墊（34A），及適於承載高頻訊號；該探針卡包括至少一滑動接觸區（36），其包括形成於該支撐板件（33）上的多個第一接觸墊（36A）、在該滑動接觸區（36）的一周邊區（32C）處形成於該可撓曲薄膜（32）上的多個第二接觸墊（36B），適於在該滑動接觸區（36）之處的在該支撐板件（33）上形成按壓接觸、及至少一按壓元件（37），在該滑動接觸區（36）之處按壓接觸至該可撓曲薄膜（32）的該周邊區（32C）上，使得該些第二接觸墊（36B）在該些第一接觸墊（36A）上發生按壓接觸，並提供該可撓曲薄膜（32）與該支撐板件（33）之間電性及機械性的接觸。

Description

高頻應用的探針卡

本發明係關於一種探針卡，其用於測試整合於半導體晶圓上的電子裝置。

更特別而言，本發明係關於一種探針卡，其包括至少一支撐板件用於連接測試設備、一可撓曲薄膜、及與該可撓曲薄膜的第一面相關聯的多個接觸探針，此等接觸探針係適於接合於整合於半導體晶圓上的受測裝置的多個接觸墊，並適於承載高頻訊號。

以下是撰寫成參照此應用領域，其目標僅是為了簡化說明。

眾所皆知，探針卡基本上為一種裝置，適於電性連接一微結構的多個接觸墊，特別是整合於半導體晶圓上的電子裝置，其以測試設備對應的通道執行功能測試，特別是電性測試或一般測試。

執行在積體電路裝置上的測試，特別有助於盡早在製程階段檢測並隔離有缺陷的元件。通常，探針卡因此用於在晶圓上的積體電路裝置在切割及封裝前的電性測試。

一探針卡包括一測試頭，其實質上包括多個移動式的接觸探針，一般而言，由至少一對實質上為板狀且與彼此平行的支撐件或引導件而保持著。該些板狀的支撐件具有合適的多個引導孔，並設置成彼此之間相距某一距離，以形成自由空間或空隙，以便該些接觸探針的移動及可能的形變。該些接觸探針通常是由具良好電性及機械性的特殊合金的導線所構成。

特別而言，如圖1示意性地顯示的一探針卡15，包括一探針頭1包括至少板狀的一支撐件或上引導件2，通常亦指示為「上模具」；以及板狀的一支撐件或下引導件3，通常亦指示為「下模具」，其各自具有在多個接觸探針6內滑動的多個引導孔4及引導孔5。

每一個接觸探針6以一接觸尖端7結束於一端點，接觸尖端7是用於接合至整合於一晶圓9上的一受測裝置的接觸墊8，進而實現機械性與電性接觸於受測裝置與一測試設備（圖未示），該探針卡15是此測試設備的一終端元件。

如圖1所示，上引導件2及下引導件3合適地以一空隙10隔開，以容許接觸探針6的形變。

接觸探針6與受測裝置的接觸墊8之間良好的連接，是由在受測裝置本身上的測試頭1的按壓來確保。接觸探針6在按壓接觸期間可在形成於引導件中的多個引導孔中移動，並在空隙10中發生彎曲，及在該些引導孔內滑動。這種形式的探針頭一般稱為垂直式探針頭。

在一些示例中，接觸探針是固定地扣緊在測試頭本身於上板狀的支撐件處或引導件處，這種測試頭稱為「阻式探針頭」。

然而，更經常使用的探針頭所具有的多個探針是非固定阻式，它們可透過一微接觸板將其介接於一所謂的板件上，這種測試頭稱為非阻式探針頭。此微接觸板通常稱為「空間轉換器」，因為，除了接觸該些探針之外，其亦允許形成於其上的該些接觸墊，相對於在受測裝置上的該些接觸墊，在空間上重新分布，特別是放寬了該些墊本身的中心位置之間的距離限制。

在此示例中，仍參照圖1，每一個接觸探針6具有一額外端部區域或範圍結束於所謂的一接觸頭11，其朝向具有測試頭1的探針卡15的一空間轉換器13的多個接觸墊的一接觸墊12。接觸探針6與空間轉換器13之間的適當的電性連接，是由接觸探針6的接觸頭11按壓接合於空間轉換器13的接觸墊12來確保，類似於，該些接觸尖端7接觸於整合於晶圓9上的受測裝置的該些接觸墊8。

此外，探針卡15包括一支撐板件14，一般而言是一印刷電路板（PCB），連接至空間轉換器13，探針卡15藉由空間轉換器13來介接於測試設備。

探針卡的正確運作基本上是聯繫兩個參數：該些接觸探針的垂直移動（越程，overtravel），及此等接觸探針的該些接觸尖端在接觸墊上的水平移動（刮擦，scrub）。確保該些接觸尖端的刮擦是極為重要的，進而允許該些接觸墊能夠在表面上產生刮力而移除雜質，例如薄氧化層或薄氧化膜，因此改善探針卡所形成的接觸。

這些特徵在探針卡製造階段會經過評估與校正，因為需要持續確認探針與受測裝置之間良好的電性連接。

同樣重要的是，確保探針的接觸尖端在受測裝置的接觸墊上的按壓接觸不可過強，以免損壞探針或接觸墊本身。

在所謂的短探針的例子中，即主體長度受限的探針，特別是尺寸小於5000μm者，特別地可察覺到此問題。這種探針常用於高頻應用，探針的縮減長度限制了自感現象。特別而言，「用於高頻應用的探針」一詞是指能夠承載頻率高於1GHz訊號的探針。

事實上，近來亟需製造能夠承載愈來愈高頻率，甚至高達無線射頻的頻率訊號的探針卡。長度劇烈縮減的接觸探針可在承載此高頻訊號時，不帶有雜訊，例如上述自感現象所生者。

然而，探針主體的縮減長度大幅地增加探針本身的剛性，此會導致各自的接觸尖端作用在受測裝置的接觸墊上的施力增加，進而造成接觸墊的破損及受測裝置無法補救的損壞，此顯然是必須避免的情形。更危險的是，接觸探針因主體的長度縮減而增加的剛性亦會增加探針本身損壞的風險。

為了舒緩這些問題，習知的解決方案係將探針卡包括一可撓曲薄膜，具有相關聯的長度縮減的多個接觸探針或多個微探針，適於與受測裝置的該些接觸墊的機械性及電性連接，及在該些接觸探針處與該可撓曲薄膜的至少一阻尼結構。

此種習知的決解方案如圖2A示意性地顯示。

特別而言，圖中繪示了探針卡20包括至少一阻尼結構21置於可撓曲薄膜22與支撐板件23之間，支撐板件23較佳地為一印刷電路板（PCB）而確保此探針卡20與測試設備（圖未示）之間的連接。

合適地，該可撓曲薄膜22包括一第一部位或中央區22A、一第二部位或中間部22B，及一第三部位或周邊區22C。更特別而言，如下所將闡明的，中央區22A係用於接觸阻尼結構21，周邊區22C係用於接觸該支撐板件23，而中間部22B係一部位用於形變，特別是在測試操作期間根據整合於半導體晶圓24上的受測裝置與中央區22A接觸的移動而拉長或縮短。

探針卡20更包括多個微接觸探針25設置於該可撓曲薄膜22的第一面F1上，特別是形成於其中央區22A者；根據圖2A的局部參照，此第一面F1係該可撓曲薄膜22下方的面。

該些微接觸探針25適於接觸整合於一半導體晶圓24的受測裝置的多個接觸墊24A，且該些微接觸探針25係由導電材料所製造，例如，選自鉑、銠、鈀、銀、銅或它們的合金，較佳地為鉑合金。

合適地，特別在高頻應用的例子中，該些微接觸探針25具有縮減的高度，例如小於至少200μm的高度，一般而言係介於10μm至200μm之間。高度係指以正交於受測裝置的方向所測量此等探針的尺寸，該方向是如圖中局部參考系統所指示沿著Z軸者。市場上所習知的解決方案中，該些微接觸探針25是呈金字塔形的結構，透過微影製程直接成形於該可撓曲薄膜22上。

此外，位於該可撓曲薄膜22的中央區22A的阻尼結構21，其位於具備該些微接觸探針25之處，並因此對應至晶圓24的一區域，該區域包括整合於其上的受測裝置的該些接觸墊24A，該組尼結構21接合至該可撓曲薄膜22與第一面F1相反的第二面F2。因此，該阻尼結構21在中央區22A中形成用於該可撓曲薄膜22的一接合元件，並能在該些微接觸探針25按壓接觸在整合於半導體晶圓24上的受測裝置的該些接觸墊24A上的期間，使其在Z軸的方向上保持。

此阻尼結構21亦作用為用於該些微接觸探針25的一阻尼元件，調節了其在整合於半導體晶圓24上的受測裝置的該些接觸墊24A的接觸力。合適地，該阻尼結構21亦可由適於最大化該些微接觸探針25的阻尼效應的材料所製造，並在與整合於半導體晶圓24上的受測裝置接觸的期間確保該薄膜22的中央區22A的平整性。

該可撓曲薄膜22更包括多個導電軌道適於承載訊號，訊號是來自該些微接觸探針25並朝向該支撐板件23，且合適地連接於該支撐板件23。該些導電軌道可形成於該薄膜22的一表面，特別而言，根據圖示之局部參照，形成於該第二面F2或上方的面；或形成於該薄膜本身的內部；且該些導電軌道在所連接的對應的微接觸探針25處自可撓曲薄膜22的中央區22A延伸，沿著此可撓曲薄膜22的中間部22B，進而在該薄膜22的周邊區22C處連接至該支撐板件23。

更特別而言，在如圖2A所示的例子中，藉由製造於該薄膜22的周邊區22C的一焊接部26，該薄膜22連接至該支撐板件23。此焊接部26合適地製造於該支撐板件23的一接觸區，例如形成於其上的一墊或一接觸墊。

因此，該焊接部26提供該薄膜22與該支撐板件23之間的機械性與電性連接，特別是該薄膜22的該些導電軌道與該支撐板件23的該些接觸墊間的機械性與電性連接。因此，該些導電軌道亦可為彈性的，執行將所需的訊號自該些微接觸探針25重新導向至該支撐板件23的該些墊。更特別而言，在習知技術中，該些導電軌道將形成於該可撓曲薄膜22的該第一面F1上的微接觸探針25連接面向該可撓曲薄膜22的該第二面F2的該支撐板件23的該些接觸墊，是透過形成於其上的合適的多個通孔，以允許該些導電軌道通過。或者，該支撐板件23具備合適的多個開口用於該可撓曲薄膜22通過，而能使形成於該第一面F1的該些導電軌道與形成於其之該面F的反的一面（特別是該支撐板件23的上方的面）的該支撐板件23的多個接觸墊接觸。

可使用導電接合膠或導電橡膠或螺釘來連接該薄膜22及該支撐板件23。

然而，眾所皆知，由多個焊接部、導電接合膠、或導電橡膠、螺釘所提供的這些接觸，實際上在承載高頻訊號（例如，無線電頻率的高頻訊號）時會造成嚴重的問題，進而使探針卡整體的執行表現不佳。

一些習知解決方案中，亦提供了在與該支撐板件23接觸處具有多個局部導電的微凸部的該可撓曲薄膜22，例如，透過微影製程而在該薄膜本身上製造多個微金字塔結構，當該可撓曲薄膜22在該支撐板件23上受按壓接觸時（例如因為合適地使用固定螺釘，而在其之間提供所需的機械性與電性連接），這些微凸部與該些導電軌道接觸並能夠局部地穿進該支撐板件23的該些接觸墊。

如圖2B所示，亦可藉由在該支撐板件23中形成合適的多個通孔27A，來直接將測試設備（圖未示）連接至該可撓曲薄膜22，特別是以合適的無線電頻率的連接設備27；例如，自測試設備所發送的同軸電纜或SMA連接器來達成。合適地，在該薄膜22中，特別是在其周邊區22C處，能形成用於容置這些無線電頻率的連接設備27的對應的多個開口。因此，該薄膜22中的多個導電軌道藉由這些無線電頻率的連接設備27可以直接地連接至測試設備。

提供該薄膜與該支撐板件或測試設備之間的固定的關聯性的這些習知的解決方案，後續在測試運作的期間的探針卡按壓接觸於半導體晶圓時會牽涉到該薄膜本身的位移及形變的問題。

在此例子中，事實上，藉由整合於半導體晶圓24上的受測裝置的應力，特別是藉由該些微接觸探針25與此受測裝置的該些接觸墊24A之間的接觸，而提昇中央區22A。該薄膜的中央區22A的移動涉及了中間部22B的彈性形變，從而遭受應力，特別是剪切應力，亦即是由其周邊區22C在與該支撐板件23或測試設備發生接觸之處的彎曲型態所致者。

存在於該薄膜22的周邊區22C的這些應力增加了其破損的風損，可能為局部的微小破損。

在任何情況下，這些應力及後續形變的存在，及該薄膜22的周邊區22C可能的微觀或巨觀破損使所承載的訊號的品質惡化，特別是高頻的訊號。

本發明之技術問題即是提供一種探針卡，其具有結構性與功能性的多項特徵，以克服仍影響著習知技術的探針卡的限制與缺點，特別是能夠有效地承載高頻訊號而不增加任何雜訊至該些訊號，同時在與受測裝置的該些墊接觸時確保優良的機械性運作，並排除與多個接觸探針關聯的該薄膜損壞、形變及／或移動的風險，而特別在其周邊區提供機械性與電性接觸。

本發明之解決概念在於使探針卡具備彈性的一按壓元件，該按壓元件是能夠提供在一薄膜與包括於其中的一支撐板件之間所需的機械性接觸，且具備合適的多個墊用於與彼此電性連接，同時將薄膜沿其一縱向而延伸，進而能確保其完整性，即使在不同定位操作下亦然。

基於此解決之概念，上述技術問題主要藉由一探針卡用於電子裝置的測試設備來解決，其包括至少一支撐板件、一可撓曲薄膜，及與該可撓曲薄膜相關聯的一第一面的多個接觸探針，該些接觸探針係適於接合至整合於一半導體晶圓的一受測裝置的多個接觸墊，及適於承載高頻訊號；其中，包括至少一滑動接觸區，其包括形成於該支撐板件上的多個第一接觸墊、在該滑動接觸區的一周邊區處形成於該可撓曲薄膜上的多個第二接觸墊，適於在該滑動接觸區之處的在該支撐板件上形成按壓接觸；及至少一按壓元件，在該滑動接觸區之處按壓接觸至該可撓曲薄膜的該周邊區上，使得該些第二接觸墊在該些第一接觸墊上發生按壓接觸，並提供該可撓曲薄膜與該支撐板件之間電性及機械性的接觸。

特別地，本發明包括以下附加與選擇性之多項特徵，可單獨或在必要的情況下組合實施。

根據本發明之一觀點，該按壓元件可包括至少一彈性頭，適於接合至該可撓曲薄膜的該周邊區的一第一面上，該彈性頭適於在該按壓元件的壓緊情況時而擠壓，且具有至少一接觸面，其係設置於形成在該可撓曲薄膜上的該些第一接觸墊。

特別地，此按壓元件亦可包括與該彈性頭相關聯的一支撐體，該支撐體具備至少一台階部位用於在壓緊情況時與該彈性頭的接合。

此外，此支撐體可包括至少一凸部，其在該按壓元件的壓緊情況時接合該支撐板件之上，且在形成在該支撐板件上的多個導電軌道處具備一開口。

根據本發明之一觀點，該彈性頭可在一方向上擠壓，該方向是正交於一參考面，該參考面實質地對應至包括至少一受測裝置的該半導體晶圓的一平面。

特別地，該彈性頭可成形為更包括相對於該參考面的至少一斜面，進而使該可撓曲薄膜在該壓緊期間以一縱向而延伸。

該彈性頭的該斜面以該參考面的一角度而形成，該角度的數值介於15度與75度之間，較佳為45度。

根據本發明之另一觀點，該彈性頭可由一矽氧橡膠（silicon rubber）或一彈性材料所製成。

此外，該按壓元件可與扣緊在該支撐板件的一引導件相關聯，並作用為該按壓元件的一反向按壓元件。

該探針卡可更包括一壓緊接腳，其設置於該引導件與關聯於該彈性頭一支撐體之間。

再根據本發明之另一觀點，該可撓曲薄膜可更包括至少一對側翼部分，其在該些第一接觸墊之處自一主體部分突起所形成，及各自地包括多個對準接腳的多個容置槽來保持該可撓曲薄膜，該些容置槽沿著該縱向具有一延展形狀以致於允許該些對準接腳以相對於該縱向的一相反方向而移動。

此外，根據本發明之一觀點，該可撓曲薄膜可由介電材料所製成，較佳地是由聚醯胺（polyamide）所製成；且該可撓曲薄膜的厚度可介於10μm與100μm之間，較佳為50μm。

此外，該些接觸探針的高度可小於200μm。

根據本發明之另一觀點，該支撐板件可為一印刷電路板，適於連接至該測試設備。

根據本發明之另一觀點，該可撓曲薄膜可包括多個導電軌道自該中央區朝向在該可撓曲薄膜的一中間部處的該周邊區而延伸，該些導電軌道將該些接觸探針連接至該滑動接觸區的該些接觸墊。

該些導電軌道可形成於該可撓曲薄膜的一第一面，及／或該可撓曲薄膜相反的一第二面，及／或嵌入於該可撓曲薄膜中，特別是嵌入於該可撓曲薄膜中的多個層之中。

此外，該可撓曲薄膜可包括多個導電通孔，用於該些第一面及該些第二面之間的連接，其適於形成於該可撓曲薄膜上的該些導電軌道通過。

根據本發明之另一觀點，該支撐板件可具備多個開口，用於該可撓曲薄膜通過。

最後，該些接觸探針可呈T字狀。

本發明之探針卡之多項特徵與多項優勢將配合圖式詳述於以下實施例，但實施例僅為示例而非限制。

參照這些圖式，尤其是圖3A及3B，實現根據本發明之一種探針卡，全文示意性地指示為元件符號30。

應注意的是，為了凸顯本發明的重要技術特徵，圖式僅表示示意圖，並非以比例來繪製。此外，圖式示意性地顯示不同元件，其形狀可依應用需求而改變。另應注意的是，在圖式中，相同元件符號是指相同形狀或功能之元件。最後，一圖式的一實施例之特定特徵亦可應用於其他圖式的其他實施例。

根據該探針卡30最廣義的形式而言，該探針卡30係適於連接一設備（未顯示於圖式中）來執行整合於一半導體晶圓的電子裝置的測試。更特別而言，該探針卡30係適於高頻應用，即承載的訊號頻率高於1GHz。

特別地，該探針卡30包括至少一阻尼結構31介置於一可撓曲薄膜32與一支撐板件33之間，其中，該支撐板件33較佳地為一印刷電路板（PCB），用於確保該探針卡30與該測試設備（圖未示）之間的連接。

該探針卡30係適於接合至一半導體晶圓34上，該半導體晶圓34包括具備多個接觸墊34A的至少一受測裝置34’。

合適地，該可撓曲薄膜32包括一第一部位或中央區32A、一第二部位或中間部32B，及與其彼此相鄰的一第三部位或周邊區32C。更特別而言，如先前技術所闡釋的，中央區32A是用於接觸該阻尼結構31，並形成位在半導體晶圓34的至少一受測裝置34’及對應的多個接觸墊34A處。周邊區32C是用於接觸該支撐板件33。而中間部32B為用於形變的部位，特別是在受測裝置34’執行測試的期間，其隨著整合於該半導體晶圓34上的受測裝置34’而與中央區32A接觸並伸長及縮短。

該探針卡30更包括多個接觸探針35，其設置在該可撓曲薄膜32的一第一面F1上，特別是形成於其中央區32A。根據圖3A之局部參照，該第一面F1係該可撓曲薄膜32下方的面，即面向半導體晶圓34的那面，並因此面向受測裝置34’及受測裝置34’的該些接觸墊34A。

該些接觸探針35係特別地適於機械性與電性地接觸整合於該半導體晶圓34上的受測裝置34’的該些接觸墊34A，並由導電材料所製成，該導電材料係選自於鉑、銠、鈀、銀、銅或其合金，較佳為鉑合金。

該些接觸探針35可呈T字狀（或上下顛倒的蘑菇狀），其中，該T字狀的根部是連接至該可撓曲薄膜32，而T字狀的頭部是適於接觸受測裝置34’的該些接觸墊34A。或者，該些接觸探針35可成形為多個導電凸塊，其包括由銠金屬所製的凸出接觸部來接觸受測裝置34的該些接觸墊34A’。顯然，上述的示例不應被解釋為本發明的限制，該些接觸探針35可具有任何合適的形狀來連接整合於該半導體晶圓34上的受測裝置34’的該些接觸墊34A。例如，其可成形為所謂的柱狀、上下顛倒或可能為截斷的金字塔結構。

合適地，該些接觸探針35具有縮減的高度，特別是小於200μm的高度，一般而言是介於10μm至200μm之間。其中，高度係指該些接觸探針35以正交於受測裝置34’的一方向所測量的尺寸大小，該方向因此係正交於半導體晶圓34，根據圖式中所指示的局部參照系統，即該高度為沿著該軸Z的方向所測量的尺寸大小。因此，本發明之該探針卡30的該些接觸探針35係適於測試高頻裝置，如此的該高度能夠避免自感現象的缺點。

此外，該阻尼結構31接合至該可撓曲薄膜32的一第二面，該第二面是與該第一面F1相反的面，且該阻尼結構31設置於該可撓曲薄膜32的中央區32A，進而在中央區32A中形成該可撓曲薄膜32的一接合元件，而此處為與該些接觸探針35產生接觸之處，並在該些接觸探針35在受測裝置34’的該些接觸墊34A上的按壓接觸期間允許其以該軸Z的方向保持著。

如上所述，該阻尼結構31因此作用為一該些接觸探針35的阻尼器，調節了其在該些接觸墊34A上的接觸力，特別地，其可由對於該些接觸探針35能最大化此阻尼效應的材料所製造，進而在與整合於該半導體晶圓34上的受測裝置34’的接觸期間，即該探針卡30執行測試運作期間，確保該薄膜32的中央區32A的平整性。

該可撓曲薄膜32更包括合適的多個導電軌道，適於自該些接觸探針35朝向該支撐板件33承載訊號。該些導電軌道可形成於該可撓曲薄膜32的一表面，特別是在該第二面F2上，或根據圖式的局部參照，於其下方的面，或形成於該可撓曲薄膜32本身之內。該些導電軌道延伸自該可撓曲薄膜32的中央區32A，並沿著該可撓曲薄膜32的中間部32B直達其周邊區32C，而與一對應的接觸探針35接觸。亦可在該可撓曲薄膜32的該第一面F1上可形成該些金屬軌道，並形成合適的電性連接結構。例如，介於該可撓曲薄膜32的該第一面F1與該第二面F2之間形成多個金屬化的貫通孔或多個導電通孔，來使該些軌道與該支撐板件33接觸。

合適地，在無形成該些導電軌道的面上設置接地金屬化或設置接地，進而建立同軸形態的高頻訊號傳輸。

根據本發明之優勢而言，如圖3A所示，該探針卡30亦包括一滑動接觸區36，其形成於該可撓曲薄膜32與該支撐板件33之間，特別是形成於該可撓曲薄膜32的周邊區32C，與該支撐板件33發生接觸之處。更特別而言，該滑動接觸區36包括多個第一接觸墊36A及多個第二接觸墊36B，其中，該些第一接觸墊36A是形成於該支撐板件33上，特別而是形成於面向該可撓曲薄膜32的一面F上，即圖式的局部參照中下方的面；而該些第二接觸墊36B係形成於該可撓曲薄膜32上，並與該可撓曲薄膜32的多個導電軌道接觸，特別是形成於該可撓曲薄膜32面向該支撐板件33的該第二面F2上，即圖式的局部參照中上方的面。因此，當該可撓曲薄膜32的周邊區32C合適地按壓接觸於該支撐板件33之上時，該些第一接觸墊36A及該些第二接觸墊36B面向彼此並發生按壓接觸。該些第一接觸墊36A及該些第二接觸墊36B是設置成相應成對並面向彼此。

更特別而言，如圖3A之示例所示，該探針卡30更包括一按壓元件37，按壓接觸於該可撓曲薄膜32的周邊區32C上，特別是按壓接觸於其在該滑動接觸區36的該第一面F1上，並適於與滑動接觸區36的該第一接觸墊36A及第二接觸墊36B發生按壓接觸。

因此，根據本發明之優勢而言，該滑動接觸區36在該可撓曲薄膜32與該支撐板件33之間，特別是在該可撓曲薄膜32的連接至該些導電軌道該些第一接觸墊36A，與該支撐板件23的該些第二接觸墊36B之間，提供電性連接；而該按壓元件37確保了該些接觸墊36A與36B之間的機械性接觸。

合適地，根據本發明而言，該按壓元件37包括至少一彈性頭38，特別地形成在該可撓曲薄膜32的周邊區32C，並接觸於該探針卡30的該滑動接觸區36。此外，該按壓元件37包括關聯於該彈性頭38的一支撐體39，其具備與其該可撓曲薄膜32相關聯的合適的多個壓緊元件，其細節將於下文更詳細地闡明。

更特別而言，該彈性頭38適於沿著正交於一參考面π一方向而擠壓，該參考面π實質地對應至包括至少一受測裝置34’的半導體晶圓34及該支撐板件33的一平面，特別是根據圖式的局部參照中的該軸Z，半導體晶圓34與該支撐板件33通常與彼此平行。

合適地，該彈性頭38包括至少一斜面38F，適於沿著該可撓曲薄膜32的中間部32B而設置，及一接觸面38C，適於在形成於其上的該些第二接觸墊36B處，接合於該可撓曲薄膜32的周邊區32C上。因此，該彈性頭38，特別是其接觸面，事實上恰於該些第二接觸墊36B處而接合至該可撓曲薄膜32上，並形成其機械性的支撐力。由於該彈性頭38的斜面38F的存在，該彈性頭38的擠壓沿著如圖S1的所示之一縱向S1施加一張力至該可撓曲薄膜32，形成該可撓曲薄膜32在此方向S1上的延伸。

此外，具有優勢地，該支撐體39包括一台階部位39H，形成為以相對於其斜面38F的相對位置來接觸於該彈性頭38，進而形成該彈性頭38的一容置座。合適地，該支撐體39亦包括至少一凸部，自該支撐體並朝向該支撐板件33凸出，且在該按壓元件37的壓緊情況時適於接合該支撐板件33上，即，當該彈性頭28受到擠壓時，由於該支撐體39在該凸部處的最大高度Ht，進而確保該按壓元件37靠近該支撐板件33並靠近該可撓曲薄膜32的預設最大值。

該彈性頭38可由矽氧橡膠或彈性材料所製造，而該支撐體39可由鋼、或其他金屬或陶瓷材料所製造。此外，該支撐體39的該台階部位39H的高度H可落於200μm至400μm之範圍內。

根據一代替性實施例如圖3B所示，該探針卡30包括一探針頭40，作為一阻尼結構31。該探針頭40容置多個接觸元件41；如圖3B所示，僅作為示例而言，為八個該些接觸元件41。

一般而言，該探針頭40包括一主體42，用於容置該些接觸元件41，該主體42因此形成支撐及保持該些接觸元件41的結構。

更特別而言，該些接觸元件41包括實質地一棒狀形體，其於一第一端部41A與一第二端部41B之間沿著一縱軸H-H而延伸。該第一端部41A適於接合至該支撐板件43上；該第二端部41B適於接合至該第二面F2上，即該可撓曲薄膜32上方的面之上。

儘管該些接觸探針35的分布必須與整合於該半導體晶圓34上的受測裝置34’的該些接觸墊34A的數量及位置匹配，該探針頭40的該些接觸元件41可有不同的分布及數量，可特別地選自滿足其他需求的分布及數量，例如，形成該可撓曲薄膜32的中央區32A充足的支撐，並預防中央區32A的局部或整體的移動。

根據本發明之一代替性實施例（未顯示於圖式中），每一個接觸元件41，在該可撓曲薄膜32的該第一面F1上形成有一接觸探針35處，接合至該可撓曲薄膜32的該第二面F2上，以一對一之對應方式，使得每一個接觸元件41作用為對應的一接觸探針35的一阻尼元件，調節其在整合於該半導體晶圓34上的受測裝置的該些接觸墊34A上的接觸力。

該探針頭40的該主體42亦可包括一上板件或一上引導件，及一下板件或一下引導件，其具有各自的多個引導孔，該些接觸元件41在其等之中而滑動地容置。該上引導件及該下引導件能以一空隙與彼此間隔，進而在與其與該支撐板件33及該可撓曲薄膜32接觸的期間，允許該些接觸元件41的形變。

特別地，該探針頭40的該些接觸元件41的一長度可介於1.5mm至10mm之間，即，該長度遠大於對應的該些接觸探針35的高度，如上所述其高度小於200μm，因此具有更高的彎曲能力。合適地，該些接觸元件41亦可由對於對應的該些接觸探針35能夠最大化阻尼效應的材料所製造。

此外，應指出的是，在與受測裝置34’的該些接觸墊34A接觸的期間，每一個接觸元件41獨立於相鄰間接觸元件41該接觸元件41移動，使得每一個接觸探針35能同樣地獨立於相鄰的該接觸探針35而移動。

合適地，該些接觸元件41，特別是因為介置於其之間的該可撓曲薄膜32，而與該些接觸探針35電性絕緣。

此外，該可撓曲薄膜32可包括以多個接觸墊的形式的多個接合結構，其形成在該可撓曲薄膜32的該第二面F2上，而為該些接觸元件41的該第二端部41B所適於接合之處。該些接合結構特別地適於減緩該些接觸元件41的該第二端部41B在該可撓曲薄膜32上的接合，並本質上作為該可撓曲薄膜32本身的保護結構。

合適地，該些接觸探針35係直接或以一中介元件，例如導電接合膠的薄膜，而電性連接至在該可撓曲薄膜32中形成的多個導電軌道。

因此，亦為可繞曲的該些導電軌道能用於執行將所需的訊號自該些接觸探針35，重新導向至該滑動接觸區36，特別是朝向形成於該可撓曲薄膜32上的第二接觸墊36B，而因此朝向形成於該支撐板件33上的該些第一接觸墊36A，是在按壓接合至該可撓曲薄膜32上時進行。

該些導電軌道可在該可撓曲薄膜32的其中一面延伸，較佳地是在其該第一面F1或該第二面F2，或在該薄膜本身中延伸。亦即，即便在不同的多個層上的該些導電軌道可嵌入該可撓曲薄膜32中，而存在這些組態的可能組合方式。特別而言，該可撓曲薄膜32中該些導電軌道所形成的多個層的數量，係可依需求及／或情況而變化，例如，待承載的訊號的數量，及因此在該可撓曲薄膜32上形成的重新導向模式的複雜度。例如，可提供一組態在一第一層包括的導電軌道適於承載電源訊號，在一第二層包括的導電軌道適於承載接地訊號。

特別地，該可撓曲薄膜32的該些導電軌道將該些接觸探針35接觸於該些接觸墊36B；因此該些導電軌道在該些接觸探針35處形成於該可撓曲薄膜32的該第一面F1，即該可撓曲薄膜32的中央區32A，以及在該些第二接觸墊36B處形成於該可撓曲薄膜32的該第二面F2，即該可撓曲薄膜32的周邊區32C。特別地，該可撓曲薄膜32可包括合適的多個開口或多個通孔，使該些導電軌道的一面至通過至另一面。或者，該些導電軌道可嵌入於該可撓曲薄膜32中，且在其中央區32A處的該第二面F2及其周邊區32C處的該第一面F1出現。

該可撓曲薄膜32係由介電材料所製成，較佳地是由聚醯胺（polyamide）所製成，能提供所需的繞曲性及所需的電性絕緣；而該些導電軌道較佳地係由銅所製成。此外，該可撓曲薄膜32的厚度可介於10μm與100μm之間，較佳為50μm。

或者，在一實施例中（未顯示於圖式中），一或多個接觸元件41可用於在受測裝置與測試設備之間承載訊號。在此情況下，該接觸元件41透過形成在該可撓曲薄膜32的中央區32A處的導電的電性連接元件而電性連接至一對應的接觸探針35，這些導電的電性連接元件在該可撓曲薄膜22的該第一面F1及該第二面F2之間延伸，進而連接彼此的相反的面F1及F2。特別而言，導電的該些電性連接元件，例如，合適地可透過形成於正交於該面F1及該面F2的該可撓曲薄膜32中的多個孔或多個路徑填充一金屬材料而形成。

因此，該接觸元件可執行二種功能，其一，作為該些接觸探針35的一阻尼元件，及另一方面，朝向該支撐板件33承載訊號。

在此實施例中，在該些接觸元件41的該第一端部41A處，該支撐板件33包括具有二種功能的多個導電接觸墊（未顯示於圖式中），接合抵靠該些端部並實際地朝向該測試設備承載訊號，此訊號不必然要求為短探針所承載的訊號，即此訊號不必然為高頻訊號。因此經由該可撓曲薄膜32更簡化限於由該些接觸探針35所承載的高頻訊號的解攪亂（descramble）。

應指出的是，根據本發明之優勢而言，該按壓元件37能夠施加張力至該可撓曲薄膜32上，造成其沿著方向S1形變，如圖式所示。合適地，該可撓曲薄膜32的張力亦造成該滑動接觸區36的該些接觸墊36A、36B局部的滑動，並得以透過刮擦去除可能的表面氧化層而擦淨其表面，此改善了該些墊之間的電性連接。

更特別而言，由於該彈性頭38合適的組態而具有這種機制，其中，該彈性頭38是成形為具有相對於該參考面π傾斜的至少一面38F，該參考面π實質地對應至包括至少一受測裝置及該支撐板件33的半導體晶圓34的一平面且通常與彼此平行。該彈性頭38的該斜面38F可依該參考面π，即局部參考該圖式中的軸X，而形成特別的一角度α，其介於15度與75度之間，較佳為45度。此外，該斜面38F係實質地設成與該可撓曲薄膜32的中間部32B平行。

具備該斜面38F的該彈性頭38因此能夠以一縱向延展該可撓曲薄膜32，特別是如圖式中所示的方向S1，合適地，係朝向該探針卡30外的方向，即該阻尼結構31所在的相關區域的相反方向。

更特別而言，如圖4A及4B所示，在該滑動接觸區36壓緊的期間的該按壓元件37，造成該可撓曲薄膜32的周邊區32C在該支撐板件33上的按壓接觸，及因此形成於該支撐板件33的該些第一接觸墊36A在形成於該可撓曲薄膜32的該些第二接觸墊36B上的按壓接觸。該彈性頭38受其擠壓於一第一高度H1，如圖4A所示，至較低的一第二高度H2，如圖4B所示。特別而言，該第一高度H1係介於1mm與2mm之間，較佳為1.5mm，以及該第二高度H2係介於0.8mm與1.2mm之間，較佳為1mm。

如圖4B所示，由於該按壓元件37的支撐體39的壓緊，其進而沿著方向S2移動，造成該按壓元件37的該彈性頭38的擠壓。

此擠壓亦造成該彈性頭38的該接觸面自一第一長度L1至一第二長度L2伸長，然而保持在形成在該可撓曲薄膜32的周邊區32C的該些第二接觸墊36B處，並因此作為受擠壓的彈性頭38的一機械性支撐，如圖4B所示。

合適地，該彈性頭38的該接觸面在其擠壓情況時，因該台階部位39H而接合抵靠在該支撐體39，且保持在該支撐體39與該可撓曲薄膜32之間具有一高度H3的間隔區域，進而避免該薄膜本身任何損壞的可能性。特別地，該高度H3係介於100μm與400μm之間，較佳為250μm。

合適地，如圖4A及4B所示，該按壓元件37透過合適的多個壓緊螺釘33V而因此與關聯於該支撐板件33的一引導件45相關聯，並作為該按壓元件37的壓緊主體39的一反向按壓元件。此外，一壓緊接腳45S係設置於該引導件45與該按壓元件37的該支撐體39之間，此該支撐體39係具備用於該壓緊接腳45S的合適的多個容置孔39F。在擠壓情況時，該按壓元件37壓緊抵靠該引導件45包括將該壓緊接腳45S安插至該容置孔39F中，及透過該彈性頭38正確地維持該按壓元件37。

應指出的是，形成於該可撓曲薄膜32中的多個孔的存在，以連接可撓曲薄膜32的該面F1及該面F2，並因此允許該些導電軌道在該第一面F1接觸該些接觸探針35及在該第二面F2接觸該些第二接觸墊36B，將不幸地導致高頻訊號傳輸的損耗及問題。

如圖6A所示，根據本發明之一替代性實施例之優勢而言，該探針卡30可包括一支撐板件33合適地具備多個開口33S而使該可撓曲薄膜通過32，且在該可撓曲薄膜32的周邊區32C的該第一面F1上形成該些第二接觸墊36B。因此，與該些導電軌道連接的該些接觸探針35及該些第二接觸墊36B均可成形在該第一面F1上，使該可撓曲薄膜32保持完整並改善其運行的高頻訊號傳輸。

在此情況中，類似圖3A及圖3B之實施例所形成該的按壓元件37係位於該支撐板件33的面F的相反的一面上，即，根據圖式的局部參考為該支撐板件33上方。其中，在該可撓曲薄膜32的周邊區32C處的該可撓曲薄膜32與該支撐板件33之間形成並設有該滑動接觸區36。

如圖5A所示，該探針卡30可包括一阻尼結構31。或如圖5B所示，該探針卡30可包括探針頭40，其容置有多個接觸元件41，並介置於該支撐板件33與該可撓曲薄膜32的一中央區32A之間。

如上所述，該按壓元件包括一彈性頭38，其適於沿著一方向擠壓，該方向正交於該參考面π，該參考面π對應至半導體晶圓34及該支撐板件33之平面，因此沿著該縱向S1施加一張力至該可撓曲薄膜32，使得該可撓曲薄膜32在該方向S1上的延伸，並使得該滑動接觸區36的該些接觸墊36A、36B局部滑動。

更特別而言，如圖6A及圖6B所示，定位在該滑動接觸區36處的該按壓元件37造成在該可撓曲薄膜32的周邊區32C在該支撐板件33上的按壓接觸，並因此在該支撐板件33上的該些第一接觸墊36A及形成在該可撓曲薄膜32上的該些第二接觸墊36B形成機械性接觸。此外，該按壓元件37沿著方向S2的移動而壓緊，造成該彈性頭38的擠壓，因此延長了其接觸面及該些第一接觸墊36A及該些第二接觸墊36B在彼此的滑動，因此確保一摩擦作用並對其擦淨，進而具有良好的電性連接。

如前所述，該支撐體39包括該凸部39S，在該按壓元件37的壓緊情況下，即，當該彈性頭28受擠壓時，係適於接合至該支撐板件33上。合適地，該凸部39S在形成在該支撐板件33上的多個導電軌道處具備一開口39S1。該開口39S1的高度Hs1較佳地係大於400μm，即便在無線電頻率的應用，能避免與該些導電軌道任何可能的干擾。該凸部39S因此實質地呈橋狀，並跨越過該支撐板件33的該些導電軌道。

根據本發明之一代替性實施例，如圖7示意性地顯示，該可撓曲薄膜32亦可包括至少一對側翼部分32L，在形成於該可撓曲薄膜32上，特別是在該可撓曲薄膜32的該第一面F1，且沿著其縱向延伸而連接的多個導電軌道43上的該些第一接觸墊36A處，自一主體部分32’而形成凸起，如圖所示。

合適地，該些側翼部分32L包括多個對準接腳44的各自的多個容置槽32S，用於保持該可撓曲薄膜32。根據本發明之優勢而言，該些容置槽32S沿著縱向S1呈延展形狀，進而當該可撓曲薄膜32加長時，允許該些對準接腳44在該方向S1上的移動。該些對準接腳44的移動係在相對於此加長的相反方向，如圖5的箭號S1’所示。因此，加長該可撓曲薄膜32在介於主體部分32’與該些側翼部分32L之間的該些介面32I處，不會造成該薄膜32困擾的褶皺。並因此允許多次的重新校位該可撓曲薄膜32本身，以確保其長使用的壽命，而不會該些界面32I處發生變形，亦不在該些容置槽32S處造成微觀或巨觀的損壞。

圖8示意性地顯示根據圖5B之實施例之一探針卡30的立體正投影圖。該探針卡30包括一探針頭40具備多個接觸元件（未顯示於圖式中），接合抵靠該可撓曲薄膜32。

除了合適的多個螺釘39V用於將相應的該支撐體39壓緊至支撐板33上之外，還可驗證該支撐板件33中的該些開口33A的存在以使該可撓曲薄膜32通過，以及驗證按壓元件37存在具備該些對準接腳45S的該些貫通孔39F。

該探針卡30更包括該引導件45及另一反向按壓元件50。該引導件45透過合適的多個壓緊螺釘33V作用為關聯於該支撐板件33的一反向按壓元件。另外的該反向按壓元件50接合抵靠該支撐板件33且具備合適的多個壓緊螺釘50V，因此，此另外的該反向按壓元件50係能夠作為一強固件或一熱膨脹係數（coefficient of thermal expansion，CTE）調節器。

該探針卡30最後包括多個導電軌道33T，其自該些按壓元件37處接觸該可撓曲薄膜32的多個區域處形成於該支撐板件33上。如前所述，該些按壓元件37的該支撐體39包括該凸部39S，適於在壓緊情況時接合該支撐板件33之上，且形成於該支撐板件33上的該些導電軌道33T處具備一開口39S1，進而避免了在無電線頻率應用中任何可能的干擾。

總之，本發明提供一種探針卡，其多個接觸探針係成形為非常短的接觸尖端，該些接觸尖端連接至一可撓曲薄膜的一面，進而能夠承載高頻訊號能。合適地，該探針卡包括至少一滑動接觸區，該滑動接觸區包括多個第一接觸墊及多個第二接觸墊，分別地形成在該可撓曲薄膜的一周邊區及該支撐板件上，且適於與彼此按壓接觸而提供該些墊件及與之連接的對應的多個導電軌道之間所需的電性連接。此外，該探針卡包括至少一按壓元件形成在該滑動接觸區處，能夠在該可撓曲薄膜的周邊區延伸。

根據本發明之優勢而言，由於接該些接觸尖端的尺寸縮減，其高度小於200μm，該探針卡特別地能執行在無線電頻率的應用。

該滑動接觸區具備該些接觸墊，且由於該按壓元件的存在，允許在整合於一半導體晶圓的受測裝置的測試運作期間，得以確保該探針卡正確的運作，而不引入承載訊號的雜訊及該可撓曲薄膜的任何微觀或巨觀的破損。

合適地，該探針卡包括用於該些接觸探針的一阻尼結構，彌補該些接觸探針的剛性，且大幅地減低該些接觸探針損壞的可能性，同時確保充分減輕該些接觸探針所施加的壓力，消除以短探針接合的受測裝置的該些接觸墊損壞的可能。

本發明之該可撓曲薄膜在包含它的元件或晶圓，或包含在其中的受測裝置的平面度問題的情況下，也能正確地運作

此外，實施混合型的組態的可行性，其中，一些接觸元件係亦適於承載特定訊號，大幅地簡化了該可撓曲薄膜上的訊號，特別是透過該探針卡所承載的各種訊號的解攪亂（descramble）。例如，透過該些接觸元件，可承載電源訊號及／或接地訊號，即，不特別需要短接觸探針承載的訊號；然而與該可撓曲薄膜相關聯的該些接觸尖端所承載的高頻訊號，需要接觸短探針來避免自感問題。

該按壓元件的該彈性頭的組態確保了其該滑動接觸區的該些接觸墊處的正確位置，及確保其正確的支撐。此外，該按壓元件的該支撐體的組態確保了其該彈性頭在擠壓條件下的正確接合，而不具任何損壞該可撓曲薄膜的風險。

亦可透過容置於細長形的多個容置槽中的多個對準接腳來保持該可撓曲薄膜，進而避免該可撓曲薄膜局部或多個容置槽本身的損壞。

此外，該探針卡可包括一支撐板件，其具備多個開口用於該可撓曲薄膜通過，進而確保其結構完整性，並降低高頻訊號傳遞時的損耗。

應指出的是，本發明之該探針卡的各種優勢，係利用垂直式探針頭之技術所完成者，因此，不會過度地複雜化其整體的製造過程。

顯然，本領域的技術人員為了滿足特定的需求及規格，可針對上述探針卡實現多種修飾與變化，所有這些修飾與變化都包括在由以下申請專利範圍所界定的本發明範圍內。

30‧‧‧探針卡 32‧‧‧可撓曲薄膜 32’‧‧‧主體部分 32C‧‧‧周邊區 32L‧‧‧側翼部分 32S‧‧‧容置槽 33‧‧‧支撐板件 33S‧‧‧開口 34‧‧‧半導體晶圓 34’‧‧‧受測裝置 34A‧‧‧接觸墊 35‧‧‧接觸探針 36‧‧‧滑動接觸區 36A‧‧‧第一接觸墊 36B‧‧‧第二接觸墊 37‧‧‧按壓元件 38‧‧‧彈性頭 38F‧‧‧斜面 39‧‧‧支撐體 39H‧‧‧台階部位 39S‧‧‧凸部 39S1‧‧‧開口 43‧‧‧導電軌道 44‧‧‧對準接腳 45‧‧‧引導件 45S‧‧‧壓緊接腳 F1‧‧‧第一面 F2‧‧‧第二面 S1‧‧‧縱向 S1’‧‧‧相反方向 Z‧‧‧方向 α‧‧‧角度 π‧‧‧參考面

圖1示意性地顯示根據先前技術所實施之一探針卡。

圖2A示意性地顯示根據先前技術所實施之一探針卡，其具備用於高頻應用的一薄膜。

圖2B示意性地顯示根據先前技術所實施之一探針卡之一代替性實施例，其具備用於高頻應用的一薄膜。

圖3A示意性地顯示根據本發明所實施之一探針卡具備用於高頻應用的一薄膜。

圖3B示意性地顯示根據本發明所實施之一代替性實施例之一探針卡具備用於高頻應用的一薄膜。

圖4A及4B以放大且簡化的形式的顯示圖3A及3B的探針卡在不同的運作條件下的細節。

圖5A及5B示意性地顯示根據本發明實施之一探針卡具備用於高頻應用的薄膜之替代性方案。

圖6A及6B以放大且簡化的形式的顯示圖5A及5B的探針卡在不同的運作條件下的細節。

圖7示意性地顯示上述中包括於圖3A、3B或5A、5B的探針卡的一薄膜。

圖8示意性地顯示上述圖5A及5B中的一探針卡的立體正投影圖。

30‧‧‧探針卡

32‧‧‧可撓曲薄膜

32C‧‧‧周邊區

33‧‧‧支撐板件

34‧‧‧半導體晶圓

34’‧‧‧受測裝置

34A‧‧‧接觸墊

35‧‧‧接觸探針

36‧‧‧滑動接觸區

36A‧‧‧第一接觸墊

36B‧‧‧第二接觸墊

37‧‧‧按壓元件

38‧‧‧彈性頭

38F‧‧‧斜面

39‧‧‧支撐體

39H‧‧‧台階部位

39S‧‧‧凸部

F1‧‧‧第一面

F2‧‧‧第二面

S1‧‧‧縱向

Z‧‧‧方向

α‧‧‧角度

π‧‧‧參考面

Claims (20)

1. 一種探針卡（30），用於電子裝置的測試設備，包括： 至少一支撐板件（33）； 一可撓曲薄膜（32）；及 與該可撓曲薄膜（32）相關聯的一第一面（F1）的多個接觸探針（35），該些接觸探針（35）係適於接合至整合於一半導體晶圓（34）的一受測裝置（34’）的多個接觸墊（34A），及適於承載高頻訊號； 其中，該探針卡包括至少一滑動接觸區（36），其包括： 形成於該支撐板件（33）上的多個第一接觸墊（36A）； 在該滑動接觸區（36）的一周邊區（32C）處形成於該可撓曲薄膜（32）上的多個第二接觸墊（36B），適於在該滑動接觸區（36）之處的在該支撐板件（33）上形成按壓接觸；及 至少一按壓元件（37），在該滑動接觸區（36）之處按壓接觸至該可撓曲薄膜（32）的該周邊區（32C）上，使得該些第二接觸墊（36B）在該些第一接觸墊（36A）上發生按壓接觸，並提供該可撓曲薄膜（32）與該支撐板件（33）之間電性及機械性的接觸。
2. 如請求項1所述之探針卡，其中，該按壓元件（37）包括至少一彈性頭（38），適於接合至該可撓曲薄膜（32）的該周邊區（32C）的一第一面（F1）上，該彈性頭（38）係適於在該按壓元件（37）的壓緊情況時而擠壓，且具有至少一接觸面（38C），其係設置於形成在該可撓曲薄膜（32）上的該些第一接觸墊（36A）。
3. 如請求項2所述之探針卡，其中，該按壓元件（37）更包括與該彈性頭（38）相關聯的一支撐體（39），該支撐體（39）係具備至少一台階部位（39H）用於在壓緊情況時與該彈性頭（38）的接合。
4. 如請求項3所述之探針卡，其中，該支撐體（39）更包括至少一凸部（39S），其適於在該按壓元件（37）的壓緊情況時接合該支撐板件（33）之上，且在形成在該支撐板件（33）上的多個導電軌道處具備一開口（39S1）。
5. 如請求項2所述之探針卡，其中，該彈性頭（38）能在一方向（Z）上擠壓，該方向（Z）是正交於一參考面（π），該參考面（π）對應至包括至少一受測裝置（34’）的該半導體晶圓（34）的一平面。
6. 如請求項5所述之探針卡，其中，該彈性頭（38）係成形為更包括相對於該參考面（π）的至少一斜面（38F），進而使該可撓曲薄膜（32）在該壓緊期間以一縱向（S1）而延伸。
7. 如請求項6所述之探針卡，其中，該彈性頭（38）的該斜面（38F）以該參考面（π）的一角度（α）而形成，該角度α的數值介於15度與75度之間，較佳為45度。
8. 如請求項2所述之探針卡，其中，該彈性頭（38）係由一矽氧橡膠（silicon rubber）或一彈性材料所製成。
9. 如請求項1所述之探針卡，其中，該按壓元件（37）與扣緊在該支撐板件（33）的一引導件（45）相關聯，並作用為該按壓元件（37）的一反向按壓元件。
10. 如請求項9所述之探針卡，其中，更包括一壓緊接腳（45S），其設置於該引導件（45）與關聯於該彈性頭（38）一支撐體（39）之間。
11. 如請求項1所述之探針卡，其中，該可撓曲薄膜（32）更包括至少一對側翼部分（32L），其在該些第一接觸墊（36A）之處自一主體部分（32’）突起所形成，及各自地包括多個對準接腳（44）的多個容置槽（32S）來保持該可撓曲薄膜（32），該些容置槽（32S）沿著該縱向（S1）具有一延展形狀以致於允許該些對準接腳（44）以相對於該縱向（S1）的一相反方向（S1’）而移動。
12. 如請求項1所述之探針卡，其中，該可撓曲薄膜（32）係由介電材料所製成，較佳地是由聚醯胺（polyamide）所製成。
13. 如請求項1所述之探針卡，其中，該可撓曲薄膜（32）的厚度係介於10μm與100μm之間，較佳為50μm。
14. 如請求項1所述之探針卡，其中，該些接觸探針（35）的高度係小於200μm。
15. 如請求項1所述之探針卡，其中，該支撐板件（33）係一印刷電路板，適於連接至該測試設備。
16. 如請求項1所述之探針卡，其中，該可撓曲薄膜（32）包括多個導電軌道（43）自該中央區（32A）朝向在該可撓曲薄膜（32）的一中間部（32B）處的該周邊區（32C）而延伸，該些導電軌道將該些接觸探針（35）連接至該滑動接觸區（36）的該些接觸墊（36A、36B）。
17. 如請求項16所述之探針卡，其中，該些導電軌道（43）係形成於該可撓曲薄膜（32）的一第一面（F1），及／或該可撓曲薄膜（32）相反的一第二面（F2），及／或嵌入於該可撓曲薄膜（32）中，特別是嵌入於該可撓曲薄膜（32）中的多個層之中。
18. 如請求項17所述之探針卡，其中，該可撓曲薄膜（32）包括多個導電通孔，用於該些第一面（F1）及該些第二面（F2）之間的連接，其適於形成於該可撓曲薄膜（32）上的該些導電軌道（43）通過。
19. 如請求項1所述之探針卡，其中，該支撐板件（33）係具備多個開口（33S），用於該可撓曲薄膜（32）通過。
20. 如請求項1所述之探針卡，其中，該些接觸探針（35）呈T字狀。

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