TW202003905A - 蒸發原料用容器 - Google Patents

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aluminum
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evaporating
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水谷文一
渡貫泰寛
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日商高純度化學實驗室有限公司
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Abstract

本發明提供一種熱傳導性與耐蝕性優良的蒸發原料用容器。本發明之蒸發原料用容器100具備：容器本體10，其具有熱傳導性的容器壁，且為可密閉的；及氣體導出口12，將容器本體10內的蒸發原料導出至容器本體10外部，其中容器壁20具有鋁或鋁合金所構成之基材壁以及設於該基材壁之內表面上的屏障型陽極氧化膜。

Description

蒸發原料用容器
本發明係關於蒸發原料用容器。更詳細而言，係關於熱傳導性與耐蝕性優良的蒸發原料用容器。
以往已知一種蒸發原料用容器，例如在化學氣相沉積(CVD)法中作為用以儲存蒸發原料的容器，而且有報告提出一種不銹鋼或鋁所構成的材料以作為該蒸發原料用容器的蒸發器本體(參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
【專利文獻】
專利文獻
專利文獻1：日本特開2016-866號公報
然而，以專利文獻1中記載的不銹鋼或鋁製作蒸發器本體的情況，在腐蝕及熱傳導性的點上具有問題。具體而言，鋁的熱傳導性雖優良，但具有耐蝕性不佳這樣的問題。不銹鋼雖具有耐蝕性，但具有熱傳導性比鋁等不佳這樣的問題。
此處，不銹鋼雖具有耐蝕性，但若與蒸發原料接觸仍會些微腐蝕，而具有極微量的雜質混入蒸發原料中的情況。此點，這種混入極微量雜質的情況，在以往半導體技術的領域中並未成為太大的問題，但近年來要求半導體產品更加高性能化，結果逐漸要求更高純度的蒸發原料(亦即，雜質的比例更小的蒸發原料)。
亦即，最近即便是不銹鋼所構成之容器，其耐蝕性亦逐漸變得不充分，而要求開發一種具有更佳之耐蝕性的蒸發原料用容器(蒸發器本體)。特別是在以原子層沉積(ALD)法沉積的情況，以原子等級要求其膜無缺陷以及均勻性，而必須將蒸發原料所包含之雜質的量減少至極限，本案發明人等即著眼於此，為了解決這樣的課題而完成本發明。
本發明係鑒於這樣的以往技術所具有之問題點而完成。本發明欲解決之課題，係提供一種具有優良熱傳導性並且耐蝕性亦優良的蒸發原料用容器。
根據本發明，提供下述的蒸發原料用容器。
[1]一種蒸發原料用容器，其係用以儲存具有腐蝕性之蒸發原料的蒸發原料用容器，其具備：容器本體，具有熱傳導性的容器壁，且為可密閉的；及氣體導出口，將該容器本體內的蒸發原料導出至該容器本體外部；該容器壁具有鋁或鋁合金所構成之基材壁與設於該基材壁之內表面上的屏障型陽極氧化膜。
[2]如該[1]之蒸發原料用容器，其係用於以化學氣相沉積法所進行之沉積。
[3]如該[1]之蒸發原料用容器，其係用於以原子層沉積法所 進行之沉積。
[4]一種蒸發原料用容器，其係用以儲存具有腐蝕性之蒸發原料的蒸發原料用容器，其具備：容器本體，具有熱傳導性的容器壁，且為可密閉的；及氣體導出口，將該容器本體內的蒸發原料導出至該容器本體外部；該容器壁具有含鋁之不銹鋼所構成的基材壁與設於該基材壁之內表面上且具有平滑內表面的氧化鋁膜。
[5]如該[4]之蒸發原料用容器，其係用於以化學氣相沉積法所進行之沉積。
[6]如該[5]之蒸發原料用容器，其係用於以原子層沉積法所進行之沉積。
本發明的蒸發原料用容器，可發揮具有優良的熱傳導性並且耐蝕性亦優良這樣的效果。
10‧‧‧容器本體
11‧‧‧閥
12‧‧‧氣體導出口
20‧‧‧容器壁
21、22‧‧‧基材壁
23‧‧‧陽極氧化膜
24‧‧‧氧化鋁膜
100‧‧‧蒸發原料用容器
圖1係示意顯示本發明之蒸發原料用容器的一實施態樣的剖面圖。
圖2係示意地將圖1所示之區域P放大顯示的放大剖面圖。
圖3係示意地將本發明之蒸發原料用容器的另一實施態樣之一部分放大顯示的放大剖面圖。
以下說明用以實施本發明的形態，但本發明不限定於以下的 實施形態。亦即，應理解在不脫離本發明之主旨的範圍內，根據本領域從業者的通常知識而對於以下的實施形態施加適當變更、改良等，亦屬於本發明的範圍。
[1]蒸發原料用容器：
本發明的蒸發原料用容器之一實施態樣，係如圖1所示的蒸發原料用容器100。該蒸發原料用容器100，具備：容器本體10，具有熱傳導性的容器壁20，可進行密閉；及氣體導出口12，將容器本體10內的蒸發原料(前驅物)導出至容器本體10外部；容器壁20，如圖2所示，具有鋁或鋁合金所構成之基材壁21以及設於該基材壁21之內表面上的屏障型陽極氧化膜23。蒸發原料用容器100，適合用於儲存腐蝕性的蒸發原料。
這樣的蒸發原料用容器100，因為容器壁20具有鋁或鋁合金所構成之基材壁21以及設於該基材壁21之內表面上的屏障型陽極氧化膜23，因此具有優良的熱傳導性，並且耐蝕性亦優良。此處，蒸發原料用容器100，在其使用時，必須藉由加熱等的方法使內部的蒸發原料蒸發而產生蒸發氣體，因此要求熱傳導性優良。另一方面，即使熱傳導性優良，但耐蝕性不佳的情況，蒸發原料亦會被雜質所汙染(雜質混入蒸發原料)，而妨礙製造更高精度的半導體產品。最近尤其是耐蝕性優良亦變得重要。
另外，「容器壁20」不僅是側壁，亦包含底壁及頂壁的概念。亦即，在蒸發原料投入蒸發原料用容器100內時，該蒸發原料及該原料蒸發的氣體所接觸的壁部分即為本發明中的容器壁。
另外，蒸發原料用容器，除了氣體導出口12以外，亦可在容器本體10內設置導入載氣的載氣導入口。圖1中的符號11係表示進行蒸發原料用容器100的流路之開閉的閥。藉由使該閥11開放，可從氣體導出口12對於外部供給蒸發原料用容器100內的蒸發原料的氣體。
鋁合金中，與鋁組合構成合金的金屬種類未特別限制，但較佳係在陽極氧化時不會在被膜中產生缺陷者。作為這種金屬的例子，可列舉鉭、鈮、鈦、鋯、鉿等的閥金屬、鎂等的比鋁更容易氧化的金屬。該等之中，鎂可提高鋁合金的強度。又，鋯等具有在鋁合金的製造步驟時使再結晶的晶粒微細化的效果。再結晶的晶粒若微細化，則鋁合金的均勻性增加，可抑制陽極氧化時產生缺陷，亦可進一步提升鋁合金本體的強度。另外，該等的金屬可使用1種，亦可以任意的組合及比例併用2種以上。
鋁合金中，鋁的含量通常可為50質量%以上，較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，特佳為94質量%以上。另外，100質量%的情況即為鋁，因此上限為小於100質量%。鋁的含量若太少，則基材無法成為均勻的固溶體，可能導致屏障型陽極氧化膜的膜質變差。
又，本發明中的鋁或鋁合金，除了主成分之元素以外的元素(以下稱為「雜質元素」)，其總含量較佳為1.0質量%以下，更佳為0.1質量%以下，再佳為0.01質量%以下。雜質元素之中，特定元素(亦即，鐵、鎳、銅、錳、鋅、鉻)的含量，各元素較佳為0.01質量%以下，更佳為0.001質量%以下，特佳為0.0001質量%以下。
屏障型陽極氧化膜23為鋁或鋁合金的氧化物所構成之膜，其厚度較佳為50nm~10μm。一般而言，作為鋁或鋁合金的表面保護膜，廣泛使用稱之為氧皮鋁(alumite)的材料，其係以沸騰水或加壓水蒸氣等將數微米至數十微米的多孔質陽極氧化膜水和而進行β氧化鋁化，進而使孔壁水和膨脹，藉此進行封孔處理。使用這種氧皮鋁的表面保護膜的情況，耐蝕性雖提升，但表面保護膜中所包含的H2O在蒸發原料用容器100加熱時被釋放，而具有其將蒸發原料分解這樣的問題。此情況中，被分解的蒸發原料成為雜質。另一方面，本發明中的屏障型陽極氧化膜為無缺陷、無孔質(其表面 無孔洞)的膜，因此不會釋放H2O。因此，可避免因為H2O導致蒸發原料分解這樣的上述問題，而可進一步減少存在於蒸發原料中的雜質的量。
屏障型陽極氧化膜23的厚度可適當決定，較佳係如上所述，為50nm~10μm左右，更佳為100nm~1μm，特佳為150nm~500nm。為了得到耐蝕性，越厚(超過10μm)越佳，但若太厚，則具有在為了使蒸發原料蒸發而將蒸發原料用容器100加熱時產生裂縫而從該裂縫腐蝕容器的疑慮。又，若太薄，則具有因為振動等的物理性衝擊而產生裂縫、微孔、破損等的缺陷而從該缺陷腐蝕容器的疑慮。
本發明的蒸發用原料容器100，其內部亦可具有用以將熱傳遞至蒸發原料的結構物。結構物，可為在與基材一體化的鋁或鋁合金上附有屏障型陽極氧化膜者，亦可為具有耐蝕性的、與鋁或鋁合金不同的物質所構成之結構物。作為這種物質的例子，可列舉金、鉑等的貴金屬，或是碳化矽等的陶瓷等。此處，屏障型陽極氧化膜為絕緣性，因此即便使用貴金屬，亦不會發生局部電池腐蝕。
作為載氣並無特別限制，例如，可列舉氬、氮、氦等。
作為蒸發原料並無特別限制，例如，可適當決定採用以化學氣相沉積(CVD)法進行沉積中所使用的原料，特佳係採用以原子層沉積(ALD)法進行沉積中所使用的原料。
更具體而言，可列舉：四(二甲胺基)鉿(Hf(NMe2)4)、四(二甲胺基)鈦(Ti(NMe2)4)等的金屬醯胺、五乙氧鉭(Ta(OEt)5)等的金屬烷氧化物、雙(乙基環戊二烯基)釕(II)(Ru(EtCp)2)、雙(環戊二烯基)釕(II)(Ru(Cp)2)等的金屬的環戊二烯基錯合物、四氯化鉿(HfCl4)、四氯化鋯(ZrCl4)、三氯化銦(InCl3)、一氯化銦(InCl)、五氯化鎢(WCl5)、六氯化鎢(WCl6)、五氯化鉭(TaCl5)、五氯化鉬(MoCl5)、三氯化鋁(AlCl3)、四氯化鈦(TiCl4)、三氯化釕 (RuCl3)、四碘化鉿(HfI4)、四溴化鋯(ZrBr4)、六氟化鎢(WF6)等的金屬鹵素化物等。其中，金屬鹵化物等的原料容易腐蝕以往蒸發原料用容器的不銹鋼所構成之容器壁，因此在使用金屬鹵化物等原料的情況中，更佳係使用本發明的蒸發原料用容器。
本發明的蒸發原料用容器，可作為用以儲存以CVD法進行沉積中所使用之蒸發原料的容器，特佳係作為以ALD法進行沉積中所使用的容器。具體而言，ALD法為CVD法的一種，但因為係重複進行單層吸附與反應的沉積法，相較於以一般熱分解所進行的CVD法，可形成緻密、均質且階差被覆性優良的膜。另一方面，ALD法具有沉積速度慢這樣的特徵，另外，其係用於以原子等級要求無缺陷及均勻性的用途之中，因此所得到的膜，其性能不易受到蒸發原料所包含之雜質的不良影響。於是，藉由使用本發明的蒸發原料用容器，可使蒸發原料所包含的雜質為極微量，而能夠更優良地以ALD法進行沉積。
接著說明本發明之蒸發原料用容器的其他實施態樣的蒸發原料用容器。本實施態樣的蒸發原料用容器，與圖1所示的蒸發原料用容器100相同，具備：容器本體10，其具有熱傳導性的容器壁20，可進行密閉；及氣體導出口12，將容器本體10內的蒸發原料(前驅物)導出至容器本體10外部(參照圖1)。本實施態樣的蒸發原料用容器中，容器本體10的容器壁20的構成與目前為止所說明的一實施態樣之蒸發原料用容器不同。具體而言，容器壁20，如圖3所示，具有含鋁之不銹鋼所構成之基材壁22以及設於該基材壁22之內表面上的氧化鋁膜24。氧化鋁膜24，其內表面平滑。
本實施態樣的蒸發原料用容器，亦與目前為止所說明的一實施態樣之蒸發原料用容器(例如，圖1所示的蒸發原料用容器100)相同，具有優良的熱傳導性，且耐蝕性亦優良。又，本實施態樣的蒸發原料用容器， 其強度亦優良。本實施態樣的蒸發原料用容器，如圖3所示，構成容器壁20的基材壁22及氧化鋁膜24的構成不同，除此之外，大致可採用與圖1所示的蒸發原料用容器100相同的構成。以下詳細說明本實施態樣的蒸發原料用容器中的基材壁22及氧化鋁膜24的構成。
構成容器壁20的基材壁22，係由含鋁的不銹鋼所構成。基材壁22的內表面上設有氧化鋁膜24。氧化鋁膜24，較佳係在基材壁22的內表面上，藉由使不銹鋼中所含有的鋁選擇性氧化所形成的氧化鋁之鈍態膜。例如，氧化鋁膜24，可使氧化性氣體接觸含鋁的不銹鋼表面並進行熱處理，藉此可形成氧化鋁的鈍態膜。
基材壁22中所使用的「含鋁的不銹鋼」中，鋁的含量無特別限制，較佳為1~10質量%，更佳為3~8質量%，特佳為3~7質量%。鋁的含量若太少，則在對於含鋁的不銹鋼進行既定熱處理時，可能無法充分形成氧化鋁膜24。
含鋁的不銹鋼中，不銹鋼的種類無特別限制，例如，較佳為沃斯田鐵系不銹鋼。沃斯田鐵系不銹鋼，係添加鎳等的合金元素而從常溫至高溫呈現沃斯田鐵組織的不銹鋼，其中為了提升耐蝕性、機械性質、加工性、其他性質，而添加鎳、鉬、銅、鋁、矽等。本實施態樣的蒸發原料用容器中，可使用含既定量之鋁的不銹鋼作為構成基材壁22的材料。
氧化鋁膜24的厚度可適當決定，較佳為10nm~1μm左右，更佳為50nm~500nm，特佳為100nm~300nm。為了得到耐蝕性而越厚越佳，但若太厚，則為了使蒸發原料蒸發而將蒸發原料用容器加熱時，具有產生裂縫而從該裂縫腐蝕容器的疑慮。又，若太厚則具有沉積時間太長的問題。又，若太薄則具有因為振動等的物理性衝擊而產生裂縫、微孔、破損等缺陷而從該缺陷腐蝕容器的疑慮。
氧化鋁膜24，較佳為不包含鋁以外之其他金屬氧化物的氧化膜，鋁以外的其他金屬元素的含量較佳為1質量%以下，更佳為0.5質量%以下，特佳為0.1質量%以下。
氧化鋁膜24之內表面的表面粗糙度未特別限制，例如，表面粗糙度Ra為較佳為500nm以下，更佳為0.1~50nm，特佳為0.1~5nm。基材壁22的內表面的表面粗糙度Ra若超過500nm，則吸附於氧化鋁膜24表面的水分等的排氣時間明顯變長，可能與蒸發原料反應而分解，而具有蒸發原料用容器及比該蒸發原料用容器更下游側之設備容易被腐蝕等的疑慮。
[2]蒸發原料用容器的製造方法：
蒸發原料用容器100可由以下方法製造。首先製作具有鋁或鋁合金所構成之基材壁21的容器材，接著，在該容器材的內表面上以陽極氧化處理形成屏障型陽極氧化膜23。另外，作為形成該屏障型陽極氧化膜23前的步驟，亦可進行脫脂步驟及化學研磨步驟。藉由進行該等步驟，可抑制因存在於基材表面的汙染元素導致在形成屏障型陽極氧化膜23時發生缺陷。
脫脂步驟，係對於鋁或鋁合金之表面進行脫脂處理的步驟。該脫脂步驟，係將附著於鋁或鋁合金表面的潤滑油及油成分等的有機成分去除的步驟，只要為可去除有機成分的方法，即可適當採用以往習知的方法。例如，可藉由鹼脫脂處理進行。該鹼脫脂處理，係使鹼溶液接觸鋁或鋁合金之表面以進行脫脂處理的方法，通常係將鋁或鋁合金浸漬於鹼溶液的液體中以進行處理。
化學研磨步驟，係對於鋁或鋁合金的表面進行化學研磨處理的步驟。該化學研磨處理中，使表面微細凹凸的凸部比凹部先溶解，而得到平滑的光澤面。又，只要鋁或鋁合金的表面部存在雜質，即可在本步驟中去除。
本步驟中，可使化學研磨液接觸鋁或鋁合金的表面，以進行化學研磨處理。可使用酸性溶液作為化學研磨液。
另外，由化學研磨處理所去除的表層部分的厚度，通常為50nm以上，較佳為500nm以上，通常為100μm以下，較佳為10μm以下。
陽極氧化處理，具體而言，可採用在電解質溶液中將鋁或鋁合金作為陽極並通電而進行的方法。
具體而言，製造本發明之屏障型陽極氧化膜時，可採用一般的屏障型陽極氧化膜的製造方法，但從提高屏障型陽極氧化膜之耐熱性的觀點來看，較佳係以下述方法製造。亦即，可列舉以pH4~10的化學處理液將鋁或鋁合金所構成之基材壁進行陽極氧化的方法。此處，上述化成液可為含有非水溶劑的溶液等。
作為電解質溶液的溶劑(化學處理液)，亦可使用水，但較佳係使用非水溶劑與水的混合溶劑。混合溶劑中的含水量較佳為5質量%以上50質量%以下。
作為非水溶劑，例如，可列舉具有1個以上的醇性羥基及/或1個以上的酚性羥基的溶劑、以及非質子性有機溶劑等。該等之中，從保存穩定性變得良好的觀點來看，較佳為具有醇性羥基的溶劑。
另外，本發明中的屏障型陽極氧化膜，不易因為熱而產生裂縫且為較薄的膜，因而較佳，從這樣的觀點來看，陽極氧化中的形成電壓較佳為30V以上300V以下，特佳為50V以上180V以下
又，根據上述製造屏障型陽極氧化膜的方法，所形成之屏障型陽極氧化膜中混入微量的碳，該碳使屏障型陽極氧化膜的非晶結構穩定化，而抑制熱裂縫的產生。
接著，如圖3所示，針對具有含鋁之不銹鋼所構成之基材壁22 以及設於該基材壁22之內表面上的氧化鋁膜24的蒸發原料用容器的製造方法進行說明。
首先，製作如圖3所示的具有含鋁之不銹鋼所構成之基材壁22的容器材料。用於基材壁22的含鋁之不銹鋼，鋁含量較佳為1~10質量%，更佳為3~8質量%，特佳為3~7質量%。
接著，對於該容器材的內表面進行研磨步驟，使含鋁的不銹鋼的表面平滑。作為研磨步驟，較佳為對於含鋁的不銹鋼表面進行電解研磨處理的步驟。電解研磨處理中，以含鋁的不銹鋼為陽極，在與成為對極的陰極之間，隔著電解液流入直流電流，藉此研磨表面的微細的凹凸，得到平滑的光澤面。又，只要含鋁的不銹鋼的表面部存在雜質，則皆可在本步驟中去除。再者，不銹鋼的表面部已形成不銹鋼之主成分鐵的氧化層等的情況，亦可藉由上述之電解研磨處理去除該氧化層。關於容器材料內表面的研磨步驟，不限於電解研磨處理，例如，亦可採用上述化學研磨處理。又，亦可在對於容器材料內表面進行上述脫脂步驟之後，再進行電解研磨處理。
接著，對於已進行研磨步驟的容器材料進行熱處理步驟，藉此在含有鋁的不銹鋼所構成之基材壁22的表面形成氧化鋁膜24。熱處理步驟，係使含有鋁的不銹鋼所構成之基材壁22的表面接觸氧化性氣體，而在該基材壁22的表面上形成氧化鋁鈍態膜。
作為熱處理步驟中所使用之氧化性氣體，可列舉含氧或水分的氣體。氧濃度較佳為500ppb~100ppm，更佳為1ppm~50ppm。水分濃度較佳為200ppb~50ppm，更佳為500ppb~10ppm。氧化性氣體，亦可為在該氧化性氣體中含氫的氧化性混合氣體。氧化性氣體中的氧化性成分的量若太多，則不銹鋼所包含的其他金屬與鋁一併氧化，可能難以形成不包含其他 金屬氧化物的氧化鋁膜24。另一方面，氧化性成分若太少，則可能難以形成氧化鋁膜24本體。
熱處理步驟中的氧化處理溫度較佳為700℃~1200℃，更佳為800℃~1100℃。藉由這樣的氧化處理溫度，可有效防止其他金屬的氧化。氧化處理溫度若小於700℃，則在熱處理步驟中，不銹鋼所包含的鐵或鉻亦可能被氧化。氧化處理溫度若超過1200℃，則氧化鋁膜24的表面會析出氧化鋁的結晶，而析出之氧化鋁的結晶剝離則可能導致氧化鋁膜24產生龜裂。熱處理步驟中的氧化處理所需之時間為例如30分鐘~3小時。
[3]蒸發原料用容器的使用方法：
首先，在蒸發原料用容器100內投入蒸發原料，之後使容器本體10為密閉狀態。接著，將氣體導出口12與半導體處理設備(圖中未顯示)連結。接著，在蒸發原料用容器100內，以加熱等的方法使蒸發原料蒸發(氣化)，而使已蒸發之氣體從氣體導出口12流出至半導體處理設備。之後，在半導體處理設備中，在配置於其內部的基板上形成預期的薄膜。此處，為了將蒸發原料用容器100加熱而使蒸發原料用容器100內的蒸發原料蒸發，蒸發原料用容器100(特別是容器本體10)較佳為熱傳導性優良。關於此點，本發明之容器壁20的基材壁係由鋁或鋁合金所構成，因此可達成優良的熱傳導性。
蒸發原料用容器100中，因為其容器本體10的容器壁20具有上述構成，因此具有優良的熱傳導性，且耐蝕性亦優良。亦即，因為係以鋁或鋁合金構成基材壁21，可達成比不銹鋼所構成之基材壁(容器壁)優良約10倍的熱傳導性，而且該基材壁21的內表面上形成有屏障型陽極氧化膜23，因此耐蝕性亦優良。另外，該屏障型陽極氧化膜的熱傳導率雖低於鋁，但約為不銹鋼的2倍，且膜厚極薄(50nm~10μm左右)，因此幾乎不會具有容器的熱傳導性下降的疑慮。因此，藉由採用本發明的蒸發原料用容器，蒸發 原料中源自容器的雜質比例變得極小，可將高純度的氣體供給至半導體處理設備。如圖3所示，關於具有含鋁之不銹鋼所構成之基材壁22以及設於該基材壁22之內表面上的氧化鋁膜24的蒸發原料用容器，亦可以與上述使用方法相同的方法使用。
[產業上的可利用性]
本發明的蒸發原料用容器，可用作以化學氣相沉積(CVD)法、尤其是原子層沉積(ALD)法進行沉積中所使用的容器。
10‧‧‧容器本體
11‧‧‧閥
12‧‧‧氣體導出口
20‧‧‧容器壁
100‧‧‧蒸發原料用容器

Claims (6)

  1. 一種蒸發原料用容器，其係用以儲存具有腐蝕性之蒸發原料的蒸發原料用容器，其具備：容器本體，具有熱傳導性的容器壁，且為可密閉的；及氣體導出口，將該容器本體內的蒸發原料導出至該容器本體外部，其中該容器壁具有鋁或鋁合金所構成之基材壁以及設於該基材壁之內表面上的屏障型陽極氧化膜。
  2. 如請求項1之蒸發原料用容器，其係用於以化學氣相沉積法所進行之沉積。
  3. 如請求項1之蒸發原料用容器，其係用於以原子層沉積法所進行之沉積。
  4. 一種蒸發原料用容器，其係用以儲存具有腐蝕性之蒸發原料的蒸發原料用容器，其具備：容器本體，具有熱傳導性的容器壁，且為可密閉的；及氣體導出口，將該容器本體內的蒸發原料導出至該容器本體外部，其中該容器壁具有含鋁之不銹鋼所構成的基材壁以及設於該基材壁之內表面上且內表面平滑的氧化鋁膜。
  5. 如請求項4之蒸發原料用容器，其係用於以化學氣相沉積法所進行之沉積。
  6. 如請求項4之蒸發原料用容器，其係用於以原子層沉積法所進行之沉積。
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