TW201945881A - 負電壓產生器及其負電壓偵測器 - Google Patents

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Abstract

一種負電壓產生器及其負電壓偵測器。負電壓產生器用以提供負參考電壓。負電壓產生器包括負電壓偵測器以及電壓泵電路。負電壓偵測器包括第一電路、第二電路以及比較電路。第一電路用以接收負參考電壓，且根據負參考電壓產生第一電壓。第二電路用以產生第二電壓。比較電路耦接第一電路以接收第一電壓，耦接第二電路以接收第二電壓，且對第一電壓及第二電壓進行比較以產生控制信號。電壓泵電路耦接負電壓偵測器以接收控制信號，且根據控制信號產生負參考電壓。

Description

負電壓產生器及其負電壓偵測器
本發明是有關於一種電壓產生裝置，且特別是有關於一種負電壓產生器及其負電壓偵測器。
一般的負電壓產生器都是先產生正值的設定電壓，再透過其負泵電路將此正值的設定電壓轉換為負值的參考電壓，以在其輸出端提供負參考電壓，其中負參考電壓的電壓絕對值等於設定電壓的電壓值。然而，上述的負電壓產生器所產生的負參考電壓的安定時間(settling time)會很長。此外，即使在安定時間之後，上述的負電壓產生器內仍存在突波電流(spike current)。
有鑑於此，本發明提供一種負電壓產生器及其負電壓偵測器，可降低負參考電壓的安定時間以快速地提供穩定的負參考電壓，且在負參考電壓達到設定值之後，負電壓產生器內無突波電流。
本發明的負電壓產生器用以提供負參考電壓。負電壓產生器包括負電壓偵測器以及電壓泵電路。負電壓偵測器包括第一電路、第二電路以及比較電路。第一電路用以接收負參考電壓，且根據負參考電壓產生第一電壓。第二電路用以產生第二電壓。比較電路耦接第一電路以接收第一電壓，耦接第二電路以接收第二電壓，且對第一電壓及第二電壓進行比較以產生控制信號。電壓泵電路耦接負電壓偵測器以接收控制信號，且根據控制信號產生負參考電壓。
在本發明的一實施例中，第一電路包括第一P型電晶體、第一電阻器以及第一電流源。第一P型電晶體的第一端耦接接地電壓，且第一P型電晶體的控制端接收負參考電壓。第一電阻器的第一端耦接第一P型電晶體的第二端。第一電流源耦接第一電阻器的第二端以提供第一電壓。第二電路包括第二P型電晶體以及第二電流源。第二P型電晶體的第一端及控制端耦接接地電壓，且第二P型電晶體的第二端提供第二電壓。第二電流源耦接第二P型電晶體的第二端。
在本發明的一實施例中，第一P型電晶體的基體耦接第一電阻器的第二端。第二電路更包括第二電阻器。第二電阻器的第一端耦接第二P型電晶體的第二端，且第二電阻器的第二端耦接第二電流源以及第二P型電晶體的基體。
在本發明的一實施例中，第二電路更包括第三電阻器。第三電阻器的第一端耦接接地電壓，且第三電阻器的第二端耦接第二P型電晶體的第一端。
在本發明的一實施例中，當第一電壓大於第二電壓時，比較電路產生控制信號以致能電壓泵電路，致使電壓泵電路根據電源電壓來遞增負參考電壓的電壓絕對值。
在本發明的一實施例中，當第一電壓等於第二電壓時，比較電路產生控制信號以禁能電壓泵電路，致使電壓泵電路將負參考電壓的電壓絕對值維持在設定電壓值，其中設定電壓值小於電源電壓的電壓絕對值。
在本發明的一實施例中，電壓泵電路包括時脈信號產生電路以及負泵電路。時脈信號產生電路用以根據控制信號以產生時脈信號組。負泵電路耦接時脈信號產生電路以接收時脈信號組，且根據時脈信號組以及電源電壓產生負參考電壓，其中負參考電壓的電壓絕對值小於電源電壓的電壓絕對值。
本發明的負電壓偵測器用以偵測負參考電壓。負電壓偵測器包括第一電路、第二電路以及比較電路。第一電路用以接收負參考電壓，且根據負參考電壓產生第一電壓。第二電路用以產生第二電壓。比較電路耦接第一電路以接收第一電壓，耦接第二電路以接收第二電壓，且對第一電壓及第二電壓進行比較以判斷負參考電壓的電壓絕對值是否等於設定電壓值。
基於上述，本發明實施例的負電壓產生器採用電源電壓來產生負參考電壓，基於電源電壓的電壓絕對值大於負參考電壓的電壓絕對值，故可讓負參考電壓的電壓絕對值快速地到達設定電壓值。除此之外，本發明實施例的負電壓偵測器並未自負參考電壓擷取電流。因此，在負參考電壓的電壓絕對值到達設定電壓值之後，可讓負電壓產生器中的電壓泵電路停止泵運作以避免產生突波電流，同時負參考電壓的電壓絕對值仍可維持在設定電壓值。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
為了使本發明的內容可以被更容易明瞭，以下特舉實施例做為本發明確實能夠據以實施的範例。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件，是代表相同或類似部件。
圖1是依照本發明一實施例所繪示的負電壓產生器的電路方塊示意圖。請參照圖1，負電壓產生器100用以提供負參考電壓NVref，亦即負參考電壓NVref的電壓低於零伏特。負電壓產生器100包括負電壓偵測器120以及電壓泵電路140。負電壓偵測器120可包括第一電路121、第二電路122以及比較電路123，但本發明不限於此。第一電路121用以接收負參考電壓NVref，且根據負參考電壓NVref產生第一電壓V1。第二電路122用以產生第二電壓V2。比較電路123耦接第一電路121以接收第一電壓V1，且耦接第二電路122以接收第二電壓V2。比較電路123對第一電壓V1及第二電壓V2進行比較以判斷負參考電壓NVref的電壓絕對值是否等於設定電壓值Vset，並據以產生一控制信號CS。電壓泵電路140耦接負電壓偵測器120以接收控制信號CS，且根據控制信號CS產生負參考電壓NVref。
在本發明的一實施例中，當第一電壓V1大於第二電壓V2時，比較電路123判斷負參考電壓NVref的電壓絕對值小於設定電壓值Vset，故比較電路123可產生第一位準(例如邏輯高位準)的控制信號CS以致能電壓泵電路140，致使電壓泵電路140根據電源電壓VDD來進行泵運作以遞增負參考電壓NVref的電壓絕對值，其中電源電壓VDD為正電壓，且設定電壓值Vset小於電源電壓VDD的電壓值。相對地，當第一電壓V1等於第二電壓V2時，比較電路123判斷負參考電壓NVref的電壓絕對值等於設定電壓值Vset，故比較電路123可產生第二位準(例如邏輯低位準)的控制信號CS以禁能電壓泵電路140，致使電壓泵電路140停止泵運作以將負參考電壓NVref的電壓絕對值維持在設定電壓值Vset，其中第一位準與第二位準互補。可以理解的是，負參考電壓NVref的電壓絕對值小於電源電壓VDD的電壓值。
附帶一提的，上述範例的控制信號CS的邏輯高低位準與電壓泵電路140致能與否的關係僅只是一個範例。本領域具通常知識者皆知，控制信號CS的邏輯高低位準與電壓泵電路140致能與否的關係是可以由設計者依實際需求來進行定義的。
圖2是依照本發明一實施例所繪示的電壓泵電路的電路方塊示意圖。請參照圖2，電壓泵電路140可包括時脈信號產生電路142以及負泵電路144，但本發明不限於此。時脈信號產生電路142可根據控制信號CS產生時脈信號組S_PH。負泵電路144耦接時脈信號產生電路142以接收時脈信號組S_PH，且可根據時脈信號組S_PH以及電源電壓VDD產生負參考電壓NVref。
在本發明的一實施例中，時脈信號產生電路142可採用已知的時脈信號產生電路來實現。在本發明的一實施例中，負泵電路144可採用圖3所示的兩相負泵電路來實現。請合併參照圖2及圖3，負泵電路144可包括電容器C1和CL以及開關SW1~SW4，但本發明不限於此。開關SW1的第一端耦接電源電壓VDD。開關SW1的第二端耦接電容器C1的第一端。開關SW2的第一端耦接接地電壓GND。開關SW2的第二端耦接電容器C1的第二端。開關SW3的第一端耦接電容器C1的第一端。開關SW3的第二端耦接接地電壓GND。開關SW4的第一端耦接電容器C1的第二端。電容器CL的第一端耦接接地電壓GND。電容器CL的第二端耦接開關SW4的第二端以提供負參考電壓NVref。另外，時脈信號組S_PH(示於圖2)可例如包括如圖4所示的時脈信號S_PH1及S_PH2，其中時脈信號S_PH1為邏輯高位準的時間區間不重疊於時脈信號S_PH2為邏輯高位準的時間區間，圖3的開關SW1及SW2受控於時脈信號S_PH1，且開關SW3及SW4受控於時脈信號S_PH2，但本發明不限於此。在本發明的另一實施例中，開關SW1及SW2可受控於時脈信號S_PH2，而開關SW3及SW4可受控於時脈信號S_PH1。
請合併參照圖3及圖4，以下假設開關SW1及SW2可反應於邏輯高位準的時脈信號S_PH1而被導通，開關SW1及SW2可反應於邏輯低位準的時脈信號S_PH1而被關斷，開關SW3及SW4可反應於邏輯高位準的時脈信號S_PH2而被導通，開關SW3及SW4可反應於邏輯低位準的時脈信號S_PH2而被關斷。因此，於圖4所示的時間區間TP1，開關SW1及SW2為導通狀態且開關SW3及SW4為關斷狀態，致使電源電壓VDD對電容器C1充電。接著，於圖4所示的時間區間TP2，開關SW1及SW2為關斷狀態且開關SW3及SW4為導通狀態，因此電容器C1將所儲存的電荷量轉移至電容器CL(亦即電容器C1對電容器CL充電)，以降低負參考電壓NVref (亦即增加負參考電壓NVref的電壓絕對值)。藉由反覆地切換時脈信號S_PH1的邏輯位準以及時脈信號S_PH2的邏輯位準，可讓電容器C1反覆地被充電以及對電容器CL充電，以逐步地降低負參考電壓NVref (亦即逐步地增加負參考電壓NVref的電壓絕對值)，直到負參考電壓NVref的電壓絕對值等於設定電壓值Vset為止。
由於電源電壓VDD的電壓值大於設定電壓值Vset，因此相較於一般採用設定電壓值Vset的電壓源來對電容器C1充電，本實施例採用電源電壓VDD來對電容器C1充電可有效提高電容器C1中所儲存的電荷量，以及提高自電容器C1轉移至電容器CL的電荷量，故而可加快負參考電壓NVref的下降速度(亦即加快負參考電壓NVref的電壓絕對值的上升速度)，從而降低負參考電壓NVref的安定時間。除此之外，在負參考電壓NVref的電壓絕對值等於設定電壓值Vset之後，圖2的時脈信號產生電路142可反應於控制信號CS而停止切換時脈信號S_PH1的邏輯位準以及時脈信號S_PH2的邏輯位準(亦即時脈信號S_PH1及S_PH2的邏輯位準將不再轉態)，以讓負泵電路144停止泵運作(稍後會再詳細說明)。如此一來，可避免開關SW1~SW4啟閉切換而產生突波電流。
圖5A是依照本發明一實施例所繪示的負電壓偵測器的第一電路及第二電路的電路示意圖。請參照圖5A，第一電路521A可包括P型電晶體M1、電阻器R1以及電流源I1。P型電晶體M1的第一端耦接接地電壓GND。P型電晶體M1的控制端接收負參考電壓NVref。電阻器R1的第一端耦接P型電晶體M1的第二端。電流源I1耦接電阻器R1的第二端以提供第一電壓V1。第二電路522A包括P型電晶體M2以及電流源I2。P型電晶體M2的第一端及控制端耦接接地電壓GND。P型電晶體M2的第二端提供第二電壓V2。電流源I2耦接P型電晶體M2的第二端。
在本發明的一實施例中，P型電晶體M1及M2可為相同尺寸的P型金氧半場效電晶體，因此第一電壓V1及第二電壓V2可分別如式(1)及式(2)所示，其中Vref為負參考電壓NVref的電壓絕對值，Vsg為P型電晶體M1(或P型電晶體PM2)的第二端與控制端之間的電壓差，I為電流源I1的輸出電流值，且R為電阻器R1的電阻值。
V1=-Vref+Vsg+Vset=-Vref+Vsg+I×R 式(1)
V2= Vsg 式(2)
當負參考電壓NVref的電壓絕對值Vref等於設定電壓值Vset(亦即I×R)時，第一電壓V1等於第二電壓V2，故藉由第一電壓V1與第二電壓V2的比較結果，可判斷負參考電壓NVref的電壓絕對值Vref是否等於設定電壓值Vset。另外，透過調整電阻器R1的電阻值R，即可調整設定電壓值Vset。
請合併參照圖3及圖5A。在此值得一提的是，由於負參考電壓NVref是耦接至P型電晶體M1的控制端(亦即P型金氧半場效電晶體的閘極端)，因此並無電流自圖3的電容器CL流至圖5A的P型電晶體M1。換句話說，圖5A實施例的負電壓偵測器並不會自圖3的電容器CL擷取電流。因此，在負參考電壓NVref的電壓絕對值Vref等於設定電壓值Vset之後，即使圖3的負泵電路144停止泵運作，負參考電壓NVref的電壓絕對值Vref仍可維持在設定電壓值Vset。
另外值得一提的是，於圖5A中，P型電晶體M1的第二端的電壓(為-Vref+Vsg)須大於P型電晶體M1的第一端的電壓(為接地電壓GND)，致使負參考電壓NVref的電壓絕對值Vref必須小於電壓差Vsg。因此，在本發明的其他實施例中，可透過增加P型電晶體M1及M2的基體效應(body effect)以提高P型電晶體M1及M2的臨界電壓(threshold voltage)，從而提高電壓差Vsg以及負參考電壓NVref的電壓絕對值Vref的上限。
圖5B是依照本發明另一實施例所繪示的負電壓偵測器的第一電路及第二電路的電路示意圖。請合併參照圖5A及圖5B，圖5B的第一電路521B類似於圖5A的第一電路521A，兩者的差異僅在於：第一電路521B的P型電晶體M1的基體是耦接電阻器R1的第二端，以增加第一電路521B的P型電晶體M1的基體效應來提高P型電晶體M1的臨界電壓，從而提高負參考電壓NVref的電壓絕對值的上限。另外，圖5B的第二電路522B類似於圖5A的第二電路522A，兩者的差異僅在於：第二電路522B更包括電阻器R2。
詳細來說，如圖5B所示，電阻器R2的第一端耦接P型電晶體M2的第二端，且電阻器R2的第二端耦接電流源I2，其中P型電晶體M2的基體耦接電阻器R2的第二端以增加P型電晶體M2的基體效應。藉由增加第二電路522B的P型電晶體M2的基體效應，可對應地提高第二電路522B的P型電晶體M2的臨界電壓，致使第二電路522B的P型電晶體M2的特性與第一電路521B的P型電晶體M1的特性相匹配。
請再重新參照圖5A，P型電晶體M1的第二端與第一端的電壓差為-Vref+Vsg，而P型電晶體M2的第二端與第一端的電壓差為Vsg。由於P型電晶體M1的第二端與第一端的電壓差不等於P型電晶體M2的第二端與第一端的電壓差，致使P型電晶體M1與M2的特性不匹配。
圖5C是依照本發明又一實施例所繪示的負電壓偵測器的第一電路及第二電路的電路示意圖。請合併參照圖5A及圖5C，圖5C的第一電路521C類似於圖5A的第一電路521A，故可參酌上述的相關說明，在此不再贅述。另外，圖5C的第二電路522C類似於圖5A的第二電路522A，兩者的差異僅在於：第二電路522C更包括電阻器R3。
詳細來說，如圖5C所示，電阻器R3的第一端耦接接地電壓GND。電阻器R3的第二端耦接P型電晶體M2的第一端。由於第二電路522C的P型電晶體M2的第一端透過電阻器R3耦接至接地電壓GND，因此第二電路522C的P型電晶體M2的第一端的電壓為電阻器R3兩端的跨壓VR3，且第二電路522C的P型電晶體M2的第二端與第一端的電壓差為Vsg－VR3。另外，第二電路521C的P型電晶體M1的第二端與第一端的電壓差為-Vref+Vsg，故藉由調整電阻器R3的電阻值來讓跨壓VR3等於負參考電壓NVref的電壓絕對值Vref，即可讓P型電晶體M1的第二端與第一端的電壓差等於P型電晶體M2的第二端與第一端的電壓差，致使P型電晶體M1與M2的特性匹配。
類似地，圖5C的第二電路522C中的電阻器R3的設計也可套用在圖5B的第二電路522B中，如圖5D的第二電路522D所示。第二電路522D的實施細節及運作可參酌上述的相關說明，在此不再贅述。另外，圖5D的第一電路521D類似於圖5B的第一電路521B，故可參酌上述的相關說明，在此不再贅述。
綜上所述，本發明實施例的負電壓產生器採用電源電壓對電容器充電以產生並提供負參考電壓，基於電源電壓的電壓絕對值大於負參考電壓的電壓絕對值，故可讓負參考電壓的電壓絕對值快速地到達設定電壓值。除此之外，本發明實施例的負電壓偵測器並未自電容器擷取電流。因此，在負參考電壓的電壓絕對值到達設定電壓值之後，可讓負電壓產生器中的電壓泵電路停止泵運作以避免產生突波電流，同時負參考電壓的電壓絕對值仍可維持在設定電壓值。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧負電壓產生器
120‧‧‧負電壓偵測器
121、521A、521B、521C、521D‧‧‧第一電路
122、522A、522B、522C、522D‧‧‧第二電路
123‧‧‧比較電路
140‧‧‧電壓泵電路
142‧‧‧時脈信號產生電路
144‧‧‧負泵電路
C1、CL‧‧‧電容器
CS‧‧‧控制信號
GND‧‧‧接地電壓
I1、I2‧‧‧電流源
M1、M2‧‧‧P型電晶體
NVref‧‧‧負參考電壓
R1、R2、R3‧‧‧電阻器
S_PH‧‧‧時脈信號組
S_PH1、S_PH2‧‧‧時脈信號
SW1~SW4‧‧‧開關
TP1、TP2‧‧‧時間區間
V1‧‧‧第一電壓
V2‧‧‧第二電壓
VDD‧‧‧電源電壓
VR3‧‧‧跨壓
Vsg‧‧‧電壓差
Vset‧‧‧設定電壓值
下面的所附圖式是本發明的說明書的一部分，繪示了本發明的示例實施例，所附圖式與說明書的描述一起說明本發明的原理。 圖1是依照本發明一實施例所繪示的負電壓產生器的電路方塊示意圖。 圖2是依照本發明一實施例所繪示的電壓泵電路的電路方塊示意圖。 圖3是依照本發明一實施例所繪示的負泵電路的電路架構示意圖。 圖4是依照本發明一實施例所繪示的時脈信號組的信號波形示意圖。 圖5A是依照本發明一實施例所繪示的負電壓偵測器的第一電路及第二電路的電路示意圖。 圖5B是依照本發明另一實施例所繪示的負電壓偵測器的第一電路及第二電路的電路示意圖。 圖5C是依照本發明又一實施例所繪示的負電壓偵測器的第一電路及第二電路的電路示意圖。 圖5D是依照本發明又一實施例所繪示的負電壓偵測器的第一電路及第二電路的電路示意圖。

Claims (15)

  1. 一種負電壓產生器，用以提供一負參考電壓，該負電壓產生器包括： 一負電壓偵測器，包括： 一第一電路，用以接收該負參考電壓，且根據該負參考電壓產生一第一電壓； 一第二電路，用以產生一第二電壓；以及 一比較電路，耦接該第一電路以接收該第一電壓，耦接該第二電路以接收該第二電壓，且對該第一電壓及該第二電壓進行比較以產生一控制信號；以及 一電壓泵電路，耦接該負電壓偵測器以接收該控制信號，且根據該控制信號產生該負參考電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的負電壓產生器： 其中該第一電路包括： 一第一P型電晶體，該第一P型電晶體的第一端耦接一接地電壓，且該第一P型電晶體的控制端接收該負參考電壓； 一第一電阻器，該第一電阻器的第一端耦接該第一P型電晶體的第二端；以及 一第一電流源，耦接該第一電阻器的第二端以提供該第一電壓， 其中該第二電路包括： 一第二P型電晶體，該第二P型電晶體的第一端及控制端耦接該接地電壓，且該第二P型電晶體的第二端提供該第二電壓；以及 一第二電流源，耦接該第二P型電晶體的該第二端。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的負電壓產生器，其中該第一P型電晶體的基體耦接該第一電阻器的該第二端，且該第二電路更包括： 一第二電阻器，該第二電阻器的第一端耦接該第二P型電晶體的該第二端，且該第二電阻器的第二端耦接該第二電流源以及該第二P型電晶體的基體。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的負電壓產生器，其中該第二電路更包括： 一第三電阻器，該第三電阻器的第一端耦接該接地電壓，且該第三電阻器的第二端耦接該第二P型電晶體的該第一端。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的負電壓產生器，其中該第二電路更包括： 一第二電阻器，該第二電阻器的第一端耦接該接地電壓，且該第二電阻器的第二端耦接該第二P型電晶體的該第一端。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的負電壓產生器，其中當該第一電壓大於該第二電壓時，該比較電路產生該控制信號以致能該電壓泵電路，致使該電壓泵電路根據一電源電壓來遞增該負參考電壓的電壓絕對值。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的負電壓產生器，其中當該第一電壓等於該第二電壓時，該比較電路產生該控制信號以禁能該電壓泵電路，致使該電壓泵電路將該負參考電壓的電壓絕對值維持在一設定電壓值，其中該設定電壓值小於該電源電壓的電壓絕對值。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的負電壓產生器，其中該電壓泵電路包括： 一時脈信號產生電路，用以根據該控制信號以產生一時脈信號組；以及 一負泵電路，耦接該時脈信號產生電路以接收該時脈信號組，且根據該時脈信號組以及一電源電壓產生該負參考電壓，其中該負參考電壓的電壓絕對值小於該電源電壓的電壓絕對值。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的負電壓產生器，其中該時脈信號組為兩相時脈信號，且該負泵電路包括： 一第一電容器； 一第一開關，該第一開關的第一端耦接該電源電壓，且該第一開關的第二端耦接該第一電容器的第一端； 一第二開關，該第二開關的第一端耦接一接地電壓，且該第二開關的第二端耦接該第一電容器的第二端； 一第三開關，該第三開關的第一端耦接該第一電容器的該第一端，且該第三開關的第二端耦接該接地電壓； 一第四開開，該第四開關的第一端耦接該第一電容器的該第二端；以及 一輸出電容器，該輸出電容器的第一端耦接該接地電壓，且該輸出電容器的第二端耦接該第四開關的第二端以提供該負參考電壓， 其中該第一開關及該第二開關受控於該兩相時脈信號的其中一時脈信號，且該第三開關及該第四開關受控於該兩相時脈信號的其中另一時脈信號。
  10. 一種負電壓偵測器，用以偵測一負參考電壓，該負電壓偵測器包括： 一第一電路，用以接收該負參考電壓，且根據該負參考電壓產生一第一電壓； 一第二電路，用以產生一第二電壓；以及 一比較電路，耦接該第一電路以接收該第一電壓，耦接該第二電路以接收該第二電壓，且對該第一電壓及該第二電壓進行比較以判斷該負參考電壓的電壓絕對值是否等於一設定電壓值。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的負電壓偵測器： 其中該第一電路包括： 一第一P型電晶體，該第一P型電晶體的第一端耦接一接地電壓，且該第一P型電晶體的控制端接收該負參考電壓； 一第一電阻器，該第一電阻器的第一端耦接該第一P型電晶體的第二端；以及 一第一電流源，耦接該第一電阻器的第二端以提供該第一電壓， 其中該第二電路包括： 一第二P型電晶體，該第二P型電晶體的第一端及控制端耦接該接地電壓，且該第二P型電晶體的第二端提供該第二電壓；以及 一第二電流源，耦接該第二P型電晶體的該第二端。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的負電壓偵測器，其中該第一P型電晶體的基體耦接該第一電阻器的該第二端，且該第二電路更包括： 一第二電阻器，該第二電阻器的第一端耦接該第二P型電晶體的該第二端，且該第二電阻器的第二端耦接該第二電流源以及該第二P型電晶體的基體。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的負電壓偵測器，其中該第二電路更包括： 一第三電阻器，該第三電阻器的第一端耦接該接地電壓，且該第三電阻器的第二端耦接該第二P型電晶體的該第一端。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的負電壓偵測器，其中該第二電路更包括： 一第二電阻器，該第二電阻器的第一端耦接該接地電壓，且該第二電阻器的第二端耦接該第二P型電晶體的該第一端。
  15. 如申請專利範圍第10項所述的負電壓偵測器，其中當該第一電壓大於該第二電壓時，該比較電路產生第一位準的一控制信號；當該第一電壓等於該第二電壓時，該比較電路產生第二位準的該控制信號，其中該第一位準與該第二位準互補。
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