TWI693373B - 三維感測模組 - Google Patents

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Abstract

一種三維感測模組，其包括光源、感測器、第一偏光片以及第二偏光片。第一偏光片設置在光源上，其中第一偏光片為圓偏振片或線偏振片。第二偏光片設置在感測器上，其中第二偏光片為圓偏振片或線偏振片。

Description

三維感測模組
本發明是有關於一種光學模組，且特別是有關於一種三維感測模組。
三維感測技術是藉由擷取待測物的影像來獲取待測物在空間中的立體資訊。相較於傳統的二維感測技術，三維感測技術不僅提升了識別準確度，還可具有更廣的應用範疇。
目前的三維感測技術主要分為立體視覺(stereo vision)、結構光(structured light)以及飛時測距(Time of Flight, ToF)。立體視覺技術是利用外界環境光作為光源，透過多個感測器(如相機)從不同角度擷取待測物的影像，再依據所擷取的影像運算出待測物的立體資訊。結構光技術是將特定圖案的光斑投射在待測物上，再以感測器擷取待測物上的光斑，藉由比對待測物上的光斑與原始光斑來運算出待測物的立體資訊。飛時測距技術是將光點投射在待測物上，再以感測器接收被待測物反射的光點，依據光束折返的時間去運算出待測物在空間中的立體資訊。
相較於立體視覺技術，結構光技術以及飛時測距技術因配備有光源所以在昏暗的環境中也可使用。然而，外界環境光也可能進入三維感測模組並傳遞至感測器，造成光學干擾(crosstalk)並導致訊噪比下降。因此，如何提升訊噪比，便成為本領域研發人員亟欲解決的問題之一。
本發明提供一種三維感測模組，其具有良好的識別準確度。
本發明的一種三維感測模組包括光源、感測器、第一偏光片以及第二偏光片。第一偏光片設置在光源上，其中第一偏光片為圓偏振片或線偏振片。第二偏光片設置在感測器上，其中第二偏光片為圓偏振片或線偏振片。
在本發明的一實施例中，第一偏光片以及第二偏光片同為線偏振片。第一偏光片的穿透軸與第二偏光片的穿透軸之間的夾角落在0度至45度的範圍內。
在本發明的一實施例中，第一偏光片以及第二偏光片的其中一個為線偏振片，且第一偏光片以及第二偏光片的其中另一個為圓偏振片。
在本發明的一實施例中，第一偏光片包括第一線偏振片以及第一四分之一波片，且第一四分之一波片設置在第一線偏振片與光源之間。
在本發明的一實施例中，三維感測模組更包括四分之一波片。四分之一波片設置在第二偏光片與感測器之間。
在本發明的一實施例中，三維感測模組更包括帶通濾波器。帶通濾波器設置在感測器上。
在本發明的一實施例中，三維感測模組更包括至少一抗反射層。所述至少一抗反射層位於光源以及感測器的其中至少一個上。
在本發明的一實施例中，光源為結構光光源。
在本發明的一實施例中，結構光光源包括點光源以及繞射光學元件。或者，結構光光源包括點光源以及微透鏡陣列。
在本發明的一實施例中，點光源包括雷射二極體或發光二極體。
基於上述，在本發明的三維感測模組中，利用第一偏光片以及第二偏光片將外界環境光的光強度降低，以提升訊噪比。因此，本發明的光三維感測模組可具有良好的識別準確度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
各圖式繪示的是特定示範實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，所述圖式並不侷限於下列實施例的結構或特徵，且這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些示範實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對厚度及位置可能縮小或放大。
以下實施例中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本發明。另外，在下列實施例中，相同或相似的元件將採用相同或相似的標號，且將省略其贅述。
下列實施例所列舉的三維感測模組適於擷取待測物在空間中的立體資訊，如待測物的三維座標、深度資訊或距離資訊等，但不以此為限。依據三維感測模組的應用範疇，待測物可能有所不同。舉例來說，若三維感測模組應用於人臉辨識，則待測物為人臉。若三維感測模組應用於智慧車，則待測物為位於車子周遭的人或物。
圖1至圖9分別是依照本發明的多個實施例的三維感測模組的剖面示意圖。請參照圖1，第一實施例的三維感測模組100包括光源110、感測器120、第一偏光片130以及第二偏光片140。
光源110適於提供用於三維感測的光束B。舉例來說，光源110可為提供結構光的結構光光源。詳細而言，光源110可包括點光源，如發光二極體、雷射二極體、其他發光元件或上述至少兩種發光元件的組合。此外，光源110可依需求而進一步包括設置在發光元件與第一偏光片130之間的至少一個光學元件，但不以此為限。光學元件可包括光準直元件、光匯聚元件以及擴光元件等。擴光元件可包括繞射光學元件(Diffraction Optical Element, DOE)或微透鏡陣列(Micro lens array)，但不以此為限。點光源所發出的光束通過繞射光學元件或微透鏡陣列之後形成適合用於擷取待測物在空間中的立體資訊的多個光點(light spots)。
感測器120適於接收被待測物O反射的光束BR。舉例來說，感測器120可包括電荷耦合元件(Charge Coupled Device, CCD)、互補式金屬氧化物半導體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor, CMOS)或其他適當種類的光學感測元件。
第一偏光片130設置在光源110上，且第一偏光片130可為圓偏振片或線偏振片。第二偏光片140設置在感測器120上，且第二偏光片140可為圓偏振片或線偏振片。在本實施例中，第一偏光片130與第二偏光片140同為圓偏振片。
詳細而言，第一偏光片130包括第一線偏振片132以及第一四分之一波片134，且第一四分之一波片134設置在第一線偏振片132與光源110之間。第二偏光片140包括第二線偏振片142以及第二四分之一波片144，且第二四分之一波片144設置在第二線偏振片142與感測器120之間。
光源110所提供的光束B為非偏振光。也就是說，光源110所提供的光束B具有第一偏振方向P1以及第二偏振方向P2。光束B中偏振方向(如第一偏振方向P1)平行於第一線偏振片132的穿透軸的光束會通過第一線偏振片132，而光束B中偏振方向(如第二偏振方向P2)垂直於第一線偏振片132的穿透軸的光束會被第一線偏振片132阻擋(如吸收或反射)。因此，光束B通過第一偏光片130後從非偏振光變成線偏振光。線偏振光被待測物O反射後偏振方向不變。換句話說，被反射的光束BR具有第一偏振方向P1。線偏振光通過第二偏光片140後變成圓偏振光(如右旋偏振光)並被感測器120接收。換句話說，被待測物O反射的光束BR幾乎是100%被感測器120接收。另一方面，外界環境光BE為非偏振光。因此，外界環境光BE約50%被第二線偏振片142濾除且約50%依序通過第二線偏振片142以及第二四分之一波片144並被感測器120接收。
利用第一偏光片130以及第二偏光片140將外界環境光BE的光強度降低，以提升訊噪比。因此，三維感測模組100可具有良好的識別準確度。
依據不同的需求，三維感測模組100可選擇性地包括其他元件或膜層。以下實施例皆可同此改良，於下便不再贅述。
請參照圖2，第二實施例的三維感測模組100A與圖1的三維感測模組100的主要差異如下所述。在三維感測模組100A中，第二線偏振片142設置在第二四分之一波片144與感測器120之間。在此架構下，通過第二偏光片140的光束BR以及外界環境光BE皆為線偏振光。
請參照圖3，第三實施例的三維感測模組100B與圖2的三維感測模組100A的主要差異如下所述。三維感測模組100B進一步包括四分之一波片150。四分之一波片150設置在第二偏光片140與感測器120之間。被待測物O反射的光束BR在通過四分之一波片150後變成圓偏振光。
請參照圖4，第四實施例的三維感測模組100C與圖1的三維感測模組100的主要差異如下所述。在三維感測模組100C中，第二偏光片140A為線偏振片。詳細而言，第二偏光片140A包括第二線偏振片142但不包括圖1的第二四分之一波片144。被反射的光束BR具有第一偏振方向P1(即光束BR為線偏振光)。此線偏振光可100%通過第二偏光片140A並被感測器120接收。另一方面，外界環境光BE只有50%可通過。因此，訊噪比可以提升。
請參照圖5，第五實施例的三維感測模組100D與圖1的三維感測模組100的主要差異如下所述。在三維感測模組100D中，第一偏光片130A為線偏振片。詳細而言，第一偏光片130A包括第一線偏振片132但不包括圖1的第一四分之一波片134。
請參照圖6，第六實施例的三維感測模組100E與圖2的三維感測模組100A的主要差異如下所述。在三維感測模組100E中，第一偏光片130A為線偏振片。第一偏光片130A的相關描述請參照上述，於此不再贅述。
請參照圖7，第七實施例的三維感測模組100F與圖4的三維感測模組100C的主要差異如下所述。在三維感測模組100F中，第一偏光片130A為線偏振片。第一偏光片130A的相關描述請參照上述，於此不再贅述。
在本實施例中，第一偏光片130A以及第二偏光片140A同為線偏振片。此外，第一偏光片130A的穿透軸與第二偏光片140A的穿透軸之間的夾角可落在0度至45度的範圍內。換句話說，第一偏光片130A的穿透軸與第二偏光片140A的穿透軸之間的夾角可大於或等於0度且小於或等於45度。
請參照圖8，第八實施例的三維感測模組100G與圖1的三維感測模組100的主要差異如下所述。三維感測模組100G進一步包括帶通濾波器160。帶通濾波器160設置在感測器120上的任一位置，以過濾外界環境光BE所造成的光學干擾。舉例來說，帶通濾波器160可設置在第二偏光片140上。然而，帶通濾波器160也可設置在第二偏光片140與感測器120之間。
帶通濾波器160設計為讓至少部分的光束BR通過，且遮蔽其餘波段的光束。因此，帶通濾波器160的穿透頻譜與光源110的發射頻譜至少部分重疊。舉例來說，若藉由紅外光進行三維感測(即光束B為紅外光)，則帶通濾波器160適於讓紅外光通過且過濾紅外光以外的光束(如外界環境光BE中的可見光波段)。
應說明的是，本發明任一實施例的三維感測模組皆可依需求而進一步包括帶通濾波器160，於下便不再贅述。
請參照圖9，第九實施例的三維感測模組100H與圖8的三維感測模組100G的主要差異如下所述。三維感測模組100H進一步包括至少一抗反射層170。所述至少一抗反射層170位於光源110以及感測器120的其中至少一個上的任一位置，以降低介面反射。在本實施例中，三維感測模組100H包括一層抗反射層170，且抗反射層170設置在帶通濾波器160上。然而，抗反射層170也可設置在光源110、第一偏光片130、第二偏光片140以及感測器120的其中一個的一表面上。或者，三維感測模組100H可包括多層抗反射層170，且這些抗反射層170可設置在光源110、第一偏光片130、第二偏光片140以及感測器120中的多個表面上。
應說明的是，本發明任一實施例的三維感測模組皆可依需求而進一步包括至少一抗反射層170。此外，在設置有四分之一波片150(如圖3)的架構下，所述至少一抗反射層170也可設置在四分之一波片150的至少一表面上。
綜上所述，在本發明的三維感測模組中，利用第一偏光片以及第二偏光片將外界環境光的光強度降低，以提升訊噪比。因此，本發明的光三維感測模組可具有良好的識別準確度。在一實施例中，還可進一步設置帶通濾波器來改善光學干擾。在另一實施例中，還可進一步設置至少一抗反射層來降低介面反射。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H‧‧‧三維感測模組110‧‧‧光源120‧‧‧感測器130、130A‧‧‧第一偏光片132‧‧‧第一線偏振片134‧‧‧第一四分之一波片140、140A‧‧‧第二偏光片142‧‧‧第二線偏振片144‧‧‧第二四分之一波片150‧‧‧四分之一波片160‧‧‧帶通濾波器170‧‧‧抗反射層B、BR、BT‧‧‧光束BE‧‧‧外界環境光O‧‧‧待測物P1‧‧‧第一偏振方向P2‧‧‧第二偏振方向
圖1至圖9分別是依照本發明的多個實施例的三維感測模組的剖面示意圖。
100‧‧‧三維感測模組
110‧‧‧光源
120‧‧‧感測器
130‧‧‧第一偏光片
132‧‧‧第一線偏振片
134‧‧‧第一四分之一波片
140‧‧‧第二偏光片
142‧‧‧第二線偏振片
144‧‧‧第二四分之一波片
B、BR‧‧‧光束
BE‧‧‧外界環境光
O‧‧‧待測物
P1‧‧‧第一偏振方向
P2‧‧‧第二偏振方向

Claims (9)

  1. 一種三維感測模組，包括：一光源；一感測器；一第一偏光片，設置在該光源上，其中該第一偏光片為圓偏振片或線偏振片；以及一第二偏光片，設置在該感測器上，其中該第二偏光片為圓偏振片或線偏振片，其中當該第一偏光片以及該第二偏光片同為線偏振片時，該第一偏光片的穿透軸與該第二偏光片的穿透軸之間的夾角落在0度至45度的範圍內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的三維感測模組，其中該第一偏光片以及該第二偏光片的其中一個為線偏振片，且該第一偏光片以及該第二偏光片的其中另一個為圓偏振片。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的三維感測模組，其中該第一偏光片包括一第一線偏振片以及一第一四分之一波片，且該第一四分之一波片設置在該第一線偏振片與該光源之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的三維感測模組，更包括：一四分之一波片，設置在該第二偏光片與該感測器之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的三維感測模組，更包括：一帶通濾波器，設置在該感測器上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的三維感測模組，更包括： 至少一抗反射層，位於該光源以及該感測器的其中至少一個上。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的三維感測模組，其中該光源為結構光光源。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的三維感測模組，其中該結構光光源包括：一點光源；以及一繞射光學元件或一微透鏡陣列。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的三維感測模組，其中該點光源包括雷射二極體或發光二極體。
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