CN113252967B - 电源突波监测电路 - Google Patents

Abstract

本发明揭露一种电源突波监测电路，其包含一第一P型场效晶体管以及一第二P型场效晶体管，其相同偏压电流所偏压，且第一P型场效晶体管的通道宽长比大于第二P型场效晶体管的通道宽长比；一电容，其一端接地，而另一端连接第一与第二P型场效晶体管的栅极、以及电源供应端；一判断电路，当第一P型场效晶体管的漏极电压下降幅度大于第二P型场效晶体管的漏极电压下降幅度时，判断电路判断电源供应端出现一负突波，而当第二P型场效晶体管的漏极电压上升幅度大于第一P型场效晶体管的漏极电压上升幅度时，判断电路判断电源供应端出现一正突波。

Description

电源突波监测电路

技术领域

本发明为有关于一种电源突波监测电路，特别是有关于一种电源突波监测电路。

背景技术

电源突波(glitch)是电子电路零件及IC损坏主要成因之一，电源出现瞬间电压的变化可能引起大电流导致元件受损甚至于烧毁，也可能造成元件存储的数据错误或元件重启(reset)。在电源电压稳定时，电源突波监测电路被要求有低消耗电流或是不消耗电流，而且电源突波监测电路的监测门槛电压尽量不受制程与温度影响，以确保监测范围一致。因此，如何低功耗且稳定监测突波发生为此技术领域的一重要议题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可监测正突波以及负突波的电源突波监测电路，其具有低功耗且不易受制程与温度影响的优点。

为了达成上述目的，本发明提供一种电源突波监测电路，其包含:一第一P型场效晶体管，包含一源极电耦接一电源供应端；一第一电流源，提供一第一偏压电流给第一P型场效晶体管，第一电流源的一端电耦接一负电压端而另一端电耦接第一P型场效晶体管的漏极；一第二P型场效晶体管，包含一源极电耦接电源供应端，其中第一P型场效晶体管的通道宽长比(W/L)大于第二P型场效晶体管的通道宽长比(W/L)；一第二电流源，提供一第二偏压电流给第二P型场效晶体管，第二电流源的一端电耦接负电压端，而另一端电耦接第二P型场效晶体管的漏极；一电容，其一端电耦接负电压端，而另一端电耦接第一P型场效晶体管的栅极、第二P型场效晶体管的栅极、以及电源供应端；一判断电路，当第一P型场效晶体管的漏极的电压下降幅度大于第二P型场效晶体管的漏极的电压下降幅度时，判断电路判断电源供应端出现一负突波，当第二P型场效晶体管的漏极的电压上升幅度大于第一P型场效晶体管的漏极的电压上升幅度时，判断电路判断电源供应端出现一正突波。

根据本发明的一实施例，在电源供应端的电压处于正常状态下，第一P型场效晶体管的漏极的电压高于第二P型场效晶体管的漏极的电压。

根据本发明的一实施例，第一电流源以及第二电流源以一电流镜电路实现，电流镜电路包含一第一N型场效晶体管串接于第一P型场效晶体管的漏极以及负电压端之间、以及一第二N型场效晶体管串接于第二P型场效晶体管的漏极以及负电压端之间，其中第一N型场效晶体管的通道宽长比(W/L)等于第二N型场效晶体管的通道宽长比(W/L)。

根据本发明的一实施例，判断电路包含一第一反相器以及一第二反相器，第一反相器的一输入端耦接第一P型场效晶体管的漏极，第二反相器的一输入端耦接第二P型场效晶体管的漏极，当第一反相器的一输出端的电压上升，表示电源供应端出现负突波，当第二反相器的一输出端的电压下降，表示电源供应端出现正突波。

根据本发明的一实施例，判断电路包含一第一比较器以及一第二比较器，第一比较器用以比较第一P型场效晶体管的漏极的电压与一第一参考电压，第二比较器用以第二P型场效晶体管的漏极的电压与一第二参考电压，当第一比较器的输出信号表示第一P型场效晶体管的漏极的电压低于第一参考电压，判断电路判断电源供应端出现负突波，当第二比较器的输出信号表示第二P型场效晶体管的漏极的电压高于第二参考电压，判断电路判断电源供应端出现正突波。

为了达成上述目的，本发明提供一种电源突波监测电路，包含:一P型场效晶体管，包含一源极电耦接一电源供应端；一电容，其一端电耦接一负电压端，而电容的另一端电耦接电源供应端以及P型场效晶体管的栅极；一电流镜电路，提供一第一偏压电流给P型场效晶体管，电流镜电路包含一N型场效晶体管串接于P型场效晶体管的漏极以及负电压端之间，其中在电源供应端的一正常状态下，P型场效晶体管的导通电阻小于N型场效晶体管的导通电阻；以及一判断电路，当P型场效晶体管的漏极的电压下降，判断电路判断电源供应端出现一负突波。

根据本发明的一实施例，判断电路包含一反相器，反相器的一输入端耦接P型场效晶体管的漏极，当反相器的一输出端的电压上升，表示电源供应端出现负突波。

为了达成上述目的，本发明提供一种电源突波监测电路，包含:一P型场效晶体管，包含一源极电耦接一电源供应端；一电容，电容的一端电耦接一负电压端，而电容的另一端电耦接P型场效晶体管的栅极、以及电源供应端；一电流镜电路，提供一偏压电流给P型场效晶体管，电流镜电路包含一N型场效晶体管串接于P型场效晶体管的漏极以及负电压端之间，其中在电源供应端的一正常状态下，P型场效晶体管的导通电阻大于N型场效晶体管的导通电阻；一判断电路，当P型场效晶体管的漏极的电压上升，判断电路判断电源供应端出现一正突波。

根据本发明的一实施例，判断电路包含一反相器，反相器的一输入端耦接P型场效晶体管的漏极，当反相器的一输出端的电压下降，表示电源供应端出现正突波。

为了达成上述目的，本发明提供一种电源突波监测电路，包含:一电流镜电路，包含一第一N型场效晶体管、一第二N型场效晶体管、一第三N型场效晶体管、以及一第四N型场效晶体管，其中第一N型场效晶体管、第二N型场效晶体管、第三N型场效晶体管、以及第四N型场效晶体管的源极电耦接至一负电压端，第一N型场效晶体管、第二N型场效晶体管、第三N型场效晶体管、以及第四N型场效晶体管的栅极电耦接至第四N型场效晶体管的漏极，第四N型场效晶体管的漏极接收一参考电流，而流经第一N型场效晶体管的漏极的一第一电流镜射自参考电流，流经第二N型场效晶体管的漏极的一第二电流镜射自参考电流，流经第三N型场效晶体管的漏极的一第三电流镜射自参考电流；一第一P型场效晶体管，包含一源极电耦接一电源供应端、以及一漏极电耦接第一N型场效晶体管的漏极；一第二P型场效晶体管，包含一源极电耦接电源供应端、以及一漏极电耦接第二N型场效晶体管的漏极；一第三P型场效晶体管，包含一源极电耦接电源供应端、一漏极电耦接第三N型场效晶体管的漏极以及；一电容，电容的一端电耦接负电压端，而电容的另一端电耦接第一P型场效晶体管的栅极、第二P型场效晶体管的栅极、以及第三P型场效晶体管的栅极与漏极；以及一判断电路，当第一P型场效晶体管的漏极的电压下降幅度大于第二P型场效晶体管的漏极的电压下降幅度时，判断电路判断电源供应端出现一负突波，当第二P型场效晶体管的漏极的电压上升幅度大于第一P型场效晶体管的漏极的电压上升幅度时，判断电路判断电源供应端出现一正突波。

附图说明

图1为本发明的第一实施例的电源突波监测电路的简易电路图。

图2为本发明的第二实施例的电源突波监测电路的简易电路图。

图3为本发明的第三实施例的电源突波监测电路的简易电路图。

图4为本发明的第四实施例的电源突波监测电路的简易电路图。

图5为本发明的第五实施例的电源突波监测电路的简易电路图。

符号说明：

10、10a、10b:判断电路

12:第一反相器

14:第二反相器

16:第一比较器

170:第一参考电压

18:第二比较器

190:第二参考电压

20、22、24:电流镜电路

22:电流镜电路

24:电流镜电路

26:参考电流

30:第一电流源

310:第一偏压电流

32:第二电流源

330:第二偏压电流

40:第一P型场效晶体管

410、430:电压

42:第二P型场效晶体管

44:第三P型场效晶体管

50:第一N型场效晶体管

52:第二N型场效晶体管

54:第三N型场效晶体管

56:第四N型场效晶体管

60:电容

VDD:电源供应端

具体实施方式

以下将配合图式及实施例来详细说明本发明的实施方式，藉此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。

图1为本发明的第一实施例的电源突波监测电路的简易电路图。如图1所示，电源突波监测电路包含判断电路10、第一P型场效晶体管40、第一电流源30、电容60、第二P型场效晶体管42、以及第二电流源32。

第一P型场效晶体管40的源极电耦接电源供应端VDD。第一电流源30提供第一偏压电流310，从第一P型场效晶体管40的源极流向漏极，用以偏压第一P型场效晶体管40。第一电流源30的一端电耦接负电压端(在此实施例为接地端)，而另一端电耦接第一P型场效晶体管40的漏极。

第二P型场效晶体管42的源极电耦接电源供应端VDD。第二电流源32提供第二偏压电流330，从第二P型场效晶体管42的源极流向漏极，用以偏压第二P型场效晶体管42。第二电流源32的一端电耦接负电压端(在此实施例为接地端)，而另一端电耦接第二P型场效晶体管42的漏极。

电容60的一端(例如底端)电耦接负电压端(在此实施例为接地端)，而电容60的另一端(例如顶端)电耦接第一P型场效晶体管40的栅极以及第二P型场效晶体管42的栅极。电源突波监测电路在运作时，电容60可预先充电，使电容60的另一端的电压维持一预设电压；例如，电容60的另一端可连接一开关，在电源突波监测电路运作之前，此开关开启，电容60进行充电，使得电容60的另一端的电压达到一预设电压，例如比电源供应端VDD的电压低一个晶体管40与42的门槛电压值的电压，例如，当VDD为5V时，预设电压可为低于4.3V的电压；电源突波监测电路开始运作时，开关关闭，使电容60的另一端的电压维持在上述预设电压而不受电源供应端VDD的电压变化影响。

第一P型场效晶体管40的通道宽长比(W/L)大于第二P型场效晶体管42的通道宽长比，因此第一P型场效晶体管40的导通电阻小于第二P型场效晶体管的导通电阻；在实际应用，第一P型场效晶体管40的通道宽长比(W/L)可设计成大于第二P型场效晶体管42的通道宽长比的10倍以上，使得第一P型场效晶体管40的导通电阻远小于第二P型场效晶体管42的导通电阻。根据分压定理，元件的跨压会与电阻成正比，因此当电源供应端VDD的电压处于正常状态下，第一P型场效晶体管40的跨压小而第二P型场效晶体管422的跨压大，所以第一P型场效晶体管40的漏极的电压410高于第二P型场效晶体管42的漏极的电压430，例如，第一P型场效晶体管40的漏极的电压410更接近电源供应端VDD的电压，而第二P型场效晶体管42的漏极的电压430更接近0V。

判断电路10接收并比较电压410与430，并根据电压410与430的变化判断电源供应端VDD是否出现正突波或负突波。例如，当电源供应端VDD出现正突波时，由于电容60的电压不能瞬间改变，所以正突波出现时，第一P型场效晶体管40的栅极以及第二P型场效晶体管42的栅极上的电压暂时都还是电容60的顶端的电压，而第一P型场效晶体管40的源极以及第二P型场效晶体管42的源极上的电压随着正突波而升高，因此第一P型场效晶体管40的源闸电压(source-to-gate voltage)以及第二P型场效晶体管42的源闸电压都会变大，导致第一P型场效晶体管40的导通电阻以及第二P型场效晶体管42的导通电阻都会变小。

由于在电源供应端VDD的电压处于正常状态下，第一P型场效晶体管40的导通电阻会远小于第二P型场效晶体管42的导通电阻，所以当电源供应端VDD出现正突波而导致第一P型场效晶体管40的导通电阻以及第二P型场效晶体管42的导通电阻都变小时，第二P型场效晶体管42的导通电阻的改变幅度会大于第一P型场效晶体管40的导通电阻的改变幅度，使得第二P型场效晶体管42的漏极的电压会从接近0V上升到接近电源供应端VDD的电压，而第一P型场效晶体管40的漏极的电压仍是接近电源供应端VDD的电压；因此，当第二P型场效晶体管42的漏极的电压上升幅度大于第一P型场效晶体管40的漏极的电压上升幅度时，判断电路10可判断电源供应端VDD出现正突波。

同样地，当电源供应端VDD出现负突波时，由于电容60的电压不能瞬间改变，所以第一P型场效晶体管40的源闸电压(source-to-gate voltage)以及第二P型场效晶体管42的源闸电压都会变小，导致第一P型场效晶体管40的导通电阻以及第二P型场效晶体管42的导通电阻都会变大。由于在电源供应端VDD的电压处于正常状态下，第二P型场效晶体管的导通电阻会远大于第一P型场效晶体管40的导通电阻，所以当电源供应端VDD出现负突波而导致第一P型场效晶体管40的导通电阻以及第二P型场效晶体管42的导通电阻都变大时，第一P型场效晶体管40的导通电阻的改变幅度会大于第二P型场效晶体管42的导通电阻的改变幅度，例如，第一P型场效晶体管40的漏极的电压会从接近电源供应端VDD的电压降至接近0V，而第二P型场效晶体管42的该漏极的电压仍是接近0V。因此，当第一P型场效晶体管40的漏极的电压下降幅度大于第二P型场效晶体管42的漏极的电压下降幅度时，判断电路10可判断电源供应端VDD出现负突波，

在一实施例中，第一电流源30以及第二电流源32可用一电流镜电路20实现；判断电路10可用至少一反相器或是至少一比较器来实现。将于以下段落详细说明。

图2为本发明的第二实施例的电源突波监测电路的简易电路图。如图2所示，第二实施例中，电源突波监测电路包含第一P型场效晶体管40、电容60、电流镜电路20、以及判断电路10a。

第一P型场效晶体管40的源极电耦接电源供应端VDD。电容60的一端电耦接一负电压端(在此实施例为接地端)，而另一端电耦接第一P型场效晶体管40的栅极。在电源突波监测电路运作时，电容60可预先充电，使电容60的跨压维持在一预设电压。在此实施例中，如何使电容60预先充电的方法已于上述内容描述，故在此不再赘述。

电流镜电路20提供第一偏压电流310给第一P型场效晶体管40，以偏压第一P型场效晶体管40。电流镜电路20可包含一第一N型场效晶体管50以及一第四N型场效晶体管56，第一N型场效晶体管50串接于第一P型场效晶体管40的漏极以及接地端之间，第四N型场效晶体管56的栅极电连接第一N型场效晶体管50的栅极以及第四N型场效晶体管56的漏极。第四N型场效晶体管56的漏极接收一参考电流26，而电流镜电路20用以镜射参考电流26，以产生偏压电流310。

在电源供应端VDD的一正常状态下，第一P型场效晶体管40的导通电阻小于第一N型场效晶体管50的导通电阻；例如，第一P型场效晶体管40的通道宽长比(W/L)可设计成大于第一N型场效晶体管50的通道宽长比(W/L)，例如大于10倍以上；根据分压定理，元件的跨压会与电阻成正比，因此电源供应端VDD的电压处于正常状态下，第一P型场效晶体管40的跨压小于第一N型场效晶体管50的跨压，即第一P型场效晶体管40的漏极的电压410会更接近电源供应端VDD的电压。

当电源供应端VDD出现负突波时，由于电容60的电压不能瞬间改变，所以第一P型场效晶体管40的源闸电压(source-to-gate voltage)变小，第一P型场效晶体管40的导通电阻变大，即第一P型场效晶体管40的跨压变大，导致第一P型场效晶体管40的漏极的电压410下降。因此，当监测到第一P型场效晶体管40的漏极的电压410下降，判断电路10a可判断电源供应端VDD出现负突波。

在第二实施例中，判断电路10a可包含一第一反相器12，其输入端耦接第一P型场效晶体管40的漏极。电源供应端VDD的电压处于正常状态下，第一P型场效晶体管40的漏极的电压410会更接近电源供应端VDD的电压，因此第一反相器12的一输出端的电压为低电平电压，即0V；当电源供应端VDD出现负突波，第一P型场效晶体管40的漏极的电压410会下降，因此当第一反相器12的输出端的电压从低电平电压变成高电平电压，表示电源供应端VDD出现负突波。

图3为本发明的第三实施例的电源突波监测电路的简易电路图。如图3所示，在第三实施例中，电源突波监测电路包含一第二P型场效晶体管42、电容60、电流镜电路22、以及判断电路10b。第二P型场效晶体管42的源极电耦接电源供应端VDD。电容60的一端电耦接负电压端(在此实施例为接地端)，而电容60的一端电耦接第二P型场效晶体管42的栅极。在电源突波监测电路运作时，电容60可预先充电，使电容60的跨压维持在一预设电压。在此实施例中，如何使电容60预先充电的方法已于上述内容描述，故在此不再赘述。

电流镜电路22提供第二偏压电流330给第二P型场效晶体管42，以偏压第二P型场效晶体管42。电流镜电路22包含一第二N型场效晶体管52以及第四N型场效晶体管56。第二N型场效晶体管52串接于第二P型场效晶体管42的漏极以及接地端之间。第四N型场效晶体管56的栅极电连接第二N型场效晶体管52的栅极以及第四N型场效晶体管56的漏极。第四N型场效晶体管56的漏极接收一参考电流26，而电流镜电路22用以镜射参考电流26，以产生偏压电流330。

在电源供应端VDD的一正常状态下，第二P型场效晶体管42的导通电阻大于第二N型场效晶体管52的导通电阻；例如，第二P型场效晶体管42的通道宽长比(W/L)可设计成小于第二N型场效晶体管52的通道宽长比(W/L)，例如小于10倍以上；根据分压定理，元件的跨压会与电阻成正比，因此，当电源供应端VDD的电压处于正常状态下，第二P型场效晶体管42的跨压大于第二N型场效晶体管52的跨压，使得第二P型场效晶体管42的漏极的电压430会更接近接地端的电压，即0V。

当电源供应端VDD出现正突波时，由于电容60的电压不能瞬间改变，所以第二P型场效晶体管42的源闸电压(source-to-gate voltage)变大，第二P型场效晶体管42的导通电阻变小，即第二P型场效晶体管42的跨压变小，导致第二P型场效晶体管42的漏极的电压430上升。因此，当监测到第二P型场效晶体管42的漏极的电压430上升，则判断电路10b可判断电源供应端VDD出现正突波。

在第三实施例中，判断电路10b可包含一反相器14，其输入端耦接第二P型场效晶体管42的漏极，电源供应端VDD的电压处于正常状态下，第二P型场效晶体管42的漏极的电压410会更接近接地端的电压，即0V，因此反相器14的一输出端的电压为高电平电压，例如电源供应端VDD的电压；当电源供应端VDD出现正突波，第二P型场效晶体管42的漏极的电压410会上升，因此当反相器14的输出端的电压从高电平电压转变成低电平电压，表示电源供应端VDD出现正突波。

图4为本发明的第四实施例的电源突波监测电路的简易电路图。如图4所示，电源突波监测电路包含电流镜电路24、第一P型场效晶体管40、第二P型场效晶体管42、第三P型场效晶体管44、电容60、以及一判断电路。电流镜电路24包含第一N型场效晶体管50、第二N型场效晶体管52、第三N型场效晶体管54、以及第四N型场效晶体管56。第一N型场效晶体管50、第二N型场效晶体管52、第三N型场效晶体管54、以及第四N型场效晶体管56的源极电耦接至负电压端；在此实施例，负电压端为接地端。

第一N型场效晶体管50、第二N型场效晶体管52、第三N型场效晶体管54、以及第四N型场效晶体管56的栅极电耦接至第四N型场效晶体管56的漏极，而第四N型场效晶体管56的漏极接收参考电流26。电流镜电路24根据参考电流26镜射一第一电流、一第二电流以及一第三电流，第一电流用以偏压第一N型场效晶体管50，第二电流用以偏压第二N型场效晶体管52，第三电流用以偏压第三N型场效晶体管54。

第一P型场效晶体管40的源极电耦接电源供应端VDD，而第一P型场效晶体管40的漏极电耦接第一N型场效晶体管50。第二P型场效晶体管42的源极电耦接电源供应端VDD，而第二P型场效晶体管42的漏极电耦接第二N型场效晶体管52的漏极。第三P型场效晶体管44的源极电耦接电源供应端VDD，而第三P型场效晶体管44的漏极电耦接第三N型场效晶体管54的漏极。

电容60的一端电耦接接地端，而电容60的另一端电耦接第一P型场效晶体管40的栅极、第二P型场效晶体管42的栅极、以及第三P型场效晶体管44的栅极与漏极。在电源突波监测电路运作时，第三P型场效晶体管44处于导通状态，因此电容60的另一端上的电压可维持在电源供应端VDD的电压。

在此实施例中，判断电路包含第一反相器12与第二反相器14，第一反相器12的输入端电耦接第一P型场效晶体管40的漏极，第二反相器14的输入端电耦接第二P型场效晶体管42的漏极。

在此实施例中，第一N型场效晶体管50的通道宽长比(W/L)、第二N型场效晶体管52的通道宽长比、第三N型场效晶体管54的通道宽长比、以及第四N型场效晶体管56的通道宽长比皆相同。第三P型场效晶体管44的通道宽长比与第一P型场效晶体管40的通道宽长比的比例为1:M，M为大于1的数值；第三P型场效晶体管44的通道宽长比与第二P型场效晶体管42的通道宽长比的比例为1:K，K为小于1的数值，因此，第一P型场效晶体管40的通道宽长比大于第二P型场效晶体管42的通道宽长比；例如，第一P型场效晶体管40的通道宽长比为第二P型场效晶体管42的通道宽长比的十倍以上。在一实施例中，第三P型场效晶体管44的通道宽长比可等于第三N型场效晶体管54的通道宽长比；但本发明不受此限制。

与前述的原理相同，由于第一P型场效晶体管40的导通电阻远小于第二P型场效晶体管42的导通电阻，因此电源供应端VDD的电压处于正常状态下，第一P型场效晶体管40的漏极的电压接近电源供应端VDD的电压，其为高电平电压，而第二P型场效晶体管42的漏极的电压接近0V，其为低电平电压，所以第一反相器12的输出端输出低电平电压，反相器14的输出端输出高电平电压。

当第一P型场效晶体管40的漏极的电压下降幅度大于第二P型场效晶体管42的漏极的电压下降幅度时，即第一反相器12的输出端从低电平电压变成高电平电压，而反相器14的输出端的电压不改变，则可判断电源供应端VDD出现一负突波。当第二P型场效晶体管的漏极的电压上升幅度大于第一P型场效晶体管的漏极的电压上升幅度时，即反相器14的输出端从高电平电压变成低电平电压，而第一反相器12的输出端的电压不改变，可判断电源供应端VDD出现一正突波。

图5为本发明的第五实施例的电源突波监测电路的简易电路图。第五实施例与第四实施例相似，而第五实施例与第四实施例的差异在于第五实施例使用两个比较器来实现判断电路。

第五实施例的判断电路包含一第一比较器16以及一第二比较器18。第一比较器16用以比较第一P型场效晶体管40的漏极的电压410与一第一参考电压170，第二比较器18用以比较第二P型场效晶体管42的漏极的电压430与一第二参考电压190。电源供应端VDD的电压处于正常状态下，第一P型场效晶体管40的漏极的电压410高于第一参考电压170，第二P型场效晶体管42的漏极的电压430低于第二参考电压190。当第一比较器16的输出信号表示第一P型场效晶体管40的漏极的电压410低于第一参考电压170，可判断电源供应端VDD出现负突波，当第二比较器18的输出信号表示第二P型场效晶体管42的漏极的电压430高于第二参考电压190，可判断电源供应端VDD出现正突波。

应注意的是，在一实施例中，本发明的电流源，例如第一电流源30或是第二电流源32，可以用可调整电流源来实现，藉此可调整本发明的电源突波监测电路对于电源供应端上不同斜率(电压变化/时间)的电压变化的反应灵敏度。在一实施例中，本发明的电容60可以用可调整电容来实现，藉此可调整本发明的电源突波监测电路对于电源供应端上不同斜率(电压变化/时间)的电压变化的反应灵敏度。

虽然本发明以前述的实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习相像技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的专利保护范围须视本说明书所附的权利要求所界定者为准。

Claims (10)

1.一种电源突波监测电路，其特征在于，包含:

一第一P型场效晶体管，包含一源极电耦接一电源供应端；

一第一电流源，提供一第一偏压电流给该第一P型场效晶体管，该第一电流源的一端电耦接一负电压端而另一端电耦接该第一P型场效晶体管的漏极；

一第二P型场效晶体管，包含一源极电耦接该电源供应端，其中该第一P型场效晶体管的通道宽长比(W/L)大于该第二P型场效晶体管的通道宽长比(W/L)；

一第二电流源，提供一第二偏压电流给该第二P型场效晶体管，该第二电流源的一端电耦接该负电压端，而另一端电耦接该第二P型场效晶体管的漏极；

一电容，该电容的一端电耦接该负电压端，而该电容的另一端电耦接该第一P型场效晶体管的栅极以及该第二P型场效晶体管的栅极，其中该电容的另一端维持在一预设电压；

一判断电路，当该第一P型场效晶体管的该漏极的电压下降幅度大于该第二P型场效晶体管的该漏极的电压下降幅度时，该判断电路判断该电源供应端出现一负突波，当该第二P型场效晶体管的该漏极的电压上升幅度大于该第一P型场效晶体管的该漏极的电压上升幅度时，该判断电路判断该电源供应端出现一正突波。

2.根据权利要求1所述的电源突波监测电路，其特征在于，在该电源供应端的电压处于正常状态下，该第一P型场效晶体管的该漏极的电压高于该第二P型场效晶体管的该漏极的电压。

3.根据权利要求1所述的电源突波监测电路，其特征在于，该第一电流源以及该第二电流源以一电流镜电路实现，该电流镜电路包含一第一N型场效晶体管串接于该第一P型场效晶体管的该漏极以及该负电压端的间、以及一第二N型场效晶体管串接于该第二P型场效晶体管的该漏极以及该负电压端之间，其中该第一N型场效晶体管的通道宽长比(W/L)等于该第二N型场效晶体管的通道宽长比(W/L)。

4.根据权利要求1所述的电源突波监测电路，其特征在于，该判断电路包含一第一反相器以及一第二反相器，该第一反相器的一输入端耦接该第一P型场效晶体管的该漏极，该第二反相器的一输入端耦接该第二P型场效晶体管的该漏极，当该第一反相器的一输出端的电压上升，表示该电源供应端出现该负突波，当该第二反相器的一输出端的电压下降，表示该电源供应端出现该正突波。

5.根据权利要求1所述的电源突波监测电路，其特征在于，该判断电路包含一第一比较器以及一第二比较器，该第一比较器用以比较该第一P型场效晶体管的该漏极的电压与一第一参考电压，该第二比较器用以该第二P型场效晶体管的该漏极的电压与一第二参考电压，当该第一比较器的输出信号表示该第一P型场效晶体管的该漏极的电压低于该第一参考电压，该判断电路判断该电源供应端出现该负突波，当该第二比较器的输出信号表示该第二P型场效晶体管的该漏极的电压高于该第二参考电压，该判断电路判断该电源供应端出现该正突波。

6.一种电源突波监测电路，其特征在于，包含:

一P型场效晶体管，包含一源极电耦接一电源供应端；

一电容，该电容的一端电耦接一负电压端，而该电容的另一端电耦接该P型场效晶体管的栅极，其中该电容的另一端维持在一预设电压；

一电流镜电路，提供一第一偏压电流给该P型场效晶体管，该电流镜电路包含一N型场效晶体管串接于该P型场效晶体管的漏极以及该负电压端之间，其中在该电源供应端的一正常状态下，该P型场效晶体管的导通电阻小于该N型场效晶体管的导通电阻；以及

一判断电路，当该P型场效晶体管的漏极的电压下降，该判断电路判断该电源供应端出现一负突波。

7.根据权利要求6所述的电源突波监测电路，其特征在于，该判断电路包含一反相器，该反相器的一输入端耦接该P型场效晶体管的漏极，当该反相器的一输出端的电压上升，表示该电源供应端出现该负突波。

8.一种电源突波监测电路，其特征在于，包含:

一P型场效晶体管，包含一源极电耦接一电源供应端；

一电容，该电容的一端电耦接一负电压端，而该电容的另一端电耦接该P型场效晶体管的栅极，其中该电容的另一端维持在一预设电压；

一电流镜电路，提供一偏压电流给该P型场效晶体管，该电流镜电路包含一N型场效晶体管串接于该P型场效晶体管的漏极以及该负电压端之间，其中在该电源供应端的一正常状态下，该P型场效晶体管的导通电阻大于该N型场效晶体管的导通电阻；

一判断电路，当该P型场效晶体管的漏极的电压上升，该判断电路判断该电源供应端出现一正突波。

9.根据权利要求8所述的电源突波监测电路，其特征在于，该判断电路包含一反相器，该反相器的一输入端耦接该P型场效晶体管的漏极，当该反相器的一输出端的电压下降，表示该电源供应端出现该正突波。

10.一种电源突波监测电路，其特征在于，包含:

一电流镜电路，包含一第一N型场效晶体管、一第二N型场效晶体管、一第三N型场效晶体管、以及一第四N型场效晶体管，其中该第一N型场效晶体管、该第二N型场效晶体管、该第三N型场效晶体管、以及该第四N型场效晶体管的源极电耦接至一负电压端，该第一N型场效晶体管、该第二N型场效晶体管、该第三N型场效晶体管、以及该第四N型场效晶体管的栅极电耦接至该第四N型场效晶体管的漏极，该第四N型场效晶体管的漏极接收一参考电流，而流经该第一N型场效晶体管的漏极的一第一电流镜射自该参考电流，流经该第二N型场效晶体管的漏极的一第二电流镜射自该参考电流，流经该第三N型场效晶体管的漏极的一第三电流镜射自该参考电流；

一第一P型场效晶体管，包含一源极电耦接一电源供应端、以及一漏极电耦接该第一N型场效晶体管的漏极；

一第二P型场效晶体管，包含一源极电耦接该电源供应端、以及一漏极电耦接该第二N型场效晶体管的漏极；

一第三P型场效晶体管，包含一源极电耦接该电源供应端、一漏极电耦接该第三N型场效晶体管的漏极以及；

一电容，该电容的一端电耦接该负电压端，而该电容的另一端电耦接该第一P型场效晶体管的该栅极、该第二P型场效晶体管的该栅极、以及该第三P型场效晶体管的该栅极与该漏极；以及

一判断电路，当该第一P型场效晶体管的该漏极的电压下降幅度大于该第二P型场效晶体管的该漏极的电压下降幅度时，该判断电路判断该电源供应端出现一负突波，当该第二P型场效晶体管的该漏极的电压上升幅度大于该第一P型场效晶体管的该漏极的电压上升幅度时，该判断电路判断该电源供应端出现一正突波。