TW201644130A - 電源供應箝位器 - Google Patents

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Abstract

一種可連接在電子電路之電力軌道之間的電源供應箝位器，該電源供應箝位器包含：開關組件，該開關組件為可開關的以在電子電路之電力軌道之間提供連接路徑；第一偵測器，經配置以偵測具有第一特徵時間周期的靜電放電事件及回應於偵測產生偵測器輸出訊號；一連串一或更多個連續中間放大級，位於第一偵測器與開關組件之間，此一連串放大級為控制訊號提供控制訊號路徑以回應於偵測器輸出訊號來控制開關組件之開關；以及第二偵測器，經配置以偵測具有第二特徵時間周期的靜電放電事件，第二特徵時間周期比第一特徵時間周期短，在控制訊號路徑中後繼於第一偵測器的節點處(例如，位於此一連串中間放大級之第二級或後繼級處)提供第二偵測器，使得藉由第二偵測器的偵測引發控制訊號控制開關組件之開關。

Description

電源供應箝位器
本發明係關於電源供應箝位器。
電源供應箝位器係用於在電子電路之電力軌道之間提供可開關低阻抗路徑，例如以提供至少一些保護，避免因靜電放電(electrostatic discharge；ESD)事件而造成損壞。
ESD事件存在許多潜在原因。兩個此類潜在原因為自接觸電子電路的帶電外部物品(諸如人體或外部裝置或機器)的靜電放電，及例如藉由接觸地面的電路之一或更多個端子或插針使電子電路本身携帶的電荷放電至地面而產生的靜電放電，此兩個潜在原因具有相當不同的時間特徵。通常，與帶電人體或外部機器相關的ESD事件比與放電至地面的帶電裝置相關的ESD事件具有較慢上升時間及較慢衰變(亦即，與帶電人體或外部機器相關的ESD事件持續較久)。
每一個別ESD事件具有取決於其特定情形的參數(量值、時間特徵等)。然而，作為意欲减輕ESD之效應的保護配置之設計的一部分，可使用典型(或至少可重現)ESD事件之各種模型。兩個此類模型為人體模型(Human Body Model；HBM)及帶電裝置模型 (Charged Device Model；CDM)，人體模型對緩慢上升時間、緩慢衰變ESD事件模型化，帶電裝置模型對快速上升時間、快速衰變ESD事件模型化。ESD保護配置通常經設計以便進行保護以防止此等模擬ESD事件中的一者或兩者，且根據模型有測試程序可用，可將測試程序應用於受測試之電子電路以找出電路是否可承受模型化的ESD事件。
ESD保護與許多類型電子電路有關，但與半導體裝置(諸如實施為積體電路的半導體裝置)具有特定關聯性。一個理由在於積體電路內的任何個別組件之小實體尺寸可限制彼組件可安全耗散的瞬時功率或組件可安全維持(在ESD事件期間)而無損壞的電壓應力。
可以跨電子電路之電力軌道的放電形式發生示例性ESD事件。如上文所提及，電源供應箝位器可提供電力軌道之間的可開關低阻抗路徑，使得當偵測到ESD事件時可啟用低阻抗路徑。低阻抗路徑可處置高瞬時電流。在一些範例中，使用大場效電晶體。因此，示例性電源供應箝位製程涉及即時偵測ESD事件，開關低阻抗路徑使得由ESD事件所引起的電流脈衝通過低阻抗路徑，維持低阻抗路徑長達ESD事件之持續時間，且隨後切斷低阻抗路徑以便返回電子電路之正常操作。
在一示例性配置中，提供一種可連接在電子電路之電力軌道之間的電源供應箝位器，該電源供應箝 位器包含：開關組件，該開關組件為可開關的以在電子電路之電力軌道之間提供連接路徑；第一偵測器，經配置以偵測具有第一特徵時間周期的靜電放電事件及回應於偵測產生偵測器輸出訊號；一連串一或更多個連續中間放大級，位於第一偵測器與開關組件之間，此一連串放大級為控制訊號提供控制訊號路徑以回應於偵測器輸出訊號來控制開關組件之開關；以及第二偵測器，經配置以偵測具有第二特徵時間周期的靜電放電事件，第二特徵時間周期比第一特徵時間周期短，在控制訊號路徑中後繼於第一偵測器的節點處提供第二偵測器，使得藉由第二偵測器的偵測引發控制訊號控制開關組件之開關。
在一示例性配置中，提供一種可連接在電子電路之電力軌道之間的電源供應箝位器，該電源供應箝位器包含：開關手段，該開關手段為可開關的以在電子電路之電源與接地軌道之間提供連接路徑；第一偵測手段，用於偵測具有第一特徵時間周期的靜電放電事件及回應於偵測產生偵測器輸出訊號；一連串一或更多個連續中間放大手段，位於第一偵測手段與開關手段之間，為控制訊號提供控制訊號路徑以回應於偵測器輸出訊號來控制開關組件之開關；以及第二偵測手段，用於偵測具有第二特徵時間周期的靜電放電事件，第二特徵時間周期比第一特徵時間周期短，在控制訊號路徑中後繼於 第一偵測手段的節點處提供第二偵測手段，使得藉由第二偵測手段的偵測引發控制訊號控制開關手段之開關。
藉由隨附申請專利範圍界定本發明技術之進一步各別態樣及特徵。
10‧‧‧開關組件
20‧‧‧控制訊號
30‧‧‧偵測器
40‧‧‧偵測訊號
50‧‧‧放大器
60‧‧‧電容
70‧‧‧電阻
80‧‧‧PMOSFET/BigFET
90‧‧‧電力軌道
100‧‧‧電力軌道
110‧‧‧PMOSFET
120‧‧‧NMOSFET
130‧‧‧輸出訊號
140‧‧‧輸入訊號
150‧‧‧HBM偵測器
160‧‧‧CDM偵測器
170‧‧‧第一偵測器
180‧‧‧偵測器輸出訊號
190‧‧‧反相器/中間放大級
200‧‧‧反相器/中間放大級
210‧‧‧第二偵測器
500‧‧‧電子電路
510‧‧‧電源供應
520‧‧‧電源供應箝位器
530‧‧‧電路元件
參看隨附圖式中所圖示之本發明之實施例，將僅藉由範例方式進一步描述本發明技術，在圖式中：第1圖示意性圖示電源供應箝位器；第2圖示意性圖示ESD偵測器；第3圖示意性圖示電容之示例性實施方式；第4圖示意性圖示示例性開關組件；第5圖示意性圖示反相器；第6圖示意性圖示反相器之示例性實施方式；第7圖示意性圖示一連串連續反相器；第8圖示意性圖示ESD偵測器；第9圖示意性圖示示例性電源供應箝位器；第10圖係第9圖之電源供應箝位器之電路示意圖；以及第11圖示意性圖示電子電路及電源供應。
在參看隨附圖式論述實施例之前，提供實施例之以下描述。
示例性實施例提供一種可連接在電子電路之電力軌道之間的電源供應箝位器，該電源供應箝位器包含：開關組件，該開關組件為可開關的以在電子電路之電力軌道之間提供連接路徑(諸如低阻抗連接路徑)；第一偵測器，經配置以偵測具有第一特徵時間周期的靜電放電事件及回應於偵測產生偵測器輸出訊號；一連串一或更多個連續中間放大級，位於第一偵測器與開關組件之間，此一連串放大級為控制訊號提供控制訊號路徑以回應於偵測器輸出訊號來控制開關組件之開關；以及第二偵測器，經配置以偵測具有第二特徵時間周期的靜電放電事件，第二特徵時間周期比第一特徵時間周期短，在控制訊號路徑中後繼於第一偵測器的節點處(例如，在提供兩個或更多個級的情况中，位於此一連串中間放大級之第二級或後繼級處)提供第二偵測器，使得藉由第二偵測器的偵測引發控制訊號控制開關組件之開關。
本發明技術提供快速ESD事件(諸如CDM事件)及較慢ESD事件(諸如HBM事件)之不同偵測。在一連串中間放大級中與較慢偵測相比靠後的位置處提供快速偵測，意謂較快偵測較少被中間放大級延遲。此對快速事件(諸如CDM事件)提供潜在較快的反應。
示例性實施例之進一步優勢可包括：提供處理CDM事件之快速時間尺度的特定且獨立的觸發路徑及處理HBM事件之較慢時間尺度的獨立且較長的時間尺度觸發路徑。
可使用電晶體(諸如MOSFET)代替高值電阻器，在積體電路情境中，電晶體可提供面積减小。
在一些範例中，第一偵測器係人體模型靜電放電事件偵測器，第一偵測器例如經配置以偵測具有2奈秒與10奈秒之間之壓升時間的靜電放電事件且例如經配置以維持偵測器輸出訊號長達至少600奈秒。
儘管可使用其他技術，但是在示例性實施例中，第一偵測器包含串聯連接在電子電路之電力軌道之間的電容及電阻。
電容大小(且因此電容在積體電路裝置上的面積)可藉由提供連接至第一偵測器之電容的電流鏡來减小。
在示例性實施例中，第二偵測器係帶電裝置模型靜電放電事件偵測器，第二偵測器例如經配置以偵測具有小於1奈秒之壓升時間的靜電放電事件且例如經配置以維持偵測器輸出訊號長達不超過10奈秒。
在示例性實施例中，一連串連續中間放大級包含一連串連續反相器電路，每一反相器電路包含串聯連接在電力軌道之間的電晶體對。舉例而言，第二偵測器可包含串聯連接在電子電路之電力軌道之間的電容及 電阻(如真實電阻器或用作電阻器的MOS)，且具有輸出訊號行進至一連串中間放大器級之兩個連續級之間的控制訊號路徑中的節點。
在示例性實施例中，開關組件包含電晶體，該電晶體為可開關的以在電力軌道之間提供具有小於1歐姆之阻抗的連接路徑。
另一示例性實施例提供一種可連接在電子電路之電力軌道之間的電源供應箝位器，該電源供應箝位器包含：開關手段，該開關手段為可開關的以在電子電路之電源與接地軌道之間提供連接路徑；第一偵測手段，用於偵測具有第一特徵時間周期的靜電放電事件及回應於偵測產生偵測器輸出訊號；一連串一或更多個連續中間放大手段，位於第一偵測手段與開關手段之間，此一連串放大手段為控制訊號提供控制訊號路徑以回應於偵測器輸出訊號來控制開關組件之開關；以及第二偵測手段，用於偵測具有第二特徵時間周期的靜電放電事件，第二特徵時間周期比第一特徵時間周期短，在控制訊號路徑中後繼於第一偵測器的節點處提供第二偵測手段，使得藉由第二偵測手段的偵測引發控制訊號控制開關手段之開關。
本文所描述之技術在電子電路之情境中特別有用，此電子電路包含根據申請專利範圍的前述請求項 中任一項所述之電源供應箝位器，該電源供應箝位器視情况連接至電源供應。
第1圖示意性圖示可連接在電子電路(未圖示)之電力軌道之間的電源供應箝位器。電源供應箝位器包含開關組件10，該開關組件為在控制訊號20之控制下選擇性可操作的以在電力軌道之間提供低阻抗路徑(例如，具有小於1Ω之阻抗的路徑)，使得若偵測到靜電放電(electrostatic discharge；ESD)事件，則由事件產生的高於正常電流之電流經由開關組件10而不是經由連接在電子電路之電力軌道之間的任何其他組件進行路由。大體而言，開關組件10可經選擇以便(a)足够快速地開關使得組件之開關操作可在ESD事件期間相關聯，及(b)處置與ESD事件關聯的暫時但異常大的電流。
藉由偵測器30在第1圖中偵測ESD事件，該偵測器向放大器50供應偵測訊號40，該放大器繼而放大偵測訊號以形成控制訊號20。下文將進一步論述所有此等組件。
放大器50在偵測器30與開關組件10之間提供控制訊號路徑，此放大器可(如下文所論述)形成為一連串放大級。舉例而言，放大器50可放大來自偵測器30的偵測訊號以提供向開關組件控制訊號。放大器提供各種節點作為路徑的一部分，至少提供輸入節點及輸出節點，且在一些實施例中沿路徑提供一或更多個中間節 點，例如多級放大器配置中的連續放大級之間的節點。因此，儘管在第1圖及第10圖(下文論述)中在對開關組件的輸入處指示控制訊號20，但控制訊號遵循一連串一或更多個中間放大級之控制訊號路徑以到達電路系統中的彼點處。
僅出於此範例之目的，將第1圖中的電力軌道圖示為正電力軌道(VDD)及接地電力軌道(VSS)。然而，可使用其他配置，諸如正電力軌道及負軌道。
為了圖示涉及此類型配置的一些原理，現將論述一般範例，隨後再轉移到本揭示內容之實施例之詳細論述上。
第2圖示意性圖示例如可用作第1圖中的偵測器30之ESD偵測器。偵測器包含與電阻70串聯的電容60。偵測訊號40來源於電容60與電阻70之接合點。可使用其他類型偵測器，例如使用電流鏡(如參看第10圖所論述)及各種電阻及/或電容。應注意，第2圖圖示C-R級，但可替代使用R-C級。
第3圖示意性圖示以特定適用於積體電路環境中的方式呈現的電容器之示例性實施方式。在第3圖中，利用彼此連接的汲極端子、源極端子及基板端子製造金屬氧化物聚矽氧場效電晶體(metal oxide silicone field effect transistor；MOSFET)，使得此等端子集體提供電容之一端，而MOSFET之閘極提供另一端，此MOSFET圖示為PMOS，但可為NMOS 或PMOS任一者。類似地，可藉由具有永久連接閘極的MOSFET裝置實施電阻，以便使得裝置處於「接通」狀態。
第4圖示意性圖示示例性開關組件10。使用實體上較大(至少與其他電路組件相比較大)的NMOSFET或PMOSFET 80。此有時被稱為「BigFET」，通俗指示在ESD事件期間處置暫態但潜在較大電流的所需特性。當藉由控制訊號20接通時，BigFET 80在電力軌道90、100之間提供適宜的低阻抗路徑。
需要藉由BigFET 80處置的ESD事件之典型參數為數千伏特(諸如兩千或三千伏特)之峰值電壓，從而引發潜在大於1A之峰值放電電流，例如在CDM ESD事件中為6A或更多。然而，ESD事件之持續時間通常為約小於1μs。ESD損壞被認為主要由與事件關聯的大瞬時電流或在大ESD電流流過電路時的電壓累積引起，但通常藉由偵測電壓之快速變化率實施ESD事件之偵測。從ESD偵測器的觀點來看，偵測閾值速率上方的電壓之變化率；偵測器無法獲悉此是否由ESD引起。因此，術語「ESD偵測器」係指具有偵測參數的配置，此等偵測參數將偵測ESD事件，而不要求實際ESD事件正在發生。
在示例性配置中，將放大器50實施為一連串或一串放大級。本發明實施例利用一或更多個此類級， 例如兩個或更多個此類級。(單個放大器級將意指直接處理開關元件的CDM偵測器)。此放大級之範例為第5圖中所圖示之反相器及圖示為第6圖中的示例性示意電路實施方式，其中PMOSFET 110及NMOSFET 120協作以提供輸入訊號140之反相變型作為輸出訊號130，使得若輸入訊號升高，則輸出降低，且反之亦然。
使用此一連串放大級或反相器的一個理由在於，若將偵測訊號40直接連接至BigFET 80之輸入，則由BigFET 80形成的固有電容可對偵測器之電容60之偵測能力及時間常數潜在具有扭曲效果。BigFET之寄生電容可與偵測電容形成電容器分割器。因此，一連串放大級或反相器(諸如第7圖所示意性圖示之一連串)部分地用於使偵測電容60與BigFET 80之電容分離。
如上文所提及，電源供應箝位器可暴露於由於不同原因產生且具有不同參數(諸如量值及時間特徵)之ESD事件中。兩個示例性類型之ESD事件為人體模型(Human Body Model；HBM)類型事件及帶電裝置模型(Charged Device Model；CDM)，人體模型類型事件對緩慢上升時間、緩慢衰變ESD事件模型化，而帶電裝置模型對快速上升時間、快速衰變ESD事件模型化。此處，在本情境中，HBM類型事件之上升時間具有約數奈秒(nanosecond；ns)(例如，2-10ns)，且衰變時間(電源供應箝位器之所需持續或「接通」時間)具有約數百奈秒(諸如600ns)(例如，小於1μs， 但適宜持續或「接通」時間為大於600ns)。CDM ESD事件可更快，例如展示出以皮秒(picosecond；ps)為單位可量測之上升時間(例如，小於1ns)及大約數奈秒(例如，至多2ns)之衰變時間。下文所論述之HBM及CDM偵測器模組經配置以在上文設定之參數內工作。
因此，在偵測器30及放大器50上存在各種潜在衝突需求，以便可關於HBM及CDM ESD事件操作電源供應箝位器。為了對展示CDM特徵的事件作出足够迅速的反應，需要非常快速的偵測。此處，偵測之快速性包括由放大器50强加的任何延遲，使得偵測器30及放大器50必須協作以提供控制訊號20，從而在ESD事件之非常早期階段引發開關組件之啟動。然而，為了提供HBM ESD事件之相對緩慢衰變，控制訊號20應保持在活動狀態下(亦即，在引發開關組件10提供低阻抗路徑的狀態下)以便對於平息HBM ESD事件足够長。
為處理此等衝突需求，一個選項為提供用於HBM事件及CDM事件的獨立偵測配置，如第8圖中藉由單獨繪製的HBM偵測器150及CDM偵測器160所示意性圖示。然而，在具有本性質之簡單配置中，仍存在下述問題：由放大器50强加的延遲可大於必須藉由接通開關組件10實施CDM偵測的時間周期。
為了處理此問題，第9圖示意性圖示可連接在電子電路之電力軌道(例如，VDD及VSS)之間的電源供應箝位器，該電源供應箝位器包含：開關組件10， 該開關組件為可開關的以在電力軌道之間提供連接路徑(諸如低阻抗路徑，例如具有小於1Ω之阻抗的路徑)；第一偵測器170，經配置以偵測具有第一特徵時間周期(諸如HBM事件)的ESD事件及回應於此偵測產生偵測器輸出訊號180；一連串一或更多個連續中間放大級，該等放大級在本文實施為第一偵測器170與開關組件10之間的反相器190、200，且經排列以使得此一連串級190、200為控制訊號20提供控制訊號路徑以回應於偵測器輸出訊號180來控制開關組件之開關。舉例而言，控制訊號可基於偵測器輸出訊號180或至少部分地在偵測器輸出訊號上產生控制訊號。第二偵測器210經配置以偵測具有第二特徵時間周期的ESD事件，第二特徵時間周期比第一特徵時間周期(例如，CDM事件之特徵時間周期)短。在此範例中，在一連串中間放大級190、200之第二級或後繼級處提供第二偵測器(儘管可在別處提供第二偵測器，且更概括來說在控制訊號路徑中後繼於第一偵測器的節點處提供第二偵測器，亦即後繼於連接、耦接或提供第一偵測器的節點)，使得藉由第二偵測器的偵測引發控制訊號20控制開關組件10之開關，進入低阻抗狀態。舉例而言，控制訊號可基於自第二偵測器210的偵測器輸出訊號或至少部分地在自第二偵測器的偵測器輸出訊號上產生控制訊號。因此，可將配置視為一連串一或更多個中間放大級自第一偵測器及第二偵測器之任一者或兩者提供的偵測訊號產生控制訊 號的配置。舉例而言，由第二偵測器的偵測引發控制訊號之產生以控制開關組件之開關。舉例而言，由第一偵測器的偵測引發控制訊號之產生以控制開關組件之開關。
特徵時間周期可指示以下之一或更多者：關聯ESD事件之上升時間；關聯ESD事件之衰變時間；及/或形成偵測器之至少一部分的RC電路之時間常數。
在第9圖之配置中，藉由兩個或更多個中間放大級(諸如反相器(190、200))使HBM偵測器170及關聯的大電容(如上文所論述的，允許此偵測器偵測緩慢上升時間及减緩衰變ESD事件所需的大電容)與BigFET或其他開關組件10隔離。相比之下，需要CDM偵測器210來偵測更快上升時間及更快衰變ESD事件，且因此可使用明顯較小電容實現此偵測器。隨後，此允許將偵測器置放在電路結構內較接近BigFET處，而偵測器之偵測與BigFET之存在無錯誤互動。隨後，此意指CDM偵測器210與開關組件10之間的延遲較低，因為一連串中間放大級之較少級存在於CDM偵測器210與開關組件10之間。在第9圖之範例中，在第一放大級190與第二放大級200之間的節點處提供第二(CDM)偵測器，此為後繼於(在由放大級190、200提供的控制訊號路徑中後繼於)第一(HBM)偵測器之節點(對第一放大級190的輸入)的節點之範例。
在上文論述中，在一些範例中規定了在一連串放大級之第二級或後繼級處提供CDM偵測器(作為「第二偵測器」)。更概括來說，在控制訊號路徑中後繼於第一偵測器的節點處提供第二偵測器。應注意，可使用兩個或更多個放大級，使得例如一連串兩個、三個、四個等放大級可具有至少在放大級之間的位置處提供的相應節點。術語「在節點處提供」可指示在放大級之輸入、輸出或另一部分處提供。因此，在第二放大級或後繼放大級處提供第二偵測器可隱含在第二級的輸入處(或者實際上，在一連串具有三個或更多個級的放大級情况下，在後繼級的輸入處)提供第二偵測器210之意。在示例性實施例中，不在該連串之最後一級之輸出處提供第二偵測器(亦即，不直接在對BigFET或其他開關組件10的輸入處提供第二偵測器)。然而，應注意，第二偵測器可事實上經配置以使得第二偵測器之輸出直接行進至BigFET。
第10圖係第9圖之電源供應箝位器之電路示意圖。由方框170圍束的組件表示HBM偵測器且由方框210圍束的組件表示CDM偵測器。
開關組件10(BigFET)經配置以在正常操作條件(當VDD通電時)斷開並僅在ESD脈衝持續時間期間接通。
參看HBM偵測器，電晶體PM1充當電容(如上文參看第3圖所描述)且電阻R1(可例如實施為上文 所論述之電晶體)充當第2圖之示意電路之電阻器。在HBM ESD事件的影響下，VDD與VSS之間的正上升電壓差將引發偵測輸出RC1上升。電晶體PM2及NM2(關於HBM偵測)充當第一反相器級並引發中間訊號RC2下降。電晶體PM3及NM3充當第二反相器級，從而引發控制訊號20上升，接通充當開關組件10的BigFET。就此而言，第二反相器(在此處插入第二偵測級)可與正常互補CMOS級不同，因為第二反相器包含充當電阻器(硬連結接通)的PMOSFET及自前一級驅動的NMOSFET閘極。
在較短持續時間CDM ESD事件的影響下，與R1及C1關聯的特徵時間太緩慢以致於無法允許RC1對CDM ESD壓力足够有效率地反應，但電晶體PM2(在本情境中充當電阻)及較小電容C2充當具有較短特徵時間的第二電阻-電容級。回應於CDM ESD事件，PM2與C2之組合拉低訊號RC2，從而引發由PM3及NM3形成的反相器級升高控制訊號20，從而觸發充當開關組件10的BigFET至「接通」狀態。
電晶體NM1a及NM1d充當電流鏡以放大電容器C1處的電流。此可允許使用較小電容器(在積體電路裝置之情境中可意指實施電容所需的較小晶片面積)，同時實現相同時間常數。
在實施例中，持續時間(CDM偵測器保持接通的時間)可經配置以與啟動HBM偵測器關聯的延遲時 間(例如，2ns，或處於2ns至10ns範圍內，例如至多10ns)相同或實質相同。
第11圖示意性圖示電子電路500及電源供應510。電子電路500包含上文所論述類型之電源供應箝位器520及待保護以防止與電子電路500之功能相關的ESD事件的電路組件530。跨電子電路之電力軌道VDD及VSS連接電源供應箝位器510且操作電源供應箝位器以便在偵測到ESD事件的情况下在電力軌道VDD與VSS之間提供低阻抗路徑，且因此提供一定程度的保護以防止ESD損壞電路組件530。
電源供應510可受到限制以具有不大於最小閾值接通(上升)時間(諸如10μs)，以免在加電時經由電源供應箝位器偶然觸發ESD保護。
亦應注意，正常加電可被偵測為ESD事件，只不過時間尺度大體上不同(較慢)。因此，具有區分因ESD造成的壓升與因加電造成的壓升的箝位器可非常有用。並且，在由加電觸發為錯誤的情况下，如上文論及，迅速斷開以返回到正常操作很重要。此等特徵由本發明之至少一些實施例提供，且可例如藉由限制如上文所論述之接通時間來輔助。
在本申請案中，詞語「經配置以...」用於意指設備之元件具有能够實施所定義操作的配置。在此上下文中，「配置」意指硬體或軟體互連之配置或方式。舉例而言，設備可具有提供所定義操作的專用硬體，或 處理器或其他處理裝置可經程式化以執行此功能。「經配置以」不隱含為了提供所定義操作需要以任何方式改變設備元件之意。
儘管本文已參看隨附圖式詳細描述本發明技術之說明性實施例，但應理解，本發明技術並不受限於彼等精確實施例，且在不脫離隨附申請專利範圍所界定之本發明技術之範疇及精神的情况下可由熟習此項技術者實行各種變化、添加及修改。舉例而言，在不脫離本發明技術之範疇的情况下，可將獨立請求項之特徵與從屬請求項之特徵進行各種組合。
10‧‧‧開關組件
20‧‧‧控制訊號
30‧‧‧偵測器
40‧‧‧偵測訊號
50‧‧‧放大器

Claims (15)

  1. 一種可連接在一電子電路之電力軌道之間的電源供應箝位器，該電源供應箝位器包含：一開關組件，該開關組件為可開關的以在該電子電路之該等電力軌道之間提供一連接路徑；一第一偵測器，經配置以偵測具有一第一特徵時間周期的一靜電放電事件及回應於該偵測產生一偵測器輸出訊號；一連串一或更多個連續中間放大級，位於該第一偵測器與該開關組件之間，該一連串放大級為一控制訊號提供一控制訊號路徑以回應於該偵測器輸出訊號來控制該開關組件之開關；以及一第二偵測器，經配置以偵測具有一第二特徵時間周期的一靜電放電事件，該第二特徵時間周期比該第一特徵時間周期短，在該控制訊號路徑中後繼於該第一偵測器的一節點處提供該第二偵測器，使得藉由該第二偵測器的一偵測引發該控制訊號控制該開關組件之開關。
  2. 如請求項1所述之電源供應箝位器，其中該第一偵測器係一人體模型靜電放電事件偵測器。
  3. 如請求項1所述之電源供應箝位器，其中該第一偵測器經配置以偵測具有2奈秒與10奈秒之間 之一壓升時間的一靜電放電事件。
  4. 如請求項1所述之電源供應箝位器，其中回應於一靜電放電事件之偵測，該第一偵測器經配置以維持該偵測器輸出訊號長達至少600奈秒。
  5. 如請求項1所述之電源供應箝位器，其中該第一偵測器包含串聯連接在該電子電路之該等電力軌道之間的一電容及一電阻。
  6. 如請求項5所述之電源供應箝位器，包含一電流鏡，該電流鏡經連接至該第一偵測器之該電容。
  7. 如請求項1所述之電源供應箝位器，其中該第二偵測器係一帶電裝置模型靜電放電事件偵測器。
  8. 如請求項1所述之電源供應箝位器，其中該第二偵測器經配置以偵測具有小於1奈秒之一壓升時間的一靜電放電事件。
  9. 如請求項1所述之電源供應箝位器，其中回應於一靜電放電事件之偵測，該第二偵測器經配置以維持該偵測器輸出訊號長達至多10奈秒。
  10. 如請求項1所述之電源供應箝位器，其中該一連串連續中間放大級包含一連串連續反相器電路，每一反相器電路包含串聯連接在該等電力軌道之間的一電晶體對。
  11. 如請求項1所述之電源供應箝位器，其中 該第二偵測器包含串聯連接在該等電力軌道之間的一電容及一電阻，且具有一輸出訊號行進至該控制訊號路徑中的一節點。
  12. 如請求項1所述之電源供應箝位器，其中該開關組件包含一電晶體，該電晶體為可開關的以在該等電力軌道之間提供具有小於1歐姆之一阻抗的一連接路徑。
  13. 如請求項1所述之電源供應箝位器，其中：該一連串一或更多個連續中間放大級包含一連串兩個或更多個連續放大級；以及在該一連串中間放大級之一第二級或後繼級處提供該第二偵測器。
  14. 一種在一電子電路之電力軌道之間可連接的電源供應箝位器，該電源供應箝位器包含：開關手段，該開關手段為可開關的以在該電子電路之該等電源與接地軌道之間提供一連接路徑；第一偵測手段，用於偵測具有一第一特徵時間周期的一靜電放電事件及回應於該偵測產生一偵測器輸出訊號；一連串一或更多個連續中間放大手段，位於該第一偵測手段與該開關手段之間，該一連串放大手段為一 控制訊號提供一控制訊號路徑以回應於該偵測器輸出訊號來控制該開關組件之開關；以及第二偵測手段，用於偵測具有一第二特徵時間周期的一靜電放電事件，該第二特徵時間周期比該第一特徵時間周期短，在該控制訊號路徑中後繼於該第一偵測手段的一節點處提供該第二偵測手段，使得藉由該第二偵測手段的一偵測引發該控制訊號控制該開關手段之開關。
  15. 一種電子電路，該電子電路包含根據請求項1所述之一電源供應箝位器。
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