TW201945185A - 用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物及使用其之金屬包覆積層板 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物及一種金屬包覆積層板。更具體言之，本發明涉及一種用於具有特定熱應力因子的金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物，及一種包含熱固性樹脂複合物的金屬包覆積層板。

Description

用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物及使用其之金屬包覆積層板
本發明涉及一種用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物及一種金屬包覆積層板。更特定言之，本發明涉及一種用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物，其能夠實現低玻璃轉化溫度、低模數以及低熱膨脹係數且藉由在預浸體或半固化狀態下的極佳流動性而將翹曲降至最低，以及包含其的金屬包覆積層板。
[相關申請案之交叉參考]
本申請案主張經韓國智慧財產局2018年4月10日申請的韓國專利申請案第10-2018-0041697號、2018年6月20日申請的第10-2018-0071076號、2019年3月28日申請的第10-2019-0036079號以及2019年3月28日申請的第10-2019-0036078號的權益，所述申請案的揭露內容以全文引用之方式併入本文中。
根據先前技術的用於印刷電路板中的銅包覆積層板藉由使玻璃織物基板浸漬熱固性樹脂清漆、半固化基板以形成預浸體且隨後連同銅箔（copper foil）加壓及加熱預浸體來製造。預浸體經再次使用以在此銅包覆積層板上建構電路圖案且在電路圖案上累積。
近年來，對於改進電子裝置、通訊裝置、個人電腦、智能電話及類似者的效能、厚度以及重量的需求已經增大，且因此半導體封裝亦需變薄。同時，對用於半導體封裝的更薄印刷電路板的需求不斷增大。
然而，印刷電路板的剛性（rigidity）在薄化製程期間降低，且半導體封裝的翹曲問題由於晶片與印刷電路板之間熱膨脹係數（coefficient of thermal expansion，CTE）的差而出現。此翹曲因諸如回焊的高溫製程而變得更加嚴重，使得印刷電路板不恢復至其原始狀態。
為了改善翹曲現象，已經對於降低基板的熱膨脹係數的技術作出研究。舉例而言，已經提出用大量填充劑填充預浸體的技術。然而，當填充劑僅僅以高含量填充在預浸體中時，存在預浸體的流動性降低的侷限性。
[技術問題]
本揭露內容將提供一種能夠實現低玻璃轉化溫度、低模數（modulus）及低熱膨脹係數且藉由在預浸體或半固化狀態下的極佳流動性而將翹曲降至最低的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物。
本揭露內容亦將提供包含用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物的金屬包覆積層板。
[技術解決方案]
提供一種用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物，具有藉由以下通式1計算出的小於或等於25兆帕（MPa）的熱應力因子（thermal stress factor）。
[ 通式1]
熱應力因子
=∫[儲存模數*CTE] dT
在通式1中，熱應力因子、儲存模數（storage modulus）以及熱膨脹係數（coefficient of thermal expansion，CTE）為分別在30℃至260℃的範圍內限定或量測的值。
亦提供一種金屬包覆積層板，包含用於具有薄片形狀的金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物；以及形成於用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物的至少一個表面上的金屬箔。
在下文中，將更詳細地描述根據本發明的特定實施例的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物及金屬包覆積層板。
根據本揭露內容的一實施例，提供一種用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物，具有藉由以下通式1計算出的小於或等於25兆帕的熱應力因子。
[通式1]
熱應力因子
=∫[儲存模數* CTE] dT
在通式1中，熱應力因子、儲存模數以及熱膨脹係數（CTE）為分別在30℃至260℃的範圍內限定或量測的值。
如上文所描述，在半導體封裝的薄化製程中，半導體封裝的翹曲問題由於半導體晶片與印刷電路板之間的CTE的差而出現，且此翹曲因諸如回焊的高溫製程而變得更嚴重。為了改善翹曲現象，已知僅降低所述基板的CTE的方法。
因此，諸位發明人已經對預浸體、藉由固化熱固性樹脂複合物所製備的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物以及一金屬包覆積層板進行研究，且已經由實驗發現具有藉由通式1計算出的在30℃至260℃的範圍內的小於或等於25兆帕、10兆帕至25兆帕或12兆帕至21兆帕的熱應力因子的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物可將翹曲降至最低，從而完成本發明。
更特定言之，通式1的熱應力因子為藉由熱膨脹係數（CTE）乘以自30℃至260℃每一1℃處的儲存模數及將其相加獲得的值。
每一溫度處的CTE與用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物的張力（strain）有關，且每一溫度處的儲存模數與用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物的張力與應力（stress）的比有關。另外，藉由CTE乘以每一溫度處的儲存模數獲得的值與用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物的應力有關。因此，通式1的熱應力因子（其為藉由CTE乘以自30℃至260℃的每一溫度處的儲存模數及將其相加獲得的值）表示自30℃至260℃的總應力及由印刷線路板（由用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物製成）施加至半導體封裝的應力。因此，熱應力因子為直接地或間接地示出半導體封裝的翹曲的因子。
如上文所描述，用於實施例的金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物可藉由固化預浸體來形成。舉例而言，藉由蝕刻銅包覆積層板的銅箔層獲得的產物可被稱為「用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物」。此藉由固化藉由在高溫下熱風乾熱（hot-air drying）固性樹脂組成物而獲得的預浸體來形成。
用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物可具有藉由通式1計算出的在30℃至260℃範圍內的小於或等於25兆帕、10兆帕至25兆帕或12兆帕至21兆帕的熱應力因子，從而將翹曲降至最低。
已經確認，在使用不滿足通式1的小於或等於25兆帕、10兆帕至25兆帕或12兆帕至21兆帕的熱應力因子的用於金屬包覆積層板的先前熱固性樹脂複合物製造的半導體封裝中發生相對高翹曲，即使先前熱固性樹脂複合物具有與以上具體實例的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物相同或比其低的CTE。
同時，用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物在30℃及180℃下可分別具有小於或等於16十億帕（GPa）的儲存模數。特定言之，用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物在30℃下可具有12十億帕至16十億帕的儲存模數，且180℃下具有7十億帕至12十億帕的儲存模數。
用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物在諸如30℃及180℃的相對低溫度下具有小於或等於16十億帕的低儲存模數。因此，有可能在相同CTE下呈現相對低熱應力因子，且因此可能在低至30℃及180℃的溫度下具有相對低翹曲的半導體封裝。
另外，用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物在260℃下可具有小於或等於8十億帕，或5十億帕至8十億帕的儲存模數。由於用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物在260℃下具有上文所描述的範圍內的儲存模數，有可能在相同CTE下呈現相對低熱應力因子，且因此可能在260℃的溫度下具有相對低翹曲的半導體封裝。
亦即，此係因為熱固性樹脂複合物可在30℃至260℃的溫度範圍內具有相對低熱應力因子，半導體封裝的翹曲在30℃至260℃的溫度範圍內可為較低。
用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物可具有小於或等於12 ppm/℃、5 ppm/℃至12 ppm/℃或4 ppm/℃至10 ppm/℃的熱膨脹係數（CTE）。如上文所描述，用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物具有低CTE及通式1的小於或等於25兆帕的熱應力因子，使得使用熱固性樹脂複合物製造的半導體封裝可呈現相對低翹曲。
與此同時，用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物可包含熱固性樹脂組成物及織物基板。
更特定言之，熱固性樹脂組成物可包含：1）胺化合物，含有由以下所構成的族群中選出的至少一種官能基中的一者或多者：碸基（sulfone group）；羰基；鹵基；經硝基、氰基或鹵基取代或未經硝基、氰基或鹵基取代的C1至C20烷基；經硝基、氰基或鹵基取代或未經硝基、氰基或鹵基取代的C6至C20芳基；經硝基、氰基或鹵基取代或未經硝基、氰基或鹵基取代的C2至C30雜芳基；以及經硝基、氰基或鹵基取代或未經硝基、氰基或鹵基取代的C1至C20伸烷基，2）熱固性樹脂，3）熱塑性樹脂以及4）無機填充劑。
另外，熱固性樹脂組成物可具有小於或等於230℃的玻璃轉化溫度（glass transition temperature）。
熱固性樹脂組成物可藉由包含含有上文所提及的強拉電子基團（electron-withdrawing group，EWG）的胺化合物而呈現相對低反應性，使得熱固性樹脂組成物的固化反應可易於控制。
詳言之，基於胺化合物以100重量份計，根據實施例的熱固性樹脂組成物包含小於或等於400重量份的量的熱固性樹脂，使得熱固性樹脂可均一地固化至充足位準（level），而不受以高含量添加的填充劑的影響。因此，最終產物的可靠性可增強，諸如韌性的機械特性可增大，且玻璃轉化溫度可降至小於或等於230℃。
習知地，當胺固化劑過量添加時，如基於胺固化劑以100重量份計，添加小於或等於400重量份的量的熱固性樹脂，流動性及成型性（moldability）由於熱固性樹脂的過度固化而降低。
然而，如上文所描述，含有拉電子基團（electron withdrawing group，EWG）的反應性降低的特定胺固化劑可在即使其過量添加時抑制熱固性樹脂的固化速率快速升高。因此，即使當存儲在用於半導體封裝的樹脂組成物中或自其獲得的預浸體長時間時，高流動性可呈現且因此可達成極佳成型性。
基於胺固化劑以100重量份計，熱固性樹脂組成物可包括小於或等於400重量份、150重量份至400重量份、180重量份至300重量份、180重量份至290重量份或190重量份至290重量份的量的熱固性樹脂。當胺固化劑或熱固性樹脂為兩種或多於兩種類型的混合物時，基於胺固化劑混合物以100重量份計，熱固性樹脂混合物的量可為小於或等於400重量份、150重量份至400重量份、180重量份至300重量份、180重量份至290重量份或190重量份至290重量份。
當基於胺固化劑以100重量份計包含超過400重量份的過量熱固性樹脂時，由於固化密度的增加及填充劑的高含量而難以均一地將熱固性樹脂固化至充足位準。因此，最終產物的可靠性可降低，且諸如韌性的機械特性可降低。
熱固性樹脂組成物可具有藉由以下等式1計算出的大於或等於1.4、1.4至2.5、1.45至2.5、1.45至2.1、1.45至1.8或1.49至1.75的當量比（equivalent ratio）。
[等式1]
當量比=含於所述胺固化劑中的總活性氫當量/含於所述熱固性樹脂中的總可固化官能基當量
更特定言之，在等式1中，含於胺固化劑中的總活性氫當量為藉由胺固化劑的總重量（單位：公克）除以胺固化劑的活性氫當量（equivalent weight）（公克/當量（g/eq））獲得的值。
當胺固化劑為兩種或多於兩種類型的化合物的混合物時，總活性氫當量可藉由每一化合物的重量（單位：公克）除以活性氫當量（公克/當量）且將其相加來獲得。
含於胺固化劑中的活性氫是指含於存在於胺固化劑中的胺基（-NH2 ）中的氫原子，且活性氫可藉由與熱固性樹脂的可固化官能基反應而形成固化結構。
在等式1中，含於熱固性樹脂中的總可固化官能基當量為藉由熱固性樹脂的總重量（單位：公克）除以熱固性樹脂的可固化官能基當量（公克/當量）獲得的值。
當熱固性樹脂為兩種或多於兩類型的化合物的混合物時，總可固化官能基當量可藉由每一化合物的重量（單位：公克）除以可固化官能基當量（公克/當量）且將其相加來獲得。
含於熱固性樹脂中的可固化官能基是指藉由與胺固化劑的活性氫反應而形成固化結構的官能基，且可固化官能基的類型可取決於熱固性樹脂的類型而改變。
舉例而言，當環氧樹脂用作熱固性樹脂時，含於環氧樹脂中的可固化官能基可為環氧基，且當雙順丁烯二醯亞胺（bismaleimide）樹脂用作熱固性樹脂時，含於雙順丁烯二醯亞胺樹脂中的可固化官能基可為順丁烯二醯亞胺基。
亦即，滿足藉由等式1計算出的大於或等於1.4的當量比的熱固性樹脂組成物意謂含有足夠胺固化劑使得含於熱固性樹脂中的全部可固化官能基可引起固化反應。因此，當藉由等式1計算出的熱固性樹脂組成物中的當量比降低至小於1.4時，熱固性樹脂由於以高含量添加的填充劑的影響而很難均一地固化至充足位準，使得最終產物的可靠性及機械特性降低。
胺化合物可為含有由以下所構成的族群中選出的至少一個官能基的胺化合物：碸基；羰基；鹵基；經硝基、氰基或鹵基取代或未經硝基、氰基或鹵基取代的C1至C20烷基；經硝基、氰基或鹵基取代或未經硝基、氰基或鹵基取代的C6至C20芳基；經硝基、氰基或鹵基取代或未經硝基、氰基或鹵基取代的C2至C30雜芳基；以及經硝基、氰基或鹵基取代或未經硝基、氰基或鹵基取代的C1至C20伸烷基，以及2個至5個胺基的胺化合物。
更特定言之，胺化合物可包括由以下化學式1至化學式3所構成的族群中選出的至少一種化合物：
[化學式1]

在化學式1中，A為碸基、羰基或C1至C10伸烷基，X1 至X8 各獨立地為硝基、氰基、氫原子、鹵基、C1至C6烷基、C6至C15芳基或C2至C20雜芳基，R1 、R1 '、R2 以及R2 '各獨立地為氫原子、鹵基、C1至C6烷基、C6至C15芳基或C2至C20雜芳基，且n為1至10之整數。
C1至C10伸烷基、C1至C6烷基、C6至C15芳基以及C2至C20雜芳基可獨立地經由硝基、氰基以及鹵基所構成的族群中選出的至少一個官能基取代。
[化學式2]

在化學式2中，Y1 至Y8 各獨立地為硝基、氰基、氫原子、鹵基、C1至C6烷基、C6至C15芳基或C2至C20雜芳基，R3 、R3 '、R4 以及R4 '各獨立地為氫原子、鹵基、C1至C6烷基、C6至C15芳基或C2至C20雜芳基，且m為1至10之整數，且C1至C6烷基、C6至C15芳基以及C2至C20雜芳基可獨立地經由硝基、氰基以及鹵基所構成的族群中選出的至少一個官能基取代。
[化學式3]

在化學式3中，Z1 至Z4 各獨立地為硝基、氰基、氫原子、鹵基C1至C6烷基、C6至C15芳基或C2至C20雜芳基，R5 、R5 '、R6 以及R6 '各獨立地為氫原子、鹵基、C1至C6烷基、C6至C15芳基或C2至C20雜芳基，且C1至C6烷基、C6至C15芳基以及C2至C20雜芳基可獨立地經由硝基、氰基以及鹵基所構成的族群中選出的至少一個官能基取代。
烷基為自烷衍生的單價官能基，舉例而言，諸如甲基、乙基、丙基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基及類似者的線性、分支鏈或環狀基團。含於烷基中的氫原子可各自經取代基取代。
伸烷基為自烷衍生的二價官能基，舉例而言，諸如伸甲基、伸乙基、伸丙基、伸異丁基、伸第二丁基、伸第三丁基、伸戊基、伸己基及類似者的線性、分支鏈或環狀基團。含於伸烷基中的氫原子可各自經與烷基相同的取代基取代。
芳基為自芳烴（arene）衍生的單價官能基，舉例而言，單環或多環。單環芳基的特定實例包含但不限於苯基、聯苯基（biphenyl group）、聯三苯基（terphenyl group）、芪基（stilbenyl group）及類似者。多環芳基的實例包含但不限於萘基、蒽基、菲基、芘基（pyrenyl group）、苝基（perylenyl group）、屈基（crycenyl group）、芴基（fluorenyl group）及類似者。含於芳基中的氫原子可各自經與烷基相同的取代基取代。
雜芳基為含有O、N或S的雜環基，且碳原子數目不受特別限制，但可為2至30。雜芳基的實例包含但不限於：噻吩基（thiophene group）、呋喃基（furan group）、吡咯基（pyrrole group）、咪唑基（imidazole group）、噻唑基（thiazole group）、噁唑基（oxazole group）、噁二唑基（oxadiazole group）、三唑基（triazole group）、吡啶基（pyridyl group）、二吡啶基（bipyridyl group）、三嗪基（triazine group）、吖啶基（acridyl group）、噠嗪基（pyridazine group）、喹啉基（quinolinyl group）、異喹啉基（isoquinoline group）、吲哚基（indole group）、咔唑基（carbazole group）、苯并噁唑基（benzoxazole group）、苯并咪唑基（benzimidazole group）、苯并噻唑基（benzothiazole group）、苯并咔唑基（benzocarbazole group）、苯并噻吩基（benzothiophene group）、二苯并噻吩基（dibenzothiophene group）、苯并呋喃基（benzofuranyl group）、二苯并呋喃基（dibenzofuran group）及類似者。含於雜芳基中的氫原子可各自經與烷基相同的取代基取代。
術語「經取代」意謂另一官能基代替化合物中的氫原子的鍵結，取代的位置不受限制，只要其為氫原子經取代的位置，亦即，取代基可取代的位置，且當兩個或多於兩個取代基取代時，兩個或多於兩個取代基可彼此相同或不同。
更特定言之，化學式1可包含由以下化學式1-1表示的化合物。
[化學式1-1]

在化學式1-1中，A、X1 至X8 、R1 、R1 '、R2 、R2 '以及n如上文化學式1中所定義。
化學式1-1的特定實例包含4,4'-二胺基二苯基碸（4,4'-diaminodiphenyl sulfone）（其中在化學式1-1中，A為碸基，X1 至X8 、R1 、R1 '、R2 以及R2 '各獨立地為氫原子，且n為1）、雙(4-胺基苯基)甲酮（bis(4-aminophenyl)methanone）（其中在化學式1-1中，A為羰基，X1 、 X2 、 R1 、R1 '、R2 以及R2 '各獨立地為氫原子，且n為1）、4,4'-(全氟丙烷-2,2-二基)二苯胺（4,4'-(perfluoropropane-2,2-diyl)dianiline）（其中在化學式1-1中，A為全氟丙烷-2,2-二基，X1 至X8 、 R1 、R1 '、R2 以及R2 '各獨立地為氫原子，且n為1）、4,4'-(2,2,2-三氟乙烷-1,1-二基)二苯胺（4,4'-(2,2,2-trifluoroethane-1,1-diyl)dianiline）（其中在化學式1-1中，A為2,2,2-三氟乙烷-1,1-二基，X1 至X8 、 R1 、R1 '、R2 以及R2 '各獨立地為氫原子，且n為1）及類似者。
另外，化學式2可包括由以下化學式2-1表示的化合物。
[化學式2-1]

在化學式2-1中，Y1 至Y8 、R3 、R3 '、R4 、R4 '以及m如上文化學式2中所定義。
化學式2-1的特定實例包含2,2',3,3',5,5',6,6'-八氟聯苯-4,4'-二胺（2,2',3,3',5,5',6,6'-octafluorobiphenyl-4,4'-diamine）（其中在化學式2-1中，Y1 至Y8 為鹵原子（氟基），R3 、R3 '、R4 以及R4 '各獨立地為氫原子，且m為1）、2,2'-雙(三氟甲基)聯苯-4,4'-二胺（2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl-4,4'-diamine）（Y2 及Y7 各獨立地為三氟甲基，Y1 、Y3 、Y4 、Y5 、Y6 以及Y8 為氫原子，R3 、R3 '、R4 以及R4 '各獨立地為氫原子，且m為1）及類似者。
另外，化學式3可包含由以下化學式3-1表示的化合物。
[化學式3-1]

在化學式3-1中，Z1 至Z4 、R5 、R5 '、R6 以及R6 '如上文化學式3中所定義。
化學式3-1的特定實例包含2,3,5,6-四氟苯-1,4-二胺（2,3,5,6-tetrafluorobenzene-1,4-diamine）（其中在化學式3-1中，Z1 至Z4 為鹵原子（氟基），且R5 、R5 '、R6 以及R6 '各獨立地為氫原子）及類似者。
根據實施例的熱固性樹脂組成物可包含胺化合物、熱固性樹脂、熱塑性樹脂以及無機填充劑。
以上組分的含量不受特別限制，但可考慮由根據實施例的熱固性樹脂組成物製備的最終產物的物理特性來判定，且此等組分之間的含量比將稍後描述。
熱固性樹脂可包含環氧樹脂。環氧樹脂不受限制，只要其通常用於用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物中，且可為由以下所構成的族群中選出的至少一者：雙酚A型（bisphenol A type）環氧樹脂、苯酚酚醛清漆（phenol novolac）環氧樹脂、苯基芳烷基類（phenyl aralkyl-based）環氧樹脂、四苯基乙烷（tetraphenyl ethane）環氧樹脂、萘類（naphthalene-based）環氧樹脂、聯苯類（biphenyl-based）環氧樹脂、二環戊二烯（dicyclopentadiene）環氧樹脂以及二環戊二烯類（dicyclopentadiene-based）環氧樹脂與萘類（naphthalene-based）環氧樹脂的混合物。
特定言之，環氧樹脂可包含由以下所構成的族群中選出的至少一者：由以下化學式5表示的雙酚型環氧樹脂、由以下化學式6表示的酚醛清漆型環氧樹脂、由以下化學式7表示的苯基芳烷基型環氧樹脂、由以下化學式8表示的四苯基乙烷型環氧樹脂、由以下化學式9及化學式10表示的萘型環氧樹脂、由以下化學式11表示的聯苯型環氧樹脂以及由以下化學式12表示的二環戊二烯型環氧樹脂。
[化學式5]

在化學式5中，
R為或，
n為0或1至50的整數。
更特定言之，化學式5的環氧樹脂可取決於R的類型分別為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂或雙酚S型環氧樹脂。
[化學式6]

在化學式6中，
R為H或CH3 ，
n為0或1至50的整數。
更特定言之，化學式6的酚醛清漆型環氧樹脂可取決於R的類型分別為苯酚酚醛清漆型環氧樹脂或甲酚（cresol）酚醛清漆型環氧樹脂。
[化學式7]

[化學式8]

[化學式9]

[化學式10]

[化學式11]

在化學式11中，
n為0或1至50的整數。
[化學式12]

在化學式12中，n為0或1至50的整數。
同時，熱固性樹脂可進一步包含由以下所構成的族群中選出的至少一種樹脂：雙順丁烯二醯亞胺樹脂、氰酸酯（cyanate ester）樹脂以及雙順丁烯二醯亞胺-三嗪（bismaleimide-triazine）樹脂。
雙順丁烯二醯亞胺樹脂不受限制，只要其通常用於用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物中，且其類型不受限制。舉例而言，雙順丁烯二醯亞胺樹脂可為由以下所構成的族群中選出的至少一者：由以下化學式13表示的二苯基甲烷型（diphenylmethane type）雙順丁烯二醯亞胺樹脂、由以下化學式14表示的伸苯基型（phenylene type）雙順丁烯二醯亞胺樹脂、由以下化學式15表示的雙酚A型二苯醚（bisphenol A type diphenyl ether）雙順丁烯二醯亞胺樹脂以及由二苯基甲烷型（diphenylmethane type）雙順丁烯二醯亞胺與由以下化學式16表示的苯基甲烷型順丁烯二醯亞胺樹脂的寡聚物組成的雙順丁烯二醯亞胺樹脂。
[化學式13]

在化學式13中，
R1 及R2 各自獨立地為H、CH3 或C2 H5 。
[化學式14]

[化學式15]

[化學式16]

在化學式16中，
n為0或1至50的整數。
氰酸酯類（cyanate-based）樹脂的特定實例包含氰酸酯樹脂，且氰酸酯樹脂不受限制，只要其通常用於用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物中。
舉例而言，氰酸酯樹脂可包含由以下化學式17表示的酚醛清漆型氰酸酯樹脂、由以下化學式18表示的二環戊二烯型（dicyclopentadiene type）氰酸酯樹脂、由以下化學式19表示的雙酚型（bisphenol type）氰酸酯樹脂以及樹脂的一部分形成為三嗪（triazine）的預聚物（prepolymer）。此等單體可單獨使用或兩者或多於兩者組合使用。
[化學式17]

在化學式17中，
n為0或1至50的整數。
[化學式18]

在化學式18中，
n為0或1至50的整數。
[化學式19]

在化學式19中，
R為或。
更特定言之，化學式19的氰酸酯樹脂可取決於R的類型分別為雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、雙酚F型氰酸酯樹脂或雙酚M型氰酸酯樹脂。
雙順丁烯二醯亞胺樹脂的特定實例包含雙順丁烯二醯亞胺-三嗪樹脂，且雙順丁烯二醯亞胺-三嗪樹脂不受限制，只要其通常用於用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物中。
熱塑性樹脂可在固化之後增大預浸體的韌性，且可降低CTE及模數，從而降低半導體封裝的翹曲。熱塑性樹脂的特定實例包含(甲基)丙烯酸酯類（(meth)acrylate-based）聚合物。
(甲基)丙烯酸酯類聚合物不受特別限制，且舉例而言，含有自(甲基)丙烯酸酯類單體衍生的重複單元及自(甲基)丙烯腈（(meth)acrylonitrile）衍生的重複單元的丙烯酸酯共聚物（acrylic acid ester copolymer）；或含有自丁二烯衍生的重複單元的丙烯酸酯共聚物。舉例而言，(甲基)丙烯酸酯類聚合物可為諸如丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯以及甲基丙烯酸縮水甘油酯的單體以1 wt%至40 wt%（基於單體的總重量計）的範圍共聚的共聚物。
(甲基)丙烯酸酯類聚合物可具有500,000至1,000,000的重量平均分子量（weight average molecular weight）。當(甲基)丙烯酸酯類聚合物的重量平均分子量過小時，用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物在固化之後的韌性的增大可能不顯著，或CTE及模數可具有略微降低，此在技術上為不利的。當(甲基)丙烯酸酯類聚合物的重量平均分子量過大時，預浸體的流動性可降低。
熱塑性樹脂的含量可考慮最終產物的用途及特徵來判定。舉例而言，基於熱固性樹脂以100重量份計，用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物可包含10重量份至200重量份的熱塑性樹脂。
同時，根據實施例的熱固性樹脂組成物可包含上文所描述的胺化合物，且可進一步包含除胺化合物以外的額外固化劑。
更特定言之，根據實施例的熱固性樹脂組成物可包含由以下所構成的族群中選出的至少一種固化劑：不同於胺化合物的第二胺化合物、酸酐類樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、氰酸酯類樹脂、苯酚酚醛清漆樹脂以及苯并噁嗪（benzoxazine）樹脂。
此外，根據實施例的熱固性樹脂組成物可包含無機填充劑。
無機填充劑不受限制，只要其通常用於用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物中，且可為二氧化矽、三氫氧化鋁（aluminum trihydroxide）、氫氧化鎂、氧化鉬、鉬酸鋅（zinc molybdate）、硼酸鋅、錫酸鋅（zinc stannate）、氧化鋁（alumina）、黏土（clay）、高嶺土（kaolin）、滑石（talc）、煅燒高嶺土（calcined kaolin）、煅燒滑石、雲母（mica）、短玻璃纖維、玻璃細粉以及中空玻璃。
基於熱固性樹脂、熱塑性樹脂以及胺化合物的總量以100重量份計，熱固性樹脂組成物可包含30重量份至300重量份、30重量份至200重量份或50重量份至150重量份的無機填充劑。當無機填充劑的量過小時，CTE可升高而在回焊（reflow）期間引起翹曲，且印刷電路板的剛性可降低。
另外，當使用表面經處理的填充劑時，具有奈米粒度的小尺寸填充劑及具有微米粒度的大尺寸填充劑二者一起使用，以增大填集密度（packing density），產生高可填充性。
無機填充劑可包含兩種或多於兩種類型的具有不同平均粒徑的無機填充劑。特定言之，無機填充劑中的至少一者為具有0.1微米至100微米的平均粒徑的無機填充劑，且無機填充劑中的其他無機填充劑為具有1奈米至90奈米的平均粒徑的無機填充劑。
基於具有0.1微米至100微米的平均粒徑的無機填充劑以100重量份計，具有1奈米至90奈米的平均粒徑的無機填充劑的量可為1重量份至30重量份。
無機填充劑可為經矽烷偶合劑表面處理的二氧化矽（silica），以改善防潮性及分散性。
作為表面處理無機填充劑的方法，使用矽烷偶合劑作為表面處理劑處理二氧化矽顆粒（乾燥或潮濕）的方法可使用。舉例而言，基於二氧化矽顆粒以100重量份計，二氧化矽可藉由使用0.01重量份至1重量份的矽烷偶合劑的濕式方法經表面處理。
矽烷偶合劑的特定實例包含：胺基矽烷偶合劑，諸如3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷以及N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷；環氧矽烷偶合劑，諸如3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷；乙烯基矽烷偶合劑，諸如3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷（3-methacryloxypropyltrimethoxysilane）；陽離子矽烷偶合劑，諸如N-2-(N-乙烯基苯甲基胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷氫氯化物；以及苯基矽烷偶合劑。若需要，此等可單獨或以其兩種或超過兩種組合形式使用。
更特定言之，矽烷化合物可包含芳族胺基矽烷或(甲基)丙烯醯矽烷（(meth)acrylsilane）。具有0.1微米至100微米的平均粒徑的無機填充劑可為經芳族胺基矽烷處理的二氧化矽，且具有1奈米至90奈米的平均粒徑的無機填充劑可為經(甲基)丙烯醯矽烷處理的二氧化矽。經芳族胺基矽烷處理的二氧化矽的特定實例可為SC2050MTO（由雅都瑪（Admantechs）製造），且經(甲基)丙烯醯矽烷處理的二氧化矽的特定實例可為AC4130Y（由尼桑化學（Nissan chemical）製造）。(甲基)丙烯醯基包含丙烯醯基及甲基丙烯醯基兩者。
若需要，根據實施例的熱固性樹脂組成物可藉由在製備預浸體時添加溶劑而用作溶液。溶劑的類型不受特別限制，只要其對樹脂組分具有極佳可溶性，且醇類、醚類、酮類、醯胺類、芳族烴類、酯類或腈類溶劑或類似者可使用。此等溶劑可單獨使用或兩者或多於兩者組合使用。另外，溶劑的含量不受特別限制，只要樹脂組成物可在製備預浸體時浸漬至玻璃織物中。
熱固性樹脂組成物可進一步包含諸如其他熱固性樹脂、熱塑性樹脂以及寡聚物及其彈性體的各種其他高分子化合物、其他阻燃劑化合物或添加劑，只要樹脂組成物的固有特徵不受損害。此等不受限制，只要其通常用於熱固性樹脂組成物中。
添加劑的實例包含紫外吸收劑、抗氧化劑、光聚合起始劑、螢光增亮劑、光敏劑、顏料、染料、增稠劑、潤滑劑、消泡劑、分散劑、調平劑、增亮劑及類似者，且其可根據目的混合及使用。
用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物是指用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物浸漬至固化狀態下的織物基板中的材料。
織物基板的類型不受特別限制，但可使用：玻璃織物基板；合成織物基板，由具有聚醯胺類樹脂纖維（諸如聚醯胺樹脂纖維或芳族聚醯胺樹脂纖維）、聚酯類樹脂纖維（諸如聚酯樹脂纖維、芳族聚酯樹脂纖維或全部地芳族聚酯樹脂纖維）、聚醯亞胺樹脂纖維、聚苯并噁唑（polybenzoxazole）纖維或氟樹脂纖維作為主要成分的編織或非編織纖維製成；或紙質基板，具有牛皮紙、棉絨紙或棉絨與牛皮紙漿的混合紙作為主要成分。其中，玻璃織物基板可較佳地使用。玻璃織物基板可改善預浸體的強度且減少預浸體的水吸收以及熱膨脹係數。
玻璃織物基板可選自用作用於各種印刷電路板的材料的玻璃基板。其實例可包含諸如E玻璃、D玻璃、S玻璃、T玻璃、NE玻璃、L玻璃以及Q玻璃的玻璃織物，但本發明不限於此。玻璃基板材料可根據需要、所需目的或效能選擇。玻璃基板的形式通常為編織品（woven fabric）、非編織品、紗束（roving）、短切絲束墊（chopped strand mat）或表面修整墊（surfacing mat）。玻璃基板的厚度不受特別限制，但可使用具有約0.01毫米至0.3毫米的厚度的玻璃基板。在材料當中，玻璃纖維材料在強度及水吸收特性方面可為更佳。
此外，製備預浸體的方法不受特別限制，且預浸體可藉由本領域中眾所周知的方法來製備。舉例而言，作為製備預浸體的方法，浸漬方法、使用各種塗佈機的塗佈法、噴塗方法或類似者可使用。
在浸漬法的情況下，預浸體可藉由製備清漆，且隨後清漆浸漬織物基板來製備。
亦即，預浸體的製備條件不受特定限制，但較佳地用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物在向其中添加溶劑的清漆狀態下使用。用於樹脂清漆的溶劑不受特別限制，只要其可與樹脂組分混合且具有極佳可溶性。其特定實例可包含：酮，諸如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮以及環己酮；芳香烴，諸如苯、甲苯以及二甲苯；醯胺，諸如二甲基甲醯胺及二甲基乙醯胺；脂族醇，諸如甲基賽珞蘇（methylcellosolve）、丁基賽珞蘇，及類似者。
另外，較佳地，在製備預浸體時所使用溶劑的至少80 wt%揮發。因此，在製備方法或乾燥條件或類似者中不存在限制。在乾燥時，溫度可為約80℃至200℃，且由於與清漆的膠凝時間（gelation time）的平衡，時間不受特別限制。另外，較佳地，清漆經浸漬使得清漆的樹脂固體含量基於清漆及基板的樹脂固體含量的總量變為約30 wt%至80 wt%。
根據本揭露內容的另一實施例，提供一種金屬包覆積層板，包含用於具有薄片形狀的金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物；以及形成於用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物的至少一個表面上的金屬箔。
金屬箔包含銅箔；鋁箔；三層複合物箔，具有鎳、鎳磷、鎳錫合金、鎳鐵合金、鉛或鉛錫合金的中間層且具有與兩個表面具有不同厚度的銅層；或兩層複合物箔，其中鋁箔與銅箔組合。
根據較佳實例，金屬箔可為具有約2微米至200微米的厚度的銅箔或鋁箔，較佳地為約2微米至35微米。較佳地，金屬箔可為銅箔。另外，三層複合物箔（其中具有0.5微米至15微米的厚度的銅層及具有10微米至300微米的厚度的銅層層壓在鎳、鎳磷、鎳錫合金、鎳鐵合金、鉛或鉛錫合金的中間層的兩個表面上）或兩層複合物箔（其中鋁箔與銅箔組合）可用作金屬箔。
因此製備的包含用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物的金屬積層板可用於製備單側、雙側或多層印刷電路板。單側、雙側或多層印刷電路板可藉由在金屬包覆積層板上處理電路來製造，且電路可由通用單側、雙側或多層印刷電路板的製造過程中所執行的方法來處理。
[有利效果]
本揭露內容可提供：一種用於半導體封裝的金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物，能夠實現低玻璃轉化溫度、低模數以及低熱膨脹係數且藉由預浸體或半固化狀態下的極佳流動性將翹曲降至最低；以及金屬包覆積層板，包含用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物。
在下文中，將參考以下實例詳言地解釋本發明。然而，此等實例僅為說明本發明，且本發明的範疇不限於此。
> 實例及比較例 ： 用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物、預浸體、用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物以及銅包覆積層板 >
（1）用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物的製備
組分以40%的固體含量混合在甲基乙基酮中以便具有如以下表1及表2中所示出的組成物，且以400轉/分鐘（rpm）在室溫下攪拌一天以獲得實例及比較例的用於半導體封裝的樹脂組成物（樹脂清漆）。特定言之，在以上實例中製備的樹脂組成物的特定組成物如下表1中所示，且在比較例中製備的樹脂組成物的特定組成物如下表2中所示。
（2）製備預浸體、用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物以及銅包覆積層板
用於半導體封裝的樹脂組成物（樹脂清漆）浸漬至具有13微米的厚度的玻璃織物（T玻璃#1010，由日東紡（Nittobo）製造）中，且隨後在170℃的溫度下熱風乾2分鐘至5分鐘，從而製備預浸體。
在如上文所述製備兩片預浸體經層壓之後，銅箔（厚度：12微米，由三井（Mitsui）製造）經置放及層壓在其兩個表面上且在220℃的溫度及35公斤/平方公分的壓力下固化100分鐘，從而製備銅包覆積層板。
> 實驗實例 ： 在實例及比較例中獲得的用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物、預浸體、用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物以及銅包覆積層板的物理特性的量測 >
在實例及比較例中獲得的熱固性樹脂組成物、預浸體、用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合材料以及銅包覆層板的物理特性藉由以下方法量測，且示於下表3中。
1. 熱膨脹係數（ CTE ）
在以上實例及比較例中獲得的銅包覆積層板的銅箔層藉由蝕刻移除且隨後在MD方向上製備測試件。此後，使用TMA（由熱力分析儀器分析公司（TA Instruments）製造，Q400）以10℃/分鐘的加熱速率自30℃至260℃量測熱膨脹係數（CTE）。將50℃至150℃的範圍內的量測值列出作為CTE。
在本文中，藉由蝕刻銅包覆積層板的銅箔層獲得的產物可被稱為「用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物」，且此藉由固化藉由在高溫下熱風乾熱固性樹脂組成物獲得的預浸體來形成。
2. 玻璃轉化溫度（ Tg ）
在以上實例及比較例中獲得的銅包覆積層板的銅箔層藉由蝕刻移除且隨後在MD方向上製備測試件（用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物）。此後，玻璃轉化溫度（glass transition temperature，Tg）在拉伸模式下使用DMA（由熱力分析儀器分析公司製造，Q800）以5℃/分鐘的加熱速率自25℃至300℃量測。將tan δ（tan delta）的峰值溫度判定為Tg。
3. 儲存模數的量測
在以上實例及比較例中獲得的銅包覆積層板的銅箔層藉由蝕刻移除且隨後在MD方向上製備測試件（用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物）。此後，儲存模數在拉伸模式下使用DMA（由熱力分析儀器分析公司製造，Q800）以5℃/分鐘的加熱速率自25℃至300℃量測。
4. 電路圖案的可填充性
在以上實例及比較例中獲得的預浸體置放於電路圖案（圖案高度：7微米，殘留率：50%）的兩側，且銅箔（厚度：12微米，由三井製造）置放於其上。此在220℃及35公斤/平方公分的條件下按壓100分鐘，接著蝕刻兩側上的銅箔以依據以下標準評估電路圖案的可填充性。
○：無空隙出現
x：空隙出現

5. 拉伸伸長率的量測
在以上實例及比較例中獲得的15片預浸體經層壓以便使玻璃織物的MD方向及TD方向彼此一致。此在220℃及35公斤/平方公分的條件下按壓100分鐘，接著使用通用測試機器（Universal Testing Machine）（由英斯特朗3365（Instron 3365）製造）根據IPC-TM-650（2.4.18.3）量測MD方向上的拉伸伸長率。

6. 半導體封裝的翹曲的量測
在以上實例及比較例中獲得的銅包覆積層板的銅箔的一部分由習知蝕刻方法處理以製備印刷線路板（厚度：90微米）。半導體封裝（14.5毫米×14.5毫米×390微米（厚度））藉由將半導體晶片（11.5毫米×11.5毫米×80微米（厚度））安裝在所製備印刷線路板上來製造。翹曲基於陰影波紋量測理論使用翹曲量測裝置（由AKROMETRIX,THERMOIRE PS100製造）對所製造半導體封裝進行量測。翹曲針對半導體封裝自30℃至260℃且隨後冷卻至30℃量測。計算最大值與最小值之間的差，且半導體封裝的翹曲依據以下標準評估。
○：翹曲的最大值與最小值之間的差為小於或等於170微米
x：翹曲的最大值與最小值之間的差為大於或等於170微米

7. 熱應力因子（ t hermal stress factor ）的計算
以下通式1的熱應力因子藉由熱膨脹係數（CTE）乘以自30℃至260℃每一1℃處的儲存模數及將其相加來量測。
[ 通式 1]
熱應力因子（單位：兆帕）
=∫[儲存模數*CTE] dT
[表1] 實例的用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物的組成物及用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物的物理特性（單位：公克）
[表2] 比較例的用於半導體封裝的熱固性樹脂組成物的組成物及用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物的物理特性（單位：公克）
* DDS：4,4'-二胺基二苯基碸（4,4'-diaminodiphenyl sulfone）
* TFB：2,2'-雙(三氟甲基)聯苯胺;2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-聯苯二胺
* DDM：4,4'-二胺基二苯基甲烷（4,4'-diaminodiphenyl methane）
* XD-1000：環氧樹脂（由日本化藥（Nippon kayaku）製造）
* NC-3000H：環氧樹脂（由日本化藥製造）
* HP-6000：環氧樹脂（由大日本油墨化學工業（DIC）製造）
* BMI-2300：雙順丁烯二醯亞胺類樹脂（由大和化成（DAIWA KASEI）製造）
* 丙烯酸橡膠B（Mw 800,000）：PARACRON KG-3015P（由根上化學工業株式會社（Negami chemical industrial Co.,LTD）製造）
* 丙烯酸橡膠C（Mw 600,000）：PARACRON KG-3113（由根上化學工業株式會社製造）
* 當量比：藉由以下等式1計算
[等式1]
胺化合物與熱固性樹脂的當量比
=（DDS的總活性氫當量+TFB的總活性氫當量+DDM的總活性氫當量）/{（XD-1000的總環氧當量+NC-3000H的總環氧當量+HP-6000的總環氧當量）+（BMI-2300的總順丁烯二醯亞胺當量）}
在等式1中，DDS的總活性氫當量為藉由DDS的總重量（單位：公克）除以DDS的活性氫當量（62公克/當量）獲得的值。
TFB的總活性氫當量為藉由TFB的總重量（單位：公克）除以TFB的活性氫當量（80公克/當量）獲得的值。
DDM的總活性氫當量為藉由DDM的總重量（單位：公克）除以DDM的活性氫當量（49.5公克/當量）獲得的值。
XD-1000的總環氧當量為藉由XD-1000的總重量（單位：公克）除以XD-1000的環氧當量（253公克/當量）獲得的值。
NC-3000H的總環氧當量為NC-3000H的總重量（單位：公克）除以NC-3000H的環氧當量（290公克/當量）獲得的值。
HP-6000的總環氧當量為藉由HP-6000的總重量（單位：公克）除以HP-6000的環氧當量（250公克/當量）獲得的值。
BMI-2300的總順丁烯二醯亞胺當量為藉由BMI-2300的總重量（單位：公克）除以BMI-2300（179公克/當量）的順丁烯二醯亞胺當量獲得的值。
如表1中所示，已確認實例的自包含含有拉電子基團（EWG）的胺化合物的預浸體獲得的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物具有極佳電路圖案可填充性以及小於或等於230℃的玻璃轉化溫度，及小於或等於10 ppm/℃的低CTE。
亦即，已確認基於含有拉電子基團（EWG）的胺化合物以100重量份計，包含小於或等於290重量份的量的熱固性樹脂及基於熱固性樹脂、熱塑性樹脂以及胺化合物的總量以100重量份計呈50重量份至150重量份的量的無機填充劑的實例的樹脂組成物（其中胺化合物與熱固性樹脂的當量比為大於或等於1.4）可達成適用於半導體封裝的熱特性、極佳低熱膨脹特徵、流動性以及機械特性。
同時，已確認在實例中獲得的用於金屬包覆積層板的每一熱固性樹脂複合物具有小於或等於21兆帕的熱應力因子，且使用具有此熱應力因子的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物製造的半導體封裝呈現相對低翹曲。
相反地，已確認在比較例中獲得的用於金屬包覆積層板的每一熱固性樹脂複合物具有超過25兆帕的熱應力因子，且使用具有高熱應力因子的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物製造的半導體封裝呈現相對高翹曲。
無
無

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  1. 一種用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物，具有由以下通式1計算出的小於或等於25兆帕的熱應力因子：[ 通式1] 熱應力因子 =∫[儲存模數*CTE] dT 在通式1中， 所述熱應力因子、所述儲存模數以及所述CTE（熱膨脹係數）為分別在30℃至260℃的範圍內限定或量測的值。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物， 其中用於金屬包覆積層板的所述熱固性樹脂複合物具有10兆帕至25兆帕的範圍內的所述熱應力因子。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物， 其中用於金屬包覆積層板的所述熱固性樹脂複合物包括熱固性樹脂組成物及織物基板。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物， 其中所述熱固性樹脂組成物包括 胺化合物，含有由以下所構成的族群中選出的至少一種官能基中的一者或多者：碸基；羰基；鹵基；經硝基、氰基或鹵基取代或未經硝基、氰基或鹵基取代的C1至C20烷基；經硝基、氰基或鹵基取代或未經硝基、氰基或鹵基取代的C6至C20芳基；經硝基、氰基或鹵基取代或未經硝基、氰基或鹵基取代的C2至C30雜芳基；以及經硝基、氰基或鹵基取代或未經硝基、氰基或鹵基取代的C1至C20伸烷基， 熱固性樹脂， 熱塑性樹脂，以及 無機填充劑。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物， 其中所述熱固性樹脂組成物具有小於或等於230℃的玻璃轉化溫度。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物， 其中基於所述胺化合物以100重量份計，所述熱固性樹脂組成物包括小於或等於400重量份的量的所述熱固性樹脂。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物， 其中所述熱固性樹脂組成物具有由以下等式1計算出的大於或等於1.4的當量比： [等式1] 當量比=含於所述胺化合物中的總活性氫當量/含於所述熱固性樹脂中的總可固化官能基當量。
  8. 如申請專利範圍第4項所述的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物， 其中所述胺化合物包括含有2個至5個胺基的芳胺化合物。
  9. 如申請專利範圍第4項所述的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物， 其中基於所述熱固性樹脂、所述熱塑性樹脂以及所述胺化合物的總量以100重量份計，所述熱固性樹脂組成物包括50重量份至150重量份的所述無機填充劑。
  10. 如申請專利範圍第4項所述的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物， 其中所述無機填充劑包括兩種或多於兩種類型的具有不同平均粒徑的無機填充劑，以及 所述無機填充劑中的至少一者為具有0.1微米至100微米的平均粒徑的無機填充劑，且所述無機填充劑中的其他無機填充劑為具有1奈米至90奈米的平均粒徑的無機填充劑。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物， 其中用於金屬包覆積層板的所述熱固性樹脂複合物在30℃及180℃下分別具有小於或等於16十億帕的儲存模數。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物， 其中用於金屬包覆積層板的所述熱固性樹脂複合物在260℃下具有小於或等於8十億帕的儲存模數。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的用於金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物， 其中用於金屬包覆積層板的所述熱固性樹脂複合物具有5 ppm/℃至12 ppm/℃的熱膨脹係數（CTE）。
  14. 一種金屬包覆積層板，包括如申請專利範圍第1項所述的用於具有薄片形狀的金屬包覆積層板的熱固性樹脂複合物；以及形成於用於金屬包覆積層板的所述熱固性樹脂複合物的至少一個表面上的金屬箔。
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