TW201923872A - 研磨裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供一種在基板的背面朝下的狀態下，能夠有效地對包含最外部的基板的背面整體進行研磨的研磨裝置。研磨裝置具有：使晶片旋轉的基板固持部；對晶片的背面進行研磨的研磨頭；輸送帶裝置；以及使研磨頭進行平移旋轉運動的平移旋轉運動機構。基板固持部具有複數個輥。複數個輥構成為能夠以各輥的軸心為中心旋轉，並具有能夠與晶片的周緣部接觸的基板固持面。研磨頭相比於基板固持面配置在下方，具有對研磨帶進行按壓的研磨托板、和將研磨托板向上方抬起的加壓機構。

Description

研磨裝置
本發明涉及晶片等基板的研磨裝置。
近年來，儲存電路、邏輯電路、圖像感測器（例如CMOS感測器）等器件逐漸進一步高集成化。在形成這些器件的工序中，有時微粒、塵埃等異物會附著在器件。附著在器件的異物會引起配線間的短路、電路的不良。因此，為了提高器件的可靠性，需要對形成有器件的晶片進行清洗，來除去晶片上的異物。
在晶片的背面（非器件面）有時也附著有上述微粒、粉塵等異物。在這樣的異物附著在晶片的背面時，晶片從曝光裝置的載物台基準面分離或者晶片表面相對於載物台基準面傾斜，結果，會產生圖案形成的偏移、焦點距離的偏移。為了防止這樣的問題，需要將附著在晶片的背面的異物除去。
[先前技術文獻]
專利文獻1：（日本）特開2015-12200號公報
[發明要解決的技術課題]
以往的研磨單元一邊利用基板旋轉機構使晶片旋轉一邊進行晶片表面的研磨（例如，參照專利文獻1）。基板旋轉機構具有：把持晶片的周緣部的複數個吸盤；以及經由這些吸盤使晶片旋轉的環狀的中空電機。晶片利用吸盤使被研磨面朝上被水平固持，並利用中空電機以晶片的軸心為中心與吸盤一起旋轉。具有研磨器具的研磨頭配置在晶片的上側，為了不與旋轉的吸盤接觸，而配置在比由吸盤把持的晶片的周緣部更靠近內側的位置。因此，晶片的表面的最外部不被研磨，晶片的表面的最外部需要另外利用邊緣研磨用的單元研磨。
上述研磨單元例如設置在能夠對晶片的表面進行研磨、清洗、乾燥的一系列工序的基板處理系統。在這樣的基板處理系統中，複數個晶片在其背面朝下的狀態下收納在晶片盒內。因此，在想要利用研磨單元研磨晶片的背面的情況下，需要在將晶片從晶片盒輸送到研磨單元的過程中使晶片翻轉。另外，在將研磨後的晶片返回晶片盒之前，需要使晶片再次翻轉。然而，在這樣使晶片翻轉時，空氣中的雜質容易附著在晶片。另外，由於使晶片翻轉的工序被重複，因此整體的處理時間增加，並且由於需要使晶片翻轉的翻轉機，因此會有基板處理系統的結構複雜的問題。
[發明要解決的技術課題]
本發明為了解決上述以往的問題點，其目的在於，提供一種在基板的背面朝下的狀態下，能夠有效地研磨包含最外部的基板的背面整體的研磨裝置。
[用於解決技術課題的技術方案]
為了達成上述目的，本發明的一方式為一種研磨裝置，具有：基板固持部，所述基板固持部固持基板，並使該基板旋轉；研磨頭，所述研磨頭使在表面具有磨粒的研磨帶與所述基板的背面接觸而對所述基板的背面進行研磨；輸送帶裝置，所述輸送帶裝置將所述研磨帶沿所述研磨帶的長度方向輸送；以及平移旋轉運動機構，所述平移旋轉運動機構使所述研磨頭進行平移旋轉運動，所述基板固持部具有複數個輥，所述複數個輥構成為能夠以各輥的軸心為中心旋轉，所述複數個輥具有能夠與所述基板的周緣部接觸的基板固持面，所述研磨頭相比於所述基板固持面配置在下方，所述研磨頭具有：將所述研磨帶向所述基板的背面按壓的研磨托板、和將所述研磨托板向上方抬起的加壓機構。
本發明的優選方式為，所述研磨托板相對於所述研磨帶的行進方向傾斜地延伸。
本發明的優選方式為，所述研磨頭具有將所述研磨托板支承成能夠傾動的球面軸承。
本發明的優選方式為，所述研磨頭具有能夠傾動地支承所述研磨托板的球面軸承。
本發明的優選方式為，所述研磨托板比所述基板的半徑長。
本發明的優選方式為，所述研磨托板為複數個研磨托板，並且所述加壓機構為複數個加壓機構，所述複數個加壓機構構成為能夠彼此獨立地動作。
本發明的優選方式為，所述複數個研磨托板呈直線狀排列。
本發明的優選方式為，所述複數個研磨托板的整體比所述基板的半徑長。
本發明的優選方式為，所述複數個研磨托板配置在離所述基板固持部的軸心不同距離的位置。
本發明的優選方式為，所述研磨裝置還具有使所述研磨頭平行移動的研磨頭移動機構。
本發明的一方式為一種研磨裝置，具有：基板固持部，所述基板固持部固持基板，並使該基板旋轉研磨頭，所述研磨頭使研磨器具與所述基板的背面接觸而對所述基板的背面進行研磨；以及平移旋轉運動機構，所述平移旋轉運動機構使所述基板固持部進行平移旋轉運動，所述基板固持部具有複數個輥，所述複數個輥構成為能夠以各輥的軸心為中心旋轉，所述複數個輥具有能夠與所述基板的周緣部接觸的基板固持面，所述研磨頭具有將所述研磨器具向上方抬起的加壓機構，所述研磨頭相比於所述基板固持面配置在下方。
本發明的優選方式為，所述研磨器具為在表面具有磨粒的研磨帶，所述研磨裝置還具有將所述研磨帶沿其長度方向輸送的輸送帶裝置，所述研磨頭還具有將所述研磨帶向所述基板的背面按壓的研磨托板，所述加壓機構與該研磨托板連結以將所述研磨托板向上方抬起。
本發明的優選方式為，所述研磨托板相對於所述研磨帶的行進方向傾斜地延伸。
本發明的優選方式為，所述研磨頭具有將所述研磨托板支承成能夠傾動的球面軸承。
本發明的優選方式為，所述研磨頭具有覆蓋所述研磨托板的上緣的軟質件。
本發明的優選方式為，所述研磨托板比所述基板的直徑長。
本發明的優選方式為，所述研磨托板為複數個研磨托板，並且所述加壓機構為複數個加壓機構，所述複數個加壓機構構成為能夠彼此獨立地動作。
本發明的優選方式為，所述複數個研磨托板呈直線狀排列。
本發明的優選方式為，所述複數個研磨托板的整體比所述基板的直徑長。
本發明的優選方式為，所述複數個研磨托板配置在離所述基板固持部的軸心不同距離的位置。
本發明的優選方式為，所述研磨器具為複數個研磨器具，並且所述加壓機構為複數個加壓機構，所述複數個加壓機構構成為能夠彼此獨立地動作。
本發明的優選方式為，設有複數個所述研磨頭。
本發明的一方式為一種研磨裝置，具有：基板固持部，所述基板固持部固持基板，並使該基板旋轉；研磨頭，所述研磨頭使研磨器具與所述基板的背面接觸而對所述基板的背面進行研磨；伯努利吸盤，所述伯努利吸盤經由流體非接觸地吸引所述基板的背面，所述基板固持部具有複數個輥，所述複數個輥構成為能夠以各輥的軸心為中心旋轉，所述複數個輥具有能夠與所述基板的周緣部接觸的基板固持面，所述研磨頭以及所述伯努利吸盤配置在比所述基板固持面靠近下方的位置。
本發明的優選方式為，所述研磨裝置還具有使所述研磨頭進行平移旋轉運動的平移旋轉運動機構。
本發明的優選方式為，所述研磨裝置還具有使所述基板固持部進行平移旋轉運動的平移旋轉運動機構。
[發明效果]
根據本發明，能夠使研磨頭與基板固持部不接觸地對包含最外部的基板的背面整體進行研磨。其結果是，不需要利用邊緣研磨用的單元對基板的背面的最外部進行研磨，能夠減少研磨工序。另外，由於不需要使基板翻轉，因此能夠防止空氣中的雜質向基板附著，並且能夠減少整體的處理時間。另外，由於不需要邊緣研磨用的單元、使基板翻轉的翻轉機，因此能夠使基板處理系統的結構簡單化，能夠減少費用。
進一步地根據本發明，研磨頭配置在基板的下側，研磨裝置一邊使研磨頭或基板固持部進行平移旋轉運動一邊對基板的背面進行研磨，因此能夠確保研磨器具與基板的相對速度。尤其是，在基板的中心部，這樣的平移旋轉運動能夠增大基板與研磨器具的相對速度。其結果是，在基板的背面朝下的狀態下，研磨裝置能夠有效地對基板的背面進行研磨。
以下，參照附圖對本發明的實施例進行說明。第一圖是表示研磨裝置的一實施例的示意圖。如第一圖所示的研磨裝置具有：基板固持部10，所述基板固持部10固持基板的一例即晶片W，且使晶片W以其軸心為中心而旋轉；研磨頭50，所述研磨頭50使作為研磨器具的研磨帶31與固持於該基板固持部10的晶片W的第一面1接觸而對晶片W的第一面1進行研磨；研磨帶供給機構41，所述研磨帶供給機構41將研磨帶31向研磨頭50供給；以及平移旋轉運動機構60，所述平移旋轉運動機構60使研磨頭50以及研磨帶供給機構41平移旋轉運動。
基板固持部10具有能夠與晶片W的周緣部接觸的複數個輥11。研磨頭50配置在固持於基板固持部10的晶片W的下側。平移旋轉運動機構60配置在研磨頭50以及研磨帶供給機構41的下方，研磨頭50以及研磨帶供給機構41與平移旋轉運動機構60連結。在第一圖中，基板固持部10的一部分圖示被省略。
在本實施例中，晶片W的第一面1是未形成有器件、或不打算形成有器件的晶片W的背面，即非器件面。與第一面1相反的一側的晶片W的第二面2是形成有器件、或打算形成有器件的面，即器件面。在本實施例中，晶片W在其第一面1朝下的狀態下水準固持在基板固持部10。
第二圖是表示基板固持部10的詳情的示意圖，第三圖是表示第二圖所示的輥旋轉機構12的俯視圖。基板固持部10具有：能夠與晶片W的周緣部接觸的複數個輥11；以及使這些輥11以各自的軸心為中心旋轉的輥旋轉機構12。在本實施例中，設有四個輥11。也可以設置五個以上的輥11。與晶片W的周緣部接觸時的（即固持晶片W時的）上述複數個輥11位於距離基板固持部10的軸心CP相同距離的位置。
輥旋轉機構12具有：連結四個輥11中的兩個輥的第一帶14A；與被第一帶14A連結的兩個輥11中的一方連結的第一電機15A；支承第一電機15A的第一電機支承體25A；將被第一帶14A連結的兩個輥11支承成能夠旋轉的第一輥台16A；連結四個輥11中的其他兩個輥的第二帶14B；與被第二帶14B連結的兩個輥11中的一方連結的第二電機15B；支承第二電機15B的第二電機支承體25B；以及經由軸承24B將被第二帶14B連結的兩個輥11支承成能夠旋轉的第二輥台16B。第一輥台16A具有上側第一輥台17A、下側第一輥台17B。第一電機15A以及第一帶14A配置於第一輥台16A的下方，第二電機15B以及第二帶14B配置在第二輥台16B的下方。第一電機15A經由第一電機支承體25A固定於第一輥台16A。第二電機15B經由第二電機支承體25B固定於第二輥台16B的下表面。
第四圖是第三圖的A-A線剖視圖。如第四圖所示，第一輥台16A具有：經由軸承24A（參照第二圖）將被第一帶14A連結的兩個輥11支承成能夠旋轉的下側第一輥台17B；固定於下側第一輥台17B的樞軸17C；以及經由軸承24C將樞軸17C支承成能夠旋轉的上側第一輥台17A。上側第一輥台17A和下側第一輥台17B經由樞軸17C彼此連結。如第三圖所示，樞軸17C位於被第一帶14A連結的兩個輥11之間。如第二圖所示，第一電機15A經由第一電機支承體25A固定於下側第一輥台17B的下表面。因此，第一帶14A、被第一帶14A連結的兩個輥11、下側第一輥台17B、第一電機15A以及第一電機支承體25A能夠一體地以樞軸17C為中心旋轉。
輥旋轉機構12構成為使四個輥11向相同方向以相同速度旋轉。在晶片W的第一面1的研磨中，晶片W的周緣部由輥11把持。晶片W被水準固持，利用輥11的旋轉使晶片W以其軸心為中心旋轉。在晶片W的第一面1的研磨中，四個輥11以各自的軸心為中心旋轉，而輥11本身的位置靜止。
在四個輥11的下部分別固定有帶輪22。第一帶14A架在固定於四個輥11中的兩個輥的帶輪22，第二帶14B架在固定於另兩個輥11的帶輪22。第一電機15A以及第二電機15B構成為以相同速度向相同方向旋轉。因此，四個輥11能夠以相同速度向相同方向旋轉。
如第三圖所示，輥旋轉機構12還具有：與第一輥台16A的上側第一輥台17A連結的第一致動器18A；以及與第二輥台16B連結的第二致動器18B。第一致動器18使支承於第一輥台16A的兩個輥11如箭頭所示沿水準方向移動。同樣，第二致動器18B使支承於第二輥台16B的其他兩個輥11如箭頭所示沿水準方向移動。即，第一致動器18A以及第二致動器18B構成為使兩組輥11（在本實施例中各組由兩個輥11構成）向彼此靠近的方向以及分離的方向移動。第一致動器18A以及第二致動器18B能夠由氣缸或電機驅動型致動器等構成。在第二圖以及第三圖所示的實施例中，第一致動器18A以及第二致動器18B由氣缸構成。第一致動器18A以及第二致動器18B固定於基部板23的下表面。
輥11貫通基部板23而向上方延伸。在基部板23的下表面固定有第一直動引導件26A以及第二直動引導件26B。第一直動引導件26A的可動部連結於上側第一輥台17A，第二直動引導件26B的可動部連結於第二輥台16B。兩個直動引導件26A、26B將輥11的移動限制為沿水準方向的直線運動。
在兩組輥11向彼此靠近的方向移動時，晶片W被四個輥11固持。四個輥11中的兩個輥能夠繞樞軸17C旋轉，因此，在四個輥11固持晶片W時，上述兩個輥11的位置被自動地調整。在兩組輥11向彼此離開的方向移動時，晶片W從四個輥11解放。在本實施例中，設置有在基板固持部10的軸心CP的周圍排列的四個輥11，但輥11的數量不限於四個。例如，也可以是，使三個輥11以120度的角度等間隔地在軸心CP的周圍排列，相對於各個輥11，一個一個地設置致動器。在一實施例中，也可以是，使三個輥11以120度的角度等間隔地在軸心CP的周圍排列，三個輥11中的兩個輥被第一帶14A連結，相對於被第一帶14A連結的兩個輥11和未被第一帶14A連結的輥11，一個一個地設置致動器。
第五圖是輥11的上部的放大圖。輥11具有：能夠與晶片W的周緣部接觸的圓筒狀的基板固持面11a；與基板固持面11a連接並且從基板固持面11a向下方傾斜的錐面11b。錐面11b具有圓錐台形狀，具有比基板固持面11a大的直徑。晶片W首先通過未圖示的輸送裝置載置在錐面11b上，然後通過使輥11朝向晶片W移動而使晶片W的周緣部固持在基板固持面11a。在輥11解放晶片W時，通過使輥11向從晶片W離開的方向移動，晶片W的周緣部從基板固持面11a離開，支承於錐面11b（參照第五圖的虛線）。未圖示的輸送裝置能夠取出錐面11b上的晶片W。
在一實施例中，如第六圖所示，基板固持面11a也可以具有向內側縮徑的形狀。具有如上所述的形狀的基板固持面11a與第五圖所示的圓筒狀的基板固持面11a相比，能夠限制研磨中的晶片W的傾斜、晶片W向垂直方向的抬高以及移動。
第七圖是表示第一致動器18A以及第二致動器18B由電機驅動型致動器構成的一實施例的圖。未特殊說明的本實施例的結構與參照第三圖至第六第六圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。第一致動器18A具有第一伺服電機19A、與第一輥台16A連結的第一滾珠絲杠機構20A。第二致動器18B具有第二伺服電機19B、與第二輥台16B連結的第二滾珠絲杠機構20B。伺服電機19A、19B分別連接於滾珠絲杠機構20A、20B。在伺服電機19A、19B驅動滾珠絲杠機構20A、20B時，兩組輥11向彼此靠近的方向以及分離的方向移動。
伺服電機19A、19B與致動器控制器21電連接。致動器控制器21通過控制伺服電機19A、19B的動作，能夠精密控制晶片W的研磨時的輥11的位置。另外，由於兩個輥11能夠繞樞軸17C旋轉，因此能夠調整固持晶片W時的輥11的位置。在本實施例中，設有在基板固持部10的軸心CP的周圍排列的四個輥11，但輥11的數量不限於四個。例如，也可以是，使三個輥11以120度的角度等間隔地在軸心CP的周圍排列，並相對於各個輥11，一個一個地設置致動器。在一實施例中，也可以是，使三個輥11以120度的角度等間隔地在軸心CP的周圍排列，三個輥11中的兩個輥被第一帶14A連結，相對於被第一帶14A連結的兩個輥11和未被第一帶14A連結的輥11，一個一個地設置致動器。
如第一圖所示，在固持在基板固持部10的晶片W的下方，配置有向晶片W的第一面1供給沖洗液（例如純水、或鹼性的藥液）的沖洗液供給噴嘴27。該沖洗液供給噴嘴27與未圖示的沖洗液供給源連接。沖洗液供給噴嘴27朝向晶片W的第一面1的中心O1配置。沖洗液從沖洗液供給噴嘴27向晶片W的第一面1供給，利用離心力，沖洗液在晶片W的第一面1上擴散。沖洗液在晶片W的第一面1上向半徑方向外側流動，由此，能夠將研磨屑從晶片W的第一面1除去。
在固持於基板固持部10的晶片W的上方配置有向晶片W的第二面2供給保護液（例如純水）的保護液供給噴嘴28。保護液供給噴嘴28與未圖示的保護液供給源連接。保護液供給噴嘴28朝向晶片W的第二面2的中心配置。保護液從保護液供給噴嘴28向晶片W的第二面2的中心供給，利用離心力，保護液在晶片W的第二面2上擴散。保護液防止包含由於晶片W的研磨而產生的研磨屑、異物的沖洗液繞到晶片W的第二面2而附著在晶片W的第二面。其結果是，能夠將晶片W的第二面2固持清潔。
如第一圖所示，平移旋轉運動機構60具有電機62、固定於電機62的曲軸70、工作臺69、基台71、複數個偏心接頭65。電機62配置在基台71的下側，並固定在基台71的下表面。曲軸70貫通基台71而向上方延伸。工作臺69經由複數個偏心接頭65以及曲軸70與基台71連結。工作臺69經由複數個軸承67與複數個偏心接頭65連結，還經由軸承68與曲軸70連結。基台71經由複數個軸承75與複數個偏心接頭65連接。在第一圖中，僅畫出兩個偏心接頭65，但平移旋轉運動機構60至少具有兩個偏心接頭65。
曲軸70的頂端從電機62的軸心偏心距離e。因此，在電機62動作時，工作臺69進行半徑e的圓運動。在本說明書中，圓運動定義為物件物在圓軌道上移動的運動。由於工作臺69被複數個偏心接頭65支承，因此，在工作臺69進行圓運動時，工作臺69本身不旋轉。複數個偏心接頭65的偏心量與工作臺69的偏心量相同。這樣的工作臺69的運動也稱作平移旋轉運動。在本說明書中，物件物本身不旋轉而物件物在圓軌道上移動的運動定義為平移旋轉運動。研磨頭50以及研磨帶供給機構41固定於工作臺69。因此，在平移旋轉運動機構60動作時，研磨頭50以及研磨帶供給機構41一體（同步）地進行平移旋轉運動。
在本實施例中，使用在表面具有磨粒的研磨帶31作為研磨器具。第八圖是表示研磨帶31的一例的示意圖。第八圖所示的研磨帶31具有基材帶33、研磨層35。基材帶33的表面被研磨層35覆蓋。研磨層35具有磨粒37、固持磨粒37的粘合劑（樹脂）39。研磨帶31的研磨面31a由研磨層35的露出面構成。第九圖是表示研磨帶31的其他一例的示意圖。第九圖所示的研磨帶31具有基材帶33、研磨層35、位於基材帶33與研磨層35之間的彈性層40。彈性層40由聚丙烯、聚氨酯、聚酯、或由尼龍構成的無紡布、或者矽酮橡膠等彈性材料構成。
回到第一圖，研磨頭50配置在比基板固持面11a靠近下方的位置，並且朝上配置。研磨頭50具有：將研磨帶31向晶片W的第一面1按壓的研磨托板55；將研磨托板55向上方抬起的加壓機構52；以及支承加壓機構52的支承部件79。支承部件79固定於平移旋轉運動機構60的工作臺69，研磨頭50的整體能夠與工作臺69一體地進行平移旋轉運動。支承部件79具有未圖示的通孔，研磨帶31穿過該通孔延伸。
研磨帶供給機構41具有供給研磨帶31的帶卷出卷軸43、回收研磨帶31的帶卷取卷軸44。帶卷出卷軸43以及帶卷取卷軸44分別與張緊電機43a、44a連結。這些張緊電機43a、44a固定於卷軸基部42，通過將規定的轉矩施加在帶卷出卷軸43以及帶卷取卷軸44，能夠對研磨帶31施加規定的張緊力。卷軸基部42固定於平移旋轉運動機構60的工作臺69，研磨帶供給機構41的整體能夠與工作臺69一體地進行平移旋轉運動。
在帶卷出卷軸43與帶卷取卷軸44之間，設置有將研磨帶31沿其長度方向輸送的輸送帶裝置46。該輸送帶裝置46具有輸送研磨帶31的輸送帶輥48、將研磨帶31向輸送帶輥48按壓的夾持輥49、使輸送帶輥48旋轉的輸送帶電機47。研磨帶31夾在夾持輥49與輸送帶輥48之間。在輸送帶電機47使輸送帶輥48沿第一圖的箭頭所示的方向旋轉時，研磨帶31從帶卷出卷軸43經由研磨托板55向帶卷取卷軸44輸送。輸送研磨帶31的速度能夠通過使輸送帶電機47的旋轉速度變化而變更。在一實施例中，輸送研磨帶31的方向也可以是第一圖的箭頭所示的方向的反方向（也可以調換帶卷出卷軸43和帶卷取卷軸44的配置）。該情況下，輸送帶裝置46也配置在帶卷取卷軸44側。
研磨帶31以研磨帶31的研磨面31a朝向晶片W的第一面1的方式向研磨托板55的上表面供給。在本說明書中，研磨帶31的研磨面31a定義為，位於研磨托板55的上側，向晶片W的第一面1按壓的面。
研磨裝置還具有支承研磨帶31的複數個引導輥53a、53b、53c、53d。研磨帶31通過這些引導輥53a，53b，53c，53d以包圍研磨托板55以及加壓機構52的方式被引導。研磨頭50通過利用研磨托板55將研磨帶31從其背側向晶片W的第一面1按壓，而對晶片W的第一面1進行研磨。配置在研磨頭50的兩側的引導輥53b、53c引導研磨帶31以使研磨帶31沿著與晶片W的第一面1平行的方向行進。
輸送帶裝置46以及引導輥53a、53b、53c、53d固定於未圖示的固持部件，該固持部件固定於平移旋轉運動機構60的工作臺69。因此，在平移旋轉運動機構60動作時，研磨頭50、研磨帶供給機構41、輸送帶裝置46、以及引導輥53a、53b、53c、53d、一體（即同步）地進行平移旋轉運動。
在一實施例中，如第十圖所示，也可以將帶卷出卷軸43配置成比帶卷取卷軸44更向外側偏移。通過這樣的配置，即便包含由晶片W的研磨而產生的研磨屑、異物的沖洗液從帶卷取卷軸44落下，也能夠防止附著在帶卷出卷軸43。由此，能夠防止研磨前的研磨帶31的汚染。在另一實施例中，如第十一圖所示，也可以在帶卷出卷軸43與帶卷取卷軸44之間設置隔壁45。隔壁45固定於卷軸基部42。在第十一圖所示的實施例中，也能夠防止從帶卷取卷軸44落下的包含研磨屑、異物的沖洗液附著於帶卷出卷軸43。為了從帶卷取卷軸44快速除去沖洗液，較佳的是隔壁45傾斜。
第十二圖是表示研磨頭50的配置的俯視圖，第十三圖是從第十二圖的箭頭B所示的方向觀察的圖。如第十二圖所示，研磨頭50配置為研磨托板55的一部分從晶片W的周緣部向外側伸出。即，從基板固持部10的軸心CP到研磨托板55的最外端的距離d1比輥11固持晶片W時的從軸心CP到各輥11的基板固持面11a的距離d2長。在本實施例中，研磨托板55比晶片W的半徑長，研磨托板55的上緣具有帶有圓角的截面形狀。更具體而言，研磨托板55的一端從晶片W的周緣部向外側伸出，另一端超過晶片W的第一面1的中心O1（即基板固持部10的軸心CP）地延伸。由此，研磨托板55能夠使研磨帶31與晶片W的第一面1的從中心O1到最外部的範圍接觸。研磨托板55能夠由PEEK（聚醚醚酮）等樹脂材料構成。在一實施例中，研磨托板55也可以比晶片W的直徑長。
在晶片W的研磨中，晶片W通過輥11而旋轉。所有輥11以各軸心為中心旋轉，但這些輥11的位置被固定。因此，即便研磨托板55的一部分從晶片W的周緣部伸出，輥11也不與研磨托板55接觸。在晶片W的研磨中，包括研磨托板55的研磨頭50通過平移旋轉運動機構60而進行平移旋轉運動。通過該平移旋轉運動，研磨頭50相對於晶片W進行相對運動，確保研磨帶31與晶片W的第一面1的接觸點（以下，稱作研磨點）處的研磨帶31與晶片W的相對速度。尤其是，在晶片W的中心部，平移旋轉運動機構60能夠使晶片W與研磨帶31的相對速度增大。研磨頭50配置在在進行平移旋轉運動時與輥11不接觸的位置。其結果是，研磨帶31能夠對包含最外部的晶片W的第一面1的整體進行研磨。
如第十二圖所示，研磨托板55相對於研磨帶31的行進方向（箭頭C所示）傾斜地延伸。在本實施例中，研磨帶31的行進方向C與研磨帶31的長度方向一致。另外，研磨托板55在不從研磨帶31伸出的限度內，遍及研磨帶31的全寬度延伸。通過使研磨托板55相對於研磨帶31的行進方向C（研磨帶31的長度方向）傾斜，即便在研磨帶31的行進方向的下游側（本實施例的情況下，是晶片W的外周側）也能夠使未使用的研磨帶31與晶片W接觸。其結果是，能夠防止由於使用因研磨而劣化的研磨帶31導致的研磨率的降低。
如第十三圖所示，研磨托板55設於固持襯墊56的表面，並向上方突起。固持襯墊56固定於背板57的表面。加壓機構52配置在背板57的下方，與背板57的下表面連結。加壓機構52構成為能夠使研磨托板55、固持襯墊56、以及背板57一體上升以及下降。在晶片W的研磨中，加壓機構52將研磨托板55、固持襯墊56、以及背板57向上方抬起，而能夠利用研磨托板55的上緣將研磨帶31向晶片W的第一面1按壓而研磨。研磨托板55由於其上緣具有帶有圓角的截面形狀，因此能夠降低研磨帶31與研磨托板55的接觸阻力。在研磨待機狀態（未研磨的狀態）下，加壓機構52使研磨托板55、固持襯墊56、以及背板57下降，使研磨帶31從晶片W的第一面1離開。
在一實施例中，加壓機構52由氣缸構成。由氣缸構成的加壓機構52具有：與背板57連結的活塞桿52a；通過供給氣體而下壓活塞桿52a的第一壓力室52b；以及通過供給氣體而抬起活塞桿52a的第二壓力室52c。向第一壓力室52b以及第二壓力室52c供給的氣體的壓力通過未圖示的壓力調節器控制。作為壓力調節器的一例，列舉電空調節器。利用壓力調節器，能夠獲得相對於研磨帶31的一定的按壓力。
在一實施例中，代替研磨帶31，研磨器具也可以是磨石等固定磨粒。在該情況下，固定磨粒可以固定於背板57的表面，也可以固定於研磨托板55的表面。研磨頭50能夠使固定磨粒與晶片W的第一面1接觸而研磨晶片W的第一面1。
在另一實施例中，固定磨粒也可以在背板57的表面以環狀固定。在該情況下，研磨頭50具有未圖示的旋轉機構，旋轉機構與背板57連結，固定磨粒以及背板57能夠通過旋轉機構旋轉。研磨頭50能夠使固定磨粒一邊旋轉一邊與晶片W的第一面1接觸而對晶片W的第一面1進行研磨。
接著，對本實施例的研磨裝置的動作進行說明。以下說明的研磨裝置的動作由圖1所示的動作控制部180控制。動作控制部180與基板固持部10、研磨頭50、研磨帶供給機構41、輸送帶裝置46、以及平移旋轉運動機構60電連接。基板固持部10、沖洗液供給噴嘴27、保護液供給噴嘴28、研磨頭50、研磨帶供給機構41、輸送帶裝置46、以及平移旋轉運動機構60的動作由動作控制部180控制。動作控制部180由專用的電腦或通用的計算機構成。
被研磨的晶片W在第一面1朝下的狀態下通過基板固持部10的輥11固持，進而以晶片W的軸心為中心旋轉。具體而言，基板固持部10一邊在晶片W的第一面1朝下的狀態下使複數個輥11與晶片W的周緣部接觸，一邊使複數個輥11以各自的軸心為中心旋轉，從而使晶片W旋轉。接著，從沖洗液供給噴嘴27向晶片W的第一面1供給沖洗液，從保護液供給噴嘴28向晶片W的第二面2供給保護液。沖洗液在晶片W的第一面1上向半徑方向外側流動，保護液通過離心力向晶片W的第二面2的整體擴散。
動作控制部180驅動研磨帶供給機構41以及輸送帶裝置46，一邊施加規定的張緊力一邊使研磨帶31沿其長度方向以規定的速度行進。然後，平移旋轉運動機構60一邊使研磨頭50、研磨帶供給機構41、引導輥53a、53b、53c、53d、以及輸送帶裝置46平移旋轉運動，研磨頭50一邊使研磨帶31與晶片W的第一面1接觸，在沖洗液的存在下對晶片W的第一面1進行研磨。具體而言，加壓機構52將研磨托板55向上方抬起，研磨托板55將研磨帶31的研磨面31a向晶片W的第一面1按壓，從而對晶片W的第一面1的整體進行研磨。研磨裝置在晶片W的研磨中，將沖洗液以及保護液一直向晶片W持續供給。
如上所述，研磨托板55的一端從晶片W的周緣部向外側伸出，另一端超過晶片W的第一面1的中心O1地延伸，因此研磨托板55能夠使研磨帶31與晶片W的第一面1的從中心O1到最外部的範圍接觸。在晶片W的研磨中，輥11的位置靜止，因此輥11不與研磨托板55接觸。另外，包含研磨托板55的研磨頭50進行平移旋轉運動，因此在晶片W的中心部中，也能夠增大研磨帶31與晶片W的相對速度。其結果是，研磨帶31能夠以高研磨率對包含最外部的晶片W的第一面1的整體進行研磨。
在經過了預先設定的時間後，加壓機構52使研磨托板55下降，使研磨帶31從晶片W的第一面1離開。然後，動作控制部180使基板固持部10、沖洗液供給噴嘴27、保護液供給噴嘴28、研磨頭50、研磨帶供給機構41、輸送帶裝置46、以及平移旋轉運動機構60的動作停止，而終止晶片W的研磨。
第十四圖是表示研磨頭50的其他實施例的示意圖。未特殊說明的本實施例的結構以及動作與參照第一圖至第十三圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。在本實施例中，研磨頭50具有將研磨托板55、固持襯墊56、以及背板57支承成能夠傾動的球面軸承58。加壓機構52的活塞桿52a經由球面軸承58與背板57連結。
根據第十四圖所示的實施例，研磨托板55通過球面軸承58支承成能夠向多方向傾動。因此，即便在晶片W有翹曲以及/或撓曲的情況下，研磨托板55也能夠使其姿勢（即角度）沿著晶片W的第一面1的形狀改變。其結果是，研磨托板55能夠以均勻的按壓力將研磨帶31向晶片W按壓。
第十五圖是表示研磨頭50的其他實施例的示意圖。未特別說明的本實施例的結構以及動作與參照第一圖至第十三圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。在本實施例中，研磨頭50具有覆蓋研磨托板55的軟質件59。軟質件59設置為覆蓋研磨托板55的至少上緣。被軟質件59覆蓋的研磨托板55能夠以更均勻的按壓力將研磨帶31向晶片W按壓。作為軟質件59的一例，列舉矽橡膠海綿。本實施例的軟質件59也可以與第十四圖所示的球面軸承58組合使用。
第十六圖是表示研磨頭50的其他實施例的示意圖。未特別說明的本實施例的結構以及動作與參照第一圖至第十三圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。在本實施例的研磨頭50具有氣囊82和氣囊引導件83的組合作為加壓機構52。氣囊82配置在背板57的下側，氣囊引導件83配置為包圍氣囊82的側面以及下表面。氣囊引導件83固定於研磨頭50的框架（未圖示）。
第十六圖所示，在向氣囊82供給氣體時，氣囊82膨脹。氣囊82的向下方向以及橫向的膨脹被氣囊引導件83限制，因此氣囊82向上方向膨脹，將研磨托板55、固持襯墊56、以及背板57抬起。在從氣囊82放出氣體時，研磨托板55、固持襯墊56、以及背板57下降，研磨帶31從晶片W的第一面1分離。在本實施例中，也能夠沿著晶片W的形狀改變研磨托板55的角度。因此，研磨托板55能夠以均勻的按壓力將研磨帶31向晶片W按壓。向氣囊82供給的氣體的壓力被未圖示的壓力調節器控制。作為壓力調節器的一例，列舉電空調節器。利用壓力調節器，能夠獲得相對於研磨帶31的一定的按壓力。
第十七圖是示意性表示研磨頭50的其他實施例的俯視圖，第十八圖是從橫向觀察第十七圖所示的研磨頭50的示意圖。未特別說明的本實施例的結構以及動作與參照圖1至第十三圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。本實施例的研磨頭50具有複數個研磨托板55、複數個固持襯墊56、複數個背板57、以及複數個加壓機構52。複數個研磨托板55呈直線狀排列地配置，複數個研磨托板55的整體相對於研磨帶31的行進方向傾斜地延伸。複數個研磨托板55配置在離基板固持部10的軸心CP不同距離的位置。在本實施例中，從基板固持部10的軸心CP到複數個研磨托板55的整體的最外端的距離d1比輥11固持晶片W時的從軸心CP到各輥11的基板固持面11a的距離d2長。複數個研磨托板55的整體比晶片W的半徑長。呈直線狀排列的複數個研磨托板55的整體的一方的端部從晶片W的周緣部向外側伸出，另一方的端部超過晶片W的第一面1的中心O1（即基板固持部10的軸心CP）地延伸。在一實施例中，複數個研磨托板55的整體也可以比晶片W的直徑長。在本實施例中，各加壓機構52由氣缸構成。
在晶片W的中心部和外周部，研磨帶31與晶片W的相對速度存在差。其結果是，在晶片W的第一面1的中心部與外周部，研磨率會產生差。根據本實施例，複數個加壓機構52構成為能夠彼此獨立地動作。因此，能夠利用各個加壓機構52調整從複數個研磨托板55向研磨帶31施加的按壓力。例如，配置在晶片W的中心部的研磨托板55將第一按壓力施加到研磨帶31，配置在晶片W的外周部的研磨托板55將比第一按壓力小的第二按壓力施加到研磨帶31，能夠使晶片W的第一面1的中心部與外周部之間的研磨率的差減小。其結果是，本實施例的研磨頭50能夠使晶片W的第一面1的整體的研磨率均勻。本實施例的研磨頭50也可以具有參照第十四圖說明的球面軸承58以及/或參照第十五圖說明的軟質件59。
在一實施例中，如第十九圖所示，複數個加壓機構52也可以代替氣缸，具有能夠彼此獨立動作的複數個氣囊82、分別收納這些氣囊82的複數個氣囊引導件83。
第二十圖是示意性表示研磨頭50的其他實施例的俯視圖。未特別說明的本實施例的結構以及動作與參照第十七圖以及第十八圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。如第二十圖所示，複數個研磨托板55在配置在離基板固持部10的軸心CP不同距離的位置方面與第十七圖所示的實施例相同，但第二十圖所示的複數個研磨托板55在未在同一直線上排列方面不同。在本實施例中，從基板固持部10的軸心CP到複數個研磨托板55的整體的最外端的距離d1比輥11固持晶片W時的從軸心CP到各輥11的基板固持面11a的距離d2長。
複數個研磨托板55沿著研磨帶31的行進方向C（即研磨帶31的長度方向）連續排列，並且沿著與研磨帶31的行進方向C垂直的方向連續排列。本實施例的複數個研磨托板55分別相對於研磨帶31的行進方向C傾斜。在從研磨帶31的行進方向C觀察時，複數個研磨托板55沒有間隙地連續。
複數個研磨托板55未在一直線上排列，但這些研磨托板55位於離基板固持部10的軸心CP不同距離的位置，因此，在晶片W旋轉時，晶片W的第一面1的各區域通過複數個研磨托板55的任一個。因此，研磨托板55能夠將研磨帶31向晶片W的第一面1的整面按壓。也可以將追加的研磨托板配置在離軸心CP的距離與上述複數個研磨托板55中的任一個相同的位置。晶片W的第一面1所存在的區域穿過上述追加的研磨托板和位於相同半徑位置的研磨托板55這兩個研磨托板，因此該區域的研磨率增加。在一實施例中，複數個加壓機構52也可以代替氣缸，而具有參照第十九圖說明的能夠彼此獨立地動作的複數個氣囊82、分別收納這些氣囊82的複數個氣囊引導件83。
第二十一圖是表示研磨裝置的其他實施例的示意圖，第二十二圖是從上方觀察第二十一圖的研磨頭50和基板固持部10的示意圖。未特別說明的本實施例的結構以及動作與參照第一圖至第十三圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。本實施例的研磨托板55比晶片W的半徑短。因此，能夠減小從引導輥53b到引導輥53c的距離D。其結果是，能夠使研磨點處的引導輥53b、53c對研磨帶31的束縛力穩固。本實施例的研磨頭50也可以具有參照第十四圖說明的球面軸承58以及/或參照第十五圖說明的軟質件59。在一實施例中，也可以將研磨托板55相對於研磨帶31的行進方向C垂直配置。通過這樣的配置，能夠進一步減小從引導輥53b到引導輥53c的距離D。其結果是，能夠使研磨點處的引導輥53b、53c對研磨帶31的束縛力更穩固
為了使研磨帶31與晶片W的第一面1的從中心O1到最外部的範圍接觸，本實施例的研磨裝置具有使研磨頭50相對於基板固持部10相對地平行移動的研磨頭移動機構91。研磨頭移動機構91構成為使研磨頭50在晶片W的第一面1的中心O1與第一面1的最外部之間移動。
在本實施例中，在基台71的下表面固定有複數個直動引導件95，基台71支承於複數個直動引導件95。複數個直動引導件95配置於設置面97。基台71通過研磨頭移動機構91移動，直動引導件95將基台71的移動限制為向晶片W的半徑方向的直線運動。
研磨頭移動機構91具有滾珠絲杠機構93、驅動滾珠絲杠機構93的電機94。能夠使用伺服電機作為電機94。基台71與滾珠絲杠機構93的絲杠軸93b連結。在使研磨頭移動機構91動作時，研磨頭50、研磨帶供給機構41、輸送帶裝置46、引導輥53a、53b、53c、53d、以及平移旋轉運動機構60一體地沿晶片W的半徑方向移動。
在晶片W的研磨中，平移旋轉運動機構60一邊使研磨頭50進行平移旋轉運動，研磨頭移動機構91一邊使研磨頭50的研磨托板55在晶片W的第一面1的中心O1與第一面1的最外部之間移動。研磨頭移動機構91與動作控制部180電連接，研磨頭移動機構91的動作被動作控制部180控制。在一實施例中，研磨頭50也可以具有參照第十六圖說明的氣囊82與氣囊引導件83的組合作為加壓機構52。
具體動作如下所示。研磨頭移動機構91使研磨頭50向晶片W的第一面1的中心O1的下方移動。接著，平移旋轉運動機構60一邊使研磨頭50進行平移旋轉運動，研磨頭50一邊使研磨帶31與晶片W的第一面1接觸，在沖洗液的存在下開始晶片W的第一面1的研磨。另外，研磨頭50一邊利用研磨帶31對晶片W的第一面1進行研磨，研磨頭移動機構91一邊使平移旋轉運動機構60以及研磨頭50向晶片W的半徑方向外側移動。在一實施例中，動作控制部180也可以一邊使平移旋轉運動機構60以及研磨頭50的移動速度、平移旋轉運動的旋轉速度、加壓機構52對研磨托板55的按壓力、以及/或輸送研磨帶31的速度變化，一邊利用研磨頭移動機構91使平移旋轉運動機構60以及研磨頭50移動。
在研磨托板55達到晶片W的第一面1的最外部時，動作控制部180使晶片W的研磨終止。在一實施例中，研磨頭移動機構91也可以使研磨托板55在晶片W的第一面1的最外部與中心O1之間往復。通過這樣的動作，研磨帶31能夠對包含最外部的晶片W的第一面1的整體進行研磨。
第二十三圖是示意性表示研磨裝置的其他實施例的俯視圖，第二十四圖是從橫向觀察第二十三圖的示意圖，第二十五圖是從第二十四圖所示的箭頭E觀察的示意圖。未特別說明的本實施例的結構以及動作與參照第一圖至第十三圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。在本實施例中，研磨頭50的位置被固定。未設置先前敘述的所述實施例中的支承部件79。研磨頭50固定於未圖示的固定部件。
研磨帶供給機構41的帶卷出卷軸43以及帶卷取卷軸44配置在基板固持部10的兩側。輸送帶裝置46配置在基板固持部10與帶卷取卷軸44之間。在本實施例中，研磨帶31通過引導輥53b、53c來引導其行進。
本實施例的研磨裝置具有使基板固持部10進行平移旋轉運動的平移旋轉運動機構60。平移旋轉運動機構60配置在基板固持部10的下側。平移旋轉運動機構60的工作臺69經由複數個連結部件77固定在基部板23的下表面。因此，基板固持部10與工作臺69一起進行平移旋轉運動。本實施例的研磨裝置在晶片W的研磨中，固持研磨頭50的位置固定的狀態使晶片W以及基板固持部10的整體進行平移旋轉運動。
如第二十三圖所示，從基板固持部10的軸心CP到研磨托板55的最外端的距離d1比輥11固持晶片W時的從軸心CP到各輥11的基板固持面11a的距離d2長。在本實施例中，研磨托板55比晶片W的直徑長，研磨托板55的兩端部從晶片W的周緣部向外側伸出。具有這樣的結構的研磨托板55能夠使研磨帶31與旋轉的晶片W的第一面1的整體接觸。其結果是，研磨帶31能夠對包含最外部的晶片W的第一面1的整體進行研磨。研磨頭50配置在基板固持部10的整體進行平移旋轉運動時與輥11不接觸的位置。
本實施例的研磨頭50也可以具有參照第十四圖說明的球面軸承58以及/或參照第十五圖說明的軟質件59。在一實施例中，研磨頭50也可以具有參照第十六圖說明的氣囊82與氣囊引導件83的組合作為加壓機構52。
具體動作如下所示。基板固持部10一邊使晶片W旋轉，動作控制部180一邊驅動研磨帶供給機構41以及輸送帶裝置46，在施加規定張緊力的同時使研磨帶31沿其長度方向以規定的速度行進。然後，平移旋轉運動機構60一邊使晶片W以及基板固持部10進行平移旋轉運動，研磨頭50一邊使研磨帶31與晶片W的第一面1接觸，在沖洗液的存在下對晶片W的第一面1進行研磨。具體而言，加壓機構52將研磨托板55向上方抬起，研磨托板55將研磨帶31的研磨面31a向晶片W的第一面1按壓，從而對晶片W的第一面1的整體進行研磨。研磨裝置在晶片W的研磨中，將沖洗液以及保護液一直向晶片W持續供給。
在一實施例中，在晶片W的研磨中，也可以使晶片W的平移旋轉運動的旋轉速度比晶片W的以自身的軸心為中心的旋轉速度大。使晶片W的平移旋轉運動的旋轉速度比晶片W的以自身的軸心為中心的旋轉速度大，能夠使晶片W的第一面1的中心部與外周部的研磨率的差小。
第二十六圖是示意性表示研磨裝置的其他實施例的俯視圖，第二十七圖是從橫向觀察第二十六圖所示的研磨頭50的示意圖。未特別說明的本實施例的結構以及動作與參照第二十三圖至第二十五圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。本實施例的研磨頭50具有複數個研磨托板55、複數個固持襯墊56、複數個背板57、以及複數個加壓機構52。複數個研磨托板55呈直線狀排列配置，複數個研磨托板55的整體相對於研磨帶31的行進方向傾斜地延伸。複數個研磨托板55配置在離基板固持部10的軸心CP不同距離的位置。從基板固持部10的軸心CP到複數個研磨托板55的整體的最外端的距離d1比輥11固持晶片W時的從軸心CP到各輥11的基板固持面11a的距離d2長。複數個研磨托板55的整體比晶片W的直徑長。呈直線狀排列的複數個研磨托板55的兩端部從晶片W的周緣部向外側伸出。複數個加壓機構52構成為能夠彼此獨立地動作。本實施例的研磨頭50也可以具有參照第十四圖說明的球面軸承58以及/或參照第十五圖說明的軟質件59。在另一實施例中，複數個加壓機構52也可以代替氣缸，而具有參照第十九圖說明的能夠彼此獨立地動作的複數個氣囊82、分別收納這些氣囊82的複數個氣囊引導件83。
第二十八圖是示意性表示研磨頭50的其他實施例的俯視圖。未特別說明的本實施例的結構以及動作與參照第二十六圖以及第二十七圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。如第二十八圖所示，複數個研磨托板55配置在離基板固持部10的軸心CP不同距離的位置。在本實施例中，從基板固持部10的軸心CP到複數個研磨托板55的整體的最外端的距離d1也比輥11固持晶片W時的從軸心CP到各輥11的基板固持面11a的距離d2長。
複數個研磨托板55沿著研磨帶31的行進方向C（即研磨帶31的長度方向）隔開間隙排列，並且沿著與研磨帶31的行進方向C垂直的方向連續排列。本實施例的複數個研磨托板55分別相對於研磨帶31的行進方向C傾斜地延伸。在從研磨帶31的行進方向C觀察時，複數個研磨托板55沒有間隙地連續。
複數個研磨托板55未在一條直線上並列，但這些研磨托板55位於離基板固持部10的軸心CP不同距離的位置，因此，在晶片W旋轉時，晶片W的第一面1的各區域通過複數個研磨托板55中的任一個。因此，研磨托板55能夠將研磨帶31向晶片W的第一面1的整面按壓。
也可以將追加的研磨托板55’配置在距離軸心CP的距離與上述複數個研磨托板55中的任一個相同的位置。晶片W的第一面1所存在的區域通過上述追加的研磨托板55’、位於相同半徑位置的研磨托板55這兩個研磨托板，因此該區域的研磨率增加。在第二十八圖所示的實施例中，在與外側的兩個研磨托板55相同的半徑位置配置有兩個追加的研磨托板55’。因此，晶片W的第一面1的外周部以比中心部高的研磨率被研磨。
第二十九圖是表示參照第二十六圖至第二十八圖說明的研磨頭50的其他實施例的局部放大圖。如第二十九圖所示，本實施例的研磨頭50具有配置在相鄰的兩個加壓機構52之間的引導輥53e、53f、53g。引導輥53g配置在引導輥53e、53f之間，並且位於引導輥53e、53f的下方。
引導輥53e、53f、53g支承在相鄰的兩個研磨托板55之間延伸的研磨帶31，因此能夠防止研磨帶31的位置偏移、帶脫落，帶折斷等。在一實施例中，如第三十圖所示，也可以改變引導輥53g而配置輸送帶裝置46。在該情況下，不需要第二十四圖所示的輸送帶裝置46。在第三十圖所示的實施例中，能夠防止研磨帶31的位置偏移、帶脫落，帶折斷等。
第三十一圖是示意性表示參照第二十三圖至第三十圖說明的研磨裝置的其他實施例的俯視圖，第三十二圖是從橫向觀察第三十一圖所示的研磨頭50的圖。未特殊說明的本實施例的結構以及動作與參照第二十三圖至第三十圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。在本實施例中，研磨裝置具有用於研磨晶片W的第一面1的第一研磨頭50A以及第二研磨頭50B。另外，研磨裝置具有用於將研磨帶31分別向第一研磨頭50A以及第二研磨頭50B供給的第一研磨帶供給機構41A以及第二研磨帶供給機構41B、將研磨帶31沿其長度方向輸送的第一輸送帶裝置46A以及第二輸送帶裝置46B。
第一研磨頭50A以及第二研磨頭50B的結構與參照第二十六圖以及第二十七圖說明的實施例的研磨頭50的結構基本相同，第一研磨帶供給機構41A以及第二研磨帶供給機構41B的結構與參照圖1說明的實施例的研磨帶供給機構41的結構基本相同，第一輸送帶裝置46A以及第二輸送帶裝置46B的結構與參照圖1說明的實施例的輸送帶裝置46的結構基本相同。對同一結構要素標註同一附圖標記，並省略其重複說明。
第一輸送帶裝置46A配置在第一研磨頭50A與第一研磨帶供給機構41A之間，第二輸送帶裝置46B配置在第二研磨頭50B與第二研磨帶供給機構41B之間。研磨頭50A、50B呈直線狀排列配置，構成為能夠彼此獨立地動作。各個研磨帶31一邊使其研磨面31a與晶片W的第一面1接觸一邊沿著第三十一圖的箭頭C、C’所述的方向，即，從晶片W的中心部向外周部輸送。由此，能夠將在晶片W的研磨中產生的研磨屑高效地從晶片W的中心部向晶片W的外側排出。在一實施例中，也可以是與第三十一圖的箭頭C、C’所示的方向相反的方向（也可以調換各帶卷出卷軸43和各帶卷取卷軸44的配置）。研磨頭50A、50B分別具有至少一個研磨托板55、固持襯墊56、背板57、以及加壓機構52。研磨頭50A的複數個研磨托板55配置在離基板固持部10的軸心CP不同距離的位置。同樣，研磨頭50B的複數個研磨托板55配置在離基板固持部10的軸心CP不同距離的位置。從基板固持部10的軸心CP到複數個研磨托板55的整體的最外端的距離d1比輥11固持晶片W時的從軸心CP到各輥11的基板固持面11a的距離d2長。研磨頭50A的研磨托板55的整體比晶片W的直徑短。同樣，研磨頭50B的研磨托板55的整體也比晶片W的直徑短。因此，在本實施例中，與參照第二十三圖至第二十五圖說明的實施例相比，能夠防止研磨帶31的位置偏移、帶脫落、帶折斷等。在本實施例中，使用複數個研磨帶31作為複數個研磨器具。在一實施例中，複數個研磨器具也可以是複數個固定磨粒。在該情況下，固定磨粒可以固定於背板57的表面，也可以固定於研磨托板55的表面。
第三十三圖是示意性表示研磨頭50A、50B的其他實施例的俯視圖。未特殊說明的本實施例的結構以及動作與參照第三十一圖以及第三十二圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。如第三十三圖所示，研磨頭50A、50B的複數個研磨托板55配置在離基板固持部10的軸心CP不同距離的位置。在本實施例中，從基板固持部10的軸心CP到複數個研磨托板55的整體的最外端的距離d1也比輥11固持晶片W時的從軸心CP到各輥11的基板固持面11a的距離d2長。
複數個研磨托板55沿著研磨帶31的行進方向C、C’（即研磨帶31的長度方向）隔開間隙排列，並且沿著與研磨帶31的行進方向C、C’垂直的方向連續排列。本實施例的複數個研磨托板55分別相對於研磨帶31的行進方向C、C’傾斜地延伸。在從研磨帶31的行進方向C、C’觀察時，複數個研磨托板55沒有間隙地連續。
複數個研磨托板55未在一條直線上排列，但這些研磨托板55位於離基板固持部10的軸心CP不同距離的位置，因此，在晶片W旋轉時，晶片W的第一面1的各區域通過複數個研磨托板55的任一個。因此，研磨托板55能夠將研磨帶31向晶片W的第一面1的整面按壓。
也可以將追加的研磨托板55’配置在離軸心CP的距離與上述複數個研磨托板55中的任一個相同的位置。晶片W的第一面1所存在的區域通過上述追加的研磨托板55’和位於相同半徑位置的研磨托板55這兩個研磨托板，因此該區域的研磨率增加。在第三十三圖所示的實施例中，在與外側的兩個研磨托板55相同的半徑位置配置有兩個追加的研磨托板55’。因此，晶片W的第一面1的外周部以比中心部高的研磨率被研磨。
第三十四圖是示意性表示研磨裝置的其他實施例的俯視圖。未特殊說明的本實施例的結構以及動作與參照圖1至第三十三圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。本實施例的研磨裝置具有經由流體非接觸地吸引晶片W的第一面1的至少一個伯努利吸盤87。在第三十四圖所示的實施例中，研磨裝置具有複數個伯努利吸盤87，伯努利吸盤87的數量也可以是一個。在本說明書中，伯努利吸盤87定義為通過噴出流體，而利用伯努利定理產生吸引力的吸盤。
第三十五圖是表示複數個伯努利吸盤87的一個的示意圖。伯努利吸盤87配置在比基板固持面11a（參照第五圖以及第六圖）靠近下方的位置，並且將其吸引面87a朝上配置。伯努利吸盤87具有：向吸引面87a供給流體（例如，乾燥空氣、惰性氣體等氣體，或純水等液體）的流體供給管87b；以及設于流體供給管87b的致動器驅動型閥87c。致動器驅動型閥87c與動作控制部180電連接，致動器驅動型閥87c的動作由動作控制部180控制。作為致動器驅動型閥87c的示例，列舉電動閥、電磁閥。
在動作控制部180打開致動器驅動型閥87c時，流體沿流體供給管87b流動，並從吸引面87a的外周部向外側排出，從而在吸引面87a的中心部與晶片W的第一面1之間的空間形成負壓。由此，伯努利吸盤87在吸引面87a的中心部產生吸引力而吸引晶片W。由於在吸引面87a的外周部與晶片W的第一面之間的空間形成有流體的流動，因此伯努利吸盤87能夠非接觸地吸引晶片W。在伯努利吸盤87吸引晶片W時，基板固持部10的輥11能夠使晶片W旋轉。
在將研磨帶31向晶片W的第一面1按壓而對晶片W的第一面1進行研磨時，對於晶片W向上方向施加研磨載荷。在本實施例中，利用伯努利吸盤87，晶片W承受下方向的吸引力。這樣的下方向的吸引力與向晶片W施加的上方向的載荷抵消。因此，研磨頭50既能夠抑制晶片W撓曲，又能夠對晶片W的第一面1施加研磨載荷。進一步地，由於晶片W被伯努利吸盤87的吸引面87a非接觸地吸引，因此能夠固持晶片W的第一面1清潔地吸引晶片W。本實施例的結構能夠適用於參照第一圖至第三十三圖說明的實施例。
第三十六圖是示意性表示研磨裝置的其他實施例的俯視圖，第三十七圖是從橫向觀察第三十六圖所示的靜壓支承台100的圖。未特殊說明的本實施例的結構以及動作與參照第一圖至第三十三圖說明的實施例相同，因此省略其重複說明。本實施例的研磨裝置具有經由流體非接觸地支承晶片W的第二面2的靜壓支承台100。
靜壓支承台100是支承被輥11固持的晶片W的第二面2（與第一面1相反的一側的面）的基板支承台的一實施例。在本實施例中，靜壓支承台100使流體與被輥11固持的晶片W的第二面2接觸而利用流體支承晶片W。靜壓支承台100具有與被輥11固持的晶片W的第二面2靠近的基板支承面101。另外，靜壓支承台100具有形成于基板支承面101的複數個流體噴射口104、與流體噴射口104連接的流體供給路102。靜壓支承台100配置在被基板固持部10固持的晶片W的上方，基板支承面101從晶片W的第二面2稍微離開。流體供給路102與未圖示的流體供給源連接。本實施例的基板支承面101為四邊形，也可以具有圓形或其他形狀。
靜壓支承台100將流體（例如，純水等液體）通過流體供給路102向複數個流體噴射口104供給，而利用流體將基板支承面101與晶片W的第二面2之間的空間充滿。晶片W通過存在于基板支承面101與晶片W的第二面2之間的流體支承。
研磨帶31的研磨面31a與靜壓支承台100的基板支承面101關於晶片W對稱配置。即，研磨帶31的研磨面31a和靜壓支承台100的基板支承面101隔著晶片W配置，從研磨頭50向晶片W施加的上方向的載荷從研磨頭50的正上方通過靜壓支承台100支承。
因此，研磨頭50既能夠抑制晶片W撓曲，又能夠向晶片W的第一面1施加載荷。進一步地，靜壓支承台100經由流體非接觸地支承晶片W的第二面2，因此，能夠固持晶片W的第二面2清潔地支承晶片W。作為靜壓支承台100所使用的流體，也可以使用非壓縮性流體即純水等液體，或空氣、氮氣等壓縮性流體即氣體。在使用純水的情況下，作為與流體供給路102連接的流體供給源，能夠使用設置於設有基板處理裝置的工廠的純水供給線。本實施例的結構能夠適用於參照圖1至第三十三圖說明的實施例。靜壓支承台100與動作控制部180電連接，靜壓支承台100的動作被動作控制部180控制。
第三十八圖是示意性表示具有上述研磨裝置的基板處理系統的一實施例的俯視圖。在本實施例中，基板處理系統具有裝卸部121，裝卸部121具有載置有收納許多晶片的晶片盒（基板盒）的複數個裝載口122。在裝載口122能夠搭載有開放盒、SMIF（Standard Manufacturing Interface：標準製造介面）箱或FOUP（Front Opening Unified Pod：前開式晶片盒）。SMIF、FOUP是通過在內部收納晶片盒，利用隔壁覆蓋，從而能夠保證與外部空間獨立的環境的密閉容器。
在裝卸部121設置有能夠沿裝載口122的排列方向移動的第一輸送機械手（裝載機）123。第一輸送機械手123能夠伸到搭載於裝載口122的晶片盒，而將晶片從晶片盒取出。
基板處理系統還具有：能夠沿水平方向移動的第二輸送機械手126；暫時放置晶片的第一臨時放置台140以及第二臨時放置台141；研磨單元127；控制基板處理系統整體的動作的系統控制器133；清洗研磨後的晶片的清洗單元172；以及使清洗後的晶片乾燥的乾燥單元173。在第二臨時放置台141與清洗單元172之間配置有用於輸送晶片的第三輸送機械手150，在清洗單元172與乾燥單元173之間配置有用於輸送晶片的第四輸送機械手151。研磨單元127為上述研磨裝置。
接著，對使用研磨單元127對晶片進行研磨時的晶片的輸送路徑進行說明。複數個（例如25枚）晶片在其器件面朝上的狀態下，收納在裝載口122的晶片盒（基板盒）內。第一輸送機械手123從晶片盒取出1枚晶片，將晶片載置在第一臨時放置台140。第二輸送機械手126將晶片從第一臨時放置台140取出，在晶片的背面朝下的狀態下，將晶片向研磨單元127輸送。如上所述，晶片的背面被研磨單元127研磨。第二輸送機械手126將研磨後的晶片從研磨單元127取出，載置在第二臨時放置台141。第三輸送機械手150將晶片從第二臨時放置台141取出，向清洗單元172輸送。
晶片在其研磨後的背面朝下的狀態下，由清洗單元172清洗。在一實施例中，清洗單元172具有配置為夾著晶片的上側輥形海綿以及下側輥形海綿，一邊將清洗液向晶片的兩面供給一邊利用這些輥形海綿對晶片的兩面進行清洗。
第四輸送機械手151將清洗後的晶片從清洗單元172取出，向乾燥單元173輸送。晶片在其清洗後的背面朝下的狀態下由乾燥單元173乾燥。在本實施例中，乾燥單元173構成為通過使晶片繞其軸心高速旋轉而對晶片進行旋轉乾燥。在一實施例中，乾燥單元173也可以是IPA型，一邊使純水噴嘴以及IPA噴嘴沿晶片的半徑方向移動，一邊從純水噴嘴以及IPA噴嘴將純水和IPA蒸氣（異丙醇與N2氣體的混合物）向晶片的下表面供給，從而使晶片乾燥。
乾燥後的晶片在其背面朝下的狀態下通過第一輸送機械手123返回裝載口122的晶片盒。這樣一來，基板處理系統能夠在固持晶片的背面朝下的狀態下，進行晶片的研磨、清洗、乾燥、以及向裝卸部的輸送的一系列工序。
根據本實施例，在晶片的背面朝下的狀態下，能夠有效地對晶片的背面整體進行研磨。其結果是，由於不需要在背面研磨用中使晶片翻轉，因此能夠防止空氣中的雜質向晶片附著，並且能夠減少整體的處理時間。另外，不需要邊緣研磨用的研磨裝置、使晶片翻轉的翻轉機，能夠使基板處理系統的裝置結構簡單化，減少費用。在一實施例中，基板處理系統也可以代替不需要的邊緣研磨用的單元而再設置一台研磨單元127。通過設置兩台研磨單元127，能夠使處理片數加倍，而提高生產能力。
上述各個研磨裝置能夠使研磨頭50不與基板固持部10的輥11接觸地，對包含最外部的晶片W的第一面1的整體進行研磨。其結果是，不需要利用邊緣研磨用的單元對晶片W的第一面1的最外部進行研磨，能夠減少研磨工序。
進一步地，上述各個研磨裝置的研磨頭50配置在晶片W的下側，研磨裝置一邊使研磨頭50或基板固持部10進行平移旋轉運動，一邊對晶片W的第一面1進行研磨，因此，在晶片W的第一面1朝下的狀態下，能夠有效地對晶片W的第一面1進行研磨。其結果是，在背面研磨用中不需要使晶片W翻轉，因此能夠防止空氣中的雜質向晶片W附著，並且能夠減少整體的處理時間。
上述實施例是以具有本發明所述技術領域的通常知識的人員能夠實施本發明為目的而記載的。上述實施例的各種的變形例對於本領域技術人員而言是顯而易見的，本發明的技術思想也能夠適用於其他實施例。因此，本發明不限於所記載的實施例，應解釋為根據由發明要保護的範圍定義的技術思想的最大範圍。
10‧‧‧基板固持部
11‧‧‧輥
11a‧‧‧基板固持面
11b‧‧‧錐面
12‧‧‧輥旋轉機構
14A‧‧‧第一帶
14B‧‧‧第二帶
15A‧‧‧第一電機
15B‧‧‧第二電機
16A‧‧‧第一輥台
16B‧‧‧第二輥台
17A‧‧‧上側第一輥台
17B‧‧‧下側第一輥台
17C‧‧‧樞軸
18A‧‧‧第一致動器
18B‧‧‧第二致動器
19A‧‧‧第一伺服電機
19B‧‧‧第二伺服電機
20A‧‧‧第一滾珠絲杠機構
20B‧‧‧第二滾珠絲杠機構
21‧‧‧致動器控制器
22‧‧‧帶輪
23‧‧‧基部板
24A‧‧‧軸承
24B‧‧‧軸承
24C‧‧‧軸承
25A‧‧‧第一電機支承體
25B‧‧‧第二電機支承體
26A‧‧‧第一直動引導件
26B‧‧‧第二直動引導件
27‧‧‧沖洗液供給噴嘴
28‧‧‧保護液供給噴嘴
31‧‧‧研磨帶
31a‧‧‧研磨面
33‧‧‧基材帶
35‧‧‧研磨層
37‧‧‧磨粒
39‧‧‧粘合劑
40‧‧‧彈性層
41‧‧‧研磨帶供給機構
42‧‧‧卷軸基部
43‧‧‧帶卷出卷軸
43a‧‧‧張緊電機
44‧‧‧帶卷取卷軸
44a‧‧‧張緊電機
45‧‧‧隔壁
46‧‧‧輸送帶裝置
47‧‧‧輸送帶電機
48‧‧‧輸送帶輥
49‧‧‧夾持輥
50‧‧‧研磨頭
52‧‧‧加壓機構
52a‧‧‧活塞桿
52b‧‧‧第一壓力室
52c‧‧‧第二壓力室
53a、53b、53c、53d、53e、53f、53g‧‧‧引導輥
55‧‧‧研磨托板
56‧‧‧固持襯墊
57‧‧‧背板
58‧‧‧球面軸承
59‧‧‧軟質件
60‧‧‧平移旋轉運動機構
62‧‧‧電機
65‧‧‧偏心接頭
67‧‧‧軸承
68‧‧‧軸承
69‧‧‧工作臺
70‧‧‧曲軸
71‧‧‧基台
75‧‧‧軸承
77‧‧‧連結部件
79‧‧‧支承部件
82‧‧‧氣囊
83‧‧‧氣囊引導件
87‧‧‧伯努利吸盤
87a‧‧‧吸引面
87b‧‧‧流體供給管
87c‧‧‧致動器驅動型閥
91‧‧‧研磨頭移動機構
93‧‧‧滾珠絲杠機構
93b‧‧‧絲杠軸
94‧‧‧電機
95‧‧‧直動引導件
97‧‧‧設置面
100‧‧‧靜壓支承台
101‧‧‧基板支承面
102‧‧‧流體供給路
104‧‧‧流體噴射口
121‧‧‧裝卸部
122‧‧‧裝載口
123‧‧‧第一輸送機械手
126‧‧‧第二輸送機械手
127‧‧‧研磨單元
133‧‧‧系統控制器
140‧‧‧第一臨時放置台
141‧‧‧第二臨時放置台
150‧‧‧第三輸送機械手
151‧‧‧第四輸送機械手
172‧‧‧清洗單元
173‧‧‧乾燥單元
180‧‧‧動作控制部
第一圖是表示研磨裝置的一實施例的示意圖。
第二圖是表示基板固持部的詳細的示意圖。
第三圖是表示第二圖所示的輥旋轉機構的俯視圖。
第四圖是第三圖的A-A線剖視圖。
第五圖是輥的上部的放大圖。
第六圖是表示基板固持面的其他實施例的示意圖。
第七圖是表示第一致動器以及第二致動器由電機驅動型致動器構成的一實施例的圖。
第八圖是表示研磨帶的一例的示意圖。
第九圖是表示研磨帶的其他一例的示意圖。
第十圖是表示研磨帶供給機構的其他實施例的示意圖。
第十一圖是表示研磨帶供給機構的其他實施例的示意圖。
第十二圖是表示研磨頭的配置的俯視圖。
第十三圖是從第十二圖的箭頭B所示的方向觀察的圖。
第十四圖是表示研磨頭的其他實施例的示意圖。
第十五圖是表示研磨頭的其他實施例的示意圖。
第十六圖是表示研磨頭的其他實施例的示意圖。
第十七圖是示意性表示研磨頭的其他實施例的俯視圖。
第十八圖是從橫向觀察第十七圖所示的研磨頭的示意圖。
第十九圖是表示複數個氣囊與氣囊引導件的組合的示意圖。
第二十圖是表示研磨頭的其他實施例的示意圖。
第二十一圖是表示研磨裝置的其他實施例的示意圖。
第二十二圖是從上方觀察第二十一圖的研磨頭與基板固持部的示意圖。
第二十三圖是示意性表示研磨裝置的其他實施例的俯視圖。
第二十四圖是從橫向觀察第二十三圖的示意圖。
第二十五圖是從第二十四圖所示的箭頭E觀察的示意圖。
第二十六圖是示意性表示研磨裝置的其他實施例的俯視圖。
第二十七圖是從橫向觀察第二十六圖所示的研磨頭的示意圖。
第二十八圖是表示研磨頭的其他實施例的示意圖。
第二十九圖是表示第二十六圖至第二十八圖所示的研磨頭的其他實施例的局部放大圖。
第三十圖是表示第二十九圖的其他實施例的局部放大圖。
第三十一圖是示意性表示第二十三圖至第三十圖所示的研磨裝置的其他實施例的俯視圖。
第三十二圖是從橫向觀察第三十一圖所示的研磨頭的圖。
第三十三圖是表示研磨頭的其他實施例的示意圖。
第三十四圖是示意性表示研磨裝置的其他實施例的俯視圖。
第三十五圖是表示複數個伯努利吸盤的一個的示意圖。
第三十六圖是示意性表示研磨裝置的其他實施例的俯視圖。
第三十七圖是從橫向觀察第三十六圖所示的靜壓支承台的圖。
第三十八圖是示意性表示具有研磨裝置的基板處理系統的一實施例的俯視圖。

Claims (25)

  1. 一種研磨裝置，具有： 一基板固持部，所述基板固持部固持基板，並使該基板旋轉； 一研磨頭，所述研磨頭使在表面具有磨粒的一研磨帶與所述基板的背面接觸而對所述基板的一背面進行研磨； 一輸送帶裝置，所述輸送帶裝置將所述研磨帶沿所述研磨帶的長度方向輸送；以及 一平移旋轉運動機構，所述平移旋轉運動機構使所述研磨頭進行平移旋轉運動， 所述基板固持部具有複數個輥， 所述複數個輥構成為能夠以各輥的軸心為中心旋轉， 所述複數個輥具有能夠與所述基板的周緣部接觸的一基板固持面， 所述研磨頭相比於所述基板固持面配置在下方， 所述研磨頭具有將所述研磨帶向所述基板的背面按壓的一研磨托板、和將所述研磨托板向上方抬起的一加壓機構。
  2. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中所述研磨托板相對於所述研磨帶的行進方向傾斜地延伸。
  3. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中所述研磨頭具有將所述研磨托板支承成能夠傾動的一球面軸承。
  4. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中所述研磨頭具有覆蓋所述研磨托板的上緣的一軟質件。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項所述之研磨裝置，其中所述研磨托板比所述基板的半徑長。
  6. 如申請專利範圍第1~4項中任一項所述之研磨裝置，其中所述研磨托板為複數個研磨托板，並且所述加壓機構為複數個加壓機構，所述複數個加壓機構構成為能夠彼此獨立地動作。
  7. 如申請專利範圍第6項之研磨裝置，其中所述複數個研磨托板呈直線狀排列。
  8. 如申請專利範圍第7項之研磨裝置，其中所述複數個研磨托板的整體比所述基板的半徑長。
  9. 如申請專利範圍第6項之研磨裝置，其中所述複數個研磨托板配置在離所述基板固持部的軸心不同距離的位置。
  10. 如申請專利範圍第1~4項中任一項所述之研磨裝置，其中所述研磨裝置還具有使所述研磨頭平行移動的一研磨頭移動機構。
  11. 一種研磨裝置，其中具有： 一基板固持部，所述基板固持部固持基板，並使該基板旋轉； 一研磨頭，所述研磨頭使研磨器具與所述基板的背面接觸而對所述基板的背面進行研磨；以及 一平移旋轉運動機構，所述平移旋轉運動機構使所述基板固持部進行平移旋轉運動， 所述基板固持部具有複數個輥， 所述複數個輥構成為能夠以各輥的軸心為中心旋轉， 所述複數個輥具有能夠與所述基板的一周緣部接觸的一基板固持面， 所述研磨頭具有將所述研磨器具向上方抬起的一加壓機構， 所述研磨頭相比於所述基板固持面配置在下方。
  12. 如申請專利範圍第11項之研磨裝置，其中所述研磨器具為在表面具有磨粒的一研磨帶，所述研磨裝置還具有將所述研磨帶沿所述研磨帶的長度方向輸送的輸送帶裝置，所述研磨頭還具有將所述研磨帶向所述基板的背面按壓的一研磨托板，所述加壓機構與該研磨托板連結以將所述研磨托板向上方抬起。
  13. 如申請專利範圍第12項之研磨裝置，其中所述研磨托板相對於所述研磨帶的行進方向傾斜地延伸。
  14. 如申請專利範圍第12項之研磨裝置，其中所述研磨頭具有將所述研磨托板支承成能夠傾動的一球面軸承。
  15. 如申請專利範圍第12項之研磨裝置，其中所述研磨頭具有覆蓋所述研磨托板的上緣的一軟質件。
  16. 如申請專利範圍第12~15項中任一項所述之研磨裝置，其中所述研磨托板比所述基板的直徑。
  17. 如申請專利範圍第12項之研磨裝置，其中所述研磨托板為複數個研磨托板，並且所述加壓機構為複數個加壓機構，所述複數個加壓機構構成為能夠彼此獨立地動作。
  18. 如申請專利範圍第17項之研磨裝置，其中所述複數個研磨托板呈直線狀排列。
  19. 如申請專利範圍第18項之研磨裝置，其中所述複數個研磨托板的整體比所述基板的直徑長。
  20. 如申請專利範圍第17項之研磨裝置，其中所述複數個研磨托板配置在離所述基板固持部的軸心不同距離的位置。
  21. 如申請專利範圍第11項之研磨裝置，其中所述研磨器具為複數個研磨器具，並且所述加壓機構為複數個加壓機構，所述複數個加壓機構構成為能夠彼此獨立地動作。
  22. 如申請專利範圍第11至15、17、18、20、21項中任一項所述之研磨裝置，其中設有複數個所述研磨頭。
  23. 一種研磨裝置，其中具有： 一基板固持部，所述基板固持部固持基板，並使該基板旋轉； 一研磨頭，所述研磨頭使研磨器具與所述基板的背面接觸而對所述基板的背面進行研磨； 一伯努利吸盤，所述伯努利吸盤經由流體非接觸地吸引所述基板的背面， 所述基板固持部具有複數個輥， 所述複數個輥構成為能夠以各輥的軸心為中心旋轉， 所述複數個輥具有能夠與所述基板的周緣部接觸的一基板固持面， 所述研磨頭以及所述伯努利吸盤相比於所述基板固持面配置在下方。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之研磨裝置，其中所述研磨裝置還具有使所述研磨頭進行平移旋轉運動的一平移旋轉運動機構。
  25. 如申請專利範圍第23項所述之研磨裝置，其中所述研磨裝置還具有使所述基板固持部進行平移旋轉運動的一平移旋轉運動機構。
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