CN109397036B - 研磨基板的方法及装置、和处理基板的方法 - Google Patents

研磨基板的方法及装置、和处理基板的方法 Download PDF

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Abstract

提供一种在基板的背面朝下的状态下能够有效地研磨包含基板的背面的最外部的背面整体的方法和装置。另外，提供一种在基板的背面朝下的状态下有效地处理包含基板的背面的最外部的背面整体的方法。本方法如下，在基板(W)的背面朝下的状态下，一边使多个辊(11)与基板(W)的周缘部接触，一边使多个辊(11)以各自的轴心为中心旋转，从而使基板(W)旋转，一边向基板(W)的背面供给液体，并且使配置于基板(W)的下侧的研磨带(31)与基板(W)的背面接触，一边使研磨带(31)相对于基板(W)进行相对运动，来研磨基板(W)的背面整体。

Description

研磨基板的方法及装置、和处理基板的方法
技术领域
本发明涉及研磨晶片等基板的方法及装置、和处理基板的方法。
背景技术
近年，存储器电路、逻辑电路、图像传感器(例如CMOS传感器)等器件正在被更高集成化。在形成这些器件的工序中，有时微粒子、尘埃等异物附着于器件。附着于器件的异物引起配线间的短路或电路的故障。因此，为了提高器件的可靠性，需要对形成有器件的晶片进行清洗，以去除晶片上的异物。
有时上述那样的微粒子、粉尘等异物也附着于晶片的背面(非器件面)。若这样的异物附着于晶片的背面，则晶片从曝光装置的载物台基准面离开，且晶片表面相对于载物台基准面倾斜，结果是，导致产生图案的偏移、焦点距离的偏移。为了防止这样的问题，需要去除附着于晶片的背面的异物。
在最近，除了光学式曝光技术以外，还开发了使用纳米压印技术的图案形成装置。该纳米压印技术是通过将图案形成用的压模按压于涂布在晶片上的树脂材料而转印配线图案的技术。在纳米压印技术中，为了避免压模与晶片之间、以及晶片与晶片之间的污染的转印，需要去除存在于晶片的表面的异物。因此，提出如下那样的装置：用高压的流体从下方支承晶片，并且以高负荷使研磨器具与晶片滑动接触，从而稍微削掉晶片的表面。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-12200号公报
(发明所要解决的课题)
在以往的装置中，一边通过基板旋转机构使晶片旋转，一边进行晶片表面的研磨(例如，参照专利文献1)。基板旋转机构具有：把持晶片的周缘部的多个夹具；以及经由这些夹具使晶片旋转的环状的中空电动机。晶片以研磨面朝上的方式被夹具水平保持，通过中空电动机使晶片以晶片的轴心为中心与夹具一同旋转。具备研磨器具的研磨头配置于晶片的上侧，为了使具有研磨器具的研磨头与旋转的夹具不接触，而具有研磨器具的研磨头与由夹具把持的晶片的周缘部相比配置于内侧。因此，晶片的表面的最外部未被研磨，需要另外利用边缘研磨用的装置来研磨晶片的表面的最外部。
现有的装置例如设置于能够进行对晶片的表面进行研磨、清洗及干燥的一系列的工序的基板处理系统。在这样的基板处理系统中，多个晶片以其器件面朝向上的状态被收容于晶片盒内。因此，在用现有的装置对晶片的背面进行研磨的情况下，需要在将晶片从晶片盒向研磨装置输送的过程中使晶片反转。另外，在使研磨后的晶片返回晶片盒之前，需要使晶片再度反转。然而，在这样使晶片反转时，空气中的杂质容易附着于晶片。另外，也存在因反复进行使晶片反转的工序而整体的处理时间增加这样的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述的现有的问题点而完成的，其目的在于，提供一种在基板的背面朝向下的状态下能够有效地对基板的包含背面的最外部在内的背面整体进行研磨的方法及装置。另外，本发明的目的在于，提供一种在基板的背面朝向下的状态能够有效地对基板的包含背面的最外部在内的背面整体进行处理的方法。
(用于解决课题的手段)
为了达成上述的目的，本发明的一方式是一种研磨方法，其特征在于，在基板的背面朝下的状态下，一边使多个辊与所述基板的周缘部接触，一边使所述多个辊以各自的轴心为中心旋转，从而使所述基板旋转，一边向所述基板的背面供给液体，并且使配置于所述基板的下侧的研磨器具与所述基板的背面接触，一边使所述研磨器具相对于所述基板进行相对运动，来研磨该基板的背面整体。
本发明优选的方式的特征在于，所述相对运动是指，所述研磨器具一边进行圆周运动一边在所述基板的背面的中心与该背面的最外端之间移动的运动。
本发明优选的方式的特征在于，所述相对运动是指，所述研磨器具一边沿与所述基板的背面平行的方向进行往复运动，一边在所述基板的背面的中心与该背面的最外端之间移动的运动。
本发明优选的方式的特征在于，所述往复运动是指，所述研磨器具沿与所述基板的背面平行的方向振动的运动。
本发明优选的方式的特征在于，所述液体是纯水或碱性的药液。
本发明优选的方式的特征在于，所述研磨器具是在表面具有磨粒的研磨带。
本发明的一方式是一种基板处理方法，其特征在于，包含如下工序：向研磨单元输送载置于装卸部的基板的工序；用所述研磨单元研磨所述基板的背面整体的工序；用清洗单元清洗研磨后的所述基板的工序；用干燥单元使清洗后的所述基板干燥的工序；以及向所述装卸部输送干燥后的所述基板的工序，在所述基板的背面朝下的状态下，进行向所述研磨单元输送所述基板的工序、研磨所述基板的背面整体的工序、清洗研磨后的所述基板的工序、使清洗后的所述基板干燥的工序、以及向所述装卸部输送干燥后的所述基板的工序，用所述研磨单元研磨所述基板的背面整体的工序是如下那样的工序：在所述基板的背面朝下的状态下，一边使多个辊与所述基板的周缘部接触，一边使所述多个辊以各自的轴心为中心旋转，从而使所述基板旋转，一边向所述基板的背面供给液体，并且使配置于所述基板的下侧的研磨器具与所述基板的背面接触，一边使所述研磨器具相对于所述基板进行相对运动，来研磨该基板的背面整体。
本发明的一方式是一种研磨方法，是研磨基板的背面的方法，其特征在于，用第一基板保持部保持所述基板的背面的中心侧区域，一边使配置于所述基板的下侧的研磨器具与所述基板的背面的外周侧区域接触，一边使所述研磨器具进行圆周运动或振动，来研磨该背面的外周侧区域，用第二基板保持部保持所述基板的背面的外周侧区域，一边使配置于所述基板的下侧的研磨器具与所述基板的背面的中心侧区域接触，一边使所述研磨器具进行圆周运动或振动，来研磨背面的中心侧区域。
本发明的一方式是一种研磨装置，其特征在于，具备：基板保持部，该基板保持部保持基板并使该基板旋转；研磨头，该研磨头使研磨器具与所述基板的背面接触；以及研磨头动作部，当所述基板被所述基板保持部保持时，该研磨头动作部使所述研磨头相对于所述基板进行相对运动，所述基板保持部具有多个辊，所述多个辊构成为能够以各辊的轴心为中心旋转，所述多个辊具有能够与所述基板的周缘部接触的基板保持面，所述研磨头与所述基板保持面配相比置于下方，并且朝上配置。
本发明优选的方式的特征在于，所述研磨头动作部具备使所述研磨头进行圆周运动或振动的研磨头驱动机构。
本发明优选的方式的特征在于，所述研磨头动作部还具备使所述研磨头进行平行移动的研磨头移动机构。
本发明优选的方式的特征在于，所述研磨器具是在表面具有磨粒的研磨带。
本发明的一方式是一种研磨装置，其特征在于，具备：第一基板保持部，该第一基板保持部保持基板的背面的中心侧区域，并使该基板旋转；第二基板保持部，该第二基板保持部保持该背面的外周侧区域；研磨头，该研磨头使研磨器具与所述基板的背面接触并研磨该基板的背面；以及研磨头动作部，当所述基板被所述第一基板保持部或第二基板保持部保持时，该研磨头动作部使所述研磨头相对于所述基板进行相对运动，所述研磨头动作部具备使所述研磨头进行圆周运动或振动的研磨头驱动机构。
(发明效果)
根据本发明，由于在研磨头研磨基板的背面时，把持基板的周缘部的辊以各辊的轴心为中心旋转，而辊自身的位置静止，因此辊不与研磨头接触，就能够对基板的包含背面的最外部在内的背面整体进行研磨。结果是，不需要利用边缘研磨用的装置来研磨基板的背面的最外部，能够减少研磨工序。
另外，根据本发明，研磨器具配置于基板的下侧，且相对于基板进行相对运动，因此，在基板的背面朝向下的状态下，能够有效地研磨基板的背面整体。结果是，背面研磨用不需要使基板反转，因此能够防止空气中的杂质向基板附着，且能够减少整体的处理时间。
附图说明
图1是表示研磨装置的一实施方式的示意图。
图2是表示辊旋转机构的详情的俯视图。
图3是辊的上部的放大图。
图4是表示第一促动器及第二促动器由电动机驱动型促动器构成的一实施方式的图。
图5是表示用于使研磨头圆周运动的研磨头驱动机构的一实施方式的示意图。
图6是表示用于使研磨头振动的研磨头驱动机构的一实施方式的示意图。
图7是表示研磨带的一例的示意图。
图8是表示研磨带的另一例的示意图。
图9是从晶片的下方观察一边使研磨头进行圆周运动一边研磨晶片的第一面时的动作的示意图。
图10是从晶片的下方观察一边使研磨头进行往复运动一边研磨晶片的第一面的示意图。
图11是示意地表示具备研磨装置的基板处理系统的一实施方式的俯视图。
图12是表示研磨装置的另一实施方式的示意图。
图13是表示由第二基板保持部来保持晶片的第一面的外周侧区域时的状态的示意图。
符号说明
10 基板保持部
11 辊
11a 基板保持面
11b 锥面
12 辊旋转机构
14A 第一带
14B 第二带
15A 第一电动机
15B 第二电动机
16A 第一辊台
16B 第二辊台
18A 第一促动器
18B 第二促动器
19A 第一伺服电动机
19B 第二伺服电动机
20A 第一滚珠丝杠机构
20B 第二滚珠丝杠机构
21 促动器控制器
27 液体供给喷嘴
28 保护液供给喷嘴
31 研磨带
33 基材带
35 研磨层
37 磨粒
39 粘合剂
40 弹性层
41 研磨器具供给回收机构
43 供给带盘
44 回收带盘
49 研磨头组装体
50 研磨头
52 按压机构
52a 按压垫
52b 气缸
53a、53b、53c、53d、53e、53f 导向辊
60 研磨头动作部
61 研磨头驱动机构
62 电动机
63 旋转轴
63a 轴心
65 偏心旋转体
65a 轴心
66 曲轴
67 轴承
69 工作台
70 曲轴
71 基台
72 第一轴体
72a 轴心
73 第二轴体
73a 轴心
75 轴承
77 轴承
79 支承部件
80 连杆机构
81 直线运动引导件
83 第一连杆
85 第二连杆
87 接头
89 保持部件
91 研磨头移动机构
93 滚珠丝杠机构
93a 可动部
93b 丝杠轴
94 电动机
100 隔壁
121 装卸部
122 装载口
123 第一输送机械手
126 第二输送机械手
127 研磨单元
133 系统控制器
140 第一临时放置台
141 第二临时放置台
150 第三输送机械手
151 第四输送机械手
172 清洗单元
173 干燥单元
180 动作控制部
200 第一基板保持部
202 第二基板保持部
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1是表示研磨装置的一实施方式的示意图。图1所示的研磨装置具备：基板保持部10，该基板保持部10保持作为基板的一例的晶片W，并使该晶片W以其轴心为中心旋转；以及研磨头组装体49，该研磨头组装体49对保持于该基板保持部10的晶片W的第一面1进行研磨而从晶片W的第一面1去除异物、伤痕。研磨头组装体49配置于保持在基板保持部10的晶片W的下侧。
在本实施方式中，晶片W的第一面1是未形成器件的晶片W的背面、即非器件面，作为相反侧的面的晶片W的第二面2是形成器件的面、即器件面。在本实施方式中，晶片W以其第一面1朝上的状态而被基板保持部10水平保持。
基板保持部10具备：能够与晶片W的周缘部接触的多个辊11；以及使这些辊11以各自的轴心为中心旋转的辊旋转机构12。在本实施方式中，设置有四个辊11。在一实施方式中，也可以设置五个以上的辊11。在一个实施方式中，辊旋转机构12具有电动机、带、带轮等。辊旋转机构12构成为使四个辊11向相同的方向以相同的速度旋转。在晶片W的第一面1的研磨中，晶片W的周缘部被辊11把持。晶片W被水平保持，通过辊11的旋转而使晶片W以其轴心为中心旋转。在晶片W的第一面1的研磨中，四个辊11以各自的轴心为中心旋转，但是辊11自身的位置静止。
图2是表示辊旋转机构12的详情的俯视图。辊旋转机构12具有：第一带14A，该第一带14A将四个辊11中的两个辊11连结；第一电动机15A，该第一电动机15A与由第一带14A连结的两个辊11中的一方连结；第一辊台16A，该第一辊台16A将由第一带14A连结的两个辊11支承为能够旋转；第二带14B，该第二带14B将四个辊11中的其他两个辊11连结；第二电动机15B，该第二电动机15B与由第二带14B连结的两个辊11中的一方连结；以及第二辊台16B，该第二辊台16B将由第二带14B连结的两个辊11支承为能够旋转。
第一电动机15A和第一带14A配置在第一辊台16A的下方，第二电动机15B和第二带14B配置在第二辊台16B的下方。第一电动机15A和第二电动机15B分别固定于第一辊台16A和第二辊台16B的下表面。在四个辊11的下部分别固定有未图示的带轮。第一带14A钩挂于固定在四个辊11中的两个辊11上的带轮，第二带14B钩挂于固定在其他的两个辊11上的带轮。第一电动机15A和第二电动机15B构成为以相同的速度向相同的方向旋转。因此，四个辊11能够以相同的速度向相同的方向旋转。
辊旋转机构12还具有：与第一辊台16A连结的第一促动器18A；以及与第二辊台16B连结的第二促动器18B。第一促动器18A使支承于第一辊台16A的两个辊11像箭头所示那样沿水平方向移动。同样地，第二促动器18B使支承于第二辊台16B的其他的两个辊11像箭头所示那样沿水平方向移动。即，第一促动器18A和第二促动器18B构成为使两组辊11(在本实施方式中各组由两个辊11组成)向彼此接近的方向和彼此远离的方向移动。第一促动器18A和第二促动器18B能够由气缸或电动机驱动型促动器等构成。在图2所示的实施方式中，第一促动器18A和第二促动器18B由气缸构成。若两组辊11向彼此接近的方向移动，则晶片W被四个辊11保持，若两组辊11向彼此远离的方向移动，则晶片W被从四个辊11释放。在本实施方式中，设置有绕基板保持部10的轴心CP排列的四个辊11，但辊11的数量不限定于四个。例如，也可以使三个辊11以120度的角度等间隔地绕轴心CP排列，对于各个辊11以一对一的方式设置促动器。
图3是辊11的上部的放大图。辊11具有：圆筒状的保持面的基板保持面11a；以及与基板保持面11a连接且从基板保持面11a向下方倾斜的锥面11b。锥面11b具有圆锥台形状，具有比基板保持面11a大的直径。首先，通过未图示的输送装置将晶片W载置在锥面11b上，通过使该辊11朝向晶片W移动而将晶片W的周缘部保持于基板保持面11a。在辊11释放晶片W时，通过使辊11向与晶片W分离的方向移动，而使晶片W的周缘部从基板保持面11a离开，由锥面11b支承(参照图3的虚线)。未图示的输送装置能够取出锥面11b上的晶片W。
图4是表示第一促动器18A和第二促动器18B由电动机驱动型促动器构成的一个实施方式的图。第一促动器18A具有第一伺服电动机19A以及与第一辊台16A连结的第一滚珠丝杠机构20A。第二促动器18B具有第二伺服电动机19B以及与第二辊台16B连结的第二滚珠丝杠机构20B。伺服电动机19A、19B分别与滚珠丝杠机构20A、20B连接。当伺服电动机19A、19B对滚珠丝杠机构20A、20B进行驱动时，两组辊11向彼此接近的方向和彼此远离的方向移动。
伺服电动机19A、19B与促动器控制器21电连接。促动器控制器21通过对伺服电动机19A、19B的动作进行控制，而能够精密地控制晶片W的研磨时的辊11的位置。在本实施方式中，设置有绕基板保持部10的轴心CP排列的四个辊11，但辊11的数量不限定于四个。例如，也可以使三个辊11以120度的角度等间隔地绕轴心CP排列，相对于各个辊11以一对一的方式设置促动器。
返回图1，研磨头组装体49具备：研磨头50，该研磨头50使作为研磨器具的研磨带31与被保持于基板保持部10的晶片W的第一面1接触而对晶片W的第一面1进行研磨；以及研磨头动作部60，该研磨头动作部60使研磨头50相对于晶片W进行相对运动。研磨头50与辊11的基板保持面11a相比配置于下方，并且朝上配置。研磨头动作部60具备：使研磨头50进行圆周运动或往复运动的研磨头驱动机构61；以及使研磨头50平行移动的研磨头移动机构91。
图5是表示用于使研磨头50进行圆周运动的研磨头驱动机构61的一实施方式的示意图。图5所示的研磨头驱动机构61具备：电动机62；固定于电动机62的旋转轴63的偏心旋转体65；经由轴承67而与偏心旋转体65连结的工作台69；以及支承工作台69的多个曲轴70。在图5中仅图示了一个曲轴70，但是至少三个曲轴70排列于偏心旋转体65的周围。电动机62固定于基台71。
偏心旋转体65的轴心65a从电动机62的旋转轴63的轴心63a离开距离e。因此，当电动机62工作时，偏心旋转体65进行半径为e的圆周运动。曲轴70具有彼此固定的第一轴体72和第二轴体73。第一轴体72的轴心72a和第二轴体73的轴心73a也同样地离开距离e。第一轴体72由被保持于工作台69保持的轴承75支承为能够旋转，第二轴体73由轴承77支承为能够旋转。轴承77固定于支承部件79，该支承部件79固定于基台71。
根据上述结构，当电动机62旋转时，偏心旋转体65进行半径为e的圆周运动，经由轴承67而与偏心旋转体65连结的工作台69也进行半径为e的圆周运动。在本说明书中，圆周运动被定义成对象物在圆形轨道上移动的运动。本实施方式的圆周运动是在与晶片W的第一面1平行的平面内的圆周运动。即，进行圆周运动时的研磨头50和研磨带31的移动方向与晶片W的第一面1平行。
工作台69由多个曲轴70支承，因此，当工作台69进行圆周运动时，工作台69自身不旋转。这样的工作台69的运动也被称为并进旋转运动。在本说明书中，对象物自身不旋转，对象物在圆形轨道上移动的运动被定义成并进旋转运动。该并进旋转运动是圆周运动的一个具体例。研磨头50被固定于工作台69。因此，研磨头50与工作台69一同进行圆周运动(并进旋转运动)。在本实施方式中，研磨头驱动机构61是使研磨头50进行并进旋转运动的并进旋转机构。
图6是表示用于使研磨头50沿与晶片W的第一面1平行的方向振动(往复运动)的研磨头驱动机构61的一实施方式的示意图。图6所示的研磨头驱动机构61具备：电动机62；固定于电动机62的旋转轴63的曲轴66；与曲轴66连结的连杆机构80；以及支承连杆机构80的直线运动引导件81。电动机62固定于基台71。
连杆机构80具备：能够旋转地与曲轴66连结的第一连杆83；被支承于直线运动引导件81的第二连杆85；以及将第一连杆83连结于第二连杆85的接头87。直线运动引导件81是允许第二连杆85仅沿直线方向运动的装置。该直线运动引导件81固定于支承部件79，该支承部件79固定于基台71。
根据上述结构，当电动机62工作时，与曲轴66连结的第一连杆83的端部进行圆周运动。第一连杆83的端部的圆周运动向第二连杆85传递，而第二连杆85进行直线往复运动。这样一来，曲轴66的旋转转换成往复运动。在第二连杆85固定有保持部件89。研磨头50固定于保持部件89。因此，研磨头50与第二连杆85一同进行往复运动。第二连杆85水平配置。因此，在晶片W以其第一面1朝下的状态被保持于基板保持部10时，研磨头50沿与晶片W的第一面1平行的方向进行往复运动。该研磨头50的往复运动也是朝向与晶片W的第一面1平行的方向的直线的振动。
返回图1，研磨头移动机构91具备滚珠丝杠机构93和驱动滚珠丝杠机构93的电动机94。研磨头驱动机构61被固定于滚珠丝杠机构93的可动部93a。可动部93a与滚珠丝杠机构93的丝杠轴93b连结。当使电动机94工作时，滚珠丝杠机构93的可动部93a沿与晶片W的第一面1平行的方向移动，研磨头驱动机构61和研磨头50沿与晶片W的第一面1平行的方向移动。在一实施方式中，电动机94也可以设为与未图示的电动机控制部电连接的伺服电动机。
本实施方式的研磨装置还具备：隔壁100；研磨器具供给回收机构41，该研磨器具供给回收机构41向研磨头50供给研磨带31，并且从研磨头50回收研磨带31；液体供给喷嘴27，该液体供给喷嘴27向晶片W的第一面1供给液体；保护液供给喷嘴28，该保护液供给喷嘴28向晶片W的第二面2供给保护液。多个辊11、研磨头50、研磨头驱动机构61、液体供给喷嘴27以及保护液供给喷嘴28配置于隔壁100的内部，辊旋转机构12、研磨头移动机构91以及研磨器具供给回收机构41配置于隔壁100的外部。
在本实施方式中，使用在表面具有磨粒的研磨带31作为研磨器具。图7是表示研磨带31的一例的示意图。图7所示的研磨带31具有基材带33和研磨层35。基材带33的表面被研磨层35覆盖。研磨层35具有磨粒37和保持磨粒37的粘合剂(树脂)39。图8是表示研磨带31的另一例的示意图。图8所示的研磨带31具有基材带33、研磨层35以及位于它们之间的弹性层40。弹性层40由无纺布、或硅橡胶等弹性材料构成，无纺布由聚丙烯、聚氨酯、聚酯或尼龙组成。在一实施方式中，研磨器具也可以是磨石来代替研磨带31。在该情况下，研磨器具供给回收机构41能够省略。
返回图1，研磨器具供给回收机构41具备：向研磨头50供给研磨带31的供给带盘43；以及回收晶片W的研磨所使用的研磨带31的回收带盘44。在供给带盘43和回收带盘44分别连结有未图示的张紧电动机。各个张紧电动机向供给带盘43和回收带盘44施加规定的力矩，而能够将规定的张力施加于研磨带31。
研磨带31以研磨带31的研磨层35朝向晶片W的第一面1的方式被向研磨头50供给。研磨带31通过设置于隔壁100的开口部(未图示)而从供给带盘43被向研磨头50供给，被使用了的研磨带31通过开口部被回收带盘44回收。
研磨头50具备对于晶片W的第一面1按压研磨带31的按压机构52。研磨带31以通过按压机构52的上表面的方式被供给。在本实施方式中，按压机构52具备支承研磨带31的背面的按压垫52a、与按压垫52a连结的气缸52b。
按压机构52从下方按压研磨带31，使由研磨层35的表面构成的研磨面与晶片W的第一面1接触，从而研磨晶片W的第一面1。研磨头50还具备多个导向辊53a、53b、53c、53d。研磨器具供给回收机构41还具备多个导向辊53e、53f。配置于研磨头50的上部的导向辊53a、53c引导研磨带31，以使得研磨带31沿与晶片W的第一面1平行的方向行进。
液体供给喷嘴27配置于被基板保持部10保持的晶片W的下方。液体供给喷嘴27连接于未图示的液体供给源。液体供给喷嘴27朝向晶片W的第一面1的中心O1且朝向晶片W的半径方向外侧配置，液体被向晶片W的第一面1上供给。晶片W在液体的存在下被研磨。液体在晶片W的第一面1上向半径方向外侧流动，由此能够从晶片W的第一面1去除研磨屑。在本实施方式中，上述的液体是纯水，但一实施方式中，也可以为具有蚀刻作用的碱性的药液。
保护液供给喷嘴28配置于基板保持部10的上方。保护液供给喷嘴28连接于未图示的保护液供给源。保护液供给喷嘴28朝向晶片W的第二面2的中心配置，保护液被向晶片W的第二面2上供给。供给到晶片W的第二面2的保护液因离心力而向晶片W的第二面2的整体扩散，保护晶片W的第二面2。上述的保护液防止包含在晶片W的研磨中所产生的研磨屑、异物的液体绕到晶片W的第二面并附着于晶片W的第二面。其结果是，能够将晶片W的第二面2保持洁净。在本实施方式中，上述的保护液是纯水。
本实施方式的研磨装置具备研磨头组装体49和研磨器具供给回收机构41各一个，但是，在一实施方式中，也可以具备两个以上的研磨头组装体49和两个以上的研磨器具供给回收机构41。另外，在一实施方式中，也可以具备两个以上的液体供给喷嘴27。
接着，对本实施方式的研磨装置的动作进行说明。以下所说明的研磨装置的动作通过图1所示的动作控制部180来控制。动作控制部180与基板保持部10、研磨头组装体49、研磨器具供给回收机构41电连接。基板保持部10、液体供给喷嘴27、保护液供给喷嘴28、研磨头组装体49、研磨器具供给回收机构41的动作通过动作控制部180来控制。动作控制部180由专用的计算机或通用的计算机构成。
被研磨的晶片W以第一面1朝下的状态通过基板保持部10的辊11保持，还以晶片W的轴心为中心旋转。接着，从液体供给喷嘴27向晶片W的第一面1供给液体，从保护液供给喷嘴28向晶片W的第二面2供给保护液。供给到晶片W的第一面1的液体在晶片的第一面1上向半径方向外侧流动，供给到晶片W的第二面2的保护液通过离心力向晶片W的第二面2的整体扩散。
研磨带31被预先向研磨头50供给。动作控制部180驱动研磨器具供给回收机构41，一边施加规定的张力一边使研磨带31沿与晶片W的第一面1平行的方向行进。并且，一边向晶片W的第一面1供给液体，并且使研磨带31与晶片W的第一面1接触，一边使研磨头50和研磨带31相对于晶片W进行相对运动而研磨晶片W的第一面1。具体而言，研磨头驱动机构61使研磨头50和研磨带31进行圆周运动、或使研磨头50和研磨带31沿与晶片W的第一面1平行的方向进行往复运动(振动)，同时，研磨头移动机构91使研磨头50和研磨带31在晶片W的第一面1的中心O1与第一面1的最外端之间移动。
图9是从晶片W的下方观察一边使研磨头50进行圆周运动一边研磨晶片W的第一面1时的动作的示意图，图10是从晶片W的下方观察一边使研磨头50进行往复运动一边研磨晶片W的第一面1时的动作的示意图。研磨头50一边进行由虚线所示的圆周运动或往复运动，一边对旋转的晶片W的第一面1的整体进行研磨。
在图10中，研磨头50通过研磨头驱动机构61的驱动而进行往复运动的方向(以下称为第一方向)与研磨头50通过研磨头移动机构91而移动的方向(以下称为第二方向)垂直，但是本发明不限定于该实施方式，第一方向也可以不与第二方向垂直。在经过了预先设定的时间之后，或研磨头50在晶片W的第一面1的中心O1与第一面1的最外端之间移动了预先设定的次数之后，动作控制部180使基板保持部10、液体供给喷嘴27、保护液供给喷嘴28、研磨头组装体49、研磨器具供给回收机构41的动作停止，结束研磨。
如上所述，当研磨头50对晶片W的第一面1进行研磨时，把持晶片W的周缘部的辊11以各辊11的轴心为中心旋转，而辊11自身的位置静止，因此，辊11与研磨头50不接触，研磨带31能够对包含晶片W的第一面1的最外部的晶片W的第一面1整体进行研磨。结果是，不需要用边缘研磨用的装置对晶片W的第一面1的最外部进行研磨，能够减少整体的研磨时间。
当在晶片W的第一面1朝下的状态下研磨第一面1时，供给到晶片W的第一面1的液体向下方流动，因此研磨头组装体49及其周边的机构具有防水构造(未图示)。在本实施方式中，由于研磨头50的运动是圆周运动、往复运动、或平行移动，因此不会产生研磨带31的扭转等问题，能够与研磨器具供给回收机构41分离地驱动研磨头50。因此，能够将研磨器具供给回收机构41配置于隔壁100的外部，能够使上述的防水构造简单化。
图11是示意地表示具备上述的研磨装置的基板处理系统的一实施方式的俯视图。在本实施方式中，基板处理系统具有装卸部121，装卸部121具备载置有收容多个晶片的晶片盒(基板盒)的多个装载口122。在装载口122能够搭载开放式盒、SMIF(StandardManufacturing Interface：标准制造界面)接口、或FOUP(Front Opening Unified Pod：前端开放式晶片传送盒)。SMIF及FOUP是通过在内部收纳晶片盒并由隔壁覆盖从而能够保持与外部空间独立的环境的密闭容器。
在装卸部121配置有能够沿着装载口122的排列方向移动的第一输送机械手(装载机)123。第一输送机械手123能够访问搭载于装载口122的晶片盒，而将晶片从晶片盒取出。
基板处理系统还具备：能够沿水平方向移动的第二输送机械手126；暂时放置晶片的第一临时放置台140和第二临时放置台141；研磨单元127；控制基板处理系统整体的动作的系统控制器133；对研磨后的晶片进行清洗的清洗单元172；使清洗后的晶片干燥的干燥单元173。在第二临时放置台141与清洗单元172之间配置有用于输送晶片的第三输送机械手150，在清洗单元172与干燥单元173之间配置有用于输送晶片的第四输送机械手151。研磨单元127是图1所示的上述的研磨装置。
接着，对使用研磨单元127来研磨晶片时的晶片的输送路径进行说明。多个(例如25枚)的晶片以其器件面朝上的状态被收容于装载口122的晶片盒(基板盒)内。第一输送机械手123从晶片盒取出1枚晶片，并将晶片载置于第一临时放置台140。第二输送机械手126从第一临时放置台140取出晶片，并在晶片的背面朝下的状态向研磨单元127输送。如参照图9和图10说明的那样，晶片的背面通过研磨单元127来研磨。第二输送机械手126从研磨单元127取出研磨后的晶片，并将晶片载置于第二临时放置台141。第三输送机械手150从第二临时放置台141取出晶片，并向清洗单元172输送。
晶片在其研磨后的背面朝下的状态下通过清洗单元172来清洗。在一实施方式中，清洗单元172具备配置成夹着晶片的上侧滚筒海绵和下侧滚筒海绵，一边向晶片的两面供给清洗液一边用这些滚筒海绵清洗晶片的两面。
第四输送机械手151从清洗单元172取出清洗后的晶片，并向干燥单元173输送。晶片在其清洗后的背面朝下的状态下通过干燥单元173来干燥。在本实施方式中，干燥单元173构成为通过使晶片以高速绕其轴心旋转而使晶片进行自旋干燥。在一实施方式中，干燥单元173也可以是IPA型：一边使纯水喷嘴及IPA喷嘴沿晶片的半径方向移动，一边从纯水喷嘴和IPA喷嘴向晶片的上表面供给纯水和IPA蒸气(异丙醇与N2气体的混合物)，从而使晶片干燥。
干燥后的晶片以其背面朝下的状态通过第一的输送机械手123返回装载口122的晶片盒。这样一来，基板处理系统能够在保持晶片的背面朝下的状态下进行晶片的研磨、清洗、干燥以及向装卸部的输送的一系列的工序。
根据本实施方式，在晶片W的背面朝下的状态下，能够有效地研磨晶片W的背面整体。结果是，由于不需要使晶片W反转以进行背面研磨，因此能够防止空气中的杂质向晶片W的附着，且能够减少整体的处理时间。
图12是表示研磨装置的另一实施方式的示意图。未特别说明的本实施方式的结构和动作与参照图1和图5至图10所说明的实施方式相同，因此省略其重复的说明。图12所示的研磨装置具备第一基板保持部200来代替基板保持部10。第一基板保持部200构成为能够以其轴心为中心旋转，并且能够沿上下方向移动自如。
晶片W以其第一面1朝下的状态被第一基板保持部200水平保持。晶片W通过真空吸附等被第一基板保持部200保持其第一面1的中心侧区域，并以第一基板保持部200的轴心为中心旋转。在晶片W旋转的状态下，一边使研磨带31与晶片W的第一面1的外周侧区域接触，一边通过研磨头动作部60的研磨头驱动机构61使研磨头50和研磨带31进行圆周运动、或使研磨头50和研磨带31沿与晶片W的第一面1平行的方向进行往复运动(振动)，而研磨晶片W的第一面1的外周侧区域。在一实施方式中，也可以是，一边使研磨头50和研磨带31进行圆周运动或往复运动(振动)，一边通过研磨头动作部60的研磨头移动机构91使研磨头50和研磨带31在晶片W的第一面1的外周侧区域内移动。
本实施方式的研磨装置还具备保持晶片W的第一面1的外周侧区域的第二基板保持部202。图13是表示由第二基板保持部202来保持晶片W的第一面1的外周侧区域时的状态的示意图。当通过第二基板保持部202来保持晶片W时，第一基板保持部200向下方移动并退避。第二基板保持部202构成为沿上下方向且水平方向移动自如。当通过第一基板保持部200保持晶片W时，第二基板保持部202沿水平方向移动并退避。
晶片W以其第一面1朝下的状态被第二基板保持部202水平保持。晶片W通过真空吸附等被第二基板保持部202保持其第一面1的外周侧区域。在晶片W的第一面1的外周侧区域被保持的状态下，一边使研磨带31与晶片W的第一面1的中心侧区域接触，一边通过研磨头动作部60的研磨头驱动机构61使研磨头50和研磨带31进行圆周运动、或使研磨头50和研磨带31沿与晶片W的第一面1平行的方向进行往复运动(振动)，而研磨晶片W的第一面1的中心侧区域。在一实施方式中，也可以是，一边使研磨头50和研磨带31进行圆周运动或往复运动(振动)，一边通过研磨头动作部60的研磨头移动机构91使研磨头50和研磨带31在晶片W的第一面1的中心侧区域内(图13所示的箭头的范围)移动。
上述的实施方式的记载目的为使本领域的技术人员能够实施本发明。本领域技术人员当然能够实施上述实施方式的各种变形例，本发明的技术思想也能够应用于其他的实施方式。因此，本发明不限于所记载的实施方式，应该理解成基于发明所要保护的范围所定义的技术思想的最大范围。

Claims (7)

1.一种研磨方法，其特征在于，
在基板的背面朝下的状态下，一边使多个辊与所述基板的周缘部接触，一边使所述多个辊以各自的轴心为中心旋转，从而使所述基板旋转，
一边向所述基板的背面供给液体，并且使配置于所述基板的下侧的研磨器具与所述基板的背面接触，一边使所述研磨器具相对于所述基板进行相对运动，来研磨该基板的背面整体，
设所述基板的背面的中心与该背面的最外端之间的一条假想的固定直线段为第一轨迹，
所述相对运动是指，所述研磨器具一边在以所述第一轨迹为圆心的圆形轨道上移动一边沿着所述第一轨迹移动的圆周运动，或者是指所述研磨器具一边沿着所述第一轨迹移动一边沿相对于所述第一轨迹垂直且与所述基板的背面平行的方向振动的运动。
2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
所述液体是纯水或碱性的药液。
3.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
所述研磨器具是在表面具有磨粒的研磨带。
4.一种研磨方法，是研磨基板的背面的方法，其特征在于，
用第一基板保持部保持所述基板的背面的中心侧区域，设所述基板的背面的中心侧区域的一条假想的固定直线段为第二轨迹，该第二轨迹的延长线通过所述基板的中心，
一边使配置于所述基板的下侧的研磨器具与所述基板的背面的外周侧区域接触且沿着所述第二轨迹移动，一边使所述研磨器具进行以所述第二轨迹为圆心的圆周运动，来研磨该背面的外周侧区域，
用第二基板保持部保持所述基板的背面的外周侧区域，设所述基板的背面的外周侧区域的一条假想的固定直线段为第三轨迹，该第三轨迹的延长线通过所述基板的中心，
一边使配置于所述基板的下侧的研磨器具与所述基板的背面的中心侧区域接触且沿着所述第三轨迹移动，一边使所述研磨器具进行以所述第三轨迹为圆心的圆周运动，来研磨该背面的中心侧区域，
所述圆周运动是指，所述研磨器具在圆形轨道上移动的运动。
5.一种研磨装置，其特征在于，具备：
基板保持部，该基板保持部保持基板并使该基板旋转；
研磨头，该研磨头使研磨器具与所述基板的背面接触；以及
研磨头动作部，当所述基板被所述基板保持部保持时，该研磨头动作部使所述研磨头相对于所述基板进行相对运动，
所述研磨头动作部具备使所述研磨头进行圆周运动或振动的研磨头驱动机构和使所述研磨头与所述基板的背面平行地移动的研磨头移动机构，设与所述研磨头移动机构的移动对应的所述研磨头在所述基板的移动轨迹为第四轨迹，所述第四轨迹或其延长线通过所述基板的中心，
所述圆周运动是指，所述研磨头以所述第四轨迹为圆心在圆形轨道上移动的运动，
所述振动是指，所述研磨头沿与所述第四轨迹垂直且与所述基板的背面平行的方向振动的运动，
所述基板保持部具有多个辊，
所述多个辊构成为能够以各辊的轴心为中心旋转，
所述多个辊具有能够与所述基板的周缘部接触的基板保持面，
所述研磨头与所述基板保持面相比配置于下方，并且朝上配置。
6.根据权利要求5所述的研磨装置，其特征在于，
所述研磨器具是在表面具有磨粒的研磨带。
7.一种研磨装置，其特征在于，具备：
第一基板保持部，该第一基板保持部保持基板的背面的中心侧区域，并使该基板旋转，设所述基板的背面的中心侧区域的一条假想的固定直线段为第二轨迹，该第二轨迹的延长线通过所述基板的中心；
第二基板保持部，该第二基板保持部保持该背面的外周侧区域，设所述基板的背面的外周侧区域的一条假想的固定直线段为第三轨迹，该第三轨迹的延长线通过所述基板的中心；
研磨头，该研磨头使研磨器具与所述基板的背面接触并研磨该基板的背面；以及
研磨头动作部，当所述基板被所述第一基板保持部时，该研磨头动作部使所述研磨头相对于所述基板沿着所述第二轨迹进行相对运动，或者当所述基板被所述第二基板保持部保持时，该研磨头动作部使所述研磨头相对于所述基板沿着所述第三轨迹进行相对运动，
所述研磨头动作部具备使所述研磨头进行圆周运动的研磨头驱动机构，
所述圆周运动是指，所述研磨头在以所述第二轨迹或者所述第三轨迹为圆心的圆形轨道上移动的运动。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110000670B (zh) * 2019-05-15 2020-08-11 航天云网云制造科技(浙江)有限公司 一种打磨机及该打磨机的打磨及换砂带方法
KR102428927B1 (ko) * 2020-01-22 2022-08-04 주식회사 씨티에스 웨이퍼 세정 장치용 웨이퍼 회전 유닛 및 이를 포함하는 씨엠피 장치
JP7355670B2 (ja) * 2020-02-05 2023-10-03 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドおよび研磨装置
CN111958417B (zh) * 2020-08-10 2021-07-06 南通市顺隆康复器材有限公司 一种机加工升降传导打磨装置
CN113695990A (zh) * 2021-09-03 2021-11-26 东莞市格威智能科技有限公司 一种板材直边抛光方法
JP7257474B2 (ja) * 2021-09-21 2023-04-13 株式会社サンシン 板状部材研磨方法及びその装置
CN114851064B (zh) * 2022-04-18 2023-03-17 江苏优泽科技有限公司 一种光亮炉辊全方位抛光装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1879199A (zh) * 2003-10-30 2006-12-13 株式会社荏原制作所 基板处理装置及基板处理方法
CN1914711A (zh) * 2004-02-25 2007-02-14 株式会社荏原制作所 抛光装置和衬底处理装置
CN101332580A (zh) * 2007-06-29 2008-12-31 株式会社荏原制作所 抛光装置和抛光方法
TW200911453A (en) * 2007-07-18 2009-03-16 Ebara Corp Polishing apparatus
CN103962941A (zh) * 2013-02-01 2014-08-06 株式会社荏原制作所 基板的背面的研磨方法及基板处理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3953716B2 (ja) * 2000-08-01 2007-08-08 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
JP4156200B2 (ja) * 2001-01-09 2008-09-24 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
US7938130B2 (en) * 2006-03-31 2011-05-10 Ebara Corporation Substrate holding rotating mechanism, and substrate processing apparatus
JP5519256B2 (ja) * 2009-12-03 2014-06-11 株式会社荏原製作所 裏面が研削された基板を研磨する方法および装置
KR101164101B1 (ko) * 2010-01-11 2012-07-12 주식회사 엘지실트론 롤러 구조를 이용한 양면 연마 장치
JP2012222044A (ja) 2011-04-05 2012-11-12 Sony Corp デバイスの製造方法、表示装置の製造方法、表示装置および電子機器
JP6145334B2 (ja) 2013-06-28 2017-06-07 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP6279276B2 (ja) * 2013-10-03 2018-02-14 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1879199A (zh) * 2003-10-30 2006-12-13 株式会社荏原制作所 基板处理装置及基板处理方法
CN1914711A (zh) * 2004-02-25 2007-02-14 株式会社荏原制作所 抛光装置和衬底处理装置
CN101332580A (zh) * 2007-06-29 2008-12-31 株式会社荏原制作所 抛光装置和抛光方法
TW200911453A (en) * 2007-07-18 2009-03-16 Ebara Corp Polishing apparatus
CN103962941A (zh) * 2013-02-01 2014-08-06 株式会社荏原制作所 基板的背面的研磨方法及基板处理装置

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