TW201922952A - 屏蔽封裝體 - Google Patents

屏蔽封裝體 Download PDF

Info

Publication number
TW201922952A
TW201922952A TW107134918A TW107134918A TW201922952A TW 201922952 A TW201922952 A TW 201922952A TW 107134918 A TW107134918 A TW 107134918A TW 107134918 A TW107134918 A TW 107134918A TW 201922952 A TW201922952 A TW 201922952A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
metal particles
mass
parts
layer
package
Prior art date
Application number
TW107134918A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI744556B (zh
Inventor
梅田裕明
松田和大
中園元
野口英俊
Original Assignee
日商拓自達電線股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商拓自達電線股份有限公司 filed Critical 日商拓自達電線股份有限公司
Publication of TW201922952A publication Critical patent/TW201922952A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI744556B publication Critical patent/TWI744556B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0083—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising electro-conductive non-fibrous particles embedded in an electrically insulating supporting structure, e.g. powder, flakes, whiskers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
    • H05K9/0031—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields combining different shielding materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/4007—Curing agents not provided for by the groups C08G59/42 - C08G59/66
    • C08G59/4014—Nitrogen containing compounds
    • C08G59/4042—Imines; Imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24—Electrically-conducting paints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/70—Additives characterised by shape, e.g. fibres, flakes or microspheres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/06—Hermetically-sealed casings
    • H05K5/065—Hermetically-sealed casings sealed by encapsulation, e.g. waterproof resin forming an integral casing, injection moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C08K2003/0806—Silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C08K2003/085—Copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/014—Additives containing two or more different additives of the same subgroup in C08K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本發明係提供一種對10MHz~1000MHz的電磁波具有良好的屏蔽性、且封裝體與屏蔽層的密著性良好的屏蔽封裝體。
本發明之屏蔽封裝體具有：封裝體，係於基板上搭載電子零件且藉密封材密封該電子零件者；及屏蔽層，其具有依序積層於上述封裝體上的第1層與第2層；上述第1層係由導電性樹脂組成物構成者，該導電性樹脂組成物含有：(A)黏結劑成分100質量份，其於合計量不超過100質量份的範圍內含有常溫下為固體的固體環氧樹脂5~30質量份與常溫下為液體的液體環氧樹脂20~90質量份；(B)金屬粒子400~1800質量份；及(C)硬化劑0.3~40質量份；上述金屬粒子(B)至少含有(B1)球狀金屬粒子與(B2)小片狀金屬粒子，且上述球狀金屬粒子(B1)相對於上述金屬粒子(B)的含有比率為20~80質量%；上述第2層係由導電性樹脂組成物構成者，該導電性樹脂組成物含有：黏結劑成分，其包含(D)重量平均分子量為1000以上且40萬以下的(甲基)丙烯酸系樹脂、與(E)於分子內具有環氧丙基及/或(甲基)丙烯醯基的單體；(F)平均粒徑為10~500nm的金屬粒子；(G)平均粒徑為1~50μm的金屬粒子；及(H)自由基聚合引發劑；相對於上述第2層的黏結劑成分100質量份，上述金屬粒子(F)與上述金屬粒子(G)的合計含量為2000~80000質量份，並且，相對於上述金屬粒子(F)與上述金屬粒子(G)的合計量，上述金屬粒子(F)的含有比率為8~85質量%。

Description

屏蔽封裝體
本發明係關於一種屏蔽封裝體，其具有於基板上搭載電子零件且藉密封材密封該電子零件的封裝體、及被覆封裝體的屏蔽層。
背景技術
於行動電話或平板終端等電子設備中，近年來，搭載大量電子零件的同時還搭載有RFID(Radio Frequency IDentification)或非接觸充電功能等的利用10MHz~1000MHz電磁波的無線通訊功能。此種電子零件對電磁波的靈敏度較高，具有暴露於來自外部的電磁波下就容易產生誤動作的問題。
另一方面，為了兼顧電子設備之小型輕量化與高功能化，需要提高電子零件的安裝密度。然而，若提高安裝密度則有受到電磁波影響的電子零件亦增加的問題。
以往，作為解決上述課題的手段，已知可就每個封裝體皆以屏蔽層覆蓋電子零件，藉此防止電磁波入侵電子零件，此即所謂的屏蔽封裝體。例如於專利文獻1中記載：對封裝體表面噴塗(噴霧)含導電性粒子的導電性樹脂組成物，並加熱硬化，藉此可容易獲得屏蔽效果較高的電磁屏蔽構件。
又，關於可應用於電磁波屏蔽的導電糊，例如於專利文獻2~5中已記載併用微米尺寸的導電性填料與奈米尺寸的導電性填料。並且已記載了下述內容：藉由併用奈米尺寸的導電性填料，可填充存在於微米尺寸的導電性填料彼此之間的間隙，可獲得良好的屏蔽特性。
先行技術文獻
專利文獻1：日本特開2003-258137號公報
專利文獻2：日本特開2014-181316號公報
專利文獻3：日本特開2005-294254號公報
專利文獻4：日本特開2010-113912號公報
專利文獻5：日本特開2010-118280號公報
發明概要
發明欲解決之課題
然而，尚無針對防止10MHz~1000MHz的電磁波入侵的導電糊，先前利用導電糊形成的屏蔽層，對10MHz~1000MHz的電磁波的屏蔽效果仍有改善的空間。
又，使用奈米尺寸的導電性填料時，出於提高奈米尺寸的導電性填料的分散性之觀點，大多使用丙烯酸系樹脂。然而，將已使用丙烯酸系樹脂的導電性樹脂組成物應用於屏蔽層時，會存在如下問題：若暴露於焊料回焊步驟等的高溫下，則屏蔽層與封裝體的密著性容易降低。
進而，作為提高對10MHz~1000MHz的電磁波的屏蔽效果的手段，考慮調配大量的導電性填料，但如此恐更加彰顯屏蔽層與封裝體的密著性問題。
本發明係鑑於上述而完成者，其目的在於提供一種對10MHz~1000MHz的電磁波具有良好屏蔽性、且屏蔽層與封裝體的密著性良好的屏蔽封裝體。
用以解決課題之手段
本發明之屏蔽封裝體具有：封裝體，係於基板上搭載電子零件且藉密封材密封該電子零件者；及屏蔽層，其具有依序積層於上述封裝體上的第1層與第2層；上述第1層係由導電性樹脂組成物構成者，該導電性樹脂組成物含有：(A)黏結劑成分100質量份，其於合計量不超過100質量份的範圍內含有常溫下為固體的固體環氧樹脂5~30質量份與常溫下為液體的液體環氧樹脂20~90質量份；(B)金屬粒子400~1800質量份；及(C)硬化劑0.3~40質量份；上述金屬粒子(B)至少含有(B1)球狀金屬粒子與(B2)小片狀金屬粒子，且上述球狀金屬粒子(B1)相對於上述金屬粒子(B)的含有比率為20~80質量%；上述第2層係由導電性樹脂組成物構成者，該導電性樹脂組成物含有：黏結劑成分，其包含(D)重量平均分子量為1000以上且40萬以下的(甲基)丙烯酸系樹脂、與(E)於分子內具有環氧丙基及/或(甲基)丙烯醯基的單體；(F)平均粒徑為10~500nm的金屬粒子；(G)平均粒徑為1~50μm的金屬粒子；及(H)自由基聚合引發劑；相對於上述第2層的黏結劑成分100質量份，上述金屬粒子(F)與上述金屬粒子(G)的合計含量為2000~80000質量份，並且，相對於上述金屬粒子(F)與上述金屬粒子(G)的合計量，上述金屬粒子(F)的含有比率為8~85質量%。
上述黏結劑成分(A)可設為進而含有於分子內具有(甲基)丙烯醯基的單體。
上述單體(E)可設為於分子內具有環氧丙基及(甲基)丙烯醯基的單體。
上述金屬粒子(G)可設為選自於由銅粒子、銀被覆銅粒子及銀被覆銅合金粒子所構成群組中之至少一種。
發明效果
根據本發明之屏蔽封裝體，可獲得對10MHz~1000MHz電磁波的優異屏蔽性、及封裝體與屏蔽層的優異密著性。
用以實施發明之形態
本發明之屏蔽封裝體具有：封裝體，係於基板上搭載電子零件且藉密封材密封該電子零件者；及屏蔽層，其具有依序積層於封裝體上的第1層與第2層。
＜第1層＞
上述第1層係由導電性樹脂組成物構成者，該導電性樹脂組成物含有：(A)黏結劑成分100質量份，其於合計量不超過100質量份的範圍內含有常溫下為固體的固體環氧樹脂5~30質量份與常溫下為液體的液體環氧樹脂20~90質量份；(B)金屬粒子400~1800質量份；及(C)硬化劑0.3~40質量份。
應用於第1層的導電性樹脂組成物的黏結劑成分係以環氧樹脂作為必要成分，且視需要亦可進一步包含具有(甲基)丙烯醯基的單體。再者於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯醯基」係丙烯醯基與甲基丙烯醯基的總稱，「具有(甲基)丙烯醯基的單體」亦包含低聚物或分子量小於1000的預聚物。
此處所謂「常溫下為固體」係指於25℃下且於無溶劑狀態下為不具流動性的狀態，所謂「常溫下為液體」係指於相同條件下為具有流動性的狀態。固體環氧樹脂宜於黏結劑成分100質量份中為5~30質量份、較佳為5~20質量份。又，液體環氧樹脂宜於黏結劑成分100質量份中為20~90質量份、較佳為25~80質量份。
藉由使用常溫下為固體的環氧樹脂，能獲得可均勻地塗佈於封裝體表面而形成無不均的屏蔽層的導電性樹脂組成物。固體環氧樹脂宜為於分子內具有2個以上環氧丙基且具有環氧當量150~280g/eq者。若環氧當量為150g/eq以上，便難以發生破裂或彎曲等問題，若為280g/eq以下則容易獲得耐熱性更優異的塗膜。
固體環氧樹脂可溶解於溶劑後使用。使用的溶劑並無特別限定，可從後述者中適當選擇。
關於固體環氧樹脂的具體例並無特別限定，但可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；螺環型環氧樹脂；萘型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂；萜烯型環氧樹脂；參(環氧丙氧基苯基)甲烷、肆(環氧丙氧基苯基)乙烷等環氧丙基醚型環氧樹脂；四環氧丙基二胺基二苯基甲烷等環氧丙基胺型環氧樹脂；四溴雙酚A型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、α-萘酚酚醛型環氧樹脂、溴化苯酚酚醛型環氧樹脂等酚醛型環氧樹脂；橡膠改質環氧樹脂等。此等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。
常溫下為液體的環氧樹脂如上所述，於黏結劑成分100質量份中使用20~90質量份，其中5~35質量份宜為液體環氧丙基胺型環氧樹脂，20~55質量份宜為液體環氧丙基醚型環氧樹脂。於此調配量範圍內組合使用液體環氧丙基胺型環氧樹脂與液體環氧丙基醚型環氧樹脂時，硬化後的塗膜的彎曲更少，且屏蔽層的導電性與密著性均衡又優異，進而可獲得耐熱性更加優異的屏蔽封裝體。
液體環氧丙基胺型液體環氧樹脂較佳為環氧當量80~120g/eq且黏度1.5Pa･s以下、更佳為0.5~1.5Pa･s。液體環氧丙基醚型環氧樹脂較佳為環氧當量180~220g/eq且黏度6Pa･s以下、更佳為1~6Pa･s。使用環氧當量與黏度於上述較佳範圍內的液體環氧丙基胺型環氧樹脂與液體環氧丙基醚型環氧樹脂時，可獲得硬化後的塗膜的彎曲更少、耐熱性更優異、塗膜厚度更均勻的屏蔽封裝體。
此處，所謂液體環氧丙基胺型液體環氧樹脂的黏度係於液溫25℃下以BH型黏度計(轉子No.5、轉數10rpm)測得的值。
所謂可使用在應用於第1層的導電性樹脂組成物的具有(甲基)丙烯醯基的單體，只要為具有丙烯醯基或甲基丙烯醯基的化合物即可，並無特別限定。作為此種化合物之例，可列舉：丙烯酸異戊酯、新戊二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、2-羥基-3-丙烯醯氧基丙基甲基丙烯酸酯、苯基環氧丙基醚丙烯酸酯六亞甲基二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物、雙酚A二環氧丙基醚丙烯酸加成物、乙二醇二甲基丙烯酸酯及二乙二醇二甲基丙烯酸酯等。此等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。
如上所述使用具有(甲基)丙烯醯基的單體時，相對於環氧樹脂與具有(甲基)丙烯醯基的單體的合計量，具有(甲基)丙烯醯基的單體的含有比率宜為5~95質量%、較佳為20~80質量%。藉由具有(甲基)丙烯醯基的單體為5質量%以上，可使導電性樹脂組成物快速硬化，進而可防止硬化時導電性樹脂組成物滴流。又，具有(甲基)丙烯醯基的單體為95質量%以下時，封裝體與屏蔽層的密著性容易良好。
於黏結劑成分中，除了環氧樹脂、具有(甲基)丙烯醯基的單體以外，為了使導電性樹脂組成物的物性提高，亦可添加醇酸樹脂、三聚氰胺樹脂、二甲苯樹脂等作為改質劑。
於黏結劑成分中混合改質劑時的調配比，由屏蔽層與封裝體的密著性之觀點來看，宜設定成相對於黏結劑成分為40質量%以下、較佳為10質量%以下。
應用於第1層的導電性樹脂組成物的金屬粒子(B)並無特別限定，但例如可列舉：銅粒子、銀粒子、鎳粒子、銀被覆銅粒子、銀被覆銅合金粒子、金被覆銅粒子、銀被覆鎳粒子、金被覆鎳粒子等。
銀被覆銅粒子係具有銅粒子與被覆該銅粒子之至少一部分的銀層或含銀層者，銀被覆銅合金粒子係具有銅合金粒子與被覆該銅合金粒子之至少一部分的銀層或含銀層者。銅合金粒子之例如鎳含量為0.5~20質量%且鋅含量為1~20質量%，剩餘部分由銅構成，剩餘部分的銅亦可包含不可避免的雜質。藉由如此使用具有銀被覆層的銅合金粒子，可獲得屏蔽性優異的屏蔽封裝體。
又，金屬粒子(B)必須為球狀及小片狀(鱗片狀)的金屬粒子，亦可視需要進一步併用樹枝狀、纖維狀等的金屬粒子。再者，球狀不僅包含大致正圓球(霧化粉)，亦包含大致多面體狀的球體(還原粉)、或不規則形狀(電解粉)等大致球狀。
金屬粒子(B)全體量中的球狀金屬粒子(B1)及小片狀金屬粒子(B2)的合計量的含有比率並無特別限制，但宜為40~100質量%、較佳為60~100質量%、更佳為80~100質量%。
又，金屬粒子(B)全體量中的球狀金屬粒子(B1)的含有比率宜為20~80質量%、較佳為25~75質量%。
金屬粒子(B)的含量(球狀及小片狀與其他形狀的金屬粒子的合計量)相對於黏結劑成分100質量份為400~1800質量份、較佳為500~1800質量份、更佳為500~1700質量份。若金屬粒子含量為400質量份以上時，屏蔽層的導電性為良好，若為1800質量份以下時，屏蔽層與封裝體的密著性及屏蔽層的物性為良好，於後述的以切割機切斷時，屏蔽層不易產生缺損。
又，金屬粒子(B)的平均粒徑不論球狀及小片狀均宜為1~30μm。若金屬粒子(B)的平均粒徑為1μm以上時，金屬粒子的分散性為良好而可防止凝聚，且不易氧化，若為30μm以下時，則與封裝體的接地電路之連接性為良好。
於此，本說明書中所謂平均粒徑係指利用雷射繞射散射法測得的以個數為基準的平均粒徑D50(中值粒徑)的粒徑。
又，小片狀金屬粒子(B2)的振實密度並無特別限定，但宜為4.0~6.0g/cm3 。若振實密度於上述範圍內，屏蔽層的導電性為良好。
又，小片狀金屬粒子(B2)的縱橫比並無特別限定，但宜為5~20、較佳為5~10。若縱橫比於上述範圍內，屏蔽層的導電性更為良好。
於應用於第1層的導電性樹脂組成物中，使用用以使黏結劑成分硬化的硬化劑(C)。關於硬化劑(C)並無特別限定，例如可使用咪唑系硬化劑、苯酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、胺系硬化劑、陽離子系硬化劑、自由基系硬化劑等，此等中較佳為咪唑系硬化劑、苯酚系硬化劑、萘酚系硬化劑，更佳為咪唑系硬化劑。此等硬化劑(C)可單獨使用一種，亦可併用二種以上。
關於咪唑系硬化劑，例如可列舉：咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-苯基咪唑、2-乙基-4-甲基-咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑等。
苯酚系硬化劑係於分子中具有至少1個苯酚骨架並可用作環氧樹脂的硬化劑的化合物，可舉例：苯酚酚醛(酚醛型苯酚樹脂)、三苯甲烷型苯酚樹脂、二環戊二烯型酚醛樹脂等，較佳為酚醛型苯酚樹脂。
萘酚系硬化劑係於分子中具有至少1個萘酚骨架並可用作環氧樹脂的硬化劑的化合物，可舉例：萘酚-甲酚-甲醛樹脂、苯酚-萘酚型芳烷基樹脂、XYLOK型酚醛樹脂。
關於陽離子系硬化劑之例，可列舉以下列諸等為代表的鎓系化合物：三氟化硼的胺鹽、對甲氧基苯重氮鎓六氟磷酸鹽、二苯基錪六氟磷酸、三苯基鋶、四正丁基鏻四苯硼酸鹽、四正丁基鏻-o,o-二乙基二硫代磷酸鹽。
關於自由基系硬化劑(聚合引發劑)之例，可列舉：過氧化二異丙苯、過氧化第三丁基異丙苯、第三丁基過氧化氫、異丙苯過氧化氫等。
硬化劑(C)的含量宜相對於黏結劑成分的合計量100質量份為0.3~40質量份、較佳為0.5~35質量份。若硬化劑含量為0.3~40質量份，屏蔽層與封裝體的密著性及屏蔽層的導電性變得良好，容易得到屏蔽效果優異的屏蔽層。又，使用自由基系硬化劑作為硬化劑時，宜相對於黏結劑成分的合計量100質量份為0.3~8質量份。若自由基系硬化劑含量為0.3~8質量份時，屏蔽層與封裝體的密著性及屏蔽層的導電性變得良好，容易得到屏蔽效果優異的屏蔽層。
為了可藉由噴霧將導電性樹脂組成物均勻地塗佈於封裝體表面，應用於第1層之導電性樹脂組成物的黏度宜比所謂的導電糊低。導電性樹脂組成物的黏度宜根據塗佈使用的機器而適當調整，並無特別限定，一般的標準如下所述。黏度的測定方法亦不限定，若導電性樹脂組成物為低黏度時，可以圓錐平板型旋轉黏度計(所謂錐板式黏度計)進行測定，若為高黏度時，則可以單一圓筒形旋轉黏度計(所謂B型或BH型黏度計)進行測定。
以圓錐平板型旋轉黏度計進行測定時，使用布魯克菲爾德(BROOK FIELD)公司之錐板心軸CP40(錐板角度：0.8°、錐板半徑：24mm)，以0.5rpm測得的黏度宜為100mPa･s以上、較佳為150mPa･s以上。若黏度為100mPa･s以上，可防止在塗佈面並非水平時滴液，容易均勻地形成屏蔽層。再者，黏度於100mPa･s附近或比100mPa･s低時，為了獲得期望厚度的均一塗膜，有效的方法是進行所謂的重複塗佈，即反覆如下操作：減少每一次的塗佈量以形成薄膜，並於薄膜上再形成薄膜。又，只要為可利用圓錐平板型旋轉黏度計測定的黏度，即使很高也沒有問題。
以單一圓筒形旋轉黏度計測定時，使用轉子No.5以10rpm測得的黏度宜為30dPa･s以下、較佳為25dPa･s以下。若為30dPa･s以下，可防止噴嘴阻塞，容易無不均地形成屏蔽層。又，只要為可利用單一圓筒形旋轉黏度計測定的黏度，即使很低也沒有問題。
導電性樹脂組成物的黏度會根據黏結劑成分的黏度及導電性填料的含量等而不同，因此為了令黏度於上述範圍內，可使用溶劑。於本發明中可使用的溶劑並無特別限定，例如可列舉：甲基乙基酮、丙二醇單甲醚、3-甲氧基-3-甲基-1-丁基乙酸酯、丙酮、苯乙酮、甲基賽璐蘇、甲基賽璐蘇乙酸酯、甲基卡必醇、二乙二醇二甲醚、四氫呋喃、二呃、乙酸甲酯、乙酸丁酯等。此等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。
溶劑的含量宜根據塗佈使用的機器等而適當調整，通常宜相對於黏結劑成分100質量份為20~600質量份。若溶劑含量為20~600質量份以上，則噴霧塗佈的塗佈穩定性優異，容易獲得穩定的屏蔽效果。
又，應用於第1層的導電性樹脂組成物中，於無損本發明目的之範圍內，可添加消泡劑、增稠劑、黏著劑、填充劑、阻燃劑、著色劑等周知的添加劑。
由於金屬粒子(B)的一部分從上述使導電性樹脂組成物硬化而成的第1層表面露出，故可獲得與第2層之間的穩定電性連接。
＜第2層＞
上述第2層係由導電性樹脂組成物構成者，該導電性樹脂組成物含有：黏結劑成分，其包含(D)重量平均分子量為1000以上且40萬以下的(甲基)丙烯酸系樹脂、與(E)於分子內具有環氧丙基及/或(甲基)丙烯醯基的單體；(F)平均粒徑為10~500nm的金屬粒子；(G)平均粒徑為1~50μm的金屬粒子；及(H)自由基聚合引發劑。
(甲基)丙烯酸系樹脂(D)係至少包含丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯作為構成單體的聚合物，並無特別限定，例如可使用含有選自於由下列所購成群組中之至少1種作為構成單體的聚合物：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯及甲基丙烯酸正丁酯。關於構成單體，於不違反本發明目的之範圍內亦可包含丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯以外的構成單體。含有2種以上單體時，可為交替共聚物、無規共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物。此處，所謂「(甲基)丙烯酸系樹脂」係「丙烯酸系樹脂」及「甲基丙烯酸系樹脂」的總稱。
(甲基)丙烯酸系樹脂(D)的重量平均分子量係1000以上、宜為5000以上、較佳為7000以上、更佳為10000以上。又，重量平均分子量為40萬以下、宜為20萬以下、較佳為15萬以下、更佳為5萬以下。
關於此種(甲基)丙烯酸系樹脂，例如可使用日本特開2016-155920號公報、日本特開2015-59196號公報、日本特開2016-196606號公報、WO2016/132814之焙燒糊料用共聚物等。又，亦可使用市售的丙烯酸系樹脂，例如可使用共榮社化學(股)製「KC-1100」或「KC-1700P」。
單體(E)係於分子內具有環氧丙基及/或(甲基)丙烯醯基的化合物，較佳為於分子內具有環氧丙基及(甲基)丙烯醯基的化合物。再者，於本說明書中係令「單體(E)」為亦包含低聚物或分子量小於1000的預聚物。
關於具有環氧丙基的化合物並無特別限定，例如可列舉：乙基環氧丙基醚、丁基環氧丙基醚、第三丁基環氧丙基醚、烯丙基環氧丙基醚、芐基環氧丙基醚、環氧丙基苯基醚、雙酚A、二環氧丙基醚等環氧丙基化合物等。
關於具有(甲基)丙烯醯基的化合物，只要為具有丙烯醯基或甲基丙烯醯基的化合物即可，並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸異戊酯、新戊二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、2-羥基-3-丙烯醯氧基丙基甲基丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯及二乙二醇二甲基丙烯酸酯等。
關於具有環氧丙基及(甲基)丙烯醯基的化合物，例如可列舉：丙烯酸環氧丙基醚、甲基丙烯酸環氧丙基醚、4-羥丁基丙烯酸酯環氧丙基醚、雙酚A二環氧丙基醚丙烯酸加成物、苯基環氧丙基醚丙烯酸酯六亞甲基二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。
此等單體(E)可單獨使用一種，亦可併用二種以上。如上所述，於導電性樹脂組成物使用丙烯酸系樹脂時，有加熱硬化後的屏蔽層與封裝體等塗佈對象物的密著性差的傾向，但藉由於上述(甲基)丙烯酸系樹脂(D)中併用單體(E)，即使調配大量的金屬粒子(F)及金屬粒子(G)時，亦可獲得屏蔽層與塗佈對象物之優異的密著性、即於本發明中第1層與第2層之優異的密著性。
於單體(E)與(甲基)丙烯酸系樹脂(D)的合計量100質量份中，單體(E)的含量宜為20~99質量份、較佳為40~99質量份、更佳為50~99質量份。以下，於本說明書中，將包含(甲基)丙烯酸系樹脂(D)與單體(E)兩者之物作為應用於第2層的導電性樹脂組成物中的黏結劑成分。
關於平均粒徑為10~500nm的金屬粒子(F)並無特別限定，宜為銅奈米粒子、銀奈米粒子、金奈米粒子。藉由金屬粒子(F)的平均粒徑為10~500nm，便可填充微米尺寸的金屬粒子彼此的間隙，故容易大量調配導電性填料，可提高對10MHz~1000MHz電磁波的屏蔽性。
金屬粒子(F)的含量並無特別限定，但宜相對於黏結劑成分(第2層的黏結劑成分，以下相同)100質量份為50~75000質量份、較佳為100~35000質量份、更佳為300~10000質量份、尤佳為500~5000質量份。
關於平均粒徑為1~50μm的金屬粒子(G)並無特別限定，宜為銅粒子、銀粒子、金粒子、銀被覆銅粒子或銀被覆銅合金粒子，由降低成本之觀點來看，較佳為銅粒子、銀被覆銅粒子或銀被覆銅合金粒子。若金屬粒子(G)的平均粒徑為1μm以上時，金屬粒子(G)的分散性為良好而可防止凝聚，且不易氧化，若為50μm以下時，則與封裝體的接地電路之連接性為良好。
關於金屬粒子(G)的形狀，例如可列舉：小片狀(鱗片狀)、樹枝狀、球狀、纖維狀、不規則形狀(多面體)等，由獲得電阻值較低且屏蔽性更加提高的屏蔽層之觀點來看，較佳為小片狀。
又，金屬粒子(G)為小片狀時，金屬粒子(G)的振實密度宜為4.0~6.5g/cm3 。若振實密度於上述範圍內，屏蔽層的導電性更為良好。
又，金屬粒子(G)為小片狀時，金屬粒子(G)的縱橫比宜為2~10。若縱橫比於上述範圍內，屏蔽層的導電性更為良好。
金屬粒子(G)的含量並無特別限定，但宜相對於黏結劑成分100質量份為400~75000質量份、較佳為400~55000質量份、更佳為400~45000質量份、尤佳為400~30000質量份。若含量為400質量份以上時，屏蔽層的導電性為良好，容易獲得針對10MHz頻段的低頻區域電磁波的優異屏蔽性，若為75000質量份以下時，則第1層與第2層的密著性及屏蔽層的特性容易為良好，於後述的以切割機切斷時屏蔽層不易產生缺損。
相對於黏結劑成分100質量份，金屬粒子(F)與金屬粒子(G)的合計含量為2000~80000質量份、較佳為2000~65000質量份、更佳為2000~50000質量份、尤佳為2000~35000質量份。藉由為2000質量份以上，容易獲得針對低頻區域的10MHz頻段的電磁波的優異屏蔽效果，藉由為80000質量份以下，容易獲得第1層與第2層的優異密著性。
相對於金屬粒子(F)與金屬粒子(G)的合計量，金屬粒子(F)的含有比率並無特別限定，宜為8~85質量%。
關於自由基聚合引發劑(H)並無特別限定，例如可使用藉由加熱引發自由基聚合的熱聚合引發劑、或藉由X射線或UV等能量線照射而引發自由基聚合的能量線聚合引發劑。
自由基聚合引發劑並無特別限制，可適當使用先前使用的有機過氧化物系或偶氮系化合物。
關於有機過氧化物系聚合引發劑，例如可列舉：甲基乙基酮過氧化物、環己酮過氧化物、甲基環己酮過氧化物、甲基乙醯乙酸酯過氧化物、乙醯基乙酸酯過氧化物、1,1-雙(第三己基過氧)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-雙(第三己基過氧)-環己烷、1,1-雙(第三丁基過氧)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-雙(第三丁基過氧)-2-甲基環己烷、1,1-雙(第三丁基過氧)-環己烷、1,1-雙(第三丁基過氧)環十二烷、過氧化苯甲酸第三己酯、2,5-二甲基-2,5-雙(苯甲醯基過氧)己烷、第三丁基過氧烯丙基單碳酸酯、第三丁基三甲基矽基過氧化物、3,3',4,4'-四(第三丁基過氧羰基)二苯基酮、2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷等。
又，作為偶氮系聚合引發劑，例如可列舉：2-苯基偶氮-4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈、1-[(1-氰基-1-甲基乙基)偶氮]甲醯胺、1,1'-偶氮雙(環己-1-甲腈)、2,2'-偶氮雙(2-甲基丁腈)、2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙脒)二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙(2-甲基-N-苯基丙脒)二鹽酸鹽，2,2'-偶氮雙[N-(4-氯苯基)-2-甲基丙脒]二氫氯化物、2,2'-偶氮雙[N-(4-氫苯基)-2-甲基丙脒]二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙[2-甲基-N-(苯基甲基)丙脒]二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙(異丁酸)二甲酯。
上述自由基聚合引發劑可單獨使用一種，亦可併用二種以上。
自由基聚合引發劑(H)的含量只要相對於黏結劑成分為化學計量上所需要的量即可，可依其種類而有所不同，但在標準上，宜相對於黏結劑成分100質量份為0.05~30質量份、較佳為0.1~25質量份、更佳為1~20質量份。於自由基聚合引發劑含量為此範圍內時，導電性樹脂組成物的硬化變得充分，第1層與第2層的密著性及屏蔽層的導電性變得良好，容易得到屏蔽效果優異的屏蔽層。又，藉由選擇自由基聚合引發劑的種類或量，可以根據縮短硬化時間或室溫下的長期保存穩定性等目的而進行使用。
又，應用於第2層的導電性樹脂組成物中，於無損本發明目的之範圍內，可添加消泡劑、增稠劑、黏著劑、填充劑、阻燃劑、著色劑等周知的添加劑。
為了可藉由噴霧將導電性樹脂組成物均勻地塗佈於封裝體表面，應用於第2層的導電性樹脂組成物宜黏度比所謂的導電糊低。導電性樹脂組成物的黏度宜根據塗佈使用的機器而適當調整，並無特別限定，一般的標準如上述第1層中所記載。
導電性樹脂組成物的黏度會根據黏結劑成分的黏度及導電性填料的含量等而不同，因此為使黏度於上述範圍內，可使用溶劑。於本發明中可使用的溶劑並無特別限定，例如可列舉：丙二醇單甲醚、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、3-甲氧基-3-甲基-1-丁基乙酸酯、丙酮、甲基乙基酮、苯乙酮、甲基賽璐蘇、甲基賽璐蘇乙酸酯、甲基卡必醇、二乙二醇二甲醚、四氫呋喃、乙酸甲酯、乙酸丁酯等。此等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。
溶劑含量根據黏結劑成分的黏度及導電性填料的含量等而不同，就標準而言，相對於導電性樹脂組成物的含有成分(溶劑除外)的合計量為10~60質量%左右。
由可獲得對低頻區域之10MHz頻段的電磁波的優異屏蔽效果之觀點來看，本實施形態的屏蔽封裝體的第2層之比電阻宜為5.0×10-5 Ω･cm以下。
＜屏蔽封裝體的製造方法＞
使用圖式說明本實施形態的屏蔽封裝體的製造方法的一實施形態。
首先，如圖1(a)所示，準備於基板1搭載複數個電子零件(IC等)2且於此等複數個電子零件2間設置有接地電路圖案(銅箔)3者。
如同圖(b)所示，於此等電子零件2及接地電路圖案3上填充密封材4，並使之硬化而密封電子零件2。
於同圖(c)中如箭頭所示，於複數個電子零件2間切削密封材4而形成槽部，藉由此等槽部使基板1的各電子零件的封裝體個別化。符號A表示分別經個別化的封裝體。接地電路之至少一部分從構成槽的壁面露出，槽底部並未完全地貫通基板。
另一方面，將預定量的上述黏結劑成分(A)、金屬粒子(B)及硬化劑(C)混合，來製備第1層用導電性樹脂組成物。
又，將預定量的包含(甲基)丙烯酸系樹脂(D)與單體(E)的黏結劑成分、金屬粒子(F)、金屬粒子(G)及自由基聚合引發劑(H)混合，來製備第2層用導電性樹脂組成物。
藉由周知的噴槍等霧狀噴射第1層用導電性樹脂組成物以對封裝體表面進行全面塗佈。此時的噴射壓力或噴射流量、噴槍的噴射口與封裝體表面的距離可視需要適當設定。
將上述塗佈有導電性樹脂組成物的封裝體加熱，使導電性樹脂組成物硬化，從而如同圖(d)所示，於封裝體表面形成第1層(導電性塗膜)5。此時的加熱條件可適當設定。
第2層用導電性樹脂組成物亦以與第1層用導電性樹脂組成物相同方式進行塗佈，將塗佈有導電性樹脂組成物的封裝體加熱而使溶劑充分地乾燥後，使導電性樹脂組成物加熱硬化，從而如同圖(e)所示，於封裝體表面形成第2層(導電性塗膜)6。圖2係顯示此狀態下之基板的俯視圖。符號B1 、B2 、…B9 係分別表示單片化前的屏蔽封裝體，符號11~19係分別表示此等屏蔽封裝體間的槽。
如圖1(f)中箭頭所示，藉由切割機等沿著單片化前的封裝體的槽底部將基板切斷，獲得經單片化的屏蔽封裝體B。
藉此獲得的經單片化的屏蔽封裝體B，由於在封裝體表面(上表面部、側表面面部、及上表面部與側表面部的交界的角部)均形成有均勻的屏蔽層，故可獲得良好的屏蔽效果。又，第1層與封裝體表面的密著性、及與從封裝體一部分露出的接地電路的銅箔的密著性優異，且第2層與第1層的密著性優異。因此，於封裝體表面塗佈導電性樹脂組成物而形成屏蔽層後，將封裝體切斷以進行單片化時，可防止因切斷時的衝擊而使屏蔽層從接地電路剝離。
[實施例]
以下，基於實施例詳細地說明本發明的內容，但本發明並不限定於以下所述。又，於以下，除非另有說明，「份」或「%」為質量基準。
＜第1層＞
相對於如下所示的固體環氧樹脂、液體環氧樹脂(環氧丙基胺型環氧樹脂及環氧丙基醚型環氧樹脂)、單體的合計量100質量份，以表1、2所示比率調配混合金屬粒子、硬化劑及溶劑，得到導電性樹脂組成物1。使用的各成分的詳細內容如下。
･固體環氧樹脂：三菱化學(股)製、商品名「JER157S70」
･環氧丙基胺型環氧樹脂：(股)ADEKA製、商品名「EP-3905S」
･環氧丙基醚型環氧樹脂：(股)ADEKA製、商品名「EP-4400」)
･單體(A)：2-羥基-3-丙烯醯氧基丙基甲基丙烯酸酯、共榮社化學(股)製、商品名「輕酯(Light Ester)G-201P」
･金屬粒子(B1)：球狀還原銀粒子、平均粒徑2μm
･金屬粒子(B2)：小片狀銀粒子、平均粒徑5μm、縱橫比=5
･硬化劑(C1)：2-甲基咪唑、四國化成工業(股)製、商品名「2MZ-H」
･硬化劑(C2)：苯酚酚醛清漆、荒川化學工業(股)製、商品名「Tamanol758」
･溶劑：1-甲氧基-2-丙醇(PGME)
＜第2層＞
相對於如下所示的(甲基)丙烯酸系樹脂(D)與單體(E)的合計量100質量份，以表1所記載的比率調配混合金屬粒子(F)、金屬粒子(G)、自由基聚合引發劑(H)及溶劑，得到導電性樹脂組成物2。使用的各成分的詳細內容如下。
･(甲基)丙烯酸系樹脂(D1)：分子量=17000
･(甲基)丙烯酸系樹脂(D2)：分子量=100000、共榮社化學(股)製「KC-1700P」
･(甲基)丙烯酸系樹脂(D3)：分子量=130000、共榮社化學(股)製「KC-1100」
･單體(E1)：4-羥丁基丙烯酸酯環氧丙基醚
･單體(E2)：共榮社化學(股)製「輕質丙烯酸酯(Light Acrylate)P-1A(N)」
･單體(E3)：ADEKA股份有限公司製「ED503」
･金屬粒子(F)：銀粒子(平均粒徑=150nm)
･金屬粒子(G)：銀被覆銅合金粒子(平均粒徑=5μm、小片狀、縱橫比=2~10、振實密度=5.8g/cm3 )
･自由基聚合引發劑(H)：2,2’-偶氮雙(異丁酸)二甲酯
･溶劑：甲基乙基酮(MEK)
如下所述進行實施例及比較例的評價。將結果顯示於表1、2。
(1)導電性塗膜的導電性
以比電阻評價由導電性樹脂組成物1及導電性樹脂組成物2得到的各導電性塗膜的導電性。具體而言，如圖3所示，於間隔60mm在兩端設置有以銅箔形成的電極墊21的玻璃環氧基板20上，將設置有寬度5mm的狹縫且厚度55μm的聚醯亞胺膜以狹縫端部與兩端的電極墊21重疊之方式黏貼於基板上形成遮蔽。再於其上使用噴塗裝置(SL-940E：Nordson Asymtek製)噴塗各實施例及比較例所得到的導電性樹脂組成物。
藉由於190℃下加熱30分鐘使之硬化，並將聚醯亞胺膜剝離，而獲得形成有長度70mm、寬度5mm、厚度約20μm的硬化物22且該硬化物連接於兩端的電極墊21間的基板20。使用測試儀對該硬化物樣品測定電極墊間的電阻值(Ω)，由截面積(S、cm2 )與長度(L、cm)藉由下式(1)計算出比電阻(Ω･cm)。
[數學式1]
於三片玻璃環氧基板分別形成5個硬化物樣品，合計15個，求得樣品的截面積、長度及比電阻。再者，若比電阻為5×10-5 Ω･cm以下，則可適合用作防阻低頻區域的10MHz頻帶的電磁波的屏蔽層。
(2)導電性塗膜的密著性
使用將上述獲得的各導電性樹脂組成物於室溫(25℃)下放置1週者，依據JIS K 5600-5-6：1999(交叉切割法)評價屏蔽層與封裝體表面或與接地電路的密著性。
具體而言，準備覆銅積層板以供評價與接地電路的密著性，並準備由環氧樹脂與二氧化矽粒子製作的塑模樹脂(松下製的CV8710)的硬化物所構成且表面未經電漿處理的樹脂板(50mm×50mm×2mmmm)以供評價與封裝體表面的密著性。分別於前述覆銅積層板及樹脂板上利用聚醯亞胺膠帶以形成寬度5cm、長度10cm的開口部之方式進行遮蔽，並使用噴塗裝置SL-940E(Nordson Asymtek製)噴塗導電性樹脂組成物1後，於190℃下加熱10分鐘，藉此使之硬化而形成厚度約10μm的第1塗膜。之後，同樣地噴塗導電性樹脂組成物2，於190℃下加熱30分鐘，藉此使之硬化而形成第2塗膜，再將聚醯亞胺膠帶剝離，便形成厚度約35μm的由2層構成的塗膜。於形成有塗膜的銅箔及塑模樹脂上進行交叉切割試驗。交叉切割試驗係對下列對象物實施：回焊前者；進行過3次於最高溫度260℃下進行10秒鐘的回焊處理者；重複進行1000回熱循環試驗者，該熱循環試驗係於-65℃的條件下暴露30分鐘後，於125℃的條件下暴露30分鐘。再者，於熱循環試驗中係使用未經回焊處理者。
密著性的評價以如下基準進行。
0：切口邊緣非常光滑、任何網格眼都沒有剝落。
1：在切口交叉處發生塗膜的小剝離。於交叉切割部分受到影響者明顯不超過5%。
2：塗膜沿著切口邊緣及/或交叉處剝離。於交叉切割部分受到影響者明顯超過5％但不超過15%。
3：塗膜沿著切口邊緣局部或全面性產生大的剝離、及/或網格的各個部分局部或全面性剝離。於交叉切割部分受到影響者明顯超過15％但不超過35%。
4：塗膜沿著切口邊緣局部或全面性產生大的剝離、及/或幾處網格局部或全面性剝離。於交叉切割部分受到影響者明顯不超過35%。
5：任何一種連分類4都不能分類的剝離程度。
(再者，於第1塗膜與第2塗膜之間產生的剝離亦以上述基準中的剝離進行評價)。
(3)屏蔽效果(10MHz)
使用噴塗裝置SL-940E(Nordson Asymtek製)對厚度約25μm的聚醯亞胺膜噴塗導電性樹脂組成物1後，於190℃下加熱10分鐘，藉此使之硬化而形成厚度約10μm的第1塗膜。之後，同樣地噴塗導電性樹脂組成物2，於190℃下加熱30分鐘，藉此使之硬化而形成第2塗膜，再將聚醯亞胺膠帶剝離，便形成厚度約35μm的由2層構成的塗膜，並裁切為15cm見方以作為樣品。藉由KEC法評價所獲得的樣品的屏蔽效果。測定條件係設為溫度25℃、相對溼度30~50%的氣體環境。
圖4係顯示於KEC法使用的系統構造的示意圖。於KEC法使用的系統係由電磁波屏蔽效果測定裝置211a、211b、頻譜分析儀221、進行10dB衰減的衰減器222、進行3dB衰減的衰減器223及前置放大器224構成。
再者，頻譜分析儀221係使用Advantest股份有限公司製的U3741。又，前置放大器係使用Agilent Technologies公司製的HP8447F。
如圖4所示，於測定電場波屏蔽效果與測定磁場波屏蔽效果所使用的夾具(測定夾具213、215)各自不同。圖4(a)顯示電場波屏蔽效果評價裝置211a，圖4(b)顯示磁場波屏蔽效果評價裝置211b。
於電場波屏蔽效果評價裝置211a相對向設置有2個測定夾具213。測定對象的樣品以被夾持於該測定夾具213、213間之方式來設置。測定夾具213採用TEM室(Transverse Electro Magnetic Cell)的尺寸分佈，且形成為於垂直於其傳送軸方向的面內左右對稱地分割的結構。惟，為了防止因插入樣品而形成短路電路，平板狀中心導體214係於與各測定夾具213之間設置間隙地配置。
又，於電場波屏蔽效果評價裝置211a相對向設置有2個測定夾具215。測定對象的樣品以被夾持於該測定夾具215、215間之方式來設置。為了產生磁場波成分較大的電磁場，磁場波屏蔽效果評價裝置211b係於測定夾具215使用屏蔽型圓形環形天線216，並與90度角的金屬板組合，形成環形天線的1/4部分突起至外部的構造。
KEC法係首先將從頻譜分析儀221輸出的信號經由衰減器222輸入至發送側的測定夾具213或測定夾具215。然後，將業經接受側的測定夾具213或測定夾具215接受的信號經由衰減器223以前置放大器224放大後，藉由頻譜分析儀221測定信號位準。又，頻譜分析儀221係以尚未將樣品設置於電磁波屏蔽效果測定裝置211a、211b的狀態作為基準，輸出已將樣品設置於電磁波屏蔽效果測定裝置211a、211b時的衰減量。
屏蔽效果的評價中，10MHz下的衰減量為25dB以上者評為屏蔽效果優異。又，電磁波越高頻，有樣品的衰減量越大的傾向，如果對10MHz電磁波能獲得優異的屏蔽效果，則可評價為即使對1000MHz的電磁波也可以獲得優異的屏蔽效果。
[表1]
[表2]
由表1、2所示結果可確認：藉由各實施例的導電性樹脂組成物2獲得的第2層塗膜均具有良好的導電性，對低頻區域的10MHZ頻段的電磁波亦具有優異的屏蔽性。且確認：無論於回焊前、回焊後及熱循環試驗後哪種情況下，屏蔽層與封裝體表面或接地電路的密著性都為良好。
比較例1係將導電性樹脂組成物2直接塗佈於塑模樹脂之例，與熱循環試驗後的塑模樹脂的密著性、亦即與封裝體表面的密著性差。
比較例2係導電性樹脂組成物2的金屬粒子(F)與金屬粒子(G)的合計含量未達預定值之例，導電性塗膜的導電性較低且屏蔽效果差。
比較例3係導電性樹脂組成物2的金屬粒子(F)與金屬粒子(G)的合計含量超過預定值之例，無論於回焊前、回焊後及熱循環試驗後哪種情況下，屏蔽層與封裝體表面及與接地電路的密著性差。
A‧‧‧於基板上經個別化的封裝體
B‧‧‧經單片化的屏蔽封裝體
B1、B2、B9‧‧‧單片化前的屏蔽封裝體
1‧‧‧基板
2‧‧‧電子零件
3‧‧‧接地電路圖案(銅箔)
4‧‧‧密封材
5‧‧‧第1層(導電性塗膜)
6‧‧‧第2層(導電性塗膜)
11、12、13、14、15、16、17、18、19‧‧‧槽
20‧‧‧基板
21‧‧‧電極墊
22‧‧‧導電性樹脂組成物的硬化物
211a‧‧‧電場波屏蔽效果評價裝置
211b‧‧‧‧‧‧磁場波屏蔽效果評價裝置
213‧‧‧測定夾具
214‧‧‧中心導體
215‧‧‧測定夾具
216‧‧‧屏蔽型圓形環形天線
221‧‧‧頻譜分析儀
222‧‧‧衰減器
223‧‧‧衰減器
224‧‧‧前置放大器
圖1係顯示屏蔽封裝體之製造方法之一實施形態的示意剖面圖。
圖2係顯示個別化前的屏蔽封裝體之一例的俯視圖。
圖3係顯示用於評價導電性塗膜之導電性的形成有硬化物樣品的基板的俯視圖。
圖4係顯示用於評價導電性塗膜之屏蔽效果的系統構造的示意圖。
[符號說明]
A...於基板上經個別化的封裝體
B…經單片化的屏蔽封裝體
B1 、B2 、B9 …單片化前的屏蔽封裝體
1…基板
2…電子零件
3…接地電路圖案(銅箔)
4…密封材
5…第1層(導電性塗膜)
6…第2層(導電性塗膜)
11、12、13、14、15、16、17、18、19…槽
20…基板
21…電極墊
22…導電性樹脂組成物的硬化物
211a…電場波屏蔽效果評價裝置
211b…磁場波屏蔽效果評價裝置
213…測定夾具
214…中心導體
215…測定夾具
216…屏蔽型圓形環形天線
221…頻譜分析儀
222…衰減器
223…衰減器
224…前置放大器

Claims (5)

  1. 一種屏蔽封裝體，其特徵在於具有： 封裝體，係於基板上搭載電子零件且藉密封材密封該電子零件者；及 屏蔽層，其具有依序積層於前述封裝體上的第1層與第2層； 前述第1層係由導電性樹脂組成物的硬化物構成者，該導電性樹脂組成物含有： (A)黏結劑成分100質量份，其於合計量不超過100質量份的範圍內含有常溫下為固體的固體環氧樹脂5~30質量份與常溫下為液體的液體環氧樹脂20~90質量份； (B)金屬粒子400~1800質量份；及 (C)硬化劑0.3~40質量份； 前述金屬粒子(B)至少含有(B1)球狀金屬粒子與(B2)小片狀金屬粒子，且前述球狀金屬粒子(B1)相對於前述金屬粒子(B)的含有比率為20~80質量%； 前述第2層係由導電性樹脂組成物的硬化物構成者，該導電性樹脂組成物含有： 黏結劑成分，其包含(D)重量平均分子量為1000以上且40萬以下的(甲基)丙烯酸系樹脂、與(E)於分子內具有環氧丙基及/或(甲基)丙烯醯基的單體； (F)平均粒徑為10~500nm的金屬粒子； (G)平均粒徑為1~50μm的金屬粒子；及 (H)自由基聚合引發劑； 相對於前述第2層的黏結劑成分100質量份，前述金屬粒子(F)與前述金屬粒子(G)的合計含量為2000~80000質量份，並且，相對於前述金屬粒子(F)與前述金屬粒子(G)的合計量，前述金屬粒子(F)的含有比率為8~85質量%。
  2. 如請求項1之屏蔽封裝體，其中前述黏結劑成分(A)進而含有於分子內具有(甲基)丙烯醯基的單體。
  3. 如請求項1或2之屏蔽封裝體，其中前述單體(E)係於分子內具有環氧丙基及(甲基)丙烯醯基的單體。
  4. 如請求項1或2之屏蔽封裝體，其中前述金屬粒子(G)係選自於由銅粒子、銀被覆銅粒子及銀被覆銅合金粒子所構成群組中之至少一種。
  5. 如請求項3之屏蔽封裝體，其中前述金屬粒子(G)係選自於由銅粒子、銀被覆銅粒子及銀被覆銅合金粒子所構成群組中之至少一種。
TW107134918A 2017-10-13 2018-10-03 屏蔽封裝體 TWI744556B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017199826 2017-10-13
JP2017-199826 2017-10-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201922952A true TW201922952A (zh) 2019-06-16
TWI744556B TWI744556B (zh) 2021-11-01

Family

ID=66100747

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107134918A TWI744556B (zh) 2017-10-13 2018-10-03 屏蔽封裝體

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11191198B2 (zh)
JP (1) JP6992083B2 (zh)
KR (1) KR102428873B1 (zh)
CN (1) CN111165083B (zh)
TW (1) TWI744556B (zh)
WO (1) WO2019073809A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI833059B (zh) * 2020-04-30 2024-02-21 日商拓自達電線股份有限公司 導電性組成物及使用其之屏蔽封裝體之製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11043740B2 (en) * 2019-05-14 2021-06-22 Qualcomm Incorporated Enhanced antenna module with shield layer
JP7236326B2 (ja) * 2019-05-30 2023-03-09 東洋紡株式会社 電子部品の封止体、及び電子部品の封止体の製造方法
CN114502681A (zh) * 2020-09-09 2022-05-13 贝斯特石墨烯株式会社 用于屏蔽电磁波的混合粘结剂组合物、用于屏蔽电磁波的混合粘结剂的制备方法及用于屏蔽电磁波的混合粘结膜
KR102451057B1 (ko) * 2021-01-27 2022-10-04 도레이첨단소재 주식회사 전도성 접착제 조성물 및 이를 포함하는 전자파 차폐필름
JP2022118877A (ja) 2021-02-03 2022-08-16 キオクシア株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TW202316949A (zh) * 2021-09-30 2023-04-16 日商拓自達電線股份有限公司 電磁波屏蔽膜及屏蔽印刷配線板
CN114231233A (zh) * 2021-11-22 2022-03-25 深圳先进电子材料国际创新研究院 一种低粘度分腔导电胶及其制备方法和应用

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5639989A (en) * 1994-04-19 1997-06-17 Motorola Inc. Shielded electronic component assembly and method for making the same
US6717485B2 (en) * 2002-02-19 2004-04-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Interference signal decoupling using a board-level EMI shield that adheres to and conforms with printed circuit board component and board surfaces
JP2003258137A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP4363340B2 (ja) 2004-03-12 2009-11-11 住友電気工業株式会社 導電性銀ペースト及びそれを用いた電磁波シールド部材
JP2010113912A (ja) 2008-11-05 2010-05-20 Sumitomo Rubber Ind Ltd 高温焼成型銀ペーストとそれを用いた電磁波シールド
JP5446222B2 (ja) 2008-11-14 2014-03-19 住友電気工業株式会社 導電性ペースト及びそれを用いた電磁波シールドフィルム、電磁波シールドフレキシブルプリント配線板
JP5174846B2 (ja) * 2010-03-12 2013-04-03 グンゼ株式会社 透明導電性シート、その製造に用いる導電性ペーストの製造法、電磁波シールド材およびタッチセンサー
CN103987790A (zh) * 2011-12-27 2014-08-13 松下电器产业株式会社 导热性树脂组合物
JP5788923B2 (ja) * 2012-03-23 2015-10-07 富士フイルム株式会社 導電性組成物、導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネルおよび太陽電池
JP6081819B2 (ja) * 2013-02-28 2017-02-15 藤森工業株式会社 Ｆｐｃ用電磁波シールド材
JP2014181316A (ja) 2013-03-21 2014-09-29 Gunze Ltd 導電性ペースト、それを用いた電磁波シールド材及びタッチパネル
TWI500737B (zh) * 2013-05-06 2015-09-21 Chi Mei Corp 導電性接著劑
TW201524284A (zh) * 2013-12-03 2015-06-16 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 電子元件以及片材
CN105917383B (zh) * 2014-01-21 2017-10-27 三菱电机株式会社 动态图像再现装置
TWI614870B (zh) * 2014-07-25 2018-02-11 矽品精密工業股份有限公司 封裝結構及其製法
KR101725748B1 (ko) * 2014-09-30 2017-04-10 다츠다 덴센 가부시키가이샤 전자 부품의 패키지의 쉴드용 도전성 도료 및 이것을 이용한 쉴드 패키지의 제조 방법
JP6693736B2 (ja) * 2014-12-26 2020-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置
CN108602976A (zh) * 2015-08-03 2018-09-28 汉高知识产权控股有限责任公司 通过沉积高导电性组合物实现电磁干扰屏蔽保护
TWI722136B (zh) 2016-03-29 2021-03-21 拓自達電線股份有限公司 導電性塗料及使用其之屏蔽封裝體之製造方法
TWI770013B (zh) 2016-03-29 2022-07-11 日商拓自達電線股份有限公司 導電性塗料及使用其之屏蔽封裝體之製造方法
KR101766629B1 (ko) * 2016-09-02 2017-08-08 데이코쿠 잉키 세이조 가부시키가이샤 도전성 액상 조성물

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI833059B (zh) * 2020-04-30 2024-02-21 日商拓自達電線股份有限公司 導電性組成物及使用其之屏蔽封裝體之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111165083B (zh) 2022-05-03
TWI744556B (zh) 2021-11-01
WO2019073809A1 (ja) 2019-04-18
KR102428873B1 (ko) 2022-08-02
US20200288608A1 (en) 2020-09-10
JPWO2019073809A1 (ja) 2020-12-17
US11191198B2 (en) 2021-11-30
JP6992083B2 (ja) 2022-01-13
CN111165083A (zh) 2020-05-15
KR20200069288A (ko) 2020-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI744556B (zh) 屏蔽封裝體
CN110651004B (zh) 导电性树脂组合物及使用该导电性树脂组合物的屏蔽封装体的制造方法
EP3202866B1 (en) Conductive coating material and method for producing shield package using same
EP3062316B1 (en) Soft magnetic resin composition and soft magnetic film
EP3229243A1 (en) Soft magnetic resin composition and soft magnetic film
KR102355385B1 (ko) 도전성 도료 및 이것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법
WO2018012017A1 (ja) 導電性塗料及びそれを用いたシールドパッケージの製造方法
KR102355386B1 (ko) 도전성 도료 및 이것을 사용한 차폐 패키지의 제조 방법
CN111902498B (zh) 导电性涂料及使用该导电性涂料的屏蔽封装体的制造方法
US20230151228A1 (en) Conductive composition and method for producing shielded package using same
JP7482093B2 (ja) アンテナ一体型モジュール
EP2963657B1 (en) Soft magnetic film
WO2023163160A1 (ja) 導電性樹脂組成物