TW201922061A - 電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可得到均勻的電漿空間之電漿處理裝置。電漿處理裝置具備處理容器、載置台、遮蔽構件、開口用之可昇降的擋門、第一驅動部、及第二驅動部。處理容器具有側壁，且該側壁形成有將被處理體加以搬入搬出用的搬運道。載置台設在處理容器內。遮蔽構件係以圍繞載置台之方式而沿著前述側壁的內表面設置。遮蔽構件形成有面向於搬運道的開口。第一驅動部使擋門昇降。第二驅動部使擋門相對於遮蔽構件而往前後方向移動。

Description

電漿處理裝置
本發明內容關於電漿處理裝置。
半導體元件之類的電子元件之製造之中，吾人使用電漿處理裝置而針對被處理體進行電漿處理。電漿處理包含處理氣體的電漿所成之蝕刻或成膜之類的各種處理。
使用於電漿處理之電漿處理裝置具備將電漿處理空間加以劃定之處理容器。此處理容器的側壁形成有將被處理體加以搬入搬出用的搬運道。又，將處理容器的側壁內表面加以保護之遮蔽構件(沉積物遮蔽)係沿著該側壁內表面而設置。此遮蔽構件形成有面向於搬運道之開口，用以將處理體加以搬入搬出。再者，以將遮蔽構件的開口加以開閉之方式而可昇降之擋門，係設在側壁內表面與遮蔽構件之間。擋門於將遮蔽構件的開口加以關閉時，僅觸及遮蔽構件的接觸部。接觸部係具有導電性之合金。如此電漿處理裝置例如記載於日本特開2015-95543號公報(專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-95543號公報
[發明所欲解決之問題]
專利文獻1記載之電漿處理裝置利用合金形成擋門與遮蔽構件之接觸部，藉以使擋門與遮蔽構件之電性連接穩定化。如此電性穩定有助於形成均勻的電漿空間。然而，專利文獻1記載之電漿處理裝置，由形成更均勻的電漿空間之觀點來看尚有改善的餘地。本發明所屬領域之中吾人期望一種形成均勻的電漿空間之電漿處理裝置。 [解決問題之方式]
本發明一態樣提供一種用以針對被處理體進行電漿處理之電漿處理裝置。此電漿處理裝置具備處理容器、載置台、遮蔽構件、開口用的可昇降之擋門、第一驅動部、及第二驅動部。處理容器具有側壁，該側壁形成有將被處理體加以搬入搬出用的搬運道。載置台設在處理容器內。遮蔽構件以圍繞載置台之方式沿著前述側壁的內表面而設置。遮蔽構件形成有面向於搬運道之開口。第一驅動部使擋門昇降。第二驅動部使擋門相對於遮蔽構件而往前後方向移動。
上述一態樣之電漿處理裝置之中，擋門係藉由第一驅動部而昇降，並藉由第二驅動部而相對於遮蔽構件往前後方向移動。例如於關閉開口之情形下，擋門係藉由第一驅動部而昇降至與開口相向之位置。在該位置上，擋門係藉由第二驅動部而往與遮蔽構件接近之方向移動，並推抵於遮蔽構件。如上所述，可利用具備第二驅動部而使擋門抵接於遮蔽構件，因此可使擋門與遮蔽構件之電性連接穩定化。故，此電漿處理裝置可形成均勻的電漿空間。
本發明一實施形態之中，第二驅動部亦可具有將擋門加以推壓之一個驅動軸。依據此實施形態，則可藉由一個驅動軸而使擋門抵接於遮蔽構件。
本發明一實施形態之中，第一驅動部亦可具有：昇降用驅動軸，與擋門的連接部連接，使擋門昇降；且驅動軸亦可推壓連接部。依據此實施形態，則相較於推壓連接部以外之情形，可減少擋門與昇降用驅動軸之連接部所產生之應力。
本發明一實施形態之中，第二驅動部亦可具有將擋門加以推壓之複數個驅動軸。依據此實施形態，則相較於一個驅動軸推壓擋門之情形，可使擋門均勻推抵於遮蔽構件。
本發明一實施形態之中，電漿處理裝置亦可具備：導電構件，以圍繞開口之方式配置在遮蔽構件。依據此實施形態，則可進一步使擋門與遮蔽構件之電性連接穩定化。
本發明一實施形態之中，電漿處理裝置亦可具備：導電構件，以將擋門之與開口對應的區域加以圍繞之方式配置在擋門。依據此實施形態，則可進一步使擋門與遮蔽構件之電性連接穩定化。 [發明之效果]
如同以上說明，本發明提供一種可得到均勻的電漿空間之電漿處理裝置。
[實施發明之較佳形態]
以下，參照圖式而詳細說明各種實施形態。此外，各圖式之中，針對同一或相當的部分而標註同一的符號。
圖1概略性顯示本發明一實施形態之電漿處理裝置。圖1概略性顯示電漿處理裝置的縱剖面。圖1所示之電漿處理裝置10用以針對被處理體(以下稱作「晶圓W」)進行電漿處理。
電漿處理裝置10具備處理容器12。處理容器12在其內部劃定處理空間S。電漿處理裝置10將晶圓W收容在處理空間S，並施行針對該晶圓W之電漿處理。
本發明一實施形態之中，處理容器12含有側壁12a、底部12b、及頂部12c。側壁12a具有略圓筒形狀。此側壁12a係以其中心軸線即軸線Z為中心而沿鉛直方向延展。以下，本說明書之中，有時將軸線Z延展之方向稱作「軸線Z方向」、「鉛直方向」、「上下」。又，有時相對於軸線Z而將輻射之方向稱作「徑向」。再者，有時將沿著以軸線Z為中心之圓弧的方向稱作「周向」。
側壁12a的下端側設有底部12b，且該側壁12a的上端側設有頂部12c。又，側壁12a形成有：搬運道CP，用以將晶圓W搬入至處理容器12內，並從處理容器12的內部將晶圓W搬出。此搬運道CP可藉由閘閥GV而開閉。
電漿處理裝置10更具備載置台20。載置台20設在處理容器12內。以圍繞此載置台20之方式，沿著處理容器12的側壁12a的內表面而設有遮蔽構件60。遮蔽構件60用以防止因電漿處理而產生之反應生成物沉積在側壁12a的內表面。遮蔽構件60係略圓筒形狀的構件，且其中心軸線係與軸線Z約略一致。此遮蔽構件60形成有與搬運道CP相向之開口OP(參照圖2及圖3)。
又，處理容器12內設有遮蔽構件60的開口用的可昇降之擋門70。擋門70係藉由驅動裝置40(第一驅動部)而昇降。
驅動裝置40沿著遮蔽構件60而使擋門70往上下方向移動。驅動裝置40具備驅動軸80(昇降用驅動軸)與驅動電路41。驅動軸80之中，其前端連接至擋門70的連接部。驅動電路41將控制信號輸出至驅動軸80而使驅動軸80移動。驅動軸80藉由來自驅動電路41的控制信號而使擋門70昇降。就具體例而言，擋門70於將晶圓W搬入搬出時等使開口OP對著搬運道CP開放之情形下，位在第一區域。另一方面，擋門70於電漿處理時等使開口OP封閉之情形下，位在比第一區域更上方的第二區域。
再者，擋門70於位在第二區域時，藉由驅動裝置45(第二驅動部)而相對於遮蔽構件60往前後方向移動。驅動裝置45使擋門70相對於遮蔽構件60往前後方向移動。
驅動裝置45具備上方驅動軸82、下方驅動軸83、驅動電路46。上方驅動軸82及下方驅動軸83配置在與遮蔽構件60的開口OP相向之位置。就更具體例而言， 將上方驅動軸82與下方驅動軸83配置在搬運道CP內。驅動電路46將控制信號輸出至上方驅動軸82及下方驅動軸83，而使上方驅動軸82及下方驅動軸83移動。上方驅動軸82及下方驅動軸83藉由來自驅動電路46的控制信號，而朝向開口OP移動。藉此，上方驅動軸82及下方驅動軸83將位在第二區域之擋門70朝往遮蔽構件60推壓。下方驅動軸83亦可配置成推壓驅動軸80與擋門70之連接部。位在第二區域之擋門70係藉由驅動裝置45而推抵於遮蔽構件60。遮蔽構件60及擋門70的詳細技術內容將後述。
載置台20包含下部電極LE、及靜電夾盤ESC。下部電極LE經由匹配單元MU而連接至射頻電源RFG。射頻電源RFG產生離子拉入用的射頻電力(射頻偏壓電力)。靜電夾盤ESC設在下部電極LE上。靜電夾盤ESC藉由庫侖力而吸附其上表面所載置之晶圓W，並固持該晶圓W。
一例之中，下部電極LE包含第一板片22a及第二板片22b。第一板片22a係略圓盤狀的構件。又，第一板片22a係導電性構件，且例如由鋁構成。此第一板片22a係由略筒狀的支持部SP1所支持。支持部SP1自底部12b往上方延伸，且抵接至第一板片22a的下表面的周緣區域。此支持部SP1係由石英之類的絕緣體所構成。
第二板片22b設在第一板片22a上。第二板片22b係略圓盤狀的構件。又，第二板片22b係導電性構件，且例如由鋁構成。此第二板片22b與第一板片22a導通。
第一板片22a經由匹配單元MU而電性連接至射頻電源RFG。射頻電源RFG輸出適合將拉入晶圓W之離子的能量加以控制之固定頻率例如13.65MHz之射頻偏壓電力。匹配單元MU收容有用以將射頻電源RFG側的阻抗、主要為電極、電漿、處理容器12之類的負載側的阻抗之間加以匹配之匹配器。此匹配器含有產生自偏壓用的阻隔電容器。
第二板片22b的內部設有冷媒室RC。針對此冷媒室RC，從冷機單元經由配管PP1、PP2而循環供給預定溫度的冷媒例如冷卻水。藉由如上所述循環之冷媒，而可控制靜電夾盤ESC上之晶圓W的溫度。再者，來自傳熱氣體供給部之傳熱氣體例如He氣體，經由供給管PP3而供給至靜電夾盤ESC的上表面與晶圓W的背面之間。
靜電夾盤ESC設在第二板片22b的上表面之上。靜電夾盤ESC具有略圓餅形狀。靜電夾盤ESC利用靜電吸附力而固持晶圓W。因此，靜電夾盤ESC含有包夾於介電質膜之間的電極膜EF。電極膜EF經由開關SW而電性連接有直流電源DS。 靜電夾盤ESC可利用自直流電源DS施加之直流電壓所產生之庫侖力，藉以在其上表面吸附晶圓W，固持該晶圓W。
又，靜電夾盤ESC的介電質膜內設有加熱器HC及加熱器HE。加熱器HC設在靜電夾盤ESC的中央區域。加熱器HC連接有加熱器電源HP1。加熱器電源HP1將交流電力供給至加熱器HC。加熱器HE設在比加熱器HC更靠徑向外側。加熱器HE連接有加熱器電源HP2。加熱器電源HP2將交流電力供給至加熱器HE。
又，靜電夾盤ESC及下部電極LE形成有將此等沿鉛直方向貫穿之貫穿孔，且該貫穿孔穿通有頂推銷LP。頂推銷LP於晶圓W搬入搬出時上昇，且在其上端支持晶圓W。
又，靜電夾盤ESC的徑向外側設有聚焦環FR。聚焦環FR以圍繞靜電夾盤ESC之方式，沿著靜電夾盤ESC的邊緣及晶圓W的邊緣而環狀延展。聚焦環FR係由石英之類的介電質所構成。聚焦環FR係為了調整晶圓W的邊緣的外側之鞘電位而設置，有助於晶圓W於電漿處理之面內均勻性。
聚焦環FR的下方設有筒狀部TP1。筒狀部TP1係由氧化鋁之類的絕緣體所構成。筒狀部TP1具有圓筒形狀，且沿著下部電極LE的外周面而延展。
筒狀部TP1與聚焦環FR之間設有環狀部AP。環狀部AP係由氧化鋁之類的絕緣體所構成。環狀部AP沿著第二板片22b的外周面而環狀延展。此環狀部AP的上表面銜接至聚焦環FR的下表面。又，環狀部AP的下表面銜接至筒狀部TP1的上端。
環狀部AP的周緣部的下方設有筒狀部TP2。筒狀部TP2具有略圓筒形狀。此筒狀部TP2沿著筒狀部TP1及支持部SP1的外周而延展。筒狀部TP2係由導電性材料例如鋁所構成。此外，筒狀部TP2的表面亦可形成有氧化釔(Y2 O3 )製的膜。或者，筒狀部TP2的表面亦可施行有氧化處理。
自筒狀部TP2的外周面及環狀部AP的外周面至側壁12a及遮蔽構件60為止之間的空間成為排氣道VL。排氣道VL延伸至底部12b為止，且經由該底部12b所安裝之排氣管而連接至排氣裝置30。排氣裝置30具有壓力調整器、及渦輪分子泵等真空泵。使此排氣裝置30運作，可藉以自載置台20的外周經由排氣道VL而將氣體加以排氣、或使處理容器12內的處理空間S減壓至期望的真空度為止。
在鉛直方向上，排氣道VL的中間設有擋板BP。擋板BP係以軸線Z為中心而環狀延展之板狀構件。此擋板BP形成有複數個貫穿孔。此等貫穿孔在鉛直方向上貫穿擋板BP。此擋板BP的內側緣部設在筒狀部TP2與環狀部AP之間。又，擋板BP的外側緣部係由遮蔽構件60所支持。
又，電漿處理裝置10更具備電漿生成部PG及氣體供給部GS。電漿生成部PG將能量導入至處理容器12內，前述能量係用以激發由氣體供給部GS供給之氣體。 本發明一實施形態之中，電漿生成部PG設在頂部12c。一例之中，電漿生成部PG將微波導入至處理容器12內。電漿生成部PG亦可係電容耦合型的電漿源。此情形下，電漿生成部PG亦可係上部電極。於電漿生成部PG係上部電極之情形下，將電漿生成用的射頻電力加以產生之射頻電源可連接至上部電極及下部電極LE中之一者。或者，電漿生成部PG亦可係感應耦合型之電漿源。或者，電漿生成部PG亦可係微波供給部。
氣體供給部GS將氣體供給至處理容器12內。此氣體係因電漿生成部PG所給予之能量而被激發，藉由被激發之氣體而進行電漿處理。一例之中，如圖1所示，氣體供給部GS具有氣體導入管50。氣體導入管50從處理容器12的外部延展至內部。氣體導入管50連接有氣體源52。氣體源52於已進行流量控制之狀態下供給氣體，且前述氣體因應於針對晶圓W進行之電漿處理。此外，氣體供給部GS不限定於圖1所示之形態。例如，氣體供給部GS亦可自頂部12c供給氣體，用以取代氣體導入管50、或與氣體導入管50共存。又，於電漿生成部PG係上部電極之情形下，氣體供給部GS亦可係由上部電極構成之噴淋頭。
以下，說明遮蔽構件60及擋門70的細節。圖2係將本發明一實施形態之遮蔽構件及擋門加以顯示之剖面圖，且顯示有擋門位在第二區域而將遮蔽構件的開口加以封閉之狀態。又，圖3係本發明一實施形態之遮蔽構件的立體圖，圖4係將圖3所示之遮蔽構件的一部分擴大顯示之斷裂立體圖。又，圖5係本發明一實施形態之擋門的立體圖。
如圖3所示，遮蔽構件60具有本體60m。本體60m具有略圓筒形狀，且如圖1所示，以其中心軸線係與軸線Z約略一致之方式沿著側壁12a而設置。本體60m例如由鋁構成。本體60m的表面可形成有氧化釔(Y2 O3 )膜，或亦可施行有氧化處理。
本發明一實施形態之中，如圖2、圖3、及圖4所示，本體60m包含凸緣部60f。凸緣部60f構成本體60m的最上部。凸緣部60f使本體60m的外徑在該本體60m的最上部擴大。此凸緣部60f如圖2所示，由側壁12a所支持。具體而言，側壁12a包含可上下分離之二個零件，此等二個零件間夾持有凸緣部60f。
又，本體60m如圖2、圖3、及圖4所示，包含下部60b。下部60b構成本體60m的最下部。下部60b在高度方向即軸線Z延展之方向(以下稱作「軸線Z方向」)具有預定厚度。
本體60m形成有開口OP。此開口OP如圖2所示，設成面向於搬運道CP。如圖2、圖3、及圖4所示，本體60m包含自上方及周向的兩側將此開口OP加以圍繞之薄壁部60c。又，本體60m包含在薄壁部60c的上側及周向的兩側構成本體60m之厚壁部60d。此薄壁部60c在徑向的厚度比厚壁部60d在該徑向的厚度更薄，且與下部60b在該徑向的厚度相同。又，薄壁部60c的內周面、厚壁部60d、及下部60b的內周面係連續，且構成本體60m的內周面60i。薄壁部60c的外周面60w、及下部60b的外周面係連續。薄壁部60c的外周面60w相較於厚壁部60d的外周面，更接近軸線Z。
薄壁部60c具有端面60t1及一對端面60t2。端面60t1在開口OP的上方沿周向延伸，成為朝往下方的面。又，一對端面60t2從端面60t1在周向的兩緣沿鉛直方向延伸，成為與周向交叉的面。此等端面60t1、60t2與薄壁部60c的外周面60w之間的邊界即緣60e以從上方劃定開口OP之方式沿周向延展，且以從周向的兩側劃定開口OP之方式沿鉛直方向延展。又，開口OP係由下部60b的緣60g而從下方劃定。此緣60g構成下部60b的外周面的上緣。
如圖4所示，厚壁部60d具有端面60p1及一對端面60p2。端面60p1係沿周向延伸的面，且成為朝往下方的面。端面60p1在相較於端面60t1更上方且更徑向外側延展。又，一對端面60p2自端面60p1在周向的兩緣沿鉛直方向延伸，成為與周向交叉的面。一對端面60p2相較於一對端面60t2，更在周向上自開口OP分開，且相較於一對端面60t2，在更徑向外側延展。
下部60b的外周面係與薄壁部60c的外周面60w相同之周面。即，下部60b的外周面之自軸線Z起算的距離係與薄壁部60c的外周面60w之自軸線Z起算的距離相同。此下部60b的外周面、薄壁部60c的外周面60w、及厚壁部60d的端面60p1、60p2劃定將擋門70加以收容之空間。
又，如圖2及圖4所示，同樣在薄壁部60c的外周面60w分別形成有沿周向延展之溝及一對沿軸線Z方向延展之溝。沿周向延展之溝的溝內，嵌入有導電構件61。沿軸線Z方向延展之溝的溝內嵌入有導電構件63。此等導電構件61、63的外周面構成被接觸面61b、63b。又，導電構件61、63可螺固至薄壁部60c。即，導電構件61、63可從薄壁部60c拆卸。導電構件61、63例如係由合金(以赫史特合金(註冊商標；HASTELLOY)作為一例)形成。
同樣，下部60b的外周面形成有沿周向延展之溝。此溝內嵌入有導電構件62。 此導電構件62的外周面構成被接觸面62b。又，導電構件62可螺固至下部60b。即，導電構件62可自下部60b拆卸。導電構件62例如係由合金(以赫史特合金(註冊商標；HASTELLOY)作為一例)形成。
如圖2所示，擋門70具有第一部分70a、第二部分70b、及第三部分70c。第二部分70b係於擋門70將開口OP加以封閉時，與該開口OP相向之部分。擋門70例如由鋁構成。擋門70的表面亦可形成有氧化釔(Y2 O3 )製的膜。或者，擋門70的表面亦可施行有氧化處理。
如圖2及圖5所示，擋門70係沿周向延展之板狀。擋門70包含內表面、及比該內表面更遠離軸線Z之外表面。擋門70的內表面的曲率半徑係與自軸線Z起算之至開口OP為止的距離約略一致。又，擋門70包含端面70t1、一對端面70t2、及端面70t3。端面70t1係擋門70的上端的面，並沿周向延伸，成為朝往上方的面。又，一對端面70t2自端面70t1在周向的兩緣沿鉛直方向延伸，成為與周向交叉的面。又，端面70t3係擋門70的下端的面，並沿周向延伸，成為朝往下方的面。
擋門70的第一部分70a的內周面側形成有溝70g。此溝70g沿周向延展。溝70g嵌入有導電構件72a。此導電構件72a亦可係具有彈性之構件。導電構件72a係由合金(以赫史特合金(註冊商標；HASTELLOY)作為一例)形成。一例之中，導電構件72a形成為以沿周向延伸之弧為中心之螺旋狀。
擋門70的第三部分70c的內周面側形成有溝70h。此溝70h沿周向延展。溝70h嵌入有導電構件72b。此導電構件72b係由合金(以赫史特合金(註冊商標；HASTELLOY)作為一例)形成。一例之中，導電構件72b形成為以沿周向延伸之弧為中心之螺旋狀。
擋門70的第二部分70b的內周面側的兩側形成有一對溝70i。此一對溝70i分別沿鉛直方向延展。一對溝70i分別嵌入有一對導電構件72c。此一對導電構件72c由合金(以赫史特合金(註冊商標；HASTELLOY)作為一例)形成。一例之中，一對導電構件72c形成為以沿鉛直方向延伸之直線為中心之螺旋狀。
作為一例，就擋門70而言已說明以下例：在擋門70之與開口OP對應的區域的周圍分別配置有直線狀的導電構件；但亦能以將擋門70之與開口OP對應的區域加以圍繞之方式，將環狀的導電構件配置至擋門70。又，擋門70的下端部存有：連接部，連結至昇降用的驅動軸80。
圖6概略性顯示利用本發明一實施形態之擋門而將遮蔽構件的開口加以關閉之運作。圖6(a)顯示擋門70位在第一區域之狀態、圖6(b)顯示擋門70位在第二區域之狀態、圖6(c)顯示擋門推抵至遮蔽構件60之狀態。藉由此擋門70而將開口OP加以封閉之際，如圖6(a)、(b)所示，擋門70藉由驅動軸80而從第一區域移動至上方的第二區域。當將擋門70配置在第二區域時，則如圖2所示，擋門70的第二部分70b與開口OP相向。此狀態下，第一部分70a的端面70t1隔著間隙而與遮蔽構件60的端面60p1相向。又，擋門70的一對端面70t2分別隔著間隙而與遮蔽構件60的一對端面60p2相向。又，擋門70的第一部分70a的內周面及第二部分70b在徑向上隔著間隙而與遮蔽構件60的薄壁部60c的外周面60w相向。再者，擋門70的第三部分70c的內周面在徑向上隔著間隙而與遮蔽構件60的下部60b的外周面相向。藉此，在開口OP的上下方及周向的兩側，形成曲徑(labyrinth)構造的間隙。又，擋門70的第一部分70a及第二部分70b之兩側從徑向外側與遮蔽構件60的薄壁部60c的外周面60w相向，且擋門70的第三部分70c從徑向外側與遮蔽構件60的下部60b的外周面相向。
圖6(b)所示之狀態下，如圖6(c)所示，藉由上方驅動軸82及下方驅動軸83而將位在第二區域之擋門70朝往遮蔽構件60推壓。藉此，導電構件72a、72b、及72c分別確實抵接至被接觸面61b、62b、及63b。如上所述，擋門70與遮蔽構件60在導電構件72a、72b、及72c與被接觸面61b、62b、及63b相互抵接，且擋門70與遮蔽構件60遍及開口OP的全周而導通，因此可使擋門70與遮蔽構件60之電性連接穩定化。因此，可抑制電漿處理時等之電漿漏洩，獲得更均勻的電漿空間。
又，依據擋門70，則導電構件72a、72b、及72c耗損之際，可僅更換導電構件72a、72b、及72c。因此，相較於使擋門70全體由赫史特合金(註冊商標；HASTELLOY)等導電構件來構成，可更廉價提供擋門70。
又，開啟開口OP之際，首先使驅動裝置45解除上方驅動軸82及下方驅動軸83所行之擋門70之推壓。然後，使擋門70藉由驅動軸80往下方移動，從第二區域返回第一區域。藉此，開啟開口OP。
如同上述，本發明一態樣之電漿處理裝置10使擋門70藉由驅動裝置40而昇降，且藉由驅動裝置45而相對於遮蔽構件60往前後方向移動。例如於關閉開口OP之情形下，使擋門70藉由驅動裝置40而昇降至與開口OP相向之位置為止。該位置之中，使擋門70藉由驅動裝置45而往與遮蔽構件60接近之方向移動，並推抵於遮蔽構件60。如上所述，藉由具備驅動裝置45而可使擋門70抵接於遮蔽構件60，因此可使擋門70與遮蔽構件60之電性連接穩定化。故，此電漿處理裝置10可形成均勻的電漿空間。
又，驅動裝置40具有：驅動軸80，連接至擋門70的連接部，使擋門70昇降；且下方驅動軸83推壓連接部。因此，相較於推壓連接部以外之情形，則可減少在擋門70與驅動軸80之連接部產生之應力。
又，驅動裝置45具有推壓擋門70之複數個驅動軸(82、83)。因此，相較於一個驅動軸推壓擋門70之情形，則可將擋門70均勻推抵於遮蔽構件60。
又，電漿處理裝置10具備以圍繞開口OP之方式配置在遮蔽構件60之導電構件(61、62、63)。因此，擋門70與遮蔽構件60遍及開口OP的全周而導通，因此可進一步使擋門70與遮蔽構件60之電性連接穩定化。
又，電漿處理裝置具備：導電構件(72a、72b、72c)，以將擋門70之與開口OP對應的區域加以圍繞之方式配置在擋門70。因此，擋門70與遮蔽構件60連延開口OP的全周而導通，因此可進一步使擋門70與遮蔽構件60之電性連接穩定化。
以上，已說明各種實施形態，但不限定於上述實施形態，而可構成各種變形態樣。
例如，驅動裝置40亦可具備複數個驅動軸80。驅動裝置45可僅具備上方驅動軸82及下方驅動軸83中任一者，亦可更具備其他驅動軸。
又，上述實施形態說明以下例：將擋門70收容於劃定在遮蔽構件60的內部之空間；但擋門70亦可構成為配置在遮蔽構件60的外側。此情形下，則無須在擋門70的側面設置用以避免干渉的空隙。
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧處理容器
12a‧‧‧側壁
12b‧‧‧底部
12c‧‧‧頂部
20‧‧‧載置台
22a‧‧‧第一板片
22b‧‧‧第二板片
30‧‧‧排氣裝置
40‧‧‧驅動裝置(第一驅動部)
41‧‧‧驅動電路
45‧‧‧驅動裝置(第二驅動部)
46‧‧‧驅動電路
50‧‧‧氣體導入管
52‧‧‧氣體源
60‧‧‧遮蔽構件
60b‧‧‧下部
60c‧‧‧薄壁部
60d‧‧‧厚壁部
60e、60g‧‧‧緣
60f‧‧‧凸緣部
60i‧‧‧內周面
60m‧‧‧本體
60p1、60p2、60t1、60t2‧‧‧端面
60w‧‧‧外周面
61、62、63‧‧‧導電構件
61b、62b‧‧‧被接觸面
70‧‧‧擋門
70a‧‧‧第一部分
70b‧‧‧第二部分
70c‧‧‧第三部分
70g、70h‧‧‧溝
70i‧‧‧一對溝
70t1~70t3‧‧‧端面
72a、72b、72c‧‧‧導電構件
80‧‧‧驅動軸(昇降用驅動軸)
82‧‧‧上方驅動軸
83‧‧‧下方驅動軸
AP‧‧‧環狀部
BP‧‧‧擋板
CP‧‧‧搬運道
DS‧‧‧直流電源
EF‧‧‧電極膜
ESC‧‧‧靜電夾盤
FR‧‧‧聚焦環
HC、HE‧‧‧加熱器
HP1、HP2‧‧‧加熱器電源
GS‧‧‧氣體供給部
LE‧‧‧下部電極
LP‧‧‧頂推銷
OP‧‧‧開口
PG‧‧‧電漿生成部
PP1、PP2‧‧‧配管
PP3‧‧‧供給管
RC‧‧‧冷媒室
RFG‧‧‧射頻電源
S‧‧‧處理空間
SW‧‧‧開關
TP1、TP2‧‧‧筒狀部
VL‧‧‧排氣道
W‧‧‧晶圓
【圖1】概略性顯示本發明一實施形態之電漿處理裝置。 【圖2】係將一實施形態之遮蔽構件及擋門加以顯示之剖面圖。 【圖3】係一實施形態之遮蔽構件的立體圖。 【圖4】係將圖3所示之遮蔽構件的一部分加以擴大顯示之斷裂立體圖。 【圖5】係本發明一實施形態之擋門的立體圖。 【圖6】(a)~(c)係概略性顯示利用本發明一實施形態之擋門而將遮蔽構件的開口加以關閉之運作。

Claims (6)

  1. 一種電漿處理裝置，用以針對被處理體進行電漿處理，其特徵為具備： 處理容器，具有側壁，且該側壁形成有將被處理體加以搬入搬出用的搬運道； 載置台，設在該處理容器內； 遮蔽構件，以圍繞該載置台之方式沿著該側壁的內表面而設置，且形成有面向於該搬運道之開口； 擋門，該遮蔽構件的開口用，且可昇降； 第一驅動部，使該擋門昇降；以及 第二驅動部，使該擋門相對於該遮蔽構件而往前後方向移動。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中， 該第二驅動部具有將該擋門朝往該遮蔽構件推壓之一個驅動軸。
  3. 如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中， 該第一驅動部具有：昇降用驅動軸，連接至該擋門的連接部，使該擋門昇降； 且該驅動軸推壓該連接部。
  4. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中， 該第二驅動部具有將該擋門朝往該遮蔽構件推壓之複數個驅動軸。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中之任一項之電漿處理裝置，其中，具備： 導電構件，以圍繞該開口之方式配置在該遮蔽構件。
  6. 如申請專利範圍第1~5項中之任一項之電漿處理裝置，其中，具備： 導電構件，以將該擋門之與該開口對應的區域加以圍繞的方式配置在該擋門。
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