CN109119320A - 等离子体处理装置 - Google Patents

等离子体处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109119320A
CN109119320A CN201810642212.8A CN201810642212A CN109119320A CN 109119320 A CN109119320 A CN 109119320A CN 201810642212 A CN201810642212 A CN 201810642212A CN 109119320 A CN109119320 A CN 109119320A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gate
component
screening
processing apparatus
plasma processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810642212.8A
Other languages
English (en)
Inventor
砂金优
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to CN202111261669.2A priority Critical patent/CN113990732A/zh
Publication of CN109119320A publication Critical patent/CN109119320A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够获得均匀的等离子体空间的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：处理容器、载置台、遮护部件、开口用的可升降的闸门、第1驱动部和第2驱动部。处理容器具有侧壁，在该侧壁形成有被处理体的搬入搬出用的输送通路。载置台设置在处理容器内。遮护部件以包围盖载置台的方式沿上述侧壁的内表面设置。在该遮护部件形成有面对输送通路的开口。第1驱动部使闸门升降。第2驱动部使闸门相对于遮护部件在前后方向移动。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及一种等离子体处理装置。
背景技术
在半导体器件等电子器件的制造中，使用等离子体处理装置对被处理体进行等离子体处理。等离子体处理包括利用处理气体的等离子体进行的蚀刻、成膜等各种处理。
等离子体处理中使用的等离子体处理装置，包括划分出等离子体处理空间的处理容器。在该处理容器的侧壁形成有被处理体的搬入搬出用的输送通路。另外，保护处理容器的侧壁内表面的遮护部件(deposit shield，沉积物遮护件)，沿该侧壁内表面设置。为了被处理体的搬入搬出，在该遮护部件上形成有与输送通路相对的开口。而且，能够开闭遮护部件的开口的可升降的闸门，设置于侧壁内表面与遮护部件之间。闸门在关闭遮护部件的开口时仅与遮护部件的接触部接触。接触部是具有导电性的合金。这样的等离子体处理装置例如记载在日本特开2015-95543号公报(专利文献1)中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-95543号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
专利文献1中记载的等离子体处理装置，通过用合金形成闸门与遮护部件的接触部，使闸门与遮护部件的电连接变得稳定。这样的电稳定有助于形成均匀的等离子体空间。但是，专利文献1中记载的等离子体处理装置，从形成更加均匀的等离子体空间的观点出发尚有改善的余地。在本技术领域中，期待形成均匀的等离子体空间的等离子体处理装置。
用于解决课题的方法
在一个方面中，本发明提供一种用于对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：处理容器、载置台、遮护部件、开口用的可升降的闸门、第1驱动部和第2驱动部。处理容器具有侧壁，在该侧壁形成有被处理体的搬入搬出用的输送通路。载置台设置在处理容器内。遮护部件以包围盖载置台的方式沿上述侧壁的内表面设置。在该遮护部件形成有面对输送通路的开口。第1驱动部使闸门升降。第2驱动部使闸门相对于遮护部件在前后方向移动。
在上述一个方面的等离子体处理装置中，闸门通过第1驱动部进行升降，通过第2驱动部相对于遮护部件在前后方向移动。例如在关闭开口的情况下，闸门通过第1驱动部升降至与开口相对的位置。在该位置，闸门通过第2驱动部向靠近遮护部件的方向移动，被按压到遮护部件。像这样，通过具有第2驱动部能够使闸门与遮护部件抵接，所以能够使闸门与遮护部件的电连接变得稳定。由此，等离子体处理装置能够形成均匀的等离子体空间。
在一个实施方式中，第2驱动部可以具有按压闸门的一个驱动轴。根据该实施方式，利用一个驱动轴能够使闸门与遮护部件抵接。
在一个实施方式中，第1驱动部可以具有与闸门的连接部连接的、用于使闸门升降的升降用驱动轴，驱动轴按压连接部。根据该实施方式，与连接部以外被按压的情况相比，能够减小在闸门与升降用驱动轴的连接部产生的应力。
在一个实施方式中，第2驱动部可以具有按压闸门的多个驱动轴。根据该实施方式，与一个驱动轴按压闸门的情况相比，能够均匀地将闸门按压到遮护部件。
在一个实施方式中，等离子体处理装置可以包括以包围开口的方式配置于遮护部件的导电部件。根据该实施方式，能够使闸门与遮护部件的电连接变得更加稳定。
在一个实施方式中，等离子体处理装置可以包括以包围与开口对应的闸门的区域的方式配置于闸门的导电部件。根据该实施方式，能够使闸门与遮护部件的电连接变得更加稳定。
发明效果
如以上说明的那样，提供一种可获得均匀的等离子体空间的等离子体处理装置。
附图说明
图1是概略地表示一个实施方式的等离子体处理装置的图。
图2是表示一个实施方式的遮护部件和闸门的截面图。
图3是一个实施方式的遮护部件的立体图。
图4是将图3所示的遮护部件的一部分放大表示的截断立体图。
图5是一个实施方式的闸门的立体图。
图6是是概略地表示用一个实施方式的闸门关闭遮护件的开口的动作的图。
附图标记说明
10…等离子体处理装置
12…处理容器
20…载置台
40…驱动装置(第1驱动部)
45…驱动装置(第2驱动部)
60…遮护部件
60b…下部
60c…薄壁部
60d…厚壁部
60i…内周面
60m…主体
60w…外周面
61…导电部件
61b…被接触面
62…导电部件
62b…被接触面
63…导电部件
70…闸门
70a…第1部分
70b…第2部分
70c…第3部分
72a…导电部件
72b…导电部件
72c…导电部件
80…驱动轴(升降用驱动轴)
82…上方驱动轴
83…下方驱动轴
OP…开口
W…晶片。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。其中，在各附图中，对同一或者相当的部分标注相同的附图标记。
图1是概率地表示一个实施方式的等离子体处理装置的图。图1中概略地表示等离子体处理装置的纵截面。图1所示的等离子体处理装置10是用于对被处理体(以下称为“晶片W”)进行等离子体处理的装置。
等离子体处理装置10包括处理容器12。处理容器12在其内部划分出处理空间S。等离子体处理装置10，在处理空间S中收纳晶片W，对该晶片W实施等离子体处理。
在一个实施方式中，处理容器12包括：侧壁12a、底部12b和顶部12c。侧壁12a具有大致圆筒形状。该侧壁12a以作为其中心轴线的轴线Z为中心在铅垂方向上延伸。以下，本说明书中有时将轴线Z延伸的方向称为“轴线Z方向”、“铅垂方向”、“上下”。另外，有时将相对于轴线Z辐射方向称为“径向”。而且，有时将沿以轴线Z为中心的圆弧的方向称为“周向”。
在侧壁12a的下端侧设置有底部12b，在该侧壁12a的上端侧设置有顶部12c。另外，在的侧壁12a形成有用于将称为“晶片W”搬入到处理容器12内、从处理容器12的内部将晶片W搬出的输送通路CP。该输送通路CP能够利用闸阀GV进行开闭。
等离子体处理装置10还包括载置台20。载置台20设置在处理容器12内。以包围盖载置台20的方式沿处理容器12的侧壁12a的内表面设置有遮护部件60。遮护部件60是用于防止由等离子体处理产生的反应生成物沉积于侧壁12a的内表面的部件。遮护部件60是大致圆筒形状的部件，其中心轴线与轴线Z大致一致。在该遮护部件60形成有与输送通路CP相对的开口OP(参照图2和图3)。
另外，在处理容器12内设置有遮护部件60的开口用的可升降的闸门70。闸门70通过驱动装置40(第1驱动部)进行升降。
驱动装置40使闸门70沿遮护部件60在上下方向移动。驱动装置40包括驱动轴80(升降用驱动轴)和驱动电路41。驱动轴80的前端与闸门70的连接部连接。驱动电路41对驱动轴80输出控制信号来使驱动轴80移动。驱动轴80根据来自驱动电路41的控制信号使闸门70升降。作为具体的一例，闸门70在晶片W的搬入搬出时等使开口OP对于输送通路CP开放的情况下位于第1区域。另一方面，闸门70在等离子体处理时等将开口OP封闭的情况下位于比第1区域靠上方的第2区域。
而且，闸门70在位于第2区域时通过驱动装置45(第2驱动部)相对于遮护部件60在前后方向移动。驱动装置45使闸门70相对于遮护部件60在前后方向移动。
驱动装置45包括：上方驱动轴82、下方驱动轴83和驱动电路46。上方驱动轴82和下方驱动轴83以位于与遮护部件60的开口OP相对的位置的方式配置。作为更具体的一例，上方驱动轴82和下方驱动轴83配置在输送通路CP内。驱动电路46对上方驱动轴82和下方驱动轴83输出控制信号来使上方驱动轴82和下方驱动轴83移动。上方驱动轴82和下方驱动轴83根据来自驱动电路46的控制信号向开口OP移动。由此，上方驱动轴82和下方驱动轴83将位于第2区域的闸门70向遮护部件60按压。下方驱动轴83可以配置成按压驱动轴80与闸门70的连接部。位于第2区域的闸门70，通过驱动装置45被按压到遮护部件60。对于遮护部件60和闸门70的详情在后面叙述。
载置台20包括下部电极LE和静电吸盘ESC。下部电极LE经由匹配单元MU与高频电源RFG连接。高频电源RFG产生离子引入用的高频电力(高频偏置电力)。静电吸盘ESC设置在下部电极LE上。静电吸盘ESC利用库仑力吸附载置在其上表面的晶片W而保持该晶片W。
在一例中，下部电极LE包括第1板22a和第2板22b。第1板22a是大致圆盘状的部件。另外，第1板22a是导电性的部件，例如由铝构成。该第1板22a由大致筒状的支承部SP1支承。支承部SP1从底部12b向上方延伸，与第1板22a的下表面的周缘区域抵接。该支承部SP1由石英这样的绝缘体构成。
第2板22b设置在第1板22a上。第2板22b是大致圆盘状的部件。另外，第2板22b是导电性的部件，例如由铝构成。该第2板22b与第1板22a导通。
第1板22a经由匹配单元MU与高频电源RFG电连接。高频电源RFG输出适合控制将离子的能量引入到晶片W的一定的频率、例如13.65MHz的高频偏置电力。匹配单元MU收纳用于对高频电源RFG侧的阻抗与主要是电极、等离子体、处理容器12这样的负载侧的阻抗进行匹配的匹配器。该匹配器中包括用于自偏压生成用的阻塞电容器。
在第2板22b的内部设置有制冷剂室RC。对该制冷剂室RC从冷却单元经由配管PP1、PP2以循环的方式供给规定温度的制冷剂、例如冷却水。通过像这样循环的制冷剂，来控制静电吸盘ESC上的晶片W的温度。而且，来自传热气体供给部的传热气体例如He气，经由供给管PP3被供给到静电吸盘ESC的上表面与晶片W的背面之间。
静电吸盘ESC设置在第2板22b的上表面上。静电吸盘ESC具有大致圆盘形状。静电吸盘ESC用静电吸附力保持晶片W。因此，静电吸盘ESC包括被夹在电介质膜之间的电极膜EF。电极膜EF经由开关SW与直流电源DS电连接。静电吸盘ESC能够利用由直流电源DS施加的直流电压产生的库仑力在其上表面吸附晶片W，并保持该晶片W。
另外，在静电吸盘ESC的电介质膜内设置有加热器HC和加热器HE。加热器HC设置于静电吸盘ESC的中央区域。加热器HC与加热器电源HP1连接。加热器电源HP1对加热器HC供给交流电力。加热器HE设置在比加热器HC靠径向外侧的位置。加热器HE与加热器电源HP2连接。加热器电源HP2对加热器HE供给交流电力。
另外，在静电吸盘ESC和下部电极LE形成有在铅垂方向贯通它们的贯通孔，推杆销(pusher pin)LP通过该贯通孔。推杆销LP在晶片W的搬入搬出时上升，在其上端支承晶片W。
另外，在静电吸盘ESC的径向外侧设置有聚焦环FR。聚焦环FR以包围静电吸盘ESC的方式，沿静电吸盘ESC的边缘和晶片W的边缘环状地延伸。聚焦环FR由石英这样的电介质构成。聚焦环FR是为了调节晶片W的边缘的外侧的鞘(sheath)电位而设置的，有助于晶片W的等离子体处理的面内均匀性。
在聚焦环FR的下方设有筒状部TP1。该筒状部TP1由氧化铝这样的绝缘体构成。筒状部TP1具有圆筒形状，沿下部电极LE的外周面延伸。
在筒状部TP1与聚焦环FR之间设有环状部AP。该环状部AP由氧化铝这样的绝缘体构成。环状部AP沿第2板22b的外周面环状地延伸。该环状部AP的上表面与聚焦环FR的下表面接触。另外，环状部AP的下表面与筒状部TP1的上端接触。
在环状部AP的周缘部的下方设有筒状部TP2。筒状部TP2具有大致圆筒形状。该筒状部TP2沿筒状部TP1和支承部SP1的外周延伸。筒状部TP2由具导电性的材料例如铝构成。另外，可以在筒状部TP2的表面形成氧化钇(Y2O3)制的膜。或者，也可以对筒状部TP2的表面实施氧化处理。
从筒状部TP2的外周面和环状部AP的外周面至侧壁12a和遮护部件60之间的空间，成为排气路VL。排气路VL延伸至底部12b，经由安装于该底部12b的排气管与排气装置30连接。排气装置30具有压力调节器、和涡轮分子泵等真空泵。通过使该排气装置30动作，从载置台20的外周经由排气路VL排出气体，另外，能够将处理容器12内的处理空间S减压至期望的真空度。
在铅垂方向上排气路VL的中间，设置有挡板BP。挡板BP是以轴线Z为中心环状地延伸的板状的部件。在该挡板BP形成有多个贯通孔。这些贯通孔在铅垂方向上贯通挡板BP。该挡板BP的内侧缘部设置于筒状部TP2与环状部AP之间。另外，挡板BP的外侧缘部被遮护部件60支承。
另外，等离子体处理装置10还包括等离子体生成部PG和气体供给部GS。等离子体生成部PG将用于使从气体供给部GS供给的气体激励的能量导入到处理容器12内。在一个实施方式中，等离子体生成部PG设置于顶部12c。在一例中，等离子体生成部PG将微波导入到处理容器12内。等离子体生成部PG可以为电容耦合型的等离子体源。在这种情况下，等离子体生成部PG可以为上部电极。在等离子体生成部PG为上部电极的情况下，产生等离子体生成用的高频电力的高频电源，可与上部电极和下部电极LE中的一者连接。或者，等离子体生成部PG可以为感应耦合型的等离子体源。或者，等离子体生成部PG可以为的微波供给部。
气体供给部GS对处理容器12内供给气体。该气体被由等离子体生成部PG给予的能量激励，利用激励后的气体进行等离子体处理。在一例中，如图1所示，气体供给部GS具有气体导入管50。气体导入管50从处理容器12的外部延伸至内部。气体导入管50与气体源52连接。气体源52将与对晶片W进行的等离子体处理相应的气体以进行了流量控制的状态进行供给。另外，气体供给部GS并不限定于图1所示的方式。例如，气体供给部GS可以替代气体导入管50或者在其基础上从顶部12c供给气体。另外，在等离子体生成部PG为上部电极的情况下，气体供给部GS也可以为由上部电极构成的喷头。
以下对于遮护部件60和闸门70的详情进行说明。图2是表示一个实施方式的遮护部件和闸门的截面图，表示闸门位于第2区域而封闭遮护部件的开口的状态。图3是一个实施方式的遮护部件的立体图，图4是将图3所示的遮护部件的一部分放大表示的截断立体图。图5是一个实施方式的闸门的立体图。
如图3所示，遮护部件60具有主体60m。主体60m具有大致圆筒形状，如图1所示，以其中心轴线与轴线Z大致一致的方式设置于侧壁12a。主体60m例如由铝构成。在主体60m的表面可以形成氧化钇(Y2O3)膜，或者实施氧化处理。
在一个实施方式中，如图2、图3和图4所示，主体60m包括凸缘部60f。凸缘部60f构成主体60m的最上部。凸缘部60f将主体60m的外径在该主体60m的最上部扩大。该凸缘部60f如图2所示，由侧壁12a支承。具体来说，侧壁12a包括可上下分离的两个部件，在该两个部件之间夹持凸缘部60f。
另外，主体60m如图2、图3和图4所示，包括下部60b。下部60b构成主体60m的最下部。下部60b在高度方向、即轴线Z延伸的方向(以下称为“轴线Z方向”)具有规定的厚度。
在主体60m形成有开口OP。该开口OP如图2所示，以面对输送通路CP的方式设置。如图2、图3和图4所示，主体60m包括从上方和周方向的两侧包围盖开口OP的薄壁部60c。另外，主体60m包括在薄壁部60c的上侧和周方向的两侧构成主体60m的厚壁部60d。该薄壁部60c的径方向的厚度比厚壁部60d的该径方向的厚度薄，与下部60b的该径方向的厚度相同。另外，薄壁部60c的内周面、厚壁部60d和下部60b的内周面连续，构成主体60m的内周面60i。薄壁部60c的外周面60w、和下部60b的外周面连续。薄壁部60c的外周面60w比厚壁部60d的外周面更靠近轴线Z。
薄壁部60c具有端面60t1和一对的端面60t2。端面60t1在开口OP的上方在周向延伸，是朝向下方的面。另外，一对的端面60t2从端面60t1的周方向的两缘在铅垂方向延伸，是与周向交叉的面。作为这些端面60t1、60t2与薄壁部60c的外周面60w之间的边界的缘60e，以从上方划分出开口OP的方式在周向上延伸，另外，以从周向的两侧划分出开口OP的方式在铅垂方向上延伸。另外，开口OP由下部60b的缘60g从下方划分出。该缘60g构成下部60b的外周面的上缘。
如图4所示，厚壁部60d具有端面60p1和一对的端面60p2。端面60p1是在周向延伸的面，是朝向下方的面。端面60p1在比端面60t1靠上方且在径向外侧延伸。另外，一对的端面60p2从端面60p1的周方向的两缘在铅垂方向延伸，是与周向交叉的面。一对的端面60p2比一对的端面60t2在周向上远离开口OP，另外，比一对的端面60t2更向径向外侧延伸。
下部60b的外周面位于与薄壁部60c的外周面60w相同的周面。即，下部60b的外周面距轴线Z的距离，与薄壁部60c的外周面60w距轴线Z的距离相同。该下部60b的外周面、薄壁部60c的外周面60w、和厚壁部60d的端面60p1、60p2，划分出收纳闸门70的空间。
另外，如图2和图4所示，同样，在薄壁部60c的外周面60w分别形成有在周向上延伸的槽和一对的轴线Z方向上延伸的槽。在周向上延伸的槽的槽内，嵌入导电部件61。在轴线Z方向上延伸的槽的槽内，嵌入导电部件63。这些导电部件61、63的外周面构成被接触面61b、63b。另外，导电部件61、63能够螺钉固定于薄壁部60c。即，导电部件61、63能够从薄壁部60c卸下。导电部件61、63由例如合金(作为一例，哈斯特洛伊耐蚀镍基合金(注册商标))形成。
同样，在下部60b的外周面形成有在周向上延伸的槽。在该槽内嵌入导电部件62。这些导电部件62的外周面构成被接触面62b。另外，导电部件62能够螺钉固定于下部60b。即，导电部件62能够从下部60b卸下。导电部件62由例如合金(作为一例，哈斯特洛伊耐蚀镍基合金(注册商标))形成。
如图2所示，闸门70具有第1部分70a、第2部分70b和第3部分70c。第2部分70b是当闸门70封闭开口OP时与该开口OP相对的部分。闸门70例如由铝构成。可以在闸门70的表面形成氧化钇(Y2O3)制的膜。或者，也可以对闸门70的表面实施氧化处理。
如图2和图5所示，闸门70呈在周向上延伸的板状。
闸门70包括内表面、和比该内表面远离轴线Z的外表面。闸门70的内表面的曲率半径与从轴线Z至开口OP的距离大致一致。另外，闸门70包括端面70t1、一对的端面70t2和端面70t3。端面70t1是闸门70的上端的面，在周向延伸，是朝向上方的面。另外，一对的端面70t2从端面70t1的周方向的两缘在铅垂方向延伸，是与周向交叉的面。另外，端面70t3是闸门70的下端的面，在周向延伸，是朝向下方的面。
在闸门70的第1部分70a的内周面侧形成有槽70g。该槽70g在周向上延伸。在该槽70g嵌入导电部件72a。
该导电部件72a可以为具有弹性的部件。导电部件72a由例如合金(作为一例，哈斯特洛伊耐蚀镍基合金(注册商标))形成。在一例中，导电部件72a形成为以在周向上延伸的弧为中心的螺旋状。
在闸门70的第3部分70c的内周面侧形成有槽70h。该槽70h在周向上延伸。在该槽70h嵌入导电部件72b。
该导电部件72b由例如合金(作为一例，哈斯特洛伊耐蚀镍基合金(注册商标))形成。在一例中，导电部件72b形成为以在周向上延伸的弧为中心的螺旋状。
在闸门70的第2部分70b的内周面侧的两侧形成有一对槽70i。该一对槽70i分别在铅垂方向上延伸。在该一对槽70i分别嵌入一对导电部件72c。该一对的导电部件72c由例如合金(作为一例，哈斯特洛伊耐蚀镍基合金(注册商标))形成。在一例中，一对导电部件72c形成为以在铅垂方向上延伸的直线为中心的螺旋状。
作为一例，对在闸门70上，在与开口OP对应的闸门70的区域的周围分别配置有直线状的导电部件的例子进行了说明，但也可以在闸门70上以包围与开口OP对应的闸门70区域的方式配置环状的导电部件。另外，在闸门70的下端部存在与升降用的驱动轴80连结的连接部。
图6是概略地表示用一个实施方式的闸门关闭遮护件的开口的动作的图。图6的(a)表示闸门70位于第1区域的状态，图6的(b)表示闸门70位于第2区域的状态，图6的(c)表示闸门被按压到遮护部件60的状态。在利用所述闸门70封闭开口OP时，如图6的(a)、(b)所示，闸门70通过驱动轴80从第1区域移动到上方的第2区域。当闸门70配置于第2区域中时，如图2所示，闸门70的第2部分70b与开口OP相对。在该状态下，第1部分70a的端面70t1空出间隙与遮护部件60的端面60p1相对。另外，闸门70的一对的端面70t2分别空出间隙与遮护部件60的一对的端面60p2相对。另外，闸门70的第1部分70a的内周面和第2部分70b，在径向上空出间隙与遮护部件60的薄壁部60c的外周面60w相对。而且，闸门70的第3部分70c的内周面，在径向上空出间隙与遮护部件60的下部60b的外周面相对。由此，在开口OP的上下方和周方向的两侧，形成迷宫结构的间隙。另外，闸门70的第1部分70a和第2部分70b的两侧从径向外侧与遮护部件60的薄壁部60c的外周面60w相对，闸门70的第3部分70c从径向外侧与遮护部件60的下部60b的外周面相对。
在图6的(b)所示的状态下，如图6的(c)所示，利用上方驱动轴82和下方驱动轴83将位于第2区域的闸门70向遮护部件60按压。由此，导电部件72a、72b和72c分别可靠地与被接触面61b、62b和63b抵接。像这样，闸门70和遮护部件60，在导电部件72a、72b、72c和被接触面61b、62b、63b彼此抵接，闸门70和遮护部件60遍及开口OP的整周导通，所以能够使闸门70与遮护部件60的电连接变得稳定。因此，能够抑制等离子体处理时的等离子体泄露，能够获得更加均匀的等离子体空间。
另外，根据闸门70，在导电部件72a、72b和72c消耗掉时，能够仅更换导电部件72a、72b和72c。因此，与闸门70的整体由哈斯特洛伊耐蚀镍基合金(注册商标)等导电部件构成相比，能够廉价地提供闸门70。
另外，在打开开口OP时，首先，驱动装置45解除利用上方驱动轴82和下方驱动轴83进行的闸门70的按压。然后，闸门70通过驱动轴80向下方移动，从第2区域返回第1区域。由此，将开口OP打开。
如上所述，本公开的一个方面的等离子体处理装置10中，闸门70通过驱动装置40升降，通过驱动装置45相对于遮护部件60在前后方向移动。例如在关闭开口OP的情况下，闸门70通过驱动装置40升降至与开口OP相对的位置。在该位置，闸门70通过驱动装置45向靠近遮护部件60的方向移动，被按压到遮护部件60。像这样，通过具有驱动装置45能够使闸门70与遮护部件60抵接，所以能够使闸门70与遮护部件60的电连接变得稳定。由此，等离子体处理装置10能够形成均匀的等离子体空间。
另外，驱动装置40具有与闸门70的连接部连接的用于使闸门70升降的驱动轴80，下方驱动轴83按压连接部。因此，与连接部以外被按压的情况相比，能够减小在闸门70与驱动轴80的连接部产生的应力。
另外，驱动装置45具有按压闸门70的多个驱动轴(82、83)。因此，与一个驱动轴按压闸门70的情况相比，能够均匀地将闸门70按压到遮护部件60。
另外，等离子体处理装置10包括以包围开口OP的方式配置于遮护部件60的导电部件(61、62、63)。因此，闸门70与遮护部件60遍及开口OP的整周导通，所以能够使闸门70与遮护部件60的电连接变得更加稳定。
另外，等离子体处理装置包括以包围与开口OP对应的闸门70的区域的方式配置于闸门70的导电部件(70a、70b、70c)。因此，闸门70与遮护部件60遍及开口OP的整周导通，所以能够使闸门70与遮护部件60的电连接变得更加稳定。
以上，对各实施方式进行了说明，但是不限于上述实施方式，能够构成各种变形实施方式。
例如，驱动装置40可以具有多个驱动轴80。驱动装置45可以仅安装于上方驱动轴82和下方驱动轴83的任一者，也可以还具有别的驱动轴。
另外，上述实施方式中，对闸门70被收纳于在遮护部件60的内部划分出的空间的例子进行了说明，但闸门70也可以配置于遮护部件60的外侧。这种情况下，不需要在闸门70的侧面设置用于避免干扰的间隙。

Claims (6)

1.一种用于对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，包括：
具有侧壁的处理容器，该侧壁形成有被处理体的搬入搬出用的输送通路；
设置于所述处理容器内的载置台；
以包围所述载置台的方式沿所述侧壁的内表面设置的遮护部件，其形成有面对所述输送通路的开口；
所述遮护部件的开口用的可升降的闸门；
使所述闸门升降的第1驱动部；和
使所述闸门相对于所述遮护部件在前后方向移动的第2驱动部。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第2驱动部具有将所述闸门向所述遮护部件按压的一个驱动轴。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第1驱动部具有与所述闸门的连接部连接的用于使所述闸门升降的升降用驱动轴，
所述驱动轴按压所述连接部。
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第2驱动部具有将所述闸门向所述遮护部件按压的多个驱动轴。
5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
包括以包围所述开口的方式配置于所述遮护部件的导电部件。
6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
包括以包围与所述开口对应的所述闸门的区域的方式配置于所述闸门的导电部件。
CN201810642212.8A 2017-06-23 2018-06-21 等离子体处理装置 Pending CN109119320A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111261669.2A CN113990732A (zh) 2017-06-23 2018-06-21 等离子体处理装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017122877A JP6902409B2 (ja) 2017-06-23 2017-06-23 プラズマ処理装置
JP2017-122877 2017-06-23

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111261669.2A Division CN113990732A (zh) 2017-06-23 2018-06-21 等离子体处理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109119320A true CN109119320A (zh) 2019-01-01

Family

ID=64692704

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810642212.8A Pending CN109119320A (zh) 2017-06-23 2018-06-21 等离子体处理装置
CN202111261669.2A Pending CN113990732A (zh) 2017-06-23 2018-06-21 等离子体处理装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111261669.2A Pending CN113990732A (zh) 2017-06-23 2018-06-21 等离子体处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11367595B2 (zh)
JP (1) JP6902409B2 (zh)
KR (1) KR102496831B1 (zh)
CN (2) CN109119320A (zh)
TW (1) TWI782043B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113042461A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 韩国机械研究院 等离子体清洗装置和具有该装置的半导体加工器械

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10636629B2 (en) 2017-10-05 2020-04-28 Applied Materials, Inc. Split slit liner door
CN208835019U (zh) * 2018-11-12 2019-05-07 江苏鲁汶仪器有限公司 一种反应腔内衬
US20220165553A1 (en) * 2020-11-20 2022-05-26 Applied Materials, Inc. L-motion slit door for substrate processing chamber
CN115110040B (zh) * 2022-06-20 2024-05-14 北京维开科技有限公司 一种独立双腔室电子束蒸发镀膜设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1892980A (zh) * 2005-07-01 2007-01-10 应用材料公司 室隔离阀rf接地
CN101809724A (zh) * 2007-09-29 2010-08-18 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN101842514A (zh) * 2007-11-01 2010-09-22 应用材料股份有限公司 用以密封工艺腔室的开口的方法与装置
CN104514891A (zh) * 2013-09-30 2015-04-15 东京毅力科创株式会社 闸阀和基板处理装置
US20150129129A1 (en) * 2013-11-12 2015-05-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN105632974A (zh) * 2014-11-21 2016-06-01 系统科技公司 具有防涡流门扇的基板处理装置及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6192827B1 (en) * 1998-07-03 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Double slit-valve doors for plasma processing
JP4547119B2 (ja) * 1999-06-02 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP3425938B2 (ja) * 2000-12-14 2003-07-14 入江工研株式会社 ゲート弁
JP2006526125A (ja) * 2003-05-13 2006-11-16 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 処理チャンバの開口を封止するための方法および装置
JP4426343B2 (ja) * 2004-03-08 2010-03-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2009109006A (ja) * 2007-10-10 2009-05-21 Tokyo Electron Ltd ゲートバルブ及びそれを用いた基板処理装置
JP5044366B2 (ja) * 2007-11-02 2012-10-10 株式会社ブイテックス 真空ゲートバルブおよびこれを使用したゲート開閉方法
US20090197015A1 (en) * 2007-12-25 2009-08-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling plasma uniformity
JP4918147B2 (ja) * 2010-03-04 2012-04-18 キヤノンアネルバ株式会社 エッチング方法
JP6034156B2 (ja) * 2011-12-05 2016-11-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6216619B2 (ja) 2013-11-12 2017-10-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6298293B2 (ja) * 2013-12-27 2018-03-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、シャッタ機構およびプラズマ処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1892980A (zh) * 2005-07-01 2007-01-10 应用材料公司 室隔离阀rf接地
CN101809724A (zh) * 2007-09-29 2010-08-18 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN101842514A (zh) * 2007-11-01 2010-09-22 应用材料股份有限公司 用以密封工艺腔室的开口的方法与装置
CN104514891A (zh) * 2013-09-30 2015-04-15 东京毅力科创株式会社 闸阀和基板处理装置
US20150129129A1 (en) * 2013-11-12 2015-05-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN105632974A (zh) * 2014-11-21 2016-06-01 系统科技公司 具有防涡流门扇的基板处理装置及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113042461A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 韩国机械研究院 等离子体清洗装置和具有该装置的半导体加工器械
CN113042461B (zh) * 2019-12-27 2023-03-10 韩国机械研究院 等离子体清洗装置和具有该装置的半导体加工器械
US11643722B2 (en) 2019-12-27 2023-05-09 Korea Institute Of Machinery & Materials Plasma cleaning apparatus and semiconductor process equipment with the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20180374722A1 (en) 2018-12-27
JP2019009251A (ja) 2019-01-17
US11367595B2 (en) 2022-06-21
TW201922061A (zh) 2019-06-01
TWI782043B (zh) 2022-11-01
KR20190000798A (ko) 2019-01-03
JP6902409B2 (ja) 2021-07-14
KR102496831B1 (ko) 2023-02-07
CN113990732A (zh) 2022-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109119320A (zh) 等离子体处理装置
KR102092096B1 (ko) 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법
US20200312681A1 (en) Substrate processing apparatus
US7895970B2 (en) Structure for plasma processing chamber, plasma processing chamber, plasma processing apparatus, and plasma processing chamber component
US8058186B2 (en) Components for substrate processing apparatus and manufacturing method thereof
KR101672856B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
US10410902B2 (en) Plasma processing apparatus
JP4777790B2 (ja) プラズマ処理室用構造物、プラズマ処理室、及びプラズマ処理装置
US20200105505A1 (en) Plasma processing apparatus and cleaning method
JP4615464B2 (ja) プラズマ処理装置用電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置
JP5982206B2 (ja) 下部電極、及びプラズマ処理装置
KR20100020927A (ko) 포커스 링, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US20150132967A1 (en) Method of processing substrate and substrate processing apparatus
US20080216957A1 (en) Plasma processing apparatus, cleaning method thereof, control program and computer storage medium
KR102278074B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230238225A1 (en) Attracting method
JP6216619B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2022024265A (ja) 基板離脱方法及びプラズマ処理装置
JP7097758B2 (ja) シャワーヘッドおよびプラズマ処理装置
KR20220009335A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR102378780B1 (ko) 기판 처리 장치
US20230238219A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20230012978A (ko) 플라스마 처리 장치 및 처리 방법
KR20220160490A (ko) 클리닝을 제어하는 방법 및 플라스마 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190101

RJ01 Rejection of invention patent application after publication