KR102496831B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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KR102496831B1
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마사루 이사고
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

균일한 플라즈마 공간이 얻어지는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 배치대, 실드 부재, 개구용의 승강 가능한 셔터, 제 1 구동부 및 제 2 구동부를 구비한다. 처리 용기는 측벽을 가지고 있으며, 당해 측벽에는 피처리체의 반입반출용의 반송로가 형성되어 있다. 배치대는 처리 용기 내에 마련되어 있다. 실드 부재는, 배치대를 둘러싸도록 상기 측벽의 내면을 따라 마련되어 있다. 실드 부재에는 반송로에 면하는 개구가 형성되어 있다. 제 1 구동부는 셔터를 승강시킨다. 제 2 구동부는 셔터를 실드 부재에 대하여 전후 방향으로 이동시킨다.

Description

플라즈마 처리 장치 {PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 개시는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스와 같은 전자 디바이스의 제조에 있어서는, 플라즈마 처리 장치를 이용하여 피처리체에 대하여 플라즈마 처리가 행해진다. 플라즈마 처리는, 처리 가스의 플라즈마에 의한 에칭 또는 성막과 같은 다양한 처리를 포함한다.
플라즈마 처리에 이용되는 플라즈마 처리 장치는, 플라즈마 처리 공간을 구획 형성하는 처리 용기를 구비하고 있다. 이 처리 용기의 측벽에는, 피처리체의 반입반출용의 반송로가 형성되어 있다. 또한, 처리 용기의 측벽 내면을 보호하는 실드 부재(퇴적 실드)가, 당해 측벽 내면을 따라 마련되어 있다. 이 실드 부재에는, 피처리체의 반입반출을 위하여, 반송로에 대면하는 개구가 형성되어 있다. 또한, 실드 부재의 개구를 개폐하도록 승강 가능한 셔터가, 측벽 내면과 실드 부재와의 사이에 마련되어 있다. 셔터는, 실드 부재의 개구를 폐쇄할 때에, 실드 부재의 접촉부에만 접한다. 접촉부는 도전성을 가지는 합금이다. 이와 같은 플라즈마 처리 장치는, 예를 들면, 일본특허공개공보 2015-095543호(특허 문헌 1)에 기재되어 있다.
일본특허공개공보 2015-095543호
특허 문헌 1 기재의 플라즈마 처리 장치는, 셔터와 실드 부재의 접촉부를 합금으로 형성함으로써, 셔터와 실드 부재의 전기적인 접속을 안정화시키고 있다. 이와 같은 전기적인 안정은, 균일한 플라즈마 공간을 형성하는 것에 기여한다. 그러나, 특허 문헌 1 기재의 플라즈마 처리 장치는, 보다 균일한 플라즈마 공간을 형성한다고 하는 관점에서 개선의 여지가 있다. 본 기술 분야에서는, 균일한 플라즈마 공간을 형성하는 플라즈마 처리 장치가 요망되고 있다.
일측면에 있어서는, 피처리체에 플라즈마 처리를 행하기 위한 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 이 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 배치대, 실드 부재, 개구용의 승강 가능한 셔터, 제 1 구동부 및 제 2 구동부를 구비한다. 처리 용기는 측벽을 가지고 있으며, 당해 측벽에는 피처리체의 반입반출용의 반송로가 형성되어 있다. 배치대는 처리 용기 내에 마련되어 있다. 실드 부재는, 배치대를 둘러싸도록 상기 측벽의 내면을 따라 마련되어 있다. 실드 부재에는 반송로에 면하는 개구가 형성되어 있다. 제 1 구동부는 셔터를 승강시킨다. 제 2 구동부는 셔터를 실드 부재에 대하여 전후 방향으로 이동시킨다.
상기 일측면에 따른 플라즈마 처리 장치에서는, 셔터는, 제 1 구동부에 의해 승강하고, 제 2 구동부에 의해 실드 부재에 대하여 전후 방향으로 이동한다. 예를 들면 개구를 폐쇄로 하는 경우, 셔터는 제 1 구동부에 의해 개구와 대향하는 위치까지 승강한다. 당해 위치에 있어서, 셔터는 제 2 구동부에 의해 실드 부재와 근접하는 방향으로 이동하여, 실드 부재에 꽉 눌려진다. 이와 같이, 제 2 구동부를 구비함으로써 셔터를 실드 부재에 접촉시킬 수 있기 때문에, 셔터와 실드 부재의 전기적인 접속을 안정화시킬 수 있다. 따라서, 이 플라즈마 처리 장치는, 균일한 플라즈마 공간을 형성할 수 있다.
일실시 형태에 있어서는, 제 2 구동부는, 셔터를 누르는 1 개의 구동축을 가져도 된다. 이 실시 형태에 의하면, 1 개의 구동축에 의해 셔터를 실드 부재에 접촉시킬 수 있다.
일실시 형태에 있어서는, 제 1 구동부는, 셔터의 접속부에 접속되어 셔터를 승강시키는 승강용 구동축을 가지고, 구동축은 접속부를 눌러도 된다. 이 실시 형태에 의하면, 접속부 이외가 눌려지는 경우에 비해, 셔터와 승강용 구동축의 접속부에 있어서 발생하는 응력을 작게 할 수 있다.
일실시 형태에 있어서는, 제 2 구동부는, 셔터를 누르는 복수의 구동축을 가져도 된다. 이 실시 형태에 의하면, 1 개의 구동축이 셔터를 누르는 경우에 비해, 셔터를 실드 부재에 균일하게 꽉 누를 수 있다.
일실시 형태에 있어서는, 플라즈마 처리 장치는, 개구를 둘러싸도록 실드 부재에 배치된 도전 부재를 구비해도 된다. 이 실시 형태에 의하면, 셔터와 실드 부재의 전기적인 접속을 한층 안정화시킬 수 있다.
일실시 형태에 있어서는, 플라즈마 처리 장치는, 개구에 대응하는 셔터의 영역을 둘러싸도록 셔터에 배치된 도전 부재를 구비해도 된다. 이 실시 형태에 의하면, 셔터와 실드 부재의 전기적인 접속을 한층 안정화시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 균일한 플라즈마 공간이 얻어지는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.
도 1은 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도이다.
도 2는 일실시 형태에 따른 실드 부재 및 셔터를 나타내는 단면도이다.
도 3은 일실시 형태에 따른 실드 부재의 사시도이다.
도 4는 도 3에 나타내는 실드 부재의 일부를 확대하여 나타내는 파단 사시도이다.
도 5는 일실시 형태에 따른 셔터의 사시도이다.
도 6은 일실시 형태에 따른 셔터로 실드 부재의 개구를 폐쇄하는 동작을 개략적으로 나타내는 도이다.
이하, 도면을 참조하여 다양한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당한 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 한다.
도 1은, 일실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도이다. 도 1에 있어서는, 플라즈마 처리 장치의 종단면이 개략적으로 나타나 있다. 도 1에 나타내는 플라즈마 처리 장치(10)는, 피처리체(이하, '웨이퍼(W)'라고 함)에 플라즈마 처리를 행하기 위한 장치이다.
플라즈마 처리 장치(10)는 처리 용기(12)를 구비하고 있다. 처리 용기(12)는, 그 내부에 있어서 처리 공간(S)을 구획 형성하고 있다. 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 처리 공간(S)에 웨이퍼(W)가 수용되고, 당해 웨이퍼(W)에 대한 플라즈마 처리가 실시된다.
일실시 형태에 있어서, 처리 용기(12)는, 측벽(12a), 바닥부(12b) 및 천장부(12c)를 포함하고 있다. 측벽(12a)은 대략 원통 형상을 가지고 있다. 이 측벽(12a)은, 그 중심 축선인 축선(Z)을 중심으로 하여 연직 방향으로 연장되어 있다. 이하, 본 명세서에서는, 축선(Z)이 연장되는 방향을, '축선(Z) 방향', '연직 방향', '상하'라고 하는 경우가 있다. 또한, 축선(Z)에 대하여 방사 방향을 '직경 방향'이라고 하는 경우가 있다. 또한, 축선(Z)을 중심으로 하는 호를 따른 방향을 '둘레 방향'이라고 하는 경우가 있다.
측벽(12a)의 하단측에는 바닥부(12b)가 마련되어 있으며, 당해 측벽(12a)의 상단측에는 천장부(12c)가 마련되어 있다. 또한, 측벽(12a)에는, 웨이퍼(W)를 처리 용기(12) 내에 반입하고, 처리 용기(12)의 내부로부터 웨이퍼(W)를 반출하기 위한 반송로(CP)가 형성되어 있다. 이 반송로(CP)는, 게이트 밸브(GV)에 의해 개폐하는 것이 가능하게 되어 있다.
플라즈마 처리 장치(10)는 배치대(20)를 더 구비하고 있다. 배치대(20)는 처리 용기(12) 내에 마련되어 있다. 이 배치대(20)를 둘러싸도록, 처리 용기(12)의 측벽(12a)의 내면을 따라 실드 부재(60)가 마련되어 있다. 실드 부재(60)는, 플라즈마 처리에 의해 발생하는 반응 생성물이 측벽(12a)의 내면에 퇴적되는 것을 방지하기 위한 부재이다. 실드 부재(60)는, 대략 원통 형상의 부재이며, 그 중심 축선은 축선(Z)에 대략 일치하고 있다. 이 실드 부재(60)에는, 반송로(CP)에 대면하는 개구(OP)(도 2 및 도 3 참조)가 형성되어 있다.
또한, 처리 용기(12) 내에는, 실드 부재(60)의 개구용의 승강 가능한 셔터(70)가 마련되어 있다. 셔터(70)는 구동 장치(40)(제 1 구동부)에 의해 승강된다.
구동 장치(40)는, 실드 부재(60)를 따라 셔터(70)를 상하 방향으로 이동시킨다. 구동 장치(40)는, 구동축(80)(승강용 구동축)과 구동 회로(41)를 구비한다. 구동축(80)은 그 선단이 셔터(70)의 접속부에 접속된다. 구동 회로(41)는, 구동축(80)에 제어 신호를 출력하여 구동축(80)을 이동시킨다. 구동축(80)은, 구동 회로(41)로부터의 제어 신호에 의해 셔터(70)를 승강시킨다. 구체적인 일례로서, 셔터(70)는, 웨이퍼(W)의 반입반출 시 등, 개구(OP)를 반송로(CP)에 대하여 개방하는 경우에는, 제 1 영역에 위치한다. 한편, 셔터(70)는, 플라즈마 처리 시 등, 개구(OP)를 폐쇄하는 경우에는, 제 1 영역보다 상방의 제 2 영역에 위치한다.
또한, 셔터(70)는, 제 2 영역에 위치하였을 때에, 구동 장치(45)(제 2 구동부)에 의해 실드 부재(60)에 대하여 전후 방향으로 이동한다. 구동 장치(45)는, 셔터(70)를 실드 부재(60)에 대하여 전후 방향으로 이동시킨다.
구동 장치(45)는, 상방 구동축(82)과 하방 구동축(83)과 구동 회로(46)를 구비한다. 상방 구동축(82) 및 하방 구동축(83)은, 실드 부재(60)의 개구(OP)에 대향한 위치에 배치된다. 보다 구체적인 일례로서, 상방 구동축(82)과 하방 구동축(83)은, 반송로(CP) 내에 배치된다. 구동 회로(46)는, 상방 구동축(82) 및 하방 구동축(83)에 제어 신호를 출력하여 상방 구동축(82) 및 하방 구동축(83)을 이동시킨다. 상방 구동축(82) 및 하방 구동축(83)은, 구동 회로(46)로부터의 제어 신호에 의해, 개구(OP)를 향해 이동한다. 이에 따라, 상방 구동축(82) 및 하방 구동축(83)은, 제 2 영역에 위치한 셔터(70)를 실드 부재(60)를 향해 누른다. 하방 구동축(83)은, 구동축(80)과 셔터(70)의 접속부를 누르도록 배치되어도 된다. 제 2 영역에 위치한 셔터(70)는, 구동 장치(45)에 의해 실드 부재(60)에 꽉 눌려진다. 실드 부재(60) 및 셔터(70)의 상세에 대해서는 후술한다.
배치대(20)는, 하부 전극(LE) 및 정전 척(ESC)을 포함하고 있다. 하부 전극(LE)은, 매칭 유닛(MU)을 개재하여, 고주파 전원(RFG)에 접속되어 있다. 고주파 전원(RFG)은, 이온 인입용의 고주파 전력(고주파 바이어스 전력)을 발생시킨다. 정전 척(ESC)은 하부 전극(LE) 상에 마련되어 있다. 정전 척(ESC)은, 그 상면에 배치된 웨이퍼(W)를 쿨롱력에 의해 흡착하여, 당해 웨이퍼(W)를 유지한다.
일례에 있어서, 하부 전극(LE)은, 제 1 플레이트(22a) 및 제 2 플레이트(22b)를 포함하고 있다. 제 1 플레이트(22a)는 대략 원반 형상의 부재이다. 또한, 제 1 플레이트(22a)는, 도전성의 부재이며, 예를 들면 알루미늄으로 구성되어 있다. 이 제 1 플레이트(22a)는, 대략 통 형상의 지지부(SP1)에 의해 지지되어 있다. 지지부(SP1)는, 바닥부(12b)로부터 상방으로 연장되어 있으며, 제 1 플레이트(22a)의 하면의 주연 영역에 접촉하고 있다. 이 지지부(SP1)는 석영과 같은 절연체로 구성되어 있다.
제 2 플레이트(22b)는 제 1 플레이트(22a) 상에 마련되어 있다. 제 2 플레이트(22b)는 대략 원반 형상의 부재이다. 또한, 제 2 플레이트(22b)는, 도전성의 부재이며, 예를 들면 알루미늄으로 구성되어 있다. 이 제 2 플레이트(22b)는 제 1 플레이트(22a)에 도통하고 있다.
제 1 플레이트(22a)에는, 매칭 유닛(MU)을 개재하여 고주파 전원(RFG)이 전기적으로 접속되어 있다. 고주파 전원(RFG)은, 웨이퍼(W)에 인입하는 이온의 에너지를 제어하는데 적합한 일정한 주파수, 예를 들면 13.65 MHz의 고주파 바이어스 전력을 출력한다. 매칭 유닛(MU)은, 고주파 전원(RFG)측의 임피던스와, 주로 전극, 플라즈마, 처리 용기(12)와 같은 부하측의 임피던스와의 사이에서 정합을 취하기 위한 정합기를 수용하고 있다. 이 정합기 내에 자기 바이어스 생성용의 블로킹 콘덴서가 포함되어 있다.
제 2 플레이트(22b)의 내부에는 냉매실(RC)이 마련되어 있다. 이 냉매실(RC)에는, 칠러 유닛으로부터 배관(PP1, PP2)을 통하여 정해진 온도의 냉매, 예를 들면 냉각수가 순환하도록 공급된다. 이와 같이 순환되는 냉매에 의해, 정전 척(ESC) 상의 웨이퍼(W)의 온도가 제어될 수 있다. 또한, 전열 가스 공급부로부터의 전열 가스, 예를 들면, He 가스가 공급관(PP3)을 통하여 정전 척(ESC)의 상면과 웨이퍼(W)의 이면과의 사이에 공급된다.
정전 척(ESC)은 제 2 플레이트(22b)의 상면 상에 마련되어 있다. 정전 척(ESC)은 대략 원반 형상을 가지고 있다. 정전 척(ESC)은 웨이퍼(W)를 정전 흡착력으로 유지한다. 이 때문에 정전 척(ESC)은, 유전체 막의 사이에 개재된 전극막(EF)을 포함하고 있다. 전극막(EF)에는, 직류 전원(DS)이 스위치(SW)를 개재하여 전기적으로 접속되어 있다. 정전 척(ESC)은, 직류 전원(DS)으로부터 인가되는 직류 전압에 의해 발생되는 쿨롱력에 의해, 그 상면에 웨이퍼(W)를 흡착하여, 당해 웨이퍼(W)를 유지할 수 있다.
또한, 정전 척(ESC)의 유전체 막 내에는, 히터(HC) 및 히터(HE)가 마련되어 있다. 히터(HC)는 정전 척(ESC)의 중앙 영역에 마련되어 있다. 히터(HC)에는 히터 전원(HP1)이 접속되어 있다. 히터 전원(HP1)은 히터(HC)에 대하여 교류 전력을 공급한다. 히터(HE)는 히터(HC)보다 직경 방향 외측에 마련되어 있다. 히터(HE)에는 히터 전원(HP2)이 접속되어 있다. 히터 전원(HP2)은 히터(HE)에 교류 전력을 공급한다.
또한, 정전 척(ESC) 및 하부 전극(LE)에는, 이들을 연직 방향으로 관통하는 관통 구멍이 형성되어 있으며, 당해 관통 구멍에는 푸셔 핀(LP)이 통과되고 있다. 푸셔 핀(LP)은, 웨이퍼(W)의 반입반출 시에 상승하여, 그 상단에 있어서 웨이퍼(W)를 지지한다.
또한, 정전 척(ESC)의 직경 방향 외측에는 포커스 링(FR)이 마련되어 있다. 포커스 링(FR)은, 정전 척(ESC)을 둘러싸도록, 정전 척(ESC)의 에지 및 웨이퍼(W)의 에지를 따라 환(環) 형상으로 연장되어 있다. 포커스 링(FR)은 석영과 같은 유전체로 구성되어 있다. 포커스 링(FR)은, 웨이퍼(W)의 에지의 외측에 있어서의 시스 전위를 조정하기 위하여 마련되어 있으며, 웨이퍼(W)의 플라즈마 처리의 면내 균일성에 기여한다.
포커스 링(FR)의 하방에는 통 형상부(TP1)가 마련되어 있다. 통 형상부(TP1)는, 알루미나와 같은 절연체로 구성되어 있다. 통 형상부(TP1)는, 원통 형상을 가지고 있으며, 하부 전극(LE)의 외주면을 따라 연장되어 있다.
통 형상부(TP1)와 포커스 링(FR)의 사이에는, 환 형상부(AP)가 마련되어 있다. 환 형상부(AP)는 알루미나와 같은 절연체로 구성되어 있다. 환 형상부(AP)는, 제 2 플레이트(22b)의 외주면을 따라 환 형상으로 연장되어 있다. 이 환 형상부(AP)의 상면은, 포커스 링(FR)의 하면에 접하고 있다. 또한, 환 형상부(AP)의 하면은, 통 형상부(TP1)의 상단에 접하고 있다.
환 형상부(AP)의 주연부의 하방에는, 통 형상부(TP2)가 마련되어 있다. 통 형상부(TP2)는 대략 원통 형상을 가지고 있다. 이 통 형상부(TP2)는, 통 형상부(TP1) 및 지지부(SP1)의 외주를 따라 연장되어 있다. 통 형상부(TP2)는, 도전성의 재료, 예를 들면 알루미늄으로 구성되어 있다. 또한, 통 형상부(TP2)의 표면에는, 이트리아(Y2O3)제(製)의 막이 형성되어 있어도 된다. 혹은, 통 형상부(TP2)의 표면에는 산화 처리가 실시되어 있어도 된다.
통 형상부(TP2)의 외주면 및 환 형상부(AP)의 외주면으로부터 측벽(12a) 및 실드 부재(60)까지의 사이의 공간은, 배기로(VL)로 되어 있다. 배기로(VL)는, 바닥부(12b)까지 연장되어 있으며, 당해 바닥부(12b)에 장착된 배기관을 개재하여 배기 장치(30)에 접속되어 있다. 배기 장치(30)는, 압력 조정기 및 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 가지고 있다. 이 배기 장치(30)를 동작시킴으로써, 배치대(20)의 외주로부터 배기로(VL)를 통하여 가스를 배기하는 것이, 또한, 처리 용기(12) 내의 처리 공간(S)을 원하는 진공도까지 감압하는 것이 가능하다.
연직 방향에 있어서 배기로(VL)의 중간에는 배플판(BP)이 마련되어 있다. 배플판(BP)은, 축선(Z)을 중심으로 하여 환 형상으로 연장되는 판 형상의 부재이다. 이 배플판(BP)에는, 복수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 이들 관통 구멍은, 연직 방향에 있어서 배플판(BP)을 관통하고 있다. 이 배플판(BP)의 내측 가장자리부는, 통 형상부(TP2)와 환 형상부(AP)의 사이에 마련되어 있다. 또한, 배플판(BP)의 외측 가장자리부는, 실드 부재(60)에 의해 지지되어 있다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 플라즈마 생성부(PG) 및 가스 공급부(GS)를 더 구비하고 있다. 플라즈마 생성부(PG)는, 가스 공급부(GS)로부터 공급되는 가스를 여기시키기 위한 에너지를 처리 용기(12) 내에 도입한다. 일실시 형태에 있어서, 플라즈마 생성부(PG)는 천장부(12c)에 마련되어 있다. 일례에 있어서, 플라즈마 생성부(PG)는 마이크로파를 처리 용기(12) 내에 도입한다. 플라즈마 생성부(PG)는 용량 결합형의 플라즈마원이어도 된다. 이 경우에는, 플라즈마 생성부(PG)는, 상부 전극이어도 된다. 플라즈마 생성부(PG)가 상부 전극인 경우에는, 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원은, 상부 전극 및 하부 전극(LE) 중 일방에 접속될 수 있다. 혹은, 플라즈마 생성부(PG)는, 유도 결합형의 플라즈마원이어도 된다. 혹은, 플라즈마 생성부(PG)는 마이크로파 공급부여도 된다.
가스 공급부(GS)는 처리 용기(12) 내에 가스를 공급한다. 이 가스가 플라즈마 생성부(PG)에 의해 부여되는 에너지에 의해 여기되고, 여기된 가스에 의해 플라즈마 처리가 행해진다. 일례에 있어서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 가스 공급부(GS)는 가스 도입관(50)을 가진다. 가스 도입관(50)은, 처리 용기(12)의 외부로부터 내부까지 연장되어 있다. 가스 도입관(50)에는 가스 소스(52)가 접속되어 있다. 가스 소스(52)는, 웨이퍼(W)에 대하여 행하는 플라즈마 처리에 따른 가스를 유량 제어된 상태로 공급한다. 또한, 가스 공급부(GS)는, 도 1에 나타나는 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 가스 공급부(GS)는, 가스 도입관(50) 대신에, 또는, 이에 더해, 천장부(12c)로부터 가스를 공급하는 것이어도 된다. 또한, 플라즈마 생성부(PG)가 상부 전극인 경우에는, 가스 공급부(GS)는 상부 전극으로 구성되는 샤워 헤드여도 된다.
이하, 실드 부재(60) 및 셔터(70)의 상세에 대하여 설명한다. 도 2는, 일실시 형태에 따른 실드 부재 및 셔터를 나타내는 단면도이며, 셔터가 제 2 영역에 위치하여 실드 부재의 개구를 폐쇄하고 있는 상태를 나타내고 있다. 또한, 도 3은, 일실시 형태에 따른 실드 부재의 사시도이며, 도 4는, 도 3에 나타내는 실드 부재의 일부를 확대하여 나타내는 파단 사시도이다. 또한, 도 5는, 일실시 형태에 따른 셔터의 사시도이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 실드 부재(60)는 본체(60m)를 가지고 있다. 본체(60m)는, 대략 원통 형상을 가지고 있으며, 도 1에 나타내는 바와 같이, 그 중심 축선이 축선(Z)에 대략 일치하도록 측벽(12a)을 따라 마련되어 있다. 본체(60m)는, 예를 들면 알루미늄으로 구성되어 있다. 본체(60m)의 표면에는, 이트리아(Y2O3)막이 형성되어 있어도 되고, 혹은, 산화 처리가 실시되어 있어도 된다.
일실시 형태에 있어서, 도 2, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 본체(60m)는 플랜지부(60f)를 포함하고 있다. 플랜지부(60f)는 본체(60m)의 최상부를 구성하고 있다. 플랜지부(60f)는 본체(60m)의 외경을 당해 본체(60m)의 최상부에 있어서 확대하고 있다. 이 플랜지부(60f)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 측벽(12a)에 의해 지지되고 있다. 구체적으로는, 측벽(12a)은 상하로 분리 가능한 2 개의 부품을 포함하고 있으며, 이들 2 개의 부품 사이에 플랜지부(60f)는 협지되어 있다.
또한, 본체(60m)는, 도 2, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 하부(60b)를 포함하고 있다. 하부(60b)는 본체(60m)의 최하부를 구성하고 있다. 하부(60b)는 높이 방향, 즉 축선(Z)이 연장되는 방향(이하, '축선(Z) 방향'이라고 함)으로 정해진 두께를 가진다.
본체(60m)에는 개구(OP)가 형성되어 있다. 이 개구(OP)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 반송로(CP)에 면하도록 마련되어 있다. 도 2, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 본체(60m)는, 이 개구(OP)를 상방 및 둘레 방향의 양측으로부터 둘러싸는 얇은 부분(60c)을 포함하고 있다. 또한, 본체(60m)는, 얇은 부분(60c)의 상측 및 둘레 방향의 양측에 있어서 본체(60m)를 구성하는 두꺼운 부분(60d)을 포함하고 있다. 이 얇은 부분(60c)의 직경 방향의 두께는, 두꺼운 부분(60d)의 당해 직경 방향의 두께보다 얇고, 하부(60b)의 당해 직경 방향의 두께와 동일하게 되어 있다. 또한, 얇은 부분(60c)의 내주면(內周面), 두꺼운 부분(60d) 및 하부(60b)의 내주면은 연속하고 있으며, 본체(60m)의 내주면(60i)을 구성하고 있다. 얇은 부분(60c)의 외주면(60w) 및 하부(60b)의 외주면은 연속하고 있다. 얇은 부분(60c)의 외주면(60w)은, 두꺼운 부분(60d)의 외주면보다, 축선(Z)에 근접하고 있다.
얇은 부분(60c)은, 단면(60t1) 및 한 쌍의 단면(60t2)을 가지고 있다. 단면(60t1)은, 개구(OP)의 상방에 있어서 둘레 방향으로 연장되어 있으며, 하방을 향한 면으로 되어 있다. 또한, 한 쌍의 단면(60t2)은, 단면(60t1)의 둘레 방향의 양 가장자리로부터 연직 방향으로 연장되어 있으며, 둘레 방향에 교차하는 면으로 되어 있다. 이들 단면(60t1, 60t2)과 얇은 부분(60c)의 외주면(60w)과의 사이의 경계인 가장자리(60e)는, 개구(OP)를 상방으로부터 구획 형성하도록 둘레 방향으로 연장되어 있으며, 또한, 개구(OP)를 둘레 방향의 양측으로부터 구획 형성하도록 연직 방향으로 연장되어 있다. 또한, 개구(OP)는, 하부(60b)의 가장자리(60g)에 의해 하방으로부터 구획 형성되어 있다. 이 가장자리(60g)는, 하부(60b)의 외주면의 상부 가장자리를 구성하고 있다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 두꺼운 부분(60d)은, 단면(60p1) 및 한 쌍의 단면(60p2)을 가지고 있다. 단면(60p1)은, 둘레 방향으로 연장되는 면이며, 하방을 향한 면으로 되어 있다. 단면(60p1)은, 단면(60t1)보다 상방 또한 직경 방향 외측에 있어서 연장되어 있다. 또한, 한 쌍의 단면(60p2)은, 단면(60p1)의 둘레 방향의 양 가장자리로부터 연직 방향으로 연장되어 있으며, 둘레 방향에 교차하는 면으로 되어 있다. 한 쌍의 단면(60p2)은, 한 쌍의 단면(60t2)보다 둘레 방향에 있어서 개구(OP)로부터 떨어져 있으며, 또한, 한 쌍의 단면(60t2)보다 직경 방향 외측에 있어서 연장되어 있다.
하부(60b)의 외주면은, 얇은 부분(60c)의 외주면(60w)과 동일한 둘레면에 있다. 즉, 하부(60b)의 외주면의 축선(Z)으로부터의 거리는, 얇은 부분(60c)의 외주면(60w)의 축선(Z)으로부터의 거리와 동일하다. 이 하부(60b)의 외주면, 얇은 부분(60c)의 외주면(60w) 및 두꺼운 부분(60d)의 단면(60p1, 60p2)은, 셔터(70)가 수용되는 공간을 구획 형성하고 있다.
또한, 도 2 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 마찬가지로, 얇은 부분(60c)의 외주면(60w)에는, 각각, 둘레 방향으로 연장되는 홈 및 한 쌍의 축선(Z) 방향으로 연장되는 홈이 형성되어 있다. 둘레 방향으로 연장되는 홈의 홈 내에는, 도전 부재(61)가 삽입되어 있다. 축선(Z)방향으로 연장되는 홈의 홈 내에는, 도전 부재(63)가 삽입되어 있다. 이들 도전 부재(61, 63)의 외주면은, 피접촉면(61b, 63b)을 구성하고 있다. 또한, 도전 부재(61, 63)는, 얇은 부분(60c)에 대하여 나사 고정하는 것이 가능하게 되어 있다. 즉, 도전 부재(61, 63)는, 얇은 부분(60c)으로부터 제거 가능하게 되어 있다. 도전 부재(61, 63)는, 예를 들면 합금(일례로서 하스텔로이(등록 상표))로 형성된다.
마찬가지로, 하부(60b)의 외주면에는, 둘레 방향으로 연장되는 홈이 형성되어 있다. 이 홈 내에는 도전 부재(62)가 삽입되어 있다. 이 도전 부재(62)의 외주면은 피접촉면(62b)을 구성하고 있다. 또한, 도전 부재(62)는 하부(60b)에 대하여 나사 고정하는 것이 가능하게 되어 있다. 즉, 도전 부재(62)는 하부(60b)로부터 제거 가능하게 되어 있다. 도전 부재(62)는, 예를 들면 합금(일례로서 하스텔로이(등록 상표))으로 형성된다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 셔터(70)는, 제 1 부분(70a), 제 2 부분(70b) 및 제 3 부분(70c)을 가지고 있다. 제 2 부분(70b)은, 셔터(70)가 개구(OP)를 폐쇄할 때에, 당해 개구(OP)에 대면하는 부분이다. 셔터(70)는, 예를 들면 알루미늄으로 구성되어 있다. 셔터(70)의 표면에는, 이트리아(Y2O3)제의 막이 형성되어 있어도 된다. 혹은, 셔터(70)의 표면에는 산화 처리가 실시되어 있어도 된다.
도 2 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 셔터(70)는, 둘레 방향으로 연장되는 판 형상을 이루고 있다. 셔터(70)는, 내면 및 당해 내면보다 축선(Z)으로부터 먼 외면을 포함하고 있다. 셔터(70)의 내면의 곡률 반경은, 축선(Z)에서 개구(OP)까지의 거리와 대략 일치하고 있다. 또한, 셔터(70)는, 단면(70t1), 한 쌍의 단면(70t2) 및 단면(70t3)을 포함하고 있다. 단면(70t1)은, 셔터(70)의 상단의 면이며, 둘레 방향으로 연장되어 있으며, 상방을 향한 면으로 되어 있다. 또한, 한 쌍의 단면(70t2)은, 단면(70t1)의 둘레 방향의 양 가장자리로부터 연직 방향으로 연장되어 있으며, 둘레 방향에 교차하는 면으로 되어 있다. 또한, 단면(70t3)은, 셔터(70)의 하단의 면이며, 둘레 방향으로 연장되어 있으며, 하방을 향한 면으로 되어 있다.
셔터(70)의 제 1 부분(70a)의 내주면측에는, 홈(70g)이 형성되어 있다. 이 홈(70g)은 둘레 방향으로 연장되어 있다. 홈(70g)에는 도전 부재(72a)가 삽입되어 있다. 이 도전 부재(72a)는 탄성을 가지는 부재여도 된다. 도전 부재(72a)는, 예를 들면 합금(일례로서 하스텔로이(등록 상표))으로 형성된다. 일례에 있어서는, 도전 부재(72a)는, 둘레 방향으로 연장되는 호(弧)를 중심으로 한 스파이럴 형상으로 형성되어 있다.
셔터(70)의 제 3 부분(70c)의 내주면측에는 홈(70h)이 형성되어 있다. 이 홈(70h)은 둘레 방향으로 연장되어 있다. 홈(70h)에는 도전 부재(72b)가 삽입되어 있다. 이 도전 부재(72b)는, 예를 들면 합금(일례로서 하스텔로이(등록 상표))으로 형성된다. 일례에 있어서는, 도전 부재(72b)는, 둘레 방향으로 연장되는 호를 중심으로 한 스파이럴 형상으로 형성되어 있다.
셔터(70)의 제 2 부분(70b)의 내주면측의 양측에는, 한 쌍의 홈(70i)이 형성되어 있다. 이 한 쌍의 홈(70i)은 각각 연직 방향으로 연장되어 있다. 한 쌍의 홈(70i)에는, 각각 한 쌍의 도전 부재(72c)가 삽입되어 있다. 이 한 쌍의 도전 부재(72c)는, 예를 들면 합금(일례로서 하스텔로이(등록 상표))으로 형성된다. 일례에 있어서는, 한 쌍의 도전 부재(72c)는, 연직 방향으로 연장되는 직선을 중심으로 한 스파이럴 형상으로 형성되어 있다.
일례로서, 셔터(70)에, 개구(OP)에 대응하는 셔터(70)의 영역의 주위에 직선 형상의 도전 부재가 각각 배치되는 예를 설명했지만, 셔터(70)에, 개구(OP)에 대응하는 셔터(70) 영역을 둘러싸도록, 환 형상 도전 부재가 배치되어도 된다. 또한, 셔터(70)의 하단부에는 승강용의 구동축(80)이 연결되는 접속부가 있다.
도 6은, 일실시 형태에 따른 셔터이며 실드 부재의 개구를 폐쇄하는 동작을 개략적으로 나타내는 도이다. 도 6의 (a)는, 셔터(70)가 제 1 영역에 위치하는 상태, 도 6의 (b)는, 셔터(70)가 제 2 영역에 위치하는 상태, 도 6의 (c)는, 실드 부재(60)에 셔터가 꽉 눌려진 상태를 나타낸다. 이러한 셔터(70)에 의해 개구(OP)를 폐쇄할 때에는, 도 6의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, 셔터(70)는, 구동축(80)에 의해 제 1 영역으로부터 상방의 제 2 영역으로 이동한다. 제 2 영역에 있어서 셔터(70)가 배치되면, 도 2에 나타내는 바와 같이, 셔터(70)의 제 2 부분(70b)은, 개구(OP)에 대면하도록 되어 있다. 이 상태에 있어서, 제 1 부분(70a)의 단면(70t1)은, 실드 부재(60)의 단면(60p1)에 대하여 간극을 개재하여 대면한다. 또한, 셔터(70)의 한 쌍의 단면(70t2)은 각각, 실드 부재(60)의 한 쌍의 단면(60p2)에 간극을 개재하여 대면한다. 또한, 셔터(70)의 제 1 부분(70a)의 내주면 및 제 2 부분(70b)이, 실드 부재(60)의 얇은 부분(60c)의 외주면(60w)과, 직경 방향에 있어서 간극을 개재하여 대면한다. 또한, 셔터(70)의 제 3 부분(70c)의 내주면이, 실드 부재(60)의 하부(60b)의 외주면과, 직경 방향에 있어서 간극을 개재하여 대면한다. 이에 따라, 개구(OP)의 상하방 및 둘레 방향의 양측에 있어서는, 래버린스(labyrinth) 구조의 간극이 형성된다. 또한, 셔터(70)의 제 1 부분(70a) 및 제 2 부분(70b)의 양측은 실드 부재(60)의 얇은 부분(60c)의 외주면(60w)에 직경 방향 외측으로부터 대면하고, 셔터(70)의 제 3 부분(70c)은 실드 부재(60)의 하부(60b)의 외주면에 직경 방향 외측으로부터 대면한다.
도 6의 (b)에 나타나는 상태에 있어서, 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상방 구동축(82) 및 하방 구동축(83)에 의해, 제 2 영역에 위치한 셔터(70)를 실드 부재(60)를 향해 누른다. 이에 따라, 도전 부재(72a, 72b 및 72c)는, 각각 피접촉면(61b, 62b 및 63b)에 확실하게 접촉한다. 이와 같이, 셔터(70)와 실드 부재(60)는, 도전 부재(72a, 72b 및 72c)와 피접촉면(61b, 62b 및 63b)에 있어서 서로 접촉하고, 셔터(70)와 실드 부재(60)가 개구(OP)의 전체 둘레에 걸쳐 도통하므로, 셔터(70)와 실드 부재(60)의 전기적인 접속을 안정화시킬 수 있다. 이 때문에, 플라즈마 처리 시 등의 플라즈마 리크를 억제하여, 보다 균일한 플라즈마 공간이 얻어진다.
또한, 셔터(70)에 의하면, 도전 부재(72a, 72b 및 72c)가 소모되었을 때에는, 도전 부재(72a, 72b 및 72c)만을 교체할 수 있다. 따라서, 셔터(70)의 전체를 하스텔로이(등록 상표) 등의 도전 부재로 구성하는 것 보다, 셔터(70)를 저렴하게 제공할 수 있다.
또한, 개구(OP)를 개방으로 할 때에는, 먼저, 구동 장치(45)는, 상방 구동축(82)및 하방 구동축(83)에 의한 셔터(70)의 누름을 해제한다. 그리고, 셔터(70)는, 구동축(80)에 의해 하방으로 이동되어, 제 2 영역으로부터 제 1 영역으로 되돌아간다. 이에 따라, 개구(OP)가 개방이 된다.
상기 서술한 바와 같이, 본 개시의 일 측면에 따른 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 셔터(70)는, 구동 장치(40)에 의해 승강하고, 구동 장치(45)에 의해 실드 부재(60)에 대하여 전후 방향으로 이동한다. 예를 들면, 개구(OP)를 폐쇄하는 경우, 셔터(70)는, 구동 장치(40)에 의해 개구(OP)와 대향하는 위치까지 승강한다. 당해 위치에 있어서, 셔터(70)는, 구동 장치(45)에 의해 실드 부재(60)와 근접하는 방향으로 이동하여, 실드 부재(60)에 꽉 눌려진다. 이와 같이, 구동 장치(45)를 구비함으로써 셔터(70)를 실드 부재(60)에 접촉시킬 수 있기 때문에, 셔터(70)와 실드 부재(60)의 전기적인 접속을 안정화시킬 수 있다. 따라서, 이 플라즈마 처리 장치(10)는 균일한 플라즈마 공간을 형성할 수 있다.
또한, 구동 장치(40)는, 셔터(70)의 접속부에 접속되어 셔터(70)를 승강시키는 구동축(80)을 가지고, 하방 구동축(83)은 접속부를 누른다. 이 때문에, 접속부 이외가 눌려지는 경우에 비해, 셔터(70)와 구동축(80)의 접속부에 있어서 발생하는 응력을 작게 할 수 있다.
또한, 구동 장치(45)는 셔터(70)를 누르는 복수의 구동축(82, 83)을 가진다. 이 때문에, 1개의 구동축이 셔터(70)를 누르는 경우에 비해, 셔터(70)를 실드 부재(60)에 균일하게 꽉 누를 수 있다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)는, 개구(OP)를 둘러싸도록 실드 부재(60)에 배치된 도전 부재(61, 62, 63)를 구비한다. 이 때문에, 셔터(70)와 실드 부재(60)가 개구(OP)의 전체 둘레에 걸쳐 도통하므로, 셔터(70)와 실드 부재(60)의 전기적인 접속을 한층 안정화시킬 수 있다.
또한, 플라즈마 처리 장치는, 개구(OP)에 대응하는 셔터(70)의 영역을 둘러싸도록 셔터(70)에 배치된 도전 부재(72a, 72b, 72c)를 구비한다. 이 때문에, 셔터(70)와 실드 부재(60)가 개구(OP)의 전체 둘레에 걸쳐 도통하므로, 셔터(70)와 실드 부재(60)의 전기적인 접속을 한층 안정화시킬 수 있다.
이상, 다양한 실시 형태에 대하여 설명하였지만, 상기 서술한 실시 형태에 한정되지 않고 다양한 변형 태양을 구성 가능하다.
예를 들면, 구동 장치(40)는 구동축(80)을 복수 구비해도 된다. 구동 장치(45)는, 상방 구동축(82) 및 하방 구동축(83) 중 어느 일방만을 구비해도 되고, 또 다른 구동축을 구비해도 된다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서, 셔터(70)는 실드 부재(60)의 내부에 구획 형성되어 있는 공간에 수용되는 예를 설명했지만, 셔터(70)는 실드 부재(60)의 외측에 배치되도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우에는, 셔터(70)의 측면에 있어서 간섭 회피를 위한 간극을 마련할 필요는 없다.
10 : 플라즈마 처리 장치
12 : 처리 용기
20 : 배치대
40 : 구동 장치(제 1 구동부)
45 : 구동 장치(제 2 구동부)
60 : 실드 부재
60b : 하부
60c : 얇은 부분
60d : 두꺼운 부분
60i : 내주면
60m : 본체
60w : 외주면
61 : 도전 부재
61b : 피접촉면
62 : 도전 부재
62b : 피접촉면
63 : 도전 부재
70 : 셔터
70a : 제 1 부분
70b : 제 2 부분
70c : 제 3 부분
72a : 도전 부재
72b : 도전 부재
72c : 도전 부재
80 : 구동축(승강용 구동축)
82 : 상방 구동축
83 : 하방 구동축
OP : 개구
W : 웨이퍼

Claims (15)

  1. 피처리체에 플라즈마 처리를 행하기 위한 플라즈마 처리 장치로서,
    상기 피처리체가 반입반출되는 제 1 개구를 가지는 측벽을 가지는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 마련된 배치대와,
    상기 배치대를 둘러싸도록 상기 측벽의 내면을 따라 마련된 실드 부재로, 상기 제 1 개구에 면하는 제 2 개구가 형성되고, 제 1 상방 및 하방 도전 부재와 제 1 우측 및 좌측 도전 부재를 포함하고, 각각의 제 1 도전 부재가 상기 실드 부재의 상기 제 2 개구의 주위에 형성된 각 홈 내에 삽입되는 상기 실드 부재와,
    상기 실드 부재의 상기 제 2 개구용의 승강 가능한 셔터와,
    상기 셔터를 승강시키는 제 1 구동부와,
    상기 셔터를 상기 실드 부재에 대하여 전후 방향으로 이동시키는 제 2 구동부를 구비하고,
    상기 제 1 구동부는 상기 셔터의 접속부의 하면에 직접 접속되어 상기 셔터를 승강시키는 제 1 구동축을 구비하고,
    상기 제 2 구동부는 상기 셔터를 상기 실드 부재에 대해 누르기 위해 상기 셔터의 상면에 접속 가능한 제 2 상방 구동축과 상기 셔터를 상기 실드 부재에 대해 누르기 위해 상기 셔터의 하면에 접속 가능한 제 2 하방 구동축을 구비하고,
    상기 제 2 상방 구동축과 제 2 하방 구동축은 상기 측벽 내에 배치된 상기 제 1 개구 내에 배치되고,
    상기 제 2 하방 구동축은 상기 셔터의 상기 접속부를 누를 수 있도록 배치되고,
    상기 셔터는 제 2 상방 및 하방 도전 부재와 제 2 우측 및 좌측 도전 부재를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 도전 부재는 상기 셔터와 상기 실드 부재 사이의 전기적인 접속을 안정화시키는 합금으로 형성되고,
    상기 제 2 상방 및 하방 구동축에 의해 상기 셔터가 상기 실드 부재에 대해 눌리는 때에, 각각의 제 2 상방 및 하방 도전 부재는 각각의 제 1 상방 및 하방 도전 부재와 접속하고, 각각의 제 2 우측 및 좌측 도전 부재는 각각의 제 1 우측 및 좌측 도전 부재와 접속하여 플라즈마 리크를 억제하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 구동부는 복수의 승강 구동축을 구비하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 셔터는 상기 실드 부재의 외측에 배치되는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 셔터의 표면에 이트리아제의 막이 형성되어 있거나, 또는 상기 셔터의 표면에 산화 처리가 실시되어 있는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 실드 부재의 본체의 표면에 이트리아제의 막이 형성되어 있거나, 또는 상기 실드 부재의 본체의 표면에 산화 처리가 실시되어 있는 플라즈마 처리 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 상방 및 하방 도전 부재와 제 2 우측 및 좌측 도전 부재는 상기 셔터의 둘레 방향으로 연장되는 호를 중심으로 한 스파이럴 형상으로 형성되는 플라즈마 처리 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 상방 및 하방 도전 부재와 제 2 우측 및 좌측 도전 부재는 환 형상으로 배치되는 플라즈마 처리 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 상방 및 하방 도전 부재와 제 1 우측 및 좌측 도전 부재는 상기 실드 부재로부터 탈착 가능하게 되어 있는 플라즈마 처리 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 상방 및 하방 도전 부재와 제 1 우측 및 좌측 도전 부재는 상기 실드 부재에 나사 고정되는 플라즈마 처리 장치.
  15. 피처리체에 플라즈마 처리를 행하기 위한 플라즈마 처리 장치로서,
    상기 피처리체가 반입반출되는 제 1 개구를 가지는 측벽을 가지는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 마련된 배치대와,
    상기 배치대를 둘러싸도록 상기 측벽의 내면을 따라 마련된 실드 부재로, 상기 제 1 개구에 면하는 제 2 개구가 형성되고, 제 1 상방 및 하방 도전 부재와 제 1 우측 및 좌측 도전 부재를 포함하고, 각각의 제 1 도전 부재가 상기 실드 부재의 상기 제 2 개구의 주위에 형성된 각 홈 내에 삽입되는 상기 실드 부재와,
    상기 실드 부재의 상기 제 2 개구용의 승강 가능한 셔터와,
    상기 제 2 개구를 폐쇄할 때 상기 셔터를 상기 제 2 개구보다 낮은 제 1 영역으로부터 간극을 개재하여 상기 제 2 개구를 대면하는 제 2 영역으로 상승시키고, 상기 제 2 개구를 개방할 때 상기 실드 부재를 향하는 상기 셔터의 누름을 해제하고 상기 셔터를 상기 제 1 영역으로 하강시키는 구동부와,
    상기 구동부는 상기 셔터의 접속부의 하면에 직접 접속되어 상기 셔터를 승강시키는 제 1 구동축을 구비하고,
    상기 구동부는 상기 셔터를 상기 실드 부재에 대해 누르기 위해 상기 셔터의 상면에 접속 가능한 제 2 상방 구동축과 상기 셔터를 상기 실드 부재에 대해 누르기 위해 상기 셔터의 하면에 접속 가능한 제 2 하방 구동축을 구비하고,
    상기 제 2 상방 구동축과 제 2 하방 구동축은 상기 측벽 내에 배치된 상기 제 1 개구 내에 배치되고,
    상기 제 2 하방 구동축은 상기 셔터의 상기 접속부를 누를 수 있도록 배치되고,
    상기 셔터는 제 2 상방 및 하방 도전 부재와 제 2 우측 및 좌측 도전 부재를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 도전 부재는 상기 셔터와 상기 실드 부재 사이의 전기적인 접속을 안정화시키는 합금으로 형성되고,
    상기 제 2 상방 및 하방 구동축에 의해 상기 셔터가 상기 실드 부재에 대해 눌리는 때에, 각각의 제 2 상방 및 하방 도전 부재는 각각의 제 1 상방 및 하방 도전 부재와 접속하고, 각각의 제 2 우측 및 좌측 도전 부재는 각각의 제 1 우측 및 좌측 도전 부재와 접속하여 플라즈마 리크를 억제하는 플라즈마 처리 장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10636629B2 (en) 2017-10-05 2020-04-28 Applied Materials, Inc. Split slit liner door
CN208835019U (zh) * 2018-11-12 2019-05-07 江苏鲁汶仪器有限公司 一种反应腔内衬
KR102274459B1 (ko) 2019-12-27 2021-07-07 한국기계연구원 플라즈마 세정장치 및 이를 구비한 반도체 공정설비
US20220165553A1 (en) * 2020-11-20 2022-05-26 Applied Materials, Inc. L-motion slit door for substrate processing chamber
CN115110040B (zh) * 2022-06-20 2024-05-14 北京维开科技有限公司 一种独立双腔室电子束蒸发镀膜设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050193953A1 (en) * 2004-03-08 2005-09-08 Akitaka Makino Plasma processing apparatus

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6192827B1 (en) * 1998-07-03 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Double slit-valve doors for plasma processing
KR100682216B1 (ko) * 1999-06-02 2007-02-12 동경 엘렉트론 주식회사 진공 처리 장치
JP3425938B2 (ja) * 2000-12-14 2003-07-14 入江工研株式会社 ゲート弁
JP2006526125A (ja) * 2003-05-13 2006-11-16 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 処理チャンバの開口を封止するための方法および装置
US7469715B2 (en) * 2005-07-01 2008-12-30 Applied Materials, Inc. Chamber isolation valve RF grounding
JP2009088298A (ja) * 2007-09-29 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2009109006A (ja) * 2007-10-10 2009-05-21 Tokyo Electron Ltd ゲートバルブ及びそれを用いた基板処理装置
WO2009058562A1 (en) 2007-11-01 2009-05-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for sealing an opening of a processing chamber
JP5044366B2 (ja) * 2007-11-02 2012-10-10 株式会社ブイテックス 真空ゲートバルブおよびこれを使用したゲート開閉方法
US20090197015A1 (en) * 2007-12-25 2009-08-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling plasma uniformity
JP4918147B2 (ja) * 2010-03-04 2012-04-18 キヤノンアネルバ株式会社 エッチング方法
JP6034156B2 (ja) * 2011-12-05 2016-11-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6209043B2 (ja) * 2013-09-30 2017-10-04 東京エレクトロン株式会社 ゲートバルブおよび基板処理装置
KR102293092B1 (ko) * 2013-11-12 2021-08-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP6298293B2 (ja) * 2013-12-27 2018-03-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、シャッタ機構およびプラズマ処理装置
JP6216619B2 (ja) 2013-11-12 2017-10-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20160061204A (ko) * 2014-11-21 2016-05-31 (주)에스티아이 와류 방지 게이트가 구비된 기판처리장치 및 그 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050193953A1 (en) * 2004-03-08 2005-09-08 Akitaka Makino Plasma processing apparatus

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