KR20200040659A - 기판 지지 어셈블리, 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법 - Google Patents

기판 지지 어셈블리, 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법 Download PDF

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마사시 이케가미
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제]
지지대와 포커스 링 사이에서의 임피던스의 변화를 억제하도록, 포커스 링의 연직 방향의 위치를 조정 가능하게 하는 기판 지지 어셈블리를 제공한다.
[해결 수단]
예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리는 지지대 및 하나 이상의 압전 소자를 포함한다. 지지대는 하부 전극 및 정전 척을 가진다. 지지대는 상면을 가진다. 지지대의 상면은, 그 위에 기판이 탑재되는 제 1 영역, 및 그의 상방에 포커스 링이 배치되는 제 2 영역을 포함한다. 하나 이상의 압전 소자는 포커스 링과 제 2 영역의 사이에 마련된다. 하나 이상의 압전 소자의 각각의 두께는, 포커스 링과 제 2 영역 사이에서의 간극의 발생을 억제하도록 변화 가능하다.

Description

기판 지지 어셈블리, 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법{SUBSTRATE SUPPORT ASSEMBLY, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND PLASMA PROCESSING METHOD}
본 개시의 예시적 실시형태는, 기판 지지 어셈블리, 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.
기판 처리를 위해서 플라즈마 처리 장치가 이용되고 있다. 플라즈마 처리 장치는 챔버 및 지지대를 포함한다. 지지대는 챔버 내에 마련된다. 지지대는, 그 위에 탑재된 기판을 지지한다. 기판의 주위에는, 해당 기판을 둘러싸도록 포커스 링이 배치된다. 플라즈마 처리 장치에서는, 가스가 챔버 내에 공급되고 고주파 전력이 지지대에 공급된다. 그 결과, 가스로부터 플라즈마가 생성된다.
포커스 링의 두께는 기판 처리의 시간 경과에 따라서 감소한다. 포커스 링의 두께가 감소하면, 포커스 링의 상방에서의 시스의 하단 위치가, 기판의 상방에서의 시스의 하단 위치보다 낮아진다. 시스는, 기판의 엣지와 포커스 링의 경계의 상방에 있고 경사진다. 그 결과, 기판의 엣지에 공급되는 이온의 진행 방향이, 수직 방향에 대해서 경사진다. 따라서, 기판의 엣지에 공급되는 이온의 진행 방향을 수직 방향으로 보정하는 기술이 필요하다.
기판의 엣지에 공급되는 이온의 진행 방향을 수직 방향으로 보정하는 기술은, 특허 문헌 1에 기재되어 있다. 특허 문헌 1에 기재된 기술에서는, 포커스 링은 그 두께가 감소했을 경우에 상방으로 이동된다.
일본 특허 공개 제2016－146472호 공보
지지대와 포커스 링 사이에서의 임피던스의 변화를 억제하도록, 포커스 링의 연직 방향의 위치를 조정 가능하게 하는 것이 요구되고 있다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 기판 지지 어셈블리가 제공된다. 기판 지지 어셈블리는 지지대 및 하나 이상의 압전 소자를 포함한다. 지지대는 하부 전극 및 정전 척을 가진다. 정전 척은 하부 전극 상에 마련된다. 하나 이상의 압전 소자가 지지대와 포커스 링의 사이에 마련된다. 지지대는 상면을 가진다. 지지대의 상면은 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함한다. 제 1 영역은, 그 위에 기판이 탑재되는 영역이다. 제 2 영역은, 제 1 영역의 외측에서 둘레 방향으로 연재한다. 제 2 영역은, 그의 상방에 포커스 링이 배치되는 영역이다. 하나 이상의 압전 소자는, 포커스 링 및 제 2 영역에 직접적 또는 간접적으로 접하도록, 포커스 링과 제 2 영역의 사이에 마련된다. 하나 이상의 압전 소자의 각각의 두께의 변화는 포커스 링의 연직 방향의 위치를 변화시킨다. 하나 이상의 압전 소자의 각각의 두께는, 포커스 링과 제 2 영역 사이에서의 간극의 발생을 억제하도록 변화 가능하다.
하나의 예시적 실시형태에 의하면, 지지대와 포커스 링의 사이에서의 임피던스의 변화를 억제하도록, 포커스 링의 연직 방향의 위치를 조정 가능하게 하는 것이 가능해진다.
도 1은 하나의 예시적 실시형태와 관련된 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 하나의 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 일부 확대 단면도이다.
도 3은 하나의 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 압전 소자의 평면도이다.
도 4는 하나의 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 압전 소자의 종단면에 있어서의 구조를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 5는 다른 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 복수의 압전 소자를 도시하는 평면도이다.
도 6은 또 다른 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 복수의 압전 소자를 도시하는 평면도이다.
도 7은 도 5 또는 도 6의 기판 지지 어셈블리의 일부 확대 단면도이다.
도 8은 또 다른 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 복수의 압전 소자를 도시하는 평면도이다.
도 9은 또 다른 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 압전 소자의 종단면에 있어서의 구조를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 10은 하나의 예시적 실시형태와 관련된 플라즈마 처리 방법을 도시하는 흐름도이다.
이하, 각종 예시적 실시형태에 대해서 설명한다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 기판 지지 어셈블리가 제공된다. 기판 지지 어셈블리는 지지대 및 하나 이상의 압전 소자를 포함한다. 지지대는 하부 전극 및 정전 척을 가진다. 정전 척은 하부 전극 상에 마련된다. 하나 이상의 압전 소자가 지지대와 포커스 링의 사이에 마련된다. 지지대는 상면을 가진다. 지지대의 상면은 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함한다. 제 1 영역은, 그 위에 기판이 탑재되는 영역이다. 제 2 영역은 제 1 영역의 외측에서 둘레 방향으로 연재한다. 제 2 영역은 그의 상방에 포커스 링이 배치되는 영역이다. 하나 이상의 압전 소자는, 포커스 링 및 제 2 영역에 직접적 또는 간접적으로 접하도록, 포커스 링과 제 2 영역의 사이에 마련된다. 하나 이상의 압전 소자의 각각의 두께의 변화는 포커스 링의 연직 방향의 위치를 변화시킨다. 하나 이상의 압전 소자의 각각의 두께는, 포커스 링과 제 2 영역 사이에서의 간극의 발생을 억제하도록 변화 가능하다.
상술의 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리에서는, 포커스 링의 연직 방향의 위치를 변화시키기 위해서 하나 이상의 압전 소자의 각각의 두께가 변경되어도, 포커스 링과 제 2 영역 사이에서의 간극의 발생이 억제된다. 따라서, 지지대와 포커스 링 사이에서의 임피던스의 변화를 억제하도록, 포커스 링의 연직 방향의 위치를 조정하는 것이 가능해진다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서는, 하나 이상의 압전 소자의 각각이 유전성 일래스토머로 형성되어도 괜찮다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 하나 이상의 압전 소자의 각각은, 복수의 제 1 전극층 및 복수의 제 2 전극층을 가져도 괜찮다. 복수의 제 1 전극층은 연직 방향에 따라서 배열되고 서로 전기적으로 접속된다. 복수의 제 2 전극층은, 서로 전기적으로 접속되고 연직 방향에 있어서 복수의 제 1 전극층과 교대로 배열된다. 이 실시형태에 따르면, 하나 이상의 압전 소자의 각각의 두께를 낮은 인가 전압으로 크게 변화시킬 수 있다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 하나 이상의 압전 소자의 각각은 내부식성을 갖는 수지로 덮여 있어도 괜찮다. 수지는, 하나 이상의 압전 소자를 구성하는 유전성 일래스토머이어도 괜찮다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 기판 지지 어셈블리는 지지부를 더 포함할 수 있다. 지지부는, 상기 하나 이상의 압전 소자를 포함하고 제 2 영역상에서 포커스 링을 지지한다. 지지부는, 제 2 영역과 포커스 링 사이의 간극을 메우고 있다. 하나 이상의 압전 소자의 두께는, 지지부가 제 2 영역과 포커스 링 사이의 간극을 메우고 있는 상태를 유지하도록, 변화 가능하다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 지지부는, 포커스 링을 보관 유지하는 다른 정전 척을 더 포함하여도 괜찮다. 다른 정전 척은, 포커스 링과 하나 이상의 압전 소자의 사이에 마련된다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 기판 지지 어셈블리는, 하나 이상의 압전 소자로서, 서로로부터 분리된 복수의 압전 소자를 포함하여도 괜찮다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 포커스 링은 제 1의 링 부재 및 제 2의 링 부재를 포함하여도 괜찮다. 제 1의 링 부재는, 제 2 영역 상에서, 제 2의 링 부재의 내측에 마련된다. 복수의 압전 소자는, 제 1의 링 부재와 제 2 영역의 사이에 마련된 하나 이상의 압전 소자와, 제 2의 링 부재와 제 2 영역의 사이에 마련된 하나 이상의 압전 소자를 포함하여도 괜찮다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 복수의 압전 소자는 직경 방향을 따라서 배열되어도 괜찮다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 복수의 압전 소자는 둘레 방향을 따라서 배열되어도 괜찮다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 복수의 압전 소자는 둘레 방향 및 직경 방향을 따라서 배열되어도 괜찮다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 복수의 압전 소자는 이들 복수의 압전 소자에 개별적으로 전압이 인가 가능하도록 구성되어도 괜찮다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 복수의 압전 소자는, 각각이 이들 복수의 압전 소자중 하나 이상의 압전 소자를 포함하는 복수의 그룹마다 전압이 인가 가능하도록 구성되어도 괜찮다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 복수의 압전 소자는 이들 복수의 압전 소자의 모두에 일괄해서 전압이 인가 가능하도록 구성되어도 괜찮다.
다른 예시적 실시형태에 있어서는 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 플라즈마 처리 장치는 챔버 및 기판 지지 서브 어셈블리를 포함한다. 기판 지지 서브 어셈블리는, 각종 실시형태 중 어느 한 실시형태의 기판 지지 서브 어셈블리이며, 챔버 내에 마련된다.
또 다른 예시적 실시형태에 있어서는, 실시형태와 관련된 플라즈마 처리 장치를 이용하는 플라즈마 처리 방법이 제공된다. 플라즈마 처리 방법은, 포커스 링의 상면의 연직 방향의 위치를 조정하기 위해서, 하나 이상의 압전 소자의 두께를 조정하는 공정을 포함한다. 플라즈마 처리 방법은, 기판 지지 어셈블리의 제 1 영역 상에 기판이 탑재되어 있는 상태에서, 챔버 내에 플라즈마를 생성하는 공정을 더 포함한다.
이하, 도면을 참조하여 각종 예시적 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당의 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하기로 한다.
도 1은, 하나의 예시적 실시형태와 관련된 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치(1)는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치이다. 플라즈마 처리 장치(1)는 챔버(10)를 포함한다. 챔버(10)는 그 안에 내부 공간(10s)을 제공한다. 일 실시형태에 있어서, 챔버(10)는 챔버 본체(12)를 포함한다. 챔버 본체(12)는 대략 원통 형상을 갖는다. 내부 공간(10s)은 챔버 본체(12) 안에 제공된다. 챔버 본체(12)는 예를 들면 알루미늄으로 구성된다. 챔버 본체(12)는 전기적으로 접지된다. 챔버 본체(12)의 내벽면, 즉, 내부 공간(10s)을 구획하는 벽면에는, 내플라즈마성을 갖는 막이 형성된다. 이 막은, 양극 산화 처리에 의해서 형성된 막 또는 산화 이트륨으로 형성된 막이라고 하는 세라믹제의 막일 수 있다.
챔버 본체(12)의 측벽에는 통로(12p)가 형성된다. 기판(W)은 내부 공간(10s)과 챔버(10)의 외부 사이에서 반송될 때 통로(12p)를 통과한다. 이 통로(12p)의 개폐를 위해서, 게이트 밸브(12g)가 챔버 본체(12)의 측벽을 따라서 마련된다.
플라즈마 처리 장치(1)는, 하나의 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리(14)를 더 포함한다. 기판 지지 어셈블리(14)는, 챔버(10) 안에 마련된다. 기판 지지 어셈블리(14)는 지지대(16)를 포함한다. 지지대(16)는, 그 위에 탑재된 기판(W)을 지지하도록 구성된다. 기판(W)은 대략 원반 형상을 가진다. 지지대(16)는 지지체(15)에 의해서 지지된다. 지지체(15)는, 챔버 본체(12)의 저부로부터 상방으로 연재하고 있다. 지지체(15)는 대략 원통 형상을 갖는다. 지지체(15)는 석영이라고 하는 절연 재료로 형성된다.
지지대(16)는 하부 전극(18) 및 정전 척(20)을 가진다. 지지대(16)는 전극 플레이트(19)를 더 포함해도 괜찮다. 전극 플레이트(19)는, 알루미늄이라고 하는 도전성 재료로 형성되며 대략 원반 형상을 갖는다. 하부 전극(18)은, 전극 플레이트(19) 상에 마련된다. 하부 전극(18)은, 알루미늄이라고 하는 도전성 재료로 형성되고 대략 원반 형상을 갖는다. 하부 전극(18)은 전극 플레이트(19)에 전기적으로 접속된다.
하부 전극(18) 내에는 유로(18f)가 형성된다. 유로(18f)는 열교환 매체용의 유로이다. 열교환 매체로서는, 액상의 냉매, 혹은, 그의 기화에 의해서 하부 전극(18)을 냉각하는 냉매(예를 들면, 프레온)가 이용된다. 유로(18f)에는, 열교환 매체의 순환 장치(예를 들면, 칠러 유닛)가 접속된다. 이 순환 장치는 챔버(10)의 외부에 마련된다. 유로(18f)에는, 순환 장치로부터 배관(23a)을 거쳐서 열교환 매체가 공급된다. 유로(18f)에 공급된 열교환 매체는 배관(23b)을 거쳐서 순환 장치에 복귀한다.
정전 척(20)은 하부 전극(18)상에 마련된다. 기판(W)은 내부 공간(10s) 안에서 처리될 때에는, 정전 척(20) 상에 탑재되고 정전 척(20)에 의해서 보관 유지된다. 정전 척(20)은 본체(20m) 및 전극(20e)을 포함한다. 본체(20m)는 산화 알류미늄 또는 질화 알루미늄이라고 하는 유전체로 형성된다. 본체(20m)는 대략 원반 형상을 갖는다. 전극(20e)는 도전막이며 본체(20m) 내에 마련된다. 전극(20e)에는 직류 전원이 스위치를 거쳐서 전기적으로 접속된다. 직류 전원으로부터의 직류 전압이 전극(20e)에 인가되면, 기판(W)과 정전 척(20)의 사이에 정전 인력이 발생한다. 발생한 정전 인력에 의해, 기판(W)은 정전 척(20)으로 끌어당겨져서, 정전 척(20)에 의해 보관 유지된다.
플라즈마 처리 장치(1)는 가스 공급 라인(25)을 더 포함할 수 있다. 가스 공급 라인(25)은 가스 공급 기구로부터의 전열 가스, 예를 들면 He 가스를, 정전 척(20)의 상면과 기판(W)의 이면(하면)의 사이에 공급한다.
플라즈마 처리 장치(1)는 통 형상부(28) 및 절연부(29)를 더 포함할 수 있다. 통 형상부(28)는 챔버 본체(12)의 저부로부터 상방으로 연재하고 있다. 통 형상부(28)는 지지체(15)의 외주를 따라서 연재하고 있다. 통 형상부(28)는 도전성 재료로 형성되고 대략 원통 형상을 갖는다. 통 형상부(28)는 전기적으로 접지된다. 절연부(29)는 통 형상부(28) 상에 마련된다. 절연부(29)는 절연성을 갖는 재료로 형성된다. 절연부(29)는, 예를 들면 석영이라고 하는 세라믹으로 형성된다. 절연부(29)는 대략 원통 형상을 갖는다. 절연부(29)는, 전극 플레이트(19)의 외주, 하부 전극(18)의 외주, 및 정전 척(20)의 외주를 따라서 연재하고 있다.
플라즈마 처리 장치(1)는 상부 전극(30)을 더 포함한다. 상부 전극(30)은, 지지대(16)의 상방에 마련된다. 상부 전극(30)은, 부재(32)와 함께 챔버 본체(12)의 상부 개구를 폐쇄시킨다. 부재(32)는 절연성을 갖는다. 상부 전극(30)은 이 부재(32)를 거쳐서 챔버 본체(12)의 상부에 지지된다.
상부 전극(30)은 천정판(34) 및 지지체(36)를 포함한다. 천정판(34)의 하면은 내부 공간(10s)를 구획한다. 천정판(34)에는, 복수의 가스 토출 구멍(34a)이 형성된다. 복수의 가스 토출 구멍(34a)의 각각은, 천정판(34)을 판두께 방향(연직 방향)으로 관통한다. 이 천정판(34)은, 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 실리콘으로 형성된다. 혹은, 천정판(34)은, 알루미늄제의 부재의 표면에 내플라즈마성의 막을 마련한 구조를 가질 수 있다. 이 막은, 양극 산화 처리에 의해서 형성된 막 또는 산화 이트륨으로 형성된 막이라고 하는 세라믹제의 막일 수 있다.
지지체(36)는 천정판(34)을 착탈가능하게 지지한다. 지지체(36)는 예를 들면 알루미늄이라고 하는 도전성 재료로 형성된다. 지지체(36)의 내부에는, 가스 확산실(36a)이 마련된다. 가스 확산실(36a)로부터는, 복수의 가스 구멍(36b)이 하방으로 연장된다. 복수의 가스 구멍(36b)은 복수의 가스 토출 구멍(34a)에 각각 연통한다. 지지체(36)에는 가스 도입 포트(36c)가 형성된다. 가스 도입 포트(36c)는 가스 확산실(36a)에 접속한다. 가스 도입 포트(36c)에는 가스 공급관(38)이 접속된다.
가스 공급관(38)에는, 가스 소스군(40)이, 밸브군(41), 유량 제어기군(42) 및 밸브군(43)을 거쳐서 접속된다. 가스 소스군(40), 밸브군(41), 유량 제어기군(42) 및 밸브군(43)은 가스 공급부를 구성한다. 가스 소스군(40)은 복수의 가스 소스를 포함한다. 밸브군(41) 및 밸브군(43)의 각각은 복수의 밸브(예를 들면 개폐 밸브)를 포함한다. 유량 제어기군(42)는, 복수의 유량 제어기를 포함한다. 유량 제어기군(42)의 복수의 유량 제어기의 각각은 매스 플로우 컨트롤러 또는 압력 제어식의 유량 제어기이다. 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스의 각각은, 밸브군(41)의 대응의 밸브, 유량 제어기군(42)의 대응의 유량 제어기, 및 밸브군(43)의 대응의 밸브를 거쳐서, 가스 공급관(38)에 접속된다. 플라즈마 처리 장치(1)는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 하나 이상의 가스 소스로부터의 가스를, 개별적으로 조정된 유량으로, 내부 공간(10s)에 공급하는 것이 가능하다.
통 형상부(28)와 챔버 본체(12)의 측벽의 사이에는 배플 부재(48)가 마련된다. 배플 부재(48)는 예를 들면 고리 형상을 갖는 판재이다. 배플 부재(48)는, 예를 들면, 알루미늄제의 부재에 산화 이트륨 등의 세라믹을 피복하는 것에 의해 구성될 수 있다. 이 배플 부재(48)에는 다수의 관통공이 형성된다. 배플 부재(48)의 하방에서는, 배기관(52)이 챔버 본체(12)의 저부에 접속된다. 이 배기관(52)에는 배기 장치(50)가 접속된다. 배기 장치(50)는 자동 압력 제어 밸브라고 하는 압력 제어기 및 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하여, 내부 공간(10s) 안의 압력을 감압할 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치(1)는 고주파 전원(61)을 더 포함할 수 있다. 고주파 전원(61)은 플라즈마 생성용의 고주파 전력(HF)을 발생하는 전원이다. 고주파 전력(HF)은 27~100 MHz 범위 내의 주파수, 예를 들면 40 MHz 또는 60 MHz의 주파수를 가진다. 고주파 전원(61)은, 고주파 전력(HF)을 하부 전극(18)에 공급하기 위해서, 정합기(63) 및 전극 플레이트(19)를 거쳐서 하부 전극(18)에 접속된다. 정합기(63)는 고주파 전원(61)의 출력 임피던스와 부하측(하부 전극(18)측)의 임피던스를 정합시키기 위한 정합 회로를 포함한다. 도한 고주파 전원(61)은, 하부 전극(18)에 전기적으로 접속되어 있지 않아도 괜찮고, 정합기(63)를 거쳐서 상부 전극(30)에 접속되어 있어도 괜찮다.
플라즈마 처리 장치(1)는 고주파 전원(62)를 더 포함할 수 있다. 고주파 전원(62)은 기판(W)에 이온을 끌어들이기 위한 바이어스 고주파 전력, 즉 고주파 전력(LF)을 발생하는 전원이다. 고주파 전력(LF)의 주파수는, 고주파 전력(HF)의 주파수보다 낮다. 고주파 전력(LF)의 주파수는, 400 kHz ~ 13.56 MHz의 범위 내의 주파수이며, 예를 들면, 400 kHz 이다. 고주파 전원(62)은 고주파 전력(LF)를 하부 전극(18)에 공급하기 위해서, 정합기(64) 및 전극 플레이트(19)를 거쳐서 하부 전극(18)에 접속된다. 정합기(64)는, 고주파 전원(62)의 출력 임피던스와 부하측(하부 전극(18)측)의 임피던스를 정합시키기 위한 정합 회로를 포함한다.
이 플라즈마 처리 장치(1)를 이용해서 플라즈마 처리를 하는 경우에는, 내부 공간(10s)에 가스가 공급된다. 그리고, 고주파 전력(HF), 고주파 전력(LF), 또는 고주파 전력(HF) 및 고주파 전력(LF)이 공급되는 것에 의해, 내부 공간(10s) 안에서 가스가 여기된다. 그 결과, 내부 공간(10s) 안에서 플라즈마가 생성된다. 생성된 플라즈마로부터의 이온 및/또는 래디칼이라고 하는 화학종에 의해서 기판(W)이 처리된다.
플라즈마 처리 장치(1)는 제어부(MC)를 더 포함한다. 제어부(MC)는, 프로세서, 기억 장치, 입력 장치, 표시 장치 등을 포함하는 컴퓨터이며, 플라즈마 처리 장치(1)의 각 부를 제어한다. 구체적으로, 제어부(MC)는, 기억 장치에 기억되어 있는 제어 프로그램을 실행하고, 해당 기억 장치에 기억되고 있는 레시피 데이터에 근거해서 플라즈마 처리 장치(1)의 각 부를 제어한다. 제어부(MC)에 의한 제어에 의해서, 레시피 데이터에 의해 지정된 프로세스가 플라즈마 처리 장치(1)에서 실행된다. 후술하는 실시형태와 관련된 플라즈마 처리 방법은, 제어부(MC)에 의한 플라즈마 처리 장치(1)의 각 부의 제어에 의해, 플라즈마 처리 장치(1)에서 실행될 수 있다.
이하, 도 1과 함께, 도 2, 도 3, 및 도 4를 참조하여, 기판 지지 어셈블리(14)에 대해 추가로 설명한다. 도 2는, 하나의 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 일부 확대 단면도이다. 도 3은, 하나의 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 압전 소자의 평면도이다. 도 4는, 하나의 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 압전 소자의 종단면에 있어서의 구조를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 기판 지지 어셈블리(14)는 포커스 링(FR)을 지지하도록 구성된다. 포커스 링(FR)은 기판(W)의 엣지를 둘러싸도록 배치된다. 포커스 링(FR)은 예를 들면 실리콘으로 형성된다. 도 2에 도시한 바와 같이, 기판 지지 어셈블리(14)의 지지대(16)는 상면(TS)을 가진다. 일 실시형태에 있어서, 상면(TS)은 정전 척(20)의 상면이다. 상면(TS)은 제 1 영역(R1) 및 제 2 영역(R2)을 포함한다. 제 1 영역(R1)은, 그 위에 기판이 탑재되는 영역이다. 제 1 영역(R1)은 대략 원형의 평면 형상을 갖는다. 제 1 영역(R1)의 직경은 기판(W)의 직경보다 약간 작다. 또한 제 1 영역(R1)의 중심을 포함해서 연직 방향으로 연장되는 축선(AX)은 챔버(10)의 중심 축선과 대략 일치할 수 있다.
제 2 영역(R2)은 제 1 영역(R1)의 외측에서 둘레 방향으로 연재한다. 제 2 영역(R2)은 그의 상방에 포커스 링(FR)이 배치되는 영역이다. 제 2 영역(R2)는, 대략 수평 또는 환상의 면일 수 있다. 제 2 영역(R2)은 제 1 영역(R1)에 대해서 하방에 연재한다.
기판 지지 어셈블리(14)는 압전 소자(72)를 포함한다. 압전 소자(72)는 포커스 링(FR)과 제 2 영역(R2)의 사이에 마련된다. 일 실시형태에 있어서, 압전 소자(72)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 고리 형상을 갖고 있고 축선(AX)의 주위에서 둘레 방향으로 연재하고 있다. 압전 소자(72)의 두께의 변화는 포커스 링(FR)의 연직 방향의 위치를 변화시킨다. 압전 소자(72)의 두께는, 포커스 링(FR)과 제 2 영역(R2) 사이에서의 간극의 발생을 억제하도록 변화 가능하다.
일 실시형태에 있어서, 기판 지지 어셈블리(14)는 지지부(70)를 더 포함할 수 있다. 지지부(70)는 압전 소자(72)를 구비한다. 지지부(70)는 제 2 영역(R2) 상에서 포커스 링(FR)을 지지하도록 구성된다. 지지부(70)는 제 2 영역(R2)과 포커스 링(FR) 사이의 간극을 메우고 있다. 압전 소자(72)의 두께는, 지지부(70)가 제 2 영역(R2)과 포커스 링(FR) 사이의 간극을 메우고 있는 상태를 유지하도록, 변화 가능하다.
압전 소자(72)는, 포커스 링(FR) 및 제 2 영역(R2)에 직접적 또는 간접적으로 접하도록, 포커스 링(FR)과 제 2 영역(R2)의 사이에 마련된다. 일 실시형태에 있어서, 지지부(70)는 부재(74)를 더 포함한다. 부재(74)는, 고리 형상을 가질 수 있다. 부재(74)는, 압전 소자(72) 상에 마련되어 있고, 축선(AX)의 주위에서 둘레 방향으로 연재하고 있다. 부재(74)는 정전 척 또는 전열 시트일 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 부재(74)의 하면의 전체가 압전 소자(72)의 상면에 접하고 있다. 부재(74)의 상면의 전체가, 포커스 링(FR)의 하면에 접하고 있어도 괜찮다. 포커스 링(FR)의 하면의 전체가, 부재(74)의 상면에 접하고 있어도 괜찮다. 또, 압전 소자(72)의 하면의 전체가, 제 2 영역(R2)에 직접적 또는 간접적으로 접하고 있어도 괜찮다. 압전 소자(72)의 두께는, 압전 소자(72)와 부재(74)의 접촉, 및 압전 소자(72)와 제 2 영역(R2)의 접촉(직접적 또는 간접적인 접촉)을 유지하면서, 변화 가능하다. 따라서, 압전 소자(72)의 두께는, 포커스 링(FR)과 제 2 영역(R2) 사이에서의 간극의 발생을 억제하도록 변화 가능하다.
일 실시형태에 있어서, 압전 소자(72)는, 유전성 일래스토머로 형성된다. 유전성 일래스토머는, 불소계 유전성 일래스토머, 아크릴계 유전성 일래스토머, 또는 실리콘계 유전성 일래스토머일 수 있다. 불소계 유전성 일래스토머로서는, 예를 들면 불화 비닐리덴이 예시된다.
도 4에 도시한 바와 같이, 압전 소자(72)는, 복수의 제 1 전극층(731) 및 복수의 제 2 전극층(732)을 가질 수 있다. 복수의 제 1 전극층(731)은, 연직 방향을 따라서 배열되고 서로 전기적으로 접속된다. 복수의 제 2 전극층(732)은, 서로 전기적으로 접속되고 연직 방향에 있어서 복수의 제 1 전극층(731)과 교대로 배열된다. 복수의 제 1 전극층(731) 및 복수의 제 2 전극층(732)은, 압전 소자(72)에서 해당 압전 소자(72)의 표면보다 내측에 마련된다. 압전 소자(72)의 표면은, 해당 압전 소자(72)를 구성하는 유전성 일래스토머에 의해 구성되어도 괜찮다.
복수의 제 1 전극층(731)에는, 필터(781)를 거쳐서 직류 전원(761)이 전기적으로 접속된다. 복수의 제 2 전극층(732)에는, 필터(782)를 거쳐서 직류 전원(762)이 전기적으로 접속된다. 필터(781) 및 필터(782) 각각은, 고주파를 차단 또는 감쇠시키는 필터이다. 압전 소자(72)의 연직 방향에 있어서의 두께는, 직류 전원(761)으로부터 복수의 제 1 전극층(731)에 인가되는 직류 전압, 및 직류 전원(762)로부터 복수의 제 2 전극층(732)에 인가되는 직류 전압에 의해서 조정된다. 이 실시형태에 의하면, 압전 소자(72)의 각각의 두께를, 낮은 인가 전압으로 크게 변화시킬 수 있다. 덧붙여 압전 소자(72)의 제 1 전극층(731)의 개수 및 제 2 전극층(732)의 개수의 각각은 하나이어도 괜찮다.
도 2에 도시한 바와 같이, 기판 지지 어셈블리(14)는 지지부(80) 및 링 부재(82)를 더 포함한다. 기판(W)의 엣지는, 제 1 영역(R1)의 둘레 가장자리부로부터 직경 방향으로 연장된다. 지지부(80) 및 링 부재(82)는, 제 2 영역(R2)과 기판(W)의 엣지의 하면의 사이에 개재하도록, 제 2 영역(R2) 상에 마련된다.
링 부재(82)는 고리 형상을 갖는다. 링 부재(82)는, 축선(AX)의 주위에서 둘레 방향으로 연재하고, 포커스 링(FR)의 내측에 마련된다. 링 부재(82)는, 포커스 링(FR)과 동일한 재료 또는 포커스 링(FR)의 유전율과 대략 동일한 유전율을 갖는 재료로 형성된다.
지지부(80)는 제 2 영역(R2) 상에 마련된다. 지지부(80)는 그 위에 탑재된 링 부재(82)를 지지하고 있다. 지지부(80)는 축선(AX)의 주위에서 둘레 방향으로 연재하고, 지지부(70)의 내측에 마련된다. 링 부재(82)는, 지지부(70)와 마찬가지로 유전체 일래스토머와 정전 척 또는 전열 시트로 형성되어도 괜찮다. 덧붙여 기판(W)의 엣지의 상면과 제 2 영역(R2) 사이의 임피던스가, 포커스 링(FR)의 상면과 제 2 영역(R2) 사이의 임피던스와 대략 동일하면, 지지부(80)를 구성하는 부재의 개수 및 재료는 한정되는 것은 아니다.
이상 설명한 기판 지지 어셈블리(14)에서는, 포커스 링(FR)의 연직 방향의 위치를 변화시키기 위해서 압전 소자(72)의 두께가 변경되어도, 포커스 링(FR)과 제 2 영역(R2) 사이에서의 간극의 발생이 억제된다. 따라서, 지지대(16)와 포커스 링(FR) 사이에서의 임피던스의 변화를 억제하도록, 포커스 링(FR)의 연직 방향의 위치를 조정하는 것이 가능해진다. 고로, 플라즈마 처리 장치(1)에 의하면, 지지대(16)와 포커스 링(FR) 사이에서의 임피던스의 변화를 억제하고, 또, 기판(W)의 엣지에 대해서 연직 방향으로 이온을 입사시키는 것이 가능해진다.
이하, 도 5 ~ 도 9를 참조해서 몇 개의 다른 실시형태에 대해 설명한다.
다른 실시형태에 있어서, 기판 지지 어셈블리는, 서로로부터 분리된 복수의 압전 소자를 포함하여도 괜찮다. 도 5는, 다른 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 복수의 압전 소자를 도시하는 평면도이다. 기판 지지 어셈블리(14)는, 단일의 압전 소자(72)가 아니고, 도 5에 도시한 바와 같이, 직경 방향 및 둘레 방향으로 배열된 복수의 압전 소자를 포함하여도 괜찮다. 도 5에 도시하는 복수의 압전 소자는, 압전 소자(72)와 동일한 재료로 형성되어도 괜찮고, 압전 소자(72)와 동일한 단면 구조를 가져도 괜찮다. 도 5에 도시하는 복수의 압전 소자는 서로로부터 분리된다. 도 5에 도시하는 복수의 압전 소자는 복수의 압전 소자(721) 및 복수의 압전 소자(722)를 포함한다. 복수의 압전 소자(722)는 제 2 영역(R2) 상에 마련되고 축선(AX)의 주위에서 둘레 방향으로 배열된다. 복수의 압전 소자(721)는, 제 2 영역(R2) 위 또한 복수의 압전 소자(722)에 의해서 형성되는 고리의 내측에 마련되고, 축선(AX)의 주위에서 둘레 방향으로 배열된다.
도 6은, 또 다른 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 복수의 압전 소자를 도시하는 평면도이다. 기판 지지 어셈블리(14)는, 단일의 압전 소자(72)가 아니고, 도 6에 도시한 바와 같이 동심형으로 배열된 복수의 압전 소자를 포함하여도 괜찮다. 도 6에 도시하는 복수의 압전 소자는, 압전 소자(72)와 동일한 재료로 형성되어도 괜찮고, 압전 소자(72)와 동일한 단면 구조를 가져도 괜찮다. 도 6에 도시하는 복수의 압전 소자는 서로로부터 분리되어 있다. 도 6에 도시하는 복수의 압전 소자는 압전 소자(721) 및 압전 소자(722)를 포함한다. 압전 소자(721) 및 압전 소자(722)의 각각은 고리 형상을 갖고 있고 축선(AX)의 주위에서 연재하고 있다. 압전 소자(721)는 압전 소자(722)의 내측에 마련된다.
도 7은, 또 다른 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 일부 확대 단면도이다. 도 7에 도시하는 기판 지지 어셈블리(14B)는, 기판 지지 어셈블리(14)를 대신하여, 플라즈마 처리 장치(1)에 채용될 수 있다. 기판 지지 어셈블리(14B)는 지지부(70B)를 포함한다. 지지부(70B)는 복수의 압전 소자, 하나 이상의 제 1 부재(741) 및 하나 이상의 제 2 부재(742)를 가진다. 지지부(70B)의 복수의 압전 소자는 하나 이상의 압전 소자(721)를 포함한다. 지지부(70B)의 하나 이상의 압전 소자(721)는, 도 5에 도시한 복수의 압전 소자(721) 또는 도 6에 도시한 압전 소자(721)일 수 있다. 또, 지지부(70B)의 복수의 압전 소자는, 하나 이상의 압전 소자(722)를 추가로 포함한다. 지지부(70B)의 하나 이상의 압전 소자(722)는, 도 5에 도시한 복수의 압전 소자(722) 또는 도 6에 도시한 압전 소자(722)일 수 있다.
하나 이상의 제 1 부재(741)는 하나 이상의 압전 소자(721) 상에 각각 마련된다. 하나 이상의 제 2 부재(742)는 하나 이상의 압전 소자(722) 상에 각각 마련된다. 하나 이상의 제 1 부재(741) 및 하나 이상의 제 2 부재(742)의 각각은 정전 척 또는 전열시트일 수 있다.
지지부(70B)는 포커스 링(FRB)를 지지하도록 구성된다. 포커스 링(FRB)은, 제 1의 링 부재(FR1) 및 제 2의 링 부재(FR2)를 포함한다. 제 1의 링 부재(FR1) 및 제 2의 링 부재(FR2)의 각각은, 포커스 링(FR)과 동일한 재료로 형성될 수 있다. 제 1의 링 부재(FR1) 및 제 2의 링 부재(FR2)의 각각은, 고리 형상을 가지며, 축선(AX)의 주위에서 연재하고 있다. 제 1의 링 부재(FR1)는 제 2 영역(R2) 상에서 제 2의 링 부재(FR2)의 내측에 마련된다.
하나 이상의 압전 소자(721)는 하나 이상의 제 1의 링 부재(FR1)와 제 2 영역(R2)의 사이에 마련된다. 하나 이상의 압전 소자(722)는 하나 이상의 제 2의 링 부재(FR2)와 제 2 영역(R2)의 사이에 마련된다. 일 실시형태에서는, 하나 이상의 제 1 부재(741)의 각각의 하면의 전체가, 대응의 압전 소자(721)의 상면에 접하고 있다. 하나 이상의 제 1 부재(741)의 상면의 전체가, 제 1의 링 부재(FR1)의 하면에 접하고 있어도 괜찮다. 또, 하나 이상의 압전 소자(721)의 각각의 하면의 전체가, 제 2 영역(R2)에 직접적 또는 간접적으로 접하고 있어도 괜찮다. 또한, 하나 이상의 제 2 부재(742)의 각각의 하면의 전체가, 대응의 압전 소자(722)의 상면에 접하고 있다. 하나 이상의 제 2 부재(742)의 상면의 전체가, 제 2의 링 부재(FR2)의 하면에 접하고 있어도 괜찮다. 또, 하나 이상의 압전 소자(722)의 각각의 하면의 전체가, 제 2 영역(R2)에 직접적 또는 간접적으로 접하고 있어도 괜찮다. 따라서, 하나 이상의 압전 소자(721)의 두께 및 하나 이상의 압전 소자(722)의 두께는, 포커스 링(FR)과 제 2 영역(R2)의 사이에서의 간극의 발생을 억제하도록, 변화 가능하다.
도 8은 또 다른 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 복수의 압전 소자를 도시하는 평면도이다. 도 8에 도시한 바와 같이, 기판 지지 어셈블리는, 단일의 압전 소자(72)가 아니고, 복수의 압전 소자(72)를 포함하여도 괜찮다. 도 8에 도시하는 복수의 압전 소자(72)는, 축선(AX)의 주위에서 둘레 방향으로 배열된다. 도 8에 도시하는 복수의 압전 소자(72)는, 상술한 도 4에 도시하는 압전 소자(72)와 동일한 재료로 형성되어도 괜찮고, 도 4에 도시하는 압전 소자(72)와 동일한 단면 구조를 가져도 괜찮다. 도 8에 도시하는 복수의 압전 소자(72)는 서로로부터 분리된다.
상술한 여러 가지의 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리에 있어서, 복수의 압전 소자는 해당 복수의 압전 소자의 모두에 일괄해서 전압이 인가 가능하도록 구성되어도 괜찮다. 이 경우에는, 복수의 압전 소자에 전압을 인가하기 위해서, 하나의 직류 전원(761) 및 하나의 직류 전원(762)이 이용된다.
혹은, 상술한 여러 가지의 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리에 있어서, 복수의 압전 소자는, 해당 복수의 압전 소자에 개별적으로 전압이 인가 가능하도록 구성되어도 괜찮다. 이 경우에는, 복수의 압전 소자에 개별적으로 전압을 인가하기 위해서, 복수의 압전 소자의 개수와 동수의 직류 전원(761) 및 복수의 압전 소자의 개수와 동수의 직류 전원(762)이 이용된다.
혹은, 상술한 여러 가지의 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리에 있어서, 복수의 압전 소자는, 각각이 해당 복수의 압전 소자중 하나 이상의 압전 소자를 포함하는 복수의 그룹마다 개별적으로 전압이 인가 가능하도록 구성되어도 괜찮다. 이 경우에는, 복수의 그룹마다 전압을 인가하기 위해서, 그룹의 개수와 동수의 직류 전원(761) 및 그룹의 개수와 동수의 직류 전원(762)이 이용된다. 각 그룹은, 복수의 압전 소자 중 둘레 방향으로 순서대로 늘어선 몇개의 압전 소자를 포함하여도 괜찮다. 혹은, 각 그룹은, 복수의 압전 소자 중 둘레 방향 및 직경 방향으로 순서대로 늘어선 몇개의 압전 소자를 포함하여도 괜찮다.
도 9는, 또 다른 예시적 실시형태와 관련된 기판 지지 어셈블리의 압전 소자의 종단면에 있어서의 구조를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 9에 도시하는 압전 소자(72C)는, 상술한 각종 실시형태와 관련된 하나 이상의 압전 소자의 각각으로서 채용될 수 있다. 압전 소자(72C)는 본체(72m)를 갖는다. 본체(72m)는 유전성 일래스토머로 형성될 수 있다. 압전 소자(72C)는, 복수의 제 1 전극층(731) 및 복수의 제 2 전극층(732)를 가질 수 있다. 복수의 제 1 전극층(731) 및 복수의 제 2 전극층(732)은 본체(72m) 내에 마련된다. 본체(72m)의 표면은, 챔버(10) 내에서 생성되는 플라즈마 또는 해당 플라즈마로부터의 화학종에 대해서 내부식성을 갖는 수지(72p)로 덮여 있다.
이하, 도 10을 참조해서 하나의 예시적 실시형태와 관련된 플라즈마 처리 방법에 대해 설명한다. 도 10은 하나의 예시적 실시형태와 관련된 플라즈마 처리 방법을 도시하는 흐름도이다. 이하의 설명에서는, 플라즈마 처리 장치(1)을 이용해서 실행되는 경우를 예로 해서 플라즈마 처리 방법에 대해 설명한다.
도 10에 도시하는 플라즈마 처리 방법(이하, 「방법(MT)」라 함)은 공정(ST1)으로 개시한다. 공정(ST1)에서는, 플라즈마 처리 장치(1)의 기판 지지 어셈블리의 하나 이상의 압전 소자의 두께가, 해당 하나 이상의 압전 소자에 전압을 인가하는 것에 의해 조정된다. 하나 이상의 압전 소자의 두께는, 기판(W)의 엣지에 공급되는 이온의 진행 방향을 수직 방향으로 설정하도록 정해진 기준 위치에, 포커스 링의 상면의 연직 방향의 위치를 설정하기 위해서 조정된다. 포커스 링의 상면의 연직 방향의 위치는, 포커스 링이 플라즈마에 노출된 시간으로부터 결정되어도 괜찮다. 포커스 링의 상면의 연직 방향의 위치는, 센서에 의해서 광학적으로 측정되어도 괜찮다. 포커스 링의 상면의 연직 방향의 위치는, 센서에 의해서 광학적된 포커스 링의 두께로부터 결정되어도 괜찮다. 혹은, 포커스 링의 상면의 연직 방향의 위치는, 센서에 의해서 전기적으로 측정된 포커스 링의 두께로부터 결정되어도 괜찮다.
계속되는 공정(ST2)에서는, 제 1 영역(R1) 상에 기판(W)이 탑재되어 있는 상태에서, 챔버(10) 내에 플라즈마가 생성된다. 기판(W)은 정전 척(20)에 의해서 보관 유지된다. 공정(ST2)에서는, 가스 공급부로부터 챔버(10) 내로 가스가 공급된다. 공정(ST2)에서는, 고주파 전원(61)으로부터의 고주파 전력(HF) 및/또는 고주파 전원(62)으로부터의 고주파 전력(LF)이 공급된다. 공정(ST2)에서는, 챔버(10) 내에서 가스로부터 플라즈마가 생성된다. 생성된 플라즈마로부터의 화학종(예를 들면 이온 및/또는 래디칼)에 의해, 기판(W)이 처리된다.
이상, 각종 예시적 실시형태에 대해 설명해 왔지만, 상술한 예시적 실시형태에 한정되는 일 없이, 다양한 생략, 치환 및 변경이 이루어져도 괜찮다. 또, 다른 실시형태에 있어서의 요소를 조합해서 다른 실시형태를 형성하는 것이 가능하다.
각종 실시형태와 관련된 기판 지지 서브 어셈블리는, 플라즈마 처리 장치(1) 이외의 임의의 타입의 플라즈마 처리 장치에서 이용되어도 괜찮다. 예를 들면, 각종 실시형태와 관련된 기판 지지 서브 어셈블리는, 다른 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치, 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치, 또는 마이크로파라고 하는 표면파를 이용해서 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치에서 이용되어도 괜찮다.
이상의 설명으로부터, 본 개시된 각종 실시형태는, 설명의 목적으로 본 명세서에서 설명되고, 본 개시된 범위 및 주 요지로부터 일탈하는 일 없이 각종 변경을 할 수 있는 것이 이해될 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시한 각종 실시형태는 한정하는 것을 의도하고 있지 않고, 진정한 범위와 주 요지는 첨부된 특허 청구의 범위에 의해서 나타난다.
1…플라즈마 처리 장치, 10…챔버, 14…기판 지지 어셈블리, 16…지지대, 18… 하부 전극, 20…정전 척, 72…압전 소자, R1…제 1 영역, R2…제 2 영역, FR…포커스 링.

Claims (16)

  1. 플라즈마 처리 장치에서 이용되는 기판 지지 어셈블리에 있어서,
    하부 전극 및 상기 하부 전극 상에 마련된 정전 척을 포함하는 지지대와,
    상기 지지대와 포커스 링의 사이에 마련된 하나 이상의 압전 소자를 포함하고,
    상기 지지대는 상면을 갖고,
    상기 지지대의 상면은, 그 위에 기판이 탑재되는 제 1 영역, 및 상기 제 1 영역의 외측에서 둘레 방향으로 연재하는 제 2 영역으로서, 그의 상방에 포커스 링이 배치되는 상기 제 2 영역을 포함하고,
    상기 하나 이상의 압전 소자는, 상기 포커스 링 및 상기 제 2 영역에 직접적 또는 간접적으로 접하도록, 상기 포커스 링과 상기 제 2 영역의 사이에 마련되고,
    상기 하나 이상의 압전 소자의 각각의 두께의 변화는, 상기 포커스 링의 연직 방향의 위치를 변화시키고,
    상기 하나 이상의 압전 소자의 각각의 두께는, 상기 포커스 링과 상기 제 2 영역 사이에서의 간극의 발생을 억제하도록 변화 가능한,
    기판 지지 어셈블리.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 하나 이상의 압전 소자의 각각은 유전성 일래스토머로 형성되는,
    기판 지지 어셈블리.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 하나 이상의 압전 소자의 각각은 복수의 제 1 전극층 및 복수의 제 2 전극층을 가지며,
    상기 복수의 제 1 전극층은 연직 방향에 따라서 배열되고 서로 전기적으로 접속되며,
    상기 복수의 제 2 전극층은 서로 전기적으로 접속되고 연직 방향에 있어서 상기 복수의 제 1 전극층과 교대로 배열되는,
    기판 지지 어셈블리.
  4. 청구항 1~3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 압전 소자의 각각은, 내부식성을 가지는 수지로 덮여 있는,
    기판 지지 어셈블리.
  5. 청구항 1~4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 압전 소자를 포함하고, 상기 제 2 영역 상에서 상기 포커스 링을 지지하는 지지부를 더 포함하고,
    상기 지지부는, 상기 제 2 영역과 상기 포커스 링 사이의 간극을 메우고 있고,
    상기 하나 이상의 압전 소자의 두께는, 상기 지지부가 상기 제 2 영역과 상기 포커스 링 사이의 간극을 메우고 있는 상태를 유지하도록, 변화 가능한,
    기판 지지 어셈블리.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 지지부는, 상기 포커스 링을 보관 유지하는 다른 정전 척을 더 포함하고,
    상기 다른 정전 척은, 상기 포커스 링과 상기 하나 이상의 압전 소자의 사이에 마련되는,
    기판 지지 어셈블리.
  7. 청구항 1~6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 압전 소자로서, 서로로부터 분리된 복수의 압전 소자를 포함하는,
    기판 지지 어셈블리.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 포커스 링은 제 1의 링 부재 및 제 2의 링 부재를 포함하고,
    상기 제 1의 링 부재는 상기 제 2 영역상에서 상기 제 2의 링 부재의 내측에 마련되며,
    상기 복수의 압전 소자는, 상기 제 1의 링 부재와 상기 제 2 영역의 사이에 마련된 하나 이상의 제 1 압전 소자와, 상기 제 2의 링 부재와 상기 제 2 영역의 사이에 마련된 하나 이상의 제 2 압전 소자를 포함하는,
    기판 지지 어셈블리.
  9. 청구항 7 또는 8에 있어서,
    상기 복수의 압전 소자는 동심형으로 배열되는,
    기판 지지 어셈블리.
  10. 청구항 7 또는 8에 있어서,
    상기 복수의 압전 소자는 상기 둘레 방향 및 직경 방향을 따라서 배열되는,
    기판 지지 어셈블리.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 복수의 압전 소자는 상기 둘레 방향을 따라서 배열되는,
    기판 지지 어셈블리.
  12. 청구항 7~11 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 압전 소자는 상기 복수의 압전 소자에 개별적으로 전압이 인가 가능하도록 구성되어 있는,
    기판 지지 어셈블리.
  13. 청구항 7~11 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 압전 소자는, 각각이 상기 복수의 압전 소자 중 하나 이상의 압전 소자를 포함하는 복수의 그룹마다 전압이 인가 가능하도록 구성되어 있는,
    기판 지지 어셈블리.
  14. 청구항 7~11 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 압전 소자는, 상기 복수의 압전 소자의 모두에 일괄해서 전압이 인가 가능하도록 구성되어 있는,
    기판 지지 어셈블리.
  15. 챔버와,
    상기 챔버 내에 마련된 기판 지지 어셈블리를 포함하고,
    상기 기판 지지 어셈블리는,
    하부 전극과,
    상기 하부 전극상에 마련된 정전 척으로서, 상면을 가지며, 상기 상면은, 그 위에 기판이 탑재되는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역의 외측에서 둘레 방향으로 연재하는 제 2 영역으로서, 그의 상방에 포커스 링이 배치되는 상기 제 2 영역을 포함하는, 상기 정전 척과,
    상기 포커스 링 및 상기 제 2 영역에 직접적 또는 간접적으로 접하도록, 상기 포커스 링과 상기 제 2 영역의 사이에 마련된 하나 이상의 압전 소자를 포함하고,
    상기 하나 이상의 압전 소자의 각각의 두께의 변화는, 상기 포커스 링의 연직 방향의 위치를 변화시키고,
    상기 하나 이상의 압전 소자의 각각의 두께는, 상기 포커스 링과 상기 제 2 영역 사이에서의 간극의 발생을 억제하도록 변화 가능한,
    플라즈마 처리 장치.
  16. 청구항 15에 기재된 플라즈마 처리 장치를 이용하는 플라즈마 처리 방법에 있어서,
    상기 제 2 영역의 상방에서의 상기 포커스 링의 상면의 연직 방향의 위치를 조정하기 위해서, 상기 하나 이상의 압전 소자의 두께를 조정하는 공정과,
    상기 기판 지지 어셈블리의 상기 제 1 영역 상에 기판이 탑재되어 있는 상태에서, 상기 챔버내에 플라즈마를 생성하는 공정을 포함하는,
    플라즈마 처리 방법.
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