TW201921425A - 流體供給裝置及該裝置的液體排出方法 - Google Patents
流體供給裝置及該裝置的液體排出方法Info
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Abstract
[課題]提供一種流體供給裝置及適合此裝置的液體排出方法,可防止由被設置在主配管的各種機器的凍結所產生的故障。 [技術內容]具有:電容器(130)、及將流體貯留的槽桶(140)、及將流體朝向處理室(500)壓送的泵(160)、及使用被貯留在將槽桶(140)及泵(160)連結的槽桶(140)的液體的自重將該液體朝泵(160)移送用的主配管(2)、及主配管(2)及一端是由該主配管(2)的最低位置(MB)被連接且另一端部是朝大氣被開放並將槽桶(140)及主配管(2)內的液體氣化並朝外部排出用的排出用配管(5),排出用配管(5),是在槽桶(140)及主配管(2)內的液體全部被排出之後,使將排出用配管(5)的大氣側的空間及主配管(2)側的空間隔出的積水,在排出用配管(5)內暫時地發生地形成。
Description
本發明,是半導體基板、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板等的各種基板的乾燥過程等所使用的流體的流體供給裝置及該裝置的液體排出方法。
大規模且高密度,高性能的半導體設備,是對於被鍍膜在矽晶圓上的光阻層經過曝光、顯像、清洗洗淨、乾燥形成了光阻層圖型之後,經過塗抹、蝕刻、清洗洗淨、乾燥等的工序被製造。尤其是,光阻層,是光、X線、電子束等感光的高分子材料,因為在顯像、清洗洗淨過程中使用顯像液、清洗液等的藥液,所以清洗洗淨過程後,必須進行乾燥過程。 在此乾燥過程中,形成於基板上的光阻層圖型之間的空間寬度是成為90nm程度以下的話藉由殘存於圖型之間的藥液的表面張力(毛細管力)的作用,會有在圖型之間發生拉普拉斯力的作用而使圖型倒下的問題。為了防止由該殘存於圖型之間的藥液的表面張力的作用所產生的圖型倒下,對於將作用於圖型之間的表面張力減輕的乾燥工序,已知使用二氧化碳的超臨界流體的方法(例如專利文獻1~4)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-22520號公報 [專利文獻2]日本特開2006-294662號公報 [專利文獻3]日本特開2004-335675號公報 [專利文獻4]日本特開2002-33302號公報
[本發明所欲解決的課題]
在將二氧化碳的超臨界流體朝處理腔室供給的流體供給裝置中,首先,來自供給源的氣體狀態的二氧化碳(例如20℃,5.0MPa)是由電容器(凝縮器)被凝縮液化並被貯留在槽桶,使其通過貫通處理腔室的主配管由泵朝處理腔室被壓送(例如20℃,20.0MPa)。朝處理腔室被壓送的液體狀的二氧化碳,是在處理腔室的前方或是處理腔室內被加熱(例如80℃,20.0MPa),成為超臨界流體。 在如上述的流體供給裝置中,當裝置的運轉停止時,藉由將被貯留在槽桶的液體狀態的二氧化碳通過與主配管連接的排出配管朝大氣接觸而朝氣體狀態的二氧化碳變化並朝外部排出。 但是被貯留在槽桶的液體,是藉由自重一邊朝主配管落下一邊朝泵被供給。即,因為泵是被配置於比槽桶更下方,所以可將被貯留在槽桶的液體一邊氣化一邊朝外部排出,將殘留在將槽桶及泵連通的主配管的液體朝大氣接觸使氣化時,構成該主配管的配管被凍結。在將槽桶及泵連結的主配管的配管中,被設置開閉閥、壓力感測器、溫度感測器等的各種機器,因此存在了該配管的凍結是具有導致各種機器故障的可能性的問題。
本發明的目的,是提供一種流體供給裝置及適合此裝置的液體排出方法,可防止由被設置在主配管的各種機器的凍結所產生的故障。 [用以解決課題的手段]
本發明的流體供給裝置,是將液體狀態的流體朝向處理室供給,具有:將氣體狀態的流體液化的電容器、及將藉由前述電容器被液化的流體貯留的槽桶、及將被貯留在前述槽桶的被液化的流體朝向前述處理室壓送的泵、及將前述槽桶及前述泵連結且使用被貯留在該槽桶的液體的自重將該液體朝泵移送用的主配管、及一端是在前述主配管的最低位置與該主配管連接且另一端是朝大氣被開放且將前述槽桶及主配管內的液體氣化並朝外部排出用的排出用配管,前述排出用配管,是前述槽桶及主配管內的液體全部被排出之後,使將該排出用配管的大氣側的空間及前述主配管側的空間隔出的積水在該排出用配管內暫時地發生地形成。
最佳是可以採用,前述排出用配管,是藉由在其中途處具有比前述一端及另一端的位置更低的最低位置,而在該最低位置附近使前述積水發生地形成,在該排出用配管的最低位置設有開閉閥,的構成。 且最佳是可以採用,前述排出用配管,是在前述另一端側設有限流孔,進一步具有:設有與前述排出用配管限流孔的出口側的附近連接的排氣通路,在該排氣通路將大氣朝一方向流通的排氣裝置,的構成。
本發明的液體排出方法,是流體供給裝置的液體排出方法,該流體供給裝置,具有:將氣體狀態的流體液化的電容器、及將藉由前述電容器被凝液化的流體貯留的槽桶、及將被貯留在前述槽桶的被液化的流體朝向前述處理室壓送的泵、及將前述槽桶及前述泵連結且使用被貯留在該槽桶的液體的自重將該液體朝泵移送用的主配管,將液體狀態的流體朝向處理室供給,使用一端是在前述主配管的最低位置與該主配管連接另一端是朝大氣被開放的排出用配管,將前述槽桶及主配管內的液體氣化並朝外部排出時,將前述槽桶及主配管內的液體全部排出之後,使將該排出用配管的大氣側的空間及主配管側的空間隔出的積水在該排出用配管內暫時地產生。
本發明的半導體製造裝置,是使用上述構成的流體供給裝置,進行基體的處理。 [發明的效果]
依據本發明的話,在槽桶及主配管內的液體全部被排出之後,藉由使將排出用配管的大氣側的空間及主配管側的空間隔出的積水在排出用配管內暫時地發生地形成,使暫時地發生的積水形成的液體是從與大氣接觸側氣化,雖具有藉由此時的氣化熱使排出用配管被冷卻而凍結的可能性,但是形成積水的液體因為是在與主配管側的空間接觸側而不會氣化,所以可以迴避主配管被冷卻而凍結。
以下,參照圖面說明本發明的實施例。 在第1圖顯示本發明的一實施例的流體供給裝置。在本實施例中說明,流體是使用二氧化碳的情況。 在第1圖中,2是主配管,3是分歧配管,5是排出用配管,100是CO2供給源,110是開閉閥,120是過濾器,130是電容器,140是槽桶,150是開閉閥,160是泵,170是背壓閥,180是開閉閥,200是開閉閥,210是限流孔,300是排氣裝置,500是處理腔室。且,圖中的PT是顯示壓力感測器和溫度感測器等的各種機器。第1圖,是顯示開閉閥110、150、180為開放,開閉閥200為閉鎖的狀態。
在處理腔室500中,進行矽晶圓等的半導體基板的處理。又,在本實施例中,處理對象,雖例示矽晶圓,但是不限定於此,玻璃基板等的其他的處理對象也可以。
CO2供給源100,是將氣體狀態的二氧化碳(例如20℃,5.0MPa)朝主配管2供給。參照第6圖的二氧化碳的狀態圖的話,從CO2供給源100被供給的二氧化碳,是位於第6圖的P1的狀態中。此狀態的二氧化碳,是通過開閉閥110、過濾器120朝電容器130被送出。 在電容器130中,被供給的氣體狀態的二氧化碳是藉由冷卻而液化,被液化的二氧化碳是被貯留在槽桶140。被貯留在槽桶140的二氧化碳,是成為如第6圖的P2的狀態(3℃,5MPa)。從槽桶140的底部使位於第6圖的P2的狀態中的液體狀態的二氧化碳通過主配管2由自重朝泵160被送出,藉由朝泵160的吐出側被壓送,成為如第6圖的P3的液體狀態(20℃,20MPa)。主配管2,是從槽桶140通過泵160至處理腔室500為止延伸,與泵160連接的高度,是成為主配管2的最低位置。
在將泵160及處理腔室500連結的主配管2的中途處中,設有開閉閥180。分歧配管3是從主配管2的泵160及開閉閥180之間分歧。分歧配管3,是在泵160及開閉閥180之間,從主配管2分歧,由過濾器120的上游側再度與主配管2連接。在分歧配管3中,設有背壓閥170。 背壓閥170,是泵160的吐出側的流體(液體)的壓力是成為設定壓力(例如20MPa)以上的話,朝過濾器120側將液體放出。由此,可防止泵160的吐出側的液體的壓力超過設定壓力。
在開閉閥110、150、180被開放的狀態下,液體狀態的二氧化碳是朝處理腔室500被壓送。被壓送的液體狀態的二氧化碳,是藉由設於處理腔室500的前方或是處理腔室500內的無圖示的加熱器被加熱,成為如第6圖所示的P4的超臨界狀態(80℃,20MPa)。 在開閉閥180被關閉的狀態下,如第2圖所示,從泵160被壓送的液體,是再度通過分歧配管3返回至電容器130及槽桶140。
在此,參照第3圖~第5圖說明,當上述構成的流體供給裝置的運轉停止時,將被貯留在槽桶140的液體狀態的二氧化碳,藉由通過排出用配管5與大氣接觸而朝氣體狀態的二氧化碳變化並朝外部排出的構成及方法。 不銹鋼等的金屬製的排出用配管5,從圖可了解,由複數配管部5a~5e所構成,配管部5a的端部是與主配管2的最低位置MB的連通部CN1連接。排出用配管5的配管部5a,是從連通部CN1朝水平方向延伸,接著此,配管部5b是朝垂直方向下側延伸。在配管部5b的最低位置中,連接有配管部5c的一端,配管部5c是朝水平方向延伸另一端部是與朝垂直方向上側延伸的配管部5d連接。配管部5d的上側端部,是位於最低位置MB及槽桶140的最底部之間,與配管部5d連接並朝水平方向延伸的配管部5e,是與排氣裝置300的排氣通路310連接。 在最低位置中的配管部5c的中途處設有開閉閥200。 在配管部5e中,設有限流孔210,限流孔210的出口211的附近是與排氣通路310連接。
排氣裝置300,是具有:朝上下方向延伸的排氣通路310、及設於排氣通路310的排氣風扇320。藉由將排氣風扇320驅動,大氣A1是將排氣通路310從下側朝向上側流通過,從排氣風扇320朝外部被排氣。
如第3圖所示,將開閉閥110及150閉鎖,將開閉閥200開放的話,槽桶140內的液體(液體狀態的二氧化碳)LQ,是被充填於:從主配管2的槽桶140的底部至開閉閥150為止的空間、及從排出用配管5的連通部CN1至限流孔210為止的空間。在限流孔210中,液體LQ是藉由與大氣接觸而氣化而成為二氧化碳氣體。此二氧化碳氣體是與流通於排氣通路310的大氣A1混合,通過排氣風扇320朝外部被放出。 在限流孔210的出口211中,液體LQ氣化時因為熱被奪走而使溫度下降,具有熱量的大氣A1因為是時常朝限流孔210的出口211附近被供給,所以限流孔210不會因凍結而堵塞。
如第4圖所示,槽桶140內的液體LQ是全部被排出,在主配管2的槽桶140側成為形成有液體LQ不存在的空間的狀態的話,因為在排出用配管5的限流孔210側也成為形成有液體LQ不存在的空間的狀態,所以限流孔210側的液體LQ的液位也下降。又,槽桶140及主配管2的液體LQ不存在的閉空間,因為是由比大氣壓更高的二氧化碳氣體被充滿,所以在第4圖所示的狀態下,主配管2側的液體LQ的液位,是比限流孔210側的液體LQ的液位更低。此時,限流孔210側的液體LQ的液面因為是與通過限流孔210侵入的大氣A1接觸,所以在配管部5d內被氣化。因此,如第4圖所示,在配管部5d及5e的一部分中具有凍結部FZ會發生的可能性。 但是因為凍結部FZ是從主配管2遠離,所以不會影響主配管2。
從如第4圖所示的狀態更進行液體LQ的排出的話,如第5圖所示,藉由配管部5b、5c、5d,形成液體LQ的積水。此時,凍結部FZ是除了配管部5e、5d以外,具有擴大至配管部5c為止的可能性。即使在此狀態中,形成積水的液體LQ的主配管側的液面,因為與比大氣更高壓的二氧化碳氣體接觸而不會氣化,所以凍結部FZ最壞也不會擴大至配管部5b。形成積水的液體LQ是在配管部5c中全部氣化的話,液體的排出就完成。即,藉由在配管部5c將積水暫時地形成,就可確實地防止凍結部FZ擴大至主配管2。
如以上,依據本實施例,藉由液體狀態的二氧化碳與大氣接觸而氣化時的氣化熱,可確實地防止當流體供給裝置運轉時所使用的流體供給用的主配管2凍結。
在上述實施例中,雖舉例藉由配管部5b、5c、5d使積水發生的構成的例,但是不限定於此,在排出用配管5形成彎曲的U狀部分也可以,使可以積水地形成彎曲部也可以。
在上述實施例中,流體雖例示了二氧化碳,但是不限定於此,可朝超臨界狀態變化的流體的話,皆可適用本發明。
2‧‧‧主配管
3‧‧‧分歧配管
5‧‧‧排出用配管
5a~5e‧‧‧配管部
100‧‧‧CO2供給源
110‧‧‧開閉閥
120‧‧‧過濾器
130‧‧‧電容器
140‧‧‧槽桶
150‧‧‧開閉閥
160‧‧‧泵
170‧‧‧背壓閥
180‧‧‧開閉閥
200‧‧‧開閉閥
210‧‧‧限流孔
211‧‧‧出口
300‧‧‧排氣裝置
310‧‧‧排氣通路
320‧‧‧排氣風扇
500‧‧‧處理腔室
CN1‧‧‧連通部
MB‧‧‧最低位置
[第1圖]本發明的一實施例的流體供給裝置的構成圖,將流體供給至處理腔室的狀態的圖。 [第2圖]顯示在第1圖的流體供給裝置中將液體循環的狀態的圖。 [第3圖]顯示在第1圖的流體供給裝置中,將貯留在槽桶的液體朝外部排出的排出過程的圖。 [第4圖]顯示接著第3圖之後的排出過程的圖。 [第5圖]顯示接著第4圖之後的排出過程的圖。 [第6圖]二氧化碳的狀態圖。
Claims (8)
- 一種流體供給裝置, 是將液體狀態的流體朝向處理室供給,具有: 將氣體狀態的流體液化的電容器、及 將藉由前述電容器被液化的流體貯留的槽桶、及 將被貯留在前述槽桶的被液化的流體朝向前述處理室壓送的泵、及 將前述槽桶及前述泵連結且使用被貯留在該槽桶的液體的自重將該液體朝泵移送用的主配管、及 一端是在前述主配管的最低位置與該主配管連接且另一端是朝大氣被開放且將前述槽桶及前述主配管內的液體氣化並朝外部排出用的排出用配管, 前述排出用配管,是在前述槽桶及前述主配管內的液體全部被排出之後,使將該排出用配管的大氣側的空間及前述主配管側的空間隔出的積水在該排出用配管內暫時地發生地形成。
- 如申請專利範圍第1項的流體供給裝置,其中, 前述排出用配管,是藉由在其中途處具有比前述一端及另一端的位置更低的最低位置,而在該最低位置附近使前述積水發生地形成,在該排出用配管的最低位置設有開閉閥。
- 如申請專利範圍第1項的流體供給裝置,其中, 前述排出用配管,是在前述另一端側設有限流孔, 進一步具有:設有在前述排出用配管的前述限流孔的出口側的附近連接的排氣通路,在該排氣通路將大氣朝一方向流通的排氣裝置。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項的流體供給裝置,其中, 前述流體,是包含二氧化碳。
- 一種液體排出方法, 是將液體狀態的流體朝向處理室供給的流體供給裝置中的液體排出方法,該流體供給裝置,具有: 將氣體狀態的流體液化的電容器、及 將藉由前述電容器被液化的流體貯留的槽桶、及 將被貯留在前述槽桶的被液化的流體朝向前述處理室壓送的泵、及 將前述槽桶及前述泵連結且使用被貯留在該槽桶的液體的自重將該液體朝泵移送用的主配管, 該液體排出方法,是使用一端是在前述主配管的最低位置與該主配管連接,另一端是朝大氣被開放的排出用配管,將前述槽桶及前述主配管內的液體氣化並朝外部排出時,將前述槽桶及前述主配管內的液體全部排出之後,使將該排出用配管的大氣側的空間及主配管側的空間隔出的積水在該排出用配管內暫時地產生。
- 如申請專利範圍第5項的液體排出方法,其中, 前述排出用配管,是在前述另一端側設有限流孔, 在與前述排出用配管的前述限流孔的出口側的附近連接的排氣通路內將大氣朝一方向流通,將從前述液體氣化了的氣體及大氣混合並朝外部排出。
- 一種半導體製造裝置,具有: 如申請專利範圍第1至4項中任一項的流體供給裝置、及 使用從前述流體供給裝置被供給的流體進行基體處理的處理室。
- 一種半導體製造方法, 使用如申請專利範圍第1至4項中任一項的流體供給裝置所供給的流體進行基體的處理。
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