TWI738184B - 基板乾燥腔 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種基板乾燥腔，其包含：一上殼體；一下殼體，其可敞開地耦合至該上殼體；一密封部件，其經設置於該下殼體及該上殼體之一耦合表面上；一基板放置板，其經耦合至該下殼體之一底表面且其上配置形成有一有機溶劑之一基板；一上供應埠，其經形成為在該上殼體之一中央區中指向該基板放置板且經構形以提供待乾燥超臨界流體之供應路徑；一整合式供應/排放埠，其經構形以根據該待乾燥超臨界流體之一供應提供一待初始加壓超臨界流體之一供應路徑及在乾燥之後其中該有機溶劑溶解於該待乾燥超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑；及一加熱構件，其經安裝於該基板放置板中且經構形以在供應該待初始加壓超臨界流體及排放該混合流體時操作以加熱該待初始加壓超臨界流體及該混合流體。

Description

基板乾燥腔
本發明係關於一種基板乾燥腔。更特定而言，本發明係關於一種能夠解決以下問題之技術：一待初始加壓超臨界流體歸因於由在引入至一乾燥腔中(初始加壓)時產生之一壓降引起之一冷卻現象而液化或汽化以引起一基板上之顆粒污染；及當排放(減壓)其中異丙醇(IPA)溶解於一待乾燥超臨界流體中之一混合流體時，該混合流體歸因於一冷卻效應而經歷相分離以引起基板上之顆粒污染，或形成於基板上之一圖案歸因於該混合流體之表面張力而塌陷。
一半導體器件之一製造程序包含各種程序，諸如一微影程序、一蝕刻程序、一離子植入程序及類似者。在各程序終止之後及在執行一後續程序之前，執行一清潔程序及一乾燥程序以移除留於一晶圓表面上之雜質及殘留物以清潔晶圓表面。
例如，在一蝕刻程序之後的一晶圓之一清潔程序中，將用於清潔程序之一化學液體供應至一晶圓表面上，且接著供應去離子水(DIW)使得執行沖洗處理。在沖洗處理之後，執行乾燥程序以移除留於晶圓表面上之DIW以乾燥晶圓。
例如，已知一種藉由用異丙醇(IPA)置換一晶圓上之DIW來乾燥一晶圓之技術作為一種執行乾燥處理之方法。
然而，如圖1中所展示，根據此一習知乾燥技術，在乾燥處理期間，發生形成於晶圓上之一圖案歸因於作為一液體之IPA之表面張力而塌陷之一問題。
為了解決上述問題，已提出一種其中表面張力變為零之超臨界乾燥技術。
根據此一超臨界乾燥技術，將處於一超臨界狀態之二氧化碳(CO2 )供應至其表面在一腔內被IPA潤濕之一晶圓使得晶圓上之IPA溶解於一超臨界CO2 流體中。接著，自該腔逐漸排放溶解有IPA之超臨界CO2 流體使得可乾燥晶圓而一圖案不會塌陷。
同時，當超臨界流體在一高壓下儲存於設置於一乾燥腔外部之一超臨界流體產生器中且接著透過一管線及一閥引入至乾燥腔中(初始加壓)時，歸因於一壓降而在閥及管線之一連接部分中發生一冷卻現象使得存在超臨界流體可液化或汽化以引起基板上之顆粒污染之一問題。特定而言，當增加一加壓速率時，存在至超臨界流體之一充分熱轉移僅歸因於透過一簡化熱交換器維持管線之一溫度而不足之一問題。
此外，當其中IPA溶解於待乾燥超臨界流體中之混合流體自乾燥腔排放(減壓)且歸因於一冷卻效應而經歷相分離時，可歸因於基板之顆粒污染或混合流體之表面張力而發生形成於基板上之一圖案之塌陷。具體而言，當一溫度及一壓力歸因於大於或等於一臨界點之一高壓區中之快速絕熱膨脹而下降至臨界點以下時，處於單相之混合流體經歷相分離可引起基板上之一乾燥缺陷(諸如顆粒污染或類似者)，且亦可引起基板之圖案塌陷。
圖2繪示韓國專利特許公開申請案第10-2017-0137243號(其係結合一基板處理裝置使用此一超臨界流體之先前技術)中所揭示之一基板處理腔。
參考圖2，在一超臨界乾燥程序中移除一有機溶劑之一程序中，可將一有機溶劑引入至一耦合表面上，在該耦合表面上構成一高壓腔410之一上主體430及一下主體420彼此接觸。引入至上主體430及下主體420之耦合表面中之有機溶劑變成累積於耦合表面周圍之顆粒。
在超臨界乾燥程序終止之後，敞開高壓腔410以將經處理基板返回至外部。在此情況下，歸因於高壓腔410之一內部與其外部之間的一壓差，上主體430及下主體420之耦合表面周圍之顆粒可經引入至高壓腔410之內部中。
根據韓國專利特許公開申請案第10-2017-0137243號，由於一基板經定位於上主體430及下主體420之耦合表面下方，而上主體430及下主體420之耦合表面周圍之顆粒經引入至高壓腔410之內部中，因此存在一些顆粒歸因於重力而引入至基板上之一高概率。
如上文所描述，由於引入至基板上之顆粒引起一程序缺陷以便防止引入顆粒，因此必需另外將一阻擋簾安裝於上主體430及下主體420之耦合表面周圍。據此，存在裝置之一總體結構複雜之一問題。
此外，根據包含韓國專利特許公開申請案第10-2017-0137243號之先前技術，由於用於供應一待初始加壓超臨界流體之一下供應埠422及用於在乾燥之後排放超臨界流體之一排放埠426未經定位於下主體420之一中心處，因此當供應及排放超臨界流體時，形成超臨界流體之一非對稱流使得難以在高壓腔410中均勻地分佈及供應超臨界流體且自高壓腔410排放超臨界流體。因此，發生乾燥效率降級之一問題。
(先前技術文件)
(專利文件)
(專利文件1)韓國專利特許公開申請案第10-2017-0137243號(公開日期：2017年12月13日，標題：Apparatus and method for treating substrate)。
1.技術問題
本發明之一技術目的係解決以下問題：一待初始加壓超臨界流體歸因於在設置於一乾燥腔外部之一超臨界流體產生器中透過一管線及一閥引入至一乾燥腔(初始加壓)時由在管線及閥之一連接部分周圍產生之一壓降引起之一冷卻現象而液化或汽化，由此引起一基板上之顆粒污染。
本發明之另一技術目的係解決以下問題：當自一乾燥腔排放(減壓)其中異丙醇(IPA)溶解於一待乾燥超臨界流體中之一混合流體時，該混合流體歸因於一冷卻效應而經歷相分離以引起基板上之顆粒污染，或形成於基板上之一圖案歸因於該混合流體之表面張力而塌陷。
本發明之又一技術目的係透過一個整合式供應/排放埠提供一待初始加壓超臨界流體之一供應路徑及溶解有在乾燥之後形成於一基板上之一有機溶劑之一超臨界流體之一排放路徑，由此藉由在供應及排放超臨界流體時引發一對稱流以在一腔中均勻地分佈及供應超臨界流體且自該腔排放超臨界流體來增加基板乾燥效率。
本發明之又一技術目的係藉由以下步驟減少一乾燥程序時間：使用基板放置必不可少之一基板放置板阻擋在一乾燥程序終止之後敞開腔時再引入之顆粒；阻擋待初始加壓超臨界流體之一流在乾燥程序之一初始階段直接朝向一基板表面以防止形成於基板上之一圖案塌陷；防止待初始加壓超臨界流體中可含有之顆粒沈積於基板上之一問題或減少顆粒之一沈積量；及歸因於基板放置板所佔據之一體積而減少該腔之一工作體積。
本發明之又一技術目的係：當乾燥程序終止及該腔敞開時，藉由將基板配置於基板放置板上以便定位成高於一下殼體及一上殼體之一耦合表面，防止設置於下殼體及上殼體之耦合表面上之一密封部件周圍之顆粒歸因於根據基板與耦合表面之間的一高度差之重力而引入至基板上之一問題。 2.問題解決方案
一種根據本發明之基板乾燥腔包含：一上殼體；一下殼體，其可開閉自如地耦合至該上殼體；一密封部件，其經設置於該下殼體及該上殼體之一耦合表面上；一基板放置板，其經耦合至該下殼體之一底表面且其上配置形成有一有機溶劑之一基板；一上供應埠，其經形成為在該上殼體之一中央區中指向該基板放置板且經構形以提供一待乾燥超臨界流體之一供應路徑；一整合式供應/排放埠，其經構形以根據該待乾燥超臨界流體之一供應提供一待初始加壓超臨界流體之一供應路徑及在乾燥之後其中該有機溶劑溶解於該待乾燥超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑；及一加熱構件，其經安裝於該基板放置板中且經構形以在供應該待初始加壓超臨界流體及排放該混合流體時操作以加熱該待初始加壓超臨界流體及該混合流體。
在根據本發明之基板乾燥腔中，其特徵在於該加熱構件在一初始加壓時間期間操作，在該初始加壓時間期間供應該待初始加壓超臨界流體以將該待初始加壓超臨界流體之一溫度調整為大於或等於一臨界點。
在根據本發明之基板乾燥腔中，其特徵在於該加熱構件在一排放時間期間操作，在該排放時間期間排放該混合流體以補償根據歸因於在該混合流體之該排放期間產生之一壓降之絕熱膨脹產生之一溫降，由此將該混合流體中所含有之該待乾燥超臨界流體之一溫度調整為大於或等於一臨界點。
在根據本發明之基板乾燥腔中，其特徵在於該整合式供應/排放埠經形成以自該下殼體之一個側表面延伸至另一側表面且經形成為在該一個側表面及該另一側表面之一中間區中指向該基板放置板。
在根據本發明之基板乾燥腔中，其特徵在於該整合式供應/排放埠可包含：一第一管線，其自該下殼體之該一個側表面形成至該中間區；一共同埠，其經構形以在該中間區中與該第一管線連通且經形成為指向該基板放置板；及一第二管線，其經構形以在該中間區中與該共同埠及該第一管線連通且經形成為朝向該下殼體之該另一側表面。
在根據本發明之基板乾燥腔中，其特徵在於該第一管線及該共同埠提供該待初始加壓超臨界流體之該供應路徑，且該共同埠及該第二管線提供溶解有該有機溶劑之該超臨界流體之該排放路徑。
在根據本發明之基板乾燥腔中，其特徵在於該基板經配置於該基板放置板上以定位成高於該下殼體及該上殼體之該耦合表面，且當該乾燥程序終止以及該下殼體及該上殼體敞開時，防止設置於該耦合表面上之該密封部件周圍之顆粒歸因於根據該基板與該耦合表面之間的一高度差之重力而引入至該基板上。
在根據本發明之基板乾燥腔中，其特徵在於可由該基板放置板阻擋透過一第一管線及一共同埠供應之該待初始加壓超臨界流體使得防止該待初始加壓超臨界流體直接注入至該基板上。
根據本發明之基板乾燥腔可進一步包含一基板放置板支撐件，該基板放置板支撐件具有耦合至該下殼體之該底表面之一端及耦合至該基板放置板之另一端且經構形以在支撐該基板放置板時將該基板放置板與該下殼體之該底表面分離。
在根據本發明之基板乾燥腔中，其特徵在於歸因於該基板放置板支撐件而存在於該下殼體之該底表面與該基板放置板之間的一第一分離空間可引發透過該整合式供應/排放埠供應之該待初始加壓超臨界流體沿該基板放置板之一底表面移動以逐漸擴散至配置有該基板之一處理區域中。
根據本發明之基板乾燥腔可進一步包含一基板支撐件，該基板支撐件具有耦合至該基板放置板之一頂表面之一端及耦合至該基板之另一端且經構形以在支撐該基板時將該基板與該基板放置板之該頂表面分離。
在根據本發明之基板乾燥腔中，其特徵在於歸因於該基板支撐件而存在於該基板放置板之該頂表面與該基板之間的一第二分離空間將該基板之該底表面暴露於透過該整合式供應/排放埠供應之該待初始加壓超臨界流體及透過該上供應埠供應之該待乾燥超臨界流體，由此減少該乾燥程序之一時間。 3.有利效應
根據本發明，存在以下有利效應：一待初始加壓超臨界流體歸因於在設置於一乾燥腔外部之一超臨界流體產生器中透過一管線及一閥引入至乾燥腔(初始加壓)時由管線及閥之一連接部分周圍產生之一壓降引起之一冷卻現象而液化或汽化，由此引起一基板上之顆粒污染。
另外，存在以下有利效應：當排放(減壓)其中異丙醇(IPA)溶解於一待乾燥超臨界流體中之一混合流體時，該混合流體歸因於一冷卻效應而經歷相分離以引起基板上之顆粒污染，或形成於基板上之一圖案歸因於該混合流體之表面張力而塌陷。
再者，根據本發明，存在以下有利效應：可透過一個整合式供應/排放埠提供一待初始加壓超臨界流體之一供應路徑及溶解有在乾燥之後形成於基板之一有機溶劑之一超臨界流體之一排放路徑，由此可藉由在供應及排放超臨界流體時引發一對稱流以在一腔中均勻地分佈及供應超臨界流體且自該腔排放超臨界流體來增加基板乾燥效率。
此外，存在可藉由以下步驟減少乾燥程序之一時間使得可防止形成於基板上之一圖案塌陷之一有利效應：使用配置基板(其係乾燥程序之一目標)必不可少之一基板放置板阻擋在乾燥程序終止之後敞開腔時再引入之顆粒及阻擋待初始加壓超臨界流體之一流在乾燥程序之一初始階段直接朝向基板之一表面；防止待初始加壓超臨界流體中可含有之顆粒沈積於基板上之一問題；減少顆粒之一沈積量；及歸因於基板放置板所佔據之一體積而減少該腔之一工作體積。
此外，存在以下有利效應：當乾燥程序終止及該腔敞開時，可藉由將基板配置於基板放置板上以便定位成高於一下殼體及一上殼體之一耦合表面，防止設置於下殼體及上殼體之耦合表面上之一密封部件周圍之顆粒歸因於根據基板與耦合表面之間的一高度差之重力而引入至基板上之一問題。
本文中所揭示之本發明之實施例之特定結構及功能描述出於描述根據本發明之概念之實施例之目的而僅係闡釋性的，且根據本發明之概念之此等實施例可以各種形式實施且不應被解釋為限於本文中所描述之實施例。
根據本發明之概念之實施例可以各種方式修改且可具有各種形式使得此等實施例將在圖式中繪示且在本文中詳細描述。然而，應理解，此並非意欲於將根據本發明之概念之實施例限於特定揭示形式，而是包含落入本發明之精神及範疇內之所有修改、等效物及替代物。
術語第一、第二及類似者可用來描述各種組件，但該等組件不應受此等術語限制。此等術語僅可用於將一個組件與另一組件區分開之目的，且例如，在脫離本發明之範疇之情況下，一第一組件可稱為第二組件且類似地，第二組件亦可稱為第一組件。
當一組件稱為「連接」或「耦合」至另一組件時，其可直接連接或耦合至另一組件，但應理解，又一組件可存在於該組件與該另一組件之間。相比之下，當一組件稱為「直接連接」或「直接耦合」至另一組件時，應理解，又一組件可不存在於該組件與該另一組件之間。亦應如上文所描述般解釋描述組件之間的關係之其他表達，即，「在···之間」及「恰在···之間」或「相鄰於」及「直接相鄰於」。
本文中所使用之術語僅用於描述特定實施例之目的且並非意欲於限制本發明。除非內文另有明確規定，否則單數形式包含複數形式。在本說明書中，術語「包括」、「包含」、「具有」或類似者用來指定存在本文中所描述之一特徵、一數目、一步驟、一操作、一組件、一元件或其組合，且應理解，其等不預先排除存在或增加一或多個其他特徵、數目、步驟、操作、組件、元件或其組合之概率。
除非另有定義，否則本文中所使用之所有術語(包含技術或科學術語)具有相同於本發明所屬技術人員通常理解之含義之含義。一字典中所定義之一般術語應被解釋為具有在相關技術之內文中一致之含義且將不被解釋為具有一理想或過度正式含義，除非本發明中明確定義。
在下文中，將參考隨附圖式詳細描述本發明之例示性實施例。
圖3係繪示根據本發明之一項實施例之一基板乾燥腔之一圖，圖4係繪示根據本發明之一項實施例之一待初始加壓超臨界流體之一擴散路徑之一圖，圖5係繪示根據本發明之一項實施例之一待乾燥超臨界流體之一擴散路徑之一圖，圖6係繪示根據本發明之一項實施例之溶解有一有機溶劑之一超臨界流體之一排放路徑之一圖，且圖7係用於描述當一乾燥程序終止以及一下殼體及一上殼體敞開時防止顆粒流入至一基板上之原理之一圖，其中顆粒存在於設置於上殼體及下殼體之一耦合表面上之一密封部件上且存在於密封部件周圍。
參考圖3至圖7，根據本發明之一項實施例之一基板乾燥腔1包含一上殼體10、一下殼體20、一密封部件30、一基板放置板40、一加熱構件45、一整合式供應/排放埠50、一上供應埠60、一基板放置板支撐件70、一基板支撐件80及一殼體驅動器90。
上殼體10及下殼體20可開閉自如地彼此耦合且提供其中執行一乾燥程序之一空間。例如，上殼體10及下殼體20可各經構形以具有一圓柱形狀，但本發明不限於此。如下文所描述，上供應埠60經形成於上殼體10中，且整合式供應/排放埠50經形成於下殼體20中。
密封部件30經設置於下殼體20與上殼體10之間的一耦合表面C上且維持下殼體20與上殼體10之間的耦合表面C之氣密性以將基板乾燥腔1之一內部區與外部隔離。
例如，如用於描述防止顆粒流入至一基板W上之原理之圖7中所展示，顆粒存在於設置於上殼體10與下殼體20之間的耦合表面C上之密封部件30上且存在於密封部件30周圍，且當一乾燥程序終止以及下殼體20及上殼體10敞開時，基板W可配置於基板放置板40上以便定位成高於下殼體20與上殼體10之間的耦合表面C，且當乾燥程序終止以及下殼體20及上殼體10敞開時，基板乾燥腔1可經構形以防止顆粒歸因於由於基板W與耦合表面C之間的一高度差之重力而流入至基板W上，其中顆粒存在於設置於耦合表面C上之密封部件30周圍。
基板放置板40經耦合至下殼體20之一底表面22且係其上配置基板W(一有機溶劑形成於基板W上)之一組件。下文將描述基板放置板40與其他組件之間的一相互作用。
加熱構件45經安裝於基板放置板40中且在供應待初始加壓超臨界流體及排放混合流體時操作以用來加熱待初始加壓超臨界流體及混合流體。
例如，加熱構件45可以形成於基板放置板40中之一電阻加熱元件或一充油加熱器之形式實施，但加熱構件45之一實施形式不限於此。
例如，1)待初始加壓超臨界流體可在一設定初始加壓時間期間透過構成整合式供應/排放埠50之第一管線510及共同埠520供應，2)在已經過初始加壓時間之後，可阻擋待初始加壓超臨界流體之供應且可在一乾燥時間期間透過上供應埠60供應待乾燥超臨界流體，且3)在已經過乾燥時間之後，可阻擋待乾燥超臨界流體且可在一排放時間期間透過構成整合式供應/排放埠50之共同埠520及第二管線530排放混合流體。在此情況下，例如，待乾燥超臨界流體之供應及混合流體之排放可重複預定次數。
例如，加熱構件45可在一初始加壓時間期間操作，在該初始加壓時間期間供應待初始加壓超臨界流體以將待初始加壓超臨界流體之一溫度調整變成大於或等於臨界點。
將如下般描述上述構形及其效應之原因。
超臨界流體在一高壓下儲存於設置於根據本發明之一項實施例之基板乾燥腔1外部之超臨界流體產生器中且接著穿過管線及閥使得在超臨界流體經引入至基板乾燥腔1中(初始加壓)時，歸因於閥及管線之一連接部分中之一壓降而發生一冷卻現象。在上述程序期間，超臨界流體可液化或汽化以引起基板W上之顆粒污染使得維持超臨界流體之一溫度大於或等於臨界點係重要的，但先前技術無法為上述問題提供一有效技術措施。特定而言，當增加一加壓速率時，存在至超臨界流體之一充分熱轉移僅因透過一簡化熱交換器維持管線之一溫度而不足之一問題。
本發明之一項實施例透過安裝於基板放置板40中之加熱構件45解決上述問題。即，在初始加壓中，具體而言，當快速進行初始加壓時，待初始加壓超臨界流體在基板乾燥腔1中之一相變透過安裝於該腔中之基板放置板40中之加熱構件4而最小化，使得可防止基板W之顆粒污染，且容易達成超臨界流體之形成或維持使得可改良一程序速度。
此外，例如，加熱構件45在排放時間期間操作，在該排放時間期間排放混合流體以補償根據歸因於在混合流體之排放期間產生之一壓降之絕熱膨脹產生之一溫降，由此將混合流體中所含有之待乾燥超臨界流體之一溫度調整為大於或等於臨界點。
將如下般描述上述構形及其效應之原因。
當其中一有機溶劑(諸如IPA)溶解於待乾燥超臨界流體中之混合流體自基板乾燥腔1排放(減壓)且歸因於一冷卻效應而經歷相分離時，可歸因於基板W之顆粒污染或混合流體之表面張力而發生形成於基板W上之一圖案之塌陷。具體而言，當一溫度及一壓力歸因於大於或等於一臨界點之一高壓區中之快速絕熱膨脹而下降至臨界點以下時，處於單相之混合流體經歷相分離以引起基板W上之一乾燥缺陷(諸如顆粒污染或類似者)，使得存在亦可引起基板W之圖案塌陷之一問題。
本發明之一項實施例透過安裝於基板放置板40中之加熱構件45解決上述問題。即，考量排放混合流體期間之相變而判定一減壓速率，且考量一冷卻效應而使用加熱構件45來傳遞足夠熱來進行一減壓排放使得可防止一乾燥缺陷且可改良一程序速度。
同時，例如，透過構成整合式供應/排放埠50之一第一管線510及一共同埠520供應之一待初始加壓超臨界流體可由基板放置板40阻擋以防止直接注入至基板W上。
更具體而言，如繪示待初始加壓超臨界流體之一擴散路徑之圖4及繪示溶解有有機溶劑之一超臨界流體之一排放路徑之圖6中所展示，可藉由以下步驟減少一乾燥程序時間使得可防止形成於基板W上之一圖案塌陷：使用配置基板W(其係乾燥程序之一目標)必不可少之基板放置板40阻擋在乾燥程序終止之後敞開基板乾燥腔1時再引入之顆粒及由此阻擋待初始加壓超臨界流體之一流在乾燥程序之一初始階段直接朝向基板W之一表面；防止待初始加壓超臨界流體中可含有之顆粒經沈積於基板W上之一問題；及減少顆粒之一沈積量；及歸因於基板放置板40所佔據之一體積而減少基板乾燥腔1之一工作體積。
整合式供應/排放埠50經形成以自下殼體20之一個側表面24延伸至另一側表面26且經形成為自一個側表面24及另一側表面26之一中間區28朝向基板放置板40。整合式供應/排放埠50係用於提供待初始加壓超臨界流體之一供應路徑及在乾燥之後溶解有形成於基板W上之有機溶劑之超臨界流體之一排放路徑之一組件。
透過一個整合式供應/排放埠50提供待初始加壓超臨界流體之供應路徑及溶解有在乾燥之後形成於基板W上之有機溶劑之超臨界流體之排放路徑，使得存在以下效應：藉由在供應及排放超臨界流體時引發一對稱流以在基板乾燥腔1中均勻地分佈及供應超臨界流體且自基板乾燥腔1排放超臨界流體來增加基板乾燥效率。
例如，整合式供應/排放埠50包含：第一管線510，其自下殼體20之一個側表面24形成至其中間區28；共同埠520，其經形成以在中間區28中與第一管線510連通且指向基板放置板40；及一第二管線530，其經構形以在中間區28中與共同埠520及第一管線510連通且經形成為朝向下殼體20之另一側表面26。第一管線510及共同埠520可經構形以提供待初始加壓超臨界流體之供應路徑，且共同埠520及第二管線530可經構形以提供溶解有有機溶劑之超臨界流體之排放路徑。
上供應埠60係形成為在上殼體10之一中央區中指向基板放置板40以提供待乾燥超臨界流體之供應路徑之一組件。
基板放置板支撐件70係其之一端經耦合至下殼體20之底表面22及其另一端經耦合至基板放置板40且在支撐基板放置板40時將基板放置板40與下殼體20之底表面22分離之一組件。
例如，歸因於基板放置板支撐件70而存在於下殼體20之底表面22與基板放置板40之間的一第一分離空間R1可執行以下功能：藉由允許透過整合式供應/排放埠50供應之待初始加壓超臨界流體沿基板放置板40之一底表面移動來引發待初始加壓超臨界流體逐漸擴散至其中配置基板W之一處理區域中。
基板支撐件80係其之一端經耦合至基板放置板40之一頂表面及其另一端經耦合至基板W且在支撐基板W時將基板W與基板放置板40之頂表面分離之一組件。
例如，歸因於基板支撐件80而存在於基板放置板40之頂表面與基板W之間的一第二分離空間R2執行以下功能：藉由將基板W之一底表面暴露於透過整合式供應/排放埠50供應之待初始加壓超臨界流體及透過上供應埠60供應之待乾燥超臨界流體來減少乾燥程序之一時間。
殼體驅動器90係用於敞開或閉合上殼體10及下殼體20之一部件。在乾燥程序終止之後，驅使下殼體20與上殼體10分離以敞開基板乾燥腔1，或當乾燥程序開始時，殼體驅動器90可執行以下功能：驅動下殼體20且將下殼體20耦合至上殼體10以閉合基板乾燥腔1。儘管殼體驅動器90已在圖式中被繪示為驅動下殼體20，但此僅僅係一項實例，且殼體驅動器90可經構形以驅動上殼體10。
例如，待初始加壓超臨界流體及待乾燥超臨界流體可包含二氧化碳(CO2 )，且有機溶劑可包含醇，但本發明不限於此。作為一特定實例，該醇可包含甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇(異丙醇(IPA))及1-丁醇，但本發明不限於此。
例如，根據在根據本發明之一項實施例之基板乾燥腔1中執行之超臨界乾燥技術，將處於一超臨界狀態之CO2 供應至基板W，基板W之一表面在基板乾燥腔1中被有機溶劑(諸如醇或類似者)潤濕使得基板W上之醇溶解於一超臨界CO2 流體中。接著，自基板乾燥腔1逐漸排放溶解有醇之超臨界CO2 流體使得可乾燥基板W而無一圖案塌陷。
1:基板乾燥腔 10:上殼體 20:下殼體 22:底表面 24:側表面 26:側表面 28:中間區 30:密封部件 40:基板放置板 45:加熱構件 50:整合式供應/排放埠 60:上供應埠 70:基板放置板支撐件 80:基板支撐件 90:殼體驅動器 410:高壓腔 420:下主體 422:下供應埠 426:排放埠 430:上主體 510:第一管線 520:共同埠 530：第二管線 C:耦合表面 R1:第一分離空間 R2:第二分離空間 W:基板
圖1係繪示根據先前技術之在一基板乾燥程序期間發生之一圖案塌陷現象之一圖；
圖2係繪示一習知基板乾燥腔之一圖；
圖3係繪示本發明之一項實施例之一基板乾燥腔之一圖；
圖4係繪示本發明之一項實施例之一待初始加壓超臨界流體之一擴散路徑之一圖；
圖5係繪示本發明之一項實施例之一待乾燥超臨界流體之一擴散路徑之一圖；
圖6係繪示根據本發明之一項實施例之溶解有一有機溶劑之一超臨界流體之一排放路徑之一圖；及
圖7係用於描述當一乾燥程序終止以及一下殼體及一上殼體敞開時防止顆粒流入至一基板上之原理之一圖，其中顆粒存在於設置於上殼體及下殼體之一耦合表面上之一密封部件上且存在於密封部件周圍。
1:基板乾燥腔
10:上殼體
20:下殼體
22:底表面
24:側表面
26:側表面
28:中間區
30:密封部件
40:基板放置板
45:加熱構件
50:整合式供應/排放埠
60:上供應埠
70:基板放置板支撐件
80:基板支撐件
90:殼體驅動器
510:第一管線
520:共同埠
530:第二管線
C:耦合表面
R1:第一分離空間
R2:第二分離空間
W:基板

Claims (12)

  1. 一種基板乾燥腔，其包括：一上殼體；一下殼體，其可開放自如地耦合至該上殼體；一密封部件，其經設置於該下殼體及該上殼體之一耦合表面上；一基板放置板，其經耦合至該下殼體之一底表面且其上配置形成有一有機溶劑之一基板；一上供應埠，其經形成為在該上殼體之一中央區中指向該基板放置板且經構形以提供一待乾燥超臨界流體之一供應路徑；一整合式供應/排放埠，其經構形以根據該待乾燥超臨界流體之一供應提供一待初始加壓超臨界流體之一供應路徑及在乾燥之後其中該有機溶劑溶解於該待乾燥超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑；及一加熱構件，其經安裝於該基板放置板中且經構形以在供應該待初始加壓超臨界流體及排放該混合流體時操作以加熱該待初始加壓超臨界流體及該混合流體。
  2. 如請求項1之基板乾燥腔，其中該加熱構件在一初始加壓時間期間操作，在該初始加壓時間期間供應該待初始加壓超臨界流體以將該待初始加壓超臨界流體之一溫度調整為大於或等於一臨界點。
  3. 如請求項1之基板乾燥腔，其中該加熱構件在一排放時間期間操作，在該排放時間期間排放該混合流體以補償根據歸因於在該混合流體之該排 放期間產生之一壓降之絕熱膨脹產生之一溫降，由此將該混合流體中所含有之該待乾燥超臨界流體之一溫度調整為大於或等於一臨界點。
  4. 如請求項1之基板乾燥腔，其中該整合式供應/排放埠經形成以自該下殼體之一個側表面延伸至另一側表面且經形成為在該一個側表面及該另一側表面之一中間區中指向該基板放置板。
  5. 如請求項4之基板乾燥腔，其中該整合式供應/排放埠包含一第一管線，其自該下殼體之該一個側表面形成至該中間區；一共同埠，其經構形以在該中間區中與該第一管線連通且經形成為指向該基板放置板；及一第二管線，其經構形以在該中間區中與該共同埠及該第一管線連通且經形成為朝向該下殼體之該另一側表面。
  6. 如請求項5之基板乾燥腔，其中：該第一管線及該共同埠提供該待初始加壓超臨界流體之該供應路徑；且該共同埠及該第二管線提供溶解有該有機溶劑之該超臨界流體之該排放路徑。
  7. 如請求項1之基板乾燥腔，其中該基板經配置於該基板放置板上以定位成高於該下殼體及該上殼體之該耦合表面，且當一乾燥程序終止以及該下殼體及該上殼體敞開時，防止設置於該耦合表面上之該密封部件周圍之 顆粒歸因於根據該基板與該耦合表面之間的一高度差之重力而引入至該基板上。
  8. 如請求項7之基板乾燥腔，其中由該基板放置板阻擋透過一第一管線及一共同埠供應之該待初始加壓超臨界流體使得防止該待初始加壓超臨界流體直接注入至該基板上。
  9. 如請求項1之基板乾燥腔，其中一基板放置板支撐件具有耦合至該下殼體之該底表面之一端及耦合至該基板放置板之另一端且經構形以在支撐該基板放置板時將該基板放置板與該下殼體之該底表面分離。
  10. 如請求項9之基板乾燥腔，其中歸因於該基板放置板支撐件而存在於該下殼體之該底表面與該基板放置板之間的一第一分離空間引發透過該整合式供應/排放埠供應之該待初始加壓超臨界流體沿該基板放置板之一底表面移動以逐漸擴散至其中配置該基板之一處理區域中。
  11. 如請求項1之基板乾燥腔，其中一基板支撐件具有耦合至該基板放置板之一頂表面之一端及耦合至該基板之另一端且經構形以在支撐該基板時將該基板與該基板放置板之該頂表面分離。
  12. 如請求項11之基板乾燥腔，其中歸因於該基板支撐件而存在於該基板放置板之該頂表面與該基板之間的一第二分離空間將該基板之一底表面暴露於透過該整合式供應/排放埠供應之該待初始加壓超臨界流體及透過該上供應埠供應之該待乾燥超臨界流體，由此減少一乾燥程序之一時間。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102398794B1 (ko) * 2020-08-20 2022-05-18 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102345971B1 (ko) * 2020-09-04 2022-01-03 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102342095B1 (ko) * 2020-09-09 2021-12-24 무진전자 주식회사 기판 건조 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090200161A1 (en) * 2007-11-06 2009-08-13 Hui-Shen Shih Fluid-confining apparatus and method of operating the same
TW201324598A (zh) * 2011-12-07 2013-06-16 Samsung Electronics Co Ltd 處理基板的裝置及其方法
TW201436840A (zh) * 2013-03-12 2014-10-01 Samsung Electronics Co Ltd 使用超臨界流體之基板處理系統
US8898926B2 (en) * 2006-09-12 2014-12-02 Semes Co. Ltd. Substrate dryer using supercritical fluid, apparatus including the same, and method for treating substrate
US20170345680A1 (en) * 2016-05-27 2017-11-30 Semes Co., Ltd. Transfer unit, and apparatus and method for treating substrate

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4133209B2 (ja) * 2002-10-22 2008-08-13 株式会社神戸製鋼所 高圧処理装置
JP4372590B2 (ja) * 2004-03-26 2009-11-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造乾燥処理方法及びその装置
KR101096122B1 (ko) * 2009-11-25 2011-12-20 세메스 주식회사 기판 건조 장치 및 그의 기판 건조 방법
KR101187375B1 (ko) * 2011-01-27 2012-10-05 부경대학교 산학협력단 반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법
KR101856606B1 (ko) 2016-06-02 2018-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102375985B1 (ko) * 2017-05-16 2022-03-21 주식회사 케이씨텍 기판 처리용 챔버
KR102413443B1 (ko) * 2017-06-23 2022-06-28 주식회사 케이씨텍 기판처리장치 및 기판처리방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8898926B2 (en) * 2006-09-12 2014-12-02 Semes Co. Ltd. Substrate dryer using supercritical fluid, apparatus including the same, and method for treating substrate
US20090200161A1 (en) * 2007-11-06 2009-08-13 Hui-Shen Shih Fluid-confining apparatus and method of operating the same
TW201324598A (zh) * 2011-12-07 2013-06-16 Samsung Electronics Co Ltd 處理基板的裝置及其方法
TW201436840A (zh) * 2013-03-12 2014-10-01 Samsung Electronics Co Ltd 使用超臨界流體之基板處理系統
US20170345680A1 (en) * 2016-05-27 2017-11-30 Semes Co., Ltd. Transfer unit, and apparatus and method for treating substrate

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