TWI748341B - 基板乾燥腔 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種基板乾燥腔。該基板乾燥腔包含：一上殼體；一下殼體，其可拆卸地耦接至該上殼體；一密封部件，其經設置於該下殼體及該上殼體之一耦接表面上；一基板放置板，其經耦接至該下殼體之一底表面且其上安置有一基板，在該基板上形成被一有機溶劑潤濕之一圖案；一上供應埠，其經形成為在該上殼體之一中央區中指向該基板放置板且經構形以提供一乾燥用超臨界流體之一供應路徑；一噴嘴，其經耦接至該上供應埠之一遠端且經構形以將透過該上供應埠供應之該乾燥用超臨界流體對稱地分配至該基板之整個表面；及一整合式供應/排放埠，其經構形以根據該乾燥用超臨界流體之一供應提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在乾燥之後該有機溶劑溶解於該乾燥用超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑。

Description

基板乾燥腔
本發明係關於一種基板乾燥腔。更特定而言，本發明係關於一種基板乾燥腔，其允許增加基板乾燥效率，防止顆粒在一乾燥程序結束且接著敞開該腔時引入至該腔內部之一基板上且藉由引發供應或排放之一超臨界流體之一對稱流動以便將該超臨界流體均勻地分配及供應至該腔中並自該腔排放該超臨界流體來防止該基板之一中央部分中之圖案塌陷。
一半導體器件之製造程序包含各種程序，諸如一微影程序、一蝕刻程序、一離子植入程序及類似者。在各程序結束之後且在執行一後續程序之前，執行一清潔程序及一乾燥程序以移除留於一晶圓表面上之雜質及殘留物以清潔晶圓表面。
例如，在一蝕刻程序之後的一晶圓之一清潔程序中，將用於清潔程序之一化學液體供應至一晶圓表面上，且接著供應去離子水(DIW)使得執行沖洗處理。在沖洗處理之後，執行一乾燥程序以移除殘留於晶圓表面上之DIW以乾燥晶圓。
例如，已知一種藉由用異丙醇(IPA)置換一晶圓上之DIW來乾燥一晶圓之技術作為一種執行乾燥程序之方法。
然而，如圖1中所展示，根據此一習知乾燥技術，在乾燥程序期間，出現形成於晶圓上之一圖案歸因於作為一液體之IPA之表面張力而塌陷之一問題。
為了解決上述問題，已提出一種其中表面張力變為零之超臨界乾燥技術。
根據此一超臨界乾燥技術，將處於一超臨界狀態之二氧化碳(CO2 )供應至其表面在一腔內被IPA潤濕之一晶圓上使得晶圓上之IPA溶解於一超臨界CO2 流體中。接著，自該腔逐漸排放溶解有IPA之超臨界CO2 流體使得可乾燥晶圓而無圖案之塌陷。
圖2繪示韓國專利特許公開申請案第10-2017-0137243號(其係結合一基板處理裝置使用此一超臨界流體之相關技術)中所揭示之一基板處理腔。
參考圖2，在一超臨界乾燥程序中移除一有機溶劑之一程序中，可將一有機溶劑引入至構成一高壓腔410且彼此接觸之一上主體430及一下主體420之一耦接表面上。引入至上主體430與下主體420之耦接表面上之有機溶劑變為累積於耦接表面周圍之顆粒。
在超臨界乾燥程序結束之後，敞開該腔以將經處理基板卸載至外部。在此情況下，歸因於該腔之內部與外部之間的一壓差，上主體430及下主體420之耦接表面周圍之顆粒可經引入至該腔之內部中。
根據韓國專利特許公開申請案第10-2017-0137243號，由於一基板W經定位於上主體430及下主體420之耦接表面下方，而上主體430及下主體420之耦接表面周圍之顆粒經引入至該腔之內部中，因此存在一些顆粒歸因於重力而引入至該基板上之一高概率。
在此情況下，由於引入至該基板上之顆粒引起一程序缺陷，因此為了防止引入顆粒，必需另外在上主體430及下主體420之耦接表面周圍安裝一阻擋簾。據此，存在該裝置之一總體結構複雜之一問題。
此外，根據包含韓國專利特許公開申請案第10-2017-0137243號之相關技術，由於用於供應一初始增壓用超臨界流體之一下供應埠422及用於在乾燥之後排放該超臨界流體之一排放埠426未經定位於下主體420之一中心處，因此當供應及排放該超臨界流體時，形成超臨界流體之一非對稱流動使得難以將該超臨界流體均勻地分配及供應至該腔中且自該腔排放該超臨界流體。因此，出現乾燥效率降低之一問題。
此外，根據包含韓國專利特許公開申請案第10-2017-0137243號之相關技術，一結構經構形使得透過定位於上主體430之一中心處之一上供應埠432供應之超臨界流體直接噴灑至基板W上。根據上述結構，即使當透過初始增壓程序在該腔中在一定程度上形成超臨界流體時，亦存在歸因於透過上供應埠432快速施加增壓時之一衝擊力而在基板W之一中央部分可能發生圖案塌陷之一問題。此外，存在難以將超臨界流體均勻地分配及供應至該腔中使得可引起基板乾燥效率減小之一問題。
[相關技術文件]
[專利文件]
(專利文件1)韓國專利特許公開申請案第10-2017-0137243號(公開日期：2017年12月13日，標題：Apparatus and method for treating substrate)。
技術問題
本發明之一技術目標係藉由使用一噴嘴將透過一上供應埠供應之一乾燥用超臨界流體對稱地分配至一基板之整個表面上來防止在該基板之一中央部分中之圖案塌陷。
本發明之另一技術目標係透過一個整合式供應/排放埠提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及溶解有在乾燥之後形成於一基板上之一有機溶劑之一超臨界流體之一排放路徑，使得可藉由引發供應及排放超臨界流體之一對稱流以將超臨界流體均勻地分配及供應至一腔中且自該腔排放超臨界流體來增加基板乾燥效率。
本發明之又一技術目標係使用基板放置必不可少之一基板放置板來阻擋在一乾燥程序結束之後敞開該腔時重新引入之顆粒，在該乾燥程序之一初始階段阻擋該初始增壓用超臨界流體直接朝向一基板表面之一流動以防止形成於該基板上之一圖案塌陷，防止該初始增壓用超臨界流體中可含有之顆粒累積於該基板上之一問題或減少該等顆粒之一累積量，且藉由歸因於該基板放置板所佔據之一體積而減小該腔之一工作體積來減少一乾燥程序時間。
本發明之又另一技術目標係：當乾燥程序終止及該腔敞開時，藉由在高於一下殼體及一上殼體之一耦接表面之一位準處將該基板配置於該基板放置板上，防止設置於下殼體與上殼體之耦接表面上之一密封部件周圍之顆粒歸因於根據基板與耦接表面之間的一高度差之重力而引入至基板上之一問題。 問題解決方案
一種根據本發明之基板乾燥腔包含：一上殼體；一下殼體，其可拆卸地耦接至該上殼體；一密封部件，其經設置於該下殼體及該上殼體之一耦接表面上；一基板放置板，其經耦接至該下殼體之一底表面且其上安置一基板，在該基板上形成被一有機溶劑潤濕之一圖案；一上供應埠，其經形成為在該上殼體之一中央區中指向該基板放置板且經構形以提供一乾燥用超臨界流體之一供應路徑；一噴嘴，其經耦接至該上供應埠之一遠端且經構形以將透過該上供應埠供應之該乾燥用超臨界流體對稱地分配至該基板之整個表面；及一整合式供應/排放埠，其經構形以根據該乾燥用超臨界流體之一供應提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在乾燥之後該有機溶劑溶解於該乾燥用超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑。
在根據本發明之基板乾燥腔中，透過該上供應埠供應之該乾燥用超臨界流體可使用該噴嘴對稱地分配至該基板之該整個表面上使得可防止該基板之一中央部分中之圖案塌陷。
在根據本發明之基板乾燥腔中，該整合式供應/排放埠可經形成為自該下殼體之一個側表面延伸至另一側表面且經形成為在該一個側表面及該另一側表面之一中間區中指向該基板放置板。
在根據本發明之基板乾燥腔中，該整合式供應/排放埠可包含：一第一管線，其自該下殼體之該一個側表面形成至該中間區；一共同埠，其經構形以在該中間區中與該第一管線連通且經形成為指向該基板放置板；及一第二管線，其經構形以在該中間區中與該共同埠及該第一管線連通且經形成為延伸至該下殼體之該另一側表面。
在根據本發明之基板乾燥腔中，該第一管線及該共同埠可提供該初始增壓用超臨界流體之該供應路徑，且該共同埠及該第二管線可提供其中溶解該有機溶劑之該超臨界流體中之排放路徑。
在根據本發明之基板乾燥腔中，該基板可在高於該下殼體及該上殼體之該耦接表面之一位準處安置於該基板放置板上，且當該乾燥程序結束並敞開該下殼體及該上殼體時，可防止設置於該耦接表面上之該密封部件周圍之顆粒歸因於根據該基板與該耦接表面之間的一高度差之重力引入至該基板上。
在根據本發明之基板乾燥腔中，可由該基板放置板阻擋透過該第一管線及該共同埠供應之該初始增壓用超臨界流體使得防止該初始增壓用超臨界流體直接噴灑至該基板上。
根據本發明之基板乾燥腔可進一步包含一基板放置板支撐件，該基板放置板支撐件具有耦接至該下殼體之該底表面之一端及耦接至該基板放置板之另一端且經構形以在支撐該基板放置板時將該基板放置板與該下殼體之該底表面分離。
在根據本發明之基板乾燥腔中，歸因於該基板放置板支撐件而存在於該下殼體之該底表面與該基板放置板之間的一第一分離空間可引發透過該整合式供應/排放埠供應之該初始增壓用超臨界流體沿著該基板放置板之一底表面移動以逐漸擴散至安置有該基板之一處理區域中。
根據本發明之基板乾燥腔可進一步包含一基板支撐件，該基板支撐件具有耦接至該基板放置板之一頂表面之一端及耦接至該基板之另一端且經構形以在支撐該基板時將該基板與該基板放置板之該頂表面分離。
在根據本發明之基板乾燥腔中，歸因於該基板支撐件而存在於該基板放置板之該頂表面與該基板之間的一第二分離空間可將該基板之該底表面暴露於透過該整合式供應/排放埠供應之該初始增壓用超臨界流體及透過該噴嘴供應之該待乾燥超臨界流體，由此減少該乾燥程序之一時間。 本發明之有利效應
根據本發明，存在能夠藉由使用一噴嘴將透過一上供應埠供應之一乾燥用超臨界流體對稱地分配至一基板之整個表面來防止該基板之一中央部分中之圖案塌陷之一效應。
此外，根據本發明，存在以下效應：其中提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在乾燥之後形成於一基板上之一有機溶劑透過一個整合式供應/排放埠溶解之一超臨界流體之一排放路徑使得可藉由引發供應及排放之超臨界流體之一對稱流動將該超臨界流體均勻地分配及供應至一腔中且自該腔排放該超臨界流體來增加基板乾燥效率。
此外，存在其中可藉由以下步驟防止形成於該基板上之一圖案塌陷之一效應：使用配置該基板必不可少之一基板放置板來阻擋在該乾燥程序結束之後敞開該腔時重新引入之顆粒；在該乾燥程序之一初始階段防止該初始增壓用超臨界流體直接朝向該基板之一表面之一流動；防止該初始增壓用超臨界流體中可含有之顆粒累積於該基板上之一問題；減少該等顆粒之一累積量，且可藉由歸因於該基板放置板所佔據之一體積而減小該腔之一工作體積來減少該乾燥程序之一時間。
此外，存在能夠防止以下問題之一效應：當該乾燥程序結束且敞開該腔時，藉由在高於一下殼體及一上殼體之一耦接表面之一位準處將該基板配置於該基板放置板上，設置於該下殼體及該上殼體之該耦接表面上之一密封部件周圍之顆粒歸因於根據該基板與該耦接表面之間的一高度差之重力而引入至該基板上。
本文中所揭示之本發明之實施例之特定結構及功能描述出於描述根據本發明之概念之實施例之目的而僅係闡釋性的，且根據本發明之概念之此等實施例可以各種形式實施且不應被解釋為限於本文中所描述之實施例。
根據本發明之概念之實施例可以各種方式修改且可具有各種形式使得此等實施例將在隨附圖式中繪示且在本文中詳細描述。然而，應理解，並非意欲於將根據本發明之概念之實施例限於本發明之特定形式，而是包含落入本發明之精神及範疇內之所有修改、等效物及置換物。
術語第一、第二及類似者可用來描述各種組件，但該等組件不應受此等術語限制。此等術語僅可用於將一個組件與另一組件區分開之目的，且例如，在不脫離本發明之範疇之情況下一第一組件可稱為第二元件，且類似地，第二組件亦可稱為第一組件。
當一組件稱為「連接」或「耦接」至另一組件時，其可直接連接或耦接至另一組件，但應理解，在該組件與另一組件之間可存在又一組件。相比之下，當一組件稱為「直接連接」或「直接耦接」至另一組件時，應理解，在該組件與另一組件之間可不存在又一組件。亦應如上文所描述般解釋描述組件之間的關係之其他表達，即，「在...之間」及「恰在...之間」或「相鄰於」及「直接相鄰於」。
本文中所使用之術語僅用於描述特定實施例之目的且並非意欲於限制本發明。除非內文另有明確指出，否則單數形式包含複數形式。在本說明書中，術語「包括」、「包含」、「具有」及類似者用來指定存在本文中所描述之一特徵、一數目、一步驟、一操作、一組件、一元件或其等之一組合，且應理解，此等並不排除預先存在或添加一或多個其他特徵、數目、步驟、操作、組件、元件或其等之一組合之概率。
除非另有定義，否則本文中所使用之所有術語(包含技術或科技術語)具有相同於本發明所屬技術人員通常理解之含義之含義。一字典中所定義之通用術語應被解釋為具有在相關技術之內文中一致之含義且除非本發明中明確定義，否則將不被解釋為具有一理想或過度正式含義。
在後文中，將參考隨附圖式詳細描述本發明之例示性實施例。
圖3係繪示根據本發明之一項實施例之一基板乾燥腔之一圖，圖4係繪示根據本發明之一項實施例之一初始增壓用超臨界流體之一擴散路徑之一圖，圖5係繪示根據本發明之一項實施例之一乾燥用超臨界流體之一擴散路徑之一圖，圖6係繪示根據本發明之一項實施例之其中溶解有一有機溶劑之一超臨界流體之一排放路徑之一圖，且圖7係用於描述防止當一乾燥程序結束且敞開一下殼體及一上殼體時顆粒引入至一基板上之原理之一圖，其中顆粒存在於設置於上殼體及下殼體之一耦接表面上之一密封部件上且存在於密封部件周圍。
參考圖3至圖7，根據本發明之一項實施例之一基板乾燥腔1包含一上殼體10、一下殼體20、一密封部件30、一基板放置板40、一整合式供應/排放埠50、一上供應埠60、一噴嘴65、一基板放置板支撐件70、一基板支撐件80及一殼體驅動器90。
上殼體10及下殼體20可拆卸地彼此耦接且提供其中執行一乾燥程序之一空間。例如，上殼體10及下殼體20可各經構建以具有一圓柱形形狀，但本發明不限於此。如下文所描述，上供應埠60經形成於上殼體10中，且整合式供應/排放埠50經形成於下殼體20中。
密封部件30經設置於下殼體20及上殼體10之一耦接表面C上且維持下殼體20及上殼體10之耦接表面C之氣密性以將基板乾燥腔1之一內部區與其外部隔離。
例如，如用於描述防止顆粒引入至一基板W上之原理之圖7中所展示，其中顆粒存在於設置於上殼體10及下殼體20之耦接表面C上之密封部件30上且存在於密封部件30周圍，當一乾燥程序結束且敞開下殼體20及上殼體10時，基板W可在高於下殼體20及上殼體10之耦接表面C之一位準處安置於基板放置板40上，且當乾燥程序結束並敞開下殼體20及上殼體10時，可形成基板乾燥腔1以防止顆粒歸因於根據基板W與耦接表面C之間的一高度差之重力引入至基板W上，其中顆粒存在於設置於耦接表面C上之密封部件30周圍。
基板放置板40經耦接至下殼體20之一底表面22且係其上安置基板W(一有機溶劑形成於基板W上)之一組件。
例如，透過構成整合式供應/排放埠50之一第一管線510及一共同埠520供應之一初始增壓用超臨界流體可被基板放置板40阻擋以防止直接注射至基板W上。
更具體而言，如繪示初始增壓用超臨界流體之一擴散路徑之圖4及繪示其中溶解有有機溶劑之一超臨界流體之一排放路徑之圖6中所展示，可藉由以下步驟防止形成於基板W上之一圖案塌陷：使用配置基板W必不可少、作為乾燥程序之一目標之基板放置板40來阻擋在乾燥程序結束之後敞開基板乾燥腔1時重新引入之顆粒；及在乾燥程序之一初始階段阻擋初始增壓用超臨界流體直接朝向基板W之一表面之一流動，且可防止初始增壓用超臨界流體中可含有之顆粒累積於基板W上之一問題或可減少顆粒之一累積量，且可藉由歸因於基板放置板40所佔據之一體積而減小基板乾燥腔1之一工作體積來減少一乾燥程序時間。
整合式供應/排放埠50經形成以自下殼體20之一個側表面24延伸至另一側表面26且自一個側表面24及另一側表面26之一中間區28朝向基板放置板40形成。整合式供應/排放埠50係用於提供初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在乾燥之後溶解有形成於基板W上之有機溶劑之超臨界流體之一排放路徑之一組件。
由於提供初始增壓用超臨界流體之供應路徑及其中在乾燥之後溶解有形成於基板W上之有機溶劑之超臨界流體之排放路徑，故當供應及排放超臨界流體時，引發超臨界流體之一對稱流且將超臨界流體均勻地分配及供應至該腔中並自該腔排放使得存在允許基板乾燥效率增加之一效應。
例如，整合式供應/排放埠50包含：第一管線510，其自下殼體20之一個側表面24形成至其中間區28；共同埠520，其經形成以在中間區28中與第一管線510連通且面向基板放置板40；及一第二管線530，其經構形以在中間區28中與共同埠520及第一管線510連通且經形成以延伸至下殼體20之另一側表面26。第一管線510及共同埠520可經構形以提供初始增壓用超臨界流體之供應路徑，且共同埠520及第二管線530可經構形以提供其中溶解有有機溶劑之超臨界流體之排放路徑。
上供應埠60係形成為在上殼體10之一中央區中指向基板放置板40以提供乾燥用超臨界流體之供應路徑之一組件。
噴嘴65經耦接至上供應埠60之一遠端且執行將透過上供應埠60供應之乾燥用超臨界流體對稱地分配至基板W之整個表面之一功能。
透過上供應埠60供應之乾燥用超臨界流體使用噴嘴65對稱地分配至基板W之整個表面使得防止基板W之中央部分中之圖案塌陷。
其詳細描述將如下般進行。
描述相關技術之問題，但根據包含韓國專利特許公開申請案第10-2017-0137243號之相關技術，由於相關技術具有其中將為了乾燥而供應之超臨界流體直接噴灑至基板W上之一結構，因此存在可能在基板W之中央部分中發生圖案塌陷之一問題，且難以將超臨界流體均勻地分配及供應於該腔中使得可降低基板乾燥效率。
然而，根據本發明之一項實施例，例如，1)可在一設定初始增壓時間期間透過構成整合式供應/排放埠50之第一管線510及共同埠520供應初始增壓用超臨界流體，(2)在經過一初始增壓時間之後，可阻擋初始增壓用超臨界流體之供應且可在一乾燥時間期間透過耦接至上供應埠60之噴嘴65供應乾燥用超臨界流體，及(3)在經過乾燥時間之後，可阻擋乾燥用超臨界流體，且在一排放時間期間可透過構成整合式供應/排放埠50之共同埠520及第二管線530排放混合流體。在此情況下，例如，乾燥用超臨界流體之供應及混合流體之排放可重複多達預定次數，即，可被清洗。根據一項實施例，在清洗程序期間，透過上供應埠60供應之乾燥用超臨界流體使用噴嘴65對稱地分配至基板W之整個表面上使得防止基板W之中央部分中之圖案塌陷。
基板放置板支撐件70係其之一端經耦接至下殼體20之底表面22且另一端經耦接至基板放置板40並在支撐基板放置板40時將基板放置板40與下殼體20之底表面22分離之一組件。
例如，歸因於基板放置板支撐件70而存在於下殼體20之底表面22與基板放置板40之間的一第一分離空間R1可執行以下功能：藉由允許透過整合式供應/排放埠50供應之初始增壓用超臨界流體沿著基板放置板40之一底表面移動來引發初始增壓用超臨界流體逐漸擴散至其中安置基板W之一處理區域中之一功能。
基板支撐件80係其之一端經耦接至基板放置板40之一頂表面且另一端經耦接至基板W並在支撐基板W時將基板W與基板放置板40之頂表面分離之一組件。
例如，歸因於基板支撐件80而存在於基板放置板40之頂表面與基板W之間的一第二分離空間R2執行以下功能：藉由將基板W之一底表面暴露於透過整合式供應/排放埠50供應之初始增壓用超臨界流體及透過上供應埠60供應之待乾燥超臨界流體來減少乾燥程序之一時間。
殼體驅動器90係用於敞開或閉合該腔之一部件。在乾燥程序結束之後，驅使下殼體20與上殼體10分離以敞開該腔，或當乾燥程序開始時，殼體驅動器90可執行以下功能：驅動下殼體20且將下殼體20耦接至上殼體10以閉合該腔。儘管殼體驅動器90已在圖式中被繪示為驅動下殼體20，但此僅僅係一個實例，且殼體驅動器90可經構形以驅動上殼體10。
例如，初始增壓用超臨界流體及乾燥用超臨界流體可包含二氧化碳(CO2 )，且有機溶劑可包含醇，但本發明不限於此。作為一特定實例，該醇可包含甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇(異丙醇(IPA))及1-丁醇，但本發明不限於此。
例如，根據在根據本發明之一項實施例之基板乾燥腔中執行之超臨界乾燥技術，將處於一超臨界狀態之CO2 供應至基板W上，該基板W之一表面在該腔中被諸如醇或類似者之有機溶劑潤濕使得基板W上之醇溶解於一超臨界CO2 流體中。接著，自該腔逐漸排放其中溶解醇之超臨界CO2 流體使得可乾燥基板W而無一圖案塌陷。
1:基板乾燥腔 10:上殼體 20:下殼體 22:底表面 24:一個側表面 26:另一側表面 28:中間區 30:密封部件 40:基板放置板 50:整合式供應/排放埠 60:上供應埠 65:噴嘴 70:基板放置板支撐件 80:基板支撐件 90:殼體驅動器 410:高壓腔 420:下主體 422:下供應埠 426:排放埠 430:上主體 432:上供應埠 510:第一管線 520:共同埠 530:第二管線 C:耦接表面 R1:第一分離空間 R2:第二分離空間 W:基板
圖1係繪示根據一習知技術之在一基板乾燥程序期間發生之一圖案塌陷現象之一圖。
圖2係繪示一習知基板乾燥腔之一圖。
圖3係繪示根據本發明之一項實施例之一基板乾燥腔之一圖。
圖4係繪示根據本發明之一項實施例之一初始增壓用超臨界流體之一擴散路徑之一圖。
圖5係繪示根據本發明之一項實施例之一乾燥用超臨界流體之一擴散路徑之一圖。
圖6係繪示根據本發明之一項實施例之其中溶解有一有機溶劑之一超臨界流體之一排放路徑之一圖。
圖7係用於描述防止當一乾燥程序結束且敞開一下殼體及一上殼體時顆粒引入至一基板上之原理之一圖，其中顆粒存在於設置於上殼體及下殼體之一耦接表面上之一密封部件上且存在於密封部件周圍。
1:基板乾燥腔
10:上殼體
20:下殼體
22:底表面
24:一個側表面
26:另一側表面
28:中間區
30:密封部件
40:基板放置板
50:整合式供應/排放埠
60:上供應埠
65:噴嘴
70:基板放置板支撐件
80:基板支撐件
90:殼體驅動器
510:第一管線
520:共同埠
530:第二管線
C:耦接表面
R1:第一分離空間
R2:第二分離空間
W:基板

Claims (10)

  1. 一種基板乾燥腔，其包括：一上殼體；一下殼體，其可拆卸地耦接至該上殼體；一密封部件，其經設置於該下殼體及該上殼體之一耦接表面上；一基板放置板，其經耦接至該下殼體之一底表面且其上安置一基板，在該基板上形成有被一有機溶劑潤濕之一圖案；一上供應埠，其經形成為在該上殼體之一中央區中指向該基板放置板且經構形以提供一乾燥用超臨界流體之一供應路徑；一噴嘴，其經耦接至該上供應埠之一遠端且經構形以將透過該上供應埠供應之該乾燥用超臨界流體對稱地分配至該基板之整個表面；及一整合式供應/排放埠，其經構形以根據該乾燥用超臨界流體之一供應提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在乾燥之後該有機溶劑溶解於該乾燥用超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑，其中透過該上供應埠供應之該乾燥用超臨界流體使用該噴嘴對稱地分配至該基板之該整個表面上使得防止該基板之一中央部分中之圖案塌陷。
  2. 如請求項1之基板乾燥腔，其中該整合式供應/排放埠經形成以自該下殼體之一個側表面延伸至另一側表面且經形成為在該一個側表面及該另一側表面之一中間區中指向該基板放置板。
  3. 如請求項2之基板乾燥腔，其中該整合式供應/排放埠包含：一第一管線，其自該下殼體之該一個側表面至該中間區形成；一共同埠，其經構形以在該中間區中與該第一管線連通且經形成為指向該基板放置板；及一第二管線，其經構形以在該中間區中與該共同埠及該第一管線連通且經形成為延伸至該下殼體之該另一側表面。
  4. 如請求項3之基板乾燥腔，其中：該第一管線及該共同埠提供該初始增壓用超臨界流體之該供應路徑；且該共同埠及該第二管線提供其中該有機溶劑溶解於該乾燥用超臨界流體中之該混合流體之一排放路徑。
  5. 如請求項1之基板乾燥腔，其中該基板在高於該下殼體及該上殼體之該耦接表面之一位準處安置於該基板放置板上，且當該乾燥程序結束並敞開該下殼體及該上殼體時，防止設置於該耦接表面上之該密封部件周圍之顆粒歸因於根據該基板與該耦接表面之間的一高度差之重力引入至該基板上。
  6. 如請求項4之基板乾燥腔，其中由該基板放置板阻擋透過該第一管線及該共同埠供應之該初始增壓用超臨界流體使得防止該初始增壓用超臨界流體直接噴灑至該基板上。
  7. 如請求項1之基板乾燥腔，其進一步包括一基板放置板支撐件，該基板放置板支撐件具有耦接至該下殼體之該底表面之一端及耦接至該基板放置板之另一端且經構形以在支撐該基板放置板時將該基板放置板與該下殼體之該底表面分離。
  8. 如請求項7之基板乾燥腔，其中歸因於該基板放置板支撐件而存在於該下殼體之該底表面與該基板放置板之間的一第一分離空間引發透過該整合式供應/排放埠供應之該初始增壓用超臨界流體沿著該基板放置板之一底表面移動以逐漸擴散至安置該基板之一處理區域中。
  9. 如請求項1之基板乾燥腔，其進一步包括一基板支撐件，該基板支撐件具有耦接至該基板放置板之一頂表面之一端及耦接至該基板之另一端且經構形以在支撐該基板時將該基板與該基板放置板之該頂表面分離。
  10. 如請求項9之基板乾燥腔，其中歸因於該基板支撐件而存在於該基板放置板之該頂表面與該基板之間的一第二分離空間將該基板之該底表面暴露於透過該整合式供應/排放埠供應之該初始增壓用超臨界流體及透過該噴嘴供應之該乾燥用超臨界流體，由此減少該乾燥程序之一時間。
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