KR102417011B1 - 기판 처리용 챔버 - Google Patents

기판 처리용 챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR102417011B1
KR102417011B1 KR1020170060467A KR20170060467A KR102417011B1 KR 102417011 B1 KR102417011 B1 KR 102417011B1 KR 1020170060467 A KR1020170060467 A KR 1020170060467A KR 20170060467 A KR20170060467 A KR 20170060467A KR 102417011 B1 KR102417011 B1 KR 102417011B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
supercritical fluid
showerhead
substrate processing
processing chamber
Prior art date
Application number
KR1020170060467A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180125764A (ko
Inventor
김대민
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020170060467A priority Critical patent/KR102417011B1/ko
Publication of KR20180125764A publication Critical patent/KR20180125764A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102417011B1 publication Critical patent/KR102417011B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 초임계유체가 챔버의 내부로 유입되는 과정에서 기판 상에 파티클이 혼입되는 것을 방지함과 아울러 초임계유체가 챔버 내부에 균일하게 분산되어 공급되도록 함으로써 기판 처리 성능을 향상시킬 수 있는 기판 처리용 챔버를 제공함에 그 목적이 있다.
이를 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리용 챔버는, 챔버 내로 공급되는 초임계유체를 상방 또는 하방으로 분사하는 샤워헤드를 포함하고, 상기 샤워헤드는, 기판에 대응되지 않는 부분에 하나 이상의 분사홀을 형성하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판 처리용 챔버{Substrate processing chamber}
본 발명은 기판 처리용 챔버에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 초임계유체를 이용하여 기판의 세정 또는 건조 처리가 수행되는 기판 처리용 챔버에 관한 것이다.
일반적으로 세정은 습식세정과 건식세정으로 분류되며, 그 중에서도 습식세정은 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다. 습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로서, 산과 알칼리 용액을 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.
그러나, 이러한 습식세정에 이용되는 화학물질은 환경에 악영향을 끼치고 있는 것은 물론이고 공정이 복잡하여 제품의 생산 단가를 크게 상승시키는 요인일 뿐만 아니라 고집적 회로와 같이 정밀한 부분의 세정에 이용되는 경우, 계면장력으로 인해 미세구조의 패턴이 협착되어 무너짐에 따라서 오염물 제거가 효과적으로 이루어지지 못한다는 문제점이 있었다.
이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로, 최근에는 무독성이고, 불연성 물질이며, 값싸고 환경 친화적인 물질인 이산화탄소를 용매로 사용하는 건식 세정 방법이 개발되고 있다. 이산화탄소는 낮은 임계온도와 임계압력을 가지고 있어 초임계 상태에 쉽게 도달할 수 있으며, 계면장력이 제로(0)에 가깝고, 초임계 상태에서 높은 압축성으로 인하여 압력 변화에 따라 밀도 또는 용매세기를 변화시키기 용이하며, 감압에 의하여 기체 상태로 바뀌기 때문에 용질로부터 용매를 간단히 분리할 수 있는 장점이 있다.
이와 같이 초임계유체를 이용한 기판 처리 장치와 관련된 선행기술의 일례로서, 도 1은 등록특허 제10-1623411호에 개시된 기판 처리용 챔버를 나타낸 것이다.
종래의 기판 처리용 챔버(4000)는, 상체(4110)와 하체(4120)로 이루어진 하우징(4100), 하체(4120)를 승강 구동하기 위한 승강 실린더(4210), 기판(S)을 지지하는 지지 유닛(4300), 초임계유체를 공급하기 위한 공급라인(4550)과 유체 공급 유닛(4510,4520;4500), 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하고 초임계유체의 상향 기류에 의해 기판(S)이 부상하여 위치 이탈되는 것을 방지하기 위한 블로킹 부재(4610,4620;4600), 공정완료 후 잔류 유체를 배출하기 위한 배기 부재(4700)와 배기 라인(4750), 상기 상체(4110)와 하체(4120) 사이의 연결부에 개재되어 공정 수행 중에 챔버(4000)의 내부가 밀폐된 상태를 유지하도록 하는 실링부재(4800)를 포함하여 구성된다.
상기 챔버(4000)의 내부로 반입되는 기판(S)은 유기용제 공정을 거쳐 유기용제, 예컨대 이소프로필알코올(IPA)이 잔류하는 상태일 수 있으며, 상기 유체 공급 유닛(4500)에는 초임계유체, 예컨대 초임계 이산화탄소가 공급될 수 있다.
상기 챔버(4000)의 내부로 초임계유체가 유입되는 초기 단계에서 챔버(4000) 내부의 압력은 초임계유체가 초임계 상태를 유지하는데 요구되는 압력에 비하여 상대적으로 낮은 압력 상태에 있게 되므로, 챔버(4000)의 내부로 유입된 초임계유체는 초임계 상태에서 액상으로 상변화되어 초임계유체에 포함된 파티클이 발생한다.
그러나, 상기와 같이 구성된 종래의 기판 처리용 챔버(4000)는, 상부 유체공급부(4510)를 통하여 유입되는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되므로 파티클에 의해 기판(S)이 손상 및 오염되는 문제점이 있다.
또한, 종래의 기판 처리용 챔버(4000)에 구비된 상기 블로킹부재(4600)는, 하부 유체공급부(4520)를 통하여 유입되는 초임계유체가 기판(S)을 향하여 직접 분사되는 것을 차단하는 기능은 있으나, 유입된 초임계유체가 챔버(4000) 내부의 하부 공간에 먼저 공급되어 챔버(4000) 내부의 상부 공간으로 점차 채워지도록 구성되어 있어, 챔버(4000)의 내부 공간이 전체적으로 초임계 압력 상태로 변화되는 시간이 많이 소요되고, 이에 따라 기판 처리 시간이 지연되는 문제점이 있다.
또한, 종래의 기판 처리용 챔버(4000)의 구성에 의할 경우, 챔버(4000)의 내부에 초임계유체가 균일하게 분산되어 공급되지 못하고, 챔버(4000) 내부의 하부와 상부에 초임계유체가 분포되는 밀도에 편차가 발생하게 되어 기판 처리 성능이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 초임계유체가 챔버의 내부로 유입되는 과정에서 기판 상에 파티클이 혼입되는 것을 방지함과 아울러 초임계유체가 챔버 내부에 균일하게 분산되어 공급되도록 함으로써 기판 처리 성능을 향상시킬 수 있는 기판 처리용 챔버를 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리용 챔버는, 챔버 내로 공급되는 초임계유체를 상방 또는 하방으로 분사하는 샤워헤드를 포함하고, 상기 샤워헤드는, 기판에 대응되지 않는 부분에 하나 이상의 분사홀을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 샤워헤드가 상기 초임계유체를 하방으로 분사하는 경우, 상기 기판 처리용 챔버는 상기 초임계유체의 유입구를 상부에 구비할 수 있다.
상기 샤워헤드가 상기 초임계유체를 상방으로 분사하는 경우, 상기 기판 처리용 챔버는 상기 초임계유체의 유입구를 하부에 구비할 수 있다.
상기 샤워헤드는, 상기 기판과 상하로 대응되는 영역은 상기 분사홀이 형성되지 않은 막힘부로 이루어지고, 상기 막힘부의 외측 둘레 영역에는 상기 하나 이상의 분사홀이 형성될 수 있다.
상기 샤워헤드에는 다수개의 상기 분사홀이 방사상으로 형성될 수 있다.
상기 샤워헤드에는 상기 다수개의 분사홀이 원주방향과 반경방향을 따라서 등간격으로 이격되어 다수열로 배치될 수 있다.
상기 분사홀을 통과한 상기 초임계유체는 상기 기판의 외측 영역을 향하여 분사될 수 있다.
상기 샤워헤드와 상기 기판 사이에는 상기 분사홀에서 분사된 초임계유체가 상기 기판의 외측 영역을 향하여 유동하도록 유도하기 위한 가이드부재가 구비될 수 있다.
상기 가이드부재는 상기 분사홀에서 분사된 초임계유체의 유동방향을 기준으로 외측을 향하여 경사지게 배치될 수 있다.
상기 샤워헤드의 막힘부는 수평 상태로 구비되고, 상기 막힘부의 외측 둘레 영역은 외측을 향하도록 소정 각도 경사지게 배치된 경사부로 이루어지며, 상기 분사홀은 상기 경사부에 형성될 수 있다.
상기 분사홀은 상기 경사부의 면과 직교하는 방향으로 관통되어 형성될 수 있다.
상기 분사홀은 상기 기판의 외측 방향을 향하도록 수평방향을 기준으로 외측을 향하도록 경사지게 관통되어 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리용 챔버에 의하면, 유입구를 통해 챔버 내로 유입된 초임계유체가 기판에 대응되지 않는 부분에 분사홀이 형성된 샤워헤드를 통하여 기판의 외측 영역을 향하여 분사되도록 구성함으로써, 초임계유체가 챔버의 내부로 유입되는 과정에서 기판 상에 파티클이 혼입되는 것을 방지함과 아울러 초임계유체가 챔버 내부에 균일하게 분산되어 공급되도록 함으로써 기판 처리 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 따른 기판 처리용 챔버의 구성도,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리용 챔버의 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리용 챔버에 구비되는 샤워헤드의 평면도,
도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리용 챔버에 구비되는 샤워헤드의 다양한 실시예들을 보여주는 단면도,
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리용 챔버의 구성도.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리용 챔버(100-1;100)는, 제1하우징(110), 상기 제1하우징(110)의 상부에 결합되며 내부에는 제1하우징(110)과 사이에 기판처리공간(101)을 형성하는 제2하우징(120), 상기 제1하우징(110)을 상하 방향으로 이동시키는 승강구동부(130), 상기 제1하우징(110)과 제2하우징(120)의 연결부에 개재되는 실링부재(140), 상기 기판처리공간(101)에 투입되는 세정 또는 건조 처리대상 기판(S)이 안착되는 기판 지지부(150), 상기 제2하우징(120)의 상부를 통하여 유입되는 초임계유체를 상기 기판(S)의 외측 영역을 향하여 분사되도록 유도하는 샤워헤드(160), 및 상기 샤워헤드(160)를 제2하우징(120)에 고정시켜 지지하는 샤워헤드 지지부(170)를 포함하여 구성된다.
도 2에서 화살표시는 초임계유체의 유동 방향을 나타낸 것이다.
상기 제1하우징(110)은 챔버(100-1;100)의 하부를 구성하는 것으로서, 승강구동부(130)의 구동에 의해 승강 가능하게 구비된다. 상기 승강구동부(130)는 기판(S)을 챔버(100-1;100)의 내부로 반입하거나 챔버(100-1;100)의 외부로 반출하는 경우에는 하강하여 기판(S)의 출입 통로가 마련되도록 구동하고, 기판(S)의 처리가 수행되는 동안에는 챔버(100-1;100)의 내부가 밀폐되도록 제1하우징(110)이 상승된 상태가 유지되도록 구동한다.
상기 제2하우징(120)은 챔버(100-1;100)의 상부를 구성하는 것으로서, 제2하우징(120)의 상부와 일측에는 초임계유체가 공급되는 공급라인(181,182)에 연결된 유입구(121,122)가 형성되고, 제2하우징(120)의 타측에는 기판 처리 공정의 완료 후에 기판처리공간(101)에 잔류하는 유체가 배출되는 벤트라인(183)에 연결된 배출구(123)가 형성될 수 있다.
일실시예로, 상기 챔버(100-1;100)에서 기판의 건조 처리가 수행되는 경우, 상기 기판(S)은 별도의 챔버에서 세정 처리되어 기판(S)의 표면에 세정유체가 잔류된 상태일 수 있으며, 기판(S)의 패턴 사이에 잔류하는 세정유체의 건조를 위하여 상기 공급라인(181,182)과 유입구(121,122)을 통하여 초임계유체가 공급된다.
다른 실시예로, 상기 챔버(100-1;100)에서 기판의 세정 처리가 수행되는 경우에는, 상기 공급라인(181,182)과 유입구(121,122)을 통하여 초임계유체와 세정유체가 혼합된 혼합유체가 공급될 수 있다.
일실시예로, 상기 초임계유체는 초임계 이산화탄소(SCCO2)가 사용될 수 있고, 상기 세정유체는 이소프로필알코올(IPA)이 사용될 수 있다. 다만, 초임계유체와 세정유체의 종류는 이에 한정되는 것은 아니며, 공지된 다른 종류의 유체로 대체될 수 있다.
한편, 상기 유입구(121)를 통하여 초임계유체가 유입되는 초기 단계에서, 초임계유체는 초임계 상태의 고압 상태임에 반하여, 챔버(100-1;100) 내부의 기판처리공간(101)의 압력은 상대적으로 저압 상태에 있게 된다. 이와 같은 초임계유체의 유입 초기 단계에서 초임계유체가 챔버(100-1;100)의 내부로 유입되면, 초임계유체는 압력이 떨어지면서 액상으로 상변화되며, 이와 같은 액상의 유체가 기판(S)의 표면을 향하여 직접 분사될 경우에는 액상 유체에 함유되어 있던 파티클이 기판(S)의 패턴에 손상을 가하게 되어 공정 불량을 초래할 수 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 구성으로서, 상기 샤워헤드(160)는 상기 유입구(121)를 통해 유입되는 초임계유체가 기판(S)의 상면을 향하여 직접 분사되는 것을 방지하고, 기판(S)의 외측 영역을 향하여 균일하게 분산되어 분사되도록 유도하는 기능을 한다. 또한, 상기 샤워헤드(160)는 기판처리공간(101)의 전체 영역에 걸쳐서 초임계유체가 고르게 분산되어 공급되도록 함으로써 기판 처리 성능을 향상시킬 수 있도록 하는 기능을 포함한다.
도 3을 참조하면, 상기 샤워헤드(160)는, 기판(S)과 상하로 대응되지 않는 부분에 하나 이상의 분사홀(162)이 형성되어 있다.
일실시예로, 상기 샤워헤드(160)는, 기판(S)과 상하로 대응되는 영역은 분사홀(162)이 형성되지 않은 막힘부(161)로 이루어지고, 상기 막힘부(161)의 외측 둘레 영역에는 상기 분사홀(162)이 형성되어 있다. 상기 막힘부(161)는 도 3에서 가상의 점선(L)으로 표시된 부분의 내측 영역을 지칭하며, 상기 막힘부(161)는 기판(S)과 상하로 대응되는 크기의 면적을 갖도록 구성될 수 있다.
상기 분사홀(162)은 막힘부(161)의 외측 영역에 방사상으로 다수개 형성될 수 있으며, 원주방향과 반경방향을 따라서 등간격으로 이격되어 다수열로 배치될 수 있다. 따라서, 상기 분사홀(162)을 통과한 초임계유체는 기판처리공간(101)에서 기판(S)의 외측 영역을 향하여 균일하게 분산되어 공급되므로 초임계유체의 초기 유입시 저압 상태에 있던 기판처리공간(101)이 전체적으로 빠른 시간 내에 초임계 압력 상태로 변화될 수 있으며, 기판(S)의 전체 영역에 걸쳐 균일한 건조 또는 세정 처리가 가능해져 기판 처리 성능을 향상시킬 수 있다.
이하, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 샤워헤드(160)의 실시예들을 설명한다.
도 4를 참조하면, 일실시예에 따른 샤워헤드(160-1)는 전체적으로 수평상태의 플레이트 형상으로 이루어지고, 기판(S)에 대응되는 영역은 막힘부(161)로 이루어지고, 상기 막힘부(161)의 외측 둘레에는 다수개의 분사홀(162-1)이 수직방향으로 관통 형성되며, 상기 분사홀(162-1)이 형성된 영역의 하측에는 분사홀(162-1)에서 분사된 초임계유체가 기판(S)의 외측 영역을 향하여 유동하도록 유도하기 위한 가이드부재(163)가 구비된다.
상기 가이드부재(163)는 분사홀(162-1)에서 분사된 초임계유체의 유동방향을 기준으로 외측을 향하여 경사지게 배치될 수 있다.
본 실시예에서는 샤워헤드(160-1)의 하측에 상기 가이드부재(163)를 구비함으로써, 초임계유체가 기판(S)을 향하여 분사되는 것을 차단하고 기판(S)의 외측 영역으로 유동하도록 유도할 수 있다.
도 5를 참조하면, 다른 실시예에 따른 샤워헤드(160-2)는, 막힘부(161)는 수평상태로 구비되고, 상기 막힘부(161)의 외측 둘레 영역은 외측을 향하여 소정 각도 상향 경사지게 절곡된 경사부(164)로 이루어지며, 상기 경사부(164)에는 다수개의 분사홀(162-2)이 형성되어 있다. 상기 분사홀(162-2)은 상기 경사부(164)의 면과 직교하는 방향으로 관통되어 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 막힘부(161)의 외측 둘레에 상향 경사진 형태의 경사부(164)를 구비하고, 상기 경사부(164)에 분사홀(162-2)을 형성함으로써 초임계유체가 기판(S)을 향하여 분사되는 것을 방지하고 기판(S)의 외측 영역으로 유동하도록 유도할 수 있다.
도 6을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 샤워헤드(162-3)는, 전체적으로 수평상태의 플레이트 형상으로 이루어지고, 막힘부(161)의 외측 둘레 영역에 형성되는 분사홀(162-3)은 기판(S)의 외측 방향을 향하도록 수평방향을 기준으로 외측을 향하여 하향 경사지게 관통되어 형성된다.
본 실시예에서는 상기 분사홀(162-3) 자체를 경사지게 형성함으로써 초임계유체가 기판(S)을 향하여 분사되는 것을 방지하고 기판(S)의 외측 영역으로 유동하도록 유도할 수 있다.
전술한 본 발명의 일시예에 따른 기판 처리용 챔버(100-1;100)는, 샤워헤드(160)가 초임계유체를 하방으로 분사하고, 초임계유체가 유입되는 유입구(121)를 챔버(100-1;100)의 상부에 구비한 경우를 예로들어 설명하였다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리용 챔버(100-2;100)는, 샤워헤드(160)가 초임계유체를 상방으로 분사하는 경우로서, 초임계유체는 챔버(100-2;100)의 하부에 형성된 유입구(124)를 통해 유입되고, 상기 유입구(124)에는 초임계유체의 공급라인(184)이 연결된 것으로 구성될 수 있다.
본 실시예에 따른 기판 처리용 챔버(100-2;100)에 구비되는 샤워헤드(160) 또한 막힘부(161)와, 그 외측 둘레 영역에 분사홀(162)이 형성된 것으로 구성되며, 상기 샤워헤드(160)의 구조는, 전술한 도 4 내지 도 6에 도시하고 설명한 구조를 상하 대칭된 구조로 변경하여 구성할 수 있다. 이 경우 초임계유체의 유동방향이 기판(S)의 외측 영역을 향하되 상방을 향하는 점 이외에는 전술한 실시예와 그 작용이 동일하므로, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
상기와 같이 본 발명에 따른 기판 처리용 챔버(100-1,100-2;100)의 구성에 의하면, 챔버(100-1,100-2;100) 내로 유입된 초임계유체가 기판(S)에 대응되지 않는 부분에 분사홀(162)이 형성된 샤워헤드(160)를 통하여 기판(S)의 외측 영역을 향하여 분사되도록 구성함으로써, 초임계유체가 챔버(100-1,100-2;100)의 내부로 유입되는 과정에서 기판(S) 상에 파티클이 혼입되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 초임계유체가 챔버(100-1,100-2;100) 내부에 균일하게 분산되어 공급되도록 함으로써 기판 처리 성능을 향상시키고 공정 불량을 사전에 방지할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.
100,100-1,100-2 : 기판 처리용 챔버 110 : 제1하우징
120 : 제2하우징 121,122,124 : 유입구
123 : 배출구 130 : 승강구동부
140 : 실링부재 150 : 기판 지지부
160,160-1,160-2,160-3 : 샤워헤드 161 : 막힘부
162,162-1,162-2,162-3 : 분사홀 163 : 가이드부재
164 : 경사부 170 : 샤워헤드 지지부
181,182,184 : 공급라인 183 : 벤트라인
S : 기판

Claims (12)

  1. 기판 처리용 챔버에 있어서,
    상기 챔버 내로 공급되는 초임계유체를 상방 또는 하방으로 분사하는 샤워헤드를 포함하고,
    상기 샤워헤드는, 기판에 대응되지 않는 부분에 하나 이상의 분사홀을 형성하고,
    상기 샤워헤드는, 상기 기판과 상하로 대응되는 영역은 상기 분사홀이 형성되지 않은 막힘부로 이루어지고, 상기 막힘부의 외측 둘레 영역에는 상기 하나 이상의 분사홀이 형성되는, 기판 처리용 챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드가 상기 초임계유체를 하방으로 분사하는 경우, 상기 기판 처리용 챔버는 상기 초임계유체의 유입구를 상부에 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드가 상기 초임계유체를 상방으로 분사하는 경우, 상기 기판 처리용 챔버는 상기 초임계유체의 유입구를 하부에 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드에는 다수개의 상기 분사홀이 방사상으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 샤워헤드에는 상기 다수개의 분사홀이 원주방향과 반경방향을 따라서 등간격으로 이격되어 다수열로 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 분사홀을 통과한 상기 초임계유체는 상기 기판의 외측 영역을 향하여 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드와 상기 기판 사이에는 상기 분사홀에서 분사된 초임계유체가 상기 기판의 외측 영역을 향하여 유동하도록 유도하기 위한 가이드부재가 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 가이드부재는 상기 분사홀에서 분사된 초임계유체의 유동방향을 기준으로 외측을 향하여 경사지게 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드의 막힘부는 수평 상태로 구비되고,
    상기 막힘부의 외측 둘레 영역은 외측을 향하도록 소정 각도 경사지게 배치된 경사부로 이루어지며,
    상기 분사홀은 상기 경사부에 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 분사홀은 상기 경사부의 면과 직교하는 방향으로 관통되어 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 분사홀은 상기 기판의 외측 방향을 향하도록 수평방향을 기준으로 외측을 향하도록 경사지게 관통되어 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
KR1020170060467A 2017-05-16 2017-05-16 기판 처리용 챔버 KR102417011B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170060467A KR102417011B1 (ko) 2017-05-16 2017-05-16 기판 처리용 챔버

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170060467A KR102417011B1 (ko) 2017-05-16 2017-05-16 기판 처리용 챔버

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180125764A KR20180125764A (ko) 2018-11-26
KR102417011B1 true KR102417011B1 (ko) 2022-07-07

Family

ID=64603020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170060467A KR102417011B1 (ko) 2017-05-16 2017-05-16 기판 처리용 챔버

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102417011B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200089060A (ko) * 2019-01-16 2020-07-24 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102258986B1 (ko) * 2019-02-13 2021-06-02 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102209589B1 (ko) * 2019-02-25 2021-02-02 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102178594B1 (ko) * 2019-02-26 2020-11-18 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102179716B1 (ko) * 2019-04-24 2020-11-17 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102285672B1 (ko) * 2019-06-04 2021-08-06 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990065416A (ko) * 1998-01-13 1999-08-05 윤종용 샤워 헤드를 포함하는 반도체장치 제조용 챔버 장비

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180125764A (ko) 2018-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102417011B1 (ko) 기판 처리용 챔버
KR102375985B1 (ko) 기판 처리용 챔버
CN108074858B (zh) 基板湿式处理装置
JP4461163B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4538754B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6592529B2 (ja) 基板のベベルおよび裏面を保護するための装置
KR100901495B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그 세정 방법
KR20090029958A (ko) 스핀 유닛 및 이를 갖는 기판 가공 장치
US10005092B2 (en) Nozzle and substrate treating apparatus including the same
KR102348772B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기억 매체
KR100695228B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100924930B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101817212B1 (ko) 처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치
KR100897547B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101987711B1 (ko) 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템
KR100797080B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP6215748B2 (ja) 基板処理装置
KR100784789B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN103846243B (zh) 清洗装置
KR101460272B1 (ko) 노즐 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 이를 이용한 기판 처리 방법
KR101914579B1 (ko) 필터 드라이어의 가스 공급장치
KR101884852B1 (ko) 처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치
KR100749547B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2015192049A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR100831989B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right