TW201919875A - 轉印用導電性膜 - Google Patents

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中島一裕
菅原英男
安藤豪彦
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種可抑制全息圖紋樣之外觀不良之轉印用導電性膜。 本發明之轉印用導電性膜具備臨時支持體、可自該臨時支持體剝離地設置之樹脂層、及直接配置於該樹脂層之導電層，該導電層係由金屬氧化物構成，該樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之50 nm深度硬度為0.3 GPa以上。於1個實施形態中，上述樹脂層之厚度為1 μm～20 μm。

Description

轉印用導電性膜
本發明係關於一種轉印用導電性膜。
先前，作為行動設備等所採用之觸控感測器之電極、電磁波屏蔽罩等，多使用透明導電性膜，該透明導電性膜係於透明樹脂膜(例如PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)膜、環烯烴膜)等基材形成有銦-錫複合氧化物層(ITO層)等金屬氧化物層(導電層)。
另一方面，近年來，隨著可穿戴式元件、可摺疊元件等之出現，要求更柔軟且耐彎曲性更高之透明導電性膜。作為提高耐彎曲性之方法，想到使基材薄膜化而降低導電層所受到之應力之方法。然而，就操作等觀點而言，構成基材之透明樹脂膜之薄膜存在極限，而透明樹脂膜之極限厚度成為提高耐彎曲性之阻礙。又，作為提高耐彎曲性之另一方法，亦正研究具備由導電高分子、金屬奈米線等構成之導電層代替容易產生龜裂之金屬氧化物層的透明導電性膜，但導電性、透明性存在問題而未正式導入。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利第4893867號
[發明所欲解決之問題]
本發明之發明者等人發現，若使用轉印用導電性膜，則可解決上述課題。該轉印用導電性膜係藉由濺鍍等方法於形成於臨時支持體上之樹脂層上形成導電層而構成。若使用該轉印用導電性膜，則可自臨時支持體將包含導電層之積層體轉印至光學構件等，從而可提供一種不具有剛直之基材之光學積層體。
若使用轉印用導電性膜，則耐彎曲性提高，但另一方面，會新產生使用轉印用導電性膜而形成之光學積層體(例如觸控感測器；具備觸控感測器之圖像顯示裝置)容易產生全息圖紋樣之外觀不良(虹斑花紋、條紋花紋)之課題。認為此種外觀不良係於在樹脂層上製作導電層時(例如濺鍍處理時)因樹脂層收縮而導致產生。
本發明係為了解決上述課題而成者，其目的在於提供一種可抑制全息圖紋樣之外觀不良之轉印用導電性膜。 [解決問題之技術手段]
本發明之轉印用導電性膜具備臨時支持體、可自該臨時支持體剝離地設置之樹脂層、及直接配置於該樹脂層之導電層，該導電層係由金屬氧化物構成，該樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之50 nm深度硬度為0.3 GPa以上。 於1個實施形態中，上述樹脂層之厚度為1 μm～20 μm。 於1個實施形態中，上述樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之100 nm深度硬度為0.2 GPa以上。 於1個實施形態中，上述樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之50 nm深度彈性模數為4 GPa以上。 於1個實施形態中，上述樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之100 nm深度彈性模數為4 GPa以上。 於1個實施形態中，上述金屬氧化物為銦-錫複合氧化物。 於1個實施形態中，上述金屬氧化物為結晶化金屬氧化物。 於1個實施形態中，上述導電層經圖案化。 於1個實施形態中，上述轉印用導電性膜進而具備配置於上述樹脂層與上述臨時支持體之間之液晶層。 根據本發明之另一態樣，提供一種光學積層體。該光學積層體具備光學構件、黏著劑層、上述導電層、及上述樹脂層，且該導電層直接積層於該液晶層。 根據本發明之又一態樣，提供一種觸控元件。該觸控感測器具備上述光學積層體。 [發明之效果]
本發明之轉印用導電性膜依序具有臨時支持體、樹脂層、及導電層。若使用此種構成之轉印用導電性膜，則可將包含液晶層與導電層之積層體轉印至光學構件而形成光學積層體。所獲得之光學積層體由於不具備基材(形成導電層時所必需之基材)，故而耐彎曲性優異。又，本發明之轉印用導電性膜由於導電層係由金屬氧化物構成，故而導電性及透光性優異。進而，於使用本發明之轉印用導電性膜而形成之光學積層體中，可防止全息圖紋樣之外觀不良。
(用語及符號之定義) 本說明書中之用語及符號之定義如下所述。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」係面內之折射率達到最大之方向(即遲相軸方向)之折射率，「ny」係於面內與遲相軸正交之方向(即進相軸方向)之折射率，「nz」係厚度方向之折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(550)」係以23℃下之波長550 nm之光所測得之面內相位差。Re(550)係於將層(膜)之厚度設為d(nm)時，藉由式：Re＝(nx－ny)×d而求出。再者，「Re(450)」係以23℃下之波長450 nm之光所測得之面內相位差。 (3)厚度方向之相位差(Rth) 「Rth(550)」係以23℃下之波長550 nm之光所測得之厚度方向之相位差。Rth(550)係於將層(膜)之厚度設為d(nm)時，藉由式：Rth＝(nx－nz)×d而求出。再者，「Rth(450)」係以23℃下之波長450 nm之光所測得之厚度方向之相位差。 (4)Nz係數 Nz係數係藉由Nz＝Rth/Re而求出。
A. 轉 印 用導電性膜之總體構成 圖1係本發明之1個實施形態之轉印用導電性膜之概略剖視圖。該轉印用導電性膜10依序具備臨時支持體11、可自臨時支持體11剝離地設置之樹脂層12、及導電層13。導電層13直接(即未經由黏著劑層等)積層於樹脂層12。
轉印用導電性膜10可於將導電層賦予至光學積層體時使用。更詳細而言，可將導電層13側之面貼附於另一光學構件(例如圖像元件(例如液晶面板、有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板)、光學膜(例如相位差膜)、偏光板等)後，將臨時支持體11剝離，以此種方式轉印由樹脂層12與導電層13構成之積層體A，藉此對光學積層體賦予導電層。先前，導電層係以形成於基材上之狀態而賦予至光學積層體，該光學積層體中包含基材，但若使用本發明之轉印用導電性膜，則可形成不包含形成導電層時必需之基材之光學積層體。通常，該基材由於係作為支持體發揮功能，故而剛直，但不包含此種基材之光學積層體之彎曲性優異。又，於不包含該基材之光學積層體中，於使該光學積層體彎曲時，導電層所受到之負荷較少而導電層不易損傷。
進而，若使用本發明之轉印用導電性膜，則於包含於形成導電層之處理(例如加熱處理)時容易受損之光學構件之光學積層體中，亦可排除剛直之基材。例如，若對包含偏光板之膜直接進行濺鍍等處理，則偏光板會受損，但若使用本發明之轉印用導電性膜，則可於不對偏光板造成損傷之情況下形成光學積層體。
A-1.導電層 於1個實施形態中，上述導電層可作為觸控元件之電極發揮功能。
較佳為上述導電層係由金屬氧化物構成。作為上述金屬氧化物，例如可列舉：氧化銦、氧化錫、氧化鋅、銦-錫複合氧化物、錫-銻複合氧化物、鋅-鋁複合氧化物、銦-鋅複合氧化物等。其中，較佳為銦-錫複合氧化物(ITO)。金屬氧化物亦可為結晶化金屬氧化物。所謂結晶化金屬氧化物，如下所述般意指將金屬氧化物膜成膜後進行加熱(例如120℃～200℃之加熱)而獲得之金屬氧化物。
導電層較佳為具有透光性。導電層之全光線透過率較佳為80%以上，進而較佳為85%以上，進而較佳為90%以上。藉由利用上述金屬氧化物構成導電層，可形成透光率較高之導電層。
上述導電層之表面電阻值較佳為0.1 Ω/□～1000 Ω/□，更佳為0.5 Ω/□～500 Ω/□，尤佳為1 Ω/□～250 Ω/□。
於1個實施形態中，上述導電層直接形成於上述樹脂層上。作為本實施形態之具體例，可列舉：藉由任意適當之成膜方法(例如真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法、離子鍍敷法、噴霧法等)於上述樹脂層上形成金屬氧化物層，獲得導電層之方法。該金屬氧化物層可直接作為導電層，亦可進而進行加熱而使金屬氧化物結晶化。該加熱時之溫度例如為120℃～200℃。
上述導電層之厚度較佳為50 nm以下，進而較佳為40 nm以下。若為此種範圍，則可獲得透光性優異之導電層。上述導電層之厚度之下限較佳為1 nm，更佳為5 nm。
上述導電層亦可經圖案化。作為圖案化之方法，可根據導電層之形態採用任意適當之方法。例如，可藉由蝕刻法、雷射法等進行圖案化。導電層之圖案之形狀可根據用途而為任意適當之形狀。例如，可列舉日本專利特表2011-511357號公報、日本專利特開2010-164938號公報、日本專利特開2008-310550號公報、日本專利特表2003-511799號公報、日本專利特表2010-541109號公報所記載之圖案。
A-2.樹脂層 上述樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之50 nm深度硬度較佳為0.3 GPa以上，更佳為0.32 GPa以上，進而較佳為0.4 GPa以上。再者，關於「藉由奈米壓痕法所得之X nm深度硬度」及「藉由奈米壓痕法所得之X nm深度彈性模數」，係遍及負荷時、除荷時而連續地測定將壓頭壓入至形成於臨時支持體上之樹脂層之與臨時支持體相反側之表面時的對壓頭之負荷荷載與壓入深度，並根據所獲得之負荷荷載-壓入深度曲線求出。於本說明書中，該測定之條件係設為評價溫度：25℃、負荷/除荷速度：1000 nm/s、壓入深度：X nm。「藉由奈米壓痕法所得之X nm深度硬度H」係根據壓入X nm時之荷載(最大荷載Pmax)及壓頭與試樣之接觸面積(接觸投影面積Ac)，藉由以下之式(1)而算出。 [數1]又，「藉由奈米壓痕法所得之X nm深度彈性模數Er」係根據上述負荷荷載-壓入深度曲線之除荷時之斜率(接觸剛性S)及壓頭與試樣之接觸面積(投影面積Ac)，藉由以下之式(2)而算出。 [數2]
於本發明中，藉由在具有如上述之硬度之樹脂層上形成導電層，可獲得可有助於實現全息圖紋樣之外觀不良得到防止之光學積層體的轉印用導電性膜。更詳細而言，若形成上述樹脂層，並於該樹脂層上形成導電層，則可抑制因導電層成膜時之加熱(例如用以使金屬氧化物結晶化之加熱)所致之樹脂層之無用收縮，其結果為，可獲得外觀優異之轉印用導電性膜。若使用該轉印用導電性膜，則可獲得顯示特性優異之圖像顯示裝置(例如觸控元件)。樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之50 nm深度硬度之上限較佳為5 GPa以下，更佳為2 GPa以下。
上述樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之100 nm深度硬度較佳為0.2 GPa以上，更佳為0.3 GPa以上，進而較佳為0.4 GPa以上。若為此種範圍，則本發明之上述外觀改善效果變得顯著。樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之100 nm深度硬度之上限較佳為5 GPa以下，更佳為2 GPa以下。
上述樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之50 nm深度彈性模數較佳為4 GPa以上，更佳為4.2 GPa以上，進而較佳為5 GPa以上。若為此種範圍，則本發明之上述外觀改善效果變得顯著。樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之50 nm深度彈性模數之上限較佳為30 GPa以下，更佳為20 GPa以下。使用具有該彈性模數為30 GPa以下之樹脂層之轉印用導電性膜而獲得之光學積層體係彎曲性更優異。又，於該光學積層體中，於彎曲時導電層所受到之負荷較少而導電層不易損傷。
上述樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之100 nm深度彈性模數較佳為4 GPa以上，更佳為4.3 GPa以上，進而較佳為5 GPa以上。若為此種範圍，則本發明之上述外觀改善效果變得顯著。樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之100 nm深度彈性模數之上限較佳為30 GPa以下，更佳為20 GPa以下。使用具有該彈性模數為30 GPa以下之樹脂層之轉印用導電性膜而獲得之光學積層體係彎曲性更優異。又，於該光學積層體中，於彎曲時導電層所受到之負荷較少而導電層不易損傷。
上述硬度及彈性模數可藉由構成樹脂層之樹脂之種類、構成樹脂之單體成分之種類、組成、聚合度等進行控制。
上述樹脂層之厚度較佳為1 μm～20 μm，更佳為1 μm～15 μm，進而較佳為1 μm～10 μm。若為此種範圍，則本發明之上述外觀改善效果變得顯著。又，使用具有厚度為上述範圍之樹脂層之轉印用導電性膜而獲得之光學積層體係彎曲性更優異。又，於該光學積層體中，於彎曲時導電層所受到之負荷較少而導電層不易損傷。
上述樹脂層包含任意適當之樹脂。作為該樹脂，可為熱塑性樹脂，亦可為硬化性樹脂。較佳為上述樹脂層包含硬化性樹脂。作為構成上述樹脂層之硬化性樹脂，例如使用丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、聚矽氧系樹脂或該等之混合物。
構成上述樹脂層之樹脂之玻璃轉移溫度較佳為120℃～300℃，更佳為130℃～250℃。
上述樹脂層係將樹脂層形成用組合物塗佈於臨時支持體上，其後使該組合物硬化而形成。
較佳為上述樹脂層形成用組合物包含多官能單體、源自多官能單體之低聚物及/或源自多官能單體之預聚物作為成為主成分之硬化性化合物。作為多官能單體，例如可列舉：三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基丙烷四丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二丙烯酸酯、1,10-癸二醇(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、異三聚氰酸三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化甘油三丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四丙烯酸酯等。多官能單體可單獨使用，亦可將複數種組合使用。
關於上述多官能單體、源自多官能單體之低聚物及源自多官能單體之預聚物之含有比率，相對於樹脂層形成用組合物中之單體、低聚物及預聚物之合計量，較佳為30重量%～100重量%，更佳為40重量%～95重量%，尤佳為50重量%～95重量%。
上述樹脂層形成用組合物亦可包含單官能單體。於上述樹脂層形成用組合物包含單官能單體之情形時，單官能單體之含有比率相對於樹脂層形成用組合物中之單體、低聚物及預聚物之合計量，較佳為40重量%以下，更佳為20重量%以下。
作為上述單官能單體，例如可列舉：乙氧基化鄰苯基苯酚(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸異硬脂酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸異佛酮酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸2-羥基-3-苯氧酯、丙烯醯基啉、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、羥乙基丙烯醯胺等。
上述樹脂層形成用組合物亦可包含(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯及/或(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯之低聚物。上述(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯例如可藉由使由(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯與多元醇獲得之羥基(甲基)丙烯酸酯、與二異氰酸酯反應而獲得。(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯之低聚物可單獨使用，亦可將複數種組合使用。
作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸環己酯等。
作為上述多元醇，例如可列舉：乙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、新戊二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、羥基新戊酸新戊二醇酯、三環癸烷二羥甲基、1,4-環己二醇、螺二醇、三環癸烷二羥甲基、氫化雙酚A、環氧乙烷加成雙酚A、環氧丙烷加成雙酚A、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷、甘油、3-甲基戊烷-1,3,5-三醇、季戊四醇、二季戊四醇、三季戊四醇、葡萄糖類等。
作為上述二異氰酸酯，例如可使用芳香族、脂肪族或脂環族之各種二異氰酸酯類。作為上述二異氰酸酯之具體例，可列舉：四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯、4,4-二苯基二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、3,3-二甲基-4,4-二苯基二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、4,4-二苯甲烷二異氰酸酯、及該等之氫化物等。
關於上述(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯之低聚物之合計含有比率，相對於樹脂層形成用組合物中之單體、低聚物及預聚物之合計量，較佳為5重量%～70重量%，進而較佳為5重量%～50重量%，尤佳為5重量%～30重量%。若為此種範圍，則可形成硬度、柔軟性及密接性之平衡性優異之樹脂層。
上述樹脂層形成用組合物較佳為包含任意適當之光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、苯乙酮、二苯甲酮、酮、3-甲基苯乙酮、4-氯二苯甲酮、4,4'-二甲氧基二苯甲酮、安息香丙醚、苯偶醯二甲基縮酮、N,N,N',N'-四甲基-4,4'-二胺基二苯甲酮、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、9-氧硫系化合物等。
上述樹脂層形成用組合物可包含溶劑，亦可不包含溶劑。作為溶劑，例如可列舉：二丁醚、二甲氧基甲烷、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸異丁酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、甲醇、乙醇、甲基異丁基酮(MIBK)等。該等可單獨使用，亦可將複數種組合使用。
上述樹脂層形成用組合物可進而包含任意適當之添加劑。作為添加劑，例如可列舉：調平劑、抗黏連劑、分散穩定劑、觸變劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、增黏劑、分散劑、界面活性劑、觸媒、填料、潤滑劑、抗靜電劑等。
作為樹脂層形成用組合物之塗佈方法，可採用任意適當之方法。例如可列舉：棒式塗佈法、輥式塗佈法、凹版塗佈法、桿式塗佈法、孔縫式塗佈法、淋幕式塗佈法、噴注式塗佈法、刮刀式塗佈法。
作為樹脂層形成用組合物之硬化方法，可採用任意適當之硬化處理。代表性而言，硬化處理係藉由紫外線照射而進行。紫外線照射之累計光量較佳為200 mJ～400 mJ。
於使上述樹脂層形成用組合物硬化之前，亦可對藉由樹脂層形成用組合物而形成之塗佈層進行加熱。加熱溫度較佳為90℃～140℃，更佳為100℃～130℃，進而較佳為105℃～120℃。
A-3.其他層 上述轉印用導電性膜亦可進而具有其他層。例如，可於上述樹脂層與臨時支持體之間配置另一樹脂層及/或液晶層。另一樹脂層及/或液晶層之藉由奈米壓痕法所得之50 nm深度硬度較佳為0.1 GPa～2.0 GPa，更佳為0.15 GPa～1.0 GPa。於本發明中，藉由具備具有如A-2項中所說明之硬度、彈性模數之樹脂層，即便具備相對柔軟之層(例如另一樹脂層、液晶層)，亦可防止全息圖紋樣之外觀不良。另一樹脂層及液晶層係可自臨時支持體剝離地設置。
液晶層包含任意適當之液晶化合物。於1個實施形態中，上述液晶層之折射率特性顯示出nz＞nx≥ny之關係。
上述液晶層之厚度方向之相位差Rth(550)較佳為-260 nm～-10 nm，更佳為-230 nm～-15 nm，進而較佳為-215 nm～-20 nm。
於1個實施形態中，關於上述液晶層，其折射率顯示出nx＝ny之關係。此處，「nx＝ny」不僅是nx與ny嚴密相等之情形，亦包含nx與ny實質上相等之情形。具體而言，係指Re(550)未達10 nm。於另一實施形態中，關於液晶層，其折射率顯示出nx＞ny之關係。於該情形時，液晶層之面內相位差Re(550)較佳為10 nm～150 nm，更佳為10 nm～80 nm。
上述液晶層係經固定成垂直配向之液晶層。可進行垂直配向之液晶材料(液晶化合物)可為液晶單體，亦可為液晶聚合物。作為該液晶化合物及該液晶層之形成方法之具體例，可列舉日本專利特開2002-333642號公報之[0020]～[0042]所記載之液晶化合物及形成方法。
上述液晶層之厚度較佳為0.1 μm～10 μm，更佳為0.1 μm～5 μm，進而較佳為0.2 μm～3 μm。
上述液晶層之全光線透過率較佳為80%以上，進而較佳為85%以上，進而較佳為90%以上。
A-4.臨時支持體 作為構成上述臨時支持體之樹脂，只要可獲得本發明之效果，則可使用任意適當之樹脂。作為構成臨時支持體之樹脂，例如可列舉：環烯烴系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂等。
上述臨時支持體之厚度較佳為8 μm～500 μm，更佳為50 μm～250 μm。
上述臨時支持體對上述樹脂層之23℃下之黏著力較佳為0.01 N/25 mm～1.00 N/25 mm，更佳為0.01 N/25 mm～0.70 N/25 mm。若為此種範圍，則可獲得可容易地轉印積層體A之轉印用導電性膜。黏著力係利用依據JIS Z 0237：2000之方法進行測定，係指將臨時支持體以拉伸速度300 mm/min、剝離角度180°自所製造之轉印用導電性膜剝離並測定所得之黏著力。
上述臨時支持體對上述液晶層之23℃下之黏著力較佳為0.01 N/25 mm～1.00 N/25 mm，更佳為0.01 N/25 mm～0.70 N/25 mm。若為此種範圍，則可獲得如上所述般具備液晶並且可容易地轉印積層體A之轉印用導電性膜。
亦可視需要對上述臨時支持體進行各種表面處理。表面處理係根據目的而採用任意適當之方法。於1個實施形態中，為了容易自樹脂層剝離，可於臨時支持體之液晶層側之面設置脫模層。剝離層只要可表現出上述黏著力，則可設為由任意適當之材料構成之層，例如為藉由周知之剝離處理(例如聚矽氧系脫模層之塗佈等)形成之層。又，於設置液晶層之情形時，為了提高液晶層之配向性，亦可設置配向層。
B. 光學積層體 本發明之光學積層體包含自上述轉印用導電性膜轉印來之積層體A(包含液晶層與導電層之積層體)。於1個實施形態中，提供一種具備該光學積層體之觸控元件。於該觸控元件中，上述導電層作為電極發揮功能。上述觸控元件於彎曲性優異，又，即便彎曲而導電層亦不易損傷之方面有用。
圖2係本發明之1個實施形態之光學積層體之概略剖視圖。該光學積層體100依序具備光學構件20、導電層13、及樹脂層12。於1個實施形態中，光學構件20與導電層13經由黏著劑層30積層，黏著劑層30與光學構件20及導電層13相接。
於光學積層體100中，由導電層13與樹脂層12構成之積層體A係自上述轉印用導電性膜轉印來之積層體。導電層13直接形成於樹脂層12。
圖3係本發明之另一實施形態之光學積層體之概略剖視圖。該光學積層體200依序具備光學構件20、導電層13、樹脂層12、及另一光學構件40。於1個實施形態中，光學構件20與導電層13經由黏著劑層30積層，黏著劑層30與光學構件20及導電層13相接。又，於1個實施形態中，樹脂層12與另一光學構件40經由黏著劑層30積層，黏著劑層30與樹脂層12及另一光學構件40相接。再者，於上述轉印用導電性膜於上述樹脂層與臨時支持體之間具備其他層(例如液晶層)之情形時，可提供一種依序具備光學構件、導電層、樹脂層、該其他層、及另一光學構件之光學積層體。其他層與另一光學構件可經由黏著劑層積層，該黏著劑層與其他層及另一光學構件相接。
作為光學構件20，例如可列舉：圖像元件(例如液晶面板、有機EL面板)、光學膜(例如相位差膜)、偏光板、圓偏光板等。
於1個實施形態中，作為光學構件20，使用偏光板或圓偏光板。於另一實施形態中，作為另一光學構件40，使用偏光板或圓偏光板。光學積層體於應用於圖像顯示裝置(例如觸控元件)時，可以導電層相較於偏光板或圓偏光板更成為視認側之方式配置，亦可以導電層相較於偏光板或圓偏光板而成為內側(與視認側相反之側)之方式配置。
B-1.偏光板 於1個實施形態中，提供一種將偏光板用作光學構件或另一光學構件之光學積層體。即，提供一種依序具備偏光板、導電層、及樹脂層之光學積層體，或者依序具備導電層、樹脂層、及偏光板之光學積層體。先前，於藉由濺鍍等導電層賦予處理直接於包含偏光板之膜形成導電層之情形時，於導電層賦予處理時會產生偏光板受損等問題，但若使用本發明之轉印用導電性膜，則可於不對偏光板造成損傷之情況下形成光學積層體。以下對用於該光學積層體之偏光板之例進行說明。
上述偏光板具備偏光元件。上述偏光板較佳為於偏光元件之單側或兩側進而具備保護膜。
上述偏光元件之厚度並無特別限制，可根據目的而採用適當之厚度。代表性而言，該厚度為1 μm～80 μm左右。於1個實施形態中，使用薄型之偏光元件，該偏光元件之厚度較佳為20 μm以下，更佳為15 μm以下，進而較佳為10 μm以下，尤佳為6 μm以下。藉由使用如此薄之偏光元件，可獲得薄型之光學積層體。
上述偏光元件較佳為於波長380 nm～780 nm之任一波長下顯示出吸收二色性。偏光元件之單體透過率較佳為40.0%以上，更佳為41.0%以上，進而較佳為42.0%以上，尤佳為43.0%以上。偏光元件之偏光度較佳為99.8%以上，更佳為99.9%以上，進而較佳為99.95%以上。
較佳為上述偏光元件為碘系偏光元件。更詳細而言，上述偏光元件可由包含碘之聚乙烯醇系樹脂(以下稱為「PVA系樹脂」)膜構成。
作為形成上述PVA系樹脂膜之PVA系樹脂，可採用任意適當之樹脂。例如可列舉聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物。聚乙烯醇係藉由將聚乙酸乙烯酯皂化而獲得。乙烯-乙烯醇共聚物係藉由將乙烯-乙酸乙烯酯共聚物皂化而獲得。PVA系樹脂之皂化度通常為85莫耳%～100莫耳%，較佳為95.0莫耳%～99.95莫耳%，進而較佳為99.0莫耳%～99.93莫耳%。皂化度可依據JIS K 6726-1994而求出。藉由使用此種皂化度之PVA系樹脂，可獲得耐久性優異之偏光元件。於皂化度過高之情形時，有導致凝膠化之虞。
PVA系樹脂之平均聚合度可根據目的而適當選擇。平均聚合度通常為1000～10000，較佳為1200～5000，進而較佳為1500～4500。再者，平均聚合度可依據JIS K 6726-1994而求出。
作為上述偏光元件之製造方法，例如可列舉：將PVA系樹脂膜單體延伸、染色之方法(I)；將具有樹脂基材與聚乙烯醇系樹脂層之積層體(i)延伸、染色之方法(II)等。方法(I)為本業界中周知慣用之方法，故而省略詳細之說明。上述製造方法(II)較佳為包括如下步驟：將具有樹脂基材及形成於該樹脂基材之單側之聚乙烯醇系樹脂層之積層體(i)延伸、染色，並於該樹脂基材上製作偏光元件。積層體(i)可於樹脂基材上塗佈包含聚乙烯醇系樹脂之塗佈液並進行乾燥而形成。又，積層體(i)亦可將聚乙烯醇系樹脂膜轉印至樹脂基材上而形成。上述製造方法(II)之詳細內容例如記載於日本專利特開2012-73580號公報，該公報係作為參考而援用至本說明書中。
作為上述保護膜，可採用任意適當之樹脂膜。作為保護膜之形成材料，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯系樹脂，三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂，降烯系樹脂等環烯烴系樹脂，聚乙烯、聚丙烯等烯烴系樹脂，(甲基)丙烯酸系樹脂等。其中，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。
於1個實施形態中，作為上述(甲基)丙烯酸系樹脂，使用具有戊二醯亞胺結構之(甲基)丙烯酸系樹脂。
上述保護膜與上述偏光元件可經由任意適當之接著劑層積層。製作偏光元件時所使用之樹脂基材可於將保護膜與偏光元件積層之前或者積層之後剝離。
上述保護膜之厚度較佳為5 μm～55 μm，更佳為10 μm～50 μm，進而較佳為15 μm～45 μm。
B-2.圓偏光板 圖4係本發明之1個實施形態之光學積層體之概略剖視圖。光學積層體110具備圓偏光板21作為光學構件。圓偏光板21具備偏光元件1及相位差層2。於1個實施形態中，偏光元件1較佳為配置於相位差層2之與積層體A(即導電層)相反之側。又，圓偏光板21與積層體A經由黏著劑層30積層，黏著劑層30與相位差層2及導電層13相接。於另一實施形態中，提供一種使用圓偏光板作為另一光學構件，依序具備光學構件、導電層、樹脂層、及圓偏光板(相位差層/偏光元件)之光學積層體。於該實施形態中，偏光元件亦較佳為配置於相位差層之與積層體A(即樹脂層)相反之側。
於1個實施形態中，圓偏光板於偏光元件之與相位差層相反側之面進而具備保護膜(未圖示)。又，圓偏光板亦可於偏光元件與相位差層之間具備另一保護膜(亦稱為內側保護膜：未圖示)。作為偏光元件及保護膜，可使用上述B-1項中所說明者。
上述相位差層可作為λ/4板發揮功能。此種相位差層之面內相位差Re(550)較佳為120 nm～160 nm，更佳為135 nm～155 nm。相位差層代表性而言具有nx＞ny≥nz之折射率橢圓體。
上述相位差層之Rth(550)較佳為120 nm～300 nm，更佳為135 nm～260 nm。
上述相位差層之Nz係數例如為0.9～2，較佳為1～1.8，更佳為1～1.7。
上述偏光元件與相位差層係以偏光元件之吸收軸與相位差層之遲相軸形成特定角度之方式積層。偏光元件之吸收軸與相位差層之遲相軸所成之角度較佳為35°～55°，更佳為38°～52°，進而較佳為40°～50°，進而較佳為42°～48°，尤佳為44°～46°。若該角度為此種範圍，則可實現所需之圓偏光功能。再者，於本說明書中提及角度時，只要未特別寫明，則該角度包含順時針及逆時針之兩方向之角度。
上述相位差層之厚度可以作為λ/4板而可最佳地發揮功能之方式設定。換言之，厚度可以獲得所需之面內相位差之方式設定。具體而言，相位差層之厚度較佳為10 μm～80 μm，進而較佳為10 μm～60 μm，最佳為30 μm～50 μm。
相位差層可顯示出相位差值對應於測定光之波長而增大之反分散波長特性，亦可顯示出相位差值對應於測定光之波長而減小之正波長分散特性，亦可顯示出相位差值幾乎不因測定光之波長而變化之平坦之波長分散特性。
上述λ/4板較佳為高分子膜之延伸膜。具體而言，藉由適當選擇聚合物之種類、延伸處理(例如延伸方法、延伸溫度、延伸倍率、延伸方向)而獲得λ/4板。
作為形成上述高分子膜之樹脂，使用任意適當之樹脂。作為具體例，可列舉：聚降烯等環烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、纖維素系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚碸系樹脂等構成正之雙折射膜之樹脂。其中，較佳為降烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂。再者，形成高分子膜之樹脂之詳細內容例如記載於日本專利特開2014-010291中。該記載係作為參考而援用至本說明書中。
作為上述聚降烯，市售有各種製品。作為具體例，可列舉：日本ZEON公司製造之商品名「ZEONEX」、「ZEONOR」，JSR公司製造之商品名「Arton」，TICONA公司製造之商品名「TOPAS」、三井化學公司製造之商品名「APEL」。
作為延伸方法，例如可列舉橫向單軸延伸、固定端雙軸延伸、逐次雙軸延伸。作為固定端雙軸延伸之具體例，可列舉使高分子膜一面沿長度方向移動，一面沿短邊方向(橫向)延伸之方法。該方法於表觀上可為橫向單軸延伸。又，亦可採用傾斜延伸。藉由採用傾斜延伸，可獲得相對於寬度方向具有特定角度之配向軸(遲相軸)的長條狀之延伸膜。
上述延伸膜之厚度代表性而言為5 μm～80 μm，較佳為15 μm～60 μm，進而較佳為25 μm～45 μm。
B-3.黏著劑層 上述黏著劑層係藉由任意適當之黏著劑形成。於1個實施形態中，該黏著劑包含黏著性之樹脂，作為該樹脂，可列舉丙烯酸系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、聚矽氧系樹脂等。其中，較佳為包含丙烯酸系樹脂之丙烯酸系黏著劑。
上述黏著劑可視需要進而包含任意適當之添加劑。作為該添加劑，例如可列舉交聯劑、增稠劑、塑化劑、顏料、染料、填充劑、抗老化劑、導電材、紫外線吸收劑、光穩定劑、剝離調整劑、軟化劑、界面活性劑、阻燃劑、抗氧化劑等。作為交聯劑，可列舉異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、過氧化物系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。
上述黏著劑層之厚度較佳為5 μm～100 μm，更佳為10 μm～50 μm。
B-4.其他層 上述光學積層體可視需要具備任意適當之其他層。作為上述其他層，例如可列舉硬塗層、防眩層、抗反射層、彩色濾光片層等。
C. 光學積層體之製造方法 本發明之光學積層體之製造方法包括：將包含液晶層與導電層之積層體A自上述轉印用導電性膜轉印至光學構件。於1個實施形態中，於該製造方法中，經由黏著劑層將導電層與光學構件積層。轉印用導電性膜、光學構件及黏著劑層係使用上述A項及B項中所說明者。
亦可於將積層體A轉印至光學構件後，經由黏著劑層於積層體A之樹脂層積層另一光學構件。 實施例
以下，藉由實施例對本發明具體地進行說明，但本發明不受該等實施例之任何限定。實施例中之評價方法如下所述。再者，厚度係使用尾崎製作所製造之PEACOCK精密測定機Digital Gauge Cordless Type「DG-205」進行測定。
[實施例1] 將實施脫模處理後之聚對苯二甲酸乙二酯基材(Panac股份有限公司製造，商品名「Panapeel」)作為臨時支持體，藉由下述方法於該臨時支持體上形成樹脂層。 準備將作為黏合劑樹脂之胺基甲酸酯系多官能丙烯酸酯A(DIC公司製造，商品名「UNIDIC ELS888」)與胺基甲酸酯系多官能丙烯酸酯B(DIC公司製造，商品名「UNIDIC RS28-605」)以胺基甲酸酯系多官能丙烯酸酯A：胺基甲酸酯系多官能丙烯酸酯B＝8：2之重量比率進行混合，並利用乙酸乙酯進行稀釋而成之塗佈組合物。使用凹版塗佈機，將該塗佈組合物以乾燥後之厚度成為5 μm之方式塗佈於上述臨時支持體之剝離處理面，其後，於80℃對塗佈層進行加熱。繼而，利用高壓水銀燈照射累計光量250 mJ/cm2 之紫外線，藉此獲得具備臨時支持體與樹脂層之積層體。 將該積層體投入至捲取式濺鍍裝置中，於樹脂層之表面形成銦-錫氧化物層(厚度：30 nm)。濺鍍處理係於包含氬氣98%與氧氣2%之0.4 Pa之環境中，使用包含氧化銦97重量%-氧化錫3重量%之燒結體進行。其後，於130℃下進行90分鐘之加熱處理，藉此使銦-錫氧化物由非晶質轉變成結晶質，獲得轉印用導電性膜(導電層/樹脂層層/臨時支持體)。
[實施例2] 將胺基甲酸酯系多官能丙烯酸酯A與胺基甲酸酯系多官能丙烯酸酯B之重量比率設為胺基甲酸酯系多官能丙烯酸酯A：胺基甲酸酯系多官能丙烯酸酯B＝2：8，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得轉印用導電性膜。
[實施例3] 將實施脫模處理後之聚對苯二甲酸乙二酯基材(Panac股份有限公司製造，商品名「Panapeel」)作為臨時支持體，並藉由下述方法於該臨時支持體上形成樹脂層。 將下述化學式(I)(式中之數字65及35表示單體單元之莫耳%，為便於說明，以嵌段聚合物表示：重量平均分子量5000)所示之側鏈型液晶聚合物20重量份、顯示向列液晶相之聚合性液晶(BASF公司製造：商品名PaliocolorLC242)80重量份及光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd製造：商品名Irgacure 907)5重量份溶解於環戊酮200重量份中而製備液晶塗佈液。然後，藉由棒式塗佈機將該塗佈液塗佈於PET膜(臨時支持體)後，於80℃下加熱乾燥4分鐘，藉此使液晶配向。對該液晶層照射紫外線而使液晶層硬化，藉此於PET膜(臨時支持體)形成液晶固化層(厚度：0.58 μm)。該液晶層之面內相位差Re(550)為0 nm，厚度方向之相位差Rth(550)為-71 nm(nx：1.5326、ny：1.5326、nz：1.6550)，顯示出nz＞nx＝ny之折射率特性。
[化1]
繼而，利用與實施例1相同之方法於上述液晶層上形成樹脂層。 繼而，將由上述支持體、液晶層及樹脂層構成之積層體投入至濺鍍裝置中，於該液晶層之表面形成厚度為30 nm之非晶質之銦-錫氧化物層。其後，於130℃下進行90分鐘之加熱處理，藉此使銦-錫氧化物由非晶質轉變成結晶質，獲得轉印用導電性膜(導電層/樹脂層/液晶層/臨時支持體)。
[比較例1] 利用與實施例3相同之方法，將實施脫模處理後之聚對苯二甲酸乙二酯基材(Panac股份有限公司製造，商品名「Panapeel」)作為臨時支持體，並藉由下述方法於該臨時支持體上形成液晶層。 繼而，將由上述臨時支持體與液晶層構成之積層體投入至濺鍍裝置中，於該液晶層之表面形成厚度為30 nm之非晶質之銦-錫氧化物層。其後，於130℃下進行90分鐘之加熱處理，藉此使銦-錫氧化物由非晶質轉變成結晶質，獲得轉印用導電性膜(導電層/液晶層/臨時支持體)。
[評價] (1)樹脂層及液晶層之硬度、彈性模數 使用Hysitron Inc.公司製造之Triboindenter，獲得負荷荷載-壓入深度曲線，並測定藉由奈米壓痕法所得之硬度H及彈性模數Er。壓頭係使用Berkovich(三角錐型)，設為單一壓入測定，測定環境係設為25℃。又，壓入深度係設為20 nm、50 nm、100 nm。 硬度H係根據將壓頭壓入至上述壓入深度時之荷載(最大荷載Pmax)及壓頭與試樣之接觸面積(接觸投影面積Ac)，藉由以下之式(1)算出。 [數3]又，彈性模數Er係根據負荷荷載-壓入深度曲線之除荷時之斜率(接觸剛性S)及壓頭與試樣之接觸面積(投影面積Ac)，藉由以下之式(2)算出。 [數4]將硬度H及彈性模數Er之評價結果示於表1。 (2)外觀評價 藉由目視確認有無全息圖。將評價結果示於表1。 又，針對實施例1、實施例2及比較例1，使用顯微鏡確認是否未於導電層面觀察到規律之波狀起伏。將評價結果示於圖5。
[表1]
根據表1明確，本發明之轉印導電性膜藉由具備與導電層相鄰之樹脂層，且該樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之50 nm深度硬度為0.3 GPa以上，可抑制全息圖紋樣之外觀不良。
1‧‧‧偏光元件
2‧‧‧相位差層
10‧‧‧轉印用導電性膜
11‧‧‧臨時支持體
12‧‧‧樹脂層
13‧‧‧導電層
20‧‧‧光學構件
21‧‧‧圓偏光板
30‧‧‧黏著劑層
40‧‧‧另一光學構件
100‧‧‧光學積層體
110‧‧‧光學積層體
200‧‧‧光學積層體
A‧‧‧積層體
圖1係本發明之1個實施形態之轉印用導電性膜之概略剖視圖。 圖2係本發明之1個實施形態之光學積層體之概略剖視圖。 圖3係本發明之另一實施形態之光學積層體之概略剖視圖。 圖4係本發明之另一實施形態之光學積層體之概略剖視圖。 圖5係表示實施例及比較例之外觀評價結果之照片圖。

Claims (11)

  1. 一種轉印導電性膜，其具備臨時支持體、可自該臨時支持體剝離地設置之樹脂層、及直接配置於該樹脂層之導電層， 該導電層係由金屬氧化物構成， 該樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之50 nm深度硬度為0.3 GPa以上。
  2. 如請求項1之轉印用導電性膜，其中上述樹脂層之厚度為1 μm～20 μm。
  3. 如請求項1之轉印用導電性膜，其中上述樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之100 nm深度硬度為0.2 GPa以上。
  4. 如請求項1之轉印用導電性膜，其中上述樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之50 nm深度彈性模數為4 GPa以上。
  5. 如請求項1之轉印用導電性膜，其中上述樹脂層之藉由奈米壓痕法所得之100 nm深度彈性模數為4 GPa以上。
  6. 如請求項1之轉印用導電性膜，其中上述金屬氧化物為銦-錫複合氧化物。
  7. 如請求項1之轉印用導電性膜，其中上述金屬氧化物為結晶化金屬氧化物。
  8. 如請求項1之轉印用導電性膜，其中上述導電層經圖案化。
  9. 如請求項1之轉印用導電性膜，其進而具備配置於上述樹脂層與上述臨時支持體之間之液晶層。
  10. 一種光學積層體，其具備光學構件、黏著劑層、如請求項1、6、7或8之導電層、及如請求項1至5中任一項之樹脂層，且 該導電層直接積層於該液晶層。
  11. 一種觸控元件，其具備如請求項10之光學積層體。
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