KR20200021514A

KR20200021514A - 전사용 도전성 필름

Info

Publication number: KR20200021514A
Application number: KR1020207002111A
Authority: KR
Inventors: 가즈히로 나카지마; 히데오 스가와라; 히데히코 안도
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2017-08-09
Filing date: 2018-07-10
Publication date: 2020-02-28
Also published as: CN111032336A; WO2019031139A1; KR102377099B1; JP6995527B2; CN111032336B; JP2019031041A; TW201919875A

Abstract

홀로그램 모양의 외관 불량을 억제할 수 있는 전사용 도전성 필름을 제공한다.
본 발명의 전사용 도전성 필름은, 임시 지지체와, 그 임시 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 수지층과, 그 수지층에 직접 배치된 도전층을 구비하고, 그 도전층이, 금속 산화물로 구성되고, 그 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 50 ㎚ 깊이 경도가, 0.3 ㎬ 이상이다. 하나의 실시형태에 있어서는, 상기 수지층의 두께가, 1 ㎛ ∼ 20 ㎛ 이다.

Description

전사용 도전성 필름

본 발명은 전사용 도전성 필름에 관한 것이다.

종래, 모바일 기기 등에 채용되는 터치 센서의 전극, 전자파 실드 등으로서, 투명 수지 필름 (예를 들어, PET 필름, 시클로올레핀 필름) 등의 기재에, 인듐·주석 복합 산화물층 (ITO 층) 등의 금속 산화물층 (도전층) 이 형성된 투명 도전성 필름이 다용되고 있다.

한편, 최근, 웨어러블 디바이스, 폴더블 디바이스 등의 등장에 수반하여, 보다 플렉시블하고, 굴곡 내성이 높은 투명 도전성 필름이 요구되고 있다. 굴곡 내성 향상의 수단으로는, 기재를 박막화하여 도전층에 가해지는 응력을 저감시킨다는 수단을 생각할 수 있다. 그러나, 핸들링 등의 관점에서, 기재를 구성하는 투명 수지 필름의 박막에는 한계가 있어, 투명 수지 필름의 한계 두께가, 굴곡 내성 향상의 장벽이 되고 있다. 또, 굴곡 내성 향상의 다른 수단으로서, 크랙이 발생하기 쉬운 금속 산화물층 대신에, 도전 고분자, 금속 나노 와이어 등으로 구성되는 도전층을 구비하는 투명 도전성 필름도 검토되고 있지만, 도전성, 투명성에 과제를 가져, 본격적인 도입에는 이르지 않았다.

일본 특허공보 제4893867호

본 발명의 발명자들은, 전사용 도전성 필름을 사용하면 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내었다. 이 전사용 도전성 필름은, 임시 지지체 상에 형성된 수지층 상에 스퍼터링 등의 방법에 의해 도전층을 형성하여 구성된다. 이 전사용 도전성 필름을 사용하면, 임시 지지체로부터 도전층을 포함하는 적층체를 광학 부재 등에 전사할 수 있고, 강직한 기재를 갖지 않는 광학 적층체를 제공할 수 있다.

전사용 도전성 필름을 사용하면, 굴곡 내성 향상이 도모되는 한편, 전사용 도전성 필름을 사용하여 형성된 광학 적층체 (예를 들어, 터치 센서；터치 센서를 구비하는 화상 표시 장치) 에는, 홀로그램 모양의 외관 불량 (홍반 모양, 줄무늬 모양) 이 생기기 쉽다는 과제가 새롭게 발생하였다. 이와 같은 외관 불량은, 수지층 상에 도전층을 제막 (製膜) 할 때 (예를 들어, 스퍼터링 처리 시) 에, 수지층이 수축한 결과, 생기는 것으로 생각된다.

본 발명은 상기의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 그 목적으로 하는 바는, 홀로그램 모양의 외관 불량을 억제할 수 있는 전사용 도전성 필름을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 전사용 도전성 필름은, 임시 지지체와, 그 임시 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 수지층과, 그 수지층에 직접 배치된 도전층을 구비하고, 그 도전층이, 금속 산화물로 구성되고, 그 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 50 ㎚ 깊이 경도가, 0.3 ㎬ 이상이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 수지층의 두께가, 1 ㎛ ∼ 20 ㎛ 이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 100 ㎚ 깊이 경도가, 0.2 ㎬ 이상이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 50 ㎚ 깊이 탄성률은, 4 ㎬ 이상이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 100 ㎚ 깊이 탄성률은, 4 ㎬ 이상이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 금속 산화물이, 인듐-주석 복합 산화물이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 금속 산화물이, 결정화 금속 산화물이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 도전층이, 패턴화 되어 있다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 전사용 도전성 필름은, 상기 수지층과 상기 임시 지지체의 사이에 배치된 액정층을 추가로 구비한다.

본 발명의 다른 국면에 의하면, 광학 적층체가 제공된다. 이 광학 적층체는, 광학 부재와, 점착제층과, 상기 도전층과, 상기 수지층을 구비하고, 그 도전층이, 그 액정층에 직접 적층되어 있다.

본 발명의 또 다른 국면에 의하면, 터치 디바이스가 제공된다. 이 터치 센서는, 상기 광학 적층체를 구비한다.

본 발명의 전사용 도전성 필름은, 임시 지지체와, 수지층과, 도전층을 이 순서로 갖는다. 이와 같은 구성의 전사용 도전성 필름을 사용하면, 액정층과 도전층으로 이루어지는 적층체를 광학 부재에 전사하여, 광학 적층체를 형성할 수 있다. 얻어진 광학 적층체는, 기재 (도전층을 형성할 때에 필요한 기재) 를 구비하고 있지 않기 때문에, 굴곡 내성이 우수하다. 또, 본 발명의 전사용 도전성 필름은, 도전층이 금속 산화물로 구성되어 있기 때문에, 도전성 및 광 투과성이 우수하다. 또한, 본 발명의 전사용 도전성 필름을 사용하여 형성된 광학 적층체에 있어서는, 홀로그램 모양의 외관 불량이 방지된다.

도 1 은, 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 전사용 도전성 필름의 개략 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 광학 적층체의 개략 단면도이다.
도 3 은, 본 발명의 다른 실시형태에 의한 광학 적층체의 개략 단면도이다.
도 4 는, 본 발명의 다른 실시형태에 의한 광학 적층체의 개략 단면도이다.
도 5 는, 실시예 및 비교예의 외관 평가 결과를 나타내는 사진도이다.

(용어 및 기호의 정의)

본 명세서에 있어서의 용어 및 기호의 정의는 하기하는 바와 같다.

(1) 굴절률 (nx, ny, nz)

「nx」 는 면내의 굴절률이 최대가 되는 방향 (즉, 지상축 방향) 의 굴절률이고, 「ny」 는 면내에서 지상축과 직교하는 방향 (즉, 진상축 방향) 의 굴절률이고, 「nz」 는 두께 방향의 굴절률이다.

(2) 면내 위상차 (Re)

「Re(550)」 은, 23 ℃ 에 있어서의 파장 550 ㎚ 의 광으로 측정한 면내 위상차이다. Re(550) 은, 층 (필름) 의 두께를 d (nm) 로 했을 때, 식：Re = (nx － ny) × d 에 의해 구해진다. 또한, 「Re(450)」 은, 23 ℃ 에 있어서의 파장 450 ㎚ 의 광으로 측정한 면내 위상차이다.

(3) 두께 방향의 위상차 (Rth)

「Rth(550)」 은, 23 ℃ 에 있어서의 파장 550 ㎚ 의 광으로 측정한 두께 방향의 위상차이다. Rth(550) 은, 층 (필름) 의 두께를 d (nm) 로 했을 때, 식：Rth = (nx － nz) × d 에 의해 구해진다. 또한, 「Rth(450)」 은, 23 ℃ 에 있어서의 파장 450 ㎚ 의 광으로 측정한 두께 방향의 위상차이다.

(4) Nz 계수

Nz 계수는, Nz = Rth/Re 에 의해 구해진다.

A. 전사용 도전성 필름의 전체 구성

도 1 은, 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 전사용 도전성 필름의 개략 단면도이다. 이 전사용 도전성 필름 (10) 은, 임시 지지체 (11) 와, 임시 지지체 (11) 로부터 박리 가능하게 형성된 수지층 (12) 과, 도전층 (13) 을 이 순서로 구비한다. 도전층 (13) 은, 수지층 (12) 에 직접 (즉, 점착제층 등을 개재시키는 일 없이), 적층되어 있다.

전사용 도전성 필름 (10) 은, 광학 적층체에 도전층을 부여할 때에 사용될 수 있다. 보다 상세하게는, 도전층 (13) 측의 면을 다른 광학 부재 (예를 들어, 화상 소자 (예를 들어, 액정 패널, 유기 EL 패널), 광학 필름 (예를 들어, 위상차 필름), 편광판 등) 에 첩착 (貼着) 한 후, 임시 지지체 (11) 를 박리하도록 하여, 수지층 (12) 과 도전층 (13) 으로 구성되는 적층체 (A) 를 전사함으로써, 광학 적층체에 도전층을 부여할 수 있다. 종래, 도전층은 기재 상에 형성된 상태로 광학 적층체에 부여되고, 당해 광학 적층체에는 기재가 포함되지만, 본 발명의 전사용 도전성 필름을 사용하면, 도전층을 형성할 때에 필요한 기재를 포함하지 않는 광학 적층체를 형성할 수 있다. 통상적으로, 당해 기재는 지지체로서 기능하기 때문에 강직하지만, 이와 같은 기재를 포함하지 않는 광학 적층체는, 굴곡성이 우수하다. 또, 당해 기재를 포함하지 않는 광학 적층체에 있어서는, 굴곡시켰을 때, 도전층에 가해지는 부하가 적어 도전층이 잘 손상되지 않는다.

또한, 본 발명의 전사용 도전성 필름을 사용하면, 도전층을 형성하는 처리 (예를 들어, 가열 처리) 시에 대미지를 받기 쉬운 광학 부재를 포함하는 광학 적층체에 있어서도, 강직한 기재를 배제할 수 있다. 예를 들어, 편광판을 포함하는 필름에, 직접, 스퍼터링 등의 처리를 실시하면, 편광판이 대미지를 받아 버리지만, 본 발명의 전사용 도전성 필름을 사용하면, 편광판에 대미지를 주는 일 없이, 광학 적층체를 형성할 수 있다.

A-1. 도전층

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 도전층은, 터치 디바이스의 전극으로서 기능할 수 있다.

바람직하게는, 상기 도전층은, 금속 산화물로 구성된다. 상기 금속 산화물로는, 예를 들어, 산화인듐, 산화주석, 산화아연, 인듐-주석 복합 산화물, 주석-안티몬 복합 산화물, 아연-알루미늄 복합 산화물, 인듐-아연 복합 산화물 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 인듐-주석 복합 산화물 (ITO) 이다. 금속 산화물은 결정화 금속 산화물이어도 된다. 결정화 금속 산화물이란, 후술하는 바와 같이, 금속 산화물막을 성막한 후에, 가열 (예를 들어, 120 ℃ ∼ 200 ℃ 의 가열) 하여, 얻어지는 금속 산화물을 의미한다.

도전층은 광 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 도전층의 전광선 투과율은, 바람직하게는 80 ％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 85 ％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 90 ％ 이상이다. 상기 금속 산화물로부터 도전층을 구성함으로써, 광 투과율이 높은 도전층을 형성할 수 있다.

상기 도전층의 표면 저항값은, 바람직하게는 0.1 Ω/□ ∼ 1000 Ω/□ 이고, 보다 바람직하게는 0.5 Ω/□ ∼ 500 Ω/□ 이고, 특히 바람직하게는 1 Ω/□ ∼ 250 Ω/□ 이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 도전층은, 상기 수지층 상에 직접 형성된다. 본 실시형태의 구체예로는, 상기 수지층 상에, 임의의 적절한 성막 방법 (예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터링법, CVD 법, 이온 플레이팅법, 스프레이법 등) 에 의해, 금속 산화물층을 형성하여, 도전층을 얻는 방법을 들 수 있다. 그 금속 산화물층은, 그대로 도전층으로 해도 되고, 또한 가열하여 금속 산화물을 결정화시켜도 된다. 그 가열 시의 온도는, 예를 들어, 120 ℃ ∼ 200 ℃ 이다.

상기 도전층의 두께는, 바람직하게는 50 ㎚ 이하이고, 더욱 바람직하게는 40 ㎚ 이하이다. 이와 같은 범위이면, 광 투과성이 우수한 도전층을 얻을 수 있다. 상기 도전층의 두께의 하한은, 바람직하게는 1 ㎚ 이고, 보다 바람직하게는 5 ㎚ 이다.

상기 도전층은 패턴화 되어 있어도 된다. 패턴화 방법으로는, 도전층의 형태에 따라, 임의의 적절한 방법이 채용될 수 있다. 예를 들어, 에칭법, 레이저법 등에 의해 패턴화 될 수 있다. 도전층의 패턴의 형상은, 용도에 따라 임의의 적절한 형상일 수 있다. 예를 들어, 일본 공표특허공보 2011-511357호, 일본 공개특허공보 2010-164938호, 일본 공개특허공보 2008-310550호, 일본 공표특허공보 2003-511799호, 일본 공표특허공보 2010-541109호에 기재된 패턴을 들 수 있다.

A-2. 수지층

상기 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 50 ㎚ 깊이 경도는, 바람직하게는 0.3 ㎬ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.32 ㎬ 이상이고, 더욱 바람직하게는 0.4 ㎬ 이상이다. 또한, 「나노인덴테이션법에 의한 Xnm 깊이 경도」 및 「나노인덴테이션법에 의한 Xnm 깊이 탄성률」 은, 임시 지지체 상에 형성된 수지층의 임시 지지체와는 반대측의 표면에 압자를 압입했을 때의, 압자에 대한 부하 하중과 압입 깊이를 부하 시, 제하 시에 걸쳐 연속적으로 측정하고, 얻어진 부하 하중-압입 깊이 곡선으로부터 구해진다. 본 명세서에 있어서, 당해 측정의 조건은, 평가 온도：25 ℃, 부하·제하 속도：1000 ㎚/s, 압입 깊이：Xnm 으로 한다. 「나노인덴테이션법에 의한 Xnm 깊이 경도 H」 는, Xnm 까지 압입했을 때의 하중 (최대 하중 Pmax) 과, 압자와 시료의 접촉 면적 (접촉 투영 면적 Ac) 으로부터, 이하의 식 (1) 에 의해 산출된다.

또, 「나노인덴테이션법에 의한 Xnm 깊이 탄성률 Er」 은, 상기 부하 하중-압입 깊이 곡선의 제하 시의 기울기 (접촉 강성 S) 와, 압자와 시료의 접촉 면적 (투영 면적 Ac) 으로부터, 이하의 식 (2) 에 의해 산출된다.

본 발명에 있어서는, 상기와 같은 경도를 갖는 수지층 상에 도전층을 형성 함으로써, 홀로그램 모양의 외관 불량이 방지된 광학 적층체의 실현에 기여할 수 있는 전사용 도전성 필름을 얻을 수 있다. 보다 상세하게는, 상기 수지층을 형성하고, 그 수지층 상에 도전층을 형성하면, 도전층 성막 시의 가열 (예를 들어, 금속 산화물을 결정화시키기 위한 가열) 에 의한 수지층의 불필요한 수축이 억제되고, 그 결과, 외관이 우수한 전사용 도전성 필름을 얻을 수 있다. 그 전사용 도전성 필름을 사용하면, 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치 (예를 들어, 터치 디바이스) 를 얻을 수 있다. 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 50 ㎚ 깊이 경도의 상한은, 바람직하게는 5 ㎬ 이하이고, 보다 바람직하게는 2 ㎬ 이하이다.

상기 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 100 ㎚ 깊이 경도는, 바람직하게는 0.2 ㎬ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.3 ㎬ 이상이고, 더욱 바람직하게는 0.4 ㎬ 이상이다. 이와 같은 범위이면, 본 발명의 상기 외관 향상 효과는 현저해진다. 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 100 ㎚ 깊이 경도의 상한은, 바람직하게는 5 ㎬ 이하이고, 보다 바람직하게는 2 ㎬ 이하이다.

상기 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 50 ㎚ 깊이 탄성률은, 바람직하게는 4 ㎬ 이상이고, 보다 바람직하게는 4.2 ㎬ 이상이고, 더욱 바람직하게는 5 ㎬ 이상이다. 이와 같은 범위이면, 본 발명의 상기 외관 향상 효과는 현저해진다. 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 50 ㎚ 깊이 탄성률의 상한은, 바람직하게는 30 ㎬ 이하이고, 보다 바람직하게는 20 ㎬ 이하이다. 당해 탄성률이 30 ㎬ 이하인 수지층을 갖는 전사용 도전성 필름을 사용하여 얻어진 광학 적층체는, 보다 굴곡성이 우수하다. 또, 당해 광학 적층체에 있어서는, 굴곡시켰을 때, 도전층에 가해지는 부하가 적어 도전층이 잘 손상되지 않는다.

상기 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 100 ㎚ 깊이 탄성률은, 바람직하게는 4 ㎬ 이상이고, 보다 바람직하게는 4.3 ㎬ 이상이고, 더욱 바람직하게는 5 ㎬ 이상이다. 이와 같은 범위이면, 본 발명의 상기 외관 향상 효과는 현저해진다. 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 100 ㎚ 깊이 탄성률의 상한은, 바람직하게는 30 ㎬ 이하이고, 보다 바람직하게는 20 ㎬ 이하이다. 당해 탄성률이 30 ㎬ 이하인 수지층을 갖는 전사용 도전성 필름을 사용하여 얻어진 광학 적층체는, 보다 굴곡성이 우수하다. 또, 당해 광학 적층체에 있어서는, 굴곡시켰을 때, 도전층에 가해지는 부하가 적어 도전층이 잘 손상되지 않는다.

상기 경도 및 탄성률은, 수지층을 구성하는 수지의 종류, 수지를 구성하는 모노머 성분의 종류·조성, 중합도 등에 의해 제어할 수 있다.

상기 수지층의 두께는, 바람직하게는 1 ㎛ ∼ 20 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 1 ㎛ ∼ 15 ㎛ 이고, 더욱 바람직하게는 1 ㎛ ∼ 10 ㎛ 이다. 이와 같은 범위이면, 본 발명의 상기 외관 향상 효과는 현저해진다. 또, 두께가 상기 범위의 수지층을 갖는 전사용 도전성 필름을 사용하여 얻어진 광학 적층체는, 보다 굴곡성이 우수하다. 또, 당해 광학 적층체에 있어서는, 굴곡시켰을 때, 도전층에 가해지는 부하가 적어 도전층이 잘 손상되지 않는다.

상기 수지층은, 임의의 적절한 수지를 포함한다. 당해 수지로는, 열가소성 수지여도 되고, 경화성 수지여도 된다. 바람직하게는, 상기 수지층은 경화성 수지를 포함한다. 상기 수지층을 구성하는 경화성 수지로는, 예를 들어, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지 또는 이들의 혼합물이 사용된다.

상기 수지층을 구성하는 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 120 ℃ ∼ 300 ℃ 이고, 보다 바람직하게는 130 ℃ ∼ 250 ℃ 이다.

상기 수지층은, 임시 지지체 상에 수지층 형성용 조성물을 도포하고, 그 후, 그 조성물을 경화하여 형성된다.

바람직하게는, 상기 수지층 형성용 조성물은, 주성분이 되는 경화성 화합물로서 다관능 모노머, 다관능 모노머 유래의 올리고머 및/또는 다관능 모노머 유래의 프리폴리머를 포함한다. 다관능 모노머로는, 예를 들어, 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디메틸올프로판트테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디아크릴레이트, 1,10-데칸디올(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디아크릴레이트, 이소시아누르산트리(메트)아크릴레이트, 에톡시화글리세린트리아크릴레이트, 에톡시화펜타에리트리톨테트라아크릴레이트 등을 들 수 있다. 다관능 모노머는, 단독으로 사용해도 되고, 복수를 조합하여 사용해도 된다.

상기 다관능 모노머, 다관능 모노머 유래의 올리고머 및 다관능 모노머 유래의 프리폴리머의 함유 비율은, 수지층 형성용 조성물 중의 모노머, 올리고머 및 프리폴리머의 합계량에 대하여, 바람직하게는 30 중량％ ∼ 100 중량％ 이고, 보다 바람직하게는 40 중량％ ∼ 95 중량％ 이고, 특히 바람직하게는 50 중량％ ∼ 95 중량％ 이다.

상기 수지층 형성용 조성물은, 단관능 모노머를 포함하고 있어도 된다. 상기 수지층 형성용 조성물이 단관능 모노머를 포함하는 경우, 단관능 모노머의 함유 비율은, 수지층 형성용 조성물 중의 모노머, 올리고머 및 프리폴리머의 합계량에 대하여, 바람직하게는 40 중량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 20 중량％ 이하이다.

상기 단관능 모노머로는, 예를 들어, 에톡시화 o-페닐페놀(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 이소스테아릴아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 이소포로닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시아크릴레이트, 아크릴로일모르폴린, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 하이드록시에틸아크릴아미드 등을 들 수 있다.

상기 수지층 형성용 조성물은, 우레탄(메트)아크릴레이트 및/또는 우레탄(메트)아크릴레이트의 올리고머를 포함하고 있어도 된다. 상기 우레탄(메트)아크릴레이트는, 예를 들어,(메트)아크릴산 또는 (메트)아크릴산에스테르와 폴리올로부터 얻어지는 하이드록시(메트)아크릴레이트를, 디이소시아네이트와 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 우레탄(메트)아크릴레이트 및 우레탄(메트)아크릴레이트의 올리고머는, 단독으로 사용해도 되고, 복수를 조합하여 사용해도 된다.

상기(메트)아크릴산에스테르로는, 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

상기 폴리올로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜, 1,3-프로필렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올, 1,9-노난디올, 1,10-데칸디올, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 하이드록시피발산네오펜틸글리콜에스테르, 트리시클로데칸디메틸올, 1,4-시클로헥산디올, 스피로글리콜, 트리시클로데칸디메틸올, 수소 첨가 비스페놀 A, 에틸렌옥사이드 부가 비스페놀 A, 프로필렌옥사이드 부가 비스페놀 A, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 글리세린, 3-메틸펜탄-1,3,5-트리올, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리펜타에리트리톨, 글루코오스류 등을 들 수 있다.

상기 디이소시아네이트로는, 예를 들어, 방향족, 지방족 또는 지환족의 각종 디이소시아네이트류를 사용할 수 있다. 상기 디이소시아네이트의 구체예로는, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4-디페닐디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 3,3-디메틸-4,4-디페닐디이소시아네이트, 자일렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 4,4-디페닐메탄디이소시아네이트, 및 이들의 수소 첨가물 등을 들 수 있다.

상기 우레탄(메트)아크릴레이트 및 우레탄(메트)아크릴레이트의 올리고머의 합계 함유 비율은, 수지층 형성용 조성물 중의 모노머, 올리고머 및 프리폴리머의 합계량에 대하여, 바람직하게는 5 중량％ ∼ 70 중량％ 이고, 더욱 바람직하게는 5 중량％ ∼ 50 중량％ 이고, 특히 바람직하게는 5 중량％ ∼ 30 중량％ 이다. 이와 같은 범위이면, 경도, 유연성 및 밀착성의 밸런스가 우수한 수지층을 형성할 수 있다.

상기 수지층 형성용 조성물은, 바람직하게는, 임의의 적절한 광 중합 개시제를 포함한다. 광 중합 개시제로는, 예를 들어, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 아세토페논, 벤조페논, 크산톤, 3-메틸아세토페논, 4-클로로벤조페논, 4,4'-디메톡시벤조페논, 벤조인프로필에테르, 벤질디메틸케탈, N,N,N',N'-테트라메틸-4,4'-디아미노벤조페논, 1-(4-이소프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 티오크산톤계 화합물 등을 들 수 있다.

상기 수지층 형성용 조성물은, 용매를 포함하고 있어도 되고, 포함하고 있지 않아도 된다. 용매로는, 예를 들어, 디부틸에테르, 디메톡시메탄, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산이소부틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 메탄올, 에탄올, 메틸이소부틸케톤 (MIBK) 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 사용해도 되고, 복수를 조합하여 사용해도 된다.

상기 수지층 형성용 조성물은, 임의의 적절한 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 첨가제로는, 예를 들어, 레벨링제, 블로킹 방지제, 분산 안정제, 요변제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 소포제, 증점제, 분산제, 계면 활성제, 촉매, 필러, 활제 (滑劑), 대전 방지제 등을 들 수 있다.

수지층 형성용 조성물의 도포 방법으로는, 임의의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 바 코트법, 롤 코트법, 그라비아 코트법, 로드 코트법, 슬롯 오리피스 코트법, 커튼 코트법, 파운틴 코트법, 콤마 코트법을 들 수 있다.

수지층 형성용 조성물의 경화 방법으로는, 임의의 적절한 경화 처리가 채용될 수 있다. 대표적으로는, 경화 처리는 자외선 조사에 의해 실시된다. 자외선 조사의 적산 광량은, 바람직하게는 200 mJ ∼ 400 mJ 이다.

상기 수지층 형성용 조성물을 경화하기 전에, 수지층 형성용 조성물에 의해 형성된 도포층을 가열해도 된다. 가열 온도는, 바람직하게는 90 ℃ ∼ 140 ℃ 이고, 보다 바람직하게는 100 ℃ ∼ 130 ℃ 이고, 더욱 바람직하게는 105 ℃ ∼ 120 ℃ 이다.

A-3. 그 밖의 층

상기 전사용 도전성 필름은, 그 밖의 층을 추가로 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 상기 수지층과 임시 지지체의 사이에, 다른 수지층 및/또는 액정층이 배치될 수 있다. 다른 수지층 및/또는 액정층의 나노인덴테이션법에 의한 50 ㎚ 깊이 경도는, 바람직하게는 0.1 ㎬ ∼ 2.0 ㎬ 이고, 보다 바람직하게는 0.15 ㎬ ∼ 1.0 ㎬ 이다. 본 발명에 있어서는, A-2 항에서 설명한 바와 같은 경도, 탄성률을 갖는 수지층을 구비함으로써, 비교적 유연한 층 (예를 들어, 다른 수지층, 액정층) 을 구비하고 있어도, 홀로그램 모양의 외관 불량을 방지할 수 있다. 다른 수지층 및 액정층은, 임시 지지체로부터 박리 가능하게 형성된다.

액정층은, 임의의 적절한 액정 화합물을 포함한다. 하나의 실시형태에 있어서는, 상기 액정층은, 굴절률 특성이 nz ＞ nx ≥ ny 의 관계를 나타낸다.

상기 액정층의 두께 방향의 위상차 Rth(550) 은, 바람직하게는 ―260 ㎚ ∼ －10 ㎚, 보다 바람직하게는 ―230 ㎚ ∼ －15 ㎚, 더욱 바람직하게는 ―215 ㎚ ∼ －20 ㎚ 이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 액정층은, 그 굴절률이 nx = ny 의 관계를 나타낸다. 여기서, 「nx = ny」 는, nx 와 ny 가 엄밀하게 동일한 경우 뿐만 아니라, nx 와 ny 가 실질적으로 동일한 경우도 포함한다. 구체적으로는, Re(550) 이 10 ㎚ 미만인 것을 말한다. 다른 실시형태에 있어서는, 액정층은, 그 굴절률이 nx ＞ ny 의 관계를 나타낸다. 이 경우, 액정층의 면내 위상차 Re(550) 은, 바람직하게는 10 ㎚ ∼ 150 ㎚ 이고, 보다 바람직하게는 10 ㎚ ∼ 80 ㎚ 이다.

상기 액정층은, 호메오트로픽 배향으로 고정된 액정층이다. 호메오트로픽 배향시킬 수 있는 액정 재료 (액정 화합물) 는, 액정 모노머여도 되고 액정 폴리머여도 된다. 당해 액정 화합물 및 당해 액정층의 형성 방법의 구체예로는, 일본 공개특허공보 2002－333642호의 [0020] ∼ [0042] 에 기재된 액정 화합물 및 형성 방법을 들 수 있다.

상기 액정층의 두께는, 바람직하게는 0.1 ㎛ ∼ 10 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 0.1 ㎛ ∼ 5 ㎛ 이고, 더욱 바람직하게는 0.2 ㎛ ∼ 3 ㎛ 이다.

상기 액정층의 전광선 투과율은, 바람직하게는 80 ％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 85 ％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 90 ％ 이상이다.

A-4. 임시 지지체

상기 임시 지지체를 구성하는 수지로는, 본 발명의 효과가 얻어지는 한, 임의의 적절한 수지가 사용될 수 있다. 임시 지지체를 구성하는 수지로는, 예를 들어, 시클로올레핀계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트계 수지 등을 들 수 있다.

상기 임시 지지체의 두께는, 바람직하게는 8 ㎛ ∼ 500 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 50 ㎛ ∼ 250 ㎛ 이다.

상기 임시 지지체의 상기 수지층에 대한 23 ℃ 에 있어서의 점착력은, 바람직하게는 0.01 N/25 ㎜ ∼ 1.00 N/25 ㎜ 이고, 보다 바람직하게는 0.01 N/25 ㎜ ∼ 0.70 N/25 ㎜ 이다. 이와 같은 범위이면, 적층체 (A) 를 용이하게 전사할 수 있는 전사용 도전성 필름을 얻을 수 있다. 점착력은, JIS Z 0237：2000 에 준한 방법으로 측정되고, 제조된 전사용 도전성 필름으로부터, 임시 지지체를 인장 속도 300 ㎜/min, 박리 각도 180° 로 박리하여, 측정한 점착력을 말한다.

상기 임시 지지체의 상기 액정층에 대한 23 ℃ 에 있어서의 점착력은, 바람직하게는 0.01 N/25 ㎜ ∼ 1.00 N/25 ㎜ 이고, 보다 바람직하게는 0.01 N/25 ㎜ ∼ 0.70 N/25 ㎜ 이다. 이와 같은 범위이면, 상기와 같이 액정을 구비하는 전사용 도전성 필름으로서, 적층체 (A) 를 용이하게 전사할 수 있는 전사용 도전성 필름을 얻을 수 있다.

필요에 따라, 상기 임시 지지체에 대해 각종 표면 처리를 실시해도 된다. 표면 처리는 목적에 따라 임의의 적절한 방법이 채용된다. 하나의 실시형태에 있어서는, 수지층으로부터의 박리를 용이하게 하기 위해서, 임시 지지체의 액정층측의 면에 이형층이 형성될 수 있다. 박리층은, 상기 점착력을 발현할 수 있는 한, 임의의 적절한 재료로 구성된 층으로 할 수 있고, 예를 들어, 주지의 박리 처리 (예를 들어, 실리콘계 이형층의 도포 등) 에 의해 형성된 층이다. 또, 액정층을 형성하는 경우에는, 액정층의 배향성을 높이기 위해서 배향층을 형성해도 된다.

B. 광학 적층체

본 발명의 광학 적층체는, 상기 전사용 도전성 필름으로부터 전사된 적층체 (A) (액정층과 도전층을 포함하는 적층체) 를 포함한다. 하나의 실시형태에 있어서는, 그 광학 적층체를 구비하는 터치 디바이스가 제공된다. 그 터치 디바이스에 있어서는, 상기 도전층이 전극으로서 기능한다. 상기 터치 디바이스는, 굴곡성이 우수하고, 또, 굴곡해도 도전층이 잘 손상되지 않는 점에서도 유용하다.

도 2 는, 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 광학 적층체의 개략 단면도이다. 이 광학 적층체 (100) 는, 광학 부재 (20) 와, 도전층 (13) 과, 수지층 (12) 을 이 순서로 구비한다. 하나의 실시형태에 있어서는, 광학 부재 (20) 와 도전층 (13) 은, 점착제층 (30) 을 개재하여 적층되고, 점착제층 (30) 은, 광학 부재 (20) 및 도전층 (13) 에 접하고 있다.

광학 적층체 (100) 에 있어서, 도전층 (13) 과 수지층 (12) 으로 구성되는 적층체 (A) 는, 상기 전사용 도전성 필름으로부터 전사된 적층체이다. 도전층 (13) 은, 수지층 (12) 에 직접 형성되어 있다.

도 3 은, 본 발명의 다른 실시형태에 의한 광학 적층체의 개략 단면도이다. 이 광학 적층체 (200) 는, 광학 부재 (20) 와, 도전층 (13) 과, 수지층 (12) 과, 다른 광학 부재 (40) 를 이 순서로 구비한다. 하나의 실시형태에 있어서는, 광학 부재 (20) 와 도전층 (13) 은, 점착제층 (30) 을 개재하여 적층되고, 점착제층 (30) 은 광학 부재 (20) 와 도전층 (13) 에 접하고 있다. 또, 하나의 실시형태에 있어서는, 수지층 (12) 과 다른 광학 부재 (40) 는 점착제층 (30) 을 개재하여 적층되고, 점착제층 (30) 은 수지층 (12) 과 다른 광학 부재 (40) 와 접하고 있다. 또한, 상기 전사용 도전성 필름이, 상기 수지층과 임시 지지체의 사이에, 그 밖의 층 (예를 들어, 액정층) 을 구비하는 경우, 광학 부재와, 도전층과, 수지층과, 그 그 밖의 층과, 다른 광학 부재를 이 순서로 구비하는 광학 적층체가 제공될 수 있다. 그 밖의 층과 다른 광학 부재는 점착제층을 개재하여 적층될 수 있고, 그 점착제층은, 그 밖의 층과 다른 광학 부재와 접한다.

광학 부재 (20) 로는, 예를 들어, 화상 소자 (예를 들어, 액정 패널, 유기 EL 패널), 광학 필름 (예를 들어, 위상차 필름), 편광판, 원 편광판 등을 들 수 있다.

하나의 실시형태에 있어서는, 광학 부재 (20) 로서, 편광판 또는 원 편광판이 사용된다. 다른 실시형태에 의하면, 다른 광학 부재 (40) 로서, 편광판 또는 원 편광판이 사용된다. 광학 적층체는, 화상 표시 장치 (예를 들어, 터치 디바이스) 에 적용될 때, 도전층이 편광판 또는 원 편광판보다 시인측이 되도록 배치되어도 되고, 도전층이 편광판 또는 원 편광판보다 내측 (시인측으로부터 반대측) 이 되도록 배치되어도 된다.

B-1. 편광판

하나의 실시형태에 있어서는, 광학 부재 또는 다른 광학 부재로서 편광판이 사용된 광학 적층체가 제공된다. 즉, 편광판과, 도전층과, 수지층을 이 순서로 구비하는 광학 적층체, 혹은, 도전층과, 수지층과, 편광판을 이 순서로 구비하는 광학 적층체가 제공된다. 종래, 편광판을 포함하는 필름에, 스퍼터링 등의 도전층 부여 처리에 의해, 직접, 도전층을 형성하는 경우, 도전층 부여 처리 시에 편광판이 대미지를 받는 등의 문제가 생기지만, 본 발명의 전사용 도전성 필름을 사용하면, 편광판에 대미지를 주는 일 없이, 광학 적층체를 형성할 수 있다. 당해 광학 적층체에 사용되는 편광판의 예를 이하에 설명한다.

상기 편광판은, 편광자를 구비한다. 상기 편광판은, 바람직하게는, 편광자의 편측 또는 양측에 보호 필름을 추가로 구비한다.

상기 편광자의 두께는 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 적절한 두께가 채용될 수 있다. 당해 두께는, 대표적으로는, 1 ㎛ ∼ 80 ㎛ 정도이다. 하나의 실시형태에 있어서는, 박형 (薄型) 의 편광자가 사용되고, 당해 편광자의 두께는, 바람직하게는 20 ㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 15 ㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 10 ㎛ 이하이고, 특히 바람직하게는 6 ㎛ 이하이다. 이와 같이 얇은 편광자를 사용함으로써, 박형의 광학 적층체를 얻을 수 있다.

상기 편광자는, 바람직하게는, 파장 380 ㎚ ∼ 780 ㎚ 중 어느 것의 파장에서 흡수 이색성을 나타낸다. 편광자의 단체 투과율은, 바람직하게는 40.0 ％ 이상, 보다 바람직하게는 41.0 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 42.0 ％ 이상, 특히 바람직하게는 43.0 ％ 이상이다. 편광자의 편광도는, 바람직하게는 99.8 ％ 이상이고, 보다 바람직하게는 99.9 ％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 99.95 ％ 이상이다.

바람직하게는, 상기 편광자는, 요오드계 편광자이다. 보다 상세하게는, 상기 편광자는, 요오드를 포함하는 폴리비닐알코올계 수지 (이하, 「PVA 계 수지」 라고 칭한다) 필름으로 구성될 수 있다.

상기 PVA 계 수지 필름을 형성하는 PVA 계 수지로는, 임의의 적절한 수지가 채용될 수 있다. 예를 들어, 폴리비닐알코올, 에틸렌-비닐알코올 공중합체를 들 수 있다. 폴리비닐알코올은, 폴리아세트산비닐을 비누화 함으로써 얻어진다. 에틸렌-비닐알코올 공중합체는, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체를 비누화 함으로써 얻어진다. PVA 계 수지의 비누화도는, 통상적으로 85 몰％ ∼ 100 몰％ 이고, 바람직하게는 95. 0 몰％ ∼ 99.95 몰％ 이고, 더욱 바람직하게는 99.0 몰％ ∼ 99.93 몰％ 이다. 비누화도는, JIS K 6726-1994 에 준하여 구할 수 있다. 이와 같은 비누화도의 PVA 계 수지를 사용함으로써, 내구성이 우수한 편광자가 얻어질 수 있다. 비누화도가 너무 높은 경우에는, 겔화해 버릴 우려가 있다.

PVA 계 수지의 평균 중합도는, 목적에 따라 적절히 선택될 수 있다. 평균 중합도는, 통상적으로 1000 ∼ 10000 이고, 바람직하게는 1200 ∼ 5000 이고, 더욱 바람직하게는 1500 ∼ 4500 이다. 또한, 평균 중합도는, JIS K 6726-1994 에 준하여 구할 수 있다.

상기 편광자의 제조 방법으로는, 예를 들어, PVA 계 수지 필름 단체를 연신, 염색하는 방법 (I), 수지 기재와 폴리비닐알코올계 수지층을 갖는 적층체 (i) 를 연신, 염색하는 방법 (II) 등을 들 수 있다. 방법 (I) 은, 당업계에서 주지 관용의 방법이기 때문에, 상세한 설명은 생략한다. 상기 제조 방법 (II) 는, 바람직하게는, 수지 기재와 그 수지 기재의 편측에 형성된 폴리비닐알코올계 수지층을 갖는 적층체 (i) 를 연신, 염색하고, 그 수지 기재 상에 편광자를 제조하는 공정을 포함한다. 적층체 (i) 는, 수지 기재 상에 폴리비닐알코올계 수지를 포함하는 도포액을 도포·건조시켜 형성될 수 있다. 또, 적층체 (i) 는, 폴리비닐알코올계 수지막을 수지 기재 상에 전사하여 형성되어도 된다. 상기 제조 방법 (II) 의 상세한 내용은, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2012－73580호에 기재되어 있고, 이 공보는, 본 명세서에 참고로서 원용된다.

상기 보호 필름으로는, 임의의 적절한 수지 필름이 채용될 수 있다. 보호 필름의 형성 재료로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 등의 폴리에스테르계 수지, 트리아세틸셀룰로오스 (TAC) 등의 셀룰로오스계 수지, 노르보르넨계 수지 등의 시클로올레핀계 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 올레핀계 수지, (메트)아크릴계 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기(메트)아크릴계 수지로서, 글루타르이미드 구조를 갖는 (메트)아크릴계 수지가 사용된다.

상기 보호 필름과 상기 편광자는, 임의의 적절한 접착제층을 개재하여 적층된다. 편광자 제조 시에 사용한 수지 기재는, 보호 필름과 편광자를 적층하기 전, 혹은, 적층한 후에, 박리될 수 있다.

상기 보호 필름의 두께는, 바람직하게는 5 ㎛ ∼ 55 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 10 ㎛ ∼ 50 ㎛ 이고, 더욱 바람직하게는 15 ㎛ ∼ 45 ㎛ 이다.

B-2. 원 편광판

도 4 는, 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 광학 적층체의 개략 단면도이다. 광학 적층체 (110) 는, 광학 부재로서, 원 편광판 (21) 을 구비한다. 원 편광판 (21) 은, 편광자 (1) 와, 위상차층 (2) 을 구비한다. 하나의 실시형태에 있어서는, 편광자 (1) 는, 위상차층 (2) 의 적층체 (A) (즉, 도전층) 와는 반대측에 배치되는 것이 바람직하다. 또, 원 편광판 (21) 과 적층체 (A) 는, 점착제층 (30) 을 개재하여 적층되고, 점착제층 (30) 은 위상차층 (2) 및 도전층 (13) 에 접하고 있다. 다른 실시형태에 있어서는, 다른 광학 부재로서, 원 편광판이 사용되고, 광학 부재와, 도전층과, 수지층과, 원 편광판 (위상차층/편광자) 을 이 순서로 구비하는 광학 적층체가 제공된다. 이 실시형태에 있어서도, 편광자는, 위상차층의 적층체 (A) (즉, 수지층) 와는 반대측에 배치되는 것이 바람직하다.

하나의 실시형태에 있어서는, 원 편광판은, 편광자의 위상차층과는 반대측의 면에 보호 필름을 추가로 구비한다 (도시하지 않음). 또, 원 편광판은, 편광자와 위상차층 사이에 다른 보호 필름 (내측 보호 필름이라고도 칭한다：도시하지 않음) 을 구비해도 된다. 편광자 및 보호 필름으로는, 상기 B-1 항에서 설명한 것이 사용될 수 있다.

상기 위상차층은, λ/4 판으로서 기능할 수 있다. 이와 같은 위상차층의 면내 위상차 Re(550) 은, 바람직하게는 120 ㎚ ∼ 160 ㎚ 이고, 보다 바람직하게는 135 ㎚ ∼ 155 ㎚ 이다. 위상차층은, 대표적으로는 nx ＞ ny ≥ nz 의 굴절률 타원체를 갖는다.

상기 위상차층의 Rth(550) 은, 바람직하게는 120 ㎚ ∼ 300 ㎚ 이고, 보다 바람직하게는 135 ㎚ ∼ 260 ㎚ 이다.

상기 위상차층의 Nz 계수는, 예를 들어 0.9 ∼ 2 이고, 바람직하게는 1 ∼ 1.8 이고, 보다 바람직하게는 1 ∼ 1.7 이다.

상기 편광자와 위상차층는, 편광자의 흡수축과 위상차층의 지상축이 소정의 각도를 이루도록 적층된다. 편광자의 흡수축과 위상차층의 지상축이 이루는 각도는, 바람직하게는 35° ∼ 55° 이고, 보다 바람직하게는 38° ∼ 52° 이고, 더욱 바람직하게는 40° ∼ 50° 이고, 더욱 바람직하게는 42° ∼ 48° 이고, 특히 바람직하게는 44° ∼ 46° 이다. 당해 각도가 이와 같은 범위이면, 원하는 원 편광 기능이 실현될 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 각도로 언급할 때는, 특별히 명기하지 않는 한, 당해 각도는 시계 회전 및 반시계 회전의 양방 방향의 각도를 포함한다.

상기 위상차층의 두께는, λ/4 판으로서 가장 적절히 기능할 수 있도록 설정될 수 있다. 바꿔 말하면, 두께는, 원하는 면내 위상차가 얻어지도록 설정될 수 있다. 구체적으로는, 위상차층의 두께는, 바람직하게는 10 ㎛ ∼ 80 ㎛ 이고, 더욱 바람직하게는 10 ㎛ ∼ 60 ㎛ 이고, 가장 바람직하게는 30 ㎛ ∼ 50 ㎛ 이다.

위상차층은, 위상차 값이 측정 광의 파장에 따라 커지는 역분산 파장 특성을 나타내도 되고, 위상차 값이 측정 광의 파장에 따라 작아지는 정 (正) 의 파장 분산 특성을 나타내도 되고, 위상차 값이 측정 광의 파장에 의해서도 거의 변화하지 않는 플랫한 파장 분산 특성을 나타내도 된다.

상기 λ/4 판은, 바람직하게는, 고분자 필름의 연신 필름이다. 구체적으로는, 폴리머의 종류, 연신 처리 (예를 들어, 연신 방법, 연신 온도, 연신 배율, 연신 방향) 를 적절히 선택함으로써, λ/4 판이 얻어진다.

상기 고분자 필름을 형성하는 수지로는, 임의의 적절한 수지가 사용된다. 구체예로는, 폴리노르보르넨 등의 시클로올레핀계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 셀룰로오스계 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리술폰계 수지 등의 정의 복굴절 필름을 구성하는 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 노르보르넨계 수지, 폴리카보네이트계 수지가 바람직하다. 또한, 고분자 필름을 형성하는 수지의 상세한 내용은, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2014－010291 에 기재되어 있다. 당해 기재는, 참고로서 본 명세서에 원용된다.

상기 폴리노르보르넨으로는, 각종 제품이 시판되고 있다. 구체예로는, 닛폰 제온사 제조의 상품명 「제오넥스」, 「제오노아」, JSR 사 제조의 상품명 「아톤 (Arton)」, TICONA 사 제조의 상품명 「토파스」, 미츠이 화학사 제조의 상품명 「APEL」 을 들 수 있다.

연신 방법으로는, 예를 들어, 횡일축 연신, 고정단 2 축 연신, 축차 2 축 연신을 들 수 있다. 고정단 2 축 연신의 구체예로는, 고분자 필름을 길이 방향으로 주행시키면서, 폭 방향 (가로 방향) 으로 연신시키는 방법을 들 수 있다. 이 방법은, 겉보기상은 횡일축 연신일 수 있다. 또, 기울기 연신도 채용할 수 있다. 기울기 연신을 채용함으로써, 폭 방향에 대하여 소정 각도의 배향축 (지상축) 을 갖는 장척상 (長尺狀) 의 연신 필름을 얻을 수 있다.

상기 연신 필름의 두께는, 대표적으로는 5 ㎛ ∼ 80 ㎛, 바람직하게는 15 ㎛ ∼ 60 ㎛, 더욱 바람직하게는 25 ㎛ ∼ 45 ㎛ 이다.

B-3. 점착제층

상기 점착제층은, 임의의 적절한 점착제에 의해 형성된다. 하나의 실시형태에 있어서는, 그 점착제는, 점착성의 수지를 포함하고, 그 수지로는, 아크릴계 수지, 아크릴우레탄계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 아크릴계 수지를 포함하는 아크릴계 점착제이다.

상기 점착제는, 필요에 따라, 임의의 적절한 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 그 첨가제로는, 예를 들어, 가교제, 점착 부여제, 가소제, 안료, 염료, 충전제, 노화 방지제, 도전재, 자외선 흡수제, 광 안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 산화 방지제 등을 들 수 있다. 가교제로는, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 과산화물계 가교제, 멜라민계 가교제, 우레아계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다.

상기 점착제층의 두께는, 바람직하게는 5 ㎛ ∼ 100 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 10 ㎛ ∼ 50 ㎛ 이다.

B-4. 그 밖의 층

상기 광학 적층체는, 필요에 따라, 임의의 적절한 그 밖의 층을 구비할 수 있다. 상기 그 밖의 층으로는, 예를 들어, 하드 코트층, 안티글레어층, 반사 방지층, 컬러 필터층 등을 들 수 있다.

C. 광학 적층체의 제조 방법

본 발명의 광학 적층체의 제조 방법은, 상기 전사용 도전성 필름으로부터, 광학 부재에 액정층과 도전층을 포함하는 적층체 (A) 를 전사하는 것을 포함한다. 하나의 실시형태에 있어서는, 이 제조 방법에 있어서는, 도전층과 광학 부재를, 점착제층을 개재하여, 적층한다. 전사용 도전성 필름, 광학 부재 및 점착제층은, 상기 A 항 및 B 항에서 설명한 것이 사용된다.

광학 부재에 적층체 (A) 를 전사한 후, 적층체 (A) 의 수지층에, 점착제층을 개재하여, 다른 광학 부재를 적층해도 된다.

실시예

이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 조금도 한정되는 것은 아니다. 실시예에 있어서의 평가 방법은 이하와 같다. 또한, 두께는 오자키 제작소 제조 피코크 정밀 측정 기기 디지털 게이지 코드리스 타입 「DG－205」 를 사용하여 측정하였다.

[실시예 1]

이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재 (파낙 주식회사 제조, 상품명 「파나필」) 를 임시 지지체로 하여, 그 임시 지지체 상에, 하기 방법에 의해 수지층을 형성하였다.

바인더 수지로서 우레탄계 다관능 아크릴레이트 A (DIC 사 제조, 상품명 「UNIDIC ELS888」) 와 우레탄계 다관능 아크릴레이트 B (DIC 사 제조, 상품명 「UNIDIC RS28-605」 를 우레탄계 다관능 아크릴레이트 A：우레탄계 다관능 아크릴레이트 B = 8：2 의 중량 비율로 혼합하고, 아세트산에틸로 희석한 코팅 조성물을 준비하였다. 상기 임시 지지체의 박리 처리면에, 이 코팅 조성물을 그라비아 코터를 사용하여, 건조 후의 두께가 5 ㎛ 가 되도록 도포하고, 그 후, 도포층을 80 ℃ 에서 가열하였다. 이어서, 고압 수은 램프로, 적산 광량 250 mJ/㎠ 의 자외선을 조사함으로써, 임시 지지체와 수지층을 구비하는 적층체를 얻었다.

이 적층체를 권취식 스퍼터 장치에 투입하고, 수지층의 표면에, 인듐·주석 산화물층 (두께：30 ㎚) 을 형성하였다. 스퍼터 처리는, 아르곤 가스 98 ％ 와 산소 2 ％ 로 이루어지는 0.4 ㎩ 의 분위기 중에서, 산화인듐 97 중량％-산화주석 3 중량％ 로 이루어지는 소결체를 사용하여 실시하였다. 그 후, 130 ℃ 에서 90 분간의 가열 처리에 의해, 인듐·주석 산화물을 비정질에서 결정질로 전화시키고, 전사용 도전성 필름 (도전층/수지층층/임시 지지체) 을 얻었다.

[실시예 2]

우레탄계 다관능 아크릴레이트 A 와 우레탄계 다관능 아크릴레이트 B 의 중량 비율을 우레탄계 다관능 아크릴레이트 A：우레탄계 다관능 아크릴레이트 B = 2：8 로 한 것 이외는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 전사용 도전성 필름을 얻었다.

[실시예 3]

이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재 (파낙 주식회사 제조, 상품명 「파나필」) 를 임시 지지체로 하여, 그 임시 지지체 상에, 하기 방법에 의해 액정층을 형성하였다.

하기 화학식 (I) (식 중의 숫자 65 및 35 는 모노머 유닛의 몰％ 를 나타내고, 편의적으로 블록 폴리머체로 나타내고 있다：중량 평균 분자량 5000) 로 나타내는 측사슬형 액정 폴리머 20 중량부, 네마틱 액정상을 나타내는 중합성 액정 (BASF 사 제조：상품명 PaliocolorLC242) 80 중량부 및 광 중합 개시제 (치바 스페셜리티 케미컬즈사 제조：상품명 이르가큐어 907) 5 중량부를 시클로펜타논 200 중량부에 용해하여 액정 도공액을 조제하였다. 그리고, PET 필름 (임시 지지체) 에 당해 도공액을 바 코터에 의해 도공한 후, 80 ℃ 에서 4 분간 가열 건조시킴으로써 액정을 배향시켰다. 이 액정층에 자외선을 조사하고, 액정층을 경화시킴으로써, PET 필름 (임시 지지체) 에 액정 고화층 (두께：0.58 ㎛) 을 형성하였다. 이 액정층의 면내 위상차 Re(550) 은 0 ㎚, 두께 방향의 위상차 Rth(550) 은 ―71 ㎚ 이고 (nx：1.5326, ny：1.5326, nz：1.6550), nz ＞ nx = ny 의 굴절률 특성을 나타내었다.

[화학식 1]

이어서, 상기 액정층 상에, 실시예 1 과 동일한 방법으로, 수지층을 형성하였다.

이어서, 상기 지지체와 액정층과 수지층으로 구성되는 적층체를 스퍼터 장치에 투입하고, 그 액정층의 표면에, 두께가 30 ㎚ 인 비정질의 인듐·주석 산화물층을 형성하였다. 그 후, 130 ℃ 에서 90 분간의 가열 처리에 의해, 인듐·주석 산화물을 비정질에서 결정질로 전화시키고, 전사용 도전성 필름 (도전층/수지층/액정층/임시 지지체) 을 얻었다.

[비교예 1]

실시예 3 과 동일한 방법으로, 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재 (파낙 주식회사 제조, 상품명 「파나필」) 를 임시 지지체로 하여, 그 임시 지지체 상에, 하기 방법에 의해 액정층을 형성하였다.

이어서, 상기 임시 지지체와 액정층으로 구성되는 적층체를, 스퍼터 장치에 투입하고, 그 액정층의 표면에, 두께가 30 ㎚ 인 비정질의 인듐·주석 산화물층을 형성하였다. 그 후, 130 ℃ 에서 90 분간의 가열 처리에 의해, 인듐·주석 산화물을 비정질에서 결정질로 전화시키고, 전사용 도전성 필름 (도전층/액정층/임시 지지체) 을 얻었다.

[평가]

(1) 수지층 및 액정층의 경도, 탄성률

Hysitron Inc. 사 제조의 Triboindenter 를 사용하여, 부하 하중-압입 깊이 곡선을 취득하고, 나노인덴테이션법에 의한 경도 H 및 탄성률 Er 을 측정하였다. 압자는, Berkovich (삼각추형) 를 사용하여, 단일 압입 측정으로 하고, 측정 환경은 25 ℃ 로 하였다. 또, 압입 깊이는, 20 ㎚, 50 ㎚, 100 ㎚ 로 하였다.

경도 H 는, 상기 압입 깊이까지 압자를 압입했을 때의 하중 (최대 하중 Pmax) 과, 압자와 시료의 접촉 면적 (접촉 투영 면적 Ac) 으로부터, 이하의 식 (1) 에 의해 산출하였다.

또, 탄성률 Er 은, 부하 하중-압입 깊이 곡선의 제하 시의 기울기 (접촉 강성 S) 와, 압자와 시료의 접촉 면적 (투영 면적 Ac) 으로부터, 이하의 식 (2) 에 의해 산출하였다.

경도 H 및 탄성률 Er 의 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.

(2) 외관 평가

육안으로 홀로그램의 유무를 확인하였다. 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.

또, 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1 에 대해, 현미경을 사용하여, 도전층면에 규칙적인 파상 (波狀) 기복이 관찰되지 않는지 여부를 확인하였다. 평가 결과를 도 5 에 나타낸다.

표 1 로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 전사 도전성 필름은, 도전층에 인접하는 수지층을 구비하고, 당해 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 50 ㎚ 깊이 경도가 0.3 ㎬ 이상임으로써, 홀로그램 모양의 외관 불량을 억제할 수 있다.

10 : 전사용 도전성 필름
11 : 임시 지지체
12 : 수지층
13 : 도전층
20 : 광학 부재

Claims

임시 지지체와, 그 임시 지지체로부터 박리 가능하게 형성된 수지층과, 그 수지층에 직접 배치된 도전층을 구비하고,
그 도전층이, 금속 산화물로 구성되고,
그 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 50 ㎚ 깊이 경도가, 0.3 ㎬ 이상인,
전사 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 수지층의 두께가, 1 ㎛ ∼ 20 ㎛ 인, 전사용 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 100 ㎚ 깊이 경도가, 0.2 ㎬ 이상인, 전사용 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 50 ㎚ 깊이 탄성률이, 4 ㎬ 이상인, 전사용 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 100 ㎚ 깊이 탄성률이, 4 ㎬ 이상인, 전사용 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 금속 산화물이, 인듐-주석 복합 산화물인, 전사용 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 금속 산화물이, 결정화 금속 산화물인, 전사용 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 도전층이, 패턴화 되어 있는, 전사용 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 수지층과 상기 임시 지지체의 사이에 배치된 액정층을 추가로 구비하는, 전사용 도전성 필름.
광학 부재와, 점착제층과, 제 1 항, 제 6 항, 제 7 항 또는 제 8 항에 기재된 도전층과, 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 수지층을 구비하고,
그 도전층이, 그 액정층에 직접 적층되어 있는,
광학 적층체.
제 10 항에 기재된 광학 적층체를 구비하는, 터치 디바이스.