TW201917487A - 光罩承載平台的維護方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種光罩，其可置放於曝光裝置中的光罩承載平台上，此光罩包括一基板以及一反射結構。基板包括一主表面與至少一側壁，且主表面與側壁相接，其中主表面包括一圖案區以及一周邊區，周邊區設置於圖案區的一外側。反射結構至少設置於側壁表面或設置於主表面之周邊區。

Description

光罩及光罩承載平台的維護方法

本發明係關於一種光罩及光罩承載平台的維護方法，尤指一種能用於檢測光罩承載平台上之固定元件效能的光罩及光罩承載平台的維護方法。

一般半導體元件須經繁複的半導體製程所完成，其中晶片上的各種電路佈局需以數道微影製程加以定義形成。在微影製程中，曝光步驟是由曝光裝置所實施，其可將光罩上的電路佈局圖轉移至晶圓上，其中曝光製程的良率高低直接影響晶片的製造成本，其中曝光裝置對曝光良率又有最直接的影響。在曝光製程中，光罩若發生任何微小的偏離都會干擾並影響到曝光結果，倘若電路佈局圖轉移至晶圓時失真，則會影像電路特性甚至產生缺陷，成為不良品導致良率降低。因外，在曝光裝置運作時，如何減少光罩的位置發生偏離以改善良率是本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。

本發明提供了一種光罩及光罩承載平台的維護方法，用於檢測光罩承載平台上之固定元件的效能。

本發明之實施例提供一種光罩，其可置放於曝光裝置中的光罩承載平台上，此光罩包括一基板以及一反射結構。基板包括一主表面與至少一側壁，主表面與側壁相接，其中主表面包括一圖案區以及一周邊區，周邊區設置於圖案區的一外側。反射結構設置於側壁表面或設置於主表面之周邊區。

本發明之實施例另提供一種光罩承載平台的維護方法，其包括提供一光罩，置放於曝光裝置中的光罩承載平台上，並以光罩承載平台上的一固定元件將光罩固定於光罩承載平台上，其中光罩承載平台為可移動式平台，而光罩包括一基板以及一反射結構。基板包括一主表面與至少一側壁，主表面與側壁相接，其中主表面包括一圖案區以及一周邊區，周邊區設置於圖案區的一外側。反射結構至少設置於側壁表面或設置於主表面之周邊區。進行一第一檢測步驟，移動光罩承載平台，並透過一雷射光束照射反射結構以測量光罩的一位置資訊。進行一確認步驟，由位置資訊判定光罩在光罩承載平台上是否發生位移，當光罩發生位移時，則判定固定元件之效能不合格，以及當光罩未發生位移時，則判定固定元件之效能合格。

為使熟習本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步瞭解本發明，下文特列舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本發明的影像感測器及其製作方法及所欲達成的功效。為了方便表示而能夠輕易了解，圖式並未以成品之實際尺寸或比例繪示，因此圖式中元件之尺寸或比例僅用以示意而並非欲以限制本發明的範圍。

請參考第1圖與第2圖，第1圖為本發明第一實施例之曝光裝置的示意圖，而第2圖為本發明第一實施例之光罩的示意圖。為了方便表示並能突顯本發明的重點，第1圖僅繪出曝光裝置中的主要元件，第2圖僅繪出光罩及與其對應之干涉計，而省略曝光裝置中的其他元件。如第1圖所示，本實施例的一曝光裝置10可例如是步進式曝光裝置或掃描式曝光裝置，但不以此為限。曝光裝置10包括光源100、光罩承載平台102、透鏡系統104與晶圓承載平台106。光罩承載平台102設置於光源100與透鏡系統104之間，而透鏡系統104設置於光罩承載平台102與晶圓承載平台106之間。光源100能夠發出一照明光IL作為曝光光源，其中照明光IL可例如是G-線(G-line)、I-線(I-line)、KrF準分非子雷射光(波長248nm)、ArF準分子雷射光(波長193nm)、F2雷射光(波長157nm)等。光罩承載平台102可用以置放本發明的一光罩R，其中光罩R可具有或不具有圖案(例如電路佈局圖等)。光罩承載平台102上可設置有複數個固定元件108，用於將光罩R固定於光罩承載平台102上。本實施例的固定元件108包括真空吸引墊(vacuum pad)，但不以此為限。除吸引式固定元件外，固定元件108亦可包括接觸式固定元件或機械式固定元件等，但不以此為限。光罩承載平台102具有一中空部分(圖未繪出)，當光罩R置放在光罩承載平台102上時，光罩承載平台102的中空部分可暴露出光罩R的圖案，使得光線可以通過。晶圓承載平台106可用以置放一晶圓W，且晶圓承載平台106亦可具有固定元件(圖未繪出)用於固定晶圓W的位置。晶圓承載平台106上的固定元件可包括接觸式固定元件、機械式固定元件或吸引式固定元件等。此外，光罩承載平台102與晶圓承載平台106可各自與一移動元件(圖未繪出)連接，並可藉由移動元件分別移動光罩承載平台102與晶圓承載平台106。換言之，本實施例的光罩承載平台102與晶圓承載平台106可為可移動式平台，其中移動元件可例如為線性馬達，但不以此為限。透鏡系統104包括由一或多個透鏡所組成的透鏡組，並可依實際曝光製程的需求選擇透鏡系統104內的透鏡組合。在本實施例中，照明光IL先通過光罩R形成一圖像，且此圖像對應光罩R所具有的圖案。接著，此圖像(或照明光IL)進入透鏡系統104，並透過透鏡系統104成像在晶圓W的表面。舉例而言，透過照明光IL與透鏡系統104，可將光罩R上的圖案轉移至晶圓W上的感光層(例如光阻)。

以下將詳細說明有關本實施例之光罩R及如何測量光罩R之位置的相關技術特徵。如第2圖所示，光罩R包括一基板112，其包括一主表面114與至少一側壁116，且主表面114與側壁116相接。詳細而言，若以第1圖之照明光IL的行進方向(或光軸)視為一垂直投影方向V，則本實施例光罩R的主表面114與垂直投影方向V互相垂直，但不以此為限。基板112的主表面114包括一圖案區R1與一周邊區R2，其中圖案區R1可具有圖案(例如電路佈局圖等)。周邊區R2設置於圖案區R1的一外側，在本實施例中，周邊區R2環繞圖案區R1。需注意的是，本實施例基板112的主表面114雖然係指第2圖所繪示光罩R的上表面，但依據觀察方向、設置方式的不同或是各光罩的不同設計，在其他實施例中，主表面114亦可代表光罩R的下表面，換言之，本實施例所指的主表面114並不限定為一定是光罩R的上表面或下表面。另一方面，基板112包括四個側壁116，其中兩個互相平行的側壁1161垂直於一第一方向X，而另兩個互相平行的側壁1162垂直於一第二方向Y，且第一方向X與第二方向Y皆垂直於垂直投影方向V。此外，本實施例的光罩R另包括反射結構118設置於側壁116的部分表面。詳細而言，本實施例的光罩R包括四個反射結構118，其中兩個反射結構1181設置於一個側壁1161上，而另兩個反射結構1182設置於一個側壁1162上。換言之，反射結構1181亦垂直於第一方向X，而反射結構1182亦垂直於第二方向Y。如第2圖所示，本實施例之各反射結構118分別佔據其所對應之側壁116的一部分，且彼此分離並不重疊。本實施例之反射結構118包括條狀反射鏡(bar mirror)，且其形狀為矩形，但不限於此，可依需求選擇適當的形狀。此外，基板112的材料可包括石英，而反射結構118的材料可包括具反射性的材料，例如金屬材料等，但不以此為限。舉例而言，可對基板112之側壁116予以加工形成反射結構118。在一實施例中，可透過鍍膜製程將具反射性的材料(如金屬)形成於側壁116的適當位置上來形成反射結構118。在另一實施例中，可將反射鏡成品(如條狀反射鏡)黏貼在側壁116的適當位置上來形成反射結構118。然而，本實施例之基板112與反射結構118的材料以及反射結構118的加工方式並不以上述為限。此外，本實施例具有反射結構118的光罩R，其重量與習知運用於曝光裝置的光罩的重量大致相同。另補充說明的是，在其他實施例中，光罩R亦可僅作為測試用光罩，圖案區R1可不具有圖案(如電路佈局圖等)。

如第1圖與第2圖所示，在本實施例中，曝光裝置10另包括至少一干涉計110，其可測量光罩R的位置資訊。詳細而言，如第2圖所示，其中各反射結構118對應一干涉計110，干涉計110可依據發射至反射結構118的一雷射光束L1與經反射結構118反射的一雷射光束L2來測量光罩R的位置資訊。在本實施例中，兩個干涉計1101在第一方向X上分別對應反射結構1181設置，而另兩個干涉計1102在第二方向Y上分別對應反射結構1182設置。藉此，不管光罩R在移動中或停止不動時，皆可透過干涉計1101與干涉計1102隨時測量光罩R在第一方向X與第二方向Y上的位置資訊，以測得光罩R在光罩承載平台102上是否發生沿著第一方向X與第二方向Y的位移。

值得一提的是，反射結構118的配置並不以本實施例為限。舉例而言，假如光罩R的移動只涉及第一方向X上的移動，則可只在側壁1161設置反射結構1181以透過干涉計1101測量位置資訊。假如光罩R的移動同時涉及第一方向X與第二方向Y上的移動，則可在側壁1161與側壁1162設置反射結構1181與反射結構1182以透過干涉計1101與干涉計1102測量位置資訊。根據上述的原則，在一實施例中，側壁1161上可只設有一個反射結構1181，而側壁1162上可只設有一個反射結構1182。在另一實施例中，四個側壁116中可只有其中一個側壁116設有一個反射結構118。另外，上述反射結構118的數量可依實際需求而有所不同，反射結構118的數量可例如依據干涉計110或雷射光束L1的數量而改變，且與反射結構118所對應之干涉計110的數量也可依實際需要而變化，例如一干涉計110同時對應數個反射結構118。在某些實施例中，干涉計110亦可用於測量光罩承載平台102的位置。在此情況下，光罩承載平台102亦須設置反射結構，並可藉由設置一或多個分光鏡將雷射光束分別導引至光罩R與光罩承載平台102，以分別測量測量光罩R與光罩承載平台102的位置資訊。

如第2圖所示，在本實施例中，光罩R可另包括複數個對位記號120設置於主表面114(如上表面)的周邊區R2。由於本實施例之光罩R的材料為石英，使得光罩R為透明的，因此可將光罩R的對位記號120與晶圓承載平台106上的對位記號進行對準，藉此能夠對晶圓W上的適當位置進行曝光。本實施例的對位記號120是靠近圖案區R1沿第一方向X排列設置於主表面114上，但不以此為限。

請參考第3圖並一併參考第1圖與第2圖，其中第3圖為本發明第一實施例之光罩承載平台的維護方法的步驟流程圖。如第3圖所示，在本實施例之光罩承載平台102的維護方法中，首先在一批產品的曝光製程結束後(步驟S100)，進行步驟S102以提供上述的光罩R，將其置放於曝光裝置10的光罩承載平台102上，並以光罩承載平台102上的固定元件108將光罩R固定於光罩承載平台102上，其中本實施例的固定元件108為真空吸引墊，且光罩承載平台102為可移動式平台。接著，進行步驟S104，進行一第一檢測步驟，移動光罩承載平台102，並透過雷射光束L1照射反射結構118以測量光罩R的位置資訊。舉例而言，如第2圖所示，本實施例透過干涉計1101與干涉計1102各自分析雷射光束L1與雷射光束L2以得到光罩R之二維的位置資訊。如上文所述，在其他實施例中，第一檢測步驟亦可只透過干涉計110測量第一方向X上或第二方向Y上之一維的位置資訊，不再贅述。

接著，進行步驟S106，進行一確認步驟，由所得到的位置資訊判定光罩R在光罩承載平台102上是否發生位移，當光罩R發生位移時，則判定固定元件108之效能不合格，而當光罩R未發生位移時，則判定固定元件108之效能合格。詳細而言，確認步驟例如包括監控光罩R在移動過程中透過干涉計1101與干涉計1102所得到的位置資訊。當干涉計1101與干涉計1102所得到的位置資訊出現異常變化(例如訊號跳動)時，即判定光罩R發生位移。反之，當干涉計1101與干涉計1102所得到的位置資訊並未出現異常變化(例如訊號維持穩定)時，即判定光罩R並未發生位移。此外，第一檢測步驟與確認步驟可同步進行，例如在光罩承載平台102帶動光罩R移動時，干涉計1101與干涉計1102測量光罩R的位置資訊並隨時監控位置資訊是否出現異常變化，但不以此為限。在本實施例中，由於固定元件108為真空吸引墊，因此倘若真空吸引墊不夠乾淨時，真空吸引墊上的粒子(如灰塵等)會破壞真空狀態而減弱真空吸引墊的吸力，影響固定元件108固定光罩R的效能，使得光罩R在光罩承載平台102上發生位移，進而造成干涉計所偵測到的訊號發生變動，因此在確認步驟中會有不合格之結果。換言之，倘若真空吸引墊為乾淨時，真空吸引墊能夠維持真空狀態而提供足夠的吸力，此時固定元件108之效能即可視為合格，並可有效地能夠在光罩承載平台102移動時固定光罩R。

此外，當確認步驟的結果呈現光罩R未發生位移或判定固定元件108之效能合格時，則可認定固定元件108的清潔度合格。此時可進行步驟S108，進行下一批產品的曝光製程，例如提供一產品光罩以替換原光罩承載平台102上之光罩R，並以產品光罩進行曝光。另一方面，當確認步驟的結果呈現光罩R發生位移或判定固定元件108之效能不合格時，則可認定固定元件108的清潔度不合格。此時可進行步驟S110，對固定元件108進行清潔。在清潔之後可進行步驟S102’(提供光罩R)、步驟S104’(進行第一檢測步驟)與步驟S106’(進行確認步驟)，其中步驟S102’至步驟S106’的內容可與步驟S102至步驟S106相同，在此不再贅述。接著，當步驟S106’的確認結果仍呈現光罩R發生位移或判定固定元件108之效能不合格時，再重複進行上述步驟S102’至步驟S106’直到確認步驟的結果呈現光罩R未發生位移或判定固定元件108之效能合格。

另一方面，當步驟S106’的確認結果呈現光罩R未發生位移或判定固定元件108之效能合格時，則可認定固定元件108的清潔度合格。此時可接續進行步驟S112，提供一預修保養(preventive maintenance，PM)光罩以替換原光罩承載平台102上之光罩R，並利用預修保養光罩進行一第二檢測步驟。接著進行確認步驟S114，以確認經曝光裝置10在晶圓W上所形成的曝光圖案是否發生變形(distortion)等失真的情形。若曝光圖案確認並未發生變形，則進行上述的步驟S108，以進行下一批產品的曝光製程。若曝光圖案確認發生變形，則再回到步驟S110對固定元件108進行清潔，並續行上述步驟S110後的步驟。

在曝光製程中，假如光罩承載平台上的固定元件(真空吸引墊)不夠乾淨而有粒子(如灰塵等)存在時，光罩在光罩承載平台移動過程中很容易發生位移。儘管光罩只發生些微位移，亦可能使得在晶圓上所曝出的圖案變形或失真，並導致良率下降。由於習知的曝光裝置未有偵測固定元件清潔度的功能，因此只能在得知曝光結果失敗後才對光罩承載平台上的固定元件進行清潔，而造成資源浪費與製造成本增加。另外，每當曝光裝置進行清潔後需以預修保養光罩進行檢測，倘若固定元件並未清潔乾淨而使得曝光圖案再次變形或失真，則又需進行清潔並再以預修保養光罩進行檢測。由於將曝光裝置停機進行清潔並重新啟動以預修保養光罩進行檢測往往需花費一至數小時，假使無法有效確定光罩承載平台上固定元件的清潔度而需重複進行以上流程，將浪費許多製程時間並使得成本提高。根據本發明，透過本實施例的光罩R及利用光罩R所進行的光罩承載平台102的維護方法，可有效地確認光罩承載平台102上的固定元件108的效能或固定元件108是否乾淨。此外，利用干涉計110測量光罩R在光罩承載平台102的移動過程中是否發生位移所花費的時間只需約兩分鐘至三分鐘。藉此，透過本實施例的光罩R及利用光罩R所進行光罩承載平台102的維護方法，可有效減少重複使用預修保養光罩進行檢測的次數，以有效節省時間並降低成本。因此，本實施例之光罩承載平台102的維護方法可於每批產品將進行曝光製程之前或是在曝光裝置10週期性之保養流程中進行。

本發明之光罩及光罩承載平台的維護方法並不以上述實施例為限。下文將繼續揭示本發明之其它實施例及變化實施例，然為了簡化說明並突顯各實施例之間的差異，下文中使用相同標號標注相同元件，並不再對重覆部分作贅述。

請參考第4圖，第4圖為本發明第一實施例之變化實施例之光罩承載平台的維護方法的步驟流程圖。如第4圖所示，在本變化實施例中，當利用曝光裝置10進行曝光製程並發現曝光失敗時(步驟S200)，可進行本發明光罩承載平台102的維護方法。以上步驟S200中發現曝光失敗的情況例如包括在製作產品的過程中，曝光製程的曝光結果不理想(例如在晶圓W上所曝出的圖案變形或失真)，或是在曝光裝置10進行週期性保養時以預修保養光罩進行曝光所形成的圖案發生變形或失真，但不限於此。在此情況下，維護方法則包括先進行步驟S202，先對光罩承載平台102上的固定元件108進行清潔，之後再進行步驟S204，提供本發明光罩R至光罩承載平台102上並進行第一檢測步驟S206以及確認步驟S208。以上步驟S204至步驟S208的內容與第一實施例之步驟S102至步驟S106相同或類似，在此不再贅述。此外，本變化實施例在確認步驟S208後的動作亦與第一實施例相同或類似。在確認步驟S208後，若判定固定元件108之效能不合格時，則進行步驟S202，對固定元件108重複進行清潔)，以及在清潔之後進行第一檢測步驟S206與確認步驟S208。在確認步驟S208後，若判定固定元件108之效能為合格時，則進行步驟S210，提供預修保養光罩以替換光罩承載平台102上之光罩R，並利用預修保養光罩進行第二檢測步驟，以測定經曝光裝置10所形成的曝光圖案是否發生變形。第二檢測步驟後的動作可參考第一實施例，在此不再贅述。

請參考第5圖，第5圖為本發明第二實施例之光罩的示意圖。如第5圖所示，本實施例與第一實施例不同的地方在於，反射結構118設置於主表面114之周邊區R2的部分表面。詳細而言，本實施例的周邊區R2包括一邊緣部R21與一內緣部R22，邊緣部R21與側壁116相接，且內緣部R22設置於圖案區R1與邊緣部R21之間，其中反射結構118設置於邊緣部R21之部分表面，而對位記號120設置於內緣部R22。在本實施例中，設有反射結構118的主表面114為基板112的上表面，而干涉計110設置於基板112的上方，並在垂直投影方向V上對應反射結構118。藉此，當光罩承載平台102與設置於其上的光罩R在垂直投影方向V上移動時，可利用干涉計110透過雷射光束L1、L2與所對應的反射結構118來測量光罩R在垂直投影方向V上的位置資訊，以進一步得知光罩R在垂直投影方向V上是否產生位移並依此判斷真空吸引墊是否乾淨。在某些實施例中，此設計另可例如搭配分光鏡將雷射光束L1、L2導引至側壁116的反射結構118，則亦可測量光罩R在第一方向X或第二方向Y上是否發生位移。反射結構118與干涉計110的數量與設計位置可依需求而有所不同，並可設置於基板112之不同側的邊緣部R21。在其他實施例中，設有反射結構118的主表面114亦可依需求為基板112的下表面，而干涉計110則對應設置於基板112的下方。在此情況下，由於光罩承載平台102之真空吸引墊吸引基板112的下表面，因此反射結構118所設置的位置應避開基板112下表面中對應真空吸引墊的位置。

請參考第6圖，第6圖為本發明第三實施例之光罩的示意圖。如第6圖所示，本實施例與第一實施例不同的地方在於，反射結構118整面覆蓋一側壁116。在本實施例中，反射結構118設置於兩個垂直於第一方向X之側壁1161的其中一者並整面覆蓋此側壁1161，藉此可透過對應的干涉計110分析雷射光束L1、L2以測量光罩R在第一方向X上的位置資訊。此外，反射結構118亦可同時設置並整面覆蓋兩個側壁1161。在其他實施例中，若要測量光罩R在第二方向Y上的位置資訊時，可將反射結構118設置於垂直於第二方向Y之至少一側壁1162並整面覆蓋側壁1162。若要同時測量光罩R在第一方向X與第二方向Y上的位置資訊時，可將反射結構118設置於至少一側壁1161與至少一側壁1162上，並整面覆蓋側壁1161與側壁1162。根據本實施例，由於反射結構118整面覆蓋側壁1161或側壁1162，因此對於對應配合的干涉計110及雷射光束L1、L2所能設置的位置而言，光罩R所能提供的相容性較為寬裕。當干涉計110的設置位置隨著不同種類或不同品牌的曝光裝置而有所不同時，本實施例之相容性較高的光罩R可適用於較多種類或品牌的曝光裝置。

請參考第7圖，第7圖為本發明第四實施例之光罩的示意圖。如第7圖所示，本實施例與第二實施例不同的地方在於，邊緣部R21環繞圖案區R1，且反射結構118整面覆蓋邊緣部R21，亦即反射結構118沿主表面114的四個側邊環繞圖案區R1以及內緣部R22。由於反射結構118是由具反射性的材料所形成，因此光罩R的邊緣部R21為一不透光區域，而圖案區R1與內緣部R22為一透光區域，且對位記號120設置於內緣部R22，使得對位記號120能夠與晶圓W上的對位記號對準。由於本實施例的反射結構118整面覆蓋邊緣部R21，因此對於對應配合的干涉計110及雷射光束L1、L2所能設置的位置而言，光罩R所能提供的相容性較為寬裕。當干涉計110的設置位置隨著不同種類或不同品牌的曝光裝置而有所不同時，本實施例之相容性較高的光罩R可適用於較多種類或品牌的曝光裝置。在其他實施例中，反射結構118亦可僅整面覆蓋主表面114之其中任一側、任兩側或任三側的邊緣部R21。本實施例設有反射結構118的主表面114為基板112的上表面。在其他實施例中，設有反射結構118的主表面114亦可依需求為基板112的下表面。在此情況下，由於光罩承載平台102之真空吸引墊吸引基板112的下表面，因此反射結構118所設置的位置應避開基板112下表面中對應真空吸引墊的位置。

請參考第8圖，第8圖為本發明第五實施例之光罩的示意圖。如第8圖所示，在本實施例中，反射結構118設置於基板112的四個側壁116，並整面覆蓋側壁116，同時反射結構118亦設置於主表面114的邊緣部R21，其中反射結構118整面覆蓋邊緣部R21而環繞內緣部R22及圖案區R1。此外，主表面114可為基板112的上表面或下表面，且反射結構118亦可同時設置於基板112的上表面及下表面。藉此，可在第一方向X、第二方向Y或垂直投影方向V上對應光罩R設置干涉計110，並可透過干涉計110分析雷射光束L1、L2測量光罩R於第一方向X、第二方向Y或垂直投影方向V上的位置資訊。另補充說明的是，當反射結構118設置於下表面的邊緣部R21時，由於光罩承載平台102之真空吸引墊吸引基板112的下表面，因此反射結構118所設置的位置應避開基板112下表面中對應真空吸引墊的位置。由於本實施例的反射結構118整面覆蓋表面114的邊緣部R21以及側壁116，因此對於對應配合的干涉計110及雷射光束L1、L2所能設置的位置而言，光罩R所能提供的相容性較為寬裕。當干涉計110的設置位置隨著不同種類或不同品牌的曝光裝置而有所不同時，本實施例之相容性較高的光罩R可適用於較多種類或品牌的曝光裝置。

值得一提的是，在不超出本發明之精神的情況下，前述各實施例的不同技術特徵彼此之間可互相置換而重新搭配，以組合出另一實施例。

綜上所述，本發明之光罩及利用此光罩所進行光罩承載平台的維護方法可有效地確認光罩承載平台上的固定元件(如真空吸引墊)的光罩固定效能，進而瞭解固定元件或光罩承載平台的表面清潔度。此外，利用干涉計測量光罩在光罩承載平台的移動過程中是否發生位移所花費的時間只需約兩分鐘至三分鐘，並可使用習知曝光裝置本身所配備的干涉計並搭配本發明光罩的反射結構，以得知光罩是否移位。藉此，透過本實施例的光罩及光罩承載平台的維護方法可有效減少重複使用預修保養光罩進行檢測的次數，以有效節省時間並降低成本。此外，本發明之光罩可具有整面或部分覆蓋光罩側壁的反射結構，亦可具有整面或部分覆蓋光罩上、下表面之邊緣部的反射結構，在整面覆蓋的設計中，本發明之光罩能提供較為寬裕的相容性，而可適用於較多種類或品牌的曝光裝置。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

10‧‧‧曝光裝置

100‧‧‧光源

102‧‧‧光罩承載平台

104‧‧‧透鏡系統

106‧‧‧晶圓承載平台

108‧‧‧固定元件

110、1101、1102‧‧‧干涉計

112‧‧‧基板

114‧‧‧主表面

116、1161、1162‧‧‧側壁

118、1181、1182‧‧‧反射結構

120‧‧‧對位記號

IL‧‧‧照明光

L1、L2‧‧‧雷射光束

R‧‧‧光罩

R1‧‧‧圖案區

R2‧‧‧周邊區

R21‧‧‧邊緣部

R22‧‧‧內緣部

S100~S114、S102’~S106’、S200~S210‧‧‧步驟

V‧‧‧垂直投影方向

W‧‧‧晶圓

X‧‧‧第一方向

Y‧‧‧第二方向

第1圖為本發明第一實施例之曝光裝置的示意圖。 第2圖為本發明第一實施例之光罩的示意圖。 第3圖為本發明第一實施例之光罩承載平台的維護方法的步驟流程圖。 第4圖為本發明第一實施例之變化實施例之光罩承載平台的維護方法的步驟流程圖。 第5圖為本發明第二實施例之光罩的示意圖。 第6圖為本發明第三實施例之光罩的示意圖。 第7圖為本發明第四實施例之光罩的示意圖。 第8圖為本發明第五實施例之光罩的示意圖。

Claims (16)

1. 一種光罩，該光罩可置放於一曝光裝置中的一光罩承載平台上，該光罩包括： 一基板，包括一主表面與至少一側壁，該主表面與該側壁相接，其中該主表面包括： 一圖案區；以及 一周邊區，設置於該圖案區的一外側；以及 一反射結構，至少設置於該側壁表面或設置於該主表面之該周邊區。
2. 如請求項1所述之光罩，其中該反射結構包括一條狀反射鏡(bar mirror)。
3. 如請求項1所述之光罩，包括複數個反射結構，其中該基板包括複數個側壁，且各該反射結構分別設置於該等側壁之其中一者的表面。
4. 如請求項1所述之光罩，其中該反射結構整面覆蓋該側壁。
5. 如請求項1所述之光罩，其中該周邊區包括一邊緣部與一內緣部，該邊緣部與該側壁相接，且該內緣部設置於該圖案區與該邊緣部之間，其中該反射結構設置於該邊緣部之至少一部分表面。
6. 如請求項5所述之光罩，其中該邊緣部環繞該圖案區，且該反射結構整面覆蓋該邊緣部。
7. 如請求項6所述之光罩，其中該圖案區與該內緣部為一透光區域，且該邊緣部為一不透光區域。
8. 如請求項5所述之光罩，另包括一對位記號設置於該內緣部。
9. 如請求項1所述之光罩，其中該基板的材料包括石英，該反射結構的材料包括金屬。
10. 一種光罩承載平台的維護方法，包括： 提供一光罩，置放於一曝光裝置中的一光罩承載平台上，並以該光罩承載平台上的一固定元件將該光罩固定於該光罩承載平台上，其中該光罩承載平台為可移動式平台，而該光罩包括： 一基板，包括一主表面與至少一側壁，該主表面與該側壁相接，其中該主表面包括： 一圖案區；以及 一周邊區，設置於該圖案區的一外側；以及 一反射結構，至少設置於該側壁表面或設置於該主表面之該周邊區； 進行一第一檢測步驟，移動該光罩承載平台，並透過一雷射光束照射該反射結構以測量該光罩的一位置資訊；以及 進行一確認步驟，由該位置資訊判定該光罩在該光罩承載平台上是否發生位移，當該光罩發生位移時，則判定該固定元件之效能不合格，以及當該光罩未發生位移時，則判定該固定元件之效能合格。
11. 如請求項10所述之光罩承載平台的維護方法，其中該固定元件包括一真空吸引墊(vacuum pad)。
12. 如請求項10所述之光罩承載平台的維護方法，其中當該固定元件之效能合格時，提供一產品光罩並以該產品光罩進行曝光。
13. 如請求項10所述之光罩承載平台的維護方法，其中當該固定元件之效能不合格時，對該固定元件進行清潔，以及在清潔之後再次提供該光罩並進行該第一檢測步驟與該確認步驟。
14. 如請求項13所述之光罩承載平台的維護方法，其中再次進行該確認步驟後判定該固定元件之效能為合格時，提供一預修保養(preventive maintenance，PM)光罩進行一第二檢測步驟，以測定經該曝光裝置所形成的一曝光圖案是否發生變形(distortion)。
15. 如請求項10所述之光罩承載平台的維護方法，係於該曝光裝置進行曝光製程並發現曝光失敗時進行，且該維護方法另包括先對該光罩承載平台上的該固定元件進行清潔，才提供該光罩至該光罩承載平台上並進行該第一檢測步驟以及該確認步驟。
16. 如請求項10所述之光罩承載平台的維護方法，其中該第一檢測步驟包括利用一干涉計透過該雷射光束與所對應的該反射結構測量該光罩的該位置資訊。