CN109696798B - 光掩模及光掩模承载平台的维护方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种光掩模及光掩模承载平台的维护方法，该光掩模可置放于曝光装置中的光掩模承载平台上，此光掩模包括一基板以及一反射结构。基板包括一主表面与至少一侧壁，且主表面与侧壁相接，其中主表面包括一图案区以及一周边区，周边区设置于图案区的一外侧。反射结构至少设置于侧壁表面或设置于主表面的周边区。
Description
技术领域
本发明涉及一种光掩模及光掩模承载平台的维护方法，尤其是涉及一种能用于检测光掩模承载平台上的固定元件效能的光掩模及光掩模承载平台的维护方法。
背景技术
一般半导体元件需经繁复的半导体制作工艺所完成，其中芯片上的各种电路布局需以数道光刻制作工艺加以定义形成。在光刻制作工艺中，曝光步骤是由曝光装置所实施，其可将光掩模上的电路布局图转移至晶片上，其中曝光制作工艺的良率高低直接影响芯片的制造成本，其中曝光装置对曝光良率又有最直接的影响。在曝光制作工艺中，光掩模若发生任何微小的偏离都会干扰并影响到曝光结果，倘若电路布局图转移至晶片时失真，则会影像电路特性甚至产生缺陷，成为不良品导致良率降低。因外，在曝光装置运作时，如何减少光掩模的位置发生偏离以改善良率是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
发明内容
本发明提供了一种光掩模及光掩模承载平台的维护方法，用于检测光掩模承载平台上的固定元件的效能。
本发明的实施例提供一种光掩模，其可置放于曝光装置中的光掩模承载平台上，此光掩模包括一基板以及一反射结构。基板包括一主表面与至少一侧壁，主表面与侧壁相接，其中主表面包括一图案区以及一周边区，周边区设置于图案区的一外侧。反射结构设置于侧壁表面或设置于主表面的周边区。
本发明的实施例另提供一种光掩模承载平台的维护方法，其包括提供一光掩模，置放于曝光装置中的光掩模承载平台上，并以光掩模承载平台上的一固定元件将光掩模固定于光掩模承载平台上，其中光掩模承载平台为可移动式平台，而光掩模包括一基板以及一反射结构。基板包括一主表面与至少一侧壁，主表面与侧壁相接，其中主表面包括一图案区以及一周边区，周边区设置于图案区的一外侧。反射结构至少设置于侧壁表面或设置于主表面的周边区。进行一第一检测步骤，移动光掩模承载平台，并通过一激光光束照射反射结构以测量光掩模的一位置信息。进行一确认步骤，由位置信息判定光掩模在光掩模承载平台上是否发生位移，当光掩模发生位移时，则判定固定元件的效能不合格，以及当光掩模未发生位移时，则判定固定元件的效能合格。
附图说明
图1为本发明第一实施例的曝光装置的示意图；
图2为本发明第一实施例的光掩模的示意图；
图3为本发明第一实施例的光掩模承载平台的维护方法的步骤流程图；
图4为本发明第一实施例的变化实施例的光掩模承载平台的维护方法的步骤流程图；
图5为本发明第二实施例的光掩模的示意图；
图6为本发明第三实施例的光掩模的示意图；
图7为本发明第四实施例的光掩模的示意图；
图8为本发明第五实施例的光掩模的示意图。
符号说明
10 曝光装置
100 光源
102 光掩模承载平台
104 透镜系统
106 晶片承载平台
108 固定元件
110、1101、1102 干涉计
112 基板
114 主表面
116、1161、1162 侧壁
118、1181、1182 反射结构
120 对位记号
IL 照明光
L1、L2 激光光束
R 光掩模(光罩)
R1 图案区
R2 周边区
R21 边缘部
R22 内缘部
S100～S114、S102’～S106’、S200～S210 步骤
V 垂直投影方向
W 晶片
X 第一方向
Y 第二方向
具体实施方式
为使熟悉本发明所属技术领域的一般技术人员能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的优选实施例，并配合所附的附图，详细说明本发明的影像感测器及其制作方法及所欲达成的功效。为了方便表示而能够轻易了解，附图并未以成品的实际尺寸或比例绘示，因此附图中元件的尺寸或比例仅用以示意而并非欲以限制本发明的范围。
请参考图1与图2，图1为本发明第一实施例的曝光装置的示意图，而图2为本发明第一实施例的光掩模的示意图。为了方便表示并能突显本发明的重点，图1仅绘出曝光装置中的主要元件，图2仅绘出光掩模及与其对应的干涉计，而省略曝光装置中的其他元件。如图1所示，本实施例的一曝光装置10可例如是步进式曝光装置或扫描式曝光装置，但不以此为限。曝光装置10包括光源100、光掩模承载平台102、透镜系统104与晶片承载平台106。光掩模承载平台102设置于光源100与透镜系统104之间，而透镜系统104设置于光掩模承载平台102与晶片承载平台106之间。光源100能够发出一照明光IL作为曝光光源，其中照明光IL可例如是G-线(G-line)、I-线(I-line)、KrF准分非子激光(波长248nm)、ArF准分子激光(波长193nm)、F2激光(波长157nm)等。光掩模承载平台102可用以置放本发明的一光掩模R，其中光掩模R可具有或不具有图案(例如电路布局图等)。光掩模承载平台102上可设置有多个固定元件108，用于将光掩模R固定于光掩模承载平台102上。本实施例的固定元件108包括真空吸引垫(vacuum pad)，但不以此为限。除吸引式固定元件外，固定元件108也可包括接触式固定元件或机械式固定元件等，但不以此为限。光掩模承载平台102具有一中空部分(图未绘出)，当光掩模R置放在光掩模承载平台102上时，光掩模承载平台102的中空部分可暴露出光掩模R的图案，使得光线可以通过。晶片承载平台106可用以置放一晶片W，且晶片承载平台106也可具有固定元件(图未绘出)用于固定晶片W的位置。晶片承载平台106上的固定元件可包括接触式固定元件、机械式固定元件或吸引式固定元件等。此外，光掩模承载平台102与晶片承载平台106可各自与一移动元件(图未绘出)连接，并可通过移动元件分别移动光掩模承载平台102与晶片承载平台106。换言之，本实施例的光掩模承载平台102与晶片承载平台106可为可移动式平台，其中移动元件可例如为线性马达，但不以此为限。透镜系统104包括由一或多个透镜所组成的透镜组，并可依实际曝光制作工艺的需求选择透镜系统104内的透镜组合。在本实施例中，照明光IL先通过光掩模R形成一图像，且此图像对应光掩模R所具有的图案。接着，此图像(或照明光IL)进入透镜系统104，并通过透镜系统104成像在晶片W的表面。举例而言，通过照明光IL与透镜系统104，可将光掩模R上的图案转移至晶片W上的感光层(例如光阻)。
以下将详细说明有关本实施例的光掩模R及如何测量光掩模R的位置的相关技术特征。如图2所示，光掩模R包括一基板112，其包括一主表面114与至少一侧壁116，且主表面114与侧壁116相接。详细而言，若以图1的照明光IL的行进方向(或光轴)视为一垂直投影方向V，则本实施例光掩模R的主表面114与垂直投影方向V互相垂直，但不以此为限。基板112的主表面114包括一图案区R1与一周边区R2，其中图案区R1可具有图案(例如电路布局图等)。周边区R2设置于图案区R1的一外侧，在本实施例中，周边区R2环绕图案区R1。需注意的是，本实施例基板112的主表面114虽然是指图2所绘示光掩模R的上表面，但依据观察方向、设置方式的不同或是各光掩模的不同设计，在其他实施例中，主表面114也可代表光掩模R的下表面，换言之，本实施例所指的主表面114并不限定为一定是光掩模R的上表面或下表面。另一方面，基板112包括四个侧壁116，其中两个互相平行的侧壁1161垂直于一第一方向X，而另两个互相平行的侧壁1162垂直于一第二方向Y，且第一方向X与第二方向Y都垂直于垂直投影方向V。此外，本实施例的光掩模R另包括反射结构118设置于侧壁116的部分表面。详细而言，本实施例的光掩模R包括四个反射结构118，其中两个反射结构1181设置于一个侧壁1161上，而另两个反射结构1182设置于一个侧壁1162上。换言之，反射结构1181也垂直于第一方向X，而反射结构1182也垂直于第二方向Y。如图2所示，本实施例的各反射结构118分别占据其所对应的侧壁116的一部分，且彼此分离并不重叠。本实施例的反射结构118包括条状反射镜(bar mirror)，且其形状为矩形，但不限于此，可依需求选择适当的形状。此外，基板112的材料可包括石英，而反射结构118的材料可包括具反射性的材料，例如金属材料等，但不以此为限。举例而言，可对基板112的侧壁116予以加工形成反射结构118。在一实施例中，可通过镀膜制作工艺将具反射性的材料(如金属)形成于侧壁116的适当位置上来形成反射结构118。在另一实施例中，可将反射镜成品(如条状反射镜)粘贴在侧壁116的适当位置上来形成反射结构118。然而，本实施例的基板112与反射结构118的材料以及反射结构118的加工方式并不以上述为限。此外，本实施例具有反射结构118的光掩模R，其重量与现有运用于曝光装置的光掩模的重量大致相同。另补充说明的是，在其他实施例中，光掩模R也可仅作为测试用光掩模，图案区R1可不具有图案(如电路布局图等)。
如图1与图2所示，在本实施例中，曝光装置10另包括至少一干涉计110，其可测量光掩模R的位置信息。详细而言，如图2所示，其中各反射结构118对应一干涉计110，干涉计110可依据发射至反射结构118的一激光光束L1与经反射结构118反射的一激光光束L2来测量光掩模R的位置信息。在本实施例中，两个干涉计1101在第一方向X上分别对应反射结构1181设置，而另两个干涉计1102在第二方向Y上分别对应反射结构1182设置。由此，不管光掩模R在移动中或停止不动时，都可通过干涉计1101与干涉计1102随时测量光掩模R在第一方向X与第二方向Y上的位置信息，以测得光掩模R在光掩模承载平台102上是否发生沿着第一方向X与第二方向Y的位移。
值得一提的是，反射结构118的配置并不以本实施例为限。举例而言，假如光掩模R的移动只涉及第一方向X上的移动，则可只在侧壁1161设置反射结构1181以通过干涉计1101测量位置信息。假如光掩模R的移动同时涉及第一方向X与第二方向Y上的移动，则可在侧壁1161与侧壁1162设置反射结构1181与反射结构1182以通过干涉计1101与干涉计1102测量位置信息。根据上述的原则，在一实施例中，侧壁1161上可只设有一个反射结构1181，而侧壁1162上可只设有一个反射结构1182。在另一实施例中，四个侧壁116中可只有其中一个侧壁116设有一个反射结构118。另外，上述反射结构118的数量可依实际需求而有所不同，反射结构118的数量可例如依据干涉计110或激光光束L1的数量而改变，且与反射结构118所对应的干涉计110的数量也可依实际需要而变化，例如一干涉计110同时对应数个反射结构118。在某些实施例中，干涉计110也可用于测量光掩模承载平台102的位置。在此情况下，光掩模承载平台102也需设置反射结构，并可通过设置一或多个分光镜将激光光束分别导引至光掩模R与光掩模承载平台102，以分别测量测量光掩模R与光掩模承载平台102的位置信息。
如图2所示，在本实施例中，光掩模R可另包括多个对位记号120设置于主表面114(如上表面)的周边区R2。由于本实施例的光掩模R的材料为石英，使得光掩模R为透明的，因此可将光掩模R的对位记号120与晶片承载平台106上的对位记号进行对准，由此能够对晶片W上的适当位置进行曝光。本实施例的对位记号120是靠近图案区R1沿第一方向X排列设置于主表面114上，但不以此为限。
请参考图3并一并参考图1与图2，其中图3为本发明第一实施例的光掩模承载平台的维护方法的步骤流程图。如图3所示，在本实施例的光掩模承载平台102的维护方法中，首先在一批产品的曝光制作工艺结束后(步骤S100)，进行步骤S102以提供上述的光掩模R，将其置放于曝光装置10的光掩模承载平台102上，并以光掩模承载平台102上的固定元件108将光掩模R固定于光掩模承载平台102上，其中本实施例的固定元件108为真空吸引垫，且光掩模承载平台102为可移动式平台。接着，进行步骤S104，进行一第一检测步骤，移动光掩模承载平台102，并通过激光光束L1照射反射结构118以测量光掩模R的位置信息。举例而言，如图2所示，本实施例通过干涉计1101与干涉计1102各自分析激光光束L1与激光光束L2以得到光掩模R的二维的位置信息。如上文所述，在其他实施例中，第一检测步骤也可只通过干涉计110测量第一方向X上或第二方向Y上的一维的位置信息，不再赘述。
接着，进行步骤S106，进行一确认步骤，由所得到的位置信息判定光掩模R在光掩模承载平台102上是否发生位移，当光掩模R发生位移时，则判定固定元件108的效能不合格，而当光掩模R未发生位移时，则判定固定元件108的效能合格。详细而言，确认步骤例如包括监控光掩模R在移动过程中通过干涉计1101与干涉计1102所得到的位置信息。当干涉计1101与干涉计1102所得到的位置信息出现异常变化(例如信号跳动)时，即判定光掩模R发生位移。反之，当干涉计1101与干涉计1102所得到的位置信息并未出现异常变化(例如信号维持稳定)时，即判定光掩模R并未发生位移。此外，第一检测步骤与确认步骤可同步进行，例如在光掩模承载平台102带动光掩模R移动时，干涉计1101与干涉计1102测量光掩模R的位置信息并随时监控位置信息是否出现异常变化，但不以此为限。在本实施例中，由于固定元件108为真空吸引垫，因此倘若真空吸引垫不够干净时，真空吸引垫上的粒子(如灰尘等)会破坏真空状态而减弱真空吸引垫的吸力，影响固定元件108固定光掩模R的效能，使得光掩模R在光掩模承载平台102上发生位移，进而造成干涉计所侦测到的信号发生变动，因此在确认步骤中会有不合格的结果。换言之，倘若真空吸引垫为干净时，真空吸引垫能够维持真空状态而提供足够的吸力，此时固定元件108的效能即可视为合格，并可有效地能够在光掩模承载平台102移动时固定光掩模R。
此外，当确认步骤的结果呈现光掩模R未发生位移或判定固定元件108的效能合格时，则可认定固定元件108的清洁度合格。此时可进行步骤S108，进行下一批产品的曝光制作工艺，例如提供一产品光掩模以替换原光掩模承载平台102上的光掩模R，并以产品光掩模进行曝光。另一方面，当确认步骤的结果呈现光掩模R发生位移或判定固定元件108的效能不合格时，则可认定固定元件108的清洁度不合格。此时可进行步骤S110，对固定元件108进行清洁。在清洁之后可进行步骤S102’(提供光掩模R)、步骤S104’(进行第一检测步骤)与步骤S106’(进行确认步骤)，其中步骤S102’至步骤S106’的内容可与步骤S102至步骤S106相同，在此不再赘述。接着，当步骤S106’的确认结果仍呈现光掩模R发生位移或判定固定元件108的效能不合格时，再重复进行上述步骤S102’至步骤S106’直到确认步骤的结果呈现光掩模R未发生位移或判定固定元件108的效能合格。
另一方面，当步骤S106’的确认结果呈现光掩模R未发生位移或判定固定元件108的效能合格时，则可认定固定元件108的清洁度合格。此时可接续进行步骤S112，提供一预修保养(preventive maintenance，PM)光掩模以替换原光掩模承载平台102上的光掩模R，并利用预修保养光掩模进行一第二检测步骤。接着进行确认步骤S114，以确认经曝光装置10在晶片W上所形成的曝光图案是否发生变形(distortion)等失真的情形。若曝光图案确认并未发生变形，则进行上述的步骤S108，以进行下一批产品的曝光制作工艺。若曝光图案确认发生变形，则再回到步骤S110对固定元件108进行清洁，并续行上述步骤S110后的步骤。
在曝光制作工艺中，假如光掩模承载平台上的固定元件(真空吸引垫)不够干净而有粒子(如灰尘等)存在时，光掩模在光掩模承载平台移动过程中很容易发生位移。尽管光掩模只发生些微位移，也可能使得在晶片上所曝出的图案变形或失真，并导致良率下降。由于现有的曝光装置未有侦测固定元件清洁度的功能，因此只能在得知曝光结果失败后才对光掩模承载平台上的固定元件进行清洁，而造成资源浪费与制造成本增加。另外，每当曝光装置进行清洁后需以预修保养光掩模进行检测，倘若固定元件并未清洁干净而使得曝光图案再次变形或失真，则又需进行清洁并再以预修保养光掩模进行检测。由于将曝光装置停机进行清洁并重新启动以预修保养光掩模进行检测往往需花费一至数小时，假使无法有效确定光掩模承载平台上固定元件的清洁度而需重复进行以上流程，将浪费许多制作工艺时间并使得成本提高。根据本发明，通过本实施例的光掩模R及利用光掩模R所进行的光掩模承载平台102的维护方法，可有效地确认光掩模承载平台102上的固定元件108的效能或固定元件108是否干净。此外，利用干涉计110测量光掩模R在光掩模承载平台102的移动过程中是否发生位移所花费的时间只需约两分钟至三分钟。由此，通过本实施例的光掩模R及利用光掩模R所进行光掩模承载平台102的维护方法，可有效减少重复使用预修保养光掩模进行检测的次数，以有效节省时间并降低成本。因此，本实施例的光掩模承载平台102的维护方法可于每批产品将进行曝光制作工艺之前或是在曝光装置10周期性的保养流程中进行。
本发明的光掩模及光掩模承载平台的维护方法并不以上述实施例为限。下文将继续揭示本发明的其它实施例及变化实施例，然而为了简化说明并突显各实施例之间的差异，下文中使用相同标号标注相同元件，并不再对重复部分作赘述。
请参考图4，图4为本发明第一实施例的变化实施例的光掩模承载平台的维护方法的步骤流程图。如图4所示，在本变化实施例中，当利用曝光装置10进行曝光制作工艺并发现曝光失败时(步骤S200)，可进行本发明光掩模承载平台102的维护方法。以上步骤S200中发现曝光失败的情况例如包括在制作产品的过程中，曝光制作工艺的曝光结果不理想(例如在晶片W上所曝出的图案变形或失真)，或是在曝光装置10进行周期性保养时以预修保养光掩模进行曝光所形成的图案发生变形或失真，但不限于此。在此情况下，维护方法则包括先进行步骤S202，先对光掩模承载平台102上的固定元件108进行清洁，之后再进行步骤S204，提供本发明光掩模R至光掩模承载平台102上并进行第一检测步骤S206以及确认步骤S208。以上步骤S204至步骤S208的内容与第一实施例的步骤S102至步骤S106相同或类似，在此不再赘述。此外，本变化实施例在确认步骤S208后的动作也与第一实施例相同或类似。在确认步骤S208后，若判定固定元件108的效能不合格时，则进行步骤S202，对固定元件108重复进行清洁)，以及在清洁之后进行第一检测步骤S206与确认步骤S208。在确认步骤S208后，若判定固定元件108的效能为合格时，则进行步骤S210，提供预修保养光掩模以替换光掩模承载平台102上的光掩模R，并利用预修保养光掩模进行第二检测步骤，以测定经曝光装置10所形成的曝光图案是否发生变形。第二检测步骤后的动作可参考第一实施例，在此不再赘述。
请参考图5，图5为本发明第二实施例的光掩模的示意图。如图5所示，本实施例与第一实施例不同的地方在于，反射结构118设置于主表面114的周边区R2的部分表面。详细而言，本实施例的周边区R2包括一边缘部R21与一内缘部R22，边缘部R21与侧壁116相接，且内缘部R22设置于图案区R1与边缘部R21之间，其中反射结构118设置于边缘部R21的部分表面，而对位记号120设置于内缘部R22。在本实施例中，设有反射结构118的主表面114为基板112的上表面，而干涉计110设置于基板112的上方，并在垂直投影方向V上对应反射结构118。由此，当光掩模承载平台102与设置于其上的光掩模R在垂直投影方向V上移动时，可利用干涉计110通过激光光束L1、L2与所对应的反射结构118来测量光掩模R在垂直投影方向V上的位置信息，以进一步得知光掩模R在垂直投影方向V上是否产生位移并依此判断真空吸引垫是否干净。在某些实施例中，此设计另可例如搭配分光镜将激光光束L1、L2导引至侧壁116的反射结构118，则也可测量光掩模R在第一方向X或第二方向Y上是否发生位移。反射结构118与干涉计110的数量与设计位置可依需求而有所不同，并可设置于基板112的不同侧的边缘部R21。在其他实施例中，设有反射结构118的主表面114也可依需求为基板112的下表面，而干涉计110则对应设置于基板112的下方。在此情况下，由于光掩模承载平台102的真空吸引垫吸引基板112的下表面，因此反射结构118所设置的位置应避开基板112下表面中对应真空吸引垫的位置。
请参考图6，图6为本发明第三实施例的光掩模的示意图。如图6所示，本实施例与第一实施例不同的地方在于，反射结构118整面覆盖一侧壁116。在本实施例中，反射结构118设置于两个垂直于第一方向X的侧壁1161的其中一者并整面覆盖此侧壁1161，由此可通过对应的干涉计110分析激光光束L1、L2以测量光掩模R在第一方向X上的位置信息。此外，反射结构118也可同时设置并整面覆盖两个侧壁1161。在其他实施例中，若要测量光掩模R在第二方向Y上的位置信息时，可将反射结构118设置于垂直于第二方向Y的至少一侧壁1162并整面覆盖侧壁1162。若要同时测量光掩模R在第一方向X与第二方向Y上的位置信息时，可将反射结构118设置于至少一侧壁1161与至少一侧壁1162上，并整面覆盖侧壁1161与侧壁1162。根据本实施例，由于反射结构118整面覆盖侧壁1161或侧壁1162，因此对于对应配合的干涉计110及激光光束L1、L2所能设置的位置而言，光掩模R所能提供的相容性较为宽裕。当干涉计110的设置位置随着不同种类或不同品牌的曝光装置而有所不同时，本实施例的相容性较高的光掩模R可适用于较多种类或品牌的曝光装置。
请参考图7，图7为本发明第四实施例的光掩模的示意图。如图7所示，本实施例与第二实施例不同的地方在于，边缘部R21环绕图案区R1，且反射结构118整面覆盖边缘部R21，亦即反射结构118沿主表面114的四个侧边环绕图案区R1以及内缘部R22。由于反射结构118是由具反射性的材料所形成，因此光掩模R的边缘部R21为一不透光区域，而图案区R1与内缘部R22为一透光区域，且对位记号120设置于内缘部R22，使得对位记号120能够与晶片W上的对位记号对准。由于本实施例的反射结构118整面覆盖边缘部R21，因此对于对应配合的干涉计110及激光光束L1、L2所能设置的位置而言，光掩模R所能提供的相容性较为宽裕。当干涉计110的设置位置随着不同种类或不同品牌的曝光装置而有所不同时，本实施例的相容性较高的光掩模R可适用于较多种类或品牌的曝光装置。在其他实施例中，反射结构118也可仅整面覆盖主表面114的其中任一侧、任两侧或任三侧的边缘部R21。本实施例设有反射结构118的主表面114为基板112的上表面。在其他实施例中，设有反射结构118的主表面114也可依需求为基板112的下表面。在此情况下，由于光掩模承载平台102的真空吸引垫吸引基板112的下表面，因此反射结构118所设置的位置应避开基板112下表面中对应真空吸引垫的位置。
请参考图8，图8为本发明第五实施例的光掩模的示意图。如图8所示，在本实施例中，反射结构118设置于基板112的四个侧壁116，并整面覆盖侧壁116，同时反射结构118也设置于主表面114的边缘部R21，其中反射结构118整面覆盖边缘部R21而环绕内缘部R22及图案区R1。此外，主表面114可为基板112的上表面或下表面，且反射结构118也可同时设置于基板112的上表面及下表面。由此，可在第一方向X、第二方向Y或垂直投影方向V上对应光掩模R设置干涉计110，并可通过干涉计110分析激光光束L1、L2测量光掩模R于第一方向X、第二方向Y或垂直投影方向V上的位置信息。另补充说明的是，当反射结构118设置于下表面的边缘部R21时，由于光掩模承载平台102的真空吸引垫吸引基板112的下表面，因此反射结构118所设置的位置应避开基板112下表面中对应真空吸引垫的位置。由于本实施例的反射结构118整面覆盖表面114的边缘部R21以及侧壁116，因此对于对应配合的干涉计110及激光光束L1、L2所能设置的位置而言，光掩模R所能提供的相容性较为宽裕。当干涉计110的设置位置随着不同种类或不同品牌的曝光装置而有所不同时，本实施例的相容性较高的光掩模R可适用于较多种类或品牌的曝光装置。
值得一提的是，在不超出本发明的精神的情况下，前述各实施例的不同技术特征彼此之间可互相置换而重新搭配，以组合出另一实施例。
综上所述，本发明的光掩模及利用此光掩模所进行光掩模承载平台的维护方法可有效地确认光掩模承载平台上的固定元件(如真空吸引垫)的光掩模固定效能，进而了解固定元件或光掩模承载平台的表面清洁度。此外，利用干涉计测量光掩模在光掩模承载平台的移动过程中是否发生位移所花费的时间只需约两分钟至三分钟，并可使用现有曝光装置本身所配备的干涉计并搭配本发明光掩模的反射结构，以得知光掩模是否移位。由此，通过本实施例的光掩模及光掩模承载平台的维护方法可有效减少重复使用预修保养光掩模进行检测的次数，以有效节省时间并降低成本。此外，本发明的光掩模可具有整面或部分覆盖光掩模侧壁的反射结构，也可具有整面或部分覆盖光掩模上、下表面的边缘部的反射结构，在整面覆盖的设计中，本发明的光掩模能提供较为宽裕的相容性，而可适用于较多种类或品牌的曝光装置。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，都应属本发明的涵盖范围。
Claims (6)
1.一种光掩模承载平台的维护方法，包括：
提供一光掩模，置放于一曝光装置中的一光掩模承载平台上，并以该光掩模承载平台上的一固定元件将该光掩模固定于该光掩模承载平台上，其中该光掩模承载平台为可移动式平台，而该光掩模包括：
基板，包括一主表面与至少一侧壁，该主表面与该侧壁相接，其中该主表面包括：
图案区；以及
周边区，设置于该图案区的一外侧；以及
反射结构，至少设置于该侧壁表面或设置于该主表面的该周边区；进行一第一检测步骤，移动该光掩模承载平台，并通过一激光光束照射该反射结构以测量该光掩模的一位置信息；以及
进行一确认步骤，由该位置信息判定该光掩模在该光掩模承载平台上是否发生位移，当该光掩模发生位移时，则判定该固定元件的效能不合格，以及当该光掩模未发生位移时，则判定该固定元件的效能合格，
在该曝光装置进行曝光制作工艺并发现曝光失败时进行该维护方法，且该维护方法另包括先对该光掩模承载平台上的该固定元件进行清洁，才提供该光掩模至该光掩模承载平台上并进行该第一检测步骤以及该确认步骤。
2.如权利要求1所述的光掩模承载平台的维护方法，其中该固定元件包括一真空吸引垫(vacuum pad)。
3.如权利要求1所述的光掩模承载平台的维护方法，其中当该固定元件的效能合格时，提供一产品光掩模并以该产品光掩模进行曝光。
4.如权利要求1所述的光掩模承载平台的维护方法，其中当该固定元件的效能不合格时，对该固定元件进行清洁，以及在清洁之后再次提供该光掩模并进行该第一检测步骤与该确认步骤。
5.如权利要求4所述的光掩模承载平台的维护方法，其中再次进行该确认步骤后判定该固定元件的效能为合格时，提供一预修保养(preventive maintenance，PM)光掩模进行一第二检测步骤，以测定经该曝光装置所形成的一曝光图案是否发生变形(distortion)。
6.如权利要求1所述的光掩模承载平台的维护方法，其中该第一检测步骤包括利用一干涉计通过该激光光束与所对应的该反射结构测量该光掩模的该位置信息。
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