TW201917230A - Mn-Zn-W-O系濺鍍靶及其製造方法 - Google Patents

Mn-Zn-W-O系濺鍍靶及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201917230A
TW201917230A TW107119596A TW107119596A TW201917230A TW 201917230 A TW201917230 A TW 201917230A TW 107119596 A TW107119596 A TW 107119596A TW 107119596 A TW107119596 A TW 107119596A TW 201917230 A TW201917230 A TW 201917230A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sputtering target
powder
target
crystalline phase
manufacturing
Prior art date
Application number
TW107119596A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI757507B (zh
Inventor
加守雄一
Original Assignee
日商迪睿合股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪睿合股份有限公司 filed Critical 日商迪睿合股份有限公司
Publication of TW201917230A publication Critical patent/TW201917230A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI757507B publication Critical patent/TWI757507B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/05—Mixtures of metal powder with non-metallic powder
    • C22C1/051—Making hard metals based on borides, carbides, nitrides, oxides or silicides; Preparation of the powder mixture used as the starting material therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
    • C22C29/12—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on oxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

本發明提供一種Mn相對於W之金屬莫耳比(Mn/W)為1.0以上，並且供DC濺鍍時抑制異常放電，且可實現穩定之成膜之Mn-Zn-W-O系濺鍍靶及其製造方法。 本發明之濺鍍靶係成分組成中包含Mn、Zn、W及O之Mn-Zn-W-O系濺鍍靶，Mn相對於W之含有比(Mn/W)為1.0以上，該濺鍍靶包含W、MnWO4 及MnO之結晶相，相對於W之結晶相與MnWO4 之結晶相之合計100莫耳%，W之結晶相超過16莫耳%。

Description

Mn-Zn-W-O系濺鍍靶及其製造方法
本發明係關於一種尤其可用於形成光資訊記錄媒體之記錄層的Mn-Zn-W-O系濺鍍靶及其製造方法。
近年來，作為材料成本低廉且可獲得良好記錄特性之可錄式光碟之記錄層，包含錳氧化物及複數種無機元素之記錄層逐漸實用化。 上述記錄層可利用包含錳氧化物及複數種無機元素之濺鍍靶形成。作為濺鍍法，有高頻濺鍍法、直流(DC)濺鍍法等，就生產性之觀點而言，較理想為使用DC濺鍍法。
然而，於DC濺鍍法中，由於對濺鍍靶施加直流電壓，故存在因濺鍍靶中之金屬氧化物而無法獲得充分之導電性之情況，而有發生異常放電(電弧作用)之虞。若成膜中發生異常放電，則會損傷記錄層，導致良率降低。
鑒於此種背景，於專利文獻1中，提出有即便供DC濺鍍時亦不會發生異常放電而可實現穩定之成膜之Mn-Zn-W-O系濺鍍靶。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-088932號公報
然而，本發明者進而反覆研究了專利文獻1之Mn-Zn-W-O系濺鍍靶，結果判明：若將濺鍍靶中所含之Mn相對於W之含有比(Mn/W)設為1.0以上，則容易發生異常放電。
本發明係鑒於上述情況而成者，其目的在於提供一種Mn相對於W之金屬莫耳比(Mn/W)為1.0以上，並且供DC濺鍍時抑制異常放電，且可實現穩定之成膜之Mn-Zn-W-O系濺鍍靶及其製造方法。 [解決問題之技術手段]
為了達成上述目的，本發明提供一種濺鍍靶，其係成分組成中包含Mn、Zn、W及O之Mn-Zn-W-O系濺鍍靶，Mn相對於W之含有比(Mn/W)為1.0以上，該濺鍍靶包含W、MnWO4 及MnO之結晶相，相對於W之結晶相與MnWO4 之結晶相之合計100莫耳%，W之結晶相超過16莫耳%。
上述濺鍍靶之上述成分組成中可進而包含Cu。
上述濺鍍靶之上述成分組成中可進而包含選自由Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr及Tb所組成之群中之至少1種以上之元素。
又，本發明提供一種如上述Mn-Zn-W-O系濺鍍靶之製造方法，包括：混合步驟，其係將含有錳氧化物粉末、鋅氧化物粉末及金屬鎢粉末之混合粉末進行12小時以上之濕式混合；及燒結步驟，其係於上述混合步驟之後，將上述混合粉末以600℃以上之溫度進行燒結。
上述混合粉末可進而含有含銅粉末。
上述含銅粉末可為金屬銅粉末。
上述混合粉末可進而含有包含選自由Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr及Tb所組成之群中之至少1種元素之單質或化合物的粉末。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種Mn相對於W之含有比(Mn/W)為1.0以上，並且供DC濺鍍時抑制異常放電，且可實現穩定之成膜之Mn-Zn-W-O系濺鍍靶及其製造方法。
以下就本實施形態進行詳細說明。
[Mn-Zn-W-O系濺鍍靶] 本實施形態之Mn-Zn-W-O系濺鍍靶(以下簡稱為「靶」)於成分組成中包含Mn、Zn、W及O，Mn相對於W之含有比(Mn/W)為1.0以上，該濺鍍靶包含W、MnWO4 及MnO之結晶相，相對於W之結晶相與MnWO4 之結晶相之合計100莫耳%，W之結晶相超過16莫耳%。
根據本實施形態之靶，Mn相對於W之含有比(Mn/W)為1.0以上，並且供DC濺鍍時抑制異常放電，且可實現穩定之成膜。
以下就本實施形態之靶進行詳細內容說明。 本實施形態之靶之Mn相對於W之含有比(Mn/W)為1.0以上。藉由改變靶之各原材料之使用量，可調整Mn/W。上限並無特別限制，可為5.0以下，可為3.0以下，亦可為2.0以下。
作為其他成分比，只要以Mn相對於W之含有比(Mn/W)為1.0以上作為前提，則並無特別限制，可根據目的而適當選擇。例如相對於Mn、Zn及W之合計100原子%，Mn可為10原子%～70原子%，Zn可為10原子%～60原子%，W可為10原子%～40原子%。或者相對於Mn、Zn及W之合計100原子%，Mn可為15原子%～60原子%，Zn可為15原子%～50原子%，W可為15原子%～35原子%。
本實施形態之靶之成分組成中可包含Cu。成分比並無特別限制，可根據目的而適當選擇。例如相對於Mn、Zn、W及Cu之合計100原子%，Cu可為10原子%～40原子%。或者相對於Mn、Zn、W及Cu之合計100原子%，Cu可為15原子%～35原子%。
本實施形態之靶可根據需要包含其他成分組成。藉由適當含有其他元素，例如於使用靶形成資訊記錄媒體之記錄層之情形時，可調整記錄層之透過率、反射率及記錄感度。作為其他元素，例如可列舉選自由Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr及Tb所組成之群中之至少1種元素。
於包含選自由上述Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr及Tb所組成之群中之至少1種元素之情形時，其合計含有率例如相對於靶之構成元素中之除O(氧)以外之構成元素之合計100%，可設為8原子%～70原子%。
又，本實施形態之靶包含W之結晶相、MnWO4 之結晶相及MnO之結晶相。
靶中所含之結晶相可藉由X射線繞射法確認。靶之X射線繞射光譜之獲取可按照常規方法進行。例如使用RIGAKU股份有限公司製造之SmartLab進行θ-2θ掃描，獲取X射線繞射光譜即可。X射線繞射之測定條件可根據靶而適當決定，例如可於以下條件範圍內選擇。 X射線源：Cu-Kα射線 輸出設定：30 kV，15 mA 測角範圍：2θ＝15°～70° 掃描速度：2°(2θ/min)，連續掃描 發散狹縫：1° 散射狹縫：1° 受光狹縫：0.3 mm
靶之主要結晶相之繞射峰係於以下範圍檢測。 W之繞射峰：40.26°±0.3° MnO之繞射峰：35.16°±0.3°、40.99°±0.3°、59.18°±0.3° MnWO4 之繞射峰：29.8°±0.3°、30.23°±0.3° ZnO之繞射峰：36.3°±0.3° Cu之繞射峰：43.47°±0.3°、50.67°±0.3°
於本實施形態之靶中之W之中，W之結晶相之比率相對於W之結晶相與MnWO4 之結晶相之合計100莫耳%超過16莫耳%。具體而言，較佳為18莫耳%以上，更佳為20莫耳%以上。上限並無特別限制，可為60莫耳%以下，亦可為40莫耳%以下。 W之結晶相之比率可藉由減小Mn相對於W之含有比(Mn/W)而增加。又，W之結晶相之比率可藉由降低下述燒結步驟中之燒結溫度而增加。
W之結晶相之比率可藉由X射線光電子光譜法確認。首先，對靶之表面進行研磨。其次，獲取靶之光電子光譜。靶之光電子光譜之獲取可按照常規方法進行。例如使用KRATOS公司製造之AXIS-HS獲取光電子光譜即可。X射線光電子光譜法之測定條件可根據靶而適當決定，例如可於以下條件範圍內選擇。 X射線源：Al 輸出設定：14 kV，10 mA 測定範圍：0 eV～1100 eV 通過能量：30 eV
由W之結晶相與MnWO4 之結晶相所引起之光電子峰係於以下位置檢測。 W之結晶相之光電子峰：約31.4 eV附近 MnWO4 之結晶相之光電子峰：約35.0 eV附近 根據上述光電子峰之峰面積，求出將W之結晶相與MnWO4 之結晶相之合計設為100莫耳%之情形時之W之結晶相之莫耳%。 再者，上述W之結晶相之光電子峰為價數為0之W之4f軌道光電子峰，上述MnWO4 之結晶相之光電子峰為價數為+6之W之4f軌道光電子峰。
於本實施形態之靶中，靶所含之W中之作為W之結晶相者之含有比率較佳為超過16莫耳%，更佳為18莫耳%以上，進而較佳為20莫耳%以上。上限並無特別限制，可為60莫耳%以下，亦可為40莫耳%以下。
再者，本實施形態之靶之形狀並無任何限定，可製成圓盤狀、圓柱狀、四邊形板狀、長方形板狀、正方形板狀等任何形狀，可根據靶之用途而適當選擇。又，靶之寬度及深度之大小(於為圓形之情形時為直徑)亦可根據靶之用途於mm級～m級左右之範圍內適當選擇。例如於靶為圓形之情形時，一般而言直徑為50 mm～300 mm左右。厚度亦相同，一般而言為1 mm～20 mm左右。
又，靶之用途並無任何限定，尤其可用於形成光資訊記錄媒體之記錄層。
[靶之製造方法] 其次，就本實施形態之靶之製造方法進行說明。本實施形態之製造方法包括混合步驟及燒結步驟。
首先，於混合步驟中，將含有錳氧化物粉末、鋅氧化物粉末及金屬鎢粉末之混合粉末進行12小時以上之濕式混合。
作為錳氧化物粉末，例如可使用Mn3 O4 、Mn2 O3 、MnO、MnO2 、MnO3 、Mn2 O7 等。該等可單獨使用1種，亦可將2種以上併用。上述錳氧化物之中，就燒結溫度與熔點之關係而言較佳為Mn3 O4 。 作為含錳粉末之平均粒徑，並未特別限定，例如可設為3 μm～15 μm左右。
作為鋅氧化物粉末，例如可使用ZnO。 作為鋅氧化物粉末之平均粒徑，並未特別限定，例如可設為0.1 μm～3 μm左右。
作為金屬鎢粉末之平均粒徑，並未特別限定，例如可設為1 μm～10 μm左右。
上述混合粉末中可含有含銅粉末。作為含銅粉末，可根據目的而適當選擇，例如可列舉包含Cu單質之金屬銅粉末。 作為含銅粉末之平均粒徑，並未特別限定，例如可設為1 μm～50 μm左右。
又，根據所製造靶之所需目的，混合粉末中亦可含有除上述錳氧化物粉末、鋅氧化物粉末、金屬鎢粉末及含銅粉末以外之其他粉末。作為其他粉末，例如可列舉包含選自由Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr及Tb所組成之群中之至少1種元素之單質或化合物的粉末。
作為濕式混合之方法，並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉利用球磨機裝置之先前公知之濕式混合方法等。
濕式混合時間設為12小時以上。藉由將混合時間設為12小時以上，可將混合粉末充分混合，促進燒結中之錳氧化物之固相反應，可抑制燒結後之氧化錳之結晶相之殘留。混合時間較佳為設為16小時以上，更佳為設為20小時以上。若混合24小時，則混合之效果飽和。
其次，於燒結步驟中，將混合粉末以600℃以上之溫度進行燒結。燒結溫度之上限亦取決於燒結時之靶之成分組成，並未特別限定，可設為1000℃以下。燒結溫度較佳為設為700℃～900℃左右。
作為燒結法，並未特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可列舉惰性氣體氛圍中之熱壓、熱均壓法(HIP法：Hot Isostatic Pressing)等。
燒結時間並未特別限定，可適當選擇，設為通常進行之1小時～6小時左右之燒結時間即可。
又，燒結時所施加之壓力亦並未特別限定，可適當調整，較佳為300 kgf/cm2 ～900 kgf/cm2 左右。再者，1 kgf/cm2 相當於98.1 kPa。
經過以上步驟，可製造Mn相對於W之含有比(Mn/W)為1.0以上，包含W、MnWO4 及MnO之結晶相，相對於W之結晶相與MnWO4 之結晶相之合計100莫耳%，W之結晶相超過16莫耳%的本實施形態之靶。
再者，本實施形態之製造方法除上述混合步驟及燒結步驟以外，亦可包括其他步驟。作為其他步驟，例如可列舉為了形成靶之形狀而進行之混合粉末之成形步驟。 [實施例]
其次，就本發明之實施例進行說明，但本發明並不限定於該等實施例。
[濺鍍靶之製造方法] ＜實施例1＞ 於實施例1中，準備以下粉末作為原料粉末。 Mn3 O4 粉末(純度：99.9%以上，平均粒徑：10 μm) ZnO粉末(純度：99.9%以上，平均粒徑：2 μm) W粉末(純度：99.9%以上，平均粒徑：5 μm) Cu粉末(純度：99.9%以上，平均粒徑：30 μm) 以各含有金屬之比率為Mn：W：Zn：Cu＝40：20：20：20(原子%)之方式秤量上述原料粉末。將所秤量之各原料粉末以及各原料粉末之合計重量之0.5倍之氧化鋯球(直徑5 mm)及0.5倍之乙醇放入容器中，利用球磨機裝置進行合20小時之濕式混。使用網眼2 mm之篩，自包含所混合之上述原料粉末之漿料溶液中分離出氧化鋯球。將漿料溶液加熱乾燥，使用網眼250 μm之篩壓碎，獲得混合粉末。繼而，對上述混合粉末於燒結溫度700℃下施加500 kgf/cm2 之壓力2小時，於氬氣氛圍中進行熱壓，製作濺鍍靶。濺鍍靶之形狀為圓盤狀，尺寸為直徑50 mm。
＜實施例2＞ 於實施例2中，除將燒結溫度設為800℃、將燒結時之壓力設為400 kgf/cm2 以外，藉由與實施例1相同之方法製作濺鍍靶。
＜比較例1＞ 於比較例1中，除將燒結溫度設為900℃、將燒結時之壓力設為300 kgf/cm2 以外，藉由與實施例1相同之方法製作濺鍍靶。
＜實施例3＞ 於實施例3中，除將各含有金屬之比率設為Mn：W：Zn：Cu＝20：20：30：30(原子%)、將燒結溫度設為900℃、將燒結時之壓力設為300 kgf/cm2 以外，藉由與實施例1相同之方法製作濺鍍靶。
＜實施例4＞ 於實施例4中，除將各含有金屬之比率設為Mn：W：Zn：Cu＝30：20：25：25(原子%)、將燒結溫度設為900℃、將燒結時之壓力設為300 kgf/cm2 以外，藉由與實施例1相同之方法製作濺鍍靶。
＜實施例5＞ 於實施例5中，除將各含有金屬之比率設為Mn：W：Zn：Cu＝35：20：25：20(原子%)、將燒結溫度設為900℃、將燒結時之壓力設為300 kgf/cm2 以外，藉由與實施例1相同之方法製作濺鍍靶。
＜比較例2＞ 於比較例2中，除將各含有金屬之比率設為Mn：W：Zn：Cu＝50：20：15：15(原子%)、將燒結溫度設為900℃、將燒結時之壓力設為300 kgf/cm2 以外，藉由與實施例1相同之方法製作濺鍍靶。
[評價] 對於上述實施例1至5以及比較例1及2中所製作之濺鍍靶，進行結晶相之成分評價、W結晶相之成分比、及異常放電次數之測定。各評價係藉由如下方式進行。將所獲得之評價結果示於表1。
＜結晶相之成分評價＞ 藉由X射線繞射法進行濺鍍靶之結晶相之成分評價。於X射線繞射中，使用RIGAKU股份有限公司製造之SmartLab進行θ-2θ掃描，獲得X射線繞射光譜。試驗條件如下。 X射線源：Cu-Kα射線 輸出設定：30 kV，15 mA 測角範圍：2θ＝15°～70° 掃描速度：2°(2θ/min)，連續掃描 發散狹縫：1° 散射狹縫：1° 受光狹縫：0.3 mm
＜W之結晶相之成分比＞ 對濺鍍靶之表面進行研磨之後，使用KRATOS公司製造之AXIS-HS藉由X射線光電子光譜法獲得光電子光譜。作為代表例，將實施例1之濺鍍靶之光電子光譜示於圖1，將比較例1之濺鍍靶之光電子光譜示於圖2。試驗條件如下。 X射線源：Al 輸出設定：14 kV，10 mA 測定範圍：0 eV～1100 eV 通過能量：30 eV
根據於約31.4 eV附近檢測到之W之結晶相之光電子峰之峰面積、及於約35.0 eV附近檢測到之MnWO4 之結晶相之光電子峰之峰面積，求出W之結晶相與MnWO4 之結晶相之比率。
＜異常放電次數之測定＞ 將上述實施例1至5以及比較例1及2中所製作之濺鍍靶藉由In焊接著於無氧銅製背板。將該等濺鍍靶安裝於濺鍍裝置，真空排氣至1×10-4 Pa以下之後，導入Ar氣體及O2 氣體，將裝置內壓力設為0.3 Pa。氧氣之比率(O2 /Ar＋O2 )設為70%。藉由DC電源施加電力5 W/cm2 ，濺鍍30分鐘，利用電弧計數器(arcing counter)測定濺鍍中之異常放電之次數。
[表1]
根據以上結果可確認：即便Mn-Zn-W-Cu-O系濺鍍靶中所含之Mn相對於W之含有比(Mn/W)為1.0以上，若相對於W之結晶相與MnWO4 之結晶相之合計100莫耳%，W之結晶相超過16莫耳%，則亦可抑制異常放電次數，若為16莫耳%以下，則會發生異常放電。
圖1係表示實施例1之濺鍍靶藉由X射線光電子光譜法所獲得之光電子光譜之圖。 圖2係表示比較例1之濺鍍靶藉由X射線光電子光譜法所獲得之光電子光譜之圖。

Claims (7)

  1. 一種濺鍍靶，其係成分組成中包含Mn、Zn、W及O之Mn-Zn-W-O系濺鍍靶， Mn相對於W之含有比(Mn/W)為1.0以上， 該濺鍍靶包含W、MnWO4 及MnO之結晶相， 相對於W之結晶相與MnWO4 之結晶相之合計100莫耳%，W之結晶相超過16莫耳%。
  2. 如請求項1之濺鍍靶，其中上述成分組成中進而包含Cu。
  3. 如請求項1或2之濺鍍靶，其中上述成分組成中進而包含選自由Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr及Tb所組成之群中之至少1種以上之元素。
  4. 一種如請求項1至3中任一項之Mn-Zn-W-O系濺鍍靶之製造方法，包括： 混合步驟，其係將含有錳氧化物粉末、鋅氧化物粉末及金屬鎢粉末之混合粉末進行12小時以上之濕式混合；及 燒結步驟，其係於上述混合步驟之後，將上述混合粉末以600℃以上之溫度進行燒結。
  5. 如請求項4之製造方法，其中上述混合粉末進而含有含銅粉末。
  6. 如請求項5之製造方法，其中上述含銅粉末為金屬銅粉末。
  7. 如請求項4至6中任一項之製造方法，其中上述混合粉末進而含有包含選自由Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr及Tb所組成之群中之至少1種元素之單質或化合物的粉末。
TW107119596A 2017-10-23 2018-06-07 Mn-Zn-W-O系濺鍍靶及其製造方法 TWI757507B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-204321 2017-10-23
JP2017204321A JP6377231B1 (ja) 2017-10-23 2017-10-23 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｗ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201917230A true TW201917230A (zh) 2019-05-01
TWI757507B TWI757507B (zh) 2022-03-11

Family

ID=63249990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107119596A TWI757507B (zh) 2017-10-23 2018-06-07 Mn-Zn-W-O系濺鍍靶及其製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6377231B1 (zh)
CN (1) CN109695021B (zh)
TW (1) TWI757507B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021093229A (ja) * 2019-12-09 2021-06-17 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、及びスパッタリングターゲット
JP2021178748A (ja) * 2020-05-12 2021-11-18 株式会社コベルコ科研 焼結体の製造方法及びスパッタリングターゲットの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5288142B2 (ja) * 2008-06-06 2013-09-11 出光興産株式会社 酸化物薄膜用スパッタリングターゲットおよびその製造法
JP5169888B2 (ja) * 2009-02-04 2013-03-27 住友金属鉱山株式会社 複合タングステン酸化物ターゲット材とその製造方法
JP5876138B2 (ja) * 2012-03-15 2016-03-02 Ｊｘ金属株式会社 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2014046040A1 (ja) * 2012-09-18 2014-03-27 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット
JP6091911B2 (ja) * 2013-01-29 2017-03-08 株式会社Ｓｈカッパープロダクツ Ｃｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット材、Ｃｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット材の製造方法、および半導体素子
JP6560497B2 (ja) * 2015-01-27 2019-08-14 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｗ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6042520B1 (ja) * 2015-11-05 2016-12-14 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6027699B1 (ja) * 2016-02-19 2016-11-16 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｗ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019077907A (ja) 2019-05-23
CN109695021B (zh) 2021-10-12
TWI757507B (zh) 2022-03-11
CN109695021A (zh) 2019-04-30
JP6377231B1 (ja) 2018-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6042520B1 (ja) Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
TWI677583B (zh) Mn-Zn-W-O系濺鍍靶材及其製造方法
EP1903122A1 (en) Sputtering target for the formation of phase-change films and process for the production of the target
TWI788351B (zh) Mn-W-Cu-O系濺鍍靶及其製造方法
TW201917230A (zh) Mn-Zn-W-O系濺鍍靶及其製造方法
TWI807097B (zh) Mn-Nb-W-Cu-O系濺鍍靶材及其製造方法
TWI819094B (zh) Mn-Ta-W-Cu-O系濺鍍靶材及其製造方法
EP3875443A1 (en) Sintered body
JP6450229B2 (ja) Ｍｎ−Ｚｎ−Ｍｏ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2014237889A (ja) 薄膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP7141276B2 (ja) スパッタリングターゲット
CN114592175A (zh) 溅射靶部件及其制造方法