TW201916223A - 藥液生成方法、藥液生成裝置及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種藥液生成方法、藥液生成裝置及基板處理裝置。一種藥液生成方法，生成用以對基板上所形成的膜進行處理的藥液，所述藥液生成方法包括氣體溶解步驟，所述氣體溶解步驟藉由將含有氧氣的含氧氣體及含有惰性氣體的含惰性氣體供給至藥液來使所述含氧氣體及所述含惰性氣體溶解至藥液中，並且藉由將供給至所述藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為與規定的目標溶解氧濃度相對應的混合比來調整藥液的溶解氧濃度。

Description

藥液生成方法、藥液生成裝置及基板處理裝置
本發明有關於一種藥液生成方法、藥液生成裝置及基板處理裝置。在作為處理對象的基板中，例如，包括半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器（Field Emission Display，FED）用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等的製造程序中，會使用用以對半導體晶片或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行處理的基板處理裝置。美國（US）2013306238 A1公報的基板處理裝置為了防止基板因藥液中的氧而氧化，而藉由脫氧來減少藥液中的溶解氧量。藥液的處理能力（例如單位時間的蝕刻量。即蝕刻速率（etching rate））依存於藥液中的溶解氧濃度（溶解氧量）。藥液中的溶解氧濃度因透過配管的氧的溶入等隨時間的經過而上升。而且，因配置基板處理裝置的地方的標高，作用至基板處理裝置的氣壓會不同，並且飽和濃度會發生變化，所以由此藥液中的溶解氧濃度也會發生變化。為了將藥液的處理能力（蝕刻速率）保持為一定，需要精度良好地將藥液中的溶解氧濃度調整為期望的濃度（目標溶解氧濃度）。
US 2013306238 A1公報中記載有逐片對基板進行處理的單片式基板處理裝置。所述基板處理裝置包括生成供給至基板的藥液的藥液生成單元及將由藥液生成單元生成的藥液供給至基板的處理單元。藥液生成單元藉由將含有氧氣的含氧氣體供給至含有四甲基氫氧化銨（Tetra methyl ammonium hydroxide，TMAH）的含TMAH藥液而使含氧氣體溶解至含TMAH藥液中。因使含氧氣體溶解到了含TMAH藥液中，所以藥液中的氧溶解濃度上升。而且，藥液生成單元藉由將含有氮氣的含惰性氣體的氣體供給至含有TMAH的含TMAH藥液而使含惰性氣體的氣體溶解至含TMAH藥液中。因使含惰性氣體的氣體溶解到了含TMAH藥液中，所以藥液中的氧溶解濃度下降。在US 2013306238 A1公報中，槽中所積存的藥液中的氧溶解濃度由溶解氣體感測器來測定。在由溶解氣體感測器測定出的測定值高於規定的閾值濃度的情況下，將含惰性氣體的氣體供給至藥液而使含惰性氣體的氣體溶解至藥液中，在由溶解氣體感測器測定出的測定值低於規定的閾值濃度的情況下，將含氧氣體供給至藥液而使含氧氣體溶解至藥液中。藉由以將所述閾值濃度（目標溶解氧濃度）設為與期望的蝕刻速率相對應的濃度的方式來進行反饋控制，可將藥液中的溶解氧濃度精度良好地調整為與期望的蝕刻速率相對應的閾值濃度（目標溶解氧濃度）。其結果，對基板間或基板處理裝置間的藥液處理的不均進行了抑制。
US 2013306238 A1公報所記載的方法適合於作為對象的藥液的溶解氧濃度與目標溶解氧濃度（與期望的蝕刻速率相對應的目標溶解氧濃度）接近的情況。然而，在作為對象的藥液的溶解氧濃度自目標溶解氧濃度大幅偏離（極高）的情況下，即使想藉由US 2013306238 A1公報所記載的反饋控制來使溶解氧濃度接近期望的溶解氧濃度，也無法在短期間內使藥液中的溶解氧濃度接近期望的溶解氧濃度。
具體來說，為了在短期間內使藥液中的溶解氧濃度接近期望的溶解氧濃度，考慮分別使供給至藥液的含氧氣體及供給至藥液的含惰性氣體的流量增大。然而，當分別使供給至藥液的含氧氣體及供給至藥液的含惰性氣體的流量增大時，因溶解氣體感測器的響應性（在溶解氣體感測器的響應性差的情況下），有反饋控制引起超調量（over shoot），結果未使藥液中的溶解氧濃度正確地接近目標溶解氧濃度的可能性。因此，本案發明者等研究了：不進行反饋控制而生成被精度良好地保持為目標溶解氧濃度的藥液。
因此，本發明的目的之一是提供一種藥液生成方法及藥液生成裝置，可生成被保持為能獲得期望的蝕刻速率那樣的溶解氧濃度的藥液。
而且，本發明的另一目的是提供一種能以期望的蝕刻速率對基板進行處理的基板處理裝置。
本發明提供一種藥液生成方法，生成用以對基板上所形成的膜進行處理的藥液，所述藥液生成方法包括：氣體溶解步驟，藉由將含有氧氣的含氧氣體及含有惰性氣體的含惰性氣體供給至藥液來使所述含氧氣體及所述含惰性氣體溶解至藥液中，並且藉由將供給至所述藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為與規定的目標溶解氧濃度相對應的混合比來調整藥液的溶解氧濃度。
根據所述方法，藉由將含氧氣體及含惰性氣體供給至藥液，含氧氣體及含惰性氣體溶解至藥液中。
本案發明者等得知：藉由使含氧氣體與含惰性氣體的氣體以規定的比率持續供給至藥液，藥液中的溶解氧濃度收斂為一定。而且，本案發明者等也得知：在含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比率（混合比）比較高時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較高的濃度，在含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比率（混合比）比較低時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較低的濃度。
此時，藉由將含氧氣體與含惰性氣體以規定的混合比供給至藥液，使含氧氣體及含惰性氣體持續溶解至藥液中，可將藥液中的溶解氧濃度調整為目標溶解氧濃度。
藥液的蝕刻速率依存於藥液中的溶解氧濃度。為了將藥液的蝕刻速率設為期望的比率（rate），需要將藥液的溶解氧濃度調整為與所述比率相對應的溶解氧濃度（目標溶解氧濃度）。藉由將供給至藥液的含氧氣體與含惰性氣體的混合比設定為與藥液的規定的目標溶解氧濃度相對應的混合比，可生成被保持為目標溶解氧濃度（被保持為能獲得期望的蝕刻速率那樣的溶解氧濃度）的藥液。
而且，可同時進行含氧氣體的供給與含惰性氣體的供給。
所生成的藥液可包括含有TMAH（Tetra methyl ammonium hydroxide）的含TMAH藥液。
在本發明的一實施形態中，所述氣體溶解步驟包括藉由在藥液中噴出所述含氧氣體及所述含惰性氣體來使藥液中產生氣泡的步驟。
根據所述方法，因藉由噴出含氧氣體及含惰性氣體來使藥液中產生氣泡，所以可使供給至藥液的含氧氣體與含惰性氣體的混合比（供給至藥液的含氧氣體與含惰性氣體的流量比）極其接近含氧氣體與含惰性氣體向藥液的溶解比（幾乎可視為相同的程度地接近）。因可將供給至藥液的含氧氣體跟含惰性氣體的混合比與含氧氣體跟含惰性氣體向藥液的溶解比視為相同，所以可藉由對供給至藥液的含氧氣體與含惰性氣體的混合比進行控制來比較容易地控制含氧氣體與含惰性氣體向藥液的溶解比。由此，可生成溶解氧濃度被高精度地保持為規定的目標溶解氧濃度的藥液。
在本發明的一實施形態中，成為所述氣體溶解步驟的對象的藥液包括從處理單元回收的藥液。
根據所述方法，從處理單元回收的藥液的溶解氧濃度極高。需要基於所述藥液的溶解氧濃度而生成溶解氧濃度按期望（的低濃度）得到保持的藥液。對US 2013306238 A1所記載的方法（反饋控制）來說，在作為對象的藥液的溶解氧濃度極高的情況下不適用。
但即使在藥液中的溶解氧濃度極高的情況下，也能夠藉由以預定的混合比對藥液持續供給含氧氣體及含惰性氣體，而將藥液中的溶解氧濃度調整為目標溶解氧濃度。由此，可基於從處理單元回收的藥液（溶解氧濃度極高的藥液）而生成溶解氧濃度按期望（的低濃度）得到保持的藥液。
在本發明的另一實施形態中，所述氣體溶解步驟包括：第1氣體溶解步驟，藉由將供給至所述藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為規定的混合比來調整藥液的溶解氧濃度；以及第2氣體溶解步驟，針對由所述第1氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液，將供給至所述藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為與所述目標溶解氧濃度相對應的混合比，由此來調整藥液的溶解氧濃度。
根據所述方法，因階段性地進行氣體溶解步驟（含氧氣體及含惰性氣體向藥液的溶解），所以即使作為氣體溶解步驟的對象的藥液是具有自目標溶解氧濃度大幅偏離的濃度（例如，極高的濃度或極低的濃度）的藥液，也能夠將藥液中的溶解氧濃度調整為所述目標溶解氧濃度。由此，可更好地生成溶解氧濃度按期望得到保持的藥液。
在本發明的另一實施形態中，所述第1氣體溶解步驟中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的所述混合比與所述第2氣體溶解步驟中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的所述混合比相等。
如前所述，當含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比高時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較高的濃度，當在氣體溶解步驟中含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比低時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較低的濃度。
根據所述方法，因第1氣體溶解步驟中含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比與第2氣體溶解步驟中含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比相等，所以第1氣體溶解步驟中的目標溶解氧濃度與第2氣體溶解步驟中的目標溶解氧濃度彼此相等。由此，可更進一步高精度地將藥液中的溶解氧濃度調整為最終的目標溶解氧濃度。
在本發明的另一實施形態中，所述第1氣體溶解步驟中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的所述混合比高於所述第2氣體溶解步驟中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的所述混合比。
如前所述，當含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比高時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較高的濃度，當在氣體溶解步驟中含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比低時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較低的濃度。
根據所述方法，因第1氣體溶解步驟中含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比高於第2氣體溶解步驟中含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比，所以第1氣體溶解步驟中的目標溶解氧濃度高於第2氣體溶解步驟中的目標溶解氧濃度。由此，可在更短的期間內使藥液中的溶解氧濃度接近最終的目標溶解氧濃度。
在本發明的另一實施形態中，所述藥液生成方法還包括：測定步驟，測定由所述氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液中的溶解氧濃度；惰性氣體溶解步驟，在所述測定步驟測定出的溶解氧濃度高於所述目標溶解氧濃度的情況下，將所述含惰性氣體供給至由所述氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液，由此使所述含惰性氣體溶解至由所述氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液中；以及含氧氣體溶解步驟，在所述測定步驟測定出的溶解氧濃度低於所述目標溶解氧濃度的情況下，將所述含氧氣體供給至由所述氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液，由此使所述含氧氣體溶解至由所述氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液中。
根據所述方法，供給至由氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液的氣體根據所述藥液中的溶解氧濃度而進行切換。即，根據所述藥液中的溶解氧濃度而進行反饋控制，將含氧氣體及含惰性氣體的氣體中的一者供給至含TMAH藥液。由此，可將藥液中的溶解氧濃度高精度地調整為一定的濃度。
對氣體溶解後的藥液即溶解氧濃度已充分接近目標溶解氧濃度的藥液進行所述反饋控制。在藥液溶解氧濃度已充分接近目標溶解氧濃度的情況下，即使藉由反饋控制也可將藥液中的溶解氧濃度高精度地調整為目標溶解氧濃度。
本發明提供一種藥液生成裝置，生成供給至處理單元中形成在基板上的膜的藥液，所述藥液生成裝置包括：槽，貯存用以供給至所述處理單元的藥液；以及氣體溶解單元，針對貯存在所述槽中的藥液，使含有氧氣的含氧氣體及含有惰性氣體的含惰性氣體溶解至藥液中，並且藉由將供給至藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為與規定的目標溶解氧濃度相對應的混合比來調整貯存在所述槽中的藥液的溶解氧濃度。
根據所述構成，藉由將含氧氣體及含惰性氣體供給至藥液，含氧氣體及含惰性氣體溶解至藥液中。
本案發明者等得知：藉由使含氧氣體與含惰性氣體的氣體以規定的比率持續供給至藥液，藥液中的溶解氧濃度收斂為一定。而且，本案發明者等也得知：在含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比率（混合比）比較高時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較高的濃度，在含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比率（混合比）比較低時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較低的濃度。
此時，藉由將含氧氣體與含惰性氣體以規定的混合比供給至藥液，使含氧氣體及含惰性氣體持續溶解至藥液中，可將藥液中的溶解氧濃度調整為目標溶解氧濃度。
藥液的蝕刻速率依存於藥液中的溶解氧濃度。為了將藥液的蝕刻速率設為期望的比率，需要將藥液的溶解氧濃度調整為與所述比率相對應的溶解氧濃度（目標溶解氧濃度）。藉由將供給至藥液的含氧氣體與含惰性氣體的混合比設定為與藥液的規定的目標溶解氧濃度相對應的混合比，可生成被保持為目標溶解氧濃度（被保持為能獲得期望的蝕刻速率那樣的溶解氧濃度）的藥液。
而且，可同時進行含氧氣體的供給與含惰性氣體的供給。
而且，所生成的藥液可包括含有TMAH（Tetra methyl ammonium hydroxide）的含TMAH藥液。
在本發明的一實施形態中，所述氣體溶解單元包括起泡（bubbling）單元，所述起泡單元藉由從配置在由所述槽貯存的藥液中的氣體噴出口噴出所述含氧氣體及所述含惰性氣體來使藥液中產生氣泡。
根據所述構成，因藉由噴出含氧氣體及含惰性氣體來使藥液中產生氣泡，所以可使供給至藥液的含氧氣體與含惰性氣體的混合比極其接近含氧氣體與含惰性氣體向藥液的溶解比（幾乎可視為相同的程度地接近）。因可將供給至藥液的含氧氣體跟含惰性氣體的混合比與含氧氣體跟含惰性氣體向藥液的溶解比視為相同，所以可藉由對供給至藥液的含氧氣體與含惰性氣體的混合比進行控制來比較容易地控制含氧氣體與含惰性氣體向藥液的溶解比。由此，可生成溶解氧濃度被高精度地保持為規定的目標溶解氧濃度的藥液。
在本發明的一實施形態中，所述槽中貯存有從所述處理單元回收的藥液。
根據所述構成，從處理單元回收的藥液的溶解氧濃度極高。對US 2013306238 A1所記載的方法（反饋控制）來說，在作為對象的藥液的溶解氧濃度極高的情況下不適用。
然而，即使在藥液中的溶解氧濃度極高的情況下，也能夠藉由以預定的混合比對藥液持續供給含氧氣體及含惰性氣體，而將藥液中的溶解氧濃度調整為目標溶解氧濃度。由此，可基於從處理單元回收的藥液（溶解氧濃度極高的藥液）而生成溶解氧濃度按期望（的低濃度）得到保持的藥液。
在本發明的另一實施形態中，所述槽包括第1槽，所述氣體溶解單元包括第1氣體溶解單元，所述第1氣體溶解單元藉由將含有氧氣的含氧氣體及含有惰性氣體的含惰性氣體供給至貯存在所述第1槽中的藥液來使所述含氧氣體及所述含惰性氣體溶解至藥液中，並且藉由將供給至藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為規定的混合比來調整貯存在所述第1槽中的藥液的溶解氧濃度。並且，所述槽還包括貯存由所述第1氣體溶解單元進行氣體溶解後的藥液的第2槽。而且，所述氣體溶解單元還包括第2氣體溶解單元，所述第2氣體溶解單元藉由將所述含氧氣體及所述含惰性氣體供給至貯存在所述第2槽中的藥液來使所述含氧氣體及所述含惰性氣體溶解至藥液中，並且藉由將供給至藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為與所述目標溶解氧濃度相對應的混合比來調整貯存在所述第2槽中的藥液的溶解氧濃度。
根據所述構成，因階段性地進行氣體溶解步驟（含氧氣體及含惰性氣體向藥液的溶解），所以即使作為氣體溶解步驟的對象的藥液是自目標溶解氧濃度大幅偏離（例如，具有極高的濃度或極低的濃度）的藥液，也能夠將藥液中的溶解氧濃度調整為目標溶解氧濃度。由此，可更好地生成溶解氧濃度按期望得到保持的藥液。
在本發明的另一實施形態中，所述第1氣體溶解單元中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的比即所述混合比與所述第2氣體溶解單元中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的比即所述混合比相等。
如前所述，當含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比高時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較高的濃度，當在氣體溶解步驟中含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比低時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較低的濃度。
根據所述構成，因第1氣體溶解步驟中含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比與第2氣體溶解步驟中含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比相等，所以第1氣體溶解步驟中的目標溶解氧濃度與第2氣體溶解步驟中的目標溶解氧濃度彼此相等。由此，可更進一步高精度地將藥液中的溶解氧濃度調整為最終的目標溶解氧濃度。
在本發明的另一實施形態中，所述第1氣體溶解單元中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的比即所述混合比高於所述第2氣體溶解單元中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的比即所述混合比。
根據所述構成，因第1氣體溶解步驟中含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比高於第2氣體溶解步驟中含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比，所以第1氣體溶解步驟中的目標溶解氧濃度高於第2氣體溶解步驟中的目標溶解氧濃度。由此，可在更短的期間內使藥液中的溶解氧濃度接近最終的目標溶解氧濃度。
在本發明的另一實施形態中，所述藥液生成裝置還包括：第3槽，貯存由所述氣體溶解單元進行氣體溶解後的藥液；測定單元，測定貯存在所述第3槽中的藥液中的溶解氧濃度；惰性氣體溶解單元，藉由將所述含惰性氣體彼此同時地供給至貯存在所述第3槽中的藥液來使所述含惰性氣體溶解至藥液中；氧氣溶解單元，藉由將所述含氧氣體彼此同時地供給至貯存在所述第3槽中的藥液來使所述含氧氣體溶解至藥液中；以及控制裝置，對所述測定單元、惰性氣體溶解單元及氧氣溶解單元進行控制。並且，所述控制裝置可執行：測定步驟，由所述測定單元對貯存在所述第3槽中的藥液中的溶解氧濃度進行測定；惰性氣體溶解步驟，在所述測定步驟測定出的溶解氧濃度高於所述目標溶解氧濃度的情況下，使所述含惰性氣體溶解至貯存在所述第3槽中的藥液中；以及含氧氣體溶解步驟，在所述測定步驟測定出的溶解氧濃度低於所述目標溶解氧濃度的情況下，使所述含氧氣體溶解至貯存在所述第3槽中的藥液中。
根據所述構成，供給至由氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液的氣體根據所述藥液中的溶解氧濃度而進行切換。即，根據所述藥液中的溶解氧濃度而進行反饋控制，將含氧氣體及含惰性氣體的氣體中的一者供給至含TMAH藥液。由此，可將藥液中的溶解氧濃度高精度地調整為一定的濃度。
對氣體溶解後的藥液即溶解氧濃度已充分接近目標溶解氧濃度的藥液進行所述反饋控制。在藥液溶解氧濃度已充分接近目標溶解氧濃度的情況下，即使藉由反饋控制也可將藥液中的溶解氧濃度高精度地調整為目標溶解氧濃度。
本發明提供一種基板處理裝置，其包括藥液生成裝置及處理單元，所述藥液生成裝置生成藥液並包括：槽，貯存用以供給至所述處理單元的藥液；以及氣體溶解單元，針對貯存在所述槽中的藥液，使含有氧氣的含氧氣體及含有惰性氣體的含惰性氣體溶解至藥液中，並且藉由將供給至藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為與規定的目標溶解氧濃度相對應的混合比來調整貯存在所述槽中的藥液的溶解氧濃度，所述處理單元將由所述藥液生成裝置生成的所述藥液供給至基板。
根據所述構成，藉由將含氧氣體及含惰性氣體供給至藥液，含氧氣體及含惰性氣體溶解至藥液中。
本案發明者等得知：藉由使含氧氣體與含惰性氣體的氣體以規定的比率持續供給至藥液，藥液中的溶解氧濃度收斂為一定。而且，本案發明者等也得知：在含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比率（混合比）比較高時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較高的濃度，在含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比率（混合比）比較低時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較低的濃度。
此時，藉由將含氧氣體與含惰性氣體以規定的混合比供給至藥液，使含氧氣體及含惰性氣體持續溶解至藥液中，可將藥液中的溶解氧濃度調整為期望的濃度。
藥液的蝕刻速率依存於藥液中的溶解氧濃度。為了將藥液的蝕刻速率設為期望的比率，需要將藥液的溶解氧濃度調整為與所述比率相對應的溶解氧濃度（目標溶解氧濃度）。藉由將供給至藥液的含氧氣體與含惰性氣體的混合比設定為與藥液的規定的目標溶解氧濃度相對應的混合比，可生成被保持為目標溶解氧濃度（被保持為能獲得期望的蝕刻速率那樣的溶解氧濃度）的藥液。
而且，可同時進行含氧氣體的供給與含惰性氣體的供給。
如此，可使用被保持為目標溶解氧濃度（被保持為能獲得期望的蝕刻速率那樣的溶解氧濃度）的藥液來對基板進行處理，所以能夠以期望的蝕刻速率來對基板進行處理。
本發明中前述的或者進而另一目的、特徵以及效果藉由接下來參照添附圖示進行敘述的實施形態的說明而明確。
＜第1實施形態＞
圖1是沿水平方向觀察本發明的第1實施形態的基板處理裝置的圖。
如圖1所示，基板處理裝置1包括：使用藥液或清洗液等處理液對基板（例如矽基板）W進行處理的處理單元2、作為將藥液的一例即TMAH（含TMAH藥液、水溶液）供給至處理單元2的藥液生成單元的藥液生成單元（藥液生成裝置）3、及對基板處理裝置1所配備的裝置或閥的開閉進行控制的控制裝置4。
處理單元2與藥液生成單元3既可以是共同的裝置的一部分，也可以是彼此獨立的單元（可彼此獨立地移動的單元）。即，在基板處理裝置1中，藥液生成單元3既可以配置在基板處理裝置1的外壁中，並由所述外壁覆蓋，也可以配置在基板處理裝置1的外壁之外。在配置在外壁之外的情況下，既可以配置在基板處理裝置1的側方，也可以配置在設置基板處理裝置1的潔淨室（clean room）的下方（地下）。
而且，處理單元2既可以是逐片對基板W進行處理的單片式單元，也可以是對多枚基板W進行統括處理的批量式單元。圖1中示出了處理單元2為單片式單元的示例。
處理單元2所進行的處理既可以包括對在最外層形成有多晶矽膜（Poly-Si膜）等對象膜的基板W供給蝕刻液的蝕刻處理，也可以包括對曝光後的基板W供給顯影液的顯影處理。
處理單元2包括箱形的腔室5、在腔室5內水平地保持基板W並使基板W圍繞著穿過基板W的中心的鉛垂的軸線旋轉的旋轉卡盤（spin chuck）6、及將藥液或清洗液等處理液朝基板W噴出的處理液噴嘴。進而，處理單元2包括環繞旋轉卡盤6的筒狀的處理杯8。處理液噴嘴包括朝基板W的上表面噴出藥液的藥液噴嘴（第1藥液噴嘴9及第2藥液噴嘴10）及朝基板W的上表面噴出清洗液的清洗液噴嘴11。
如圖1所示，第1藥液噴嘴9連接於藥液生成單元3。從藥液生成單元3對第1藥液噴嘴9供給作為藥液的一例的TMAH（含TMAH藥液、水溶液）。TMAH是有機鹼的一例。TMAH也可以是蝕刻液及顯影液的一例。供給至第1藥液噴嘴9的TMAH既可以含有表面活性劑，也可以不含有表面活性劑。
第2藥液噴嘴10連接於插裝有第2藥液閥12的第2藥液配管13。第2藥液配管13將來自氫氟酸供給源的氫氟酸供給至第2藥液噴嘴10。
清洗液噴嘴11連接於插裝有清洗液閥14的清洗液配管15。清洗液配管15中將來自清洗液供給源的清洗液供給至清洗液噴嘴11。供給至清洗液噴嘴11的清洗液例如為純水（去離子水：Deionized water），但並不限於純水，還可以是碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、氨水及稀釋濃度（例如，10 ppm～100 ppm程度）的鹽酸水中的任一者。
在處理單元2中，進行將例如氫氟酸、清洗液、TMAH及清洗液以此順序依次供給至基板W的整個上表面的蝕刻處理。具體來說，控制裝置4藉由旋轉卡盤6一面水平地保持基板W一面使所述基板W圍繞著鉛垂的軸線旋轉。在此狀態下，控制裝置4打開第2藥液閥12，並使氫氟酸從第2藥液噴嘴10朝基板W的上表面噴出。已供給至基板W的氫氟酸由於基板W的旋轉引起的離心力而在基板W上朝外側擴展，從而基板W的整個上表面被氫氟酸處理（氫氟酸處理）。控制裝置4在使第2藥液噴嘴10停止噴出氫氟酸之後，藉由打開清洗液閥14而使純水從清洗液噴嘴11朝旋轉狀態的基板W的上表面噴出。由此，基板W上的氫氟酸被純水清洗（清洗處理）。
其次，控制裝置4藉由控制藥液生成單元3而使TMAH從第1藥液噴嘴9朝旋轉狀態的基板W的上表面噴出。已供給至基板W的TMAH由於基板W的旋轉引起的離心力而在基板W上朝外側擴展，從而基板W的整個上表面被TMAH處理（TMAH處理）。控制裝置4在使第1藥液噴嘴9停止噴出TMAH之後，藉由打開清洗液閥14而使純水從清洗液噴嘴11朝旋轉狀態的基板W的上表面噴出。由此，基板W上的TMAH被純水清洗（清洗處理）。其次，控制裝置4藉由旋轉卡盤6而使基板W高速旋轉，由此使基板W乾燥（旋乾處理）。如此進行對基板W的一連串處理。
藥液生成單元3包括：貯存TMAH的槽16、將槽16內的TMAH引導至處理單元2（第1藥液噴嘴9）的第1藥液配管17、對第1藥液配管17的內部進行開閉的第1藥液閥18、在比第1藥液閥18更靠上游測（槽16側）的位置將第1藥液配管17與槽16予以連接的循環配管19、用以將在循環配管19內循環的TMAH的溫度調整為期望的液溫的溫度調整單元20（加熱單元或冷卻單元）、用以將槽16內的TMAH送出至循環配管19的送液泵21、去除在循環配管19內循環的TMAH中的异物的過濾器22、對循環配管19的內部進行開閉的循環閥23、及將來自TMAH供給源的TMAH補充至槽16的補充配管24。
循環配管19的上游端19a及下游端19b連接於槽16。循環配管19包括汲取槽16內的TMAH並將其引導至循環配管19內的供給部、連接有第1藥液配管17的上游端的連接部、及將藉由了連接部的TMAH引導至槽16的返還部。
在將槽16內的TMAH供給至處理單元2時，第1藥液閥18打開，循環閥23關閉。在此狀態下，由送液泵21從槽16送至第1藥液配管17的TMAH被供給至處理單元2。
另一方面，在已停止對處理單元2供給TMAH的狀態下，循環閥23打開，第1藥液閥18關閉。在此狀態下，由送液泵21從槽16送至循環配管19的供給部的TMAH經由循環配管19的返還部而回到槽16內。因此，在已停止對處理單元2供給TMAH的供給停止過程中，TMAH在由槽16、第1藥液配管17及循環配管19形成的循環路徑中繼續循環。
如圖1所示，藥液生成單元3包括氣體溶解單元26，所述氣體溶解單元26將含氧氣體與含惰性氣體的混合氣體供給至槽16內，並在槽16內使含氧氣體及含惰性氣體溶解至TMAH中。
氣體溶解單元26包括：在槽（槽16）內噴出含氧氣體與含惰性氣體的氣體的混合氣體的混合氣體配管28、對混合氣體配管28供給來自含氧氣體供給源的含氧氣體的含氧氣體配管29、及對混合氣體配管28供給來自含惰性氣體的氣體供給源的含惰性氣體的氣體的含惰性氣體的氣體配管30。含惰性氣體的氣體既可以是氮氣也可以是氮氣與氮氣之外的氣體的混合氣體。同樣地，含氧氣體既可以是氧氣也可以是氧氣與氧氣之外的氣體的混合氣體。以下，對含惰性氣體的氣體為作為惰性氣體的一例的氮氣，含氧氣體為以大致8對2的比例含有氮與氧的乾燥空氣（乾燥的潔淨空氣）的示例進行說明。而且，混合氣體配管28包括起泡配管，所述起泡配管藉由從配置在TMAH中（液中）的噴出口噴出含氧氣體與含惰性氣體的氣體的混合氣體而使TMAH中產生氣泡。
氣體溶解單元26包括用以對氣體溶解單元26中給至TMAH的含氧氣體及含惰性氣體的氣體的混合比（供給流量比。具體來說是溶解至TMAH中的含氧氣體與含惰性氣體的比率）進行調整的混合比調整單元。混合比調整單元包括：對從含氧氣體配管29供給至混合氣體配管28的含氧氣體的流量進行變更的第1流量調整閥31及對從含惰性氣體的氣體配管30供給至混合氣體配管28的含惰性氣體的氣體的流量進行變更的第2流量調整閥32。第1流量調整閥31包括內部設有閥座的閥體、對閥座進行開閉的閥元件及使閥元件在開位置與閉位置之間移動的致動器。其它流量調整閥32也相同。
圖2是用以說明基板處理裝置1的電氣構成的框圖。圖3A及圖3B是表示供給以1:1的混合比（供給流量比）混合乾燥空氣與氮氣而成的混合氣體時的TMAH中的溶解氧濃度的變化的圖。圖3C是表示供給以1:4的混合比（供給流量比）混合乾燥空氣與氮氣而成的混合氣體時的TMAH中的溶解氧濃度的變化的圖。圖4是表示TMAH的期望的溶解氧濃度與含氧氣體相對於含惰性氣體的供給流量比的對應關係的圖。另外，TMAH的處理能力（例如單位時間的蝕刻量。即蝕刻速率）因TMAH中的溶解氧濃度而變化。即，TMAH的蝕刻速率依存於TMAH中的溶解氧濃度（溶解氧量）。
在圖3A及圖3C中，示出了混合氣體供給前的TMAH中的溶解氧濃度高的情況（約4.6 ppm），在圖3B中示出了混合氣體供給前的TMAH中的溶解氧濃度低的情況（約0.5 ppm）。
如圖3A及圖3B所示，在乾燥空氣與氮氣的混合比為1:1的情況下，在混合氣體供給前的TMAH中的溶解氧濃度高的情況（約4.6 ppm）及低的情況（約0.5 ppm）中的任一者中，TMAH中的溶解氧濃度均隨時間的經過而收斂為大約2.7 ppm。
另一方面，如圖3C所示，在乾燥空氣與氮氣的混合比為1:4的情況下，TMAH中的溶解氧濃度隨時間的經過而收斂為大約1.5 ppm。
因此，從圖3A及圖3B可知：藉由使含氧氣體及含惰性氣體的氣體以規定的比率持續供給至TMAH，TMAH中的溶解氧濃度收斂為一定。而且，從圖3A及圖3C還可知：在含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比率比較高的情況下，TMAH中的溶解氧濃度收斂為比較高的濃度，在含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比率比較低的情況下，TMAH中的溶解氧濃度收斂為比較低的濃度。
進而，本案發明者等改變流量來嘗試了多種實驗，結果得知：所收斂的TMAH中的溶解氧濃度與含氧氣體或含惰性氣體的氣體的實際的流量無關，而是由含氧氣體與含惰性氣體的氣體的供給流量的比率（混合比）來決定。另外，如前所述，TMAH的蝕刻速率依存於TMAH中的溶解氧濃度（溶解氧量）。如圖2所示，控制裝置4例如使用微型計算機（microcomputer）來構成。控制裝置4具有中央處理器（central processing unit，CPU）等運算單元41、固定記憶體裝置（memory device）（未圖示）、硬碟驅動器（Hard Disk Drive）等記憶單元42、輸出單元43及輸入單元（未圖示）。記憶單元42中儲存有運算單元41要執行的程式。
記憶單元42包括能夠電性改寫數據的非揮發性記憶體。記憶單元42儲存有應供給至基板W的TMAH的濃度（與期望的蝕刻速率相對應的TMAH的濃度）。而且，記憶單元42儲存有跟含氧氣體與含惰性氣體的供給流量比相關聯的信息與、以所述流量比供給了含氧氣體及含惰性氣體時所收斂的TMAH的溶解氧濃度（收斂溶解氧濃度）的對應關係44。
對應關係44既可以以表的形式儲存，也可以以映射的形式儲存，還可以以圖表（graph）（即式）的形式儲存。
將對應關係44的一例示於圖4。在圖4中，對應關係44是含氧氣體的供給流量相對於含氧氣體及含惰性氣體的供給流量的比（F（Air）/F（Air+N2 ））與收斂溶解氧濃度的對應關係。兩者具有一次函數的關係，隨著含氧氣體的供給流量相對於含氧氣體及含惰性氣體的供給流量的比變高，收斂溶解氧濃度也變高。對應關係44並不限於所述形式，也可以是含惰性氣體的供給流量相對於含氧氣體及含惰性氣體的供給流量的比與收斂溶解氧濃度的對應關係。而且，對應關係44既可以是含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的氣體的供給流量的比，也可以是含惰性氣體的氣體的供給流量相對於含氧氣體的供給流量的比。
控制裝置4連接有送液泵21、溫度調整單元20等作為控制對象。而且，控制裝置4連接有第1藥液閥18、第2藥液閥12、清洗液閥14、第1流量調整閥31、第2流量調整閥32等作為控制對象。
對本實施形態中的貯存在槽16中的TMAH的溶解氧濃度的調整（氣體溶解步驟）進行說明。控制裝置4控制氣體溶解單元26將包含含氧氣體及含惰性氣體的氣體的混合氣體供給至混合氣體配管28。由此，混合氣體配管28從配置在TMAH中（液中）的噴出口噴出含氧氣體與含惰性氣體的氣體的混合氣體，由此，使TMAH中產生混合氣體的氣泡。由此，含氧氣體及含惰性氣體的氣體被溶解至TMAH中。另外，如前所述，TMAH的蝕刻速率依存於TMAH中的溶解氧濃度（溶解氧量）。
而且，控制裝置4控制混合比調整單元（第1流量調整閥31、第2流量調整閥32）對供給至TMAH的混合氣體中所含的含氧氣體與含惰性氣體的氣體的流量比進行調整。（由此，對溶解至TMAH的含氧氣體與含惰性氣體的氣體的溶解比進行調整。）具體來說，控制裝置4從記憶單元42獲取應供給至基板W的TMAH的濃度（與期望的蝕刻速率相對應的TMAH的濃度）。而且，控制裝置4參照記憶單元42的含氧氣體跟含惰性氣體的供給流量比與收斂溶解氧濃度的對應關係44，獲取應供給至基板W的TMAH的濃度（與期望的蝕刻速率相對應的TMAH的濃度）為目標溶解氧濃度（即，收斂溶解氧濃度）時的含氧氣體與含惰性氣體的供給流量比。並且，控制裝置4以成為所獲取的供給流量比的方式對第1流量調整閥31及第2流量調整閥32的開度分別進行調整。由此，在TMAH中產生有氣泡的混合氣體中所含的混合比（即，含氧氣體與含惰性氣體的供給流量比）得到調整。因藉由噴出含氧氣體及含惰性氣體來使TMAH中產生氣泡，所以可使在TMAH中產生有氣泡的混合氣體中所含的混合比極其接近含氧氣體與含惰性氣體向TMAH的溶解比（幾乎可視為相同的程度地接近）。因可將供給至TMAH的含氧氣體跟含惰性氣體的混合比（流量比）與含氧氣體跟含惰性氣體向TMAH的溶解比視為相同，所以可藉由對供給至TMAH的含氧氣體與含惰性氣體的混合比進行控制來比較容易地控制含氧氣體與含惰性氣體向TMAH的溶解比。由此，可生成溶解氧濃度被高精度地保持為規定的目標溶解氧濃度的TMAH。
另外，貯存在槽16中的TMAH的溶解氧濃度的響應性依存於供給至槽16的含氧氣體的供給流量及含惰性氣體的供給流量。隨著供給至槽16的含氧氣體的供給流量及含惰性氣體的供給流量增大，TMAH的溶解氧濃度到達目標溶解氧濃度的時間變短。
如上所述，根據本實施形態，藉由將含氧氣體及含惰性氣體供給至TMAH，含氧氣體及含惰性氣體溶解至TMAH中。藉由使含氧氣體及含惰性氣體的氣體以規定的混合比持續供給至TMAH，TMAH中的溶解氧濃度收斂為一定。因此，藉由將供給至TMAH的含氧氣體與含惰性氣體的混合比設定為與TMAH的規定的目標溶解氧濃度相對應的混合比，可生成被保持為目標溶解氧濃度（被保持為能獲得期望的蝕刻速率那樣的溶解氧濃度）的TMAH。
而且，在第1實施形態中，也可以將從處理單元2回收的TMAH貯存在槽16中，並藉由氣體溶解單元26對回收的TMAH供給含氧氣體及含惰性氣體的氣體。
從處理單元2回收的TMAH的溶解氧濃度極高。需要基於所述TMAH的溶解氧濃度而生成溶解氧濃度按期望（的低濃度）得到保持的TMAH。對US 2013306238 A1所記載的方法（反饋控制）來說，在作為對象的TMAH的溶解氧濃度極高的情況下不適用。
但即使在TMAH中的溶解氧濃度極高的情況下，也能夠藉由以預定的混合比（供給流量比）對TMAH持續供給含氧氣體及含惰性氣體，而將TMAH中的溶解氧濃度調整為與期望的蝕刻速率相對應的目標溶解氧濃度。由此，可基於從處理單元回收的TMAH（溶解氧濃度極高的TMAH）而生成溶解氧濃度按期望（的低濃度）得到保持的TMAH。
由此，在基板處理裝置1中，可使用被保持為目標溶解氧濃度（被保持為能獲得期望的蝕刻速率那樣的溶解氧濃度）的藥液來對基板進行處理。由此，能夠以期望的蝕刻速率來對基板W進行處理。
＜第2實施形態＞
圖5是從上觀察本發明的第2實施形態的基板處理裝置201的示意圖。
在第2實施形態中，針對與所述第1實施形態（圖1～圖4所示的實施形態）共通的部分標注與圖1～圖4的情況相同的參照符號並省略說明。
基板處理裝置201是逐片對半導體晶片等圓板狀的基板W進行處理的單片式裝置。基板處理裝置201包括對前開式統一標準盒（Front-Opening Unified Pod，FOUP）等基板收容器C進行保持的多個裝載埠LP及以處理液或處理氣體等處理流體對從多個裝載埠LP搬送來的基板W進行處理的多個處理單元202。
基板處理裝置201還包括在裝載埠LP與處理單元202之間搬送基板W的搬送機器人。搬送機器人包括標引機器人（indexer robot）IR及基板搬送機器人（center robot）CR。標引機器人IR是在裝載埠LP與基板搬送機器人CR之間搬送基板W。基板搬送機器人CR是在標引機器人IR與處理單元202之間搬送基板W。標引機器人包括支撐基板W的手部（hand）。同樣地，基板搬送機器人CR包括支撐基板W的手部。各處理單元202與第1實施形態的處理單元2（參照圖1）為同等的構成。
基板處理裝置201包含收容後述噴出閥275等流體設備的多個（例如四個）流體箱204。處理單元202及流體箱204配置在基板處理裝置201的外壁201a中，由基板處理裝置201的外壁201a覆蓋。收容後述槽211、槽212、槽213、槽214等的箱狀的藥液生成單元（藥液生成裝置）205配置在基板處理裝置201的外壁201a之外。藥液生成單元205既可可以配置在基板處理裝置201的側方，還可以配置在設置基板處理裝置201的潔淨室的下方（地下）。
多個處理單元202形成了俯視時以環繞基板搬送機器人CR的方式而配置的多個（例如四個）塔。各塔包含上下層疊著的多個（例如三個）處理單元202。四個流體箱204分別與四個塔相對應。四個藥液生成單元205也分別與四個塔相對應。
貯存在各藥液生成單元205中的藥液經由此藥液生成單元205所對應的流體箱204而供給至此藥液生成單元205所對應的三個處理單元202。而且，構成同一塔的三個處理單元202中使用完的藥液（例如TMAH）經由此塔所對應的流體箱204而被回收至此塔所對應的藥液生成單元205內。
圖6是從水平方向觀察藥液生成單元205的圖。
藥液生成單元205包括：貯存從對應的三個處理單元202回收的TMAH的回收槽（第1槽）211、貯存新液的TMAH的新液槽（第1槽）212、貯存應供給至對應的三個處理單元202的TMAH的供給槽（第3槽）214、及供給槽214的藥液供給緩衝用的緩衝槽（第2槽）213。在供給槽214的上游測連接有緩衝槽213，在緩衝槽213的上游側連接有回收槽211及新液槽212。
藥液生成單元205還包括：第1送液配管221，用以將TMAH從集合回收槽215送至回收槽211，所述集合回收槽215用以貯存從各處理單元202的處理杯8回收的TMAH；以及回收用氣體溶解單元（第1氣體供給溶解單元）223，對回收槽211內的TMAH供給含氧氣體及含惰性氣體，使含氧氣體及含惰性氣體溶解至所述TMAH中。集合回收槽215內的TMAH被第1送液泵222移動至第1送液配管221。
從處理單元202回收的TMAH的溶解氧濃度極高（大致與飽和濃度一致）。因此，供給並貯存在回收槽211中的TMAH的溶解氧濃度也極高。
含惰性氣體的氣體既可以是氮氣也可以是氮氣與氮氣之外的氣體的混合氣體。同樣地，含氧氣體既可以是氧氣也可以是氧氣與氧氣之外的氣體的混合氣體。以下，對含惰性氣體的氣體為作為惰性氣體的一例的氮氣，含氧氣體為以大致8對2的比例含有氮與氧的乾燥空氣（乾燥的潔淨空氣）的示例進行說明。
回收用氣體溶解單元223包括：將含氧氣體與含惰性氣體的氣體的混合氣體在回收槽211內噴出的混合氣體配管28、含氧氣體配管29、含惰性氣體的氣體配管30、第1流量調整閥31及第2流量調整閥32。回收用氣體溶解單元223與第1實施形態的氣體溶解單元26為同等的構成，所以標注相同的參照符號並省略說明。
藥液生成單元205還包括用以將新液的TMAH原液供給至新液槽212的第1 TMAH補充配管226、用以將新液的純水供給至新液槽212的第1純水補充配管227及對新液槽212內的TMAH供給含氧氣體及含惰性氣體，使含氧氣體及含惰性氣體以預定的比率溶解至所述TMAH中的新液用氣體溶解單元（第1氣體供給溶解單元）228。
對第1純水補充配管227供給有來自設置基板處理裝置1的工廠中所設的純水供給源的純水。因此，經由第1純水補充配管227而給至新液槽212的純水是溶解氧濃度極低的水。因此，將來自第1 TMAH補充配管226的新液的TMAH原液與來自第1純水補充配管227的新液的純水混合而得的TMAH中的溶解氧濃度低。因此，貯存在新液槽212中的TMAH中的溶解氧濃度低。
新液用氣體溶解單元228包括：將含氧氣體與含惰性氣體的氣體的混合氣體在回收槽211內噴出的混合氣體配管28、含氧氣體配管29、含惰性氣體的氣體配管30、第1流量調整閥31及第2流量調整閥32。新液用氣體溶解單元228與第1實施形態的氣體溶解單元26為同等的構成，所以標注相同的參照符號並省略說明。
藥液生成單元205還包括用以將TMAH從回收槽211送至緩衝槽213的第2送液配管231、用以使回收槽211內的TMAH移動至第2送液配管231的第2送液泵232、用以將TMAH從新液槽212送至緩衝槽213的第3送液配管233、用以使新液槽212內的TMAH移動至第3送液配管233的第3送液泵234、對緩衝槽213內的TMAH供給含氧氣體及含惰性氣體，使含氧氣體及含惰性氣體溶解至所述TMAH中的緩衝用氣體溶解單元（第2氣體供給溶解單元）235、用以將新液的TMAH原液供給至緩衝槽213的第2 TMAH補充配管236、及用以將新液的純水供給至緩衝槽213的第2純水補充配管237。
緩衝用氣體溶解單元235包括：將含氧氣體與含惰性氣體的氣體的混合氣體在回收槽211內噴出的混合氣體配管28、含氧氣體配管29、含惰性氣體的氣體配管30、第1流量調整閥31及第2流量調整閥32。緩衝用氣體溶解單元235與第1實施形態的氣體溶解單元26為同等的構成，所以標注相同的參照符號並省略說明。
對第2純水補充配管237供給有來自設置基板處理裝置1的工廠中所設的純水供給源的純水。因此，經由第2純水補充配管237而給至緩衝槽213的純水是溶解氧濃度極低的水（約0.5 ppm程度）。
藥液生成單元205包括：用以將緩衝槽213內的TMAH送至供給槽214的第3送液配管241、對第3送液配管241進行開閉的第1送液閥242、將第3送液配管241與緩衝槽213予以連接的第1循環配管243、用以將在第1循環配管243中循環的TMAH的溫度調整為期望的液溫的第1溫度調整單元244（加熱單元或冷卻單元）、用以將緩衝槽213內的TMAH送出至第1循環配管243的第4送液泵245、去除在第1循環配管243中循環的TMAH中的异物的第1過濾器246、對第1循環配管243進行開閉的第1循環閥247、及用以測定在第1循環配管243中循環的TMAH中的溶解氧濃度的第1溶解氣體感測器248。
在將緩衝槽213內的TMAH供給至供給槽214時，第1送液閥242打開，第1循環閥247關閉。在此狀態下，由第4送液泵245從緩衝槽213送至第3送液配管241的TMAH被供給至供給槽214。
另一方面，在不對供給槽214供給TMAH時，第1循環閥247打開，第1送液閥242關閉。在此狀態下，由第4送液泵245從緩衝槽213送至第1循環配管243的TMAH回到緩衝槽213內。因此，在不對供給槽214供給TMAH時，TMAH在由緩衝槽213及第1循環配管243形成的循環路徑中繼續循環。
藥液生成單元205包括用以將新液的TMAH原液供給至供給槽214的第3 TMAH補充配管251、及用以將新液的純水供給至供給槽214的第3純水補充配管252。
對第3純水補充配管252供給有來自設置基板處理裝置1的工廠中所設的純水供給源的純水。因此，經由第3純水補充配管252而給至供給槽214的純水是溶解氧濃度極低的水（約0.5 ppm程度）。然而，第3 TMAH補充配管251及第3純水補充配管252是為了對貯存在供給槽214中的TMAH的濃度（TMAH成分的濃度）進行調整而使用的配管，所以與供給槽214的容量相比僅供給微小量。因此，幾乎不會因從第3純水補充配管252向供給槽214供給純水而引起貯存在供給槽214中的TMAH中的溶解氧濃度的下降。
藥液生成單元205包括將含氧氣體供給至供給槽214內的TMAH，使含氧氣體溶解至所述TMAH中的氧氣溶解單元256、及將含惰性氣體的氣體供給至供給槽214內的TMAH，使含惰性氣體的氣體溶解至所述TMAH中的惰性氣體溶解單元257。
氧氣溶解單元256包括含氧氣體配管258、及對從含氧氣體供給源供給至含氧氣體配管258的含氧氣體的流量進行變更的第3流量調整閥259。含氧氣體配管258包括起泡配管，所述起泡配管藉由從配置在TMAH中（液中）的噴出口噴出含氧氣體而使TMAH中產生含氧氣體的氣泡。
惰性氣體溶解單元257包括含惰性氣體的氣體配管260、及對從含惰性氣體的氣體供給源供給至含惰性氣體的氣體配管260的含惰性氣體的氣體的流量進行變更的第4流量調整閥261。含惰性氣體的氣體配管260包括起泡配管，所述起泡配管藉由從配置在TMAH中（液中）的噴出口噴出含惰性氣體的氣體而使TMAH中產生含惰性氣體的氣體的氣泡。
藥液生成單元205包括：用以將供給槽214內的TMAH送至對應的處理單元202（第1藥液噴嘴9）的供給配管266、對供給配管266進行開閉的供給閥267、將供給配管266與供給槽214予以連接的第2循環配管268、用以將在第2循環配管268中循環的TMAH的溫度調整為期望的液溫的第2溫度調整單元269（加熱單元或冷卻單元）、用以將供給槽214內的TMAH送出至第2循環配管268的第5送液泵270、去除在第2循環配管268中循環的TMAH中的异物的第2過濾器271、對第2循環配管268進行開閉的第2循環閥272、及用以測定在第2循環配管268中循環的TMAH中的溶解氧濃度的第2溶解氣體感測器277、及用以測定在第2循環配管268中循環的TMAH中的濃度（TMAH成分的濃度）的濃度感測器278。
貯存在供給槽214中的TMAH的濃度（TMAH成分的濃度）控制是藉由基於實測的TMAH中的濃度（TMAH成分的濃度）的反饋控制來實現。具體來說，在由濃度感測器278對貯存在供給槽214中的TMAH中的濃度（TMAH成分的濃度）進行測定，而測定出的濃度高於與期望的蝕刻速率相對應的目標溶解氧濃度的情況下，控制裝置4將來自第3純水補充配管252的純水供給至供給槽214。此時的純水的供給是數滴的純水的滴加。而且，在測定出的濃度低於與期望的蝕刻速率相對應的目標溶解氧濃度的情況下，控制裝置4將來自第3 TMAH補充配管251的TMAH供給至供給槽214。此時的TMAH的供給是數滴的TMAH的滴加。
在供給配管266的下游端經由噴出閥275而連接有噴出配管276。在噴出配管276的下游端連接有第1藥液噴嘴9。在比供給配管266的下游端稍靠上游側的位置分支連接有返還配管273的其中一端。返還配管273的另一端連接於供給槽214。在返還配管273的中途部插裝有用以對返還配管273進行開閉的返還閥274。
在將供給槽214內的TMAH供給至處理單元202時，供給閥267打開，第2循環閥272關閉。在此狀態下，由第5送液泵270從供給槽214送至供給配管266的TMAH被供給至處理單元202。
另一方面，在已停止對處理單元202供給TMAH的狀態下，第2循環閥272打開，供給閥267關閉。在此狀態下，由第5送液泵270從供給槽214送至第2循環配管268的TMAH回到供給槽214內。因此，在已停止對處理單元202供給TMAH的供給停止過程中， TMAH在由供給槽214及第2循環配管268形成的循環路徑中繼續循環。
在已將供給槽214內的TMAH供給至處理單元202中的狀態下從第1藥液噴嘴9噴出TMAH時，返還閥274關閉並且噴出閥275打開。在此狀態下，從供給配管266經由噴出配管276而對第1藥液噴嘴9供給TMAH，所述TMAH被從第1藥液噴嘴9朝基板W的上表面噴出。
圖7是示意性表示藥液生成單元205中所含的四個槽211、212、213、214的相互關係的圖。參照圖6及圖7對貯存在四個槽211、212、213、214中的TMAH的溶解氧濃度的調整（氣體溶解步驟）進行說明。
如圖7所示，在藥液生成單元205中，分三個階段藉由使氣體溶解至TMAH中來進行TMAH中的溶解氧濃度的調整。在各階段中，使所使用的槽211、槽212、槽213、槽214彼此不同。
首先，對TMAH中的溶解氧濃度的第一階段的調整進行說明。此第一階段的調整首先是以使TMAH中的溶解氧濃度大致接近目標溶解氧濃度（與期望的蝕刻速率相對應的目標溶解氧濃度）為目的。此第一階段的調整是非常粗略（very rough）的調整，例如作為相當於圖3C所示的第1期間Ra的期間的調整來執行。另外，如前所述，TMAH的蝕刻速率依存於TMAH中的溶解氧濃度（溶解氧量）。
此第一階段的調整在回收槽211中進行。在回收槽211中貯存有從處理單元2回收的溶解氧濃度極高的TMAH（高溶解氧（high DO））。對貯存在回收槽211中的TMAH進行氣體溶解步驟（第1氣體溶解步驟。含氧氣體及含惰性氣體向TMAH的溶解）。
具體來說，控制裝置4控制回收用氣體溶解單元223將包含含氧氣體及含惰性氣體的氣體的混合氣體供給至混合氣體配管28。由此，混合氣體配管28從配置在TMAH中（液中）的噴出口噴出含氧氣體與含惰性氣體的氣體的混合氣體，由此在TMAH中產生混合氣體的氣泡。由此，含氧氣體及含惰性氣體的氣體被溶解至TMAH中。
而且，控制裝置4控制回收用氣體溶解單元223中所含的混合比調整單元（第1流量調整閥31、第2流量調整閥32）對要供給至TMAH的混合氣體中所含的含氧氣體與含惰性氣體的氣體的混合比（供給流量比）進行調整，由此對溶解至TMAH的含氧氣體與含惰性氣體的氣體的溶解比進行調整。具體來說，控制裝置4從記憶單元42獲取應供給至基板W的TMAH（與期望的蝕刻速率相對應的TMAH的濃度）的溶解氧濃度。而且，控制裝置4參照記憶單元42的含氧氣體跟含惰性氣體的混合比（供給流量比）與收斂溶解氧濃度的對應關係44，獲取應供給至基板W（與期望的蝕刻速率相對應的TMAH的濃度）的TMAH的溶解氧濃度（目標溶解氧濃度）為收斂溶解氧濃度時的含氧氣體與含惰性氣體的混合比（供給流量比）。並且，控制裝置4以成為所獲取的混合比（供給流量比）的方式對第1流量調整閥31及第2流量調整閥32的開度分別進行調整。
藉由對貯存在回收槽211中的TMAH執行氣體溶解步驟，貯存在回收槽211中的TMAH溶解氧濃度從當初的值下降。在回收槽211中溶解氧濃度粗略下降的TMAH被送至緩衝槽213。
而且，TMAH的溶解氧濃度的第一階段的調整也在新液槽121中進行。如前所述，在新液槽212中貯存有溶解氧濃度極低的TMAH（低溶解氧（Low DO））。對貯存在新液槽212中的TMAH進行氣體溶解步驟（第1氣體溶解步驟。含氧氣體及含惰性氣體向TMAH的溶解）。在本實施形態中，針對貯存在新液槽212中的TMAH的氣體溶解步驟（第1氣體溶解步驟）中的含氧氣體與含惰性氣體的混合比（供給流量比）與針對貯存在回收槽211中的TMAH的氣體溶解步驟（第1氣體溶解步驟）中的含氧氣體與含惰性氣體的混合比（供給流量比）相等。新液槽212中的氣體溶解步驟的具體的方法與回收槽211中的氣體溶解步驟的具體的方法相同，所以省略說明。
藉由對貯存在新液槽212中的TMAH執行氣體溶解步驟，貯存在新液槽212中的TMAH中的溶解氧濃度從當初的低值下降。在新液槽212中溶解氧濃度粗略下降TMAH被送至緩衝槽213。
其次，對TMAH中的溶解氧濃度的第二階段的調整進行說明。此第二階段的調整首先是以使TMAH中的溶解氧濃度以一定程度接近目標溶解氧濃度（與期望的蝕刻速率相對應的目標溶解氧濃度）為目的。此第二階段的調整是粗略的調整，例如作為相當於圖3C所示的第2期間Rb的期間的調整來執行。另外，如前所述，TMAH的蝕刻速率依存於TMAH中的溶解氧濃度（溶解氧量）。
TMAH的溶解氧濃度的第二階段的調整在緩衝槽213中進行。在緩衝槽213中貯存有從回收槽211送來的溶解氧濃度得到非常粗略的調整的TMAH及從新液槽212送來的溶解氧濃度得到非常粗略的調整的TMAH。對貯存在緩衝槽213中的TMAH進行氣體溶解步驟（第2氣體溶解步驟。含氧氣體及含惰性氣體向TMAH的溶解）。在本實施形態中，針對貯存在緩衝槽213中的TMAH的氣體溶解步驟（第2氣體溶解步驟）中的含氧氣體跟含惰性氣體的混合比（供給流量比）與針對貯存在回收槽211中的TMAH的氣體溶解步驟（第1氣體溶解步驟）或針對貯存在新液槽212中的TMAH的氣體溶解步驟（第1氣體溶解步驟）中的含氧氣體跟含惰性氣體的混合比（供給流量比）相等。緩衝槽213中的氣體溶解步驟的具體的方法與回收槽211中的氣體溶解步驟的具體的方法相同，所以省略說明。
在緩衝槽213中實施氣體溶解步驟後的TMAH的溶解氧濃度充分接近目標溶解氧濃度（與期望的蝕刻速率相對應的目標溶解氧濃度）。
在本實施形態中，藉由第1溶解氣體感測器248對在第1循環配管243中循環的TMAH中的溶解氧濃度即貯存在緩衝槽213中的TMAH中的溶解氧濃度。但是，在本實施形態中，只是對TMAH中的溶解氧濃度進行監視（monitoring），並不進行基於測定結果的濃度控制。因此，也能夠削除第1溶解氣體感測器248。
其次，對TMAH中的溶解氧濃度的第三階段的調整進行說明。此第三階段的調整首先是以使TMAH中的溶解氧濃度準確地接近目標溶解氧濃度（與期望的蝕刻速率相對應的目標溶解氧濃度）為目的。此第三階段的調整是準確的（accurately）調整，例如作為相當於圖3C所示的第3期間Rc的期間的調整來執行。另外，如前所述，TMAH的蝕刻速率依存於TMAH中的溶解氧濃度（溶解氧量）。
TMAH的溶解氧濃度的第三階段的調整在供給槽214中進行。在供給槽214中貯存有從緩衝槽213送來的溶解氧濃度得到粗略調整的TMAH及從新液槽212送來的TMAH。
TMAH的溶解氧濃度的第三階段的調整藉由基於實測的TMAH中的溶解氧濃度的反饋控制來實現，而非藉由氣體溶解步驟來實現。具體來說，在由第2溶解氣體感測器277對貯存在供給槽214中的TMAH中的溶解氧濃度進行測定（測定步驟），而測定出的溶解氧濃度高於目標溶解氧濃度（與期望的蝕刻速率相對應的目標溶解氧濃度）的情況下，控制裝置4控制惰性氣體溶解單元257從含惰性氣體的氣體配管260的噴出口噴出含惰性氣體的氣體，由此使TMAH中產生含惰性氣體的氣體的氣泡（惰性氣體溶解步驟）。而且，在測定出的溶解氧濃度低於目標溶解氧濃度（與期望的蝕刻速率相對應的目標溶解氧濃度）的情況下，控制裝置4控制氧氣溶解單元256從含氧氣體配管258的噴出口噴出含氧氣體，由此使TMAH中產生含氧氣體的氣泡（含氧氣體溶解步驟）。
從處理單元202回收的TMAH的溶解氧濃度極高。對於需要基於所述TMAH的溶解氧濃度而生成溶解氧濃度按期望（的低濃度）得到保持的TMAH的US 2013306238 A1所記載的方法（反饋控制）來說，在作為對象的TMAH的溶解氧濃度極高的情況下不適用。
然而，在本實施形態中，反饋控制是針對在緩衝槽213中實施氣體溶解步驟後的溶解氧濃度已充分接近目標溶解氧濃度的TMAH來進行。在TMAH溶解氧濃度已充分接近目標溶解氧濃度的情況下，即使藉由反饋控制也可將TMAH中的溶解氧濃度高精度地調整為目標溶解氧濃度。由此，可將貯存在供給槽214中的TMAH中的溶解氧濃度高精度地調整為一定的濃度。
根據如上所述的第2實施形態，在藥液生成單元205中將氣體溶解步驟（含氧氣體及含惰性氣體向TMAH的溶解）分兩階段（第1氣體溶解步驟及第2氣體溶解步驟）來進行，所以即使作為氣體溶解步驟的對象的TMAH是具有自目標溶解氧濃度大幅偏離的濃度（例如，極高的濃度或極低的濃度）的TMAH，也能夠將TMAH中的溶解氧濃度調整為所述目標溶解氧濃度。由此，可更好地生成溶解氧濃度按期望得到保持的TMAH。
而且，針對貯存在緩衝槽213中的TMAH的氣體溶解步驟（第2氣體溶解步驟）中的含氧氣體跟含惰性氣體的混合比（供給流量比）與針對貯存在回收槽211中的TMAH的氣體溶解步驟（第1氣體溶解步驟）或針對貯存在新液槽212中的TMAH的氣體溶解步驟（第1氣體溶解步驟）中的含氧氣體跟含惰性氣體的混合比（供給流量比）相等。由此，可將藥液中的溶解氧濃度更進一步高精度地調整為最終的目標溶解氧濃度。
由此，基板處理裝置201中，可使用被保持為目標溶解氧濃度（被保持為能獲得期望的蝕刻速率那樣的溶解氧濃度）的藥液來對基板進行處理。由此，能夠以期望的蝕刻速率來對基板W進行處理。
在本第2實施形態中，也可以使針對貯存在回收槽211中的TMAH的氣體溶解步驟（第1氣體溶解步驟）、或針對貯存在新液槽212中的TMAH的氣體溶解步驟（第1氣體溶解步驟）中的含氧氣體與含惰性氣體的混合比（相對於含惰性氣體的供給流量的含氧氣體的供給流量比）低於針對貯存在緩衝槽213中的TMAH的氣體溶解步驟（第2氣體溶解步驟）中的含氧氣體與含惰性氣體的混合比（相對於含惰性氣體的供給流量的含氧氣體的供給流量比）。此時，可將針對貯存在回收槽211中的TMAH的氣體溶解步驟（第1氣體溶解步驟）、或針對貯存在新液槽212中的TMAH的氣體溶解步驟（第1氣體溶解步驟）中的目標溶解氧濃度比針對貯存在緩衝槽213中的TMAH的氣體溶解步驟（第2氣體溶解步驟）中的目標溶解氧濃度設定得低。由此，可在更短的期間內將藥液中的溶解氧濃度調整為最終的目標溶解氧濃度。
而且，在第2實施形態中，也可以將TMAH的溶解氧濃度的第三階段的調整藉由氣體溶解步驟來實現而非基於實測的TMAH中的溶解氧濃度的反饋控制。即，也可以藉由氣體溶解步驟來實現所有的槽211、212、213、214的TMAH中的溶解氧濃度的調整。
而且，雖然對TMAH的溶解氧濃度分三階段來調整的構成進行了說明，但也可以分兩階段來進行調整，還可以分四階段以上來進行調整。
＜第3實施形態＞
圖8是從上觀察本發明的第3實施形態的基板處理裝置301的示意圖。
基板處理裝置301是逐片對矽晶片等基板（例如，矽基板）W進行處理的單片式裝置。在本實施形態中，基板W是圓板狀的基板。基板處理裝置301包括：多個處理單元302，以處理液對基板W進行處理；裝載埠LP，載置基板收容器C，所述基板收容器C對要由處理單元302處理的多枚基板W進行收容；標引機器人IR及基板搬送機器人CR，在裝載埠LP與處理單元302之間搬送基板W；及控制裝置303，對基板處理裝置301進行控制。標引機器人IR是在基板收容器C與基板搬送機器人CR之間搬送基板W。基板搬送機器人CR是在標引機器人IR與處理單元302之間搬送基板W。多個處理單元302例如具有同樣的構成。
圖9A是用以說明處理單元302的構成例的圖解性剖面圖。圖9B是中心軸噴嘴307的底面圖。
處理單元302所進行的處理既可以包括對在最外層形成有多晶矽膜（Poly-Si膜）等對象膜的基板W供給蝕刻液的蝕刻處理，也可以包括對曝光後的基板W供給顯影液的顯影處理。
處理單元302包括箱形的腔室304、在腔室304內將一枚基板W以水平姿勢加以保持並使基板W圍繞著穿過基板W的中心的鉛垂的旋轉軸線A1旋轉的旋轉卡盤305、與由旋轉卡盤305保持著的基板W的上表面相向的隔斷構件306、沿上下插通在隔斷構件306的內部並用以朝由旋轉卡盤305保持著的基板W的上表面的中央部噴出處理液的中心軸噴嘴307、用以對中心軸噴嘴307供給藥液的藥液供給單元308、用以對中心軸噴嘴307供給清洗液的清洗液供給單元309、用以對中心軸噴嘴307供給作為比重大於空氣且具有比水低的表面張力的低表面張力液體的有機溶劑的有機溶劑供給單元310、用以對中心軸噴嘴307供給含惰性氣體的氣體的含惰性氣體的氣體供給單元311A、用以對中心軸噴嘴307供給含氧氣體的含氧氣體供給單元311B、及環繞旋轉卡盤305的筒狀的處理杯312。
腔室304包括收容旋轉卡盤305的箱狀的隔壁313、作為將潔淨空氣（由過濾器過濾的空氣）從隔壁313的上部送至隔壁313內的送風單元的FFU（風扇·過濾器·單元）314、及將腔室304內的氣體從隔壁313的下部排除的排氣管道315。FFU 314配置在隔壁313的上方，並安裝於隔壁313的頂面。FFU 314是將清潔空氣從隔壁313的頂面向下送至腔室304內。排氣管道315連接於處理杯312的底部，朝設置基板處理裝置301的工廠中所設的排氣處理設備導出腔室304內的氣體。因此，由FFU 314及排氣管道315形成在腔室304內向下方流動的向下流（下降流）。基板W的處理是在腔室304內形成有向下流的狀態下進行。
作為旋轉卡盤305，采用了在水平方向上夾持基板W而將基板W保持為水平的夾持式卡盤。具體來說，旋轉卡盤305包括旋轉馬達316、與所述旋轉馬達316的驅動軸一體化的旋轉軸317、及大致水平地安裝在旋轉軸317的上端的圓板狀的旋轉底座318。
在旋轉底座318的上表面，在其周緣部配置有多個（三個以上。例如六個）夾持構件319。多個夾持構件319在旋轉底座318的上表面周緣部在與基板W的外周形狀對應的圓周上空開適當的間隔來配置。在旋轉底座318的上表面在以旋轉軸線A1為中心的圓周上，配置有用以從下方支撐隔斷構件306的多個（三個以上）隔斷構件支撐部320。隔斷構件支撐部320與旋轉軸線A1之間的距離比夾持構件319與旋轉軸線A1之間的距離設定得大。
隔斷構件306是隨旋轉卡盤305而旋轉的從動型隔斷構件（即，隔斷構件）。即，隔斷構件306在基板處理中被支撐為隔斷構件306能夠與旋轉卡盤305一體旋轉。
隔斷構件306包括隔斷板321、能夠與隔斷板321一同升降地設於所述隔斷板321的卡合部322、及與卡合部322卡合而用於從上方支撐隔斷板321的支撐部323。
隔斷板321是具有大於基板W的直徑的圓板狀。隔斷板321在其下表面具有與基板W的整個上表面相向的圓形的基板相向面321a、在基板相向面321a的周緣部朝下方突出的圓環狀的卡爪部321b及設於基板相向面321a用以與隔斷構件支撐部320卡合的旋轉卡盤卡合部321c。在基板相向面321a的中央部形成有上下貫通遮蔽構件306的貫通孔324。貫通孔324被圓筒狀的內周面劃分。
卡合部322包括在隔斷板321的上表面圍繞在貫通孔324的周圍的圓筒部325及從圓筒部325的上端向徑向外側擴展的凸緣部326。凸緣部326位於比支撐部323中所含的其後將述的凸緣支撐部328更靠上方的位置，凸緣部326的外周的直徑大於凸緣支撐部328的內周。
支撐部323包括例如大致圓板狀的支撐部主體327、水平的凸緣支撐部328、及將支撐部主體327與凸緣支撐部328予以連接的連接部329。
中心軸噴嘴307沿穿過隔斷板321及基板W的中心的鉛垂的軸線即旋轉軸線A1在上下方向上延伸。中心軸噴嘴307配置在旋轉卡盤305的上方，插通在隔斷板321及支撐部323的內部空間。中心軸噴嘴307與隔斷板321及支撐部323一起升降。
中心軸噴嘴307包括在貫通孔324的內部上下延伸的圓柱狀的殼體（casing）330、沿上下插通在殼體330的內部的第1噴嘴配管331、第2噴嘴配管332、第3噴嘴配管333、第4噴嘴配管334及第5噴嘴配管335。殼體330具有圓筒狀的外周面330a、及設於殼體330的下端部並與基板W的上表面的中央部相向的相向面330b。第1噴嘴配管～第5噴嘴配管331～335分別為內管（inner tube）。
支撐部323上結合有藉由使支撐部323升降來使隔斷構件306升降的隔斷構件升降單元360。隔斷構件升降單元360是包括伺服馬達或滾珠絲杠機構等的構成。
隔斷構件升降單元360將隔斷構件306及第1噴嘴配管～第5噴嘴配管331～335與支撐部323一起垂直升降。隔斷構件升降單元360使隔斷板321及第1噴嘴配管～第5噴嘴配管331～335在接近位置（圖9A中以虛線所示的位置）與退避位置（圖9A中以實線所示的位置）之間升降，所述接近位置是隔斷板321的基板相向面321a接近由旋轉卡盤305保持著的基板W的上表面的位置，所述退避位置設於接近位置的上方。隔斷構件升降單元360能夠在接近位置與退避位置之間的各位置對隔斷板321進行保持。
藉由隔斷構件升降單元360，可使支撐部323在下位置（圖9A中以虛線所示的位置）與上位置（圖9A中以實線所示的位置）之間升降，由此，可使隔斷構件306的隔斷板321在接近由旋轉卡盤305保持著的基板W的上表面的接近位置與退避位置之間升降。
具體來說，在支撐部323位於上位置的狀態下，藉由支撐部323的凸緣支撐部328與凸緣部326的卡合，卡合部322、隔斷板321及中心軸噴嘴307被支撐部323支撐。即，隔斷板321被支撐部323吊挂著。
在支撐部323位於上位置的狀態下，藉由突設在凸緣支撐部328的上表面的突起328a與在凸緣部326上沿圓周方向空開間隔而設的卡合孔326a卡合，隔斷板321相對於支撐部323在圓周方向上定位。
當隔斷構件升降單元360使支撐部323從上位置下降時，隔斷板321也從退避位置下降。之後，當隔斷板321的旋轉卡盤卡合部321c抵接於隔斷構件支撐部320時，隔斷板321及中心軸噴嘴307被隔斷構件支撐部320阻擋。並且，當隔斷構件升降單元360使支撐部323下降時，支撐部323的凸緣支撐部328與凸緣部326的卡合得到解除，卡合部322、隔斷板323及中心軸噴嘴307從支撐部323脫離，並由旋轉卡盤305支撐。在此狀態下，伴隨著旋轉卡盤305（旋轉底座318）的旋轉，隔斷板321也旋轉。
第1噴嘴配管331包括沿著鉛垂方向延伸的鉛垂部分。第1噴嘴配管331的下端朝殼體330的相向面330b開口，形成了第1噴出口331a。對第1噴嘴配管331供給來自藥液供給單元308的藥液。藥液供給單元308包括連接於第1噴嘴配管331的上游端側的藥液配管336、插裝在藥液配管336的中途部的藥液閥337、及調整藥液配管336的開度的第1流量調整閥338。第1流量調整閥338包括內部設有閥座的閥體、對閥座進行開閉的閥元件、使閥元件在開位置與閉位置之間移動的致動器。其他流體調整閥也同樣。
當藥液閥337打開時，藥液從第1噴出口331a朝下方噴出。當藥液閥337關閉時，停止從第1噴出口331a噴出藥液。藉由第1流量調整閥338對第1噴出口331a的藥液的噴出流量進行調整。藥液是作為有機鹼的一例的TMAH（含TMAH藥液、水溶液）。
第2噴嘴配管332包括沿著鉛垂方向延伸的鉛垂部分。第2噴嘴配管332的下端朝殼體330的相向面330b開口，形成了第2噴出口332a。對第2噴嘴配管332供給來自清洗液供給單元309的清洗液。清洗液供給單元309包括連接於第2噴嘴配管332的上游端側的清洗液配管339、插裝在清洗液配管339的中途部的清洗液閥340、及調整清洗液配管339的開度的第2流量調整閥341。當清洗液閥340打開時，清洗液從第2噴出口332a朝下方噴出。當清洗液閥340關閉時，停止從第2噴出口332a噴出清洗液。藉由第2流量調整閥341對第2噴出口332a的清洗液的噴出流量進行調整。清洗液是水。在本實施形態中，水是純水（去離子水）、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、氨水及稀釋濃度（例如，10 ppm～100 ppm程度）的氨水中的任一者。
第3噴嘴配管333包括沿著鉛垂方向延伸的鉛垂部分。第3噴嘴配管333的下端朝殼體330的相向面330b開口，形成了第3噴出口333a。對第3噴嘴配管333供給來自有機溶劑供給單元310的液體的有機溶劑。機溶劑供給單元310包括連接於第3噴嘴配管333的上游端側的有機溶劑配管342、插裝在有機溶劑配管342的中途部的有機溶劑閥343、及調整有機溶劑配管342的開度的第3流量調整閥344。當有機溶劑閥343打開時，液體的有機溶劑從第3噴出口333a朝下方噴出。當有機溶劑閥343關閉時，停止從第3噴出口333a噴出液體的有機溶劑。藉由第3流量調整閥344對第3噴出口333a的液體的有機溶劑的噴出流量進行調整。
在本實施形態中，有機溶劑例如是异丙醇（isopropyl alcohol，IPA），但作為此種有機溶劑，除IPA之外例如還可例示甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇（ethylene glycol，EG）、及氫氟醚（hydrofluoroether，HFE）。而且作為有機溶劑，不僅是僅包括單體成分的情況，也可以是與其他成分混合而成的液體。例如既可以是IPA與丙醇的混合液，也可以是IPA與甲醇的混合液。
第4噴嘴配管334包括沿著鉛垂方向延伸的鉛垂部分。第4噴嘴配管334的下端朝殼體330的相向面330b開口，形成了第4噴出口334a。對第4噴嘴配管334供給來自含惰性氣體的氣體供給單元311A的疏水劑。含惰性氣體的氣體供給單元311A包括連接於第4噴嘴配管334的上游端側的含惰性氣體的氣體配管345、插裝在含惰性氣體的氣體配管345的中途部的含惰性氣體的氣體閥346、及調整含惰性氣體的氣體配管345的開度的第4流量調整閥347。當含惰性氣體的氣體閥346打開時，含惰性氣體的氣體從第4噴出口334a朝下方噴出。當含惰性氣體的氣體閥346關閉時，停止從第4噴出口334a噴出含惰性氣體的氣體。藉由第4流量調整閥347對第4噴出口334a的含惰性氣體的氣體的噴出流量進行調整。含惰性氣體的氣體既可以是氮氣也可以是氮氣與氮氣之外的氣體的混合氣體。
第5噴嘴配管335包括沿著鉛垂方向延伸的鉛垂部分。第5噴嘴配管335的下端朝殼體330的相向面330b開口，形成了第5噴出口335a。對第5噴嘴配管335供給來自含氧氣體供給單元311B的液體的含氧氣體。含氧氣體供給單元311B包括連接於第5噴嘴配管335的上游端側的含氧氣體配管348、插裝在含氧氣體配管348的中途部的含氧氣體閥349、及調整含氧氣體配管348的開度的第5流量調整閥350。當含氧氣體閥349打開時，含氧氣體從第5噴出口335a朝下方噴出。當含氧氣體閥349關閉時，停止從第5噴出口335a噴出含氧氣體。藉由第5流量調整閥350對第5噴出口335a的含氧氣體的噴出流量進行調整。
在本所述形態中，含氧氣體既可以是氧氣也可以是氧氣與氧氣之外的氣體的混合氣體。以下，對含惰性氣體為作為惰性氣體的一例的氮氣，含氧氣體為以大致8對2的比例含有氮與氧的乾燥空氣（乾燥的潔淨空氣）的示例進行說明。
在本實施形態中，藉由利用第4流量調整閥347進行的流量調整及利用第5流量調整閥350進行的流量調整來對供給至基板W的上表面的含氧氣體與含惰性氣體的混合比（流量比）進行調整。即，第4流量調整閥347及第5流量調整閥350作為混合比調整單元而發揮功能。
處理單元302還包括朝由旋轉卡盤305保持著的基板W的下表面供給氣體的下表面噴嘴351。
下表面噴嘴351具有朝鉛垂上方噴出氣體的噴出口。從噴出口噴出的氣體相對於由旋轉卡盤305保持著的基板W的下表面的中央部而從大致垂直方向入射。
下表面噴嘴351連接有下表面供給配管352。下表面噴嘴351插通在包括中空軸的旋轉軸317的內部。下表面供給配管352連接有含惰性氣體的氣體配管353及含氧氣體配管354。在含惰性氣體的氣體配管353中插裝有用以對含惰性氣體的氣體配管353進行開閉的含惰性氣體的氣體閥355及調整含惰性氣體的氣體配管353的開度的第6流量調整閥356。當含惰性氣體的氣體閥355打開時，含惰性氣體的氣體供給至下表面噴嘴351。當含惰性氣體的氣體閥355關閉時，停止向下表面噴嘴351供給含惰性氣體的氣體。藉由第6流量調整閥356對含惰性氣體的氣體向下表面噴嘴351的供給流量（即，下表面噴嘴351的含惰性氣體的氣體的噴出流量）進行調整。由下表面噴嘴351、下表面供給配管352、含惰性氣體的氣體配管353、含惰性氣體的氣體閥355及第6流量調整閥356構成了氣體供給單元。
而且，在含氧氣體配管354中插裝有用以對含氧氣體配管354進行開閉的含氧氣體閥357及調整含氧氣體配管354的開度的第7流量調整閥358。當含氧氣體閥357打開時，含氧氣體供給至下表面噴嘴351。當含氧氣體閥357關閉時，停止向下表面噴嘴351供給含氧氣體。藉由第7流量調整閥358對含氧氣體向下表面噴嘴351的供給流量（即，下表面噴嘴351的含氧氣體的噴出流量）進行調整。由下表面噴嘴351、下表面供給配管352、含氧氣體配管354、含氧氣體閥357及第7流量調整閥358構成了氣體供給單元。
而且，藉由利用第6流量調整閥356進行的流量調整及利用第7流量調整閥358進行的流量調整來對供給至基板W的上表面的含氧氣體與含惰性氣體的混合比（流量比）進行調整。即，第6流量調整閥356及第7流量調整閥358作為混合比調整單元而發揮功能。
如在第1實施形態中參照圖3A～圖3C所說明的那樣，本案發明者等得知：藉由使含氧氣體與含惰性氣體的氣體以規定的比率持續溶解至TMAH中，TMAH中的溶解氧濃度收斂為一定。而且，本案發明者等也得知：在含氧氣體的溶解量相對於含惰性氣體的溶解量的比率（混合比）比較高時，TMAH中的溶解氧濃度收斂為比較高的濃度，在含氧氣體的溶解量相對於含惰性氣體的溶解量的比率（混合比）比較低時，TMAH中的溶解氧濃度收斂為比較低的濃度。另外，TMAH的蝕刻速率依存於TMAH中的溶解氧濃度（溶解氧量）。
圖10是用以說明基板處理裝置301的主要部分的電氣構成的框圖。
控制裝置303具有CPU等運算單元361、固體記憶體裝置（未圖示）、硬碟驅動器等記憶單元362、輸出單元363及輸入單元（未圖示）。記憶單元362中儲存有運算單元361要執行的程序。
記憶單元362包括能夠電性改寫數據的非揮發性記憶體。記憶單元362儲存有應供給至基板W的TMAH的濃度（與期望的蝕刻速率相對應的TMAH的濃度）。而且，記憶單元362儲存有跟含氧氣體與含惰性氣體的供給流量比（混合比）相關聯的信息與、以所述供給流量比供給了含氧氣體及含惰性氣體時所收斂的TMAH的溶解氧濃度（收斂溶解氧濃度）的對應關係364。
對應關係364既可以以表的形式儲存，也可以以映射的形式儲存，還可以以圖表（即式）的形式儲存。對應關係364與第1實施形態的對應關係44（作為一例參照圖4）同等，所以省略詳細的說明。
控制裝置303連接有旋轉馬達316、隔斷構件升降單元360等作為控制對象。而且，控制裝置303連接有藥液閥337、第1流量調整閥338、清洗液閥340、第2流量調整閥341、有機溶劑閥343、第3流量調整閥344、含惰性氣體的氣體閥346、第4流量調整閥347、含氧氣體閥349、第5流量調整閥350、含惰性氣體的氣體閥355、第6流量調整閥356、含氧氣體閥357、第7流量調整閥358等。
圖11是用以說明在基板處理單元302中執行的基板處理例的內容的流程圖。圖12是說明圖11的藥液步驟S1開始前的狀態的示意性圖。圖13是說明圖12的藥液步驟S1的示意性圖。
參照圖8～圖11對基板處理例進行說明。適當參照圖12及圖13。
未處理的基板W（例如直徑450 mm的圓形基板）由標引機器人IR及基板搬送機器人CR從基板收容器C搬入至處理單元302，並被搬入至腔室304內，基板W在以其上表面（器件形成面）朝向上方的狀態下被移交至旋轉卡盤305，在旋轉卡盤305上基板W得到保持（圖11的S1：基板W搬入）。
在基板搬送機器人CR退出至處理單元302外之後，控制裝置303控制旋轉馬達316使旋轉底座318的旋轉速度上升至規定的液處理速度（約10 rpm～1200 rpm的範圍內，例如約800 rpm），並使其維持為所述液處理速度（圖11的S2：基板W旋轉開始）。而且，控制裝置303控制隔斷構件升降單元360使隔斷板321朝接近位置開始下降。
而且，在隔斷板321配置在接近位置時，控制裝置303打開含惰性氣體的氣體閥346及含氧氣體閥349。而且，控制裝置303控制第4流量調整閥347及第5流量調整閥350對要供給至基板W的上表面的含氧氣體與含惰性氣體的混合比（流量比）進行調整。具體來說，控制裝置303從記憶單元362獲取應從第1噴嘴配管331供給至基板W的上表面的TMAH的溶解氧濃度。而且，控制裝置303參照記憶單元362的含氧氣體跟含惰性氣體的供給流量比與收斂溶解氧濃度的對應關係364，獲取所述TMAH的溶解氧濃度為收斂溶解氧濃度時的含氧氣體與含惰性氣體的供給流量比。並且，控制裝置303以成為所獲取的供給流量比的方式對第4流量調整閥347及第5流量調整閥350的開度分別進行調整。由此，如圖12所示，以使TMAH的溶解氧濃度成為收斂溶解氧濃度那樣的供給流量比，從第4噴嘴配管334、第5噴嘴配管335分別噴出含氧氣體及含惰性氣體。
而且，在隔斷板321配置在接近位置時，控制裝置303打開含惰性氣體的氣體閥355及含氧氣體閥357。而且，控制裝置303控制第6流量調整閥356及第7流量調整閥358對要供給至基板W的上表面的含氧氣體與含惰性氣體的混合比（流量比）進行調整。具體來說，控制裝置303從記憶單元362獲取應從第1噴嘴配管331供給至基板W的上表面的TMAH的溶解氧濃度。而且，控制裝置303參照記憶單元362的含氧氣體跟含惰性氣體的供給流量比與收斂溶解氧濃度的對應關係364，獲取所述TMAH的溶解氧濃度為收斂溶解氧濃度時的含氧氣體與含惰性氣體的供給流量比。並且，控制裝置303以成為所獲取的供給流量比的方式對第6流量調整閥356及第7流量調整閥358的開度分別進行調整。由此，如圖12所示，以使TMAH的溶解氧濃度成為收斂溶解氧濃度那樣的供給流量比，從下表面噴嘴351噴出含氧氣體及含惰性氣體。
如圖13所示，在將遮蔽板321配置在接近位置之後，接著，控制裝置303執行對基板W的上表面供給TMAH的藥液步驟S3（參照圖5）。具體來說，控制裝置303打開藥液閥337。由此，從第1噴嘴配管331的第1噴出口331a朝旋轉狀態的基板W的上表面噴出TMAH。已供給至基板W的上表面的TMAH受到基板W的旋轉引起的離心力而移動至基板W的周緣部。由此，基板W的整個上表面使用TMAH得到處理。
如圖13所示，在藥液步驟S3中，從第4噴嘴配管334、第5噴嘴配管335以及下表面噴嘴351噴出含氧氣體及含惰性氣體。因此，對已供給至基板W的上表面的TMAH以使TMAH的溶解氧濃度成為收斂溶解氧濃度那樣的供給流量比供給這些含氧氣體及含惰性氣體。
在將隔斷板321配置在接近位置之後，基板W的上表面與隔斷板321之間的空間370與所述空間370的周圍隔開。藉由在此狀態下，繼續供給含氧氣體及含惰性氣體，可使空間370內充滿含氧氣體及含惰性氣體。由此，可使含氧氣體及含惰性氣體在基板W的整個上表面與TMAH接觸。由此，可對基板W實施面內均勻性更高的TMAH處理。
當開始噴出藥液之後經過預定的期間時，控制裝置303關閉藥液閥337，停止從第1噴嘴配管331的第一噴出口331a噴出TMAH。由此，結束藥液步驟S3。同時，控制裝置303關閉含惰性氣體的氣體閥346、含氧氣體閥349、含氧氣體閥357，停止從第5噴嘴配管335及下表面噴嘴351噴出含氧氣體。另外，之後仍然繼續從第4噴嘴配管334及下表面噴嘴351噴出含惰性氣體的氣體，直至旋乾步驟S6結束。
其次，控制裝置303執行用以將基板W上的TMAH置換為清洗液而將TMAH從基板W上排除的清洗步驟S4（參照圖5）。具體來說，控制裝置303打開清洗液閥340。由此，從第2噴嘴配管332的第2噴出口332a朝旋轉狀態的基板W的上表面噴出清洗液。已供給至基板W的上表面的清洗液受到基板W的旋轉引起的離心力而移動至基板W的周緣部。由此，附著在基板W上的TMAH被清洗液清洗。當打開清洗液閥340之後經過預定的期間時，控制裝置303關閉清洗液閥340，由此，清洗步驟S4結束。
其次，控制裝置303執行置換步驟S5（參照圖5）。置換步驟S5是將基板W上的清洗液置換為表面張力低於清洗液（水）的有機溶劑的步驟。而且，控制裝置303打開有機溶劑閥343，從第3噴嘴配管333的第3噴出口333a朝基板W的上表面中央部噴出液體的有機溶劑。在置換步驟S5中，已供給至基板W的上表面的有機溶劑受到基板W的旋轉引起的離心力而擴展至基板W的整個上表面。由此，在基板W的整個上表面，附著在所述上表面上的清洗液被有機溶劑置換。
已供給至基板W的下表面中央部的有機溶劑受到基板W的旋轉引起的離心力而擴展至基板W的整個下表面。由此，有機溶劑被供給至基板W的整個下表面。
當開始供給有機溶劑之後經過預定的期間時，控制裝置303關閉有機溶劑閥343。由此，停止對基板W的上表面供給有機溶劑。
其次，進行使基板W乾燥的旋乾步驟S6（參照圖5）。具體來說，在隔斷板321已配置在接近位置的狀態下，控制裝置303控制旋轉馬達316使基板W加速到大於藥液步驟S3～置換步驟S5的各步驟中的旋轉速度的乾燥旋轉速度（例如數千rpm），並使基板W以所述乾燥旋轉速度進行旋轉。由此，大的離心力施加至基板W上的液體，附著在基板W上的液體被甩向基板W的周圍。藉由這樣，從基板W去除液體，基板W乾燥。
當開始旋乾步驟S6之後經過預定的期間時，控制裝置303控制旋轉馬達316使旋轉卡盤305的旋轉停止（圖11的S7：基板W旋轉停止）。之後，控制裝置303控制隔斷構件升降單元360使隔斷板321上升並將其配置在退避位置。
之後，基板搬送機器人CR進入處理單元302，將處理完成的基板W向處理單元302外搬出（圖11的S8：基板W搬出）。被搬出的基板W從基板搬送機器人CR移交至標引機器人IR，並由標引機器人IR收容至基板收容器C。
先前存在如下問題。
即，對蝕刻處理時的面內均勻性的要求高。在藉由TMAH等有機鹼進行的蝕刻處理中，會受到藥液中的溶解氧的影響。因此，有可能在基板的主面中，在藥液噴嘴的正下方的位置（中央部）與離藥液噴嘴最遠的位置（周緣部）之間，在蝕刻速率上產生差异。因此，存在蝕刻處理的面內均勻性差這一問題。
與此相對，根據第3實施形態，在對基板W的上表面供給TMAH的同時，也將含氧氣體與含惰性氣體以預定的流量供給至基板W。由此，含氧氣體及含惰性氣體以預定的比率溶解至已供給至基板W的上表面的TMAH中。如前所述，藉由使含氧氣體與含惰性氣體的氣體以預定的比率持續溶解至TMAH中，TMAH中的溶解氧濃度收斂為一定。因此，可藉由將含氧氣體及含惰性氣體以預定的比率持續溶解至已供給至基板W的上表面的TMAH中，而將已供給至基板W的上表面的TMAH中的溶解氧濃度保持為一定。可藉由使含氧氣體及含惰性氣體在基板W的整個上表面與TMAH接觸，而將基板W的整個上表面中TMAH中的溶解氧濃度保持為一定。由此，可對基板W的上表面實施面內均勻性高的TMAH處理。
而且，供給至TMAH的含氧氣體與含惰性氣體的混合比（流量比）是使與TMAH的溶解氧濃度相同的濃度成為目標溶解氧濃度那樣的混合比（流量比），所以可將基板W的整個上表面中TMAH中的溶解氧濃度保持為期望的溶解氧濃度。由此，可對基板W的整個區域以期望的蝕刻速率來實施TMAH處理。
以上，對本發明的三個所述形態進行了說明，但本發明還可藉由其他實施形態來實施。
例如，在第2所述形態中，對藉由將含氧氣體及含惰性氣體供給至被隔斷構件306與周圍隔開的空間370而供給至基板W的整個上表面的構成進行了說明，但也可提出如下示例，即，如圖14A～圖14C所示，不使用隔斷構件306，並將含氧氣體及含惰性氣體噴向（噴出至）藥液噴嘴（第1噴嘴配管331）的噴出口的附近區域。此時，藉由對從藥液噴嘴（第1噴嘴配管331）的噴出口噴出的TMAH噴射含氧氣體及含惰性氣體噴，可使含氧氣體及含惰性氣體效率良好地溶解至已供給至基板W的上表面的藥液中。
具體來說，例如，也可以如圖14A所示，從噴出方向具有指向性的氣體噴嘴401向下噴射含氧氣體及含惰性氣體。此時，氣體噴嘴401的噴出口比第1噴嘴配管331的噴出口更接近基板W的上表面。
而且，也可以如圖14B所示，從包括廣範圍噴出氣體的噴霧噴嘴（Spray nozzle）的氣體噴嘴402噴射含氧氣體及含惰性氣體。此時，氣體噴嘴402的噴射區域俯視時與來自第1噴嘴配管331的TMAH的著液位置重複。
而且，也可以如圖14C所示，設置圍繞在第1噴嘴配管331及氣體噴嘴403的周圍的蓋體404。此時，蓋體404的下端緣的至少一部分比第1噴嘴配管331的噴出口及氣體噴嘴403的噴出口更靠下方而配置。
而且，在第1實施形態及第2實施形態中，以氣體溶解單元26、氣體溶解單元223、氣體溶解單元228、氣體溶解單元235為將以預定混合比含有含氧氣體及含惰性氣體的混合氣體供給至TMAH的單元而進行了說明。然而，也可以設置藉由供給含惰性氣體而使含惰性氣體溶解至TMAH中的惰性氣體溶解單元、及藉由供給含氧氣體而使含氧氣體溶解至TMAH中的氧氣溶解單元，並從各溶解氣體單元以預定的供給流量比彼此同時地供給含氧氣體及含惰性氣體。
而且，在第1實施形態及第2實施形態中，以氣體溶解單元26、氣體溶解單元223、氣體溶解單元228、氣體溶解單元235為從貯存在槽中的TMAH中所配置的氣體噴出口噴出含氧氣體及含惰性氣體來使TMAH中產生氣泡的起泡單元而進行了說明。然而，也可以是藉由從配置在槽內的液面的上方的噴出口噴出含氧氣體及含惰性氣體來使含氧氣體及含惰性氣體溶解至TMAH中的單元。
而且，在第1實施形態～第3實施形態中，作為藥液，舉TMAH（含TMAH藥液）為例進行了說明，但本發明另外可良好地應用於四乙基氫氧化銨（Tetra ethyl ammonium hydroxide，TEAH）等有機鹼。而且，並不限於有機鹼，也可應用於氫氧化銨（NH4 OH）、氫氧化鉀（KOH）等藥液。
而且，在前述實施形態中，對基板處理裝置1、基板處理裝置201、基板處理裝置301為對包括半導體晶片的基板W進行處理的裝置的情況進行了說明，但基板處理裝置也可以是對液晶顯示裝置用基板、有機EL（electroluminescence）顯示裝置等FPD（Flat Panel Display）用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板的基板進行處理的裝置。
除權利要求書所記載的特徵以外，還可從本說明書及添附圖示中提取以下特徵。這些特徵能夠與解決問題的手段的項目中所記載的特徵任意組合。
A1. 一種基板處理方法，包括：供給藥液的藥液步驟；以及
氣體供給步驟，對已供給至所述基板的主面的藥液以預定的混合比供給含有氧氣的含氧氣體及含有惰性氣體的含惰性氣體。
根據A1的方法，在對基板的主面供給藥液的同時，也對其以預定的混合比（流量比）供給含氧氣體及含惰性氣體。由此，含氧氣體與含惰性氣體以預定的比率溶解至已供給至基板的主面的藥液中。本案發明者等得知：藉由使含氧氣體與含惰性氣體的氣體以規定的比率持續溶解至藥液中，藥液中的溶解氧濃度收斂為一定。而且，本案發明者等也得知：在含氧氣體的溶解量相對於含惰性氣體的溶解量的比率比較高時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較高的濃度，在含氧氣體的溶解量相對於含惰性氣體的溶解量的比率比較低時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較低的濃度。
因此，可藉由使含氧氣體與含惰性氣體以預定的比率持續溶解至已供給至基板的主面的藥液中，而將已供給至基板的主面的藥液中的溶解氧濃度保持為一定。可藉由使含氧氣體及含惰性氣體在基板的整個主面與藥液接觸，而將基板的整個主面中藥液中的溶解氧濃度保持為一定。由此，可對基板實施面內均勻性高的藥液處理。
A2. 根據技術方案A1所述的基板處理方法，其中，所述藥液步驟將具有規定的溶解氧濃度的藥液供給至所述基板的主面，
所述氣體供給步驟包括以使所述規定的溶解氧濃度成為目標溶解氧濃度那樣的所述混合比進行供給的步驟。
根據A2所述的方法，供給至藥液的含氧氣體與含惰性氣體的混合比（流量比）是使與藥液的溶解氧濃度相同的濃度成為目標溶解氧濃度那樣的混合比（流量比）。因此，可將基板的整個主面中藥液中的溶解氧濃度保持為期望的溶解氧濃度。由此，可對基板的整個區域以期望的蝕刻速率來實施藥液處理。
A3. 根據技術方案A1或A2所述的基板處理方法，其還包括：隔斷步驟，在進行所述氣體供給步驟的同時，將隔斷構件相對於所述基板的所述主面以空開間隔的方式相向配置，將所述基板的所述主面之上的空間與所述空間的周圍隔開的步驟。
根據A3所述的方法，在隔斷構件相對於基板的主面空開間隔相向配置的狀態下，基板的主面與隔斷構件之間的空間與所述空間的周圍隔開。因此，可使空間內充滿含氧氣體及含惰性氣體。由此，可使含氧氣體及含惰性氣體在基板的整個主面與藥液接觸。由此，可對基板實施面內均勻性更高的藥液處理。
A4. 根據技術方案A1至A3中任一項所述的基板處理方法，其中，所述氣體供給步驟包括朝藥液噴嘴的噴出口的附近區域噴出所述含氧氣體及所述含惰性氣體的步驟。
根據A4所述的方法，藉由對從藥液噴嘴的噴出口噴出的藥液噴射含氧氣體及含惰性氣體，可使含氧氣體及含惰性氣體效率良好地溶解至已供給至基板的主面的藥液中。
A5. 根據技術方案A1至A4中任一項所述的基板處理方法，其中，供給至所述基板的所述主面的所述藥液包括含有TMAH的含TMAH藥液。
A6. 根據技術方案A1至A5中任一項所述的基板處理方法，其中，所述基板包括矽基板。
B1. 一種基板處理裝置，包括：基板保持單元，對基板進行保持；
藥液供給單元，用以對由所述基板保持單元保持著的基板的主面供給液體；
氣體供給單元，用以對由所述基板保持單元保持著的基板供給含有氧氣的含氧氣體及含有惰性氣體的含惰性氣體；以及
控制裝置，對所述藥液供給單元及所述氣體供給單元進行控制，
所述控制裝置執行：藥液步驟，藉由所述藥液供給單元對所述基板供給藥液；以及氣體供給步驟，對已供給至所述基板的主面的藥液以預定的混合比供給含有氧氣的含氧氣體及含有惰性氣體的含惰性氣體。
根據B1所述的構成，在對基板的主面供給藥液的同時，也對其以預定的混合比（流量比）供給含氧氣體及含惰性氣體。由此，含氧氣體及含惰性氣體以預定的比率溶解至已供給至基板的主面的藥液中。
本案發明者等得知：藉由使含氧氣體與含惰性氣體的氣體以規定的比率持續溶解至藥液中，藥液中的溶解氧濃度收斂為一定。而且，本案發明者等也得知：在含氧氣體的溶解量相對於含惰性氣體的溶解量的比率比較高時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較高的濃度，在含氧氣體的溶解量相對於含惰性氣體的溶解量的比率比較低時，藥液中的溶解氧濃度收斂為比較低的濃度。
因此，可藉由將含氧氣體與含惰性氣體以預定的比率持續溶解至已供給至基板的主面的藥液中，而將已供給至基板的主面的藥液中的溶解氧濃度保持為一定。可藉由在基板的整個主面中將含氧氣體及含惰性氣體供給至藥液，而在基板的整個主面中將藥液中的溶解氧濃度保持為一定。由此，可對基板實施面內均勻性高的藥液處理。
B2. 根據技術方案B1所述的基板處理裝置，其中，所述控制裝置在所述藥液步驟中將具有規定溶解氧濃度的藥液供給至所述基板的主面，
所述控制裝置在所述氣體供給步驟中執行以使所述規定的溶解氧濃度成為目標溶解氧濃度那樣的所述混合比進行供給的步驟。
根據B2所述的構成，供給至藥液的含氧氣體與含惰性氣體的混合比（流量比）是使與藥液的溶解氧濃度相同的濃度成為目標溶解氧濃度那樣的混合比（流量比）。因此，可將基板的整個主面中藥液中的溶解氧濃度保持為期望的溶解氧濃度。由此，可對基板的整個區域以期望的蝕刻速率來施予藥液。
B3. 根據技術方案B1或B2所述的基板處理裝置，其還包括隔斷構件，所述隔斷構件相對於由所述基板保持單元保持著的所述基板的所述主面空開間隔而相向配置，將所述基板的所述主面之上的空間與所述空間的周圍隔開。
根據B3所述的構成，在隔斷構件相對於基板的主面空開間隔相向配置的狀態下，基板的主面與隔斷構件之間的空間與所述空間的周圍隔開。因此，可使空間內充滿含氧氣體及含惰性氣體。由此，可使含氧氣體及含惰性氣體在基板的整個主面與藥液接觸。由此，可對基板實施面內均勻性更高的藥液處理。
B4. 根據技術方案B1～B3中任一項所述的基板處理裝置，其中，所述氣體供給單元還包括：混合比調整單元，對供給至所述基板的所述含氧氣體與供給至所述基板的所述含惰性氣體的混合比進行調整。
根據所述構成，藉由由混合比調整單元（流量比調整單元）對混合比（流量比）進行調整，可對溶解至藥液中的含氧氣體與含惰性氣體的比率進行調整。由此，可對已供給至基板的主面的藥液的目標溶解氧濃度進行調整。
B5. 根據技術方案B1～B4中任一項所述的基板處理裝置，其中，所述藥液供給單元包括藥液噴嘴，所述藥液噴嘴包括噴出所述藥液的噴出口，
所述氣體供給單元包括氣體噴嘴，所述氣體噴嘴朝所述噴出口的附近區域噴出所述含氧氣體及所述含惰性氣體，
所述控制裝置在所述氣體供給步驟中執行從所述氣體噴嘴朝所述噴出口的附近區域噴出所述含氧氣體及所述含惰性氣體的步驟。
根據B5所述的構成，藉由對從藥液噴嘴的噴出口噴出的藥液噴射含氧氣體及含惰性氣體，可使含氧氣體及含惰性氣體效率良好地溶解至已供給至基板的主面的藥液中。
雖針對本發明的實施形態進行了詳細的說明，但這些只不過是為了明確本發明的技術內容而使用的具體例，本發明不應限定於這些具體例來理解，本發明的範圍僅由隨附的權利要求書來限定。
本申請對應於2017年9月22日向日本專利廳提出的特願2017-183007號，所述特願的所有揭示內容藉由引用至此而加入本申請中。
1、201、301‧‧‧基板處理裝置
2、202、302‧‧‧處理單元
3、205‧‧‧藥液生成單元（藥液生成裝置）
4、303‧‧‧控制裝置
5、304‧‧‧腔室
6、305‧‧‧旋轉卡盤
8、312‧‧‧處理杯
9‧‧‧第1藥液噴嘴
10‧‧‧第2藥液噴嘴
11‧‧‧清洗液噴嘴
12‧‧‧第2藥液閥
13‧‧‧第2藥液配管
14、340‧‧‧清洗液閥
15、339‧‧‧清洗液配管
16‧‧‧槽
17‧‧‧第1藥液配管
18‧‧‧第1藥液閥
19‧‧‧循環配管
19a‧‧‧上游端
19b‧‧‧下游端
20‧‧‧溫度調整單元
21‧‧‧送液泵
22‧‧‧過濾器
23‧‧‧循環閥
24‧‧‧補充配管
26‧‧‧氣體溶解單元
28‧‧‧混合氣體配管
29、258、348、354‧‧‧含氧氣體配管
30、345、353‧‧‧含惰性氣體的氣體配管
31、338‧‧‧第1流量調整閥
32、341‧‧‧第2流量調整閥
41、361‧‧‧運算單元
42、362‧‧‧記憶單元
43、363‧‧‧輸出單元
44、364‧‧‧對應關係
201a‧‧‧外壁
204‧‧‧流體箱
211‧‧‧回收槽（第1槽）
212‧‧‧新液槽（第1槽）
213‧‧‧緩衝槽（第2槽）
214‧‧‧供給槽（第3槽）
215‧‧‧集合回收槽
221‧‧‧第1送液配管
222‧‧‧第1送液泵
223‧‧‧回收用氣體溶解單元（第1氣體供給溶解單元）
226‧‧‧第1 TMAH補充配管
227‧‧‧第1純水補充配管
228‧‧‧新液用氣體溶解單元（第1氣體供給溶解單元）
231‧‧‧第2送液配管
232‧‧‧第2送液泵
233、241‧‧‧第3送液配管
234‧‧‧第3送液泵
235‧‧‧緩衝用氣體溶解單元（第2氣體供給溶解單元）
236‧‧‧第2 TMAH補充配管
237‧‧‧第2純水補充配管
242‧‧‧第1送液閥
243‧‧‧第1循環配管
244‧‧‧第1溫度調整單元
245‧‧‧第4送液泵
246‧‧‧第1過濾器
247‧‧‧第1循環閥
248‧‧‧第1溶解氣體感測器
251‧‧‧第3 TMAH補充配管
252‧‧‧第3純水補充配管
256‧‧‧氧氣溶解單元
257‧‧‧惰性氣體溶解單元
259、344‧‧‧第3流量調整閥
260‧‧‧含惰性氣體的氣體配管
261、347‧‧‧第4流量調整閥
266‧‧‧供給配管
267‧‧‧供給閥
268‧‧‧第2循環配管
269‧‧‧第2溫度調整單元
270‧‧‧第5送液泵
271‧‧‧第2過濾器
272‧‧‧第2循環閥
273‧‧‧返還配管
274‧‧‧返還閥
275‧‧‧噴出閥
276‧‧‧噴出配管
277‧‧‧第2溶解氣體感測器
278‧‧‧濃度感測器
306‧‧‧隔斷構件
307‧‧‧中心軸噴嘴
308‧‧‧藥液供給單元
309‧‧‧清洗液供給單元
310‧‧‧有機溶劑供給單元
311A‧‧‧含惰性氣體的氣體供給單元
311B‧‧‧含氧氣體供給單元
313‧‧‧隔壁
314‧‧‧FFU
315‧‧‧排氣管道
316‧‧‧旋轉馬達
317‧‧‧旋轉軸
318‧‧‧旋轉底座
319‧‧‧夾持構件
320‧‧‧隔斷構件支撐部
321‧‧‧隔斷板
321a‧‧‧基板相向面
321b‧‧‧卡爪部
321c‧‧‧旋轉卡盤卡合部
322‧‧‧卡合部
323‧‧‧支撐部
324‧‧‧貫通孔
325‧‧‧圓筒部
326‧‧‧凸緣部
326a‧‧‧卡合孔
327‧‧‧支撐部主體
328‧‧‧凸緣支撐部
328a‧‧‧突起
329‧‧‧連接部
330‧‧‧殼體
330a‧‧‧外周面
330b‧‧‧相向面
331‧‧‧第1噴嘴配管
331a‧‧‧第1噴出口
332‧‧‧第2噴嘴配管
332a‧‧‧第2噴出口
333‧‧‧第3噴嘴配管
333a‧‧‧第3噴出口
334‧‧‧第4噴嘴配管
334a‧‧‧第4噴出口
335‧‧‧第5噴嘴配管
335a‧‧‧第5噴出口
336‧‧‧藥液配管
337‧‧‧藥液閥
342‧‧‧有機溶劑配管
343‧‧‧有機溶劑閥
346、355‧‧‧含惰性氣體的氣體閥
349、357‧‧‧含氧氣體閥
350‧‧‧第5流量調整閥
351‧‧‧下表面噴嘴
352‧‧‧下表面供給配管
356‧‧‧第6流量調整閥
358‧‧‧第7流量調整閥
360‧‧‧隔斷構件升降單元
370‧‧‧空間
401、402、403‧‧‧氣體噴嘴
404‧‧‧蓋體
A1‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧基板收容器
CR‧‧‧基板搬送機器人
IR‧‧‧標引機器人
LP‧‧‧裝載埠
Ra‧‧‧第1期間
Rb‧‧‧第2期間
Rc‧‧‧第3期間
S1～S8‧‧‧步驟
W‧‧‧基板
圖1是沿水平方向觀察本發明的第1實施形態的基板處理裝置的圖。 圖2是用以說明所述基板處理裝置的電氣構成的框圖。 圖3A是表示供給以1:1的混合比（供給流量比）混合乾燥空氣與氮氣而成的混合氣體時的TMAH中的溶解氧濃度的變化的圖。 圖3B是表示供給以1:1的混合比（供給流量比）混合乾燥空氣與氮氣而成的混合氣體時的TMAH中的溶解氧濃度的變化的圖。 圖3C是表示供給以1:4的混合比（供給流量比）混合乾燥空氣與氮氣而成的混合氣體時的TMAH中的溶解氧濃度的變化的圖。 圖4是表示TMAH的期望的溶解氧濃度與、含氧氣體的供給流量相對於含惰性氣體的供給流量的比的對應關係的圖。 圖5是從上觀察本發明的第2實施形態的基板處理裝置的示意圖。 圖6是從水平方向觀察圖5所示的藥液生成單元的圖。 圖7是示意性表示所述藥液生成單元中所含的四個槽的相互關係的圖。 圖8是從上觀察本發明的第3實施形態的基板處理裝置的示意圖。 圖9A是用以說明圖8所示的處理單元的構成例的圖解性剖面圖。 圖9B是圖9A所示的中心軸噴嘴的底面圖。 圖10是用以說明所述基板處理裝置的主要部分的電氣構成的框圖。 圖11是用以說明在所述基板處理單元中執行的基板處理例的內容的流程圖。 圖12是說明圖11的藥液步驟S1開始前的狀態的示意性圖。 圖13是說明圖12的藥液步驟S1的示意性圖。 圖14A～圖14C是表示本發明的變形例的圖。

Claims (17)

  1. 一種藥液生成方法，生成用以對基板上所形成的膜進行處理的藥液，所述藥液生成方法，包括： 氣體溶解步驟，藉由將含有氧氣的含氧氣體及含有惰性氣體的含惰性氣體供給至藥液來使所述含氧氣體及所述含惰性氣體溶解至藥液中，並且藉由將供給至所述藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為與規定的目標溶解氧濃度相對應的混合比來調整藥液的溶解氧濃度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的藥液生成方法，其中，所生成的藥液包括含有四甲基氫氧化銨的含四甲基氫氧化銨藥液。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的藥液生成方法，其中，所述氣體溶解步驟包括藉由在藥液中噴出所述含氧氣體及所述含惰性氣體來使藥液中產生氣泡的步驟。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的藥液生成方法，其中，成為所述氣體溶解步驟的對象的藥液包括從處理單元回收的藥液。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的藥液生成方法，其中，所述氣體溶解步驟包括： 第1氣體溶解步驟，藉由將供給至所述藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為規定的混合比來調整藥液的溶解氧濃度；以及 第2氣體溶解步驟，針對由所述第1氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液，將供給至所述藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為與所述目標溶解氧濃度相對應的混合比，由此來調整藥液的溶解氧濃度。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的藥液生成方法，其中，所述第1氣體溶解步驟中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的所述混合比與所述第2氣體溶解步驟中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的所述混合比相等。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的藥液生成方法，其中，所述第1氣體溶解步驟中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的所述混合比高於所述第2氣體溶解步驟中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的所述混合比。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的藥液生成方法，還包括： 測定步驟，測定由所述氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液中的溶解氧濃度； 惰性氣體溶解步驟，在所述測定步驟測定出的溶解氧濃度高於所述目標溶解氧濃度的情況下，將所述含惰性氣體供給至由所述氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液，由此使所述含惰性氣體溶解至由所述氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液中；以及 含氧氣體溶解步驟，在所述測定步驟測定出的溶解氧濃度低於所述目標溶解氧濃度的情況下，將所述含氧氣體供給至由所述氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液，由此使所述含氧氣體溶解至由所述氣體溶解步驟進行氣體溶解後的藥液中。
  9. 一種藥液生成裝置，生成供給至處理單元中形成在基板上的膜的藥液，所述藥液生成裝置，包括： 槽，貯存用以供給至所述處理單元的藥液；以及 氣體溶解單元，針對貯存在所述槽中的藥液，使含有氧氣的含氧氣體及含有惰性氣體的含惰性氣體溶解至藥液中，並且藉由將供給至藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為與規定的目標溶解氧濃度相對應的混合比來調整貯存在所述槽中的藥液的溶解氧濃度。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的藥液生成裝置，其中，所生成的藥液包括含有四甲基氫氧化銨的含四甲基氫氧化銨藥液。
  11. 如申請專利範圍第9項或第10項所述的藥液生成裝置，其中，所述氣體溶解單元包括起泡單元，所述起泡單元藉由從配置在由所述槽貯存的藥液中的氣體噴出口噴出所述含氧氣體及所述含惰性氣體來使藥液中產生氣泡。
  12. 如申請專利範圍第9項或第10項所述的藥液生成裝置，其中，所述槽中貯存有從所述處理單元回收的藥液。
  13. 如申請專利範圍第9項或第10項所述的藥液生成裝置，其中， 所述槽包括第1槽， 所述氣體溶解單元包括第1氣體溶解單元，所述第1氣體溶解單元藉由將含有氧氣的含氧氣體及含有惰性氣體的含惰性氣體供給至貯存在所述第1槽中的藥液來使所述含氧氣體及所述含惰性氣體溶解至藥液中，並且藉由將供給至藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為規定的混合比來調整貯存在所述第1槽中的藥液的溶解氧濃度， 所述槽還包括貯存由所述第1氣體溶解單元進行氣體溶解後的藥液的第2槽， 所述氣體溶解單元還包括第2氣體溶解單元，所述第2氣體溶解單元藉由將所述含氧氣體及所述含惰性氣體供給至貯存在所述第2槽中的藥液來使所述含氧氣體及所述含惰性氣體溶解至藥液中，並且藉由將供給至藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為與所述目標溶解氧濃度相對應的混合比來調整貯存在所述第2槽中的藥液的溶解氧濃度。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的藥液生成裝置，其中，所述第1氣體溶解單元中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的比即所述混合比與所述第2氣體溶解單元中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的比即所述混合比相等。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的藥液生成裝置，其中，所述第1氣體溶解單元中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的比即所述混合比高於所述第2氣體溶解單元中所述含氧氣體的供給流量相對於所述含惰性氣體的供給流量的比即所述混合比。
  16. 如申請專利範圍第9項或第10項所述的藥液生成裝置，還包括： 第3槽，貯存由所述氣體溶解單元進行氣體溶解後的藥液； 測定單元，測定貯存在所述第3槽中的藥液中的溶解氧濃度； 惰性氣體溶解單元，藉由將所述含惰性氣體供給至貯存在所述第3槽中的藥液來使所述含惰性氣體溶解至藥液中； 氧氣溶解單元，藉由將所述含氧氣體供給至貯存在所述第3槽中的藥液來使所述含氧氣體溶解至藥液中；以及 控制裝置，對所述測定單元、惰性氣體溶解單元及氧氣溶解單元進行控制， 所述控制裝置執行：測定步驟，由所述測定單元對貯存在所述第3槽中的藥液中的溶解氧濃度進行測定；惰性氣體溶解步驟，在所述測定步驟測定出的溶解氧濃度高於所述目標溶解氧濃度的情況下，使所述含惰性氣體溶解至貯存在所述第3槽中的藥液中；以及含氧氣體溶解步驟，在所述測定步驟測定出的溶解氧濃度低於所述目標溶解氧濃度的情況下，使所述含氧氣體溶解至貯存在所述第3槽中的藥液中。
  17. 一種基板處理裝置，於包括： 藥液生成裝置，生成藥液，並且包括：槽，貯存用以供給至所述處理單元的藥液；以及氣體溶解單元，針對貯存在所述槽中的藥液，使含有氧氣的含氧氣體及含有惰性氣體的含惰性氣體溶解至藥液中，並且藉由將供給至藥液的所述含氧氣體與所述含惰性氣體的混合比設定為與規定的目標溶解氧濃度相對應的混合比來調整貯存在所述槽中的藥液的溶解氧濃度；以及 處理單元，將由所述藥液生成裝置生成的所述藥液供給至基板。
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