TW201912353A - 具有紋理的陶瓷外殼 - Google Patents

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Abstract

一種用於可攜式電子裝置的外殼，包括射頻透明多晶陶瓷部分，其包括第一表面及平行於第一表面的第二表面。射頻透明多晶陶瓷部分包括在第一表面的至少一部分上的巨紋理，而預定微紋理安置在巨紋理的至少一部分上。製造用於可攜式電子裝置的外殼之方法包括形成包括第一表面與平行於第一表面的第二表面之生坯陶瓷製品，壓印生坯陶瓷製品的第一表面的至少一部分帶有巨紋理，及燒結包括巨紋理的生坯陶瓷製品以形成燒結陶瓷製品。預定微紋理安置在巨紋理的至少一部分上。

Description

具有紋理的陶瓷外殼
本申請案主張2017年8月31日提出申請之美國專利臨時申請案第62/552560號之優先權權益，依賴其全部內容被且在此以引用方式併入本文。
本說明書大體上關於用於具有紋理的可攜式電子裝置的外殼，及更明確地關於用於具有安置在巨紋理的至少一部分上的微紋理的可攜式電子裝置的外殼。
諸如例如行動電話、智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦、導航系統、手錶、活動監視器，等等的可攜式電子裝置在現今社會中無所不在。對於許多的這些裝置，裝置的外部的至少一部分需要為射頻透明的，使得裝置可與衛星、基地台、無線網路路由器、及其他裝置連通。已提出硬陶瓷材料做為射頻透明材料，其可用於做為此可攜式裝置的外殼。然而，許多陶瓷具有低破裂韌性且當落下時會破裂或碎裂。此外，當覆蓋有手印、油、與水性鹽類時，拋光陶瓷會是易滑的，造成意外的裝置掉落。在拋光表面上的手印也不美觀。
因此，需要這樣一種射頻透明硬陶瓷材料：其降低掉落的可能性及限制手印與其他汙跡的美觀影響。
根據一具體例，用於可攜式電子裝置的外殼包括射頻透明多晶陶瓷部分，其包含第一表面與平行於第一表面的第二表面。射頻透明多晶陶瓷部分包含在第一表面的至少一部分上的巨紋理，且預定微紋理安置在巨紋理的至少一部分上。
在另一具體例中，製造用於可攜式電子裝置的外殼之方法包括形成包含第一表面與平行於第一表面的第二表面的生坯陶瓷製品，壓印生坯陶瓷製品的第一表面的至少一部分帶有巨紋理，及燒結包含巨紋理與微紋理的生坯陶瓷製品以形成燒結陶瓷製品。預定微紋理安置在巨紋理的至少一部分上。
將在接下來的實施方式中說明額外的特徵與優點，且部分地對於本領域的熟習技藝者而言是顯而易見的，經由說明書或藉由實行本文所述的具體例所認知的，包括接下來的實施方式、申請專利範圍、及隨附圖式。
將理解到前述的概略說明與接下來的實施方式說明各種具體例且意於提供用於理解所請求標的之本質與特徵的概觀或框架。包括隨附圖式以提供進一步理解各種具體例，且隨附圖式併入並構成本說明書的一部分。圖式繪示本文所述的各種具體例，且與說明書一同用以說明所請求標的之原理及操作。
現在將詳細參照包括巨紋理與安置在巨紋理的至少一部分上的預定微紋理之用於可攜式電子裝置的陶瓷外殼之具體例及用於製造此陶瓷外殼的方法。根據一具體例，用於可攜式電子裝置的外殼包括包含第一表面與平行於第一表面的第二表面之射頻透明多晶陶瓷部分。射頻透明多晶陶瓷部分包含在第一表面的至少一部分上的巨紋理，及安置在巨紋理的至少一部分上的預定微紋理。用於可攜式電子裝置的外殼的各種具體例及根據具體例之用於形成此外殼的方法將參照隨附圖式而說明。
在此使用，除非另外指明，「生坯外殼」或「生坯陶瓷」可互換地使用且指稱未燒結的外殼或陶瓷材料，包括在燒結處理已經開始但尚未完成的陶瓷，諸如暫停燒結處理，使得可進一步加工陶瓷，然後當加工完成時重新開始。
在此使用時，除非明確地指出為相反，無機或有機成分的「wt%」、「重量百分比」或「百分比重量」係基於包括此成分的全部有機與無機物的總重量。在此使用時，除非明確地指出為相反，一成分的「vol%」、「體積百分比」、「百分比體積」係基於包括此成分的組成物的總體積。
現在參照圖1A與1B，其描繪電子裝置的具體例，電子裝置100包括外殼102，具有前部104(第二表面)、背部(第一表面)、及側表面108；電子部件(未示出)，至少部分地或完全地在外殼內且至少包括控制器、記憶體、及顯示器110位於或鄰近於外殼的前表面；及蓋基板112，位於外殼的前表面或在外殼的前表面上方，使得其在顯示器上方。在一或多個具體例中，第二表面104平行於第一表面106。在各種具體例中，外殼102機械地附加於顯示器110與蓋基板112。根據某些具體例，當外殼102附加於顯示器110與蓋基板112時，外殼102的背部106與側表面108暴露，而外殼102的前部104大體被顯示器110與蓋基板112覆蓋。
目前期望可攜式電子裝置100為相對薄的，從而增加電子裝置100的可攜性。外殼102的厚度界定為外殼102的背部106(第一表面)與前部104(第二表面)之間的厚度。為此，在某些具體例中，外殼的厚度小於或等於5 mm、諸如小於或等於4 mm、小於或等於3 mm、小於或等於2 mm、或小於或等於1 mm。應理解到上述範圍包括指明的範圍內的所有子範圍。電子裝置100的其他尺度(即，長度與寬度)將基於可攜式電子裝置的期望使用而決定。例如，智慧型手機相較於平板電腦會具有較小的長度與寬度，但對於智慧型手機與平板電腦兩者而言，期望其厚度為相對小的。
如上所述，電子裝置100的外殼102可由拋光陶瓷材料製成。此拋光陶瓷材料會使得電子裝置100易滑且造成電子裝置100的頻繁掉落—特別是當接觸手部的外殼102的背部106由拋光陶瓷材料製成時。再者，因為外殼102的背部106頻繁地接觸手部與電子裝置100所放置的表面(諸如，例如書桌、桌子、料理台，等等)，外殼102的背部106會頻繁地具有來自油或水性組成物的汙跡或髒汙。這些汙跡或髒汙會減少陶瓷外殼102的積極美觀效果，且也會藏匿會傳播傳染病的微生物。
為了解決上述與其他疑慮，本文揭示與說明的外殼的具體例包括外殼102，其中外殼102的背部106的至少一部分具有巨紋理及安置在巨紋理的至少一部分上的預定微紋理。應注意到在某些具體例中，外殼102的整個背部106可包含巨紋理，而在其他具體例中，僅有外殼102的背部106的一部分(即，小於全部)可包含巨紋理。此外，各種具體例可包括在外殼102的前部104上的巨紋理。例如，在外殼相對薄的某些具體例中，壓印生坯陶瓷外殼可形成巨紋理於外殼102的前部104與背部106兩者上。類似地，在某些具體例中，預定微紋理可形成在包含巨紋理的外殼102的至少一部分上。在一或多個具體例中，預定微紋理可形成在包含巨紋理的外殼102的整個部分上。在此使用時，微紋理具有深度小於巨紋理的深度。在某些具體例中，微紋理具有如之後所界定的最大限制尺度，其小於巨紋理的最大限制尺度。
在某些具體例中，巨紋理施加於電子裝置100的外殼102的背部106的至少一部分。根據某些具體例，巨紋理提供有形紋理於電子裝置100的外殼102，其容許使用者建立更佳地握持於電子裝置100，其降低電子裝置掉落的頻率。再者，巨紋理提供不平坦表面，其以許多不同角度反射光與色彩，因而降低存在於電子裝置100的外殼102上的油性或水性汙跡與髒汙的不期望美觀效應。
巨紋理的幾何並未被特別地限制且在某些具體例中可為週期的、重覆的幾何形狀的序列。在其他具體例中，巨紋理可為僅一次、非重覆的變化形狀與尺寸的幾何形狀，有時稱為「隨機」。例如，在一或多個具體例中，巨紋理可為一或多個字母、符號、標誌、或其他可認知的幾何形狀、圖案、或字體。在其他具體例中，巨紋理可為重覆的字母、符號、標誌、或其他可認知的幾何形狀、圖案、或字體。此外，在一或多個具體例中，一巨紋理可與另一巨紋理重疊。作為一非限制實例，第一巨紋理可為一幾何圖案，諸如，例如人字形(herringbone)或山形(chevron)圖案，第二巨紋理(諸如一或多個字母)可安置在第一巨紋理上，使得第二巨紋理包含第一巨紋理(即，字母具有在字母內的人字形或山形圖案)。
現在參照圖2A所示的具體例，其為用於電子裝置100的外殼102的一部分的圖解平面圖，包含在外殼102的背部106上的巨紋理210。巨紋理210為具有氣泡形幾何的隨機形狀巨紋理210。應理解到在其他具體例中，巨紋理210可為更一致、均勻的形狀，及在某些具體例中，巨紋理210可為週期序列或重覆的幾何設計。也應理解到圖2A中的巨紋理210不必然按比例繪製且帶有更小或更大尺度的氣泡形狀可包含根據某些具體例的巨紋理。包含巨紋理210的氣泡形幾何之間的間隔未被特別限制且將僅侷限在用於形成外殼102的材料與用於形成巨紋理的設備。
現在參照圖2B的具體例，其為用於電子裝置100的外殼102的一部分的圖解平面圖，其包含外殼102的背部106上的巨紋理210，巨紋理210可為一系列的延伸跨越外殼102的背部106的至少一部分的線條。在某些具體例中，包含巨紋理210的線條可具有相同厚度，或在其他具體例中，包含巨紋理210的線條可具有不同厚度。在一或多個具體例中，包含巨紋理210的線條可被均勻地間隔開，或在其他具體例中，包含巨紋理210的線條可被不均勻地間隔開。包含巨紋理的線條之間的間隔未被特別限制且將僅侷限在用於形成外殼102的材料與用於形成巨紋理的設備。
在某些具體例中，巨紋理具有最大限制尺度。此最大限制尺度不包括經量測進入外殼厚度的巨紋理的深度。在此使用時，「最大限制尺度」指稱藉由用於形成巨紋理的設備或製成外殼的材料所限制的尺度。例如，在一包圍幾何形狀中，諸如，例如圓形、多邊形、或類似幾何形狀(諸如，例如圖2A所示的氣泡形幾何)，最大限制尺度為從幾何形狀的一側拉曳到幾何形狀的另一側的線條的最大長度。例如並再次參照圖2A，氣泡形幾何的最大限制尺度被稱為「d」。應理解到圖2A中的氣泡形幾何的每一者具有一最大限制尺度d。在直線形狀的巨紋理中(無論是圖2B所示的直線或諸如山形、平行線相交(crosshatch)，等等的直線設計)，最大限制尺度為構成直線形狀的任何單獨線條的厚度。例如，在圖2B中，線條的最大限制尺度被稱為「d」。應理解到每一線條具有最大限制尺度d。
在某些具體例中，巨紋理的最大限制尺度為從大於或等於50 µm至小於或等於300 µm，諸如從大於或等於75 µm至小於或等於300 µm、從大於或等於100 µm至小於或等於300 µm、從大於或等於125 µm至小於或等於300 µm、從大於或等於150 µm至小於或等於300 µm、從大於或等於175 µm至小於或等於300 µm、從大於或等於200 µm至小於或等於300 µm、從大於或等於225 µm至小於或等於300 µm、從大於或等於250 µm至小於或等於300 µm、或從大於或等於 275 µm至小於或等於300 µm。在其他具體例中，最大限制尺度為從大於或等於50 µm至小於或等於275 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於250 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於225 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於200 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於175 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於150 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於125 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於100 µm、或從大於或等於50 µm至小於或等於75 µm。在一或多個具體例中，最大限制尺度為從大於或等於75 µm至小於或等於275 µm、諸如從大於或等於100 µm至小於或等於250 µm、從大於或等於125 µm至小於或等於225 µm、或從大於或等於150 µm至小於或等於200 µm。應理解到上述範圍包括在指明範圍內的所有子範圍。
在某些具體例中，巨紋理可具有平坦化上表面，諸如，例如圖2A所示的氣泡形幾何。在此種具體例中，巨紋理可具有最小曲率半徑從大於或等於5 µm 至小於或等於10 µm，諸如從大於或等於6 µm至小於或等於10 µm、從大於或等於7 µm至小於或等於10 µm、從大於或等於8 µm至小於或等於10 µm、或從大於或等於9 µm至小於或等於10 µm。在其他具體例中，巨紋理可具有最小曲率半徑從大於或等於5 µm至小於或等於9 µm，諸如從大於或等於5 µm至小於或等於8 µm、從大於或等於5 µm至小於或等於7 µm、從大於或等於5 µm 至小於或等於6 µm。在一或多個具體例中，巨紋理可具有最小曲率半徑從大於或等於6 µm至小於或等於9 µm，諸如從大於或等於7 µm至小於或等於8 µm。應理解到上述範圍包括在指明範圍內的所有子範圍。
除了最大限制尺度之外，巨紋理210具有延伸進入外殼的厚度的指定深度。現在參照圖3A，其描繪包含具有圖2A所示的氣泡形幾何的巨紋理210的外殼102的剖面，巨紋理210的深度被量測為從巨紋理210的一尖峰至延伸進入外殼102的厚度「t」的巨紋理的相鄰凹谷的距離「D」。現在參照圖3B，其描繪包含具有圖2B所示的直線幾何的巨紋理210的外殼102的剖面，巨紋理210的深度被量測為從巨紋理210的最大高度至延伸進入外殼102的厚度「t」的巨紋理的相鄰凹谷的距離「D」。在此使用時，巨紋理的深度可表示為外殼102的厚度t的百分比。作為一實例，在此使用時，當巨紋理的深度D為15%的厚度t且外殼的厚度t為2 mm時，巨紋理的量測深度D為0.3 mm(15% ∙ 2 mm)。或者，巨紋理的深度D可稱為其量測深度，例如0.3 mm。
根據某些具體例，巨紋理的深度D為從大於或等於10%至小於或等於15%的外殼之厚度t，諸如從大於或等於11%至小於或等於15%的外殼之厚度t、從大於或等於12%至小於或等於15%的外殼之厚度t、從大於或等於13%至小於或等於15%的外殼之厚度t、或從大於或等於14%至小於或等於15%的外殼之厚度t。在其他具體例中，巨紋理的深度D為從大於或等於10%至小於或等於14%的外殼之厚度t，諸如從大於或等於10%至小於或等於13%的外殼之厚度t、從大於或等於10%至小於或等於12%的外殼之厚度t、或從大於或等於10%至小於或等於11%的外殼之厚度t。在一或多個具體例中，巨紋理的深度D為從大於或等於11%至小於或等於14%的外殼之厚度t，諸如從大於或等於12%至小於或等於13%的外殼之厚度t。應理解到上述範圍包括在指明範圍內的所有子範圍。
在某些具體例中，巨紋理的深度D可為從大於或等於50 µm至小於或等於750 µm，諸如從大於或等於75 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於100 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於125 µm至小於或等於µm、從大於或等於150 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於175 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於200 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於225 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於250 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於275 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於300 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於325 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於350 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於375 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於400 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於425 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於450 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於475 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於500 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於525 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於550 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於575 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於600 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於625 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於650 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於675 µm至小於或等於750 µm、從大於或等於700 µm至小於或等於750 µm、或從大於或等於725 µm至小於或等於750 µm。在其他具體例中，巨紋理的深度D可為從大於或等於50 µm至小於或等於725 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於700 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於675 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於650 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於625 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於600 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於575 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於550 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於525 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於500 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於475 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於450 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於425 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於400 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於375 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於350 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於325 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於300 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於275 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於250 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於225 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於200 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於175 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於150 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於125 µm、從大於或等於50 µm至小於或等於100 µm、或從大於或等於50 µm至小於或等於75 µm。在一或多個具體例中，巨紋理的深度D為從大於或等於75 µm至小於或等於725 µm，諸如從大於或等於100 µm至小於或等於700 µm、從大於或等於125 µm至小於或等於675 µm、從大於或等於150 µm至小於或等於650 µm、從大於或等於175 µm至小於或等於625 µm、從大於或等於200 µm至小於或等於600 µm、從大於或等於225 µm至小於或等於75 µm、從大於或等於250 µm至小於或等於550 µm、從大於或等於275 µm至小於或等於525 µm、從大於或等於300 µm至小於或等於500 µm、從大於或等於325 µm至小於或等於475 µm、從大於或等於350 µm至小於或等於450 µm、或從大於或等於375 µm至小於或等於425 µm。在又另一具體例中，巨紋理的深度D為從100 µm至500 µm。應理解到上述範圍包括在指明範圍內的所有子範圍。
如上所述，根據某些具體例，預定微紋理(也此稱為「微紋理」)安置在包含巨紋理210的外殼102的背部106的至少一部分上。根據某些具體例，微紋理提供疏水性及/或疏油性表面給外殼102。此疏水性及/或疏油性表面防止會降低外殼的美觀效果的水及/或油的積聚。此外，積聚在外殼上的水性殘留物與油類會藏匿傳染原。
根據某些具體例，微紋理的幾何為週期的、重覆幾何或直線形狀序列。此外，在一或多個具體例中，微紋理安置在巨紋理上，其提供有利的上述疏水性及/或疏油性特性於巨紋理。在某些具體例中，微紋理也可安置在不存在巨紋理的外殼的部分上。
現在參照圖4所示的具體例，其為用於電子裝置的外殼102的一部分的圖解平面圖，包含在外殼102的背部106上的巨紋理210與安置在巨紋理210上的微紋理410，巨紋理210可為一系列延伸跨越外殼102的背部106的至少一部分的線條。在某些具體例中，諸如彼等繪示在圖4中的，預定微紋理410安置在巨紋理210的至少一部分上。如圖4所示的具體例中所示，微紋理410安置在巨紋理210的僅一部分上，但在其他具體例中，微紋理410可安置在整個巨紋理210上。根據某些具體例，微紋理410可具有不同幾何形狀。然而，因為微紋理的尺寸是小的，在某些具體例中，微紋理410是週期性序列或重覆的幾何形狀。在圖4所示的具體例中，微紋理具有重覆的直線幾何形狀。然而，在其他具體例中，微紋理可具有其他幾何形狀，諸如，例如點狀或多邊形。在一或多個具體例中，微紋理合為一點，使得其具有針狀結構，特別有用於做為疏水性及/或疏油性表面。微紋理的幾何形狀可為「預定的」，其在此使用時意指微紋理的幾何形狀是有意地選擇用於特定特性，諸如疏水性及/或疏油性，且形成外殼以具有選定的微紋理的幾何形狀。
在某些具體例中，微紋理具有最大限制尺度。雖然顯著地較小，以與上述的巨紋理的最大限制尺度的相同方式而測量微紋理的最大限制尺度。在某些具體例中，微紋理的最大限制尺度為從大於或等於1 µm至小於或等於20 µm，諸如從大於或等於2 µm至小於或等於20 µm、從大於或等於4 µm至小於或等於20 µm、從大於或等於6 µm至小於或等於20 µm、從大於或等於8 µm至小於或等於20 µm、從大於或等於10µm至小於或等於20 µm、從大於或等於12 µm至小於或等於20 µm、從大於或等於14 µm至小於或等於20 µm、從大於或等於16 µm至小於或等於20 µm、或從大於或等於18 µm至小於或等於20 µm。在其他具體例中，最大限制尺度為從大於或等於1 µm至小於或等於18 µm、從大於或等於1 µm至小於或等於16 µm、從大於或等於1 µm至小於或等於14 µm、從大於或等於1 µm至小於或等於12 µm、從大於或等於1 µm至小於或等於10 µm、從大於或等於1 µm至小於或等於8 µm、從大於或等於1 µm至小於或等於6 µm、從大於或等於1 µm至小於或等於4 µm、或從大於或等於1 µm至小於或等於2 µm。在一或多個具體例中，最大限制尺度為從大於或等於2 µm至小於或等於18 µm，諸如從大於或等於4 µm至小於或等於16 µm、從大於或等於6 µm至小於或等於14 µm、或從大於或等於8 µm至小於或等於12 µm。應理解到上述範圍包括在指明範圍內的所有子範圍。
除了最大限制尺度之外，微紋理410具有延伸進入外殼的厚度的指定深度。現在參照圖5A，其描繪外殼102的剖面，包含具有直線幾何形狀的巨紋理210(諸如圖2B所示的幾何形狀)與安置在巨紋理210的一部分上的微紋理410。微紋理410的深度量測為從微紋理410的一尖峰至延伸進入外殼102的厚度「t」的微紋理的相鄰凹谷的距離。圖5B為圖5A所示的剖面的放大描繪，其顯示微紋理410的具體幾何形狀。
根據某些具體例，微紋理的深度為從大於或等於1.0%至小於或等於1.5%的外殼的厚度t，諸如從大於或等於1.1%至小於或等於1.5%的外殼的厚度t、從大於或等於1.2%至小於或等於1.5%的外殼的厚度t、從大於或等於1.3%至小於或等於1.5%的外殼的厚度t、或從大於或等於1.4%至小於或等於1.5%的外殼的厚度t。在其他具體例中，微紋理的深度為從大於或等於1.0%至小於或等於1.4%的外殼的厚度t，諸如從大於或等於1.0%至小於或等於1.3%的外殼的厚度t、從大於或等於1.0%至小於或等於1.2%的外殼的厚度t、或從大於或等於1.0%至小於或等於1.1%的外殼的厚度t。在一或多個具體例中，微紋理的深度為從大於或等於1.1%至小於或等於1.4%的外殼的厚度t，諸如從大於或等於1.2%至小於或等於1.3%的外殼的厚度t。應理解到上述範圍包括在指明範圍內的所有子範圍。
在某些具體例中，微紋理的深度可為從大於或等於0.1 µm至小於50 µm，諸如從大於或等於1 µm 至小於50 µm、從大於或等於5 µm至小於50 µm、從大於或等於10 µm至小於50 µm、從大於或等於15 µm至小於50 µm、從大於或等於20 µm至小於50 µm、從大於或等於25 µm至小於50 µm、從大於或等於30 µm至小於50 µm、從大於或等於35 µm至小於50 µm、從大於或等於40 µm至小於50 µm、或從大於或等於45 µm 至小於50 µm。在其他具體例中，微紋理的深度可為從大於或等於0.1 µm至小於或等於45 µm，諸如從大於或等於0.1 µm至小於或等於40 µm、從大於或等於0.1 µm 至小於或等於35 µm、從大於或等於0.1 µm至小於或等於30 µm、從大於或等於0.1 µm至小於或等於25 µm、從大於或等於0.1 µm至小於或等於20 µm、從大於或等於0.1 µm至小於或等於15 µm、從大於或等於0.1 µm 至小於或等於10 µm、從大於或等於0.1 µm至小於或等於5 µm、從大於或等於0.1 µm至小於或等於1 µm、或從大於或等於0.1 µm至小於或等於 0.5 µm。在一或多個具體例中，微紋理的深度可為從大於或等於0.5 µm至小於或等於45 µm，諸如從大於或等於1 µm至小於或等於40 µm、從大於或等於5 µm至小於或等於35 µm、從大於或等於10 µm至小於或等於30 µm、或從大於或等於15 µm至小於或等於25 µm。應理解到上述範圍包括在指明範圍內的所有子範圍。
微紋理的尺度可藉由用於形成外殼的材料所限制。明確而言，用於形成外殼的材料的粒子尺寸影響微紋理的尺度。作為一實例，微紋理的尺度不會小於製造外殼的材料的粒子尺寸。在某些具體例中，製造外殼的材料的d90 粒子尺寸小於0.1倍的微紋理的尺寸，諸如小於或等於0.09倍的微紋理的尺寸、小於或等於0.08倍的微紋理的尺寸、小於或等於0.07倍的微紋理的尺寸、小於或等於0.06倍的微紋理的尺寸、或小於或等於0.05倍的微紋理的尺寸。應理解到上述範圍包括在指明範圍內的所有子範圍。在此使用時，d90 粒子尺寸意指90%的粒子具有小於所述值的粒子尺寸。
外殼102可由射頻透明的任何合適多晶陶瓷材料所製成，諸如，例如氧化鋯、氧化鋁、碳化物、氮化物、及前述物之混合物。然而，在某些具體例中，外殼102主要包含氧化鋯，其給予強度與抗刮性。在一或多個具體例中，外殼102包含至少15體積百分比(vol%)氧化鋯，諸如至少20 vol%氧化鋯、至少25 vol%氧化鋯、至少30 vol%氧化鋯、至少35 vol%氧化鋯、至少40 vol%氧化鋯、至少45 vol%氧化鋯、至少55 vol%氧化鋯、至少60 vol%氧化鋯、至少65 vol%氧化鋯、至少70 vol%氧化鋯、至少75 vol%氧化鋯、至少80 vol%氧化鋯、或至少85 vol%氧化鋯。應理解到上述範圍包括在指明範圍內的所有子範圍。在某些具體例中，氧化鋯為四方(tetragonal)氧化鋯。及在一或多個具體例中，外殼102中之氧化鋯為四方氧化鋯的百分比為至少60 vol%氧化鋯，諸如至少65 vol%氧化鋯、至少70 vol%氧化鋯、至少75 vol%氧化鋯、至少80 vol%氧化鋯、至少85 vol%氧化鋯、至少90 vol%氧化鋯、至少95 vol%氧化鋯、或甚至100 vol%氧化鋯。應理解到上述範圍包括在指明範圍內的所有子範圍。
在一或多個具體例中，四方氧化鋯多晶(TZP)陶瓷材料具有高強度與高韌性。大部分的高韌性與強度可歸因於稱為相變韌化的現象。若裂痕或缺陷產生高應力於接近裂痕或缺陷的尖端，接著相轉變發生在氧化鋯晶體結構中，在此處四方晶體結構改變為單斜晶體結構，此晶體膨脹例如3至5體積%，及也顯現通常藉由雙晶化而適應的剪應變。此晶體體積膨脹本質上擠壓關閉裂痕或缺陷的尖端(即，自修復的一種形式)，直到施加額外應力以使得裂痕傳播。在轉變之後，在單斜晶相中的雙晶有時會回應外部應力改變取向與尺寸，，且再定位也可降低在裂痕尖端的應力與吸收能量。此稱為鐵彈性(ferroelastic)韌化。有些微奈米裂痕也會伴隨著接近裂痕尖端的相轉變，其降低接近裂痕的有效彈性係數且也助於防止單塊主體的破裂。在室溫的TZP材料為某些已知的最強與最韌性的單塊陶瓷。
在某些具體例中，麻田散鐵變態造成轉變的晶體中的原子的週期排列中的改變。麻田散鐵相變態不造成化學改變—不發生長程擴散。麻田散鐵變態在晶體內經常可發生於非常高速，接近於晶體中音速的部分。對於氧化鋯，最普遍的轉變為從四方晶相至單斜晶相(在某些穿透式電子顯微鏡(TEM) 箔片中，已觀察到正方晶至斜方晶(orthorhombic)的轉變)。以TEM或原子力顯微鏡(AFM)難以捕捉到當其發生時的轉變，特別是在包括安定摻雜物為Y+3 、Sc+3 或其他稀土+3離子、Sm+3 、Eu+3 、Gd+3 、Tb+3 、Dy+3 、Ho+3 、Er+3 、Tm+3 、Yb+3 及Lu+3 的四方氧化鋯。
四方氧化鋯晶體具有熱膨脹係數(CTE)、光學指數、及彈性係數異向性。當TZP從燒結溫度冷卻時，CTE異向性產生應力於晶粒中，應力集中特別接近於晶界、三相點及四相點，於此分別有三種與四種晶粒聚集。當晶粒變得更大，這些應力變得更大，作為應力釋放機制的發生在冷卻期間之擴散潛變(diffusional creep)( Blendell及Coble, J. Am. Ceram. Soc. 65 [3] 174-178 (1982), Coble, J. Appl. Physics 34, 1679 (1963), Herring, J. Applied Physics, 21, 437 (1950))變得效力較弱，因為增加了質量傳輸距離。藉由殘餘玻璃或有意地添加的玻璃之三相點與四相點的圓化(rounding)也稍微降低應力集中。釔安定的TZP(Y-TZP)經常自發地轉變為單斜晶，當從燒結溫度冷卻時，若晶粒尺寸大於約3至5微米，也可能取決於晶粒尺寸分布。
Olsen-Cohen麻田散鐵成核理論(Met. Trans. A. Vol. 7A , No. 12, pp. 1897-1923)導致差排/部分差排的小序列，其在附近產生應變接著超過變態應變。部分差排可發展離開晶界或小差排序列。部分差排可產生相轉變所需的原子置換(atomic shuffle)(非一完整柏格斯向量)。此部分差排沿著晶癖面(habit plane)為可滑動(即，能夠滑動)及當被進一步施壓時，其從接近晶界區域移動並產生跨越晶粒的麻田散鐵的板晶(lath)(單斜晶氧化鋯)。在氧化鋯中，變態的板晶產生非常高應力於晶界區域附近，產生更多的部分差排。當在晶界處產生越多的部分差排時，板晶變厚且以高速滑動跨越晶粒。當在成核界面處的應變變得過大時，產生出可滑動的相反符號的部分差排(或失配差排)，且當其移動時，其產生雙晶(奈米或微米裂痕也可發生在晶界處，或在變態的單斜晶板晶接觸已變態的單斜晶區域)。在ZrO2 -TiN的樣品中，這些部分差排已經被TEM顯微照片所捕捉到(Wu，等人，J.Am. Ceram. Soc., 94 [7] 2200-2212 (2011))。
Y-TZP轉變已被稱為「硬的」，而氧化鈰安定的TZP(Ce-TZP)轉變被稱為「軟的」。此特性化結合在冷卻Y-TZP下展現的極值對上在Ce-TZP冷卻下的較小值兩者，及需要用以觸發轉變的應力。一個理論為此係由於氧化鋯合金中的鋯+4陽離子次晶格中的釔+3離子的聯合，帶有由於相異(名義上)電荷結合導致之氧空洞。在鈰氧化鋯合金，鈰主要在+4離子態。氧空洞比Y-TZP中(在Ce-TZP合金中，空洞主要是由於微少數Ce+3 陽離子導致)更不常見。+2、+3摻雜物與藉由不同價(alio-valent)的摻雜物引起的氧空洞可形成相關的缺陷結構。這些缺陷結構可為2個釔離子與一個氧空洞，一種三聚物，其中釔離子接近於氧空洞。當部分差排開始移動穿過氧化鋯合金晶格時，其必須重新排列Y-TZP中的氧空洞與釔離子缺陷三聚物。此造成吸收大量能量的部分電荷分離且防止部分差排輕易地開始移動。相反地，Ce-TZP具有微小或沒有電荷分離以應付問題，且僅有由於關於在發展的單斜晶對上四方晶體結構中的不同Ce位置的尺寸條件的啟動能量差異。
另一理論為所有+2與+3陽離子–TZP合金會與氧空洞聯合。+4安定化協助劑會不具有此聯合，但會具有基於離子尺寸的應變能量條件。+5與+6韌化劑補償某些+2與+3摻雜物並降低氧空洞的數目。+5與+6韌化劑會聯合+2與+3陽離子，主要基於+4陽離子次晶格的有效電荷中和；其次基於尺寸條件。
一種次生問題為不同價(alio-valent)陽離子，會有著接近於晶界之增加的或減少的陽離子濃度的空間電荷層。在Y-TZP中，此可為釔離子濃度至多為晶粒塊體中的3莫耳% Y2 O3 的水平之約三倍。開始於晶界的成核事件會遭遇到此空間電荷區域。因此，需要用以趨動成核(部分差排)的能量相當高，有較高的三聚物濃度。部分差排在其移動期間需要稍微分離電荷。使用安定劑與安定協助劑的+4陽離子，僅有尺寸失配應力(其在晶界處會稍微地降低)會造成從晶界至晶粒內部的非鋯離子的濃度梯度。
自催化轉變經常發現在較高韌性的TZP轉變中，Ce-TZP轉變或那些帶有大晶粒尺寸與包括韌化劑的。接近裂痕的Y-TZP中之一般的轉變區可為相當小的，在大約一微米的程度，僅距離裂痕尖端數個晶粒。相反地，接近於裂痕的自催化轉變區域可為數十微米厚。在自催化轉變反應中，在晶粒中局部於裂痕(可能在轉變的單斜晶麻田散鐵的葉片的尖端處)的應力建立足夠高應力，使離轉變的(轉變中)晶粒更遠的晶粒也被轉變，啟動更遠的晶粒中的轉變，等等。
除了諸如，例如氧化鋯、氧化鋁、碳化物、氮化物，等等的陶瓷材料之外，包含外殼102的組成物也包括各種用於陶瓷的習知添加物。可包括在包含外殼102的組成物中的一種添加物為著色劑。著色劑可用於施加期望色彩於外殼，從而提供期望的美觀效果與個人化給外殼。在某些具體例中，著色劑可為金屬氧化物，選自由氧化鈷、氧化銅、氧化鐵、或前述物的混合物所構成的群組。在某些具體例中，著色劑可添加至陶瓷批料，使得其存在於在被形成與燒結之前的生坯陶瓷材料中。
現在將說明根據某些具體例之用於製造外殼的方法。在一或多個具體例中，在巨紋理形成之後，微紋理形成在生坯陶瓷材料上。生坯陶瓷材料可包含黏合劑及粉末化陶瓷材料。黏合劑在某些具體例中可為聚合物黏合劑。在一或多個具體例中，聚合物黏合劑可例如包括聚乙烯醇(poly vinyl alcohol)、丙烯酸酯(acrylics)、聚乙烯醇縮丁醛(poly vinyl butyral)、聚環氧乙烷(poly ethylene oxide)及各種分子量的聚乙二醇(polyethylene glycols)、聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone)、諸如羥甲基纖維素(hydroxymethylcellulose)、羥乙基纖維素(hydroxyethylcellulose)及羥丙基織維素(hydroxyproplycellulose)的纖維素、諸如洋菜膠與阿拉伯膠的膠類、丙烯酸酯、乙烯丙烯酸酯(vinylacrylics)、丙烯酸類、聚丙烯醯胺(polyacrylamides)、澱粉類或本領域中已知的黏合劑的其他組合與置換物。或者，黏合劑可含有諸如帶有水性液的丙烯酸乳液的乳液。或者，生坯陶瓷材料可含有一或多個黏合劑前驅物，其經由加熱、乾燥或暴露至輻射而形成黏合劑，諸如像是聚甲基丙烯酸甲酯的丙烯酸酯，或諸如多官能酸與多官能二醇的縮合聚合物。
存在於生坯陶瓷材料中的陶瓷粉末在某些具體例中可主要包括氧化鋯。例如，陶瓷粉末可包含至少15 vol%氧化鋯，諸如至少20 vol%氧化鋯、至少25 vol%氧化鋯、至少30 vol%氧化鋯、至少35 vol%氧化鋯、至少40 vol%氧化鋯、至少45 vol%氧化鋯、至少50 vol%氧化鋯、至少55 vol%氧化鋯、至少60 vol%氧化鋯、至少65 vol%氧化鋯、至少70 vol%氧化鋯、至少75 vol%氧化鋯、至少80 vol%氧化鋯、或至少85 vol%氧化鋯。此陶瓷粉末的剩餘物可包含氧化鋁、碳化物、氮化物、及前述物的組合。
根據某些具體例，微紋理可形成在諸如例如生坯陶瓷薄片的生坯陶瓷材料中，藉由在壓印聚合物或金屬載體薄片上之刮刀成形。刮刀成形的一個範例方法揭示在美國專利第8,894,920號中，其全文以引用方式併入本文。在某些具體例中，在成形的生坯陶瓷材料脫膜之後，例如諸如丙烯酸酯的聚合物可成形在形成在生坯陶瓷材料中的微紋理上方。在某些具體例中，由刮刀成形製程形成的微紋理可位在諸如例如陶瓷薄片的陶瓷材料上，使得微紋理安置在也會具有巨紋理的生坯陶瓷材料的一部分之上。在其他具體例中，微紋理可形成在整個生坯陶瓷材料之上。應理解到刮刀成形僅為一種範例方法用於形成微紋理於生坯陶瓷材料上，而可使用用於在生坯陶瓷材料上形成微紋理的其他製程。例如，形成陶瓷材料可藉由擠製、模壓、模式化、及火花電漿燒結。微紋理的幾何形狀是預定的且形成微紋理以符合預定幾何形狀，從而形成預定微紋理。
在一或多個具體例中，巨紋理可藉由壓印包含微紋理的生坯陶瓷材料而形成。在某些具體例中，包含微紋理的生坯陶瓷材料與包含巨紋理的幾何形狀之鏡像的模具或圖章接觸。接著施加壓力於模具或圖章以壓印巨紋理於生坯陶瓷材料之上。應理解到壓印生坯陶瓷材料需要的壓力會取決於生坯陶瓷材料的組成與巨紋理的期望深度而變動。在已經按壓持續適當期間之後，模具或圖章與生坯陶瓷材料分離。在一或多個具體例中，中間材料可放置在生坯陶瓷材料與模具或圖章之間以防止生坯陶瓷材料於分離時黏附於模具或圖章。應理解到壓印製程的參數(諸如溫度、持續期間、壓力、等等)會取決於生坯陶瓷材料與所使用的黏合劑系統而變化。
應理解到在一或多個具體例中，生坯陶瓷材料可具有積層結構，其中生坯陶瓷材料的多個層彼此黏附。此積層結構可接著如上述被壓印。在包含積層結構的某些具體例中，應理解到積層結構的最外層為包含微紋理的層。因此，積層結構的最外層將被刮刀成形或壓印帶有微紋理，然而積層結構的其他層不包含微紋理。在某些具體例中，由壓印巨紋理至積層結構的壓力助於將積層結構的層彼此黏附。
一旦生坯陶瓷材料已被壓印帶有巨紋理，可燒結生坯陶瓷材料以形成包含可攜式電子裝置的外殼的陶瓷材料。生坯陶瓷材料的燒結包括加熱生坯陶瓷材料至從大於或等於1300 °C至小於或等於1450 °C的溫度，持續從大於或等於1小時至小於或等於5小時的時段。應理解到根據某些具體例也可使用其他合適的燒結步驟與參數。一旦燒結完成，陶瓷主體會以機械方式與可攜式電子裝置的其他部件結合。
在下方提供具體例的條例。
第一條例包含用於可攜式電子裝置的外殼，包含：射頻透明多晶陶瓷部分，包含第一表面與平行於第一表面的第二表面；其中射頻透明多晶陶瓷部分包含在第一表面的至少一部分上的巨紋理， 其中預定微紋理安置在巨紋理的至少一部分上，及預定微紋理具有小於巨紋理的深度之深度。
第二條例包含第一條例的用於可攜式電子裝置的外殼，其中巨紋理的深度為從大於或等於約50 µm至小於或等於750 µm。
第三條例包含第一與第二條例的任一者之用於可攜式電子裝置的外殼，其中預定微紋理的深度為從大於或等於0.1 µm至小於50 µm。
第三條例包含第一至第三條例的任一者之用於可攜式電子裝置的外殼，其中第一表面與第二表面之間的厚度小於或等於3 mm。
第五條例包含第一至第四條例的任一者之用於可攜式電子裝置的外殼，其中巨紋理的深度為從大於或等於10%的第一表面與第二表面之間的厚度至小於或等於15%的第一表面與第二表面之間的厚度。
第六條例包含第一至第五條例的任一者之用於可攜式電子裝置的外殼，其中預定微紋理的深度為從大於或等於1%的第一表面與第二表面之間的厚度至小於或等於1.5%的第一表面與第二表面之間的厚度。
第七條例包含第一至第六條例的任一者之用於可攜式電子裝置的外殼，其中射頻透明多晶陶瓷部分包含大於或等於15體積百分比的氧化鋯。
第八條例包含第一至第七條例的任一者之用於可攜式電子裝置的外殼，其中至少60體積百分比的氧化鋯為四方晶相氧化鋯。
第九條例包含第一至第八條例的任一者之用於可攜式電子裝置的外殼，其中射頻透明多晶陶瓷部分包含大於或等於75體積百分比的氧化鋯。
第十條例包含第一至第九條例的任一者之用於可攜式電子裝置的外殼，其中射頻透明多晶陶瓷部分包含一或多個著色劑。
第十一條例包含製造用於可攜式電子裝置的外殼的方法，包含：形成包含第一表面與平行於第一表面的第二表面之生坯陶瓷製品；壓印生坯陶瓷製品的第一表面的至少一部分帶有巨紋理；及燒結包含巨紋理與預定微紋理的生坯陶瓷製品以形成燒結陶瓷製品，其中預定微紋理安置在巨紋理的至少一部分上，預定微紋理具有小於巨紋理的深度之深度，及其中燒結陶瓷製品為射頻透明多晶陶瓷。
第十二條例包含第十一條例的方法，其中巨紋理的深度為從大於或等於10%的第一表面與第二表面之間的厚度至小於或等於15%的第一表面與第二表面之間的厚度。
第十三條例包含第十一與十二條例的任一者之方法，其中預定微紋理的深度為從大於或等於1%的第一表面與第二表面之間的厚度至小於或等於1.5%的第一表面與第二表面之間的厚度。
第十四條例包含第十一至十三條例的任一者之方法，其中在壓印生坯陶瓷製品帶有巨紋理之前，生坯陶瓷製品包含積層結構。
第十五條例包含第十一至十四條例的任一者之方法，其中在壓印生坯陶瓷製品帶有巨紋理之前，積層結構的最外層包含預定微紋理。
第十六條例包含第十一至十五條例的任一者之方法，其中預定微紋理藉由壓印或在紋理化載具網上的刮刀成形而形成在積層結構的最外層上。
第十七條例包含第十一至十六條例的任一者之方法，其中在壓印積層結構帶有巨紋理之前，聚合物填充進入預定微紋理。
第十八條例包含第十一至十七條例的任一者之方法，其中射頻透明多晶陶瓷包含大於或等於15體積百分比的氧化鋯。
第十九條例包含第十一至十八條例的任一者之方法，其中生坯陶瓷製品包含著色劑。
第二十條例包含一種可攜式電子裝置，包含：第一至第十條例之任一者的外殼；至少部分地提供在外殼內之電子部件，電子部件至少包括控制器、記憶體、及顯示器，顯示器提供在外殼的第二表面處或鄰近於外殼的第二表面；及安置在顯示器上方的蓋基板。實例
將藉由下列非限制實例進一步闡明具體例。 實例1
使用在下列實例中的陶瓷薄片以下列方式形成。
由中國的Sinocera Technologies獲得可刮刀成形之形式的氧化鋯介電粉末。準備刮刀成形漿料，其標記組成(以體積計)為：氧化鋯G3Y-010NO(20.0%)–Sinocera、Butvar B-98(5.5%)–Solutia、無水乙醇(41.7%)–Pharmco-AAPER、1-丁醇(26.8%)–Fisher Scientific、鄰苯二甲酸二丁酯(dibutyl phalate)(5.0%)–ACROS ORGANICS、及Phospholan PS-236(1.0%)–AkzoNobel。
藉由兩步驟製程完成黏合劑的形成。在第一步驟中，75%的總乙醇，及所有的丁醇、鄰苯二甲酸二丁酯及PS-236被量測進入一潔淨瓶。此混合物接著在迅速旋轉的滾磨機上整夜滾動(在不具介質下)，以充分地將Butvar溶解進入溶劑溶液。剩餘25%的乙醇被量測出來並保留做為用於含有其他黏合劑成分的瓶子的清洗劑。氧化鋯被秤出並留存。
使用Union Process Model HDDM-01實驗室分次式磨粉機進行漿料成分的磨粉，以完全地混合所有成分並產生適用於刮刀成形的均勻漿料。磨碎腔室(300 cc容量)以2 mm氧化鋯介質(3Y-TZP，Tosho，日本)所填充並加入黏合劑溶液。加入乙醇清洗液至先前含有黏合劑溶液的瓶子。搖動此瓶子並容許靜置約1分鐘。來自瓶子的乙醇/黏合劑清洗混合物接著加入至磨料中。此最終黏合劑溶液以500 RPM被磨碎持續5分鐘。最後，加入氧化鋯至此磨料，及此磨料被帶至1300 RPM並混合持續1小時。均衡溶劑溶液的主要成分，以致於當結合同時的混合/擾動，獲得溶劑系真空可去除空氣(de-airable)漿料。在磨碎/混合之後，漿料接著從介質倒出並使用Kurabo MAZERUSTAR KK-V360SS 行星式攪拌機去除空氣(de-aired)。
就此，準備好漿料用於刮刀成形。在TAM Ceramics Inc. Cladan Model 164厚膜成形機上執行成形。8密耳刮刀與矽化麥拉(siliconized Mylar)載體膜一同使用，與漿料以40 cm/min的成形速度而成形。此製程於乾燥後產生生厚度在60-80微米範圍中之坯帶。生坯帶接著被空白化以形成尺寸並堆疊成期望生坯厚度以容納在燒製期間的燒結收縮。生坯薄片堆疊隨後在Carver Auto Series NE加壓機中被單軸地積層於85 °C，1500 psi，持續20分鐘。在PTC-Pacific Trinetics Corp Model LT14001 均等積層機(isolaminator)中燒結之前，單軸加壓後此積層係壓力均等地加壓於85 °C，5000 psi，持續20分鐘。
生坯積層接著在CM Inc.快速溫度爐中之100 °C/hr.加熱排程之後在兩個Zircar ZAL-15AA纖維板之間於1350 °C燒結持續兩小時。在冷卻時，獲得適用於可攜式電子裝置中的外殼之帶有約500 μm厚度的40 mm x 40 mm緻密單塊氧化鋯板。此面板稍後在空氣中被投擲約兩呎，並容許掉落至傾斜地面而不帶有可見的明顯損傷於此板。燒製的陶瓷板的黑色與粉紅色版本顯示在圖6中。 實例2
此實例使用實例1中生產的未燒製壓力均等加壓的生坯積層。60網目的聚丙烯酸酯絲網之單一層放置在積層的頂部上並壓力均等地加壓於85 °C及5000 psi持續20分鐘。在積層後，絲網被剝離，留下絲網紋理的壓印印記於積層的頂部上。壓印的生坯積層隨後在100 °C/hr.加熱排程後在兩個Zircar ZAL-15AA纖維板托架之間於1350 °C燒結持續兩小時。在冷卻時，獲得適用於做為可攜式電子裝置中的外殼之具有編織巨紋理的帶有約500 μm厚度的40 mm x 40 mm緻密單塊氧化鋯板。此單塊氧化鋯板顯示在圖7中。此實例展示經由生坯態壓印被施加於燒製單塊氧化鋯板的表面的巨紋理的可行性。使用本方法與可擴展的方法，可輕易地預想到諸如人字形及其他美觀地重覆的巨觀紋理之類似實例。 實例3
此實例使用實例1中生產的未燒製壓力均等加壓的生坯積層。Struers FEPA P#120粒度的碳化矽砂紙的一層放置在積層的頂部上，藉由約35 μm厚的麥拉(Mylar)層分隔開以減少黏貼並壓力均等地積層於85 °C及5000 psi持續20分鐘。在積層後，在以100 °C/hr.加熱排程後麥拉(Mylar)與砂紙被剝離積層。壓印的生坯積層隨後在兩個Zircar ZAL-15AA纖維板托架之間於1350 °C燒結持續兩小時。在冷卻時，獲得適用於做為可攜式電子裝置的外殼之帶有約500 μm厚度並具有粗糙化巨紋理的40 mm x 40 mm緻密單塊氧化鋯板。此單塊氧化鋯板顯示在圖8中。此實例展示經由生坯態壓印被施加於燒製單塊氧化鋯板的表面的巨紋理的可行性。 實例4
此實例使用實例1中生產的未燒製壓力均等加壓的生坯積層。圖案化圖章放置在積層的頂部上，藉由約35 μm厚的麥拉(Mylar)層分隔開以減少黏貼並壓力均等地積層於85 °C及5000 psi持續20分鐘。在積層後，麥拉(Mylar)與圖案化圖章被剝離積層。在100 °C/hr.加熱排程後壓印的生坯積層隨後在兩個Zircar ZAL-15AA纖維板托架之間於1350 °C燒結持續兩小時。此實例展示經由生坯態壓印被施加於燒製單塊氧化鋯板的表面的諸如精細筆跡/文字(顯示100-200 μm )、圖像轉移、數字的設計元素、及各種紋理的可行性。
圖9顯示氧化鋯薄片上的圖案化圖章。 實例5
在此實例中，在成形之前，大氣泡形式的空氣被導入漿料中。此漿料在其他方面以如實例1中所概述的相同方法所處理。生成的紋理是非重覆的漣漪圖案，其顯示為不僅為美觀的也經由減少的滑動提供表面更順從於操作。圖10中展示根據此實例製造之陶瓷片。
在不背離申請專利標的之精神與範疇下，本領域的熟習技藝者明顯地可對本文所述的具體例進行各種修改與變化。因此，意於本說明書涵蓋在本文所說明的各種具體例的修改與變化，只要此修改與變化是在隨附申請專利範圍及其等效物的範疇內。
100‧‧‧電子裝置
102‧‧‧外殼
104‧‧‧前部(第二表面)
106‧‧‧背部(第一表面)
108‧‧‧側表面
110‧‧‧顯示器
112‧‧‧蓋基板
210‧‧‧巨紋理
410‧‧‧微紋理
圖1A與1B圖解地描繪根據本文所揭示與說明的具體例的具有外殼的電子裝置；
圖2A與2B圖解地描繪根據本文所揭示與說明的具體例的具有巨紋理的陶瓷材料的平面圖；
圖3A與3B圖解地描繪根據本文所揭示與說明的具體例的具有巨紋理的陶瓷材料的剖面圖；
圖4圖解地描繪根據本文所揭示與說明的具體例的具有微紋理的陶瓷材料的平面圖；
圖5A圖解地描繪根據本文所揭示與說明的具體例的具有微紋理的陶瓷材料的剖面圖；
圖5B圖解地描繪根據本文所揭示與說明的具體例的如圖5A所示具有微紋理的陶瓷材料的剖面圖的放大圖；
圖6為根據本文所揭示與說明的具體例形成的兩片氧化鋯薄片的相片；
圖7為根據本文所揭示與說明的具體例的具有巨紋理的陶瓷薄片的放大相片；
圖8為根據本文所揭示與說明的具體例的具有巨紋理的陶瓷薄片的放大相片；
圖9為根據本文所揭示與說明的具體例的具有巨紋理的陶瓷薄片的放大相片；
圖10為根據本文所揭示與說明的具體例的具有巨紋理的陶瓷薄片的相片。
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Claims (10)

  1. 一種用於一可攜式電子裝置的外殼，包含： 一射頻透明多晶陶瓷部分，包含一第一表面與平行於該第一表面的一第二表面；其中該射頻透明多晶陶瓷部分包含在該第一表面的至少一部分上的一巨紋理，及其中一預定微紋理安置在該巨紋理的至少一部分上。
  2. 如請求項1所述之用於一可攜式電子裝置的外殼，其中該巨紋理具有從大於或等於約50 μm至小於或等於750 μm的一深度。
  3. 如請求項1與2之任一項所述之用於一可攜式電子裝置的外殼，其中該預定微紋理具有從大於或等於0.1 μm至小於50 μm的一深度。
  4. 如請求項1與2之任一項所述之用於一可攜式電子裝置的外殼，其中該第一表面與該第二表面之間的一厚度小於或等於3 mm。
  5. 如請求項1與2之任一項所述之用於一可攜式電子裝置的外殼，其中該巨紋理具有從大於或等於10%的該第一表面與該第二表面之間的厚度至小於或等於15%的該第一表面與該第二表面之間的厚度之一深度，及 該預定微紋理具有從大於或等於1%的該第一表面與該第二表面之間的厚度至小於或等於1.5%的該第一表面與該第二表面之間的厚度之一深度。
  6. 一種用於製造一可攜式電子裝置之一外殼的方法，包含以下步驟： 形成一生坯陶瓷製品，該生坯陶瓷製品包含一第一表面與平行於該第一表面的一第二表面；壓印該生坯陶瓷製品的該第一表面的至少一部分帶有一巨紋理； 將一預定微紋理安置在該生坯陶瓷製品的該第一表面的該至少一部分上；及 燒結包含該巨紋理與該預定微紋理的該生坯陶瓷製品以形成一燒結陶瓷製品， 其中一預定微紋理安置在該巨紋理的至少一部分上，及 其中該燒結陶瓷製品為一射頻透明多晶陶瓷。
  7. 如請求項6所述之用於製造一可攜式電子裝置之一外殼的方法，其中該巨紋理具有從大於或等於10%的該第一表面與該第二表面之間的一厚度至小於或等於15%的該第一表面與該第二表面之間的一厚度之一深度，及 該預定微紋理具有從大於或等於1%的該第一表面與該第二表面之間的該厚度至小於或等於1.5%的該第一表面與該第二表面之間的該厚度之一深度。
  8. 如請求項6與7之任一項所述之用於製造一可攜式電子裝置之一外殼的方法，其中在壓印該生坯陶瓷製品帶有該巨紋理之前，該生坯陶瓷製品包含一積層結構。
  9. 如請求項6與7之任一項所述之用於製造一可攜式電子裝置之一外殼的方法，其中在壓印該生坯陶瓷製品帶有該巨紋理之前，該積層結構的一最外層包含該預定微紋理。
  10. 如請求項6與7之任一項所述之用於製造一可攜式電子裝置之一外殼的方法，其中該預定微紋理藉由壓印或在一紋理化載具網上的刮刀成形而形成在該積層結構的該最外層上。
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